TWI595967B - 研磨墊、研磨墊的製作方法及研磨方法 - Google Patents

研磨墊、研磨墊的製作方法及研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI595967B
TWI595967B TW105132397A TW105132397A TWI595967B TW I595967 B TWI595967 B TW I595967B TW 105132397 A TW105132397 A TW 105132397A TW 105132397 A TW105132397 A TW 105132397A TW I595967 B TWI595967 B TW I595967B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
polishing
trench
polishing pad
groove
Prior art date
Application number
TW105132397A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201720583A (zh
Inventor
黃志豪
劉炫邦
謝元淳
林斌彥
簡正忠
Original Assignee
台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣積體電路製造股份有限公司 filed Critical 台灣積體電路製造股份有限公司
Publication of TW201720583A publication Critical patent/TW201720583A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI595967B publication Critical patent/TWI595967B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • B24D18/0045—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for by stacking sheets of abrasive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

研磨墊、研磨墊的製作方法及研磨方法
本揭露是有關於一種研磨墊，一種研磨墊的製作方法，及一種研磨方法。
化學機械研磨/平坦化(CMP)為一種結合化學力與機械力來讓表面平滑的製程。此製程使用具有研磨與腐蝕作用的化學研磨漿，且與研磨墊一併使用。化學機械研磨/平坦化製程能移除在晶圓上的材料，且易於使晶圓的不規則起伏變得平坦穩定，進而使晶圓變平或呈平面的。
本揭露之一技術態樣為一種研磨墊，用於化學機械研磨設備。
根據本揭露多個實施方式，一種研磨墊包含第一支撐層與研磨層。研磨層位於第一支撐層上。研磨層具有頂面與至少一第一空腔，其中頂面背對於第一支撐層，且第一空腔至少埋藏於研磨層的頂面下方。
本揭露之一技術態樣為一種研磨墊的製作方法。
根據本揭露多個實施方式，一種研磨墊的製作方法包含：形成具有頂面、至少一第一溝槽與至少一第二溝槽的研磨層，其中第一溝槽與第二溝槽各自與研磨層的頂面相隔不同的垂直距離；接合研磨層到至少一支撐層上，其中在接合研磨層後，研磨層的頂面背對於支撐層。
本揭露之一技術態樣為一種研磨方法。
根據本揭露多個實施方式，一種研磨方法包含：供應研磨漿至研磨墊上，其中研磨墊具有至少一開槽與至少一埋藏槽，且供應研磨漿是供應研磨漿的至少一部分至該開槽中；托住抵靠在研磨墊的至少一工件；相對於研磨墊旋轉工件，其中在旋轉工件的過程中，研磨墊被磨損而裸露出埋藏槽。
在本揭露上述多個實施方式中，由於研磨墊的研磨層具有埋藏於其頂面下方的空腔，因此當研磨漿在研磨層的頂面研磨多個晶圓一段時間後，埋藏於頂面下方的空腔可裸露而容置研磨漿並繼續用來研磨晶圓。如此一來，可延長研磨墊的使用壽命、降低研磨漿的使用量，並提升晶圓的平坦化與良率。
100‧‧‧化學機械研磨設備
110‧‧‧平台
120、120a、120b、120c、120d‧‧‧研磨墊
121a‧‧‧第一凸部
121b‧‧‧第二凸部
122、122a、122b、122c‧‧‧研磨層
123、123a‧‧‧頂面
124、124a‧‧‧第一溝槽
1241‧‧‧底部
125、125a‧‧‧底面
126、126a、126b‧‧‧第二溝槽
126c‧‧‧第三溝槽
1261‧‧‧底部
1262‧‧‧開口
128、128a‧‧‧第一支撐層
1281‧‧‧凹槽
1282‧‧‧黏膠
129‧‧‧第二支撐層
130‧‧‧研磨漿進料器
132‧‧‧研磨漿
140‧‧‧承載裝置
210‧‧‧晶圓
3-3‧‧‧線段
310、320、410、420、430‧‧‧文字方塊
D1、D2、D3、D4‧‧‧方向
d1、d2、d3、d4、d5‧‧‧距離
L1、L2‧‧‧中心線
當結合所附圖式閱讀時，以下詳細描述將較容易理解本揭露之態樣。應注意，根據工業中的標準實務，各特徵並非按比例繪製。事實上，出於論述清晰之目的，可任意增加或減小各特徵之尺寸。
第1圖繪示根據本揭露多個實施方式之化學機械研磨設備的立體圖。
第2圖繪示第1圖之化學機械研磨設備的研磨墊的局部放大圖。
第3圖繪示第2圖之研磨墊沿線段3-3的剖面圖。
第4圖繪示第3圖之研磨墊當其第二溝槽裸露後的剖面圖。
第5圖繪示第3圖之研磨層的局部放大圖。
