KR101919201B1 - 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 연마 방법 - Google Patents

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Abstract

화학 기계적 연마 장치용 연마 패드는 제1 지지 층 및 연마 층을 포함한다. 연마 층은 제1 지지 층 상에 있다. 연마 층은 제1 지지 층을 등지고 있는 상부 표면 및 적어도 연마 층의 상부 표면 아래에 매립된 적어도 하나의 제1 캐비티를 갖는다.

Description

연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 연마 방법{POLISHING PAD, METHOD FOR MANUFACTURING POLISHING PAD, AND POLISHING METHOD}
우선권 주장 및 상호참조
본 출원은, 2015년 11월 30일 출원된 미국 가출원 번호 62/261,016호의 우선권을 주장하며, 이는 참조에 의해 여기에 포함된다.
화학 기계적 연마/평탄화(CMP; Chemical mechanical polishing/planarization)는 화학적 및 기계적 힘의 조합으로 표면을 평활화(smoothing)하는 프로세스이다. 프로세스는 연마 패드와 함께 연마성 및 부식성 화학 슬러리를 사용한다. CMP 프로세스는 웨이퍼 상의 재료를 제거할 수 있고 웨이퍼의 불규칙적 토포그래피를 고르게 하려고 하며 웨이퍼를 평평하거나 평면이 되게 한다. 본 발명의 배경이 되는 기술은 일본 공개특허공보 특개2006-187819호에 개시되어 있다.
화학 기계적 연마 장치용 연마 패드는 제1 지지 층 및 연마 층을 포함한다. 연마 층은 제1 지지 층 상에 있다. 연마 층은 제1 지지 층을 등지고 있는 상부 표면 및 적어도 연마 층의 상부 표면 아래에 매립된 적어도 하나의 제1 캐비티를 갖는다.
본 개시의 양상은 다음의 상세한 설명으로부터 첨부 도면과 함께 볼 때 가장 잘 이해된다. 산업계에서의 표준 실시에 따라 다양한 특징부들이 실축척대로 도시되지 않은 것을 유의하여야 한다. 사실상, 다양한 특징부들의 치수는 설명을 명확하게 하기 위해 임의로 증가되거나 감소되었을 수 있다.
도 1은 본 개시의 일부 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 화학 기계적 연마 장치의 연마 패드의 부분 확대도이다.
도 3은 도 2에 도시된 선 3-3을 따라 취한 연마 패드의 단면도이다.
도 4는 연마 패드의 제1 홈이 노출된 후의, 도 3에 도시된 연마 패드의 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 연마 층의 부분 확대도이다.
도 6은 본 개시의 일부 실시예에 따른 연마 패드의 단면도이다.
도 7은 본 개시의 일부 실시예에 따른 연마 패드의 단면도이다.
도 8은 본 개시의 일부 실시예에 따른 연마 패드의 단면도이다.
도 9는 본 개시의 일부 실시예에 따른 연마 패드의 단면도이다.
도 10은 본 개시의 일부 실시예에 따라 연마 패드를 제조하는 방법의 흐름도이다.
도 11는 본 개시의 일부 실시예에 따른 연마 방법의 흐름도이다.
다음의 개시는 제공되는 주제의 상이한 특징들을 구현하기 위한 많은 다양한 실시예 또는 예를 제공한다. 컴포넌트 및 구성의 구체적 예가 본 개시를 단순화하도록 아래에 기재된다. 이들은 물론 단지 예일 뿐이며 한정하고자 하는 것이 아니다. 예를 들어, 이어지는 다음 기재에 있어서 제2 특징부 상에 또는 위에 제1 특징부를 형성하는 것은, 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉하여 형성되는 실시예를 포함할 수 있고, 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉하지 않도록 제1 특징부와 제2 특징부 사이에 추가의 특징부가 형성될 수 있는 실시예도 또한 포함할 수 있다. 또한, 본 개시는 다양한 예에서 참조 번호 및/또는 문자를 반복할 수 있다. 이 반복은 단순하고 명확하게 하기 위한 목적인 것이며, 그 자체가 설명되는 다양한 실시예 및/또는 구성 간의 관계를 지시하는 것은 아니다.
또한, “밑에”, “아래에”, “하부”, “위에”, “상부” 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어는, 도면에 예시된 바와 같이 하나의 구성요소 또는 특징부의 또다른 구성요소(들) 또는 특징부(들)에 대한 관계를 기재하고자 설명을 쉽게 하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시된 배향에 더하여 사용중이거나 동작중인 디바이스의 상이한 배향들을 망라하도록 의도된다. 장치는 달리 배향될 수 있고(90도 회전되거나 또는 다른 배향으로), 여기에서 사용된 공간적으로 상대적인 기술자는 마찬가지로 그에 따라 해석될 수 있다.
