WO2023139834A1 - チャック装置 - Google Patents

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WO2023139834A1
WO2023139834A1 PCT/JP2022/033153 JP2022033153W WO2023139834A1 WO 2023139834 A1 WO2023139834 A1 WO 2023139834A1 JP 2022033153 W JP2022033153 W JP 2022033153W WO 2023139834 A1 WO2023139834 A1 WO 2023139834A1
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chuck device
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chuck
electrode
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貫太郎 堀
バーマン ソルタニ
一史 青木
尚紀 丸野
裕也 加藤
和也 山村
旭 楊
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株式会社デンソー
国立大学法人大阪大学
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    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/02—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine for mounting on a work-table, tool-slide, or analogous part
    • B23Q3/06—Work-clamping means
    • B23Q3/08—Work-clamping means other than mechanically-actuated
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Definitions

  • the present disclosure relates to a chuck device that holds a wafer.
  • Patent Literature 1 discloses a polishing method in which an anodizing process and a polishing process are performed simultaneously or alternately.
  • anodizing process a voltage is applied to the work piece as an anode in the presence of an electrolytic solution to oxidize the surface of the work piece.
  • a fixed-abrasive polishing body in which abrasive grains having a predetermined hardness and grain size are fixed to a substrate is used to polish and remove oxides formed on the surface of the workpiece.
  • ECMP is an abbreviation for Electro-Chemical Mechanical Polishing.
  • Patent Document 1 discloses a polishing apparatus suitable for polishing SiC wafers.
  • a container is fixed on a rotatable disc via an insulator, and a metal plate serving as a cathode is laid on the bottom surface of the container.
  • a SiC wafer is held by a rotatable wafer holder and pressed against a grindstone in an electrolytic solution with a predetermined load.
  • the wafer holder is attached to a vacuum chuck provided on the lower surface of the rotating head via an insulating layer.
  • the surface of the SiC wafer is modified by anodization, and the modified layer is removed with a grindstone, thereby gradually flattening the surface and obtaining a damage-free surface.
  • Patent Literature 1 does not disclose any necessary functions related to such a chuck device or a specific structure for realizing them.
  • the present disclosure has been made in view of the circumstances and the like exemplified above. That is, the present disclosure provides, for example, a chuck device capable of stably performing wafer flattening (that is, polishing or grinding) with the aid of anodization.
  • a chuck apparatus is configured to hold a wafer during anodization assisted planarization of the wafer.
  • This chuck device a suction unit having a suction surface for suctioning the wafer; a current-carrying part provided in the chucking part so as to conduct contact current with the wafer chucked by the chucking part; a chuck cover that insulatively covers the attracting portion and the current-carrying portion while exposing the attracting surface; It has
  • each element may be given a reference sign with parentheses.
  • the reference numerals indicate only one example of the corresponding relationship between the same element and the specific configuration described in the embodiment described later. Therefore, the present disclosure is not limited in any way by the description of the reference numerals.
  • FIG. 1 is a side cross-sectional view showing a schematic configuration of a surface processing device provided with a chuck device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4 is a graph showing the results of evaluation of the relationship between the size and shape of current-carrying portions and variations in oxidation rate in the chuck device shown in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a graph showing the results of evaluation of the relationship between the size and shape of current-carrying portions and variations in oxidation rate in the chuck device shown in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a graph showing the results of evaluation of the relationship between the size and shape of current-carrying portions and variations in oxidation rate in the chuck device shown in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a graph showing the results of evaluation of the relationship between the size and shape of current-carrying portions and variations in oxidation rate in the chuck device shown in FIG. 1.
  • FIG. 2 is a bottom view showing an arrangement example of contact electrodes in an in-plane direction when the contact electrodes shown in FIG. 1 are formed in a pin shape
  • FIG. FIG. 8 is a bottom view showing another arrangement example of the contact electrodes in the in-plane direction when the contact electrodes shown in FIG. 1 are formed in a pin shape
  • FIG. 11 is a side cross-sectional view showing a schematic configuration of a surface processing apparatus provided with a chuck device according to a modified example
  • FIG. 11 is a side cross-sectional view showing a schematic configuration of a surface processing apparatus provided with a chuck device according to another modified example;
  • a surface processing apparatus 1 is configured to planarize a surface W1 to be processed, which is the main surface of a wafer W, which is a planar workpiece.
  • a "principal surface” is a surface of a plate-like object perpendicular to the thickness direction, and is also referred to as a "plate surface”. That is, the wafer W has a surface to be processed W1, which is one of a pair of main surfaces, and a surface to be attracted W2, which is the other, that is, the back surface.
  • the surface processing apparatus 1 is configured to be able to perform polishing or grinding with the aid of anodization on a surface W1 to be processed of a semiconductor wafer such as an SiC wafer.
  • the surface processing device 1 has a configuration as an ECMP device or an ECMG device.
  • ECMG is an abbreviation for Electro-Chemical Mechanical Grinding.
  • FIG. 1 is a simplified schematic diagram for briefly describing the contents of the present disclosure, and does not limit the contents of the present disclosure. For this reason, it goes without saying that FIG. 1 does not necessarily match a diagram showing a specific configuration that is actually manufactured and sold. The same applies to the vertical direction, the vertical positional relationship among the constituent elements, and the like. The same applies to other configuration diagrams.
  • the surface processing device 1 includes a chuck device 2, a processing pad 3, and a container 4.
  • Chuck device 2 is configured to hold wafer W during anodization-assisted planarization of wafer W.
  • the chuck device 2 is configured such that the wafer W it holds can be rotated around a central axis L parallel to the vertical direction.
  • the processing pad 3 is provided below the chuck device 2 so as to face the surface W ⁇ b>1 to be processed on the wafer W held by the chuck device 2 .
  • the container 4 is shaped like a bathtub that opens upward.
  • a container 4 is arranged below the chuck device 2 and the processing pad 3 so as to contain the processing pad 3 and the electrolytic solution S.
  • the electrolytic solution S is a solution containing no etchant component, such as an aqueous solution of sodium chloride, potassium chloride, or sodium nitrate.
