TW201922419A - 平坦化機台及其平坦化方法 - Google Patents

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Abstract

本發明實施例揭露一種平坦化機台。該平坦化機台包含一台板及一磨輪。該台板經組態以支撐一晶圓。該磨輪位於該台板上且經組態以研磨該晶圓。該磨輪包含一底環及安裝於該底環上之複數個磨齒。該複數個磨齒包含複數個磨粒，且該複數個磨粒呈球形。

Description

平坦化機台及其平坦化方法
本發明實施例係有關平坦化機台及其平坦化方法。
通常藉由研磨操作來將一矽晶圓之背面薄化至一特定厚度。此研磨操作可使矽晶圓之厚度快速變薄，但其會因具有菱形砂粒之磨輪而誘發嚴重損壞表面。在研磨操作之後，矽晶圓具有高洩漏或邊緣破裂風險。因此，需要修改一平坦化操作以提高裝置效能以及減少製造成本及處理時間。
本發明的一實施例係關於一種平坦化機台，其包括：一台板，其經組態以支撐一晶圓；及一磨輪，其位於該台板上且經組態以研磨該晶圓，該磨輪包括一底環及複數個磨齒，該複數個磨齒安裝於該底環上，該複數個磨齒包括複數個磨粒，其中該複數個磨粒呈球形。
本發明的一實施例係關於一種平坦化機台，其包括：一台板，其經組態以支撐一晶圓；一框架，其安置於該台板上，其中該框架包圍該晶圓以在該台板上界定用於容納一研漿之一貯槽；及一磨輪，其位於該台板上且經組態以研磨該晶圓。
本發明的一實施例係關於一種平坦化方法，其包括：將一晶圓安置於一貯槽中；將一研漿供給至該貯槽中，其中該研漿包括一電解質及複數個磨光劑；將一電壓電位施加於該電解質與該晶圓之間以電化學蝕刻該晶圓；及使用一磨輪來研磨該晶圓。
以下揭露提供用於實施所提供標的之不同特徵之諸多不同實施例或實例。下文將描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且不意在限制。例如，在以下描述中，「使一第一構件形成於一第二構件上方或一第二構件上」可包含其中形成直接接觸之該第一構件及該第二構件之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成於該第一構件與該第二構件之間使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。此外，本揭露可在各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複係為了簡化及清楚且其本身不指示所討論之各種實施例及/或組態之間之一關係。
如本文所使用，除非內文另有明確指示，否則單數形式「一」及「該」意欲亦包含複數形式。應進一步瞭解，本說明書中所使用之術語「包括」或「包含」或「具有」特指存在所述構件、區域、整體、操作、元件及/或組件，但不排除存在或新增一或多個其他構件、區域、整體、操作、元件、組件及/或其等之群組。
此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」、「在…上」及其類似者之空間相對術語在本文中可用於描述一元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中所繪示。空間相對術語除涵蓋圖中所描繪之定向之外，亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中之不同定向。機台可依其他方式定向(旋轉90度或依其他定向)且亦可因此解譯本文所使用之空間相對描述詞。
如本文所使用，諸如「第一」及「第二」之術語描述各種元件、複合物、區域、層及/或區段，此等元件、組件、區域、層及/或區段不應受限於此等術語。此等術語可僅用於使元件、組件、區域、層或區段彼此區分。除非內文明確指示，否則本文所使用之諸如「第一」及「第二」之術語不隱含一序列或順序。
