TW201904720A - 化學機械研磨系統與方法 - Google Patents

化學機械研磨系統與方法

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Abstract

本揭露係關於一種化學機械研磨(CMP)系統及一種用來執行一CMP製程之相關聯方法。在一些實施例中，該CMP系統具有一可旋轉晶圓載體，其經組態以固持一晶圓使其面向下以供處理。該CMP系統亦具有：一研磨層，其附接至一研磨台且具有經組態以與該待處理晶圓相互作用之一前表面；及一CMP研磨液施配器，其經組態以將一研磨液施配至該研磨層與該晶圓之間的一界面。該研磨液中含有帶電磨料顆粒。該CMP系統亦具有一膜電極，其附接至與該前表面相對之該研磨層之一後表面。該膜電極經組態以透過在該CMP系統之操作期間施加一電場而影響該等帶電磨料顆粒之移動。

Description

化學機械研磨系統與方法
本發明實施例係關於化學機械研磨系統與方法。
在積體電路(IC)之製造中，藉由形成各種製程層、接著選擇性地移除或圖案化該等層之部分，且在其上沈積額外製程層而在一晶圓上形成裝置。在沈積步驟之後，晶圓之一最上表面通常因先前選擇性圖案化而為非平坦的。相繼執行一平坦化製程以移除過量部分且製備一平坦表面以用於以下製程。 利用一化學機械研磨製程(CMP製程)來進行平坦化製程。待處理晶圓被保持倒置且被迫抵靠一旋轉CMP墊。將一研磨液放置於CMP墊與晶圓表面之間。歸因於經施加向下力，此研磨液(其包含有助於化學溶解晶圓的最上表面之化學品及有助於實體磨損最上表面之磨料顆粒)提供晶圓表面平坦化。
本發明實施例係關於一種化學機械研磨(CMP)系統，其包括：一可旋轉晶圓載體，其經組態以固持一晶圓使其面向下以供處理；一研磨層，其附接至一研磨台且具有經組態以與該待處理晶圓相互作用之一前表面；一CMP研磨液施配器，其經組態以將一研磨液施配至該研磨層與該晶圓之間的一界面，該研磨液中含有帶電磨料顆粒；及一膜電極，其附接至與該前表面相對之該研磨層之一後表面，且經組態以透過在該CMP系統之一操作期間施加一電場而影響該等帶電磨料顆粒之移動。 本發明實施例係關於一種化學機械研磨(CMP)方法，該方法包括：將一晶圓面向下安置於一研磨層之一前表面上；將含有帶電磨料顆粒之一漿料施覆於該晶圓與該研磨層之間；將一電場施加至該等帶電磨料顆粒以影響該等帶電磨料顆粒之移動；及藉由使用該研磨層化學地軟化該晶圓之一最上過量部分及/或使用該等帶電磨料顆粒使該最上過量部分機械地脫位而平坦化該晶圓。 本發明實施例係關於一種機械化學研磨(CMP)墊，其包括：一研磨層，其具有具突出突點之一前表面，而一後表面係平坦的；一膜電極，其附接至該研磨層之該後表面；及一絕緣層，其覆蓋該膜電極之側壁及底表面。
以下揭露提供用於實施所提供標的之不同特徵之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等實例僅為實例且並不意欲為限制性的。例如，在以下描述中，一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中第一構件及第二構件經形成而直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成於第一構件與第二構件之間使得第一構件及第二構件可未直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複元件符號及/或字母。