TW201841703A - 金屬粉末的製造方法 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 141
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 22
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 46
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 70
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 29
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 17
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 11
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 11
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 3
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWESVXSMPKAFAS-UHFFFAOYSA-N Isopropylcyclohexane Natural products CC(C)C1CCCCC1 GWESVXSMPKAFAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005493 condensed matter Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- DEWJCXKJHURJAU-UHFFFAOYSA-N lanthanum;propan-2-ol Chemical compound [La].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O DEWJCXKJHURJAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGSFNCRAZOCNDJ-UHFFFAOYSA-N propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.CC(C)=O YGSFNCRAZOCNDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- OBROYCQXICMORW-UHFFFAOYSA-N tripropoxyalumane Chemical compound [Al+3].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] OBROYCQXICMORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/16—Metallic particles coated with a non-metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
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- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2302/00—Metal Compound, non-Metallic compound or non-metal composition of the powder or its coating
- B22F2302/25—Oxide
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本發明係能夠將氧化物均勻地被覆於金屬粒子，並抑制氧化物之凝集體的形成。本發明之金屬粉末的製造方法，其特徵在於：藉由混合金屬粉末、含有配位子之金屬錯合物的分散液、及含有酸或鹼的水，使由前述金屬錯合物而生成之氧化物，被覆於前述金屬粉末表面的至少一部份。
Description
本發明的一態樣係關於可使用於電子部件等之導電糊狀充填物、鈦材之接合材，更關於適用於觸媒等之各種用途的鎳、銅、或銀等金屬粉末之製造方法，尤其係關於藉由以氧化物將金屬粉末均勻地被覆，並使上述金屬粉末適用於熱處理之金屬粉末的製造方法。
Ni、Cu、Ag等之導電性金屬粉末係有利於用於形成積層陶瓷電容器之內部電極。尤其是鎳粉末在前述用途方面於最近更受到注目。其中，在此等當中，以乾式之製造反應方法所製造之鎳超微粉末被視為於前述用途中最受到期待。如此之鎳超微粉末係隨著電容器之小型化及大容量化，產生來自內部電極之薄層化及低阻抗化等之要求，因而被要求開發粒徑在1μm以下、甚至粒徑在0.5μm以下、更甚至粒徑在0.3μm以下之超微粉末。
在積層陶瓷電容器的製造步驟中，雖然為了使介電層結晶化而進行熱處理步驟，但因為介電層的燒結溫度較鎳粉末的燒結溫度更高，故加熱處理對於鎳粉末而言，溫度變得過高。又，藉由前述之鎳粉末的超微粉化，鎳粉末的燒結溫度有下降的傾向。藉由熱處理使鎳粉末燒結並引起熱收縮，並因而產生內部電極的層離(Delamination)及裂痕(Crack)，故其成為使積層陶瓷電容器的性能下降之問題。
針對如此之問題，考慮了藉由以氧化物等被覆金屬粉末，而抑制金屬粉末的燒結之方法。日本特開2000-282102號公報(專利文獻1)揭示一種於鎳粉末混合介電體的方法。
又，日本特開平11-124602號公報(專利文獻2)揭示：藉由金屬鹽的水解，產生氧化物及氫氧化物，並使在液中產生之氧化物吸附於金屬粉末。
[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本國公開特許公報「特開2000-282102號公報」(2000年10月10日公開) [專利文獻2] 日本國公開特許公報「特開平11-124602號公報」(1999年5月11日公開)
[發明所欲解決的課題] 然而，雖然專利文獻1所揭示之方法係藉由介電體來抑制金屬粉末燒結的方法，但其係伴隨著金屬粉末的微細化而使金屬粉末與介電體的混合變得困難，因而造成金屬粉末與介電體分離的問題。
又，在專利文獻2所揭示之方法中，因為金屬鹽的水解速度快，所產生之金屬鹽氧化物易形成凝集體，故金屬鹽氧化物具有無法均勻地被覆金屬粉末之問題。
因此，本發明一態樣的目的係提供一種經氧化物被覆之金屬粉末的製造方法，其係能夠使氧化物均勻地被覆於金屬粉末，並能夠防止氧化物之凝集體的形成。
[用於解決課題之手段] 本案發明人們，在針對氧化物之金屬粒子的被覆進行深入探討後發現，藉由錯化物使金屬醇鹽穩定化，再藉由將其與含有酸或鹼的水混合，能夠提高氧化物的表面被覆率，並抑制氧化物之凝集體的產生，遂而完成本發明的一態樣。
也就是說，本發明的一態樣係一種金屬粉末的製造方法，其係製造表面的至少一部份被氧化物被覆之金屬粉末的製造方法，其特徵在於：藉由混合金屬粉末、含有如式1所示之具有配位子之金屬錯合物的分散液、及含有酸或鹼的水，使由前述金屬錯合物而生成之氧化物，被覆於前述金屬粉末表面的至少一部份； [化1]其中，式中的R1
及R2
係各自表示氫原子或碳原子數為1~5的烴基，且可相同或互為不同；又，R1
及R2
亦可互相結合而形成環。
[發明的效果] 相較於習知之氧化物被覆金屬粉，因為根據本發明之一態樣係能夠進行均勻的被覆，故能夠在相較習知技術下，提高耐熱性；同時，能夠防止氧化物之凝集體的形成。
＜金屬粉末的製造方法＞ 在本實施形態之金屬粉末的製造方法中，將金屬粉末的分散液與含有酸或鹼的水混合。此處，金屬粉末的分散液係包含金屬醇鹽及錯化劑。藉此，藉由使金屬醇鹽及該金屬醇鹽與錯化劑所產生之金屬錯合物水解所獲得之氧化物，被覆金屬粒子表面的至少一部份。
