TW201933980A

TW201933980A - 電磁波吸收體、附電磁波吸收體之物品、及電磁波吸收體的製造方法

Info

Publication number: TW201933980A
Application number: TW107147865A
Authority: TW
Inventors: 山形一斗; 待永廣宣; 請井博一; 宇井丈裕
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2017-12-28
Filing date: 2018-12-28
Publication date: 2019-08-16
Also published as: CN111557129A; JPWO2019132027A1; EP3735119A1; US20210059085A1; EP3735119A4; US11266048B2; WO2019132027A1; KR20200102431A

Abstract

電磁波吸收體具備電阻層、導電層、及介電質層。導電層具有比電阻層的片電阻更低的片電阻。介電質層是配置於電阻層與導電層之間。電磁波吸收體具有第一狹縫。第一狹縫是在電阻層中從相對於介電質層較遠側的第一主面於垂直於第一主面的方向上朝向介電質層延伸，並且將電阻層劃分成複數個第一區塊。第一區塊在第一主面上的最小尺寸為2mm以上。

Description

電磁波吸收體、附電磁波吸收體之物品、及電磁波吸收體的製造方法

發明領域
本發明是有關於一種電磁波吸收體、附電磁波吸收體之物品、及電磁波吸收體的製造方法。

發明背景
近年來，毫米波(波長為1~10mm左右，頻率為30~300GHz)或準毫米波的區域的電磁波作為資訊通訊媒體的利用不斷在發展中。正在進行的有例如在車輛中，衝撞預防系統中的利用，前述衝撞預防系統是檢測障礙物並以自動方式剎車、或者測定周邊車輛的速度或車輛之間的距離以控制自身車的速度或車輛之間的距離之系統。在讓這種衝撞預防系統正常地動作方面，重要的是為了防止誤認，而設成儘可能不接收不需要的電磁波。從而，在此等衝撞預防系統中通常會使用可吸收不需要的電磁波的電磁波吸收體。

在上述電磁波吸收體中，依據其電磁波吸收的原理而有各種類型。已知有例如設置有電磁波反射層(導電層)、具有相當於λ/4(λ是設為吸收對象的電磁波的波長)之厚度的介電質層、及電阻薄膜層(電阻層)之類型(以下稱為「λ/4型」)的電磁波吸收體，會因為材料比較便宜且設計較容易，所以可以用低成本方式來製作。作為這種λ/4型電磁波吸收體，於例如專利文獻1中已提案有可發揮下述優異的特性的電磁波吸收體：涵蓋入射角度的寬廣區域來發揮功能。

又，於專利文獻2中記載有將彎曲剛性設定為300MPa．mm⁴ 以下的λ/4型的電磁波吸收體。根據專利文獻2中記載的電磁波吸收體，由於將彎曲剛性設定在300MPa．mm⁴ 以下，因此可做到例如沿曲面來安裝電磁波吸收體。
先前技術文獻
專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2003-198179號公報
專利文獻2：日本專利特開2017-163141號公報

發明概要
發明欲解決之課題
根據專利文獻2中記載的技術，可容易地將電磁波吸收體安裝於曲面上。另一方面，提高安裝到具有曲面等的物品的容易度之作法，並不受限於將電磁波吸收體的彎曲剛性設為300MPa．mm⁴ 以下。

於是，本發明提供一種有利於安裝於具有曲面等的物品，且有利於發揮良好的電磁波吸收性能之新穎的電磁波吸收體。除此以外，本發明提供具備有該電磁波吸收體之物品、及該電磁波吸收體的製造方法。
用以解決課題之手段

本揭示是提供一種電磁波吸收體，其具備：
電阻層；
導電層，具有比前述電阻層的片電阻更低的片電阻；及
介電質層，配置於前述電阻層與前述導電層之間，
又，具有第一狹縫(slit)及第二狹縫的至少1種，
前述第一狹縫是在前述電阻層中，從相對於前述介電質層較遠側的第一主面於垂直於前述第一主面的方向上朝向前述介電質層延伸，並且將前述電阻層劃分成複數個第一區塊，
前述第二狹縫是在前述導電層中，從相對於前述介電質層較遠側的第二主面於垂直於前述第二主面的方向上朝向前述介電質層延伸，並且將前述導電層劃分成複數個第二區塊，
前述第一區塊在前述第一主面上的最小尺寸為2mm以上，
前述第二區塊在前述第二主面上的最小尺寸為1mm以上。

又，本發明提供一種附電磁波吸收體之物品，其具備有：
物品，具有曲面或角落；及
上述電磁波吸收體，貼附於前述曲面、或跨越前述角落而貼附。

此外，本發明提供一種電磁波吸收體的製造方法，其是進行：
提供電阻層；
提供具有比前述電阻層的片電阻更低的片電阻的導電層；
於前述電阻層與前述導電層之間配置介電質層；
形成第一狹縫及第二狹縫的至少1種，
又，前述第一狹縫是在前述電阻層中，從相對於前述介電質層較遠側的第一主面於垂直於前述第一主面的方向上朝向前述介電質層延伸，並且將前述電阻層劃分成複數個第一區塊，
前述第二狹縫是在前述導電層中，從相對於前述介電質層較遠側的第二主面於垂直於前述第二主面的方向上朝向前述介電質層沿伸，並且將前述導電層劃分成複數個第二區塊，
前述第一區塊在前述第一主面上的最小尺寸為2mm以上，
前述第二區塊在前述第二主面上的最小尺寸為1mm以上。
發明效果

上述的電磁波吸收體有利於安裝到具有曲面等的物品，且有利於發揮良好的電磁波吸收性能。

用以實施發明之形態
參照圖式並且說明本發明之實施形態。再者，本發明並非限定於以下的實施形態。再者，在附加的圖式中，x軸、y軸、及z軸是互相正交，z軸是沿電磁波吸收體的厚度方向延伸。在附加的圖式中，x軸正方向為相同的方向，y軸正方向為相同的方向，z軸正方向為相同的方向。

