TW201936476A - 剝離方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種可以從支撐板容易剝離基板等的剝離方法。[解決手段]提供一種剝離方法，將透過剝離層而設於支撐板正面上的基板從支撐板剝離，該剝離方法包含：第1保持步驟，以第1保持單元保持支撐板與基板之中的一側；起點區域形成步驟，對在支撐板與基板的端部露出的剝離層的端部噴射流體，形成起點區域，從支撐板剝離基板時的起點成為該起點區域；第2保持步驟，以第2保持單元保持支撐板與基板之中的另一側；以及剝離步驟，使第1保持單元與第2保持單元在互相分離的方向相對移動，而從支撐板剝離基板。

Description

剝離方法
本發明關於一種將透過剝離層而設於支撐板正面上的基板等從支撐板剝離的剝離方法。
在行動電話機或個人電腦所代表的電子機器方面，具備電子電路等元件的元件晶片已成為必需的構成要素。元件晶片例如為將以矽等半導體材料構成的晶圓的正面依分割預定線（切割道）劃分為多個區域，在各區域形成元件後，沿著此分割預定線分割晶圓而得到。
以如上述方法得到的元件晶片，例如固定於CSP（Chip Size Package；晶片級封裝）用的主基板上，以引線接合等方法電性連接後，用封膜樹脂密封。如此，用封膜樹脂密封元件晶片而形成封裝元件，藉此可保護元件晶片以防止衝擊、光、熱、水等外在的主要原因。
近幾年，人們開始採用一種稱為FOWLP（Fan-Out Wafer Level Package；扇出型晶圓級封裝）的封裝技術，為使用晶圓級的再配線技術，在元件晶片的區域外形成封裝端子（參照例如專利文獻1）。此外，人們也提出一種稱為FOPLP（Fan-Out Panel Level Package；扇出型面板級封裝）的封裝技術，為以尺寸大於晶圓的面板（代表性為用於製造液晶面板的玻璃基板）等級，一次全部製造封裝元件。
在FOPLP方面，例如透過剝離層（暫時接合層）而在成為暫時基板的支撐板（載板）的正面上形成配線層（RDL：Redistribution Layer；重分佈層），將元件晶片與此配線層接合。接著，以封膜樹脂密封元件晶片，得到密封基板（封裝面板）。其後，以研削等方法使密封基板變薄後，藉由分割此密封基板而完成封裝元件。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2016－201519號公報
[發明所欲解決的課題]
在上述的FOPLP方面，例如在將密封基板分割為封裝元件後，從此封裝元件去除支撐板。具體而言，從支撐板拾取各封裝元件。然而，剝離層的接合力強大到一定程度，所以難以不使封裝元件中的配線層等損傷而從支撐板剝離封裝元件。
另一方面，也考慮在將密封基板分割為封裝元件之前，從密封基板剝離、去除支撐板。然而，此情況也是，難以不使包含配線層等的密封基板或支撐板損傷而從支撐板剝離密封基板。
本發明為鑑於該問題點所完成者，其目的在於提供一種可以從支撐板容易剝離基板等的剝離方法。
[解決課題的技術手段]
若根據本發明的一態樣，則提供一種剝離方法，將透過剝離層而設於支撐板正面上的基板從該支撐板剝離的剝離方法，包含：第1保持步驟，以第1保持單元保持該支撐板與該基板之中的一側；起點區域形成步驟，對在該支撐板與該基板的端部露出的該剝離層的端部噴射流體，形成起點區域，從該支撐板剝離該基板時的起點成為該起點區域；第2保持步驟，以第2保持單元保持該支撐板與該基板之中的另一側；以及剝離步驟，使該第1保持單元與該第2保持單元在互相分離的方向相對移動，而從該支撐板剝離該基板。
