TW201806450A - 電漿處理裝置及顆粒附著抑制方法 - Google Patents

電漿處理裝置及顆粒附著抑制方法 Download PDF

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Abstract

本發明之課題係以抑制顆粒附著在基板為目的。 本發明提供一種電漿處理裝置，該電漿處理裝置包含有處理室、載置台、對向電極、第1高頻電源、第2高頻電源、直流電源及控制部，該處理室用以收容基板，並可在內部進行電漿處理；該載置台用以載置基板；該對向電極與該載置台對向；該第1高頻電源用以對該載置台或該對向電極施加電漿產生用之第1高頻電力；該第2高頻電源用以對該載置台施加頻率低於該第1高頻電源之偏電壓產生用之第2高頻電力；該直流電源用以對該對向電極施加直流電壓；該控制部用以控制該第1高頻電源、該第2高頻電源及該直流電源；該控制部在電漿處理時或電漿處理後且在使該第1高頻電力及該第2高頻電力之施加停止前，使該直流電壓緩降。

Description

電漿處理裝置及顆粒附著抑制方法
本發明係有關於一種電漿處理裝置及顆粒附著抑制方法。
在對半導體晶圓(以下稱為「晶圓」。)進行電漿處理之處理室中，於電漿處理中產生反應產物，或構成處理容器之內壁的物質以電漿去除。當該等物質形成為顆粒而附著於晶圓時，形成於晶圓之半導體元件產生缺陷，成品率降低。是故，提出了用以抑制顆粒附著於晶圓之方法(例如參照專利文獻1)。在專利文獻1中，於乾蝕刻處理結束後，即刻停止對上部電極施加直流電力，經過預定時間後，停止施加電漿產生用高頻電力及偏電壓產生用高頻電力。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利公開公報2013-102237號
[發明欲解決之問題] 然而，在專利文獻1中，有停止施加直流電力時，產生急遽之鞘層電位的變動而顆粒附著於晶圓之虞。
針對上述問題，在一觀點，本發明以抑制顆粒附著在基板為目的。 [用以解決問題之手段]
為解決上述問題，根據一態樣，提供一種電漿處理裝置，該電漿處理裝置包含有處理室、載置台、對向電極、第1高頻電源、第2高頻電源、直流電源及控制部，該處理室用以收容基板，並可在內部進行電漿處理；該載置台用以載置基板；該對向電極與該載置台對向；該第1高頻電源用以對該載置台或該對向電極施加電漿產生用之第1高頻電力；該第2高頻電源用以對該載置台施加頻率低於該第1高頻電源之偏電壓產生用之第2高頻電力；該直流電源用以對該對向電極施加直流電壓；該控制部用以控制該第1高頻電源、該第2高頻電源及該直流電源；該控制部在電漿處理時或電漿處理後且在使該第1高頻電力及該第2高頻電力之施加停止前，使該直流電壓緩降。 [發明的功效]
根據一觀點，可抑制顆粒附著在基板。
[用以實施發明之形態] 以下，就用以實施本發明之形態，參照圖式來說明。此外，在本說明書及圖式，關於實質上相同之結構，藉附上相同之符號，而省略重複之說明。
[電漿處理裝置] 首先，就電漿處理裝置1之一例，一面參照圖1，一面說明。本實施形態之電漿處理裝置1係電容耦合型平行板電漿處理裝置，包含有大約圓筒形之處理容器10。處理容器10之內面施行了鋁陽極氧化處理(陽極氧化處理)。在處理容器10(處理室)中，可以電漿進行蝕刻處理及成膜處理等電漿處理。
載置台20載置基板之一例亦即晶圓W。載置台20由例如鋁(Al)、鈦(Ti)、碳化矽(SiC)等形成。載置台20具有下部電極之功能。
載置台20之上側形成為用以靜電吸附晶圓W之靜電吸盤106。靜電吸盤106為吸盤電極106a夾在絕緣體106b之間的構造。於吸盤電極106a連接有直流電壓源112。當從直流電壓源112對吸盤電極106a施加直流電壓時，便以庫侖力將晶圓W吸附至靜電吸盤106。
圓環狀之對焦環108於靜電吸盤106之外周部載置成包圍晶圓W之外緣部。對焦環108由例如矽形成，在處理容器10，將電漿朝晶圓W之表面聚攏，而使電漿處理之效率提高。