본 개시는 구체적 상황의 실시예에 관련하여, 즉 상이한 수평 레벨에 각각 제1 및 제2 홈을 갖는 연마 패드의 연마 층에 관련하여 기재될 것이다. 제1 및 제2 홈은 웨이퍼를 연마하기 위한 슬러리를 수용하는데 사용될 수 있다. 연마 층의 상부 표면에 제2 홈이 존재할 때, 슬러리는 제2 홈 안으로 흐를 수 있고 웨이퍼를 연마하기 위해 제2 홈에 의해 저장될 수 있다. 제2 홈이 마모되어 소실된 후에, 연마 층에 매립된 제1 홈이 연마 층의 상부 표면을 통해 노출된다. 그 결과, 슬러리는 제1 홈 안으로 흐를 수 있고 웨이퍼를 계속해서 연마하기 위해 제1 홈에 의해 저장될 수 있다. 그러나 본 개시의 실시예는 또한 다양한 연마 패드에 적용될 수 있다. 첨부 도면에 관련하여 다양한 실시예들이 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 본 개시의 일부 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치(100)의 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 화학 기계적 연마 장치(100)는 가압판(platen)(110), 연마 패드(120), 슬러리 피드(130), 및 캐리어 디바이스(140)를 포함한다. 연마 패드(120)는 가압판(110) 상에 존재하고 연마 층(122)을 갖는다. 슬러리 피드(130) 및 캐리어 디바이스(140)는 연마 층(122) 위에 존재한다. 화학 기계적 연마 장치(100)가 동작 중일 때, 슬러리 피드(130)는 연마 층(122)에 슬러리(132)를 디스펜싱할 수 있고, 연마 패드(120)는 가압판(110)에 의해 방향 D1로 회전될 수 있다. 슬러리(132)가 연마 패드(120)의 연마 층(122) 위에 분포된 후에, 캐리어 디바이스(140)는 연마 층(122)에 대항하여 방향 D2로 웨이퍼(210)를 밀어낼 수 있고, 그리하여 연마 층(122)과 접촉해 있는 웨이퍼(210)의 한쪽 면이 슬러리(132)에 의해 연마될 수 있다. 웨이퍼(210)의 부가의 평탄화를 위해, 캐리어 디바이스(140)가 회전할 수 있고(예컨대, 방향 D1로도), 동시에 연마 패드(120)의 연마 층(122) 상으로 이동할 수 있지만, 본 개시의 다양한 실시예는 이에 관련하여 한정되지 않는다.
도 2는 도 1에 도시된 화학 기계적 연마 장치(100)의 연마 패드(120)의 부분 확대도이다. 도 3은 도 2에 도시된 선 3-3을 따라 취한 연마 패드(120)의 단면도이다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 연마 패드(120)는 연마 층(122) 및 제1 지지 층(128)을 포함한다. 연마 층(122)은 제1 지지 층(128) 상에 존재한다. 제1 지지 층(128)은 가압판(110)(도 1 참조)과 연마 층(122) 사이에 위치된다. 제1 지지 층(128)은 연마 층(122)보다 더 단단하며, 그리하여 제1 지지 층(128)은 연마 층(122)에 지지력을 제공할 수 있다.
연마 층(122)은 제1 지지 층(128) 상에 위치되고, 상부 표면(123) 및 하부 표면(125)을 갖는다. 하부 표면(125)은 상부 표면(122)을 등지고 있으며 제1 지지 층(128)과 마주본다. 연마 층(122)은 적어도 하나의 제1 홈(124) 및 적어도 하나의 제2 홈(126)을 갖는다. 일부 실시예에서, 제2 홈(126)은 적어도 연마 층(122)의 상부 표면(123) 아래에 매립된 캐비티(cavity)일 수 있다. 제1 홈(124)은 연마 층(122)의 상부 표면(123) 상에 존재한다. 일부 실시예에서, 제2 홈(126)은 연마 층(122)의 하부 표면(125) 상의 개구부(opening)(1262)를 갖는 홈이고, 제2 홈(126)의 개구부(1262)는 제1 지지 층(128)에 의해 덮이며, 그리하여 제2 홈(126)은 매립 홈으로 간주될 수 있다. 반면에, 제1 홈(124)은 연마 층(122)의 상부 표면(123)에서의 개방 홈이다.
다르게 말하자면, 연마 층(122)의 상부 표면(123)은 그 안에 제1 홈(124)을 가지며, 연마 층(122)의 하부 표면(125)은 그 안에 제2 홈(126)을 갖는다. 제1 및 제2 홈(124, 126)은 각각 연마 층(122)의 대향 면에 존재하며, 제1 홈(124)의 개구부 방향 D3은 제2 홈(126)의 개구부 방향 D3과 반대를 향한다. 도 3에 도시된 연마 층(122)의 제1 및 제2 홈(124, 126)의 갯수는 설명을 위한 것이며 본 개시의 다양한 실시예는 이에 관련하여 한정되지 않는다는 것을 유의하여야 할 것이다.
일부 실시예에서, 연마 층(122)의 제1 및 제2 홈(124, 126)은 동심원 구성으로 이루어질 수 있지만, 본 개시의 다양한 실시예는 이에 관련하여 한정되지 않는다.
