KR102172513B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102172513B1
KR102172513B1 KR1020190078805A KR20190078805A KR102172513B1 KR 102172513 B1 KR102172513 B1 KR 102172513B1 KR 1020190078805 A KR1020190078805 A KR 1020190078805A KR 20190078805 A KR20190078805 A KR 20190078805A KR 102172513 B1 KR102172513 B1 KR 102172513B1
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 출입하는 출입구를 갖는 챔버; 챔버의 내부에 배치되며 챔버 내로 반입된 기판을 처리하는 기판 처리 유닛; 및 출입구에 인접하게 설치되며 출입구가 개방될 때 출입구 주위의 가스를 흡입하여 배출하도록 구성되는 가스 배출 유닛을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE BAKING APPARATUS}
본 발명은 기판에 대하여 열처리를 수행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 포토리소그래피(photolithography) 공정은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성하는 공정이다. 포토리소그래피 공정은 크게 감광액 도포 공정, 노광 공정, 현상 공정으로 이루어진다. 그리고, 노광 공정의 이전 또는 이후에 기판에 대하여 열처리를 수행하는 기판 베이킹 공정이 수행된다.
베이킹 공정은 챔버의 내부에 배치된 가열 플레이트 상에 기판을 탑재하고, 가열 플레이트의 내부에 구비되는 히터를 작동시켜 기판을 열처리한 다음, 기판을 냉각한다.
베이킹 공정이 수행되는 챔버의 일측벽에는 기판이 챔버의 내부 공간으로 반입되거나 챔버의 내부 공간으로부터 반출되는 출입구가 형성된다. 그리고, 챔버에는 출입구를 개폐하는 개폐 부재가 설치된다.
기판을 챔버의 내부 공간으로 반입하거나 챔버의 내부 공간으로부터 반출하기 위해 출입구가 개방되는 경우, 챔버의 내부에 잔존하는 시너 또는 포토레지스트 흄 등의 유해 가스가 출입구를 통하여 챔버의 외부로 누출될 수 있으며, 이로 인하여 챔버 외부의 환경이 오염되는 문제가 있다.
본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 기판이 출입하도록 챔버에 형성되는 출입구를 통하여 챔버 내에 잔존하는 유해 가스가 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 출입하는 출입구를 갖는 챔버; 챔버의 내부에 배치되며 챔버 내로 반입된 기판을 가열하도록 구성되는 가열 유닛; 챔버의 내부에 배치되며 가열 유닛에 의해 가열된 기판을 냉각하도록 구성되는 냉각 유닛; 및 출입구에 인접하게 설치되며 출입구가 개방될 때 출입구 주위의 가스를 흡입하여 배출하도록 구성되는 가스 배출 유닛을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 출입하는 출입구를 갖는 챔버; 챔버의 내부에 배치되며 챔버 내로 반입된 기판을 처리하는 기판 처리 유닛; 및 출입구에 인접하게 설치되며 출입구가 개방될 때 출입구 주위의 가스를 흡입하여 배출하도록 구성되는 가스 배출 유닛을 포함할 수 있다.
가스 배출 유닛은, 출입구에 인접하는 챔버의 외벽에 설치되며 가스 배출공을 갖는 프레임; 및 가스 배출공과 배기 라인을 통하여 연결되는 배기 장치를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 출입구를 개폐하는 개폐 부재를 더 포함할 수 있고, 프레임에는 개폐 부재가 삽입되는 삽입홈이 형성될 수 있으며, 가스 배출공은 삽입홈에 형성될 수 있다.
챔버에는 챔버의 내부의 가스를 배출하기 위한 유출공이 형성될 수 있으며, 배기 장치는 유출공에 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 기판이 출입하도록 챔버에 형성되는 출입구 주위의 유해 가스를 흡입하여 배출하는 가스 배출 유닛이 구비된다. 따라서, 챔버의 내부 공간으로 기판을 반입하거나 챔버의 내부 공간으로부터 기판을 반출하기 위해 출입구가 개방되는 경우, 가스 배출 유닛에 의해 출입구 주위의 유해 가스가 흡입되어 배출될 수 있으므로, 챔버 내에 잔존하는 유해 가스가 출입구를 통하여 챔버의 외부로 누출되는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 챔버 내에 잔존하는 유해 가스가 외부로 누출되는 것으로 인해 챔버 외부의 환경이 유해 가스로 인해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치가 개략적으로 도시된 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치가 개략적으로 도시된 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 냉각 유닛이 개략적으로 도시된 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 냉각 유닛이 개략적으로 도시된 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 냉각 유닛의 제1 냉각 플레이트가 개략적으로 도시된 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 냉각 유닛의 제2 냉각 플레이트가 개략적으로 도시된 도면이다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 작동 과정을 설명하기 위한 개략도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대하여 설명한다.
