TW201913786A - 雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201913786A
TW201913786A TW107107270A TW107107270A TW201913786A TW 201913786 A TW201913786 A TW 201913786A TW 107107270 A TW107107270 A TW 107107270A TW 107107270 A TW107107270 A TW 107107270A TW 201913786 A TW201913786 A TW 201913786A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
region
floating unit
laser irradiation
laser light
unit
Prior art date
Application number
TW107107270A
Other languages
English (en)
Inventor
鈴木祐輝
藤貴洋
三上貴弘
山口芳広
清水良
Original Assignee
日商日本製鋼所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日本製鋼所股份有限公司 filed Critical 日商日本製鋼所股份有限公司
Publication of TW201913786A publication Critical patent/TW201913786A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02488—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

一種雷射照射裝置(1)，係具備：雷射產生裝置(14)，係使雷射光產生；以及浮起單元(10)，係使雷射光所照射的被處理體(16)浮起。浮起單元(10)係具備第一區域和第二區域；第一區域和第二區域係以俯視觀察時雷射光之焦點與第一區域重疊，且雷射光之焦點與第二區域不重疊的方式所配置。第二區域之表面部係由金屬構件所形成。

Description

雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體 裝置的製造方法
本發明係關於一種雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法。
已知有一種一邊浮起搬運板狀之工件，一邊對該工件照射雷射光束(laser beam)的雷射照射裝置。而且，在專利文獻1、2中已有揭示一種藉由使氣體從被水平地載置的多孔質板向上噴出，來使板狀之工件浮起的技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2008-110852號公報。
專利文獻2：日本特許第5512052號公報。
在浮起單元中使用多孔質體的情況下，會從多孔質體產生微粒(particle)。例如，在多孔質體產生裂痕(crack)或缺 損的情況下，就會從裂痕或缺損的產生部位產生微粒。然後，從裂痕或缺損之產生部位產生氣漏而無法從多孔質體前表面均勻地噴出空氣。因此，有的情況無法使工件正常地浮起。其他的課題和新穎的特徵係能從本說明書之描述及圖式中獲得明白。
一實施形態的雷射照射裝置係具備使雷射光所照射的被處理體浮起的浮起單元，浮起單元之第二區域的表面部係由金屬構件所形成。
依據前述一實施形態，能提供一種可以抑制微粒之產生的雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法。
1‧‧‧雷射照射裝置
10‧‧‧浮起單元
11‧‧‧搬運單元
12‧‧‧保持機構
13‧‧‧移動機構
14‧‧‧雷射產生裝置
15‧‧‧雷射照射位置
16‧‧‧被處理體
31‧‧‧精密浮起區域
32‧‧‧準精密浮起區域
33‧‧‧粗糙浮起區域
111‧‧‧精密浮起單元
112‧‧‧準精密浮起單元
113‧‧‧粗糙浮起單元
114‧‧‧基座單元
115‧‧‧溝槽
121‧‧‧台座
122‧‧‧多孔質體
124_1、124_2‧‧‧供氣埠口
125_1、125_2‧‧‧排氣埠口
126‧‧‧流路
127‧‧‧吸氣孔
131‧‧‧金屬構件
132‧‧‧表面處理部
133‧‧‧供給流路
134‧‧‧供給埠口
135‧‧‧吸氣埠口
136‧‧‧吸氣流路
137‧‧‧吸氣孔
138‧‧‧噴出孔
140‧‧‧表面部
145‧‧‧集氣部
146‧‧‧破損部位
201‧‧‧玻璃基板
202‧‧‧閘極電極
203‧‧‧閘極絕緣膜
204‧‧‧非晶矽膜
205‧‧‧多晶矽膜
206‧‧‧層間絕緣膜
207a‧‧‧源極電極
207b‧‧‧汲極電極
300‧‧‧有機EL顯示器
310‧‧‧基板
311‧‧‧TFT層
311a‧‧‧TFT
312‧‧‧有機層
312a‧‧‧有機EL發光元件
312b‧‧‧間隔壁
313‧‧‧彩色濾光片層
313a‧‧‧彩色濾光片
314‧‧‧密封基板
PX‧‧‧像素
圖1係示意性地顯示實施形態1的雷射照射裝置之構成的俯視圖。
圖2係圖1的II-II剖視圖。
圖3係圖1的III-III剖視圖。
圖4係示意性地顯示浮起單元之構成的俯視圖。
圖5係用以說明浮起單元之各區域的俯視圖。
圖6係圖5的VI-VI剖視圖。
圖7係顯示粗糙(rough)浮起單元之構成的俯視圖。
圖8係圖7的VIII-VIII剖視圖。
圖9係顯示被處理體與粗糙浮起單元接觸的狀態之示意圖。
圖10係用以說明形成於被處理體與粗糙浮起單元之間的集氣部之剖視圖。
圖11係顯示氣體從粗糙浮起單元間之溝槽被排出之樣態的示意圖。
圖12係顯示精密浮起單元之構成的剖視圖。
圖13係顯示精密浮起單元之構成的俯視圖。
圖14係顯示包含雷射照射方法的TFT(Thin Film Transistor；薄膜電晶體)製造方法的步驟剖視圖。
圖15係顯示包含雷射照射方法的TFT製造方法的步驟剖視圖。
圖16係顯示包含雷射照射方法的TFT製造方法的步驟剖視圖。
圖17係顯示包含雷射照射方法的TFT製造方法的步驟剖視圖。
圖18係顯示包含雷射照射方法的TFT製造方法的步驟剖視圖。
圖19係有機EL(Electro Luminescence；電致發光)顯示面板的剖視圖。
以下，參照圖式來針對本實施形態的雷射照射裝置、雷射照射方法、半導體裝置的製造方法加以說明。再者，在以下之說明中，雖然是將雷射所照射的被處理體作為帶有非晶矽膜(amorphous silicon film)的玻璃基板來加以說明，但是被處理體並非被特別限定。