此重複用於簡單及清楚之目的且本身並不指示所論述之各種實施例及/或組態之間的一關係。 此外，為便於描述，本文中可使用空間相關術語(諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者)來描述如圖中繪示之一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係。除圖中描繪之定向以外，空間相關術語亦意欲涵蓋裝置在使用中或操作中之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或成其他定向)，且因此可同樣解釋本文中使用之空間相關描述符。 化學機械研磨(CMP)係在半導體製造工業中利用以進行平坦化之一製程。在一CMP製程中，將包含化學品及研磨顆粒之一研磨液施覆至一晶圓與一CMP墊之間的一界面。化學品與接觸晶圓材料發生反應以軟化或進一步溶解晶圓之最上層。在一些情況中，磨料顆粒連同研磨墊之突點一起使接觸晶圓材料之最上層機械地脫位且變形。因此，化學品及磨料顆粒共同移除晶圓之一非平坦部分以達成一平坦上表面。與較快速移除晶圓材料但可引入晶圓的頂表面之缺陷及不均勻之機械效果相比，CMP製程之化學效果係「柔軟的」且緩慢的。 本揭露係關於一種包含具有附接至一研磨層之一膜電極之一CMP墊的CMP系統及相關聯方法。在CMP系統之一操作期間，透過膜電極施加一電場以影響帶電磨料顆粒之移動，且進一步控制一待處理晶圓之移除速率及移除均勻性。在一些實施例中，CMP系統包括經組態以固持一晶圓使其面向下以供處理之一可旋轉晶圓載體。一研磨層附接至一研磨台，且具有經組態以與待處理晶圓相互作用之一前表面。一CMP研磨液施配器經組態以將一研磨液施配至研磨層與晶圓之間的一界面。研磨液中含有帶電磨料顆粒。一膜電極固定至與前表面相對之研磨層之一後表面，且經組態以透過在CMP系統之操作期間施加一電場而影響帶電磨料顆粒之移動。藉由控制帶電磨料顆粒相對於待處理晶圓之移動，更佳地控制移除速率及晶圓均勻性。例如，若經施加電場在更靠近待處理晶圓之一方向上驅動帶電磨料顆粒，則晶圓材料之移除速率增加，且研磨效率亦增加。相反地，若施加在更遠離待處理晶圓之一方向上驅動帶電磨料顆粒之一相反電場，則磨料顆粒較少集中於晶圓，且因此可改良研磨均勻性。 圖1展示根據一些實施例之一化學機械研磨(CMP)系統100之一結構視圖。CMP系統100可用來研磨金屬、半導體或絕緣體層，其等可包含但不限於半導體薄膜、積體電路薄膜；及/或可用來研磨其中應用一CMP製程之任何其他膜、表面及基板。如圖1中展示，一可旋轉晶圓載體108面向下放置至一可旋轉研磨台102。利用可旋轉晶圓載體108來使一晶圓106保持倒置，例如，其中主動裝置結構面向下且靠近研磨台102。一研磨層104附接至可旋轉研磨台102。一CMP研磨液施配器110放置於研磨層104上方以將一研磨液112施配至研磨層104與晶圓106之一CMP界面114。研磨液112可包括與晶圓106發生反應之化學組合物及帶電磨料顆粒。一膜電極124附接至研磨層104之一後表面。作為實例，膜電極124可由導電材料製成，諸如金屬(銅、銀、金等)、石墨或導電聚合物。在一些實施例中，一絕緣層126圍繞膜電極124放置以保護膜電極124免受非所要暴露。膜電極124藉由研磨層104與待處理晶圓106分離。在CMP系統100之操作期間，涉及研磨層104及晶圓106兩者之循環運動。CMP製程將經移除表面層之化學轉化與轉化產物之機械移除組合，此由圖2進一步繪示。 