TWI812936B - 研磨墊及研磨方法 - Google Patents
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Abstract
一種研磨墊，其適用於研磨物件、具有研磨軌跡區域且包括研磨層及黏著層。研磨層具有彼此相對的研磨面及粗化底面，其中所述粗化底面包括多個非連續性凹痕。黏著層黏著於所述粗化底面。
Description
本發明是有關於一種研磨墊及研磨方法，且特別是有關於一種與黏著層的黏著力提升的研磨墊以及使用所述研磨墊的研磨方法。
在產業的元件製造過程中，研磨製程是現今較常使用來使被研磨的物件表面達到平坦化的一種技術。在研磨製程中，物件的表面及研磨墊之間可選擇提供一研磨液，以及藉由物件與研磨墊彼此進行相對運動所產生的機械摩擦來進行平坦化。研磨墊的各層間之界面通常使用黏著層來緊密黏貼，但是在研磨製程期間，研磨液、廢液或因磨擦所產生的熱都有可能使得黏著層發生劣化、變形或黏性下降，因而導致研磨墊的各層間會發生分離的問題而影響研磨墊的穩定性。
因此，仍有需求提供得以提升研磨墊穩定性的手段，以供產業所選擇。
本發明提供一種研磨墊以及研磨方法，使得研磨墊可具有提升的穩定性。
本發明的研磨墊適用於研磨物件、具有研磨軌跡區域且包括研磨層及黏著層。研磨層具有彼此相對的研磨面及粗化底面，其中所述粗化底面包括多個非連續性凹痕。黏著層黏著於所述粗化底面。
本發明的研磨墊適用於研磨物件、具有研磨軌跡區域且包括研磨層、基底層及黏著層。基底層配置於所述研磨層下方，其中所述基底層具有粗化表面，所述粗化表面包括多個非連續性凹痕。黏著層黏著於所述粗化表面。
本發明的研磨方法包括以下步驟：提供研磨墊，其中研磨墊如上所述的研磨墊；對物件施加壓力以壓置於所述研磨墊的研磨面上；對所述物件及所述研磨墊提供相對運動以進行研磨程序。
基於上述，本發明的研磨墊透過包括底面具有多個非連續性凹痕的研磨層以及黏著於所述底面並填入多個非連續性凹痕的黏著層，或者表面具有多個非連續性凹痕的基底層以及黏著於所述表面並填入多個非連續性凹痕的黏著層，藉此提升了黏著層與研磨層之間的黏著力及黏著保持力，或者黏著層與基底層之間的黏著力及黏著保持力。如此一來，本發明的研磨墊可具有提升的穩定性。
本文使用的「約」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
圖1是依照本發明的一實施方式之研磨墊及研磨系統的上視示意圖。圖2是依照本發明的一實施方式之研磨墊的背視示意圖。圖3是沿圖1及圖2中剖線I-I’的剖面示意圖。圖4是圖3的研磨墊的局部放大示意圖。圖5是沿圖1及圖2中剖線II-II’的剖面示意圖。
請參照圖1，研磨系統1000包括研磨墊100以及物件200。請參照圖1及圖3，研磨墊100包括研磨層102以及黏著層110，其中黏著層110配置於研磨層102下方。在本實施方式中，研磨層102例如是由聚合物基材所構成，其中聚合物基材可以是聚酯（polyester）、聚醚（polyether）、聚氨酯（polyurethane）、聚碳酸酯（polycarbonate）、聚丙烯酸酯（polyacrylate）、聚丁二烯（polybutadiene）、或其餘經由合適之熱固性樹脂（thermosetting resin）或熱塑性樹脂（thermoplastic resin）所合成之聚合物基材，但本發明並不限於此。研磨層102除聚合物基材外，另可包含導電材料、研磨顆粒、微球體（micro-sphere）或可溶解添加物於此聚合物基材中。
在本實施方式中，研磨層102具有研磨面102a。當使用研磨墊100對物件200進行研磨程序時，物件200會與研磨層102的研磨面102a接觸，並在研磨層102上形成有研磨軌跡。詳細而言，如圖1所示，當使用研磨墊100對物件200進行研磨程序時，物件200在研磨面102a上的研磨軌跡位於研磨軌跡區域A內。在所示的實施方式中，研磨軌跡區域A分佈於整個研磨層102。然而，本發明並不限於此。研磨墊100可以適用於任何型式的研磨系統以研磨物件200，且物件200相對於研磨墊100的位置可視實際研磨製程而定。在一實施方式中，研磨軌跡區域A可經配置於研磨層102內且未與研磨墊100的旋轉中心C及邊緣接觸。在另一實施方式中，研磨軌跡區域A可經配置於研磨層102內且僅與研磨墊100的旋轉中心C及邊緣中的任一者接觸。另外，在研磨程序期間，研磨墊100是以旋轉中心C為中心沿著逆時針或順時針方向旋轉。旋轉中心C例如是位於研磨墊100的中心點。另外，在研磨程序期間，物件200係透過物件載具（未繪示）帶動而在研磨層102的研磨面102a上作運動。也就是說，在研磨程序期間，物件200與研磨層102的研磨面102a之間具有相對運動。在一些實施方式中，物件載具（未繪示）會帶動物件200在研磨層102的研磨面102a上作旋轉運動。在另一些實施方式中，物件載具（未繪示）除了帶動物件200在研磨層102的研磨面102a上作旋轉運動外，還包括帶動物件200在研磨層102的研磨面102a上作左右搖擺運動。於此些實施方式中，物件200左右搖擺運動的距離大小可視實際研磨製程而定。在上述實施方式中，物件200與研磨層102的研磨面102a之間所具有的相對運動會對研磨面102a產生一種剪切力（shear force）。在一些實施方式中，物件載具（未繪示）帶動物件200在研磨層102的研磨面102a上作旋轉運動及外擺動運動所產生的剪切力依據力學原理是屬於一種環狀循環剪切力。