雷射照射裝置之一例係對形成於基板上的非晶矽膜照射雷射光而形成多晶矽(poly-silicon)膜的準分子雷射退火(ELA：Excimer Laser Anneal)裝置。從而，雷射照射裝置係在液晶顯示面板或有機EL顯示面板之製程中，為了製造TFT陣列(array)基板所使用。亦即，雷射照射裝置係被使用於TFT陣列基板等的半導體裝置之製程中。
[雷射照射裝置之基本構成]
本實施形態的雷射照射裝置例如是形成低溫多晶矽(LTPS：Low Temperature Poly-Silicon)膜的準分子雷射退火裝置。首先，使用圖1至圖3來針對雷射照射裝置之基本構成加以說明。圖1係用以說明雷射照射裝置之基本構成的俯視圖。圖2係圖1所示的雷射照射裝置之切斷線II-II的剖視圖。圖3係圖1所示的雷射照射裝置之切斷線III-III的剖視圖。
再者，在以下所示的圖中，為了簡化說明起見，適當顯示xyz三維正交座標系。z方向為鉛直上下方向，y方向 為沿著線狀之雷射光點的方向，x方向為搬運方向。一邊於x方向搬運(掃描)，一邊將沿著y方向的線狀之雷射光照射於基板。又，x方向和y方向為沿著矩形狀的被處理體16之端邊的方向。
如圖1至圖3所示，雷射照射裝置1係具備浮起單元10、搬運單元11及雷射產生裝置14。如圖2所示，浮起單元10係以從浮起單元10之表面噴出氣體的方式所構成，且從浮起單元10之表面所噴出的氣體被噴吹至被處理體16之下表面，藉此使被處理體16浮起。被處理體16例如為玻璃基板。在被處理體16被搬運時，浮起單元10係以被處理體16不與配置於被處理體16之上側的其他機構(未圖示)接觸的方式來調整浮起量。
搬運單元11係將浮起中的被處理體16於搬運方向(x方向)搬運。如圖1、圖3所示，搬運單元11係具備保持機構12和移動機構13。保持機構12係保持被處理體16。例如，保持機構12係可以使用具備多孔質體的真空吸附機構所構成。或者，保持機構12也能夠與後述的粗糙浮起單元113同樣地使用具有吸氣孔的金屬構件所構成。更且，保持機構12亦可由PEEK(polyetheretherketone；聚醚醚酮)材料等的樹脂系材料所形成。保持機構12(真空吸附機構)係連接於排氣埠口(未圖示)，排氣埠口係連接於噴射器(eject or)或真空泵(pump)等。因此，用以抽吸氣體的負壓會作用 於保持機構12，故而可以使用保持機構12來保持被處理體16。
又，保持機構12係具備用以進行吸附動作的升降機構(未圖示)。升降機構例如具備氣缸(air cylinder)或馬達等的致動器(actuator)等。例如，保持機構12係在已上升至吸附位置的狀態下吸附被處理體16。又，保持機構12係在已解除吸附的狀態下下降至待機位置為止。
在本實施形態中，如圖3所示，保持機構12係藉由抽吸與被處理體16之雷射光所照射的面(上表面)為相反側的面(下表面)，也就是藉由抽吸被處理體16之與浮起單元10對向之側的面來保持被處理體16。又，保持機構12係保持被處理體16之+y方向上的端部(也就是與被處理體16之搬運方向垂直之方向上的端部)。
搬運單元11所具備的移動機構13係與保持機構12連結。移動機構13係構成能夠使保持機構12於搬運方向(x方向)移動。搬運單元11(保持機構12及移動機構13)係設置於浮起單元10之+y方向的端部側，且一邊用保持機構12來保持被處理體16，一邊使移動機構13於搬運方向移動，藉此來搬運被處理體16。
如圖1所示，例如，移動機構13係以浮起單元10之 +y方向的端部沿著+x方向而滑動的方式所構成，且移動機構13使浮起單元10之端部沿著+x方向而滑動，藉此被處理體16沿著x方向而被搬運。此時，可以藉由控制移動機構13之移動速度來控制被處理體16之搬運速度。移動機構13例如是具備未圖示之馬達等的致動器和線性導引(linear guide)機構或空氣軸承(air bearing)等。
如圖1、圖2所示，在被處理體16係照射有雷射光15(以下亦以符號15來顯示雷射光之照射位置)。例如，雷射照射裝置為雷射退火裝置，在此情況下係可以在雷射產生裝置14中使用準分子雷射等。從雷射產生裝置14所供給的雷射光係在具有柱面透鏡(cylindrical lens)的光學系統(未圖示)中成為線狀。在被處理體16係照射有線狀的，具體而言為焦點於y方向延伸的雷射光15(線光束；line beam)(參照圖1)。換言之，雷射光15之位於被處理體16上的照射位置係於與被處理體16之搬運方向(x方向)垂直的方向(y方向)延伸。
被處理體16例如是形成有非晶質膜(非晶矽膜)的玻璃基板。藉由對非晶質膜照射雷射光15並進行退火處理，就可以使非晶質膜結晶化。例如，可以將非晶矽膜轉換成多結晶矽膜(多晶矽膜)。
在圖1至圖3所示的雷射照射裝置1中，一邊使用浮 起單元10來使被處理體16浮起，一邊使用搬運單元11來保持被處理體16之下表面而將被處理體16於搬運方向搬運。此時，雷射照射裝置1所具備的搬運單元11係在已搬運被處理體16時，在俯視觀察下(也就是從z方向觀察)，搬運單元11會保持不與雷射照射位置15重疊的位置而搬運著被處理體16。換句話說，如圖1所示，在已將被處理體16於搬運方向搬運時，搬運單元11保持被處理體16的位置(與保持機構12之位置對應)不會與雷射照射位置15重疊。
例如，被處理體16之平面形狀為具有四邊的四角形(矩形狀)，搬運單元11(保持機構12)僅保持著被處理體16之四邊中的一邊。然後，搬運單元11(保持機構12)係在被處理體16被搬運的期間內保持著未被照射雷射光的位置。
藉由如此的構成，可以使搬運單元11保持被處理體16的位置(對應於保持機構12之位置)與雷射照射位置15分離。雷射照射位置15係成為被處理體16之-y側的大致一半，且搬運單元11會保持+y側的端部。可以增大保持機構12近旁之撓彎會變大的部位與雷射照射位置15之距離。因而，可以使雷射照射時被處理體16之起因於保持機構12之撓彎的影響減低。
在y方向上，雷射照射位置15之長度係成為被處理體16之大致一半左右的長度。從而，藉由被處理體16通過雷射照射位置15一次，來使非晶矽膜在被處理體16之大致一半的區域上結晶化。然後，在藉由未圖示的旋轉機構將被處理體16繞著z軸旋轉了180度之後，搬運單元11會將被處理體16於-x方向搬運。或是，亦可在將已被旋轉的被處理體16於-x方向搬運後，搬運單元11再次於+x方向搬運。然後，在進行-x方向之搬運時，或是旋轉180度後再次往+x方向搬運時，雷射光會照射於被處理體16。藉此，被處理體16會通過雷射照射位置15，而非晶矽膜會在被處理體16之剩餘一半的區域上結晶化。如此，藉由使被處理體16往復移動，就能在被處理體16之大致整體上使非晶矽膜轉換成多晶矽膜。
[浮起單元10]
其次，使用圖4來針對浮起單元10之構成加以說明。圖4係顯示浮起單元10之構成的xy俯視圖。浮起單元10係具備精密浮起區域31、準精密浮起區域32及粗糙浮起區域33。
