JP2019021757A - 封止用フィルムおよび電子部品搭載基板の封止方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、電子部品搭載基板が備える電子部品の搭載に起因して生じる凹凸に対する優れた追従性、および、電子部品への電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を付与して封止することができる封止用フィルム、かかる封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法、ならびに、かかる封止用フィルムを備える封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を提供すること。【解決手段】本発明の封止用フィルム１００は、電子部品搭載基板４５を封止するのに用いられ、絶縁層１２と電磁波シールド層１３とを備えるものであり、電磁波シールド層１３は突出部１５を備え、絶縁層１２および電磁波シールド層１３は樹脂材料を含有し、封止用フィルム１００は軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であり、かつ、電子部品搭載基板４５に形成される凹凸６に対応する凹凸７を予め備える。【選択図】図３

Description

本発明は、封止用フィルムおよび電子部品搭載基板の封止方法に関するものである。

従来、携帯電話、スマートフォン、電卓、電子新聞、タブレット端末、テレビ電話、パーソナルコンピュータのような電子機器には、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイルのような電子部品が搭載された電子部品搭載基板が実装されるが、この電子部品搭載基板は、湿気や埃等の外部因子との接触を防止することを目的に、樹脂により封止がなされることがある。

このような樹脂による封止は、例えば、電子部品搭載基板を金属キャビティ内に配置した後に、流動性の高いウレタン樹脂のような熱硬化性樹脂を注入して封止するポッティング法の他、熱可塑性樹脂を溶融状態で電子部品搭載基板に塗布した後に、固化させることで塗布した領域をコーティング（封止）するコーティング法が知られている。

しかしながら、ポッティング法では、熱硬化性樹脂の硬化に時間を要し、さらには、通常、封止に金属キャビティを要するため、得られる電子機器の重量化を招くと言う問題があった。また、コーティング法では、溶融状態とする熱可塑性樹脂の粘度管理、および、熱可塑性樹脂の塗布領域に対する塗り分けに時間と手間を有すると言う問題があった。

かかる問題点を解決することを目的に、ホットメルト性を有するバリアフィルムを電子部品搭載基板に貼付することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

ところが、この場合、電子部品搭載基板が電子部品を備えることに起因して形成される凹凸に対する追従性が十分に得られず、その結果、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性を十分に向上させるには至っていない。

また、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性を付与する他に、前記電子部品に対する電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を、バリアフィルム（封止用フィルム）に付与することが求められることがあった。

さらに、例えば、電子部品搭載基板の全面をバリアフィルムで覆うと、電子部品搭載基板をその外部と電気的に接続するための電極を電子部品搭載基板が備える場合、この電極もバリアフィルムで覆われ、その結果、電極と外部との電気的な接続を確保することが困難となることもあった。

特開２００９−９９４１７号公報

本発明の目的は、電子部品搭載基板が備える電子部品の搭載に起因して生じる凹凸に対する優れた追従性、および、電子部品への電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を付与して封止することができる封止用フィルム、かかる封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法、ならびに、かかる封止用フィルムを備える封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１０）に記載の本発明により達成される。
（１） 基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられ、絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを備える封止用フィルムであって、
前記絶縁層および前記電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、当該封止用フィルムは、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であり、かつ、前記基板に前記電子部品が搭載されることで前記電子部品搭載基板に形成される凹凸に対応する凹凸を予め備えることを特徴とする封止用フィルム。

（２） 前記電子部品搭載基板において、前記電子部品に対応して形成される前記凹凸の凸部の高さをＨ［ｍｍ］とし、当該封止用フィルムにおいて、前記電子部品搭載基板が備える前記凸部に対応して予め形成された、前記凹凸の凹部の深さをＤ［ｍｍ］としたとき、１．０＜Ｈ／Ｄ＜１．４なる関係を満足する上記（１）に記載の封止用フィルム。

（３） 前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側または他方の面側に、前記電子部品に電気的に接続された電極を備え、前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えており、
前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記電極に接触するよう構成されている上記（１）または（２）に記載の封止用フィルム。

（４） 前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面の縁部、もしくは前記電子部品の周囲に、前記電極を備える上記（３）に記載の封止用フィルム。

（５） 前記電極は、グランド電極である上記（３）または（４）に記載の封止用フィルム。

（６） 当該封止用フィルムは、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の封止用フィルム。

（７） 前記絶縁層および前記電磁波シールド層のうち少なくとも一方は、前記樹脂材料として、ポリオレフィン系樹脂を含有する上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の封止用フィルム。