第6圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨墊的剖面圖。
第7圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨墊的剖面圖。
第8圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨墊的剖面圖。
第9圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨墊的剖面圖。
第10圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨墊的製作方法的流程圖。
第11圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨方法的流程圖。
以下揭示內容提供許多不同實施例或實例，以便實施所提供標的之不同特徵。下文描述組件及排列之特定實例以簡化本揭露。當然，該等實例僅為示例且並不意欲為限制性。舉例來說，以下描述中在第二特徵上方或第二特徵上形成第一特徵可包括以直接接觸形成第一特徵及第二特徵的實施例，且亦可包括可在第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵以 使得第一特徵及第二特徵可不處於直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各實例中重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡明性及清晰之目的，且本身並不指示所論述之各實施例及/或配置之間的關係。
進一步地，為了便於描述，本文可使用空間相對性術語(諸如「之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及類似者)來描述諸圖中所繪示一個元件或特徵與另一元件(或多個元件)或特徵(或多個特徵)之關係。除了諸圖所描繪之定向外，空間相對性術語意欲包含使用或操作中裝置之不同定向。設備可經其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)，因此可同樣解讀本文所使用之空間相對性描述詞。
本揭露將在以下內容中具體描述有關一種研磨墊的研磨層，而此研磨層具有分別位於不同水平面的第一溝槽與第二溝槽。第一溝槽與第二溝槽可用來容置研磨晶圓的研磨漿。當位在研磨層頂面中的第二溝槽存在時，研磨漿可流入第二溝槽並儲存於第二溝槽，以研磨晶圓。待第二溝槽磨光消失後，埋藏在研磨層中的第一溝槽可從研磨層的頂面裸露。如此一來，研磨漿可流入第一溝槽並儲存於第二溝槽，以繼續研磨晶圓。然而，本揭露的多個實施方式可應用於各種的研磨墊。不同的實施方式將參考對應的圖式詳細說明。
第1圖繪示根據本揭露多個實施方式之化學機械研磨設備100的立體圖。如第1圖所示，化學機械研磨設備100包含平台110、研磨墊120、研磨漿進料器130與承載裝置140。研磨墊120位於平台110上且具有研磨層122。研磨漿進 料器130與承載裝置140位於研磨層122上方。當化學機械研磨設備100運作時，研磨漿進料器130可供應研磨漿132至研磨層122上，且研磨墊120可由平台110帶動而往方向D1旋轉。待研磨漿132散佈於研磨墊120的研磨層122後，承載裝置140可將晶圓210往方向D2推而使晶圓210抵靠於研磨層122，使得晶圓210接觸研磨層122的一側可被研磨漿132研磨。為了進一步使晶圓210平坦化，承載裝置140可旋轉(例如也以方向D1旋轉)並同時於研磨墊120的研磨層122上移動，但並不用以限制本揭露的多個實施方式。
第2圖繪示第1圖之化學機械研磨設備100的研磨墊120的局部放大圖。第3圖繪示第2圖之研磨墊120沿線段3-3的剖面圖。同時參閱第2圖與第3圖，研磨墊120包含研磨層122與第一支撐層128。研磨層122位於第一支撐層128上。第一支撐層128位於平台110(見第1圖)與研磨層122之間。第一支撐層128較研磨層122硬，使得第一支撐層128可對研磨層122提供支撐力。
研磨層122位於第一支撐層128上且具有頂面123與底面125。底面125背對於頂面123且朝向第一支撐層128。研磨層122具有至少一第一溝槽124與至少一第二溝槽126。在多個實施方式中，第二溝槽126可以為至少埋藏在研磨層122之頂面123下方的空腔。第一溝槽124位於研磨層122之頂面123。在多個實施方式中，第二溝槽126為在研磨層122底面125上之具有開口1262的溝槽，且第二溝槽126的開口1262由第一支撐層128覆蓋，使得第二溝槽126可視為埋藏 槽。另一方面，第一溝槽124為在研磨層122之頂面123中的開槽。
換句話說，研磨層122之頂面123其內具有第一溝槽124，且研磨層122之底面125其內具有第二溝槽126。第一溝槽124與第二溝槽126分別位於研磨層122的相對兩側，且第一溝槽124的開口方向D3與第二溝槽126的開口方向D4相反。應瞭解到，研磨層122之第一溝槽124與第二溝槽126在第3圖中的數量為示例，並不用以限制本揭露的多個實施方式。
在多個實施方式中，研磨層122的第一溝槽124與第二溝槽126可為同心圓排列，但並不用以限制本揭露的多個實施方式。
