JP2010251699A - 研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Gaイオンを含有する液性が中性域のpH緩衝溶液からなる処理溶液14の存在下でGa元素を含有する化合物半導体の基板16を研磨具10に接触させ、基板16の表面に光を照射するか、若しくは基板16にバイアス電位を印加して基板16の表面にGa酸化物16aを形成し、または基板16の表面に光を照射しながら基板16にバイアス電位を印加して基板16の表面にGa酸化物16aを形成し、同時に基板16と研磨具10を相対運動させて該基板16の表面に形成されたGa酸化物16aを研磨除去する。
【選択図】図1
Description
4GaN+7O2→2Ga2O3+4NO2↑ (1)
Ga2O3+6H+→2Ga3++3H2O (2)
Ga2O3+3H2O+2OH−→2[Ga(OH)4]− (3)
これにより、第2段階の研磨終了後の基板表面にGa酸化物が残ることを防止することができる。
このように、処理溶液中に酸化剤を加えて、Ga酸化物の生成反応を促進することで、平坦化加工に要する時間を更に短縮することができる。
図1は、例えばGaN基板表面に光を照射しながら該表面を平坦に研磨するようにした、本発明の研磨方法の概要を工程順に示す。先ず、図1(a)に示すように、底部に研磨具10を配置した容器12の内部に、Gaイオンを含有する液性が中性域のpH緩衝溶液からなる処理溶液14を満たす。この研磨具10は、例えば光透過性に優れた固体酸性触媒である石英ガラスによって構成されている。処理溶液14として、例えばpH6.86の燐酸緩衝溶液に、処理溶液14中のGaイオンを飽和状態に近づけるために、例えば硝酸ガリウムを添加してGaイオン濃度を10ppm以上にした後に、更にKOH溶液を添加してpHを6.0〜8.0に調整した溶液が使用される。ここで、硝酸ガリウムを添加する代わりに、塩酸ガリウム、リン酸ガリウム、硫酸ガリウムまたは水酸化ガリウム等のガリウムを含有する塩を添加してもよい。そして、表面(被加工面)を下向きにしてGaN基板16を保持した基板ホルダ18を下降させて、GaN基板16を容器12内の処理溶液14中に浸漬させる。
更には、研磨具10の表面のGaN基板16と接触またはごく接近する領域を、サンドブラスト処理などにより荒らしたり、該領域にダイシングなどにより細かいパターンを作製したりすることが好ましく、これにより、研磨具10とGaN基板16の表面との間隙に処理溶液14の層(流体潤滑膜)が生じて研磨が妨げられることを抑制することができる。
図2は、実験手順を示す。図2に示すように、GaN基板をHCl:3.5%の水溶液で5分間洗浄した後、GaN基板の質量(質量1)を測定した。そして、GaN基板を燐酸緩衝溶液中に設置し、GaN基板の表面に光を60分間照射して該表面にGa酸化膜を生成させた後、GaN基板の質量(質量2)を測定した。この時の質量差(質量2−質量1)から、光照射中のエッチング成分を求めた。次に、GaN基板をHCl:3.5%の水溶液で5分間洗浄した後、GaN基板の質量(質量3)を測定し、この時の質量差(質量3−質量2)から光照射後の酸化物成分を求めた。
pH6.86の燐酸緩衝溶液にGaイオンを10ppm添加した処理溶液中にGaN基板を設置し、GaN基板の表面に、光を3時間照射した。光を照射する前に光学顕微鏡を用いてGaN基板表面を観察した結果を図4に、光を照射した後に光学顕微鏡を用いてGaN基板表面を観察した結果を図5にそれぞれ示す。この図4及び図5から、光を照射する前後でGaN基板の表面形状の変化が少なく、表面粗さも悪化しないことが確認できる。比較実験として、Gaイオンを添加しないpH6.86の燐酸緩衝溶液中にGaN基板を設置し、GaN基板の表面に、光を3時間照射した。光を照射した後に光学顕微鏡を用いてGaN基板表面を観察した結果を図6に示す。図6の結果から、Gaイオンを添加しないpH6.86の燐酸緩衝溶液中で光を照射した場合には、基板表面の酸化物が溶液中に溶解し、ファセットと呼ばれる結晶型に起因する六角形状の表面構造が形成されることが判る。図4と図6から、比較実験においては、光を照射することでGaN基板の表面がエッチングされ表面粗さが悪化されることが確認できる。以上の結果から、燐酸緩衝溶液にGaイオンを添加することにより、Ga酸化物の溶出が抑制されることが確認された。
また、図12に示すように、研磨具134の上面に設けられる溝134aを基板ホルダ144で保持して研磨具134に接触させる基板142の半径方向に沿った複数のゾーンA〜Eに分割し、各ゾーンA〜E毎に印加する電圧をコントロールすることが好ましく、これにより、研磨速度を各ゾーンA〜E毎にコントロールすることができる。
また、上記の例では、第1段階の研磨と第2段階の研磨を同一の装置で連続して行うことで、スループットを向上させるようにしているが、第1段階の研磨と第2段階の研磨を異なる装置で行うようにしてもよい。
