TW201806100A - 密封用薄膜、電子零件搭載基板之密封方法及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板 - Google Patents

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Abstract

本發明的密封用薄膜（100）用於密封具備基板（5）及搭載於基板（5）的一表面側之電子零件（4）之電子零件搭載基板（45），係具備絕緣層（12）及電磁波屏蔽層（13）者，絕緣層（12）及電磁波屏蔽層（13）含有樹脂材料，密封用薄膜（100）的依照JIS K 6251求出之軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。又，電磁波屏蔽層（13）能夠設為具備超過絕緣層（12）的端部而突出之突出部之構成。

Description

密封用薄膜、電子零件搭載基板之密封方法及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板
本發明係關於一種密封用薄膜、電子零件搭載基板之密封方法及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板者。
一直以來，在行動電話、智慧型手機（smartphone）、計算器、電子報、平板終端（tablet terminal）、可視電話（visual telephone）、個人電腦這樣的電子設備中安裝有例如搭載有半導體元件、電容器、線圈這樣的電子零件之電子零件搭載基板，而為了防止與濕氣或灰塵等外部因素的接觸，有時會用樹脂對該電子零件搭載基板進行密封。
由該種樹脂進行之密封，已知有例如在將電子零件搭載基板配置在金屬腔內之後，植入流動性高的聚胺酯樹脂這樣的熱硬化性樹脂而進行密封之灌封法（potting method），除此以外，還已知有在熔融狀態下將熱塑性樹脂塗佈於電子零件搭載基板之後，藉由固化而將已塗佈之區域進行塗膜（密封）之塗膜法。
然而，灌封法中，進行熱硬化性樹脂的硬化需要時間，而且，通常，在進行密封時需要金屬腔，因此存在導致所得之電子設備更重之問題。又，塗膜法中，需要成為熔融狀態之熱塑性樹脂的黏度管理，又，存在對熱塑性樹脂的塗佈區域進行分塗時之耗時、耗力之問題。
為了解決該問題，有人提出有將具有熱熔性之阻隔薄膜黏貼在電子零件搭載基板上之方案（例如，參閱專利文獻1。）。
但是，該情況下，對於因電子零件搭載基板具備電子零件而形成之凹凸，無法充分地獲得追隨性，其結果，無法充分地提高對濕氣或灰塵等外部因素之阻隔性。
又，除了要求對濕氣或灰塵等外部因素賦予阻隔性以外，有時還要求對阻隔薄膜（密封用薄膜）賦予用於減輕由對前述電子零件的電磁波產生之雜訊的影響之電磁波屏蔽性。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
專利文獻1：日本特開2009-99417公報
本發明的目的為提供一種密封用薄膜、使用了該密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法以及具備該密封用薄膜之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，前述密封用薄膜能夠對因搭載電子零件搭載基板所具備之電子零件而產生之凹凸具有優異之追隨性，並且能夠賦予用於減輕由對電子零件的電磁波產生之雜訊的影響之電磁波屏蔽性而進行密封。
該種目的藉由下述（1）～（29）中記載之本發明來實現。 （1）一種密封用薄膜，其用於密封具備基板及搭載於該基板的一表面側之電子零件之電子零件搭載基板，該密封用薄膜的特徵為， 具有絕緣層及積層於該絕緣層的一表面側之電磁波屏蔽層， 前述絕緣層及前述電磁波屏蔽層均含有樹脂材料，該密封用薄膜的依照JIS K 6251求出之軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。
（2）如上述（1）中記載之密封用薄膜，其中前述電子零件搭載基板還具有電極，該電極設置在前述基板的一表面側且與前述電子零件電連接， 前述電磁波屏蔽層具備超過前述絕緣層的端部而突出之突出部。
（3）如上述（2）中記載之密封用薄膜，其中前述突出部與前述電極對應地形成，並在密封前述電子零件搭載基板時與前述電極接觸。
（4）如上述（2）或（3）中記載之密封用薄膜，其中前述電極設置在前述基板的邊緣部或電子零件的周圍。
（5）如上述（2）至（4）中任一項記載之密封用薄膜，其中前述電極為接地電極。
（6）如上述（1）中記載之密封用薄膜，其中該密封用薄膜還具備包覆層，該包覆層積層於前述電磁波屏蔽層的與前述絕緣層相反一側， 前述密封用薄膜構成為，將前述絕緣層設為前述基板的一表面側而密封前述電子零件搭載基板。
（7）如上述（6）中記載之密封用薄膜，其中前述包覆層具備超過前述電磁波屏蔽層的端部而突出之第1突出部，在從前述基板的一表面側密封前述電子零件搭載基板時，前述第1突出部構成為，藉由折入前述基板的另一表面側而包覆前述基板的另一表面側。
（8）如上述（6）或（7）中記載之密封用薄膜，其中前述電子零件搭載基板還具備電極，該電極設置在前述基板的一表面側且與前述電子零件電連接， 前述電磁波屏蔽層具備超過前述絕緣層的端部而突出之第2突出部，在從前述基板的一表面側密封前述電子零件搭載基板時，前述第2突出部構成為，在前述基板的一表面側與前述電極接觸。
（9）如上述（6）或（7）中記載之密封用薄膜，其中前述電子零件搭載基板還具備電極，該電極設置在前述基板的另一表面側且與前述電子零件電連接， 前述電磁波屏蔽層具備超過前述絕緣層的端部而突出之第2突出部，在從前述基板的一表面側密封前述電子零件搭載基板時，前述第2突出部構成為，藉由折入前述基板的另一表面側而在前述基板的另一表面側與前述電極接觸。
（10）如上述（7）中記載之密封用薄膜，其中前述絕緣層具備超過前述電磁波屏蔽層的端部而突出且與前述第1突出部接觸而積層之第3突出部，在從前述基板的一表面側密封前述電子零件搭載基板時，前述第1突出部和前述第3突出部構成為，藉由折入前述基板的另一表面側，使前述基板的另一表面側接觸前述第3突出部而進行包覆。
（11）如上述（6）中記載之密封用薄膜，其中前述電子零件搭載基板還具備電極，該電極設置在前述基板的一表面側且與前述電子零件電連接， 前述電磁波屏蔽層具備超過前述包覆層的端部而突出之第4突出部，在從前述基板的一表面側密封前述電子零件搭載基板時，前述第4突出部構成為，藉由折入前述基板的一表面側而在前述基板的一表面側與前述電極接觸。
（12）如上述（1）中記載之密封用薄膜，其中前述絕緣層具備超過前述電磁波屏蔽層的端部而突出之突出部。
（13）如上述（12）中記載之密封用薄膜，其中前述電磁波屏蔽層選擇性地形成在與前述電子零件對應之位置。
（14）如上述（12）或（13）中記載之密封用薄膜，其中在從前述基板的一表面側密封前述電子零件搭載基板時，前述突出部構成為，藉由折入前述基板的另一表面側而包覆前述基板的另一表面側。
（15）如上述（1）中記載之密封用薄膜，其中前述電子零件搭載基板還具有連接構件，該連接構件具有開放端面且與前述電子零件電連接， 在密封前述電子零件搭載基板時，該密封用薄膜在與前述連接構件對應之位置具有退避部。
（16）如上述（15）中記載之密封用薄膜，其中構成前述絕緣層及前述電磁波屏蔽層之前述樹脂材料為熱塑性樹脂。
（17）如上述（1）中記載之密封用薄膜，其中前述電子零件搭載基板還具備電極，該電極設置在前述基板的另一表面側且與前述電子零件電連接， 前述電磁波屏蔽層具備超過前述絕緣層的端部而突出之突出部，在從前述基板的一表面側密封前述電子零件搭載基板時，前述突出部構成為，藉由折入前述基板的另一表面側而與前述電極接觸。
（18）如上述（17）中記載之密封用薄膜，其中前述電極設置在前述基板的邊緣部。
（19）如上述（17）或（18）中記載之密封用薄膜，其中前述電極為接地電極。
（20）如上述（1）至（19）中任一項記載之密封用薄膜，其中該密封用薄膜的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下。
（21）如上述（1）至（20）中任一項記載之密封用薄膜，其中前述絕緣層及前述電磁波屏蔽層中的至少一者含有聚烯烴系樹脂作為前述樹脂材料。
（22）如上述（1）至（21）中任一項記載之密封用薄膜，其中該密封用薄膜其平均厚度為10μm以上且700μm以下。
（23）如上述（1）至（22）中任一項記載之密封用薄膜，其中前述基板為印刷配線基板。
（24）一種電子零件搭載基板之密封方法，其使用上述（2）至（5）中任一項記載之密封用薄膜，密封前述基板、前述電子零件及前述電極，該電子零件搭載基板之密封方法的特徵為，具有如下步驟： 以覆蓋前述基板、前述電子零件及前述電極之方式，將前述絕緣層設在前述電子零件搭載基板側而將前述密封用薄膜配置在前述電子零件搭載基板上； 加熱軟化前述密封用薄膜並且進行減壓；以及 冷卻前述密封用薄膜並且進行加壓，藉此在前述突出部與前述電極接觸之狀態下，用前述密封用薄膜密封前述基板、前述電子零件及前述電極。
（25）一種電子零件搭載基板之密封方法，其使用上述（6）至（11）中任一項記載之密封用薄膜，密封前述基板和前述電子零件，該電子零件搭載基板之密封方法的特徵為，具有如下步驟： 以覆蓋前述基板和前述電子零件之方式，將前述絕緣層設在前述電子零件搭載基板側而將前述密封用薄膜配置在前述電子零件搭載基板上； 加熱軟化前述密封用薄膜並且進行減壓；以及 冷卻前述密封用薄膜並且進行加壓，藉此用前述密封用薄膜密封前述基板和前述電子零件。
（26）一種電子零件搭載基板之密封方法，其使用上述（12）至（14）中任一項記載之密封用薄膜，密封前述基板和前述電子零件，該電子零件搭載基板之密封方法的特徵為，具有如下步驟： 以覆蓋前述基板和前述電子零件之方式，將前述絕緣層設在前述電子零件搭載基板側而將前述密封用薄膜配置在前述電子零件搭載基板上； 加熱軟化前述密封用薄膜並且進行減壓；以及 冷卻前述密封用薄膜並且進行加壓，藉此在經由前述絕緣層而由前述電磁波屏蔽層包覆前述電子零件之狀態下，用前述密封用薄膜密封前述基板和前述電子零件。
（27）一種電子零件搭載基板之密封方法，其使用上述（15）或（16）中記載之密封用薄膜，密封前述基板和前述電子零件，該電子零件搭載基板之密封方法的特徵為，具有如下步驟： 覆蓋前述基板和前述電子零件，並且以前述退避部與前述連接構件對應之方式，將前述密封用薄膜配置在前述電子零件搭載基板上； 加熱軟化前述密封用薄膜並且進行減壓；以及 冷卻前述密封用薄膜並且進行加壓，藉此不密封前述連接構件而用前述密封用薄膜密封前述基板和前述電子零件。
（28）一種電子零件搭載基板之密封方法，其使用上述（17）至（19）中任一項記載之密封用薄膜，密封前述基板、前述電子零件及前述電極，該電子零件搭載基板之密封方法的特徵為，具有如下步驟： 以覆蓋前述基板和前述電子零件之方式，將前述絕緣層設在前述電子零件搭載基板側而將前述密封用薄膜配置在前述電子零件搭載基板上，並且藉由將前述突出部折入前述基板的另一表面側而使其與前述電極接觸； 加熱軟化前述密封用薄膜並且進行減壓；以及 冷卻前述密封用薄膜並且進行加壓，藉此在前述突出部與前述電極接觸之狀態下，用前述密封用薄膜密封前述基板、前述電子零件及前述電極。
（29）一種包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，其特徵為，具有：上述（1）至（23）中任一項記載之密封用薄膜；以及前述電子零件搭載基板，具備由該密封用薄膜包覆之前述基板、前述電子零件及前述電極，前述突出部與前述電極接觸。 ［發明效果］
依本發明，密封用薄膜將樹脂材料作為主材料而構成，並且依照JIS K 6251求出之軟化點之密封用薄膜的伸長率成為150%以上且3500%以下。首先，以覆蓋基板和電子零件之方式，將該密封用薄膜配置在電子零件搭載基板上。之後，加熱軟化密封用薄膜並且進行減壓。之後，冷卻密封用薄膜並且進行加壓。經由以上步驟，藉此，密封用薄膜能夠在對凹凸具有優異之追隨性而進行密封之狀態下，包覆基板和電子零件，前述凹凸藉由在基板上搭載電子零件而形成。因此，在藉由包覆該密封用薄膜而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板中，能夠確實地抑制或防止電子零件與濕氣或灰塵等外部因素接觸。 又，在用密封用薄膜包覆基板和電子零件時，電子零件經由絕緣層而被電磁波屏蔽層密封，因此所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板成為確實地抑制或防止由對電子零件的電磁波產生之雜訊的影響者。
以下，依據附圖所示之較佳實施形態，對本發明的密封用薄膜、電子零件搭載基板之密封方法及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板詳細地進行說明。
本發明的密封用薄膜，其用於密封具備基板及搭載於該基板的一表面側之電子零件之電子零件搭載基板，該密封用薄膜的特徵為，具有絕緣層及積層於該絕緣層的一表面側之電磁波屏蔽層，絕緣層及電磁波屏蔽層均含有樹脂材料，該密封用薄膜的依照JIS K 6251求出之軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。
又，本發明的電子零件搭載基板之密封方法為，使用上述密封用薄膜來包覆電子零件搭載基板所具備之基板和電子零件之電子零件搭載基板之密封方法，其特徵為，具有如下步驟：以覆蓋基板和電子零件之方式，將絕緣層設在電子零件搭載基板側而將密封用薄膜配置在電子零件搭載基板上（配置步驟）；加熱軟化密封用薄膜並且進行減壓（加熱、減壓步驟）；以及冷卻密封用薄膜並且進行加壓，藉此用密封用薄膜密封基板和電子零件（冷卻、加壓步驟）。
若將該種密封用薄膜適用於藉由在基板上搭載電子零件而形成之凹凸的包覆中，則在前述冷卻、加壓步驟中，已軟化狀態的密封用薄膜在已加壓狀態下進行冷卻，所以能夠在對凹凸具有優異之追隨性而進行密封之狀態下包覆基板和電子零件。因此，在藉由包覆該密封用薄膜而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板中，能夠確實地抑制或防止電子零件與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板之電子設備的可靠性。
又，在用密封用薄膜包覆基板和電子零件時，電子零件經由絕緣層而被電磁波屏蔽層密封。因此，所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板成為確實地抑制或防止由對電子零件的電磁波產生之雜訊的影響者。
此外，在搭載有電子零件之基板的一表面側設置有與電子零件電連接之電極時，密封用薄膜能夠對凹凸具有優異之追隨性而密封（包覆）基板、電子零件及電極，前述凹凸藉由在基板上搭載電子零件及電極而形成。該情況下，亦可獲得上述效果。
＜第1實施形態＞ [密封用薄膜] 首先，對本發明的密封用薄膜100的第1實施形態進行說明。
圖1係表示本發明的密封用薄膜的第1實施形態之縱剖面圖，圖2中，圖2（a）～圖2（c）係用於使用本發明的密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖1、圖2中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
密封用薄膜100具備絕緣層12及積層於該絕緣層12的一表面側（上表面側）之電磁波屏蔽層13，絕緣層12及電磁波屏蔽層13均含有樹脂材料，依照JIS K 6251求出之軟化點上之伸長率成為150%以上且3500%以下。
由具備該種絕緣層12及電磁波屏蔽層13之積層體構成之密封用薄膜100的前述伸長率只要係能夠滿足前述範圍內者，該等絕緣層12及電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料亦可以由任意者構成。該樹脂材料例如可舉出，低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、乙烯共聚物、延伸聚丙烯、未延伸聚丙烯這樣的聚烯烴系樹脂、離子聚合物樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯這樣的聚酯系樹脂、聚碳酸酯樹脂、尼龍-6、尼龍-6,6、尼龍-6,10、包括六亞甲基二胺和對苯二甲酸之尼龍-6T、包括六亞甲基二胺和間苯二甲酸之尼龍-6I、包括壬二胺和對苯二甲酸之尼龍-9T、包括甲基戊二胺和對苯二甲酸之尼龍-M5T、包括己內醯胺和十二內醯胺之尼龍-6,12、包括六亞甲基二胺和己二酸和己內醯胺之尼龍-6、尼龍-6,6這樣的聚醯胺系樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯系樹脂、聚氯乙烯及聚乙烯醇等熱塑性樹脂，能夠使用該等中的1種或組合使用2種以上。又，絕緣層12及電磁波屏蔽層13各自所含之樹脂材料可以相同，亦可以不同。
而且，絕緣層12及電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料除了含有上述熱塑性樹脂材料以外，還可含有環氧樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚矽氧樹脂這樣的熱硬化性樹脂或丙烯酸樹脂或聚胺酯樹脂這樣的UV硬化性樹脂。
含有該種樹脂材料之絕緣層12及電磁波屏蔽層13中，絕緣層12由含有前述樹脂材料作為主材料之層構成，電磁波屏蔽層13由含有前述樹脂材料及具備導電性之導電性粒子之層構成。藉由將絕緣層12及電磁波屏蔽層13設為該構成，絕緣層12具有絕緣性，電磁波屏蔽層13具有導電性及電磁波屏蔽性這二者。
具備含有上述那樣的樹脂材料之絕緣層12及電磁波屏蔽層13之密封用薄膜100，將含有聚烯烴系樹脂作為前述樹脂材料之層，作為絕緣層12及電磁波屏蔽層13中的至少一層而具備為較佳。藉此，能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率輕鬆地設定為150%以上且3500%以下。
因此，以下，將密封用薄膜100作為一例來進行說明，該密封用薄膜100具備：含有前述樹脂材料作為主材料之絕緣層12；以及含有前述樹脂材料及導電性粒子之電磁波屏蔽層13，絕緣層12中所含之樹脂材料為聚烯烴系樹脂。
如圖1、圖2所示，本實施形態中，密封用薄膜100具備電磁波屏蔽層13及絕緣層12，該等由從與應包覆之電子零件搭載基板45的相反一側（上表面側）按順序積層之積層體構成。而且，電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大，其端部從絕緣層12的端部（邊緣部）露出。換言之，電磁波屏蔽層13具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部15。
此外，由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）的中央部；及電極3，與該電子零件4電連接且形成於基板5的上表面的端部。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面上搭載電子零件4及電極3，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6，並用密封用薄膜100包覆該凹凸6。此外，作為基板5，例如可舉出印刷配線基板，作為搭載於基板5上之電子零件4，例如可舉出半導體元件、電容器、線圈、連接器及電阻等，作為電極3，例如可舉出用於與從外部供電之電源連接之電極、用於與其他電子零件電連接之電極及用於將電子零件4接地之接地電極等。
為了將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下，從而對凹凸6具有優異之黏附性及優異之形狀追隨性，在本實施形態中，絕緣層12係含有作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料之層。
又，絕緣層12係藉由含有作為樹脂材料之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料從而具備絕緣性之層。在用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，該絕緣層12藉由插入於電子零件4與具有導電性之電磁波屏蔽層13之間，從而作為用於防止在電子零件4彼此之間、以及在電子零件4與電極3之間發生之短路之層而發揮功能。
作為該乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，進行共聚之VA含量為5重量%以上且30重量%以下為較佳，為10重量%以上且20重量%以下為更佳。若小於前述下限值，則可能很難將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定在前述範圍內。相對於此，若超過前述上限值，則由於顯示構成絕緣層12之樹脂的結晶部減少且非結晶部增加之傾向，殘留於絕緣層12之抗氧化劑等添加劑可能會溶出。因此，轉移到電子零件搭載基板45側，其結果，電子零件4的特性上可能會產生不良。
又，絕緣層12的平均厚度為5μm以上且200μm以下為較佳，為20μm以上且120μm以下為更佳。藉由將絕緣層12的平均厚度設定在該範圍內，能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。又，能夠更確實地確保電磁波屏蔽層13對電子零件4之絕緣性。
此外，作為絕緣層12中所含之樹脂材料，除了作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以外，亦可以為後述電磁波屏蔽層13中所含之離子聚合物樹脂，亦可以為除乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以外的聚烯烴系樹脂。
為了將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下，從而設為對凹凸6的黏附性及形狀追隨性優異者，而且為了將密封用薄膜100設為強韌性優異者，在本實施形態中，電磁波屏蔽層13含有作為樹脂材料之離子聚合物樹脂。又，樹脂材料（離子聚合物）亦作為在層中保持下述導電性材料之黏合劑而發揮功能。
又，電磁波屏蔽層13係藉由除了含有作為樹脂材料之離子聚合物樹脂以外，還含有具有導電性之導電性粒子，從而具備導電性及電磁波屏蔽性之層。而且，該電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大，在其中央部積層有絕緣層12，而在端部具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部15。
藉由該種電磁波屏蔽層13，在用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，其中央部經由絕緣層12而包覆電子零件4。因此，能夠將藉由用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50設為確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響者。而且，在電磁波屏蔽層13的端部不插入絕緣層12，而藉由具有導電性之突出部15直接包覆電極3，電極3與突出部15（電磁波屏蔽層13）電連接。因此，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部15之電極3與外部的電連接。
此處，在本說明書中，作為樹脂材料之離子聚合物樹脂係指，用金屬離子將以下共聚物進行交聯而得之樹脂，能夠使用該等中的1種或組合使用2種，前述共聚物包括將乙烯及（甲基）丙烯酸作為聚合物的構成成分之二元共聚物、或將乙烯、（甲基）丙烯酸及（甲基）丙烯酸酯作為聚合物的構成成分之三元共聚物。
又，作為金屬離子，例如可舉出鉀離子（K+ ）、鈉離子（Na+ ）、鋰離子（Li+ ）、鎂離子（Mg++ ）、鋅離子（Zn++ ）等。該等之中，係鈉離子（Na+ ）或鋅離子（Zn++ ）為較佳。藉此，離子聚合物樹脂中之交聯構造變得穩定，因此能夠更顯著地發揮作為前述電磁波屏蔽層13之功能。
而且，將乙烯及（甲基）丙烯酸作為聚合物的構成成分之二元共聚物或將乙烯、（甲基）丙烯酸及（甲基）丙烯酸酯作為聚合物的構成成分之三元共聚物的基於羧基中之陽離子（金屬離子）之中和度，較佳為40mol%以上且75mol%以下。
又，導電性粒子只要係能夠對電磁波屏蔽層13賦予導電性及電磁波屏蔽性這二者之粒子，則並無特別限定，例如可舉出含有金、銀、銅、鐵、鎳及鋁或含有該等之合金這樣的金屬、以及以AFe2 O4 （式中，A為Mn、Co、Ni、Cu或Zn）所表示之鐵氧體、ITO、ATO、FTO這樣的金屬氧化物等者，能夠使用該等中的1種或組合使用2種以上。此外，導電性粒子除了係含有該種金屬和/或金屬氧化物者以外，還可以為含有聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚（對伸苯）、聚茀這樣的導電性高分子、碳奈米管、碳奈米纖維、碳黑這樣的碳系材料者。
導電性粒子的平均粒徑為1.0μm以上且10.0μm以下為較佳，為3.0μm以上且8.0μm以下為更佳。藉此，能夠將導電性粒子均勻地分散於電磁波屏蔽層13中。因此，電磁波屏蔽層13能夠均質地發揮其特性。
又，電磁波屏蔽層13中之導電性粒子的含量為10重量%以上且95重量%以下為較佳，為50重量%以上且90重量%以下為更佳。藉由將導電性粒子的含量設定在該範圍內，能夠獲得對電磁波屏蔽層13確實地賦予導電性及電磁波屏蔽性這二者，並且軟化點上之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內之密封用薄膜100。
又，電磁波屏蔽層13的平均厚度為1μm以上且400μm以下為較佳，為5μm以上且200μm以下為更佳。藉由將電磁波屏蔽層13的平均厚度設定在該範圍內，能夠使密封用薄膜100強韌性優異，且能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。而且，能夠對電磁波屏蔽層13確實地賦予導電性及電磁波屏蔽性這二者。
此外，作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，除了離子聚合物樹脂以外，還可以為絕緣層12中所含之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或除此以外的聚烯烴系樹脂。
又，密封用薄膜100中，亦能夠在絕緣層12與電磁波屏蔽層13之間賦予黏接性，或者為了提高黏接性，亦能夠視需要而設置黏接層。又，為了提高絕緣層12與電子零件搭載基板45之間的黏接性，亦能夠視需要而在絕緣層12的內側設置黏接層。
作為黏接層中所含之黏接性樹脂，例如能夠適當地使用於EVA、乙烯-馬來酸酐共聚物、EAA、EEA、乙烯-甲基丙烯酸酯-丙烯酸縮水甘油酯三元共聚物或各種聚烯烴上，將丙烯酸、甲基丙烯酸等單元不飽和脂肪酸、馬來酸、反丁烯二酸、伊康酸等二元不飽和脂肪酸或該等之酸酐接枝而成者，例如，馬來酸接枝的EVA、馬來酸接枝的乙烯-α-烯烴共聚物、苯乙烯系彈性體、丙烯酸樹脂等公知的黏著性樹脂或黏接性樹脂。
而且，關於製造積層有電磁波屏蔽層13和絕緣層12之密封用薄膜100之製造方法，並無特別限定，例如，能夠藉由使用公知的共擠出法、乾式積層法、擠出積層法、塗佈積層等進行成膜及積層來獲得。
此處，藉由將密封用薄膜100設為上述那樣的構成之具備電磁波屏蔽層13及絕緣層12之多層體，能夠比較容易將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下，該伸長率為150%以上且3500%以下即可，為150%以上且2000%以下為較佳，為1000%以上且2000%以下為更佳。藉此，在適用於用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45所具備之凹凸6時，能夠在對凹凸6的形狀具有優異之追隨性而密封之狀態下進行包覆，且能夠確實地抑制或防止在密封用薄膜100的中途斷裂。
又，藉由將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定在前述範圍內，即使設置在基板5之凹凸6上之高低差為10mm以上這樣的較大高低差，亦能夠使密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而追隨。
此外，斷裂伸長（軟化點上之伸長率）的測定，能夠使用精密萬能試驗機（AUTOGRAPH）裝置（例如，SHIMADZU CORPORATION製造，AUTOGRAPH AGS-X等），依照JIS K 6251中記載之方法來進行測定。
又，密封用薄膜100的軟化點，能夠使用動態黏彈性測定裝置（例如，Seiko Instruments Inc.製造，EXSTAR6000等），以夾頭間距離20mm、升溫速度5℃/分鐘以及角頻率10Hz之條件來進行測定。
而且，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳，為5ppm/K以上50ppm/K以下為更佳。若密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為該種範圍的值，則在加熱密封用薄膜100時，密封用薄膜100具有優異之伸縮性，因此能夠更確實地提高密封用薄膜100對凹凸6之形狀追隨性。而且，能夠在密封用薄膜100與基板5、電子零件4之間、以及在密封用薄膜100與電極3之間維持優異之黏附性，因此，能夠更確實地抑制或防止由於藉由反覆驅動電子零件搭載基板45而產生之發熱引起之密封用薄膜100從電子零件搭載基板45發生之剝離。此外，密封用薄膜100的線膨脹係數，例如能夠使用動態黏彈性測定裝置（例如，Seiko Instruments Inc.製造，EXSTAR6000等）來計算。
作為密封用薄膜100整體之平均厚度，為10μm以上且700μm以下為較佳，為20μm以上且400μm以下為更佳。藉由將密封用薄膜100的平均厚度設定在該範圍內，能夠在密封用薄膜100的中途確實地抑制或防止密封用薄膜100的斷裂，並且能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第1實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：以覆蓋基板5、電子零件4及電極3之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上（配置步驟）；加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓（加熱、減壓步驟）；以及冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此用密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3（冷卻、加壓步驟）。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖2（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13及絕緣層12中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5、電子零件4及電極3之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
（加熱、減壓步驟） 然後，如圖2（b）所示，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即電磁波屏蔽層13及絕緣層12，其結果，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4及電極3而形成之凹凸6的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的上側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4及電極3的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45之凹凸6的形狀之狀態。
此外，密封用薄膜100的加熱以及環境的減壓係可以在加熱後進行減壓，亦可以在減壓後進行加熱，但幾乎同時進行加熱和減壓為較佳。藉此，能夠設為使已軟化之密封用薄膜100確實地稍微追隨凹凸6的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖2（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展，其結果，在以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4及電極3的形狀）之狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3。此外，在前述加熱減壓步驟中，只要密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而充分地追隨，則能夠省略加壓步驟。
此時，本發明中，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。因此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此能夠藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，以優異之黏附性包覆基板5和電子零件4。
而且，在由密封用薄膜100以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得由密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12及電磁波屏蔽層13的積層體構成，但電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大，在其中央部積層有絕緣層12，而在端部具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部15。
因此，在本步驟中，在電磁波屏蔽層13的中央部，經由絕緣層12而包覆電子零件4。因此，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響。
而且，在電磁波屏蔽層13的端部不插入絕緣層12，而藉由具有導電性之突出部15直接包覆電極3，電極3與突出部15（電磁波屏蔽層13）電連接。因此，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部15之電極3與外部的電連接。
此外，密封用薄膜100的冷卻以及環境的加壓係可以在加壓後進行冷卻，但幾乎同時進行冷卻和加壓為較佳。藉此，能夠對應於凹凸6的形狀而使密封用薄膜100以更優異之黏附性進行包覆。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。 ＜第2實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第2實施形態進行說明。