如本文所使用，術語「實質上」係指一動作、特性、性質、狀態、結構、項目或結果之完全或幾乎完全範圍或程度。例如，「實質上」與另一表面共面之一表面將意謂此等兩個表面完全位於相同平面中或幾乎完全位於相同平面中。在一些情況中，自絕對完全性之準確可允許偏離程度可取決於特定背景。然而，一般而言，接近完成將具有相同於實現絕對及全部完成之總體結果。
在本揭露之一些實施例中，將具有實質上磨圓周邊之球形磨粒整合至一平坦化機台之一磨輪之磨齒中。因此，可減少在研磨操作期間損壞晶圓之表面且可達成較薄厚度之性能。可歸因於達成較少損壞而跳過邊緣修整操作。在本揭露之一些實施例中，將一電化學蝕刻貯槽併入至平坦化機台中以在研磨操作期間實施電化學蝕刻。電化學蝕刻可有助於在研磨操作期間加速晶圓之移除速率。
圖1繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台10之一示意剖面圖。如圖1中所展示，平坦化機台10包含一台板100及安置於台板100上之一磨輪210。在一些實施例中，台板100經組態以支撐一或多個晶圓102。在一些實施例中，平坦化機台10可包含位於台板100上且經組態以固定(若干)晶圓102之一或多個卡盤台101。晶圓102及卡盤台101之數目可相同，使得卡盤台101可用於固定一對應晶圓102。在研磨操作期間，晶圓102可放置於卡盤台101上。在一些實施例中，卡盤台101可藉由真空、靜電電荷(ESC)或其類似者來固持晶圓102。在一些實施例中，在研磨操作期間，台板100可圍繞一第一軸線104旋轉，而磨輪210可圍繞一第二軸線204旋轉。台板100及磨輪210可在相同方向或不同方向上旋轉。在一些實施例中，卡盤台101亦可(但不限於)圍繞第一軸線104旋轉。在一些其他實施例中，台板100及卡盤台101可圍繞不同軸線旋轉。在一些實施例中，台板100可相對於磨輪210垂直移動，使得磨輪210可與用於研磨之晶圓102接觸。
在一些實施例中，如圖1中所展示，晶圓102包含諸如一塊狀半導體基板之一半導體基板102a。塊狀半導體基板可包含：一元素半導體，諸如矽；一化合物半導體，諸如矽鍺、碳化矽；或其等之組合。在一些實施例中，晶圓102包含安置於晶圓102上或晶圓102中之若干裝置102b，諸如電路、電晶體等等。在一些實施例中，形成於晶圓102上或晶圓102中之電路可為適合於一特定應用之任何電路類型。在一些實施例中，晶圓102可包含一CMOS基板。在一些實施例中，晶圓102可包含一堆疊晶圓。
在一些實施例中，如圖1中所展示，晶圓102可由磨輪210自一背面102c研磨以減小厚度且平坦化晶圓102之背面102c。在一些實施例中，可由一馬達(圖中未展示)驅動磨輪210旋轉。在一些實施例中，磨輪210包含一底環201及複數個磨齒202。底環201可包含具有用於散熱及移除碎屑之一中空區域之一環形結構。在一些實施例中，磨齒202安裝於底環201上且面向晶圓102。複數個磨齒202可包含複數個磨粒202b。
圖1A係根據本揭露之一些實施例之一磨輪210之一放大剖面圖，且圖1B係根據本揭露之一些實施例之一磨輪210之一放大俯視圖。如圖1A及圖1B中所展示，磨輪210包含底環201及連接至底環201之複數個磨齒202。在一些實施例中，磨齒202可包含一基材202a及施配於基材202a中之複數個磨粒202b。在一些實施例中，基材202a可包含聚合材料、複合材料或其類似者。基材202a可組態為用於固定磨粒202b之一成型層。舉例而言，磨粒202b可依流體形式混合於基材202a中。在固化之後，複數個磨粒202b可安裝於基材202a內。磨粒202b可隨機或均勻分佈於基材202a中。
