JP2022060771A - インダクタ - Google Patents

Abstract

【課題】素体を保護する素体保護膜の品質低下を防止したインダクタを得ること。【解決手段】大粒子及び小粒子の軟磁性粒子から成る軟磁性粉と樹脂を含んで成る素体１０と、前記素体１０に埋設されたコイル３０と、前記素体１０に設けられた外部電極２０とを有し、前記素体１０の表面に素体保護膜６０を有するインダクタ１であって、前記素体１０の表面には、前記大粒子の平均粒径の０．４倍以上の厚みの前記素体保護膜６０が形成されていることを特徴とする。【選択図】図３

Description

本発明は、インダクタに関する。

特許文献１には、金属粒子および樹脂材料を含んで成るコアと、コアに埋設されたコイル導体と、コイル導体に電気的に接続された外部電極とを有して成るコイル部品であって、磁性体部上に保護層が形成されたコイル部品が開示されている。

特開２０１８－１８２２１０号公報

インダクタの小型化において、所定サイズの成型体内でコイルを大きくすると、成型体の側面とコイルとの間のギャップ（以下、「サイドギャップ」と言う）が小さくなり、成型体を成型する時の加工精度が悪いとコイルが成型体の側面から露出してしまう。
そこで、成型体を予め大きく成型し、成型後に成型体の表面を研削してダウンサイジングし、所定サイズの素体を得る手法が考えられる。
しかしながら、表面の粒子が研削によって脱粒することで表面に凹みが生じ、凹みによって、素体を保護する素体保護膜の品質が低下する場合がある。

本発明は、素体を保護する素体保護膜の品質低下を防止したインダクタを提供することを目的とする。

本発明の一態様は、大粒子及び小粒子の軟磁性粒子から成る軟磁性粉と樹脂を含んで成る素体と、前記素体に埋設されたコイルと、前記素体に設けられた外部電極とを有し、前記素体の表面に素体保護膜を有するインダクタであって、前記素体の表面には、前記大粒子の平均粒径の０．４倍以上の厚みの前記素体保護膜が形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、素体を保護する素体保護膜の品質低下を防止したインダクタが得られる。

本発明の実施形態に係るインダクタの構成を模式的に示す図であり、インダクタの天面の側を視た斜視図である。 同インダクタの構成を模式的に示す図であり、インダクタの実装面の側を視た斜視図である。 同インダクタの内部構成を透視して示す透視斜視図である。 インダクタの製造工程の概要を示す図である。 混合粉で形成されたタブレットを用いた素体成型の態様を示す図である。 成型後の素体のコアの状態を示す模式図である。 インダクタの参照面を説明する図である。 素体の側面の樹脂の充填態様を示す図である。 素体の表面粗さの測定結果を示す図である。 素体の側面とコイルとの間隔を説明する図である。 素体研削に用いられる研削装置の一例を模式的に示す図である。 サイドギャップの説明図である。 素体保護膜形成に用いる保護膜形成装置の一例を模式的に示す図である。 ナノシリカの含有量と乾燥速度の実験結果を示す図である。 ナノシリカのシリカ粒子の平均粒径と、くっつき発生率の実験結果を示す図である。 素体保護膜に生じたクラックを示す画像である。 素体保護膜の厚みを変えて「めっき飛び」の数を計測した結果を示す図である。

［インダクタ全体構成］
図１及び図２は本実施形態に係るインダクタ１の構成を模式的に示す図であり、図１はインダクタ１の天面１４の側を視た斜視図、図２はインダクタ１の実装面１２の側を視た斜視図である。
本実施形態のインダクタ１は、表面実装型の電子部品として構成されており、略直方体形状の素体１０と、当該素体１０の表面に設けられた一対の外部電極２０とを備え、素体１０の一面が図示しない回路基板の表面に実装される実装面１２（図２）として構成され、また素体１０は外部電極２０を除き素体保護膜５０で覆われている。