圖3係表示本發明的密封用薄膜的第2實施形態之縱剖面圖，圖4中，圖4（a）～圖4（c）係用於使用圖3所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖3、圖4中的圖4（a）～圖4（c）中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第2實施形態進行說明，但以不同於前述第1實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
如圖3、圖4所示，第2實施形態中，密封用薄膜100還具備積層於電磁波屏蔽層13的與絕緣層12相反一側之包覆層14，除此以外，與前述第1實施形態相同。亦即，本實施形態的密封用薄膜100中，絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，從應包覆之電子零件搭載基板45側按順序進行積層。又，如圖4所示，本實施形態的密封用薄膜100中，絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14分別具有大致相同的大小。
此處，如圖4所示，本實施形態中，由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；及電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面搭載電子零件4，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。此外，作為基板5，例如可舉出印刷配線基板，作為搭載於基板5上之電子零件4，例如可舉出半導體元件、電容器、線圈、連接器及電阻等。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而用密封用薄膜100進行包覆，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。因此，所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50成為確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響者。
又，電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封，所以電磁波屏蔽層13成為確保對該電子零件4之絕緣性者。而且，電磁波屏蔽層13在與電子零件4相反一側的表面被包覆層14包覆。因此，電磁波屏蔽層13成為對位於所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的外側之其他電子零件亦確保絕緣性者。
又，該種密封用薄膜100的包覆層14與前述絕緣層12及電磁波屏蔽層13相同地含有樹脂材料。又，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的依照JIS K 6251求出之軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下，但為150%以上且2000%以下為較佳，為1000%以上且2000%以下為更佳。
藉由密封用薄膜100的軟化點為該範圍內，在適用於用密封用薄膜100來包覆電子零件搭載基板45所具備之凹凸6時，能夠在對凹凸6的形狀具有優異之追隨性而密封之狀態下進行包覆。因此，在藉由包覆該密封用薄膜100而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，藉由將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定在前述範圍內，即使設置在基板5之凹凸6上之高低差具體的大小為如10mm以上那種較大者，亦能夠使密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而追隨。
前述軟化點上之伸長率成為150%以上且3500%以下之密封用薄膜100所具備之包覆層14，與前述絕緣層12及電磁波屏蔽層13相同地含有樹脂材料。作為該樹脂材料，能夠使用與前述絕緣層12及電磁波屏蔽層13相同的樹脂材料。此外，絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中分別所含之樹脂材料，只要係能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下者，可以相同，亦可以不同。
又，為了將密封用薄膜100的前述軟化點上之伸長率設定在前述範圍內，含有上述那樣的樹脂材料之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中，絕緣層12及包覆層14由含有前述樹脂材料作為主材料之層構成，電磁波屏蔽層13由含有前述樹脂材料及具備前述導電性之導電性粒子之層構成。藉由將絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14設為該構成，絕緣層12及包覆層14具有絕緣性，電磁波屏蔽層13具有導電性及電磁波屏蔽性這二者。
形成上述那樣的構成且具備均含有樹脂材料之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14之密封用薄膜100，將含有前述樹脂材料中的聚烯烴系樹脂作為前述樹脂材料之層，作為絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的至少一層而具備為較佳。藉此，能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率更確實地設定為150%以上且3500%以下。
因此，以下，將絕緣層12及包覆層14中所含之樹脂材料均為聚烯烴系樹脂之密封用薄膜100作為一例來進行說明。
為了將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下，從而設為對凹凸6的黏附性及形狀追隨性優異者，在本實施形態中，包覆層14係含有作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料之層。
又，包覆層14係藉由含有作為樹脂材料之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料從而具備絕緣性之層，在用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，藉由包覆具有導電性之電磁波屏蔽層13的與電子零件4相反的表面側，從而作為用於確保對位於電子零件搭載基板45的外側之其他電子零件之絕緣性之層而發揮功能。
作為該乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，進行共聚之VA含量設定在與前述絕緣層12中顯示之進行共聚之VA含量相同的範圍內。
又，包覆層14的平均厚度為5μm以上且200μm以下為較佳，為20μm以上且120μm以下為更佳。藉由將包覆層14的平均厚度設定在該範圍內，能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率更確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。又，能夠更確實地確保電磁波屏蔽層13對位於包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的外側之電子零件之絕緣性。
此外，作為包覆層14中所含之樹脂材料，除了與絕緣層12相同的作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以外，亦可以為前述電磁波屏蔽層13中所含之離子聚合物樹脂，亦可以為除乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以外的聚烯烴系樹脂。
又，密封用薄膜100中，亦能夠在絕緣層12與電磁波屏蔽層13之間以及在電磁波屏蔽層13與包覆層14之間賦予黏接性，或者為了提高黏接性，亦能夠視需要而設置黏接層。又，為了提高絕緣層12與電子零件搭載基板45之間的黏接性，亦能夠視需要而在絕緣層12的內側亦即在絕緣層12與基板5之間設置與前述第1實施形態相同的黏接層。
而且，關於製造積層有絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14之密封用薄膜100之製造方法，並無特別限定，例如，能夠藉由使用公知的共擠出法、乾式積層法、擠出積層法、塗佈積層等進行成膜及積層來獲得。
此處，藉由將密封用薄膜100設為上述那樣的構成之具備絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14之多層體，能夠比較容易將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦在加熱密封用薄膜100時，密封用薄膜100成為具有優異之伸縮性者，因此能夠更確實地提高密封用薄膜100對凹凸6之形狀追隨性。而且，能夠在密封用薄膜100與基板5之間、以及在密封用薄膜100與電子零件4之間維持優異之黏附性，因此能夠更確實地抑制或防止由於藉由反覆驅動電子零件搭載基板45而產生之發熱引起之密封用薄膜100之從電子零件搭載基板45發生之剝離。
作為密封用薄膜100整體之平均厚度，為10μm以上且700μm以下為較佳，為20μm以上且400μm以下為更佳。藉由將密封用薄膜100的平均厚度設定在該範圍內，能夠在密封用薄膜100的中途確實地抑制或防止密封用薄膜100的斷裂，並且能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第2實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具備如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖4（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上（圖4（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖4（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態。
此外，密封用薄膜100的加熱以及環境的減壓係可以在加熱後進行減壓，亦可以在減壓後進行加熱，但幾乎同時進行加熱和減壓為較佳。藉此，能夠設為使已軟化之密封用薄膜100確實地稍微追隨凹凸6的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖4（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。
此外，在前述加熱減壓步驟中，只要密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而充分地追隨，則能夠省略加壓步驟。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。因此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展。因此，能夠藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，在基板5的上側以優異之黏附性包覆基板5和電子零件4。
而且，在由密封用薄膜100以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4之狀態下對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側，以接觸絕緣層12之狀態包覆基板5和電子零件4。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14的積層體構成。
因此，在本步驟中，經由絕緣層12，由電磁波屏蔽層13包覆電子零件4。因此，能夠將所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50設為確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響者。
而且，電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封，所以電磁波屏蔽層13能夠在確保對該電子零件4之絕緣性之狀態下包覆電子零件4。又，電磁波屏蔽層13在與電子零件4的相反一側的表面被包覆層14包覆，所以，對位於所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的外側之其他電子零件，電磁波屏蔽層13亦能夠在確保絕緣性之狀態下包覆電子零件搭載基板45。
此外，密封用薄膜100的冷卻以及環境的加壓係可以在加壓後進行冷卻，但幾乎同時進行冷卻和加壓為較佳。藉此，能夠對應於凹凸6的形狀而使密封用薄膜100以更優異之黏附性進行包覆。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第3實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第3實施形態進行說明。
圖5係表示本發明的密封用薄膜的第3實施形態之縱剖面圖，圖6中，圖6（a）～圖6（c）係用於使用圖5所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖5、圖6中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第3實施形態進行說明，但以不同於前述第1及第2實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第3實施形態中，密封用薄膜100所具備之包覆層14的構成不同，除此以外，與前述第2實施形態相同。
如圖5、圖6所示，在第3實施形態的密封用薄膜100中，包覆層14形成為比電磁波屏蔽層13大，其端部從電磁波屏蔽層13的端部（邊緣部）露出。換言之，包覆層14具備藉由超過電磁波屏蔽層13的端部突出而形成之突出部15（第1突出部）。
若使用該種密封用薄膜100，相對於在上表面（一表面）側搭載有電子零件4之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而進行包覆，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，包覆層14所具備之突出部15構成為能夠折入基板5的下表面（另一表面）側。因此，能夠由該突出部15包覆基板5的下表面的端部51。因此，藉由本實施形態的密封用薄膜100，不僅基板5的上表面側，而且基板5的下表面上之端部51亦能夠被包覆層14包覆，從而能夠以更優異之氣密性包覆電子零件搭載基板45。因此，在由密封用薄膜100包覆而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。
又，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部15而包覆端部51時，能夠確實地抑制或防止在突出部15彎曲而成的彎曲部發生之斷裂。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使突出部15彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施突出部15從基板5的上表面側向下表面側的折入。
又，密封用薄膜100中之、超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之包覆層14的突出部15的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部15的長度設定在該範圍內，能夠將突出部15從基板5的上表面側折入下表面側並且到達至基板5的下表面上之端部51，因此確實地實現由突出部15進行之端部51的包覆。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第3實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具備如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由使突出部15折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與基板5的下表面上之端部51接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部15與基板5的下表面上之端部51接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖6（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
而且，此時，將超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之包覆層14的突出部15折入基板5的下表面側，藉此，使突出部15與端部51接觸（圖6（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖6（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠包覆端部51之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下側成為稍微包覆端部51之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態，而且能夠設為突出部15折入基板5的下表面側而能夠包覆端部51之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖6（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且以優異之黏附度包覆端部51，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展。因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上側包覆基板5和電子零件4，而且包覆端部51。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部15而使其與端部51接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部15彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及端部51之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，由密封用薄膜100，以如下狀態獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，該狀態亦即，在基板5的上側，以接觸絕緣層12之狀態包覆基板5和電子零件4，且在基板5的下側，所折入之包覆層14的突出部15包覆端部51。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第4實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第4實施形態進行說明。
圖7係表示本發明的密封用薄膜的第4實施形態之縱剖面圖，圖8中，圖8（a）～圖8（c）係用於使用圖7所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖7、圖8中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第4實施形態進行說明，但以不同於前述第1～第3實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第4實施形態中，密封用薄膜100所具備之絕緣層12及包覆層14的構成不同，除此以外，與前述第2實施形態相同。
如圖7、圖8所示，在第4實施形態的密封用薄膜100中，絕緣層12及包覆層14分別形成為比電磁波屏蔽層13大，它們的端部從電磁波屏蔽層13的端部（邊緣部）露出。換言之，絕緣層12及包覆層14具備藉由超過電磁波屏蔽層13的端部突出而形成之突出部15（第1突出部）及突出部16（第3突出部）。而且，該等突出部15和突出部16形成積層突出部65，該積層突出部65藉由在超過電磁波屏蔽層13的端部之位置進行積層而設置。
若使用該種密封用薄膜100，相對於在上表面（一表面）側搭載有電子零件4之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而進行包覆，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，藉由積層突出部15和突出部16而形成之積層突出部65構成為能夠折入基板5的下表面（另一表面）側。因此，能夠由該積層突出部65所具備之突出部15包覆基板5的下表面的端部51。因此，藉由本實施形態的密封用薄膜100，不僅能夠包覆基板5的上表面側，還能夠由積層突出部65包覆基板5的下表面上之端部51，從而能夠以更優異之氣密性包覆電子零件搭載基板45。因此，在由密封用薄膜100包覆而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。
又，積層突出部65中，該等突出部15和突出部16藉由在超過電磁波屏蔽層13的端部之位置進行積層而形成，並且電磁波屏蔽層13的端部亦被絕緣層12及包覆層14包覆，藉此，能夠更確實地確保電磁波屏蔽層13對位於電子零件4及電子零件搭載基板45的外側之電子零件之絕緣性。
而且，與前述第1實施形態相同地，前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入積層突出部65而包覆端部51時，能夠確實地抑制或防止在積層突出部65彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
又，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使積層突出部65彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施積層突出部65從基板5的上表面側向下表面側的折入。
而且，密封用薄膜100中之、超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之積層突出部65的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將積層突出部65的長度設定在該範圍內，能夠將積層突出部65從基板5的上表面側折入下表面側並且到達基板5的下表面上之端部51，因此能夠確實地實現由積層突出部65進行之端部51的包覆。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第4實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由將積層突出部65折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與基板5的下表面上之端部51接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在積層突出部65與基板5的下表面上之端部51接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖8（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
而且，此時，將超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之積層突出部65折入基板5的下表面側，藉此，使積層突出部65與端部51接觸（圖8（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖8（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠包覆端部51之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下側成為稍微包覆端部51之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態，而且能夠設為積層突出部65折入基板5的下表面側而能夠包覆端部51之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖8（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且以優異之黏附度包覆端部51，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展。因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上側包覆基板5和電子零件4，而且包覆端部51。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入積層突出部65而使其與端部51接觸時，能夠確實地抑制或防止在積層突出部65彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及端部51之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，由密封用薄膜100，以如下狀態獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，該狀態亦即，在基板5的上側，以接觸絕緣層12之狀態包覆基板5和電子零件4，且在基板5的下側，所折入之積層突出部65包覆端部51。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第5實施形態＞ 然後，對本發明的密封用薄膜100的第5實施形態進行說明。
圖9係表示本發明的密封用薄膜的第5實施形態之縱剖面圖，圖10中，圖10（a）～圖10（c）係用於使用圖9所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖9、圖10中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第5實施形態進行說明，但以不同於前述第1～第4實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第5實施形態中，密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13及包覆層14的構成不同，而且，使用該密封用薄膜100進行包覆之電子零件搭載基板45的構成不同，除此以外，與前述第2實施形態相同。
圖9、如圖10所示，在第5實施形態的密封用薄膜100中，電磁波屏蔽層13及包覆層14形成為比絕緣層12大。藉此，電磁波屏蔽層13及包覆層14中位於絕緣層12側之電磁波屏蔽層13的端部從絕緣層12的端部（邊緣部）露出。換言之，電磁波屏蔽層13具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17（第2突出部）。
又，如圖10所示，第5實施形態的由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部；及電極3，與該電子零件4電連接且形成於基板5的上表面（一表面）側的端部52。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面上搭載電子零件4及電極3，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。此外，作為電極3，例如可舉出用於與從外部供電之電源連接之電極、位於電子零件搭載基板45的外側且用於與其他電子零件電連接之電極及用於將電子零件4接地之接地電極等。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4及電極3之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而用密封用薄膜100進行包覆，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，電磁波屏蔽層13在電磁波屏蔽層13所具備之突出部17，從絕緣層12露出。因此，能夠設為使該突出部17與形成於基板5的上表面的端部52之電極3接觸之狀態。因此，由於該突出部17由電磁波屏蔽層13構成且具有導電性，所以在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接。此外，本實施形態中，由於在電磁波屏蔽層13的上表面的大致整個面上形成有包覆層14，所以在確保經由電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接時，形成去除一部分包覆層14而露出電磁波屏蔽層13之露出部，並在該露出部，藉由電連接電磁波屏蔽層13與外部來實現該連接。
又，密封用薄膜100中之、超過絕緣層12的端部而突出之電磁波屏蔽層13的突出部17的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部17的長度設定在該範圍內，能夠由該突出部17包覆位於基板5的上側之電極3而實現突出部17與電極3的電連接。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第5實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且使突出部17與基板5的上表面（一表面）側的電極3接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部17與電極3接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5、電子零件4及電極3。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖10（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5、電子零件4及電極3之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
此時，由位於密封用薄膜100的中央部之絕緣層12包覆電子零件4，且由超過絕緣層12的端部而突出之突出部17包覆電極3（圖10（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖10（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4及電極3而形成之凹凸6的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4及電極3的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖10（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4及電極3的形狀），在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此能夠藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，在基板5的上側以優異之黏附性包覆基板5、電子零件4及電極3。
而且，在由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5、電子零件4及電極3之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側，以接觸絕緣層12之狀態包覆基板5和電子零件4，而且以接觸電磁波屏蔽層13之狀態包覆電極3。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14的積層體構成，電磁波屏蔽層13在其端部具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17。而且，本實施形態中，該突出部17不經由絕緣層12而直接包覆電極3。藉此，電極3與具有導電性之突出部17（電磁波屏蔽層13）電連接，因此在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部17之電極3與外部的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第6實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第6實施形態進行說明。
圖11係表示本發明的密封用薄膜的第6實施形態之縱剖面圖，圖12中，圖12（a）～圖12（c）係用於使用圖11所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖11、圖12中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第6實施形態進行說明，但以不同於前述第1～第5實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第6實施形態中，密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13及包覆層14的構成不同，而且，使用該密封用薄膜100進行包覆之電子零件搭載基板45的構成不同，除此以外，與前述第2實施形態相同。
如圖11、圖12所示，在第6實施形態的密封用薄膜100中，電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大，其端部從絕緣層12的端部（邊緣部）露出。換言之，電磁波屏蔽層13具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17（第2突出部）。而且，包覆層14形成為比電磁波屏蔽層13大，其端部從電磁波屏蔽層13的端部（邊緣部）露出。換言之，包覆層14具備藉由超過電磁波屏蔽層13的端部突出而形成之突出部15（第1突出部）。
又，如圖12所示，第6實施形態的由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部；以及電極3，與該電子零件4電連接，且形成於基板5的上表面（一表面）側的端部。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面上搭載電子零件4及電極3，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4及電極3之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而用密封用薄膜100進行包覆，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