在本發明的一態樣中，在該支撐板的端部的該正面側，由構成該剝離層的金屬膜或樹脂膜的一部分覆蓋著，該剝離方法也可進一步包含：去除步驟，在該起點區域形成步驟之前，以切割刀片或雷射光束去除覆蓋該支撐板的端部的該正面側的該金屬膜或樹脂膜。
根據本發明的另一態樣，提供一種剝離方法，將透過剝離層而設於支撐板正面上的基板分割為多個小片之後，再從該支撐板剝離，該剝離方法包含：第1保持步驟，以第1保持單元保持該支撐板；分割步驟，沿著設定於該基板上的分割預定線，從該基板側使切割刀片切入，或者照射對該基板具有吸收性的波長的雷射光束，將該基板分割為該多個小片；起點區域形成步驟，對在該小片的端部露出的該剝離層噴射流體，形成起點區域，從該支撐板剝離該小片時的起點成為該起點區域；第2保持步驟，以第2保持單元保持該小片；以及剝離步驟，使該第1保持單元與該第2保持單元在互相分離的方向相對移動，而從該支撐板剝離該小片。
[發明功效]
關於本發明的一態樣以及另一態樣的剝離方法，對剝離層的端部噴射流體，形成起點區域，從支撐板剝離基板或分割基板而得到的小片時的起點成為該起點區域，所以可以將此起點區域作為起點而從支撐板容易剝離基板或小片。
參考隨附圖式，就涉及本發明一態樣的實施方式進行說明。涉及本實施方式的剝離方法為將透過剝離層（暫時接合層）而設於支撐板（載板）正面上的基板（密封基板）從支撐板剝離用的剝離方法，包含第1保持步驟（參考圖1（B））、起點區域形成步驟（參考圖2（A））、第2保持步驟（參考圖2（B））、以及剝離步驟（參考圖3）。
在第1保持步驟，以卡盤台（第1保持單元）保持支撐板與基板之中的一側（本實施方式中為基板），使另一側（本實施方式中為支撐板）露出。在起點區域形成步驟，對剝離層的端部噴射流體，形成起點區域，從支撐板剝離基板時的起點成為該起點區域。
在第2保持步驟，以吸引墊（第2保持單元）保持支撐板與基板之中的另一側（支撐板）。在剝離步驟，使第1保持單元與第2保持單元在互相分離的方向相對移動，而從支撐板剝離基板。以下，就涉及本實施方式的剝離方法進行詳述。
圖1（A）為表示在本實施方式中所使用的複合基板1的構成例的剖面圖。複合基板1包含例如以鈉玻璃、硼矽酸玻璃、石英玻璃等絕緣材料形成的支撐板（載板）3。此支撐板3例如具有大致平坦的第1面（正面）3a、以及和第1面3a相反側的第2面（背面）3b，在從第1面3a側或第2面3b側看的俯視下構成為矩形狀。支撐板3的厚度為例如2mm以下，代表性為1.1mm。
再者，在本實施方式中，雖然使用以鈉玻璃、硼矽酸玻璃、石英玻璃等絕緣材料形成的支撐板3，但對支撐板3的材質、形狀、構造、大小等並沒有特別的限制。例如，也可以使用以半導體、陶瓷、樹脂、金屬等材料形成的基板等作為支撐板3。也可以將圓盤狀的半導體晶圓等作為支撐板3。
在支撐板3的第1面3a側，透過剝離層（暫時接合層）5而設有基板（密封基板）7。剝離層5藉由例如重疊金屬膜或絕緣膜等而設於大致整個第1面3a上，具有接著支撐板3與基板7的功能。此外，剝離層5也可以藉由起作為接著劑作用的樹脂膜等而構成。
剝離層5的厚度例如為20μm以下，代表性為5μm。當在後述剝離步驟從支撐板3剝離基板7時，此剝離層5被分離成與支撐板3側密接的第1部分5a（參考圖3等）、以及與基板7側密接的第2部分5b（參考圖3等）。
基板7例如也被稱為封裝面板或封裝晶圓等，包含連接於剝離層5的配線層（RDL）（未圖示）、與配線層接合的多個元件晶片9、以及密封各元件晶片的密封材（封膜樹脂層）11。此基板7在俯視下構成為和支撐板3大致相同的大小、形狀。基板7的厚度例如為1.5mm以下，具代表性的為0.6mm。
