JP2023106083A - 表面加工装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェハ等の平板状の被加工物における被加工面の裏面への電解液の浸入を抑制する技術を提供すること。【解決手段】被加工物（Ｗ）における被吸着面（Ｗ２）を吸着することで被加工面（Ｗ１）を露出させつつ被加工物を保持するチャック（２）は、吸着部（２１）と浸入抑制部（２３）とを備える。吸着部は、被吸着面と当接することで被吸着面を吸着する。浸入抑制部は、被吸着面に沿った面内方向における被加工物の外縁部（Ｗ３）に対応する位置にて、電解液（Ｓ）を吸引または気体を噴出するように、面内方向における吸着部の外側に設けられる。これにより、被吸着面とチャックとの隙間への電解液の浸入を抑制することが可能となる。【選択図】図１

Description

本発明は、表面加工装置に関する。

半導体ウェハ等の平板状の被加工物における表面を平坦化（すなわち研削あるいは研磨）する技術が、従来から種々知られている。例えば、特許文献１は、陽極酸化プロセスと研磨プロセスとを同時または交互に進行させる研磨方法を開示する。陽極酸化プロセスは、電解液の存在下で、被加工物を陽極として電圧を印加し、被加工物の表面を酸化させる。研磨プロセスは、所定の硬度および粒度の砥粒を基材に固定した固定砥粒研磨体で、被加工物の表面に形成された酸化物を研磨して除去する。

具体的には、特許文献１は、ＳｉＣウェハを研磨するのに適した研磨装置を開示する。この研磨装置においては、回転可能な円盤の上に絶縁体を介して容器が固定され、容器底面に陰極となる金属板が敷設される。ＳｉＣウェハは、回転可能なウェハホルダーに保持され、電解液中で砥石に所定荷重で押圧される。ウェハホルダーは、回転ヘッドの下面に絶縁層を介して設けた真空チャックに吸着される。そして、ＳｉＣウェハを作用極として正電位を印加することでＳｉＣウェハの表面を陽極酸化により改質し、改質層を砥石で除去することで、表面は徐々に平坦になり、ダメージのない表面が得られる。

特開２０２１－２７３５９号公報

例えば、特許文献１に記載された研磨装置において、ＳｉＣウェハにおける被加工面の裏面に電解液が浸入すると、浸入した電解液に触れた部分が酸化されることで、形状劣化や通電不良等の不具合が生じるおそれがある。本発明は、上記に例示した事情等に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明は、例えば、半導体ウェハ等の平板状の被加工物における被加工面の裏面への電解液の浸入を抑制する技術を提供する。

表面加工装置（１）は、平板状の被加工物（Ｗ）における一対の主面のうちの一方である被加工面（Ｗ１）を平坦化するように構成されている。
請求項１に記載の表面加工装置は、
前記被加工物における前記一対の主面のうちの他方である被吸着面（Ｗ２）を吸着することで、前記被加工物を、前記被加工面を露出させつつ保持するように構成されたチャック（２）と、
前記チャックに保持された前記被加工物における前記被加工面に対向配置される対向部材（３）と、
電解液（Ｓ）の存在下で、前記対向部材側を陰極とし前記被加工物側を陽極として電流を印加するように設けられた電流印加部（５）と、
を備え、
前記チャックは、
前記被吸着面と当接することで前記被吸着面を吸着するように構成された吸着部（２１）と、
前記被吸着面に沿った面内方向における前記被加工物の外縁部（Ｗ３）に対応する位置にて、前記電解液を吸引または気体を噴出することで、前記被吸着面と前記チャックとの隙間への前記電解液の浸入を抑制するように、前記面内方向における前記吸着部の外側に設けられた浸入抑制部（２３）と、
を備えている。

なお、出願書類中の各欄において、各要素に括弧付きの参照符号が付されている場合がある。この場合、参照符号は、同要素と後述する実施形態に記載の具体的構成との対応関係の単なる一例を示すものである。よって、本発明は、参照符号の記載によって、何ら限定されるものではない。

本発明の第一実施形態に係る表面加工装置の概略構成を示す側断面図である。 図１に示されたチャックの一部分を拡大して示す側断面図である。 本発明の第二実施形態に係る表面加工装置の概略構成を示す側断面図である。 図３に示されたチャックの一部分を拡大して示す側断面図である。 本発明の第三実施形態に係る表面加工装置の概略構成を示す側断面図である。 図５に示されたチャックの一部分を拡大して示す側断面図である。 本発明の第四実施形態に係る表面加工装置の概略構成を示す側断面図である。 図７に示されたチャックの一部分を拡大して示す側断面図である。 本発明の第五実施形態に用いられるチャックの概略構成を示す側断面図である。

（実施形態）
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、一つの実施形態に対して適用可能な各種の変形例については、当該実施形態に関する一連の説明の途中に挿入されると、当該実施形態の理解が妨げられるおそれがある。このため、変形例については、当該実施形態に関する一連の説明の途中には挿入せず、その後にまとめて説明する。

（第一実施形態：構成）
図１を参照すると、表面加工装置１は、平板状の被加工物Ｗの主面である被加工面Ｗ１を平坦化するように構成されている。「主面」は、板状物の板厚方向と直交する表面であって、「板面」とも称される。すなわち、被加工物Ｗは、一対の主面のうちの一方である被加工面Ｗ１と、他方すなわち裏面である被吸着面Ｗ２とを有している。本実施形態に係る表面加工装置１は、ＳｉＣウェハ等の半導体ウェハを被加工物Ｗとして、その被加工面Ｗ１に対して陽極酸化を利用した研磨加工または研削加工を実施可能に構成されている。すなわち、表面加工装置１は、ＥＣＭＰ装置またはＥＣＭＧ装置としての構成を有している。ＥＣＭＰはＥｌｅｃｔｒｏ－Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇの略である。ＥＣＭＧはＥｌｅｃｔｒｏ－Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｇｒｉｎｄｉｎｇの略である。

以下、本実施形態に係る表面加工装置１の概略構成について、図１および図２を参照しつつ説明する。なお、後述するように、図１および図２は、本実施形態に係る表面加工装置１の概略的な構成および機能を説明するために簡略化された図であって、実際に製造販売される具体的な構成を示す図とは、必ずしも一致しない。図３以降の他の実施形態に対応する図についても同様である。また、説明の簡略化のため、図示の通りに、右手系ＸＹＺ座標系を設定する。本実施形態においては、Ｚ軸正方向は、鉛直上方、すなわち、重量作用方向とは反対の方向を示すものとする。また、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、ともに、水平方向を示すものとする。以下、説明の便宜上、鉛直上方に対応するＺ軸正方向側を単に「上方」と称したり、その逆を単に「下方」と称したりすることがある。