以下、素体１０において、実装面１２の対向面を天面１４（図１）と言い、実装面１２及び天面１４以外の４面の側面のうち、コイル３０の後述する引出部３４が位置する一対の面を第１側面１６と言い、残りの一対の面を第２側面１８と言う。これら第１側面１６、及び第２側面１８は、後述するコイル３０が備える巻回部３２の径方向に位置する素体１０の面でもある。以下では、対向する実装面１２と天面１４を、一対の主面とも称する。

また、図１に示すように、実装面１２から天面１４までの長さを素体１０の高さＨと定義し、天面１４の短辺の長さを素体１０の幅Ｗと定義し、長辺の長さを素体１０の長さＬと定義する。

図３は本実施形態に係るインダクタ１の内部構成を示す透視斜視図である。
素体１０は、コイル３０と、当該コイル３０が埋設されたコア４０と、を備え、コイル３０をコア４０に封入したコイル封入型磁性部品として構成されている。
コイル３０は導線を巻回した空芯コイル部品である。
コア４０は、軟磁性粉と樹脂を混合した混合粉を、コイル３０を内包した状態で圧粉することで略直方体形状に圧縮成型された成型体である。

コイル３０は、導線が巻回された巻回部３２と、当該巻回部３２から引き出された一対の引出部３４とを備える。巻回部３２は、導線の両端が外周に位置し、かつ内周で互いに繋がるように導線を渦巻き状に巻回して形成される。素体１０の内部において、コイル３０は、巻回部３２の中心軸Ｋが素体１０の高さＨの方向に沿う姿勢でコア４０に埋設されており、また引出部３４は、巻回部３２から一対の第１側面１６のそれぞれまで引き出されている。

コイル３０の形成に用いられる導線は、電気的絶縁性を有した絶縁被覆層と、当該絶縁被覆層の上に形成された融着被覆層とを有する絶縁被覆材６０によって予め被覆されている。コイル形成工程では、加熱しながら導線を巻回することで融着被覆層が溶融することで巻回部３２の導線同士が固着し、コイル形成後の巻回部３２の型崩れが抑えられる。また絶縁被覆層によってコイル３０とコア４０とが確実に絶縁される。

一対の外部電極２０は、素体１０の第１側面１６のそれぞれから実装面１２に亘って延びるＬ字状部材である。外部電極２０はそれぞれ、第１側面１６においてコイル３０の引出部３４と接続され、また実装面１２に延出した部分２０Ａ（図２）が半田などの適宜の実装手段によって回路基板の配線に電気的に接続される。

かかる構成のインダクタ１は、例えば、高周波回路のインピーダンス整合用コイル（マッチングコイル）として用いられ、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、スマートフォン、カーエレクトロニクス、医療用・産業用機械などの電子機器に用いられる。ただし、インダクタ１の用途はこれに限られず、例えば、同調回路、フィルタ回路や整流平滑回路などにも用いることもできる。

［インダクタ製造工程概要］
図４は、インダクタ１の製造工程の概要を示す図である。
同図に示すように、インダクタ１の製造工程は、造粒工程と、コイル形成工程と、素体成型・硬化工程と、素体研削工程と、素体保護膜形成工程と、素体保護膜除去工程と、外部電極形成工程と、を含む。

造粒工程は、コア４０が含有する軟磁性粉と樹脂を混合した混合粉を造粒する工程である。軟磁性粉は、表面が絶縁膜で覆われた粒子から成っている。

コイル形成工程は、絶縁被覆材６０によって被覆された導線からコイル３０を形成する工程である。当該工程において、コイル３０は、「アルファ巻」と称される巻き方で導線を巻回することにより、上述した巻回部３２、及び一対の引出部３４を有した形状に形成される。アルファ巻とは、導体として機能する導線の巻始めと巻終わりの引出部３４が外周に位置するように渦巻き状に２段に巻回された状態を言う。コイル３０のターン数は、特に限定されるものではないが、例えば６．５ターンである。

