TW201939579A - 基板處理裝置及基板處理系統 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理系統。基板處理裝置對基板進行熱處理，上述裝置包含以下之要素：對基板進行加熱之熱處理板、用以交接基板之升降銷、使上述升降銷升降之升降銷驅動機構、形成熱處理環境之殼體、抑制上述熱處理板之熱向下方傳遞之冷卻基底板，上述升降銷驅動機構配置於上述冷卻基底板之下方。

Description

基板處理裝置及基板處理系統
本發明係關於一種對半導體晶片、液晶顯示器用基板、電漿顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)用基板、FED(Field Emission Display，場致發射顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板等各種基板(以下簡稱為基板)進行熱處理之基板處理裝置及基板處理系統。
先前，存在具備如下之裝置作為此種裝置：熱處理板，其對所載置之基板進行加熱；升降銷，其為了交接基板而設置於熱處理板；覆蓋構件，其包圍熱處理板之上部，構成為可相對於熱處理板升降，並形成基於熱處理板之熱處理環境；殼體，其包圍熱處理板與覆蓋構件；頂板，其設置於覆蓋構件之頂面與熱處理板之上表面之間；及位置調整構件，其調整頂板之下表面與熱處理板之上表面之間隔(例如，參照日本專利特開2000-3843號公報)。
於以如上方式構成之基板處理裝置中，覆蓋構件、使升降銷升降之驅動機構及控制其等之控制設備配置於作為殼體外部之側面。
然而，於具有此種構成之先前例之情形時存在如下問題。
即當先前之裝置於殼體內配置氣缸或馬達等驅動機構時，有因熱處理板之熱影響而導致產生故障之虞，因此難以將驅動機構配置於殼體內。因此，存在裝置之覆蓋區增大之問題。
尤其是最近，為了進行微細加工處理，有時會形成被稱為塗佈碳膜之下層膜。為了生成該下層膜，與此前之100～150℃左右之熱處理相比，於300～500℃左右之高溫下進行熱處理。若變成此種高溫，則驅動機構因熱影響而導致產生故障之虞就會變得極大，因此亦存在逐漸難以配置於殼體內之情況。
另一方面，為了抑制熱處理板之熱影響並且減小覆蓋區，於將驅動機構配置於殼體內時，必須配置於自熱處理板向下方大幅遠離之部位。因此，將驅動機構配置於殼體內來縮小覆蓋區因裝置之高度變得過高而不現實。
本發明係鑒於此種情況而完成者，目的在於提供一種藉由熱分離抑制高度並且可縮小覆蓋區之基板處理裝置及基板處理系統。
本發明為了達成此種目的而採用如下構成。
又，本發明係對基板進行熱處理之基板處理裝置，上述裝置包含以下之要素：熱處理板，其載置基板，並對基板進行加熱；升降銷，其用以交接基板；升降銷驅動機構，其使上述升降銷相對於上述熱處理板之上表面升降；殼體，其覆蓋上述熱處理板之周圍，形成基於熱處理板之熱處理環境；及冷卻基底板，其上部配置有上述熱處理板，且抑制上述熱處理板之熱向下方傳遞；上述升降銷驅動機構配置於上述冷卻基底板之下方。
根據本發明，由於係藉由冷卻基底板進行熱分離，故而熱處理板之熱自熱處理板向下方傳遞得到抑制。因此，可抑制熱處理板之熱向配置於冷卻基底板之下方之升降銷驅動機構傳遞。其結果為，可不自熱處理板向下方大幅遠離而將升降銷驅動機構配置於殼體內，因此可抑制高度，並且可抑制裝置之覆蓋區。
又，於本發明中，上述殼體具備供基板搬入搬出之搬入搬出口，並且進而具備使上述搬入搬出口開閉之閘門主體、及驅動上述閘門主體之閘門主體驅動機構，上述閘門主體驅動機構配置於上述冷卻基底板之下方。上述升降銷驅動機構較佳為以與上述冷卻基底板之間進行熱傳遞之狀態安裝於上述冷卻基底板之下表面。