同時參閱第1圖與第3圖，當研磨漿132供應至研磨墊120的研磨層122且平台110旋轉時，研磨漿132可在研磨層122的頂面123上流動，且可流入第一溝槽124中。如此一來，研磨漿132容置於研磨層122的第一溝槽124中，且研磨漿132與研磨層122用來研磨接觸研磨層122的晶圓210。待研磨層122的頂面123研磨多個晶圓210一段時間後，第一溝槽124會因研磨漿132與晶圓210的研磨而被磨損，使第一溝槽124尺寸變小或消失。
參閱第3圖，第一溝槽124與第二溝槽126各自與研磨層122的頂面123相隔不同的垂直距離。第4圖繪示第3圖之研磨墊120當其第二溝槽126裸露後的剖面圖。如第4圖所示，當研磨層122的頂面123被研磨漿132與晶圓210(見第1圖)研磨時，研磨層122的厚度會磨損減薄，使得第一溝槽124可 被磨耗而第二溝槽126可從研磨層122的頂面123裸露。因此，即使第一溝槽124磨耗了，第二溝槽126可被打開而繼續容置研磨漿132。也就是說，待第一溝槽124因研磨層122的頂面123被研磨漿132與晶圓210(見第1圖)研磨而磨耗後，供應至研磨層122之頂面123的研磨漿132也可流入第二溝槽126中。
同時參閱第1圖與第4圖，由於當第一溝槽124磨耗後，第二溝槽126可裸露來容置研磨漿132，因此研磨漿132可容置於殘留的第一溝槽124與被打開的第二溝槽126中。如此一來，研磨層122的第一溝槽124與第二溝槽126可具有小深度的設計。一般而言，具有深溝槽的研磨墊相較具有淺溝槽的研磨墊需要較多的研磨漿流量來達到相似的研磨速率。因此，如同研磨層122具有縮短的第一溝槽124與第二溝槽126，研磨漿132的流量得以減小，且能維持研磨速率。也就是說，可降低研磨漿132的使用量。
此外，因為研磨層122具有第一溝槽124與第二溝槽126來容置研磨漿132，所以可增加被容置有研磨漿132的研磨層122研磨的晶圓數量。因此，研磨墊120的使用壽命得以延長。據此，當具有第一溝槽124與第二溝槽126的研磨層122的研磨墊120使用於化學機械研磨設備100時，對於研磨墊120在一段期間的預防性保養(PM)次數可以減少，進而可延長化學機械研磨設備100的運作時間。
另外，若晶圓210通常是在研磨層122的邊緣部分研磨，如第1圖晶圓210的位置所示，第二溝槽126可形成在對應晶圓210位置的研磨層122邊緣部分。由於研磨層122有晶圓 210在其上的部分相較於研磨層122的其他部分會較快被磨損，因此可依據晶圓210與研磨層122的相對位置來決定研磨層122中第二溝槽126的位置。
參閱第3圖，在多個實施方式中，第一溝槽124與第二溝槽126交替排列於研磨層122中，且第一溝槽124在第一支撐層128的正投影與第二溝槽126在第一支撐層128的正投影不重疊。也就是說，第一溝槽124的中心線L1與第二溝槽126的中心線L2是平行的且相隔距離d1。這樣的設計可確保待第一溝槽124大致磨光後第二溝槽126才從研磨層122的頂面123裸露。
在多個實施方式中，研磨層122的頂面123其內具有複數個第一溝槽124，研磨層122的底面125其內具有複數個第二溝槽126。每一第二溝槽126在頂面123的正投影位於兩相鄰第一溝槽124之間。
研磨墊120還可包含第二支撐層129，且第一支撐層128位於第二支撐層129與研磨層122之間。在多個實施方式中，第二支撐層129的硬度大於第一支撐層128的硬度，且第一支撐層128的硬度大於研磨層122的硬度，但並不用以限制本揭露的多個實施方式。這樣的設計，第二支撐層129可用來支撐第一支撐層128與研磨層122。
第5圖繪示第3圖之研磨層122的局部放大圖。同時參閱第3圖與第5圖，研磨層122的第一溝槽124具有底部1241，且研磨層122的第二溝槽126具有底部1261。在多個實施方式中，第一溝槽124的底部1241與第二溝槽126的底部 1261位於相同的水平面。這樣的設計，當第一溝槽124被磨損而消失後，第二溝槽126可接著從頂面123裸露。
在多個實施方式中，第二溝槽126的底部1261與頂面123之間的垂直距離d2可小於或等於第一溝槽124的底部1241與頂面123之間的垂直距離d3。若第二溝槽126的底部1261與頂面123之間的垂直距離d2小於第一溝槽124的底部1241與頂面123之間的垂直距離d3，具有這樣的第一溝槽124、第二溝槽126的研磨層122可確保第二溝槽126在第一溝槽124磨光前可從頂面123裸露。若底部1261與頂面123之間的垂直距離d2等於底部1241與頂面123之間的垂直距離d3，這樣的研磨層122可確保第二溝槽126在第一溝槽124磨光時可同時從頂面123裸露。
在多個實施方式中，研磨層122具有至少一第一凸部121a與至少一第二凸部121b。第一凸部121a可視為固體部，且此固體部分開第一溝槽124的至少其中兩者。第二溝槽126至少埋藏於研磨層122的第一凸部121a下方。第一凸部121a緊鄰第一溝槽124，且第二凸部121b緊鄰第二溝槽126。此外，第一溝槽124可對齊於第二凸部121b，而第二溝槽126可對齊於第一凸部121a。如此一來，第一溝槽124與第二溝槽126交替排列於研磨層122中。待第一凸部121a被研磨漿132(見第1圖)與多個晶圓210(見第1圖)磨損一段時間後，即使第一溝槽124逐漸磨光而容置越來越少的研磨漿132，第二溝槽126可被裸露與打開來容置在研磨層122上的研磨漿132，使得研磨墊120的研磨層122仍可維持足夠量的研磨漿 132來研磨晶圓210。
第6圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨墊120a的剖面圖。如第6圖所示，第一支撐層128a其內還可具有凹槽1281。第一支撐層128a的凹槽1281連通於第二溝槽126，且凹槽1281大致與第二溝槽126對齊。