載置台20之下側形成為支撐體104，藉此，可將載置台20保持於處理容器10之底部。於支撐體104之內部形成有冷媒流路104a。從冷卻器107輸出之例如冷卻水或鹵水等冷卻媒介(以下亦稱為「冷媒」。) 在冷媒入口配管104b、冷媒流路104a、冷媒出口配管104c流動、循環。藉如此進行而循環之冷媒，將載置台20排熱而予以冷卻。
傳熱氣體供給源85使氦氣(He)或氬氣(Ar)等傳熱氣體通過氣體供給管線130而供至靜電吸盤106上之晶圓W的背面。藉此種結構，靜電吸盤106以在冷媒流路104a循環之冷媒及供至晶圓W之背面的傳熱氣體控制溫度。結果，可將晶圓控制在預定溫度。
於載置台20連接有用以供給雙頻率重疊電力之電力供給裝置30。電力供給裝置30具有用以供給第1頻率之電漿產生用高頻電力HF(第1高頻電力)的第1高頻電源32。又，電力供給裝置30具有用以供給低於第1頻率之第雙頻率的偏電壓產生用高頻電力LF(第2高頻電力)的第2高頻電源34。第1高頻電源32藉由第1匹配器33電性連接於載置台20。第2高頻電源34藉由第2匹配器35電性連接於載置台20。第1高頻電源32可對載置台20施加例如60MHz之高頻電力HF。第2高頻電源34可對載置台20施加例如13.56MHz之高頻電力LF。此外，在本實施形態中，第1高頻電力係對載置台20施加，亦可對氣體噴灑頭25施加。
第1匹配器33使負載阻抗與第1高頻電源32之內部(或輸出)阻抗匹配。第2匹配器35使負載阻抗與第2高頻電源34之內部(或輸出)阻抗匹配。第1匹配器33於處理容器10內產生有電漿時，發揮使第1高頻電源32之內部阻抗與負載阻抗明顯一致的功能。第2匹配器35於處理容器10內產生有電漿時，發揮使第2高頻電源34之內部阻抗與負載阻抗明顯一致的功能。
氣體噴灑頭25安裝成藉由被覆其周緣部之遮蔽環40，封閉處理容器10之頂部的開口。於氣體噴灑頭25連接可變直流電源70，而可從可變直流電源70輸出負DC(直流電壓)。氣體噴灑頭25亦可以矽形成。氣體噴灑頭25亦具有與載置台20(下部電極)對向之對向電極(上部電極)的功能。
於氣體噴灑頭25形成有用以導入氣體之氣體導入口45。於氣體噴灑頭25之內部設有從氣體導入口45分歧之中心側擴散室50a及邊緣側擴散室50b。從氣體供給源15輸出之氣體藉由氣體導入口45供至擴散室50a、50b，在擴散室50a、50b擴散後，從多個氣體供給孔55往載置台20導入。
於處理容器10之底面形成有排氣口60，而可以連接於排氣口60之排氣裝置65將處理容器10內排氣。藉此，可將處理容器10內維持在預定真空度。於處理容器10之側壁設有閘閥G。閘閥G可於從處理容器10進行晶圓W的搬入及搬出之際開關。
於電漿處理裝置1設有用以控制裝置全體之動作的控制部100。控制部100具有CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)105、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)110及RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)115。CPU105根據儲存於RAM115等記憶區域之配方，執行蝕刻等所期之處理。配方記載有裝置對程序條件之控制資訊亦即程序時間、壓力(氣體之排氣)、高頻電力、電壓、各種氣體流量、處理容器內溫度(上部電極溫度、處理容器之側壁溫度、晶圓W溫度、靜電吸盤溫度等)、及從冷卻器107輸出之冷媒的溫度等。此外，該等程式及顯示處理條件之配方亦可記憶於硬碟或半導體記憶體。又，配方亦可以收容於CD-ROM、DVD等可以電腦讀取的可攜性記憶媒體之狀態設定於預定位置來被讀取。
於執行電漿處理之際，控制閘閥G之開關，將晶圓W搬入至處理容器10，載置於載置台20。當從直流電壓源112對吸盤電極106a施加直流電壓時，晶圓W便可吸附、保持於靜電吸盤106。
將處理氣體從氣體供給源15供至處理容器1內。又，從第1及第2高頻電源32、34對載置台20施加第1及第2高頻電力，從可變直流電源70對氣體噴灑頭25施加供給負DC(直流電壓)。藉此，於晶圓W之上方產生電漿，而對晶圓W施行電漿處理。電漿處理後，從直流電壓源112對吸盤電極106a施加與吸附晶圓W時正負相反之直流電壓而將晶圓W之電荷除電，將晶圓W從靜電吸盤106剝離。控制閘閥G之開關，而將晶圓W搬出至處理容器10之外部。