表面加工装置１は、チャック２と、対向部材３と、ハウジング４と、電流印加部５とを備えている。チャック２は、被加工物Ｗにおける被吸着面Ｗ２を吸着することで、被加工物Ｗを、被加工面Ｗ１を下方に露出させつつ保持するように構成されている。対向部材３は、チャック２に保持された被加工物Ｗにおける被加工面Ｗ１に対向配置されるように、チャック２の下方に設けられている。ハウジング４は、上方に向けて開口するバスタブ状に形成されている。ハウジング４は、対向部材３および電解液Ｓを収容する容器であって、対向部材３の下方に配置されている。本実施形態においては、電解液Ｓは、エッチャント成分を含まない溶液であって、例えば、塩化ナトリウム、塩化カリウム、あるいは硝酸ナトリウム等の水溶液である。エッチャント成分は、陽極酸化によって被加工面Ｗ１上に生成された酸化膜の溶解能を有する溶解液を構成する成分（すなわち例えばフッ化水素酸等）である。チャック２および／またはハウジング４は、不図示の昇降機構によって、上下に移動可能に設けられている。また、チャック２および／またはハウジング４は、不図示の並進機構によって、図中ＸＹ方向に移動可能に設けられている。さらに、チャック２および／または対向部材３は、不図示の回転機構によって、図中Ｚ軸と平行な回転中心軸を中心として回転可能に設けられている。電流印加部５は、電解液Ｓの存在下で、対向部材３側を陰極とし被加工物Ｗ側を陽極として電流を印加するように設けられている。

チャック２は、下方に向けて露出した水平面状のチャック面２０を有していて、このチャック面２０に吸着することで被加工物Ｗを保持しつつ被加工物Ｗに通電可能に構成されている。また、チャック２は、被加工面Ｗ１のＥＣＭＰ処理あるいはＥＣＭＧ処理の際に、チャック面２０と被吸着面Ｗ２との間への電解液Ｓの浸入を抑制するように構成されている。すなわち、チャック２は、吸着部２１と、コンタクト電極２２と、浸入抑制部２３と、隔壁部２４と、負圧経路２５と、流体経路２６とを備えている。

吸着部２１は、被吸着面Ｗ２と当接することで被吸着面Ｗ２を吸着するように構成されている。本実施形態においては、吸着部２１は、被吸着面Ｗ２を空気の負圧により吸着する構成を有している。すなわち、吸着部２１は、厚さ方向に空気あるいは負圧が通過可能な内部通路である吸着通路２１０を有している。具体的には、例えば、吸着部２１は、絶縁性で緻密な（すなわち気体や液体が通過可能な多孔質ではない）セラミック製の板材に厚さ方向に沿った貫通孔である吸着通路２１０を多数設けることによって形成され得る。あるいは、例えば、吸着部２１は、網目状の吸着通路２１０を内部に有する多孔質セラミック等の連泡性多孔質体によって形成され得る。「連泡性」とは、多数の気孔あるいは気泡の各々が独立で存在していて相互に連通しない「単泡性」とは異なり、多数の気孔あるいは気泡が相互に連通している性質をいう。

吸着部２１には、コンタクト電極２２が埋設されている。コンタクト電極２２は、被吸着面Ｗ２が吸着部２１に吸着された状態で、被吸着面Ｗ２に当接することで被加工物Ｗとの導通が形成されるように、面内方向における吸着部２１の内側に設けられている。「面内方向」とは、被吸着面Ｗ２に沿った方向であって、図中ＸＹ平面と平行な方向である。本実施形態においては、コンタクト電極２２は、銅等の良導体金属によって円板状に形成されている。コンタクト電極２２の底面は、被吸着面Ｗ２と当接した状態でチャック面２０からの被加工物Ｗの浮き上がりが生じないように、チャック面２０と面一に設けられている。

浸入抑制部２３は、被吸着面Ｗ２とチャック２との隙間への電解液Ｓの浸入を抑制するように、面内方向における吸着部２１の外側、すなわち、面内方向における被加工物Ｗの外縁部Ｗ３に対応する位置に設けられている。外縁部Ｗ３は、被加工物Ｗの端面Ｗ４とその近傍部分（具体的には例えばべべリングされた部分）とを含む。本実施形態においては、浸入抑制部２３は、被加工物Ｗの外縁部Ｗ３に対応する位置にて電解液Ｓを吸引するように構成されている。

具体的には、浸入抑制部２３は、絶縁性で緻密なセラミック層に、当該セラミック層を厚さ方向に貫通する貫通孔からなる電解液吸入路２３１を設けた構成を備えている。当該セラミック層の底面は、チャック面２０を構成するように、吸着部２１の底面と面一に設けられている。電解液吸入路２３１は、チャック面２０側にて開口する吸入開口２３２が被加工物Ｗの外縁部Ｗ３に対向するように設けられている。例えば、吸入開口２３２は、その面内方向における中心位置が端面Ｗ４とほぼ一致するように設けられ得る。また、本実施形態においては、複数の吸入開口２３２が、周方向について等間隔に配設されている。「周方向」は、略円板状の被加工物Ｗにて円周状に延びる外縁部Ｗ３あるいは端面Ｗ４の延設方向に沿った方向である。より正確には、「周方向」は、チャック面２０に吸着された被加工物Ｗの面内方向における中心を通りＺ軸と平行な仮想鉛直線とＸＹ平面との交点を中心とする円をＸＹ平面内に描いた場合の、当該円の円周方向である。なお、図１および図２に示されているように、吸入開口２３２は、チャック面２０から凹設された凹部２３３内に設けられ得る。凹部２３３は、周方向に沿って延設された角溝状に形成されている。

吸着部２１と浸入抑制部２３とは、相互の流体（すなわち電解液Ｓ）の授受が隔壁部２４によって遮断されている。すなわち、隔壁部２４は、吸着部２１における吸着通路２１０と浸入抑制部２３における電解液吸入路２３１との間の、相互の流体（すなわち気体および電解液Ｓ）の授受を遮断するように設けられている。吸着部２１における吸着通路２１０は、負圧経路２５に接続されている。負圧経路２５は、不図示の真空源（例えば真空ポンプ）に接続されている。一方、浸入抑制部２３における電解液吸入路２３１は、流体経路２６に接続されている。流体経路２６は、電解液吸入路２３１によって吸入された電解液Ｓをハウジング４に還流させるための不図示の電解液還流経路における最上流端側に設けられている。かかる電解液還流経路は、負圧経路２５とは別系統の流体通路であって、負圧経路２５側に電解液Ｓが移行しないように構成されている。このため、負圧経路２５と流体経路２６とは、それぞれ独立の真空源に接続され得る。あるいは、負圧経路２５と流体経路２６とは、負圧経路２５への電解液Ｓの浸入を阻止するフィルタ手段等を用いることで、共通の真空源に接続され得る。