도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판(S)을 열처리하도록 구성된다. 일 예로서, 기판 처리 장치는 기판(S)에 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(S)을 소정의 온도로 가열하여 기판(S)의 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크 공정을 수행할 수 있다. 다른 예로서, 기판 처리 장치는 기판(S)에 포토 레지스트를 도포한 이후에 기판(S)을 소정의 온도로 가열하는 소프트 베이크 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치는 기판(S)을 소정의 온도로 가열한 이후 기판(S)을 냉각할 수 있다.
기판 처리 장치는, 챔버(10), 반송 유닛(20), 기판 처리 유닛(30, 40)을 포함한다.
기판 처리 유닛(30, 40)은 기판(S)에 대하여 소정의 처리를 수행하도록 구성된다. 기판 처리 유닛(30, 40)은 가열 유닛(30) 및 냉각 유닛(40)을 포함한다.
반송 유닛(20)은 챔버(10)의 내부 공간 내에서 기판(S)을 반송하도록 구성된다. 반송 유닛(20)은, 지지 부재(21), 가이드 레일(22), 구동 장치(23)를 포함한다.
지지 부재(21)는 기판(S)을 지지하는 역할을 한다. 지지 부재(21)는 냉각 유닛(40)을 지지하며, 이에 따라, 냉각 유닛(40)에 수용된 기판(S)을 지지한다.
가이드 레일(22)은 기판(S)이 이송되는 방향으로 연장된다. 가이드 레일(22)에는 지지 부재(21)가 지지된다. 지지 부재(21)는 가이드 레일(22)을 따라 이동될 수 있다.
구동 장치(23)는 지지 부재(21)를 가이드 레일(22)을 따라 이동시키도록 구성된다. 예를 들면, 구동 장치(23)는 공압 또는 유압을 사용하는 액추에이터, 전자기적 상호 작용에 의해 작동되는 리니어 모터, 또는 볼 스크류 기구로 구성될 수 있다.
가열 유닛(30)은 기판(S)을 소정의 온도로 가열하도록 구성된다. 가열 유닛(30)은, 가열 플레이트(31), 리프트 핀(32), 리프트 핀 승강 장치(33), 커버(34), 커버 승강 장치(35)를 포함한다.
가열 플레이트(31)의 상면에는 기판(S)이 탑재된다. 가열 플레이트(31)의 내부에는 기판(S)을 가열하도록 구성되는 가열 부재가 구비된다. 일 예로서, 가열 부재는 전열 코일로 구성될 수 있다. 다른 예로서, 가열 플레이트(31)는 열을 발생시키는 발열 패턴으로 구성될 수 있다. 가열 플레이트(31)에는 리프트 핀(32)이 관통하는 핀 홀(311)이 형성된다. 핀 홀(311)은 리프트 핀(32)이 기판(S)을 상하로 이동시킬 때 리프트 핀(32)의 이동 경로를 제공한다. 복수의 핀 홀(311)이 가열 플레이트(31)의 상하 방향으로 관통되게 형성될 수 있다.
리프트 핀(32)은 기판(S)을 가열 플레이트(31)의 상면으로부터 이격되게 위치시키도록 구성된다.
리프트 핀 승강 장치(33)는 리프트 핀(32)을 상하로 이동시키도록 구성된다.
커버(34)는 가열 플레이트(31)의 상방에 배치된다. 커버(34)는 가열 플레이트(31)와 함께 가열 공간을 형성한다.
커버 승강 장치(35)는 커버(34)를 승강시키도록 구성된다. 기판(S)이 가열 플레이트(31) 상으로 반입될 때, 커버(34)는 커버 승강 장치(35)에 의하여 상승될 수 있다. 기판(S)이 가열되는 가열 공간을 형성하기 위해, 커버(34)는 커버 승강 장치(35)에 의해 하강되어 가열 플레이트(31)에 인접하게 위치될 수 있다. 예를 들면, 커버 승강 장치(35)는 공압 또는 유압을 사용하는 액추에이터, 전자기적 상호 작용에 의해 작동되는 리니어 모터, 또는 볼 스크류 기구로 구성될 수 있다.