素体成型・硬化工程は、素体１０の元と成る成型体を成型する工程である。
成型体の成型材料には、造粒工程で得られた混合粉が用いられる。
当該工程では、混合粉を予備成型してタブレット（所定形状の固形物）を作成し、当該タブレットとコイル３０を成型金型のキャビティ内に配置する。次いで、キャビティを加熱しながらパンチを用いて加圧することでコイル３０を内包した成型体を圧縮成型し、その後、硬化した成型体をキャビティから取り出し、この成型体に対して研磨を行う。この研磨にはバレル研磨を用いることで、成型体の角部へのＲ付けを行うことができる。

予備成型したタブレットには、図５に示すように、コイル３０が入り込む溝７１を有した適宜形状（例えばＥ型など）の第１タブレット７０と、当該第１タブレット７０の溝７１を覆う適宜形状（例えばＩ型や板状など）の第２タブレット７２との２種類のタブレットが用いられる。圧縮成型時は、コイル３０を溝７１に嵌めた第１タブレット７０と、第２タブレット７２とを成型金型７４のキャビティ７５内に重ねて配置する。そして、第１タブレット７０及び第２タブレット７２に熱を加えながら、この重なり方向に、第１タブレット７０又は／及び第２タブレット７２の側（図５の例では第２タブレット７２の側）からパンチ７６を用いて加圧することで、第１タブレット７０、コイル３０、及び第２タブレット７２を一体化する。
なお、予備成型したタブレットではなく、造粒工程で得られた混合粉をそのままキャビティに投入して圧縮成型してもよい。

圧縮成型時の加圧力Ｐは、図６に示すように、素体１０の成型後において軟磁性粉を構成する個々の粒子８０が潰れることなく成型前の形状を維持するような従前よりも低い圧力であることが好ましい。かかる加圧力Ｐにより、軟磁性粉を構成する個々の粒子８０において、表面の絶縁膜の損傷が抑えられるため、絶縁性能低下（すなわち耐圧性能低下）が抑えられる。

また図６に示すように、軟磁性粉を構成する粒子８０の粒度は２種以上（図６の例では、平均粒径が比較的大きな大粒子である第１軟磁性粒子８１と、平均粒径が比較的小さな小粒子である第２軟磁性粒子８２）であることが好ましい。かかる軟磁性粉によれば、圧縮成型時において、図６に示すように、大粒子である第１軟磁性粒子８１の間に樹脂９０と共に小粒子である第２軟磁性粒子８２が入り込むため、粒子８０の充填率が高い成型体（素体１０）が得られる。コア４０を構成する第１軟磁性粒子８１及び第２軟磁性粒子８２の実施形態については後述する。

素体研削工程は、素体成型・硬化工程で得た成型体の第２側面１８に砥粒を作用させることで、幅Ｗが所定幅になるまで第２側面１８を削り落とす（すなわち研削する）工程である。
当該工程によって、成型体の幅Ｗを所定幅までダウンサイジングした素体１０が得られる。かかるダウンサイジングにより、素体１０内のコイル３０と第２側面１８との距離（サイドギャップとも言う）が縮まるため、コイル３０の巻回部３２の径方向におけるコイル３０の占有率が高められる。また、圧縮成型で得た成型体を所定サイズに研削加工して素体１０を得るため、圧縮成型だけで素体１０を所定サイズに制御する場合に比べ、素体１０の寸法ばらつきを低減することができる。
なお、素体研削工程において、第２側面１８の研削によって生じた角を面取りするための研磨（例えばバレル研磨）を行ってもよい。

素体保護膜形成工程は、素体研削工程で所定サイズに研削された素体１０の全表面に素体保護膜５０を形成する工程である。
素体保護膜５０の材料には、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、又は、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられる。なお、これらの樹脂は酸化ケイ素、酸化チタン等を含むフィラーを更に含んでいても良い。
当該工程では、素体１０の全表面に素体保護膜５０の材料を、塗布やディップ等の適宜の手段により付与し、これを硬化することにより素体保護膜５０を形成する。