図8に示す研磨装置を使用し、pH6.86の燐酸緩衝溶液にGaイオンを10ppm添加した処理溶液を用いて、光源から紫外光を照射しながらGaN基板表面の平坦化加工を行った。研磨具には固体酸触媒である石英ガラスを用い、光源には主発光波長365nmの紫外線を用いた。加工時間は3時間である。加工後のGaN基板表面の光学顕微鏡像を図17及び図18に示す。
処理溶液として、実施例1で使用した処理溶液に塩酸を添加してpHを1とした処理溶液を用い、その他は実施例1と同じ条件でGaN基板表面の平坦化加工を行った(比較例1)。また、処理溶液として、実施例1で使用した処理溶液に水酸化カリウムを添加してpHを13とした処理溶液を用い、その他は実施例1と同じ条件でGaN基板表面の平坦化加工を行った(比較例2)。比較例1,2における加工後のGaN基板表面の光学顕微鏡像を図19及び図20に示す。
Gaイオン添加の効果を確認する為に、処理溶液として、実施例1で使用した処理溶液からGaイオンを除いた処理溶液を用い、その他は実施例1と同じ条件でGaN基板表面の平坦化加工を行った(比較例5)。加工後のGaN基板表面の光学顕微鏡像を図23に示す。
Gaイオン添加による研磨に要する時間の短縮効果を確認する為に、加工時間を40時間として、その他は比較例5と同じ条件でGaN基板表面の平坦化加工を行った(比較例6)。加工後のGaN基板表面の光学顕微鏡像を図24に示す。図24から、Gaイオンを添加しない場合では、加工時間40時間において表面粗さはRMS:0.636nmであり、Gaイオンを添加する場合の加工時間3時間における表面粗さと同等であることが判る。このことから、処理溶液にGaイオンを添加することで、研磨に要する時間が大幅に短縮されることが確認できた。
12,132 容器
14,130 処理溶液
16 GaN基板
16a Ga酸化物
18,144 基板ホルダ
20,140 光源
30A ラッピング装置
30B CMP装置
30C,30D 研磨装置
136 回転軸
138 反射板
142 基板(GaN基板)
146 主軸
190 コンディショニング機構(コンディショナー)
Claims (15)
- Gaイオンを含有する液性が中性域のpH緩衝溶液からなる処理溶液の存在下でGa元素を含有する化合物半導体の基板を研磨具に接触させ、
基板表面に光を照射するか、若しくは基板にバイアス電位を印加して基板表面にGa酸化物を形成し、または基板表面に光を照射しながら基板にバイアス電位を印加して基板表面にGa酸化物を形成し、
同時に前記基板と前記研磨具を相対運動させて該基板表面に形成されたGa酸化物を研磨除去することを特徴とする研磨方法。 - Gaイオンを含有する液性が中性域のpH緩衝溶液からなる処理溶液中にGa元素を含有する化合物半導体の基板を浸漬させ、
基板表面に光を照射し、同時に基板にバイアス電位を印加して基板表面にGa酸化物を形成しながら、該Ga酸化物と研磨具とを互いに接触させつつ相対運動させてGa酸化物を研磨除去する第1段階の研磨を行い、しかる後、
基板表面に光を照射したまま、前記バイアス電圧の印加のみを停止して、第2段階の研磨を行うことを特徴とする研磨方法。 - 前記第1段階の研磨時に印加するバイアス電圧を徐々に低減するか、またはバイアス電圧としてパルス電圧を使用し、このパルス電圧の印加停止時間を徐々に長くして、該第1段階の研磨から前記第2段階の研磨に移行することを特徴とする請求項2記載の研磨方法。
- 前記第2段階の研磨時に、基板表面に照射する光の強度を徐々に減少させることを特徴とする請求項2または3記載の研磨方法。
- 前記研磨具は、該研磨具表面の少なくとも基板と接触または接近する領域に酸性または塩基性の固体触媒を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の研磨方法。
- 前記処理溶液は、金属酸化物微粒子、ダイヤモンド微粒子、及び表面に酸性または塩基性の官能基が修飾された触媒微粒子の少なくとも一つの微粒子、またはそれらの微粒子の混合物を更に含有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の研磨方法。
- 前記処理溶液は、酸化剤を更に含有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の研磨方法。
- 前記研磨具表面の少なくとも基板と接触または接近する領域を、良好な平坦度と適度なラフネスを有するようにコンディショニングすることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の研磨方法。
- Gaイオンを含有する液性が中性域のpH緩衝溶液からなる処理溶液を保持する容器と、
前記容器内に前記処理溶液に浸漬させて配置される研磨具と、
Ga元素を含有する化合物半導体の基板を保持して前記容器内の前記処理溶液中に浸漬させ前記研磨具に接触させる基板ホルダと、
前記基板ホルダで保持して前記容器内の前記処理溶液内に浸漬させた基板表面に光を照射する光源及び基板にバイアス電位を印加する電源の少なくとも一方と、
前記研磨具と前記基板ホルダで保持した基板とを相対移動させる移動機構とを有することを特徴とする研磨装置。 - 研磨具と、
Ga元素を含有する化合物半導体の基板を保持して前記研磨具に接触させる基板ホルダと、