精密浮起區域31係包含雷射光之照射位置15的區域。亦即，在xy俯視觀察下，精密浮起區域31係與雷射光之焦點(雷射照射位置15)重疊的區域。精密浮起區域31係成為比雷射照射位置15更大的矩形狀之區域。
準精密浮起區域32係與精密浮起區域31鄰接的區域。在x方向上，準精密浮起區域32係配置於精密浮起區域31之兩側。更且，在精密浮起區域31之+y側亦配置有準精密浮起區域32。準精密浮起區域32係以與矩形狀的精密浮起區域31之三邊鄰接的方式形成為ㄇ字狀。準精密浮起區域32係成為比精密浮起區域31更大的區域。
粗糙浮起區域33係與準精密浮起區域32鄰接的區域。也就是說，準精密浮起區域32係配置於粗糙浮起區域33與精密浮起區域31之間。在x方向上，粗糙浮起區域33係配置於精密浮起區域31之兩側。亦即，粗糙浮起區域33係分離地配置於準精密浮起區域32之+x側與-x側。在xy俯視觀察下，準精密浮起區域32及粗糙浮起區域33係不與雷射光之焦點(雷射照射位置15)重疊的區域。
其次，使用圖5及圖6來說明各個區域中的區塊之構成。圖5係示意性地顯示浮起單元10之一部分構成的俯視圖。圖6係圖5的VI-VI剖視圖。再者，圖5及圖6係顯示雷射照射位置15之週邊上的浮起單元10之部分的構成。具體而言，省略x方向上的端部之粗糙浮起區域33來圖示。
在精密浮起區域31係設置有精密浮起單元111。在xy 俯視觀察下，精密浮起單元111係與雷射照射位置15重疊。在xy俯視觀察下，精密浮起單元111係成為將y方向作為長邊方向的矩形狀。再者，在圖中雖然精密浮起區域31是藉由一個精密浮起單元111所構成，但是精密浮起單元111亦可藉由二個以上的精密浮起單元111所構成。
在準精密浮起區域32係設置有複數個準精密浮起單元112。在x方向上，在精密浮起單元111之兩側配置有準精密浮起單元112。在此，藉由五個準精密浮起單元112來構成ㄇ字型的準精密浮起區域32。在xy俯視觀察下，各自的準精密浮起單元112係成為將y方向作為長邊方向的矩形狀，在圖5中，各自的準精密浮起單元112係成為不同的大小。各自的準精密浮起單元112亦可成為相同的大小，亦可為一部分或全部不同的大小。
在粗糙浮起區域33係設置有複數個粗糙浮起單元113。在x方向上，在準精密浮起區域32之兩側係分別設置有粗糙浮起單元113。在xy俯視觀察下，各自的粗糙浮起單元113係成為將x方向作為長邊方向的矩形狀。在圖5中，各自的粗糙浮起單元113係成為相同的大小。各自的粗糙浮起單元113亦可成為一部分或全部不同的大小。
在此，在成為雷射照射位置15的y方向位置上，如圖6所示，隨著從-x側朝向+x側，以粗糙浮起單元113、準 精密浮起單元112、精密浮起單元111、準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113之順序來配置。被處理體16係從-x側依粗糙浮起單元113、準精密浮起單元112、精密浮起單元111、準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113之順序而通過。
如圖6所示，精密浮起單元111、準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113係分別朝向上方噴出氣體(例如空氣)。藉由氣體朝向被處理體16之下表面噴吹，被處理體16就會浮起。因而，浮起單元10與被處理體16係成為非接觸的狀態。更且，精密浮起單元111及準精密浮起單元112係抽吸存在於被處理體16與浮起單元10之間的氣體。粗糙浮起單元113係成為與準精密浮起單元112同樣能夠抽吸氣體的構成。
在精密浮起單元111、準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113例如連接有用以供給氣體的氣體供給源(未圖示)。又，在精密浮起單元111、準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113係連接有用以抽吸氣體的真空產生源(未圖示)。氣體供給源係空氣壓縮機(compressor)或貯氣瓶(gas bomb)等，用以供給壓縮氣體。真空產生源係真空泵或噴射器等。
精密浮起單元111的浮起量之精度係比準精密浮起單元112及粗糙浮起單元113更高。準精密浮起單元112的 浮起量之精度係比粗糙浮起單元113更高。然後，在浮起量之精度最高的精密浮起區域31中，雷射光係照射於被處理體16。例如，準精密浮起單元112係以如下方式所構成：使被處理體16以精密浮起單元111使被處理體16浮起時的精度和粗糙浮起單元113使被處理體16浮起時的精度之間的精度浮起。
精密浮起單元111、準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113係分別安裝於基座單元(base unit)114。基座單元114例如是鋁製的金屬板。精密浮起單元111、準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113例如是藉由螺栓(bolt)等固定於基座單元114。精密浮起單元111、準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113之上表面實質上是成為相同的高度。亦即，浮起單元10之上表面(浮起面)實質上是成為平面。再者，在各個單元與基座單元114之間亦可設置有用以調整高度的板件等。又，在基座單元114之內部，亦可設置有成為用以噴出或抽吸氣體之流路的內部空間(未圖示)。
在各個單元(精密浮起單元111、準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113)之間係形成有溝槽115。溝槽115係沿著x方向或y方向而延伸，且到達浮起單元10之外周面。例如，在鄰接的精密浮起單元111與準精密浮起單元112之間係配置有於y方向延伸的溝槽115。同樣地，在鄰接的準精密浮起單元112與粗糙浮起單元113之間係配置有 於y方向延伸的溝槽115。又，在鄰接的二個準精密浮起單元112之間係配置有在x方向或y方向延伸的溝槽115。同樣地，在鄰接的二個粗糙浮起單元113之間係配置有於x方向延伸的溝槽115。
各個單元係僅隔開溝槽115之寬度而配置。換言之，在各個單元之間係設置有與溝槽115之寬度對應的空間。溝槽115，例如是成為寬度10mm左右。當然，溝槽115之寬度並非被限於10mm。溝槽115之寬度係成為比各個單元之寬度更小。