対向部材３は、その上面である加工面３０１が、チャック２に保持された被加工物Ｗにおける被加工面Ｗ１に電解液Ｓを介して対向した状態で、電流印加部５による被加工物Ｗとの間の電流の印加により被加工面Ｗ１を平坦化するように設けられている。本実施形態においては、対向部材３は、電解液Ｓの存在下で被加工面Ｗ１を陽極酸化しつつ、被加工面Ｗ１に生成した酸化物を選択的に除去するための構成を有している。すなわち、対向部材３は、加工面３０１を有する砥石層３０２と、この砥石層３０２を担持する導体金属等の導体層である対向電極層３０３とを接合した、２層構造を有している。対向部材３は、「表面加工パッド」、「研磨パッド」、あるいは「研削パッド」とも称され得る。

（第一実施形態：作用・効果）
以下、本実施形態に係る表面加工装置１の動作概要について、かかる表面加工装置１の有する構成により奏される効果とともに説明する。

まず、対向部材３を収容したハウジング４の内部空間に、電解液Ｓの液面が加工面３０１より上となるように、電解液Ｓが充填される。また、図１に示されているように、チャック２とハウジング４とが上下方向について離隔した状態で、負圧経路２５の負圧により、チャック２における吸着部２１に被加工物Ｗが吸着される。続いて、被加工物Ｗを吸着したチャック２と、対向部材３および電解液Ｓを収容したハウジング４とが、電解液Ｓの存在下で被加工面Ｗ１と加工面３０１とが接触するまで接近させられる。そして、チャック２と対向部材３とが相対的に回転されつつ、対向部材３側を陰極とし被加工物Ｗ側を陽極として電流が電流印加部５により印加される。すると、陽極酸化された被加工面Ｗ１を対向部材３により研削または研磨することで、被加工面Ｗ１上の酸化膜（すなわち膜状に生成された酸化物）が選択的に除去される。これにより、被加工面Ｗ１が良好に平坦化され得る。

ここで、被加工物Ｗにおける被加工面Ｗ１の裏面である被吸着面Ｗ２とチャック面２０との間に電解液Ｓが浸入すると、被吸着面Ｗ２やコンタクト電極２２に酸化が生じ得る。すると、酸化物発生により、被吸着面Ｗ２における平面度が低下することで被加工物Ｗの形状が崩れたり、電気抵抗が上昇することで通電不良が生じたりするおそれがある。そこで、チャック面２０と被吸着面Ｗ２との間に電解液Ｓが浸入することを抑制することが求められる。

この点、例えば、チャック面２０と被吸着面Ｗ２との間に、Ｏリング等の封止部材を介入させる手法が考えられる。しかしながら、かかる手法においては、封止部材との当接箇所を支点として被加工物Ｗに曲げが発生することで、被加工物Ｗの平坦度が悪化するおそれがある。このため、高い平坦度が必要な半導体ウェハを被加工物Ｗとする場合には、かかる手法は採用し難い。

また、例えば、被加工物Ｗの端面Ｗ４に、ワックス等の封止材を塗布する手法が考えられる。しかしながら、このような手法は、生産性が悪い。また、平坦化加工中に封止材が剥離して被加工物Ｗと対向部材３との間に挟み込まれることで、被加工物Ｗの割れ等の不具合が発生するおそれがある。

そこで、本実施形態は、チャック２における吸着部２１の外周部に、電解液Ｓを吸引する浸入抑制部２３を設けることで、被加工物Ｗにおける被加工面Ｗ１の裏面である被吸着面Ｗ２への電解液Ｓの浸入を良好に抑制することができる。これにより、生産性や被加工物Ｗの形状を損なうことなく、被加工面Ｗ１の良好な平坦化を実現することが可能となる。

また、本実施形態においては、コンタクト電極２２は、被吸着面Ｗ２が吸着部２１に吸着された状態で、被吸着面Ｗ２に当接することで被加工物Ｗとの導通が形成されるように、面内方向における吸着部２１の内側に設けられている。すなわち、コンタクト電極２２は、浸入抑制部２３により電解液Ｓが吸引される箇所よりも、面内方向にて内側に離隔して配置される。かかる構成によれば、外縁部Ｗ３近傍からコンタクト電極２２を離隔することで、電解液Ｓとの接触によるコンタクト電極２２の劣化の発生が良好に回避され得る。

（第二実施形態）
以下、他の実施形態について説明する。なお、以下の他の実施形態の説明においては、主として、上記第一実施形態と異なる部分について説明する。また、第一実施形態と他の実施形態とにおいて、互いに同一または均等である部分には、同一符号が付されている。したがって、以下の他の実施形態の説明において、第一実施形態と同一の符号が付された構成要素に関しては、技術的矛盾または特段の追加説明なき限り、上記第一実施形態における説明が適宜援用され得る。

図３および図４は、第二実施形態に係る構成を示す。本実施形態においては、吸着部２１は、被吸着面Ｗ２との接触により被加工物Ｗと導通する導電体によって形成されている。すなわち、吸着部２１は、厚さ方向に空気が通流可能な連泡性の多孔質金属焼結体板あるいは多孔質カーボン板としての構成を有している。換言すれば、図１における吸着部２１とコンタクト電極２２とが一体化されている。このように、吸着部２１を、電極を兼ねた構造とすることで、チャック２の構成を簡略化することが可能となる。また、被加工物Ｗに対する通電状態を、面内方向について均一化することで、被加工面Ｗ１の良好な平坦化を実現することが可能となる。

浸入抑制部２３は、被加工物Ｗの外縁部Ｗ３に対応する位置にて電解液Ｓを吸引するように構成されている。但し、本実施形態においては、電解液吸入路２３１は、電解液Ｓが通流可能な多孔質セラミックによって形成されている。すなわち、浸入抑制部２３は、リング状のポーラスチャックと同様の構成を有している。かかる構成によっても、上記第一実施形態と同様に、被加工物Ｗにおける被加工面Ｗ１の裏面である被吸着面Ｗ２への電解液Ｓの浸入を良好に抑制することができる。これにより、生産性や被加工物Ｗの形状を損なうことなく、被加工面Ｗ１の良好な平坦化を実現することが可能となる。

（第三実施形態）
図５および図６は、第三実施形態に係る構成を示す。本実施形態においては、吸着部２１は、上記第一実施形態と同様の構成を有している。一方、浸入抑制部２３は、被加工物Ｗの外縁部Ｗ３に対応する位置にて気体（例えば空気）を噴出することで、被吸着面Ｗ２とチャック２との隙間への電解液Ｓの浸入を抑制するように構成されている。

浸入抑制部２３は、絶縁性で緻密なセラミック層に、当該セラミック層を厚さ方向に貫通する貫通孔からなる気体噴出路２３４を設けた構成を備えている。気体噴出路２３４は、チャック面２０側にて開口する噴出開口２３５が被加工物Ｗの外縁部Ｗ３に対向するように設けられている。例えば、噴出開口２３５は、その面内方向における中心位置が端面Ｗ４とほぼ一致するように設けられ得る。また、本実施形態においては、複数の吸入開口２３２が、周方向について等間隔に配設されている。噴出開口２３５は、チャック面２０から凹設された凹部２３３内に設けられ得る。