(金屬粉末) 金屬粉末係指金屬粒子的集合體，且就構成該金屬粒子的金屬而言，可舉出例如鎳、銅、銀、鋁、鈦、鐵、鈷、鎢及鉬等；以及此等金屬的合金。此等當中，構成金屬粒子之金屬較佳係鎳、銅、銀。此等金屬粉末係能夠適用於糊狀充填物、鈦材之接合材，或觸媒等之各種用途，舉例來說，鎳、銅、銀等即適用於糊狀充填物。雖然金屬粒子的平均粒徑並未特別限制，但較佳係1μm以下，更佳係0.5μm以下，再更佳係0.3μm以下，特佳係0.2μm以下，最佳係0.1μm以下。具有如此之平均粒徑的金屬粉末係能夠藉由例如氣相還元法或液相還元法來適當地製造。在藉由氣相還元法或液相還元法所製造之平均粒徑為1μm以下之該金屬粒子的表面，係能夠使氧化物均勻地被覆，此為一態樣之製造方法的優點之一。
又，根據本態樣的製造方法，即使是具有如此微小之平均粒徑的金屬粉末，也能夠均勻地被被覆，能夠獲得較習知技術更高之金屬粉末的5%收縮溫度及燒結溫度，即能夠獲得耐熱性高的金屬粉末。因此，將該金屬粉末作為積層電容器之內部電極使用時，於燒成該積層電容器時，能夠防止裂痕及層離的產生。因為如此之金屬粉末係能夠均勻地被被覆，藉由使金屬粉末連結且被被覆等，因而產生粗大的金屬粉末，故能夠防止內部電極短路。再者，在本說明書中，為了方便說明，亦將以氧化物被覆金屬粉末的粒子表面之「氧化物被覆金屬粉末」，單純稱為「金屬粉末」。
在分散有被氧化物被覆前之金屬粉末的分散液中，亦可包含有機溶媒。就有機溶媒而言，只要能使金屬醇鹽及錯化劑溶解即可，舉例來說，能夠使用甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、丁醇、乙二醇及丙二醇等醇類；二噁烷、四氫呋喃、2-甲氧基乙醇及二甘醇等醚類；以及甲苯及二甲苯等的芳香族等之溶媒。此外，有機溶媒亦可為丙酮、甲基乙基酮及環己烷等酮類；以及乙酸乙酯、乙酸異丙酯及乙酸丁酯等酯類。此等當中，從處理的方便性來看，有機溶媒較佳係醇類。
(金屬醇鹽) 於分散液中，包含金屬醇鹽。金屬醇鹽係抑制由錯化劑所產生之水解，並生成氧化物，且該氧化物係被覆金屬粒子的表面。
就金屬醇鹽而言，能夠適用以下式2所示之金屬醇鹽。 M(OR3
)P
･･･(式2) 此處，M係由Si、Ti、Zr、Al、La、Cr及Ba所組成之群中所選擇的1個金屬，R3
係碳原子數為1~4之直鏈狀烷基及碳原子數為3~4之支鏈烷基，p係由M的種類而決定之2~4的整數。
在前述式2所示之烷氧基中，就R3
所示之直鏈狀烷基而言，可舉出甲基、乙基、正丙基及正丁基。又，在前述式2所示之烷氧基中，就碳原子數為3~4的支鏈烷基而言，可舉出例如異丙基、異丁基、叔丁基。金屬醇鹽係可使用1種，也可同時使用2種以上。
又，就與錯化劑一起形成金屬錯合物之金屬醇鹽而言，並不限於水解而產生氧化物之金屬醇鹽，舉例來說，該金屬醇鹽的一部分係可作為低聚物而被包含於分散液中。又，雖然並未特限定，但舉例來說，於作為積層陶瓷電容器之內部電極而使用金屬粉末時，為了避免於電容器內殘留大量的碳原子，金屬醇鹽較佳係不具有與金屬部分鍵結之烷基及烯丙基等有機基團。金屬醇鹽係可使用1種，亦可同時使用2種以上。以下，將被含於金屬醇鹽之金屬元素(金屬部分M)，稱為被覆元素。被覆元素係可為與金屬粉末相同的金屬，亦可為別種金屬。
就摻合於分散液之金屬醇鹽的量而言，雖然能夠藉由被分散於有機溶媒之金屬粉末的量及該金屬粉末的粒度，而適當地調整，並未特別限定，但其較佳係，在將被含於分散液之金屬粉末設為100重量%時，相對於該金屬粉末，摻合於分散液之金屬醇鹽的量係0.5重量%以上且5重量%以下的量。藉此，能夠適當地製造由氧化物被覆之金屬粒子的表面被覆率為80%以上且100%以下的金屬粉末。
(錯化劑) 錯化劑係與金屬醇鹽的金屬部分形成金屬錯合物，並減緩該金屬醇鹽的水解速度。藉此，能夠使由金屬醇鹽及由該金屬醇鹽所生成之金屬錯合物其所產生之氧化物的粒子變細。因此，能夠使氧化物均勻地附著於金屬粒子的表面。
就錯化劑而言，只要是能夠配位於金屬醇鹽的金屬部分之錯化劑即可，就典型的錯化劑而言，能夠使用下述式1所示之β-二酮。 [化2]式中R1
及R2
係各自表示氫原子或碳原子數為1~5的羥基，且可相同或互為不同；又，R1
及R2
亦可互相結合而形成環。