如圖1所示，電磁波吸收體1a具備有電阻層10、導電層20、及介電質層30。導電層20具有比電阻層10的片電阻更低的片電阻。介電質層30是配置在電阻層10與導電層20之間。電磁波吸收體1a具有第一狹縫15。第一狹縫15是在電阻層10中，從相對於介電質層30較遠側的第一主面10a於垂直於第一主面10a的方向上朝向介電質層30延伸，並且將電阻層10劃分成複數個第一區塊17。如圖2所示，第一區塊17在第一主面10a上的最小尺寸D1為2mm以上。

最小尺寸D1典型上是意指：平面視角觀看第一主面10a時，在形成第一區塊17的輪廓之平面圖形中，頂點間的距離的最小值及互相不交叉的線彼此的最短距離當中較小的距離。在這種情況下，頂點意指角的頂點。頂點可由直線彼此交叉、曲線彼此交叉、或直線與曲線交叉而形成。另一方面，平面視角觀看第一主面10a時，在形成第一區塊17的輪廓之平面圖形的輪廓包含弧形等的曲線，並且平面圖形的頂點的數量為2個以下的情況下，最小尺寸D1為通過平面圖形的輪廓上的2個點、與該平面圖形的重心之線段的長度成為最小的方向上的尺寸。

電磁波吸收體1a可以藉由具有第一狹縫15，而將電磁波吸收體1a彎曲成擴大第一狹縫15的開口，而使得電磁波吸收體1a易於彎曲。又，亦可將電磁波吸收體1a彎曲成讓在第一狹縫15中相鄰的第一區塊17彼此推擠。因此，電磁波吸收體1a在具有曲面等的物品上也易於安裝。

電磁波吸收體1a為λ/4型電磁波吸收體。設計成當成為吸收對象之波長(λ_O )的電磁波入射到電磁波吸收體1a時，會使在電阻層10的表面之由反射(表面反射)所產生的電磁波、與導電層20中的由反射(背面反射)所產生的電磁波相干渉。第一狹縫15被認為可對電磁波的表面反射造成影響。本發明的發明人們，針對形成於電阻層之狹縫對電磁波吸收體的電磁波吸收性能所造成的影響，不分晝夜地反覆檢討。其結果，重新發現到下述情形：只要使藉由狹縫所劃分出的電阻層的區塊的最小尺寸為2mm以上，電磁波吸收體即易於發揮良好的電磁波吸收性能。本發明的發明人們，依據這樣的新的知識見解而想出了本發明的電磁波吸收體。

第一區塊17在第一主面10a上的最小尺寸D1宜為4mm以上，較理想為6mm以上，更理想為10mm以上。藉此，可以更加提高電磁波吸收體1a的電磁波吸收性能。

電磁波吸收體1a在厚度方向上的第一狹縫15的深度並未特別限制，第一狹縫15可於電阻層10的內部具有底部，亦在電磁波吸收體1a的厚度方向上貫穿電阻層10。在平行於第一主面10a的方向上，第一狹縫15之端緣亦可位於第一主面10a之端緣，亦可位於從第一主面10a之端緣遠離的位置。再者，第一狹縫15亦可形成為在相鄰的第一區塊17彼此之間存在間隙，亦可形成為可以讓相鄰的第一區塊17彼此接觸。在平行於第一主面10a的方向上，第一狹縫15典型上是直線狀地延伸。第一狹縫15亦可曲線狀地延伸。

在第一主面10a為水平時，第一主面10a中的複數個第一區塊17的面積為例如複數個第一區塊17的面積與第一狹縫15的開口面積之和的90%以上，較理想為其和的97%以上，更理想為其和的99%以上。藉此，以更加確實地讓電磁波吸收體1a具有良好的電磁波吸收性能。

如圖2所示，電磁波吸收體1a具有例如複數道第一狹縫15。複數道第一狹縫15包含例如第一狹縫群15a。第一狹縫群15a是由在第一主面10a上互相平行的複數道第一狹縫15所構成。在這種情況下，第一區塊17的第一主面10a中的最小尺寸D1宜為20mm以下。在這種情況下，易於將電磁波吸收體1a安裝於具有較大的曲率的曲面之物品上。

如圖2所示，電磁波吸收體1a中的複數道第一狹縫15更包含例如第二狹縫群15b。第二狹縫群15b是由在第一主面10a上互相平行，且與包含於第一狹縫群15a的複數道第一狹縫15相交的複數道第一狹縫15所構成。由於在這種情況下，電磁波吸收體1a可以朝複數個方向彎曲，因此即使在具有複雜的形狀之物品上也易於安裝。

平面視角觀看第一主面10a時，形成第一區塊17的輪廓之平面圖形可為三角形、四角形、或其他的多角形，亦可為其輪廓的一部分或全部為曲線狀之圖形。

在λ/4型電磁波吸收體中，是如下述之式(1)所示，藉由介電質層30的厚度(t)及介電質層30的相對介電係數(ε_r )來決定吸收對象的電磁波的波長(λ_O )。亦即，可以藉由適當調節介電質層30的材料及厚度，而設定吸收對象的波長的電磁波。在式(1)中sqrt(ε_r )意指相對介電係數(ε_r )的平方根。介電質層30的材料及厚度是決定成可以有效地吸收具有例如76~79GHz的頻率的電磁波。
λ_O ＝4t×sqrt(ε_r )　　　式(1)

依照JIS(日本工業規格)R 1679：2007而測定之使76.5GHz的電磁波垂直入射到電磁波吸收體1a時的反射量的絕對值為例如10dB以上，較理想為20dB以上。

在λ/4型電磁波吸收體的設計中，將電阻層的片電阻決定成：使用傳輸理論從電阻層的前表面所估計的阻抗變得與特性阻抗相等。對電阻層所要求的片電阻能夠依入射到λ/4型電磁波吸收體的電磁波之所設想的入射角度而變動。