隔壁部２４は、吸着部２１における吸着通路２１０と浸入抑制部２３における気体噴出路２３４との間の、相互の流体（すなわち気体および電解液Ｓ）の授受を遮断するように設けられている。浸入抑制部２３における気体噴出路２３４は、流体経路２６に接続されている。流体経路２６は、不図示の気体供給源（例えばコンプレッサーやボンベ等）に接続されている。負圧経路２５と流体経路２６とは、相互の流体（すなわち気体および電解液Ｓ）の授受が発生しないように設けられている。

本実施形態は、チャック２における吸着部２１の外周部に、気体を噴出する浸入抑制部２３を設けることで、被加工物Ｗにおける被加工面Ｗ１の裏面である被吸着面Ｗ２への電解液Ｓの浸入を良好に抑制することができる。これにより、生産性や被加工物Ｗの形状を損なうことなく、被加工面Ｗ１の良好な平坦化を実現することが可能となる。

（第四実施形態）
図７および図８は、第四実施形態に係る構成を示す。本実施形態においては、吸着部２１は、上記第二実施形態と同様の構成を有している。すなわち、吸着部２１は、被吸着面Ｗ２との接触により被加工物Ｗと導通する導電体によって形成されている。また、浸入抑制部２３は、上記第三実施形態と同様に、被加工物Ｗの外縁部Ｗ３に対応する位置にて気体を噴出するように構成されている。但し、本実施形態においては、気体噴出路２３４は、気体が通流可能な多孔質セラミックによって形成されている。すなわち、浸入抑制部２３は、リング状のポーラスチャックと同様の構成を有している。かかる構成によっても、上記各実施形態と同様に、被加工物Ｗにおける被加工面Ｗ１の裏面である被吸着面Ｗ２への電解液Ｓの浸入を良好に抑制することができる。これにより、生産性や被加工物Ｗの形状を損なうことなく、被加工面Ｗ１の良好な平坦化を実現することが可能となる。

（第五実施形態）
図９は、第五実施形態に係る構成を示す。本実施形態においては、チャック２は、異なるサイズすなわち外径の被加工物Ｗに対して良好に対応可能な構成を有している。すなわち、チャック２は、異なる外径の被加工物Ｗに対応して、吸着部２１および浸入抑制部２３を、複数備えている。図９は、被加工物Ｗとしての、３種類のサイズ、例えば、４インチ、６インチ、および８インチの外径の半導体ウェハを保持可能なチャック２の構成例を示す。

図９に示されているように、チャック２は、吸着部２１としての、第一吸着部２１１、第二吸着部２１２、および第三吸着部２１３を有している。第一吸着部２１１は、半導体ウェハにおける第一の外径（すなわち最小の外径）に対応して設けられている。すなわち、第一吸着部２１１は、４インチウェハの外径に相当する外径を有する円環状に形成されている。第二吸着部２１２は、半導体ウェハにおける第一の外径よりも大きな第二の外径に対応して、面内方向における第一吸着部２１１の外側に設けられている。すなわち、第二吸着部２１２は、６インチウェハの外径に相当する外径を有する円環状に形成されている。第三吸着部２１３は、半導体ウェハにおける第二の外径よりも大きな第三の外径（すなわち最大の外径）に対応して、面内方向における第二吸着部２１２の外側に設けられている。すなわち、第三吸着部２１３は、８インチウェハの外径に相当する外径を有する円環状に形成されている。

コンタクト電極２２は、細径の軸部２２１と、軸部２２１の軸方向における一端側に設けられた大径の頭部２２２とを有する、ボルト状の形状を有している。コンタクト電極２２は、銅等の良導体金属によって継ぎ目なく一体に形成されている。

また、チャック２は、浸入抑制部２３としての、第一浸入抑制部２３６、第二浸入抑制部２３７、および第三浸入抑制部２３８を有している。第一浸入抑制部２３６は、半導体ウェハにおける第一の外径に対応して、面内方向における第一吸着部２１１の外側且つ第二吸着部２１２の内側に設けられている。第二浸入抑制部２３７は、半導体ウェハにおける第二の外径に対応して、面内方向における第一吸着部２１１および第一浸入抑制部２３６の外側且つ第三吸着部２１３の内側に設けられている。第三浸入抑制部２３８は、半導体ウェハにおける第三の外径に対応して、面内方向における第三吸着部２１３の外側に設けられている。

本実施形態においては、第一浸入抑制部２３６、第二浸入抑制部２３７、および第三浸入抑制部２３８は、それぞれ、気体噴出路２３４を有している。気体噴出路２３４における末端部に設けられた噴出開口２３５は、チャック２が半導体ウェハを吸着した状態で、気体を図中Ｚ軸負方向および径方向に向けて噴出するようになっている。「径方向」は、略円板状の半導体ウェハにおける半径方向である。より正確には、「径方向」は、チャック面２０に吸着された被加工物Ｗの面内方向における中心を通りＺ軸と平行な仮想鉛直線とＸＹ平面との交点を中心とする円をＸＹ平面内に描いた場合の、当該円の中心から半径に沿って放射状に延びる方向である。

チャック２は、負圧経路２５としての、第一負圧経路２５１、第二負圧経路２５２、および第三負圧経路２５３を有している。第一負圧経路２５１は、第一吸着部２１１に負圧を供給するように、第一吸着部２１１に接続されている。第二負圧経路２５２は、第二吸着部２１２に負圧を供給するように、第二吸着部２１２に接続されている。第三負圧経路２５３は、第三吸着部２１３に負圧を供給するように、第三吸着部２１３に接続されている。

チャック２は、流体経路２６としての、第一流体経路２６１、第二流体経路２６２、および第三流体経路２６３を有している。第一流体経路２６１は、第一浸入抑制部２３６に気体を供給するように、第一浸入抑制部２３６における気体噴出路２３４に接続されている。第二流体経路２６２は、第二浸入抑制部２３７に気体を供給するように、第二浸入抑制部２３７における気体噴出路２３４に接続されている。第三流体経路２６３は、第三浸入抑制部２３８に気体を供給するように、第三浸入抑制部２３８における気体噴出路２３４に接続されている。

本実施形態においては、チャック２は、半導体ウェハを保持しつつ上下方向に移動可能に構成されている。また、チャック２は、保持した半導体ウェハを厚さ方向と平行な軸周りに回転させるように構成されている。具体的には、チャック２は、主軸部６０１と、回転支持部６０２と、ウェハ保持部６０３と、第一流路部材６０４と、第二流路部材６０５とを備えている。