就前述式1中R1
及R2
較佳基團而言，可舉出例如氫原子、碳原子數為1~5之直鏈狀烷基及碳原子數為3~5之支鏈烷基。只要R1
及R2
為前述所列舉之基團，則能夠適當地減緩金屬醇鹽的水解速度。
就前述R1
及R2
係碳原子數為1~5之直鏈狀烷基而言，可舉出例如甲基、乙基、正丙基、正丁基及正戊基。
又，就前述R1
及R2
係碳原子數為3~5之支鏈烷基而言，可舉出例如異丙基、異丁基、叔丁基、異戊基及新戊基等。
從用於水解之水中溶解度的觀點來看，上述錯化劑中，當R1
及R2
係直鏈狀烷基時，其碳原子數較佳係1~3；當R1
及R2
係支鏈烷基時，其碳原子數較佳係3；其中，錯化劑更佳係乙醯丙酮。
藉由改變金屬醇鹽與錯化劑的摻合比率，變得能夠控制水解速度。雖然錯化劑的添加量並未特別限定，但其較佳係，相對於所添加之金屬醇鹽的總莫耳數的1~3倍莫耳數。藉由使錯化劑的添加量在前述範圍內，能夠使金屬醇鹽的水解速度最佳化。因此，因為不會引起氧化物的急速激烈成長，故能夠抑制氧化物之凝集體的形成。藉此，藉由使細微的氧化物形成而被覆金屬粒子，能夠實現金屬粒子之均勻的被覆。
(金屬錯合物) 金屬錯合物係藉由水解而形成氧化物，更具體而言，金屬錯體係能夠使用以下式3或式4所示之構造。 M1
(OR3
)q
Xr
･･･(式3) 此處，M1
係由Si、Ti、Zr所組成之群中所選擇的1種金屬，X係前述式1所示之配位子，且q為0時r為4，q為2時r為2。 M2
Xs
･･･(式4) 此處，M2
係由Al、La、Cr及Ba所組成之群中所選擇的1種金屬，X係前述式1所示之配位子，且s係因應M2
的種類來決定其為2或3。 再者，就作為上述式3或式4所示之金屬錯合物的一例而言，其係能夠適當地藉由使錯化劑配位於金屬醇鹽，來生成。又，在一態樣的製造方法中，只要是上述式3或式4所示之金屬錯合物，作為從金屬醇鹽生成金屬錯合物的替代，亦可將預先使用其他方法所製造之上述式3或式4所示之金屬錯合物摻合於分散液。
(含有酸或鹼的水) 對於含有金屬粉末及金屬錯合物的混合溶液，將含有酸或鹼的水混合，而使金屬化合物水解並產生氧化物。水係藉由酸或鹼，以使金屬粉末的表面電荷與由金屬化合物的水解所產生之氧化物的表面電荷成為相反的方式，來調整pH值。將經過如此之調整pH值後的水，於以下亦稱為pH調整水。若於金屬粉末及金屬錯合物的混合溶液添加pH調整水，則能夠使氧化物的表面電荷與金屬粉末的表面電荷成為相反，藉此，藉由靜電引力而能夠將氧化物均勻地被覆於金屬粉末。
就與分散液混合之pH調整水的量而言，只要是能夠使金屬醇鹽及金屬錯合物完全水解的量以上即可。又，就分散液與pH調整水混合時的溫度而言，只要是分散液與pH調整水之混合物的凝固點以上即可，較佳係0~25℃。
就於由金屬粉末、金屬醇鹽及錯化劑而成之分散液混合pH調整水的次序而言，雖然能夠使用於分散液添加pH調整水的方法以及能夠使用於pH調整水添加分散液的方法，但因為於分散液添加pH調整水係能夠使氧化物更均勻地被覆於金屬粒子，故為較佳。
在pH調整水中，就使為了控制pH值而添加之酸或鹼能夠調整pH值而言，雖然能夠使用任意的酸或鹼，但就使用上的便利及經濟性的觀點來看，於使用酸時，較佳係使用鹽酸及硫酸等，而於使用鹼時，較佳係使用氨水及氫氧化鈉等。
將獲得之金屬粉末經過過濾、洗淨、乾燥而成為製品。就過濾、洗淨、乾燥的方法而言，能夠利用習知的方法，舉例來說，過濾能夠進行減壓過濾或加壓過濾，乾燥係能夠利用箱型乾燥機或氣流乾燥機等。
以下，針對本發明之較佳實施形態進行詳細說明。
＜氧化物被覆鎳粉末的製造例＞ 以下，基於氧化物被覆鎳粉末的製造例進行詳細說明。再者，根據本實施形態金屬粉末的製造方法所被覆而獲得之金屬粉末並非限定為鎳。
首先，將鎳粉末分散於有機溶劑，使鎳粉末成為漿體。雖然鎳粉末係能夠使用以液相還原法或氣相還元法等各種方法而獲得之鎳粉末，但從粒度分布的均勻性等觀點來看，較佳係使用以氣相還元法所獲得之鎳粉末。再者，鎳粉末的平均粒徑係可為0.03μm~1.0μm，粒度分布的CV值可為50%以下。再者，藉由掃描式電子顯微鏡，能夠拍攝被覆前之鎳粉末粒子的照片，並使用圖像解析軟體，從上述照片中，測定500個鎳粉末以上的粒徑，再藉由所獲得之鎳粉末的粒度分度，算出其個數平均粒徑，因而獲得鎳粉末的平均粒徑。此時，粒徑係指將粒子包覆之最小圓形的直徑。又，粒度分布的CV值係指，粒度分布的標準差/個數平均粒徑。