又，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，電磁波屏蔽層13在電磁波屏蔽層13所具備之突出部17，從絕緣層12露出。因此，能夠設為使該突出部17與形成於基板5的上表面的端部52之電極3接觸之狀態。因此，由於該突出部17由電磁波屏蔽層13構成且具有導電性，所以在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接。此外，本實施形態中，由於在電磁波屏蔽層13的上表面的大致整個面上形成有包覆層14，所以在確保經由電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接時，形成去除一部分包覆層14而露出電磁波屏蔽層13之露出部，並在該露出部，藉由電連接電磁波屏蔽層13與外部來實現該連接。
而且，本實施形態中，包覆層14所具備之突出部15構成為能夠折入基板5的下表面（另一表面）側。因此，能夠由該突出部15包覆基板5的下表面的端部51。因此，藉由本實施形態的密封用薄膜100，不僅基板5的上表面側，而且基板5的下表面上之端部51亦能夠被包覆層14包覆，從而能夠以更優異之氣密性包覆電子零件搭載基板45。因此，在由密封用薄膜100包覆而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。
又，與前述第1實施形態相同地，前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部15而包覆端部51時，能夠確實地抑制或防止在突出部15彎曲而成的彎曲部發生之斷裂。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使突出部15彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施突出部15從基板5的上表面側向下表面側的折入。
又，密封用薄膜100中之、超過絕緣層12的端部而突出之電磁波屏蔽層13的突出部17的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部17的長度設定在該範圍內，能夠由該突出部17包覆位於基板5的上側之電極3而實現突出部17與電極3的電連接。
又，密封用薄膜100中之、超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之包覆層14的突出部15的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部15的長度設定在該範圍內，能夠將突出部15從基板5的上表面側折入下表面側並且到達至基板5的下表面上之端部51，因此確實地實現由突出部15進行之端部51的包覆。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第6實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，使突出部17與基板5的上表面（一表面）側的電極3接觸，並且藉由使突出部15折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與基板5的下表面上之端部51接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部17與電極3接觸，且突出部15與基板5的下表面上之端部51接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5、電子零件4及電極3。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖12（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5、電子零件4及電極3之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
此時，由位於密封用薄膜100的中央部之絕緣層12包覆電子零件4，且由超過絕緣層12的端部而突出之突出部17包覆電極3。而且，將超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之包覆層14的突出部15折入基板5的下表面側，藉此，使突出部15與端部51接觸（圖12（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖12（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4及電極3而形成之凹凸6的形狀之狀態。而且，在基板5的下表面側，成為能夠包覆端部51之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4及電極3的形狀之狀態，在基板5的下側成為稍微包覆端部51之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態，而且能夠設為突出部15折入基板5的下表面側而能夠包覆端部51之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖12（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4及電極3的形狀），而且以優異之黏附度包覆端部51，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展。因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上側包覆基板5、電子零件4及電極3、而且包覆基板5的下側之端部51。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部15而使其與端部51接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部15彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5、電子零件4及電極3之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，由密封用薄膜100，以如下狀態獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，該狀態亦即，在基板5的上側，以接觸絕緣層12之狀態包覆基板5和電子零件4，又，以接觸電磁波屏蔽層13之狀態包覆電極3，而且在基板5的下側，所折入之包覆層14的突出部15包覆端部51。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14的積層體構成，電磁波屏蔽層13在其端部具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17。而且，本實施形態中，該突出部17不經由絕緣層12而直接包覆電極3。藉此，電極3與具有導電性之突出部17（電磁波屏蔽層13）電連接，因此在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部17之電極3與外部的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第7實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第7實施形態進行說明。
圖13係表示本發明的密封用薄膜的第7實施形態之縱剖面圖，圖14中，圖14（a）～圖14（c）係用於使用圖13所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖13、圖14中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第7實施形態進行說明，但以不同於前述第1～第6實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第7實施形態中，密封用薄膜100所具備之絕緣層12及電磁波屏蔽層13的構成不同，而且，使用該密封用薄膜100進行包覆之電子零件搭載基板45的構成不同，除此以外，與前述第2實施形態相同。
圖13、如圖14所示，在第7實施形態的密封用薄膜100中，絕緣層12及電磁波屏蔽層13形成為比包覆層14大。藉此，絕緣層12及電磁波屏蔽層13中位於包覆層14側之電磁波屏蔽層13的端部從包覆層14的端部（邊緣部）露出。換言之，電磁波屏蔽層13具備藉由超過包覆層14的端部突出而形成之突出部18（第4突出部）。
又，如圖14所示，第7實施形態的由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部；及電極3，與該電子零件4電連接且形成於基板5的上表面（一表面）側的端部52。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面上搭載電子零件4及電極3，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4及電極3之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而用密封用薄膜100進行包覆，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，電磁波屏蔽層13在電磁波屏蔽層13所具備之突出部18從包覆層14露出，而且，該突出部18構成為，能夠以突出部18與電極3能夠相對向之方式，折入基板5的上表面（一表面）側。因此，能夠設為使該突出部18與形成於基板5的上表面的端部52之電極3接觸之狀態。因此，由於該突出部18由電磁波屏蔽層13構成且具有導電性，所以在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接。此外，本實施形態中，由於在除電磁波屏蔽層13的上表面的突出部18以外的大致整個面上形成有包覆層14，所以在確保經由電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接時，形成去除一部分包覆層14而露出電磁波屏蔽層13之露出部，並在該露出部，藉由電連接電磁波屏蔽層13與外部來實現該連接。
又，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，在為了使基板5的上表面的電極3與突出部18相對向而折入突出部18時，能夠確實地抑制或防止在突出部18彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使突出部18彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施用於使基板5的上表面的電極3與突出部18相對向之突出部18的折入。
又，密封用薄膜100中之、超過包覆層14的端部而突出之電磁波屏蔽層13的突出部18的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部18的長度設定在該範圍內，能夠由該突出部18包覆位於基板5的上側之電極3，從而實現突出部18與電極3的電連接。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第7實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本發明的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由折入突出部18而使其與基板5的上表面（一表面）的電極3相對向之後進行接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部18與電極3接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5、電子零件4及電極3。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖14（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5、電子零件4及電極3之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
此時，由密封用薄膜100的絕緣層12包覆電子零件4，並折入超過包覆層14的端部而突出之突出部18，藉此由該突出部18包覆電極3（圖14（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖14（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4及電極3而形成之凹凸6的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為在電極3與突出部18保持接觸之狀態下，稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4及電極3的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖14（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4及電極3的形狀），在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展。因此，能夠藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，在基板5的上側以優異之黏附性包覆基板5、電子零件4及電極3。又，在藉由折入突出部18而使其與電極3相對向之後進行接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部18彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5、電子零件4及電極3之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側，以接觸絕緣層12之狀態包覆基板5和電子零件4，而且以接觸電磁波屏蔽層13之狀態包覆電極3。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14的積層體構成，電磁波屏蔽層13在其端部具備藉由超過包覆層14的端部突出而形成之突出部18。而且，本實施形態中，該突出部18不經由包覆層14而直接包覆電極3。藉此，由於電極3與具有導電性之突出部18（電磁波屏蔽層13）電連接，因此在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部18之電極3與外部的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第8實施形態＞ 然後，對本發明的密封用薄膜100的第8實施形態進行說明。
圖15係表示本發明的密封用薄膜的第8實施形態之縱剖面圖，圖16中，圖16（a）～圖16（c）係用於使用圖15所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖15、圖16中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第8實施形態進行說明，但以不同於前述第1～第7實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第8實施形態中，密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13及包覆層14的構成不同，而且，使用該密封用薄膜100進行包覆之電子零件搭載基板45的構成不同，除此以外，與前述第1實施形態相同。
如圖15、圖16所示，在第8實施形態的密封用薄膜100中，電磁波屏蔽層13及包覆層14形成為比絕緣層12大。藉此，電磁波屏蔽層13及包覆層14中位於絕緣層12側之電磁波屏蔽層13的端部從絕緣層12的端部（邊緣部）露出。換言之，電磁波屏蔽層13具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17（第2突出部）。
又，如圖16所示，第8實施形態的由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部；以及電極3，與該電子零件4電連接，且形成於基板5的下表面（另一表面）側的端部51。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面搭載電子零件4，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4及電極3之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而用密封用薄膜100進行包覆，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，電磁波屏蔽層13所具備之突出部17構成為能夠折入基板5的下表面側。因此，能夠設為使該突出部17與形成於基板5的下表面的端部51之電極3接觸之狀態。因此，由於該突出部17由電磁波屏蔽層13構成且具有導電性，所以在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接。此外，本實施形態中，由於在電磁波屏蔽層13的上表面的大致整個面上形成有包覆層14，所以在確保經由電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接時，形成去除一部分包覆層14而露出電磁波屏蔽層13之露出部，並在該露出部，藉由電連接電磁波屏蔽層13與外部來實現該連接。
又，與前述第1實施形態相同地，前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部17，在包覆設置在端部51之電極3時，能夠確實地抑制或防止在突出部17彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使突出部17彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施突出部17從基板5的上表面側向下表面側的折入。
又，密封用薄膜100中之、超過絕緣層12的端部而突出之電磁波屏蔽層13的突出部17的長度並無特別限定，為0.5cm以上且8.0cm以下為較佳，為1.0cm以上且5.0cm以下為更佳。藉由將突出部17的長度設定在該範圍內，能夠將突出部17從基板5的上表面側折入下表面側並且到達形成於基板5的下表面上之端部51之電極3，因此能夠確實地實現基於突出部17之電極3的電連接。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了本實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由將突出部17折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與電極3接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部17與電極3接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖16（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
而且，此時，將超過絕緣層12的端部而突出之突出部17折入基板5的下表面側，藉此，使突出部17與電極3接觸（圖16（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖16（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠追隨設置在基板5的下表面的端部51之電極3的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下側成為稍微追隨電極3的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀及形成於下表面側之電極3的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖16（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且在基板5的下側，以優異之黏附度（氣密度）追隨電極3的形狀，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6及電極3具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上側包覆基板5和電子零件4、而且在基板5的下側包覆電極3。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部17而使其與電極3接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部17彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及電極3之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側，以接觸絕緣層12之狀態包覆基板5和電子零件4，且在基板5的下側，以接觸電磁波屏蔽層13之狀態包覆基板5。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14的積層體構成，但電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大，在其中央部積層有絕緣層12，而在端部具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17。而且，該突出部17藉由折入基板5的下側而直接包覆電極3。藉此，電極3與突出部17（電磁波屏蔽層13）電連接，因此在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部17之電極3與外部的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第9實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第9實施形態進行說明。
圖17係表示本發明的密封用薄膜的第9實施形態之縱剖面圖，圖18中，圖18（a）～圖18（c）係用於使用圖17所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖17、圖18中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第9實施形態進行說明，但以不同於前述第1～第8實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
如圖17、圖18所示，第9實施形態中，密封用薄膜100所具備之絕緣層12形成為比電磁波屏蔽層13大，除此以外，與前述第1實施形態相同。 如圖17、圖18所示，密封用薄膜100由具備絕緣層12及積層於該絕緣層12的一表面側（上表面側）之電磁波屏蔽層13之積層體構成。而且，絕緣層12形成為比電磁波屏蔽層13大，其端部從電磁波屏蔽層13的端部（邊緣部）露出。換言之，絕緣層具備藉由超過電磁波屏蔽層13的端部突出而形成之突出部16。
此處，如圖18所示，本實施形態中，由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；及電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面搭載電子零件4，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。此外，作為基板5，例如可舉出印刷配線基板，作為搭載於基板5上之電子零件4，例如可舉出半導體元件、電容器、線圈、連接器及電阻等。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將電磁波屏蔽層13作為上側而用密封用薄膜100進行包覆，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。因此，所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50成為確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響者。
又，電子零件4經由具備超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之突出部16之絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封，從而能夠確實地防止在電子零件4與電磁波屏蔽層13之間發生之短路，所以電磁波屏蔽層13確保對該電子零件4之絕緣性。
而且，該密封用薄膜100的依照JIS K 6251求出之軟化點上之伸長率成為150%以上且3500%以下。
藉由密封用薄膜100的軟化點為該範圍內，在由密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，能夠在對電子零件搭載基板45所具備之包括凸部61和凹部62之凹凸6具有優異之追隨性而進行密封之狀態下進行包覆。因此，在藉由包覆該密封用薄膜100而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，藉由將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定在前述範圍內，即使設置在基板5之凹凸6上之高低差，作為具體的大小為如10mm以上那種較大者，亦能夠使密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而追隨。
此處，本實施形態的藉由將密封用薄膜100設為上述那樣的構成之具備電磁波屏蔽層13及絕緣層12之多層體，能夠比較容易將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下。該伸長率為150%以上且3500%以下即可，但為1000%以上且3500%以下為較佳，為1000%以上且2000%以下為更佳。藉此，在適用於使用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45所具備之凹凸6時，能夠在對凹凸6的形狀具有優異之追隨性而密封之狀態下進行包覆，且能夠確實地抑制或防止在密封用薄膜100的中途斷裂。
而且，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳，為5ppm/K以上且50ppm/K以下為更佳。若密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為該種範圍的值，則在加熱密封用薄膜100時，密封用薄膜100成為具有優異之伸縮性者，因此能夠更確實地提高密封用薄膜100對凹凸6之形狀追隨性。而且，能夠在密封用薄膜100與基板5、以及密封用薄膜100與電子零件4之間維持優異之黏附性，因此能夠更確實地抑制或防止由於藉由反覆驅動電子零件搭載基板45而產生之發熱引起之密封用薄膜100之從電子零件搭載基板45發生之剝離。
又，密封用薄膜100中之、超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之絕緣層12的突出部16的長度並無特別限定，為0.5cm以上且2.5cm以下為較佳，為0.2cm以上且1.5cm以下為更佳。藉由將突出部16的長度設定在該範圍內，能夠更確實地防止電子零件4與電磁波屏蔽層13非自願地接觸而在該等彼此之間發生短路。
作為密封用薄膜100整體之平均厚度，為10μm以上且700μm以下為較佳，為20μm以上且400μm以下為更佳。藉由將密封用薄膜100的平均厚度設定在該範圍內，能夠在密封用薄膜100的中途確實地抑制或防止密封用薄膜100的斷裂，並且能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述本發明的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法（本發明的電子零件搭載基板之密封方法）進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在經由絕緣層12而由電磁波屏蔽層13包覆電子零件4之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖18（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13及絕緣層12中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
（加熱、減壓步驟） 然後，如圖18（b）所示，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即電磁波屏蔽層13及絕緣層12，其結果，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的上側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45之凹凸6的形狀之狀態。
此外，密封用薄膜100的加熱以及環境的減壓係可以在加熱後進行減壓，亦可以在減壓後進行加熱，但幾乎同時進行加熱和減壓為較佳。藉此，能夠設為使已軟化之密封用薄膜100確實地稍微追隨凹凸6的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖18（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展，其結果，在以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀）之狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。此外，在前述加熱減壓步驟中，只要密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而充分地追隨，則能夠省略加壓步驟。
此時，本發明中，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。因此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此能夠藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，以優異之黏附性包覆基板5和電子零件4。
而且，在由密封用薄膜100以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12及電磁波屏蔽層13的積層體構成，但絕緣層12形成為比電磁波屏蔽層13大，在其中央部積層有電磁波屏蔽層13，而在端部具備藉由超過電磁波屏蔽層13的端部突出而形成之突出部16。
因此，在本步驟中，電磁波屏蔽層13經由絕緣層12的中央部而包覆電子零件4，並以不存在於絕緣層12的端部亦即突出部16之狀態包覆。因此，能夠在確實地確保對電子零件4之絕緣性之狀態下，將所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50設為確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響者。
此外，密封用薄膜100的冷卻以及環境的加壓係可以在加壓後進行冷卻，但幾乎同時進行冷卻和加壓為較佳。藉此，能夠對應於凹凸6的形狀而使密封用薄膜100以更優異之黏附性進行包覆。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第10實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第10實施形態進行說明。
圖19係表示本發明的密封用薄膜的第10實施形態之縱剖面圖，圖20中，圖20（a）～圖20（c）係用於使用圖19所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖19、圖20中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第10實施形態進行說明，但以不同於前述第1～第9實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第10實施形態中，密封用薄膜100所具備之絕緣層12的構成不同，除此以外，與前述第9實施形態相同。
如圖19、圖20所示，在第10實施形態的密封用薄膜100中，形成為比電磁波屏蔽層13大之絕緣層12，與前述第9實施形態的絕緣層12相比形成為更大（沿著面方向而較長）。藉此，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，藉由超過電磁波屏蔽層13的端部突出而形成之突出部16（第1突出部）能夠折入基板5的下表面（另一表面）側。因此，能夠由該突出部16包覆基板5的下表面的端部51。因此，藉由本實施形態的密封用薄膜100，不僅基板5的上表面側，而且基板5的下表面上之端部51亦能夠被絕緣層12包覆，從而能夠以更優異之氣密性包覆電子零件搭載基板45。因此，在由密封用薄膜100包覆而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。
又，密封用薄膜100的前述軟化點上之伸長率成為150%以上且3500%以下，從而在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部16而包覆端部51時，能夠確實地抑制或防止在突出部16彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使突出部16彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施突出部16從基板5的上表面側向下表面側的折入。
又，密封用薄膜100中之、超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之絕緣層12的突出部16的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部16的長度設定在該範圍內，能夠將突出部16從基板5的上表面側折入下表面側並且到達基板5的下表面上之端部51，因此能夠確實地實現由突出部16進行之端部51的包覆。