在此，如圖6所示，將浮起單元10之表面(上表面)及其近旁作為表面部140。在精密浮起區域31中，在浮起單元10之表面部140係設置有精密浮起單元111。在準精密浮起區域32中，在浮起單元10之表面部140係設置有準精密浮起單元112。在粗糙浮起區域33中，在浮起單元10之表面部140係設置有粗糙浮起單元113。再者，表面部140係比起對準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113所施予的表面處理之厚度更厚一些的部分。有關準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113之表面處理將於後述。
精密浮起單元111係具有多孔質體。具體而言，在精密浮起單元111之表面部140係設置有多孔質體。準精密浮起單元112及粗糙浮起單元113係具有金屬構件。具體 而言，在準精密浮起單元112、粗糙浮起單元113之表面部140係設置有金屬構件。
準精密浮起單元112及粗糙浮起單元113係具有同樣的構成。以下針對精密浮起單元111、粗糙浮起單元113之構成加以說明。
[粗糙浮起單元113]
首先，使用圖7及圖8來針對粗糙浮起單元113之構成加以說明。圖7係示意性地顯示粗糙浮起單元113之構成的俯視圖。圖8係圖7的VIII-VIII剖視圖。再者，因準精密浮起單元112之構成係與粗糙浮起單元113同樣，故而省略詳細的說明。
粗糙浮起單元113係具有金屬構件131。金屬構件131例如是藉由鋁製或不鏽鋼(SUS；Steel Special Use Stainless)製的金屬塊所形成。在金屬構件131係設置有複數個吸氣孔137和複數個噴出孔138。藉由機械加工金屬構件131，就能在金屬構件131之表面部140形成有複數個吸氣孔137和複數個噴出孔138。吸氣孔137和噴出孔138係分別成為以預定之直徑於z方向延伸的貫通孔(空間)。在xy俯視觀察下，例如吸氣孔137和噴出孔138係成為直徑數mm左右的圓形。
在xy俯視觀察下，吸氣孔137和噴出孔138係隔出預定之間隔所配置。在此，沿著x方向及y方向而吸氣孔137和噴出孔138排列成陣列狀。吸氣孔137係能夠抽吸氣體的開口，且具有作為氣體抽吸部的功能。噴出孔138係能夠噴出氣體的開口，且具有作為氣體噴出部的功能。
如圖8所示，在金屬構件131係形成有供給流路133、供給埠口134、吸氣埠口135及吸氣流路136。供給埠口134和吸氣埠口135係設置於金屬構件131之底面側(-z側)，例如連接於基座單元114之內部空間。供給流路133和吸氣流路136係以從金屬構件131之底面朝向上表面的方式來形成於金屬構件131之內部。如此，在金屬構件131之內部係設置有成為氣體流路的空間。
吸氣埠口135係連接於真空泵等的真空產生源。吸氣埠口135係透過吸氣流路136來與吸氣孔137連接。在此，吸氣流路136係在金屬構件131之內部分支成複數個。從而，一個吸氣埠口135係與複數個吸氣孔137連通著。藉由真空產生源，吸氣流路136係成為負壓空間。可以從吸氣孔137抽吸金屬構件131與被處理體16之間的氣體。
供給埠口134係與貯氣瓶等的氣體供給源連接。供給埠口134係透過供給流路133來與噴出孔138連接。在此，供給流路133係在金屬構件131之內部分支成複數個。從 而，一個供給埠口134係與複數個噴出孔138連通著。藉由氣體供給源，供給流路133係成為正壓空間。可以從噴出孔138對被處理體16噴出氣體。
成為負壓空間的吸氣流路136和成為正壓空間的供給流路133係分離著。亦即，可維持負壓空間與正壓空間的氣密。
更且，如圖8所示，在金屬構件131係設置有表面處理部132。在金屬構件131之上表面(浮起面)形成有表面處理部132。更且，在金屬構件131之側面的上表面側亦形成有表面處理部132。在金屬構件131之側面的一部分和上表面施予帶電防止處理，藉此形成表面處理部132。在金屬構件131之表面處理部132，例如是施予有Raydent處理(註冊商標)或氧化鋁膜(alumite)處理。在表面處理部132之上表面係設置有用以防止帶電的被覆膜。
在粗糙浮起區域33中，具有表面處理部132的金屬構件131係構成浮起單元10之表面部140。亦即，粗糙浮起單元113之表面部140係藉由表面處理部132及金屬構件131所構成。表面部140係比表面處理部132之厚度更厚的部分，該表面處理部132係設置於金屬構件131之上表面。
粗糙浮起單元113之表面部140係藉由不是多孔質材 料的稠密材料所構成。亦即，在粗糙浮起單元113之表面部140係設置有不是多孔(porous)狀的金屬構件131。如此，藉由將屬於非多孔質材料的金屬構件131使用於表面部140，就可以抑制微粒的產生。例如，即便被處理體16已與粗糙浮起單元113接觸，仍可以抑制微粒的產生。因除了精密浮起區域31以外的浮起單元10之大致整體係藉由屬於非多孔質材料的金屬材料所形成，故而可以抑制來自多孔質體的微粒之產生量。
在被處理體16之浮起量不充分的情況下、或被處理體16之撓彎量較大的情況下，如圖9所示，有被處理體16之端部會與粗糙浮起單元113接觸且使粗糙浮起單元113破損之虞(參照圖9之破損部位146)。在粗糙浮起單元113之表面部140如後述的精密浮起單元111般由多孔質體所形成的情況下，會在粗糙浮起單元113之破損部位146中產生微粒。
如本實施形態般，藉由金屬構件131來形成粗糙浮起單元113及準精密浮起單元112之表面部140。藉由如此，在準精密浮起區域32和粗糙浮起區域33中，就成為多孔質體並未露出於浮起單元10之上表面(浮起面)的構成。因而，可以抑制由多孔質體之破損引起的微粒之產生。
又，在金屬構件131係形成有複數個噴出孔138。氣 體從噴出孔138朝向被處理體16噴出。因而，被處理體16會浮起於浮起單元10之上方。藉由控制氣體之供給量，就可以調整浮起量。
更且，在金屬構件131係形成有能夠抽吸氣體的吸氣孔137。藉由從吸氣孔137抽吸氣體，就可以使被處理體16成為平坦。例如，在未從吸氣孔137抽吸氣體的情況下，已從噴出孔138所噴出的氣體被噴吹至被處理體16之下表面而被處理體16浮起時，就會如圖10所示，在被處理體16與粗糙浮起單元113之間形成有集氣部145。該集氣部145係成為被處理體16撓彎的原因。
藉由該集氣部145的影響，就會發生僅有被處理體16之中央部浮起且被處理體16之角隅部大幅撓彎的現象，有被處理體16之角隅部會碰撞於粗糙浮起單元113的情況。被處理體16之面積變得越大且被處理體16之厚度變得越薄就越顯著地呈現如此的現象。
藉由從吸氣孔137抽吸存在於被處理體16與粗糙浮起單元113之間的氣體(集氣部145)，就可以減低被處理體16之撓彎。換言之，可以使被處理體16成為平坦。被處理體16之撓彎量係可以藉由調整被供給至供給埠口134的氣體量與從吸氣埠口135所排出的氣體量的平衡來控制。
只要浮起量充分且被處理體16與浮起單元10不接觸，則在一部分的單元中亦可不從吸氣孔137抽吸氣體。例如，在粗糙浮起單元113中亦可不從吸氣孔137抽吸氣體。關閉真空產生源與吸氣埠口135之間的閥以使真空產生源不連接於吸氣孔137。藉此，在粗糙浮起單元113中，可以不進行抽吸而僅進行氣體之噴出。