[顆粒附著抑制方法1(模式1-1)] 接著，就本實施形態之顆粒附著抑制方法1，一面參照圖2，一面說明。參照圖2之上部所示的模式1-1之隨時間變化圖，在本實施形態之顆粒附著抑制方法1中，於對晶圓W之電漿處理結束後，在時刻t1 ，停止從可變直流電源70輸出之DC(以下稱為「Top DC」。)之施加。之後，在時刻t2 ，將從第1高頻電源32輸出之第1高頻電力(以下稱為「HF RF」。)及從第2高頻電源34輸出之第2高頻電力(以下稱為「LF RF」。)的施加同時停止。
將在模式1-1依Top DC→HF RF及LF RF之順序停止各電力之施加的結果顯示於圖2之下部表的模式1-1之顆粒結果。表之中央的模式1-1係HF及LF之延遲時間(=t2 -t1 )為0.5s的情形、亦即停止Top DC之施加後，在0.5s後停止HF RF及LF RF之施加的情形。
表之右邊的模式1-1係HF及LF之延遲時間(=t2 -t1 )為1.0s之情形、亦即停止Top DC之施加後，在1.0s後停止HF RF及LF RF之施加的情形。
表之左邊的無延遲模式係HF及LF之延遲時間(=t2 -t1 )為0.0s之情形、亦即Top DC、HF RF及LF RF之所有施加同時停止的情形。
實驗之結果，得以確認中央及右邊之模式1-1任一情形比起無延遲模式之情形，晶圓W上之顆粒數皆減少為1/4左右。此外，在顆粒附著抑制方法1之本實驗及隨後說明的顆粒附著抑制方法2、3之各實驗中，模式1-1及無延遲模式的各程序分別各進行3次，比較該等之顆粒數的平均值。又，實驗之結果，得以確認模式1-1之任一情形皆是晶圓W上之顆粒數減少相同程度。是故，可知依Top DC→HF RF及LF RF之順序停止各電力之施加的顆粒附著抑制方法1的程序有減低顆粒在晶圓W之附著的效果。又，可知HF RF及LF RF之延遲時間為0.5s及1.0s任一者，顆粒之減低效果皆沒什麼改變。
[顆粒附著抑制方法2(模式1-2、模式2)] 接著，就本實施形態之顆粒附著抑制方法2，一面參照圖3，一面說明。於圖3之上部顯示了模式1-2及模式2的隨時間變化圖。
在本實施形態之顆粒附著抑制方法2之模式1-2中，對晶圓W之電漿處理結束後，停止從可變直流電源70輸出之Top DC的施加，之後，停止從第1高頻電源32輸出之HF RF的施加。然後，停止從第2高頻電源34輸出之LF RF的施加。亦即，在模式1-2，依Top DC→HF RF→LF RF之順序停止各電力之施加。
在本實施形態之顆粒附著抑制方法2的模式2中，在對晶圓W之電漿處理中未施加Top DC。是故，在模式2中，對晶圓W之電漿處理結束後，依HF RF→LF RF之順序或LF RF→HF RF之順序停止各電力之施加。
於圖3之下部表顯示電漿處理結束後以模式1-2及模式2之方法停止各電力之施加的實驗結果。表之最左邊的無延遲模式係HF及LF之延遲時間為0.0s的情形、亦即同時停止Top DC 、HF RF及LF RF之所有施加的情形，與圖2之下部表的無延遲模式為相同結果。
在顯示於無延遲模式之右側的模式1-2及模式2中，如各模式欄之括弧內所示，在HF RF之施加停止與LF RF的施加停止之間產生延遲。在粗框內之左側的模式1-2,2(LF→HF)中，停止Top DC之施加後，在0.5s後，停止LF RF之施加，停止Top DC之施加後，在1.0s後，停止HF RF之施加。在粗框內之右側的模式1-2,2(HF→LF)中，停止Top DC之施加後，在0.5s後，停止HF RF之施加，停止Top DC之施加後，在1.0s後，停止LF RF之施加。
實驗之結果，得以確認粗框內之模式1-2,2(LF→HF)及模式1-2,2(HF→LF)任一情形，比起無延遲模式，晶圓W上之顆粒數皆減少為1/10左右。
又，實驗之結果，得以確認模式1-2,2(HF→LF)可比模式1-2,2(LF→HF)更減少晶圓W上之顆粒數。是故，可知依Top DC→HF RF→LF RF之順序停止各電力之施加的程序有比依Top DC→LF RF→HF RF之順序停止各電力之施加的程序更減低顆粒在晶圓W之附著的效果。