{電子零件搭載基板之密封方法} 然後，對使用了上述第10實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由將突出部16折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與基板5的下表面上之端部51接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在經由絕緣層12而由電磁波屏蔽層13包覆電子零件4，且突出部16與基板5的下表面上之端部51接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖20（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12及電磁波屏蔽層13中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
而且，此時，將超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之絕緣層12的突出部16折入基板5的下表面側，藉此，使突出部16與端部51接觸（圖20（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖20（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，從而軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12及電磁波屏蔽層13，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠包覆端部51之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下側成為稍微包覆端部51之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態，而且，能夠設為突出部16折入基板5的下表面側而能夠包覆端部51之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖20（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且以優異之黏附度包覆端部51，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。
此時，本實施形態中，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上側包覆基板5和電子零件4，而且包覆端部51。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部16而使其與端部51接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部16彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及端部51之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，由密封用薄膜100，以如下狀態獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，該狀態亦即，在基板5的上側，以接觸絕緣層12之狀態包覆基板5和電子零件4，且在基板5的下側，所折入之絕緣層12的突出部16包覆端部51。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第11實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第11實施形態進行說明。
圖21係表示本發明的密封用薄膜的第11實施形態之縱剖面圖，圖22中，圖22（a）～圖22（c）係用於使用圖21所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖21、圖22中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第11實施形態進行說明，但以不同於前述第1～第10實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第11實施形態中，密封用薄膜100具備在電磁波屏蔽層13的與絕緣層12相反一側（上表面側）進行積層之包覆層14，除此以外，與前述第10實施形態相同。
如圖21、圖22所示，在第11實施形態的密封用薄膜100中，包覆層14與絕緣層12相同地，形成為比電磁波屏蔽層13大，其端部從電磁波屏蔽層13的端部（邊緣部）露出。換言之，包覆層14具備藉由超過電磁波屏蔽層13的端部突出而形成之突出部15（第2突出部）。而且，該等突出部15和突出部16形成積層突出部65，該積層突出部65藉由在超過電磁波屏蔽層13的端部之位置進行積層而設置。
若使用該種密封用薄膜100，相對於在上表面（一表面）側搭載有電子零件4之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而進行包覆，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。本實施形態中，在進行該密封時，由積層有超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之突出部15及突出部16之積層突出部65包覆電磁波屏蔽層13，因此能夠更確實地防止在電子零件4與電磁波屏蔽層13之間發生之短路，所以電磁波屏蔽層13成為更確實地確保對該電子零件4之絕緣性者。又，由於具備包覆電磁波屏蔽層13的上表面之包覆層14，因此能夠確保對位於電子零件搭載基板45的外側之其他電子零件之絕緣性。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，藉由積層突出部15和突出部16而形成之積層突出部65構成為能夠折入基板5的下表面（另一表面）側。因此，能夠由該積層突出部65所具備之突出部16包覆基板5的下表面的端部51。因此，藉由本實施形態的密封用薄膜100，不僅能夠包覆基板5的上表面側，還能夠由積層突出部65包覆基板5的下表面上之端部51，從而能夠以更優異之氣密性包覆電子零件搭載基板45。因此，在由密封用薄膜100包覆而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。
此外，該包覆層14將樹脂材料作為主材料而構成，且能夠使用與前述第2實施形態的包覆層12相同的材料。
而且，本實施形態中，前述軟化點上之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入積層突出部65而包覆端部51時，能夠確實地抑制或防止在積層突出部65彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
又，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使積層突出部65彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施積層突出部65從基板5的上表面側向下表面側的折入。
而且，密封用薄膜100中之、積層突出部65的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將積層突出部65的長度設定在該範圍內，能夠將積層突出部65從基板5的上表面側折入下表面側並且到達基板5的下表面上之端部51，因此能夠確實地實現由突出部16進行之端部51的包覆。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第11實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由將積層突出部65折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與基板5的下表面上之端部51接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在經由絕緣層12而由電磁波屏蔽層13包覆電子零件4，且積層突出部65與基板5的下表面上之端部51接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖22（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12及電磁波屏蔽層13中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
而且，此時，將超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之積層突出部65折入基板5的下表面側，藉此，使積層突出部65與端部51接觸（圖22（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖22（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠包覆端部51之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下側成為稍微包覆端部51之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態，而且能夠設為積層突出部65折入基板5的下表面側而能夠包覆端部51之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖22（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且以優異之黏附度包覆端部51，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。
此時，本實施形態中，由於具備包覆電磁波屏蔽層13的上表面之包覆層14，因此能夠確保對位於電子零件搭載基板45的外側之其他電子零件之絕緣性。又，由積層有超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之突出部15及突出部16之積層突出部65包覆電磁波屏蔽層13，因此能夠更確實地防止在電子零件4與電磁波屏蔽層13之間發生之短路，所以電磁波屏蔽層13成為更確實地確保對該電子零件4之絕緣性者。
又，本發明中，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上側包覆基板5和電子零件4，而且包覆端部51。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入積層突出部65而使其與端部51接觸時，能夠確實地抑制或防止在積層突出部65彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及端部51之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，由密封用薄膜100，以如下狀態獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，該狀態亦即，在基板5的上側，以接觸絕緣層12之狀態包覆基板5和電子零件4，且在基板5的下側，所折入之積層突出部65包覆端部51。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第1參考形態＞ [密封用薄膜] 然後，對密封用薄膜100的第1參考形態進行說明。
圖23係表示本發明的密封用薄膜的第1參考形態之圖（（a）為縱剖面圖，（b）為平面圖），圖24中，圖24（a）～圖24（c）係用於使用圖23所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖23、圖24中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第1參考形態進行說明，但以不同於前述第1～第11實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
如圖23、圖24所示，本實施形態的密封用薄膜100由積層體構成，該積層體具備：最內層12；中間層19，積層於該最內層12的一表面側（上表面側）及最外層14，積層於中間層19的一表面側。亦即，最內層12、中間層19及最外層14從應包覆之電子零件搭載基板45側按順序進行積層。
此處，如圖24所示，本實施形態中，由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部；以及連接構件7，與電子零件4電連接，搭載於基板5的上表面（一表面）側的端部且具有開放端面。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面搭載電子零件4，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。此外，作為基板5，例如可舉出印刷配線基板，作為搭載於基板5上之電子零件4，例如可舉出半導體元件、電容器、線圈及電阻等。又，作為連接構件7，可舉出具備連接端子作為開放端面之連接器等，該連接端子用於在電子零件4與其他電子零件之間進行的資料傳遞、或從電源向電子零件4進行的供電等。
這樣，相對於在上表面側搭載有電子零件4及連接構件7之電子零件搭載基板45，將最內層12作為下側且將最外層14作為上側而使用密封用薄膜100進行包覆，藉此電子零件4被該密封用薄膜100密封，該密封用薄膜100亦即按順序積層有將最內層12設在電子零件4側之最內層12、中間層19及最外層14之積層體。藉此，在藉由包覆該密封用薄膜100而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。另一方面，在對電子零件搭載基板45進行密封時，本參考形態的密封用薄膜100在與連接構件7對應之位置上具有退避部27，因此連接構件7能夠不被密封用薄膜100密封而露出。因此，在包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接，並且能夠基於密封用薄膜100進行電子零件4的密封。
此外，如圖24所示，在電子零件搭載基板45中，連接構件7形成於基板5的上表面上之端部，與此對應地，退避部27在平面視圖中密封用薄膜100的端部切成U字狀或由缺損之切口或缺損部構成。例如，在電子零件搭載基板45中，連接構件7形成於基板5的上表面上之中央部時，與此對應地，退避部27由在平面視圖中密封用薄膜100的中央部以矩形形狀開口之開口部（孔部）構成。
又，該種密封用薄膜100中，最內層12、中間層19及最外層14均含有樹脂材料，並且依照JIS K 6251求出之軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下為較佳，為1000%以上且3500%以下為更佳，為1000%以上且2000%以下為進一步較佳。
藉由密封用薄膜100的在軟化點之伸長率在該範圍內，從而在由密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，能夠在對電子零件搭載基板45所具備之包括凸部61和凹部62之凹凸6具有優異之追隨性而進行密封之狀態下，包覆電子零件4。因此，在藉由包覆該密封用薄膜100而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，藉由將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定在前述範圍內，即使設置在基板5之凹凸6上之高低差，作為具體的大小為如10mm以上那種較大者，亦能夠使密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而追隨。
這樣，從對凹凸6之追隨性等觀點考慮，前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下為較佳，因此，以下，對能夠滿足該伸長率之密封用薄膜100所具備之最內層12、中間層19及最外層14的層的構成進行說明。
前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下之密封用薄膜100所具備之最內層12、中間層19及最外層14，分別含有樹脂材料，藉由適當選擇該樹脂材料的種類，能夠將前述軟化點上之伸長率設定在前述範圍內。作為該樹脂材料，能夠使用與前述絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14相同的樹脂材料。
又，最內層12、中間層19及最外層14中所含之樹脂材料，除了含有上述熱塑性樹脂材料以外，亦可以含有環氧樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚矽氧樹脂這樣的熱硬化性樹脂或丙烯酸樹脂或聚胺酯樹脂這樣的UV硬化性樹脂。
又，為了將密封用薄膜100的前述軟化點上之伸長率設定在前述範圍內，含有上述那樣的樹脂材料之最內層12、中間層19及最外層14的各層由含有前述樹脂材料（熱塑性樹脂材料）作為主材料之層構成，藉此，作為具有絕緣性之絕緣層而發揮功能。
形成上述那樣的構成且具備均含有樹脂材料之最內層12、中間層19及最外層14之密封用薄膜100，將含有前述樹脂材料中的聚烯烴系樹脂作為前述樹脂材料之層，作為最內層12、中間層19及最外層14中的至少一層而具備為較佳。藉此，能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率更確實地設定為150%以上且3500%以下。
因此，以下，將密封用薄膜100作為一例來進行說明，該密封用薄膜100具備含有前述樹脂材料作為主材料之最內層12、中間層19及最外層14，最內層12及最外層14中所含之樹脂材料均為聚烯烴系樹脂。
為了將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下，從而設為對凹凸6的黏附性及形狀追隨性優異者，在本實施形態中，最內層12係含有作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料之層。此外，最內層12具有與前述各實施形態的絕緣層12相同的構成。
又，該最內層12係藉由含有作為樹脂材料之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料從而具備絕緣性之層，在用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，作為用於防止在電子零件4彼此之間發生之短路之層而發揮功能。
作為該乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，進行共聚之VA含量為5重量%以上且30重量%以下為較佳，為10重量%以上且20重量%以下為更佳。若小於前述下限值，則可能很難將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定在前述範圍內。相對於此，若超過前述上限值，則由於顯示構成最內層12之樹脂的結晶部減少且非結晶部增加之傾向，殘留於最內層12之抗氧化劑等添加劑可能會溶出。因此，轉移到電子零件搭載基板45側，其結果，電子零件4的特性上可能會產生不良。
又，最內層12的平均厚度為5μm以上且200μm以下為較佳，為20μm以上且120μm以下為更佳。藉由將最內層12的平均厚度設定在該範圍內，能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率更確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。又，能夠更確實地確保中間層19對電子零件4之絕緣性。
此外，作為最內層12中所含之樹脂材料，除作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以外，亦可以為後述中間層19中所含之離子聚合物樹脂，亦可以為除乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以外的聚烯烴系樹脂。
為了將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下，從而設為對凹凸6的黏附性及形狀追隨性優異者，而且為了將密封用薄膜100設為強韌性優異者，在本實施形態中，中間層19含有作為樹脂材料之離子聚合物樹脂。
藉由該種中間層19，在用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，經由最內層12而包覆配置在基板5的上側之電子零件4。
此處，在本說明書中，作為樹脂材料之離子聚合物樹脂係指，用金屬離子將以下共聚物進行交聯而得之樹脂，能夠使用該等中的1種或組合使用2種，前述共聚物包括將乙烯及（甲基）丙烯酸作為聚合物的構成成分之二元共聚物、或將乙烯、（甲基）丙烯酸及（甲基）丙烯酸酯作為聚合物的構成成分之三元共聚物。
又，作為金屬離子，例如可舉出鉀離子（K+ ）、鈉離子（Na+ ）、鋰離子（Li+ ）、鎂離子（Mg++ ）、鋅離子（Zn++ ）等。該等之中，係鈉離子（Na+ ）或鋅離子（Zn++ ）為較佳。藉此，離子聚合物樹脂中之交聯構造變得穩定，因此能夠更顯著地發揮作為前述中間層19之功能。
而且，將乙烯及（甲基）丙烯酸作為聚合物的構成成分之二元共聚物或將乙烯、（甲基）丙烯酸及（甲基）丙烯酸酯作為聚合物的構成成分之三元共聚物的基於羧基中之陽離子（金屬離子）之中和度，較佳為40mol%以上且75mol%以下。
又，中間層19的平均厚度為1μm以上且400μm以下為較佳，為5μm以上且200μm以下為更佳。藉由將中間層19的平均厚度設定在該範圍內，能夠將密封用薄膜100設為強韌性優異且密封用薄膜100的在軟化點之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內者。
此外，作為中間層19中所含之樹脂材料，除了離子聚合物樹脂以外，還可以為最內層12及最外層14中所含之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或除此以外的聚烯烴系樹脂。
為了將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下，從而設為對凹凸6的黏附性及形狀追隨性優異者，在本實施形態中，最外層14係含有作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料之層。此外，最外層14具有與前述各實施形態的包覆層14相同的構成。
又，最外層14係藉由含有作為樹脂材料之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料從而具備絕緣性之層，在用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，作為用於確保對位於電子零件搭載基板45的外側之其他電子零件之絕緣性之層而發揮功能。
作為該乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，進行共聚之VA含量設定在與前述最內層12中顯示之進行共聚之VA含量相同的範圍內。
又，最外層14的平均厚度為5μm以上且200μm以下為較佳，為20μm以上且120μm以下為更佳。藉由將最外層14的平均厚度設定在該範圍內，能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率更確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。又，能夠更確實地確保中間層19對位於包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的外側之電子零件之絕緣性。
此外，作為最外層14中所含之樹脂材料，除了與最內層12相同的作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以外，亦可以為前述中間層19中所含之離子聚合物樹脂，亦可以為除乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以外的聚烯烴系樹脂。
又，密封用薄膜100中，亦能夠在最內層12與中間層19之間以及在中間層19與最外層14之間賦予黏接性，或者為了提高黏接性，亦能夠視需要而設置黏接層。又，為了提高最內層12與電子零件搭載基板45之間的黏接性，亦能夠視需要而在最內層12的內側亦即最內層12與基板5之間設置黏接層。
作為黏接層中所含之黏接性樹脂，例如能夠適當地使用，於EVA、乙烯-馬來酸酐共聚物、EAA、EEA、乙烯-甲基丙烯酸酯-丙烯酸縮水甘油酯三元共聚物或各種聚烯烴上，將丙烯酸、甲基丙烯酸等單元不飽和脂肪酸、馬來酸、反丁烯二酸、伊康酸等二元不飽和脂肪酸或該等之酸酐接枝而成者，例如，馬來酸接枝的EVA、馬來酸接枝的乙烯-α-烯烴共聚物、苯乙烯系彈性體、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚胺酯樹脂等公知的黏著性樹脂或黏接性樹脂。
而且，關於製造具備積層有最內層12、中間層19及最外層14之退避部27之密封用薄膜100之製造方法，並無特別限定，例如，能夠在使用公知的共擠出法、乾式積層法、擠出積層法、塗佈積層等進行成膜及積層之後，藉由切下與連接構件7對應之位置而形成退避部27來獲得。
此處，藉由將密封用薄膜100設為上述那樣的構成之具備最內層12中間層19及最外層14之多層體，能夠比較容易將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下。
此外，這樣，只要能夠將軟化點上之伸長率設定為150%以上且3500%以下，則密封用薄膜100亦可以係省略了最外層14之兩層構成者，亦可以係省略了最外層14及中間層19之一層構成者。亦即，密封用薄膜100只要係具有一層以上的將聚烯烴系樹脂這樣的熱塑性樹脂作為主材料之層者即可。
又，斷裂伸長（軟化點上之伸長率）的測定，能夠使用精密萬能試驗機裝置（例如，SHIMADZU CORPORATION製造、AUTOGRAPH AGS-X等），依照JIS K 6251中記載之方法來進行測定。
又，密封用薄膜100的軟化點，能夠使用動態黏彈性測定裝置（例如，Seiko Instruments Inc.製造，EXSTAR6000等），以夾頭間距離20mm、升溫速度5℃/分鐘以及角頻率10Hz之條件來進行測定。
而且，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳，為5ppm/K以上且50ppm/K以下為更佳。若密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為該種範圍的值，則在加熱密封用薄膜100時，密封用薄膜100成為具有優異之伸縮性者，因此能夠更確實地提高密封用薄膜100對凹凸6之形狀追隨性。而且，能夠在密封用薄膜100與基板5之間、以及在密封用薄膜100與電子零件4之間維持優異之黏附性，因此能夠更確實地抑制或防止由於藉由反覆驅動電子零件搭載基板45而產生之發熱引起之密封用薄膜100之從電子零件搭載基板45發生之剝離。此外，密封用薄膜100的線膨脹係數，例如能夠使用動態黏彈性測定裝置（例如，Seiko Instruments Inc.製造，EXSTAR6000等）來計算。
作為密封用薄膜100整體之平均厚度，為10μm以上且700μm以下為較佳，為20μm以上且400μm以下為更佳。藉由將密封用薄膜100的平均厚度設定在該範圍內，能夠在密封用薄膜100的中途確實地抑制或防止密封用薄膜100的斷裂，並且能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第1參考形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本參考形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4且退避部27與連接構件7對應之方式，將最內層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此連接構件7不被密封而用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖24（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之最內層12、中間層19及最外層14中的最內層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上（圖24（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖24（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即最內層12、中間層19及最外層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態。
此外，密封用薄膜100的加熱以及環境的減壓係可以在加熱後進行減壓，亦可以在減壓後進行加熱，但幾乎同時進行加熱和減壓為較佳。藉此，能夠設為使已軟化之密封用薄膜100確實地稍微追隨凹凸6的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖24（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。 此外，在前述加熱減壓步驟中，只要密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而充分地追隨，則能夠省略加壓步驟。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下為較佳。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展。因此，能夠藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，在基板5的上側以優異之黏附性包覆基板5和電子零件4。
而且，在由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側接觸最內層12而包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，如上所述，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，連接構件7從退避部27露出，因此能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接。
此外，密封用薄膜100的冷卻以及環境的加壓係可以在加壓後進行冷卻，但幾乎同時進行冷卻和加壓為較佳。藉此，能夠對應於凹凸6的形狀而使密封用薄膜100以更優異之黏附性進行包覆。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第12實施形態＞ 然後，對本發明的密封用薄膜100的第12實施形態進行說明。
圖25係表示本發明的密封用薄膜的第12實施形態之圖（（a）為縱剖面圖，（b）為平面圖），圖26中，圖26（a）～圖26（c）係用於使用圖25所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖25、圖26中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第12實施形態進行說明，但以不同於前述第1～第11實施形態及第1參考形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第12實施形態中，密封用薄膜100由具備具有電磁波屏蔽性之電磁波屏蔽層13來代替中間層19之積層體構成，除此以外，與前述第1參考形態相同。
如圖25、圖26所示，本實施形態中，密封用薄膜100由積層體構成，該積層體具備：絕緣層（最內層）12；電磁波屏蔽層13，積層於該絕緣層12的一表面側（上表面側）；及包覆層（最外層）14，積層於電磁波屏蔽層13的一表面側。亦即，絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14從應包覆之電子零件搭載基板45側按順序進行積層。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而使用密封用薄膜100進行包覆，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。因此，所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50成為確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響者。
又，電子零件4經由具有絕緣性之絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封，所以電磁波屏蔽層13成為確保對該電子零件4之絕緣性者。而且，電磁波屏蔽層13在與電子零件4相反一側的表面，被具有絕緣性之包覆層14包覆。因此，電磁波屏蔽層13成為對位於所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的外側之其他電子零件，亦確保絕緣性者。
又，該種密封用薄膜100中，絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14均含有樹脂材料，與前述第1實施形態相同地，依照JIS K 6251求出之軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下，但為1000%以上且3500%以下為較佳。
因此，以下，在本實施形態中，亦對滿足該伸長率之密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14的層的構成進行說明。
前述軟化點上之伸長率成為150%以上且3500%以下之密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14分別含有與在前述第1實施形態中說明之樹脂材料相同的樹脂材料。
又，為了將密封用薄膜100的前述軟化點上之伸長率設定在前述範圍內，含有樹脂材料之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中，絕緣層12及包覆層14由含有前述樹脂材料（熱塑性樹脂）作為主材料之層構成，電磁波屏蔽層13由含有前述樹脂材料（熱塑性樹脂）及具備導電性之導電性粒子之層構成。藉由將絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14設為該構成者，絕緣層12及包覆層14分別作為具有絕緣性之絕緣層及包覆層而發揮功能，電磁波屏蔽層13作為具有電磁波屏蔽性、以及具有導電性之電磁波屏蔽層而發揮功能。
形成上述那樣的構成且具備均含有樹脂材料之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14之密封用薄膜100，與前述第1實施形態相同地，將含有前述樹脂材料中的聚烯烴系樹脂作為前述樹脂材料之層，作為絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的至少一層而具備為較佳。藉此，能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率更確實地設定為150%以上且3500%以下。