（８） 当該封止用フィルムは、その平均厚さが１０μｍ以上７００μｍ以下である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の封止用フィルム。

（９） 前記基板は、プリント配線基板である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の封止用フィルム。

（１０） 上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にし、かつ、前記電子部品搭載基板に形成される前記凹凸に、前記封止用フィルムが予め備える前記凹凸に対応させて前記封止用フィルムを配置する配置工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する冷却・加圧工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

本発明では、封止用フィルムを構成する絶縁層および電磁波シールド層がともに樹脂材料を主材料として構成され、封止用フィルムは、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における封止用フィルムの伸び率が１５０％以上３５００％以下となっており、かつ、基板に電子部品が搭載されることで電子部品搭載基板に形成される凹凸に対応する凹凸を予め備えている。そのため、基板と電子部品と電極とを覆い、かつ、電子部品搭載基板に形成された凹凸に、封止用フィルムが予め備える凹凸が対応するように封止用フィルムを配置し、その後、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに減圧した後に、封止用フィルムを冷却、かつ、加圧する工程を経ることにより、電子部品搭載基板に形成された凹凸に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品と電極とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。

また、封止用フィルムにより、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止されるため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。

さらに、電磁波シールド層が絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、封止用フィルムにより、電子部品の他に、さらに、電極をも被覆する場合には、電極は、導電性を有する電磁波シールド層と接触して封止され、そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板おいて、この電磁波シールド層を介した電極と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

本発明の封止用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。 図１に示す封止用フィルムを製造する製造方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。 本発明の封止用フィルムの第２実施形態を示す縦断面図である。 図４に示す封止用フィルムを製造する製造方法を説明するための縦断面図である。 図４に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の封止用フィルムおよび電子部品搭載基板の封止方法を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。

本発明の封止用フィルムは、基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品と、前記基板の前記一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられ、絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを備えるものであり、絶縁層および電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、この封止用フィルムは、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であり、かつ、基板に電子部品が搭載されることで電子部品搭載基板に形成される凹凸に対応する凹凸を予め備えることを特徴とする。

また、本発明の電子部品搭載基板の封止方法は、上記の封止用フィルムを用いて、基板と電子部品とを封止する封止方法であり、基板と電子部品とを覆うように、絶縁層を電子部品搭載基板側にし、かつ、電子部品搭載基板に形成される凹凸に、封止用フィルムが予め備える凹凸を対応させて封止用フィルムを配置する配置工程と、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、基板と電子部品とを封止用フィルムで封止する冷却・加圧工程とを有することを特徴とする。

このような封止用フィルムを用いて、基板上に電子部品および電極が搭載されることにより形成された凹凸の被覆に適用すると、前記冷却・加圧工程において、軟化された状態の封止用フィルムが、加圧された状態で冷却される。さらに、配置工程において、封止用フィルムは、電子部品搭載基板に形成される凹凸に、この封止用フィルムが予め備える凹凸を対応させて配置される。これらのことから、封止用フィルムにより基板と電子部品とを優れた追従性をもって封止した状態で、被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を備える電子機器の信頼性の向上を図ることができる。

また、封止用フィルムにより、基板と電子部品と電極とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。

さらに、電磁波シールド層が絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、封止用フィルムにより、電子部品の他に、さらに、電極をも被覆する場合には、電極は、突出部において導電性を有する電磁波シールド層と接触して封止され、そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板おいて、この電磁波シールド層を介した電極と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

＜封止用フィルム＞
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の封止用フィルム１００の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の封止用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示す封止用フィルムを製造する製造方法を説明するための縦断面図、図３は、図１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１〜図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

封止用フィルム１００は、絶縁層１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３とを備え、絶縁層１２および電磁波シールド層１３が、ともに、樹脂材料を含有し、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であり、かつ、基板５に電子部品４が搭載されることで電子部品搭載基板４５に形成される凹凸６に対応して予め形成された凹凸７を備えるものである。

この封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、本実施形態では、基板５と、基板５の上面（一方の面）の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面の端部に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成され、この凹凸６が、封止用フィルム１００を用いて被覆される。

なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられ、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。