  • the etchant component is a component (for example, hydrofluoric acid or the like) that constitutes a dissolving liquid capable of dissolving the oxide film formed on the surface to be processed W1 by anodization.
  • the chuck device 2 and/or the container 4 are provided so as to be vertically movable by an elevating mechanism (not shown).
  • the chuck device 2 and/or the container 4 are provided so as to be movable in the XY directions in the drawing by a translation mechanism (not shown).
  • the surface processing apparatus 1 is configured to generate an oxide film on the surface to be processed W1 by applying current with the processing pad 3 side as a cathode and the wafer W side as an anode in the presence of the electrolytic solution S, and to selectively remove the generated oxide film by the processing pad 3.
  • the chuck device 2 is configured to be able to hold the wafer W and energize the wafer W by sucking the sucked surface W2 of the wafer W onto the downwardly exposed horizontal sucking surface 20 with negative pressure. That is, the chuck device 2 has a configuration as a vacuum chuck device that sucks the wafer W onto the chucking surface 20 with negative pressure. Further, the chuck device 2 is provided with an electrode mounting hole 21 .
  • the electrode mounting hole 21 is formed in a stepped shape having a large-diameter portion 21a that opens at the attracting surface 20 and a small-diameter portion 21b provided above the large-diameter portion 21a so as to communicate with the large-diameter portion 21a.
  • the electrode mounting hole 21 can be formed in a ring shape surrounding the central axis L, for example.
  • a plurality of electrode mounting holes 21 formed in the shape of stepped round holes may be arranged two-dimensionally in the in-plane direction.
  • the “in-plane direction” is a direction along the attraction surface 20 and parallel to the XY plane in the drawing.
  • a plurality of electrode mounting holes 21 can be arranged on a circle surrounding the central axis L. As shown in FIG.
  • the chuck device 2 includes a chuck cover 22, a suction portion 23, and a contact electrode 24.
  • the chuck cover 22 is configured to insulatively cover the adsorption portion 23 and the contact electrode 24 while exposing the adsorption surface 20 provided on the adsorption portion 23 . That is, the chuck cover 22 has an upper cover portion 221 that covers the upper side of the suction portion 23 and a side cover portion 222 that covers the sides of the suction portion 23 .
  • the chuck cover 22 is integrally formed of an insulating material (for example, insulating ceramics).
  • the adsorption part 23 has an adsorption surface 20 that adsorbs the wafer W with negative pressure.
  • the adsorption part 23 is made of an insulating porous material such as porous ceramic, and is formed into a plate shape having an adsorption surface 20 as a bottom surface and an internal passage through which air or negative pressure can pass in the plate thickness direction. That is, the adsorption section 23 has a configuration as a so-called porous chuck. At least the large-diameter portion 21 a of the electrode mounting hole 21 is provided in the adsorption portion 23 .
  • the contact electrode 24 as a current-carrying portion is provided in the chucking portion 23 so as to conduct contact current with the chucking portion 23 , that is, the wafer W chucked by the chucking surface 20 .
  • the contact electrode 24 is embedded in the adsorption portion 23 so as to be exposed on the adsorption surface 20 .
  • the contact electrode 24 has an external shape corresponding to the electrode mounting hole 21 , and is detachably mounted on the adsorption section 23 by being fitted into the electrode mounting hole 21 . That is, the contact electrode 24 has a base portion 241 fitted into the small diameter portion 21b and an exposed portion 242 fitted into the large diameter portion 21a.
  • the exposed portion 242 has a contact surface 243 that is exposed on the attraction surface 20 and contacts the surface W2 of the wafer W to be attracted.
  • the contact surface 243 is provided flush with the attracting surface 20 so that the wafer W does not rise from the attracting surface 20 while in contact with the attracting surface W2.
  • the contact electrode 24 is integrally formed of a low resistance conductor such as copper.
  • the electrode mounting hole 21 is formed in a ring shape surrounding the central axis L, the contact electrode 24 is formed in a ring shape.
  • the contact electrode 24 is formed in the shape of a pin.
  • the processing pad 3 is provided so that the processing surface 301, which is the upper surface of the processing pad 3, faces the processing surface W1 of the wafer W held by the chuck device 2 via the electrolytic solution S, and planarizes the processing surface W1 while passing an electric current using the wafer W as an anode.
  • the processing pad 3 has a configuration for selectively removing oxides generated on the surface W1 to be processed while anodizing the surface W1 to be processed in the presence of the electrolyte S. That is, the processing pad 3 has a two-layer structure in which a grindstone layer 302 having a processing surface 301 and a counter electrode layer 303, which is a conductor layer such as a conductor metal supporting the grindstone layer 302, are joined.
  • the working pad 3 may also be referred to as a "polishing pad” or a "grinding pad”.
  • the electrolytic solution S is stored in the inner space of the container 4 containing the processing pad 3 so that the liquid surface of the electrolytic solution S is above the processing surface 301 . Further, as shown in FIG. 1, the wafer W is attracted to the chucking portion 23 of the chucking device 2 by negative pressure while the chucking device 2, the processing pad 3 and the container 4 are vertically separated from each other. Subsequently, the chuck device 2 sucking the wafer W and the container 4 containing the processing pad 3 and the electrolytic solution S are brought close to each other in the presence of the electrolytic solution S until the surface to be processed W1 and the processing surface 301 come into contact with each other.
  • a current is applied with the processing pad 3 side as a cathode and the wafer W side as an anode. Also, the chuck device 2 and the processing pad 3 are rotated relative to each other. As a result, the anodized surface W1 to be processed is ground or polished by the processing pad 3, thereby selectively removing the oxide film (that is, the oxide formed in the form of a film) on the surface W1 to be processed, so that the surface W1 to be processed can be satisfactorily planarized.
  • the oxide film that is, the oxide formed in the form of a film
  • the chuck device 2 that holds the wafer W is required to have various functions.