接著，將溶解有金屬醇鹽與錯化劑之溶液添加於金屬粉末的漿體。能夠使用前述金屬醇鹽作為此時可使用的金屬醇鹽。就錯化劑而言，只要是能夠與金屬醇鹽的金屬部分配位之錯化劑即可，舉例來說，能夠使用前述式1所示之β-二酮。再者，在與pH調整水混合前的階段中，舉例來說，較佳係攪拌分散液，並使金屬鎳粉末充分地分散。
接著，以使金屬粉末的表面電荷與由金屬醇鹽所產生之氧化物的表面電荷成為相反的方式，將經過酸或鹼控制pH值後的水，一次添加於含有金屬粉末、金屬醇鹽及錯化劑的分散液，並攪拌之，使金屬醇鹽水解並產生氧化物。
就此時所添加之水的pH而言，在以SiO2
被覆時，其較佳係pH 1.5~14；在以TiO2
被覆時，其較佳係 6~10；在以ZrO2
被覆時，其較佳係pH 9~10；在以Al2
O3
被覆時，其較佳係pH 8~11；在以La2
O3
被覆時，其較佳係pH 1.5~10。只要各情況下的pH值在上述範圍內，則能夠進行更均勻的被覆。
因為所產生之氧化物的表面電荷與金屬粉末的表面電荷相反，故所產生之氧化物能夠藉由靜電引力吸附於金屬粒子的表面。又，因為由金屬醇鹽及金屬錯合物形成之氧化物的粒子尺寸微小，故均勻地吸附於金屬粒子的表面。就使為了控制水的pH值而添加之酸或鹼能夠調整pH值而言，雖然能夠使用任意的酸或鹼，但就使用上的便利及經濟性的觀點來看，於使用酸時，較佳係使用鹽酸及硫酸等，而於使用鹼時，較佳係使用氨水及氫氧化鈉等。
將獲得之氧化物被覆金屬粉末經過過濾、洗淨、乾燥而成為製品。
本發明並不限於上述各實施形態，可在請求項所示之範圍內進行各種變更，即使是適當組合不同實施形態中分別揭示之技術手段所得之實施形態亦包含於本發明之技術範圍內。
於以下揭示實施例，並針對本發明的實施形態進行更詳細的說明。當然，本發明並不限於以下的實施例，就細部的內容而言，亦可包含各種的態樣。
[實施例] 製造氧化物被覆金屬粉。以下，進行詳細的說明。
[評價方法] 藉由氧化物被覆膜的形狀及厚度、化學狀態、熱收縮率，來評價本發明之一態樣所生成之鎳粉末的品質。接著，針對各評價方法進行說明。
[平均粒徑] 藉由掃描式電子顯微鏡(日本電子股份有限公司製，商品名稱JSM-7800F)，拍攝金屬粉末粒子的照片，並使用圖像解析軟體(Mountech股份有限公司製，商品名稱MacView4.0)，從上述照片中，求得約1000個粒子的粒徑，再算出其平均值。再者，粒徑係指將粒子包覆之最小圓形的直徑。
[氧化物被覆膜的形狀‧被覆膜厚度] 將獲得之氧化物被覆鎳粉末灑在碳支撐膜上，藉由掃描式電子顯微鏡(STEM)，於使鎳粉末的照片在100萬~150萬倍之倍率下，進行數個視野的攝影。又，藉由掃描式電子顯微鏡所附加之能量色散X射線光譜(EDS, Energy Dispersive X-ray Spectrometry)檢測器，進行元素分布分析(Element Mapping)。
[化學狀態] 將獲得之氧化物被覆鎳粉末固定於銦板(厚度0.5mm)，並藉由光電子分光裝置(Thermo Fisher Scientific公司製，k-alpha+)，進行鎳及被覆元素的測定。
[熱收縮率] 相對於獲得之氧化物被覆鎳粉末，添加3wt%的樟腦之後，藉由丙酮使樟腦溶解，攪拌並混合至丙酮蒸發為止。將氧化物被覆鎳粉末與樟腦的混合粉末加壓成形為φ5mm、高度2mm的顆粒狀物。
使用熱機械性分析裝置(TMA)測定熱收縮率。測定條件係：溫度範圍：從室溫至1350℃；昇溫速度：5℃/分鐘；氣氛：2%H2
、98%N2
、300mL/分鐘。將收縮率成為5%時的溫度作為5%收縮溫度而讀取。
[表面被覆率] 在STEM-EDS分布分析圖像中，測定從金屬粒子的圓周上未檢測到元素之區域的弧長，並使用以下的式子計算表面被覆率。
表面被覆率[%] = (L0
-L1
)/L0
×100 L0