主軸部６０１は、図中Ｚ軸方向と平行な回転駆動軸であって、略円柱状に形成されている。主軸部６０１は、負圧経路２５を構成する真空通路６１１を有している。本実施形態においては、主軸部６０１には、複数の吸着部２１に対応して、複数の真空通路６１１が形成されている。すなわち、第一負圧経路２５１を構成する真空通路６１１である第一真空通路６１１ａと、第二負圧経路２５２を構成する真空通路６１１である第二真空通路６１１ｂと、第三負圧経路２５３を構成する真空通路６１１である第三真空通路６１１ｃとが設けられている。第一真空通路６１１ａは、主軸部６０１を軸方向（すなわち図中Ｚ軸方向）に貫通する一本の空気通路として形成されている。同様に、第二真空通路６１１ｂおよび第三真空通路６１１ｃは、それぞれ、主軸部６０１を軸方向に貫通する、一本の空気通路として形成されている。第一真空通路６１１ａ、第二真空通路６１１ｂ、および第三真空通路６１１ｃは、チャック２に接続された不図示の負圧供給切替装置によって、負圧の供給の有無が切り替えられるようになっている。

また、主軸部６０１は、流体経路２６を構成する気体供給路６１２を有している。本実施形態においては、主軸部６０１には、複数の浸入抑制部２３に対応して、複数の気体供給路６１２が形成されている。すなわち、主軸部６０１には、第一流体経路２６１を構成する気体供給路６１２である第一気体供給路６１２ａと、第二流体経路２６２を構成する気体供給路６１２である第二気体供給路６１２ｂと、第三流体経路２６３を構成する気体供給路６１２である第三気体供給路６１２ｃとが設けられている。第一気体供給路６１２ａ、第二気体供給路６１２ｂ、および第三気体供給路６１２ｃは、それぞれ、主軸部６０１を軸方向に貫通する一本の気体通路として形成されている。第一気体供給路６１２ａ、第二気体供給路６１２ｂ、および第三気体供給路６１２ｃは、チャック２に接続された不図示の気体供給切替装置によって気体の供給の有無が切り替えられるようになっている。

また、主軸部６０１には、コンタクト電極２２に給電する不図示の配線を挿通するための配線挿通孔６１３が設けられている。配線挿通孔６１３は、主軸部６０１を軸方向に貫通する貫通孔であって、面内方向における主軸部６０１の中心部に配設されている。

主軸部６０１は、回転支持部６０２によって、回転可能に支持されている。具体的には、主軸部６０１は、大径部６１４と小径部６１５とを有する段付き形状を有している。小径部６１５は、軸方向における主軸部６０１の先端部に設けられている。大径部６１４と小径部６１５との境界部、すなわち、大径部６１４の軸方向における先端には、面内方向に延設された円環状の平面であるフランジ当接面６１６が形成されている。回転支持部６０２は、大径部６１４を収容する筒状部６２１と、筒状部６２１の軸方向における先端部から内側に突設したフランジ部６２２とを有している。フランジ部６２２は、フランジ当接面６１６と当接するように設けられている。フランジ部６２２の内縁によって形成される円孔である主軸貫通孔６２３には、主軸部６０１における小径部６１５が挿通されている。

ウェハ保持部６０３は、チャック２における下端部に配置されている。ウェハ保持部６０３は、略平板状（すなわち具体的には略円板状）のベースプレート部６３１を有する板状に形成されている。ベースプレート部６３１は、一対の主面である、ベースプレート底面６３１ａおよびベースプレート頂面６３１ｂを有している。ベースプレート底面６３１ａは、第一流路部材６０４と接合されている。ベースプレート頂面６３１ｂから下方に向かって、中央突設部６３２および環状突設部６３３が突設されている。中央突設部６３２は、略円筒状の突設部であって、ベースプレート部６３１の面内方向における中心位置に配設されている。環状突設部６３３は、径方向における中央突設部６３２の外側に配設されている。ベースプレート部６３１と、中央突設部６３２と、環状突設部６３３とは、緻密なセラミックや合成樹脂等の絶縁性の剛性材料によって継ぎ目なく一体に形成されている。

本実施形態においては、中央突設部６３２と、３つの環状突設部６３３とが、図中Ｚ軸正方向の視線で見た底面視にて同心円状に配置されている。すなわち、ウェハ保持部６０３には、３つの環状突設部６３３として、第一環状突設部６３３ａと、第二環状突設部６３３ｂと、第三環状突設部６３３ｃとが設けられている。第一環状突設部６３３ａは、３つの環状突設部６３３のうち、径方向における最も内側に配置されている。第三環状突設部６３３ｃは、３つの環状突設部６３３のうち、径方向における最も外側に配置されている。

中央突設部６３２の軸中心には、軸方向について互いに連通する電極貫通孔６３４および電極収容孔６３５が設けられている。電極貫通孔６３４および電極収容孔６３５は、内径が異なる円孔であって、同軸に形成されている。すなわち、電極貫通孔６３４は、コンタクト電極２２を収容する段付き貫通孔における内径が小さい方の部分であって、チャック面２０にて開口するように設けられている。電極貫通孔６３４は、コンタクト電極２２における軸部２２１をガタ付きなく軸方向にスムーズにスライド可能に収容するように、軸部２２１の外径と所定の嵌め合い交差となる内径を有している。電極収容孔６３５は、コンタクト電極２２を収容する段付き貫通孔における内径が大きい方の部分であって、ベースプレート底面６３１ａにて開口するように設けられている。電極収容孔６３５は、コンタクト電極２２における頭部２２２の外径よりも若干大きな内径を有している。電極貫通孔６３４および電極収容孔６３５は、第一環状突設部６３３ａおよび第二環状突設部６３３ｂの周方向における所定位置にも、それぞれ１つずつ設けられている。

中央突設部６３２と第一環状突設部６３３ａとの間、第一環状突設部６３３ａと第二環状突設部６３３ｂとの間、および、第二環状突設部６３３ｂと第三環状突設部６３３ｃとの間には、環状凹部６３６が設けられている。すなわち、ウェハ保持部６０３には、３つの環状凹部６３６が、同心円状に形成されている。環状凹部６３６の底部からベースプレート底面６３１ａに貫通するように、負圧経路２５を構成する負圧伝達孔６３７が形成されている。負圧伝達孔６３７は、ベースプレート部６３１を厚さ方向に貫通する貫通孔である。具体的には、１つの環状凹部６３６に対して、複数の負圧伝達孔６３７が、周方向に等間隔に配設されている。中央突設部６３２と第一環状突設部６３３ａとの間の環状凹部６３６には、第一吸着部２１１が嵌め込まれている。第一環状突設部６３３ａと第二環状突設部６３３ｂとの間の環状凹部６３６には、第二吸着部２１２が嵌め込まれている。第二環状突設部６３３ｂと第三環状突設部６３３ｃとの間の環状凹部６３６には、第三吸着部２１３が嵌め込まれている。