  • the holding function of holding the wafer W there are a function of energizing the wafer W, a function of insulating the surface processing apparatus 1 from other parts, and the like. By realizing these functions, it becomes possible to realize highly efficient and high quality wafer processing.
  • the wafer W which is the workpiece, and the processing pad 3 are in contact during processing in ECMP or ECMG. Therefore, if a conventional vacuum chuck mechanism used for physical polishing or CMP, which is different from ECMP or ECMG, is simply used, it is difficult to energize the wafer W from the outside of the conventional vacuum chuck mechanism.
  • CMP is an abbreviation for Chemical Mechanical Polishing.
  • the chuck device 2 includes a chuck cover 22 , a suction portion 23 and a contact electrode 24 .
  • the adsorption unit 23 has an adsorption surface 20 that adsorbs the wafer W with negative pressure.
  • the contact electrode 24 is provided in the attraction part 23 so as to contact and conduct electricity with the wafer W attracted to the attraction part 23 .
  • the chuck cover 22 holds the wafer W, that is, exposes the attraction surface 20 so that the wafer W can be attracted, and covers the attraction part 23 and the contact electrode 24 in an insulating manner.
  • the holding function, the current-carrying function, and the insulating function can be satisfactorily achieved, thereby making it possible to stably perform ECMP and ECMG.
  • the uniformity of the oxide film is affected by the uniformity of the energized state of the wafer W in the in-plane direction.
  • the in-plane uniformity of the energized state of the wafer W is affected by the arrangement state (for example, area ratio) of the exposed portion 242 exposed on the attracting surface 20 , that is, the contact surface 243 of the contact electrode 24 .
  • FIGS. 2A to 2C show the results of evaluating the relationship between the size and shape of the contact surface 243 and variations in the oxidation rate.
  • the vertical axis indicates variation in oxidation rate.
  • FIG. 2A shows the relationship between the area of contact surface 243 and the variation in oxidation rate.
  • the horizontal axis in FIG. 2A indicates the electrode area, ie, the area of the contact surface 243 .
  • the in-plane shape of the contact surface 243 is shown beside each plot in FIG. 2A.
  • FIG. 2B shows the relationship between the area ratio of the electrode area on the adsorption surface 20 and the variation in the oxidation rate. Note that the horizontal dashed-dotted line in FIG.
  • FIG. 2B indicates the boundary of the ECMP establishment condition. That is, ECMP processing is possible under conditions below the horizontal dashed line in FIG. 2B.
  • the vertical dash-dot line in FIG. 2B indicates the wafer holding limit. That is, the wafer W can be stably held on the attraction surface 20 under the condition on the left side of the vertical dashed line in FIG. 2B, that is, the area ratio is 0.83 or less.
  • the area fraction value in the leftmost plot in FIG. 2B is 0.00017.
  • FIG. 2C shows the relationship between the shape of the electrode, that is, the shape of the contact surface 243, and the variation in the oxidation rate.
  • the optimal electrode area is obtained from the trade-off relationship between the increase in the current-carrying area and the decrease in the attracting force that accompanies the increase in the electrode area. Then, the electrode area is optimized with the maximum area within a range that does not impair the attractive force.
  • the graph shown in FIG. 2A is consistent with such an assumption. Variation in oxidation rate was evaluated by variously changing the area ratio.
  • the area ratio of the electrode area on the adsorption surface 20 is preferably 0.00017 to 0.83 (ie, 0.017 to 83%), more preferably 0.2 to 0.75 (ie, 20 to 75%).
  • the electrode shape in shape example 1, is a circular shape centered at the intersection of the plane including the attraction surface 20 and the central axis L and having an outer diameter half the outer diameter of the attraction surface 20 .
  • Shape example 2 is an annular ring having the same outer diameter as shape example 1.
  • FIG. Comparing shape example 1 and shape example 2, shape example 2 has a smaller electrode area than shape example 1, but the suction surface 20 is provided in the center, which stabilizes the suction state, that is, the contact state between the contact surface 243 and the work surface W1. Therefore, in shape example 2, the variation in the oxidation rate is substantially the same as in shape example 1, or is slightly improved.
  • Shape example 3 has the same electrode area as shape example 2, and the electrode shape is changed from a single ring to a double ring. According to the shape example 3, the variation in the oxidation rate is greatly improved compared to the shape example 2. In this way, even if the electrode areas are the same, by distributing the contact surfaces 243 more uniformly in the in-plane direction, it is possible to improve the variation in the oxidation rate.
  • the contact electrode 24 is formed in a substantially cylindrical pin shape, as shown in FIG. 3, one contact electrode 24 can be arranged at the center of the attracting surface 20, and a plurality of contact electrodes 24 can be arranged at equal intervals on a circumference surrounding the center. Such a plurality of circular contact electrodes 24 can be arranged in a plurality of concentric rows. Alternatively, as shown in FIG. 4, a plurality of contact electrodes 24 can be distributed as evenly as possible in the in-plane direction.
  • the contact electrode 24 may deteriorate due to oxidation or consumption. Also, it may be desirable to change the resistivity of the contact electrode 24 in order to change the oxidation conditions, that is, the anodization current density. In this respect, by making the contact electrode 24 detachable from the adsorption portion 23, that is, making it easy to replace, it is possible to meet these demands accurately.
  • FIG. 1 is a simplified schematic diagram for simply explaining the outline of the chuck device 2 according to the present disclosure. Therefore, the configuration of the surface processing apparatus 1 that is actually manufactured and sold does not necessarily match the exemplary configuration shown in FIG. Moreover, the configuration of the surface processing apparatus 1 that is actually manufactured and sold can be appropriately changed from the exemplary configuration shown in FIG.
  • the electrolyte solution S may contain an etchant component. That is, the surface processing apparatus 1 according to the present disclosure and the surface processing method practicable thereby may polish or grind the surface to be processed W1 by selectively removing the oxide film produced by the anodization using both the etchant and the processing pad 3.
  • the surface processing apparatus 1 has a configuration in which the surface W1 to be processed is planarized while the electrolyte S is stored in the internal space of the container 4 so that the liquid level of the electrolyte S is above the processing surface 301 of the processing pad 3.