도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 슬러리(132)가 연마 패드(120)의 연마 층(122)에 디스펜싱되고 가압판(110)이 회전할 때에, 슬러리(132)는 연마 층(122)의 상부 표면(123) 상에 흐를 수 있고 제1 홈(124) 안으로 흐를 수 있다. 그 결과, 슬러리(132)는 연마 층(122)의 제1 홈(124)에 수용되고, 슬러리(132) 및 연마 층(122)은 연마 층(122)과 접촉해 있는 웨이퍼(210)를 연마하는데 사용된다. 연마 층(122)의 상부 표면(123)이 소정 기간 동안 다수의 웨이퍼(210)에 의해 그라인딩된 후에, 제1 홈(124)은 슬러리(132) 및 웨이퍼(210)에 의해 그라인딩되기 때문에 마모되며 크기가 감소되거나 소실될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 홈(124) 및 제2 홈(126)은 상이한 수직 거리로 연마 층(120)의 상부 표면(123)으로부터 떨어져 있다. 도 4는 연마 패드(120)의 제2 홈(126)이 노출된 후의, 도 3에 도시된 연마 패드(120)의 단면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 연마 층(122)의 상부 표면(123)이 슬러리(132) 및 웨이퍼(210)(도 1 참조)에 의해 그라인딩될 때에, 연마 층(122)의 두께는 마모되고, 그리하여 제1 홈(124)은 마모되며 제2 홈(126)이 연마 층(122)의 상부 표면(123)을 통해 노출될 수 있다. 따라서, 제1 홈(124)이 마모되더라도, 제2 홈(126)이 슬러리(132)을 계속해서 수용하도록 개방된다. 즉, 슬러리(132) 및 웨이퍼(210)(도 1 참조)에 의해 그라인딩되는 연마 층(122)의 상부 표면(123)으로 인해 제1 홈(124)이 마모된 후에, 연마 층(122)의 상부 표면(123)으로 디스펜싱된 슬러리(132)는 또한 제2 홈(126) 안으로 흐를 수 있다.
도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 홈(124)이 마모될 때 슬러리(132)를 수용하도록 제2 홈(126)이 노출될 수 있으므로, 슬러리(132)는 나머지 제1 홈(124) 및 개방된 제2 홈(126) 둘 다에 수용될 수 있다. 이러한 설계의 결과로서, 연마 층(122)의 제1 홈(124) 및 제2 홈(126)은 감소된 깊이로 설계될 수 있다. 유사한 연마 속도를 내기 위해, 깊은 홈을 갖는 연마 패드는 일반적으로 얕은 홈을 갖는 연마 패드보다 더 큰 연마 슬러리 유량을 필요로 한다. 따라서, 연마 층(122)의 제1 홈(124) 및 제2 홈(126)이 감소됨에 따라, 슬러리(132)의 유량도 또한 감소될 수 있으며, 그럼에도 연마 속도는 유지될 수 있다. 다르게 말하자면, 슬러리(132)의 사용량이 감소될 수 있다.
또한, 연마 층(122)이 슬러리(132)를 수용할 제1 및 제2 홈(124, 126)을 갖는 것으로 인해, 슬러리(132)를 수용한 연마 층(122)에 의해 연마된 웨이퍼의 수가 증가된다. 따라서, 연마 패드(120)의 수명이 연장될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 홈(124, 126)을 갖는 연마 패드(120)의 연마 층(122)이 화학 기계적 연마 장치(100)에 사용될 때, 소정 기간 동안 연마 패드(120)에 대한 PM(preventive maintenances)의 수가 감소될 수 있고, 그리하여 화학 기계적 연마 장치(100)의 동작 시간이 연장될 수 있다.
더욱이, 웨이퍼(210)가 보통 도 1에 도시된 웨이퍼(210)의 위치와 같은 연마 층(122)의 에지 부분 상에서 연마되는 경우, 제2 홈(126)은 웨이퍼(210)의 위치에 대응하는 연마 층(122)의 에지 부분에 형성될 수 있다. 웨이퍼(210)가 그 위에 있는 연마 층(122)의 부분이 연마 층(122)의 다른 부분보다 더 빠르게 그라인딩되므로, 연마 층(122)에서의 제2 홈(126)의 위치는 웨이퍼(210) 및 연마 층(122)의 상대 위치에 따라 결정될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 일부 실시예에서, 제1 및 제2 홈(124, 126)은 연마 층(122)에 교대로 배열되고, 제1 지지 층(128) 상의 제1 홈(124)의 직교 돌출부는 제1 지지 층(128) 상의 제2 홈(126)의 직교 돌출부와 중첩하지 않는다. 다르게 말하자면, 제1 홈(124)의 중심선(L1) 및 제2 홈(126)의 중심선(L2)은 평행하며 간격 d1만큼 이격되어 있다. 이러한 구성은, 제1 홈(124)이 실질적으로 마모된 후에 제2 홈(126)이 연마 층(122)의 상부 표면(123)을 통해 노출됨을 보장할 수 있다.
일부 실시예에서, 연마 층(122)의 상부 표면(123)은 그 안에 복수의 제1 홈(124)을 갖고 연마 층(122)의 하부 표면(125)은 그 안에 복수의 제2 홈(126)을 갖는다. 상부 표면(123) 상의 제2 홈(126) 각각의 직교 돌출부는 2개의 인접한 제1 홈(124) 사이에 있다.
연마 패드(120)는 제2 지지 층(129)을 더 포함할 수 있고, 제1 지지 층(128)은 제2 지지 층(129)과 연마 층(122) 사이에 위치된다. 일부 실시예에서, 제2 지지 층(129)의 경도는 제1 지지 층(128)의 경도보다 더 크고, 제2 지지 층(128)의 경도는 연마 층(122)의 경도보다 더 크지만, 본 개시의 다양한 실시예는 이에 관련하여 한정되지 않는다. 이러한 설계의 결과로서, 제2 지지 층(129)은 제1 지지 층(128) 및 연마 층(122)을 지지하는데 사용된다.