可抑制熱處理板之熱向配置於冷卻基底板之下方之閘門主體驅動機構傳遞。其結果為，可不自熱處理板向下方大幅遠離而將閘門主體驅動機構配置於殼體內，因此可抑制高度，並且可抑制裝置之覆蓋區。
又，於本發明中，上述升降銷驅動機構較佳為以與上述冷卻基底板之間進行熱傳遞之狀態安裝於上述冷卻基底板之下表面。
將升降銷驅動機構直接或者以隔著熱傳遞構件可進行熱傳遞之狀態安裝於冷卻基底板之下表面。因此，由於係藉由冷卻基底板進行冷卻，故而可抑制升降銷驅動機構因熱處理板而升溫。又，於隔著熱傳遞構件之情形時，可採用針對冷卻基底板之各種安裝方法，從而可提高安裝之自由度。
又，於本發明中，上述閘門主體驅動機構較佳為以與上述冷卻基底板之間進行熱傳遞之狀態安裝於上述冷卻基底板之下表面。
將閘門主體驅動機構直接或者以隔著熱傳遞構件可進行熱傳遞之狀態安裝於冷卻基底板之下表面。因此，由於係藉由冷卻基底板進行冷卻，故而可抑制閘門主體驅動機構因熱處理板而升溫。又，於隔著熱傳遞構件之情形時，可採用針對冷卻基底板之各種安裝方法，從而可提高安裝之自由度。
又，於本發明中，上述冷卻基底板較佳為供冷媒流通之冷媒流路遍及整體而形成。
藉由製成使冷媒沿冷媒流路積極地流通而進行冷卻之冷卻基底板，可有效率地吸收來自熱處理板之熱。因此，可抑制熱處理板之熱向冷卻基底板之下方傳遞。
又，於本發明中，較佳為進而具備配置於上述熱處理板之下表面與上述冷卻基底板之上表面之間之複數根支柱，上述熱處理板藉由上述複數根支柱安裝於上述冷卻基底板。
藉由複數根支柱，以熱處理板之下表面遠離冷卻基底板之狀態安裝熱處理板。因此，可僅由支柱進行來自熱處理板之藉由熱傳遞而進行之導熱。其結果為，可抑制因熱傳遞而導致冷卻基底板升溫，從而可增大藉由冷卻基底板而進行之熱分離之程度。
又，本發明於將基板處理裝置積層配置成多段而構成之基板處理系統中，上述各基板處理裝置於其上部具備抑制熱向上方傳遞之熱分離板。
於將基板處理裝置積層配置成多段而成之基板處理系統中，於基板處理裝置之殼體內可抑制熱處理板之熱向下方傳遞。然而，由於熱處理板之熱會向上方傳遞，故而有上方之基板處理裝置中之升降銷驅動機構受到不良影響之虞。因此，藉由於各基板處理裝置之上部配置熱分離板，可抑制此種不良影響。
以下，參照圖式對本發明之一實施例進行說明。
圖1係表示實施例之基板處理裝置之整體構成之概略構成圖，圖2係可動頂板之俯視圖，圖3係表示升降銷之前端部附近之縱剖視圖。
實施例之基板處理裝置1對基板W實施熱處理。具體而言，進行為了進行微細加工處理而形成例如被稱為塗佈碳膜之下層膜時之熱處理。為了生成該下層膜，於300～500℃左右之高溫下進行熱處理。
基板處理裝置1具備下部基底板3、水冷式基底板5、熱處理板7、可動頂板單元9、升降銷單元11、殼體13、及閘門單元15。
該基板處理裝置1自相鄰配置之搬送臂17被搬入基板W，在實施熱處理後，藉由搬送臂17將已處理之基板W搬出。
下部基底板3於上表面豎立設置有支柱19，且於支柱19之上部配置有水冷式基底板5。水冷式基底板5抑制熱處理板7之熱向下方傳遞。具體而言，水冷式基底板5例如於內部可供冷媒流通之冷媒流路21遍及整個面而形成。例如作為冷媒之冷卻水於該冷媒流路21中流通。該冷卻水例如被調溫成20℃。
再者，上述水冷式基底板5相當於本發明之「冷卻基底板」。
熱處理板7於俯視下呈圓形狀。其直徑略大於基板W之直徑。熱處理板7內置有未圖示之加熱器等加熱機構，例如係以表面溫度成為400℃之方式被加熱。熱處理板7係藉由設置於其下表面與水冷式基底板5之上表面之間之4根支柱23，以自水冷式基底板5向上方遠離之狀態配置。熱處理板7於俯視下與正三角形之各頂點對應之位置形成有貫通口25(因圖示關係而只示出2個部位)。
