CN106808362B - 研磨垫、研磨垫的制作方法及研磨方法 - Google Patents

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Abstract

一种研磨垫、研磨垫的制作方法及研磨方法。用于化学机械研磨设备的研磨垫包含第一支撑层与研磨层。研磨层位于第一支撑层上。研磨层具有顶面与至少一第一空腔。研磨层的顶面背对于第一支撑层。第一空腔至少埋藏于研磨层的顶面下方。当研磨浆在研磨层的顶面研磨多个晶圆一段时间后，埋藏于顶面下方的第一空腔可裸露而容置研磨浆并继续用来研磨晶圆，因此可延长研磨垫的使用寿命。

Description

研磨垫、研磨垫的制作方法及研磨方法
技术领域
本揭露是有关于一种研磨垫，一种研磨垫的制作方法，及一种研磨方法。
背景技术
化学机械研磨/平坦化(CMP)为一种结合化学力与机械力来让表面平滑的制程。此制程使用具有研磨与腐蚀作用的化学研磨浆，且与研磨垫一并使用。化学机械研磨/平坦化制程能移除在晶圆上的材料，且易于使晶圆的不规则起伏变得平坦稳定，进而使晶圆变平或呈平面的。
发明内容
本揭露的一技术态样为一种研磨垫，用于化学机械研磨设备。
根据本揭露多个实施方式，一种研磨垫包含第一支撑层与研磨层。研磨层位于第一支撑层上。研磨层具有顶面与至少一第一空腔，其中顶面背对于第一支撑层，且第一空腔至少埋藏于研磨层的顶面下方。
本揭露的一技术态样为一种研磨垫的制作方法。
根据本揭露多个实施方式，一种研磨垫的制作方法包含：形成具有顶面、至少一第一沟槽与至少一第二沟槽的研磨层，其中第一沟槽与第二沟槽各自与研磨层的顶面相隔不同的垂直距离；接合研磨层到至少一支撑层上，其中在接合研磨层后，研磨层的顶面背对于支撑层。
本揭露的一技术态样为一种研磨方法。
根据本揭露多个实施方式，一种研磨方法包含：供应研磨浆至研磨垫上，其中研磨垫具有至少一开槽与至少一埋藏槽，且供应研磨浆是供应研磨浆的至少一部分至该开槽中；托住抵靠在研磨垫的至少一工件；相对于研磨垫旋转工件，其中在旋转工件的过程中，研磨垫被磨损而裸露出埋藏槽。
在本揭露上述多个实施方式中，由于研磨垫的研磨层具有埋藏于其顶面下方的空腔，因此当研磨浆在研磨层的顶面研磨多个晶圆一段时间后，埋藏于顶面下方的空腔可裸露而容置研磨浆并继续用来研磨晶圆。如此一来，可延长研磨垫的使用寿命、降低研磨浆的使用量，并提升晶圆的平坦化与良率。
附图说明
当结合所附附图阅读时，以下详细描述将较容易理解本揭露的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。
图1绘示根据本揭露多个实施方式的化学机械研磨设备的立体图；
图2绘示图1的化学机械研磨设备的研磨垫的局部放大图；
图3绘示图2的研磨垫沿线段3-3的剖面图；
图4绘示图3的研磨垫当其第二沟槽裸露后的剖面图；
图5绘示图3的研磨层的局部放大图；
图6绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的剖面图；
图7绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的剖面图；
图8绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的剖面图；
图9绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的剖面图；
图10绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的制作方法的流程图；
图11绘示根据本揭露多个实施方式的研磨方法的流程图。
具体实施方式