在一些實施例中，複數個磨粒202b呈球形。磨粒202b可具有一實質上磨圓周邊。舉例而言，複數個磨粒202b可實質上具有一球體形狀、一扁球體形狀、一長球體形狀、一橢球體形狀、一扁橢球體形狀、一長橢球體形狀或其類似者。在一些實施例中，複數個磨粒202b具有一平滑表面以可減輕晶圓102在研磨操作期間之損壞。在一些實施例中，複數個磨粒202b具有實質上等於或大於9之一莫氏(Mohs)硬度以增強研磨效應。球形磨粒202b之莫氏硬度可基於待研磨之晶圓102之材料來修改。在一些實施例中，複數個磨粒202b由金屬陶瓷複合物製成。在一些實施例中，複數個磨粒202b由以下各者製成：剛玉、碳化鎢、碳化矽(金剛砂)、碳化鈦、硼、氮化硼、二硼化錸、重矽石、二硼化鈦、金剛石、黑金剛石或其類似者。
在研磨操作期間，磨輪210可朝向晶圓102垂直向下移動，使得磨輪210可與晶圓102之背面102c接觸。可在研磨操作期間旋轉磨輪210及晶圓102兩者。在一些實施例中，磨輪210可圍繞第二軸線204旋轉，而晶圓102可與台板100一起沿第一軸線104旋轉。在一些實施例中，第二軸線204及第一軸線104實質上彼此平行。第二軸線204及第一軸線104可對準或不對準。在一些實施例中，磨輪210圍繞第二軸線204之旋轉及晶圓102圍繞第一軸線104之旋轉可獨立操作。在一些實施例中，磨輪210及晶圓102可在相同方向或不同方向上旋轉。在一些實施例中，晶圓102依(但不限於)約200 rpm至約4000 rpm之間之一速度圍繞第一軸線104旋轉。在一些實施例中，磨輪210依(但不限於)約200 rpm至約4000 rpm之間之一速度圍繞第二軸線204旋轉。
在一些其他實施例中，晶圓102安置於卡盤台101 (若存在)上，且晶圓102可與卡盤台101一起圍繞諸如一第三軸線(圖中未展示)之另一軸線旋轉。在一些實施例中，卡盤台101之旋轉及台板100之旋轉可獨立操作。在一些實施例中，卡盤台101依(但不限於)約200 rpm至約4000 rpm之間之一速度圍繞第三軸線旋轉。
在一些實施例中，磨料202b之諸如直徑或長度之尺寸實質上在約25 μm至約75 μm之範圍內，例如50 μm。球形磨粒202b具有比菱形砂粒大之尺寸及不如菱形砂粒尖銳之表面，且磨輪210、台板100及卡盤台101因此可依一較高速度旋轉以減少研磨時間。另外，由於磨粒202b具有較大尺寸及平滑表面，所以可減小研磨操作期間之應力且可達成晶圓102之較薄厚度之性能。
圖2繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台20之一示意剖面圖。如圖2中所展示，平坦化機台20包含經組態以支撐複數個晶圓102之一台板100及位於台板100上且經組態以研磨晶圓102之複數個磨輪210。在一些實施例中，複數個卡盤台101安置於台板100上。在一些實施例中，卡盤台101之各者經組態以固持一各自晶圓102。在一些實施例中，卡盤台101之數目不相同於複數個磨輪210之數目。在一些實施例中，卡盤台101之數目少於複數個磨輪210之數目。例如，平坦化機台20可具有兩個卡盤台101及三個磨輪210或四個卡盤台101及五個磨輪210。在一些實施例中，卡盤台101之各者相對於台板100之旋轉中心不對稱配置。在研磨操作期間，台板100可圍繞第一軸線104旋轉，卡盤台101之各者可圍繞一第三軸線103旋轉，而磨輪210之各者可圍繞第二軸線204旋轉。台板100之旋轉允許固定於各自卡盤台101上之晶圓102之各者由複數個磨輪210依次研磨。當台板100旋轉時，卡盤台101之各者及磨輪210之各者亦旋轉。當晶圓102之一者與磨輪210之一者接觸時，可研磨晶圓102。
在本揭露之一些實施例中，亦揭露一平坦化方法。在一些實施例中，藉由一方法300來研磨一晶圓。方法300包含若干操作且描述及繪示不被視為操作序列之一限制。
圖3係繪示根據本揭露之各種態樣之用於平坦化一晶圓之一方法的一流程圖。方法300開始於操作310，其中將一晶圓安置於一貯槽中。方法300繼續操作320，其中將一研漿供給至貯槽中，其中研漿包括複數個磨光劑及一電解質。方法300繼續操作330，其中使用一磨輪來研磨晶圓。
