WO2020241468A1 - インサート成形用樹脂組成物、電子部品の封止体、及び電子部品の封止体の製造方法 - Google Patents

インサート成形用樹脂組成物、電子部品の封止体、及び電子部品の封止体の製造方法 Download PDF

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electronic component
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wave shielding
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亮 浜崎
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東洋紡株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a resin composition for insert molding, a sealing body for electronic parts, and a method for manufacturing a sealing body for electronic parts.
  • Patent Document 1 it is used to seal an electronic component mounting substrate including a substrate and an electronic component mounted on one surface side of the substrate, and is used for sealing the insulating layer and one surface side of the insulating layer.
  • a sealing film including an electromagnetic wave shielding layer laminated on the surface is disclosed.
  • the electromagnetic wave shielding layer is formed on the surface side of the sealing portion, and the electromagnetic wave shielding layer may deteriorate due to contact with an external environmental factor. there were.
  • the present invention has been made by paying attention to the above problems, and an object of the present invention is to obtain an electronic component encapsulant having excellent durability against external environmental factors of the electromagnetic wave shielding layer and an electromagnetic wave shielding layer thereof.
  • Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a sealed body of an electronic component.
  • the method for producing a resin composition for insert molding, a sealant for electronic components, and a sealant for electronic components according to the present invention has the following configurations.
  • a resin composition for insert molding containing a resin and an electromagnetic wave shielding filler [2] The resin composition for insert molding according to [1], which is a thermoplastic resin.
  • [5] Has electronic components
  • the electronic component is sealed with a resin molded product containing an electromagnetic wave shield layer formed on the surface of the electronic component by the resin composition for insert molding according to any one of [1] to [4].
  • the number A (pieces / 40,000 ⁇ m 2 ) of the electromagnetic wave shielding filler per 200 ⁇ m square in the region closer to the surface of the electronic component is ,
  • the electromagnetic wave shielding filler is a sealing body for electronic components according to any one of [5] to [7], which is a conductive filler.
  • the electromagnetic wave shielding filler is a sealant for an electronic component according to any one of [5] to [8], which has an aspect ratio of 1.5 or more.
  • thermoplastic resin is at least one selected from the group consisting of polyester resins, polyamide resins, polyolefin resins, polycarbonate resins, and polyurethane resins.
  • thermosetting resin is at least one selected from the group consisting of epoxy resins, phenol resins, unsaturated polyester resins, diallyl phthalate resins, urethane (meth) acrylate resins, and polyimide resins.
  • insert molding is performed to form an electromagnetic wave shield layer on the surface of an electronic component.
  • a method for manufacturing a sealed body of an electronic component including a process.
  • the method for producing a sealed body of an electronic component according to [12] which comprises a step of heating the first resin composition in an injection molding machine so as to be in a molten state and allowing it to stand for 5 hours or more.
  • a second resin composition containing a resin and an electromagnetic wave shielding filler and having a lower concentration of the electromagnetic wave shielding filler than the first resin composition is used on the electromagnetic wave shielding layer.
  • the method for producing a sealed body of an electronic component according to [12] or [13] which comprises a step of performing insert molding for forming a protective layer.
  • a method for producing an electronic component encapsulant having excellent durability against external environmental factors of the electromagnetic wave shield layer, a resin composition for obtaining the electromagnetic wave shield layer, and an electronic component encapsulant according to the above configuration. can be provided.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a sealed body of an electronic component according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a sealed body of an electronic component according to the second embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a sealed body of an electronic component according to a third embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a sealed body of an electronic component according to a fourth embodiment.
  • the electronic component is sealed with a resin molded product containing an electromagnetic wave shielding layer formed on the surface of the electronic component by an insert molding resin composition containing a resin and an electromagnetic wave shielding filler.
  • Electromagnetic wave shielding filler per 200 ⁇ m square in the region closer to the surface of the electronic part (hereinafter sometimes referred to as the internal region) in the cross section of the resin molded product that is stopped and perpendicular to the surface of the electronic part.
  • Number A (pieces / 40,000 ⁇ m 2 ) is the number B (pieces / 40) of electromagnetic wave shielding fillers per 200 ⁇ m square in the region closer to the surface of the resin molded product (hereinafter sometimes referred to as the external region).
  • the electromagnetic wave shield layer is directly formed on the surface of the electronic component by using the resin composition for insert molding. That is, by omitting the insulating layer between the electronic component and the electromagnetic wave shielding layer as disclosed in Patent Document 1, the thickness and weight of the sealing portion can be easily reduced. As a result, for example, in the encapsulation of electronic components for which there are many demands for weight reduction and compactness of the encapsulation portion, a protective layer of an electromagnetic wave shield layer or the like is provided on the outside so that the thickness and weight of the encapsulation portion do not increase too much. be able to.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the sealed body of the electronic component according to the first embodiment in a direction perpendicular to the surface of the electronic component.
  • the sealing body 10 of the electronic component has the electronic component 1.
  • the electronic component 1 is mounted on the substrate 3, and the electromagnetic wave shield layer 2a is formed directly on the surface of the electronic component 1. Further, a protective layer 2b is formed on the surface of the electromagnetic wave shield layer 2a. In this way, the electronic component 1 is sealed by the resin molded product 2 including the electromagnetic wave shielding layer 2a and the protective layer 2b.
  • the electronic component 1 does not have to be mounted on the substrate 3 like the sealing body of the electronic component according to the fourth embodiment described later.
  • Examples of the electronic component 1 include semiconductor elements such as transistors, capacitors, coils, resistors, and the like.
  • the conductive portion, the semiconductor portion, or the like of the electronic component 1 is packaged with a resin or metal, the surface of the electronic component 1 shall correspond to the surface of the package.
  • the electromagnetic wave shield layer 2a is located in a region (internal region) closer to the surface of the electronic component 1 in the resin molded product 2, and is made of an insert molding resin composition containing a resin and an electromagnetic wave shielding filler. It is formed. It can be said that the internal region is a region located on the surface side of the electronic component 1 with respect to the virtual surface located between the surface of the electronic component 1 and the surface of the resin molded product 2.
  • the protective layer 2b is located in a region (external region) closer to the surface of the resin molded product 2 in the resin molded product 2, and is made of an insert molding resin composition containing the resin and an electromagnetic wave shielding filler. It is formed. It can be said that the external region is a region located on the surface side of the resin molded product 2 with respect to the virtual surface located between the surface of the electronic component 1 and the surface of the resin molded product 2. Further, the content of the electromagnetic wave shielding filler in the protective layer 2b is smaller than the content of the electromagnetic wave shielding filler in the electromagnetic wave shielding layer 2a.
  • the number A (pieces / 40,000 ⁇ m 2 ) of the electromagnetic wave shielding fillers per 200 ⁇ m square in the inner region is larger than the number B (pieces / 40,000 ⁇ m 2 ) of the electromagnetic wave shielding fillers per 200 ⁇ m square in the outer region.
  • the electromagnetic wave shield layer 2a can protect the electromagnetic wave shield layer 2a from external environmental factors while the electromagnetic wave shield layer 2a shields the electromagnetic waves.
  • the electromagnetic wave shielding property of the resin molded product 2 can be improved by also containing the electromagnetic wave shielding property filler in the protective layer 2b.
  • the number A (pieces / 40,000 ⁇ m 2 ) is preferably 1.01 times or more, more preferably 1.03 times or more the number B (pieces / 40,000 ⁇ m 2 ). , 1.05 times or more is more preferable, and 1.1 times or more is particularly preferable.
  • the number A (pieces / 40,000 ⁇ m 2 ) is preferably 10 times or less the number B (pieces / 40,000 ⁇ m 2 ). This makes it easier to reduce distortion during thermal expansion, for example. Therefore, the number A (pieces / 40,000 ⁇ m 2 ) is more preferably 5 times or less than the number B (pieces / 40,000 ⁇ m 2 ), and further preferably 2 times or less.
  • the protective layer 2b does not have to contain an electromagnetic wave shielding filler.
  • the number of electromagnetic wave shielding fillers can be measured by a known method using an electron microscope or the like. Further, when counting the number of electromagnetic wave shielding fillers, fillers having a major axis of less than 0.5 ⁇ m are not counted because they have weak electromagnetic wave shielding properties.
  • the total area A of 200 ⁇ m square (40,000 2) per electromagnetic shielding filler in the interior region ([mu] m 2), the total area B ([mu] m of 200 ⁇ m square (40,000 2) per electromagnetic shielding filler in the outer region It is preferably larger than 2 ).
  • the total area A ( ⁇ m 2 ) is preferably 1.01 times or more, more preferably 1.03 times or more, and further preferably 1.05 times or more of the total area B ( ⁇ m 2 ). It is preferable, and it is particularly preferable that it is 1.1 times or more. On the other hand, the total area A ( ⁇ m 2 ) is preferably 10 times or less the total area B ( ⁇ m 2 ). This makes it easier to reduce distortion during thermal expansion, for example. Therefore, the total area A ( ⁇ m 2 ) is more preferably 5 times or less than the total area B ( ⁇ m 2 ), and further preferably 2 times or less.
  • the 200 ⁇ m square region in the internal region is preferably selected from the region within 1.0 mm from the surface of the electronic component 1, and more preferably selected from the region within 500 ⁇ m.
  • the 200 ⁇ m square region in the outer region is preferably selected from the region within 1.0 mm from the surface of the resin molded product 2, and more preferably selected from the region within 500 ⁇ m.
  • the 200 ⁇ m square region in the internal region is selected from the regions within 10% from the surface of the electronic component 1 with respect to the height of the cross section of the resin molded product 2 in the direction perpendicular to the surface of the electronic component 1. Is preferable, and it is more preferable to select from the region within 5%.
  • the 200 ⁇ m square region in the external region is preferably selected from the region within 10% from the surface of the resin molded product 2, and is preferably selected from the region within 5%.
  • the electromagnetic wave shielding filler contained in the electromagnetic wave shielding layer 2a is a material capable of exhibiting electromagnetic wave shielding properties by reflecting and absorbing electromagnetic waves.
  • the electromagnetic wave shielding filler is preferably a conductive filler. Since the conductive filler has conductivity, it is possible to easily increase the reflection loss of electromagnetic waves and the absorption loss of electromagnetic waves.