圖3之下部表的粗框之右邊的2個模式1-2,2(HF→LF)顯示改變HF RF之延遲時間及LF RF之延遲時間時的實驗結果。此結果可知重要的是停止Top DC之施加後，依HF RF→LF RF之順序停止施加，即使HF RF之施加的停止時間點及LF RF之施加的停止時間點任一者改變1秒左右，同樣皆可獲得高度顆粒減低效果。
[顆粒附著抑制方法3(模式1-3、模式1-4)] 接著，就本實施形態之顆粒附著抑制方法3，一面參照圖4，一面說明。於圖4之上部顯示模式1-3及模式1-4的隨時間變化圖。
在本實施形態之顆粒附著抑制方法3的模式1-3中，對晶圓W之電漿處理結束後，使從可變直流電源70輸出之Top DC緩降，停止Top DC之施加後，停止從第1高頻電源32輸出之HF RF的施加，並停止從第2高頻電源34輸出之LF RF的施加。亦即，在模式1-3，依Top DC之緩降後停止→HF RF→LF RF之順序，停止各電力之施加。
惟，Top DC之緩降的控制方法不僅包含如模式1-3所示使施加之直流電壓以階梯狀降低的方法，亦包含如模式1-4所示使施加之直流電壓連續降低的方法。
又，如模式1-4所示，可控制成使Top DC緩降，停止Top DC之施加時，停止HF RF及LF RF之施加。亦可控制成使Top DC緩降，停止Top DC之施加前，停止HF RF及LF RF之施加。還可控制成使Top DC緩降，停止Top DC之施加時或之前，依HF RF→LF RF之順序，停止各電力之施加。
於圖4之下部表顯示電漿處理結束後以模式1-3及模式1-4之方法停止各電力的施加之實驗結果。圖4之下部表的最左邊之無延遲模式係HF及LF之延遲時間為0.0s的情形、亦即將Top DC、HF RF及LF RF所有之施加同時停止的情形，與圖2及圖3之下部表的無延遲模式為相同結果。
在無延遲模式的右側所示的模式1-4及模式1-3中，得以確認比起無延遲模式的情形，晶圓W上之顆粒數減少為1/20左右。亦即，在使Top DC緩降後停止HF RF及LF RF之各電力的施加之方法中，顆粒在晶圓W之附著減少的效果非常高。
又，實驗之結果，得以確認模式1-3可比模式1-4更減低晶圓W上之顆粒數。亦即，確認了使Top DC緩降，停止Top DC之施加後依HF RF→LF RF之順序停止各電力之施加的方法使顆粒在晶圓W的附著減低之效果最高。
[顆粒附著抑制之理由] 就以上所說明之顆粒附著抑制的理由，一面參照圖5，一面說明。圖5(a)~圖5(c)顯示靜電吸盤106與對焦環108之間的截面之一例。圖5(a)係將對晶圓W之電漿處理結束時之晶圓W的邊緣附近之狀態模式化而顯示的圖。在電漿處理中產生之反應產物及以電漿去除之構成處理容器10的內壁之物質等附著於靜電吸盤106與對焦環108之間。
對焦環108係配置於晶圓W之外緣部的環狀構件。由於對焦環108之最頂部的高度高於晶圓W之上面，故反應產物等形成為顆粒來源之物質易積存於晶圓W之外緣部的靜電吸盤106與對焦環108之間。
當在此狀態下將Top DC(直流電壓)急遽地從開啟停止在關閉時(圖5左側之隨時間變化圖的時刻t1 之開啟→關閉控制)，會產生急遽之鞘層電位的變動。
具體而言，在電漿處理中，在對具有上部電極之功能的氣體噴灑頭25施加Top DC之狀態下，因形成於上部電極之鞘層，上部電極之表面形成為負電位。
當在此狀態下，停止Top DC之施加時，上部電極之表面從負電位急遽地變成正。結果，如圖5(b)所示，因帶負電荷之顆粒瞬間被吸引至上部電極之方向，結果，顆粒附著於晶圓W的邊緣部表面之可能性增高。藉此，產生顆粒在晶圓W之附著增加的現象。
相對於此，在本實施形態之顆粒附著抑制方法3中，控制成使Top DC之施加緩降而停止。根據此，由於逐漸停止Top DC之施加，故可抑制晶圓W之表面急遽地從負電位變成正。結果，如圖5(c)所示，將帶負電荷之顆粒吸引至晶圓W之邊緣部的力減弱。藉此，在圖5(c)之停止Top DC的施加之時間點(圖5右側之隨時間變化圖的時刻t1 ~t3 之緩降控制)，可抑制顆粒在晶圓W之附著。