圖4繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台30之一示意剖面圖。在一些實施例中，平坦化機台30包含經組態以支撐一晶圓102之一台板100及位於台板100上且經組態以研磨晶圓102之一磨輪210。平坦化機台30具有類似於上文圖1之平坦化機台10中所描述或繪示之組態的組態。
如圖4中所展示，平坦化機台30包含安置於台板100上之一框架105。框架105在台板100上界定用於容納一研漿107之一貯槽106。在一些實施例中，研漿107可由一研漿引入裝置120供給至貯槽106中。
在一些實施例中，研漿107包含複數個磨光劑107a。在一些實施例中，複數個磨光劑107a係一球形。在一些實施例中，複數個磨光劑107a可實質上具有一球體形狀、一扁球體形狀、一長球體形狀、一橢球體形狀、一扁橢球體形狀、一長橢球體形狀或其類似者。在一些實施例中，複數個磨光劑107a具有一平滑表面以可減少晶圓102之損壞表面。在一些實施例中，複數個磨光劑107a具有實質上等於或大於9之一莫氏硬度。在一些實施例中，複數個磨光劑107a由金屬陶瓷複合物製成。在一些實施例中，複數個磨光劑由以下各者製成：剛玉、碳化鎢、碳化矽(金剛砂)、碳化鈦、硼、氮化硼、二硼化錸、重矽石、二硼化鈦、金剛石、黑金剛石或其類似者。
在一些實施例中，研漿107進一步包含一鹼性溶液。例如，鹼性溶液可包含氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈰、氫氧化銣、氫氧化銨或其類似者。在一些實施例中，研漿107具有等於或大於13之pH值。在一些實施例中，研漿具有自約13至約14之一範圍內之pH值。在一些實施例中，研漿107包含可加速一矽蝕刻之氫氧根(OH-)。在一些實施例中，可藉由以下反應來蝕刻矽：(1)由氫氧根氧化矽以形成矽酸鹽：Si+2OH- +4H+ →Si(OH)2 ++ ；(2)還原水：4H2 O→4OH- +2H2 +4H+ ；及(3)矽酸鹽進一步與氫氧根反應以形成水溶性錯合物：Si(OH)2 ++ +4OH- →SiO2 (OH)2 2- +2H2 O。在一些實施例中，研漿107之較高pH值導致較高氫氧根濃度以獲得較高矽蝕刻速率。在一些實施例中，晶圓102由磨輪210研磨，同時由研漿107電化學蝕刻。
在研磨操作期間，將晶圓102浸沒於研漿107中。使磨輪210相對於晶圓102向下移動，使得球形磨粒202b可與晶圓102接觸。在一些實施例中，球形磨光劑107a亦可與晶圓102接觸以有助於研磨晶圓102。研漿107之鹼性溶液亦可在研磨晶圓102時化學蝕刻晶圓。
在一些實施例中，平坦化機台30可進一步包含鄰近於框架105之底部之一排洩閥105a。排洩閥105a經組態以在研磨操作之後排放研漿107。
在一些實施例中，如圖4中所展示，平坦化機台30可進一步包含經組態以控制研漿107之溫度之一加熱器108。在一些實施例中，研漿107之較高溫度導致較高矽蝕刻速率。在一些實施例中，可將研漿107之溫度控制在研漿107之沸點以下。在一些實施例中，可將研漿107之溫度控制在(但不限於)自約30°C至約102°C之一範圍內。在一些實施例中，加熱器108可安置台板100或卡盤台101中以均勻加熱研漿107。
在本揭露之一些實施例中，亦揭露一平坦化方法。在一些實施例中，藉由一方法400來研磨一晶圓。方法400包含若干操作且描述及繪示不被視為操作序列之一限制。
圖4A繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台30A之一示意剖面圖。在一些實施例中，平坦化機台30A之加熱器108可安置於框架105中。舉例而言，加熱器108可包圍研漿107以均勻加熱研漿107。
圖4B繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台30B之一示意剖面圖。在一些實施例中，框架105可相對於台板100向上或向下移動以在研磨操作之後排洩研漿107。