於熱處理板7附設有可動頂板單元9。可動頂板單元9具備升降基底板27、升降機構29、控制設備30、支柱31、及可動頂板33。
升降基底板27具備避開與支柱23及下述升降銷41之干涉之開口。升降機構29例如包含氣缸。升降機構29係於以使具有作動軸之部分朝向上方之姿勢與水冷式基底板5密接並進行熱傳遞之狀態而直接安裝。該升降機構29可將作動軸之前端部之高度固定於任意位置。關於升降機構29，其作動軸連結於升降基底板27之底面。於位於升降機構29之下方之下部基底板3之上表面配置有具備空氣閥及電磁閥等之控制設備30。控制設備30藉由給予升降機構29之空氣之切換等而直接進行操作。當藉由控制設備30使升降機構29之作動軸升降時，可使升降基底板27之高度位置可變。升降基底板27於其上表面例如豎立設置有4根支柱31。於4根支柱31之上端安裝有可動頂板33。
如圖2所示，可動頂板33俯視下於中央部形成有開口35。開口35俯視下形成為小於基板W之直徑。該可動頂板33藉由升降機構29作動而與升降基底板27一起升降。可動頂板33之升降位置遍及對基板W進行熱處理時之下降位置與搬入基板W時之上升位置而移動。再者，下降位置較佳為距基板W之上表面與可動頂板33之下表面之距離約為10 mm。其原因在於藉由發明者等之實驗得知，為了提高基板W之表面中之溫度分佈之面內均勻性，較佳為該距離。
可動頂板33呈其對角線長度形成為長於熱處理板7之直徑之矩形狀。4根支柱31各自之上端連結於可動頂板33之下表面中之四角。可動頂板33之四角位於遠離作為熱源之俯視下圓形狀之熱處理板7之位置。因此，即便可動頂板33因熱處理板7之輻射熱而被加熱，亦可使熱不易傳遞至支柱31。因此，升降機構29不易受到熱影響，從而可抑制產生故障。
上述可動頂板33較佳為包含陶瓷或金屬與陶瓷之合金。藉此，即便進行高溫熱處理，亦可防止因熱而導致變形。
升降銷單元11具備驅動機構37、控制設備38、升降環39、及3根升降銷41。再者，升降銷41因圖示關係而只繪出2根。
驅動機構37例如包含氣缸。驅動機構37係以將其具有作動軸之部分朝向下方，並使相反側與水冷式基底板5之下表面密接而進行熱傳遞之狀態直接安裝。作動軸之下部連結有升降環39。於升降環39之上表面豎立設置有3根升降銷41。驅動機構37由具備空氣閥及電磁閥等之控制設備38直接操作。驅動機構37藉由控制設備38，可遍及3根升降銷41自熱處理板7之上表面向上方突出之交接位置(圖1中之兩點鏈線)與3根升降銷41自熱處理板7之上表面沒入下方之處理位置(圖1中之實線)之兩個部位對其作動軸之高度位置進行調節。3根升降銷41插通形成於熱處理板7之3個部位之貫通口25。
再者，上述驅動機構37及控制設備38相當於本發明中之「升降銷驅動機構」。
升降銷41較佳為如圖3所示般構成。升降銷41具備芯部41a、外筒41b、及石英球41c。芯部41a之相當於主體部41d之上部之前端部41e形成為直徑小於主體部41d。外筒41b形成為前端部以外略大於石英球41c之外徑之內徑。外筒41b之前端部形成為小於石英球41c之直徑之內徑。石英球41c形成為其直徑略小於前端部41e。因此，當於將石英球41c載置於前端部41e之上表面之狀態下覆蓋外筒41b時，成為石英球41c之高達1/3自外筒41b突出之狀態。於該狀態下將卡止銷41g壓入貫通芯部41d與外筒41b之貫通口41f，藉此將外筒41b與石英球41c一起固定於芯部41a而構成升降銷41。再者，石英球41c以外之構件為金屬製。