素体保護膜除去工程は、全表面が素体保護膜５０で覆われた素体１０にレーザを照射することで、外部電極２０が形成される電極形成箇所（本実施形態では第１側面１６内の所定箇所）の素体保護膜５０と、当該電極形成箇所に露出しているコイル３０の引出部３４の絶縁被覆材６０と、を除去する工程である。
なお、素体保護膜除去工程において、レーザによる絶縁被覆材６０の除去の後、電極形成箇所の表面を清浄するためにエッチング処理を行っても良い。

外部電極形成工程は、素体保護膜除去工程において素体保護膜５０が除去された電極形成箇所に、めっきによって外部電極２０を形成する工程である。
当該工程において、外部電極２０は、素体１０の表面に露出した軟磁性粉とコイル３０の引出部３４に、めっき処理を行うことで形成される。このめっき処理では、銅（Ｃｕ）から形成される層をめっき成長によって形成することで外部電極２０を形成する。
なお、銅（Ｃｕ）の層の上に、ニッケル（Ｎｉ）から形成される層と、スズ（Ｓｎ）から形成される層とを、この順にめっき成長によって積層形成してもよい。また銅（Ｃｕ）の層に代えて、アルミニウム（Ａｌ）や、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）の層を用いてもよい。

また、外部電極は、スパッタリングや導電性樹脂、銅板などを用いて形成してもよい。また、外部電極２０は、図示例のＬ字形状に限らず、いわゆる５面電極構造であってもよく、また底面電極であってもよい。

上記のように製造されたインダクタ１によれば、コア４０としての機械強度を維持しつつコア４０の比抵抗と軟磁性金属部分の比率等を高めて、信頼性が高く且つ良好な耐電圧性、透磁率、飽和磁束密度、及び直流重畳特性を実現している。

次いでインダクタ１の実施例を以下に説明する。
なお、各実施例において、特に断りがない限り、インダクタ１の寸法は、高さＨが０．７±０．１ｍｍ、幅Ｗが１．２±０．２ｍｍ、長さＬが２．０±０．２ｍｍであり、耐電圧は約２０Ｖである。
また、インダクタ１は、後述する［Ａ．混合粉］、［Ｂ．コイル］、［Ｃ．素体研削］、及び［Ｄ．素体保護膜］のそれぞれに示す任意の実施例を用いて、これら実施例の任意の組み合わせにより構成され得る。

［Ａ．混合粉］
コア４０の形成に用いられる混合粉は、軟磁性粉と樹脂とを含む。
［Ａ－１．軟磁性粉］
混合粉に含まれる軟磁性粉は、軟磁性金属の粒子で構成される軟磁性材料である。この軟磁性粉は、例えば、第１軟磁性粒子８１（大粒）と、第１軟磁性粒子８１より平均粒径が小さい第２軟磁性粒子８２（小粒）とを含む。なお、本明細書において「平均粒径」は体積基準のメジアン径を意味する。

第１軟磁性粒子８１及び第２軟磁性粒子８２のそれぞれの平均粒径は、これらを互いに混合する前において、それぞれ粒度分布計を用いて測定することができる。また、混合粉を加圧成型した成型体としてのコア４０の状態において測定する場合には、コア４０を研磨して得られる軟磁性粒子の断面の電子顕微鏡画像を解析することにより測定することができる。例えば、上記電子顕微鏡写真から各軟磁性粒子断面の円相当径を求め、各軟磁性粒子が上記円相当径を有する球であるものと仮定して、各球の体積を求め、その体積値分布の中央値から平均粒径を算出することができる。