第一流路部材６０４は、ウェハ保持部６０３の上方に配置されている。すなわち、第一流路部材６０４は、ウェハ保持部６０３と第二流路部材６０５との間に挟持されている。第一流路部材６０４は、緻密なセラミックや合成樹脂等の絶縁性剛性材料によって、図中Ｚ軸方向に厚さ方向を有する平板状に形成されている。第一流路部材６０４は、一対の主面であるベースプレート対向面６４０ａおよび流路部材接続面６４０ｂを有している。ベースプレート対向面６４０ａは、ベースプレート底面６３１ａと接合されている。

第一流路部材６０４には、ベースプレート対向面６４０ａにてウェハ保持部６０３側に向かって開口する負圧伝達溝６４１が設けられている。負圧伝達溝６４１は、底面視にてリング状に形成されている。負圧伝達溝６４１は、径方向における負圧伝達孔６３７に対応する位置に配設されている。すなわち、負圧経路２５を構成する負圧伝達溝６４１は、ウェハ保持部６０３と第一流路部材６０４とが接合された状態にて、負圧伝達孔６３７を介して環状凹部６３６すなわち吸着部２１と連通するように設けられている。

本実施形態においては、３本の負圧伝達溝６４１が、同心円状に配置されている。３本の負圧伝達溝６４１のうちの最も内側のものは、３つの環状凹部６３６のうちの最も内側のものに対応して設けられている。同様に、３本の負圧伝達溝６４１のうちの中間位置のものは、３つの環状凹部６３６のうちの中間位置のものに対応して設けられている。また、３本の負圧伝達溝６４１のうちの最も外側のものは、３つの環状凹部６３６のうちの最も外側のものに対応して設けられている。負圧伝達溝６４１の周方向における所定位置から流路部材接続面６４０ｂに貫通するように、負圧導入孔６４２が形成されている。負圧経路２５を構成する負圧導入孔６４２は、３本の負圧伝達溝６４１に対して、それぞれ１つずつ設けられている。

第一流路部材６０４には、また、ベースプレート対向面６４０ａにてウェハ保持部６０３側に向かって開口する噴出気体伝達溝６４３が設けられている。噴出気体伝達溝６４３は、径方向における気体噴出路２３４に対応する位置に配設されている。すなわち、流体経路２６を構成する噴出気体伝達溝６４３は、ウェハ保持部６０３と第一流路部材６０４とが接合された状態にて、気体噴出路２３４と連通するように設けられている。噴出気体伝達溝６４３は、周方向における気体噴出路２３４が設けられている範囲にわたって、底面視にて略Ｃ字状に形成されている。換言すれば、噴出気体伝達溝６４３は、周方向について、電極貫通孔６３４およびその近傍領域を避けて設けられている。

本実施形態においては、３本の噴出気体伝達溝６４３が、同心円状に配置されている。３本の噴出気体伝達溝６４３のうちの最も内側のものは、第一環状突設部６３３ａに対応して設けられている。同様に、３本の噴出気体伝達溝６４３のうちの中間位置のものは、第二環状突設部６３３ｂに対応して設けられている。また、３本の噴出気体伝達溝６４３のうちの最も外側のものは、第三環状突設部６３３ｃに対応して設けられている。噴出気体伝達溝６４３の周方向における所定位置から流路部材接続面６４０ｂに貫通するように、噴出気体導入孔６４４が形成されている。流体経路２６を構成する噴出気体導入孔６４４は、３本の噴出気体導入孔６４４に対して、それぞれ１つずつ設けられている。

第一流路部材６０４の周方向における所定位置、具体的には、ウェハ保持部６０３と第一流路部材６０４とが接合された状態における電極収容孔６３５に対応する位置には、軸方向について互いに連通するピン収容孔６４５およびピン貫通孔６４６が設けられている。ピン収容孔６４５およびピン貫通孔６４６は、内径が異なる円孔であって、同軸に形成されている。すなわち、ピン収容孔６４５は、導通ピン６４７を収容する段付き貫通孔における内径が大きい方の部分であって、ベースプレート対向面６４０ａにてウェハ保持部６０３に向かって開口するように、ピン貫通孔６４６よりもウェハ保持部６０３側に配置されている。ピン収容孔６４５は、電極収容孔６３５と同径に形成されている。ピン貫通孔６４６は、導通ピン６４７を収容するにおける内径が小さい方の部分であって、流路部材接続面６４０ｂにて第二流路部材６０５に向かって開口するように設けられている。

導通ピン６４７は、軸方向について互いに連通するピン収容孔６４５およびピン貫通孔６４６により形成された段付き貫通孔内にて、軸方向に移動可能に収容されている。導通ピン６４７は、銅等の良導体金属によって、軸方向における中央部が太い段付き円柱状に形成されている。すなわち、導通ピン６４７は、ピン軸部６４７ａと、ピン中央部６４７ｂと、接点形成部６４７ｃとを有している。ピン軸部６４７ａは、導通ピン６４７の軸方向における基端側の細径部であって、ピン貫通孔６４６内にて軸方向に移動可能に挿通されている。ピン中央部６４７ｂは、導通ピン６４７の軸方向における中央部の太径部であって、ピン収容孔６４５内にて軸方向に移動可能に収容されている。接点形成部６４７ｃは、導通ピン６４７の軸方向における先端側の部分であって、ピン中央部６４７ｂからコンタクト電極２２における頭部２２２に向かって軸方向に突設されている。ピン収容孔６４５とピン貫通孔６４６との段付き部と、ピン中央部６４７ｂとの間には、付勢バネ６４８が配設されている。付勢バネ６４８は、ピン軸部６４７ａの周囲に巻回されたコイルバネであって、導通ピン６４７をコンタクト電極２２に向かって付勢することで導通ピン６４７とコンタクト電極２２との接点導通を形成するように構成されている。

第二流路部材６０５は、第一流路部材６０４の上方に配置されている。すなわち、第二流路部材６０５は、第一流路部材６０４と主軸部６０１との間に挟持されている。第二流路部材６０５は、緻密な金属材料によって、図中Ｚ軸方向に厚さ方向を有する平板状に形成されている。第二流路部材６０５は、一対の主面である流路接合面６５０ａおよび主軸接合面６５０ｂを有している。流路接合面６５０ａは、流路部材接続面６４０ｂと接合されている。主軸接合面６５０ｂは、主軸部６０１の底面と接合されている。

第二流路部材６０５には、負圧経路２５を構成する負圧接続通路６５１と、流体経路２６を構成する気体接続通路６５２とが形成されている。負圧接続通路６５１は、第一流路部材６０４と第二流路部材６０５と主軸部６０１とをこの順に積層しつつ接合した積層接合状態で、負圧導入孔６４２と真空通路６１１とを接続するように設けられている。気体接続通路６５２は、上述の積層接合状態で、噴出気体導入孔６４４と気体供給路６１２とを接続するように設けられている。