再者，此基板7的第1面（正面）7a側也可以用研削等方法加工。此外，在基板7上鄰接的元件晶片9之間的區域上，設定有分割預定線（切斷預定線）。藉由沿著任意的分割預定線切斷基板7，基板7會被分割為分別包含1個或多個元件晶片9的多個小片。
若沿著所有的分割預定線切斷基板7（或小片），則可得到對應各元件晶片9的多個封裝元件。然而，對基板7的材質、形狀、構造、大小等並沒有特別的限制。例如，基板7也有主要以配線層構成，不包含元件晶片9或密封材11等的情形。
在涉及本實施方式的剝離方法中，首先進行第1保持步驟，保持上述複合基板1的基板7側，使支撐板3側露出。圖1（B）為表示第1保持步驟的剖面圖。再者，圖1（B）中以功能方塊表示一部分的構成要素。
此第1保持步驟為使用圖1（B）等所示的剝離裝置2進行。剝離裝置2具備保持複合基板1用的卡盤台（第1保持單元）4。卡盤台4包含例如以不銹鋼所代表的金屬材料形成的圓筒狀的框體6、以及以多孔質材料形成並配置於框體6上部的保持板8。
保持板8的上表面成為吸引、保持複合基板1的基板7側用的保持面8a。此保持板8的下表面側透過設於框體6內部的流路6a或閥10等而連接於吸引源12。因此，若打開閥10，則可使吸引源12的負壓作用於保持面8a。
此卡盤台4（框體6）連結於馬達等旋轉驅動源（未圖示），在對上述保持面8a大致平行的旋轉軸的周圍旋轉。此外，卡盤台4（框體6）由移動機構（未圖示）所支撐，在對上述保持面8a大致平行的方向移動。
在第1保持步驟，如圖1（B）所示，例如使基板7的第1面7a接觸卡盤台4的保持面8a。然後，打開閥10，使吸引源12的負壓作用於保持面8a。藉此，將複合基板1的基板7側吸引、保持於卡盤台4上。即，支撐板3的第2面3b側成為露出的狀態。
在第1保持步驟之後，進行起點區域形成步驟，對剝離層5的端部噴射流體，形成起點區域，從支撐板3剝離基板7時的起點（開端）成為該起點區域。圖2（A）為表示起點區域形成步驟的局部剖面側視圖。再者，圖2（A）中也以功能方塊表示一部分的構成要素。
起點區域形成步驟仍繼續使用剝離裝置2進行。如圖2（A）所示，在卡盤台4的上方配置有噴射流體用的噴嘴14。此噴嘴14為例如由移動機構（未圖示）所支撐，在對保持面8a大致垂直的方向、以及對保持面8a大致平行的方向移動。
在起點區域形成步驟，例如使保持複合基板1的卡盤台4旋轉，將噴嘴14的噴射口朝向剝離層5的端部（即支撐板3或基板7的端部）。此外，使卡盤台4與噴嘴14相對移動，以調整複合基板1與噴嘴14的距離。
其後，一邊從噴嘴14的噴射口向剝離層5的端部噴射流體，一邊以此噴嘴14沿著剝離層5的端部移動的方式使卡盤台4與噴嘴14相對移動。藉此，可沿著剝離層5的端部形成成為剝離時的起點的起點區域。
此起點區域期望形成於複合基板1的整個周圍（即整個剝離層5的端部）。藉此，可從支撐板3適當地剝離基板7。然而，也可以在可從支撐板3適當地剝離基板7的範圍內，將起點區域只形成於剝離層5的端部的一部分上。
作為從噴嘴14噴射的流體，例如可使用空氣等氣體、或水等液體、混合氣體與液體的混合流體等。尤其是使用混合空氣和水的雙流體作為流體的情況時，容易形成適當的起點區域。卡盤台4與噴嘴14的距離，可按照剝離層5的材質、從噴嘴14噴射的流體的種類、噴射流體的壓力等條件，在可適當地形成起點區域的範圍內進行調整。
在起點區域形成步驟之後，進行第2保持步驟，進一步保持以卡盤台4保持基板7側的複合基板1的支撐板3側。圖2（B）為表示第2保持步驟的局部剖面側視圖。再者，圖2（B）中也以功能方塊表示一部分的構成要素。
第2保持步驟仍繼續使用剝離裝置2進行。如圖2（B）所示，在卡盤台4的上方配置有保持複合基板1用的吸引墊（第2保持單元）16。吸引墊16的下表面成為吸引、保持複合基板1的支撐板3側用的保持面16a。