研磨墊120a還可包含黏膠1282。黏膠1282位於第一支撐層128a與研磨層122之間，且黏膠1282至少部分位於凹槽1281中。在組裝研磨層122與第一支撐層128a的期間，黏膠1282可塗佈在第一支撐層128a具有凹槽1281的表面。接著，研磨層122可黏合至第一支撐層128a的表面。由於第一支撐層128a其內具有凹槽1281，多餘的黏膠1282可流入凹槽1281。如此一來，在第一支撐層128a中的凹槽1281可避免多餘的黏膠1282流入研磨層122的第二溝槽126，使的第二溝槽126中的空間不會被黏膠1282佔據。換句話說，第一支撐層128a的凹槽1281可確保第二溝槽126的空間是用來容置研磨漿。
第7圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨墊120b的剖面圖。如第7圖所示，研磨墊120b還可包含另一研磨層122a。研磨層122a的結構可大致與研磨層122的結構相同。研磨層122a堆疊在研磨層122上，使得研磨層122a的底面125a接觸研磨層122的頂面123。此外，研磨層122、122a的材料可包含聚氨酯(Polyurethane)，但並不用以限制本揭露的多個實施方式。
在多個實施方式中，研磨層122a的第一溝槽124a 可對齊於研磨層122的第一溝槽124，且研磨層122a的第二溝槽126a可對齊於研磨層122的第二溝槽126。
當研磨墊120b使用於化學機械研磨設備時，因研磨墊120b具有包含位在不同水平面之第一溝槽124a、第二溝槽126a、第三溝槽124與第四溝槽126的四層溝槽，使得此設計可延長研磨墊120b的使用壽命，還可減少研磨墊120b的預防性保養(PM)次數。
第8圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨墊120c的剖面圖。第二溝槽126b不僅埋藏於研磨層122b的頂面123下方，且埋藏於研磨層122b的底面125下。當第一溝槽124磨光時，第二溝槽126b可從頂面123裸露而繼續容置研磨漿132(見第1圖)。此外，在多個實施方式中，黏膠1282位於研磨層122b與第一支撐層128之間。由於第二溝槽126b在第一溝槽124磨光前為封閉的空腔，因此當研磨層122b貼合於第一支撐層128時，在研磨層122b之底面125下方的黏膠1282不會流入第二溝槽126b。這樣的設計可確保第二溝槽126b的空間不會被黏膠1282佔據。
第9圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨墊120d的剖面圖。如第9圖所示，研磨層122c還具有至少一第三溝槽126c。第三溝槽126c位於研磨層122c之頂面123下方。第二溝槽126b與研磨層122c的頂面123相隔第一垂直距離d4，第三溝槽126c與研磨層122c的頂面123相隔第二垂直距離d5，且第一垂直距離d4不同於第二垂直距離d5。在多個實施方式中，第一垂直距離d4小於第二垂直距離d5。當研磨墊 120d使用於化學機械研磨設備時，因研磨墊120d具有包含位在不同水平面之第一溝槽124a、第二溝槽126b、第三溝槽126c的三層溝槽，因此可延長研磨墊120d的使用壽命並減少研磨墊120d的預防性保養(PM)次數。
第10圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨墊的製作方法的流程圖。此方法起始於文字方塊310，形成具有頂面、至少一第一溝槽與至少一第二溝槽的研磨層。第一溝槽與第二溝槽各自與研磨層的頂面相隔不同的垂直距離。此方法接著為文字方塊320，接合研磨層到至少一支撐層上。在接合研磨層後，研磨層的頂面背對於支撐層。
在多個實施方式中，研磨墊的研磨層可由三維(3D)列印形成。舉例來說，研磨層可由三維列印的選擇性雷射燒結(Selective Laser Sintering；SLS)形成。在多個實施方式中，三維列印機可利用聚氨酯(Polyurethane)來製作包含研磨層的研磨墊。選擇性雷射燒結可分別在研磨層的頂面與底面分別形成第一溝槽與第二溝槽。另外，研磨墊的精度可介於約0.2mm至1.2mm的範圍，而選擇性雷射燒結的精度可小於約0.07mm，因此，選擇性雷射燒結法可符合研磨墊所需的精度。
此外，第一溝槽可由機械加工研磨層的頂面而形成，且第二溝槽可由機械加工研磨層的底面而形成。這裡指的「機械加工」意指未加工的材料件經受控的材料移除製程切削而成為所需的最終形狀與尺寸的各種製程。
在多個實施方式中，研磨墊可經熟化而形成。形 成研磨層可包含下列步驟。形成研磨層的第一層。接著，設置第一遮罩於研磨層的第一層上。接著在設置該第一遮罩後，熟化研磨層的第一層。之後，從研磨層的第一層移除第一遮罩，以在研磨層的第一層中產生至少一溝槽空間。接著，形成研磨層的第二層於研磨層的第一層上，且埋藏溝槽空間於研磨層的第二層下方而成為第一溝槽。第一層與第二層的材料可包含聚氨酯，但並不用以限制本揭露的多個實施方式，也可採用其他材料(如橡膠)經熟化而形成研磨墊。
此外，形成研磨層還可包含下列步驟。設置第二遮罩於研磨層的第二層上。接著在設置第二遮罩後，熟化研磨層的第二層。之後，從研磨層的第二層移除第二遮罩，以在研磨層的第二層中產生第二溝槽。在以下敘述中，將敘述一種研磨方法。