在本實施方式中，研磨層102之研磨面102a上可包括多個研磨溝槽104，但本發明並不以此為限，研磨溝槽104的數量可視實際研磨製程而定，只要研磨墊100包括至少一個研磨溝槽104即落入本發明的範疇。另一方面，如圖1所示，在所示實施方式中，多個研磨溝槽104的分佈形狀為同心圓。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，研磨溝槽104所構成的分佈圖案可以例如是非同心圓、橢圓、多角環、螺旋環、不規則環、平行線狀、放射線狀、放射弧狀、螺旋狀、點狀、XY格子狀、交叉狀、多角格狀、不規則狀、或其組合。另外，如圖3所示，研磨溝槽104具有最大深度D1。
在本實施方式中，研磨層102具有與研磨面102a彼此相對的底面102b，且底面102b上包括多個非連續性凹痕106。也就是說，在本實施方式中，研磨層102的底面102b為非平整的表面。換言之，在本實施方式中，研磨層102的底面102b可視為粗化底面。如圖1及圖2所示，底面102b上之多個非連續性凹痕106配置於研磨軌跡區域A內。如前文所述，在所示實施方式中，研磨軌跡區域A分佈於整個研磨層102，因此多個非連續性凹痕106分佈於整個底面102b上。然而，本發明並不限於此。如前文所述，在其他實施方式中，依據所選用的研磨系統，多個非連續性凹痕106可僅分佈於底面102b之局部或特定的區域中。
在本實施方式中，多個非連續性凹痕106彼此相間隔開。如圖2所示，在半徑方向上，多個非連續性凹痕106具有非固定間距。另一方面，如圖2所示，在圓周方向上，多個非連續性凹痕106具有非固定間距。也就是說，在所示實施方式中，多個非連續性凹痕106不規則性地分佈於底面102b上。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，多個非連續性凹痕106可具有固定間距而規則性地分佈於底面102b上。舉例而言，在一實施方式中，在半徑方向及圓周方向上，多個非連續性凹痕106皆具有固定間距。從另一觀點而言，如圖2及圖3所示，底面102b更包括連續平面108，其連接於多個非連續性凹痕106。也就是說，在本實施方式中，彼此相間隔開的多個非連續性凹痕106經由連續平面108而彼此連接。換言之，底面102b中的多個非連續性凹痕106以外的區域即為連續平面108。
如圖3至圖5所示，非連續性凹痕106距離連續平面108具有最大深度D2。在一些實施方式中，非連續性凹痕106的最大深度D2介於約0.1 mm至約0.2 mm之間。另外，如圖3及圖4所示，多個非連續性凹痕106具有非固定的最大深度D2。也就是說，如圖3及圖4所示，底面102b上之多個非連續性凹痕106中至少兩者之間的底部不共平面。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，多個非連續性凹痕106可具有固定的最大深度D2。也就是說，底面102b上之多個非連續性凹痕106具有彼此共平面的底部。另外，在本實施方式中，非連續性凹痕106的最大深度D2小於研磨溝槽104的最大深度D1。
在本實施方式中，底面102b上之非連續性凹痕106可為由外加力量或能量造成的磨痕、刀痕、壓印痕、撞擊痕或其組合。在一實施方式中，當非連續性凹痕106為磨痕時，具有多個非連續性凹痕106的底面102b的形成方法包括進行研磨製程。所述研磨製程可透過使用表面上固定有研磨粒子的研磨帶來進行。詳細而言，所述研磨製程例如藉由研磨帶與研磨層102之與研磨面102a相對的底面之間的摩擦力來提供研磨帶與研磨層102之間的機械研磨，從而形成具有多個非連續性凹痕106的底面102b。在另一實施方式中，當非連續性凹痕106為刀痕時，具有多個非連續性凹痕106的底面102b的形成方法包括進行機械切削製程。所述機械切削製程可透過使用切削刀具來進行。詳細而言，可透過調整加工的參數，例如切削平台轉速、進給速度、切削深度、刀具、研磨層102的材質及形變特性等，而產生不同態樣的切削刀痕（即非連續性凹痕106）。在又一實施方式中，當非連續性凹痕106為壓印痕時，具有多個非連續性凹痕106的底面102b的形成方法包括進行壓印製程。所述壓印製程可透過使用表面上有圖案的印刷版來進行。詳細而言，所述壓印製程例如透過將印刷版與研磨層102之與研磨面102a相對的底面相接觸後進行加熱和/或加壓，從而形成具有多個非連續性凹痕106的底面102b。在又一實施方式中，當非連續性凹痕106為撞擊痕時，具有多個非連續性凹痕106的底面102b的形成方法包括進行撞擊製程。所述撞擊製程可透過細小粒子的衝撞來進行。詳細而言，所述撞擊製程例如是珠擊 （Shot Peening）製程，透過讓金屬細小粒子（例如鋼珠）在很高的速度下撞擊研磨層102之與研磨面102a相對的底面，從而形成具有多個非連續性凹痕106的底面102b。
在本實施方式中，如圖2所示，多個非連續性凹痕106的分佈圖案為環狀圖案。也就是說，在底面102b上，彼此先間隔開的多個非連續性凹痕106設置於同一半徑位置上。然而，本發明並不限於此。以下，將參照圖6A至圖6D對其他變化態樣進行詳細說明。圖6A至圖6D是依照本發明的其他實施方式之研磨墊的背視示意圖。