[匯整] 從以上之說明，一面參照圖6，一面進行本實施形態之顆粒附著抑制方法1~3之匯整。如圖6之表所示的模式1-3及模式1-4(模式之程序參照圖4)所示，使Top DC之施加緩降而停止時，可抑制顆粒在晶圓W之附著。
又，不使Top DC之施加緩降，而如圖6之模式1-2(模式之程序參照圖3)所示，依HF RF→LF RF之順序使施加停止，藉此，可抑制顆粒附著在晶圓W。
模式1-2可抑制顆粒附著在晶圓W之理由係施加HF RF及施加LF RF任一情形，在施加之期間，皆於上部電極、晶圓W、對焦環108等之表面形成鞘層。此時，由於鞘層為負，故晶圓W及對焦環108帶負電。
是故，停止所施加之HF RF時，藉繼續LF RF之施加，可避免形成之鞘層全部消除。藉此，可使晶圓W之表面帶負電，而抑制帶負電荷之顆粒附著在晶圓W。又，藉依HF RF→LF RF之順序使施加停止，可避免急遽之鞘層電位的變動產生。可抑制顆粒附著在晶圓W。
又，比較HF RF與LF RF時，由於施加HF RF時產生之電漿的頻率比起施加LF RF時產生之電漿高，故不穩定。當電漿不穩定時，形成之鞘層亦會不穩定。因而，藉使程序為將電漿較穩定之LF RF的施加之停止在HF RF之施加的停止之後進行，可使晶圓W之表面較穩定地帶負電。從以上，藉依HF RF→LF RF之順序停止施加，比起依LF RF→HF RF之順序停止施加，可更有效地抑制顆粒附著在晶圓W。
再者，藉組合「Top DC之緩降」與「依HF RF→LF RF之順序停止施加」，可最有效地抑制顆粒附著在晶圓W。亦即，根據依Top DC之緩降→HF RF→LF RF的順序停止施加之模式1-3的程序，如圖6所示，可最有效地減低顆粒在晶圓W之附著。
具體而言，在模式1-3之程序中，比起同時停止Top DC、HF RF及LF RF之所有施加的無延遲模式，可將附著在晶圓W之顆粒數減低為約1/25。
如以上所說明，根據本實施形態之顆粒附著抑制方法1~3的實驗結果，可知依Top DC之緩降→HF RF→LF RF之順序停止各電力之施加的程序最可減低顆粒在晶圓W之附著。
惟，可知不僅模式1-3，在模式1-4之Top DC的緩降→HF RF及LF RF之同時施加停止的程序中，亦可減低顆粒在晶圓W之附著。
又，可知如模式1-2及模式2般，無Top DC之緩降的程序時，藉以HF RF→LF RF之順序停止施加的程序，亦可減低顆粒在晶圓W之附著。
如以上，就電漿處理裝置及顆粒附著抑制方法以上述實施形態作了說明，本發明之電漿處理裝置及顆粒附著抑制方法不限上述實施形態，在本發明之範圍內可進行各種變形及改良。記載於上述複數之實施形態的事項可在不牴觸之範圍組合。
舉例而言，本發明之抑制顆粒附著在基板的方法不僅可應用於電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)裝置，亦可應用於其他電漿處理裝置。其他電漿處理裝置亦可為感應耦合型電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)處理裝置、使用放射狀線槽孔天線之電漿處理裝置、螺旋波激發型電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)處理裝置、電子迴旋共振電漿(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)處理裝置等。
在本說明書中，基板以半導體晶圓W作了說明，但不限於此，亦可為用於LCD(Liquid Crystal Display：液晶顯示器)、FPD(Flat Panel Display：平板顯示器)等之各種基板、光罩、CD基板、印刷基板等。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧處理容器
15‧‧‧氣體供給源
20‧‧‧載置台
25‧‧‧氣體噴灑頭
30‧‧‧電力供給裝置
32‧‧‧第1高頻電源
33‧‧‧第1匹配器
34‧‧‧第2高頻電源
35‧‧‧第2匹配器
60‧‧‧排氣口
65‧‧‧排氣裝置