在不進行氣體之抽吸的情況下，粗糙浮起單元113亦可不具有吸氣孔137。亦即，亦可將並未設置有吸氣孔137的粗糙浮起單元113設置於粗糙浮起區域33。
在本實施形態之例中，在準精密浮起單元112中係抽吸氣體且不從粗糙浮起單元113抽吸氣體。換言之，具有圖7、圖8所示之構成的單元中之抽吸氣體的單元係成為準精密浮起單元112，不抽吸氣體的單元則成為粗糙浮起單元113。
準精密浮起單元112係以如下方式構成：在被處理體16從粗糙浮起單元113被搬運至精密浮起單元111時，或是在被處理體16從精密浮起單元111被搬運至粗糙浮起單元113時，被處理體16的撓彎量會平滑地變化。換言之，準精密浮起單元112係以吸收精密浮起單元111中的被處理體16之撓彎量與粗糙浮起單元113中的被處理體16之撓彎量的差分的方式，來搬運被處理體16。
因而，可以抑制在區域間移動時所產生的被處理體16之撓彎對雷射照射的影響。換言之，由於藉由設置準精密浮起單元112可以拉開被處理體16之撓彎較大的位置與雷射照射位置15之距離，所以與沒有準精密浮起單元112的構成相較，還可以減低雷射照射位置15中的被處理體16之撓彎。
如此，準精密浮起單元112係以精密浮起單元111使被處理體16浮起時的精度、與粗糙浮起單元113使被處理體16浮起時的精度之間的精度來使被處理體16浮起的方式所構成。可以抑制在雷射照射位置15中從雷射光之焦點深度(DOF：depth of focus)偏離。因而，可以抑制雷射光之照射不均，且可以形成均勻的多晶矽膜。
再者，在上述之說明中，雖然是在準精密浮起單元112中使用氣體之噴出和抽吸，在粗糙浮起單元113中僅使用氣體之噴出，但是亦可在準精密浮起單元112與粗糙浮起單元113雙方中使用氣體之噴出和抽吸。或者，亦可在準精密浮起單元112與粗糙浮起單元113雙方中不使用氣體之抽吸而僅使用氣體之噴出。亦可依每一單元或每一區域而調整氣體之抽吸量及噴出量。
更且，在本實施形態中，如圖5、圖6所示，在鄰接 的單元間形成有溝槽115。溝槽115係沿著x方向或y方向而延伸，且到達浮起單元10之外周面為止。溝槽115之寬度係成為比各個單元之寬度(例如粗糙浮起單元113之寬度)更小。溝槽115例如是寬度10mm左右，高度(深度)20mm左右。溝槽115係排出存在於被處理體16與粗糙浮起單元113之上表面之間的氣體。
在單元間不形成溝槽115的情況下，已從噴出孔138所噴出的氣體被噴吹至被處理體16之下表面而被處理體16浮起時，會在被處理體16與粗糙浮起單元113之間形成集氣部145(參照圖10)。該集氣部145係成為被處理體16撓彎的原因。
相對於此，在本實施形態中，如圖11所示，在鄰接的二個粗糙浮起單元113之間設置有溝槽115。存在於被處理體16與粗糙浮起單元113之間的氣體通過溝槽115而被排出至浮起單元10之外側。因而，在被處理體16通過粗糙浮起單元113之上方時可以抑制被處理體16撓彎。
更且，在鄰接的準精密浮起單元112與粗糙浮起單元113之間、鄰接的二個準精密浮起單元112之間、以及鄰接的精密浮起單元111與準精密浮起單元112之間亦形成有溝槽115。藉此，因可以增加氣體之排出量，故而可以抑制集氣部145之產生。可以抑制被處理體16之撓彎。
如此，在準精密浮起區域32及粗糙浮起區域33之表面部140係設置有金屬構件131。藉由配置有複數個金屬構件131，就能形成粗糙浮起區域33之表面部140。藉由配置有複數個金屬構件131，就能形成準精密浮起區域32之表面部140。再者，氣體之噴出量和抽吸量係只要按照各個單元中的吸氣孔137之配置、噴出孔138之配置等做適當設定即可。再者，在準精密浮起單元112或粗糙浮起單元113之表面亦可形成用以排出氣體的溝槽。
[精密浮起單元111]
精密浮起單元111係使被處理體16精密地浮起而搬運的單元，且以可以一邊減小搬運時的被處理體16之撓彎量一邊搬運的方式所構成。精密浮起單元111係精密地控制用以使被處理體16浮起的氣體之噴出量。精密浮起單元111係以使用氣體之噴出及抽吸來使被處理體16浮起的方式所構成。再者，有關精密浮起單元111之詳細的構成係使用圖12、圖13來加以說明。
圖12、圖13係分別用以說明精密浮起單元111之構成例的剖視圖及俯視圖。如圖12所示，精密浮起單元111係具備台座121及多孔質體122。多孔質體122係設置於台座121之上側，且具有作為氣體噴出部的功能。
如圖13之俯視圖所示，多孔質體122係連接於供氣埠口124_1、124_2，被壓縮後的氣體係透由供氣埠口124_1、124_2而供給至多孔質體122。例如，供氣埠口124_1、124_2係設置於精密浮起單元111之下部。再者，在圖13所示的剖視圖中，因供氣埠口124_1、124_2之配置與排氣埠口125_1、125_2之配置重疊，故而省略了供氣埠口124_1、124_2之圖示。被供給至多孔質體122後的壓縮氣體係在通過多孔質體122之內部之後，從多孔質體122之上表面朝向上方噴出。藉此，被處理體16浮起。
又，在多孔質體122係形成有複數個吸氣孔127。可以藉由於多孔質體122開鑿貫通孔而形成吸氣孔127。如圖13所示，吸氣孔127係在多孔質體122之上表面(也就是與被處理體16對向的面)均勻地配置。在x方向及y方向上，吸氣孔127係以一定之間隔所排列。吸氣孔127係抽吸存在於被處理體16與精密浮起單元111之間的氣體(集氣部(參照圖10之符號145))。如圖12所示，吸氣孔127係透由流路126而連接於排氣埠口125_1、125_2。例如，排氣埠口125_1、125_2係設置於精密浮起單元111之下部。在排氣埠口125_1、125_2係連接有噴射器或真空泵等，且使用噴射器或真空泵等來抽吸排氣埠口125_1、125_2(也就是使成為負壓)，藉此可以從吸氣孔127抽吸存在於精密浮起單元111之上表面的氣體。
如圖12所示，由於在精密浮起單元111中係從多孔質體122朝向上方噴出氣體，所以當被處理體16被搬運至精密浮起單元111之上方時，被處理體16就會藉由該氣體被噴吹至被處理體16之下表面而浮起。因而，精密浮起單元111與被處理體16會成為非接觸的狀態。此時，被處理體16與精密浮起單元111之間隙，也就是被處理體16之浮起量係可以藉由調整被供給至供氣埠口124_1、124_2的氣體量來控制，換言之，藉由調整從多孔質體122所噴出的氣體量來控制。
再者，在精密浮起單元111中，藉由排氣埠口125_1、125_2所進行之吸氣以成為負壓的空間(包含吸氣孔127、流路126的空間)係從藉由供氣埠口124_1、124_2所進行之供氣以成為正壓的空間分離。亦即，能維持成為負壓的空間與成為正壓的空間之氣密。