냉각 유닛(40)은 지지 부재(21)에 지지되는 제1 냉각 플레이트(41) 및 제2 냉각 플레이트(42)를 포함한다.
제1 냉각 플레이트(41) 및 제2 냉각 플레이트(42)는 각각 그 사이에 배치되는 기판(S)을 냉각하도록 구성된다.
제1 냉각 플레이트(41)에는 기판(S)이 탑재될 수 있다. 일 예로서, 기판(S)은 제1 냉각 플레이트(41)의 상면에 직접 접촉하도록 탑재될 수 있다. 다른 예로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 안착 패드(411)가 제1 냉각 플레이트(41)의 상면으로부터 돌출될 수 있으며, 기판(S)은 안착 패드(411) 상에 탑재될 수 있다. 기판(S)이 안착 패드(411)에 탑재됨에 따라, 기판(S)의 하면은 제1 냉각 플레이트(41)의 상면으로부터 이격될 수 있다. 따라서, 기판(S)의 하면과 제1 냉각 플레이트(41)의 상면 사이에는 이격 공간이 형성될 수 있으며, 이격 공간 내에서 가스가 유동할 수 있다. 따라서, 이격 공간 내에서 유동하는 가스에 의해 기판(S)과 제1 냉각 플레이트(41) 사이에서 열교환이 균일하게 이루어질 수 있으며, 이에 따라, 기판(S)이 전체적으로 균일하게 냉각될 수 있다.
제2 냉각 플레이트(42)는 제1 냉각 플레이트(41)로부터 이격되게 배치된다. 따라서, 제1 냉각 플레이트(41)와 제2 냉각 플레이트(42) 사이에는 기판(S)이 수용되는 기판 수용 공간(44)이 형성될 수 있다.
제1 냉각 플레이트(41)와 제2 냉각 플레이트(42) 사이의 기판 수용 공간(44)에 기판(S)이 수용됨에 따라, 기판(S)과 제1 냉각 플레이트(41) 사이에 열교환이 수행되며, 기판(S)과 제2 냉각 플레이트(42) 사이에 열교환이 수행될 수 있다. 따라서, 기판(S)이 보다 신속하고 균일하게 냉각될 수 있다.
또한, 제1 냉각 플레이트(41)와 제2 냉각 플레이트(42) 사이의 기판 수용 공간(44)에 기판(S)이 수용됨에 따라, 기판(S)으로의 외부의 열 영향이 최소화되므로, 기판(S)이 보다 신속하고 균일하게 냉각될 수 있다.
한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 냉각 유닛(40)은, 제1 냉각 플레이트(41)의 둘레 및 제2 냉각 플레이트(42)의 둘레에 배치되어 기판 수용 공간(44)의 일부를 감싸도록 구성되는 커버 부재(43)를 더 포함할 수 있다.
커버 부재(43)에 제1 냉각 플레이트(41)와 제2 냉각 플레이트(42) 사이의 기판 수용 공간(44)이 부분적으로 밀폐될 수 있으며, 기판 수용 공간(44)의 일측에는 기판(S)이 기판 수용 공간(44) 내로 반입되거나 기판 수용 공간(44)으로부터 반출되는 기판 출입구(45)가 형성될 수 있다. 부분적으로 밀폐된 기판 수용 공간(44) 내에 기판(S)이 수용되므로, 기판(S)으로의 외부의 열 영향이 최소화되고, 기판 수용 공간(44) 내의 냉기가 외부로 방출되는 것이 최소화된다. 따라서, 기판(S)이 보다 신속하고 균일하게 냉각될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제1 냉각 플레이트(41)에는 가이드 홀(418)이 형성된다. 가이드 홀(418)은 제1 냉각 플레이트(41)의 외주측으로부터 제1 냉각 플레이트(41)의 내부로 연장된다. 제1 냉각 플레이트(41)가 기판(S)을 탑재하기 위해 가열 유닛(30) 내로 진입할 때, 가이드 홀(418)에는 리프트 핀(32)이 삽입된다. 따라서, 제1 냉각 플레이트(41)가 리프트 핀(32)과 간섭하거나 충돌하는 것이 방지될 수 있다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 냉각 플레이트(41) 내에는 제1 냉각 부재(419)가 배치되고, 제2 냉각 플레이트(42) 내에는 제2 냉각 부재(429)가 배치된다.