도 5는 도 3에 도시된 연마 층(122)의 부분 확대도이다. 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 연마 층(122)의 제1 홈(124)은 하부 부분(1241)을 갖고, 연마 층(122)의 제2 홈(126)은 하부 부분(1261)을 갖는다. 일부 실시예에서, 제1 홈(124)의 하부 부분(1241) 및 제2 홈(126)의 하부 부분(1261)은 동일한 수평 레벨에 있다. 이러한 설계의 결과로서, 제1 홈(124)이 마모되며 소실된 후에, 제2 홈(126)이 계속해서 상부 표면(123)을 통해 노출될 수 있다.
일부 실시예에서, 제2 홈(126)의 하부 부분(1261)과 상부 표면(123) 사이의 수직 거리 d2는 제1 홈(124)의 하부 부분(1241)과 상부 표면(123) 사이의 수직 거리 d3보다 더 작거나 같을 수 있다. 하부 부분(1261)과 상부 표면(123) 사이의 수직 거리 d2가 하부 부분(1241)과 상부 표면(123) 사이의 수직 거리 d3보다 더 작은 경우, 제1 및 제2 홈(124, 126)을 갖는 연마 층(122)은 제1 홈(124)이 마모되기 전에 제2 홈(126)이 상부 표면(123)을 통해 노출됨을 보장할 수 있다. 하부 부분(1261)과 상부 표면(123) 사이의 수직 거리 d2가 하부 부분(1241)과 상부 표면(123) 사이의 수직 거리 d3와 동일한 경우, 이러한 연마 층(122)은 제1 홈(124)이 마모되고 제2 홈(126)이 동시에 상부 표면(123)을 통해 노출됨을 보장할 수 있다.
일부 실시예에서, 연마 층(122)은 적어도 하나의 제1 돌출부(121a) 및 적어도 하나의 제2 돌출부(121b)를 갖는다. 제1 돌출부(121a)는 제1 홈(124)의 적어도 2개를 분리하는 고체 부분으로서 지칭될 수 있고, 제2 홈(126)은 적어도 연마 층(121a)의 제1 돌출부(121a) 아래에 매립된다. 제1 돌출부(121a)는 제1 홈(124)에 인접하고, 제2 돌출부(121b)는 제2 홈(126)에 인접하다. 또한, 제1 홈(124)은 제2 돌출부(121b)에 맞춰 정렬될 수 있고, 제2 홈(126)은 제1 돌출부(121a)에 맞춰 정렬될 수 있다. 그 결과, 제1 및 제2 홈(124, 126)은 연마 층(122)에 교대로 배열된다. 제1 돌출부(121a)가 소정 기간 동안 슬러리(132)(도 1 참조) 및 다수의 웨이퍼(210)(도 1 참조)에 의해 그라인딩된 후에, 제1 홈(124)이 점점 적은 슬러리(132)를 수용하도록 점차적으로 마모되더라도 연마 층(122) 상의 슬러리(132)를 수용하도록 제2 홈(126)이 노출되어 개방될 수 있으며, 그리하여 연마 패드(120)의 연마 층(122)은 여전히 웨이퍼(210)를 연마하기에 충분한 양의 슬러리(132)를 보유할 수 있다.
도 6는 본 개시의 일부 실시예에 따른 연마 패드(120a)의 단면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 지지층(128a)은 그 안에 리세스(1281)를 더 가질 수 있다. 제1 지지 층(128a)의 리세스(1281)는 제2 홈(126)과 이어지며 제2 홈(126)에 맞춰 실질적으로 정렬된다.
연마 패드(120a)는 접착제(1282)를 더 포함할 수 있다. 접착제(1282)는 적어도 제1 지지 층(128a)과 연마 층(122) 사이에 존재하고, 접착제(1282)의 적어도 일부는 리세스(1281) 내에 존재한다. 연마 층(122)과 제1 지지 층(128a)을 조립하는 동안, 접착제(1282)가 리세스(1281)를 갖는 제1 지지 층(128a)의 표면 상에 코팅될 수 있다. 그 후에, 연마 층(122)이 제1 지지 층(128a)의 표면에 부착될 수 있다. 제1 지지 층(128a)은 그 안에 리세스(1281)를 가지므로, 추가의 접착제(1282)가 리세스(1281) 안으로 흐를 수 있다. 이러한 설계의 결과로서, 제1 지지 층(128a) 내의 리세스(1281)는 과도한 접착제(1282)가 연마 층(122)의 제2 홈(126) 안으로 흐르는 것을 막을 수 있으며, 그리하여 제2 홈(126) 내의 공간이 접착제(1282)에 의해 차지되지 않는다. 다르게 말하자면, 제1 지지 층(128a)의 리세스(1281)는 제2 홈(126)의 공간이 슬러리를 수용하는데 사용됨을 보장할 수 있다.
도 7은 본 개시의 일부 실시예에 따른 연마 패드(120b)의 단면도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 연마 패드(120b)는 또다른 연마 층(122a)을 더 포함할 수 있다. 연마 층(122a)의 구조는 연마 층(122)의 구조와 실질적으로 동일할 수 있고, 연마 층(122a)은 연마 층(122a)의 하부 표면(125a)이 연마 층(122)의 상부 표면(123)과 접촉하도록 연마 층(122) 상에 적층된다. 또한, 연마 층(122, 122a)은 폴리우레탄을 포함하는 재료로 제조될 수 있지만, 본 개시의 다양한 실시예는 이에 관련하여 한정되지 않는다.