  • the electromagnetic wave shielding filler preferably has a volume resistivity of 1 ⁇ ⁇ cm or less. As a result, it becomes easier to conduct, and the lower the volume resistivity, the easier it is to exhibit the electromagnetic wave shielding property. Therefore, the volume resistivity is more preferably 10 -3 ⁇ ⁇ cm or less, further preferably 10 -5 ⁇ ⁇ cm or less, and even more preferably 10 -6 ⁇ ⁇ cm or less. -7 ⁇ ⁇ cm or less is particularly preferable.
  • the electromagnetic wave shielding filler examples include metal fillers, metal compound fillers, and carbon fillers. Further, as the electromagnetic wave shielding filler, a magnetic system filler having conductivity, a metal-plated body obtained by coating glass beads, fibers, or the like with a metal or the like may be used. Further, a metal filler, a metal compound filler, a carbon filler, a magnetic filler, glass beads, fibers or the like coated with silica or the like may be used. Only one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • metal-based fillers examples include aluminum, zinc, iron, silver, copper, nickel, stainless steel, and palladium. Only one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • metal compound-based filler examples include zinc oxide-based, barium sulfate-based, aluminum borate-based, titanium oxide-based, titanium black-based, tin oxide-based, indium oxide-based, potassium titanate-based, lead zirconate titanate-based, and the like. .. Only one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • carbon-based fillers examples include acetylene black, ketjen black, furnace black, carbon black, carbon fiber, carbon nanotubes, and carbon microcoils. Only one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • the magnetic system filler can be magnetized and can absorb and reduce electromagnetic waves.
  • the magnetic filler include ferrite fillers such as Mn ferrite, Ni ferrite, Zn ferrite, Ba ferrite, Sr ferrite, Mn-Zn ferrite, and Ni-Zn ferrite; and containing silicon atoms such as iron-aluminum-silicon alloy.
  • Iron-based fillers; Nickel-iron alloy-based fillers such as nickel-manganese-iron alloys, nickel-molybdenum-copper-iron alloys, nickel-molybdenum-manganese-iron alloys; iron-cobalt-based alloy fillers; neodymium-iron- Examples include boron alloy-based fillers. Of these, ferromagnets exhibiting ferromagnetism and ferrimagnetism are preferable.
  • the electromagnetic wave shielding filler a magnetic system filler having no conductivity can be mentioned.
  • the shape of the electromagnetic wave shielding filler is not particularly limited, but at least one selected from the group consisting of spherical fillers, needle-shaped fillers, rod-shaped fillers, fibrous fillers, flat fillers, scaly fillers, and plate-shaped fillers is preferable. .. Of these, at least one selected from the group consisting of needle-like fillers, rod-like fillers, fibrous fillers, flat fillers, scaly fillers, and plate-like fillers is more preferable because it easily improves conductivity. Further, when a spherical filler is used, uneven distribution of stress concentration can be reduced, and strain during thermal expansion can be easily reduced.
  • the combination of at least one selected from the group consisting of needle-shaped fillers, rod-shaped fillers, fibrous fillers, flat fillers, scaly fillers, and plate-shaped fillers and spherical fillers not only has electromagnetic wave shielding properties. It is effective when heat resistance is required.
  • the electromagnetic wave shielding filler preferably has an aspect ratio of 1.5 or more.
  • the aspect ratio of the electromagnetic wave shielding filler is 1.5 or more, the electromagnetic wave shielding property is likely to be improved. Therefore, the aspect ratio of the electromagnetic wave shielding filler is more preferably 3 or more, still more preferably 5 or more, and even more preferably 10 or more.
  • the aspect ratio is preferably 60 or less, more preferably 40 or less, and even more preferably 30 or less.
  • the electromagnetic wave shielding layer 2a may include an electromagnetic wave shielding filler having an aspect ratio of 1.5 or more and an electromagnetic wave shielding filler having an aspect ratio of less than 1.5.
  • the number ratio of the electromagnetic wave shielding filler having an aspect ratio of 1.5 or more to the electromagnetic wave shielding filler having an aspect ratio of less than 1.5 is preferably 10% or more and 90% or less.
  • the number ratio is 10% or more, the conductivity is likely to be improved. Therefore, it is more preferably 30% or more, still more preferably 40% or more.
  • the number ratio is 90% or less, uneven distribution of stress concentration and distortion during thermal expansion are likely to be reduced. Therefore, it is more preferably 70% or less, still more preferably 60% or less.
  • the electromagnetic wave shielding filler preferably has a major axis of 0.5 ⁇ m or more.
  • the major axis of the electromagnetic wave shielding filler is more preferably 1.0 ⁇ m or more, still more preferably 2.0 ⁇ m or more, and even more preferably 5.0 ⁇ m or more.
  • the upper limit of the major axis of the electromagnetic wave shielding filler is not particularly limited, but for example, it may be 500 ⁇ m or less, 300 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less, or 50 ⁇ m or less. It may be 30 ⁇ m or less.
  • the electromagnetic wave shielding layer 2a may include an electromagnetic wave shielding filler having a major axis of 0.5 ⁇ m or more and an electromagnetic wave shielding filler having a major axis of less than 0.5 ⁇ m.
  • the number ratio of the electromagnetic wave shielding filler having a major axis of 0.5 ⁇ m or more to the electromagnetic wave shielding filler having a major axis of less than 0.5 ⁇ m is preferably 10% or more and 90% or less.
  • the number ratio is 10% or more, the conductivity is likely to be improved. Therefore, it is more preferably 30% or more, still more preferably 40% or more.
  • the number ratio is 90% or less, uneven distribution of stress concentration and distortion during thermal expansion are likely to be reduced. Therefore, it is more preferably 70% or less, still more preferably 60% or less.
  • the content of the electromagnetic wave shielding filler in the electromagnetic wave shielding layer 2a is preferably 3 parts by mass or more and 1000 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin.
  • the ratio of the electromagnetic wave shielding filler is 3 parts by mass or more, the electromagnetic wave shielding property is easily improved. Therefore, it is more preferably 5 parts by mass or more, further preferably 10 parts by mass or more, and even more preferably 15 parts by mass or more.
  • the ratio of the electromagnetic wave shielding filler is 1000 parts by mass or less, the adhesiveness of the electromagnetic wave shielding layer 2a is likely to be improved. Therefore, it is more preferably 800 parts by mass or less, further preferably 300 parts by mass or less, and even more preferably 100 parts by mass or less.
  • the description of the resin contained in the resin composition for insert molding of the present invention described later may be referred to.
  • the electromagnetic wave shielding filler contained in the electromagnetic wave shielding layer 2a can be referred to.
  • the content of the electromagnetic wave shielding filler in the protective layer 2b is preferably 1 part by mass or more and 950 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin.
  • the ratio of the electromagnetic wave shielding filler is 1 part by mass or more, the electromagnetic wave shielding property in the protective layer 2b is likely to be improved. Therefore, it is more preferably 3 parts by mass or more, further preferably 5 parts by mass or more, and even more preferably 10 parts by mass or more.
  • the ratio of the electromagnetic wave shielding filler is 950 parts by mass or less, the adhesiveness of the protective layer 2b is likely to be improved. Therefore, it is more preferably 750 parts by mass or less, further preferably 250 parts by mass or less, and even more preferably 90 parts by mass or less.
  • the protective layer 2b does not have to contain an electromagnetic wave shielding filler.
  • the resin contained in the protective layer 2b the resin described in the column of the description of the resin composition for insert molding of the present invention described later may be referred to. It is preferable that the resin is the same as the resin contained in the electromagnetic wave shield layer 2a.
  • the outer shape of the resin molded product 2 is not particularly limited, and concave portions and convex portions may be provided as needed.
  • the electromagnetic wave shield layer 2a in the resin molded product 2 is not limited to one layer, and may be two or more layers.
  • the protective layer 2b in the resin molded product 2 is not limited to one layer, and may be two or more layers.
  • the electronic component 1 can be sealed with the resin molded product 2 by, for example, the following method.
  • the electromagnetic wave shield layer 2a is formed by insert molding the electronic component 1 attached to the substrate 3 with a molding resin composition containing a resin and an electromagnetic wave shielding filler.
  • the protective layer 2b is formed by insert molding using a molding resin composition having a low content of the electromagnetic wave shielding filler. In this way, the electronic component 1 can be sealed by the resin molded product 2.
  • the substrate 3 examples include a resin substrate, a glass epoxy substrate, a tin-plated copper substrate, a nickel-plated copper substrate, a SUS substrate, an aluminum substrate, and the like.
  • the resin substrate is preferably a substrate formed of an insulating resin.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the sealed body of the electronic component according to the second embodiment in a direction perpendicular to the surface of the electronic component.
  • the electromagnetic wave shield layer 2a is formed directly on the surface of the electronic component 1. Further, a protective layer 2b is provided on the surface of the electromagnetic wave shield layer 2a (hereinafter, may be referred to as an upper surface) on the side opposite to the mounting portion 4 of the electronic component 1. In this way, the protective layer 2b may be formed on a part of the surface of the electromagnetic wave shield layer 2a. Since the upper surface of the electromagnetic wave shield layer 2a is particularly susceptible to external environmental factors, it is preferable that at least the upper surface of the electromagnetic wave shield layer 2a is protected by the protective layer 2b.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the sealed body of the electronic component according to the third embodiment in a direction perpendicular to the surface of the electronic component.
  • the electromagnetic wave shield layer 2a is formed directly on the surface of the electronic component 1.
  • the electromagnetic wave shield layer 2a a region (internal region) located on the surface side of the electronic component 1 with respect to the virtual surface located between the surface of the electronic component 1 and the surface of the resin molded product 2 (electromagnetic wave shield layer 2a).
  • the content of the electromagnetic wave shielding filler is larger in that case than in the resin molded product 2 (electromagnetic wave shielding layer 2a) located on the surface side (external region) of the virtual surface.
  • a concentration gradient structure is formed so that the content of the electromagnetic wave shielding filler increases toward the inside.
  • the electromagnetic wave shielding property is high on the inner side of the electromagnetic wave shielding layer 2a, and the content of the electromagnetic wave shielding property filler is small on the outer side of the electromagnetic wave shielding layer 2a, so that deterioration due to contact with an external environmental factor is easily prevented.
  • the concentration inclined structure can be formed, for example, in insert molding by allowing it to stand in a plasticized state (melted state) for a long time in an injection molding machine and then injection molding in that state.
  • the standing time is, for example, 5 hours or more.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the sealed body of the electronic component according to the fourth embodiment in a direction perpendicular to the surface of the electronic component.
