JP4366292B2 - 電磁波シールドフィルム - Google Patents
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Description
本発明は、電子機器の内部に実装した電子部品を被い、電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムに関する。
従来より、携帯電話機やデジタルカメラなどの電子機器の内部に実装したＬＳＩ（集積回路）等の電子部品を被い、電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムがある（特許文献１）。該電磁波シールドフィルムは、例えば、樹脂フィルムの表面に金属箔の融着やめっき等により金属層を形成してなる。そして、該金属層によって電磁波を吸収することにより、電磁波をシールドする。即ち、上記電磁波シールドフィルムは、上記電子部品から発生する電磁波による他の部品への影響を防止したり、外部からの電磁波が上記電子部品に影響することを防止したりする。
しかしながら、電子機器における電子部品の高集積化、コンパクト化に伴い、電磁波シールドフィルムを配設すべき部分が小さく、狭くなる場合がある。この場合、電磁波シールドフィルムの金属層が他の電子部品と接触し、電子回路の短絡を招くおそれがある。また、金属層が露出していると、該金属層が腐食しやすくなり、充分な耐久性を得ることが困難となるおそれもある。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、電子回路の短絡を防止することができる耐久性に優れた電磁波シールドフィルムを提供しようとするものである。
本発明は、電子機器内に実装された電子部品の表面を被覆して電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムであって、
該電磁波シールドフィルムは、樹脂からなる基材フィルムと、該基材フィルムの上面に積層した金属層と、該金属層の上面に積層した樹脂からなる保護フィルムとを有し、
該保護フィルムは、該保護フィルムの端縁を上記基材フィルムの端縁および上記金属層の端縁よりも外側に有しており、
上記電磁波シールドフィルムは柔軟性を有しており、
上記金属層は、上面側に配されて上記金属層の腐食を防止する防錆層と、該防錆層よりも電気抵抗率の低い導電層とからなり、該導電層は５０〜５００ｎｍの厚みを有していることを特徴とする電磁波シールドフィルムにある（請求項１）。
該電磁波シールドフィルムは、樹脂からなる基材フィルムと、該基材フィルムの上面に積層した金属層と、該金属層の上面に積層した樹脂からなる保護フィルムとを有し、
該保護フィルムは、該保護フィルムの端縁を上記基材フィルムの端縁および上記金属層の端縁よりも外側に有しており、
上記電磁波シールドフィルムは柔軟性を有しており、
上記金属層は、上面側に配されて上記金属層の腐食を防止する防錆層と、該防錆層よりも電気抵抗率の低い導電層とからなり、該導電層は５０〜５００ｎｍの厚みを有していることを特徴とする電磁波シールドフィルムにある（請求項１）。
次に、本発明の作用効果につき説明する。
上記電磁波シールドフィルムは、金属層の上面に保護フィルムを積層してなる。そのため、金属層の露出を防ぎ、その腐食を防止することができる。
また、上記保護フィルムは、端縁を上記基材フィルムの端縁よりも外側に有している。そのため、電磁波シールドフィルムを使用したとき、上記基材フィルムの上面に形成した金属層の端面をも保護フィルムで被うことができる。これにより、金属層の端面が露出することを防ぎ、電子回路の短絡を防ぐことができる。
上記電磁波シールドフィルムは、金属層の上面に保護フィルムを積層してなる。そのため、金属層の露出を防ぎ、その腐食を防止することができる。
また、上記保護フィルムは、端縁を上記基材フィルムの端縁よりも外側に有している。そのため、電磁波シールドフィルムを使用したとき、上記基材フィルムの上面に形成した金属層の端面をも保護フィルムで被うことができる。これにより、金属層の端面が露出することを防ぎ、電子回路の短絡を防ぐことができる。
以上のごとく、本発明によれば、電子回路の短絡を防止することができる耐久性に優れた電磁波シールドフィルムを提供することができる。
本発明（請求項１）において、上記保護フィルムの端縁は、上記基材フィルムの端縁よりも０．５〜２ｍｍ外側に配されていることが好ましい。
保護フィルムの端縁が基材フィルムの端縁よりも外側に突出した長さが０．５ｍｍ未満の場合には、電磁波シールドフィルムを電子部品の表面に貼着したとき、上記金属層を充分に被うことが困難となるおそれがある。一方、上記突出長さが２ｍｍを超える場合には、電磁波シールドフィルムの充分なコンパクト化が困難となるおそれがある。