일부 실시예에서, 연마 층(122a)의 제1 홈(124a)은 연마 층(122)의 제1 홈(124)에 맞춰 정렬될 수 있고, 연마 층(122a)의 제2 홈(126a)은 연마 층(122)의 제2 홈(126)에 맞춰 정렬될 수 있다.
연마 패드(120b)가 화학 기계적 연마 장치에 사용될 때, 상이한 수평 레벨에 각각 제1 홈(124a), 제2 홈(126a), 제3 홈(124), 및 제4 홈(126)을 포함한 4개의 홈의 층을 갖는 연마 패드(120b)로 인해, 이러한 구성은 연마 패드(120b)의 수명을 연장할 수 있고, 연마 패드(120b)에 대한 PM(preventive maintenances)의 수를 감소시킬 수 있다.
도 8은 본 개시의 일부 실시예에 따른 연마 패드(120c)의 단면도이다. 제 2홈(126b)은, 연마 층(122b)의 상부 표면(123) 아래에 매립될 뿐만 아니라, 연마 층(122b)의 하부 표면(125) 아래에 매립된다. 제1 홈(124)이 마모될 때, 제2 홈(126b)은 슬러리(132)(도 1 참조)를 계속해서 수용하도록 상부 표면(123)을 통해 노출될 수 있다. 또한, 일부 실시예에서, 접착제(1282)가 연마 층(122b)과 제1 지지 층(128) 사이에 위치된다. 제1 홈(124)이 마모되기 전에 제2 홈(126b)은 둘러싸인 캐비티이므로, 연마 층(122b)의 하부 표면(125) 아래의 접착제(1282)는 연마 층(122b)이 제1 지지 층(128)에 부착되어 있을 때 제2 홈(126b) 안으로 흐르지 않는다. 이러한 구성은 제2 홈(126b)의 공간이 접착제(1282)에 의해 차지되지 않음을 보장할 수 있다.
도 9은 본 개시의 일부 실시예에 따른 연마 패드(120e)의 단면도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 연마 층(122c)은 적어도 연마 층(122c)의 상부 표면(123) 아래에 매립되는 적어도 하나의 제3 홈(126c)을 더 갖는다. 제2 홈(126b)은 연마 층(122c)의 상부 표면(123)으로부터 제1 수직 거리 d4로 떨어져 있고, 제3 홈(126c)은 연마 층(122c)의 상부 표면(123)으로부터 제2 수직 거리 d5로 떨어져 있으며, 제1 수직 거리 d4와 제2 수직 거리 d5는 상이하다. 일부 실시예에서, 제1 수직 거리 d4는 제2 수직 거리 d5보다 더 작다. 연마 패드(120d)가 화학 기계적 연마 장치에 사용될 때, 상이한 수평 레벨에 각각 제1 홈(124), 제2 홈(126b), 및 제3 홈(126c)을 포함한 3개의 홈의 층을 갖는 연마 패드(120d)로 인해, 그리하여 연마 패드(120d)의 수명을 연장하고 연마 패드(120d)에 대한 PM(preventive maintenances)의 수를 감소시킨다.
도 10은 본 개시의 일부 실시예에 따라 연마 패드를 제조하는 방법의 흐름도이다. 방법은, 상부 표면, 적어도 하나의 제1 홈 및 적어도 하나의 제2 홈을 갖는 연마 층이 형성되는 블록 310으로 시작한다. 제1 홈 및 제2 홈은 상이한 수직 거리로 연마 층의 상부 표면으로부터 떨어져 있다. 방법은, 적어도 하나의 지지 층 상에 연마 층이 본딩되는 블록 320으로 이어진다. 연마 층의 상부 표면은 본딩 후에 지지 층을 등진다.
일부 실시예에서, 연마 패드의 연마 층은 3차원(3D) 인쇄에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 연마 층은 3D 인쇄의 선택적 레이저 소결(SLS; selective laser sintering)에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 3D 프린터는 연마 층을 포함하는 연마 패드를 제조하도록 폴리우레탄을 이용할 수 있다. 선택적 레이저 소결 방법은, 연마 층의 상부 표면 및 하부 표면에 각각 제1 및 제2 홈을 형성할 수 있다. 또한, 연마 패드의 정밀도는 0.2mm 내지 1.2mm 범위일 수 있고, 선택적 레이저 소결의 정밀도는 약 0.07mm보다 더 작을 수 있으며, 그리하여 선택적 레이저 소결 방법은 연마 패드의 정밀도에 따를 수 있다.
대안으로서, 제1 홈은 연마 층의 상부 표면을 가공함으로써 형성될 수 있고, 제2 홈은 연마 층의 하부 표면을 가공함으로써 형성될 수 있다. 여기에서 사용된 “가공(machining)”은, 제어되는 재료 제거 프로세스에 의해 원재료의 피스가 원하는 최종 형상 및 크기로 컷팅되는 임의의 다양한 프로세스를 의미한다.