  • the electromagnetic wave shield layer 2a is formed directly on the surface of the electronic component 1. Further, a protective layer 2b is formed on the surface of the electromagnetic wave shield layer 2a. In this way, the electronic component 1 is sealed by the resin molded product 2 including the electromagnetic wave shielding layer 2a and the protective layer 2b. The electronic component 1 does not have to be mounted on the substrate, as in the electronic component encapsulant 40.
  • the present invention also includes a resin composition for obtaining an electromagnetic wave shielding layer of a sealing body of these electronic components.
  • the resin composition of the present invention is a resin composition for insert molding containing a resin and an electromagnetic wave shielding filler.
  • the electromagnetic wave shielding filler contained in the resin composition for insert molding As the electromagnetic wave shielding filler contained in the resin composition for insert molding, the electromagnetic wave shielding filler contained in the electromagnetic wave shielding layer 2a of the sealing body of the electronic component according to the first embodiment can be referred to.
  • the resin contained in the resin composition for insert molding is preferably at least one selected from the group consisting of thermoplastic resins and thermosetting resins.
  • the thermoplastic resin is preferably at least one selected from the group consisting of polyester-based resins, polyamide-based resins, polyolefin-based resins, polycarbonate-based resins, and polyurethane-based resins. Of these, polyester resins are more preferable.
  • polyester resin examples include those formed by reacting a carboxylic acid component and a hydroxyl group component.
  • carboxylic acid components terephthalic acid, isophthalic acid, adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 4-methyl-1
  • Examples thereof include 2-cyclohexanedicarboxylic acid, dimer acid, hydrogenated dimer acid and naphthalenedicarboxylic acid.
  • ethylene glycol 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 2-methyl-1,3- Propanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, dipropylene glycol, diethylene glycol, neopentyl glycol, 2,2,4-trimethyl-1,3- Pentandiol, tricyclodecanedimethanol, neopentyl glycol hydroxypivalic acid ester, 1,9-nonanediol, 2-methyloctanediol, 1,10-dodecanediol, 2-butyl-2-ethyl-1,3-propane Examples thereof include diols, polytetramethylene glycols, polytetramethylene
  • a polyester containing a polyalkylene glycol component is preferable.
  • a hard segment containing a polyester segment and a soft segment containing a polyalkylene glycol component are preferably ester-bonded.
  • the hard segment is preferably contained in an amount of 20% by weight or more and 80% by weight or less, and more preferably 30% by weight or more and 70% by weight or less with respect to the entire polyester resin.
  • the polyester segment in the hard segment is preferably composed mainly of a polyester formed by polycondensation of an aromatic dicarboxylic acid with an aliphatic glycol and / or an alicyclic glycol.
  • the main component means that the polyester segment contains 80% by weight or more, and more preferably 90% by weight or more.
  • Aromatic dicarboxylic acid is preferable because an aromatic dicarboxylic acid having 8 to 14 carbon atoms can improve heat resistance, and terephthalic acid and / or naphthalene dicarboxylic acid is more preferable because it easily reacts with glycol.
  • Aliphatic glycols and / or alicyclic glycols are preferably alkylene glycols having 2 to 10 carbon atoms, and more preferably alkylene glycols having 2 to 8 carbon atoms.
  • the aliphatic glycol and / or alicyclic glycol is preferably contained in a proportion of 50 mol% or more, and more preferably 70 mol% or more of the total glycol component.
  • the glycol component ethylene glycol, 1,3-propylene glycol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, 1,4-cyclohexanedimethanol and the like are preferable, and 1,4-butanediol and 1,4 are preferable.
  • -Cyclohexanedimethanol is more preferable because it easily improves the heat resistance of polyester.
  • the soft segment is preferably contained in an amount of 20% by weight or more and 80% by weight or less, and more preferably 30% by weight or more and 70% by weight or less based on the entire polyester resin.
  • the polyalkylene glycol component in the soft segment is preferably polyethylene glycol, polytrimethylene glycol, polytetramethylene glycol, or the like, and more preferably polytetramethylene glycol in terms of improving flexibility and reducing melt viscosity. ..
  • the soft segment mainly consists of a polyalkylene glycol component.
  • the copolymerization ratio of the soft segment is preferably 1 mol% or more, more preferably 5 mol% or more, and 10 mol% or more, when the total glycol component constituting the polyester resin is 100 mol%. It is more preferable, and it is particularly preferable that it is 20 mol% or more. As a result, the melt viscosity becomes high and sealing at low pressure can be facilitated.
  • it is preferably 90 mol% or less, more preferably 55 mol% or less, further preferably 50 mol% or less, and particularly preferably 45 mol% or less. This makes it easier to improve heat resistance.
  • the number average molecular weight of the soft segment is preferably 400 or more, more preferably 800 or more. This makes it easier to impart flexibility.
  • the number average molecular weight of the soft segment is preferably 5000 or less, and more preferably 3000 or less. This makes it easier to copolymerize with other copolymerization components.
  • the number average molecular weight of the polyester resin is preferably 3,000 or more, more preferably 5,000 or more, and further preferably 7,000 or more. Thereby, it is possible to easily improve the hydrolysis resistance of the resin composition and the strong elongation under high temperature and high humidity.
  • the upper limit is preferably 60,000 or less, more preferably 50,000 or less, still more preferably 40,000 or less. The melt viscosity can be easily reduced, and the molding pressure can be reduced.
  • the melting point of the polyester resin is preferably 70 ° C. or higher and 210 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or higher and 190 ° C. or lower.
  • polyamide-based resin examples include resins having an amide bond in the molecule.
  • the polyamide resin specifically, reaction products of dimer acid, aliphatic dicarboxylic acid, aliphatic, alicyclic and / or polyether diamine are preferable. Specifically, 50 to 98 mol% of dimer fatty acid, 2 to 50 mol% of C 6 to C 24 aliphatic dicarboxylic acid, 0 to 10 mol% of C 14 to C 22 monocarboxylic acid, 0 to 40 mol%. More preferably, it contains the polyether diamine of the above and 60 to 100 mol% of an aliphatic diamine. Examples of commercially available products include THERMELT 866, 867, 869, 858 manufactured by Bostik.
  • polyolefin resins homopolymers or copolymers of olefins such as ethylene, propylene, butene; copolymers of these olefins and copolymerizable monomer components; or maleic anhydride modified products thereof. And so on.
  • polystyrene-based resins polyethylene, polypropylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer, ethylene- Examples thereof include ⁇ -olefin copolymers, ethylene-propylene copolymers, ethylene-butene copolymers and propylene-butene copolymers. Only one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • Examples of the polycarbonate resin include those obtained by reacting a polyfunctional hydroxy compound with a carbonic acid ester-forming compound.
  • Examples of the polyfunctional hydroxy compound include 4,4'-dihydroxybiphenyls which may have a substituent and bis (hydroxyphenyl) alkanes which may have a substituent.
  • Examples of the carbonic acid ester-forming compound include various dihalogenated carbonyls such as phosgene, halohomates such as chlorohomet, and carbonic acid ester compounds such as bisaryl carbonate.
  • polyurethane resin examples include those formed by reacting a hydroxyl group component (prepolymer) with an isocyanate compound (curing agent).
  • a hydroxyl group component for example, at least one selected from the group consisting of polyester polyol, polycaprolactone polyol, polyether polyol, and polyalkylene polyol can be mentioned.
  • the isocyanate compound includes at least one diisocyanate selected from the group consisting of trimethylene diisocyanate (TDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), diphenylmethane diisocyanate (MDI), isophorone diisocyanate (IPDI), and xylylene diisocyanate (XDI).
  • TDI trimethylene diisocyanate
  • HDI hexamethylene diisocyanate
  • MDI diphenylmethane diisocyanate
  • IPDI isophorone diisocyanate
  • XDI xylylene di
  • thermosetting resin is at least one selected from the group consisting of epoxy resins, phenol resins, unsaturated polyester resins, diallyl phthalate resins, urethane (meth) acrylate resins, and polyimide resins. Is preferable. Of these, urethane (meth) acrylate-based resin or epoxy-based resin is more preferable.
  • the epoxy-based resin examples include bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, etc., or bisphenol-type epoxy resin from these derivatives, bixylene-type epoxy resin from bixylenel and its derivatives, biphenol-type epoxy from biphenol and its derivatives.
  • examples thereof include a resin, a naphthalene type epoxy resin from naphthalene and a derivative thereof, and an epoxy resin such as a novolak type epoxy resin.
  • the epoxy equivalent which is a measure of the molecular weight of the epoxy resin, is preferably 174 to 16000 g / eq. Only one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • epoxy resin epoxy (meth) acrylate is preferable.
  • an epoxy (meth) acrylate an epoxy (meth) having a double bond of acrylate or methacrylate at the molecular end obtained by adding acrylic acid or methacrylic acid to an epoxy resin having two or more glycidyl ether groups in one molecule.
  • Acrylate can be mentioned. Further, it may be an epoxy (meth) acrylate resin in which an epoxy (meth) acrylate is dissolved in a radically polymerizable monomer and / or a radically polymerizable multimer.
  • phenolic resin various resins having a phenol residue as a constituent unit can be used.
  • phenols such as phenol, cresol, xylenol, p-alkylphenol, chlorphenol, bisphenol A, phenolsulfonic acid, resorcin, and various modified phenols.
  • examples thereof include resins formed by reacting phenols having a sex hydroxyl group with aldehydes such as formarin and furfural.
  • the unsaturated polyester resin is formed by reacting an acid component and an alcohol component.
  • the acid component include unsaturated polybasic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid or their anhydrides, aromatic carboxylic acids such as phthalic acid, isophthalic acid and terephthalic acid or their anhydrides.
  • the alcohol component include alkylene glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol and propylene glycol, and aromatic diols such as bisphenol A and bisphenol A-C 2-4 alkylene oxide.
  • diallyl phthalate resin examples include resins obtained from diallyl phthalate monomers such as diallyl phthalate, diallyl isophthalate, diallyl terephthalate, and diallyl orthophthalate.
  • the urethane (meth) acrylate-based resin is obtained, for example, by reacting diisocyanate with at least one selected from the group consisting of polyalcohol, polyester polyol, and polyether polyol having two or more hydroxyl groups in one molecule. It can be obtained by reacting the isocyanate group at the molecular terminal of the compound and / or the isocyanate group of the compound having an isocyanate group in one molecule with a compound having an alcoholic hydroxyl group and a (meth) acrylate group.