電阻層10具有例如120~800Ω/□的片電阻。即便將電磁波對電磁波吸收體1a的入射角度設想得較大，也可以藉由將電阻層10的片電阻決定成120~800Ω/□之特定的片電阻，而讓電磁波吸收體1a對例如76~79GHz的電磁波顯現所期望的吸收性能。

電阻層10包含由例如將選自於由銦、錫、及鋅所構成的群組中的至少一種作為主成分的金屬氧化物、導電性高分子、奈米碳管、金屬奈米線、及金屬網格的任一種所構成的層(以下稱為「功能層」)。從電阻層10中的片電阻的穩定性及電阻層10的耐久性的觀點來看，電阻層10的功能層宜由氧化銦錫(ITO)所構成。在這種情況下，形成電阻層10的功能層之材料宜為含有20~40重量%的SnO₂ 的ITO，較理想為含有25~35重量%的SnO₂ 的ITO。以這樣的範圍含有SnO₂ 的ITO可以讓非晶質構造極為穩定，且即便在高溫多濕的環境中也可抑制電阻層10的片電阻的變動。電阻層10的片電阻意指例如對功能層所測定之值。在本說明書中，所謂的「主成分」意指對該材料的特性帶來影響之成分，該成分的含有量通常為材料整體的50重量%以上。

電阻層10的功能層具有例如10~100nm的厚度，較理想為具有25~50nm的厚度。藉此，即便電磁波吸收體1a承受歷經時間的變化或環境的變化，仍易於使電阻層10的片電阻穩定。

電阻層10亦可更包含有例如支撐功能層的支撐體。在這種情況下，電阻層10可以藉由例如在支撐體上以濺鍍或塗布(例如，棒式塗布(bar coating))等的成膜方法形成功能層來製作。在這種情況下，支撐體也會產生作為可以高精度地調節功能層的厚度之輔助材料的作用。電阻層10的支撐體的材料為例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯(PC)、聚烯烴、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、環烯烴聚合物(COP)、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯樹脂、無軸延伸聚丙烯(CPP)、或二氯亞乙烯樹脂。其中，從良好的耐熱性、尺寸穩定性、成本之平衡的觀點來看，電阻層10的支撐體的材料宜為PET或PI。依情況不同，可在電阻層10中省略支撐體。

在電阻層10包含支撐體的情況下，在電阻層10中，亦可使功能層構成第一主面10a，亦可使支撐體構成第一主面10a。

在電阻層10包含支撐體的情況下，電阻層10的支撐體具有例如10~150μm的厚度，較理想為具有20~100μm的厚度，更理想為具有30~80μm的厚度。藉此，電阻層10的彎曲剛性較低，且可以在形成電阻層10的功能層的情況下抑制皺褶的產生或變形。

電阻層10具有例如0.07~5000MPa的楊氏模數。藉此，易於讓電磁波吸收體1a彎曲。

例如，從在電磁波吸收體1a中抑制電磁波的穿透的觀點來看，較理想的是使導電層20的片電阻儘可能較小。導電層20宜具有例如100Ω/□以下的片電阻，較理想為具有20Ω/□以下的片電阻。

導電層10包含有例如金屬。藉此，易於讓導電層10具有較低的片電阻。再者，在本說明書中合金是包含於金屬中。包含於導電層10之金屬可為例如銅、鎳、鋅、或其等之合金、鋁、金、或不鏽鋼。

導電層20亦可例如包含有金屬箔，導電層20亦可藉由單一的金屬箔而形成。在這種情況下，金屬箔的厚度為例如0.1~100μm，較理想為0.1~50μm。藉此，可以在電磁波吸收體1a中更確實地抑制電磁波的穿透，並且易於將電磁波吸收體1a安裝於具有曲面等的物品上。金屬箔可為例如鋁箔、銅箔、金箔、鈦箔、鎳箔、鎂箔、鋁合金箔、銅合金箔、金合金箔、鈦合金箔、鎳合金箔、鎂合金箔、或不鏽鋼箔。其中，作為金屬箔較理想的是使用鋁箔。原因在於鋁箔可以較便宜地取得，而可以降低電磁波吸收體1a的製造成本。

導電層20具備有例如包含經表面處理的金屬粒子之層。在金屬粒子中經表面處理的金屬為例如銅、鎳、鋅、或其等的合金。金屬粒子中使用於表面處理的材料為銀、金、鎳、銅、或鈷。其中，尤以利用具有良好的導電性的銀進行表面處理為較理想。例如，金屬粒子中的表面處理劑的質量為金屬粒子的整體的質量的5~30%，較理想為5~20%，更理想為10~20%。在這種情況下，在例如利用銀進行表面處理的情況下，可以既使金屬粒子的表面具有良好的導電性，並且抑制金屬粒子的原料成本。

例如，在包含金屬粒子之層中使金屬粒子彼此接觸。包含金屬粒子之層包含黏合劑(binder)，在導電層20中金屬粒子的表面的至少一部分接觸於黏合劑，且金屬粒子分散於黏合劑。黏合劑可為例如丙烯酸樹脂、乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、丙烯腈-丁二烯橡膠(NBR)、腈橡膠、乙烯-丙烯-二烯橡膠、聚矽氧橡膠、或聚氨酯。從柔軟性及伸長性的觀點來看，黏合劑宜為丙烯酸樹脂或聚氨酯。

金屬粒子具有例如1~100μm的粒徑，較理想為具有1~50μm的粒徑，更理想為具有1~20μm的粒徑。藉由金屬粒子具有1μm以上的粒徑，以抑制金屬粒子的添加量並且易於使金屬粒子彼此接觸。除此以外，藉由金屬粒子具有100μm以下的粒徑，可以減低導電層20的厚度，並且即便將電磁波吸收體1a彎曲仍易於保持金屬粒子彼此接觸的狀態。金屬粒子的粒徑是例如在藉由雷射繞射散射式粒度分布測定法所得到的體積基準的累積分布中相當於50%之中值粒徑(D50)。