前記研磨具と基板との接触部にGaイオンを含有する液性が中性域のpH緩衝溶液からなる処理溶液を処理溶液供給部と、
前記基板ホルダで保持して前記研磨具に接触させた基板表面に光を照射する光源及び基板にバイアス電位を印加する電源の少なくとも一方と、
前記研磨具と前記基板ホルダで保持した基板とを相対移動させる移動機構とを有することを特徴とする研磨装置。 - 前記研磨具は、該研磨具表面の少なくとも基板と接触または接近する領域に酸性または塩基性の固体触媒を有することを特徴とする請求項9または10記載の研磨装置。
- 前記処理溶液は、金属酸化物微粒子、ダイヤモンド微粒子、及び表面に酸性または塩基性の官能基が修飾された触媒微粒子の少なくとも一つの微粒子、またはそれらの微粒子の混合物を更に含有することを特徴とする請求項9乃至11のいずれかに記載の研磨装置。
- 前記処理溶液は、酸化剤を更に含有することを特徴とする請求項9乃至12のいずれかに記載の研磨装置。
- 該研磨具表面の少なくとも基板と接触または接近する領域を良好な平坦度と適度なラフネスを有するようにコンディショニングするコンディショニング機構を更に有することを特徴とする請求項9乃至13のいずれかに記載の研磨装置。
- 前記基板ホルダは、基板の裏面側から基板に給電しながら基板を保持するように構成されていることを特徴とする請求項9乃至14のいずれかに記載の研磨装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009284492A JP5364959B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-12-15 | 研磨方法及び研磨装置 |
EP10756259.7A EP2412009A4 (en) | 2009-03-27 | 2010-03-19 | POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS, AND GAN SLICER |
US13/138,635 US9233449B2 (en) | 2009-03-27 | 2010-03-19 | Polishing method, polishing apparatus and GaN wafer |
KR1020117025366A KR20120009468A (ko) | 2009-03-27 | 2010-03-19 | 폴리싱방법, 폴리싱장치 및 GaN 웨이퍼 |
PCT/JP2010/055484 WO2010110463A1 (en) | 2009-03-27 | 2010-03-19 | POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS AND GaN WAFER |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009078234 | 2009-03-27 | ||
JP2009078234 | 2009-03-27 | ||
JP2009284492A JP5364959B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-12-15 | 研磨方法及び研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010251699A true JP2010251699A (ja) | 2010-11-04 |
JP5364959B2 JP5364959B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=42781154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009284492A Active JP5364959B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-12-15 | 研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9233449B2 (ja) |
EP (1) | EP2412009A4 (ja) |
JP (1) | JP5364959B2 (ja) |
KR (1) | KR20120009468A (ja) |
WO (1) | WO2010110463A1 (ja) |
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- 2010-03-19 WO PCT/JP2010/055484 patent/WO2010110463A1/en active Application Filing
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KR20120009468A (ko) | 2012-02-21 |
US9233449B2 (en) | 2016-01-12 |
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