在另一實施方式中，多個非連續性凹痕106的分佈圖案可為平行圖案。如圖6A所示，多個非連續性凹痕106的分佈圖案可為平行直線圖案。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，多個非連續性凹痕106的分佈圖案可為平行曲線圖案、平行點狀圖案、平行弧狀圖案或是其它平行圖案。另外，在圖6A所示的實施方式中，多個非連續性凹痕106中的至少兩者位於同一虛擬延伸線V1上。另外，在圖6A所示的實施方式中，多個非連續性凹痕106不規則性地分佈於底面102b上。詳細而言，如圖6A所示，在平行於非連續性凹痕106的延伸方向的方向X和與方向X垂直的方向Y上，多個非連續性凹痕106具有非固定間距。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，在方向X和方向Y上，多個非連續性凹痕106可具有固定間距且規則性地分佈於底面102b上。
在另一實施方式中，多個非連續性凹痕106的分佈圖案可為非平行圖案。如圖6B所示，多個非連續性凹痕106的呈現為非平行圖案的分佈圖案可以網格圖案實現。詳細而言，在圖6B所示的實施方式中，多個非連續性凹痕106包括多個非連續性凹痕106a及多個非連續性凹痕106b，其中非連續性凹痕106a的延伸方向與非連續性凹痕106b的延伸方向彼此相交。如圖6B所示，雖然非連續性凹痕106a的延伸方向與非連續性凹痕106b的延伸方向的夾角為一銳角，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，非連續性凹痕106a的延伸方向與非連續性凹痕106b的延伸方向的夾角可為一直角或是一鈍角。另外，在圖6B所示的實施方式中，多個非連續性凹痕106a中的至少兩者位於同一虛擬延伸線V2上，且多個非連續性凹痕106b中的至少兩者位於同一虛擬延伸線V3上。另外，在圖6B所示的實施方式中，多個非連續性凹痕106不規則性地分佈於底面102b上。詳細而言，如圖6B所示，在非連續性凹痕106a的延伸方向和非連續性凹痕106b的延伸方向上，多個非連續性凹痕106具有非固定間距。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，在非連續性凹痕106a的延伸方向和非連續性凹痕106b的延伸方向上，多個非連續性凹痕106可具有固定間距且規則性地分佈於底面102b上。
另外，如圖6C所示，多個非連續性凹痕106的呈現為非平行圖案的分佈圖案可以放射狀圖案實現。在圖6C所示的實施方式中，多個非連續性凹痕106中的至少兩者位於同一虛擬延伸線V4上。另外，在圖6C所示的實施方式中，多個非連續性凹痕106不規則性地分佈於底面102b上。詳細而言，如圖6C所示，在半徑方向及圓周方向上，多個非連續性凹痕106具有非固定間距。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，在半徑方向及圓周方向上，多個非連續性凹痕106可具有固定間距且規則性地分佈於底面102b上。另外，雖然圖6C所示的非連續性凹痕106為直線狀，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，非連續性凹痕106可為弧線狀，如圖6D所示。
在本實施方式中，研磨層102為無孔洞層。在本文中，無孔洞層定義為：具有極少數的孔洞，甚或不含有任何孔洞的膜層。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，研磨層102可為多孔洞層。在本文中，多孔洞層定義為：具有多個大小不一的微小孔洞，且相較於無孔洞層，多孔洞層的孔洞數量大於無孔洞層。在又其他實施方式中，研磨層102也可包括多孔洞層及無孔洞層。在一些此類實施方式中，所述無孔洞層包覆所述多孔洞層，也就是說，底面102b位於所述無孔洞層的底表面。在另一些此類實施方式中，所述無孔洞層僅位於所述多孔洞層的上方，也就是說，相較於無孔洞層，多孔洞層更鄰近黏著層110，並且底面102b位於所述多孔洞層的底表面。在又一些此類實施方式中，所述無孔洞層僅位於所述多孔洞層的下方，也就是說，相較於多孔洞層，無孔洞層更鄰近於黏著層110，並且底面102b位於所述無孔洞層的底表面。另外，所述多孔洞層及無孔洞層可由相同的材料（如聚合物材料）所製成。另外，所述無孔洞層可為表皮層，多孔洞層可為主體層，且主體層與表皮層是由相同的聚合物材料所構成。
在本實施方式中，如圖3所示，黏著層110黏著於研磨層102的底面102b。在一實施方式中，黏著層110可用以將研磨層102的底面102b與研磨平台（未繪示）相黏。也就是說，研磨墊100可透過黏著於底面102b的黏著層110而黏著固定於研磨平台（未繪示）上。在本實施方式中，黏著層110為連續的膠層，其中所述膠層包括（但不限於）：無載體膠層或雙面膠層。上述膠層的材料例如是（但不限於）：壓克力系膠（acrylic-based adhesive）、矽酮系膠、橡膠矽膠、環氧樹脂系膠或聚胺酯系膠，但本發明並不限於此。