第１軟磁性粒子８１の平均粒径は、２０μｍ以上２８μｍ以下であり、好ましくは２１．４μｍ以上２７．４μｍ以下である。第２軟磁性粒子８２の平均粒径は、１μｍ以上６μｍ以下であり、好ましくは１．５μｍ以上１．８μｍ以下である。このように、混合粉を平均粒径の異なる第１軟磁性粒子８１と第２軟磁性粒子８２とにより構成することで、平均粒径の大きい第１軟磁性粒子８１によりコア４０としての飽和磁束密度を高めて直流重畳特性を向上しつつ、平均粒径の小さい第２軟磁性粒子８２を第１軟磁性粒子８１同士の間隙に入り込ませ、コア４０における軟磁性粒子の充填率を高めて比透磁率を向上させることができる。

また、混合粉に含まれる第２軟磁性粒子８２の量は、その混合粉に含まれる軟磁性粒子の総重量を基準として１５重量％以上３０重量％以下であり、好ましくは２０重量％以上３０重量％以下である。軟磁性材料における第２軟磁性粒子８２の含有量が上記範囲内であると、混合粉の成型体であるコア４０における軟磁性粒子の充填率をより高くすることができる。

第２軟磁性粒子８２を構成する軟磁性金属の組成は第１軟磁性粒子８１を構成する軟磁性金属の組成と同じであってもよいが、互いに異なる組成を有し、互いにほぼ同等の硬度を有していることが好ましい。第１軟磁性粒子８１及び第２軟磁性粒子８２の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて計測することができる。例えば、第１軟磁性粒子８１の硬度は、６００ＨＶ（ｋｇｆ／ｍｍ^２）以上１２００ＨＶ以下であり、望ましくは８００ＨＶ以上１０００ＨＶ以下である。また、第２軟磁性粒子８２の硬度は、９００ＨＶ（ｋｇｆ／ｍｍ^２）以上１４００ＨＶ以下であり、望ましくは９００ＨＶ以上１１００ＨＶ以下である。

また、第１軟磁性粒子８１の硬度に対する第２軟磁性粒子８２の硬度の比は、０．７以上１．２以下であることが望ましい。これにより、これらの軟磁性粒子を含む混合粉を加圧成型してコア４０を形成する際に、第１軟磁性粒子８１又は第２軟磁性粒子８２の硬度の低い一方の軟磁性粒子が変形してしまうのを防止して、コア４０としての絶縁抵抗が低下してしまうのを防止することができる。

［Ａ－２．樹脂］
樹脂の割合は、軟磁性粉と樹脂の総重量を基準として、２．０重量％以上３．５重量％以下である。また、樹脂は、少なくともビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とゴム変性エポキシ樹脂とを含み、更に、フェノールノボラック型エポキシ樹脂を含んでもよい。

本発明者らは、後述する評価実験により、混合粉にフェノールノボラック型エポキシ樹脂を配合しない場合のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とゴム変性エポキシ樹脂の好適な配合率である第１樹脂配合率を見出した。第１樹脂配合率は、混合粉に含まれる樹脂の総重量を基準として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂４０重量％以上９０重量％以下、ゴム変性エポキシ樹脂１０重量％以上５０重量％以下である。

ここで、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、混合粉に含まれる樹脂の主成分であるが、混合粉に含まれる樹脂をビスフェノールＡエポキシ樹脂のみにすると、形成される素体１０が硬脆くなり易い。そこで、混合粉に含まれる樹脂にゴム変性エポキシ樹脂を配合することにより、形成される素体１０に靭性を持たせて、素体１０の硬脆さを改善することができる。そして、第１樹脂配合率により、混合粉に含まれる樹脂中のビスフェノールＡ型樹脂とゴム変性エポキシ樹脂の割合を設定し、上述した素体成型・硬化工程によってコイル３０を封止した素体１０を成型することにより、強度と靭性を両立させたインダクタ１を製造することができる。