  • a compound having a double bond of a (meth) acrylate group at the molecular terminal obtained by reacting with at least one selected from the group consisting of polyether polyols can be used as the urethane (meth) acrylate-based resin. ..
  • the polyimide resin is a resin having an imide bond in the main chain of the molecule.
  • a condensed polymer of an aromatic diamine or an aromatic diisocyanate and an aromatic tetracarboxylic acid, an aromatic diamine or an aromatic diisocyanate and a bismaleimide At least selected from the group consisting of bismaleimide resin, which is an addition polymer of One type can be mentioned.
  • the resin contained in the resin composition for insert molding is preferably a thermoplastic resin or a thermosetting resin, and is a thermoplastic resin, an unsaturated polyester resin, a diallyl phthalate resin, or a urethane (meth) acrylate resin.
  • a thermoplastic resin an unsaturated polyester resin, a diallyl phthalate resin, or a urethane (meth) acrylate resin.
  • at least one thermosetting resin selected from the group consisting of polyimide resins is more preferable, and thermoplastic resins are even more preferable.
  • the number average molecular weight of the resin is preferably 3,000 or more, more preferably 5,000 or more, and further preferably 7,000 or more. Thereby, it is possible to easily improve the hydrolysis resistance of the resin composition and the strong elongation under high temperature and high humidity.
  • the upper limit is preferably 60,000 or less, more preferably 50,000 or less, still more preferably 40,000 or less. This makes it easier to reduce the melt viscosity and reduces the molding pressure.
  • the electromagnetic wave shielding filler can be easily settled.
  • the melt viscosity of the resin at 200 ° C. is preferably 2000 dPa ⁇ s or less. If the melt viscosity is low, the electromagnetic wave shielding filler tends to settle. It is more preferably 1500 dPa ⁇ s or less, still more preferably 1000 dPa ⁇ s or less, and even more preferably 700 dPa ⁇ s or less. On the other hand, by setting the melt viscosity to 5 dPa ⁇ s or more, it is possible to easily suppress so-called sagging due to resin leakage from a nozzle or the like.
  • the melt viscosity is more preferably 20 dPa ⁇ s or more, further preferably 50 dPa ⁇ s or more, and even more preferably 100 dPa ⁇ s or more.
  • the melt viscosity of the resin at 200 ° C. can be determined by the following method. For example, using a flow tester (CFT-500C type) manufactured by Shimadzu Corporation, a cylinder in the center of the heating body set at 200 ° C. is filled with a resin sample dried to a moisture content of 0.1% or less, and the filling is performed for 1 minute. After that, a load (10 kgf) is applied to the sample via a plunger, and the molten sample is extruded from a die (hole diameter: 1.0 mm, thickness: 10 mm) at the bottom of the cylinder. The descent distance and descent time of the plunger at that time may be recorded, and the melt viscosity may be calculated.
  • CFT-500C type a cylinder in the center of the heating body set at 200 ° C.
  • additives usually used in injection molding and the like can be added to the resin composition for insert molding as long as the characteristics of the resin molded product are not impaired.
  • Additives include flame retardants, plasticizers, mold release agents, hydrolysis inhibitors, fillers, antioxidants, heat anti-aging agents, copper damage inhibitors, antistatic agents, light-resistant stabilizers, UV absorbers, etc. Be done. Only one of these additives may be used alone, or two or more of these additives may be used in combination.
  • the present invention also includes a method for manufacturing a sealed body for electronic components.
  • an electromagnetic wave shielding layer is formed on the surface of the electronic component by using the first resin composition containing the resin composition for insert molding.
  • Examples thereof include a manufacturing method including a step of performing insert molding.
  • the production method preferably includes a step of heating the first resin composition in an injection molding machine so as to be in a molten state and allowing it to stand for 5 hours or more. As a result, a concentration gradient structure of the electromagnetic wave shielding filler is easily formed.
  • the upper limit of the standing time in the injection molding machine is preferably about 10 hours or less.
  • the standing temperature is preferably a temperature in the same range as the nozzle temperature below.
  • the temperature (nozzle temperature) at the time of injection molding is preferably 100 ° C. or higher and 250 ° C. or lower. It is more preferably 120 ° C. or higher and 220 ° C. or lower, and further preferably 140 ° C. or higher and 210 ° C. or lower.
  • the pressure at the time of injection molding is preferably 50 MPa or less. By setting the injection pressure to 50 MPa or less, deformation of electronic components can be suppressed. It is more preferably 40 MPa or less, further preferably 30 MPa or less, and even more preferably 20 MPa or less.
  • the lower limit is preferably 0.1 MPa or more, more preferably 0.5 MPa or more, still more preferably 2 MPa or more, still more preferably 5 MPa or more.
  • a second resin composition containing a resin and an electromagnetic wave shielding filler and having a lower concentration of the electromagnetic wave shielding filler than the first resin composition is used on the electromagnetic wave shielding layer. It is preferable to include a step of performing insert molding to form a protective layer. Thereby, the layer formed by the second resin composition having a low concentration of the electromagnetic wave shielding filler can protect the layer formed by the first resin composition having a high concentration of the electromagnetic wave shielding filler.

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Abstract

電磁波シールド層の外部環境因子に対する耐久性に優れる電子部品の封止体、その電磁波シールド層を得るための樹脂組成物、及び電子部品の封止体の製造方法を提供する。樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含むインサート成形用樹脂組成物。

Description

インサート成形用樹脂組成物、電子部品の封止体、及び電子部品の封止体の製造方法