  • the present disclosure is not limited to such configurations. That is, for example, the electrolytic solution S may be jetted from a nozzle (not shown).
  • the chuck device 2 was located above the processing pad 3.
  • the present disclosure is not limited to such configurations. That is, for example, the chuck device 2 may be positioned below the processing pad 3 .
  • the description of the vertical relationship in the above embodiment is reversed.
  • the adsorption surface 20 and the processing surface 301 may not be parallel to the horizontal or vertical plane, and may be inclined with respect to them.
  • the chuck device 2 is configured such that the chuck cover 22 and the suction portion 23 are rotatable around the central axis L.
  • the present disclosure is not limited to such aspects. That is, for example, the processing pad 3 may be provided rotatably around a rotation center axis parallel to the Z-axis in the drawing by a rotation mechanism (not shown).
  • the large-diameter portion 21a of the electrode mounting hole 21 may be formed as a tapered hole whose width in the in-plane direction increases toward the attraction surface 20 along the axial direction parallel to the central axis L.
  • the contact electrode 24 may also be formed in a frustum shape whose width in the in-plane direction increases along the axial direction toward the contact surface 243 .
  • the electrode mounting hole 21 is not limited to a shape having a large diameter portion 21a and a small diameter portion 21b. That is, for example, the electrode mounting hole 21 may be formed so that the width in the in-plane direction is constant.
  • the contact electrode 24 may also be formed to have a constant width in the in-plane direction.
  • the adsorption part 23 may be formed integrally with the current-carrying part.
  • FIG. 6 shows a configuration corresponding to such an aspect. That is, the attracting portion 23 is formed of a conductor that conducts with the wafer W by contact with the surface W2 to be attracted.
  • the adsorption portion 23 has a configuration as a porous metal sintered plate or a porous carbon plate (that is, a conductive porous body) through which air can flow in the plate thickness direction.
  • the adsorption section 23 may have a configuration in which a conductive adhesive layer or adhesive layer is formed on the bottom surface of a block-shaped or plate-shaped electrode body.
  • the structure of the chucking device 2 can be simplified by making the adsorption part 23 have a structure that also functions as an electrode or a current-carrying part (that is, a structure that also functions as a current-carrying part).
  • the adsorption part 23 has a structure that also functions as an electrode or a current-carrying part (that is, a structure that also functions as a current-carrying part).
  • uniformizing the energization state to the wafer W in the in-plane direction it is possible to achieve excellent planarization of the surface W1 to be processed.