保護フィルムの端縁が基材フィルムの端縁よりも外側に突出した長さが０．５ｍｍ未満の場合には、電磁波シールドフィルムを電子部品の表面に貼着したとき、上記金属層を充分に被うことが困難となるおそれがある。一方、上記突出長さが２ｍｍを超える場合には、電磁波シールドフィルムの充分なコンパクト化が困難となるおそれがある。
また、上記電磁波シールドフィルムは、厚みが３０〜３００μｍであることが好ましい。これにより、充分な柔軟性を有する電磁波シールドフィルムを得ることができる。上記厚みが３０μｍ未満の場合には、フィルム強度が不充分となるおそれがある。また、上記厚みが３００μｍを超える場合には、電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に得ることが困難となるおそれがある。
また、上記基材フィルム及び上記保護フィルムは、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ポリイミドフィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ポリエチレンフィルムなどの樹脂フィルムとすることができる。この中でも、耐熱性、耐久性、柔軟性、コスト等の観点から、ＰＥＴフィルムが好ましい。
また、基材フィルムの厚みは、１５〜５０μｍであることが好ましい。また、保護フィルムの厚みは、１５〜７５μｍであることが好ましい。
また、基材フィルムの厚みは、１５〜５０μｍであることが好ましい。また、保護フィルムの厚みは、１５〜７５μｍであることが好ましい。
また、上記電磁波シールドフィルムは、複数の電子部品を一度に被うものであってもよいし、個々の電子部品を個別に被うものであってもよい。
なお、本明細書において、「上面」とは便宜的に用いた語であり、電子部品に貼着したときに電子部品側とは反対側となる面をいう。逆に電子部品側となる面を「下面」という。
なお、本明細書において、「上面」とは便宜的に用いた語であり、電子部品に貼着したときに電子部品側とは反対側となる面をいう。逆に電子部品側となる面を「下面」という。
また、上記保護フィルムは、上記金属層を部分的に露出させる開口部を設けてなることが好ましい（請求項２）。
この場合には、容易に上記金属層をグランドに接続（接地）し、金属層に流れる電流を効率よく逃がすことができる。
この場合には、容易に上記金属層をグランドに接続（接地）し、金属層に流れる電流を効率よく逃がすことができる。
また、上記金属層は、スパッタリングによって形成した膜からなることが好ましい（請求項３）。
この場合には、基材フィルムに対する密着力が高く、薄くて膜厚が均一で、かつ緻密な金属層を容易に形成することができる。
なお、本発明の電磁波シールドフィルムにおける金属層は、特にスパッタリング層に限らず、例えば、蒸着法を用いたり、金属箔を基材フィルム上に融着する方法を用いたりすることもできる。
この場合には、基材フィルムに対する密着力が高く、薄くて膜厚が均一で、かつ緻密な金属層を容易に形成することができる。
なお、本発明の電磁波シールドフィルムにおける金属層は、特にスパッタリング層に限らず、例えば、蒸着法を用いたり、金属箔を基材フィルム上に融着する方法を用いたりすることもできる。
また、上記金属層は、上面側に配されて上記金属層の腐食を防止する防錆層と、該防錆層よりも電気抵抗率の低い導電層とからなり、該導電層は５０〜５００ｎｍの厚みを有する。
これにより、金属層の最表面に配される防錆層を腐食しにくい金属により構成し、その下層に配される導電層を電気抵抗率の充分に小さい金属により構成することができる。
これにより、導電層によって電磁波シールド効果を確保し、防錆層によって金属層の腐食を防止することができる。そのため、電磁波シールドフィルムの耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。
これにより、導電層によって電磁波シールド効果を確保し、防錆層によって金属層の腐食を防止することができる。そのため、電磁波シールドフィルムの耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。
また、上記導電層の厚みが５０〜５００ｎｍであるため、電磁波シールド効果及び電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に確保することができる。また、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
そのため、電磁波シールドフィルムの耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。
そのため、電磁波シールドフィルムの耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。