又，藉由從吸氣孔127抽吸存在於被處理體16與精密浮起單元111之間的氣體(集氣部(參照圖10之符號145))，就可以減低被處理體16之撓彎。換言之，可以使被處理體16成為平坦。被處理體16之撓彎量係可以藉由調整被供給至供氣埠口124_1、124_2的氣體量與從排氣埠口125_1、125_2所排出的氣體量的平衡來控制。
再者，氣體之噴出量和抽吸量只要按照各個單元之面 積或多孔質體122之氣孔率、吸氣孔127之配置等來適當設定即可。
如此，精密浮起單元111之表面部140係藉由多孔質體所形成。準精密浮起單元112和精密浮起單元111係藉由不同的材料所形成。即便是在準精密浮起單元112和精密浮起單元111以不同的熱膨脹係數膨脹後的情況下，因在單元間夾設有溝槽115，仍可以防止精密浮起單元111與準精密浮起單元112接觸。因而，可以更抑制微粒之產生。
(半導體裝置的製造方法)
其次，對使用了上述所說明之雷射照射裝置的半導體裝置的製造方法進行說明，以作為其他的實施形態。在本實施形態中，藉由使用雷射退火裝置作為雷射照射裝置，可以對已形成於基板上的非晶質膜照射雷射光以使非晶質膜結晶化。例如，半導體裝置係具備TFT的半導體裝置，在此情況下，可以對非晶矽膜照射雷射光而使其結晶化以形成多晶矽膜。
圖14至圖18係用以說明半導體裝置的製造方法之一例的剖視圖。上述所說明之本實施形態的雷射照射裝置係適合於TFT陣列基板之製造。以下，針對具有TFT的半導體裝置的製造方法進行說明。
首先，如圖14所示，在玻璃基板201上形成閘極(gate)電極202。閘極電極202例如是可以使用包含鋁(aluminum)等的金屬薄膜。其次，如圖15所示，在閘極電極202上形成閘極絕緣膜203。閘極絕緣膜203係以覆蓋閘極電極202的方式所形成。之後，如圖16所示，在閘極絕緣膜203上形成非晶矽膜204。非晶矽膜204係以隔介閘極絕緣膜203來與閘極電極202重疊的方式所配置。
閘極絕緣膜203係氮化矽膜(SiNx)、氧化矽膜(SiO2膜)或此等的積層膜等。具體而言，藉由CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沉積)法來將閘極絕緣膜203和非晶矽膜204連續成膜。帶有非晶矽膜204的玻璃基板201係成為雷射照射裝置1中的被處理體16。
然後，如圖17所示，使用上述所說明之雷射照射裝置來對非晶矽膜204照射雷射光以使非晶矽膜204結晶化而形成多晶矽膜205。藉此，矽結晶化後的多晶矽膜205形成於閘極絕緣膜203上。
此時，藉由使用上述所說明之本實施形態的雷射照射裝置，就可以使雷射照射時的玻璃基板201之撓彎的影響減低，且可以抑制從被照射於非晶矽膜204的雷射光之焦點深度(DOF)偏離。因而，可以形成均勻地結晶化後的多晶 矽膜205。
之後，如圖18所示，在多晶矽膜205上形成層間絕緣膜206、源極(source)電極207a及汲極(drain)電極207b。層間絕緣膜206、源極電極207a及汲極電極207b係可以使用一般的光微影(photolithography)法或成膜法來形成。
藉由使用上述所說明之半導體裝置的製造方法，就可以製造具備TFT的半導體裝置。再者，有關此後的製程，由於會依最終製造的裝置而有所不同所以省略說明。
(有機EL顯示器)
其次，對有機EL顯示器進行說明，以作為使用了具備TFT之半導體裝置的裝置之一例。圖19係用以說明有機EL顯示器之概要的剖視圖，且將有機EL顯示器之像素電路簡化而顯示。圖19所示的有機EL顯示器300係在各個像素PX配置有TFT的主動矩陣(active matrix)型之顯示裝置。
有機EL顯示器300係具備基板310、TFT層311、有機層312、彩色濾光片(color filter)層313及密封基板314。在圖19中係顯示密封基板314側成為觀察側的頂部發光(top emission)方式之有機EL顯示器。再者，以下之說明係顯示有機EL顯示器之一構成例，本實施形態並非被限於 以下所說明的構成。例如，本實施形態的半導體裝置亦可使用於底部發光(bottom emission)方式之有機EL顯示器中。
基板310係玻璃基板或金屬基板。在基板310上係設置有TFT層311。TFT層311係具有配置於各個像素PX的TFT311a。更且，TFT層311係具有連接於TFT311a的配線等。TFT311a及配線等係構成像素電路。再者，TFT層311係對應於在圖19中所說明的TFT，且具有閘極電極202、閘極絕緣膜203、多晶矽膜205、層間絕緣膜206、源極電極207a及汲極電極207b。
在TFT層311上係設置有有機層312。有機層312係具有依每一像素PX所配置的有機EL發光元件312a。有機EL發光元件312a例如具有陽極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極所積層而成的積層結構。在頂部發光方式的情況下，陽極為金屬電極，陰極為ITO(Indium Tin Oxide；銦錫氧化物)等的透明導電膜。更且，在有機層312係於像素PX間設置有用以分離有機EL發光元件312a的間隔壁312b。
在有機層312之上方係設置有彩色濾光片層313。彩色濾光片層313係設置有用以進行彩色顯示的彩色濾光片313a。亦即，在各個像素PX係設置有已著色成R(紅色)、 G(綠色)或B(藍色)的樹脂層作為彩色濾光片313a。從有機層312釋放出的白色光係當通過彩色濾光片313a時，就會轉換成RGB之顏色的光。再者，在三色方式的情況下亦可省略彩色濾光片層313，該三色方式係於有機層312設置有發出RGB之各個顏色光的有機EL發光元件。
在彩色濾光片層313之上方係設置有密封基板314。密封基板314係玻璃基板等的透明基板，且為了防止有機層312的有機EL發光元件之劣化所設置。
流動至有機層312之有機EL發光元件312a的電流係藉由被供給至像素電路的顯示訊號來變化。因而，藉由將相應於顯示圖像的顯示訊號供給至各個像素PX，就可以控制各個像素PX的發光量。藉此，可以顯示所期望的圖像。
再者，在上述中，作為使用TFT之半導體裝置的裝置之一例雖然已針對有機EL顯示器進行了說明，但是具備TFT的半導體裝置亦可為例如液晶顯示器。又，在上述中，已針對將本實施形態的雷射照射裝置應用於雷射退火裝置的情況加以說明。但是，本實施形態的雷射照射裝置亦可以應用於雷射退火裝置以外的裝置。
以上，雖然已基於實施形態具體地說明藉由本發明人所完成的發明，但是本發明並非被限定於前述實施形態， 當然能夠在未脫離其要旨的範圍內進行各種變更。
本申請案係將2017年8月25日所提出申請的日本特願2017-162115作為基礎來主張優先權，且將其揭示之全部內容編入於此。

Claims (15)

  1. 一種雷射照射裝置，係具備：雷射產生裝置，係使雷射光產生；以及浮起單元，係使前述雷射光所照射的被處理體浮起；前述浮起單元係具備第一區域和第二區域；前述第一區域及前述第二區域係以如下方式所配置：在俯視觀察時前述雷射光之焦點與前述第一區域重疊，且前述雷射光之焦點與前述第二區域不重疊；在前述第二區域之表面部係設置有金屬構件。