導電層20在具備包含金屬箔或金屬粒子之層的情況下，亦可更具備有支撐這些層的支撐體。支撐體為例如高分子片材。支撐體的材料可為例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯(PC)、聚烯烴、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、環烯烴聚合物(COP)、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯樹脂、無軸延伸聚丙烯(CPP)、或二氯亞乙烯樹脂。在導電層20為金屬箔的情況下，宜將金屬箔重疊於以PET等的聚酯所製成的片材上。再者，在導電層20具有支撐體的情況下，導電層20的片電阻意指對包含金屬箔或金屬粒子之層所測定的片電阻。

在導電層20包含金屬箔的情況下，亦可對金屬箔的兩主面重疊一對高分子片材。藉此，導電層20具有較高的耐久性。一對高分子片材雖然可使用例如作為支撐體而所例示之上述材料來製成，但較理想的是以PET等的聚酯來製成。

導電層20具有例如4.8~200GPa的楊氏模數。藉此，易於更確實地讓電磁波吸收體1a彎曲。

介電質層30是例如藉由具有1~20的相對介電係數之高分子片材來形成。介電質層30宜藉由具有2~20的相對介電係數之高分子片材來形成。藉此，易於讓電磁波吸收體1a發揮所期望的電磁波吸收性能。介電質層30的相對介電係數可以藉由例如自由空間法來測定。

介電質層30的高分子片材的材料可為例如乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚氯乙烯、聚氨酯、丙烯酸樹脂、丙烯酸聚氨酯樹脂、聚烯烴、聚丙烯、聚乙烯、聚矽氧樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯、聚苯乙烯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚醯胺、聚碸、聚醚碸、及環氧樹脂等的合成樹脂、或聚異戊二烯橡膠、聚苯乙烯-丁二烯橡膠、聚丁二烯橡膠、氯平橡膠、丙烯腈丁二烯橡膠、丁基橡膠、丙烯酸橡膠、乙烯丙烯橡膠、及聚矽氧橡膠等的合成橡膠。這些可以單獨或者將2種以上組合來作為介電質層30的高分子片材使用。從減少介電質層30的厚度，且減少電磁波吸收體1a的厚度之觀點來看，宜使用聚氨酯、丙烯酸樹脂、或丙烯酸聚氨酯樹脂來作為介電質層30的高分子片材的材料。又，從成型性及相對介電係數的觀點來看，較理想的是也可以使用EVA來作為介電質層30的高分子片材的材料。

介電質層30可為單一之層，亦可為複數層之積層體。在介電質層30為複數層之積層體的情況下，可以將介電質層30的相對介電係數藉由下述方式來計算：測定各層的相對介電係數，將各層的厚度相對於介電質層30整體的厚度之比例乘以所得到的各層的相對介電係數，並將這些相加。

介電質層30具有例如0.3~6000MPa的楊氏模數。藉此，易於更確實地讓電磁波吸收體1a彎曲。

在電磁波吸收體1a中，導電層20不具有狹縫。因此，可以更有效地抑制吸收對象的電磁波穿透電磁波吸收體1a的情形。

在電磁波吸收體1a中，使76.5GHz的電磁波垂直入射時的穿透衰減量為例如10dB以上，宜為20dB以上，較理想為30dB以上，更理想為40dB以上。電磁波吸收體1a的穿透衰減量可以例如，使用KEYCOM公司製造的測定裝置LAF-26.5A，並且在已配置於一直線上之發送天線與接收天線之間配置電磁波吸收體1a，並藉由自由空間法進行測定。

電磁波吸收體1a從各種觀點來看是可變更的。例如，電磁波吸收體1a亦可變更成如圖3及圖4所示之電磁波吸收體1b或圖5所示之電磁波吸收體1c。除非另有特別說明以外，電磁波吸收體1b及電磁波吸收體1c均是與電磁波吸收體1a同樣地構成。對與電磁波吸收體1a的構成要素相同的或對應的構成要素是附加相同的符號，且省略詳細的說明。只要技術上不矛盾，有關於電磁波吸收體1a的說明也可適用於電磁波吸收體1b及電磁波吸收體1c。

如圖3所示，電磁波吸收體1b不具有第一狹縫15，而是具有第二狹縫25。第二狹縫25是在導電層20中，從相對於介電質層30較遠側的第二主面20a於垂直於第二主面20a的方向上朝向介電質層30延伸，並且將導電層20劃分成複數個第二區塊27。如圖4所示，第二區塊27在第二主面20a上的最小尺寸D2為1mm以上。形成於導電層之狹縫被認為可對電磁波的背面反射造成影響。本發明的的發明人們，針對形成於導電層之狹縫對電磁波吸收體的電磁波吸收性能所造成的影響，不分晝夜地進行了檢討。其結果，重新發現到下述情形：只要使藉由狹縫所劃分出的導電層的區塊的最小尺寸為1mm以上，電磁波吸收體即易於發揮良好的電磁波吸收性能。本發明的發明人們，依據這樣的新的知識見解而想出了本發明的電磁波吸收體。

最小尺寸D2典型上是意指，平面視角觀看第二主面20a時，在形成第二區塊27的輪廓之平面圖形中，頂點間的距離的最小值及互相不交叉的線彼此的最短距離之中較小的距離。在這種情況下，頂點意指角的頂點。頂點可由直線彼此交叉、曲線彼此交叉、或直線與曲線交叉而形成。另一方面，平面視角觀看第二主面20a時，在形成第二區塊27的輪廓之平面圖形的輪廓包含弧形等的曲線，並且平面圖形的頂點的數量為2個以下的情況，最小尺寸D2為通過平面圖形的輪廓上的2個點、與該平面圖形的重心之線段的長度成為最小的方向上的尺寸。