圖2展示根據一些實施例之圖1中展示的晶圓106與研磨層104之CMP界面114之一放大橫截面視圖200。如圖2中展示，在一CMP系統之操作期間，將一研磨液112施覆至CMP界面114，該研磨液112包含軟化一晶圓106的一最上部分116之化學組合物202及移除最上部分116及相關聯副產物之磨料顆粒204。在其他適當材料中，磨料顆粒204可包括與研磨液112之其他組分相容且提供足夠研磨速率及效能之金屬氧化物、碳化物及/或氮化物。磨料顆粒204可選自包含以下各者之一群組：二氧化鋁、二氧化鋯、二氧化鍺、二氧化矽、氧化鐵(II、III)、二氧化鈰及其等之混合物。磨料顆粒204帶電，且因此可在藉由加偏壓於膜電極124而施加一電場時移動，此將隨後關於圖3至圖4詳細描述。在一些實施例中，研磨層104可具有自其前表面突出之突點122，此有利於晶圓106的最上部分116之移除。絕緣層126可覆蓋膜電極124之側壁及底表面，且具有與膜電極124的一頂表面對準之一頂表面。在一些實施例中，膜電極124之頂表面與研磨層104之一底表面對準且與其直接接觸。在CMP系統之操作期間，膜電極124可藉由研磨層104而與研磨液112及晶圓106隔離。研磨層104可為包括一適合聚合物之(若干)任何CMP墊層。例如，研磨層104可包括聚胺基甲酸酯。研磨層104可包括一微孔胺基甲酸酯膜。在一些實施例中，自一聚合物層的一頂表面放置突點122。突點122用於固持研磨液，且將研磨液輸送至研磨層104之一表面並自該表面輸送研磨液。突點122可在研磨層104之全部三個維度上隨機地或均勻地分佈。突點122可具有任何適合密度或空隙容積。在一些其他實施例中，可藉由放置於研磨層104中之結構(諸如凹槽、通道、孔隙、刷子或其等之組合)來取代及/或補充突點122。突點122可經放置而具有垂直向上延伸之一突出部及自突出部的頂部水平延伸之一構件。突點122有助於在一研磨製程期間保持一研磨液。 儘管關於彼此描述圖1、圖2及下文之其他圖，然將明白，該等圖之各者可獨立存在。例如，可能並不需要圖1中繪示之全部組件來實施圖2的描述之一或多個態樣或實施例。此外，本文中描繪之動作之一或多者可以一或多個各別動作及/或階段實行。 圖3展示根據一些實施例之當施加一第一電場時一待處理晶圓與一研磨層之間的一CMP界面(例如，圖1或圖2中展示之CMP界面114)之一橫截面視圖300。如圖3中展示，迫使一晶圓106向下至一CMP墊302的一前表面以進行一平坦化製程。CMP墊302包括具有自一前表面突出的突點122之一研磨層104及附接至一後表面之一膜電極124。將一研磨液112施覆於晶圓106與CMP墊302之間，該研磨液112包含化學組合物202及磨料顆粒204。磨料顆粒204及突點122促進在一研磨製程期間移除晶圓106的最上部分116及相關聯副產物。作為一實例，藉由一電源供應器206加正偏壓於膜電極124。如由箭頭304展示，在從膜電極124指出且垂直於膜電極124之一方向上產生一第一電場。磨料顆粒204帶正電，且因此被排斥朝向晶圓106，藉此增強移除製程且增加晶圓106的最上部分116之移除速率。 圖4展示根據一些實施例之在施加與圖3中展示的第一電場相反之一第二電場時一待處理晶圓與一研磨層之間的一CMP界面(例如，圖1或圖2中展示之CMP界面114)之一橫截面視圖。如圖4中展示，與圖3之實例相比，藉由電源供應器206加負偏壓於膜電極124。如由箭頭402展示，在指向且垂直於膜電極124之一方向產生一第二電場。