石英適合作為可耐受高溫環境之材料，但是若考慮到強度及成本，則難以將升降銷41之整體製成石英製。因此，可藉由如上所述般僅將前端部之石英球41c製成石英製而抑制成本。又，由於石英之高度略低於作為基板W之材料之單晶矽，故而損傷基板W之下表面之虞較低，並且由於為球狀，故而可將接觸面積設為最小限。
殼體13覆蓋熱處理板7之上方，形成基於熱處理板7之熱處理環境。殼體13於其一面形成有搬入搬出口43。搬入搬出口43自熱處理板7之上表面附近之高度位置向上方開口。搬送臂17藉由該搬入搬出口43進行基板W之搬入搬出。
於搬入搬出口43附設有閘門單元15。閘門單元15具備驅動機構45、控制設備46、及閘門主體47。驅動機構45係於以其作動軸之部分朝向上方之姿勢一部分與水冷式基底板5密接並進行熱傳遞之狀態下直接安裝。作動軸之上部連結有閘門主體47。驅動機構45係由具備空氣閥及電磁閥等之控制設備46直接操作。當驅動機構45藉由控制設備46使作動軸伸長時，閘門主體47上升而搬入搬出口43關閉(圖1所示之實線)，當驅動機構45使作動軸收縮時，閘門主體47下降而搬入搬出口43打開(圖1所示之兩點鏈線)。
再者，上述驅動機構45及控制設備46相當於本發明中之「閘門主體驅動機構」。
殼體13於其頂面形成有排氣口49。排氣口49與排氣管51連通連接。殼體13之排氣口49與熱處理板7之上表面之間隔例如為30 mm左右。排氣管51與未圖示之排氣設備連通連接。於排氣管51之一部分配置有壓力感測器53。該壓力感測器53檢測排氣管51內之排氣壓力。
殼體13沿著排氣管51之上表面設置有覆套加熱器55。該覆套加熱器55對殼體13及排氣管51進行加熱，防止當包含昇華物之氣體與殼體13接觸時氣體被冷卻而昇華物附著於殼體13之內壁。
控制部61包含未圖示之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)及記憶體。控制部61進行熱處理板7之溫度控制、藉由操作控制設備30而進行之可動頂板單元9之升降控制、藉由操作控制設備38而進行之升降銷單元11之驅動控制、藉由操作控制設備46而進行之閘門單元15之開閉控制、覆套加熱器55之溫度控制、基於壓力感測器53之排氣控制及維護指示等。又，控制部61可對應於基板W對可動頂板單元9之升降控制中之下降位置進行各種操作。例如，於規定了各基板W之處理條件及順序之製程條件中預先規定可動頂板33之下降位置，對未圖示之指示部進行操作，將相當於可動頂板33距基板W之表面之距離之參數預先指示給製程條件。控制部61例如於對基板W進行處理時，參照由裝置操作員指示之與基板W對應之製程條件，並對應於該參數對升降機構29進行操作。藉此，可針對各基板W調整可動頂板33之下降位置。
繼而，參照圖4及圖5對藉由上述構成之基板處理裝置而進行之基板W之處理進行說明。再者，圖4係表示將基板搬入搬出之狀態之縱剖視圖，圖5係表示對基板進行加熱之狀態之縱剖視圖。
首先，如圖4所示，控制部61對可動頂板單元9進行操作，使可動頂板33移動至上升位置。進而，控制部61對升降銷單元11進行操作，使3根升降銷41上升至交接位置。控制部61進行該等操作，並且對閘門單元15進行操作，使搬入搬出口43打開。
接下來，控制部61使搬送臂17於設為高於交接位置且低於上升位置之可動頂板之下表面之位置之狀態下自搬入搬出口43進入，且於熱處理板7之上方使搬送臂17下降。藉此，基板W被交接至位於交接位置之升降銷41。接下來，使搬送臂17自搬入搬出口43退出，並且對閘門單元15進行操作而使搬入搬出口43關閉。
繼而，如圖5所示，控制部61對升降銷單元11進行操作，使3根升降銷41下降至處理位置。藉此，對基板W進行400℃下之加熱處理。控制部61參照製程條件，歷時所規定之加熱時間進行加熱處理。