일 예로서, 제1 냉각 부재(419) 및/또는 제2 냉각 부재(429)는 펠티어 효과를 활용하는 냉각 소자로 구성될 수 있다. 다른 예로서, 제1 냉각 부재(419) 및/또는 제2 냉각 부재(429) 냉매가 유동하는 냉매 유로로 구성될 수 있다.
제1 냉각 플레이트(41)에 의한 기판(S)의 냉각과 제2 냉각 플레이트(42)에 의한 기판(S)의 냉각을 함께 제어할 수 있도록, 제1 냉각 부재(419) 및 제2 냉각 부재(429)는 서로 연결되는 것이 바람직하다. 제1 냉각 부재(419) 및 제2 냉각 부재(429)가 서로 연결됨에 따라, 제1 냉각 부재(419) 및 제2 냉각 부재(429)를 함께 제어할 수 있으며, 이에 따라, 기판(S)을 냉각하는 효율을 향상시킬 수 있다. 다만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않으며, 제1 냉각 부재(419) 및 제2 냉각 부재(429)는 서로 연결되지 않고 개별적으로 제어되는 구성에도 본 발명이 적용될 수 있다.
한편, 기판(S)의 물리적 특성 및/또는 기판(S)의 종류에 따라, 기판(S)의 상면이 냉각되는 온도 및/또는 냉각 속도와 기판(S)의 하면이 냉각되는 온도 및/또는 냉각 속도가 상이할 필요가 있을 수 있다. 이를 위하여, 제1 냉각 부재(419)의 배치 밀도 및 제2 냉각 부재(429)의 배치 밀도는 상이할 수 있다. 예를 들면, 기판(S)의 하면이 기판(S)의 상면에 비하여 보다 신속하게 냉각될 필요가 있는 경우, 제2 냉각 플레이트(42) 내에서의 제2 냉각 부재(429)의 배치 밀도에 비하여 제1 냉각 플레이트(41) 내에서의 제1 냉각 부재(419)의 배치 밀도가 클 수 있다.
한편, 가열 유닛(30)의 치수, 즉, 가열 플레이트(31)와 커버(34) 사이의 이격 공간을 고려하여, 제1 냉각 플레이트(41)의 두께 및 제2 냉각 플레이트(42)의 두께가 상이하게 설정될 수 있다. 예를 들면, 제1 냉각 플레이트(41)는 기판(S)을 지지하는 부분으로서 큰 강성을 필요로 하고, 제2 냉각 플레이트(42)는 제1 냉각 플레이트(41)와 함께 기판 수용 공간(44)을 형성하는 부분으로서 제1 냉각 플레이트(41)에 비하여 큰 강성을 필요로 하지 않는다. 따라서, 제1 냉각 플레이트(41)의 두께는 제2 냉각 플레이트(42)의 두께에 비하여 클 수 있다. 이와 같이, 제1 냉각 플레이트(41)의 두께 및 제2 냉각 플레이트(42)의 두께가 상이하게 설정되므로, 기판(S)을 냉각하는 효율을 향상시키면서도 냉각 유닛(40)의 전체적인 두께를 크게 증가시키지 않을 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(10)에는 챔버(10)의 내부 공간에 잔존하는 유해 가스를 배출하기 위한 유출공(12)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 유출공(12)은 챔버(10)의 저부에 형성될 수 있다. 다만, 본 발명은 유출공(12)이 형성되는 위치에 한정되지 않는다. 유출공(12)은 배기 라인(87)을 통하여 배기 장치(88)에 연결될 수 있다. 배기 장치(88)는 진공원을 포함할 수 있다. 배기 장치(88)는 유출공(12)에 부압을 형성함으로써, 챔버(10)의 내부 공간에 잔존하는 유해 가스를 흡입하여 배출하도록 구성될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(10)의 일측벽에는 기판(S)이 챔버(10)의 내부 공간으로 반입되거나 챔버(10)의 내부 공간으로부터 반출되는 출입구(11)가 형성된다. 그리고, 챔버(10)의 출입구(11)에는 출입구(11)를 개폐하기 위한 셔터 유닛(50)이 구비된다.