第二電場牽拉磨料顆粒204遠離晶圓106以更靠近膜電極124，且藉此較少集中於晶圓106附近以達成經研磨晶圓之較低缺陷密度及更佳晶圓均勻性，雖然同時減小晶圓106的上部分116之移除速率。 據發現，對攻擊晶圓106之磨料顆粒204的密度之控制影響金屬研磨製程之負載效應。圖9及圖10展示根據一些實施例之由一化學機械研磨(CMP)製程的不同電場引入至金屬結構之一負載效應之一實例。如圖9中展示，一隔離金屬結構902及一緻密金屬結構904分佈於由CMP製程處理之一晶圓106內。緻密金屬結構904可為配置成彼此更靠近之複數個金屬組件，而隔離金屬結構902可為與緻密金屬結構904相比彼此間隔較遠之一或多個金屬組件。CMP製程對隔離金屬結構902及緻密金屬結構904產生一負載效應：隔離金屬結構902凹陷更嚴重，且因此低於緻密金屬結構904。負載效應可引入晶圓106之缺陷，諸如不充分電連接。一第一橫截面視圖900a展示當未施加偏壓至附接至CMP墊之膜電極(例如，圖1至圖4中展示之膜電極124)時之負載效應之一情況。一第二橫截面視圖900b展示當施加一第一偏壓(-100 V)至膜電極時之負載效應之一情況。一第三橫截面視圖900c展示當將高於第一偏壓之一第二偏壓(-200 V)施加至膜電極時之負載效應之一情況。圖10對應地展示隔離金屬結構902及緻密金屬結構904在上述施加偏壓下之剩餘高度。如圖9及圖10中展示，隔離金屬結構902在第一偏壓-100 V下凹陷最少。在CMP操作期間，可基於一模型量測及/或預測凹陷量，且施加至電極之偏壓可隨時間變化以限制凹陷。 圖5展示根據一些實施例之包含附接至一研磨層104的一後表面之一膜電極124之一CMP墊500之俯視圖及橫截面視圖。膜電極124附接至研磨層104之一後表面。膜電極124可為均勻地黏貼至研磨層104的後表面之一中心區上之一連續整體。膜電極124包括與研磨層104同心且具有小於研磨層104的直徑之一直徑之一圓形組件。在一CMP製程期間，膜電極124組態成如圖5中提及般具正偏壓，或具負偏壓，此取決於應用。在一些實施例中，偏壓電壓可在自約-500 V至約500 V之一範圍內。在一些實施例中，膜電極124由一絕緣層126覆蓋且保護。絕緣層126可為一聚酯層。絕緣層126可包括浸漬至一聚酯非編織物中之聚胺基甲酸酯。絕緣層126可用作由微孔胺基甲酸酯膜塗覆之一基底材料。絕緣層126亦可用作一基底板層以幫助支撐研磨層104且改良CMP效能。絕緣層126可比研磨層104更硬或更軟。絕緣層126可為一固體無孔層。 圖6展示根據一些替代實施例之包含附接至一研磨層104的一後表面之一膜電極124之一CMP墊600之俯視圖及橫截面視圖。膜電極124包括與研磨層104同心且交錯配置之第一複數個圓形環123a、123b、…，及第二複數個圓形環125a、…。第一複數個圓形環123a、123b及第二複數個圓形環125a可彼此等距隔開。第一複數個圓形環123a、123b及第二複數個圓形環125a經組態以連接至一電源供應器之相反極性。例如，第一複數個圓形環123a、123b可藉由連接至一電源供應器之一陽極而具正偏壓，且第二複數個圓形環125a可藉由連接至該電源供應器(或另一電源供應器)之一陰極而具負偏壓，或反之亦然。在一些實施例中，施加至第一複數個圓形環123a、123b及第二複數個圓形環125a之一電壓差可在自約-500 V至約500 V之一範圍內。在一些實施例中，各圓形環可具有介於100微米與10毫米之間之一徑向厚度，且分離相鄰環的最近側壁之徑向間距在自100微米至10毫米之範圍內。 