因此，以下，將密封用薄膜100作為一例來進行說明，該密封用薄膜100具備：含有前述樹脂材料作為主材料之絕緣層12及包覆層14、以及含有前述樹脂材料及導電性粒子之電磁波屏蔽層13，絕緣層12及包覆層14中所含之樹脂材料均為聚烯烴系樹脂。
為了將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下，從而設為對凹凸6的黏附性及形狀追隨性優異者，在本實施形態中，絕緣層12係含有作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料之層。
又，該絕緣層12係藉由含有作為樹脂材料之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料從而具備絕緣性之層，在用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，藉由插入於電子零件4與具有導電性之電磁波屏蔽層13之間，從而作為用於防止在電子零件4彼此之間、以及在電子零件4與電極3之間發生之短路之絕緣層而發揮功能。
作為該乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，與前述第1實施形態相同地，進行共聚之VA含量為5重量%以上且30重量%以下為較佳，為10重量%以上且20重量%以下為更佳。
又，與前述第1實施形態相同地，絕緣層12的平均厚度為5μm以上且200μm以下為較佳，為20μm以上且120μm以下為更佳。藉此，能夠更確實地確保電磁波屏蔽層13對電子零件4之絕緣性。
為了將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下，從而設為對凹凸6的黏附性及形狀追隨性優異者，而且為了將密封用薄膜100設為強韌性優異者，在本實施形態中，電磁波屏蔽層13含有作為樹脂材料之離子聚合物樹脂。又，樹脂材料（離子聚合物）亦作為在層中保持下述導電性材料之黏接劑而發揮功能。
又，電磁波屏蔽層13係藉由含有除了作為樹脂材料之離子聚合物樹脂以外，還含有具有導電性之導電性粒子從而具備電磁波屏蔽性、以及具備導電性之層。
藉由該種電磁波屏蔽層13，在用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，經由絕緣層12而包覆配置在基板5的上側之電子零件4。因此，能夠將藉由用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50設為確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響者。
作為樹脂材料之離子聚合物樹脂，能夠使用與在前述第1實施形態中說明的離子聚合物樹脂相同者。
又，作為導電性粒子，亦能夠使用與在前述第1實施形態中說明的導電性粒子相同者。
又，電磁波屏蔽層13中之導電性粒子的含量為10重量%以上且95重量%以下為較佳，為50重量%以上且90重量%以下為更佳。藉由將導電性粒子的含量設定在該範圍內，能夠對電磁波屏蔽層13確實地賦予電磁波屏蔽性、而且賦予導電性，並且能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。
又，電磁波屏蔽層13的平均厚度為1μm以上且400μm以下為較佳，為5μm以上且200μm以下為更佳。藉由將電磁波屏蔽層13的平均厚度設定在該範圍內，能夠使密封用薄膜100強韌性優異，且能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。而且，能夠對電磁波屏蔽層13確實地賦予電磁波屏蔽性、而且賦予導電性。
此外，作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，除了離子聚合物樹脂以外，還可以為絕緣層12及包覆層14中所含之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或除此以外的聚烯烴系樹脂。
為了將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定為150%以上且3500%以下，從而設為對凹凸6的黏附性及形狀追隨性優異者，在本實施形態中，包覆層14係含有作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料之層。
又，包覆層14係藉由含有作為樹脂材料之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主材料從而具備絕緣性之層，在用密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，藉由包覆具有導電性之電磁波屏蔽層13的與電子零件4相反的表面側從而作為用於確保對位於電子零件搭載基板45的外側之其他電子零件之絕緣性之包覆層而發揮功能。
作為該乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，進行共聚之VA含量設定在與前述第1實施形態的絕緣層12中顯示之進行共聚之VA含量相同的範圍內。
又，包覆層14的平均厚度為5μm以上且200μm以下為較佳，為20μm以上且120μm以下為更佳。藉此，能夠更確實地確保電磁波屏蔽層13對位於包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的外側之電子零件之絕緣性。
此外，作為包覆層14中所含之樹脂材料，除了與絕緣層12相同的作為聚烯烴系樹脂（乙烯共聚物）之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以外，亦可以為前述電磁波屏蔽層13中所含之離子聚合物樹脂，亦可以為除乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以外的聚烯烴系樹脂。
又，密封用薄膜100中，亦能夠在絕緣層12與電磁波屏蔽層13之間以及在電磁波屏蔽層13與包覆層14之間賦予黏接性，或者為了提高黏接性，亦能夠視需要而設置黏接層。又，為了提高絕緣層12與電子零件搭載基板45之間的黏接性，亦能夠視需要而在絕緣層12的內側亦即在絕緣層12與基板5之間設置黏接層。
而且，作為黏接層中所含之黏接性樹脂，能夠使用與在前述第1實施形態中說明的黏接性樹脂相同的樹脂。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第12實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4且退避部27與連接構件7對應之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖26（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上（圖26（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖26（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態。
此外，密封用薄膜100的加熱以及環境的減壓係可以在加熱後進行減壓，亦可以在減壓後進行加熱，但幾乎同時進行加熱和減壓為較佳。藉此，能夠設為使已軟化之密封用薄膜100確實地稍微追隨凹凸6的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖26（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。 此外，在前述加熱減壓步驟中，只要密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而充分地追隨，則能夠省略加壓步驟。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下為較佳。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此能夠藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，在基板5的上側以優異之黏附性包覆基板5和電子零件4。
而且，在由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側接觸絕緣層12而包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，如上所述，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，連接構件7從退避部27露出，因此能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接。
而且，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14的積層體構成。
因此，在本步驟中，經由絕緣層12，由電磁波屏蔽層13包覆電子零件4。因此，能夠將所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50設為確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響者。
又，電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封，所以電磁波屏蔽層13能夠在確保對該電子零件4之絕緣性之狀態下包覆電子零件4。又，電磁波屏蔽層13在與電子零件4相反一側的表面被包覆層14包覆，所以，對位於所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的外側之其他電子零件，電磁波屏蔽層13亦能夠在確保絕緣性之狀態下包覆電子零件搭載基板45。
此外，密封用薄膜100的冷卻以及環境的加壓係可以在加壓後進行冷卻，但幾乎同時進行冷卻和加壓為較佳。藉此，能夠對應於凹凸6的形狀而使密封用薄膜100以更優異之黏附性進行包覆。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第13實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第13實施形態進行說明。
圖27係表示本發明的密封用薄膜的第13實施形態之圖（（a）為縱剖面圖，（b）為平面圖），圖28係用於使用圖27所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖27、圖28中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第13實施形態進行說明，但以不同於前述第12實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第13實施形態中，密封用薄膜100所具備之包覆層14的構成不同，除此以外，與前述第12實施形態相同。
如圖27、圖28所示，在第13實施形態的密封用薄膜100中，包覆層14形成為比電磁波屏蔽層13大，其端部從電磁波屏蔽層13的端部（邊緣部）露出，換言之，具備藉由超過電磁波屏蔽層13的端部突出而形成之突出部15（第1突出部）。
若使用該種密封用薄膜100，相對於在上表面（一表面）側搭載有電子零件4及連接構件7之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而進行包覆，則連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，包覆層14所具備之突出部15構成為能夠折入基板5的下表面（另一表面）側。因此，能夠由該突出部15包覆基板5的下表面的端部51。因此，藉由本實施形態的密封用薄膜100，不僅基板5的上表面側，而且基板5的下表面上之端部51亦能夠被包覆層14包覆，從而能夠以更優異之氣密性包覆電子零件搭載基板45。因此，在由密封用薄膜100包覆而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。
又，與前述第1實施形態相同地，前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部15而包覆端部51時，能夠確實地抑制或防止在突出部15彎曲而成的彎曲部發生之斷裂。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使突出部15彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施突出部15從基板5的上表面側向下表面側的折入。
又，密封用薄膜100中之、超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之包覆層14的突出部15的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部15的長度設定在該範圍內，能夠將突出部15從基板5的上表面側折入下表面側並且到達至基板5的下表面上之端部51，因此確實地實現由突出部15進行之端部51的包覆。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第13實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由使突出部15折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與基板5的下表面上之端部51接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部15與基板5的下表面上之端部51接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖28（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
而且，此時，將超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之包覆層14的突出部15折入基板5的下表面側，藉此，使突出部15與端部51接觸（圖28（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖28（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，從而軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠包覆端部51之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上表面側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下表面側成為稍微包覆端部51之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態，而且能夠設為突出部15折入基板5的下表面側而能夠包覆端部51之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖6（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且以優異之黏附度包覆端部51，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上側包覆基板5和電子零件4，而且包覆端部51。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部15而使其與端部51接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部15彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及端部51，且連接構件7從退避部27露出之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側接觸絕緣層12而包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出，而且在基板5的下表面側，由所折入之包覆層14的突出部15包覆端部51。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，如上所述，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，連接構件7從退避部27露出，因此能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第14實施形態＞ 然後，對本發明的密封用薄膜100的第14實施形態進行說明。
圖29係表示本發明的密封用薄膜的第4實施形態之圖（圖29（a）為縱剖面圖，圖29（b）為平面圖），圖30中，圖30（a）～圖30（c）係用於使用圖29所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖29、圖30中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第14實施形態進行說明，但以不同於前述第12實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第14實施形態中，密封用薄膜100所具備之絕緣層12及包覆層14的構成不同，除此以外，與前述第12實施形態相同。
如圖29、圖30所示，在第14實施形態的密封用薄膜100中，絕緣層12及包覆層14分別形成為比電磁波屏蔽層13大，它們的端部從電磁波屏蔽層13的端部（邊緣部）露出，換言之，具備藉由超過電磁波屏蔽層13的端部突出而形成之突出部15（第1突出部）及突出部16（第3突出部）。而且，該等突出部15和突出部16形成積層突出部65，該積層突出部65藉由在超過電磁波屏蔽層13的端部之位置進行積層而設置。
若使用該種密封用薄膜100，相對於在上表面（一表面）側搭載有電子零件4及連接構件7之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而進行包覆，則連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，藉由積層突出部15和突出部16而形成之積層突出部65構成為能夠折入基板5的下表面（另一表面）側。因此，能夠由該積層突出部65所具備之突出部15包覆基板5的下表面的端部51。因此，藉由本實施形態的密封用薄膜100，不僅能夠包覆基板5的上表面側，還能夠由積層突出部65包覆基板5的下表面上之端部51，從而能夠以更優異之氣密性包覆電子零件搭載基板45。因此，在由密封用薄膜100包覆而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。
又，積層突出部65中，該等突出部15和突出部16藉由在超過電磁波屏蔽層13的端部之位置進行積層而形成，並且電磁波屏蔽層13的端部亦被絕緣層12及包覆層14包覆，藉此，能夠更確實地確保電磁波屏蔽層13對位於電子零件4及電子零件搭載基板45的外側之電子零件之絕緣性。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入積層突出部65而包覆端部51時，能夠確實地抑制或防止在積層突出部65彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
又，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使突出部15彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施突出部15從基板5的上表面側向下表面側的折入。
而且，密封用薄膜100中之、超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之包覆層14的突出部15的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部15的長度設定在該範圍內，能夠將突出部15從基板5的上表面側折入下表面側並且到達至基板5的下表面上之端部51，因此確實地實現由突出部15進行之端部51的包覆。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第14實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由將積層突出部65折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與基板5的下表面上之端部51接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在積層突出部65與基板5的下表面上之端部51接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖30（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
而且，此時，將超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之積層突出部65折入基板5的下表面側，藉此，使積層突出部65與端部51接觸（圖30（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖30（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠包覆端部51之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上表面側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下表面側成為稍微包覆端部51之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態，而且能夠設為突出部15折入基板5的下表面側而能夠包覆端部51之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖30（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且以優異之黏附度包覆端部51，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上側包覆基板5和電子零件4，而且包覆端部51。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入積層突出部65而使其與端部51接觸時，能夠確實地抑制或防止在積層突出部65彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及端部51，且連接構件7從退避部27露出之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上表面側接觸絕緣層12而包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出，而且在基板5的下表面側，由所折入之積層突出部65包覆端部51。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，如上所述，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，連接構件7從退避部27露出，因此能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第15實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第15實施形態進行說明。
圖31係表示本發明的密封用薄膜的第15實施形態之圖（（a）為縱剖面圖，（b）為平面圖），圖32中，圖32（a）～圖32（c）係用於使用圖31所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖31、圖32中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第15實施形態進行說明，但以不同於前述第12實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第15實施形態中，在密封用薄膜100中省略了包覆層14的形成，除此以外，與前述第12實施形態相同。
如圖31、圖32所示，在第15實施形態的密封用薄膜100中，省略了包覆層14的形成，並且由具備絕緣層12及積層於該絕緣層12的一表面側（上表面側）之電磁波屏蔽層13之積層體構成。亦即，絕緣層12和電磁波屏蔽層13從應包覆之電子零件搭載基板45側按順序進行積層。
若使用該種密封用薄膜100，相對於在上表面（一表面）側搭載有電子零件4及連接構件7之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將電磁波屏蔽層13作為上側而進行包覆，則連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
又，與前述第1實施形態相同地，前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，能夠在對電子零件搭載基板45所具備之包括凸部61和凹部62之凹凸6具有優異之追隨性而進行密封之狀態下，包覆電子零件4。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在對電子零件搭載基板45所具備之包括凸部61和凹部62之凹凸6具有優異之追隨性而進行密封之狀態下，包覆電子零件4。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第15實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法（本發明的電子零件搭載基板之密封方法）進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4且退避部27與連接構件7對應之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖34（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12及電磁波屏蔽層13中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上（圖34（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖34（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，從而軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12及電磁波屏蔽層13，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態。
此外，密封用薄膜100的加熱以及環境的減壓係可以在加熱後進行減壓，亦可以在減壓後進行加熱，但幾乎同時進行加熱和減壓為較佳。藉此，能夠設為使已軟化之密封用薄膜100確實地稍微追隨凹凸6的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖34（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。 此外，在前述加熱減壓步驟中，只要密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而充分地追隨，則能夠省略加壓步驟。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下為較佳。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此能夠藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，在基板5的上側以優異之黏附性包覆基板5和電子零件4。
而且，在由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側接觸絕緣層12而包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，如上所述，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，連接構件7從退避部27露出，因此能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接。
而且，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12及電磁波屏蔽層13的積層體構成。
因此，在本步驟中，經由絕緣層12，由電磁波屏蔽層13包覆電子零件4。因此，能夠將所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50設為確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響者。
又，電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封，所以電磁波屏蔽層13能夠在確保對該電子零件4之絕緣性之狀態下包覆電子零件4。
此外，密封用薄膜100的冷卻以及環境的加壓係可以在加壓後進行冷卻，但幾乎同時進行冷卻和加壓為較佳。藉此，能夠對應於凹凸6的形狀而使密封用薄膜100以更優異之黏附性進行包覆。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第16實施形態＞ 然後，對本發明的密封用薄膜100的第16實施形態進行說明。
圖33係表示本發明的密封用薄膜的第16實施形態之圖（（a）為縱剖面圖，（b）為平面圖），圖34中，圖34（a）～圖34（c）係用於使用圖33所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖33、圖34中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第16實施形態進行說明，但以不同於前述第12實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第16實施形態中，密封用薄膜100所具備之絕緣層12的構成不同，而且省略了包覆層14的形成，除此以外，與前述第12實施形態相同。
如圖33、圖34所示，在第16實施形態的密封用薄膜100中，絕緣層12形成為比電磁波屏蔽層13大，其端部從電磁波屏蔽層13的端部（邊緣部）露出，換言之，具備藉由超過電磁波屏蔽層13的端部突出而形成之突出部16（第3突出部）。
若使用該種密封用薄膜100，相對於在上表面（一表面）側搭載有電子零件4及連接構件7之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將電磁波屏蔽層13作為上側而進行包覆，則連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，突出部16構成為能夠折入基板5的下表面（另一表面）側。因此，能夠由該突出部16包覆基板5的下表面的端部51。因此，藉由本實施形態的密封用薄膜100，不僅能夠包覆基板5的上表面側，還能夠由突出部16包覆基板5的下表面上之端部51，從而能夠以更優異之氣密性包覆電子零件搭載基板45。因此，在由密封用薄膜100包覆而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。
而且，與前述第1實施形態相同地，前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部16而包覆端部51時，能夠確實地抑制或防止在突出部16彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
又，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使突出部16彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施突出部16從基板5的上表面側向下表面側的折入。
而且，密封用薄膜100中之、超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之突出部16的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部16的長度設定在該範圍內，能夠將突出部16從基板5的上表面側折入下表面側並且到達基板5的下表面上之端部51，因此能夠確實地實現由突出部16進行之端部51的包覆。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第16實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由將突出部16折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與基板5的下表面上之端部51接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部16與基板5的下表面上之端部51接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖34（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12及電磁波屏蔽層13中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。 而且，此時，將超過電磁波屏蔽層13的端部而突出之突出部16折入基板5的下表面側，藉此，使突出部16與端部51接觸（圖34（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖34（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，從而軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12及電磁波屏蔽層13，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠包覆端部51之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上表面側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下表面側成為稍微包覆端部51之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態，而且能夠設為突出部15折入基板5的下表面側而能夠包覆端部51之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖36（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且以優異之黏附度包覆端部51，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上側包覆基板5和電子零件4，而且包覆端部51。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部16而使其與端部51接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部16彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及端部51，且連接構件7從退避部27露出之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上表面側接觸絕緣層12而包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出，而且在基板5的下表面側，由所折入之突出部16包覆端部51。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，如上所述，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，連接構件7從退避部27露出，因此能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第17實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第17實施形態進行說明。