在本揭露之一些實施例中，圖5係繪示根據本揭露之各種態樣之用於平坦化一晶圓之一方法400的一流程圖。方法400開始於操作410，其中將一晶圓安置於一貯槽中。方法400繼續操作420，其中將一研漿供給至貯槽中，其中研漿包括複數個磨光劑及一電解質。方法400繼續操作430，其中將一電壓電位施加於電解質與晶圓之間以電化學蝕刻晶圓。方法400繼續操作440，其中使用一磨輪來研磨晶圓。
圖6係繪示根據本揭露之各種態樣之用於將一電壓電位施加於電解質與晶圓之間之一方法的一流程圖。如圖6中所展示，圖5之操作430可開始於子操作510，其中透過一第一電極提供一第一電壓。操作430繼續子操作520，其中透過一第二電極提供一第二電壓。操作430繼續子操作530，其中在電解質中將一電阻調整組件加入於第一電極與第二電極之間。
圖7繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台40之一示意剖面圖。如圖7中所展示，平坦化機台40進一步包含經組態以提供電解質與晶圓102之間之一電位之一第一電極109及一第二電極110。第一電極109可與晶圓102接觸，而第二電極110可與電解質接觸。在一些實施例中，第一電極109安置於台板100或卡盤台101中及晶圓102下方。在一些實施例中，第一電極109係一陽極。在一些實施例中，第二電極110安置於晶圓102旁邊。第二電極110可包圍晶圓102，使得電位可跨貯槽106均勻形成。在一些實施例中，第二電極110係一陰極。在一些實施例中，第一電極109之一電極電位由Eanode 表示且Eanode 在25°C、1 atm及pH 14之條件下係(但不限於) 0.449 V。在一些實施例中，第二電極110之一電極電位由Ecathode 表示且Ecathode 在25°C、1 atm及pH 14之條件下係(但不限於) -0.907 V。
圖8繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台50之一示意剖面圖。如圖8中所展示，平坦化機台50進一步包含安置於第一電極109與第二電極110之間之一電阻調整組件112。舉例而言，電阻調整組件112可包圍晶圓102。在一些實施例中，電阻調整組件112之一電阻率高於晶圓102之電阻率。在一些實施例中，電阻調整組件112之電阻率高於研漿107中之電阻率。電阻調整組件112之電阻率可遠高於晶圓102及研漿107之電阻率，使得晶圓102及研漿107之電阻率可忽略。因此，可更均勻分佈跨晶圓102之電位，且可更均勻實施晶圓102之電化學蝕刻。在一些實施例中，電阻調整組件112之電阻率與研漿107之電阻率之比率大於(但不限於) 1021 。在一些實施例中，電阻調整組件112具有自約1021 Ω.m至約1023 Ω.m之一範圍內之一電阻率。在一些實施例中，研漿107具有小於0.2 Ω.m之一電阻率。在一些實施例中，電阻調整組件112係用於使第一電極109與第二電極110分離之一離子可穿透分離器。在一些實施例中，電阻調整組件112允許離子穿過以實施電化學蝕刻。在一些實施例中，電阻調整組件112係提供第一電極109與第二電極110之間之一實體障壁之一多孔膜。多孔膜係諸如塑膠網格之通透結構且提供第一電極109與第二電極110之間之一實體障壁。多孔膜可具有自約0.5 mm至約12 mm之範圍內之孔徑。在一些實施例中，電阻調整組件112係允許輸送離子之一微孔膜。微孔膜具有(但不限於)自約0.1 μm至約50 μm之範圍內之相對較小孔徑。微孔膜可由多孔陶瓷及多孔聚合物製成。在一些實施例中，電阻調整組件112係允許選擇性遷移離子之一離子交換膜。離子交換膜可包含氟碳化物及碳氫化合物材料。