圖7展示根據一些替代實施例之包含附接至一研磨層104之的一後表面之一膜電極124之一CMP墊700之俯視圖及橫截面視圖。膜電極124包括與研磨層104直接接觸之一上導電層702及遠離研磨層104之一下導電層704。一第一絕緣層126a將上導電層702與下導電層704分離。一第二絕緣層126b覆蓋且保護下導電層704。上導電層702包括第一複數個組件123a、123b、…，及第二複數個組件125a、…，其等交錯配置且經組態以連接至一電源供應器之相反極性，同時下導電層704整體耦合至電源供應器之一個極性。在一些實施例中，施加至第一複數個圓形環123a、123b及第二複數個圓形環125a之一電壓差可與施加至上導電層702之一電壓相同或不同。 圖8展示根據一些實施例之一化學機械研磨(CMP)方法800之一流程圖。方法800可經組態以平坦化各種各樣的晶圓結構。例示性晶圓結構包含但不限於：Al佈線、Cu佈線、W佈線及類似者。雖然下文將所揭示方法(例如，方法800)繪示且描述為一系列動作或事件，但將明白，此等動作或事件之所繪示順序不應解釋為一限制意義。例如，除本文中繪示及/或描述之順序以外，一些動作亦可依不同順序發生及/或與其他動作或事件同時發生。另外，可能並不需要全部所繪示動作來實施本文中的描述之一或多個態樣或實施例。此外，本文中描繪之動作之一或多者可以一或多個各別動作及/或階段實行。 在動作802，將一晶圓面向下安置於一研磨層之一前表面上。晶圓可由一晶圓載體固持，該晶圓載體可包含用於將吸力或壓力施加至晶圓之背側上之複數個可變壓力腔室(未展示)。例如，圖1繪示對應於動作802之展示將一晶圓106面向下安置於一研磨層104的一前表面上之一橫截面視圖之一些實施例。 在動作804，將一研磨液施覆於晶圓與研磨層之間。研磨液含有帶電磨料顆粒。研磨液包括用來機械地移除晶圓的一最上部分之一磨料及用來溶解晶圓的最上部分之一化學品。在各種實施例中，研磨液包括在研磨期間存在之研磨液顆粒。在各種實施例中，取決於待研磨表面，研磨液顆粒包括二氧化矽(SiO2 )或氧化鋁(Al2 O3 )。例如，圖1繪示展示將一研磨液112施加於晶圓106與研磨層104之間之一橫截面視圖的一些實施例。 在動作806，視情況藉由一監測製程判定一晶圓研磨狀況。本發明實施例之方法可與各種類型之監測組件及系統相關聯實施，且併入此一方法之任何此系統或組件群組(硬體及/或軟體)預期落於本發明實施例之範疇內。例如，可藉由在晶圓表面上方應用一墊探針或光學掃描而實現監測製程。在一些實施例中，偵測晶圓移除速率及/或晶圓移除均勻性。可判定晶圓移除速率及/或晶圓移除均勻性是否在所要區中。相應地，接著進行一電場施加決策。可手動地或使用一預設電腦程式來進行此一決策。 在動作808，將一電場施加至帶電磨料顆粒以影響帶電磨料顆粒之移動。在一些實施例中，將電場垂直地施加於研磨層之前表面與晶圓之間以使帶電磨料顆粒移動而更靠近晶圓，以增加一移除速率。在一些其他實施例中，將電場垂直地施加於晶圓與研磨層之前表面之間以使帶電磨料顆粒移動而更遠離晶圓，以減小負載效應。在一些實施例中，藉由加偏壓於附接至研磨層之一膜電極而施加電場。在一些實施例中，膜電極均勻地黏貼至研磨層的後表面之一中心區上，且其之側壁及底表面由一絕緣層覆蓋。例如，圖5展示此一膜電極之一實例。在一些其他實施例中，膜電極經形成而包含交錯配置且連接至一電源供應器的相反極性之第一複數個組件及第二複數個組件。例如，圖6展示此一膜電極之一實例。如上文繪示，可根據研磨狀況而在動作808判定偏壓電壓，或取決於不同應用而在研磨製程之前預先判定偏壓電壓。 