控制部61當經過特定加熱時間時，對可動頂板單元9及升降銷單元11進行操作，使可動頂板33上升至上升位置，並且使升降銷41上升至交接位置。繼而，控制部61對閘門單元15進行操作，使搬入搬出口43打開。進而，控制部61使搬送臂17自比交接位置靠下方且比熱處理板7之上表面靠上方之高度進入搬入搬出口43。接下來，使搬送臂17上升至比交接位置高且比可動頂板33之下表面低之位置，藉此搬送臂17自升降銷41接收已處理之基板W。繼而，使搬送臂17自搬入搬出口43退出，藉此將已處理之基板W搬出。
藉由上述一系列動作完成對一片基板W之熱處理，當對新的基板W進行處理時，控制部61例如可參照由裝置操作員指示之製程條件，將基於可動頂板單元9之可動頂板33之上升位置設為製程條件所指示之上升位置。
根據本實施例，由於係藉由水冷式基底板5進行熱分離，所以熱處理板7之熱自熱處理板7向下方傳遞得到抑制。因此，可抑制熱處理板7之熱向配置於水冷式基底板5之下方之升降機構29、驅動機構37、45及控制設備30、38、46傳遞。其結果為，可不自熱處理板7向下方大幅遠離而將升降機構29、驅動機構37、45及控制設備30、38、46配置於殼體13內，故而可抑制高度，並且可抑制基板處理裝置1之覆蓋區。
進而，藉由4根支柱23以熱處理板7之下表面自水冷式基底板5遠離之狀態安裝熱處理板7。因此，可僅由4根支柱23進行來自熱處理板7之藉由熱傳遞而進行之導熱。其結果為，可抑制水冷式基底板5因熱傳遞而導致升溫，因此，可增大藉由水冷式基底板5而進行之熱分離之程度。
又，升降機構29、驅動機構37及驅動機構45係以上表面之整體或一部分進行熱傳遞之方式密接配置於水冷式基底板5，因此升降機構29、驅動機構37、及驅動機構45被冷卻，從而可防止因熱影響而導致產生故障。因此，可提高基板處理裝置1之運轉率。
＜變化例＞
可如基板處理裝置1A般構成來代替上述基板處理裝置1。此處，參照圖6。再者，圖6係表示升降機構與驅動機構之安裝方法之另一例之縱剖視圖。
該基板處理裝置1A不同的是升降機構29及驅動機構37、45對水冷式基底板5之安裝方法。
升降機構29及驅動機構37、45於其等之上表面與水冷式基底板5之下表面之間介存有安裝板71。該安裝板71包含具有導熱性之材料(熱傳遞構件)。具體而言，例如可列舉不鏽鋼板、鋁、銅等。
根據此種基板處理裝置1A，作為升降機構29及驅動機構37、45對冷卻基底板5之安裝方法，可採用各種形態，從而可提高安裝之自由度。
本發明並不限定於上述實施形態，可如下所述般變化實施。
(1)於上述實施例中具備可動頂板33，但本發明並非將可動頂板33設為必需構成。
(2)於上述實施例中，將可動頂板單元9之升降機構29、升降銷單元11之驅動機構37、及閘門單元15之驅動機構45密接安裝於水冷式基底板5，或者隔著熱傳遞構件安裝於水冷式基底板5，但本發明並不限定於此種配置。例如，亦可自水冷式基底板5向下方遠離而配置。即便為此種構成，亦無須比先前進一步向下方大幅遠離，從而裝置之高度不會變得過高。
(3)於上述實施例中，以1個基板處理裝置1、1A為例進行了說明，但本發明亦可應用於將上述基板處理裝置1、1A積層配置成多段而構成之基板處理系統。此處，參照圖7。再者，圖7係將兩台基板處理裝置積層配置而構成之基板處理系統之概略構成圖。