上記導電層の厚みが５０ｎｍ未満の場合には、電磁波シールド効果を充分に得ることが困難となるおそれがある。導電層の厚みが５００ｎｍを超える場合には、電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に確保することが困難となるおそれがある。また、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。
また、上記金属層は、上記基材フィルムとの界面に配されて該基材フィルムとの密着を確保する密着層を有することが好ましい（請求項４）。
この場合には、金属層における基材フィルムとの界面に配される密着層を、基材フィルムとの密着力の高い金属により構成することにより、金属層と基材フィルムとの密着性を確保することができる。
この場合には、金属層における基材フィルムとの界面に配される密着層を、基材フィルムとの密着力の高い金属により構成することにより、金属層と基材フィルムとの密着性を確保することができる。
また、上記密着層は５〜５０ｎｍの厚みを有することが好ましい（請求項５）。
この場合には、金属層と基材フィルムとの密着性を充分に確保することができると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
上記密着層の厚みが５ｎｍ未満の場合には、金属層と基材フィルムとの密着性を充分に確保することが困難となり、場合によっては、金属層が基材フィルムから剥がれるおそれがある。一方、密着層の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。
この場合には、金属層と基材フィルムとの密着性を充分に確保することができると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
上記密着層の厚みが５ｎｍ未満の場合には、金属層と基材フィルムとの密着性を充分に確保することが困難となり、場合によっては、金属層が基材フィルムから剥がれるおそれがある。一方、密着層の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。
また、上記防錆層は１０〜５０ｎｍの厚みを有することが好ましい（請求項６）。
この場合には、金属層の防錆効果を確保すると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
上記防錆層の厚みが１０ｎｍ未満の場合には、金属層の防錆効果を確保することが困難となるおそれがある。防錆層の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。
この場合には、金属層の防錆効果を確保すると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
上記防錆層の厚みが１０ｎｍ未満の場合には、金属層の防錆効果を確保することが困難となるおそれがある。防錆層の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。
また、上記導電層は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であることが好ましい（請求項７）。
この場合には、電磁波シールド効果を充分に有する電磁波シールドフィルムを得ることができる。また、金属層の厚みが小さくても、充分な導電性を確保することができるため、電磁波シールドフィルムの厚みを小さくして柔軟性を確保することが容易となる。
上記導電層の電気抵抗率が５０μΩｃｍを超える場合には、充分な電磁波シールド効果を得ることが困難となるおそれがある。
この場合には、電磁波シールド効果を充分に有する電磁波シールドフィルムを得ることができる。また、金属層の厚みが小さくても、充分な導電性を確保することができるため、電磁波シールドフィルムの厚みを小さくして柔軟性を確保することが容易となる。
上記導電層の電気抵抗率が５０μΩｃｍを超える場合には、充分な電磁波シールド効果を得ることが困難となるおそれがある。
電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下を満足する導電層の材料としては、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、若しくはその合金、例えば、ＡｇとＣｕとの合金、ＣｕとＮｉとの合金がある。
この中でも特に、上記導電層は、Ｃｕからなることが好ましい（請求項８）。
この場合には、電気抵抗率が充分に小さい導電層を安価に得ることができる。そのため、電磁波シールド効果に優れた安価な電磁波シールドフィルムを得ることができる。
この場合には、電気抵抗率が充分に小さい導電層を安価に得ることができる。そのため、電磁波シールド効果に優れた安価な電磁波シールドフィルムを得ることができる。
また、上記防錆層は、ステンレス鋼からなることが好ましい（請求項９）。
この場合には、耐腐食性に優れた金属層を容易に得ることができる。