以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述组件及排列的特定实例以简化本揭露。当然，这些实例仅为示例且并不意欲为限制性。举例来说，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭露可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简明性及清晰的目的，且本身并不指示所论述的各实施例及/或配置之间的关系。
进一步地，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所绘示一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，因此可同样解读本文所使用的空间相对性描述词。
本揭露将在以下内容中具体描述有关一种研磨垫的研磨层，而此研磨层具有分别位于不同水平面的第一沟槽与第二沟槽。第一沟槽与第二沟槽可用来容置研磨晶圆的研磨浆。当位于研磨层顶面中的第二沟槽存在时，研磨浆可流入第二沟槽并储存于第二沟槽，以研磨晶圆。待第二沟槽磨光消失后，埋藏在研磨层中的第一沟槽可从研磨层的顶面裸露。如此一来，研磨浆可流入第一沟槽并储存于第二沟槽，以继续研磨晶圆。然而，本揭露的多个实施方式可应用于各种的研磨垫。不同的实施方式将参考对应的附图详细说明。
图1绘示根据本揭露多个实施方式的化学机械研磨设备100的立体图。如图1所示，化学机械研磨设备100包含平台110、研磨垫120、研磨浆进料器130与承载装置140。研磨垫120位于平台110上且具有研磨层122。研磨浆进料器130与承载装置140位于研磨层122上方。当化学机械研磨设备100运作时，研磨浆进料器130可供应研磨浆132至研磨层122上，且研磨垫120可由平台110带动而往方向D1旋转。待研磨浆132散布于研磨垫120的研磨层122后，承载装置140可将晶圆210往方向D2推而使晶圆210抵靠于研磨层122，使得晶圆210接触研磨层122的一侧可被研磨浆132研磨。为了进一步使晶圆210平坦化，承载装置140可旋转(例如也以方向D1旋转)并同时于研磨垫120的研磨层122上移动，但并不用以限制本揭露的多个实施方式。
图2绘示图1的化学机械研磨设备100的研磨垫120的局部放大图。图3绘示图2的研磨垫120沿线段3-3的剖面图。同时参阅图2与图3，研磨垫120包含研磨层122与第一支撑层128。研磨层122位于第一支撑层128上。第一支撑层128位于平台110(见图1)与研磨层122之间。第一支撑层128较研磨层122硬，使得第一支撑层128可对研磨层122提供支撑力。
研磨层122位于第一支撑层128上且具有顶面123与底面125。底面125背对于顶面123且朝向第一支撑层128。研磨层122具有至少一第一沟槽124与至少一第二沟槽126。在多个实施方式中，第二沟槽126可以为至少埋藏在研磨层122的顶面123下方的空腔。第一沟槽124位于研磨层122的顶面123。在多个实施方式中，第二沟槽126为在研磨层122底面125上的具有开口1262的沟槽，且第二沟槽126的开口1262由第一支撑层128覆盖，使得第二沟槽126可视为埋藏槽。另一方面，第一沟槽124为在研磨层122的顶面123中的开槽。
换句话说，研磨层122的顶面123其内具有第一沟槽124，且研磨层122的底面125其内具有第二沟槽126。第一沟槽124与第二沟槽126分别位于研磨层122的相对两侧，且第一沟槽124的开口方向D3与第二沟槽126的开口方向D4相反。应了解到，研磨层122的第一沟槽124与第二沟槽126在图3中的数量为示例，并不用以限制本揭露的多个实施方式。
在多个实施方式中，研磨层122的第一沟槽124与第二沟槽126可为同心圆排列，但并不用以限制本揭露的多个实施方式。