第二區塊27的第二主面20a中的最小尺寸D2宜為2mm以上，較理想為6mm以上，更理想為10mm以上。藉此，易於更加確實地讓電磁波吸收體發揮良好的電磁波吸收性能。

電磁波吸收體1b在厚度方向上的第二狹縫25的深度並未特別限制，但第二狹縫25可於導電層20的內部具有底部，第二狹縫25亦可在電磁波吸收體1b的厚度方向上貫穿導電層20。在平行於第二主面20a的方向上，第二狹縫25之端緣亦可位於第一主面20a之端緣，亦可位於從第二主面20a之端緣遠離的位置。再者，第二狹縫25亦可形成為在相鄰的第二區塊27彼此之間存在間隙，亦可形成為可以讓相鄰的第二區塊27彼此接觸。在平行於第二主面20a的方向上，第二狹縫25典型上是直線狀地延伸。第二狹縫25亦可曲線狀地延伸。

在第二主面20a為水平時，第二主面20a中的複數個第二區塊27的面積為複數個第二區塊27的面積與第二狹縫25的開口面積之和的90%以上。即便電磁波吸收體1b具有第二狹縫25，但第二主面20a上的複數個第二區塊27的面積越大，在導電層20中越容易引發吸收對象的電磁波的背面反射。其結果，可以更確實地抑制吸收對象的電磁波穿透電磁波吸收體1b的情況，且易於讓電磁波吸收體1b具有良好的電磁波吸收性能。在第二主面20a為水平時，第二主面20a中的複數個第二區塊27的面積宜為複數個第二區塊27的面積與第二狹縫25的開口面積之和的95%以上，較理想為該和的99%以上。藉此，更加確實地讓電磁波吸收體1b具有良好的電磁波吸收性能。

如圖4所示，電磁波吸收體1b具有例如複數道第二狹縫25。複數道第二狹縫25具有例如第三狹縫群25a。第三狹縫群25a是由在第二主面20a上互相平行的複數道第二狹縫25所構成。在這種情況下，第二區塊27的第二主面20a中的最小尺寸宜為20mm以下。在這種情況下，易於讓電磁波吸收體1b安裝於具有較大的曲率之曲面的物品上。

如圖4所示，電磁波吸收體1b中的複數道第二狹縫25更包含例如第四狹縫群25b。第四狹縫群25b是由在第二主面20a上是互相平行，且與包含於第三狹縫群25a的複數道第二狹縫25相交的複數道第二狹縫25所構成。由於在這種情況下，電磁波吸收體1b可以朝複數個方向彎曲，因此即使在具有複雜的形狀之物品上也易於安裝。

平面視角觀看第二主面20a時，形成第二區塊27的輪廓之平面圖形可為三角形、四角形、或其他的多角形，亦可為其輪廓的一部分或全部為曲線狀之圖形。

在電磁波吸收體1b中，使76.5GHz的電磁波垂直入射時的穿透衰減量為例如10dB以上，較理想為20dB以上。

依照JIS R 1679：2007規範而測定之使76.5GHz的電磁波垂直入射到電磁波吸收體1a時的反射量的絕對值為例如10dB以上，較理想為20dB以上，更理想為30dB以上。

如圖5所示，電磁波吸收體1c具有第一狹縫15及第二狹縫25。在電磁波吸收體1c中，第一狹縫15可以和電磁波吸收體1a的第一狹縫15同樣地形成。除此之外，第二狹縫25可以和電磁波吸收體1b的第二狹縫25同樣地形成。

藉由電磁波吸收體1c，可以將電磁波吸收體1c彎曲成擴大第一狹縫15的開口，且可以將電磁波吸收體1c彎曲成擴大第二狹縫25的開口。因此，電磁波吸收體1c在具有更複雜的表面的物品上也易於安裝。

在電磁波吸收體1c中，使76.5GHz的電磁波垂直入射時的穿透衰減量為例如10dB以上，較理想為20dB以上。

依照JIS R 1679：2007規範而測定之使76.5GHz的電磁波垂直入射到電磁波吸收體1c時的反射量的絕對值為例如10dB以上，較理想為20dB以上。

可以使用電磁波吸收體1a、電磁波吸收體1b、及電磁波吸收體1c來製造附電磁波吸收體之物品。如圖6~8所示，附電磁波吸收體之物品具備物品及電磁波吸收體，前述物品具有曲面或角落，前述電磁波吸收體是貼附於曲面或者跨越角落而貼附。電磁波吸收體典型上是貼附成導電層比電阻層更位於物品的附近。

如圖6所示，附電磁波吸收體之物品90a具備有：具有曲面C1的物品70a、及電磁波吸收體1a。電磁波吸收體1a是例如，藉由黏著層50而貼附於曲面C1上。在這種情況下，電磁波吸收體1a沿曲面C1變形成擴大第一狹縫15的開口。

如圖7所示，附電磁波吸收體之物品90b具備有：具有曲面C2的物品70b、及電磁波吸收體1b。電磁波吸收體1b是例如，藉由黏著層50而貼附於曲面C2上。在這種情況下，電磁波吸收體1b沿曲面C2變形成擴大第二狹縫25的開口。

如圖8所示，附電磁波吸收體之物品90c具備有：具有角落C3及角落C4之物品70c、及電磁波吸收體1c。電磁波吸收體1c是藉由黏著層50並跨越角落C3及角落C4而貼附。在這種情況下，電磁波吸收體1c沿角落C3變形成擴大第一狹縫15的開口，且電磁波吸收體1c沿角落C4變形成擴大第二狹縫25的開口。

電磁波吸收體1a、電磁波吸收體1b、及電磁波吸收體1c可以藉由包含例如以下的(i)~(iv)步驟的方法來製造。
(i)提供電阻層10。
(ii)提供導電層30。
(iii)在電阻層10與導電層20之間配置介電質層30。
(iv)形成第一狹縫15及第二狹縫25的至少1種。