なお、上記防錆層は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、或いはＮｉとＣｒとの合金によって構成することもできる。
また、上記密着層についても、ステンレス鋼からなることが好ましく、Ｎｉ、Ｃｒ、或いはＮｉとＣｒとの合金によって構成することもできる。また、密着層と防錆層とは、同種材料であっても異種材料であってもよい。
この場合には、耐腐食性に優れた金属層を容易に得ることができる。
なお、上記防錆層は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、或いはＮｉとＣｒとの合金によって構成することもできる。
また、上記密着層についても、ステンレス鋼からなることが好ましく、Ｎｉ、Ｃｒ、或いはＮｉとＣｒとの合金によって構成することもできる。また、密着層と防錆層とは、同種材料であっても異種材料であってもよい。
（実施例１）
本発明の実施例にかかる電磁波シールドフィルムにつき、図１〜図８を用いて説明する。
本例の電磁波シールドフィルム１は、図７、図８に示すごとく、電子機器内のプリント基板５０上に実装された電子部品５の表面を被覆して電磁波を遮蔽する。
本発明の実施例にかかる電磁波シールドフィルムにつき、図１〜図８を用いて説明する。
本例の電磁波シールドフィルム１は、図７、図８に示すごとく、電子機器内のプリント基板５０上に実装された電子部品５の表面を被覆して電磁波を遮蔽する。
図１に示すごとく、電磁波シールドフィルム１は、樹脂からなる基材フィルム２と、該基材フィルム２の上面に積層した金属層３と、該金属層３の上面に積層した樹脂からなる保護フィルム４、４０とを有する。
保護フィルム４０は、該保護フィルム４０の端縁４１を上記基材フィルム２の端縁２１よりも外側に有している。
保護フィルム４０は、該保護フィルム４０の端縁４１を上記基材フィルム２の端縁２１よりも外側に有している。
上記保護フィルム４、４０は、２枚重ねられた状態で配設されている。即ち、金属層３の上面に粘着材層１３によって直接貼り付けられた保護フィルム４と、該保護フィルム４の上から、粘着材層１５によって貼り付けられた保護フィルム４０とが重ねられている。そして、上側の保護フィルム４０の端縁４１が、上記基材フィルム２の端縁２１よりも外側に位置している。
上記電磁波シールドフィルム１は、全体の厚みが５０〜３００μｍである。
また、上記基材フィルム２及び保護フィルム４は、ＰＥＴフィルムからなる。基材フィルム２の厚みは、例えば１５〜５０μｍとすることができる。
保護フィルム４の厚みは、例えば１５〜７５μｍとすることができる。これは、下記の実施例３に示すごとく、金属層３の上面を部分的に露出させる加工を行う場合などにその加工を容易にすると共に、電磁波シールドフィルムの柔軟性を確保するためである。
また、上記粘着材層１３、１５は、例えばアクリル系樹脂等からなる。
また、上記基材フィルム２及び保護フィルム４は、ＰＥＴフィルムからなる。基材フィルム２の厚みは、例えば１５〜５０μｍとすることができる。
保護フィルム４の厚みは、例えば１５〜７５μｍとすることができる。これは、下記の実施例３に示すごとく、金属層３の上面を部分的に露出させる加工を行う場合などにその加工を容易にすると共に、電磁波シールドフィルムの柔軟性を確保するためである。
また、上記粘着材層１３、１５は、例えばアクリル系樹脂等からなる。
図１に示すごとく、上記金属層３は、基材フィルム２との界面に配されて該基材フィルム２との密着を確保する密着層３１と、該密着層３１と反対側の面に配されて上記金属層３の腐食を防止する防錆層３３と、密着層３１と防錆層３３との間に配されるとともに密着層３１及び防錆層３３よりも電気抵抗率の低い導電層３２とからなる。
上記密着層３１は５〜５０ｎｍの厚みを有し、上記防錆層３３は１０〜５０ｎｍの厚みを有し、上記導電層３２は５０〜５００ｎｍの厚みを有する。
また、上記金属層３は、スパッタリングによって形成した膜からなる。
上記導電層３２は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であり、具体的には、Ｃｕ（銅）によって構成する。
上記密着層３１及び上記防錆層３３は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる。
また、上記金属層３は、スパッタリングによって形成した膜からなる。
上記導電層３２は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であり、具体的には、Ｃｕ（銅）によって構成する。
上記密着層３１及び上記防錆層３３は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる。
また、図５に示すごとく、基材フィルム２の下面（金属層３配設面と反対側の面）には、アクリル系樹脂等からなる粘着材層１１を予め設けておくことが好ましい。この場合、使用前において粘着材層１１を保護するための離型フィルム１２を粘着材層１１の下面に貼着しておく。