圖35係表示本發明的密封用薄膜的第17實施形態之圖（（a）為縱剖面圖，（b）為平面圖），圖36中，圖36（a）～圖36（c）係用於使用圖35所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖35、圖36中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第17實施形態進行說明，但以不同於前述第12實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第17實施形態中，密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13及包覆層14的構成不同，而且，使用該密封用薄膜100進行包覆之電子零件搭載基板45的構成不同，除此以外，與前述第12實施形態相同。
如圖35、圖36所示，在第17實施形態的密封用薄膜100中，電磁波屏蔽層13及包覆層14形成為比絕緣層12大。藉此，電磁波屏蔽層13及包覆層14中位於絕緣層12側之電磁波屏蔽層13的端部從絕緣層12的端部（邊緣部）露出。換言之，電磁波屏蔽層13具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17（第2突出部）。
又，如圖35所示，第17實施形態的由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部；以及與該電子零件4電連接，且形成於基板5的上表面（一表面）側的端部52之連接構件7和電極3。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面上搭載電子零件4及電極3，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。此外，作為電極3，例如可舉出用於與從外部供電之電源連接之電極、位於電子零件搭載基板45的外側且用於與其他電子零件電連接之電極及用於將電子零件4接地之接地電極等。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4、電極3及連接構件7之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而使用密封用薄膜100進行包覆，則連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，電磁波屏蔽層13在其所具備之突出部17，從絕緣層12露出。因此，能夠設為使該突出部17與形成於基板5的上表面的端部52之電極3接觸之狀態。因此，由於該突出部17由電磁波屏蔽層13構成且具有導電性，所以在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接。此外，本實施形態中，由於在電磁波屏蔽層13的上表面的大致整個面上形成有包覆層14，所以在確保經由電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接時，形成去除一部分包覆層14而露出電磁波屏蔽層13之露出部，並在該露出部，藉由電連接電磁波屏蔽層13與外部來實現該連接。
又，密封用薄膜100中之、超過絕緣層12的端部而突出之電磁波屏蔽層13的突出部17的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部17的長度設定在該範圍內，能夠由該突出部17包覆位於基板5的上表面側之電極3，從而實現突出部17與電極3的電連接。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第17實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且使突出部17與基板5的上表面（一表面）側的電極3接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部17與電極3接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5、電子零件4及電極3。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖36（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5、電子零件4及電極3，且退避部27與連接構件7對應之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
此時，由位於密封用薄膜100的中央部之絕緣層12包覆電子零件4，且由超過絕緣層12的端部而突出之突出部17包覆電極3（圖36（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖36（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4及電極3而形成之凹凸6的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4及電極3的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖36（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4及電極3的形狀），在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此能夠藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，在基板5的上側以優異之黏附性包覆基板5、電子零件4及電極3。
而且，在由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5、電子零件4及電極3，且連接構件7從退避部27露出之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側接觸絕緣層12而包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出，而且接觸電磁波屏蔽層13而包覆電極3。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，如上所述，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，連接構件7從退避部27露出，因此能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14的積層體構成，電磁波屏蔽層13在其端部具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17。而且，本實施形態中，該突出部17不經由絕緣層12而直接包覆電極3。藉此，電極3與具有導電性之突出部17（電磁波屏蔽層13）電連接，因此在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部17之電極3與外部的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3，且連接構件7從退避部27露出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第18實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第18實施形態進行說明。
圖37係表示本發明的密封用薄膜的第18實施形態之圖（（a）為縱剖面圖，（b）為平面圖），圖38中，圖38（a）～圖38（c）係用於使用圖37所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖37、圖38中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第18實施形態進行說明，但以不同於前述第12實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第18實施形態中，密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13的構成不同，而且省略了包覆層14的形成，並且使用該密封用薄膜100進行包覆之電子零件搭載基板45的構成不同，除此以外，與前述第12實施形態相同。
如圖37、圖38所示，在第18實施形態的密封用薄膜100中，電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大。藉此，電磁波屏蔽層13的端部從絕緣層12的端部（邊緣部）露出，換言之，具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17（第2突出部）。
又，如圖38所示，第18實施形態的由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部；以及與該電子零件4電連接，且形成於基板5的上表面（一表面）側的端部52之連接構件7和電極3。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面上搭載電子零件4及電極3，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。此外，作為電極3，例如可舉出用於與從外部供電之電源連接之電極、位於電子零件搭載基板45的外側且用於與其他電子零件電連接之電極及用於將電子零件4接地之接地電極等。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4、電極3及連接構件7之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將電磁波屏蔽層13作為上側而用密封用薄膜100進行包覆，則連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，電磁波屏蔽層13在其所具備之突出部17，從絕緣層12露出。因此，能夠設為使該突出部17與形成於基板5的上表面的端部52之電極3接觸之狀態。因此，由於該突出部17由電磁波屏蔽層13構成且具有導電性，所以在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接。
又，密封用薄膜100中之、超過絕緣層12的端部而突出之電磁波屏蔽層13的突出部17的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部17的長度設定在該範圍內，能夠由該突出部17包覆位於基板5的上側之電極3而實現突出部17與電極3的電連接。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述第18實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且使突出部17與基板5的上表面（一表面）側的電極3接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部17與電極3接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5、電子零件4及電極3。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖38（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12及電磁波屏蔽層13中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5、電子零件4及電極3，且退避部27與連接構件7對應之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
此時，由位於密封用薄膜100的中央部之絕緣層12包覆電子零件4，且由超過絕緣層12的端部而突出之突出部17包覆電極3（圖38（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖38（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，從而軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12及電磁波屏蔽層13，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4及電極3而形成之凹凸6的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4及電極3的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖38（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4及電極3的形狀），在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此能夠藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，在基板5的上側以優異之黏附性包覆基板5、電子零件4及電極3。
而且，在由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5、電子零件4及電極3，且連接構件7從退避部27露出之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側接觸絕緣層12而包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出，而且接觸電磁波屏蔽層13而包覆電極3。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，如上所述，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，連接構件7從退避部27露出，因此能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12及電磁波屏蔽層13的積層體構成，電磁波屏蔽層13在其端部具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17。而且，本實施形態中，該突出部17不經由絕緣層12而直接包覆電極3。藉此，電極3與具有導電性之突出部17（電磁波屏蔽層13）電連接，因此在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部17之電極3與外部的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3，且連接構件7從退避部27露出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第19實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第19實施形態進行說明。
圖39係表示本發明的密封用薄膜的第19實施形態之圖（（a）為縱剖面圖，（b）為平面圖），圖40中，圖40（a）～圖40（c）係用於使用圖39所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖39、圖40中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第19實施形態進行說明，但以不同於前述第12實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第19實施形態中，密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13及包覆層14的構成不同，而且，使用該密封用薄膜100進行包覆之電子零件搭載基板45的構成不同，除此以外，與前述第12實施形態相同。
如圖39、圖40所示，在第19實施形態的密封用薄膜100中，電磁波屏蔽層13及包覆層14形成為比絕緣層12大。藉此，電磁波屏蔽層13及包覆層14中位於絕緣層12側之電磁波屏蔽層13的端部從絕緣層12的端部（邊緣部）露出。換言之，電磁波屏蔽層13具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17（第2突出部）。
又，如圖40所示，第19實施形態的由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部；以及與該電子零件4電連接，且形成於基板5的上表面（一表面）側的端部52之連接構件7和形成於基板5的下表面（另一表面）側的端部51之電極3。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面搭載電子零件4，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4及連接構件7且在下表面側搭載有電極3之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將包覆層14作為上側而用密封用薄膜100進行包覆，則連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，電磁波屏蔽層13所具備之突出部17構成為能夠折入基板5的下表面側。因此，能夠設為使該突出部17與形成於基板5的下表面的端部51之電極3接觸之狀態。因此，由於該突出部17由電磁波屏蔽層13構成且具有導電性，所以在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接。此外，本實施形態中，由於在電磁波屏蔽層13的上表面的大致整個面上形成有包覆層14，所以在確保經由電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接時，形成去除一部分包覆層14而露出電磁波屏蔽層13之露出部，並在該露出部，藉由電連接電磁波屏蔽層13與外部來實現該連接。
又，與前述第1實施形態相同地，前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部17，在包覆設置在端部51之電極3時，能夠確實地抑制或防止在突出部17彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使突出部17彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施突出部17從基板5的上表面側向下表面側的折入。
又，密封用薄膜100中之、超過絕緣層12的端部而突出之電磁波屏蔽層13的突出部17的長度並無特別限定，為0.5cm以上且8.0cm以下為較佳，為1.0cm以上且5.0cm以下為更佳。藉由將突出部17的長度設定在該範圍內，能夠將突出部17從基板5的上表面側折入下表面側並且到達形成於基板5的下表面上之端部51之電極3，因此能夠確實地實現基於突出部17之電極3的電連接。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了本實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由將突出部17折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與電極3接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部17與電極3接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖40（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
而且，此時，將超過絕緣層12的端部而突出之突出部17折入基板5的下表面側，藉此，使突出部17與電極3接觸（圖40（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖40（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠追隨設置在基板5的下表面的端部51之電極3的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上表面側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下表面側成為稍微追隨電極3的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀及形成於下表面側之電極3的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖40（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上表面側，連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且在以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且在基板5的下表面側，以優異之黏附度（氣密度）追隨電極3的形狀，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6及電極3具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上表面側包覆基板5和電子零件4、而且在基板5的下表面側包覆電極3。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部17而使其與電極3接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部17彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及電極3，且連接構件7從退避部27露出之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上表面側接觸絕緣層12而包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出，而且在基板5的下表面側接觸電磁波屏蔽層13而包覆電極3。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，如上所述，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，連接構件7從退避部27露出，因此能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14的積層體構成，但電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大，在其中央部積層有絕緣層12，而在端部具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17。而且，該突出部17折入基板5的下表面側從而直接包覆電極3。藉此，電極3與突出部17（電磁波屏蔽層13）電連接，因此在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部17之電極3與外部的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3，且連接構件7從退避部27露出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜＜第20實施形態＞＞ 然後，對本發明的密封用薄膜100的第20實施形態進行說明。
圖41係表示本發明的密封用薄膜的第20實施形態之圖（（a）為縱剖面圖，（b）為平面圖），圖42中，圖42（a）～圖42（c）係用於使用圖41所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖41、圖42中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第20實施形態進行說明，但以不同於前述第12實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第20實施形態中，密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13的構成不同，而且省略了包覆層14的形成，並且使用該密封用薄膜100進行包覆之電子零件搭載基板45的構成不同，除此以外，與前述第12實施形態相同。
如圖41、圖42所示，在第20實施形態的密封用薄膜100中，電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大。藉此，電磁波屏蔽層13的端部從絕緣層12的端部（邊緣部）露出，換言之，具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17（第2突出部）。
又，如圖42所示，第20實施形態的由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部；以及與該電子零件4電連接，且形成於基板5的上表面（一表面）側的端部52之連接構件7和形成於基板5的下表面（另一表面）側的端部51之電極3。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面搭載電子零件4，在基板5上形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4及連接構件7且在下表面側搭載有電極3之電子零件搭載基板45，將絕緣層12作為下側且將電磁波屏蔽層13作為上側而用密封用薄膜100進行包覆，則連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。
而且，本實施形態中，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，電磁波屏蔽層13所具備之突出部17構成為能夠折入基板5的下表面側。因此，能夠設為使該突出部17與形成於基板5的下表面的端部51之電極3接觸之狀態。因此，由於該突出部17由電磁波屏蔽層13構成且具有導電性，所以在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接。
又，與前述第1實施形態相同地，前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。藉此，藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部17，在包覆設置在端部51之電極3時，能夠確實地抑制或防止在突出部17彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，與前述第1實施形態相同地，密封用薄膜100的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下為較佳。這樣，藉由規定密封用薄膜100的線膨脹係數，亦能夠在使突出部17彎曲之彎曲部不發生斷裂而確實地實施突出部17從基板5的上表面側向下表面側的折入。
又，密封用薄膜100中之、超過絕緣層12的端部而突出之電磁波屏蔽層13的突出部17的長度並無特別限定，為0.5cm以上且8.0cm以下為較佳，為1.0cm以上且5.0cm以下為更佳。藉由將突出部17的長度設定在該範圍內，能夠將突出部17從基板5的上表面側折入下表面側並且到達形成於基板5的下表面上之端部51之電極3，因此能夠確實地實現基於突出部17之電極3的電連接。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了本實施形態的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由將突出部17折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與電極3接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部17與電極3接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖42（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之絕緣層12及電磁波屏蔽層13中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4且使退避部27與連接構件7對應之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。 而且，此時，將超過絕緣層12的端部而突出之突出部17折入基板5的下表面側，藉此，使突出部17與電極3接觸（圖42（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖42（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，從而軟化密封用薄膜100亦即絕緣層12及電磁波屏蔽層13，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠追隨設置在基板5的下表面的端部51之電極3的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上表面側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下表面側成為稍微追隨電極3的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀及形成於下表面側之電極3的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖42（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上表面側，連接構件7從退避部27露出而不被密封，並且以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且在基板5的下表面側，以優異之黏附度（氣密度）追隨電極3的形狀，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6及電極3具有更優異之形狀追隨性而進行伸展，因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上表面側包覆基板5和電子零件4、而且在基板5的下表面側包覆電極3。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部17而使其與電極3接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部17彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及電極3，且連接構件7從退避部27露出之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上表面側接觸絕緣層12而包覆基板5和電子零件4，且連接構件7從退避部27露出，而且在基板5的下表面側接觸電磁波屏蔽層13而包覆電極3。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠更確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠更加提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而更加提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，如上所述，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，連接構件7從退避部27露出，因此能夠實現電子零件搭載基板45與其他電子零件或電源的電連接。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12及電磁波屏蔽層13的積層體構成，但電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大，在其中央部積層有絕緣層12，而在端部具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部17。而且，該突出部17藉由折入基板5的下側而直接包覆電極3。藉此，電極3與突出部17（電磁波屏蔽層13）電連接，因此在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部17之電極3與外部的電連接。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3，且連接構件7從退避部27露出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