また、本発明者らは、後述する評価実験により、混合粉にフェノールノボラック型エポキシ樹脂を配合する場合の、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とゴム変性エポキシ樹脂とフェノールノボラック型エポキシ樹脂の好適な配合率である第２配合率を見出した。第２配合率は、混合粉に含まれる樹脂の総重量を基準として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂４０重量％以上８０重量％以下、ゴム変性エポキシ樹脂１０重量％以上５０重量％以下、フェノールノボラック型エポキシ樹脂１重量％以上３０重量％以下である。

ここで、フェノールノボラック型エポキシ樹脂は、上述した素体成型・硬化工程において、素体を形成する際の混合粉を流動させるときの粘度調整と、素体のガラス転移温度の調整を行って、素体が高温になったときの強度を向上させる機能を果たす。そこで、第２配合率によって、フェノールノボラック型エポキシ樹脂を適切に配合することにより、素体成型時の加熱に対する素体の強度を向上させた上で、強度と靭性を両立させたインダクタ１を製造することができる。

ここで、図７は、インダクタ１の参照面であるＬＴ面とＷＴ面の説明図であり、図８は、図７に示したインダクタ１のＬＴ面とＷＴ面の断面の画像である。上述したように、素体１０に素体保護膜が形成される前に、素体研削工程により第２側面１８が研削されるが、第１側面１６については研削が行われない。そのため、ＬＴ面の断面での主面（ここでは実装面）１２と第２側面１８とが接する稜線部分ｓ２２，ｓ２３は、第２側面と面一に金属磁性粉が研削され、稜線部分ｓ２２，ｓ２３における金属磁性粉の露出する面積が増加し、稜線部分ｓ２２，ｓ２３における樹脂量は、ＷＴ面の断面での主面１２と第２側面１８が接する稜線部分ｓ２０，ｓ２１における樹脂量よりも少なくなる。これにより、上記特定構成２を有するインダクタ１を得ることができる。特定構成２によれば、主面１２と第２側面１８が接する稜線部分付近が研削されることで、素体保護膜から突出する軟磁性粒子が低減され、インダクタの絶縁性が低下することを防止することができる。

また、図９は、上述した素体成型・硬化工程による加工後、及び素体研削工程後のＬＴ面、及びＷＴ面の表面の顕微鏡写真と最大高さの対比表である。最大高さＳｚは、表面粗さの指標値として用いられる。最大高さＳｚが大きいほど、表面粗さが大きいことを示している。

ＬＴ面は素体研削工程によって研削され、その際に第１の軟磁性粒子又は第２の軟磁性体粒子の脱粒が生じるために、表面粗さが大きくなる。そのため、ＬＴ面の最大高さＳｚ（５０μｍ）は、研削が行われないＭＴ面の最大高さＳｚ（４３μｍ）よりも大きくなる。ＬＴ面の表面粗さを大きくすることにより、ＬＴ面における素体保護膜とコアとの接合性を高めることができる。この表面粗さは、形状解析レーザ顕微鏡（キーエンス社製 ＶＫ－Ｘ２５０）を用いて、ＬＴ面、及びＷＴ面の表面の中央を長手方向に沿って走査し、最大高さ（Ｓｚ）を測定することにより求めた。

また、図１０に示したように、第２側面１８とコイル３０との間隔ＳＧ１，ＳＧ２のうち、狭い方の間隔を第１の軟磁性粒子の１倍よりも大きく４倍よりも小さい範囲とすることにより、素体の耐湿性を確保した上で、外形サイズを小さくした、上記特定構成３を有するインダクタ１を得ることができる。

［Ａ－２－１．サイドギャップに関する実施形態］
図１０に示した第２側面１８とコイル３０との間隔（サイドギャップ）ＳＧ１，ＳＧ２と、インダクタ１の耐湿性の良否を評価するために、以下の表１、表２に示した試料を作成して、耐湿性の評価を行った。