また、上記電磁波シールドフィルム１は、図７に示すごとく、個々の電子部品５を個別に被うものであってもよいし、図８に示すごとく、複数の電子部品５を一度に被うものであってもよい。
また、上記電磁波シールドフィルム１は、図７に示すごとく、個々の電子部品５を個別に被うものであってもよいし、図８に示すごとく、複数の電子部品５を一度に被うものであってもよい。
以下に、本例の電磁波シールドフィルム１の製造方法の一例につき、説明する。
まず、幅５００ｍｍ、厚さ２０μｍからなるＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）からなる基材フィルム２を２００ｍの長さ分、送り出しロールに巻いて樹脂フィルム成膜用のスパッタ装置内に設置する。
まず、幅５００ｍｍ、厚さ２０μｍからなるＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）からなる基材フィルム２を２００ｍの長さ分、送り出しロールに巻いて樹脂フィルム成膜用のスパッタ装置内に設置する。
その後、成膜する金属層３と基材フィルム２との密着性、及び金属層３の電気的特性の向上を目的とし、ターボ分子ポンプを用い、スパッタ装置を５×１０-4Ｐａの高真空に真空引きし、スパッタ装置内の残留ガス、水分量を減らす。
このように高真空にスパッタ装置を真空引きした状態で、基材フィルム２を送り出しロールから巻き取りロールへ送りながら、スパッタ成膜を行なう。
このように高真空にスパッタ装置を真空引きした状態で、基材フィルム２を送り出しロールから巻き取りロールへ送りながら、スパッタ成膜を行なう。
まず金属層３における第１層である密着層２１を成膜するに当っては、フィルム送りスピードを１．２ｍ／分として基材フィルム２を搬送しつつ、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる金属ターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴン（Ａｒ）ガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス波形を印加できるパルス型のＤＣ（直流）電源を用い、基材フィルム２とターゲット材料との間に１．５ｋＷの電力パワーで２００Ｖの高電圧を印加する。
これにより、基材フィルム２上にＳＵＳの金属膜を２５ｎｍの厚さで成膜して密着層３１を形成しつつ、巻き取りロールにフィルムを巻き取る。
これにより、基材フィルム２上にＳＵＳの金属膜を２５ｎｍの厚さで成膜して密着層３１を形成しつつ、巻き取りロールにフィルムを巻き取る。
次いで、ＳＵＳ金属からなる密着層３１の上に、電磁波シールドの重要な役割を果たす低抵抗金属層としての導電層３２の成膜を行なう。
即ち、まず、上記のごとく密着層３１を成膜してロール状に巻き取られたフィルムを、フィルム送りスピードを０．３ｍ／分にて送り出し、Ｃｕターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料との間に６．０ｋＷの電力パワーで３５０Ｖの高電圧を印加する。
これにより、ＳＵＳからなる密着層３１の上に、Ｃｕからなる導電層３２を２００ｎｍの厚さで成膜する。
即ち、まず、上記のごとく密着層３１を成膜してロール状に巻き取られたフィルムを、フィルム送りスピードを０．３ｍ／分にて送り出し、Ｃｕターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料との間に６．０ｋＷの電力パワーで３５０Ｖの高電圧を印加する。
これにより、ＳＵＳからなる密着層３１の上に、Ｃｕからなる導電層３２を２００ｎｍの厚さで成膜する。
次いで、Ｃｕからなる導電層３２の上に、防錆効果を発揮する防錆層３３の成膜を行う。
即ち、密着層３１および導電層３２を成膜したフィルムを、フィルム送りスピード１．２ｍ／分にて搬送しつつ、ＳＵＳターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料間に１．５ｋＷの電力パワーで、２００Ｖの高電圧を印加する。
これにより、Ｃｕからなる導電層３２の上に、ステンレス鋼（ＳＵＳ金属）からなる防錆層３３を２５ｎｍの厚さで成膜する。
即ち、密着層３１および導電層３２を成膜したフィルムを、フィルム送りスピード１．２ｍ／分にて搬送しつつ、ＳＵＳターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料間に１．５ｋＷの電力パワーで、２００Ｖの高電圧を印加する。
これにより、Ｃｕからなる導電層３２の上に、ステンレス鋼（ＳＵＳ金属）からなる防錆層３３を２５ｎｍの厚さで成膜する。
このようにして、図２に示すごとく、基材フィルム２上に三層の金属層３（密着層３１、導電層３２、防錆層３３）を設けてなる電磁波シールドフィルム１を、金属膜付きロールフィルムの状態で作製する。