如圖3至圖5所示，黏著層110填入底面102b之多個非連續性凹痕106。如此一來，黏著層110與研磨層102的接觸面積得以增加，藉此提升了黏著層110與研磨層102之間的黏著保持力，因而使得研磨墊100在進行研磨製程的過程中與研磨機台可以保持良好的黏著狀態，可具有提升的穩定性。另外，如圖5所示，非連續性凹痕106的深度可以是先深後淺或是先淺後深。也就是說，順著非連續性凹痕106的形成方向，非連續性凹痕106具有非固定的深度。以非連續形凹痕106的深度為先深後淺為例進一步說明，非連續性凹痕106會形成類似鉤子的形狀（如圖5所示），使得後續黏著層110填入底面102b後，位於非連續性凹痕106內的黏著層110也順應具有類似鉤子的形狀（如圖5所示）。也就是說，在研磨墊100中，黏著層110與研磨層102之間存在有類似鉤子形狀的接觸面積。如此一來，當研磨層102被施加外力時，黏著層110與研磨層102可因前述類似鉤子形狀的接觸面積而彼此緊密地相抓住，使得黏著層110與研磨層102不會因外力而產生脫離現象，能有效提升黏著層110與研磨層102之間的黏著保持力。
從另一觀點而言，在研磨製程期間，透過黏著層110填入底面102b上之配置於研磨軌跡區域A內的多個非連續性凹痕106，使得可產生用以抵抗物件200與研磨層102的研磨面102a在研磨過程中因相對運動所產生的剪切力的抗反向作用力。也就是說，黏著層110與研磨層102之間具有良好的抗剪切力特性。如此一來，當使用研磨墊100對物件200進行研磨程序時，透過在底面102b上設置位於研磨軌跡區域A內的多個非連續性凹痕106，可降低剪切力作用對黏著層110的影響，因而降低黏著層110產生脫膠發生的機會且提升其黏著保持力。在一些實施方式中，上述所提到的剪切力依據力學原理屬於一種環狀循環剪切力，其是在研磨過程中因物件200在研磨墊上做旋轉及擺動運動導致在環狀方向所產生的剪切力。
為了證實本發明所提出之研磨墊在提升了黏著保持力上的效果，實際做了抗剪切力(黏著保持力)實驗。在實驗測試中，所使用的測試方法以及樣本設定如下，且測試結果列於表1中。
抗剪切力(黏著保持力)測試方法：採用ASTM D3654標準測試方法。
黏著層的材料：壓克力系膠。
樣本1~10：樣本1為不形成有凹痕的測試基材，而樣本2~10分別為形成有不同角度的非連續性凹痕的測試基材，其中前述非連續性凹痕的深度於此測試中順著形成方向為先深後淺，且前述測試基材的材質為聚氨酯聚合物。
表1
| 樣本1 | 樣本2 | 樣本3 | 樣本4 | 樣本5 | |
| 角度(度) | 無凹痕 | 0 | 30 | 45 | 60 |
| 抗剪切力維持時間(小時) | 6.8 | 34.0 | 28.9 | 22.9 | 23.1 |
| 註：角度代表凹痕的形成方向與剪切力方向(即重力方向)所夾的角度 |
表1（續）
| 樣本6 | 樣本7 | 樣本8 | 樣本9 | 樣本10 | |
| 角度(度) | 90 | 120 | 135 | 150 | 180 |
| 抗剪切力維持時間(小時) | 22.2 | 27.8 | 30.5 | 30.0 | 36.0 |
| 註：角度代表凹痕的形成方向與剪切力方向(即重力方向)所夾的角度 |
由表1可看出，相較於不形成有凹痕的樣本1，形成有非連續性磨痕的樣本2~10都具有較佳的抗剪力維持時間。在研磨製程中，因被研磨物件與研磨墊之間的相對運動，使得研磨墊必須在長時間承受剪切力作用下仍能夠保持不脫落，因此抗剪切力維持時間是測試研磨墊效能極重要的一個指標。據此，根據上述實驗結果可知，與未設置有非連續性凹痕的研磨墊相比，本發明之於研磨層上形成有非連續性凹痕的研磨墊具有較佳的黏著保持力效能及穩定性。
另外，由表1可知，相對於剪切力方向，不同的凹痕形成方向會影響黏著層與樣本之間的抗剪切力特性。以樣本2及樣本10為例進行說明，如前文所述，樣本2的角度為0度表示樣本2的凹痕方向與剪切力的方向相同，而樣本10的角度為180度表示樣本10的凹痕方向與剪切力的方向相反。由表1所顯示的結果可知，樣本2與樣本10的抗剪切力維持時間分別為34小時與36小時，皆比無凹痕的樣本1的抗剪切力維持時間6.8小時長五倍左右。此外，如前文所述，於此測試中所形成的非連續性凹痕造成了深度由深至淺的形狀，藉此樣本2與樣本10之黏著層因順應著凹痕的形狀填入凹痕中而同樣具有由深至淺的形狀，其中樣本2由於其凹痕形成方向與剪切力方向相同以至於其形成倒鉤的效果略低於凹痕形成方向與剪切力方向相反的樣本10，因此樣本10比樣本2的抗剪切力維持時間較長。綜合上述，在本發明之研磨墊中，可視實際研磨製程（例如物件200與研磨面102a之間所具有相對運動的態樣）來調整於研磨軌跡區域A內的多個非連續性凹痕106的分佈圖案，以使黏著層110與研磨層102之間的抗剪切力特性(黏著保持力)獲得提升。
如前文所述，在圖1至圖5所示的實施方式中，研磨墊100包括研磨層102以及配置於研磨層102下方的黏著層110，且研磨墊100透過黏著層110而黏著固定於研磨平台。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，研磨墊100可更包括設置於所述黏著層110下方的基底層、防水層、其他黏著層或其組合。以下，將參照圖7及圖8對其他變化態樣進行詳細說明。
圖7是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。請同時參照圖7及圖3，圖7的研磨墊300與圖3的研磨墊100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者之間的差異處進行說明。