第二流路部材６０５には、また、軸方向について互いに連通する空間である配線貫通部６５３と配線収容部６５４とが形成されている。配線貫通部６５３は、上述の積層接合状態で配線挿通孔６１３と連通するように、第二流路部材６０５の径方向における中心部に配設されている。具体的には、配線貫通部６５３は、配線挿通孔６１３と同径の円孔状に形成されている。配線収容部６５４は、流路接合面６５０ａにて第一流路部材６０４に向かって開口する凹部であって、複数のピン貫通孔６４６の全てと連通するように設けられている。配線貫通部６５３および配線収容部６５４は、コンタクト電極２２に給電する不図示の配線を収容可能に設けられている。

本実施形態は、保持対象である半導体ウェハのサイズに応じて、複数の真空通路６１１の各々への負圧の供給の有無を切り替える。具体的には、例えば、４インチウェハの場合、第一真空通路６１１ａへの負圧の供給のみが行われ、第二真空通路６１１ｂおよび第三真空通路６１１ｃへの負圧の供給は遮断される。これにより、４インチウェハに対向する第一吸着部２１１のみにて吸着力が生じる。一方、ウェハ保持状態にて４インチウェハには対向せず電解液Ｓに露出する第二吸着部２１２および第三吸着部２１３においては、吸着力発生のための負圧が生じない。このため、電解液Ｓが第二吸着部２１２および第三吸着部２１３に浸透して真空通路６１１に浸入することが、良好に回避され得る。これに対し、例えば、６インチウェハの場合、第一真空通路６１１ａおよび第二真空通路６１１ｂへの負圧の供給のみが行われ、第三真空通路６１１ｃへの負圧の供給は遮断される。これにより、６インチウェハに対向する第一吸着部２１１および第二吸着部２１２のみにて吸着力が生じる。一方、ウェハ保持状態にて６インチウェハには対向せず電解液Ｓに露出する第三吸着部２１３においては、吸着力発生のための負圧が生じない。このため、電解液Ｓが第三吸着部２１３に浸透して真空通路６１１に浸入することが、良好に回避され得る。

本実施形態は、保持対象である半導体ウェハのサイズに応じて、複数の気体供給路６１２の各々への気体の供給の有無を切り替える。具体的には、例えば、６インチウェハの場合、第二気体供給路６１２ｂへの気体の供給のみが行われ、第一気体供給路６１２ａおよび第三気体供給路６１２ｃへの気体の供給は遮断される。これにより、６インチにおけるウェハ端に対向する第二浸入抑制部２３７にて、半導体ウェハの裏面とチャック面２０との間への電解液Ｓの浸入を抑制するための気体の噴出が行われる。一方、ウェハ端よりも径方向における内側の第一浸入抑制部２３６においては、気体の噴出は行われない。このため、第一浸入抑制部２３６による気体噴射で半導体ウェハがチャック面２０から剥離される方向の力を受けることが良好に回避され、以て半導体ウェハの保持状態が良好に維持され得る。また、ウェハ端よりも外側の第三浸入抑制部２３８における気体の噴出は行われない。このため、電解液Ｓの不用意な泡立ちや、噴出気体が酸素を含む場合（例えば空気）における電解液Ｓの酸化による劣化の進行が、良好に抑制され得る。

本実施形態は、保持対象である半導体ウェハのサイズに応じて、複数のコンタクト電極２２への通電状態を切り替える。具体的には、４インチウェハの場合、ウェハ裏面に当接する、中央突設部６３２に設けられたコンタクト電極２２には、被加工物Ｗから対向部材３に向かう電流を通流させるための加工電圧が印加される。一方、電解液Ｓと接触し得る、第一環状突設部６３３ａおよび第二環状突設部６３３ｂに設けられたコンタクト電極２２には、加工電圧が印加されない。また、６インチウェハの場合、ウェハ裏面に当接する、中央突設部６３２および第一環状突設部６３３ａに設けられたコンタクト電極２２には、加工電圧が印加される。一方、電解液Ｓと接触し得る、第二環状突設部６３３ｂに設けられたコンタクト電極２２には、加工電圧が印加されない。さらに、８インチウェハの場合、ウェハ裏面に当接するすべてのコンタクト電極２２、すなわち、中央突設部６３２、第一環状突設部６３３ａ、および第二環状突設部６３３ｂに設けられたコンタクト電極２２に、加工電圧が印加される。このため、加工中のコンタクト電極２２の酸化を回避しつつ、半導体ウェハに対する可能な限り均一な通電を行うことが可能となる。

本実施形態においては、コンタクト電極２２を軸方向に沿って摺動可能に収容するウェハ保持部６０３、および、導通ピン６４７を軸方向に沿って移動可能に収容する第一流路部材６０４は、絶縁体によって形成されている。このため、チャック２は、いわゆる絶縁チャックとして構成されている。したがって、チャック２における、作業員の手指が接触する可能性がある外表面と荷電部分との間の絶縁性が、良好に維持され得る。

（変形例）
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。故に、上記実施形態に対しては、適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態との相違点を主として説明する。また、上記実施形態と変形例とにおいて、互いに同一または均等である部分には、同一符号が付されている。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾または特段の追加説明なき限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。

本発明は、上記実施形態にて示された例示的な装置構成に限定されない。すなわち、図１～図９は、本発明に係る表面加工装置１、および、これにより実施可能な表面加工方法の概要を簡易に説明するための、簡素化された概略図である。したがって、実際に製造販売される表面加工装置１の構成は、必ずしも、図１～図９に示された例示的な構成と一致するとは限らない。また、実際に製造販売される表面加工装置１の構成は、図１～図９に示された例示的な構成から適宜変更され得る。加工対象も半導体ウェハには限定されない。

例えば、図１～図９に示された例示的な構成においては、チャック２が対向部材３の上方に位置していた。しかしながら、本発明は、かかる構成に限定されない。すなわち、例えば、チャック２が対向部材３の下方に位置していてもよい。この場合、上記各実施形態における上下関係の記述は、逆転される。また、チャック面２０および加工面３０１は、水平面あるいは鉛直面と平行ではなくてもよく、これらに対して傾斜していてもよい。また、電解液Ｓは、容器内に貯留されるのではなく、ノズルにより噴射されてもよい。

電解液Ｓは、エッチャント成分を含んでいてもよい。すなわち、本発明に係る表面加工装置１、および、これにより実施可能な表面加工方法は、陽極酸化により生じた酸化膜をエッチャントおよび対向部材３の双方を用いて選択的に除去することで、被加工面Ｗ１を研磨あるいは研削するものであってもよい。

吸着部２１は、いわゆる静電吸着方式により被加工物Ｗを吸着する構成を有していてもよい。すなわち、本発明は、被加工物Ｗを負圧により吸着する構成に限定されない。浸入抑制部２３にて噴出する気体の種類についても、特段の限定はないが、電解液Ｓの酸化あるいは還元による劣化が生じにくいもの（例えばアルゴン等の不活性ガスや窒素等）であることが好適である。