次に、図３に示すごとく、この金属膜付きロールフィルム（図２の電磁波シールドフィルム１）の樹脂フィルム２の下面（金属層３と反対側の面）に、厚さ２０μｍからなるアクリル系の粘着材層１１を形成する。これにより、ＬＳＩなどの電子部品に容易に貼り合わせることが可能なフィルムとする。また、使用前において粘着材層１１を保護するための離型フィルム１２を、粘着材層１１の下面に貼着する。
さらに、図３に示す粘着材層１１を設けた金属膜付きロールフィルムにおける金属層３の上面に、厚さ２０μｍのＰＥＴからなる保護フィルム４を粘着材層１３を介して貼り合わせる（図４）。これにより、短絡防止及び金属層３の防錆効果を上げることができる積層フィルム１ａとする。
次に、図４に示す積層フィルム１ａを、ＬＳＩ等の電子部品の形状に合わせて型抜きを行なうことで、図５に示すごとく、例えば６ｍｍ×１７ｍｍの大きさに個片化する。ただし、離型フィルム１２は、個片化することなく連続している。
次に、図４に示す積層フィルム１ａを、ＬＳＩ等の電子部品の形状に合わせて型抜きを行なうことで、図５に示すごとく、例えば６ｍｍ×１７ｍｍの大きさに個片化する。ただし、離型フィルム１２は、個片化することなく連続している。
次に、図６に示すごとく、上記保護フィルム４の上面に、更に保護フィルム４０を、粘着材層１５を介して貼り合わせる。そして、上記保護フィルム４０を、個片化した積層フィルム１ａの外形よりも大きな外形となるように切断する。即ち、保護フィルム４０の端縁４１が基材フィルム２の端縁２１よりも外側となるように切断する。例えば、基材フィルム２の寸法を６ｍｍ×１７ｍｍとしたとき、保護フィルム４０の寸法を８ｍｍ×１９ｍｍとする。
これにより、離型シート１２上に、多数の個片化した電磁波シールドフィルム１を得る。
これにより、離型シート１２上に、多数の個片化した電磁波シールドフィルム１を得る。
なお、図１〜図８は、便宜上、フィルムの厚さ、フィルムの幅など、縦横の尺度については考慮せずに描いてある。後述する図９〜１１についても同様である。
また、本実施例においては、密着層３１に厚さ５〜５０ｎｍのステンレス鋼からなる層を用いたが、密着性を上げる他の方法としては、例えば、導電層３２の成膜前にアルゴンガスを導入した真空度１ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）チャンバー雰囲気で、周波数２０ｋＨｚ、印加電圧２００Ｖを加えることで、プラズマ処理による樹脂フィルム（基材フィルム２）のクリーニングを行い、密着性を上げることもできる。
ただし、高い信頼性を得るため、本実施例では密着層３１を具備することとした。またこの密着層３１には、ＳｉＯ2やＴｉＯ2などの酸化膜からなる層を用いても構わないが、酸化膜の成膜レートは低いため、価格の点から金属を用いることとした。
ただし、高い信頼性を得るため、本実施例では密着層３１を具備することとした。またこの密着層３１には、ＳｉＯ2やＴｉＯ2などの酸化膜からなる層を用いても構わないが、酸化膜の成膜レートは低いため、価格の点から金属を用いることとした。
次に、本例の作用効果につき説明する。
上記電磁波シールドフィルム１は、図１に示すごとく、金属層３の上面に保護フィルム４、４０を積層してなる。そのため、金属層３の露出を防ぎ、その腐食を防止することができる。
また、上記保護フィルム４０は、端縁４１を上記基材フィルム２の端縁２１よりも外側に有している。そのため、図７、図８に示すごとく、電磁波シールドフィルム１を使用したとき、上記基材フィルム２の上面に形成した金属層３の端面３４をも保護フィルム４０で被うことができる。これにより、金属層３の端面３４が露出することを防ぎ、電子回路の短絡を防ぐことができる。
上記電磁波シールドフィルム１は、図１に示すごとく、金属層３の上面に保護フィルム４、４０を積層してなる。そのため、金属層３の露出を防ぎ、その腐食を防止することができる。
また、上記保護フィルム４０は、端縁４１を上記基材フィルム２の端縁２１よりも外側に有している。そのため、図７、図８に示すごとく、電磁波シールドフィルム１を使用したとき、上記基材フィルム２の上面に形成した金属層３の端面３４をも保護フィルム４０で被うことができる。これにより、金属層３の端面３４が露出することを防ぎ、電子回路の短絡を防ぐことができる。
また、上記金属層３は、スパッタリングによって形成した膜からなるため、基材フィルム２に対する密着力が高く、薄くて膜厚が均一で、かつ緻密な金属層３を容易に形成することができる。
また、金属層３は、厚み５〜５０ｎｍの密着層３１と、厚み１０〜５０ｎｍの防錆層３３と、厚み５０〜５００ｎｍの導電層３２とからなる。即ち、基材フィルム２との界面に配される密着層３１を基材フィルム２との密着力の高い金属により構成し、最表面に配される防錆層３３を腐食しにくい金属により構成し、両者の間に配される導電層３２を電気抵抗率の充分に小さい金属により構成することができる。