同时参阅图1与图3，当研磨浆132供应至研磨垫120的研磨层122且平台110旋转时，研磨浆132可在研磨层122的顶面123上流动，且可流入第一沟槽124中。如此一来，研磨浆132容置于研磨层122的第一沟槽124中，且研磨浆132与研磨层122用来研磨接触研磨层122的晶圆210。待研磨层122的顶面123研磨多个晶圆210一段时间后，第一沟槽124会因研磨浆132与晶圆210的研磨而被磨损，使第一沟槽124尺寸变小或消失。
参阅图3，第一沟槽124与第二沟槽126各自与研磨层122的顶面123相隔不同的垂直距离。图4绘示图3的研磨垫120当其第二沟槽126裸露后的剖面图。如图4所示，当研磨层122的顶面123被研磨浆132与晶圆210(见图1)研磨时，研磨层122的厚度会磨损减薄，使得第一沟槽124可被磨耗而第二沟槽126可从研磨层122的顶面123裸露。因此，即使第一沟槽124磨耗了，第二沟槽126可被打开而继续容置研磨浆132。也就是说，待第一沟槽124因研磨层122的顶面123被研磨浆132与晶圆210(见图1)研磨而磨耗后，供应至研磨层122的顶面123的研磨浆132也可流入第二沟槽126中。
同时参阅图1与图4，由于当第一沟槽124磨耗后，第二沟槽126可裸露来容置研磨浆132，因此研磨浆132可容置于残留的第一沟槽124与被打开的第二沟槽126中。如此一来，研磨层122的第一沟槽124与第二沟槽126可具有小深度的设计。一般而言，具有深沟槽的研磨垫相较具有浅沟槽的研磨垫需要较多的研磨浆流量来达到相似的研磨速率。因此，如同研磨层122具有缩短的第一沟槽124与第二沟槽126，研磨浆132的流量得以减小，且能维持研磨速率。也就是说，可降低研磨浆132的使用量。
此外，因为研磨层122具有第一沟槽124与第二沟槽126来容置研磨浆132，所以可增加被容置有研磨浆132的研磨层122研磨的晶圆数量。因此，研磨垫120的使用寿命得以延长。据此，当具有第一沟槽124与第二沟槽126的研磨层122的研磨垫120使用于化学机械研磨设备100时，对于研磨垫120在一段期间的预防性保养(PM)次数可以减少，进而可延长化学机械研磨设备100的运作时间。
另外，若晶圆210通常是在研磨层122的边缘部分研磨，如图1晶圆210的位置所示，第二沟槽126可形成在对应晶圆210位置的研磨层122边缘部分。由于研磨层122有晶圆210在其上的部分相较于研磨层122的其他部分会较快被磨损，因此可依据晶圆210与研磨层122的相对位置来决定研磨层122中第二沟槽126的位置。
参阅图3，在多个实施方式中，第一沟槽124与第二沟槽126交替排列于研磨层122中，且第一沟槽124在第一支撑层128的正投影与第二沟槽126在第一支撑层128的正投影不重叠。也就是说，第一沟槽124的中心线L1与第二沟槽126的中心线L2是平行的且相隔距离d1。这样的设计可确保待第一沟槽124大致磨光后第二沟槽126才从研磨层122的顶面123裸露。
在多个实施方式中，研磨层122的顶面123其内具有多个第一沟槽124，研磨层122的底面125其内具有多个第二沟槽126。每一第二沟槽126在顶面123的正投影位于两相邻第一沟槽124之间。
研磨垫120还可包含第二支撑层129，且第一支撑层128位于第二支撑层129与研磨层122之间。在多个实施方式中，第二支撑层129的硬度大于第一支撑层128的硬度，且第一支撑层128的硬度大于研磨层122的硬度，但并不用以限制本揭露的多个实施方式。这样的设计，第二支撑层129可用来支撑第一支撑层128与研磨层122。
图5绘示图3的研磨层122的局部放大图。同时参阅图3与图5，研磨层122的第一沟槽124具有底部1241，且研磨层122的第二沟槽126具有底部1261。在多个实施方式中，第一沟槽124的底部1241与第二沟槽126的底部1261位于相同的水平面。这样的设计，当第一沟槽124被磨损而消失后，第二沟槽126可接着从顶面123裸露。