保持面16a透過流路（未圖示）或閥（未圖示）等而連接於吸引源（未圖示）。因此，若打開閥，則可使吸引源的負壓作用於保持面16a。此吸引墊16為例如由移動機構（未圖示）所支撐，在對保持面8a大致垂直的方向、以及對保持面8a大致平行的方向移動。
在第2保持步驟，例如使保持複合基板1的卡盤台4與吸引墊16相對移動，使此吸引墊16的保持面16a接觸支撐板3的第2面3b。然後，打開閥，使吸引源的負壓作用於保持面16a。藉此，在複合基板1的基板7側被吸引、保持於卡盤台4上的狀態，支撐板3側被吸引、保持於吸引墊16上。
在第2保持步驟之後，進行剝離步驟，使卡盤台4與吸引墊16在互相分離的方向相對移動，而從支撐板3剝離基板7。圖3為表示剝離步驟的局部剖面側視圖。再者，圖3中也以功能方塊表示一部分的構成要素。
在剝離步驟，如圖3所示，例如以吸引墊16在對保持面8a大致垂直且離開卡盤台4的方向移動的方式利用移動機構對吸引墊16施力。如上所述，在卡盤台4上吸引、保持著複合基板1的基板7，在吸引墊16上吸引、保持著複合基板1的支撐板3。此外，在剝離層5的端部形成有成為剝離時的起點的起點區域。
因此，對吸引墊16施加與保持面8a大致垂直且離開卡盤台4的方向的力時，剝離層5就會以上述起點區域作為起點，分離成與支撐板3側密接的第1部分5a、以及與基板7側密接的第2部分5b。然後，吸引墊16在與保持面8a大致垂直且離開卡盤台4的方向移動，從支撐板3剝離基板7。
如以上所述，在涉及本實施方式的剝離方法中，對剝離層5的端部噴射流體，形成起點區域，從支撐板3剝離基板（密封基板）7時的起點成為該起點區域，所以將此起點區域作為起點，可從支撐板3容易剝離基板7。即，當此剝離時，可將基板7或支撐板3損傷的可能性抑制得較低。
再者，本發明不受上述實施方式的記載限制，可進行各種變更而實施。例如，在上述實施方式中，雖然在第1保持步驟，以卡盤台4保持複合基板1的基板7側，在第2保持步驟，以吸引墊16保持複合基板1的支撐板3側，但也可以在第1保持步驟，以卡盤台4保持複合基板1的支撐板3側，在第2保持步驟，以吸引墊16保持複合基板1的基板7側。
此外，在上述實施方式的第1保持步驟，雖然利用卡盤台4吸引基板7側以保持複合基板1，但例如也可以使基板7的第1面7a接觸卡盤台4，用任意的構件從上方或側邊壓制此基板7的邊緣等以保持複合基板1。
再者，在此情況時，至少在剝離步驟之前，從上方或側邊壓制基板7的邊緣等即可。此外，以同樣的方法保持複合基板1的支撐板3側時，則使支撐板3的第2面3b接觸卡盤台4，用任意的構件從上方或側邊壓制此支撐板3的邊緣等。
此外，例如也可以考慮在上述實施方式中所使用的支撐板3的端部的第1面3a側，由構成剝離層5的金屬膜或樹脂膜的一部分覆蓋著。在此情況，在剝離層5的端部難以形成起點區域，無法從支撐板3容易剝離基板7的可能性變高。
於是，這種情況時，在起點區域形成步驟之前，進行去除步驟即可，去除覆蓋支撐板3的端部的第1面3a側的金屬膜或樹脂膜。圖4（A）為放大表示進行去除步驟前的支撐板的端部的狀態的剖面圖，圖4（B）為表示去除步驟的局部剖面側視圖。
如圖4（A）所示，在涉及變形例的剝離方法所使用的支撐板3的端部的第1面3a側被構成剝離層5的金屬膜或樹脂膜的一部分5c所覆蓋著。於是，在此變形例中，去除金屬膜或樹脂膜的一部分5c，在之後的起點區域形成步驟，容易在剝離層5的端部形成起點區域。
具體而言，如圖4（B）所示，使用設於剝離裝置2的切割單元18，去除此金屬膜或樹脂膜的一部分5c。切割單元18例如具備主軸20，成為對卡盤台4的保持面8a大致平行的旋轉軸。在主軸20的一端側安裝有結合材中分散有磨粒而成的環狀的切割刀片22。