  • the plurality of constituent elements that are seamlessly and integrally formed may be formed by bonding separate members together. Similarly, a plurality of constituent elements that are formed by bonding separate members together may be formed seamlessly and integrally with each other. Moreover, in the above description, the plurality of constituent elements that are made of the same material may be made of different materials. Similarly, a plurality of components made of different materials may be made of the same material.
  • Modifications are not limited to the above examples either. That is, for example, a plurality of embodiments other than those exemplified above can be combined with each other as long as they are not technically inconsistent. Likewise, multiple variants may be combined with each other unless technically inconsistent.

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Abstract

チャック装置（２）は、陽極酸化を援用したウェハ（Ｗ）の平坦化の際にウェハを保持するように構成されている。このチャック装置は、チャックカバー（２２）と、吸着部（２３）と、通電部（２４）とを備えている。吸着部（２３）は、ウェハ（Ｗ）を吸着する吸着面（２０）を有する。通電部（２４）は、吸着部（２３）に吸着されたウェハ（Ｗ）と接触通電するように、吸着部（２３）に設けられている。チャックカバー（２２）は、吸着面（２０）を露出させつつ吸着部（２３）および通電部（２４）を絶縁的に覆う。

Description

チャック装置 関連出願への相互参照
　本出願は、２０２２年１月２０日に出願された日本特許出願番号２０２２－７２２４号に基づくもので、ここにその記載内容が参照により組み入れられる。
　本開示は、ウェハを保持するチャック装置に関する。
　半導体ウェハ等の平板状の被加工物における表面を平坦化（すなわち研削あるいは研磨）する技術が、従来から種々知られている。例えば、特許文献１は、陽極酸化プロセスと研磨プロセスとを同時または交互に進行させる研磨方法を開示する。陽極酸化プロセスは、電解液の存在下で、被加工物を陽極として電圧を印加し、被加工物の表面を酸化させる。研磨プロセスは、所定の硬度および粒度の砥粒を基材に固定した固定砥粒研磨体で、被加工物の表面に形成された酸化物を研磨して除去する。かかる研磨方法は、ＥＣＭＰと称される。ＥＣＭＰはＥｌｅｃｔｒｏ－Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇの略である。
　具体的には、特許文献１は、ＳｉＣウェハを研磨するのに適した研磨装置を開示する。この研磨装置においては、回転可能な円盤の上に絶縁体を介して容器が固定され、容器底面に陰極となる金属板が敷設される。ＳｉＣウェハは、回転可能なウェハホルダーに保持され、電解液中で砥石に所定荷重で押圧される。ウェハホルダーは、回転ヘッドの下面に絶縁層を介して設けた真空チャックに吸着される。そして、ＳｉＣウェハを作用極として正電位を印加することでＳｉＣウェハの表面を陽極酸化により改質し、改質層を砥石で除去することで、表面は徐々に平坦になり、ダメージのない表面が得られる。
特開２０２１－２７３５９号公報
　上記のような、ＥＣＭＰ、すなわち、陽極酸化を援用した研磨を安定的に行うためには、ウェハを保持するチャック装置に対して、種々の機能が求められる。例えば、ウェハを保持する保持機能に加えて、ウェハに通電する通電機能や、研磨装置における他の部分との絶縁機能、等が挙げられる。この点、特許文献１には、このようなチャック装置に関する必要機能や、これを実現するための具体的な構造については、何ら開示されていない。本開示は、上記に例示した事情等に鑑みてなされたものである。すなわち、本開示は、例えば、陽極酸化を援用したウェハ平坦化（すなわち研磨または研削）を安定的に行うことを可能とするチャック装置を提供する。
　本開示の１つの観点によれば、チャック装置は、陽極酸化を援用したウェハの平坦化の際に前記ウェハを保持するように構成されている。
　このチャック装置は、
　前記ウェハを吸着する吸着面を有する吸着部と、
　前記吸着部に吸着された前記ウェハと接触通電するように前記吸着部に設けられた通電部と、
　前記吸着面を露出させつつ前記吸着部および前記通電部を絶縁的に覆うチャックカバーと、
　を備えている。
　なお、出願書類中の各欄において、各要素に括弧付きの参照符号が付されている場合がある。この場合、参照符号は、同要素と後述する実施形態に記載の具体的構成との対応関係の単なる一例を示すものである。よって、本開示は、参照符号の記載によって、何ら限定されるものではない。
本開示の一実施形態に係るチャック装置を備えた表面加工装置の概略構成を示す側断面図である。 図１に示されたチャック装置における通電部のサイズや形状と酸化速度のバラツキとの関係を評価した結果を示すグラフである。 図１に示されたチャック装置における通電部のサイズや形状と酸化速度のバラツキとの関係を評価した結果を示すグラフである。 図１に示されたチャック装置における通電部のサイズや形状と酸化速度のバラツキとの関係を評価した結果を示すグラフである。 図１に示されたコンタクト電極がピン状に形成された場合の面内方向におけるコンタクト電極の一配列例を示す底面図である。 図１に示されたコンタクト電極がピン状に形成された場合の面内方向におけるコンタクト電極の他の配列例を示す底面図である。 一変形例に係るチャック装置を備えた表面加工装置の概略構成を示す側断面図である。 他の一変形例に係るチャック装置を備えた表面加工装置の概略構成を示す側断面図である。
　（実施形態）
　以下、本開示の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、一つの実施形態に対して適用可能な各種の変形例については、当該実施形態に関する一連の説明の途中に挿入されると、当該実施形態の理解が妨げられるおそれがある。このため、変形例については、当該実施形態に関する一連の説明の途中には挿入せず、その後にまとめて説明する。
　（実施形態：全体構成）
　図１を参照すると、表面加工装置１は、平板状の被加工物であるウェハＷの主面である被加工面Ｗ１を平坦化するように構成されている。「主面」は、板状物における板厚方向と直交する表面であって、「板面」とも称される。すなわち、ウェハＷは、一対の主面のうちの一方である被加工面Ｗ１と、他方すなわち裏面である被吸着面Ｗ２とを有している。本実施形態に係る表面加工装置１は、ＳｉＣウェハ等の半導体ウェハを被加工物として、その被加工面Ｗ１に対して陽極酸化を援用した研磨加工または研削加工を実施可能に構成されている。換言すれば、表面加工装置１は、ＥＣＭＰ装置またはＥＣＭＧ装置としての構成を有している。ＥＣＭＧはＥｌｅｃｔｒｏ－Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇの略である。