請參照圖7，研磨墊300包括配置於黏著層110下方的基底層302及黏著層304。詳言之，基底層302的主要作用在於襯墊研磨層102，藉由前述黏著層110的黏合作用而使得研磨層102與基底層302得以黏結在一起。如圖7所示，在本實施方式中，黏著層110黏著於基底層302的表面302a。在本實施方式中所使用到的基底層302的材質可例如為聚氨酯、聚丁二烯、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯與乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物、或聚丙烯與乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物，但本發明並不限於此。在本實施方式中，黏著層110為連續的膠層，其中所述膠層包括（但不限於）：無載體膠、雙面膠、熱熔膠或溼氣硬化膠。上述膠層的材料可例如是（但不限於）：壓克力系膠、矽酮系膠、橡膠系膠、環氧樹脂系膠或聚氨酯系膠，但本發明並不限於此。
如圖7所示，在本實施方式中，基底層302之與表面302a彼此相對的表面302b上包括多個非連續性凹痕306。也就是說，在本實施方式中，基底層302的表面302b為非平整的表面。換言之，在本實施方式中，基底層302的表面302b可視為粗化表面。圖7所示實施方式中的非連續性凹痕306與圖1所示實施方式中的對應者（即非連續性凹痕106）相同或相似，而非連續性凹痕106的相關內容已於前述實施方式中進行詳盡描述，故一些相關說明即不再贅述，並且關於省略部分的說明可參考前述圖1至圖6D所示的實施方式。另外，如圖7所示，由於表面302a較表面302b鄰近於研磨層102，故表面302a可稱為基底層302的上表面，而表面302b則可稱為基底層302的下表面。
如圖7所示，表面302b更包括連續平面308，其連接於多個非連續性凹痕306。也就是說，在本實施方式中，彼此相間隔開的多個非連續性凹痕306經由連續平面308而彼此連接。換言之，底面302b中的多個非連續性凹痕306以外的區域即為連續平面308。另外，如圖7所示，非連續性凹痕306距離連續平面308具有最大深度D3。在一些實施方式中，非連續性凹痕306的最大深度D3介於約0.1 mm至約0.2 mm之間。另外，如圖7所示，多個非連續性凹痕306具有非固定的最大深度D3。也就是說，如圖7所示，表面302b上之多個非連續性凹痕306中至少兩者之間的底部不共平面。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，多個非連續性凹痕306可具有固定的最大深度D3。也就是說，表面302b上之多個非連續性凹痕306具有彼此共平面的底部。另外，在本實施方式中，非連續性凹痕306的最大深度D3小於研磨溝槽104的最大深度D1。
在本實施方式中，基底層302為無孔洞層。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，基底層302可為多孔洞層。在又其他實施方式中，基底層302可包括：多孔洞層及無孔洞層。在一些此類實施方式中，所述無孔洞層包覆所述多孔洞層，也就是說，表面302a位於所述無孔洞層的上表面，而表面302b位於所述無孔洞層的下表面。在另一些此類實施方式中，所述無孔洞層僅位於所述多孔洞層的上方，也就是說，相較於多孔洞層，無孔洞層更鄰近黏著層110，並且表面302b位於所述多孔洞層的下表面。在又一些此類實施方式中，所述無孔洞層僅位於所述多孔洞層的下方，也就是說，相較於無孔洞層，多孔洞層更鄰近黏著層110，並且表面302b位於所述無孔洞層的下表面。另外，所述多孔洞層及無孔洞層可由相同的材料（如聚合物材料）所製成。另外，所述無孔洞層可為表皮層，多孔洞層可為主體層，且主體層與表皮層可由相同的聚合物材料所構成。
在本實施方式中，如圖7所示，黏著層304配置於基底層302下方。詳言之，黏著層304黏著於基底層302的表面302b。在一實施方式中，黏著層304可用以將基底層302的表面302b與研磨平台（未繪示）相黏貼。也就是說，研磨墊300可透過黏著於表面302b的黏著層304而黏著固定於研磨平台（未繪示）上。在本實施方式中，黏著層304為連續的膠層，其中所述膠層包括（但不限於）：無載體膠層或雙面膠層。上述膠層的材料例如是（但不限於）：壓克力系膠、矽酮系膠、橡膠矽膠、環氧樹脂系膠或聚胺酯系膠，但本發明並不限於此。
如圖7所示，黏著層304填入表面302b上之多個非連續性凹痕306。如此一來，黏著層304與基底層302的接觸面積得以增加，藉此提升了黏著層304與基底層302之間的黏著保持力，因而使得研磨墊300在進行研磨製程的過程中與研磨機台可以保持良好的黏著狀態，可具有提升的穩定性。另外，類似於非連續性凹痕106，由於非連續性凹痕306可形成為具有類似鉤子的形狀，後續順應填入表面302b的黏著層304會與基底層302之間存在有類似鉤子形狀的接觸面積。如此一來，當基底層302被施加外力時，黏著層304與基底層302可因前述類似鉤子形狀的接觸面積而彼此緊密地相抓住，使得黏著層304與基底層302不會因外力而產生脫離現象，能有效提升黏著層304與基底層302之間的黏著保持力。