　本発明は、インサート成形用樹脂組成物、電子部品の封止体、及び電子部品の封止体の製造方法に関する。
　近年、パソコン、携帯電話等の電子機器には、半導体素子、コンデンサー、コイル等の電子部品が基板に取り付けられた電子部品搭載基板が用いられている。このような電子部品は、水、湿気、埃等の外部環境因子から悪影響を受けることがあるため、外部環境因子から保護するために電子部品は樹脂により封止されていた。更に、電磁波の悪影響から電子部品を保護するために、電磁波シールド性を封止材に付与する場合があった。
　例えば、特許文献１には、基板と、基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられ、絶縁層と、絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを備える封止用フィルムが開示されている。
特開２０１９－２１７５７号公報
　特許文献１の封止用フィルムにより封止された電子部品搭載基板は、電磁波シールド層が封止部の表面側に形成されており、外部環境因子との接触によって電磁波シールド層が劣化するおそれがあった。本発明は上記の様な問題に着目してなされたものであって、その目的は、電磁波シールド層の外部環境因子に対する耐久性に優れる電子部品の封止体、及びその電磁波シールド層を得るための樹脂組成物を提供することにある。本発明の他の目的は、電子部品の封止体の製造方法を提供することにある。
　上記課題を解決することのできた本発明に係るインサート成形用樹脂組成物、電子部品の封止体、及び電子部品の封止体の製造方法は、以下の構成からなる。
　［１］樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含むインサート成形用樹脂組成物。
　［２］上記樹脂は、熱可塑性樹脂である［１］に記載のインサート成形用樹脂組成物。
　［３］上記樹脂は、熱硬化性樹脂である［１］に記載のインサート成形用樹脂組成物。
　［４］上記樹脂の数平均分子量が６０，０００以下である［１］～［３］のいずれかに記載のインサート成形用樹脂組成物。
　［５］電子部品を有し、
　上記電子部品は、［１］～［４］のいずれかに記載のインサート成形用樹脂組成物により上記電子部品の表面上に形成された電磁波シールド層を含む樹脂成形物により封止されており、
　上記電子部品の表面に垂直な方向における上記樹脂成形物の断面において、上記電子部品の表面に近い方の領域における２００μｍ四方当りの上記電磁波シールド性フィラーの個数Ａ（個／４０,０００μｍ２）は、上記樹脂成形物の表面に近い方の領域における２００μｍ四方当りの上記電磁波シールド性フィラーの個数Ｂ（個／４０,０００μｍ２）よりも多いものである電子部品の封止体。
　［６］上記電磁波シールド層は、上記電子部品の表面上に直接、形成されている［５］に記載の電子部品の封止体。
　［７］上記樹脂は、熱可塑性樹脂、及び熱硬化性樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種である［５］または［６］に記載の電子部品の封止体。
　［８］上記電磁波シールド性フィラーは、導電性フィラーである［５］～［７］のいずれかに記載の電子部品の封止体。
　［９］上記電磁波シールド性フィラーは、アスペクト比が１．５以上である［５］～［８］のいずれかに記載の電子部品の封止体。
　［１０］上記熱可塑性樹脂は、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、及びポリウレタン系樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種である［７］に記載の電子部品の封止体。
　［１１］上記熱硬化性樹脂は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ウレタン（メタ）アクリレート系樹脂、及びポリイミド系樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種である［７］に記載の電子部品の封止体。
　［１２］［１］～［４］のいずれかに記載のインサート成形用樹脂組成物を含む第１の樹脂組成物を用いて、電子部品の表面上に電磁波シールド層を形成するインサート成形を行う工程を含む電子部品の封止体の製造方法。
　［１３］射出成形機内にて上記第１の樹脂組成物を溶融状態になるように加熱して５時間以上静置する工程を含む［１２］に記載の電子部品の封止体の製造方法。
　［１４］樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含み、上記第１の樹脂組成物よりも電磁波シールド性フィラーの濃度が低いものである第２の樹脂組成物を用いて、上記電磁波シールド層の上に保護層を形成するインサート成形を行う工程を含む［１２］または［１３］に記載の電子部品の封止体の製造方法。
　本発明によれば上記構成により、電磁波シールド層の外部環境因子に対する耐久性に優れる電子部品の封止体、その電磁波シールド層を得るための樹脂組成物、及び電子部品の封止体の製造方法を提供することができる。
図１は、第１実施形態に係る電子部品の封止体の断面図である。 図２は、第２実施形態に係る電子部品の封止体の断面図である。 図３は、第３実施形態に係る電子部品の封止体の断面図である。 図４は、第４実施形態に係る電子部品の封止体の断面図である。
　以下では、下記実施の形態に基づき本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施の形態によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。なお、各図面において、便宜上、部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、明細書や他の図面を参照するものとする。また、図面における種々部材の寸法は、本発明の特徴の理解に資することを優先しているため、実際の寸法とは異なる場合がある。
　本発明の電子部品の封止体は、電子部品が、樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含むインサート成形用樹脂組成物により電子部品の表面上に形成された電磁波シールド層を含む樹脂成形物により封止されており、電子部品の表面に垂直な方向における樹脂成形物の断面において、電子部品の表面に近い方の領域（以下では内部領域と呼ぶ場合がある）における２００μｍ四方当りの電磁波シールド性フィラーの個数Ａ（個／４０,０００μｍ２）が、樹脂成形物の表面に近い方の領域（以下では外部領域と呼ぶ場合がある）における２００μｍ四方当りの電磁波シールド性フィラーの個数Ｂ（個／４０,０００μｍ２）よりも多いものである。本発明者が鋭意検討を行った結果、電磁波シールド層において外部環境因子の影響により劣化し易いのは外部領域における電磁波シールド性フィラーであることが分かった。そこで、樹脂成形物の内部領域よりも外部領域の電磁波シールド性フィラーの個数密度を小さくすることにより、電磁波シールド層の外部環境因子による劣化を防止し易くできることを見出した。
　更に本発明の電子部品の封止体は、インサート成形用樹脂組成物を用いて電子部品の表面上に直接、電磁波シールド層が形成されていることが好ましい。即ち、上記特許文献１に開示されているような電子部品と電磁波シールド層の間の絶縁層を省略することにより、封止部の厚さや重さを低減し易くすることができる。その結果、例えば封止部の軽量化やコンパクト化の要望が多い電子部品の封止において、封止部の厚さや重さが増大し過ぎない程度に電磁波シールド層の保護層等を外側に設けることができる。
　以下では図１～４を参照して、本発明の第１～４の実施形態に係る電子部品の封止体について説明する。なお、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。
　図１は、第１実施形態に係る電子部品の封止体の、電子部品の表面に垂直な方向における断面図である。
　図１に示す通り、電子部品の封止体１０は、電子部品１を有するものである。電子部品１は、基板３上に取り付けられており、電子部品１の表面上に直接、電磁波シールド層２ａが形成されている。更に、電磁波シールド層２ａの表面には、保護層２ｂが形成されている。このように電子部品１は、電磁波シールド層２ａと保護層２ｂとを含む樹脂成形物２により封止されている。なお電子部品１は後記する第４実施形態に係る電子部品の封止体のように基板３上に取り付けられていなくともよい。
　電子部品１としては、トランジスタ等の半導体素子、コンデンサー、コイル、抵抗器等が挙げられる。電子部品１の導電部分や半導体部分等が樹脂や金属によりパッケージされている場合は、電子部品１の表面はパッケージの表面に相当するものとする。
　電磁波シールド層２ａは、樹脂成形物２中において、上記電子部品１の表面に近い方の領域（内部領域）に位置しており、樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含むインサート成形用樹脂組成物により形成されている。上記内部領域は、電子部品１の表面と、樹脂成形物２の表面との中間に位置する仮想面よりも電子部品１の表面側に位置する領域であるとも言える。
　保護層２ｂは、樹脂成形物２中において、上記樹脂成形物２の表面に近い方の領域（外部領域）に位置しており、樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含むインサート成形用樹脂組成物により形成されている。上記外部領域は、電子部品１の表面と、樹脂成形物２の表面との中間に位置する仮想面よりも樹脂成形物２の表面側に位置する領域であるとも言える。また、保護層２ｂの電磁波シールド性フィラーの含量は、電磁波シールド層２ａの電磁波シールド性フィラーの含量よりも少なくなっている。
　即ち、内部領域における２００μｍ四方当りの電磁波シールド性フィラーの個数Ａ（個／４０,０００μｍ２）は、外部領域における２００μｍ四方当りの電磁波シールド性フィラーの個数Ｂ（個／４０,０００μｍ２）よりも多くなっている。これにより、電磁波シールド層２ａで電磁波をシールドしつつ、保護層２ｂにより電磁波シールド層２ａを外部環境因子から保護することができる。更に、保護層２ｂにも電磁波シールド性フィラーを含有させることにより、樹脂成形物２の電磁波シールド性を向上させることもできる。具体的には、個数Ａ（個／４０,０００μｍ２）は、個数Ｂ（個／４０,０００μｍ２）の１．０１倍以上であることが好ましく、１．０３倍以上であることがより好ましく、１．０５倍以上であることが更に好ましく、１．１倍以上であることが特に好ましい。一方、個数Ａ（個／４０,０００μｍ２）は、個数Ｂ（個／４０,０００μｍ２）の１０倍以下であることが好ましい。これにより、例えば熱膨張時の歪み等が低減され易くなる。そのため個数Ａ（個／４０,０００μｍ２）は、個数Ｂ（個／４０,０００μｍ２）の５倍以下であることがより好ましく、２倍以下であることが更に好ましい。なお保護層２ｂには、電磁波シールド性フィラーを含有させなくともよい。電磁波シールド性フィラーの個数は、電子顕微鏡等を用いて公知の方法により測定することができる。更に電磁波シールド性フィラーの個数をカウントするに当たっては、長径が０．５μｍ未満のフィラーは電磁波シールド性が微弱なものであるためカウントしないものとする。
　内部領域における２００μｍ四方（４０,０００μｍ２）当りの電磁波シールド性フィラーの総面積Ａ（μｍ２）は、外部領域における２００μｍ四方（４０,０００μｍ２）当りの電磁波シールド性フィラーの総面積Ｂ（μｍ２）よりも大きいものであることが好ましい。樹脂成形物の内部領域よりも外部領域の電磁波シールド性フィラーの総面積を小さくすることにより、電磁波シールド層の外部環境因子による劣化を防止し易くできる。
　総面積Ａ（μｍ２）は、総面積Ｂ（μｍ２）の１．０１倍以上であることが好ましく、１．０３倍以上であることがより好ましく、１．０５倍以上であることが更に好ましく、１．１倍以上であることが特に好ましい。一方、総面積Ａ（μｍ２）は、総面積Ｂ（μｍ２）の１０倍以下であることが好ましい。これにより、例えば熱膨張時の歪み等が低減され易くなる。そのため総面積Ａ（μｍ２）は、総面積Ｂ（μｍ２）の５倍以下であることがより好ましく、２倍以下であることが更に好ましい。
　上記内部領域における２００μｍ四方の領域は、電子部品１の表面から１．０ｍｍ以内の領域中から選択されることが好ましく、５００μｍ以内の領域中から選択されることがより好ましい。一方、上記外部領域における２００μｍ四方の領域は、樹脂成形物２の表面から１．０ｍｍ以内の領域中から選択されることが好ましく、５００μｍ以内の領域中から選択されることがより好ましい。
　上記内部領域における２００μｍ四方の領域は、電子部品１の表面に垂直な方向における樹脂成形物２の断面の高さに対して、電子部品１の表面から１０％以内の領域中から選択されることが好ましく、５％以内の領域中から選択されることがより好ましい。一方、上記外部領域における２００μｍ四方の領域は、樹脂成形物２の表面から１０％以内の領域中から選択されることが好ましく、５％以内の領域中から選択されることが好ましい。
　電磁波シールド層２ａに含まれる電磁波シールド性フィラーは、電磁波を反射、吸収等することにより電磁波シールド性を発揮することができる素材である。
　電磁波シールド性フィラーは、導電性フィラーであることが好ましい。導電性フィラーが導電性を有することにより、電磁波の反射損失を大きくしたり、電磁波の吸収損失を大きくしたりし易くすることができる。
　電磁波シールド性フィラーは、体積抵抗率が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。これにより導電し易くなり、体積抵抗率が低い程、電磁波シールド性が発揮され易くなる。そのため、体積抵抗率は１０-3Ω・ｃｍ以下であることがより好ましく、１０-5Ω・ｃｍ以下であることが更に好ましく、１０-6Ω・ｃｍ以下であることが更により好ましく、１０-7Ω・ｃｍ以下であることが特に好ましい。