これにより、密着層３１によって金属層３と基材フィルム２との密着性を確保し、導電層３２によって電磁波シールド効果を確保し、防錆層３２によって金属層３の腐食を防止することができる。そのため、電磁波シールドフィルム１の耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。
また、上記密着層３１の厚みが５〜５０ｎｍであるため、金属層３と基材フィルム２との密着性を充分に確保することができると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
また、上記導電層３２の厚みが５０〜５００ｎｍであるため、電磁波シールド効果及び電磁波シールドフィルム１の柔軟性を充分に確保することができる。また、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
また、上記導電層３２の厚みが５０〜５００ｎｍであるため、電磁波シールド効果及び電磁波シールドフィルム１の柔軟性を充分に確保することができる。また、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
また、上記防錆層３３の厚みが１０〜５０ｎｍであるため、金属層３の防錆効果を確保すると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
また、導電層３２の電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であるため、電磁波シールド効果を充分に有する電磁波シールドフィルム１を得ることができる。また、電気抵抗率を低くすることにより、金属層３の厚みが小さくても充分な導電性を確保することができる。その結果、電磁波シールドフィルム１の厚みを小さくして柔軟性を確保することが容易となる。
また、導電層３２の電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であるため、電磁波シールド効果を充分に有する電磁波シールドフィルム１を得ることができる。また、電気抵抗率を低くすることにより、金属層３の厚みが小さくても充分な導電性を確保することができる。その結果、電磁波シールドフィルム１の厚みを小さくして柔軟性を確保することが容易となる。
そして、導電層３２をＣｕによって構成することにより、電気抵抗率が充分に小さい導電層３２を安価に得ることができ、電磁波シールド効果に優れた安価な電磁波シールドフィルム１を得ることができる。
また、密着層３１及び防錆層３３は、ステンレス鋼からなるため、基材フィルム２との密着性を充分に確保すると共に、耐腐食性に優れた金属層３を容易に得ることができる。
また、密着層３１及び防錆層３３は、ステンレス鋼からなるため、基材フィルム２との密着性を充分に確保すると共に、耐腐食性に優れた金属層３を容易に得ることができる。
また、小さくて柔軟性のある電磁波シールドフィルム１とすることができるため、狭い場所における電磁波の遮蔽を目的とする使用を可能とする。例えば、携帯電話などコンパクトな電子機器の内部に配設された電子部品を容易に被覆することができる。
以上のごとく、本例によれば、電子回路の短絡を防止することができる耐久性に優れた電磁波シールドフィルムを提供することができる。
（実施例２）
本例は、図９に示すごとく、基材フィルム２よりも外形が大きい保護フィルム４０を、金属層３の上面に直接貼設した電磁波シールドフィルム１の例である。
即ち、実施例１における電磁波シールドフィルム１が、図１に示すごとく、基材フィルム２と同寸法の保護フィルム４と、それよりも外形の大きい保護フィルム４０とを積層したのに対し、本例の電磁波シールドフィルム１は、図９に示すごとく、外形の大きい保護フィルム４０を単独で積層したものである。
本例は、図９に示すごとく、基材フィルム２よりも外形が大きい保護フィルム４０を、金属層３の上面に直接貼設した電磁波シールドフィルム１の例である。
即ち、実施例１における電磁波シールドフィルム１が、図１に示すごとく、基材フィルム２と同寸法の保護フィルム４と、それよりも外形の大きい保護フィルム４０とを積層したのに対し、本例の電磁波シールドフィルム１は、図９に示すごとく、外形の大きい保護フィルム４０を単独で積層したものである。
本例の電磁波シールドフィルム１は、実施例１において示した、導電層３を設けた後、保護フィルム４を設ける前の状態（図３）で、小片状に型抜きしたものに対して、外形の大きな保護フィルム４０を貼り合わせることにより得られる。
その他は、実施例１と同様である。
その他は、実施例１と同様である。
本例の場合には、電磁波シールドフィルム１の厚みを小さくすることができ、柔軟性に優れた電磁波シールドフィルム１を容易に得ることができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。
