TW201940027A - 軟性電路基板之佈線結構 - Google Patents

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Abstract

一種軟性電路基板之佈線結構包含一軟性基板及複數個線路，該軟性基板具有一表面，各該線路形成於該軟性基板之該表面上，各該線路具有一凸塊導接端，該凸塊導接端位於該表面之晶片設置區中並電性連接一晶片，其中，各該線路具有一彎曲段，該彎曲段具有一第一導接點及一第二導接點，該第一導接點與該第二導接點之間具有一直線距離，該彎曲段之長度大於該直線距離。

Description

軟性電路基板之佈線結構
本發明是關於一種軟性電路基板，特別是關於一種軟性電路基板之佈線結構。
薄膜覆晶基板(Chip on film)為一種封裝技術，特徵在於晶片以倒置的方式接合於薄膜基板上，其中晶片具有複數個凸塊，薄膜基板具有複數個線路，晶片之各該凸塊連接薄膜基板之各該線路，使得晶片可藉由凸塊電性連接薄膜基板，而可直接透過凸塊進行訊號之傳輸，以大幅地降低整體封裝裝置的尺寸。由於薄膜基板具有可撓性，因此薄膜基板又被稱為可撓性基板或軟性電路基板，隨著科技的發展，軟性電路基板上的線路間距(pitch)已進入了微間距之尺寸(fine pitch，線路間距約介於20μm至30μm之間)。
軟性電路基板在朝向超微間距(super fine pitch，線路間距約介於10μm至20μm之間)的目標發展中，所面臨的問題是線路之間的間距為超微間距時，因蝕刻製程的需求使得線路的寬度隨之下降，這也導致線路與軟性基板之間接觸面積過小而造成連接強度不足的問題發生，使得晶片與軟性電路板熱接合製程時，軟性電路基板會受熱而膨脹，令線路由軟性基板上剝離(peeling)或是凸塊與其對應之線路錯位(bonding shift)的情形發生。
本發明的主要目的在於藉由線路之彎曲段增加線路與軟性基板之間的接合強度，以避免線路於凸塊接合的熱壓合製程中由軟性基板上剝離或凸塊錯位的情形發生。
本發明之一種軟性電路基板之佈線結構包含一軟性基板及複數個線路，該軟性基板具有一表面，一晶片覆晶於該表面之一晶片設置區上，各該線路形成於該軟性基板之該表面上，各該線路具有一凸塊導接端，該些凸塊導接端位於該晶片設置區中並電性連接該晶片之複數個凸塊，各該線路具有一彎曲段，且各該彎曲段與各該凸塊之一邊緣之間的一距離介於20μm至110μm之間，其中，該彎曲段具有一第一導接點及一第二導接點，該第一導接點與該第二導接點之間具有一直線距離，該彎曲段之長度大於該直線距離。
本發明藉由該些線路之該彎曲段的設置增加該些線路與該軟性基板之間的接觸面積，以提昇該些線路之該凸塊導接端與該軟性基板之間的接合強度，而可避免該些線路在熱壓合的製程中剝離。
請參閱第1圖，其為本發明之一第一實施例，一種軟性電路基板之佈線結構100的示意圖，該軟性電路基板之佈線結構100包含一軟性基板110、一晶片120及複數個線路130，該軟性基板110具有一用以設置元件之表面111，該晶片120及該些線路130設置於該軟性基板110之該表面111上。請參閱第1、2及3圖，在本實施例中，該表面111上具有一晶片設置區111a，而該晶片120覆晶於該表面111之該晶片設置區111a上，該線路130具有一凸塊導接端131，該凸塊導接端131位於該晶片設置區111a中並電性連接該晶片120，其中，該晶片120具有複數個凸塊121，各該凸塊121連接各該線路130之該凸塊連接端131，使該晶片120經由各該凸塊121電性連接各該線路130之該凸塊導接端131，讓該晶片120與該軟性基板110之該些線路130之間能進行訊號之傳輸。
在本實施例中，該軟性基板110、該晶片120及該線路130構成一薄膜覆晶基板封裝(Chip on film package, COF)，其中，該軟性基板110之材料為聚醯亞胺(Polyimide)，該些線路130之材料為銅，該些凸塊121之材料可選自於金、銅、銀、鎳、錫或其合金。
請參閱第2圖，較佳的，各該線路130之間的一間距(Pitch)P1介於10μm至20μm之間，使該薄膜封裝基板可為超微間距(Super fine pitch)之規格，由於各該線路130是與各該凸塊121相互導接，因此，各該凸塊121之間的一間距P2與各該線路130之間的該間距P1實質上相同。
請參閱第3圖，由於該晶片120在覆晶之熱壓合製程中會以一加溫加壓裝置(圖未繪出)抵壓及加熱該晶片120或該軟性基板110之該晶片設置區111a，讓該晶片120之該凸塊121能與該些線路130之該凸塊導接端131共晶連接，但熱壓合所產生的熱會影響到鄰近之該軟性基板110使其略為膨脹而影響該些線路130與該軟性基板110之間的接合強度。在本實施例中，該晶片120之該些凸塊121的排列呈一字型，也就是該些凸塊121排列於同一直線上，且各該線路130具有一彎曲段132，各該凸塊121之一邊緣121a與該彎曲段132之間的一距離D實質上均相同，其中，該彎曲段132與各該凸塊之121該邊緣121a之間的該距離D介於90μm至110μm之間，係為容易受到熱壓合之高溫影響的位置，該彎曲段132具有一第一導接點132a及一第二導接點132b，該第一導接點132a與該第二導接點132b之間具有一直線距離SLD，其中該彎曲段132之長度大於該直線距離SLD，藉此，能讓鄰近該晶片設置區111a之該些線路130與該軟性基板110之間的接合強度能夠提升，以避免該線路130由該軟性基板110上剝離，在本實施例中，該直線距離SLD介於25μm至65μm之間。
請參閱第4圖，為本發明之一第二實施例的局部示意圖，第二實施例與第一實施例的差異在於該晶片之該些凸塊121的排列呈交錯型，也就是相鄰的兩個凸塊121的位置是錯開的，可令該些凸塊及該些線路之間的該間距較第一實施例密集。其中，該些凸塊121包含複數個第一凸塊121b及複數個第二凸塊121c，各該第一凸塊121b之一第一邊緣121d與該彎曲段132之間具有一第一距離D1，且該第一距離D1介於90μm至110μm之間，各該第二凸塊121c之一第二邊緣121e與該彎曲段132之間具有一第二距離D2，且該第二距離D2介於20μm至30μm之間，相同地，本實施例亦可藉由該彎曲段132增加該些線路130與該軟性基板110之間的接合強度，以避免該些線路130由該軟性基板110上剝離。
本發明藉由該些線路130之該彎曲段132的設置，增加該些線路130與該軟性基板110之間的接觸面積，以提昇該些線路130之該凸塊導接端131與該軟性基板110之間的接合強度，而可避免該些線路130在熱壓合的製程中剝離。
本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準，任何熟知此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內所作之任何變化與修改，均屬於本發明之保護範圍。
100‧‧‧軟性電路基板之佈線結構
110‧‧‧軟性基板
111‧‧‧表面
111a‧‧‧晶片設置區
120‧‧‧晶片
121‧‧‧凸塊
121a‧‧‧邊緣
121b‧‧‧第一凸塊
121c‧‧‧第二凸塊
121d‧‧‧第一邊緣
121e‧‧‧第二凸塊
130‧‧‧線路
131‧‧‧凸塊導接端
132‧‧‧彎曲段
132a‧‧‧第一導接點
132b‧‧‧第二導接點
P1、P2‧‧‧間距
SLD‧‧‧直線距離
D‧‧‧距離
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
第1圖： 依據本發明之一第一實施例，一軟性電路基板之佈線結構的示意圖。 第2圖： 依據本發明之一第一實施例，該軟性電路基板之佈線結構的側視圖。 第3圖： 依據本發明之一第一實施例，該軟性電路基板之佈線結構的局部示意圖。 第4圖： 依據本發明之一第二實施例，一軟性電路基板之佈線結構的局部示意圖。