在多个实施方式中，第二沟槽126的底部1261与顶面123之间的垂直距离d2可小于或等于第一沟槽124的底部1241与顶面123之间的垂直距离d3。若第二沟槽126的底部1261与顶面123之间的垂直距离d2小于第一沟槽124的底部1241与顶面123之间的垂直距离d3，具有这样的第一沟槽124、第二沟槽126的研磨层122可确保第二沟槽126在第一沟槽124磨光前可从顶面123裸露。若底部1261与顶面123之间的垂直距离d2等于底部1241与顶面123之间的垂直距离d3，这样的研磨层122可确保第二沟槽126在第一沟槽124磨光时可同时从顶面123裸露。
在多个实施方式中，研磨层122具有至少一第一凸部121a与至少一第二凸部121b。第一凸部121a可视为固体部，且此固体部分开第一沟槽124的至少其中两者。第二沟槽126至少埋藏于研磨层122的第一凸部121a下方。第一凸部121a紧邻第一沟槽124，且第二凸部121b紧邻第二沟槽126。此外，第一沟槽124可对齐于第二凸部121b，而第二沟槽126可对齐于第一凸部121a。如此一来，第一沟槽124与第二沟槽126交替排列于研磨层122中。待第一凸部121a被研磨浆132(见图1)与多个晶圆210(见图1)磨损一段时间后，即使第一沟槽124逐渐磨光而容置越来越少的研磨浆132，第二沟槽126可被裸露与打开来容置在研磨层122上的研磨浆132，使得研磨垫120的研磨层122仍可维持足够量的研磨浆132来研磨晶圆210。
图6绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫120a的剖面图。如图6所示，第一支撑层128a其内还可具有凹槽1281。第一支撑层128a的凹槽1281连通于第二沟槽126，且凹槽1281大致与第二沟槽126对齐。
研磨垫120a还可包含粘胶1282。粘胶1282位于第一支撑层128a与研磨层122之间，且粘胶1282至少部分位于凹槽1281中。在组装研磨层122与第一支撑层128a的期间，粘胶1282可涂布在第一支撑层128a具有凹槽1281的表面。接着，研磨层122可粘合至第一支撑层128a的表面。由于第一支撑层128a其内具有凹槽1281，多余的粘胶1282可流入凹槽1281。如此一来，在第一支撑层128a中的凹槽1281可避免多余的粘胶1282流入研磨层122的第二沟槽126，使的第二沟槽126中的空间不会被粘胶1282占据。换句话说，第一支撑层128a的凹槽1281可确保第二沟槽126的空间是用来容置研磨浆。
图7绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫120b的剖面图。如图7所示，研磨垫120b还可包含另一研磨层122a。研磨层122a的结构可大致与研磨层122的结构相同。研磨层122a堆叠在研磨层122上，使得研磨层122a的底面125a接触研磨层122的顶面123。此外，研磨层122、122a的材料可包含聚氨酯(Polyurethane)，但并不用以限制本揭露的多个实施方式。
在多个实施方式中，研磨层122a的第一沟槽124a可对齐于研磨层122的第一沟槽124，且研磨层122a的第二沟槽126a可对齐于研磨层122的第二沟槽126。
当研磨垫120b使用于化学机械研磨设备时，因研磨垫120b具有包含位于不同水平面的第一沟槽124a、第二沟槽126a、第三沟槽124与第四沟槽126的四层沟槽，使得此设计可延长研磨垫120b的使用寿命，还可减少研磨垫120b的预防性保养(PM)次数。
图8绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫120c的剖面图。第二沟槽126b不仅埋藏于研磨层122b的顶面123下方，且埋藏于研磨层122b的底面125下。当第一沟槽124磨光时，第二沟槽126b可从顶面123裸露而继续容置研磨浆132(见图1)。此外，在多个实施方式中，粘胶1282位于研磨层122b与第一支撑层128之间。由于第二沟槽126b在第一沟槽124磨光前为封闭的空腔，因此当研磨层122b贴合于第一支撑层128时，在研磨层122b的底面125下方的粘胶1282不会流入第二沟槽126b。这样的设计可确保第二沟槽126b的空间不会被粘胶1282占据。