在上述(iii)的步驟中，電阻層10及介電質層30亦可例如，藉由黏著劑來貼合。在介電質層30具有黏著性的情況下，亦可使電阻層10及介電質層30以不使黏著劑介於其間的方式重合。導電層20及介電質層30亦可例如，藉由黏著劑而貼合。在介電質層30具有黏著性的情況下，亦可使導電層20及介電質層30以不使黏著劑介於其間的方式重合。

在上述的(iv)的步驟中，在形成第一狹縫15的情況下，為例如連續地形成電阻層10，並對已連續地形成之電阻層10進行切入而形成第一狹縫15。電阻層10的切入亦可使用例如湯姆森刀刃、雕刻刀、及蝕刻刀刃等的刀刃工具來進行，亦可使用雷射加工機來進行。電阻層10的切入亦可在已將電阻層10與介電質層30重合後進行，亦可在將電阻層10與介電質層30重合前進行。在已將電阻層10與介電質層30重合後切入電阻層10的情況下，較理想的是介電質層30具有黏著性。原因在於即便切入到達介電質層30，也難以對介電質層30的特性造成影響。再者，亦可在第一主面10a中非連續地形成電阻層10而形成第一狹縫15。

在上述的(iv)的步驟中，在形成第二狹縫25的情況下，為例如連續地形成導電層20，並對已連續地形成之導電層20進行切入而形成第二狹縫25。導電層20的切入亦可使用例如湯姆森刀刃、雕刻刀、及蝕刻刀刃等的刀刃工具來進行，亦可使用雷射加工機來進行。導電層20的切入亦可在已將導電層20與介電質層30重合後進行，亦可在將導電層20與介電質層30重合前進行。在已將導電層20與介電質層30重合後切入導電層20的情況下，較理想的是介電質層30具有黏著性。原因在於即便切入到達介電質層30，也難以對介電質層30的特性造成影響。再者，亦可在第二主面20a中非連續地形成導電層20而形成第二狹縫25。
實施例

以下，藉由實施例以更加詳細地說明本發明。但是，本發明並非限定於以下的實施例。

＜實施例1＞
在由聚酯所構成的薄膜狀的支撐體(厚度：38μm)上，使用含有30重量%的SnO₂ 之ITO來將功能層形成為使片電阻成為390Ω/□，而製作出實施例1的電阻層。支撐體的楊氏模數為4700MPa。準備附鋁箔之PET薄膜來作為實施例1的導電層，其中前述附鋁箔之PET薄膜是將具有25μm的厚度之PET層、7μm的鋁層、及具有9μm的厚度的PET層以此順序積層而成。導電層的楊氏模數為4880MPa。準備已壓製成型成560μm的厚度的丙烯酸樹脂來作為實施例1的介電質層。實施例1的介電質層的彈性模數(楊氏模數)為0.4MPa。介電質層的相對介電係數為2.55。將實施例1的介電質層重疊於實施例1的導電層之上。此外，以將實施例1的電阻層之藉由支撐體所形成的面朝向實施例1的介電質層的狀態，來將實施例1的電阻層重疊於實施例1的介電質層上。使用切斷器(cutter)，以2mm間隔從功能層側對實施例1的電阻層施加切入，而涵蓋實施例1的電阻層的整體來形成如圖2所示之互相正交的2個直線狀的狹縫群。如此進行而得到實施例1的電磁波吸收體。在實施例1的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成功能層的主面上將電阻層劃分成複數個具有2mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例2＞
除了將對電阻層施加切入的間隔變更成4mm以外，是與實施例1同樣地進行，並製作出實施例2的電磁波吸收體。在實施例2的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成電阻層的功能層的主面上將電阻層劃分成複數個具有4mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例3＞
除了將對電阻層施加切入的間隔變更成6mm以外，是與實施例1同樣地進行，並製作出實施例3的電磁波吸收體。在實施例3的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成電阻層的功能層的主面上將電阻層劃分成複數個具有6mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例4＞
除了將對電阻層施加切入的間隔變更成10mm以外，是與實施例1同樣地進行，並製作出實施例4的電磁波吸收體。在實施例4的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成電阻層的功能層的主面上將電阻層劃分成複數個具有10mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例5＞
除了將施加對電阻層的切入的間隔變更成20mm以外，是與實施例1同樣地進行，並製作出實施例5的電磁波吸收體。在實施例5之電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成功能層的主面上將電阻層劃分成複數個具有20mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例6＞
除下述之點以外，是與實施例1同樣地進行，並製作出實施例6的電磁波吸收體。在電阻層的製作中，是使用由具有23μm的厚度之聚酯所構成的薄膜狀的支撐體。將施加對電阻層的切入之間隔調整成20mm。在實施例6的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成功能層的主面上將電阻層劃分成複數個具有20mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例7＞
除了將電阻層的支撐體變更成由具有50μm的厚度之聚酯所構成的薄膜狀的支撐體，且將施加對電阻層的切入之間隔調整為4mm以外，是與實施例1同樣地進行，並得到了實施例7的電磁波吸收體。在實施例7的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成功能層的主面上將電阻層劃分成複數個具有4mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例8＞
除下述之點以外，是與實施例1同樣地進行，並製作出實施例8的電磁波吸收體。在電阻層的製作中，是使用由具有125μm的厚度之聚酯所構成的薄膜狀的支撐體。將施加對電阻層的切入之間隔調整成20mm。在實施例8的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成功能層的主面上將電阻層劃分成複數個具有20mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例9＞
準備具有100μm的厚度之鋁箔作為實施例9之導電層。實施例9之導電層的楊氏模數為69000MPa。除了使用實施例9之導電層取代實施例1的導電層，且將施加對電阻層的切入之間隔變更成6mm以外，是與與實施例1同樣地進行，並製作出實施例9的電磁波吸收體。在實施例9的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成功能層的主面上將電阻層劃分成複數個具有6mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例10＞
除了將施加對電阻層的切入的間隔變更成20mm以外，是與實施例9同樣地進行，並製作出實施例9的電磁波吸收體。在實施例9的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成功能層的主面上將電阻層劃分成複數個具有20mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例11＞
在由聚酯所構成的薄膜狀的支撐體(厚度：38μm)上，使用含有30重量%的SnO₂ 之ITO來將功能層形成為使片電阻成為390Ω/□，而製作出實施例11的電阻層。支撐體的楊氏模數為4700MPa。準備附鋁箔之PET薄膜來作為實施例11的導電層，其中前述附鋁箔之PET薄膜是將具有25μm的厚度之PET層、7μm的鋁層、及具有9μm的厚度的PET層以此順序積層而成。導電層的楊氏模數為4880MPa。準備已壓製成型成560μm的厚度的丙烯酸樹脂來作為實施例11的介電質層。實施例11的介電質層的彈性模數(楊氏模數)為0.4MPa。介電質層的相對介電係數為2.55。將實施例11的介電質層重疊於實施例11的導電層之上。此外，以將實施例11的電阻層之藉由支撐體所形成的面朝向實施例11的介電質層的狀態，來將實施例11的電阻層重疊於實施例11的介電質層上。從實施例11的導電層之離介電質層較遠的PET層之側使用切斷器，並以1mm間隔對實施例11的導電層施加切入，而涵蓋實施例11的導電層的整體來形成如圖4所示之互相正交的2個直線狀的狹縫群。如此進行而得到實施例11的電磁波吸收體。在實施例11的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成離介電質層較遠之PET層的主面上將導電層劃分成複數個具有1mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例12＞
除了將施加對導電層的切入之間隔變更成2mm以外，是與實施例11同樣地進行，並製作出實施例12的電磁波吸收體。在實施例12的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成離介電質層較遠之PET層的主面上將導電層劃分成複數個具有2mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例13＞
除了將施加對導電層的切入之間隔變更成6mm以外，是與實施例11同樣地進行，並製作出實施例13的電磁波吸收體。在實施例13的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成離介電質層較遠之PET層的主面上將導電層劃分成複數個具有6mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例14＞
除了將施加對導電層的切入之間隔變更成10mm以外，是與實施例11同樣地進行，並製作出實施例14的電磁波吸收體。在實施例14的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成離介電質層較遠之PET層的主面上將導電層劃分成複數個具有10mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例15＞
除了將施加對導電層的切入之間隔變更成20mm以外，是與實施例11同樣地進行，並製作出實施例15的電磁波吸收體。在實施例15的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成導電層的主面上將導電層劃分成複數個具有20mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例16＞
除了將電阻層的支撐體變更成由具有50μm的厚度之聚酯所構成的薄膜狀的支撐體，且將施加對導電層的切入之間隔調整為2mm之外，是與實施例11同樣地進行，並得到實施例16的電磁波吸收體。在實施例16的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成導電層的主面上將導電層劃分成複數個具有2mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例17＞
準備具有100μm的厚度之鋁箔作為實施例17的導電層。實施例17的導電層的楊氏模數為69000MPa。除了使用實施例17的導電層取代實施例11的導電層，且將施加對導電層的切入之間隔調整成2mm以外，是與實施例11同樣成進行，並製作出實施例17的電磁波吸收體。在實施例17的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成導電層的主面上將導電層劃分成複數個具有2mm之最小尺寸的區塊。