Claims (10)

  1. 一種軟性電路基板之佈線結構，其包含： 一軟性基板，具有一表面，一晶片覆晶於該表面之一晶片設置區上；以及 複數個線路，形成於該軟性基板之該表面上，各該線路具有一凸塊導接端，該些凸塊導接端位於該晶片設置區中並電性連接該晶片之複數個凸塊，各該線路具有一彎曲段，且各該彎曲段與各該凸塊之一邊緣之間的一距離介於20μm至110μm之間，其中，該彎曲段具有一第一導接點及一第二導接點，該第一導接點與該第二導接點之間具有一直線距離，該彎曲段之長度大於該直線距離。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之軟性電路基板之佈線結構，其中該直線距離介於25μm至65μm之間。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述之軟性電路基板之佈線結構，其中該軟性基板之材料為聚醯亞胺(Polyimide)。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述之軟性電路基板之佈線結構，其中該該些線路之材料為銅。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述之軟性電路基板之佈線結構，其中該些凸塊之材料可選自於金、銅、銀、鎳、錫或其合金。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述之軟性電路基板之佈線結構，其中各該線路之間的一間距(pitch)介於10μm至20μm之間。
  7. 依據申請專利範圍第1或6項所述之軟性電路基板之佈線結構，其中各該凸塊之間的一間距與各該線路之間的該間距實質上相同。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述之軟性電路基板之佈線結構，其中該晶片之該些凸塊的排列呈一字型，各該凸塊之該邊緣與該彎曲段之間的該距離實質上均相同，且該距離介於90μm至110μm之間。
  9. 依據申請專利範圍第1項所述之軟性電路基板之佈線結構，其中該晶片之該些凸塊的排列呈交錯型，該些凸塊包含複數個第一凸塊及複數個第二凸塊，各該第一凸塊之一第一邊緣與該彎曲段之間具有一第一距離，且該第一距離介於90μm至110μm之間，各該第二凸塊之一第二邊緣與該彎曲段之間具有一第二距離，且該第二距離介於20μm至30μm之間。
  10. 依據申請專利範圍第1項所述之軟性電路基板之佈線結構，其中該些凸塊之材料可選自於金、銅、銀、鎳、錫或其合金。
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