일부 실시예에서, 연마 패드는 숙성(maturing)에 의해 형성될 수 있다. 연마 층을 형성하는 것은 다음 단계들을 포함할 수 있다. 연마 층의 제1 층이 형성된다. 그 후에, 제1 마스크가 연마 층의 제1 층 상에 배치된다. 그 다음에, 연마 층의 제1 층은 제1 마스크를 배치한 후에 숙성된다. 다음으로, 연마 층의 제1 층에 적어도 하나의 홈 공간을 생성하도록 제1 마스크가 연마 층의 제1 층으로부터 이동된다. 그 후에, 연마 층의 제2 층이 연마 층의 제1 층 상에 형성되고, 홈 공간은 제1 홈이 되도록 연마 층의 제2 층 아래에 매립된다. 제1 및 제2 층은 폴리우레탄을 포함한 재료로 제조될 수 있지만, 본 개시의 다양한 실시예는 이에 관련하여 한정되지 않으며, 다른 재료(예컨대, 고무)도 또한 숙성을 통해 연마 패드를 형성하는데 사용될 수 있다.
또한, 연마 층을 형성하는 것은 다음 단계들을 더 포함할 수 있다. 제2 마스크가 연마 층의 제2 층 상에 배치된다. 그 후에, 연마 층의 제2 층은 제2 마스크를 배치한 후에 숙성된다. 그 다음에, 연마 층의 제2 층에 제2 홈을 생성하도록 제2 마스크가 연마 층의 제2 층으로부터 제거된다. 다음의 기재에서, 연마 방법이 기재될 것이다.
도 11은 본 개시의 일부 실시예에 따른 연마 방법의 흐름도이다. 방법은, 슬러리가 연마 패드 상에 디스펜싱되는 블록 410로 시작한다. 연마 패드는 적어도 하나의 개방 홈 및 적어도 하나의 매립 홈을 가지며, 슬러리를 디스펜싱하는 것은 개방 홈 안으로 슬러리의 적어도 일부를 디스펜싱한다. 방법은, 적어도 하나의 워크피스(예컨대, 실리콘 웨이퍼)가 연마 패드에 대항하여 홀딩되는 블록 420으로 이어진다. 방법은, 워크피스가 연마 패드에 대해 회전되는 블록 430으로 이어진다. 연마 패드는 회전 동안 매립 홈을 노출시키도록 마모된다.
일부 실시예에서, 슬러리를 디스펜싱하는 것은, 노출된 매립 홈 안으로 슬러리의 적어도 또다른 일부를 디스펜싱하는 것을 더 포함한다.
연마 패드 상에 특정 양의 슬러리를 유지하고 연마 패드의 수명을 연장하기 위하여, 화학 기계적 연마 장치용 연마 패드, 연마 패드를 제조하는 방법, 및 연마 방법은 연마 층의 2개의 대향 면에 각각 있는 제1 홈 및/또는 제2 홈에 슬러리를 수용하도록 설계된다. 슬러리가 연마 패드의 연마 층 상에 디스펜싱될 때, 연마 층의 상부 표면에 있는 제1 홈은 슬러리를 수용할 수 있다. 연마 층의 상부 표면이 소정 기간 동안 다수의 웨이퍼에 의해 그라인딩된 후에, 제1 홈은 마모되어 소실될 수 있다. 그러나, 이 순간에, 연마 층의 하부 표면에 있는 제2 홈이 슬러리를 계속해서 수용하도록 상부 표면을 통해 노출될 수 있다. 그 결과, 웨이퍼의 평탄화 및 수율이 개선될 수 있고, 슬러리의 사용량이 감소될 수 있으며, 연마 패드의 수명이 연장될 수 있다. 또한, 소정 기간 동안 연마 패드에 대한 PM의 수가 감소될 수 있고, 그리하여 화학 기계적 연마 장치의 동작 시간이 연장될 수 있다.
본 개시의 일부 실시예에 따르면, 화학 기계적 연마 장치용 연마 패드는 제1 지지 층 및 연마 층을 포함한다. 연마 층은 제1 지지 층 상에 존재한다. 연마 층은 제1 지지 층을 등지고 있는 상부 표면 및 적어도 연마 층의 상부 표면 아래에 매립되는 적어도 하나의 제1 캐비티를 갖는다.
본 개시의 일부 실시예에 따르면, 연마 패드를 제조하는 방법은, 상부 표면, 적어도 하나의 제1 홈 및 적어도 하나의 제2 홈을 갖는 연마 층을 형성하는 단계를 포함하며, 제1 홈과 제2 홈은 상이한 수직 거리로 연마 층의 상부 표면으로부터 떨어져 있다. 연마 층은 적어도 하나의 지지 층 상에 본딩되며, 연마 층의 상부 표면은 본딩 후에 지지 층을 등진다.
본 개시의 일부 실시예에 따르면, 연마 방법은 연마 패드 상에 슬러리를 디스펜싱하는 단계를 포함하며, 연마 패드는 적어도 하나의 개방 홈 및 적어도 하나의 매립 홈을 갖고, 슬러리를 디스펜싱하는 것은 개방 홈 안으로 슬러리의 적어도 일부를 디스펜싱한다. 적어도 하나의 워크피스가 연마 패드에 대항하여 홀딩된다. 워크피스가 연마 패드에 대해 회전되며, 연마 패드는 회전 동안 매립 홈을 노출시키도록 마모된다.
본 개시는 그의 특정 실시예에 관련하여 상세하게 기재되었지만, 다른 실시예도 가능하다. 따라서, 첨부된 청구항의 진정한 의미 및 범위는 여기에 포함된 실시예의 기재에 한정되어서는 안 된다.
본 개시의 범위 또는 진정한 의미로부터 벗어나지 않고서 본 개시의 구조에 다양한 수정 및 변형이 행해질 수 있다는 것이 당해 기술 분야에서의 숙련자에게 명백할 것이다. 전술한 바에 비추어, 본 개시는 다음 청구항의 범위 내에 속하는 본 개시의 수정 및 변형을 커버하는 것으로 의도된다.