圖9繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台60之一示意剖面圖。如圖9中所展示，平坦化機台60可包含複數個卡盤台101、複數個磨輪210及台板100上之複數個框架105。框架105之各者安置於台板100上，且界定用於容納一組研漿107、卡盤台101、晶圓102、第一電極109、第二電極110及電阻調整組件112之一貯槽106。
在本揭露之一些實施例中，平坦化機台包含具有在研磨操作期間減輕晶圓之表面損壞之球形磨粒之一磨輪。在本揭露之一些實施例中，平坦化機台進一步包含用於在研磨操作期間電化學蝕刻晶圓之一電化學蝕刻貯槽。電化學蝕刻可有助於在研磨操作期間加速晶圓之移除速率。在本揭露之一些實施例中，球形磨光劑可加入至貯槽中之研漿中以減輕晶圓在研磨操作期間之表面損壞。
在本揭露之一些實施例中，提供一種平坦化機台。該平坦化機台包含一台板及一磨輪。該台板經組態以支撐一晶圓。該磨輪位於該台板上且經組態以研磨該晶圓。該磨輪包含一底環及安裝於該底環上之複數個磨齒。該複數個磨齒包含複數個磨粒，且該複數個磨粒呈球形。
在本揭露之一些實施例中，提供一種平坦化機台。該平坦化機台包含一台板、一框架及一磨輪。該台板經組態以支撐一晶圓。該框架安置於該台板上。該框架包圍該晶圓，且在該台板上界定用於容納一研漿之一貯槽。該磨輪位於該台板上且經組態以研磨該晶圓。
在本揭露之一些實施例中，提供一種平坦化方法。該平坦化方法包含：將一晶圓安置於一貯槽中；將一研漿供給至該貯槽中，其中該研漿包括一電解質及複數個磨光劑；將一電壓電位施加於該電解質與該晶圓之間以電化學蝕刻該晶圓；及使用一磨輪來研磨該晶圓。
上文已概述若干實施例之特徵，使得熟習技術者可較佳理解本揭露之態樣。熟習技術者應瞭解，其可容易地使用本揭露作為設計或修改用於實施相同目的及/或達成本文所引入之實施例之相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習技術者亦應認識到，此等等效構造不應背離本揭露之精神及範疇，且其可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下對本文作出各種改變、取代及更改。
10‧‧‧平坦化機台
20‧‧‧平坦化機台
30‧‧‧平坦化機台
30A‧‧‧平坦化機台
30B‧‧‧平坦化機台
40‧‧‧平坦化機台
50‧‧‧平坦化機台
60‧‧‧平坦化機台
100‧‧‧台板
101‧‧‧卡盤台
102‧‧‧晶圓
102a‧‧‧半導體基板
102b‧‧‧裝置
102c‧‧‧背面
103‧‧‧第三軸線
104‧‧‧第一軸線
105‧‧‧框架
105a‧‧‧排洩閥
106‧‧‧貯槽
107‧‧‧研漿
107a‧‧‧磨光劑
108‧‧‧加熱器
109‧‧‧第一電極
110‧‧‧第二電極
112‧‧‧電阻調整組件
120‧‧‧研漿引入裝置
201‧‧‧底環
202‧‧‧磨齒
202a‧‧‧基材
202b‧‧‧磨粒
204‧‧‧第二軸線
210‧‧‧磨輪
300‧‧‧方法
310‧‧‧操作
320‧‧‧操作
330‧‧‧操作
400‧‧‧方法
410‧‧‧操作
420‧‧‧操作
430‧‧‧操作
440‧‧‧操作
510‧‧‧子操作
520‧‧‧子操作
530‧‧‧子操作
自結合附圖來解讀之以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應強調，根據行業標準慣例，各種構件未按比例繪製。事實上，為使討論清楚，可任意增大或減小各種構件之尺寸。
圖1繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台之一示意剖面圖。
圖1A係根據本揭露之一些實施例之一磨輪之一放大剖面圖。
圖1B係根據本揭露之一些實施例之一磨輪之一放大俯視圖。
圖2繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台之一示意剖面圖。
圖3係繪示根據本揭露之各種態樣之用於平坦化一晶圓之一方法的一流程圖。