從另一觀點而言，在研磨製程期間，透過黏著層304填入表面302b上之配置於研磨軌跡區域A內的多個非連續性凹痕306，使得可產生用以抵抗物件200與研磨層102的研磨面102a在研磨過程中因相對運動所產生的剪切力的抗反向作用力。也就是說，黏著層304與基底層302之間具有良好的抗剪切力特性。如此一來，當使用研磨墊300對物件200進行研磨程序時，透過在表面302b上設置位於研磨軌跡區域A內的多個非連續性凹痕306，可降低剪切力作用對黏著層304的影響，因而降低黏著層304產生脫膠發生的機會且提升其黏著保持力。在一些實施方式中，上述所提到的剪切力依據力學原理屬於一種環狀循環剪切力，其是在研磨過程中因物件200在研磨墊上做旋轉及擺動運動導致在環狀方向所產生的剪切力。
圖8是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。請同時參照圖8及圖7，圖8的研磨墊400與圖7的研磨墊300相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者之間的差異處進行說明。
如圖8所示，在研磨墊400中，除了基底層302的表面302b上包括多個非連續性凹痕306外，表面302a上也包括多個非連續性凹痕406。也就是說，在圖8所示的實施方式中，基底層302的兩個表面（即表面302a及表面302b，或又稱上表面及下表面）都可視為粗化表面。圖8所示實施方式中的非連續性凹痕406與圖1所示實施方式中的對應者（即非連續性凹痕106）相同或相似，而非連續性凹痕106的相關內容已於前述實施方式中進行詳盡描述，故一些相關說明即不再贅述，並且關於省略部分的說明可參考前述圖1至圖6D所示的實施方式。
如圖8所示，表面302a更包括連續平面408，其連接於多個非連續性凹痕406。也就是說，在本實施方式中，彼此相間隔開的多個非連續性凹痕406經由連續平面408而彼此連接。換言之，底面302a中的多個非連續性凹痕406以外的區域即為連續平面408。另外，如圖8所示，非連續性凹痕406距離連續平面408具有最大深度D4。在一些實施方式中，非連續性凹痕406的最大深度D4介於約0.1 mm至約0.2 mm之間。另外，如圖8所示，多個非連續性凹痕406具有非固定的最大深度D4。也就是說，如圖8所示，表面302a上之多個非連續性凹痕406中至少兩者之間的底部不共平面。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，多個非連續性凹痕406可具有固定的最大深度D4。也就是說，表面302a上之多個非連續性凹痕406具有彼此共平面的底部。另外，在本實施方式中，非連續性凹痕406的最大深度D4小於研磨溝槽104的最大深度D1。
在基底層302包括多孔洞層及無孔洞層，且所述無孔洞層包覆所述多孔洞層的實施方式中，表面302a位於所述無孔洞層上。也就是說，在此類實施方式中，基底層302的兩個表面（即表面302a及表面302b）都位於所述無孔洞層上。
在本實施方式中，如圖8所示，黏著層110填入表面302a上之多個非連續性凹痕406。如此一來，黏著層110與基底層302的接觸面積得以增加，藉此提升了黏著層110與基底層302之間的黏著保持力，因而使得研磨墊400在進行研磨製程的過程中與研磨機台可以保持良好的黏著狀態，可具有提升的穩定性。另外，類似於非連續性凹痕106，由於非連續性凹痕406可形成為具有類似鉤子的形狀，將順應填入表面302a的黏著層110會與基底層302之間存在有類似鉤子形狀的接觸面積。如此一來，當基底層302被施加外力時，黏著層110與基底層302可因前述類似鉤子形狀的接觸面積而彼此緊密地相抓住，使得黏著層110與基底層302不會因外力而產生脫離現象，能有效提升黏著層110與基底層302之間的黏著保持力。
從另一觀點而言，在研磨製程期間，透過黏著層110填入表面302a上之配置於研磨軌跡區域A內的多個非連續性凹痕406，使得可產生用以抵抗物件200與研磨層102的研磨面102a在研磨過程中因相對運動所產生的剪切力的抗反向作用力。也就是說，黏著層110與基底層302之間具有良好的抗剪切力特性。如此一來，當使用研磨墊400對物件200進行研磨程序時，透過在表面302a上設置位於研磨軌跡區域A內的多個非連續性凹痕406，可降低剪切力作用對黏著層110的影響，因而降低黏著層110產生脫膠發生的機會且提升其黏著保持力。在一些實施方式中，上述所提到的剪切力依據力學原理屬於一種環狀循環剪切力，其是在研磨過程中因物件200在研磨墊上做旋轉及擺動運動導致在環狀方向所產生的剪切力。
另外，如圖7及圖8所示，雖然在研磨墊300及研磨墊400中，研磨層102和基底層302都具有粗化表面（例如：研磨層102的底面102b、基底層302的表面302a、基底層302的表面302b），但本發明並不以此為限。在其他實施方式中，研磨層102可不具有粗化表面。也就是說，研磨層和基底層中的至少一者具有粗化表面即落入本發明的範疇內。另外，在其他實施方式中，基底層302中可只有表面302a為粗化表面。
圖9是依照本發明的一實施方式的研磨方法的流程圖。此研磨方法適用於研磨物件。詳細而言，此研磨方法可應用於製造工業元件的研磨製程，例如是應用於電子產業的元件，其可包括半導體、積體電路、微機電、能源轉換、通訊、光學、儲存碟片、及顯示器等元件，而製作這些元件所使用的物件可包括半導體晶圓、ⅢⅤ族晶圓、儲存元件載體、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但並非用以限定本發明的範圍。