：金屬粒子的圓周長 L１
：金屬粒子的圓周上未檢測到元素之區域的弧長。
[實施例1] 首先，準用日本特開平10-219313號公報所記載之方法，製造金屬鎳粉末(平均粒徑100nm)。於該金屬鎳粉末添加乙醇，並成為10wt%的漿體。另一方面，於該漿體之外，在使上述漿體所含之金屬鎳粉末設定為100重量%時，將相當於2重量%之四乙氧基矽烷(以下，亦稱為TEOS)的量溶於乙醇。接著，添加作為錯化劑之乙醯丙酮並使其相對於Si元素成為2倍莫耳。將金屬鎳粉漿體與TEOS及乙醯丙酮的乙醇溶液混合，進行1小時的攪拌，並製作含有鎳粉末之分散液200mL。之後，一次添加經氨水調整pH值至8~9之後的水100mL，並攪拌2小時。之後，進行吸引過濾，在大氣中以120℃進行乾燥1小時，獲得所欲之SiO2
被覆鎳粉。將實施例1所獲得之鎳粉末的STEM照片及STEM-EDS分布分析圖像顯示於圖1。又，將表面被覆率、5%收縮溫度顯示於表1。
[實施例2] 除了使用四異丙醇鈦作為金屬醇鹽且使添加量成為與2wt%之SiO2
的體積相同之外，進行與實施例1相同的處理，並獲得TiO2
被覆鎳粉末。將獲得之鎳粉末的STEM照片及STEM-EDS分布分析圖像顯示於圖2。又，將表面被覆率、5%收縮溫度顯示於表1。
[實施例3] 除了使用四異丙醇鋯作為金屬醇鹽且使添加量成為與2wt%之SiO2
的體積相同之外，進行與實施例1相同的處理，並獲得ZrO2
被覆鎳粉末。將獲得之鎳粉末的STEM照片及STEM-EDS分布分析圖像顯示於圖3。又，將表面被覆率、5%收縮溫度顯示於表1。
[實施例4] 除了使用三正丙醇鋁作為金屬醇鹽且使添加量成為與2wt%之SiO2
的體積相同之外，進行與實施例1相同的處理，並獲得Al2
O3
被覆鎳粉末。將獲得之鎳粉末的STEM照片及STEM-EDS分布分析圖像顯示於圖4。又，將表面被覆率、5%收縮溫度顯示於表1。
[實施例5] 除了使用三異丙醇鑭作為金屬醇鹽、使用2-丙醇作為有機溶劑且使添加量成為與2wt%之SiO2
的體積相同之外，進行與實施例1相同的處理，並獲得La2
O3
被覆鎳粉末。將獲得之鎳粉末的STEM照片及STEM-EDS分布分析圖像顯示於圖5。又，將表面被覆率、5%收縮溫度顯示於表1。
[比較例] 除了未添加乙醯丙酮以外，進行與實施例2相同的處理，並獲得TiO2
被覆鎳粉末。將獲得之鎳粉末的STEM照片及STEM-EDS分布分析圖像顯示於圖6。又，將表面被覆率、5%收縮溫度顯示於表1。
[參考例] 在進行與實施例1相同步驟所獲得之金屬鎳粉末中，不進行被覆元素的被覆，且將其作為參考例而使用。
[表1]
根據表1吾人能夠得知，相較於比較例，在實施例2中顯示優異的表面被覆率之結果，且藉由錯化劑能夠使被覆率提升。又，在各實施例中，表面被覆率皆為80%以上，且觀察圖1後即能夠得知，相較於比較例，各實施例皆均勻地被覆。相較於參考例及比較例，在各實施例中，5%收縮溫度係變得高溫化。
[產業上的可利用性] 本發明係能夠作為積層陶瓷電容器之內部電極而利用。
無。
[圖1] 係實施例1所獲得之SiO2
被覆鎳粉末的STEM照片及EDS分布分析(Mapping)圖像。 [圖2] 係實施例2所獲得之TiO2
被覆鎳粉末的STEM照片及EDS分布分析圖像。 [圖3] 係實施例3所獲得之ZrO2
被覆鎳粉末的STEM照片及EDS分布分析圖像。 [圖4] 係實施例4所獲得之Al2
O3
被覆鎳粉末的STEM照片及EDS分布分析圖像。 [圖5] 係實施例5所獲得之La2
O3
被覆鎳粉末的STEM照片及EDS分布分析圖像。 [圖6]係比較例所獲得之TiO2
被覆鎳粉末的STEM照片及EDS分布分析圖像。
Claims (5)
- 一種金屬粉末的製造方法，其係製造表面的至少一部份被氧化物被覆之金屬粉末的製造方法，其特徵在於： 藉由混合金屬粉末、含有如式1所示之具有配位子之金屬錯合物的分散液、及含有酸或鹼的水，使由前述金屬錯合物而生成之氧化物，被覆於前述金屬粉末表面的至少一部份； [化1]其中，式中的R1 及R2 係各自表示氫原子或碳原子數為1~5的烴基，且可相同或互為不同；又，R1 及R2 亦可互相結合而形成環。