対向部材３も、上記実施形態にて示された例示的な構成に限定されない。具体的には、砥石層３０２に含有される砥粒の種類等についても、特段の限定はない。また、砥石層３０２と対向電極層３０３とは、対向部材３の厚さ方向に接合されていなくてもよい。より詳細には、例えば、砥石部と対向電極部とが、対向部材３の厚さ方向と直交する面内方向に隣接配置していてもよい。すなわち、対向部材３がチャック２に対して相対的に回転あるいは移動することで、被加工面Ｗ１における特定の部分に対して、砥石部と対向電極部とが時間的に交互に対向するように、表面加工装置１が構成され得る。あるいは、対向電極部は、砥石部とは別体のものであってもよい。すなわち、被加工面Ｗ１における全体あるいは特定の部分に対して、対向電極部と砥石部とが時間的に交互に対向するように、表面加工装置１が構成され得る。

本発明は、砥石層３０２を用いない、いわゆる電解研磨にも適用可能である。この場合、対向部材３は、いわゆる対向電極としての機能を有する。また、本発明は、いわゆるＣＭＰにも適用可能である。ＣＭＰはＣｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇの略である。但し、対向部材３と被加工物Ｗとの間を通電する平坦化（すなわち電解研磨やＥＣＭＰ等を含む）の場合、被加工面Ｗ１の裏面である被吸着面Ｗ２に電解液Ｓが回り込むと、被吸着面Ｗ２やコンタクト電極２２にて酸化物が発生する。これにより、被吸着面Ｗ２における平面度が低下して被加工物Ｗの形状が崩れたり、酸化物により電気抵抗が上昇することで通電不良が生じたりするという顕著な不具合が生じる。この点で、単なる機械研磨やＣＭＰにおける、被加工面Ｗ１の裏面への加工液の回り込みによる生じ得る不具合とは、不具合の程度が大きく異なる。このため、本発明は、電解研磨やＥＣＭＰ等のような、対向部材３と被加工物Ｗとの間を通電する平坦化において、特に有効である。

図９に示された、異なるサイズすなわち外径の被加工物Ｗに対して良好に対応可能な構成は、３種類のサイズに対応するものに限定されない。すなわち、２種類のサイズに対応する構成や、４種類以上のサイズに対応する構成も実現可能である。また、図９に示された、ウェハサイズに応じて負圧等の供給態様を切り替える構成は、浸入抑制部２３にて電解液Ｓを吸引する構成にも適用され得る。具体的には、第一浸入抑制部２３６、第二浸入抑制部２３７、および第三浸入抑制部２３８の各々に対する、電解液Ｓの吸引のための吸引力の供給の有無が、ウェハサイズに応じて切り替えられ得る。

上記の説明において、互いに継ぎ目無く一体に形成されていた複数の構成要素は、互いに別体の部材を貼り合わせることによって形成されてもよい。同様に、互いに別体の部材を貼り合わせることによって形成されていた複数の構成要素は、互いに継ぎ目無く一体に形成されてもよい。また、上記の説明において、互いに同一の材料によって形成されていた複数の構成要素は、互いに異なる材料によって形成されてもよい。同様に、互いに異なる材料によって形成されていた複数の構成要素は、互いに同一の材料によって形成されてもよい。

上記実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、構成要素の個数、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数値に限定される場合等を除き、その特定の数値に本発明が限定されることはない。同様に、構成要素等の形状、方向、位置関係等が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に特定の形状、方向、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、方向、位置関係等に本発明が限定されることはない。

変形例も、上記の例示に限定されない。すなわち、例えば、上記に例示した以外で、複数の実施形態同士が、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わされ得る。同様に、複数の変形例が、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わされ得る。

１ 表面加工装置
２ チャック
２１ 吸着部
２３ 浸入抑制部
３ 対向部材
５ 電圧印加部
Ｗ 被加工物
Ｗ１ 被加工面
Ｗ２ 被吸着面
Ｗ３ 外縁部

Claims (6)

1. 平板状の被加工物（Ｗ）における一対の主面のうちの一方である被加工面（Ｗ１）を平坦化する、表面加工装置（１）であって、
   前記被加工物における前記一対の主面のうちの他方である被吸着面（Ｗ２）を吸着することで、前記被加工物を、前記被加工面を露出させつつ保持するように構成されたチャック（２）と、
   前記チャックに保持された前記被加工物における前記被加工面に対向配置される対向部材（３）と、
   電解液（Ｓ）の存在下で、前記対向部材側を陰極とし前記被加工物側を陽極として電流を印加するように設けられた電流印加部（５）と、
   を備え、
   前記チャックは、
   前記被吸着面と当接することで前記被吸着面を吸着するように構成された吸着部（２１）と、
   前記被吸着面に沿った面内方向における前記被加工物の外縁部（Ｗ３）に対応する位置にて、前記電解液を吸引または気体を噴出することで、前記被吸着面と前記チャックとの隙間への前記電解液の浸入を抑制するように、前記面内方向における前記吸着部の外側に設けられた浸入抑制部（２３）と、
   を備えた、
   表面加工装置。
2. 前記吸着部は、負圧経路（２５）に接続されることで、前記被吸着面を負圧により吸着するように設けられ、
   前記浸入抑制部と、前記吸着部および前記負圧経路とは、相互の流体の授受が遮断されるように設けられた、
   請求項１に記載の表面加工装置。
3. 前記吸着部は、前記被吸着面との接触により前記被加工物と導通する導電体によって形成された、
   請求項２に記載の表面加工装置。
4. 前記チャックは、
   前記被吸着面が前記吸着部に吸着された状態で、前記被吸着面に当接することで前記被加工物との導通が形成されるように、前記面内方向における前記吸着部の内側に設けられたコンタクト電極（２２）をさらに備えた、
   請求項１～３のいずれか１つに記載の表面加工装置。
5. 前記チャックは、
   前記被加工物における第一の外径に対応して設けられた前記吸着部である第一吸着部（２１１）と、
   前記被加工物における前記第一の外径に対応して、前記面内方向における前記第一吸着部の外側に設けられた前記浸入抑制部である第一浸入抑制部（２３４）と、
   前記被加工物における前記第一の外径よりも大きな第二の外径に対応して、前記面内方向における前記第一吸着部および前記第一浸入抑制部の外側に設けられた前記吸着部である第二吸着部（２１２）と、
   前記被加工物における前記第二の外径に対応して、前記面内方向における前記第一浸入抑制部および前記第二吸着部の外側に設けられた前記浸入抑制部である第二浸入抑制部（２３５）と、
   を備えた、
   請求項１～４のいずれか１つに記載の表面加工装置。
6. 前記被加工物は、半導体ウェハであり、
   前記対向部材は、前記電解液の存在下で前記被加工面を陽極酸化しつつ、前記被加工面に生成した酸化物を選択的に除去するように設けられた、
   請求項１～５のいずれか１つに記載の表面加工装置。

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