該基板處理系統81係將兩台上述基板處理裝置1(1A)積層配置而構成。各基板處理裝置1(1A)藉由單元殼體83劃分出配置有各基板處理裝置1(1A)之兩層空間。熱分離板85例如於內部或者上下表面之一面附設有包含不鏽鋼板之配管87。配管87例如供冷卻水等冷媒流通。熱分離板85因為距熱處理板7之距離遠，故而與水冷式基底板5相比，冷卻性能可以較弱。該熱分離板85安裝於配置有基板處理裝置1(1A)之空間內之頂面。熱分離板85抑制基板處理裝置1(1A)之熱處理板7所產生之熱向上方傳遞。因此，可抑制下部之基板處理裝置1(1A)之熱自下方向上部之基板處理裝置1(1A)傳遞而導致上部之基板處理裝置1(1A)之升降機構29、控制設備30、驅動機構37、45、控制設備38、46被加熱。因此，可抑制基板處理系統之覆蓋區，並且可抑制體積增大。又，可抑制基板處理系統81之單元殼體83之最上面被加熱，因此可縮窄與無塵室之頂面之間隙，從而可提高基板處理系統之配置之自由度。
(4)於上述實施例中，採用水冷式基底板5作為冷卻基底板，但本發明之冷卻基底板並不限定於此種構成。例如，亦可為使水以外之冷媒沿冷媒流路流通之構成。又，例如亦可採用具備以產生冷卻作用之方式通電之珀爾帖元件之電子冷卻式基底板。
(5)於上述實施例中，升降機構29、驅動機構37、45包含氣缸，但本發明並不限定於此種構成。即作為升降機構29、驅動機構37、45，亦可採用馬達代替氣缸。
本發明可於不脫離其思想或本質之情況下以其他具體之形式實施，因此，表示發明範圍之內容不應參照以上之說明，而是應該參照附加之權利要求書。
1‧‧‧基板處理裝置
1A‧‧‧基板處理裝置
3‧‧‧下部基底板
5‧‧‧水冷式基底板
7‧‧‧熱處理板
9‧‧‧可動頂板單元
11‧‧‧升降銷單元
13‧‧‧殼體
15‧‧‧閘門單元
17‧‧‧搬送臂
19‧‧‧支柱
21‧‧‧冷媒流路
23‧‧‧支柱
25‧‧‧貫通口
27‧‧‧升降基底板
29‧‧‧升降機構
30‧‧‧控制設備
31‧‧‧支柱
33‧‧‧可動頂板
35‧‧‧開口
37‧‧‧驅動機構
38‧‧‧控制設備
39‧‧‧升降環
41‧‧‧升降銷
41a‧‧‧芯部
41b‧‧‧外筒
41c‧‧‧石英球
41d‧‧‧主體部
41e‧‧‧前端部
41f‧‧‧貫通口
41g‧‧‧卡止銷
43‧‧‧搬入搬出口
45‧‧‧驅動機構
46‧‧‧控制設備
47‧‧‧閘門主體
49‧‧‧排氣口
51‧‧‧排氣管
53‧‧‧壓力感測器
55‧‧‧覆套加熱器
61‧‧‧控制部
71‧‧‧安裝板
81‧‧‧基板處理系統
83‧‧‧單元殼體
85‧‧‧熱分離板
87‧‧‧配管
W‧‧‧基板
為了對發明進行說明而圖示出被認為是目前最佳之若干形態，但希望理解發明並不限定於如圖示之構成及方策。
圖1係表示實施例之基板處理裝置之整體構成之概略構成圖，
圖2係可動頂板之俯視圖，
圖3係表示升降銷之前端部附近之縱剖視圖，
圖4係表示將基板搬入搬出之狀態之縱剖視圖，
圖5係表示對基板進行加熱之狀態之縱剖視圖，
圖6係表示升降機構與驅動機構之安裝方法之另一例之縱剖視圖，
圖7係將兩台基板處理裝置積層配置而構成之基板處理系統之概略構成圖。

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其對基板進行熱處理，上述裝置包含以下之要素： 熱處理板，其載置基板，並對基板進行加熱； 升降銷，其用於交接基板； 升降銷驅動機構，其使上述升降銷相對於上述熱處理板之上表面升降； 殼體，其覆蓋上述熱處理板之周圍，形成基於熱處理板之熱處理環境；及 冷卻基底板，其上部配置有上述熱處理板，且抑制上述熱處理板之熱向下方傳遞；且 上述升降銷驅動機構配置於上述冷卻基底板之下方。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述殼體具備供基板搬入搬出之搬入搬出口，並且進而具備： 閘門主體，其使上述搬入搬出口開閉；及 閘門主體驅動機構，其驅動上述閘門主體；且 上述閘門主體驅動機構配置於上述冷卻基底板之下方。