- 如請求項1所述之金屬粉末的製造方法，其中，前述分散液係包含金屬醇鹽。
- 如請求項2所述之金屬粉末的製造方法，其中，包含一生成步驟，其係將前述金屬醇鹽與作為前述配位子之錯化劑混合，而生成前述金屬錯合物。
- 如請求項1~3中任一項所述之金屬粉末的製造方法，其中，前述配位子係乙醯丙酮。
- 如請求項1~3中任一項所述之金屬粉末的製造方法，其中，由前述氧化物被覆之表面被覆率為80%以上。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017072908 | 2017-03-31 | ||
| JP2017-072908 | 2017-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201841703A true TW201841703A (zh) | 2018-12-01 |
| TWI765992B TWI765992B (zh) | 2022-06-01 |
Family
ID=63674994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107109821A TWI765992B (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-22 | 金屬粉末的製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6431650B1 (zh) |
| KR (1) | KR102361011B1 (zh) |
| CN (1) | CN110461505B (zh) |
| TW (1) | TWI765992B (zh) |
| WO (1) | WO2018179976A1 (zh) |
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-
2018
- 2018-02-16 WO PCT/JP2018/005545 patent/WO2018179976A1/ja active Application Filing
- 2018-02-16 KR KR1020197032221A patent/KR102361011B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-16 JP JP2018542292A patent/JP6431650B1/ja active Active
- 2018-02-16 CN CN201880021359.3A patent/CN110461505B/zh active Active
- 2018-03-22 TW TW107109821A patent/TWI765992B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI671336B (zh) * | 2017-11-23 | 2019-09-11 | 國立清華大學 | 粉體材料及其製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110461505A (zh) | 2019-11-15 |
| KR20190131564A (ko) | 2019-11-26 |
| WO2018179976A1 (ja) | 2018-10-04 |
| KR102361011B1 (ko) | 2022-02-08 |
| CN110461505B (zh) | 2022-07-08 |
| TWI765992B (zh) | 2022-06-01 |
| JPWO2018179976A1 (ja) | 2019-04-11 |
| JP6431650B1 (ja) | 2018-11-28 |
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