셔터 유닛(50)은 출입구(11)에 대하여 진퇴 가능하게 배치되는 개폐 부재(51)와, 개폐 부재(51)를 구동하는 개폐 부재 구동 장치(52)를 포함한다. 개폐 부재(51)는 개폐 부재 구동 장치(52)에 의해 구동되어 출입구(11)를 개방하거나 폐쇄할 수 있다. 예를 들면, 개폐 부재 구동 장치(52)는 공압 또는 유압을 사용하는 액추에이터, 전자기적 상호 작용에 의해 작동되는 리니어 모터, 또는 볼 스크류 기구로 구성될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(10)의 출입구(11)에는 가스 배출 유닛(60)이 구비된다. 가스 배출 유닛(60)은 출입구(11)가 개방될 때, 출입구(11) 주위의 유해 가스를 흡입하여 배출하도록 구성된다. 챔버(10)의 내부에 잔존하는 시너, 포토레지스트 흄 등의 유해 가스가 가스 배출 유닛(60)에 의해 배출될 수 있다. 따라서, 유해 가스가 출입구(11)를 통하여 챔버(10)의 외부로 누출되는 것이 방지될 수 있다.
가스 배출 유닛(60)은, 출입구(11)에 인접한 챔버(10)의 외벽에 설치되며 가스 배출공(61)이 형성되는 프레임(62)과, 배기 라인(67)을 통하여 프레임(62)의 가스 배출공(61)에 연결되는 배기 장치(68)를 포함할 수 있다.
프레임(62)에는 출입구(11)와 대응하게 형성되어 기판(S)이 통과하는 개구(64)가 형성된다. 개구(64)는 출입구(11)와 연통된다.
복수의 가스 배출공(61)이 프레임(62)의 내주면을 따라 소정의 간격으로 형성될 수 있다.
프레임(62)의 내주면에는 개폐 부재(51)가 삽입되는 삽입홈(63)이 형성될 수 있다. 출입구(11)가 개폐 부재(51)에 의해 폐쇄될 때, 개폐 부재(51)는 프레임(62)의 삽입홈(63)에 긴밀하게 삽입될 수 있다. 따라서, 개폐 부재(51)가 프레임(62)의 삽입홈(63)에 삽입됨에 따라 출입구(11)가 밀폐될 수 있다.
가스 배출공(61)은 프레임(62)의 삽입홈(63)에 형성될 수 있다. 개폐 부재(51)가 프레임(62)의 삽입홈(63)에 삽입될 때, 가스 배출공(61)이 개폐 부재(51)에 의해 폐쇄될 수 있다. 또한, 개폐 부재(51)가 프레임(62)의 삽입홈(63)으로부터 이격되게 이동하여 출입구(11)를 개방할 때, 가스 배출공(61)이 개방될 수 있다. 이와 같이, 가스 배출공(61)이 개폐 부재(51)에 의해 개폐될 수 있으므로, 가스 배출공(61)을 개폐하기 위한 추가적인 구성 및 이를 제어하기 위한 구성이 별도로 요구되지 않는다.
배기 장치(68)는 진공원을 포함할 수 있다. 배기 장치(68)는 가스 배출공(61)에 부압을 형성함으로써, 출입구(11) 주위의 유해 가스를 흡입하여 배출하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 배기 장치(68)와 배기 장치(88)가 별도로 구비되는 구성에 대하여 제시하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 배기 장치(68) 및 배기 장치(88)는 하나의 배기 장치로서 일체로 구성될 수 있다. 즉, 챔버(10)의 유출공(12) 및 가스 프레임(62)의 가스 배출공(61)에 하나의 배기 장치가 연결될 수 있다. 이 경우, 챔버(10)의 내부 공간 내의 유해 가스와 출입구(11) 주위의 유해 가스가 하나의 배기 장치에 의해 배출될 수 있으므로, 챔버(10) 내부에 잔존하는 유해 가스를 배출하기 위한 구성을 단순화할 수 있다.