전술한 바는 당해 기술 분야에서의 숙련자들이 본 개시의 양상을 보다 잘 이해할 수 있도록 여러 실시예들의 특징을 나타낸 것이다. 당해 기술 분야에서의 숙련자라면, 여기에서 소개된 실시예와 동일한 목적을 수행하고/하거나 동일한 이점을 달성하기 위해 다른 프로세스 및 구조를 설계 또는 수정하기 위한 기반으로서 본 개시를 용이하게 사용할 수 있다는 것을 알아야 한다. 당해 기술 분야에서의 숙련자는 또한, 이러한 등가의 구성이 본 개시의 진정한 의미 및 범위로부터 벗어나지 않으며, 본 개시의 진정한 의미 및 범위에서 벗어나지 않고서 다양한 변경, 치환 및 대안을 행할 수 있다는 것을 알아야 한다.

Claims (10)

  1. 화학 기계적 연마 장치용 연마 패드에 있어서,
    제1 지지 층; 및
    상기 제1 지지 층 상에 있는 연마 층으로서, 상기 제1 지지 층을 등지고 있는 상부 표면, 상기 제1 지지 층을 마주보고 있는 하부 표면 및 적어도 상기 연마 층의 상부 표면 아래에 매립된 적어도 하나의 제1 캐비티를 갖는, 상기 연마 층
    을 포함하고,
    상기 제1 캐비티는 상기 연마 층의 하부 표면 상의 적어도 하나의 개구부를 갖고,
    상기 제1 지지 층의 표면은 상기 제1 지지 층과 상기 연마 층 사이의 접착제를 수용하도록 구성된 리세스를 가지며, 상기 리세스는 상기 개구부와 정렬되는 것인, 화학 기계적 연마 장치용 연마 패드.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 캐비티는 매립 홈인 것인, 화학 기계적 연마 장치용 연마 패드.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 연마 층은 상기 연마 층의 상부 표면 상의 적어도 하나의 개방 홈을 갖는 것인, 화학 기계적 연마 장치용 연마 패드.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 연마 층은 적어도 상기 연마 층의 상부 표면 아래에 매립된 적어도 하나의 제2 캐비티를 더 가지며, 상기 제1 캐비티는 상기 연마 층의 상부 표면으로부터 제1 수직 거리로 떨어져 있고, 상기 제2 캐비티는 상기 연마 층의 상부 표면으로부터 제2 수직 거리로 떨어져 있으며, 상기 제1 수직 거리와 상기 제2 수직 거리는 상이한 것인, 화학 기계적 연마 장치용 연마 패드.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 지지 층은 상기 연마 층보다 더 단단한 것인, 화학 기계적 연마 장치용 연마 패드.
  8. 청구항 1에 있어서,
    제2 지지 층을 더 포함하고,
    상기 제1 지지 층은 상기 제2 지지 층과 상기 연마 층 사이에 위치된 것인, 화학 기계적 연마 장치용 연마 패드.
  9. 연마 패드를 제조하는 방법에 있어서,
    상부 표면, 하부 표면, 적어도 하나의 제1 홈 및 적어도 하나의 제2 홈을 갖는 연마 층을 형성하는 단계로서, 상기 제1 홈과 상기 제2 홈은 상이한 수직 거리로 상기 연마 층의 상부 표면으로부터 떨어져 있고, 상기 제2 홈은 상기 연마 층의 상기 하부 표면 상의 적어도 하나의 개구부를 갖는 것인, 상기 연마 층을 형성하는 단계: 및
    적어도 하나의 지지 층 상으로 상기 연마 층을 본딩하는 단계
    를 포함하고,
    상기 지지 층의 표면은, 상기 지지 층과 상기 연마 층 사이의 접착제를 수용하도록 구성된 리세스를 갖고,
    상기 본딩 후에, 상기 연마 층의 상부 표면은 상기 지지 층을 등지며, 상기 연마 층의 하부 표면은 상기 지지 층과 마주보고,
    상기 리세스는 상기 개구부와 정렬되는 것인, 연마 패드 제조 방법.
  10. 연마 방법에 있어서,
    제1 지지 층 및 상기 제1 지지 층 상에 있는 연마 층을 포함하는 연마 패드 상에 슬러리를 디스펜싱하는 단계로서, 상기 연마 층은 적어도 하나의 개방 홈 및 적어도 하나의 매립 홈을 가지고, 상기 매립 홈은 상기 연마 층의 하부 표면 상의 적어도 하나의 개구부를 가지고, 상기 하부 표면은 상기 제1 지지 층과 마주보고 있는 것이며, 상기 제1 지지 층의 표면은 상기 제1 지지 층과 상기 연마 층 사이의 접착제를 수용하도록 구성된 리세스를 가지고, 상기 리세스는 상기 개구부와 정렬되며, 상기 슬러리를 디스펜싱하는 것은 상기 개방 홈 안으로 슬러리의 적어도 일부를 디스펜싱하는 것인, 상기 디스펜싱 단계;
    상기 연마 패드에 대항하여 적어도 하나의 워크피스를 홀딩하는 단계; 및
    상기 연마 패드에 대해 상기 워크피스를 회전시키는 단계
    를 포함하고,
    상기 연마 패드는 상기 회전 동안 상기 매립 홈을 노출시키도록 마모되는 것인, 연마 방법.