＜實施例18＞
除了將施加對導電層的切入之間隔變更成20mm以外，是與實施例17同樣地進行，並製作出實施例18的電磁波吸收體。在實施例18的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成導電層的主面上將導電層劃分成複數個具有20mm之最小尺寸的區塊。

＜比較例1＞
除了省略對電阻層施加切入之作法以外，是與實施例1同樣地進行，並製作出比較例1的電磁波吸收體。

＜比較例2＞
除了將對電阻層施加切入之間隔變更成1mm以外，是與實施例1同樣地進行，並製作出比較例2的電磁波吸收體。在比較例1的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成電阻層的功能層之主面上將電阻層劃分成複數個具有1mm之最小尺寸的區塊。

＜比較例3＞
除了將施加對導電層的切入之間隔變更成0.5mm以外，是與實施例11同樣地進行，並製作出比較例3的電磁波吸收體。在比較例3的電磁波吸收體中，藉由2個直線狀的狹縫群，以在構成導電層的主面上將導電層劃分成複數個具有0.5mm之最小尺寸的區塊。

(電磁波吸收性能的評價)
使用KEYCOM公司製造的測定裝置LAF-26.5A，並且依照JIS R 1679：2007規範，測定對各實施例的電磁波吸收體以及各比較例的電磁波吸收體垂直入射76.5GHz的電磁波時的反射量。將結果顯示於表1。除此以外，使用KEYCOM公司製造的測定裝置LAF-26.5A，測定對各實施例的電磁波吸收體以及各比較例的電磁波吸收體垂直入射76.5GHz的電磁波時的穿透衰減量。穿透衰減量的測定是在已配置於一直線上之發送天線與接收天線之間配置電磁波吸收體，並藉由自由空間法來進行。將結果顯示於表1。如表1所示，在各實施例的電磁波吸收體中，吸收量的絕對值為10dB以上，且穿透衰減量為10dB以上。另一方面，在比較例2的電磁波吸收體中，吸收量的絕對值低於10dB，在比較例3的電磁波吸收體中，穿透衰減量低於10dB。