このような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる、絶縁層１２と電磁波シールド層１３とを備える積層体で構成される封止用フィルム１００は、前記伸び率が前記範囲内を満足し得るものであれば、これら絶縁層１２と電磁波シールド層１３とに含まれる樹脂材料（熱可塑性樹脂材料）は、如何なるもので構成されていてもよいが、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン共重合体、延伸ポリプロピレン、未延伸ポリプロピレンのようなポリオレフィン系樹脂、アイオノマー樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートのようなポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ナイロン−６、ナイロン−６，６、ナイロン−６，１０、ヘキサメチレンジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−６Ｔ、ヘキサメチレンジアミンとイソフタル酸とからなるナイロン−６Ｉ、ノナンジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−９Ｔ、メチルペンタジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−Ｍ５Ｔ、カプロラクタムとラウリルラクタムとからなるナイロン−６，１２、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とカプロラクタムとからなるナイロン−６−６，６のようなポリアミド系樹脂、アクリル樹脂、スチレン系樹脂、ポリ塩化ビニルおよびポリビニルアルコール等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、絶縁層１２および電磁波シールド層１３のそれぞれに含まれる樹脂材料は、同一のものであってもよいし、異なるものであっても良い。

また、樹脂材料を含有する絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち、絶縁層１２は、前記樹脂材料を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層１３は、前記樹脂材料と、導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層１２および電磁波シールド層１３をかかる構成のものとすることで、絶縁層１２を、絶縁性を有し、電磁波シールド層１３を、導電性および電磁波シールド性の双方を有するものとし得る。

上記のような樹脂材料を含有する絶縁層１２と電磁波シールド層１３とを備える封止用フィルム１００は、ポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうちの少なくとも１層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。

そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する絶縁層１２と、前記樹脂材料と導電性粒子とを含有する電磁波シールド層１３とを備え、絶縁層１２に含まれる樹脂材料がポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム１００を、一例として説明する。

絶縁層１２は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。

また、絶縁層１２は、樹脂材料（ポリオレフィン系樹脂）としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、電子部品４と導電性を有する電磁波シールド層１３との間に介在することで、電子部品４同士、さらには電子部品４と電極３との間で短絡が生じるのを防止するための層として機能する。

このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量が５重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上２０重量％以下であることがより好ましい。前記下限値未満であると、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することが困難となるおそれがある。これに対して、前記上限値を超えると、絶縁層１２を構成する樹脂の結晶部が減少し、非結晶部が増加する傾向を示すことに起因して、絶縁層１２に残存する酸化防止剤等の添加剤が溶出するおそれがある。そのため、電子部品搭載基板４５側に移行し、その結果、電子部品４の特性に不都合が生じるおそれがある。

また、絶縁層１２の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。絶縁層１２の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。

なお、絶縁層１２に含まれる樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、後述する電磁波シールド層１３に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよいし、さらには、ナイロン６、ナイロン６６のようなポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレン−２，６−ナフタレートのようなポリエステル樹脂等であってもよい。

電磁波シールド層１３は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルム１００を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。また、この樹脂材料（アイオノマー）は、下記の導電性材料を層中に保持するバインダーとしても機能する。

また、電磁波シールド層１３は、樹脂材料としてアイオノマー樹脂の他に、さらに、導電性を有する導電性粒子を含有することで、導電性および電磁波シールド性を備える層である。そして、この電磁波シールド層１３は、本実施形態では、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。

このような電磁波シールド層１３により、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、その中央部では、絶縁層１２を介して、電子部品４が被覆される。そのため、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。さらに、電磁波シールド層１３の端部では、絶縁層１２が介在することなく、導電性を有する突出部１５が電極３を直接被覆することで、電極３が突出部１５（電磁波シールド層１３）に電気的に接続される。そのため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１５を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

ここで、本明細書中において、樹脂材料としてのアイオノマー樹脂とは、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体や、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体を、金属イオンで架橋した樹脂のことを言い、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。

また、金属イオンとしては、例えば、カリウムイオン（Ｋ^＋）、ナトリウムイオン（Ｎａ^＋）、リチウムイオン（Ｌｉ^＋）、マグネシウムイオン（Ｍｇ^＋＋）、亜鉛イオン（Ｚｎ^＋＋）等が挙げられる。これらの中でも、ナトリウムイオン（Ｎａ^＋）または亜鉛イオン（Ｚｎ^＋＋）であることが好ましい。これにより、アイオノマー樹脂における架橋構造が安定化されるため、前述した電磁波シールド層１３としての機能をより顕著に発揮させることができる。

さらに、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体、もしくは、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体のカルボキシル基における陽イオン（金属イオン）による中和度は、好ましくは４０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下である。

また、導電性粒子は、電磁波シールド層１３に導電性および電磁波シールド性の双方を付与し得るものであれば、特に限定されず、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、またはこれらを含む合金のような金属、および、ＡＦｅ_２Ｏ_４（式中、Ａは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕまたはＺｎである）で表されるフェライト、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＦＴＯのような金属酸化物等を含むものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、導電性粒子は、このような金属および／または金属酸化物を含むものの他、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレンのような導電性高分子、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンブラックのような炭素系材料を含有するものであってもよい。