在主軸20的另一端側連結有馬達等旋轉驅動源（未圖示），裝設於主軸20一端側的切割刀片22利用從旋轉驅動源傳送的力進行旋轉。此切割單元18例如由移動機構（未圖示）所支撐，在對保持面8a大致垂直的方向、以及對保持面8a大致平行的方向移動。
在去除步驟，首先，使保持複合基板1的卡盤台4旋轉，使包含支撐板3的端部的外周緣對切割刀片22的旋轉軸（主軸20）在俯視下成為垂直。然後，使卡盤台4與切割單元18相對移動，將切割刀片22定位於包含上述支撐板3端部的外周緣的延長線上方。此外，將切割刀片22的下端定位於比支撐板3的第1面3a低的位置。
其後，一邊使切割刀片22旋轉，一邊使卡盤台4在和包含支撐板3端部的外周緣平行的方向移動。藉此，使切割刀片22切入覆蓋支撐板3端部的第1面3a側的金屬膜或樹脂膜的一部分5c，可去除此金屬膜或樹脂膜的一部分5c。
其結果是，在剝離層5的端部，露出剝離層5的適當的積層構造等，在之後的起點區域形成步驟容易在剝離層5的端部形成起點區域。反覆這種動作，去除所有覆蓋支撐板3端部的第1面3a側的金屬膜或樹脂膜的一部分5c時，則結束去除步驟。
再者，此處，雖然用使切割刀片22切入的方法，去除覆蓋支撐板3端部的第1面3a側的金屬膜或樹脂膜的一部分5c，但也可以用照射對金屬膜或樹脂膜的一部分5c具有吸收性的波長的雷射光束的方法，將該等去除。
此外，在上述實施方式中，雖然在將基板7分割為與各元件晶片9對應的封裝元件等小片之前，從支撐板3剝離了基板7，但也可以在將基板7分割為封裝元件等小片之後，再從支撐板3剝離此小片。
圖5（A）為表示使用於涉及變形例的剝離方法的複合基板1的構成例的剖面圖。如圖5（A）所示，在此變形例所使用的複合基板1的基本構成和關於上述實施方式的複合基板1大致相同。然而，在此變形例，以使用切割刀片的切割等方法，預先去除複合基板1的不必要區域（例如端部）。
在去除複合基板1的不必要區域之後，進行第1保持步驟，保持此複合基板1的支撐板3側而使基板7側露出。圖5（B）為表示涉及變形例的剝離方法的第1保持步驟以及分割步驟的局部剖面側視圖。再者，圖5（B）中以功能方塊表示一部分的構成要素。
此第1保持步驟和涉及上述實施方式的第1保持步驟同樣地使用剝離裝置2進行。具體而言，如圖5（B）所示，例如使支撐板3的第2面3b接觸卡盤台4的保持面8a。然後，打開閥10，使吸引源12的負壓作用於保持面8a。藉此，將複合基板1的支撐板3側吸引、保持於卡盤台4上。即，基板7的第1面7a側成為露出的狀態。
在第1保持步驟之後，進行分割步驟，沿著分割預定線而將基板7分割為多個小片。如圖5（B）所示，此分割步驟例如使用剝離裝置2的切割單元18進行。切割單元18的基本構成雖然和在上述去除步驟所使用的切割單元18大致相同即可，但在此分割步驟，是使用適合基板7的切割加工的切割刀片22。
在分割步驟，首先，使保持複合基板1的卡盤台4旋轉，使設定於基板7上的分割預定線對切割刀片22的旋轉軸（主軸20）在俯視下成為垂直。然後，使卡盤台4與切割單元18相對移動，將切割刀片22定位於對象的分割預定線的延長線上方。
此外，將切割刀片22的下端定位於可完全切斷基板7的高度。即，將切割刀片22的下端定位於至少可切入剝離層5的高度。其後，一邊使切割刀片22旋轉，一邊使卡盤台4在和對象的分割預定線平行的方向移動。
藉此，可沿著對象的分割預定線而使切割刀片22從基板7側至少切入到剝離層5，切斷此基板7。按照需要而反覆這種動作，將基板7分割為任意大小的小片，分割步驟於是結束。再者，在此變形例中，沿著所有的分割預定線而切斷基板7，形成對應各元件晶片9的多個封裝元件（小片）13（參照圖6A）。