(彎曲性的評價)
準備具有50mm的外徑及100mm的長度之金屬製的圓柱A、以及具有100mm的外徑及100mm的長度之金屬製的圓柱B。將各實施例及各比較例的電磁波吸收體以跨越圓柱A或圓柱B的方式來沿圓柱的側面配置，並將電磁波吸收體的一端固定，且對電磁波吸收體的另一端施加5N之力。電磁波吸收體之平行於圓柱A或圓柱B的軸線的方向上的長度為100mm。此時，對電磁波吸收體是否密合於圓柱A或圓柱B進行確認。將電磁波吸收體密合於圓柱A的情況評價為「a」。將電磁波吸收體雖然並未密合於圓柱A，但密合於圓柱B的情況評價為「b」。將電磁波吸收體既未密合於圓柱A也未密合於圓柱B的情況評價為「c」。將結果顯示於表1。如表1所示，各實施例的電磁波吸收體至少密合於圓柱B，而具有良好的彎曲性。另一方面，比較例1的電磁波吸收體既未密合於圓柱A也未密合於圓柱B，很難說具有良好的彎曲性。

[表1]

1a、1b、1c‧‧‧電磁波吸收體

10‧‧‧電阻層

10a‧‧‧第一主面

15‧‧‧第一狹縫

15a‧‧‧第一狹縫群

15b‧‧‧第二狹縫群

17‧‧‧第一區塊

20‧‧‧導電層

20a‧‧‧第二主面

25‧‧‧第二狹縫

25a‧‧‧第三狹縫群

25b‧‧‧第四狹縫群

27‧‧‧第二區塊

30‧‧‧介電質層

50‧‧‧黏著層

70a、70b、70c、90a、90b、90c‧‧‧物品

C1、C2‧‧‧曲面

C3、C4‧‧‧角落

D1、D2‧‧‧最小尺寸

x、y、z‧‧‧方向

圖1是顯示本發明之電磁波吸收體的一例的截面圖。

圖2是圖1所示之電磁波吸收體的平面圖。

圖3是顯示本發明之電磁波吸收體的另一例的截面圖。

圖4是圖3所示之電磁波吸收體的平面圖。

圖5是顯示本發明之電磁波吸收體的又另一例的截面圖。

圖6是顯示本發明之附電磁波吸收體之物品的一例的側面圖。

圖7是顯示本發明之附電磁波吸收體之物品的另一例的側面圖。

圖8是顯示本發明之附電磁波吸收體之物品的又另一例的側面圖。

Claims

一種電磁波吸收體，具備：電阻層；導電層，具有比前述電阻層的片電阻更低的片電阻；及介電質層，配置於前述電阻層與前述導電層之間，又，具有第一狹縫及第二狹縫的至少1種，前述第一狹縫是在前述電阻層中，從相對於前述介電質層較遠側的第一主面於垂直於前述第一主面的方向上朝向前述介電質層延伸，並且將前述電阻層劃分成複數個第一區塊，前述第二狹縫是在前述導電層中，從相對於前述介電質層較遠側的第二主面於垂直於前述第二主面的方向上朝向前述介電質層延伸，並且將前述導電層劃分成複數個第二區塊，前述第一區塊在前述第一主面上的最小尺寸為2mm以上，前述第二區塊在前述第二主面上的最小尺寸為1mm以上。
如請求項1之電磁波吸收體，其具有前述第二狹縫，在前述第二主面為水平時，前述第二主面中的前述複數個第二區塊的面積為前述複數個第二區塊的前述面積與前述第二狹縫的開口面積之和的90%以上。
如請求項1或2之電磁波吸收體，其具有複數道前述第一狹縫，前述複數道前述第一狹縫包含由在前述第一主面上互相平行的複數道前述第一狹縫所構成的第一狹縫群，前述第一區塊在前述第一主面上的前述最小尺寸為20mm以下。
如請求項3之電磁波吸收體，其中前述複數道前述第一狹縫更包含第二狹縫群，前述第二狹縫群是由在前述第一主面上互相平行，且與包含於前述第一狹縫群的前述複數道前述第一狹縫相交的複數道前述第一狹縫所構成。
如請求項1至4中任一項之電磁波吸收體，其具有複數道前述第二狹縫，前述複數道前述第二狹縫包含由在前述第二主面上互相平行的複數道前述第二狹縫所構成的第三狹縫群，前述第二區塊在前述第二主面上的前述最小尺寸為20mm以下。
如請求項5之電磁波吸收體，其中前述複數道前述第二狹縫更包含第四狹縫群，前述第四狹縫群是由在前述第二主面上互相平行，且與包含於前述第三狹縫群的前述複數道前述第二狹縫相交的複數道前述第二狹縫所構成。
如請求項1至6中任一項之電磁波吸收體，其中前述電阻層具有120~800Ω/□的片電阻。
一種附電磁波吸收體之物品，具備有：物品，具有曲面或角落；及如請求項1至7中任一項之電磁波吸收體，貼附於前述曲面、或跨越前述角落而貼附。
一種電磁波吸收體的製造方法，進行以下步驟：提供電阻層；提供具有比前述電阻層的片電阻更低的片電阻的導電層；於前述電阻層與前述導電層之間配置介電質層；形成第一狹縫及第二狹縫的至少1種，又，前述第一狹縫是在前述電阻層中，從相對於前述介電質層較遠側的第一主面於垂直於前述第一主面的方向上朝向前述介電質層延伸，並且將前述電阻層劃分成複數個第一區塊，前述第二狹縫是在前述導電層中，從相對於前述介電質層較遠側的第二主面於垂直於前述第二主面的方向上朝向前述介電質層沿伸，並且將前述導電層劃分成複數個第二區塊，前述第一區塊在前述第一主面上的最小尺寸為2mm以上，前述第二區塊在前述第二主面上的最小尺寸為1mm以上。
如請求項9之製造方法，其是將前述電阻層連續地形成，並對已連續地形成的前述電阻層進行切入而形成前述第一狹縫、或在前述第一主面上非連續地形成前述電阻層而形成前述第一狹縫。
如請求項9之製造方法，其是將前述導電層連續地形成，並對已連續地形成的前述導電層進行切入而形成前述第二狹縫、或在前述第二主面上非連續地形成前述導電層而形成前述第二狹縫。