導電性粒子の平均粒径は、１．０μｍ以上４０．０μｍ以下であるのが好ましく、３．０μｍ以上８．０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、導電性粒子を電磁波シールド層１３中に均一に分散させることができる。そのため、電磁波シールド層１３を、このものとしての特性を均質に発揮するものとできる。

また、電磁波シールド層１３中における導電性粒子の含有量は、１０重量％以上９５重量％以下であることが好ましく、５０重量％以上９０重量％以下であることがより好ましい。導電性粒子の含有量をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド層１３に導電性および電磁波シールド性の双方を確実に付与しつつ、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定されているものとし得る。

また、電磁波シールド層１３の平均厚さは、１μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。電磁波シールド層１３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定されているものとし得る。さらに、電磁波シールド層１３に、導電性および電磁波シールド性の双方を確実に付与することができる。

なお、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、絶縁層１２に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよいし、ナイロン６、ナイロン６６のようなポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレン−２，６−ナフタレートのようなポリエステル樹脂等であってもよい。

また、封止用フィルム１００では、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層１２と電子部品搭載基板４５との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層１２の内側に接着層を設けることもできる。

接着層に含まれる接着性樹脂としては、例えば、ＥＶＡ、エチレン−無水マレイン酸共重合体、ＥＡＡ、ＥＥＡ、エチレン−メタクリレート−グリシジルアクリレート三元共重合体、あるいは、各種ポリオレフィンに、アクリル酸、メタクリル酸などの一塩基性不飽和脂肪酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などの二塩基性不飽和脂肪酸またはこれらの無水物をグラフトさせたもの、例えば、マレイン酸グラフト化ＥＶＡ、マレイン酸グラフト化エチレン−α−オレフィン共重合体、スチレン系エラストマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等、公知の粘着性樹脂や接着性樹脂を適宜、使用することができる。

ここで、封止用フィルム１００を、上記のような構成の電磁波シールド層１３と絶縁層１２とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を比較的容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができるが、この伸び率は、１５０％以上３５００％以下であればよいが、６００％以上３５００％以下であることが好ましく、２０００％以上３５００％以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルム１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の被覆に適用した際に、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができ、かつ、封止用フィルム１００の途中で破断されるのを的確に抑制または防止することができる。

また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が１０ｍｍ以上のように段差が大きいものであったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。

なお、破断伸び（軟化点における伸び率）の測定は、オートグラフ装置（例えば、島津製作所製、ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ ＡＧＳ−Ｘ等）を用いて、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に記載の方法に準拠して測定することができる。

また、封止用フィルム１００の軟化点は、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて、チャック間距離２０ｍｍ、昇温速度５℃／分および角周波数１０Ｈｚの条件で測定し得る。

さらに、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、３５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上４０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルム１００の加熱時において、封止用フィルム１００は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルム１００の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム１００と、基板５、電子部品４さらには電極３との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板４５の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム１００の電子部品搭載基板４５からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。なお、封止用フィルム１００の線膨張率は、例えば、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて算出し得る。

ここで、本発明では、前述のとおり、封止用フィルム１００は、さらに、図１、図２（ａ）に示すように、基板５に電子部品４が搭載されることで電子部品搭載基板４５に形成される凹凸６に対応する凹凸７を予め備えている。すなわち、封止用フィルム１００は、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の凸部６１に対応して予め形成された、凹凸７の凹部７２と、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の凹部６２に対応して予め形成された、凹凸７の凸部７１とを備えている。このように、電子部品搭載基板４５の凹凸６の形状に対応した凹凸７を封止用フィルム１００が予め備えていることにより、封止用フィルム１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸を被覆する際に、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができる。

また、電子部品搭載基板４５における凹凸６の凸部６１の高さをＨ［ｍｍ］とし、封止用フィルム１００における凹凸７の凹部６２の深さをＤ［ｍｍ］としたとき、１．０＜Ｈ／Ｄ＜１．４なる関係を満足することが好ましく、１．０＜Ｈ／Ｄ＜１．２なる関係を満足することがより好ましい。かかる関係を満足することにより、封止用フィルム１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸を被覆する際に、封止用フィルム１００を加熱することで、予め凹凸７が形成された封止用フィルム１００において、たとえ収縮が生じたとしても、封止用フィルム１００の一部において、剥がれや、破断が生じるのを的確に抑制または防止することができる。