第11圖繪示根據本揭露多個實施方式之研磨方法的流程圖。此方法起始於文字方塊410，供應研磨漿至研磨墊上。研磨墊具有至少一開槽與至少一埋藏槽，且供應研磨漿是供應研磨漿的至少一部分至開槽中。此方法接著為文字方塊420，托住抵靠在研磨墊的至少一工件(例如矽晶圓)。此方法接著為文字方塊430，相對於研磨墊旋轉工件。在旋轉工件的過程中，研磨墊被磨損而裸露出埋藏槽。
在多個實施方式中，供應研磨漿還包含供應至少另一部分研磨漿至裸露的埋藏槽中。
為了讓在研磨墊上之研磨漿維持特定的品質，且延長研磨墊的使用壽命，用於化學機械研磨設備的研磨墊、研 磨墊的製作方法及研磨方法被設計來將研磨漿容置於第一溝槽及/或第二溝槽中，其中第一溝槽與第二溝槽分別位於研磨層的相對兩側。當研磨漿供應到研磨墊的研磨層上時，在研磨層頂面中的第一溝槽可容置研磨漿。待研磨層的頂面被多個晶圓研磨一段時間後，第一溝槽可被磨光而消失。然而，此時在研磨層底面的第二溝槽可由頂面裸露而繼續容置研磨漿。如此一來，可提升晶圓的平坦化與良率，可降低研磨漿的使用量，且可延長研磨墊的使用壽命。此外，對於研磨墊來說，在一段期間的預防性保養(PM)次數可以減少，進而可延長化學機械研磨設備的運作時間。
根據本揭露多個實施方式，一種研磨墊包含第一支撐層與研磨層。研磨層位於第一支撐層上。研磨層具有頂面與至少一第一空腔，其中頂面背對於第一支撐層，且第一空腔至少埋藏於研磨層的頂面下方。
根據本揭露多個實施方式，一種研磨墊的製作方法包含：形成具有頂面、至少一第一溝槽與至少一第二溝槽的研磨層，其中第一溝槽與第二溝槽各自與研磨層的頂面相隔不同的垂直距離；接合研磨層到至少一支撐層上，其中在接合研磨層後，研磨層的頂面背對於支撐層。
根據本揭露多個實施方式，一種研磨方法包含：供應研磨漿至研磨墊上，其中研磨墊具有至少一開槽與至少一埋藏槽，且供應研磨漿是供應研磨漿的至少一部分至該開槽中；托住抵靠在研磨墊的至少一工件；相對於研磨墊旋轉工件，其中在旋轉工件的過程中，研磨墊被磨損而裸露出埋藏槽。
儘管參看本揭露之某些實施例已相當詳細地描述了本揭露，但其他實施例係可能的。因此，所附申請專利範圍之精神及範疇不應受限於本文所含實施例之描述。
將對熟習此項技術者顯而易見的是，可在不脫離本揭露之範疇或精神的情況下對本揭露之結構實行各種修改及變化。鑒於上述，本揭露意欲涵蓋本揭露之修改及變化，前提是該等修改及變化屬於以下申請專利範圍之範疇內。
上文概述若干實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，可輕易使用本揭露作為設計或修改其他製程及結構的基礎，以便實施本文所介紹之實施例的相同目的及/或實現相同優勢。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效結構並未脫離本揭露之精神及範疇，且可在不脫離本揭露之精神及範疇的情況下產生本文的各種變化、替代及更改。
120‧‧‧研磨墊
122‧‧‧研磨層
123‧‧‧頂面
124‧‧‧第一溝槽
125‧‧‧底面
126‧‧‧第二溝槽
1262‧‧‧開口
128‧‧‧第一支撐層
129‧‧‧第二支撐層
D3、D4‧‧‧方向
d1‧‧‧距離
L1、L2‧‧‧中心線

Claims (9)

  1. 一種研磨墊，用於化學機械研磨設備，該研磨墊包含：一第一支撐層具有至少一凹槽，該至少一凹槽被一黏膠填充；以及一研磨層，位於該第一支撐層上，該研磨層具有一頂面與至少一第一空腔，其中該頂面背對於該第一支撐層，且該第一空腔至少埋藏於該研磨層的該頂面下方，其中該至少一第一空腔位於被該黏膠填充之該至少一凹槽的上方。
  2. 如請求項1所述的研磨墊，其中該研磨層具有至少一開槽，且該開槽在該研磨層的該頂面上。
  3. 如請求項2所述的研磨墊，其中該開槽的數量為複數個，該研磨層具有至少一固體部，該固體部分開該些開槽的至少其中兩者，且該第一空腔至少埋藏於該研磨層的該固體部下方。
  4. 如請求項1至3任一所述的研磨墊，其中該研磨層具有朝向該第一支撐層的一底面，且該第一空腔具有在該研磨層之該底面上的至少一開口。
  5. 如請求項4所述的研磨墊，其中該第一空腔的該開口由該第一支撐層覆蓋。
  6. 如請求項1至5任一所述的研磨墊，其中該研磨層更具有至少一第二空腔，該第二空腔至少埋藏於該研磨層的該頂面下方，該第一空腔與該研磨層的該頂面相隔一第一垂直距離，該第二空腔與該研磨層的該頂面相隔一第二垂直距離，且該第一垂直距離不同於該第二垂直距離。
  7. 一種研磨墊的製作方法，包含：形成具有一頂面、至少一第一溝槽與至少一第二溝槽的一研磨層，其中該第一溝槽與該第二溝槽各自與該研磨層的該頂面相隔不同的垂直距離；以及使用一黏膠接合該研磨層到至少一支撐層上，其中在接合該研磨層後，該研磨層的該頂面背對於該至少一支撐層，且該支撐層具有被該黏膠填充之至少一凹槽，其中被該黏膠填充之該至少一凹槽位於該第二溝槽的下方。
  8. 如請求項7所述的製作方法，其中形成該研磨層包含：形成該研磨層的一第一層；設置一第一遮罩於該研磨層的該第一層上；在設置該第一遮罩後，熟化該研磨層的該第一層；從該研磨層的該第一層移除該第一遮罩，以在該研磨層的該第一層中產生至少一溝槽空間；以及形成該研磨層的一第二層於該研磨層的該第一層上，且埋藏該溝槽空間於該研磨層的該第二層下方而成為該第二溝 槽。
  9. 一種研磨方法，包含：供應一研磨漿至一研磨墊上，其中該研磨墊具有至少一開槽與至少一埋藏槽，且供應該研磨漿是供應該研磨漿的至少一部分至該開槽中，其中該研磨墊透過一黏膠連接一支撐層，且該支撐層具有被該黏膠填充之至少一凹槽，其中被該黏膠填充之該至少一凹槽位於該至少一埋藏槽的下方；托住抵靠在該研磨墊的至少一工件；以及相對於該研磨墊旋轉該工件，其中在旋轉該工件的過程中，該研磨墊被磨損而裸露出該埋藏槽。