請參照圖9，首先，進行步驟S10，提供研磨墊。詳細而言，在本實施方式中，研磨墊可以是前述實施方式中所述的任一種研磨墊，例如研磨墊100/300/400。而所述研磨墊100/300/400的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。
接著，進行步驟S12，對物件施加壓力。藉此，物件會被壓置於所述研磨墊上，並與所述研磨墊接觸。詳細而言，在本實施方式中，物件可以是前述實施方式中所述的物件200，而所述物件200的相關描述已於前文進行詳盡地說明，故於此不再贅述。另外，如前文所述，物件會與研磨墊100/300/400的研磨層102的研磨面102a接觸。另外，對物件施加壓力的方式例如是使用能夠固持物件的載具來進行。
之後，進行步驟S14，對所述物件及所述研磨墊提供相對運動，以利用所述研磨墊對所述物件進行研磨程序，而達到平坦化的目的。詳細而言，對物件及研磨墊提供相對運動的方法例如是：透過研磨平台進行旋轉來帶動固定於研磨平台上的研磨墊旋轉。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1000:研磨系統
100、300、400:研磨墊
102:研磨層
102a:研磨面
102b:底面
104:研磨溝槽
106、106a、106b、306、406:非連續性凹痕
108、308、408:連續平面
110、304:黏著層
200:物件
302:基底層
302a、302b:表面
A:研磨軌跡區域
C:旋轉中心
D1、D2、D3、D4:最大深度
S10、S12、S14:
V1、V2、V3、V4:虛擬延伸線
X、Y:方向
圖1是依照本發明的一實施方式之研磨墊及研磨系統的上視示意圖。
圖2是依照本發明的一實施方式之研磨墊的背視示意圖。
圖3是沿圖1及圖2中剖線I-I’的剖面示意圖。
圖4是圖3的研磨墊的局部放大示意圖。
圖5是沿圖1及圖2中剖線II-II’的剖面示意圖。
圖6A至圖6D是依照本發明的其他實施方式之研磨墊的背視示意圖。
圖7是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。
圖8是依照本發明的另一實施方式的研磨墊的剖面示意圖。
圖9是依照本發明的另一實施方式的研磨方法的流程圖。
102:研磨層
102a:研磨面
102b:底面
104:研磨溝槽
106:非連續性凹痕
108:連續平面
110:黏著層
D1:最大深度
Claims (26)
- 一種研磨墊，適用於研磨物件，且具有研磨軌跡區域，其中所述研磨墊包括：研磨層，具有彼此相對的研磨面及粗化底面，其中所述粗化底面包括多個非連續性凹痕，所述多個非連續性凹痕中的至少一非連續性凹痕順著所述至少一非連續性凹痕的形成方向具有深度梯度而具有鉤子形狀，且所述研磨層包含聚合物基材；以及黏著層，黏著於所述粗化底面，其中所述黏著層接觸所述聚合物基材，且所述黏著層填入所述至少一非連續性凹痕而具有所述鉤子形狀，其中所述多個非連續性凹痕的分佈圖案包括平行圖案、非平行圖案、網格圖案、放射狀圖案、或環狀圖案。
- 如請求項1所述的研磨墊，其中所述多個非連續性凹痕具有固定間距，使所述多個非連續性凹痕規則性地分佈於所述粗化底面。
- 如請求項1所述的研磨墊，其中所述多個非連續性凹痕具有非固定間距，使所述多個非連續性凹痕不規則性地分佈於所述粗化底面。
- 如請求項1所述的研磨墊，其中所述多個非連續性凹痕中的至少兩個非連續性凹痕位於同一虛擬延伸線上。
- 如請求項1所述的研磨墊，其中所述多個非連續性凹痕配置於所述研磨軌跡區域內。
- 如請求項1所述的研磨墊，其中所述多個非連續性凹痕包括磨痕、刀痕、壓印痕、撞擊痕、或其組合。
- 如請求項1所述的研磨墊，其中所述粗化底面中的所述多個非連續性凹痕以外的區域為一連續平面。
- 如請求項7所述的研磨墊，其中所述研磨層為無孔洞層。
- 如請求項7所述的研磨墊，其中所述研磨層包括多孔洞層及無孔洞層，所述無孔洞層包覆所述多孔洞層。
- 如請求項7所述的研磨墊，其中所述研磨層包括多孔洞層及無孔洞層，所述多孔洞層位於所述無孔洞層的下方，以及所述粗化底面位於所述多孔洞層的底表面。
- 如請求項7所述的研磨墊，其中所述研磨層包括多孔洞層及無孔洞層，所述無孔洞層位於所述多孔洞層的下方，以及所述粗化底面位於所述無孔洞層的底表面。
- 如請求項1所述的研磨墊，其中所述黏著層填入所述多個非連續性凹痕中的其餘非連續性凹痕。
- 一種研磨墊，適用於研磨物件，且具有研磨軌跡區域，其中所述研磨墊包括：研磨層；基底層，配置於所述研磨層下方，其中所述基底層具有粗化表面，所述粗化表面包括多個非連續性凹痕，其中所述多個非連續性凹痕包括磨痕、刀痕、壓印痕、撞擊痕、或其組合，以及所 述多個非連續性凹痕中的至少一非連續性凹痕順著所述至少一非連續性凹痕的形成方向具有深度梯度而具有鉤子形狀，其中所述多個非連續性凹痕的分佈圖案包括平行圖案、非平行圖案、網格圖案、放射狀圖案、或環狀圖案；以及黏著層，黏著於所述粗化表面，其中所述黏著層填入所述至少一非連續性凹痕而具有所述鉤子形狀。
- 如請求項13所述的研磨墊，其中所述多個非連續性凹痕具有固定間距，使所述多個非連續性凹痕規則性地分佈於所述粗化表面。