さらに、封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３は、本実施形態では、絶縁層１２よりも大きく形成され、その端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。そのため、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、基板５の上面側の端部に形成された電極３に、突出部１５を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１５は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。

また、この突出部１５の長さは、特に限定されないが、０．１ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上１．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側の端部に形成された電極３に到達させることができるため、突出部１５と電極３との電気的な接続をより確実に実現することができる。

また、封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。

（封止用フィルムの製造方法）
以上のような構成をなす、本実施形態の封止用フィルム１００は、例えば、以下に示すような封止用フィルムの製造方法により製造することができる。

封止用フィルムの製造方法は、平板状（シート状）をなす封止用フィルム１００を用意した後に、この封止用フィルム１００を、型取り用母型基板８５が有する凹凸８を覆うように配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、型取り用母型基板８５の凹凸８を封止用フィルム１００で被覆する冷却・加圧工程と、凹凸７を備える封止用フィルム１００を型取り用母型基板８５から離脱させる離脱工程とを有する。

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、平板状（シート状）をなす封止用フィルム１００と、凹凸８を有する型取り用母型基板８５とを用意した後に、図２（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および絶縁層１２のうち絶縁層１２を、型取り用母型基板８５に対向させた状態で、型取り用母型基板８５の凹凸８を覆うように、封止用フィルム１００を型取り用母型基板８５上に配置する。

なお、平板状をなす封止用フィルム１００を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法、塗工積層等を用いて、電磁波シールド層１３と絶縁層１２とを成膜および積層を行うことにより、平板状をなす封止用フィルム１００を得ることができる。

また、型取り用母型基板８５は、その凹凸８が、基板５上に電子部品４および電極３を搭載することにより得られる電子部品搭載基板４５に形成される凹凸６に対応した形状をなしており、樹脂材料または金属材料等の構成材料で構成され、例えば、金型等の型を用いて形成することができる他、前記構成材料で構成される平板を凹凸８（凸部８１、凹部８２）の形状に対応してエッチングすること等により製造することができる。

（加熱・減圧工程）
次に、図２（ｂ）に示すように、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち電磁波シールド層１３および絶縁層１２が軟化し、その結果、型取り用母型基板８５が備える凹凸８（凸部８１、凹部８２）の形状に対して、追従し得る状態となる。

また、この際、型取り用母型基板８５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の上側ばかりでなく、型取り用母型基板８５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、型取り用母型基板８５が備える凹凸８の形状に若干追従した状態となる。

本工程により、型取り用母型基板８５に形成された凹凸８の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸８の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。

（冷却・加圧工程）
次に、図２（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、型取り用母型基板８５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなり、その結果、凹凸８の形状に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、型取り用母型基板８５が被覆される。なお、前記加熱減圧工程において、凹凸８の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。

この際、本発明では、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。そのため、封止用フィルム１００は、この加圧時に、型取り用母型基板８５に形成された凹凸８（凸部８１、凹部８２）に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、型取り用母型基板８５を優れた追従性をもって被覆することができる。

そして、封止用フィルム１００により、型取り用母型基板８５を、優れた追従性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

また、型取り用母型基板８５は、前述の通り、１つの構成材料により構成され、凹凸８が一体的に形成されている。そのため、かかる観点からも、基板５上に電子部品４および電極３を搭載することにより凹凸６が形成される電子部品搭載基板４５に、封止用フィルム１００を被覆する場合と比較して、型取り用母型基板８５に形成された凹凸８に対して、優れた追従性（気密性）をもって封止用フィルム１００を被覆することができる。

なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸８の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた追従性をもって被覆させることができる。

（離脱工程）
次に、図２（ｄ）に示すように、封止用フィルム１００を型取り用母型基板８５から離脱させる。

これにより、型取り用母型基板８５の凹凸８、すなわち、電子部品搭載基板４５が有する凹凸６の形状に対応した凹凸７（凸部７１、凹部７２）を備える封止用フィルム１００が形成される。

なお、型取り用母型基板８５が有する凹凸８には、配置工程に先立って、フッ素系離型剤およびシリコーン系離型剤のような離型剤による表面処理を施すようにしてもよい。これにより、本工程における、封止用フィルム１００の型取り用母型基板８５からの離脱をより円滑に実施することができる。

上記の工程を経ることで、電子部品搭載基板４５が有する凹凸６の形状に対応した凹凸７を予め備える封止用フィルム１００を得ることができる。

（電子部品搭載基板の封止方法）
次に、上述した本発明の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法（本発明の電子部品搭載基板の封止方法）について説明する。