　電磁波シールド性フィラーとして、金属系フィラー、金属化合物系フィラー、カーボン系フィラーが挙げられる。また、電磁波シールド性フィラーとして、導電性を有する磁性体系フィラー、ガラスビーズや繊維等を金属等で被覆した金属メッキ体を用いてもよい。更に、金属系フィラー、金属化合物系フィラー、カーボン系フィラー、磁性体系フィラー、ガラスビーズや繊維等をシリカ等で被覆したものを用いてもよい。これらは１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　金属系フィラーとして、アルミニウム、亜鉛、鉄、銀、銅、ニッケル、ステンレス、パラジウム等が挙げられる。これらは１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　金属化合物系フィラーとして、酸化亜鉛系、硫酸バリウム系、ホウ酸アルミ系、酸化チタン系、チタンブラック系、酸化錫系、酸化インジウム系、チタン酸カリウム系、チタン酸ジルコン酸鉛系等が挙げられる。これらは１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　カーボン系フィラーとして、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、カーボンブラック、カーボンファイバー、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイル等が挙げられる。これらは１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　磁性体系フィラーは、磁性を帯びる事が可能なものであり、電磁波を吸収して低減することができる。磁性フィラーとして、具体的には、Ｍｎフェライト、Ｎｉフェライト、Ｚｎフェライト、Ｂａフェライト、Ｓｒフェライト、Ｍｎ－Ｚｎフェライト、Ｎｉ－Ｚｎフェライト等のフェライト系フィラー；鉄－アルミニウム－ケイ素合金等のケイ素原子含有鉄系フィラー；ニッケル－マンガン－鉄合金、ニッケル－モリブデン－銅－鉄合金、ニッケル－モリブデン－マンガン－鉄合金等のニッケル－鉄系合金系フィラー；鉄－コバルト系合金系フィラー；ネオジム－鉄－ホウ素合金系フィラー等が挙げられる。これらのうちフェロ磁性やフェリ磁性を示す強磁性体が好ましい。
　その他、電磁波シールド性フィラーとして、導電性を有さない磁性体系フィラーが挙げられる。
　電磁波シールド性フィラーの形状は特に限定されないが、球状フィラー、針状フィラー、棒状フィラー、繊維状フィラー、扁平状フィラー、鱗片状フィラー、及び板状フィラーよりなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。このうち、針状フィラー、棒状フィラー、繊維状フィラー、扁平状フィラー、鱗片状フィラー、及び板状フィラーよりなる群から選択される少なくとも１種は、導電性を向上しやすいためより好ましい。また、球状フィラーを用いると応力集中の偏在を低減でき、更に熱膨張時の歪みも低減され易くなる。そのため、針状フィラー、棒状フィラー、繊維状フィラー、扁平状フィラー、鱗片状フィラー、及び板状フィラーよりなる群から選択される少なくとも１種と、球状フィラーとの組み合わせが、電磁波シールド性のみならず耐熱性等が求められる場合に有効である。
　電磁波シールド性フィラーは、アスペクト比が１．５以上であることが好ましい。電磁波シールド性フィラーのアスペクト比が１．５以上であることにより、電磁波シールド性が向上し易くなる。そのため電磁波シールド性フィラーのアスペクト比は、より好ましくは３以上、更に好ましくは５以上、更により好ましくは１０以上である。一方、アスペクト比が６０以下であることにより、応力集中の偏在や、熱膨張時の歪みが低減され易くなる。そのため、アスペクト比は６０以下であることが好ましく、４０以下であることがより好ましく、３０以下であることが更に好ましい。
　電磁波シールド層２ａは、アスペクト比が１．５以上の電磁波シールド性フィラーと、アスペクト比が１．５未満の電磁波シールド性フィラーとを含んでいてもよい。この場合、アスペクト比が１．５未満の電磁波シールド性フィラーに対する、アスペクト比が１．５以上の電磁波シールド性フィラーの個数割合は、１０％以上、９０％以下であることが好ましい。個数割合が１０％以上であることにより、導電性が向上し易くなる。そのため、より好ましくは３０％以上、更に好ましくは４０％以上である。一方、個数割合が９０％以下であることにより、応力集中の偏在や、熱膨張時の歪みが低減され易くなる。そのため、より好ましくは７０％以下、更に好ましくは６０％以下である。
　電磁波シールド性フィラーは、長径が０．５μｍ以上であることが好ましい。長径が０．５μｍ以上であることにより、電磁波シールド性が向上し易くなる。そのため電磁波シールド性フィラーの長径は、より好ましくは１．０μｍ以上、更に好ましくは２．０μｍ以上、更により好ましくは５．０μｍ以上である。一方、電磁波シールド性フィラーの長径の上限は特に限定されないが、例えば、５００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよい。
　電磁波シールド層２ａは、長径が０．５μｍ以上の電磁波シールド性フィラーと、長径が０．５μｍ未満の電磁波シールド性フィラーとを含んでいてもよい。この場合、長径が０．５μｍ未満の電磁波シールド性フィラーに対する、長径が０．５μｍ以上の電磁波シールド性フィラーの個数割合は、１０％以上、９０％以下であることが好ましい。個数割合が１０％以上であることにより、導電性が向上し易くなる。そのため、より好ましくは３０％以上、更に好ましくは４０％以上である。一方、個数割合が９０％以下であることにより、応力集中の偏在や、熱膨張時の歪みが低減され易くなる。そのため、より好ましくは７０％以下、更に好ましくは６０％以下である。
　電磁波シールド層２ａ中、電磁波シールド性フィラーの含量は、樹脂１００質量部に対して、好ましくは３質量部以上、１０００質量部以下である。電磁波シールド性フィラーの割合が３質量部以上であることにより、電磁波シールド性が向上し易くなる。そのため、より好ましくは５質量部以上、更に好ましくは１０質量部以上、更により好ましくは１５質量部以上である。一方、電磁波シールド性フィラーの割合が１０００質量部以下であることにより、電磁波シールド層２ａの接着性が向上し易くなる。そのため、より好ましくは８００質量部以下、更に好ましくは３００質量部以下、更により好ましくは１００質量部以下である。
　電磁波シールド層２ａに含まれる樹脂としては、後記する本発明のインサート成形用樹脂組成物に含まれる樹脂の記載を参照すればよい。
　保護層２ｂに含まれる電磁波シールド性フィラーの素材、形状、アスペクト比、長径等は、上記電磁波シールド層２ａに含まれる電磁波シールド性フィラーを参照することができる。
　保護層２ｂ中、電磁波シールド性フィラーの含量は、樹脂１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上、９５０質量部以下である。電磁波シールド性フィラーの割合が１質量部以上であることにより、保護層２ｂにおける電磁波シールド性が向上し易くなる。そのため、より好ましくは３質量部以上、更に好ましくは５質量部以上、更により好ましくは１０質量部以上である。一方、電磁波シールド性フィラーの割合が９５０質量部以下であることにより、保護層２ｂの接着性が向上し易くなる。そのため、より好ましくは７５０質量部以下、更に好ましくは２５０質量部以下、更により好ましくは９０質量部以下である。なお保護層２ｂは、電磁波シールド性フィラーを含んでいなくともよい。
　保護層２ｂに含まれる樹脂は、後記する本発明のインサート成形用樹脂組成物の説明の欄に記載の樹脂を参照すればよい。なお、電磁波シールド層２ａに含まれる樹脂と同じ樹脂であることが好ましい。
　樹脂成形物２の外形は特に限定されず、必要に応じて凹部や凸部を設けてもよい。樹脂成形物２中の電磁波シールド層２ａは１層に限らず、２層以上であってもよい。また樹脂成形物２中の保護層２ｂは１層に限らず、２層以上であってもよい。
　樹脂成形物２による電子部品１の封止は、例えば以下の方法により行うことができる。まず基板３に取り付けられた電子部品１に対して、樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含む成形用樹脂組成物を用いてインサート成形することにより電磁波シールド層２ａを形成する。更に電磁波シールド性フィラーの含量が低い成形用樹脂組成物を用いてインサート成形することにより保護層２ｂを形成する。このようにして樹脂成形物２により電子部品１を封止することができる。
　基板３としては、樹脂製の基板、ガラスエポキシ基板、スズメッキ銅基板、ニッケルメッキ銅基板、ＳＵＳ基板、アルミ基板等が挙げられる。樹脂製の基板としては、絶縁性樹脂により形成される基板であることが好ましい。
　次に図２を参照して、本発明の第２実施形態に係る電子部品の封止体について説明する。図２は、第２実施形態に係る電子部品の封止体の、電子部品の表面に垂直な方向における断面図である。
　図２に示す通り、電子部品の封止体２０内の電子部品１は、電子部品１の表面上に直接、電磁波シールド層２ａが形成されている。更に、電子部品１の取付け部４とは反対側の電磁波シールド層２ａの表面（以下では、上部表面と呼ぶ場合がある）に保護層２ｂが設けられている。このように電磁波シールド層２ａの表面の一部に保護層２ｂが形成されていてもよい。電磁波シールド層２ａの上部表面は、特に外部環境因子の影響を受けやすいため、少なくとも電磁波シールド層２ａの上部表面が保護層２ｂにより保護されていることが好ましい。
　次に図３を参照して、本発明の第３実施形態に係る電子部品の封止体について説明する。図３は、第３実施形態に係る電子部品の封止体の、電子部品の表面に垂直な方向における断面図である。
　図３に示す通り、電子部品の封止体３０内の電子部品１は、電子部品１の表面上に直接、電磁波シールド層２ａが形成されている。
　電磁波シールド層２ａ中、電子部品１の表面と、樹脂成形物２（電磁波シールド層２ａ）の表面との中間に位置する仮想面よりも電子部品１の表面側に位置する領域（内部領域）の方が、上記仮想面よりも樹脂成形物２（電磁波シールド層２ａ）の表面側に位置する（外部領域）よりも、電磁波シールド性フィラーの含量が大きくなっている。具体的には、電磁波シールド層２ａ中において、内部側に向かって電磁波シールド性フィラーの含量が高くなるように濃度傾斜構造が形成されている。これにより、電磁波シールド層２ａの内部側では電磁波シールド性が高く、電磁波シールド層２ａの外部側では電磁波シールド性フィラーの含量が少ないため外部環境因子との接触による劣化が防止され易くなる。
　濃度傾斜構造は、例えばインサート成形において、射出成形機内にて可塑化状態（溶融状態）で長時間静置し、次いで当該状態で射出成形すること等により形成することができる。上記静置の時間は、例えば５時間以上である。
　次に図４を参照して、本発明の第４実施形態に係る電子部品の封止体について説明する。図４は、第４実施形態に係る電子部品の封止体の、電子部品の表面に垂直な方向における断面図である。
　図４に示す通り、電子部品の封止体４０内の電子部品１は、電子部品１の表面上に直接、電磁波シールド層２ａが形成されている。更に、電磁波シールド層２ａの表面には、保護層２ｂが形成されている。このように電子部品１は、電磁波シールド層２ａと保護層２ｂとを含む樹脂成形物２により封止されている。電子部品の封止体４０のように、電子部品１は基板上に取り付けられていなくともよい。
　本発明には、これらの電子部品の封止体の電磁波シールド層を得るための樹脂組成物も含まれる。具体的には本発明の樹脂組成物は、樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含むインサート成形用樹脂組成物である。インサート成形用樹脂組成物を用いて電子部品の表面上に直接、電磁波シールド層を形成することにより、電子部品と、電磁波シールド層との間に間隙が生じ難くなる。更に、インサート成形するに当たって、上記特許文献１に開示されているような電子部品と電磁波シールド層の間の絶縁層を省略すれば、その分、封止部の厚さや重さを低減し易くすることができるため、封止部の厚さや重さが増大し過ぎない程度に電磁波シールド層の保護層等を外側に設け易くすることができる。
　インサート成形用樹脂組成物に含まれる電磁波シールド性フィラーとしては、第１実施形態に係る電子部品の封止体の電磁波シールド層２ａに含まれる電磁波シールド性フィラーを参照することができる。
　インサート成形用樹脂組成物に含まれる樹脂は、熱可塑性樹脂、及び熱硬化性樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　熱可塑性樹脂は、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、及びポリウレタン系樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらのうちポリエステル系樹脂がより好ましい。