（耐湿性の評価）
各試料について、温度を８５℃、湿度を８５％に設定した耐湿槽を用いた耐湿試験を行い、吸水による素子の重量増加が２重量％以下である場合をＧ（合格）とし、２を超えている場合をＮＧ（不合格）とした。
（混合粉の仕様）
混合粉における樹脂の割合を２．０重量％以上３．５％以下、樹脂の配合は上記第１樹脂配合率とした。混合粉における大粒の軟磁性粒子（第１の軟磁性粒子）の平均粒径は２１μｍ（表１の試料）又は２８μｍ（表２の試料）であり、小粒の軟磁性粒子（第２の軟磁性粒子）の平均粒径は２μｍである。

以下、表１に示した試料ｂ５１～ｂ６０の評価について説明する。試料ｂ５４～ｂ６０は本発明の実施例であり、試料ｂ５１～ｂ５３は比較例である。

（実施例）
＜実施例（試料番号ｂ５４）
サイドギャップ小側２５μｍ、サイドギャップ大側８５μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ５５）＞
サイドギャップ小側２９μｍ、サイドギャップ大側８１μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ５６）＞
サイドギャップ小側３３μｍ、サイドギャップ大側７７μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ５７）＞
サイドギャップ小側４０μｍ、サイドギャップ大側７０μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ５８）＞
サイドギャップ小側４５μｍ、サイドギャップ大側６５μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ５９）＞
サイドギャップ小側５０μｍ、サイドギャップ大側６０μｍである素体を形成した。評価結果…Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ６０）＞
サイドギャップ小側５５μｍ、サイドギャップ大側５５μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。

（比較例Ａ－２－１－１）
＜比較例（試料番号ｂ５１）＞
サイドギャップ小側０μｍ、サイドギャップ大側１１０μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。
＜比較例（試料番号ｂ５２）＞
サイドギャップ小側１０μｍ、サイドギャップ大側１００μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。
＜比較例（試料番号ｂ５３）＞
サイドギャップ小側１８μｍ、サイドギャップ大側９２μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。

表１による評価結果から、平均粒径２１μｍの第１の軟磁性粒子について、サイドギャップ小側が、第１の軟磁性粒子の粒径の１倍よりも大きく４倍よりも小さい範囲である素体について、良好な耐湿性が得られることが見出された。

以下、表２に示した試料ｂ６１～ｂ７０の評価について説明する。試料ｂ５４～ｂ６０は本発明の実施例であり、試料ｂ５１～ｂ５３は比較例である。

（実施例Ａ－２－１－２）
＜実施例（試料番号ｂ６５）
サイドギャップ小側２９μｍ、サイドギャップ大側８１μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ６６）＞
サイドギャップ小側３３μｍ、サイドギャップ大側７７μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ６７）＞
サイドギャップ小側４０μｍ、サイドギャップ大側７０μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ６８）＞
サイドギャップ小側４５μｍ、サイドギャップ大側６５μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ６９）＞
サイドギャップ小側５０μｍ、サイドギャップ大側６０μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例（試料番号ｂ７０）＞
サイドギャップ小側５５μｍ、サイドギャップ大側５５μｍである素体を形成した。評価結果…Ｇ。

（比較例Ａ－２－１－３）
＜比較例（試料番号ｂ６１）＞
サイドギャップ小側０μｍ、サイドギャップ大側１１０μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。
＜比較例（試料番号ｂ６２）＞
サイドギャップ小側１０μｍ、サイドギャップ大側１００μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。
＜比較例（試料番号ｂ６３）＞
サイドギャップ小側１８μｍ、サイドギャップ大側９２μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。
＜比較例（試料番号ｂ６４）＞
サイドギャップ小側２５μｍ、サイドギャップ大側８５μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。

表２による評価結果から、平均粒径２８μｍの第１の軟磁性粒子について、サイドギャップ小側が、第１の軟磁性粒子の粒径の１倍よりも大きく４倍よりも小さい範囲である素体について、良好な耐湿性が得られることが見出された。