本発明の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、電子部品搭載基板４５に形成される凹凸６に、封止用フィルム１００が予め備える凹凸７が対応するように封止用フィルム１００を配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、基板５と電子部品４と電極３を封止用フィルム１００で被覆する冷却・加圧工程とを有する。

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および絶縁層１２のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを、さらには、本実施形態では、電極３をも覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

この際、本発明では、封止用フィルム１００には、凹凸７が予め形成されており、この凹凸７を、基板５に電子部品４と電極３とを搭載することで形成された電子部品搭載基板４５が備える凹凸６に対応させる。すなわち、電子部品搭載基板４５の凸部６１に対応して、封止用フィルム１００に予め形成された凹凸７の凹部７２を配置し、電子部品搭載基板４５の凹部６２に対応して、封止用フィルム１００に予め形成された凹凸７の凸部７１を配置する。

（加熱・減圧工程）
次に、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち電磁波シールド層１３および絶縁層１２が軟化し、その結果、基板５上に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、密着し得る状態となる。

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の上側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

これにより、封止用フィルム１００が軟化しながら、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に対して若干密着した状態となる。

なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、確実に凹凸６の形状に若干密着した状態とすることができる。

また、前記配置工程において、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００の凹凸７が十分に追従した状態で封止用フィルム１００が電子部品搭載基板４５に対して配置されていれば、封止用フィルム１００を構成する構成材料の種類によっては、加熱・減圧工程における減圧さらには加熱を省略することもできる。

（冷却・加圧工程）
次に、図３（ｂ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、凹凸７を備える封止用フィルム１００がさらに伸展することとなり、その結果、凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、本実施形態では、電極３をも被覆される。なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。

この際、本発明では、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であり、かつ、封止用フィルム１００が予め備える凹凸７が、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６に対応して配置されている。したがって、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６に対応して凹凸７が配置された封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた追従性をもって被覆することができる。このように、前記伸び率が１５０％以上３５００％以下となっているばかりでなく、封止用フィルム１００が予め備える凹凸７が、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６に対応して配置されていることから、前記加熱・減圧工程および本工程（冷却・加圧工程）を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた追従性をもって被覆することができる。

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、優れた追従性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３の積層体で構成されるが、本実施形態では、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。

そのため、本工程において、電磁波シールド層１３の中央部では、絶縁層１２を介して、電子部品４が被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。

さらに、電磁波シールド層１３の端部では、絶縁層１２が介在することなく、導電性を有する突出部１５が電極３を直接被覆することで、電極３が突出部１５（電磁波シールド層１３）に電気的に接続される。そのため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１５を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた追従性をもって被覆させることができる。

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第２実施形態について説明する。

図４は、本発明の封止用フィルムの第２実施形態を示す縦断面図、図５は、図４に示す封止用フィルムを製造する製造方法を説明するための縦断面図、図６は、図４に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図４〜図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第２実施形態の封止用フィルム１００、および、この封止用フィルム１００で被覆する電子部品搭載基板４５について、前記第１実施形態の封止用フィルム１００、および、第１実施形態の封止用フィルム１００で被覆する電子部品搭載基板４５との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第２実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、基板５の下面（他方の面）側の端部に電極３を備えている。したがって、本実施形態では、電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載および基板５の下面への電極３の形成により、基板５の上面および下面に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成されている。

第２実施形態の封止用フィルム１００では、かかる構成の電子部品搭載基板４５が備える電極３を封止用フィルム１００により被覆し得るように、電磁波シールド層１３が備える突出部１５は、基板５の下面側に折り込むことが可能なように、第１実施形態の封止用フィルム１００と比較して、長さが長く設定され、その端部に電極３に対応して形成された凸部６１を被覆するための凹部７２が形成されていること以外は、図１に示す第１実施形態の封止用フィルム１００と同様である。第２実施形態の封止用フィルム１００が、かかる構成をなしていることにより、基板５の下面側の端部に形成された電極３に、この突出部１５を、その端部が備える凹部７２において接触させた状態とすることができる。

具体的には、この突出部１５の長さは、特に限定されないが、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面側に位置する電極３に到達させることができるため、突出部１５と電極３との電気的な接続を確実に実現することができる。

（封止用フィルムの製造方法）
このような第２実施形態の封止用フィルム１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。