- 如請求項13所述的研磨墊，其中所述多個非連續性凹痕具有非固定間距，使所述多個非連續性凹痕不規則性地分佈於所述粗化表面。
- 如請求項13所述的研磨墊，其中所述多個非連續性凹痕中的至少兩個非連續性凹痕位於同一虛擬延伸線上。
- 如請求項13所述的研磨墊，其中所述多個非連續性凹痕配置於所述研磨軌跡區域內。
- 如請求項13所述的研磨墊，其中所述粗化表面中的所述多個非連續性凹痕以外的區域為一連續平面。
- 如請求項18所述的研磨墊，其中所述基底層為無孔洞層。
- 如請求項18所述的研磨墊，其中所述基底層包括多孔洞層及無孔洞層，所述無孔洞層包覆所述多孔洞層。
- 如請求項18所述的研磨墊，其中所述基底層包括相對設置的上表面及下表面，且所述粗化表面位於所述基底層的所述下表面。
- 如請求項18所述的研磨墊，其中所述基底層包括相對設置的上表面及下表面，且所述粗化表面位於所述基底層的所述上表面。
- 如請求項18所述的研磨墊，其中所述基底層包括相對設置的上表面及下表面，且所述粗化表面位於所述基底層的所述上表面及所述下表面。
- 如請求項13所述的研磨墊，其中所述黏著層填入所述多個非連續性凹痕中的其餘非連續性凹痕。
- 一種研磨方法，包括：提供研磨墊，所述研磨墊如申請專利範圍第1至12項中任一項所述的研磨墊；對物件施加壓力以壓置於所述研磨墊的所述研磨面上；以及對所述物件及所述研磨墊提供相對運動以進行研磨程序。
- 一種研磨方法，包括：提供研磨墊，所述研磨墊如申請專利範圍第13至24項中任一項所述的研磨墊；對物件施加壓力以壓置於所述研磨墊的所述研磨面上；以及對所述物件及所述研磨墊提供相對運動以進行研磨程序。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003105191A2 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Subpad having robust, sealed edges |
| JP2007035917A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド、シリコンウエハおよび研磨機 |
| TW201943495A (zh) * | 2018-04-19 | 2019-11-16 | 智勝科技股份有限公司 | 研磨墊、研磨墊的製造方法及研磨方法 |
| TW202045304A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-16 | 智勝科技股份有限公司 | 研磨墊、研磨墊的製造方法以及研磨方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7549914B2 (en) * | 2005-09-28 | 2009-06-23 | Diamex International Corporation | Polishing system |
| TWI288048B (en) * | 2005-10-20 | 2007-10-11 | Iv Technologies Co Ltd | A polishing pad and producing method thereof |
| JP5105095B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-12-19 | Ｊｓｒ株式会社 | 化学機械研磨パッドの製造方法および被研磨体の加工方法 |
| JP2010056184A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法 |
| JP6372662B2 (ja) * | 2014-10-03 | 2018-08-15 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド固定用テープおよび研磨パッド |
-
2021
- 2021-04-01 TW TW110112222A patent/TWI812936B/zh active
-
2022
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003105191A2 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Subpad having robust, sealed edges |
| JP2007035917A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド、シリコンウエハおよび研磨機 |
| TW201943495A (zh) * | 2018-04-19 | 2019-11-16 | 智勝科技股份有限公司 | 研磨墊、研磨墊的製造方法及研磨方法 |
| TW202045304A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-16 | 智勝科技股份有限公司 | 研磨墊、研磨墊的製造方法以及研磨方法 |
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