图9绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫120d的剖面图。如图9所示，研磨层122c还具有至少一第三沟槽126c。第三沟槽126c位于研磨层122c的顶面123下方。第二沟槽126b与研磨层122c的顶面123相隔第一垂直距离d4，第三沟槽126c与研磨层122c的顶面123相隔第二垂直距离d5，且第一垂直距离d4不同于第二垂直距离d5。在多个实施方式中，第一垂直距离d4小于第二垂直距离d5。当研磨垫120d使用于化学机械研磨设备时，因研磨垫120d具有包含位于不同水平面的第一沟槽124a、第二沟槽126b、第三沟槽126c的三层沟槽，因此可延长研磨垫120d的使用寿命并减少研磨垫120d的预防性保养(PM)次数。
图10绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的制作方法的流程图。此方法起始于文字方块310，形成具有顶面、至少一第一沟槽与至少一第二沟槽的研磨层。第一沟槽与第二沟槽各自与研磨层的顶面相隔不同的垂直距离。此方法接着为文字方块320，接合研磨层到至少一支撑层上。在接合研磨层后，研磨层的顶面背对于支撑层。
在多个实施方式中，研磨垫的研磨层可由三维(3D)打印形成。举例来说，研磨层可由三维打印的选择性激光烧结(Selective Laser Sintering；SLS)形成。在多个实施方式中，三维打印机可利用聚氨酯(Polyurethane)来制作包含研磨层的研磨垫。选择性激光烧结可分别在研磨层的顶面与底面分别形成第一沟槽与第二沟槽。另外，研磨垫的精度可介于约0.2mm至1.2mm的范围，而选择性激光烧结的精度可小于约0.07mm，因此，选择性激光烧结法可符合研磨垫所需的精度。
此外，第一沟槽可由机械加工研磨层的顶面而形成，且第二沟槽可由机械加工研磨层的底面而形成。这里指的“机械加工”意指未加工的材料件经受控的材料移除制程切削而成为所需的最终形状与尺寸的各种制程。
在多个实施方式中，研磨垫可经熟化而形成。形成研磨层可包含下列步骤。形成研磨层的第一层。接着，设置第一遮罩于研磨层的第一层上。接着在设置该第一遮罩后，熟化研磨层的第一层。之后，从研磨层的第一层移除第一遮罩，以在研磨层的第一层中产生至少一沟槽空间。接着，形成研磨层的第二层于研磨层的第一层上，且埋藏沟槽空间于研磨层的第二层下方而成为第一沟槽。第一层与第二层的材料可包含聚氨酯，但并不用以限制本揭露的多个实施方式，也可采用其他材料(如橡胶)经熟化而形成研磨垫。
此外，形成研磨层还可包含下列步骤。设置第二遮罩于研磨层的第二层上。接着在设置第二遮罩后，熟化研磨层的第二层。之后，从研磨层的第二层移除第二遮罩，以在研磨层的第二层中产生第二沟槽。在以下叙述中，将叙述一种研磨方法。
图11绘示根据本揭露多个实施方式的研磨方法的流程图。此方法起始于文字方块410，供应研磨浆至研磨垫上。研磨垫具有至少一开槽与至少一埋藏槽，且供应研磨浆是供应研磨浆的至少一部分至开槽中。此方法接着为文字方块420，托住抵靠在研磨垫的至少一工件(例如硅晶圆)。此方法接着为文字方块430，相对于研磨垫旋转工件。在旋转工件的过程中，研磨垫被磨损而裸露出埋藏槽。
在多个实施方式中，供应研磨浆还包含供应至少另一部分研磨浆至裸露的埋藏槽中。
为了让在研磨垫上的研磨浆维持特定的品质，且延长研磨垫的使用寿命，用于化学机械研磨设备的研磨垫、研磨垫的制作方法及研磨方法被设计来将研磨浆容置于第一沟槽及/或第二沟槽中，其中第一沟槽与第二沟槽分别位于研磨层的相对两侧。当研磨浆供应到研磨垫的研磨层上时，在研磨层顶面中的第一沟槽可容置研磨浆。待研磨层的顶面被多个晶圆研磨一段时间后，第一沟槽可被磨光而消失。然而，此时在研磨层底面的第二沟槽可由顶面裸露而继续容置研磨浆。如此一来，可提升晶圆的平坦化与合格率，可降低研磨浆的使用量，且可延长研磨垫的使用寿命。此外，对于研磨垫来说，在一段期间的预防性保养(PM)次数可以减少，进而可延长化学机械研磨设备的运作时间。