  2. 如請求項1所記載之雷射照射裝置，其中在前述金屬構件之上表面係被施予有帶電防止處理。
  3. 如請求項1或2所記載之雷射照射裝置，其中前述金屬構件係藉由鋁或不鏽鋼所形成。
  4. 如請求項1或2所記載之雷射照射裝置，其中藉由配置有複數個前述金屬構件而形成前述第二區域之表面部。
  5. 如請求項4所記載之雷射照射裝置，其中在鄰接的二個前述金屬構件之間係形成有溝槽；前述溝槽之寬度係成為比前述金屬構件之寬度更小。
  6. 如請求項1或2所記載之雷射照射裝置，其中在前述金屬構件係設置有將氣體朝向上方噴出的複數個噴出孔。
  7. 如請求項1或2所記載之雷射照射裝置，其中在前述金屬構件係設置有複數個吸氣孔，複數個前述吸氣孔係能夠抽吸存在於前述被處理體與前述浮起單元之間的氣體。
  8. 如請求項1或2所記載之雷射照射裝置，其中在前述第一區域之表面部係設置有多孔質體。
  9. 如請求項8所記載之雷射照射裝置，其中前述多孔質體係對前述被處理體噴出氣體。
  10. 如請求項8所記載之雷射照射裝置，其中在前述多孔質體係設置有複數個吸氣孔，複數個前述吸氣孔係能夠抽吸存在於前述被處理體與前述浮起單元之間的氣體。
  11. 如請求項8所記載之雷射照射裝置，其中前述浮起單元係具備基座單元；在前述第一區域中，於前述基座單元之上方設置有前述多孔質體；在前述第二區域中，於前述基座單元之上方設置有複數個前述金屬構件。
  12. 如請求項1或2所記載之雷射照射裝置，其中前述浮起單元係更具備俯視觀察下被配置於前述第一區域與前述第二區域之間的第三區域； 在前述第三區域之表面部係設置有複數個金屬構件；在設置於前述第三區域的複數個前述金屬構件係設置有複數個噴出孔及複數個吸氣孔，複數個前述噴出孔係將氣體朝向上方噴出，複數個前述吸氣孔係能夠抽吸存在於前述被處理體與前述浮起單元之間的氣體。
  13. 一種雷射照射裝置，係具備：雷射產生裝置，係使雷射光產生；以及浮起單元，係使前述雷射光所照射的被處理體浮起；前述浮起單元係具備第一區域和第二區域；前述第一區域及前述第二區域係以如下方式所配置：在俯視觀察時前述雷射光之焦點與前述第一區域重疊，且前述雷射光之焦點與前述第二區域不重疊；在前述第二區域之表面部係設置有金屬構件；在前述第一區域之表面部係設置有對前述被處理體噴出氣體的多孔質體；在前述多孔質體係設置有複數個吸氣孔，複數個前述吸氣孔係能夠抽吸存在於前述被處理體與前述浮起單元之間的氣體。
  14. 一種雷射照射方法，係一邊使用浮起單元來使被處理體浮起一邊使用搬運單元來搬運前述被處理體並對前述被處理體照射雷射光；前述浮起單元係具備第一區域和第二區域；前述第一區域及前述第二區域係以如下方式所配置：在俯視觀察時前述雷射光之焦點與前述第一區域重疊，且前述雷射光之焦點與前述第二區域不重疊；前述第二區域之表面部係由金屬構件所形成。
  15. 一種半導體裝置的製造方法，係包含：(a)在基板上形成非晶質膜的步驟；以及(b)對前述非晶質膜照射雷射光以使前述非晶質膜結晶化的步驟；前述(b)之步驟為一邊使用浮起單元來使前述基板浮起而搬運一邊對前述非晶質膜照射雷射光的步驟；前述浮起單元係具備俯視觀察時與前述雷射光之焦點重疊的第一區域、和不與前述雷射光之焦點重疊的第二區域；前述第二區域之表面部係由金屬構件所形成。
TW107107270A 2017-08-25 2018-03-05 雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法 TW201913786A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-162115 2017-08-25
JP2017162115A JP6983578B2 (ja) 2017-08-25 2017-08-25 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201913786A true TW201913786A (zh) 2019-04-01

Family

ID=65438619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107107270A TW201913786A (zh) 2017-08-25 2018-03-05 雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11348787B2 (zh)
JP (1) JP6983578B2 (zh)
CN (1) CN111066123B (zh)
TW (1) TW201913786A (zh)
WO (1) WO2019038953A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6887234B2 (ja) * 2016-09-21 2021-06-16 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP7034817B2 (ja) * 2018-04-19 2022-03-14 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法
CN112136362A (zh) * 2018-05-09 2020-12-25 堺显示器制品株式会社 柔性发光器件的制造方法以及制造装置
JP7412111B2 (ja) * 2019-08-29 2024-01-12 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法
JP7387476B2 (ja) * 2020-02-13 2023-11-28 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置
CN113387132B (zh) * 2021-05-12 2023-09-12 合肥欣奕华智能机器股份有限公司 一种基板作业平台及基板作业平台的控制方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3841910B2 (ja) * 1996-02-15 2006-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4974416B2 (ja) * 2001-01-30 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザアニール装置