　以下、本実施形態に係る表面加工装置１の概略構成について、図１を参照しつつ説明する。ここで、説明の簡略化のため、図示の通りに、右手系ＸＹＺ座標系を設定する。本実施形態においては、Ｚ軸正方向は、鉛直上方、すなわち、重量作用方向とは反対の方向を示すものとする。また、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、ともに、水平方向を示すものとする。以下、説明の便宜上、鉛直上方に対応するＺ軸正方向側を単に「上方」と称したり、その逆を単に「下方」と称したりすることがある。なお、図１は、本開示の内容を簡潔に説明するために簡略化された概略図であって、本開示の内容を何ら限定するものではない。このため、図１と、実際に製造販売される具体的な構成を示す図とは、必ずしも一致しないことは、云うまでもない。上下方向や各構成要素間の上下位置関係等についても同様である。他の構成図についても同様である。
　表面加工装置１は、チャック装置２と、加工パッド３と、容器４とを備えている。チャック装置２は、陽極酸化を援用したウェハＷの平坦化の際にウェハＷを保持するように構成されている。具体的には、図１に示されている例においては、チャック装置２は、ウェハＷにおける被吸着面Ｗ２を吸着することで、ウェハＷを、被加工面Ｗ１を下方に露出させつつ保持するように構成されている。また、チャック装置２は、保持しているウェハＷを上下方向と平行な中心軸Ｌを中心として回転可能に構成されている。加工パッド３は、チャック装置２に保持されたウェハＷにおける被加工面Ｗ１に対向配置されるように、チャック装置２の下方に設けられている。
　容器４は、上方に向けて開口するバスタブ状に形成されている。容器４は、加工パッド３および電解液Ｓを収容するように、チャック装置２および加工パッド３の下方に配置されている。本実施形態においては、電解液Ｓは、エッチャント成分を含まない溶液であって、例えば、塩化ナトリウム、塩化カリウム、あるいは硝酸ナトリウム等の水溶液である。エッチャント成分は、陽極酸化によって被加工面Ｗ１上に生成された酸化物膜の溶解能を有する溶解液を構成する成分（すなわち例えばフッ化水素酸等）である。チャック装置２および／または容器４は、不図示の昇降機構によって、上下に移動可能に設けられている。また、チャック装置２および／または容器４は、不図示の並進機構によって、図中ＸＹ方向に移動可能に設けられている。そして、表面加工装置１は、電解液Ｓの存在下で加工パッド３側を陰極としウェハＷ側を陽極として電流を印加することで被加工面Ｗ１上に酸化物膜を生成するとともに、生成した酸化物膜を加工パッド３により選択的に除去するように構成されている。
　（チャック装置）
　チャック装置２は、下方に向けて露出した水平面状の吸着面２０に、ウェハＷにおける被吸着面Ｗ２を負圧により吸着することで、ウェハＷを保持しつつウェハＷに通電可能に構成されている。すなわち、チャック装置２は、負圧によりウェハＷを吸着面２０に吸着する真空チャック装置としての構成を有している。また、チャック装置２には、電極装着孔２１が設けられている。電極装着孔２１は、吸着面２０にて開口する大径部２１ａと、この大径部２１ａと連通するように大径部２１ａよりも上方に設けられた小径部２１ｂとを有する段付き形状に形成されている。電極装着孔２１は、例えば、中心軸Ｌを囲むリング状に形成され得る。あるいは、段付き丸孔状に形成された複数の電極装着孔２１が、面内方向に二次元配置され得る。「面内方向」とは、吸着面２０に沿った方向であって、図中ＸＹ平面と平行な方向である。具体的には、例えば、複数の電極装着孔２１が、中心軸Ｌを囲む円周上に配列され得る。
　チャック装置２は、チャックカバー２２と、吸着部２３と、コンタクト電極２４とを備えている。チャックカバー２２は、吸着部２３に設けられた吸着面２０を露出させつつ、吸着部２３およびコンタクト電極２４を絶縁的に覆うように構成されている。すなわち、チャックカバー２２は、吸着部２３の上方を覆う上方カバー部２２１と、吸着部２３の側方を覆う側方カバー部２２２とを有している。チャックカバー２２は、絶縁性材料（例えば絶縁性セラミックス）によって一体に形成されている。
　吸着部２３は、ウェハＷを負圧により吸着する吸着面２０を有している。図１に示された例においては、吸着部２３は、ポーラスセラミック等の絶縁性ポーラス材料により、吸着面２０を底面とし板厚方向に空気あるいは負圧が通過可能な内部通路を有する板状に形成されている。すなわち、吸着部２３は、いわゆるポーラスチャックとしての構成を有している。吸着部２３には、電極装着孔２１における少なくとも大径部２１ａが設けられている。
　通電部としてのコンタクト電極２４は、吸着部２３すなわち吸着面２０に吸着されたウェハＷと接触通電するように、吸着部２３に設けられている。図１に示された例においては、コンタクト電極２４は、吸着面２０にて露出するように、吸着部２３に埋設されている。具体的には、コンタクト電極２４は、電極装着孔２１に対応する外形形状を有し、電極装着孔２１に嵌め込まれることで吸着部２３に対して着脱可能に装着されている。すなわち、コンタクト電極２４は、小径部２１ｂに嵌め込まれる基部２４１と、大径部２１ａに嵌め込まれる露出部２４２とを有している。露出部２４２は、吸着面２０にて露出することでウェハＷにおける被吸着面Ｗ２に当接するコンタクト面２４３を有している。コンタクト面２４３は、被吸着面Ｗ２と当接した状態で吸着面２０からのウェハＷの浮き上がりが生じないように、吸着面２０と面一に設けられている。コンタクト電極２４は、銅等の低抵抗な導体によって一体に形成されている。電極装着孔２１が中心軸Ｌを囲むリング状に形成されている場合、コンタクト電極２４は、リング状に形成されている。一方、電極装着孔２１が丸孔状に形成されている場合、コンタクト電極２４は、ピン状に形成されている。
　加工パッド３は、その上面である加工面３０１が、チャック装置２に保持されたウェハＷにおける被加工面Ｗ１に電解液Ｓを介して対向した状態で、ウェハＷを陽極として電流を通流させつつ被加工面Ｗ１を平坦化するように設けられている。本実施形態においては、加工パッド３は、電解液Ｓの存在下で被加工面Ｗ１を陽極酸化しつつ、被加工面Ｗ１に生成した酸化物を選択的に除去するための構成を有している。すなわち、加工パッド３は、加工面３０１を有する砥石層３０２と、この砥石層３０２を担持する導体金属等の導体層である対向電極層３０３とを接合した、２層構造を有している。加工パッド３は、「研磨パッド」、あるいは「研削パッド」とも称され得る。
　（実施形態：作用・効果）
　以下、本実施形態に係るチャック装置２を備えた表面加工装置１の動作概要について、かかるチャック装置２の有する構成により奏される効果とともに説明する。