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DE (1) DE102016114798A1 (ko)
TW (1) TWI595967B (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
JP6545261B2 (ja) 2014-10-17 2019-07-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 付加製造プロセスを使用する、複合材料特性を有するｃｍｐパッド構造
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
CN108290267B (zh) 2015-10-30 2021-04-20 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
CN108698206B (zh) 2016-01-19 2021-04-02 应用材料公司 多孔化学机械抛光垫
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
TWI626117B (zh) * 2017-01-19 2018-06-11 智勝科技股份有限公司 研磨墊及研磨方法
US10596763B2 (en) 2017-04-21 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing with array of energy sources
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
CN112654655A (zh) 2018-09-04 2021-04-13 应用材料公司 先进抛光垫配方
KR102674027B1 (ko) * 2019-01-29 2024-06-12 삼성전자주식회사 재생 연마패드
WO2020227498A1 (en) * 2019-05-07 2020-11-12 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical planarization pads via vat-based production
CN110253423A (zh) * 2019-07-11 2019-09-20 德淮半导体有限公司 一种研磨垫
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US20210402563A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Conditioner disk for use on soft or 3d printed pads during cmp
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
TWI812936B (zh) * 2021-04-01 2023-08-21 智勝科技股份有限公司 研磨墊及研磨方法
TWI831397B (zh) * 2022-09-29 2024-02-01 中國砂輪企業股份有限公司 拋光墊

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006187819A (ja) * 2004-12-29 2006-07-20 Toho Engineering Kk 研磨用パッド
US20060286350A1 (en) 2005-06-16 2006-12-21 Hendron Jeffrey J Chemical mechanical polishing pad having secondary polishing medium capacity control grooves
JP2008098356A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Sekisui Chem Co Ltd 両面粘着テープおよびその製造方法
JP2013027951A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Toho Engineering Kk 研磨パッド用補助板および研磨パッド用補助板を備えた研磨装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US6036586A (en) * 1998-07-29 2000-03-14 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for reducing removal forces for CMP pads
US6331137B1 (en) * 1998-08-28 2001-12-18 Advanced Micro Devices, Inc Polishing pad having open area which varies with distance from initial pad surface
US6794605B2 (en) * 2001-08-02 2004-09-21 Skc Co., Ltd Method for fabricating chemical mechanical polshing pad using laser
US7025668B2 (en) * 2002-06-18 2006-04-11 Raytech Innovative Solutions, Llc Gradient polishing pad made from paper-making fibers for use in chemical/mechanical planarization of wafers
JP2004136432A (ja) * 2002-09-24 2004-05-13 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨布及びその製造方法
JP4659338B2 (ja) * 2003-02-12 2011-03-30 Ｈｏｙａ株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法並びにそれに使用する研磨パッド
US7842169B2 (en) * 2003-03-04 2010-11-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for local polishing control
KR20050002378A (ko) 2003-06-30 2005-01-07 주식회사 하이닉스반도체 Ｃｍｐ 공정에 이용되는 연마포
US8066552B2 (en) * 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
JP4616571B2 (ja) 2004-03-31 2011-01-19 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
KR100727485B1 (ko) * 2005-08-09 2007-06-13 삼성전자주식회사 연마 패드 및 이를 제조하는 방법, 그리고 화학적 기계적 연마 장치 및 방법
US7549914B2 (en) * 2005-09-28 2009-06-23 Diamex International Corporation Polishing system
US20070141312A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 James David B Multilayered polishing pads having improved defectivity and methods of manufacture
US7517488B2 (en) * 2006-03-08 2009-04-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering
WO2007104063A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Rimpad Tech Ltd. Composite polishing pad
JP2008062367A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Nec Electronics Corp 研磨装置、研磨パッド、研磨方法
US7824249B2 (en) * 2007-02-05 2010-11-02 San Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing material having polishing particles and method for making the same
JP5297096B2 (ja) * 2007-10-03 2013-09-25 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布
KR100941198B1 (ko) * 2007-11-29 2010-02-10 주식회사 동부하이텍 화학 기계적 연마 패드
US8597084B2 (en) * 2008-10-16 2013-12-03 Applied Materials, Inc. Textured platen
TWM367052U (en) * 2009-04-24 2009-10-21 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad and polishing device
US20120009847A1 (en) 2010-07-06 2012-01-12 Applied Materials, Inc. Closed-loop control of cmp slurry flow
US9108291B2 (en) 2011-09-22 2015-08-18 Dow Global Technologies Llc Method of forming structured-open-network polishing pads
US9067299B2 (en) * 2012-04-25 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad
US9308620B2 (en) * 2013-09-18 2016-04-12 Texas Instruments Incorporated Permeated grooving in CMP polishing pads
US9993907B2 (en) * 2013-12-20 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having printed window

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006187819A (ja) * 2004-12-29 2006-07-20 Toho Engineering Kk 研磨用パッド
US20060286350A1 (en) 2005-06-16 2006-12-21 Hendron Jeffrey J Chemical mechanical polishing pad having secondary polishing medium capacity control grooves
JP2008098356A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Sekisui Chem Co Ltd 両面粘着テープおよびその製造方法
JP2013027951A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Toho Engineering Kk 研磨パッド用補助板および研磨パッド用補助板を備えた研磨装置

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