すなわち、図５（ａ）に示すように、配置工程において、第１実施形態の封止用フィルム１００と比較して、突出部１５の長さが長い、平板状をなす封止用フィルム１００を用意し、さらに、第１実施形態の型取り用母型基板８５と比較して、電子部品４を覆うための凹部７２を形成するための凸部８１と、電極３を覆うための凹部７２を形成するための凸部８１との離間距離が長い、型取り用母型基板８５を用意すること以外は、前記第１実施形態と同様にして、図５（ｂ）〜図（ｄ）に示す、加熱・減圧工程〜離脱工程を実施することにより、第２実施形態の封止用フィルム１００を得ることができる。

（電子部品搭載基板の封止方法）
さらに、第２実施形態の封止用フィルム１００を用いた、基板５の下面側の端部に電極３を備える電子部品搭載基板４５の封止（被覆）は、以下のようにして実施することができる。

すなわち、図６（ａ）に示すように、配置工程において、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、電子部品搭載基板４５の上面に形成される凹凸６に、封止用フィルム１００が予め備える凹凸７が対応するように封止用フィルム１００を配置し、加熱・減圧工程において、封止用フィルム１００を加熱して軟化させた後に、図６（ｂ）に示すように、電磁波シールド層１３が備える突出部１５を、基板５の下面側に折り込むことで、突出部１５の端部に形成された凹部７２により、基板５の下面の端部に設けられた電極３に対応して形成された凸部６１を被覆し、その後、冷却・加圧工程を施すこと以外は、前記第１実施形態と同様にすることにより、図６（ｃ）に示すような封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

以上、本発明の封止用フィルムおよび電子部品搭載基板の封止方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の封止用フィルムは、電子部品搭載基板が備える電極の封止用フィルムによる被覆を実施しない場合には、電磁波シールド層が備える突出部の形成を省略してもよい。

また、本発明の封止用フィルムには、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよく、具体的には、例えば、本発明の封止用フィルムは、電磁波シールド層の絶縁層と反対側の面上に、絶縁性を有する被覆層を備えるものであってもよい。

さらに、本発明の電子部品搭載基板の封止方法には、１または２以上の任意の工程が追加されていてもよい。

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

（実施例１）
＜平板状をなす封止用フィルムの製造＞
平板状（シート状）をなす封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。

まず、絶縁層１２を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。

次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜し、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層１３を塗工成膜し、上記をラミネーターに貼り合わせることによって、電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体を形成した後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去することで突出部１５を備える電磁波シールド層１３と絶縁層１２とで構成される積層体からなる平板状をなす封止用フィルムを得た。

なお、得られた平板状をなす封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、電磁波シールド層１３／絶縁層１２で１００／１００μｍであり、合計厚さは、２００μｍであった。

また、平板状をなす封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８８０％であった。

さらに、平板状をなす封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５１ｐｐｍ／Ｋであった。

＜凹凸を備える封止用フィルムの製造＞
まず、凹凸８を備える型取り用母型基板８５を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、型取り用母型基板８５が有する凹凸８を覆うように平板状をなす封止用フィルム１００を、絶縁層１２を型取り用母型基板８５側にして、配置した。

次に、平板状をなす封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルム１００を加熱した温度は１２５℃であり、チャンバーの圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。

次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルム１００を冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、型取り用母型基板８５が有する凹凸８を封止用フィルム１００により被覆させた。

次に、封止用フィルム１００を型取り用母型基板８５から離脱させることで、凹凸７を備える実施例１の封止用フィルム１００を得た。

＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、凹凸６を備える電子部品搭載基板４５を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板４５が有する基板５と電子部品４とを覆うように、得られた凹凸７を備える実施例１の封止用フィルム１００を、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして、凹凸７と凹凸６とが対応するように配置した。

次に、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバーの圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。

次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムで被覆された実施例１の封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

（実施例２）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍにしたこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２の封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

（実施例３）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍにしたこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例３の封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

（実施例４）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部にし導電性粒子を８０重量部にし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍにしたこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例４の封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

（実施例５）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍにしたこと以外は、前記実施例４と同様にして実施例５の封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

（実施例６）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１と同様にして実施例６の封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

（実施例７）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１と同様にして実施例７の封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

（実施例８）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ^３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２の平均厚さ（μｍ）を５０μｍとしたこと以外は前記実施例１と同様にして実施例８の封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

（実施例９）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、低密度ポリエチレン樹脂（ダウ社製、「エリート５２２０Ｇ」）を用意し、形成する絶縁層１２の平均厚さ（μｍ）を６０μｍとしたこと以外は前記実施例１と同様にして実施例９の封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

（比較例１）
比較例１として、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。

＜評価試験＞
各実施例および比較例で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、形状追従性、シワの発生の有無、耐熱性の評価を行った。以下に、これらの評価方法について説明する。