根据本揭露多个实施方式，一种研磨垫包含第一支撑层与研磨层。研磨层位于第一支撑层上。研磨层具有顶面与至少一第一空腔，其中顶面背对于第一支撑层，且第一空腔至少埋藏于研磨层的顶面下方。
在本揭露多个实施方式中，上述研磨层具有至少一开槽，且开槽在研磨层的顶面上。
在本揭露多个实施方式中，上述开槽的数量为多个。研磨层具有至少一固体部。固体部分开这些开槽的至少其中两者，且第一空腔至少埋藏于研磨层的固体部下方。
在本揭露多个实施方式中，上述研磨层具有朝向第一支撑层的底面，且第一空腔具有在研磨层的底面上的至少一开口。
在本揭露多个实施方式中，上述第一空腔的开口由第一支撑层覆盖。
在本揭露多个实施方式中，上述第一支撑层具有连通第一空腔的至少一凹槽。研磨垫还包含粘胶。粘胶至少位于第一支撑层与研磨层之间，粘胶至少部分位于凹槽中。
在本揭露多个实施方式中，上述研磨层还具有至少一第二空腔。第二空腔至少埋藏于研磨层的顶面下方。第一空腔与研磨层的顶面相隔第一垂直距离，第二空腔与研磨层的顶面相隔第二垂直距离，且第一垂直距离不同于第二垂直距离。
根据本揭露多个实施方式，一种研磨垫的制作方法包含：形成具有顶面、至少一第一沟槽与至少一第二沟槽的研磨层，其中第一沟槽与第二沟槽各自与研磨层的顶面相隔不同的垂直距离；接合研磨层到至少一支撑层上，其中在接合研磨层后，研磨层的顶面背对于支撑层。
在本揭露多个实施方式中，上述形成该研磨层包含：形成研磨层的一第一层。设置第一遮罩于研磨层的第一层上。在设置第一遮罩后，熟化研磨层的第一层。从研磨层的第一层移除第一遮罩，以在研磨层的第一层中产生至少一沟槽空间。形成研磨层的第二层于研磨层的第一层上，且埋藏沟槽空间于研磨层的第二层下方而成为第二沟槽。
根据本揭露多个实施方式，一种研磨方法包含：供应研磨浆至研磨垫上，其中研磨垫具有至少一开槽与至少一埋藏槽，且供应研磨浆是供应研磨浆的至少一部分至该开槽中；托住抵靠在研磨垫的至少一工件；相对于研磨垫旋转工件，其中在旋转工件的过程中，研磨垫被磨损而裸露出埋藏槽。
尽管参看本揭露的某些实施例已相当详细地描述了本揭露，但其他实施例系可能的。因此，所附申请专利范围的精神及范畴不应受限于本文所含实施例的描述。
将对熟悉此项技术者显而易见的是，可在不脱离本揭露的范畴或精神的情况下对本揭露的结构实行各种修改及变化。鉴于上述，本揭露意欲涵盖本揭露的修改及变化，前提是这些修改及变化属于权利要求书的范畴内。
上文概述若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可更好地理解本揭露的态样。熟悉此项技术者应了解，可轻易使用本揭露作为设计或修改其他制程及结构的基础，以便实施本文所介绍的实施例的相同目的及/或实现相同优势。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效结构并未脱离本揭露的精神及范畴，且可在不脱离本揭露的精神及范畴的情况下产生本文的各种变化、替代及更改。

Claims (20)

1.一种研磨垫，用于化学机械研磨设备，其特征在于，该研磨垫包含：
一第一支撑层，具有一凹槽；以及
一研磨层，位于该第一支撑层上，该研磨层具有一顶面与至少一第一空腔，其中该顶面背对于该第一支撑层，且该第一空腔至少埋藏于该研磨层的该顶面下方，该研磨层的该第一空腔覆盖该第一支撑层的该凹槽。
2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该第一空腔为埋藏槽。
3.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该研磨层具有至少一开槽，且该开槽在该研磨层的该顶面上。