70‧‧‧可變直流電源
85‧‧‧傳熱氣體供給源
100‧‧‧控制部
104‧‧‧支撐體
104a‧‧‧冷媒流路
104b‧‧‧冷媒入口配管
104c‧‧‧冷媒出口配管
106‧‧‧靜電吸盤
106a‧‧‧吸盤電極
106b‧‧‧絕緣體
108‧‧‧對焦環
112‧‧‧直流電壓源
130‧‧‧氣體供給管線
DC‧‧‧直流電壓
G‧‧‧閘閥
HF‧‧‧電漿產生用高頻電力
HF RF‧‧‧從第1高頻電源輸出之第1高頻電力
LF‧‧‧偏電壓產生用高頻電力
LF RF‧‧‧從第2高頻電源輸出之第2高頻電力
Top DC‧‧‧從可變直流電源輸出之DC
t1‧‧‧時刻
t2‧‧‧時刻
t3‧‧‧時刻
W‧‧‧晶圓
圖1係顯示一實施形態之電漿處理裝置的縱截面之一例的圖。 圖2係顯示一實施形態之顆粒附著抑制方法及其結果的一例之圖。 圖3係顯示一實施形態之顆粒附著抑制方法及其結果的一例之圖。 圖4係顯示一實施形態之顆粒附著抑制方法及其結果的一例之圖。 圖5(a)~(c)係用以說明一實施形態之顆粒附著抑制方法的理由之圖。 圖6係顯示一實施形態之顆粒附著抑制方法的一覽與結果之比較的圖。
DC‧‧‧直流電壓
HF‧‧‧電漿產生用高頻電力
HF RF‧‧‧從第1高頻電源輸出之第1高頻電力
LF‧‧‧偏電壓產生用高頻電力
LF RF‧‧‧從第2高頻電源輸出之第2高頻電力
Top DC‧‧‧從可變直流電源輸出之DC

Claims (6)

  1. 一種電漿處理裝置，包含： 處理室，用以收容基板，並可在其內部進行電漿處理； 載置台，用以載置基板； 對向電極，與該載置台對向； 第1高頻電源，用以對該載置台或該對向電極施加電漿產生用之第1高頻電力； 第2高頻電源，用以對該載置台施加頻率低於該第1高頻電源的偏電壓產生用之第2高頻電力； 直流電源，用以對該對向電極施加直流電壓；及 控制部，用以控制該第1高頻電源、該第2高頻電源及該直流電源； 該控制部在電漿處理時或在電漿處理後且在使該第1高頻電力及該第2高頻電力之施加停止前，令該直流電壓緩降。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中， 該控制部在電漿處理時或電漿處理後且在使該第1高頻電力及該第2高頻電力之施加停止前或停止時，令該緩降之直流電壓停止。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之電漿處理裝置，其中， 該控制部於使該第1高頻電力之施加停止後，令該第2高頻電力之施加停止。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之電漿處理裝置，更包含配置於該載置台之外緣部的環狀構件， 該環狀構件之最頂部的高度高於基板。
  5. 一種電漿處理裝置，包含： 處理室，用以收容基板，並可在其內部進行電漿處理； 載置台，用以載置基板； 對向電極，與該載置台對向； 第1高頻電源，用以對該載置台或該對向電極施加電漿產生用之第1高頻電力； 第2高頻電源，用以對該載置台施加頻率低於該第1高頻電源之偏電壓產生用之第2高頻電力；及 控制部，用以控制該第1高頻電源及該第2高頻電源； 該控制部在電漿處理時或電漿處理後且在使該第1高頻電力之施加停止後，使該第2高頻電力之施加停止。
  6. 一種顆粒附著抑制方法，用以抑制顆粒附著在以電漿處理裝置施行電漿處理之基板，該電漿處理裝置包含： 處理室，用以收容基板，並可在其內部進行電漿處理； 載置台，用以載置基板； 對向電極，與該載置台對向； 第1高頻電源，用以對該載置台或該對向電極施加電漿產生用之第1高頻電力； 第2高頻電源，用以對該載置台施加頻率低於該第1高頻電源之偏電壓產生用之第2高頻電力； 直流電源，用以對該對向電極施加直流電壓；及 控制部，用以控制該第1高頻電源、該第2高頻電源及該直流電源； 該顆粒附著抑制方法於電漿處理時或其後，使該直流電壓緩降， 在使該直流電壓緩降後，令該第1高頻電力及該第2高頻電力之施加停止。
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