＜＜形状追従性＞＞
形状追従性は、以下のようにして評価した。

すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、被覆した凹凸における空隙の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、空隙の有無は、顕微鏡を用いて観察した。

各符号は以下のとおりであり、◎および○を合格とし、×を不合格とした。
◎ ：段差の底部にまで、充填された状態で被覆されている
○ ：段差の底部において若干の空隙が形成されているものの、
ほぼ全体に亘って充填された状態で被覆されている
× ：段差の底部において明らかな空隙が形成された状態で被覆されている

＜＜シワの有無＞＞
シワの有無は、以下のようにして評価した。

すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、被覆した上面におけるシワの有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、シワの有無は、マイクロスコープを用いて観察した。

各符号は以下のとおりであり、○を合格とし、×を不合格とした。
○：封止用フィルムの上面の全体にシワが認められない
×：封止用フィルムの上面の凸部に対応する位置に明らかなシワが認められる

＜＜電磁波シールド性＞＞
電磁波シールド性は、以下のようにして評価した。

すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルムについて、ＫＥＣ法（電界）を用いて、周波数０．００１〜１ＧＨｚの範囲内における電磁波シールド効果の値を測定し、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の範囲内における電磁波シールド効果の最小値を求めた。そして、求められた最小値を、以下の評価基準に基づいて判断した。

各符号は以下のとおりであり、○を合格とし、×を不合格とした。
○：電磁波シールド効果の最小値が２０ｄＢ以上である
×：電磁波シールド効果の最小値が２０ｄＢ未満である

なお、ＫＥＣ法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす封止用フィルムを介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるＫＥＣ法では、受信アンテナにおいて、封止用フィルムを通過（透過）した電磁波が測定されるすなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波シールド層により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定される。

＜＜導電性＞＞
電磁波シールド層における導電性の有無は、以下のようにして評価した。

すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、電磁波シールド層が備える突出部において、電源と接続し、電子部品の駆動の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。

各符号は以下のとおりであり、○を合格とし、×を不合格とした。
○：電子部品の駆動が認められる
×：電子部品の駆動が認められない

表１から明らかなように、各実施例の封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であり、かつ、電子部品搭載基板に形成される凹凸に対応する凹凸を予め備えることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。

これに対して、比較例の封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、電子部品搭載基板に形成される凹凸に対応する凹凸を予め備えるものとしたが、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。

３ 電極
４ 電子部品
５ 基板
６ 凹凸
７ 凹凸
８ 凹凸
１２ 絶縁層
１３ 電磁波シールド層
１５ 突出部
４５ 電子部品搭載基板
５０ 封止用フィルム被覆電子部品搭載基板
６１ 凸部
６２ 凹部
７１ 凸部
７２ 凹部
８１ 凸部
８２ 凹部
８５ 型取り用母型基板
１００ 封止用フィルム

Claims (10)

1. 基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられ、絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを備える封止用フィルムであって、
   前記絶縁層および前記電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、当該封止用フィルムは、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であり、かつ、前記基板に前記電子部品が搭載されることで前記電子部品搭載基板に形成される凹凸に対応する凹凸を予め備えることを特徴とする封止用フィルム。
2. 前記電子部品搭載基板において、前記電子部品に対応して形成される前記凹凸の凸部の高さをＨ［ｍｍ］とし、当該封止用フィルムにおいて、前記電子部品搭載基板が備える前記凸部に対応して予め形成された、前記凹凸の凹部の深さをＤ［ｍｍ］としたとき、１．０＜Ｈ／Ｄ＜１．４なる関係を満足する請求項１に記載の封止用フィルム。
3. 前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側または他方の面側に、前記電子部品に電気的に接続された電極を備え、前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えており、
   前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記電極に接触するよう構成されている請求項１または２に記載の封止用フィルム。
4. 前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面の縁部、もしくは前記電子部品の周囲に、前記電極を備える請求項３に記載の封止用フィルム。
5. 前記電極は、グランド電極である請求項３または４に記載の封止用フィルム。
6. 当該封止用フィルムは、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
7. 前記絶縁層および前記電磁波シールド層のうち少なくとも一方は、前記樹脂材料として、ポリオレフィン系樹脂を含有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
8. 当該封止用フィルムは、その平均厚さが１０μｍ以上７００μｍ以下である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
9. 前記基板は、プリント配線基板である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
10. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
    前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にし、かつ、前記電子部品搭載基板に形成される前記凹凸に、前記封止用フィルムが予め備える前記凹凸に対応させて前記封止用フィルムを配置する配置工程と、
    前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、
    前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する冷却・加圧工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

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