TW105132397A 2015-11-30 2016-10-06 研磨墊、研磨墊的製作方法及研磨方法 TWI595967B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562261016P 2015-11-30 2015-11-30
US15/158,529 US10189143B2 (en) 2015-11-30 2016-05-18 Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201720583A TW201720583A (zh) 2017-06-16
TWI595967B true TWI595967B (zh) 2017-08-21

Family

ID=58693292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105132397A TWI595967B (zh) 2015-11-30 2016-10-06 研磨墊、研磨墊的製作方法及研磨方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10189143B2 (zh)
KR (1) KR101919201B1 (zh)
CN (1) CN106808362B (zh)
DE (1) DE102016114798A1 (zh)
TW (1) TWI595967B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110253423A (zh) * 2019-07-11 2019-09-20 德淮半导体有限公司 一种研磨垫

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9873180B2 (en) * 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
SG11201703114QA (en) 2014-10-17 2017-06-29 Applied Materials Inc Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
CN108290267B (zh) 2015-10-30 2021-04-20 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10456886B2 (en) 2016-01-19 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Porous chemical mechanical polishing pads
TWI626117B (zh) * 2017-01-19 2018-06-11 智勝科技股份有限公司 研磨墊及研磨方法
US20180304539A1 (en) 2017-04-21 2018-10-25 Applied Materials, Inc. Energy delivery system with array of energy sources for an additive manufacturing apparatus
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
JP7299970B2 (ja) 2018-09-04 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良型研磨パッドのための配合物
CN114126803A (zh) * 2019-05-07 2022-03-01 Cmc材料股份有限公司 具有固定沟槽体积的化学机械平坦化垫
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
WO2021262602A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Conditioner disk for use on soft or 3d printed pads during cmp
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
TWI831397B (zh) * 2022-09-29 2024-02-01 中國砂輪企業股份有限公司 拋光墊

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294410A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
TW201325820A (zh) * 2011-09-22 2013-07-01 Dow Global Technologies Llc 形成經結構為開放網路之研磨墊之方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US6036586A (en) * 1998-07-29 2000-03-14 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for reducing removal forces for CMP pads