이하, 도 1 및 도 7 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 작동 과정에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 커버(34)가 가열 플레이트(31)에 인접하게 배치되어 가열 플레이트(31)와 커버(34) 사이에 가열 공간이 형성되고 가열 공간 내에 기판(S)이 위치된 상태에서, 기판(S)이 미리 설정된 온도로 가열된다.
기판(S)이 소정의 온도로 가열되면, 도 7에 도시된 바와 같이, 커버(34)가 커버 승강 장치(35)에 의해 가열 플레이트(31)로부터 상승된다. 따라서, 냉각 유닛(40)이 가열 플레이트(31)와 커버(34) 사이의 공간 내로 진입할 수 있다. 또한, 리프트 핀(32)이 리프트 핀 승강 장치(33)에 의하여 상승하여 기판(S)을 가열 플레이트(31)로부터 상승시킨다.
그리고, 도 8에 도시된 바와 같이, 냉각 유닛(40)이 가열 플레이트(31)와 커버(34) 사이의 공간 내로 진입하면, 리프트 핀(32)에 의해 상승된 기판(S)이 제1 냉각 플레이트(41)와 제2 냉각 플레이트(42) 사이의 기판 수용 공간(44) 내에 수용된다. 이때, 리프트 핀(32)은 제1 냉각 플레이트(41)에 형성된 가이드 홀(418)에 삽입된다.
그리고, 도 9에 도시된 바와 같이, 기판(S)이 제1 냉각 플레이트(41)와 제2 냉각 플레이트(42) 사이의 기판 수용 공간(44) 내에 수용되면, 리프트 핀(32)이 하강한다. 따라서, 기판(S)이 제1 냉각 플레이트(41)(안착 패드(411)) 상에 탑재된다.
그리고, 도 10에 도시된 바와 같이, 냉각 유닛(40)이 가열 플레이트(31)와 커버(34) 사이의 공간으로부터 외부로 이동한다. 이 과정에서, 제1 냉각 플레이트(41)와 제2 냉각 플레이트(42) 사이의 기판 수용 공간(44) 내에 수용된 기판(S)이 제1 냉각 부재(419) 및 제2 냉각 부재(429)에 의해 냉각될 수 있다.
이와 같이, 기판(S)이 제1 냉각 플레이트(41)와 제2 냉각 플레이트(42) 사이의 기판 수용 공간(44) 내에 수용된 상태에서 기판(S)이 냉각됨에 따라, 제1 냉각 플레이트(41)에 의한 기판(S)의 냉각과 제2 냉각 플레이트(42)에 의한 기판(S)의 냉각이 함께 수행될 수 있으며, 기판(S)으로의 외부의 열 영향이 최소화될 수 있으므로, 기판(S)이 보다 신속하고 균일하게 냉각될 수 있다.
한편, 가열 및 냉각 처리가 완료된 기판(S)은 출입구(11)를 통하여 챔버(10)의 외부로 반출되며, 가열 및 냉각 처리가 수행될 새로운 기판(S)이 출입구(11)를 통하여 챔버(10)의 내부로 반입된다.
이를 위해, 셔터 유닛(50)의 개폐 부재 구동 장치(52)에 의해 개폐 부재(51)가 출입구(11)로부터 이동함에 따라 출입구(11)가 개방된다. 이때, 개폐 부재(51)가 프레임(62)의 삽입홈(63)으로 이격되게 이동하며, 이에 따라, 삽입홈(63)에 형성된 가스 배출공(61)이 개방된다. 이러한 과정 이전에 또는 동시에, 배기 장치(68)가 작동되며, 이에 따라, 가스 배출공(61)에는 부압이 형성된다. 따라서, 출입구(11)의 주위의 유해 가스가 가스 배출공(61)으로 흡입되어 배출될 수 있으며, 이에 따라, 챔버(10)의 내부에 잔존하는 유해 가스가 출입구(11)를 통하여 챔버(10)의 외부로 누출되는 것이 방지될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 기판(S)이 출입하도록 챔버(10)에 형성되는 출입구(11) 주위의 유해 가스를 흡입하여 배출하는 가스 배출 유닛(60)이 구비된다. 따라서, 기판(S)을 챔버(10)의 내부 공간으로 반입하거나 챔버(10)의 내부 공간으로부터 반출하기 위해 출입구(11)가 개방되는 경우, 가스 배출 유닛(60)에 의해 출입구(11) 주위의 유해 가스가 흡입되어 배출될 수 있으므로, 챔버(10) 내에 잔존하는 유해 가스가 출입구(11)를 통하여 챔버(10)의 외부로 누출되는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 챔버(10) 내에 잔존하는 유해 가스가 외부로 누출되는 것으로 인해 챔버(10) 외부의 환경이 유해 가스로 인해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예가 예시적으로 설명되었으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에 한정되지 않으며, 청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경될 수 있다.