4.根据权利要求3所述的研磨垫，其特征在于，该开槽的数量为多个，该研磨层具有至少一固体部，该固体部分开所述开槽的至少其中两者，且该第一空腔至少埋藏于该研磨层的该固体部下方。
5.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该研磨层具有朝向该第一支撑层的一底面，且该第一空腔埋藏在该研磨层的该底面上方。
6.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该研磨层具有朝向该第一支撑层的一底面，且该第一空腔具有在该研磨层的该底面上的至少一开口。
7.根据权利要求6所述的研磨垫，其特征在于，该第一空腔的该开口由该第一支撑层覆盖。
8.根据权利要求7所述的研磨垫，其特征在于，该第一支撑层的该凹槽连通该第一空腔。
9.根据权利要求8所述的研磨垫，其特征在于，还包含：
一粘胶，至少位于该第一支撑层与该研磨层之间，其中该粘胶至少部分位于该凹槽中。
10.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该研磨层还具有至少一第二空腔，该第二空腔至少埋藏于该研磨层的该顶面下方，该第一空腔与该研磨层的该顶面相隔一第一垂直距离，该第二空腔与该研磨层的该顶面相隔一第二垂直距离，且该第一垂直距离不同于该第二垂直距离。
11.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，该第一支撑层较该研磨层硬。
12.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，还包含：
一第二支撑层，其中该第一支撑层位于该第二支撑层与该研磨层之间。
13.一种研磨垫的制作方法，其特征在于，包含：
形成具有一顶面、至少一第一沟槽与至少一第二沟槽的一研磨层，其中该第一沟槽与该第二沟槽各自与该研磨层的该顶面相隔不同的垂直距离；以及
接合该研磨层到至少一支撑层上，其中在接合该研磨层后，该研磨层的该第二沟槽覆盖该支撑层的一凹槽，该研磨层的该顶面背对于该支撑层。
14.根据权利要求13所述的研磨垫的制作方法，其特征在于，该研磨层由三维打印形成。
15.根据权利要求13所述的研磨垫的制作方法，其特征在于，形成该研磨层包含：
形成该研磨层的一第一层；
设置一第一遮罩于该研磨层的该第一层上；
在设置该第一遮罩后，熟化该研磨层的该第一层；
从该研磨层的该第一层移除该第一遮罩，以在该研磨层的该第一层中产生至少一沟槽空间；以及
形成该研磨层的一第二层于该研磨层的该第一层上，且埋藏该沟槽空间于该研磨层的该第二层下方而成为该第二沟槽。
16.根据权利要求15所述的研磨垫的制作方法，其特征在于，形成该研磨层还包含：
设置一第二遮罩于该研磨层的该第二层上；
在设置该第二遮罩后，熟化该研磨层的该第二层；以及
从该研磨层的该第二层移除该第二遮罩，以在该研磨层的该第二层中产生该第一沟槽。
17.根据权利要求13所述的研磨垫的制作方法，其特征在于，该第一沟槽由机械加工该研磨层的该顶面而形成。
18.根据权利要求13所述的研磨垫的制作方法，其特征在于，该第二沟槽由机械加工该研磨层的一底面而形成。
19.一种研磨方法，其特征在于，包含：
将一研磨层粘合至一支撑层，使该研磨层的一埋藏槽覆盖该支撑层的一凹槽；
供应一研磨浆至该研磨层上，其中供应该研磨浆是供应该研磨浆的至少一部分至该研磨层的一开槽中；
托住抵靠在该研磨层的至少一工件；以及
相对于该研磨层旋转该工件，其中在旋转该工件的过程中，该研磨层被磨损而裸露出该埋藏槽。
20.根据权利要求19所述的研磨方法，其特征在于，供应该研磨浆还包含供应至少另一部分该研磨浆至裸露的该埋藏槽中。
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