在分割步驟之後，進行起點區域形成步驟，對剝離層5的端部噴射流體，形成起點區域，從支撐板3剝離封裝元件13時的起點（開端）成為該起點區域。圖6（A）為表示涉及變形例的剝離方法的起點區域形成步驟以及第2保持步驟的局部剖面側視圖。再者，圖6（A）中也以功能方塊表示一部分的構成要素。
此起點區域形成步驟和涉及上述實施方式的起點區域形成步驟同樣地繼續使用剝離裝置2進行。具體而言，例如使保持複合基板1的卡盤台4旋轉，將噴嘴14的噴射口朝向剝離層5的端部（即封裝元件13的端部）。此外，使卡盤台4與噴嘴14相對移動，以調整封裝元件13與噴嘴14的距離。
其後，一邊從噴嘴14的噴射口向剝離層5的端部噴射流體，一邊以此噴嘴14沿著剝離層5的端部移動的方式使卡盤台4與噴嘴14相對移動。藉此，可沿著剝離層5的端部形成成為剝離時的起點的起點區域。再者，涉及此變形例的起點區域形成步驟的各個條件，和涉及上述實施方式的起點區域形成步驟同樣即可。
在起點區域形成步驟之後，進行第2保持步驟，在利用卡盤台4保持支撐板3側的狀態，進一步保持封裝元件13。第2保持步驟仍繼續使用剝離裝置2進行。如圖6（A）所示，在卡盤台4的上方，配置有保持封裝元件13用的筒夾（collet）（拾取工具、第2保持單元）24。筒夾24的下表面成為吸引、保持封裝元件13用的保持面24a。
保持面24a透過流路（未圖示）或閥（未圖示）等而連接於吸引源（未圖示）。因此，若打開閥，則可使吸引源的負壓作用於保持面24a。此筒夾24例如由移動機構（未圖示）所支撐，在對保持面8a大致垂直的方向、以及對保持面8a大致平行的方向移動。
在第2保持步驟，例如使保持複合基板1的卡盤台4與筒夾24相對移動，使此筒夾24的保持面24a接觸封裝元件13的上表面等。然後，打開閥，使吸引源的負壓作用於保持面24a。藉此，在將複合基板1的基板7側吸引、保持於卡盤台4上的狀態，將封裝元件13側吸引、保持於筒夾24上。
在第2保持步驟之後，進行剝離步驟，使卡盤台4與筒夾24在互相分離的方向相對移動，而從支撐板3剝離封裝元件13。圖6（B）為表示涉及變形例的剝離方法的剝離步驟的局部剖面側視圖。再者，圖6（B）中也以功能方塊表示一部分的構成要素。
在剝離步驟，如圖3所示，例如以筒夾24在對保持面8a大致垂直且離開卡盤台4的方向移動的方式，利用移動機構對筒夾24施力。如上所述，在卡盤台4上吸引、保持著複合基板1的基板7，在筒夾24上吸引、保持著封裝元件13。此外，在與封裝元件13的端部對應的剝離層5的端部形成有成為剝離時的起點的起點區域。
因此，對筒夾24施加與保持面8a大致垂直且離開卡盤台4的方向的力時，剝離層5就會以上述的起點區域作為起點，分離成與支撐板3側密接的第1部分5a、以及與封裝元件13側密接的第2部分5b。然後，筒夾24在與保持面8a大致垂直且離開卡盤台4的方向移動，從支撐板3剝離封裝元件13。
再者，在涉及此變形例的剝離方法中，例如期望反覆進行起點區域形成步驟、第2保持步驟、以及剝離步驟直到從支撐板3剝離所有的封裝元件13為止。此情況時，在起點區域形成步驟，只在後續剝離步驟中與作為剝離對象的封裝元件13的端部對應的剝離層5的端部形成起點區域即可。
此外，在此變形例中，雖然從支撐板3剝離與各元件晶片9對應的封裝元件13，但也可以用同樣的方法，從支撐板3剝離分割為包含多個元件晶片9的任意大小的小片。此外，在涉及此變形例的剝離步驟中，雖然用使切割刀片22切入的方法而將基板7分割為小片，但也可以用照射對基板7具有吸收性的波長的雷射光束的方法，切斷基板7，分割為小片。