US6331137B1 (en) * 1998-08-28 2001-12-18 Advanced Micro Devices, Inc Polishing pad having open area which varies with distance from initial pad surface
JP2004537175A (ja) * 2001-08-02 2004-12-09 エスケーシー カンパニー，リミテッド レーザーを使用した化学的機械的研磨パッドの製造方法
US7025668B2 (en) * 2002-06-18 2006-04-11 Raytech Innovative Solutions, Llc Gradient polishing pad made from paper-making fibers for use in chemical/mechanical planarization of wafers
JP2004136432A (ja) * 2002-09-24 2004-05-13 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨布及びその製造方法
JP4659338B2 (ja) * 2003-02-12 2011-03-30 Ｈｏｙａ株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法並びにそれに使用する研磨パッド
US7842169B2 (en) * 2003-03-04 2010-11-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for local polishing control
KR20050002378A (ko) 2003-06-30 2005-01-07 주식회사 하이닉스반도체 Ｃｍｐ 공정에 이용되는 연마포
US8066552B2 (en) * 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
JP3872081B2 (ja) 2004-12-29 2007-01-24 東邦エンジニアリング株式会社 研磨用パッド
US7807252B2 (en) * 2005-06-16 2010-10-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having secondary polishing medium capacity control grooves
KR100727485B1 (ko) * 2005-08-09 2007-06-13 삼성전자주식회사 연마 패드 및 이를 제조하는 방법, 그리고 화학적 기계적 연마 장치 및 방법
US7549914B2 (en) * 2005-09-28 2009-06-23 Diamex International Corporation Polishing system
US20070141312A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 James David B Multilayered polishing pads having improved defectivity and methods of manufacture
US7517488B2 (en) * 2006-03-08 2009-04-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering
WO2007104063A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Rimpad Tech Ltd. Composite polishing pad
JP2008062367A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Nec Electronics Corp 研磨装置、研磨パッド、研磨方法
JP2008098356A (ja) 2006-10-11 2008-04-24 Sekisui Chem Co Ltd 両面粘着テープおよびその製造方法
US7824249B2 (en) * 2007-02-05 2010-11-02 San Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing material having polishing particles and method for making the same
JP5297096B2 (ja) * 2007-10-03 2013-09-25 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布
KR100941198B1 (ko) * 2007-11-29 2010-02-10 주식회사 동부하이텍 화학 기계적 연마 패드
JP2012505763A (ja) * 2008-10-16 2012-03-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド テクスチャ付きプラテン
TWM367052U (en) * 2009-04-24 2009-10-21 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad and polishing device