10: 챔버
20: 반송 유닛
30: 가열 유닛
40: 냉각 유닛
50: 셔터 유닛
60: 가스 배출 유닛

Claims (5)

  1. 기판이 출입하는 출입구를 갖는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 배치되며 상기 챔버 내로 반입된 상기 기판을 가열하도록 구성되는 가열 유닛;
    상기 챔버의 내부에 배치되며 상기 가열 유닛에 의해 가열된 상기 기판을 냉각하도록 구성되는 냉각 유닛;
    상기 출입구에 인접하게 설치되며 상기 출입구가 개방될 때 상기 출입구 주위의 가스를 흡입하여 배출하도록 구성되는 가스 배출 유닛; 및
    상기 출입구를 개폐하는 개폐 부재를 포함하고,
    상기 가스 배출 유닛은,
    상기 출입구에 인접하는 상기 챔버의 외벽에 설치되며 가스 배출공을 갖는 프레임; 및
    상기 가스 배출공과 배기 라인을 통하여 연결되는 배기 장치를 포함하고,
    상기 프레임에는 상기 개폐 부재가 삽입되는 삽입홈이 형성되며,
    상기 가스 배출공은 상기 삽입홈에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 기판이 출입하는 출입구를 갖는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 배치되며 상기 챔버 내로 반입된 상기 기판을 처리하는 기판 처리 유닛;
    상기 출입구에 인접하게 설치되며 상기 출입구가 개방될 때 상기 출입구 주위의 가스를 흡입하여 배출하도록 구성되는 가스 배출 유닛; 및
    상기 출입구를 개폐하는 개폐 부재를 포함하고,
    상기 가스 배출 유닛은,
    상기 출입구에 인접하는 상기 챔버의 외벽에 설치되며 가스 배출공을 갖는 프레임; 및
    상기 가스 배출공과 배기 라인을 통하여 연결되는 배기 장치를 포함하고,
    상기 프레임에는 상기 개폐 부재가 삽입되는 삽입홈이 형성되며,
    상기 가스 배출공은 상기 삽입홈에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 기판이 출입하는 출입구를 갖는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 배치되며 상기 챔버 내로 반입된 상기 기판을 가열하도록 구성되는 가열 유닛;
    상기 챔버의 내부에 배치되며 상기 가열 유닛에 의해 가열된 상기 기판을 냉각하도록 구성되는 냉각 유닛; 및
    상기 출입구에 인접하게 설치되며 상기 출입구가 개방될 때 상기 출입구 주위의 가스를 흡입하여 배출하도록 구성되는 가스 배출 유닛을 포함하고,
    상기 가스 배출 유닛은,
    상기 출입구에 인접하는 상기 챔버의 외벽에 설치되며 가스 배출공을 갖는 프레임; 및
    상기 가스 배출공과 배기 라인을 통하여 연결되는 배기 장치를 포함하고,
    상기 챔버에는 상기 챔버의 내부의 가스를 배출하기 위한 유출공이 형성되며, 상기 배기 장치는 상기 유출공에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 기판이 출입하는 출입구를 갖는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 배치되며 상기 챔버 내로 반입된 상기 기판을 처리하는 기판 처리 유닛; 및
    상기 출입구에 인접하게 설치되며 상기 출입구가 개방될 때 상기 출입구 주위의 가스를 흡입하여 배출하도록 구성되는 가스 배출 유닛을 포함하고,
    상기 가스 배출 유닛은,
    상기 출입구에 인접하는 상기 챔버의 외벽에 설치되며 가스 배출공을 갖는 프레임; 및
    상기 가스 배출공과 배기 라인을 통하여 연결되는 배기 장치를 포함하고,
    상기 챔버에는 상기 챔버의 내부의 가스를 배출하기 위한 유출공이 형성되며, 상기 배기 장치는 상기 유출공에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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