此外，在上述實施方式以及變形例中，雖然表示使用在俯視下構成為矩形狀的複合基板1的情況，但在使用圓盤狀的複合基板的情況等時，會配合複合基板的形狀等而變更各部的動作等。例如，在起點形成步驟或去除步驟，一邊使卡盤台4旋轉，一邊對剝離層5的端部噴射流體，或者使切割刀片22切入金屬膜的一部分5c即可。
其他，涉及上述實施方式的構造、方法等，只要不脫離本發明的目的的範圍，就可以適當變更而實施。
1‧‧‧複合基板
3‧‧‧支撐板（載板）
3a‧‧‧第1面（正面）
3b‧‧‧第2面（背面）
5‧‧‧剝離層（暫時接合層）
7‧‧‧基板（密封基板）
7a‧‧‧第1面（正面）
9‧‧‧元件晶片
11‧‧‧密封材（封膜樹脂層）
13‧‧‧封裝元件（小片）
2‧‧‧剝離裝置
4‧‧‧卡盤台4（第1保持單元）
6‧‧‧框體
6a‧‧‧流路
8‧‧‧保持板
8a‧‧‧保持面
10‧‧‧閥
12‧‧‧吸引源
14‧‧‧噴嘴
16‧‧‧吸引墊（第2保持單元）
16a‧‧‧保持面
18‧‧‧切割單元
20‧‧‧主軸
22‧‧‧切割刀片
24‧‧‧筒夾（拾取工具、第2保持單元）
24a‧‧‧保持面
圖1（A）為表示包含支撐板與基板的複合基板其構成例的剖面圖；圖1（B）為表示第1保持步驟的剖面圖。
圖2（A）為表示起點區域形成步驟的局部剖面側視圖；圖2（B）為表示第2保持步驟的局部剖面側視圖。
圖3為表示剝離步驟的局部剖面側視圖。
圖4（A）為放大顯示進行去除步驟前，支撐板的端部的狀態的剖面圖；圖4（B）為顯示去除步驟的局部剖面側視圖。
圖5（A）為表示用於涉及變形例的剝離方法的複合基板其構成例的剖面圖；圖5（B）為表示涉及變形例的剝離方法的第1保持步驟以及分割步驟的局部剖面側視圖。
圖6（A）為表示涉及變形例的剝離方法的起點區域形成步驟以及第2保持步驟的局部剖面側視圖；圖6（B）為表示涉及變形例的剝離方法的剝離步驟的局部剖面側視圖。

Claims (3)

  1. 一種剝離方法，將透過剝離層而設於支撐板正面上的基板從該支撐板剝離，其特徵在於該剝離方法包含： 第1保持步驟，以第1保持單元保持該支撐板與該基板之中的一側； 起點區域形成步驟，對在該支撐板與該基板的端部露出的該剝離層的端部噴射流體，形成起點區域，從該支撐板剝離該基板時的起點成為該起點區域； 第2保持步驟，以第2保持單元保持該支撐板與該基板之中的另一側；以及 剝離步驟，使該第1保持單元與該第2保持單元在互相分離的方向相對移動，而從該支撐板剝離該基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之剝離方法，其中， 在該支撐板的端部的該正面側，由構成該剝離層的金屬膜或樹脂膜的一部分覆蓋著， 該剝離方法進一步包含：去除步驟，在該起點區域形成步驟之前，以切割刀片或雷射光束去除覆蓋該支撐板的端部的該正面側的該金屬膜或樹脂膜。
  3. 一種剝離方法，將透過剝離層而設於支撐板正面上的基板分割為多個小片之後，再從該支撐板剝離，其特徵在於該剝離方法包含： 第1保持步驟，以第1保持單元保持該支撐板； 分割步驟，沿著設定於該基板上的分割預定線，從該基板側使切割刀片切入，或者照射對該基板具有吸收性的波長的雷射光束，將該基板分割為該多個小片； 起點區域形成步驟，對在該小片的端部露出的該剝離層噴射流體，形成起點區域，從該支撐板剝離該小片時的起點成為該起點區域； 第2保持步驟，以第2保持單元保持該小片；以及 剝離步驟，使該第1保持單元與該第2保持單元在互相分離的方向相對移動，而從該支撐板剝離該小片。
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