＜第21實施形態＞ [密封用薄膜] 然後，對本發明的密封用薄膜100的第21實施形態進行說明。
圖43係表示本發明的密封用薄膜的第21實施形態之縱剖面圖，圖44中，圖44（a）～圖44（c）係用於使用圖43所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。此外，以下說明中，為了便於說明，將圖43、圖44中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。
以下，對第21實施形態進行說明，但以不同於前述第1～第20實施形態之方面為中心來進行說明，對於相同事項，省略其說明。
第21實施形態中，密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13及包覆層14的構成不同，而且，使用該密封用薄膜100進行包覆之電子零件搭載基板45的構成不同，除此以外，與前述第1實施形態相同。
如圖43、圖44所示，密封用薄膜100由具備絕緣層12及積層於該絕緣層12的一表面側（上表面側）之電磁波屏蔽層13之積層體構成。亦即，電磁波屏蔽層13在與應包覆之電子零件搭載基板45的相反一側（上表面側）積層於絕緣層12。而且，該電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大，其端部從絕緣層12的端部（邊緣部）露出。換言之，電磁波屏蔽層13具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部15。
此處，如圖44所示，由密封用薄膜100包覆之電子零件搭載基板45具備：基板5；電子零件4，搭載（載置）於基板5的上表面（一表面）側的中央部；以及電極3，與該電子零件4電連接，且形成於基板5的下表面（另一表面）側的端部。在該種電子零件搭載基板45中，藉由在基板5的上表面搭載電子零件4以及在基板5的下表面形成電極3，從而在基板5的上表面及下表面形成包括凸部61和凹部62之凹凸6。此外，作為基板5，例如可舉出印刷配線基板，作為搭載於基板5上之電子零件4，例如可舉出半導體元件、電容器、線圈、連接器及電阻等，作為電極3，例如可舉出用於與從外部供電之電源連接之電極、用於與其他電子零件電連接之電極及用於將電子零件4接地之接地電極等。
這樣，若相對於在上表面側搭載有電子零件4之電子零件搭載基板45，將電磁波屏蔽層13作為上側而用密封用薄膜100進行密封，則電子零件4經由絕緣層12而被電磁波屏蔽層13密封。因此，所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50成為確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響者。
而且，在使用該密封用薄膜100進行包覆時，電磁波屏蔽層13所具備之突出部15構成為能夠折入基板5的下表面側。因此，能夠設為使該突出部15與形成於基板5的下表面側的端部之電極3接觸之狀態。因此，由於該突出部15由電磁波屏蔽層13構成且具有導電性，所以在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該電磁波屏蔽層13之電極3與外部的電連接。
又，與前述第1實施形態相同地，前述軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下，但為150%以上且2000%以下為更佳，為1000%以上且2000%以下為進一步較佳。
藉由該軟化點上之伸長率在該範圍內，從而在由密封用薄膜100包覆電子零件搭載基板45時，能夠在對電子零件搭載基板45所具備之包括凸部61和凹部62之凹凸6具有優異之追隨性而進行密封之狀態下進行包覆。因此，在藉由包覆該密封用薄膜100而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止基板5上的電子零件4與濕氣或灰塵等外部因素接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。而且，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部15而使其與電極3接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部15彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
又，藉由將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率設定在前述範圍內，即使設置在基板5之凹凸6上之高低差，作為具體的大小為如10mm以上那種較大者，亦能夠使密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而追隨。
作為密封用薄膜100整體之平均厚度，為10μm以上且700μm以下為較佳，為20μm以上且400μm以下為更佳。藉由將密封用薄膜100的平均厚度設定在該範圍內，能夠在密封用薄膜100的中途確實地抑制或防止密封用薄膜100的斷裂，並且能夠將密封用薄膜100的在軟化點之伸長率確實地設定在150%以上且3500%以下的範圍內。
又，密封用薄膜100中之、超過絕緣層12的端部而突出之突出部15的長度並無特別限定，為0.1cm以上且5.0cm以下為較佳，為0.5cm以上且2.5cm以下為更佳。藉由將突出部15的長度設定在該範圍內，能夠將突出部15從基板5的上表面側折入下表面側並且到達位於基板5的下表面側之電極3，因此能夠實現突出部15與電極3的電連接。
[電子零件搭載基板之密封方法] 然後，對使用了上述本發明的密封用薄膜之電子零件搭載基板之密封方法（本發明的電子零件搭載基板之密封方法）進行說明。
本實施形態的電子零件搭載基板之密封方法具有如下步驟：配置步驟，以覆蓋基板5和電子零件4之方式，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上，並且藉由將突出部15折入基板5的下表面（另一表面）側而使其與電極3接觸；加熱、減壓步驟，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓；以及冷卻、加壓步驟，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓，藉此在突出部15與電極3接觸之狀態下，用密封用薄膜100密封基板5和電子零件4。
以下，對電子零件搭載基板之密封方法的各步驟按順序進行說明。 （配置步驟） 首先，如圖44（a）所示，在使密封用薄膜100所具備之電磁波屏蔽層13及絕緣層12中的絕緣層12與電子零件搭載基板45相對向之狀態下，以覆蓋電子零件搭載基板45所具備之基板5和電子零件4之方式，將密封用薄膜100配置在電子零件搭載基板45上。
而且，此時，將超過絕緣層12的端部而突出之突出部15折入基板5的下表面側，藉此，使突出部15與電極3接觸（圖44（b））。
（加熱、減壓步驟） 然後，在維持圖44（b）所示之狀態下，加熱軟化密封用薄膜100並且進行減壓。
這樣，藉由對密封用薄膜100進行加熱，軟化密封用薄膜100亦即電磁波屏蔽層13及絕緣層12，其結果，在基板5的上表面側，成為能夠追隨藉由在基板5上搭載電子零件4而形成之凹凸6的形狀之狀態，而且，在基板5的下表面側，成為能夠追隨設置在基板5之電極3的形狀之狀態。
又，此時，藉由將電子零件搭載基板45及密封用薄膜100配置在減壓環境下，不僅密封用薄膜100的外側的氣體（空氣）脫氣，而且在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間的氣體（空氣）亦脫氣。
藉此，密封用薄膜100伸展之同時，在基板5的上側成為稍微追隨凹凸6的形狀亦即基板5上的電子零件4的形狀之狀態，在基板5的下側成為稍微追隨基板5上的電極3的形狀之狀態。
藉由本步驟，能夠設為使密封用薄膜100能夠追隨形成於電子零件搭載基板45的上表面側之凹凸6的形狀及形成於下表面側之電極3的形狀之狀態。
此外，密封用薄膜100的加熱以及環境的減壓係可以在加熱後進行減壓，亦可以在減壓後進行加熱，但幾乎同時進行加熱和減壓為較佳。藉此，能夠設為使已軟化之密封用薄膜100確實地稍微追隨凹凸6的形狀及電極3的形狀之狀態。
（冷卻、加壓步驟） 然後，如圖44（c）所示，冷卻密封用薄膜100並且進行加壓。
這樣，藉由從已減壓之環境開始進行加壓，在前述加熱、減壓步驟中，在電子零件搭載基板45與密封用薄膜100之間進行脫氣，從而維持減壓狀態，所以密封用薄膜100進一步伸展。
其結果，在基板5的上側，以優異之黏附度（氣密度）追隨凹凸6的形狀（電子零件4的形狀），而且在基板5的下側，以優異之黏附度（氣密度）追隨電極3的形狀，在上述狀態下，由已軟化狀態的密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3。
此外，在前述加熱減壓步驟中，只要密封用薄膜100對應於凹凸6的形狀而充分地追隨，則能夠省略加壓步驟。
此時，密封用薄膜100的在軟化點之伸長率成為150%以上且3500%以下。藉此，在進行該加壓時，密封用薄膜100能夠對形成於電子零件搭載基板45之凹凸6及電極3具有更優異之形狀追隨性而進行伸展。因此，藉由已軟化狀態的密封用薄膜100，能夠以優異之黏附性，在基板5的上側包覆基板5和電子零件4、而且在基板5的下側包覆電極3。又，在藉由從基板5的上表面側向下表面側折入突出部15而使其與電極3接觸時，能夠確實地抑制或防止在突出部15彎曲而成之彎曲部發生之斷裂。
而且，在藉由密封用薄膜100，以優異之黏附性（氣密性）包覆基板5和電子零件4、以及電極3之狀態下，對密封用薄膜100進行冷卻，藉此密封用薄膜100在維持該狀態下固化。
藉此，在追隨形成於電子零件搭載基板45上之凹凸6的形狀之狀態下，獲得包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50，其係由密封用薄膜100，在基板5的上側，以接觸絕緣層12之狀態包覆基板5和電子零件4，且在基板5的下側，以接觸電磁波屏蔽層13之狀態包覆基板5和電極3。因此，在該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確實地抑制或防止濕氣或灰塵等外部因素與電子零件4及電極3接觸。因此，能夠提高所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50的可靠性，進而提高具備該包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50之電子設備的可靠性。
又，在包覆上述那樣的電子零件搭載基板45時所使用之密封用薄膜100由絕緣層12及電磁波屏蔽層13的積層體構成，但電磁波屏蔽層13形成為比絕緣層12大，在其中央部積層有絕緣層12，而在端部具備藉由超過絕緣層12的端部突出而形成之突出部15。
因此，在本步驟中，在電磁波屏蔽層13的中央部，經由絕緣層12而包覆電子零件4。因此，能夠獲得確實地抑制或防止電磁波產生之雜訊所致對電子零件4的影響之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
而且，在電磁波屏蔽層13的端部不插入絕緣層12，而藉由具有導電性之突出部15折入基板5的下側來直接包覆電極3。藉此，電極3與突出部15（電磁波屏蔽層13）電連接，因此，在所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50中，能夠確保經由該突出部15之電極3與外部的電連接。
此外，密封用薄膜100的冷卻以及環境的加壓係可以在加壓後進行冷卻，但幾乎同時進行冷卻和加壓為較佳。藉此，能夠對應於凹凸6及電極3的形狀而使密封用薄膜100以更優異之黏附性進行包覆。
經由上述步驟，能夠獲得由密封用薄膜100包覆基板5、電子零件4及電極3之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板50。
以上，對本發明的密封用薄膜、電子零件搭載基板之密封方法及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板進行了說明，但本發明並非係限定於該等者。
例如，本發明的密封用薄膜中，亦可追加能夠發揮相同功能之任意的層。又，亦可以適當組合本發明的密封用薄膜的各實施例。
而且，本發明的電子零件搭載基板之密封方法中，亦可以追加1個或2個以上之任意步驟。 ［實施例］
以下，依據實施例對本發明詳細地進行說明，但本發明並非限定於此。
（實施例1A） ＜密封用薄膜的製造＞ 為了獲得密封用薄膜，作為構成應形成密封用薄膜的各層之樹脂，分別準備了以下所示者。
首先，作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
又，作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
而且，作為電磁波屏蔽層13中所含之導電性粒子，準備了包括銀之球狀粒子（FUKUDA METAL FOIL & POWDER Co., LTD.製造，“Ag-XF301”，50%粒徑4～7μm）。
然後，使用構成絕緣層12之樹脂並利用擠出成形法進行了絕緣層12的成膜，又，使用電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料45重量份與導電性粒子55重量份的溶劑混合物，並用缺角輪塗佈機（Comma Coater）將電磁波屏蔽層13進行了塗佈成膜。然後，用貼合機（Laminator）貼合上述絕緣膜12及上述電磁波屏蔽層13，從而形成了按順序積層有電磁波屏蔽層13/絕緣層12之積層體。之後，利用蝕刻法去除了絕緣層12的邊緣部。藉此，獲得了圖1所示那樣的包括積層體之實施例1A的密封用薄膜，該積層體由具備突出部15之電磁波屏蔽層13和絕緣層12構成。
此外，所得之實施例1A的密封用薄膜的各層的平均厚度（μm）分別以電磁波屏蔽層13/絕緣層12計為100/100μm，總厚度為200μm。
又，測定了實施例1A的密封用薄膜的在軟化點之伸長率之結果，為880%。
而且，測定了實施例1A的密封用薄膜中之、25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數之結果，為51ppm/K。
＜包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板的製造＞ 首先，準備任意的電子零件搭載基板，之後，在密著包裝機（skin packaging machine）（HIPACK CO.,LTD.製造，“HI-750系列”）所具備之腔內，將絕緣層2設在電子零件搭載基板45側而配置了以覆蓋電子零件搭載基板所具有之基板和電子零件之方式獲得之實施例1A的密封用薄膜100。
然後，加熱軟化密封用薄膜並且將腔內進行了減壓。此外，加熱了密封用薄膜之溫度為125℃，腔的壓力為0.4kPa，將該加熱、減壓的條件保持了1分鐘。
然後，使腔內返回常溫、常壓，從而冷卻密封用薄膜並且將腔內進行了加壓。藉此，獲得了用密封用薄膜包覆有基板和電子零件之實施例1A的包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例2A） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為10μm，除此以外，以與前述實施例1A相同之方式，獲得了實施例2A的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例3A） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為400μm，除此以外，以與前述實施例1A相同之方式，獲得了實施例3A的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例4A） 將電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料設為20重量份且將導電性粒子設為80重量份，而且將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為10μm，除此以外，以與前述實施例1A相同之方式，獲得了實施例4A的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例5A） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為400μm，除此以外，以與前述實施例4A相同之方式，獲得了實施例5A的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例6A） 作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了黏接樹脂（Mitsui Chemicals, Inc.製造，“ADMER NF536”），除此以外，以與前述實施例1A相同之方式，獲得了實施例6A的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例7A） 作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了黏接樹脂（Mitsui Chemicals, Inc.製造，“ADMER NF536”），除此以外，以與前述實施例1A相同之方式，獲得了實施例7A的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例8A） 作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了聚烯烴樹脂（“NOBLEN FS2011DG2”，密度0.900g/cm3 ，熔融指數2.0g/10min（230℃測定），熔點160℃），且將所形成之絕緣層12的平均厚度（μm）設為50μm，除此以外，以與前述實施例1A相同之方式，獲得了實施例8A的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（比較例1A） 作為比較例1A，準備了市售之雙軸延伸PET膜（TOYOBO CO., LTD.製造，品名：E5107）。
＜評價試驗＞ 關於藉由各實施例（實施例1A～8A）及比較例（比較例1A）製作出之密封用薄膜或包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，對形狀追隨性、有無產生褶皺、電磁波屏蔽性及導電性進行了評價。以下，對該等評價方法進行說明。
＜＜形狀追隨性＞＞ 以如下方式評價了形狀追隨性。
亦即，關於藉由各實施例及比較例製作出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，依據所包覆之凹凸中有無空隙，基於以下評價基準進行了判斷。此外，用顯微鏡觀察了有無空隙。
各符號如下，將A和B設為合格，將C設為不合格。 A：以填充之狀態包覆高低差直至其底部 B：在高低差的底部形成有一些空隙，但以幾乎遍及整體而填充之狀態包覆 C：在高低差的底部以形成有明顯的空隙之狀態包覆
＜＜褶皺的有無＞＞ 以如下方式評價了有無褶皺。
亦即，關於藉由各實施例及比較例製作出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，依據所包覆之上表面上有無褶皺，基於以下評價基準進行了判斷。此外，用顯微鏡觀察了有無褶皺。
各符號如下，將A設為合格，將B設為不合格。 A：在密封用薄膜的整個上表面未看到褶皺 B：在密封用薄膜的與上表面的凸部對應之位置看到明顯的褶皺
＜＜電磁波屏蔽性＞＞ 以如下方式評價了電磁波屏蔽性。
亦即，關於藉由各實施例及比較例製作出之密封用薄膜，用KEC法（電場）測定了頻率為0.001～1GHz範圍內之電磁波屏蔽效果的值，並求出了頻率為0.01GHz以上且1GHz以下的範圍內之電磁波屏蔽效果的最小值。而且，基於以下評價基準判斷了求得之最小值。
各符號如下，將A設為合格，將B設為不合格。 A：電磁波屏蔽效果的最小值為20dB以上 B：電磁波屏蔽效果的最小值小於20dB
此外，KEC法係將在近場中產生之電磁波的屏蔽效果分為電場和磁場來進行評價之方法，用該方法進行之測定能夠藉由將從發射天線（發射用夾具）發射之電磁波，經由呈片狀之密封用薄膜從而用接收天線（接收用夾具）接收之下方式來實施，該KEC法中測定在接收天線中通過（透過）密封用薄膜之電磁波，亦即，測定所發射之電磁波（訊號）藉由電磁波屏蔽層而在接收天線側衰減了多少。
＜＜導電性＞＞ 以如下方式評價了電磁波屏蔽層中有無導電性。
亦即，關於藉由各實施例及比較例製作出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，依據在電磁波屏蔽層所具備之突出部有無與電源連接而驅動電子零件，基於以下評價基準進行了判斷。
各符號如下，將A設為合格，將B設為不合格。 A：看到電子零件的驅動 B：未看到電子零件的驅動 將以上各實施例及比較例的評價試驗的結果示於表1。
【表1】
從表1可知，實施例1A～8A的密封用薄膜中，軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下，藉此抑制或防止在凹部的底部產生空隙、以及在密封用薄膜的上表面上產生褶皺，從而能夠對電子零件搭載基板進行包覆。又，能夠確認，經由電磁波屏蔽層所具備之突出部，外部電源與電極之間被導通。
相對於此，比較例1A的密封用薄膜中，軟化點上之伸長率小於150%，由於該原因，在由密封用薄膜包覆電子零件搭載基板時，成為如下結果：明顯產生了凹部的底部上之空隙及密封用薄膜的上表面上之褶皺。
（實施例1B） ＜密封用薄膜的製造＞ 為了獲得密封用薄膜，作為構成應形成密封用薄膜的各層之樹脂，分別準備了以下所示者。
首先，作為構成絕緣層12及包覆層14之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
又，作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
而且，作為電磁波屏蔽層13中所含之導電性粒子，準備了包括銀之球狀粒子（FUKUDA METAL FOIL & POWDER Co., LTD.製造，“Ag-XF301”，50%粒徑4～7μm）。
然後，使用構成絕緣層12之樹脂並利用擠出成形法進行了絕緣層12的成膜。之後，使用電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料45重量份與導電性粒子55重量份的溶劑混合物，用缺角輪塗佈機在絕緣層12上將電磁波屏蔽層13進行了塗佈成膜。然後，使用構成包覆層14之樹脂，並用缺角輪塗佈機將包覆層14在電磁波屏蔽層13上進行了塗佈成膜，然後用貼合機貼合上述絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，從而形成了按順序積層有包覆層14/電磁波屏蔽層13/絕緣層12之積層體後，利用蝕刻法去除了絕緣層12的邊緣部。藉此，獲得了圖9所示那樣的包括積層體之實施例1B的密封用薄膜，該積層體由具備突出部17之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14構成。
此外，所得之實施例1B的密封用薄膜的各層的平均厚度（μm）分別以包覆層14/電磁波屏蔽層13/絕緣層12計為50/100/50μm，總厚度為200μm，超過絕緣層12的端部而突出之突出部17的長度為2.0cm。
又，測定了實施例1B的密封用薄膜的在軟化點之伸長率之結果，為890%。
而且，測定了實施例1B的密封用薄膜中之、25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數之結果，為53ppm/K。
＜包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板的製造＞ 首先，準備了在基板上搭載有電子零件，而且在基板的下表面的邊緣部形成有電極之任意的電子零件搭載基板，之後，在密著包裝機（HIPACK CO.,LTD.製造，“HI-750系列”）所具備之腔內，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而配置了以覆蓋電子零件搭載基板所具有之基板和電子零件之方式獲得之實施例1B的密封用薄膜100，而且，藉由將突出部17折入基板5的下表面側而使其接觸了電極3。
然後，加熱軟化密封用薄膜並且將腔內進行了減壓。此外，加熱了密封用薄膜之溫度為125℃，腔內的壓力為0.4kPa，將該加熱、減壓的條件保持了1分鐘。
然後，使腔內返回常溫、常壓，從而冷卻密封用薄膜並且將腔內進行了加壓。藉此，獲得了由密封用薄膜所具備之絕緣層包覆有基板和電子零件，且由密封用薄膜所具備之電磁波屏蔽層包覆有電極之實施例1B的包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例2B） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為10μm，除此以外，以與前述實施例1B相同之方式，獲得了實施例2B的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例3B） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為400μm，除此以外，以與前述實施例1B相同之方式，獲得了實施例3B的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例4B） 將電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料設為20重量份且將導電性粒子設為80重量份，而且將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為10μm，除此以外，以與前述實施例1B相同之方式，獲得了實施例4B的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例5B） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為400μm，除此以外，以與前述實施例4B相同之方式，獲得了實施例5B的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例6B） 作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了黏接樹脂（Mitsui Chemicals, Inc.製造，“ADMER NF536”），除此以外，以與前述實施例1B相同之方式，獲得了實施例6B的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例7B） 作為構成絕緣層12及包覆層14之樹脂材料，準備了黏接樹脂（Mitsui Chemicals, Inc.製造，“ADMER NF536”），除此以外，以與前述實施例1B相同之方式，獲得了實施例7B的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例8B） 作為構成絕緣層12及包覆層14之樹脂材料，準備了聚烯烴樹脂（“NOBLEN FS2011DG2”、密度0.900g/cm3 、熔融指數2.0g/10min（230℃測定）、熔點160℃），且將所形成之絕緣層12及包覆層14的平均厚度（μm）設為25μm，除此以外，以與前述實施例1B相同之方式，獲得了實施例8B的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（參考例1B） 作為參考例1B，準備了市售之雙軸延伸PET膜（TOYOBO CO., LTD.製造，品名：E5107）。
＜評價試驗＞ 關於藉由各實施例（1B～8B）及參考例（參考例1B）製作出之密封用薄膜或包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，使用對前述實施例1A～8A進行之評價方法，對形狀追隨性、有無產生褶皺、電磁波屏蔽性及導電性進行了評價。 將各實施例及參考例的評價試驗的結果示於表2。
【表2】
從表2可知，實施例1B～8B的密封用薄膜中，軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下，藉此抑制或防止在凹部的底部產生空隙，以及在密封用薄膜的上表面上產生褶皺，從而能夠對電子零件搭載基板進行包覆。又，能夠確認，經由電磁波屏蔽層所具備之突出部，外部電源與電極之間被導通。
相對於此，參考例1B的密封用薄膜中，軟化點上之伸長率小於150%，由於該原因，在由密封用薄膜包覆電子零件搭載基板時，成為如下結果：明顯產生了凹部的底部上之空隙及密封用薄膜的上表面上之褶皺。
（實施例1C） ＜密封用薄膜的製造＞ 為了獲得密封用薄膜，作為構成應形成密封用薄膜的各層之樹脂，分別準備了以下所示者。
首先，作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
又，作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
而且，作為電磁波屏蔽層13中所含之導電性粒子，準備了包括銀之球狀粒子（FUKUDA METAL FOIL & POWDER Co., LTD.製造，“Ag-XF301”，50%粒徑4～7μm）。
然後，使用構成絕緣層12之樹脂並利用擠出成形法進行了絕緣層12的成膜。之後，使用電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料45重量份與導電性粒子55重量份的溶劑混合物，用缺角輪塗佈機在絕緣層12上形成突出部16，以上述方式將電磁波屏蔽層13進行了塗佈成膜。之後，用貼合機貼合了上述絕緣層12及上述電磁波屏蔽層13。藉此，獲得了圖17所示那樣的、由按順序積層有電磁波屏蔽層13/絕緣層12之積層體構成且在邊緣部具備突出部16之實施例1C的密封用薄膜。
此外，所得之實施例1C的密封用薄膜的各層的平均厚度（μm）分別以電磁波屏蔽層13/絕緣層12計為100/100μm，總厚度為200μm，突出部16的長度為2.0cm。
又，測定了實施例1C的密封用薄膜的在軟化點之伸長率之結果，為880%。
而且，測定了實施例1C的密封用薄膜中之、25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數之結果，為51ppm/K。
＜包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板的製造＞ 首先，準備了在基板上搭載有電子零件之任意的電子零件搭載基板，之後，在密著包裝機（HIPACK CO.,LTD.製造，“HI-750系列”）所具備之腔內，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而配置了以覆蓋電子零件搭載基板所具有之基板和電子零件之方式獲得之實施例1C的密封用薄膜100，而且，將突出部16折入基板5的下表面側而使其接觸了端部51。
然後，加熱軟化密封用薄膜並且將腔內進行了減壓。此外，加熱了密封用薄膜之溫度為125℃，腔內的壓力為0.4kPa，將該加熱、減壓的條件保持了1分鐘。
然後，使腔內返回常溫、常壓，從而冷卻密封用薄膜並且將腔內進行了加壓。藉此，獲得了由密封用薄膜所具備之絕緣層12包覆有基板和電子零件，且由所折入之突出部16包覆有基板的下表面側的端部51之實施例1C的包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例2C） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為10μm，除此以外，以與前述實施例1C相同之方式，獲得了實施例2C的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例3C） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為400μm，除此以外，以與前述實施例1C相同之方式，獲得了實施例3C的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例4C） 將電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料設為20重量份且將導電性粒子設為80重量份，而且將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為10μm，除此以外，以與前述實施例1C相同之方式，獲得了實施例4C的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例5C） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為400μm，除此以外，以與前述實施例4C相同之方式，獲得了實施例5C的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例6C） 作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了黏接樹脂（Mitsui Chemicals, Inc.製造，“ADMER NF536”），除此以外，以與前述實施例1C相同之方式，獲得了實施例6C的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例7C） 作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了黏接樹脂（Mitsui Chemicals, Inc.製造，“ADMER NF536”），除此以外，以與前述實施例1C相同之方式，獲得了實施例7C的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例8C） 作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了聚烯烴樹脂（“NOBLEN FS2011DG2”、密度0.900g/cm3 、熔融指數2.0g/10min（230℃測定）、熔點160℃），且將所形成之絕緣層12的平均厚度（μm）設為50μm，除此以外，以與前述實施例1C相同之方式，獲得實施例8C的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例9C） 以如下方式製造了密封用薄膜，除此以外，以與前述實施例1C相同之方式，獲得了由密封用薄膜所具備之絕緣層12包覆有基板和電子零件，且由所折入之積層突出部65包覆有基板的下表面側的端部51之實施例9C的包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
＜密封用薄膜的製造＞ 為了獲得密封用薄膜，作為構成應形成密封用薄膜的各層之樹脂，分別準備了以下所示者。
首先，作為構成絕緣層12及包覆層14之樹脂材料，準備了聚烯烴樹脂（“NOBLEN FS2011DG2”，密度0.900g/cm3 ，熔融指數2.0g/10min（230℃測定），熔點160℃）。