US20120009847A1 (en) 2010-07-06 2012-01-12 Applied Materials, Inc. Closed-loop control of cmp slurry flow
JP5789869B2 (ja) 2011-07-28 2015-10-07 東邦エンジニアリング株式会社 研磨パッド用補助板および研磨パッド用補助板を備えた研磨装置
US9067299B2 (en) * 2012-04-25 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad
US9308620B2 (en) * 2013-09-18 2016-04-12 Texas Instruments Incorporated Permeated grooving in CMP polishing pads
US9993907B2 (en) * 2013-12-20 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having printed window

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294410A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
TW201325820A (zh) * 2011-09-22 2013-07-01 Dow Global Technologies Llc 形成經結構為開放網路之研磨墊之方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110253423A (zh) * 2019-07-11 2019-09-20 德淮半导体有限公司 一种研磨垫

Also Published As

Publication number Publication date
US20190099856A1 (en) 2019-04-04
KR101919201B1 (ko) 2018-11-15
US10189143B2 (en) 2019-01-29
CN106808362A (zh) 2017-06-09
KR20170063348A (ko) 2017-06-08
CN106808362B (zh) 2019-09-03
TW201720583A (zh) 2017-06-16
DE102016114798A1 (de) 2017-06-01
US11597053B2 (en) 2023-03-07
US20170151648A1 (en) 2017-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI595967B (zh) 研磨墊、研磨墊的製作方法及研磨方法
US20220105602A1 (en) Printing a chemical mechanical polishing pad
JP5506894B2 (ja) 整形面をもつリテーニングリング
TWI449598B (zh) 高速研磨方法
US7654885B2 (en) Multi-layer polishing pad
KR101420900B1 (ko) 슬러리의 수동적 제거를 제공하는 연마 어셈블리들을 구비한 ｃｍｐ 장치들
US9539694B1 (en) Composite polishing layer chemical mechanical polishing pad
JP2008062367A (ja) 研磨装置、研磨パッド、研磨方法
US7354334B1 (en) Reducing polishing pad deformation
CN114310627A (zh) 一种用于对硅片进行抛光的抛光垫和抛光设备
US10974366B2 (en) Conditioning wheel for polishing pads
TWI511835B (zh) 化學機械研磨站及用於硏磨一晶圓之方法
JP6067481B2 (ja) 研磨パッド、研磨方法、および研磨パッドの製造方法
US7108591B1 (en) Compliant wafer chuck
US9272387B2 (en) Carrier head with shims
US7252736B1 (en) Compliant grinding wheel
TW201922419A (zh) 平坦化機台及其平坦化方法
US20050070217A1 (en) Polishing pad and fabricating method thereof
US8403727B1 (en) Pre-planarization system and method
KR20090042027A (ko) 다른 사이즈의 스크래치를 형성하는 다이아몬드 연마구
KR20080075019A (ko) 표면 거칠기의 연마 패드
JP2016087770A (ja) 研磨布および研磨方法
TW202132047A (zh) 拋光物品、拋光系統、及拋光方法
KR20200041781A (ko) 재생 웨이퍼의 제조 방법
JP2009142947A (ja) 研磨装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法