　ポリエステル系樹脂として、カルボン酸成分と水酸基成分とを反応させて形成されるものが挙げられる。カルボン酸成分として、テレフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸、１，３－シクロヘキサンジカルボン酸、１，２－シクロヘキサンジカルボン酸、４－メチル－１，２－シクロヘキサンジカルボン酸、ダイマー酸、水添ダイマー酸、ナフタレンジカルボン酸等が挙げられる。水酸基成分として、エチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，２－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、２－メチル－１，３－プロパンジオール、１，５－ペンタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、３－メチル－１，５－ペンタンジオール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコール、ネオペンチルグリコール、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール、トリシクロデカンジメタノール、ネオペンチルグリコールヒドロキシピバリン酸エステル、１，９－ノナンジオール、２－メチルオクタンジオール、１，１０－ドデカンジオール、２－ブチル－２－エチル－１，３－プロパンジオール、ポリテトラメチレングリコール、ポリオキシメチレングリコール、シクロヘキサンジメタノール等が挙げられる。これらは１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。市販品として、例えば東洋紡社製の結晶性ポリエステル樹脂　ＧＭ－９５０、ＧＭ－９５５、ＧＭ－９６０等が挙げられる。
　ポリエステル系樹脂として、ポリアルキレングリコール成分を含むポリエステルが好ましい。具体的には、主としてポリエステルセグメントを含むハードセグメントと、主としてポリアルキレングリコール成分を含むソフトセグメントとがエステル結合されたものが好ましい。
　ハードセグメントはポリエステル系樹脂全体に対して、２０重量％以上、８０重量％以下含有されることが好ましく、３０重量％以上、７０重量％以下含有されることがより好ましい。
　ハードセグメント中のポリエステルセグメントは、芳香族ジカルボン酸と、脂肪族グリコールおよび／または脂環族グリコールとの重縮合により形成されるポリエステルが主成分であることが好ましい。主成分とは、ポリエステルセグメント中、８０重量％以上含まれていることを意味し、より好ましくは９０重量％以上である。
　芳香族ジカルボン酸は、炭素数８～１４の芳香族ジカルボン酸が耐熱性を向上できるため好ましく、テレフタル酸および／又はナフタレンジカルボン酸であることがグリコールと反応し易いためより好ましい。
　脂肪族グリコールおよび／または脂環族グリコールは、好ましくは炭素数２～１０のアルキレングリコール類であり、より好ましくは炭素数２～８のアルキレングリコール類である。脂肪族グリコールおよび／または脂環族グリコールは全グリコール成分の５０モル％以上の割合で含まれることが好ましく、７０モル％以上の割合で含まれることがより好ましい。グリコール成分としては、エチレングリコール、１，３－プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、１，４－シクロヘキサンジメタノール等が好ましく、１，４－ブタンジオール、１，４－シクロヘキサンジメタノールがポリエステルの耐熱性を向上し易いため、より好ましい。
　ソフトセグメントは、ポリエステル系樹脂全体に対して２０重量％以上、８０重量％以下含有されることが好ましく、３０重量％以上、７０重量％以下含有されることがより好ましい。
　ソフトセグメント中のポリアルキレングリコール成分は、ポリエチレングリコール、ポリトリメチレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等であることが好ましく、柔軟性向上、低溶融粘度化できる面でポリテトラメチレングリコールであることがより好ましい。
　ソフトセグメントは、主としてポリアルキレングリコール成分からなることが好ましい。ソフトセグメントの共重合比率はポリエステル系樹脂を構成するグリコール成分全体を１００モル％としたとき１モル％以上であることが好ましく、５モル％以上であることがより好ましく、１０モル％以上であることが更に好ましく、２０モル％以上であることが特に好ましい。これにより溶融粘度が高くなり低圧で封止し易くすることができる。一方、９０モル％以下であることが好ましく、５５モル％以下であることがより好ましく、５０モル％以下であることが更に好ましく、４５モル％以下であることが特に好ましい。これにより耐熱性が向上し易くなる。
　ソフトセグメントの数平均分子量は、４００以上であることが好ましく、８００以上であることがより好ましい。これにより柔軟性を付与し易くすることができる。一方、ソフトセグメントの数平均分子量は、５０００以下であることが好ましく、３０００以下であることがより好ましい。これにより、他の共重合成分との共重合し易くすることができる。
　ポリエステル系樹脂の数平均分子量は、３，０００以上であることが好ましく、より好ましくは５，０００以上、更に好ましくは７，０００以上である。これにより、樹脂組成物の耐加水分解性や高温高湿下での強伸度を向上し易くすることができる。一方、上限は好ましくは６０，０００以下、より好ましくは５０，０００以下、更に好ましくは４０，０００以下である。溶融粘度を低減し易くなり、成形圧力を低減できる。
　ポリエステル系樹脂の融点は、好ましくは７０℃以上、２１０℃以下、より好ましくは１００℃以上、１９０℃以下である。
　ポリアミド系樹脂として、分子中にアミド結合を有する樹脂が挙げられる。ポリアミド系樹脂として、具体的には、ダイマー酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族、脂環式および／またはポリエーテルジアミンの反応生成物が好ましい。具体的には、５０～９８モル％のダイマー脂肪酸、２～５０モル％のＣ６～Ｃ２４脂肪族ジカルボン酸、０～１０モル％のＣ１４～Ｃ２２モノカルボン酸、０～４０モル％のポリエーテルジアミンおよび６０～１００モル％の脂肪族ジアミンを含むものであることがより好ましい。市販品として、例えばボスティック社製のＴＨＥＲＭＥＬＴ　８６６、８６７、８６９、８５８等が挙げられる。
　ポリオレフィン系樹脂として、エチレン、プロピレン、ブテン等のオレフィン類の単重合体もしくは共重合体；これらのオレフィン類と共重合可能な単量体成分との共重合体；またはこれらの無水マレイン酸変性物等が挙げられる。具体的には、ポリオレフィン系樹脂として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－メタクリル酸メチル共重合体、エチレン－α－オレフィン共重合体、エチレン－プロピレン共重合体、エチレン－ブテン共重合体、プロピレン－ブテン共重合体等が挙げられる。これらは１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　ポリカーボネート系樹脂として、多官能ヒドロキシ化合物と炭酸エステル形成性化合物との反応によって得られるものが挙げられる。多官能ヒドロキシ化合物として、置換基を有していてもよい４，４'－ジヒドロキシビフェニル類、置換基を有していてもよいビス（ヒドロキシフェニル）アルカン類等が挙げられる。炭酸エステル形成性化合物としては、ホスゲンなどの各種ジハロゲン化カルボニルや、クロロホーメート等のハロホーメート、ビスアリールカーボネート等の炭酸エステル化合物が挙げられる。
　ポリウレタン系樹脂として、水酸基成分（プレポリマー）と、イソシアネート化合物（硬化剤）を反応させて形成されるものが挙げられる。水酸基成分は、例えば、ポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリエーテルポリオール、及びポリアルキレンポリオールよりなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。イソシアネート化合物は、トリメチレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、及びキシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）よりなる群から選ばれる少なくとも１種のジイソシアネート等が挙げられる。
　熱硬化性樹脂は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ウレタン（メタ）アクリレート系樹脂、及びポリイミド系樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらのうちウレタン（メタ）アクリレート系樹脂、又はエポキシ系樹脂がより好ましい。
　エポキシ系樹脂として、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等、あるいはこれらの誘導体からのビスフェノール型エポキシ樹脂、ビキシレノールおよびその誘導体からのビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェノールおよびその誘導体からのビフェノール型エポキシ樹脂、あるいはナフタレンおよびその誘導体からのナフタレン型エポキシ樹脂、さらにはノボラック型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂の分子量の目安であるエポキシ当量は１７４～１６０００ｇ／ｅｑのものが好ましい。これらは１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ系樹脂として、エポキシ（メタ）アクリレートが好ましい。エポキシ（メタ）アクリレートとして、１分子中に２個以上のグリシジルエーテル基を有するエポキシ樹脂にアクリル酸またはメタクリル酸を付加反応させて得られる分子末端にアクリレートまたはメタクリレートの二重結合を有するエポキシ（メタ）アクリレートが挙げられる。またエポキシ（メタ）アクリレートをラジカル重合性単量体及び／又はラジカル重合性多量体に溶解したエポキシ（メタ）アクリレート樹脂であってもよい。
　フェノール系樹脂は、フェノール残基を構成単位とする種々の樹脂が使用でき、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、ｐ－アルキルフェノール、クロルフェノール、ビスフェノールＡ、フェノールスルホン酸、レゾルシン、各種変性フェノール等のフェノール性水酸基を有するフェノール類と、ホルマリン、フルフラール等のアルデヒド類を反応させて形成した樹脂が挙げられる。
　不飽和ポリエステル系樹脂は、酸成分とアルコール成分を反応させて形成される。酸成分として、例えば、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等の不飽和の多塩基酸又はその無水物、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸などの芳香族カルボン酸又はその無水物等が挙げられる。アルコール成分として、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール等のアルキレングリコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡ－Ｃ2-4アルキレンオキシド等の芳香族ジオールが挙げられる。
　ジアリルフタレート系樹脂は、例えばジアリルフタレート、ジアリルイソフタレート、ジアリルテレフタレート、ジアリルオルソフタレート等のジアリルフタレートモノマーから得られる樹脂等が挙げられる。
　ウレタン（メタ）アクリレート系樹脂は、例えば一分子中に２個以上の水酸基を有するポリアルコール、ポリエステルポリオール、及びポリエーテルポリオールよりなる群から選択される少なくとも１種とジイソシアネートとを反応させて得られた化合物の分子末端のイソシアネート、および／または一分子中にイソシアネート基を有する化合物のイソシアネート基にアルコール性水酸基と（メタ）アクリレート基を有する化合物を反応させることにより得ることができる。その他に、アルコール性水酸基と（メタ）アクリレート基を有する化合物とジイソシアネートとをイソシアネート基が残るように反応させて残ったイソシアネート基と、一分子中に２個以上の水酸基を有するポリアルコール、ポリエステルポリオール、及びポリエーテルポリオールよりなる群から選択される少なくとも１種とを反応させて得られる分子末端に（メタ）アクリレート基の二重結合を有する化合物をウレタン（メタ）アクリレート系樹脂として用いることができる。
　ポリイミド系樹脂は、分子主鎖中にイミド結合を有する樹脂であり、例えば、芳香族ジアミンまたは芳香族ジイソシアネートと芳香族テトラカルボン酸との縮合重合体、芳香族ジアミンまたは芳香族ジイソシアネートとビスマレイミドとの付加重合体であるビスマレイミド樹脂、アミノ安息香酸ヒドラジドとビスマレイミドとの付加重合体であるポリアミノビスマレイミド樹脂、及びジシアネート化合物とビスマレイミド樹脂とからなるビスマレイミドトリアジン樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
　インサート成形用樹脂組成物に含まれる樹脂は、熱可塑性樹脂、又は熱硬化性樹脂であることが好ましく、熱可塑性樹脂、又は不飽和ポリエステル系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ウレタン（メタ）アクリレート系樹脂、及びポリイミド系樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種の熱硬化性樹脂であることがより好ましく、熱可塑性樹脂であることが更に好ましい。
　当該樹脂の数平均分子量は、３，０００以上であることが好ましく、より好ましくは５，０００以上、更に好ましくは７，０００以上である。これにより、樹脂組成物の耐加水分解性や高温高湿下での強伸度を向上し易くすることができる。一方、上限は好ましくは６０，０００以下、より好ましくは５０，０００以下、更に好ましくは４０，０００以下である。これにより溶融粘度を低減し易くなり、成形圧力を低減できる。また電磁波シールド性フィラーを沈降させ易くすることができる。