US7253032B2 (en) * 2001-04-20 2007-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of flattening a crystallized semiconductor film surface by using a plate
US7232715B2 (en) * 2002-11-15 2007-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor film and semiconductor device and laser processing apparatus
KR100531416B1 (ko) * 2003-09-17 2005-11-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Ｓｌｓ 장비 및 이를 이용한 실리콘 결정화 방법
JP4554397B2 (ja) * 2005-02-23 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 ステージ装置および塗布処理装置
JP4553376B2 (ja) * 2005-07-19 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 浮上式基板搬送処理装置及び浮上式基板搬送処理方法
JP2007230738A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Shinko Electric Co Ltd エア浮上ユニット、およびエア浮上ユニットの製造方法
JP4814050B2 (ja) 2006-10-31 2011-11-09 株式会社妙徳 浮上搬送ユニット
JP2009117552A (ja) 2007-11-05 2009-05-28 Fuji Electric Systems Co Ltd 吸着ステージ
US20110042874A1 (en) * 2009-08-20 2011-02-24 Nikon Corporation Object processing apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
TWI527747B (zh) 2012-02-28 2016-04-01 炭研軸封精工股份有限公司 非接觸吸著盤
KR20150090622A (ko) * 2014-01-29 2015-08-06 삼성디스플레이 주식회사 인-라인 타입의 복합 비결정질 실리콘 결정화 장치 및 레이저 결정화 장치
JP6018659B2 (ja) 2015-02-27 2016-11-02 株式会社日本製鋼所 雰囲気形成装置および浮上搬送方法
US10422028B2 (en) * 2015-12-07 2019-09-24 Lam Research Corporation Surface coating treatment
JP6854605B2 (ja) 2016-08-29 2021-04-07 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6803177B2 (ja) 2016-08-29 2020-12-23 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11348787B2 (en) 2022-05-31
CN111066123A (zh) 2020-04-24
CN111066123B (zh) 2023-10-20
JP6983578B2 (ja) 2021-12-17
WO2019038953A1 (ja) 2019-02-28
JP2019041002A (ja) 2019-03-14
US20200219724A1 (en) 2020-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201913786A (zh) 雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法
US11446762B2 (en) Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
US20210159100A1 (en) Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device
JP6754266B2 (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
US11471974B2 (en) Laser lift-off apparatus, laser lift-off method, and method for manufacturing organic el display
JP6968243B2 (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
TW201944466A (zh) 雷射處理裝置
US11355343B2 (en) Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
JP2018060891A (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
WO2023199485A1 (ja) 搬送装置、移載方法、搬送方法、及び半導体装置の製造方法
WO2024009470A1 (ja) 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法
WO2023199487A1 (ja) 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法
WO2022163783A1 (ja) 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法
JP7095166B2 (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP7412111B2 (ja) レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法
JP7159363B2 (ja) レーザ照射装置
JP6775449B2 (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP2023108195A (ja) 搬送装置及び成膜装置