在動作810，使用研磨墊及/或受影響帶電磨料顆粒來平坦化晶圓。藉由在施加電場時透過一晶圓載體在晶圓與CMP墊之間施加一壓力而平坦化晶圓。一通用控制器容許將一可變向下力施加至晶圓載體及一研磨台使其等以可變且獨立速度旋轉，且容許將研磨液及/或其他材料施覆至附接至研磨台之研磨層。在操作期間，晶圓載體較佳以一所要速度繞心軸旋轉，而研磨台較佳以一獨立所要速度繞台軸旋轉。藉由使用研磨層化學地軟化晶圓之一最上過量部分，及/或使用受經施加電場影響之帶電磨料顆粒使該最上過量部分機械地脫位而平坦化晶圓。晶圓載體的向下力、晶圓載體及研磨台的各自旋轉之組合動作，研磨液之化學及機械效果以及電場對磨料顆粒之牽拉及/或排斥效果結合以將晶圓之表面研磨至一所要平坦度及厚度。在將壓力施加於晶圓與CMP墊之間時，電場可改變(例如，增加、減小或自正翻轉為負，或反之亦然)以微調研磨製程。例如，可即時或依預定時間間隔監測研磨狀況，且可基於監測結果調整偏壓電壓及其受控電場。 在平坦化之後，自CMP墊之頂部移除晶圓載體且釋放晶圓。藉由施用一水溶液來清潔CMP墊。變形之墊通常經受去離子水或其他適當化學溶液之一高壓噴射以自墊移除研磨液殘餘物及其他顆粒物質。其他顆粒物質可包含晶圓殘餘物、CMP研磨液、氧化物、有機污染物、移動離子及金屬雜質。可執行動作806、動作808及動作810之一重複製程以達成所要研磨目標。例如，圖1繪示展示將一壓力施加於晶圓106與研磨層104之間且執行平坦化製程之一橫截面視圖的一些實施例。 本揭露係關於最佳化引入一電場以影響一研磨液的帶電研磨顆粒之CMP技術。在一些實施例中，一CMP墊包括：一研磨層；及一電極，其附接至該研磨層之一後表面使得可在加偏壓於該膜電極時施加一電場。可藉由控制經施加電場而改良CMP移除速率及移除均勻性。因此，達成CMP之一更佳品質及/或一更高效率 一些實施例係關於一種化學機械研磨(CMP)系統。化學機械研磨(CMP)系統包括經組態以固持將一晶圓使其面向下以供處理之一可旋轉晶圓載體。CMP系統進一步包括附接至一研磨台且具有經組態以與待處理晶圓相互作用之一前表面之一研磨層。CMP系統進一步包括經組態以將一研磨液施配至研磨層與晶圓之間的一界面之一CMP研磨液施配器。研磨液中含有帶電磨料顆粒。CMP系統進一步包括附接至與前表面相對之研磨層的一後表面之一膜電極。膜電極經組態以透過在CMP系統之操作期間施加一電場而影響帶電磨料顆粒之移動。 其他實施例係關於一種化學機械研磨方法。在此方法中，將一晶圓面向下安置於一CMP墊上。接著，將含有帶電磨料顆粒之一研磨液施覆於晶圓與CMP墊之間。接著，將一電場施加至帶電磨料顆粒以影響帶電磨料顆粒之移動。接著，藉由使用研磨層化學地軟化晶圓之一最上過量部分及/或使用帶電磨料顆粒使該最上過量部分機械地脫位而平坦化晶圓。 其他實施例係關於一種化學機械研磨(CMP)墊。CMP墊包括一研磨層，該研磨層具有具突出突點之一前表面，而一後表面係平坦的。CMP墊進一步包括附接至研磨層的後表面之一膜電極。CMP墊進一步包括覆蓋膜電極的側壁及底表面之一絕緣層。 前文概述若干實施例之特徵使得熟習此項技術者可更佳理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應明白，其等可容易將本揭露用作用於設計或修改其他製程及結構的一基礎以實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點。熟習此項技術者亦應認知，此等等效構造不脫離本揭露之精神及範疇，且其等可在不脫離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中進行各種改變、置換及更改。