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述升降銷驅動機構係以與上述冷卻基底板之間進行熱傳遞之狀態安裝於上述冷卻基底板之下表面。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述閘門主體驅動機構係以與上述冷卻基底板之間進行熱傳遞之狀態安裝於上述冷卻基底板之下表面。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述冷卻基底板供冷媒流通之冷媒流路遍及整體而形成。
  6. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述冷卻基底板供冷媒流通之冷媒流路遍及整體而形成。
  7. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述冷卻基底板供冷媒流通之冷媒流路遍及整體而形成。
  8. 如請求項4之基板處理裝置，其中上述冷卻基底板供冷媒流通之冷媒流路遍及整體而形成。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其進而具備複數根支柱，該等複數根支柱配置於上述熱處理板之下表面與上述冷卻基底板之上表面之間， 上述熱處理板藉由上述複數根支柱安裝於上述冷卻基底板。
  10. 如請求項2之基板處理裝置，其進而具備複數根支柱，該等複數根支柱配置於上述熱處理板之下表面與上述冷卻基底板之上表面之間， 上述熱處理板藉由上述複數根支柱安裝於上述冷卻基底板。
  11. 如請求項3之基板處理裝置，其進而具備複數根支柱，該等複數根支柱配置於上述熱處理板之下表面與上述冷卻基底板之上表面之間， 上述熱處理板藉由上述複數根支柱安裝於上述冷卻基底板。
  12. 如請求項4之基板處理裝置，其進而具備複數根支柱，該等複數根支柱配置於上述熱處理板之下表面與上述冷卻基底板之上表面之間， 上述熱處理板藉由上述複數根支柱安裝於上述冷卻基底板。
  13. 如請求項5之基板處理裝置，其進而具備複數根支柱，該等複數根支柱配置於上述熱處理板之下表面與上述冷卻基底板之上表面之間， 上述熱處理板藉由上述複數根支柱安裝於上述冷卻基底板。
  14. 如請求項6之基板處理裝置，其進而具備複數根支柱，該等複數根支柱配置於上述熱處理板之下表面與上述冷卻基底板之上表面之間， 上述熱處理板藉由上述複數根支柱安裝於上述冷卻基底板。
  15. 如請求項7之基板處理裝置，其進而具備複數根支柱，該等複數根支柱配置於上述熱處理板之下表面與上述冷卻基底板之上表面之間， 上述熱處理板藉由上述複數根支柱安裝於上述冷卻基底板。
  16. 如請求項8之基板處理裝置，其進而具備複數根支柱，該等複數根支柱配置於上述熱處理板之下表面與上述冷卻基底板之上表面之間， 上述熱處理板藉由上述複數根支柱安裝於上述冷卻基底板。
  17. 一種基板處理系統，其係將如請求項1之基板處理裝置積層配置成多段而構成，且 上述各基板處理裝置於其上部具備抑制熱向上方傳遞之熱分離板。
  18. 一種基板處理系統，其係將如請求項2之基板處理裝置積層配置成多段而構成，且 上述各基板處理裝置於其上部具備抑制熱向上方傳遞之熱分離板。
  19. 一種基板處理系統，其係將如請求項3之基板處理裝置積層配置成多段而構成，且 上述各基板處理裝置於其上部具備抑制熱向上方傳遞之熱分離板。
  20. 一種基板處理系統，其係將如請求項4之基板處理裝置積層配置成多段而構成，且 上述各基板處理裝置於其上部具備抑制熱向上方傳遞之熱分離板。
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