圖4繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台之一示意剖面圖。
圖4A繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台之一示意剖面圖。
圖4B繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台之一示意剖面圖。
圖5係繪示根據本揭露之各種態樣之用於平坦化一晶圓之一方法的一流程圖。
圖6係繪示根據本揭露之各種態樣之用於將一電壓電位施加於電解質與晶圓之間之一方法的一流程圖。
圖7繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台40之一示意剖面圖。
圖8繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台之一示意剖面圖。
圖9繪示根據本揭露之一些實施例之一平坦化機台之一示意剖面圖。

Claims (20)

  1. 一種平坦化機台，其包括： 一台板，其經組態以支撐一晶圓；及 一磨輪，其位於該台板上且經組態以研磨該晶圓，該磨輪包括： 一底環；及 複數個磨齒，其等安裝於該底環上，該複數個磨齒包括複數個磨粒，其中該複數個磨粒呈球形。
  2. 如請求項1之平坦化機台，其中該複數個磨粒之一莫氏(Mohs)硬度實質上等於或大於9。
  3. 如請求項1之平坦化機台，其進一步包括位於該台板上且經組態以固定該晶圓之一卡盤台。
  4. 如請求項3之平坦化機台，其中該台板及該卡盤台可圍繞不同軸線旋轉。
  5. 一種平坦化機台，其包括： 一台板，其經組態以支撐一晶圓； 一框架，其安置於該台板上，其中該框架包圍該晶圓以在該台板上界定用於容納一研漿之一貯槽；及 一磨輪，其位於該台板上且經組態以研磨該晶圓。
  6. 如請求項5之平坦化機台，其中該研漿包括一鹼性溶液。
  7. 如請求項5之平坦化機台，其中該研漿包括一電解質。
  8. 如請求項7之平坦化機台，其進一步包括經組態以提供該晶圓與該電解質之間之一電位之一第一電極及一第二電極。
  9. 如請求項8之平坦化機台，其中該第一電極與該晶圓接觸且該第二電極與該電解質接觸。
  10. 如請求項8之平坦化機台，其進一步包括位於該電解質中且介於該第一電極與該第二電極之間之一電阻調整組件，其中該電阻調整組件之一電阻高於該晶圓之電阻。
  11. 如請求項10之平坦化機台，其中該電阻調整組件包括一多孔膜。
  12. 如請求項5之平坦化機台，其進一步包括經組態以加熱該研漿之一加熱器。
  13. 如請求項5之平坦化機台，其中該磨輪包括： 一底環；及 複數個磨齒，其等安裝於該底環上，該複數個磨齒包括複數個磨粒，其中該複數個磨粒呈球形。
  14. 如請求項5之平坦化機台，其進一步包括位於該台板上且經組態以固定該晶圓之一卡盤台。
  15. 如請求項14之平坦化機台，其中該台板及該卡盤台可圍繞不同軸線旋轉。
  16. 如請求項5之平坦化機台，其中該研漿包括複數個磨光劑，且該複數個磨光劑呈球形。
  17. 一種平坦化方法，其包括： 將一晶圓安置於一貯槽中； 將一研漿供給至該貯槽中，其中該研漿包括一電解質及複數個磨光劑； 將一電壓電位施加於該電解質與該晶圓之間以電化學蝕刻該晶圓；及 使用一磨輪來研磨該晶圓。
  18. 如請求項17之平坦化方法，其中在電化學蝕刻該晶圓時研磨該晶圓。
  19. 如請求項17之平坦化方法，其中該磨輪包括複數個球形磨粒。
  20. 如請求項17之平坦化方法，其中將該電壓電位施加於該電解質與該晶圓之間包括： 透過一第一電極將一第一電壓提供至該晶圓； 透過一第二電極將一第二電壓提供至該電解質；及 在該電解質中將一電阻調整組件加入於該第一電極與該第二電極之間。
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