100‧‧‧化學機械研磨(CMP)系統
102‧‧‧研磨台
104‧‧‧研磨層
106‧‧‧晶圓
108‧‧‧晶圓載體
110‧‧‧化學機械研磨(CMP)研磨液施配器
112‧‧‧研磨液
114‧‧‧化學機械研磨(CMP)界面
116‧‧‧晶圓的最上部分/晶圓的上部分
122‧‧‧突點
123a‧‧‧圓形環/組件
123b‧‧‧圓形環/組件
124‧‧‧膜電極
125a‧‧‧圓形環/組件
126‧‧‧絕緣層
126a‧‧‧第一絕緣層
126b‧‧‧第二絕緣層
200‧‧‧橫截面視圖
202‧‧‧化學組合物
204‧‧‧磨料顆粒
206‧‧‧電源供應器
300‧‧‧橫截面視圖
302‧‧‧化學機械研磨(CMP)墊
304‧‧‧箭頭
402‧‧‧箭頭
500‧‧‧化學機械研磨(CMP)墊
600‧‧‧化學機械研磨(CMP)墊
700‧‧‧化學機械研磨(CMP)墊
702‧‧‧上導電層
704‧‧‧下導電層
800‧‧‧化學機械研磨(CMP)方法
802‧‧‧動作
804‧‧‧動作
806‧‧‧動作
808‧‧‧動作
810‧‧‧動作
900a‧‧‧第一橫截面視圖
900b‧‧‧第二橫截面視圖
900c‧‧‧第三橫截面視圖
902‧‧‧隔離金屬結構
904‧‧‧緻密金屬結構
當結合附圖閱讀時，自以下[實施方式]最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據工業標準實踐，各個構件未按比例繪製。事實上，為清楚論述，可任意地增大或減小各個構件之尺寸。 圖1展示根據一些實施例之一化學機械研磨(CMP)系統之一結構視圖。 圖2展示根據一些實施例之一待處理晶圓與一研磨層之間的一CMP界面之一橫截面視圖。 圖3展示根據一些實施例之當施加一第一電場時一待處理晶圓與一研磨層之間的一CMP界面之一橫截面視圖。 圖4展示根據一些實施例之當施加與圖3中展示的第一電場相反之一第二電場時一待處理晶圓與一研磨層之間的一CMP界面之一橫截面視圖。 圖5展示根據一些實施例之包含附接至一研磨層的一後表面之一膜電極之一CMP墊之俯視圖及橫截面視圖。 圖6展示根據一些替代實施例之包含附接至一研磨層的一後表面之一膜電極之一CMP墊之俯視圖及橫截面視圖。 圖7展示根據一些替代實施例之包含附接至一研磨層的一後表面之一膜電極之一CMP墊之俯視圖及橫截面視圖。 圖8展示根據一些實施例之一化學機械研磨(CMP)方法之一流程圖。 圖9展示根據一些實施例之展示由一化學機械研磨(CMP)製程的不同電場引入至金屬結構之一負載效應之橫截面視圖。 圖10展示根據一些實施例之金屬結構在一化學機械研磨(CMP)製程的不同電場下之一高度圖。

Claims (1)

  1. 一種化學機械研磨(CMP)系統，其包括： 一可旋轉晶圓載體，其經組態以固持一晶圓使其面向下以供處理； 一研磨層，其附接至一研磨台且具有經組態以與該待處理晶圓相互作用之一前表面； 一CMP研磨液施配器，其經組態以將一研磨液施配至該研磨層與該晶圓之間的一界面，該研磨液中含有帶電磨料顆粒；及 一膜電極，其附接至與該前表面相對之該研磨層之一後表面，且經組態以透過在該CMP系統之一操作期間施加一電場而影響該等帶電磨料顆粒之移動。
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