又，作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
而且，作為電磁波屏蔽層13中所含之導電性粒子，準備了包括銀之球狀粒子（FUKUDA METAL FOIL & POWDER Co., LTD.製造，“Ag-XF301”，50%粒徑4～7μm）。
然後，使用構成絕緣層12之樹脂並利用擠出成形法進行了絕緣層12的成膜。之後，使用電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料45重量份與導電性粒子55重量份的溶劑混合物，用缺角輪塗佈機在絕緣層12上形成突出部16，以上述方式將電磁波屏蔽層13進行了塗佈成膜。而且，使用構成包覆層14之樹脂，並用缺角輪塗佈機在電磁波屏蔽層13上形成突出部15，以上述方式將包覆層14進行了塗佈成膜，並用貼合機貼合了上述絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14。藉此，獲得了圖21所示那樣的、由按順序積層有包覆層14/電磁波屏蔽層13/絕緣層12之積層體構成且在邊緣部具備積層突出部65之實施例9C的密封用薄膜。
此外，所得之實施例9C的密封用薄膜的各層的平均厚度（μm）分別以包覆層14/電磁波屏蔽層13/絕緣層12計為50/100/50μm，總厚度為200μm，積層突出部65的長度為2.0cm。
又，測定了實施例9C的密封用薄膜的在軟化點之伸長率之結果，為3400%。
而且，測定了實施例9C的密封用薄膜中之、25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數之結果，為6ppm/K。
（比較例1C） 作為比較例1C，準備了市售之雙軸延伸PET膜（TOYOBO CO., LTD.製造，品名：E5107）。
＜評價試驗＞ 關於藉由各實施例（實施例1C～9C）及比較例（比較例1C）製作出之密封用薄膜或包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，使用對前述實施例1A～8A進行之評價方法，對形狀追隨性、有無產生褶皺及電磁波屏蔽性進行了評價。又，關於藉由各實施例及比較例製作出之密封用薄膜或包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，使用以下評價方法評價了端部包覆性。
＜＜端部包覆性＞＞ 以如下方式評價了端部包覆性（形狀追隨性）。
亦即，關於藉由各實施例及比較例製作出之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，依據由積層突出部包覆之基板的下表面的端部中有無剝離，基於以下評價基準進行了判斷。此外，用顯微鏡觀察了有無剝離。
各符號如下，將A設為合格，將B設為不合格。 A：在下表面的端部未看到積層突出部的剝離 B：在下表面的端部看到積層突出部的剝離 將各實施例及參考例的評價試驗的結果示於表3。
【表3】
從表3可知，實施例1C～9C的密封用薄膜中，軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下，藉此抑制或防止在凹部的底部產生空隙、以及在密封用薄膜的上表面上產生褶皺，從而能夠對電子零件搭載基板進行包覆。又，藉由折入積層突出部，能夠由積層突出部包覆基板的下表面上之端部。
相對於此，比較例1C的密封用薄膜中，軟化點上之伸長率小於150%，由於該原因，在由密封用薄膜包覆電子零件搭載基板時，成為如下結果：明顯產生了凹部的底部上之空隙、密封用薄膜的上表面上之褶皺、以及積層突出部與基板下表面的端部之間之剝離。
（實施例1D） ＜密封用薄膜的製造＞ 為了獲得密封用薄膜，作為構成應形成密封用薄膜的各層之樹脂，分別準備了以下所示者。
首先，作為構成絕緣層（最內層）12之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
又，作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
而且，作為電磁波屏蔽層13中所含之導電性粒子，準備了包括銀之球狀粒子（FUKUDA METAL FOIL & POWDER Co., LTD.製造，“Ag-XF301”，50%粒徑4～7μm）。
然後，使用構成絕緣層12之樹脂並利用擠出成形法進行了絕緣層12的成膜。之後，使用電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料45重量份與導電性粒子55重量份的溶劑混合物，用缺角輪塗佈機在絕緣層12上對電磁波屏蔽層13進行了塗佈成膜。然後，用貼合機貼合上述絕緣層12及上述電磁波屏蔽層13，從而形成了按順序積層有絕緣層12/電磁波屏蔽層13之積層體後，切下該積層體的端部從而形成退避部27，之後，利用蝕刻法去除了絕緣層12的邊緣部。藉此，獲得了圖41所示那樣的包括積層體之實施例1D的密封用薄膜，該積層體由具備突出部17之絕緣層12和電磁波屏蔽層13構成且具有退避部27。
此外，所得之實施例1D的密封用薄膜的各層的平均厚度（μm）分別以電磁波屏蔽層13/絕緣層12計為100/100μm，總厚度為200μm，超過絕緣層12的端部而突出之突出部17的長度為2.0cm。
又，測定了實施例1D的密封用薄膜的在軟化點之伸長率之結果，為880%。
而且，測定了實施例1D的密封用薄膜中之、25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數之結果，為51ppm/K。
＜包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板的製造＞ 首先，準備了在基板上的中央部搭載有電子零件且在其邊緣部搭載有連接構件，而且在基板的下表面的邊緣部形成有電極之任意的電子零件搭載基板，之後，在密著包裝機（HIPACK CO.,LTD.製造，“HI-750系列”）所具備之腔內，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而配置了以覆蓋電子零件搭載基板所具有之基板和電子零件且連接構件從退避部露出之方式形成之實施例1D的密封用薄膜100，而且，藉由將突出部17折入基板5的下表面側而使其接觸了電極3。
然後，加熱軟化密封用薄膜並且將腔內進行了減壓。此外，加熱了密封用薄膜之溫度為125℃，腔的壓力為0.4kPa，將該加熱、減壓的條件保持了1分鐘。
然後，使腔內返回常溫、常壓，從而冷卻密封用薄膜並且將腔內進行了加壓。藉此，獲得了在連接構件從退避部露出之狀態下，由密封用薄膜所具備之絕緣層包覆有基板和電子零件，而且由密封用薄膜所具備之電磁波屏蔽層包覆有電極之實施例1D的包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例2D） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為10μm，除此以外，以與前述實施例1D相同之方式，獲得了實施例2D的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例3D） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為400μm，除此以外，以與前述實施例1D相同之方式，獲得了實施例3D的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例4D） 將電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料設為20重量份且將導電性粒子設為80重量份，而且將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為10μm，除此以外，以與前述實施例1D相同之方式，獲得了實施例4D的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例5D） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為400μm，除此以外，以與前述實施例4D相同之方式，獲得了實施例5D的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例6D） 作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了黏接樹脂（Mitsui Chemicals, Inc.製造，“ADMER NF536”），除此以外，以與前述實施例1D相同之方式，獲得了實施例6D的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例7） 作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了黏接樹脂（Mitsui Chemicals, Inc.製造，“ADMER NF536”），除此以外，以與前述實施例1D相同之方式，獲得了實施例7D的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例8） 作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了聚烯烴樹脂（“NOBLEN FS2011DG2”，密度0.900g/cm3 ，熔融指數2.0g/10min（230℃測定），熔點160℃），且將所形成之絕緣層12的平均厚度（μm）設為50μm，除此以外，以與前述實施例1D相同之方式，獲得了實施例8D的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例9D） 以如下方式製造了密封用薄膜，除此以外，以與前述實施例1D相同之方式，獲得了在連接構件從退避部露出之狀態下，由密封用薄膜所具備之絕緣層包覆有基板和電子零件，而且由密封用薄膜所具備之電磁波屏蔽層包覆有電極之實施例9D的包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
＜密封用薄膜的製造＞ 為了獲得密封用薄膜，作為構成應形成密封用薄膜的各層之樹脂，分別準備了以下所示者。
首先，作為構成絕緣層12及包覆層（最外層）14之樹脂材料，準備了聚烯烴樹脂（“NOBLEN FS2011DG2”，密度0.900g/cm3 ，熔融指數2.0g/10min（230℃測定），熔點160℃）。
又，作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
而且，作為電磁波屏蔽層13中所含之導電性粒子，準備了包括銀之球狀粒子（FUKUDA METAL FOIL & POWDER Co., LTD.製造，“Ag-XF301”，50%粒徑4～7μm）。
然後，使用構成絕緣層12之樹脂並利用擠出成形法進行了絕緣層12的成膜。之後，使用電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料45重量份與導電性粒子55重量份的溶劑混合物，用缺角輪塗佈機在絕緣層12上對電磁波屏蔽層13進行了塗佈成膜。而且，使用構成包覆層14之樹脂，用缺角輪塗佈機將包覆層14在電磁波屏蔽層13上進行了塗佈成膜。之後，然後用貼合機貼合上述絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14，從而形成了按順序積層有包覆層14/電磁波屏蔽層13/絕緣層12之積層體後，切下該積層體的端部從而形成退避部27，之後，利用蝕刻法去除了絕緣層12的邊緣部。藉此，獲得了圖39所示那樣的包括積層體之實施例9D的密封用薄膜，該積層體由具備突出部17之絕緣層12、電磁波屏蔽層13及包覆層14構成，且具有退避部27。
此外，所得之實施例9D的密封用薄膜的各層的平均厚度（μm）分別以絕緣層12/電磁波屏蔽層13/包覆層14計為50/100/50μm，總厚度為200μm，超過絕緣層12的端部而突出之突出部17的長度為2.0cm。
又，測定了實施例9D的密封用薄膜的在軟化點之伸長率之結果，為3400%。
而且，測定了實施例9D的密封用薄膜中之、25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數之結果，為6ppm/K。
（參考例1D） 作為參考例1D，準備了市售之雙軸延伸PET膜（TOYOBO CO., LTD.製造，品名：E5107）。
＜評價試驗＞ 關於藉由各實施例（實施例1D～9D）及參考例（參考例1D）製作出之密封用薄膜或包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，使用對前述實施例1A～8A進行之評價方法，對形狀追隨性、有無產生褶皺、電磁波屏蔽性及導電性進行了評價。 將各實施例及參考例的評價試驗的結果示於表4。
【表4】
從表4可知，實施例1D～9D的密封用薄膜中，軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下，藉此抑制或防止在凹部的底部產生空隙、以及在密封用薄膜的上表面上產生褶皺，從而能夠對電子零件搭載基板進行包覆。又，能夠確認，經由電磁波屏蔽層所具備之突出部，外部電源與電極之間被導通。
相對於此，參考例1D的密封用薄膜中，軟化點上之伸長率小於150%，由於該原因，在由密封用薄膜包覆電子零件搭載基板時，成為如下結果：明顯產生了凹部的底部上之空隙及密封用薄膜的上表面上之褶皺。
（實施例1E） ＜密封用薄膜的製造＞ 為了獲得密封用薄膜，作為構成應形成密封用薄膜的各層之樹脂，分別準備了以下所示者。
首先，作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
又，作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了離子聚合物樹脂（Mitsui Polychemicals Company, Ltd.製造，“HIMILAN1855”，密度0.940kg/m3 ，MFR1.3g/10min（190℃測定），熔點97℃）。
而且，作為電磁波屏蔽層13中所含之導電性粒子，準備了包括銀之球狀粒子（FUKUDA METAL FOIL & POWDER Co., LTD.製造，“Ag-XF301”，50%粒徑4～7μm）。
然後，使用構成絕緣層12之樹脂並利用擠出成形法進行了絕緣層12的成膜。又，使用電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料45重量份與導電性粒子55重量份的溶劑混合物，用缺角輪塗佈機將電磁波屏蔽層13進行了塗佈成膜。之後，用貼合機貼合上述絕緣層12及上述電磁波屏蔽層13，從而形成了按順序積層有電磁波屏蔽層13/絕緣層12之積層體。之後，利用蝕刻法去除了絕緣層12的邊緣部。藉此，獲得了圖43所示那樣的包括積層體之實施例1E的密封用薄膜，該積層體由具備突出部15之電磁波屏蔽層13和絕緣層12構成。
此外，所得之實施例1E的密封用薄膜的各層的平均厚度（μm）分別以電磁波屏蔽層13/絕緣層12計為100/100μm，總厚度為200μm，超過絕緣層12的端部而突出之突出部15的長度為2.0cm。
又，測定了實施例1E的密封用薄膜的在軟化點之伸長率之結果，為880%。
而且，測定了實施例1E的密封用薄膜中之、25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數之結果，為51ppm/K。
＜包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板的製造＞ 首先，準備了在基板上搭載有電子零件，而且在基板的下表面的邊緣部形成有電極之任意的電子零件搭載基板，之後，在密著包裝機（HIPACK CO.,LTD.製造，“HI-750系列”）所具備之腔內，將絕緣層12設在電子零件搭載基板45側而配置了以覆蓋電子零件搭載基板所具有之基板和電子零件之方式獲得之實施例1E的密封用薄膜100，而且，藉由將突出部15折入基板5的下表面側而使其接觸了電極3。
然後，加熱軟化密封用薄膜並且將腔內進行了減壓。此外，加熱了密封用薄膜之溫度為125℃，腔內的壓力為0.4kPa，將該加熱、減壓的條件保持了1分鐘。
然後，使腔內返回常溫、常壓，從而冷卻密封用薄膜並且將腔內進行了加壓。藉此，獲得了由密封用薄膜所具備之絕緣層包覆有基板和電子零件，且由密封用薄膜所具備之電磁波屏蔽層包覆有電極之實施例1E的包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例2E） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為10μm，除此以外，以與前述實施例1E相同之方式，獲得了實施例2E的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例3E） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為400μm，除此以外，以與前述實施例1E相同之方式，獲得了實施例3E的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例4E） 將電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料設為20重量份且將導電性粒子設為80重量份，而且將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為10μm，除此以外，以與前述實施例1E相同之方式，獲得了實施例4E的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例5E） 將電磁波屏蔽層13的平均厚度（μm）設為400μm，除此以外，以與前述實施例4E相同之方式，獲得了實施例5E的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例6E） 作為電磁波屏蔽層13中所含之樹脂材料，準備了黏接樹脂（Mitsui Chemicals, Inc.製造，“ADMER NF536”），除此以外，以與前述實施例1E相同之方式，獲得了實施例6E的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例7E） 作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了黏接樹脂（Mitsui Chemicals, Inc.製造，“ADMER NF536”），除此以外，以與前述實施例1E相同之方式，獲得了實施例7E的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（實施例8E） 作為構成絕緣層12之樹脂材料，準備了聚烯烴樹脂（“NOBLEN FS2011DG2”，密度0.900g/cm3 ，熔融指數2.0g/10min（230℃測定），熔點160℃），且將所形成之絕緣層12的平均厚度（μm）設為50μm，除此以外，以與前述實施例1E相同之方式，獲得了實施例8E的密封用薄膜及包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板。
（參考例1E） 作為參考例1E，準備了市售之雙軸延伸PET膜（TOYOBO CO., LTD.製造，品名：E5107）。
＜評價試驗＞ 關於藉由各實施例（實施例1E～8E）及參考例（參考例1E）製作出之密封用薄膜或包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，使用對前述實施例1A～8A進行之評價方法，對形狀追隨性、有無產生褶皺、電磁波屏蔽性及導電性進行了評價。 將各實施例及參考例的評價試驗的結果示於表5。
【表5】
從表5可知，實施例1E～8E的密封用薄膜中，軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下，藉此抑制或防止在凹部的底部產生空隙、以及在密封用薄膜的上表面上產生褶皺，從而能夠對電子零件搭載基板進行包覆。又，能夠確認，經由電磁波屏蔽層所具備之突出部，外部電源與電極之間被導通。
相對於此，參考例的密封用薄膜中，軟化點上之伸長率小於150%，由於該原因，在由密封用薄膜包覆電子零件搭載基板時，成為如下結果：明顯產生了凹部的底部上之空隙及密封用薄膜的上表面上之褶皺。 ［產業上之可利用性］
依本發明，密封用薄膜將樹脂材料作為主材料而構成，並且依照JIS K 6251求出之軟化點之密封用薄膜的伸長率成為150%以上且3500%以下。首先，以覆蓋基板和電子零件之方式，將該密封用薄膜配置在電子零件搭載基板上。之後，加熱軟化密封用薄膜並且進行減壓。之後，冷卻密封用薄膜並且進行加壓。經由以上步驟，藉此，密封用薄膜能夠在對凹凸具有優異之追隨性而進行密封之狀態下，包覆基板和電子零件，前述凹凸藉由在基板上搭載電子零件而形成。因此，在藉由包覆該密封用薄膜而獲得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板中，能夠確實地抑制或防止電子零件與濕氣或灰塵等外部因素接觸。又，在用密封用薄膜包覆基板和電子零件時，電子零件經由絕緣層而被電磁波屏蔽層密封，因此所得之包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板成為確實地抑制或防止由對電子零件的電磁波產生之雜訊的影響者。因此，本發明具有產業上的可利用性。
3‧‧‧電極
4‧‧‧電子零件
5‧‧‧基板
6‧‧‧凹凸
7‧‧‧連接構件
12‧‧‧絕緣層（最內層）
13‧‧‧電磁波屏蔽層
14‧‧‧包覆層（最外層）
15‧‧‧突出部
16‧‧‧突出部
17‧‧‧突出部
18‧‧‧突出部
19‧‧‧中間層
27‧‧‧退避部
45‧‧‧電子零件搭載基板
50‧‧‧包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板
51‧‧‧端部
52‧‧‧端部
61‧‧‧凸部
62‧‧‧凹部
65‧‧‧積層突出部
100‧‧‧密封用薄膜
圖1係表示本發明的密封用薄膜的第1實施形態之縱剖面圖。 圖2中，圖2（a）～圖2（c）係用於使用圖1所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖3係表示本發明的密封用薄膜的第2實施形態之縱剖面圖。 圖4中，圖4（a）～圖4（c）係用於使用圖3所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖5係表示本發明的密封用薄膜的第3實施形態之縱剖面圖。 圖6中，圖6（a）～圖6（c）係用於使用圖5所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖7係表示本發明的密封用薄膜的第4實施形態之縱剖面圖。 圖8中，圖8（a）～圖8（c）係用於使用圖7所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖9係表示本發明的密封用薄膜的第5實施形態之縱剖面圖。 圖10中，圖10（a）～圖10（c）係用於使用圖9所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖11係表示本發明的密封用薄膜的第6實施形態之縱剖面圖。 圖12中，圖12（a）～圖12（c）係用於使用圖11所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖13係表示本發明的密封用薄膜的第7實施形態之縱剖面圖。 圖14中，圖14（a）～圖14（c）係用於使用圖13所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖15係表示本發明的密封用薄膜的第8實施形態之縱剖面圖。 圖16中，圖16（a）～圖16（c）係用於使用圖15所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖17係表示本發明的密封用薄膜的第9實施形態之縱剖面圖。 圖18中，圖18（a）～圖18（c）係用於使用圖17所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖19係表示本發明的密封用薄膜的第10實施形態之縱剖面圖。 圖20中，圖20（a）～圖20（c）係用於使用圖19所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖21係表示本發明的密封用薄膜的第11實施形態之縱剖面圖。 圖22中，圖22（a）～圖22（c）係用於使用圖21所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖23中，圖23（a）及圖23（b）係表示本發明的密封用薄膜的第1參考形態之圖。 圖24中，圖24（a）～圖24（c）係用於使用圖23所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖25中，圖25（a）及圖25（b）係表示本發明的密封用薄膜的第12實施形態之圖。 圖26中，圖26（a）～圖26（c）係用於使用圖25所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖27中，圖27（a）及圖27（b）係表示本發明的密封用薄膜的第13實施形態之圖。 圖28中，圖28（a）～圖28（c）係用於使用圖27所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖29中，圖29（a）及圖29（b）係表示本發明的密封用薄膜的第14實施形態之圖。 圖30中，圖30（a）～圖30（c）係用於使用圖29所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖31中，圖31（a）及圖31（b）係表示本發明的密封用薄膜的第15實施形態之圖。 圖32中，圖32（a）～圖32（c）係用於使用圖31所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖33中，圖33（a）及圖33（b）係表示本發明的密封用薄膜的第16實施形態之圖。 圖34中，圖34（a）～圖34（c）係用於使用圖33所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖35中，圖35（a）及圖35（b）係表示本發明的密封用薄膜的第17實施形態之圖。 圖36中，圖36（a）～圖36（c）係用於使用圖35所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖37中，圖37（a）及圖37（b）係表示本發明的密封用薄膜的第18實施形態之圖。 圖38中，圖38（a）～圖38（c）係用於使用圖37所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖39中，圖39（a）及圖39（b）係表示本發明的密封用薄膜的第19實施形態之圖。 圖40中，圖40（a）～圖40（c）係用於使用圖39所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖41中，圖41（a）及圖41（b）係表示本發明的密封用薄膜的第20實施形態之圖。 圖42中，圖42（a）～圖42（c）係用於使用圖41所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。 圖43係表示本發明的密封用薄膜的第21實施形態之縱剖面圖。 圖44中，圖44（a）～圖44（c）係用於使用圖43所示之密封用薄膜來說明電子零件搭載基板之密封方法之縱剖面圖。
3‧‧‧電極
4‧‧‧電子零件
5‧‧‧基板
6‧‧‧凹凸
12‧‧‧絕緣層
13‧‧‧電磁波屏蔽層
15‧‧‧突出部
45‧‧‧電子零件搭載基板
50‧‧‧包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板
61‧‧‧凸部
62‧‧‧凹部
100‧‧‧密封用薄膜

Claims (29)

  1. 一種密封用薄膜，其用於密封具備基板及搭載於該基板的一表面側之電子零件之電子零件搭載基板， 其特徵為: 具有絕緣層及積層於該絕緣層的一表面側之電磁波屏蔽層， 該絕緣層及該電磁波屏蔽層均含有樹脂材料，該密封用薄膜的依照JIS K 6251求出之軟化點上之伸長率為150%以上且3500%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之密封用薄膜，其中 該電子零件搭載基板還具有電極，該電極設置在該基板的一表面側且與該電子零件電連接， 該電磁波屏蔽層具備超過該絕緣層的端部而突出之突出部。
  3. 如申請專利範圍第2項之密封用薄膜，其中 該突出部與該電極對應地形成，並在密封該電子零件搭載基板時與該電極接觸。
  4. 如申請專利範圍第2項之密封用薄膜，其中 該電極設置在該基板的邊緣部或電子零件的周圍。
  5. 如申請專利範圍第2項之密封用薄膜，其中 該電極為接地電極。
  6. 如申請專利範圍第1項之密封用薄膜，其中 該密封用薄膜還具備包覆層，該包覆層積層於該電磁波屏蔽層的與該絕緣層相反一側， 該密封用薄膜構成為，將該絕緣層設為該基板的一表面側而密封該電子零件搭載基板。
  7. 如申請專利範圍第6項之密封用薄膜，其中 該包覆層具備超過該電磁波屏蔽層的端部而突出之第1突出部，在從該基板的一表面側密封該電子零件搭載基板時，該第1突出部構成為，藉由折入該基板的另一表面側而包覆該基板的另一表面側。
  8. 如申請專利範圍第6項之密封用薄膜，其中 該電子零件搭載基板還具備電極，該電極設置在該基板的一表面側且與該電子零件電連接， 該電磁波屏蔽層具備超過該絕緣層的端部而突出之第2突出部，在從該基板的一表面側密封該電子零件搭載基板時，該第2突出部構成為，在該基板的一表面側與該電極接觸。
  9. 如申請專利範圍第6項之密封用薄膜，其中 該電子零件搭載基板還具備電極，該電極設置在該基板的另一表面側且與該電子零件電連接， 該電磁波屏蔽層具備超過該絕緣層的端部而突出之第2突出部，在從該基板的一表面側密封該電子零件搭載基板時，該第2突出部構成為，藉由折入該基板的另一表面側而在該基板的另一表面側與該電極接觸。
  10. 如申請專利範圍第7項之密封用薄膜，其中 該絕緣層具備超過該電磁波屏蔽層的端部而突出且與該第1突出部接觸而積層之第3突出部，在從該基板的一表面側密封該電子零件搭載基板時，該第1突出部和該第3突出部構成為，藉由折入該基板的另一表面側，使該基板的另一表面側接觸該第3突出部而進行包覆。
  11. 如申請專利範圍第6項之密封用薄膜，其中 該電子零件搭載基板還具備電極，該電極設置在該基板的一表面側且與該電子零件電連接， 該電磁波屏蔽層具備超過該包覆層的端部而突出之第4突出部，在從該基板的一表面側密封該電子零件搭載基板時，該第4突出部構成為，藉由折入該基板的一表面側而在該基板的一表面側與該電極接觸。
  12. 如申請專利範圍第1項之密封用薄膜，其中 該絕緣層具備超過該電磁波屏蔽層的端部而突出之突出部。
  13. 如申請專利範圍第12項之密封用薄膜，其中 該電磁波屏蔽層選擇性地形成在與該電子零件對應之位置。
  14. 如申請專利範圍第12項之密封用薄膜，其中 在從該基板的一表面側密封該電子零件搭載基板時，該突出部構成為，藉由折入該基板的另一表面側而包覆該基板的另一表面側。
  15. 如申請專利範圍第1項之密封用薄膜，其中 該電子零件搭載基板還具有連接構件，該連接構件具有開放端面且與該電子零件電連接， 在密封該電子零件搭載基板時，該密封用薄膜在與該連接構件對應之位置具有退避部。
  16. 如申請專利範圍第15項之密封用薄膜，其中 構成該絕緣層及該電磁波屏蔽層之該樹脂材料為熱塑性樹脂。
  17. 如申請專利範圍第1項之密封用薄膜，其中 該電子零件搭載基板還具備電極，該電極設置在該基板的另一表面側且與該電子零件電連接， 該電磁波屏蔽層具備超過該絕緣層的端部而突出之突出部，在從該基板的一表面側密封該電子零件搭載基板時，該突出部構成為，藉由折入該基板的另一表面側而與該電極接觸。
  18. 如申請專利範圍第17項之密封用薄膜，其中 該電極設置在該基板的邊緣部。
  19. 如申請專利範圍第17項之密封用薄膜，其中 該電極為接地電極。
  20. 如申請專利範圍第1項之密封用薄膜，其中 該密封用薄膜的25℃以上且80℃以下的溫度範圍內的線膨脹係數為100ppm/K以下。
  21. 如申請專利範圍第1項之密封用薄膜，其中 該絕緣層及該電磁波屏蔽層中的至少一者含有聚烯烴系樹脂作為該樹脂材料。
  22. 如申請專利範圍第1項之密封用薄膜，其中 該密封用薄膜其平均厚度為10μm以上且700μm以下。
  23. 如申請專利範圍第1項之密封用薄膜，其中 該基板為印刷配線基板。
  24. 一種電子零件搭載基板之密封方法，其使用申請專利範圍第2至5項中任一項之密封用薄膜，密封該基板、該電子零件及該電極， 其特徵為具有如下步驟： 以覆蓋該基板、該電子零件及該電極之方式，將該絕緣層設在該電子零件搭載基板側而將該密封用薄膜配置在該電子零件搭載基板上； 加熱軟化該密封用薄膜並且進行減壓；以及 冷卻該密封用薄膜並且進行加壓，藉此在該突出部與該電極接觸之狀態下，用該密封用薄膜密封該基板、該電子零件及該電極。
  25. 一種電子零件搭載基板之密封方法，其使用申請專利範圍第6至11項中任一項之密封用薄膜，密封該基板和該電子零件， 其特徵為具有如下步驟： 以覆蓋該基板和該電子零件之方式，將該絕緣層設在該電子零件搭載基板側而將該密封用薄膜配置在該電子零件搭載基板上； 加熱軟化該密封用薄膜並且進行減壓；以及 冷卻該密封用薄膜並且進行加壓，藉此用該密封用薄膜密封該基板和該電子零件。
  26. 一種電子零件搭載基板之密封方法，其使用申請專利範圍第12至14項中任一項之密封用薄膜，密封該基板和該電子零件， 其特徵為具有如下步驟： 以覆蓋該基板和該電子零件之方式，將該絕緣層設在該電子零件搭載基板側而將該密封用薄膜配置在該電子零件搭載基板上； 加熱軟化該密封用薄膜並且進行減壓；以及 冷卻該密封用薄膜並且進行加壓，藉此在經由該絕緣層而由該電磁波屏蔽層包覆該電子零件之狀態下，用該密封用薄膜密封該基板和該電子零件。
  27. 一種電子零件搭載基板之密封方法，其使用申請專利範圍第15或16項之密封用薄膜，密封該基板和該電子零件， 其特徵為具有如下步驟： 覆蓋該基板和該電子零件，並且以該退避部與該連接構件對應之方式，將該密封用薄膜配置在該電子零件搭載基板上； 加熱軟化該密封用薄膜並且進行減壓；以及 冷卻該密封用薄膜並且進行加壓，藉此不密封該連接構件而用該密封用薄膜密封該基板和該電子零件。
  28. 一種電子零件搭載基板之密封方法，其使用申請專利範圍第17至19項中任一項之密封用薄膜，密封該基板、該電子零件及該電極， 其特徵為具有如下步驟： 以覆蓋該基板和該電子零件之方式，將該絕緣層設在該電子零件搭載基板側而將該密封用薄膜配置在該電子零件搭載基板上，並且藉由將該突出部折入該基板的另一表面側而使其與該電極接觸； 加熱軟化該密封用薄膜並且進行減壓；以及 冷卻該密封用薄膜並且進行加壓，藉此在該突出部與該電極接觸之狀態下，用該密封用薄膜密封該基板、該電子零件及該電極。
  29. 一種包覆有密封用薄膜之電子零件搭載基板，其特徵為，具有： 如申請專利範圍第1至23項中任一項之密封用薄膜；以及該電子零件搭載基板，具備由該密封用薄膜包覆之該基板、該電子零件及該電極，該突出部與該電極接觸。
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