　当該樹脂の２００℃における溶融粘度は２０００ｄＰａ・ｓ以下であることが好ましい。溶融粘度が低いと電磁波シールド性フィラーが沈降し易くなる。より好ましくは１５００ｄＰａ・ｓ以下、更に好ましくは１０００ｄＰａ・ｓ以下、更により好ましくは７００ｄＰａ・ｓ以下である。一方、溶融粘度を５ｄＰａ・ｓ以上とすることにより、ノズル等からの樹脂漏れに伴う所謂はなたれを抑制し易くすることができる。溶融粘度は、より好ましくは２０ｄＰａ・ｓ以上、更に好ましくは５０ｄＰａ・ｓ以上、更により好ましくは１００ｄＰａ・ｓ以上である。
　当該樹脂の２００℃における溶融粘度は、下記方法により求めることができる。例えば、島津製作所社製のフローテスター（ＣＦＴ－５００Ｃ型）を用いて、２００℃に設定した加熱体中央のシリンダー中に水分率０．１％以下に乾燥した樹脂試料を充填し、充填１分経過後、プランジャーを介して試料に荷重（１０ｋｇｆ）をかけ、シリンダー底部のダイ（孔径：１．０ｍｍ、厚み：１０ｍｍ）より、溶融した試料を押出す。そのときのプランジャーの降下距離と降下時間を記録し、溶融粘度を算出すればよい。
　インサート成形用樹脂組成物は、樹脂と電磁波シールド性フィラーの他、樹脂成形物の特性を損なわない範囲で、射出成型等で通常用いられる各種添加剤を添加することができる。添加剤として、難燃剤、可塑剤、離型剤、加水分解抑制剤、充填剤、酸化防止剤、熱老化防止剤、銅害防止剤、帯電防止剤、耐光安定剤、紫外線吸収剤等が挙げられる。これらの添加剤は、１種のみを単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　本発明には、電子部品の封止体の製造方法も含まれる。
　本発明の実施形態に係る電子部品の封止体の製造方法としては、上記インサート成形用樹脂組成物を含む第１の樹脂組成物を用いて、電子部品の表面上に電磁波シールド層を形成するインサート成形を行う工程を含む製造方法が挙げられる。
　当該製造方法は、射出成形機内にて第１の樹脂組成物を溶融状態になるように加熱して５時間以上静置する工程を含むことが好ましい。これにより、電磁波シールド性フィラーの濃度傾斜構造が形成され易くなる。射出成形機内における静置時間の上限はおおよそ１０時間以下であることが好ましい。当該静置温度は、下記ノズル温度と同様の範囲の温度であることが好ましい。
　射出成形時の温度（ノズル温度）は、１００℃以上、２５０℃以下であることが好ましい。より好ましくは１２０℃以上、２２０℃以下、更に好ましくは１４０℃以上、２１０℃以下である。射出成形時の圧力は５０ＭＰａ以下であることが好ましい。注入の圧力を５０ＭＰａ以下とすることにより、電子部品の変形を抑制することができる。より好ましくは４０ＭＰａ以下、更に好ましくは３０ＭＰａ以下、更により好ましくは２０ＭＰａ以下である。一方、下限は０．１ＭＰａ以上が好ましくは、より好ましくは０．５ＭＰａ以上、更に好ましくは２ＭＰａ以上、更により好ましくは５ＭＰａ以上である。
　当該製造方法は、樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含み、第１の樹脂組成物よりも電磁波シールド性フィラーの濃度が低いものである第２の樹脂組成物を用いて、電磁波シールド層の上に保護層を形成するインサート成形を行う工程を含むことが好ましい。これにより、電磁波シールド性フィラーの濃度が低い第２の樹脂組成物により形成された層により、電磁波シールド性フィラーの濃度が高い第１の樹脂組成物により形成された層を保護することができる。
　また、電子部品をインサート成形用樹脂組成物により封止するに当たっては、電子部品の全面を同時に封止する必要は無く、電子部品の一面を封止した後に、他の面を封止してもよい。
　本願は、２０１９年５月３０日に出願された日本国特許出願第２０１９－１０１３２８号に基づく優先権の利益を主張するものである。２０１９年５月３０日に出願された日本国特許出願第２０１９－１０１３２８号の明細書の全内容が、本願に参考のため援用される。
　１　電子部品
　２　樹脂成形物
　２ａ　電磁波シールド層
　２ｂ　保護層
　３　　基板
　４　　取付け部
　１０　第１実施形態に係る電子部品の封止体
　２０　第２実施形態に係る電子部品の封止体
　３０　第３実施形態に係る電子部品の封止体
　４０　第４実施形態に係る電子部品の封止体

Claims (14)

  1. 　樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含むインサート成形用樹脂組成物。
  2. 　前記樹脂は、熱可塑性樹脂である請求項１に記載のインサート成形用樹脂組成物。
  3. 　前記樹脂は、熱硬化性樹脂である請求項１に記載のインサート成形用樹脂組成物。
  4. 　前記樹脂の数平均分子量が６０，０００以下である請求項１～３のいずれかに記載のインサート成形用樹脂組成物。
  5. 　電子部品を有し、
    　前記電子部品は、請求項１～４のいずれかに記載のインサート成形用樹脂組成物により前記電子部品の表面上に形成された電磁波シールド層を含む樹脂成形物により封止されており、
    　前記電子部品の表面に垂直な方向における前記樹脂成形物の断面において、前記電子部品の表面に近い方の領域における２００μｍ四方当りの前記電磁波シールド性フィラーの個数Ａ（個／４０,０００μｍ２）は、前記樹脂成形物の表面に近い方の領域における２００μｍ四方当りの前記電磁波シールド性フィラーの個数Ｂ（個／４０,０００μｍ２）よりも多いものである電子部品の封止体。
  6. 　前記電磁波シールド層は、前記電子部品の表面上に直接、形成されている請求項５に記載の電子部品の封止体。
  7. 　前記樹脂は、熱可塑性樹脂、及び熱硬化性樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種である請求項５または６に記載の電子部品の封止体。
  8. 　前記電磁波シールド性フィラーは、導電性フィラーである請求項５～７のいずれかに記載の電子部品の封止体。
  9. 　前記電磁波シールド性フィラーは、アスペクト比が１．５以上である請求項５～８のいずれかに記載の電子部品の封止体。
  10. 　前記熱可塑性樹脂は、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、及びポリウレタン系樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種である請求項７に記載の電子部品の封止体。
  11. 　前記熱硬化性樹脂は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ウレタン（メタ）アクリレート系樹脂、及びポリイミド系樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種である請求項７に記載の電子部品の封止体。
  12. 　請求項１～４のいずれかに記載のインサート成形用樹脂組成物を含む第１の樹脂組成物を用いて、電子部品の表面上に電磁波シールド層を形成するインサート成形を行う工程を含む電子部品の封止体の製造方法。
  13. 　射出成形機内にて前記第１の樹脂組成物を溶融状態になるように加熱して５時間以上静置する工程を含む請求項１２に記載の電子部品の封止体の製造方法。
  14. 　樹脂と電磁波シールド性フィラーとを含み、前記第１の樹脂組成物よりも電磁波シールド性フィラーの濃度が低いものである第２の樹脂組成物を用いて、前記電磁波シールド層の上に保護層を形成するインサート成形を行う工程を含む請求項１２または１３に記載の電子部品の封止体の製造方法。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH024302B2 (ja) * 1985-05-09 1990-01-26 Kogyo Gijutsuin
JPH05129476A (ja) * 1991-11-05 1993-05-25 Matsushita Electron Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002363383A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Nitto Denko Corp 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2007287937A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Kyocera Chemical Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
WO2014027673A1 (ja) * 2012-08-16 2014-02-20 住友ベークライト株式会社 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法
WO2016136253A1 (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 東レ株式会社 ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品および半導体パッケージの製造方法
JP2018019067A (ja) * 2016-07-14 2018-02-01 住友ベークライト株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂組成物および樹脂セット
JP2019021757A (ja) 2017-07-14 2019-02-07 住友ベークライト株式会社 封止用フィルムおよび電子部品搭載基板の封止方法
JP2019101328A (ja) 2017-12-06 2019-06-24 キヤノン株式会社 投射型表示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001151900A (ja) 1998-12-14 2001-06-05 Toray Ind Inc 樹脂射出成形品および射出成形用ペレットおよび金属部品をインサート成形した樹脂射出成形筐体
US7030469B2 (en) * 2003-09-25 2006-04-18 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming a semiconductor package and structure thereof
JP2007315483A (ja) 2006-05-25 2007-12-06 Nsk Ltd スライドドア用転がり軸受
JP6383561B2 (ja) 2014-04-22 2018-08-29 テクノＵｍｇ株式会社 インサート成形品及び複合物品
JP6394137B2 (ja) * 2014-07-14 2018-09-26 藤倉化成株式会社 塗膜
JP6975547B2 (ja) * 2017-03-31 2021-12-01 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート
WO2019073809A1 (ja) * 2017-10-13 2019-04-18 タツタ電線株式会社 シールドパッケージ
JP6504302B1 (ja) * 2018-06-12 2019-04-24 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシート、部品搭載基板、および電子機器
JP6497477B1 (ja) * 2018-10-03 2019-04-10 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 電磁波シールドシート、および電子部品搭載基板

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH024302B2 (ja) * 1985-05-09 1990-01-26 Kogyo Gijutsuin
JPH05129476A (ja) * 1991-11-05 1993-05-25 Matsushita Electron Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002363383A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Nitto Denko Corp 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2007287937A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Kyocera Chemical Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
WO2014027673A1 (ja) * 2012-08-16 2014-02-20 住友ベークライト株式会社 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法
WO2016136253A1 (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 東レ株式会社 ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品および半導体パッケージの製造方法
JP2018019067A (ja) * 2016-07-14 2018-02-01 住友ベークライト株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂組成物および樹脂セット
JP2019021757A (ja) 2017-07-14 2019-02-07 住友ベークライト株式会社 封止用フィルムおよび電子部品搭載基板の封止方法
JP2019101328A (ja) 2017-12-06 2019-06-24 キヤノン株式会社 投射型表示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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