　まず、加工パッド３を収容した容器４の内部空間に、電解液Ｓの液面が加工面３０１より上となるように、電解液Ｓが貯留される。また、図１に示されているように、チャック装置２と加工パッド３および容器４とが上下方向について離隔した状態で、チャック装置２における吸着部２３にウェハＷが負圧により吸着される。続いて、ウェハＷを吸着したチャック装置２と、加工パッド３および電解液Ｓを収容した容器４とが、電解液Ｓの存在下で被加工面Ｗ１と加工面３０１とが接触するまで接近させられる。そして、加工パッド３側を陰極としウェハＷ側を陽極として電流が印加される。また、チャック装置２と加工パッド３とが相対的に回転される。これにより、陽極酸化された被加工面Ｗ１を加工パッド３により研削または研磨することで被加工面Ｗ１上の酸化物膜（すなわち膜状に生成された酸化物）が選択的に除去され、以て被加工面Ｗ１が良好に平坦化され得る。
　ここで、上記のようなＥＣＭＰやＥＣＭＧ、すなわち、陽極酸化を援用したウェハＷの平坦化を安定的に行うためには、ウェハＷを保持するチャック装置２に対して、種々の機能が求められる。例えば、ウェハＷを保持する保持機能に加えて、ウェハＷに通電する通電機能や、表面加工装置１における他の部分との絶縁機能、等が挙げられる。これらの機能を実現することで、高効率且つ高品質のウェハ加工を実現することが可能となる。
　この点、ＥＣＭＰやＥＣＭＧにおける加工中は、被加工物であるウェハＷと加工パッド３とが接触状態である。このため、ＥＣＭＰやＥＣＭＧとは異なる、物理研磨やＣＭＰにて用いられていた、従来の真空チャック機構を単に流用した場合、かかる従来の真空チャック機構の外部からウェハＷに通電することは困難である。ＣＭＰはＣｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇの略である。
　そこで、本実施形態においては、チャック装置２は、チャックカバー２２と、吸着部２３と、コンタクト電極２４とを備えている。吸着部２３は、ウェハＷを負圧により吸着する吸着面２０を有する。コンタクト電極２４は、吸着部２３に吸着されたウェハＷと接触通電するように吸着部２３に設けられている。チャックカバー２２は、ウェハＷを保持すなわち吸着可能に吸着面２０を露出させつつ、吸着部２３およびコンタクト電極２４を絶縁的に覆う。このように、吸着部２３に通電部としてのコンタクト電極２４を埋設しつつこれらをチャックカバー２２により絶縁的に覆うことで、保持機能と通電機能と絶縁機能とが良好に奏され、以てＥＣＭＰやＥＣＭＧを安定的に行うことを可能となる。
　また、被加工面Ｗ１における酸化物膜の均一性を確保することで、研削後あるいは研磨後における良好な表面状態が得られる。酸化物膜の均一性は、ウェハＷに対する通電状態の面内方向における均一性の影響を受けるものと考えられる。ウェハＷに対する通電状態の面内方向における均一性は、コンタクト電極２４における、吸着面２０にて露出する露出部２４２すなわちコンタクト面２４３の、配置状態（例えば面積割合等）の影響を受ける。
　図２Ａ～図２Ｃは、コンタクト面２４３のサイズや形状と酸化速度のバラツキとの関係を評価した結果を示す。図２Ａ～図２Ｃにおいて、縦軸は、酸化速度のバラツキを示す。図２Ａは、コンタクト面２４３の面積と酸化速度のバラツキとの関係を示す。図２Ａにおける横軸は、電極面積すなわちコンタクト面２４３の面積を示す。また、図２Ａにおける各プロットの脇には、コンタクト面２４３の面内形状が示されている。図２Ｂは、電極面積の吸着面２０における面積割合と酸化速度のバラツキとの関係を示す。なお、図２Ｂにおける水平な一点鎖線は、ＥＣＭＰ成立条件の境界を示す。すなわち、図２Ｂにおける水平な一点鎖線よりも下側の条件で、ＥＣＭＰ加工が可能である。また、図２Ｂにおける垂直な一点鎖線は、ウェハ保持限界を示す。すなわち、図２Ｂにおける垂直な一点鎖線よりも左側の条件、すなわち、面積割合が０．８３以下で、吸着面２０におけるウェハＷの安定的な保持が可能である。図２Ｂにおける最も左側のプロットにおける面積割合の値は、０．０００１７である。図２Ｃは、電極形状すなわちコンタクト面２４３の形状と酸化速度のバラツキとの関係を示す。
　原理的には、吸着面２０における外形形状を一定とした場合、電極面積が大きくなるほど、通電状態の面内方向における均一性が向上するものと考えられる。但し、電極面積が大き過ぎると、逆に吸着状態すなわちコンタクト面２４３と被加工面Ｗ１との接触状態が不安定化することで、通電状態の面内方向における均一性が悪化することが想定される。このため、横軸を電極面積とし縦軸を酸化速度のバラツキとした場合のグラフは、中間部が低くなる略Ｖ字あるいは略Ｕ字型となることが想定される。すなわち、電極面積の上昇に伴う、通電面積上昇と吸着力低下とのトレードオフの関係から、最適な電極面積が求められる。そして、電極面積は、吸着力を損なわない範囲の最大限の面積で最適化される。図２Ａに示されたグラフは、かかる想定と合致している。面積割合を種々変更して酸化速度のバラツキを評価したところ、図２Ｂに示されているように、電極面積の吸着面２０における面積割合は、好適には、０．０００１７～０．８３（すなわち０．０１７～８３％）であり、より好適には、０．２～０．７５（すなわち２０～７５％）である。すなわち、電極面積をＳ１とし、電極面積と吸着面２０の面積との総和をＳ２とすると、面積割合ＤＳ＝Ｓ１／Ｓ２＝０．０００１７～０．８３であることが好適であり、０．２～０．７５であることがより好適である。Ｓ２は、略円形状の吸着面２０における半径をＲとすると、Ｓ２＝πＲ２である。
　図２Ｃにおいて、形状例１は、電極形状が、吸着面２０を含む平面と中心軸Ｌとの交点を中心とし外径が吸着面２０の外径の半分である円形状である。形状例２は、形状例１と外径が同一の円環状である。形状例１と形状例２とを対比すると、形状例２は、電極面積については形状例１よりも小さいものの、中心部に吸着面２０を設けることで吸着状態すなわちコンタクト面２４３と被加工面Ｗ１との接触状態が安定化する。このため、形状例２においては、酸化速度のバラツキは、形状例１とほぼ同等、あるいは、これよりも若干向上する。形状例３は、形状例２と電極面積が同一で、電極形状を単環状から二重環状に変更したものである。形状例３によれば、形状例２よりも、酸化速度のバラツキが大幅に向上する。このように、電極面積が同一であっても、コンタクト面２４３を面内方向についてより均一に分散することで、酸化速度のバラツキを向上することが可能である。具体的には、例えば、コンタクト電極２４を略円柱形状のピン状に形成した場合、図３に示されているように、１つのコンタクト電極２４を吸着面２０における中心に配置するとともに、かかる中心を囲む円周上に複数のコンタクト電極２４を等間隔に配置することが可能である。かかる円周状の複数のコンタクト電極２４の配列は、同心円状に複数列設けられ得る。あるいは、図４に示されているように、複数のコンタクト電極２４を、面内方向について可能な限り均等になるように分散配置することが可能である。
　コンタクト電極２４は、酸化や消耗により劣化し得る。また、酸化条件すなわち陽極酸化電流密度を変更するため、コンタクト電極２４の抵抗率を変更したい場合があり得る。この点、コンタクト電極２４を吸着部２３に対して着脱可能すなわち交換容易とすることで、これらのような要求に的確に対応することが可能となる。
　（変形例）