ただし、金属層３を成膜した後、数々の工程を経て保護フィルム４０を配設するに至るまでの間の経時変化による腐食を考慮した場合や、耐候性が高く要求される場合等には、実施例１に示す、保護フィルム４、４０が二重に積層された電磁波シールドフィルム１の方が有利である。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。
ただし、金属層３を成膜した後、数々の工程を経て保護フィルム４０を配設するに至るまでの間の経時変化による腐食を考慮した場合や、耐候性が高く要求される場合等には、実施例１に示す、保護フィルム４、４０が二重に積層された電磁波シールドフィルム１の方が有利である。
（実施例３）
本例は、図１０、図１１に示すごとく、保護フィルム４０に、金属層３を部分的に露出させる開口部４２を設けてなる電磁波シールドフィルム１０の例である。
図１０に示す電磁波シールドフィルム１０は、実施例２において示した電磁波シールドフィルム１（図９）に適用したものである。
本例は、図１０、図１１に示すごとく、保護フィルム４０に、金属層３を部分的に露出させる開口部４２を設けてなる電磁波シールドフィルム１０の例である。
図１０に示す電磁波シールドフィルム１０は、実施例２において示した電磁波シールドフィルム１（図９）に適用したものである。
なお、本例は、実施例１において示した電磁波シールドフィルム１（図１）に適用することもできる。この場合、開口部４２は、２つの保護フィルム４、４０に連続して形成する。
その他は、実施例１と同様である。
その他は、実施例１と同様である。
この場合には、容易に金属層３をグランドに接続（接地）し、金属層３に流れる電流を効率よく逃がすことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。
上記実施例１〜３においては、金属層を、密着層と導電層と防錆層とからなる三層構造とした例を示したが、本発明は、三層構造の金属層を有する電磁波シールドフィルムに限られるものではない。
１、１０ 電磁波シールドフィルム
２ 基材フィルム
２１ 端縁
３ 金属層
３１ 密着層
３２ 導電層
３３ 防錆層
４、４０ 保護フィルム
４１ 端縁
５ 電子部品
２ 基材フィルム
２１ 端縁
３ 金属層
３１ 密着層
３２ 導電層
３３ 防錆層
４、４０ 保護フィルム
４１ 端縁
５ 電子部品
Claims (9)
- 電子機器内に実装された電子部品の表面を被覆して電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムであって、
該電磁波シールドフィルムは、樹脂からなる基材フィルムと、該基材フィルムの上面に積層した金属層と、該金属層の上面に積層した樹脂からなる保護フィルムとを有し、
該保護フィルムは、該保護フィルムの端縁を上記基材フィルムの端縁および上記金属層の端縁よりも外側に有しており、
上記電磁波シールドフィルムは柔軟性を有しており、
上記金属層は、上面側に配されて上記金属層の腐食を防止する防錆層と、該防錆層よりも電気抵抗率の低い導電層とからなり、該導電層は５０〜５００ｎｍの厚みを有していることを特徴とする電磁波シールドフィルム。 - 請求項１において、上記保護フィルムは、上記金属層を露出させる開口部を設けてなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
- 請求項１又は２において、上記金属層は、スパッタリングによって形成した膜からなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
- 請求項１〜３のいずれか１項において、上記金属層は、上記基材フィルムとの界面に配されて該基材フィルムとの密着を確保する密着層を有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。
- 請求項４において、上記密着層は５〜５０ｎｍの厚みを有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。
- 請求項１〜５のいずれか一項において、上記防錆層は１０〜５０ｎｍの厚みを有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。
- 請求項１〜６のいずれか一項において、上記導電層は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
- 請求項７において、上記導電層は、Ｃｕからなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
- 請求項１〜８のいずれか一項において、上記防錆層は、ステンレス鋼からなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
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