　本開示は、上記実施形態に限定されるものではない。故に、上記実施形態に対しては、適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態との相違点を主として説明する。また、上記実施形態と変形例とにおいて、互いに同一または均等である部分には、同一符号が付されている。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾または特段の追加説明なき限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。
　本開示は、上記実施形態にて示された例示的な装置構成に限定されない。すなわち、図１は、本開示に係るチャック装置２の概要を簡易に説明するための、簡素化された概略図である。したがって、実際に製造販売される表面加工装置１の構成は、必ずしも、図１に示された例示的な構成と一致するとは限らない。また、実際に製造販売される表面加工装置１の構成は、図１に示された例示的な構成から適宜変更され得る。
　電解液Ｓは、エッチャント成分を含んでいてもよい。すなわち、本開示に係る表面加工装置１、および、これにより実施可能な表面加工方法は、陽極酸化により生じた酸化物膜をエッチャントおよび加工パッド３の双方を用いて選択的に除去することで、被加工面Ｗ１を研磨あるいは研削するものであってもよい。
　上記実施形態においては、表面加工装置１は、電解液Ｓの液面が加工パッド３における加工面３０１より上となるように電解液Ｓを容器４の内部空間に貯留した状態で、被加工面Ｗ１の平坦化を実行する構成を有していた。しかしながら、本開示は、かかる構成に限定されない。すなわち、例えば、電解液Ｓは、不図示のノズルにより噴射されてもよい。
　例えば、図１に示された例示的な構成においては、チャック装置２が加工パッド３の上方に位置していた。しかしながら、本開示は、かかる構成に限定されない。すなわち、例えば、チャック装置２が加工パッド３の下方に位置していてもよい。この場合、上記実施形態における上下関係の記述は、逆転される。吸着面２０および加工面３０１は、水平面あるいは鉛直面と平行ではなくてもよく、これらに対して傾斜していてもよい。
　上記実施形態においては、チャック装置２は、チャックカバー２２および吸着部２３が中心軸Ｌを中心として回転可能に構成されている。しかしながら、本開示は、かかる態様に限定されない。すなわち、例えば、加工パッド３は、不図示の回転機構によって、図中Ｚ軸と平行な回転中心軸を中心として回転可能に設けられていてもよい。
　図５に示されているように、電極装着孔２１における大径部２１ａは、中心軸Ｌと平行な軸方向に沿って吸着面２０に向かうにつれて面内方向における幅が広がるテーパ孔として形成されていてもよい。これに対応して、コンタクト電極２４も、軸方向に沿ってコンタクト面２４３に向かうにつれて面内方向における幅が広がる錐台状に形成されていてもよい。
　電極装着孔２１は、大径部２１ａと小径部２１ｂとを有する形状に限定されない。すなわち、例えば、電極装着孔２１は、面内方向における幅が一定となるように形成されていてもよい。これに対応して、コンタクト電極２４も、面内方向における幅が一定となるように形成されていてもよい。
　吸着部２３は、通電部と不可分一体に形成されていてもよい。図６は、かかる態様に対応する構成を示す。すなわち、吸着部２３は、被吸着面Ｗ２との接触によりウェハＷと導通する導電体によって形成されている。具体的には、吸着部２３は、板厚方向に空気が通流可能な多孔質金属焼結体板あるいは多孔質カーボン板（すなわち導電性ポーラス体）としての構成を有している。あるいは、吸着部２３は、ブロック状あるいは板状の電極体の底面上に導電性の接着層または粘着層を形成した構成を有していてもよい。このように、吸着部２３を、電極あるいは通電部を兼ねた構造（すなわち通電部としても機能する構造）とすることで、チャック装置２の構成を簡略化することが可能となる。また、ウェハＷに対する通電状態を、面内方向について均一化することで、被加工面Ｗ１の良好な平坦化を実現することが可能となる。
　「陽極酸化を援用した」は、「陽極酸化を利用した」とも表現することが可能である。
　上記の説明において、互いに継ぎ目無く一体に形成されていた複数の構成要素は、互いに別体の部材を貼り合わせることによって形成されてもよい。同様に、互いに別体の部材を貼り合わせることによって形成されていた複数の構成要素は、互いに継ぎ目無く一体に形成されてもよい。また、上記の説明において、互いに同一の材料によって形成されていた複数の構成要素は、互いに異なる材料によって形成されてもよい。同様に、互いに異なる材料によって形成されていた複数の構成要素は、互いに同一の材料によって形成されてもよい。
　上記実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、構成要素の個数、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数値に限定される場合等を除き、その特定の数値に本開示が限定されることはない。同様に、構成要素等の形状、方向、位置関係等が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に特定の形状、方向、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、方向、位置関係等に本開示が限定されることはない。
　変形例も、上記の例示に限定されない。すなわち、例えば、上記に例示した以外で、複数の実施形態同士が、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わされ得る。同様に、複数の変形例が、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わされ得る。

Claims (7)

  1. 　陽極酸化を援用したウェハ（Ｗ）の平坦化の際に前記ウェハを保持するチャック装置（２）であって、
    　前記ウェハを吸着する吸着面（２０）を有する吸着部（２３）と、
    　前記吸着部に吸着された前記ウェハと接触通電するように前記吸着部に設けられた通電部（２４）と、
    　前記吸着面を露出させつつ前記吸着部および前記通電部を絶縁的に覆うチャックカバー（２２）と、
    　を備えたチャック装置。
  2. 　前記吸着部は、負圧により前記ウェハを前記吸着面に吸着するように構成された、
    　請求項１に記載のチャック装置。
  3. 　前記通電部は、前記吸着面にて露出するように前記吸着部に埋設された、
    　請求項１または２に記載のチャック装置。
  4. 　前記通電部は、前記吸着部に対して着脱可能に装着された、
    　請求項３に記載のチャック装置。
  5. 　前記通電部は、導体によりピン状に形成された、
    　請求項４に記載のチャック装置。
  6. 　前記通電部における前記吸着面にて露出する露出部（２４２）の、前記吸着面における面積割合は、０．０００１７～０．８３である、
    　請求項１～５のいずれか１つに記載のチャック装置。
  7. 　前記吸着部は、前記通電部としても機能するように、導電性ポーラス体により形成された、
    　請求項２に記載のチャック装置。
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