［Ａ－２－２．他の検討事項］
上記実施形態では、混合粉に含有させる樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、及びフェノールノボラック型エポキシ樹脂を採用した。ビスフェノールＡエポキシ樹脂の上位概念はエポキシ樹脂であり、ゴム変性エポキシ樹脂の上位概念は可撓性を有するゴム又は樹脂である。

そこで、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂との代替を検討する余地がある樹脂として、ビスフェノールＡ，Ｆ，Ｓ型のフェノキシ樹脂が挙げられる。また、ゴム変性エポキシ樹脂との代替を検討する余地がある樹脂又はゴムとして、ウレタン変性、ＮＢＲ（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ Ｒｕｂｂｅｒ）ゴム変性、ＣＴＢＮ（Ｃａｒｂｏｘｙｌ Ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）ゴム変性、ＣＴＢＮゴムが挙げられる。また、フェノールノボラック型エポキシ樹脂との代替を検討する余地がある樹脂としては、ノボラック型に限定すると、クレゾール、ジシクロペンタジエン、フェノールアラルキル、ビフェニル、ナフトール、キシリレン、トリフェニルメタン、テトラキスフェノールエタンが挙げられ、ノボラック型に限定しなければナフタレン、ビフェニル、トリアジンも挙げられる。

［Ｂ．コイル］
（導線）
インダクタ１において、コイル３０に用いられる導線は、丸線及び平角線のどちらを用いても良いが（図３は平角線）、導線に平角線を用いることにより、巻回部３２の形成時に導線同士の間に隙間を生じさせずに巻回すことが容易になる。
この巻回部３２の巻数は、インダクタ１が実現する特性に応じて適宜に決定される。
また導線としては、好ましくは銅からなる銅線が用いられる。

例えばインダクタ１において、コイル３０の巻回部３２の寸法は、幅Ｗ方向の外形が１．１７ｍｍ、内径が０．５５ｍｍ、高さが０．４ｍｍであることが好ましい。
また、厚みＴのみが０．５５±０．１ｍｍに変更された寸法のインダクタ１においては、外形が１．１７±０．０５ｍｍ、内径が０．４８±０．０５ｍｍ、高さが０．３０±０．０５ｍｍであることが好ましい。

ここで、コイル３０の導線を平角線とした場合、平角線の厚みは、好ましくは０．１１８ｍｍ以下、より好ましくは０．１１３ｍｍ以下である。平角線の厚みを小さくすることにより、同じ巻数であってもコイル３０が小さくなり、コイル部品全体の小型化に有利となる。また同じ大きさのコイル３０であっても巻数を多くすることができる。

さらに、平角線の厚みは、好ましくは０．０５２ｍｍ以上、より好ましくは０．７７ｍｍ以上であり得る。平角線の厚みを０．０５２ｍｍ以上とすることにより、導線の抵抗を小さくすることができる。

また平角線の幅は、好ましくは０．２０３ｍｍ以下、より好ましくは０．１８３ｍｍ以下であり得る。
平角線の幅を小さくすることにより、コイル３０を小さくすることができ、コイル部品全体の小型化に有利となる。

さらに平角線の幅は、好ましくは０．１４１ｍｍ以上、より好ましくは０．１６２ｍｍ以上であり得る。平角線の幅を０．１４１ｍｍ以上とすることにより、導線の抵抗を小さくすることができる。

また平角線のアスペクト比（幅／厚み）は、１：１．３から１：３．４の間、好ましくは１：１．３であり得る。
なお、幅Ｗのみが０．５５±０．１ｍｍに変更され寸法のインダクタ１においては、厚みが０．１１３ｍｍ、幅が０．１４１ｍｍ、アスペクト比（幅／厚み）が１：１．３の導線がコイル３０に用いられる。
アスペクト比を従前のものより小さくするほど、インダクタ１の高さＨの方向に対する幅Ｗの方向のコイル３０（導線）占有率が向上し、Ｒｄｃ（直流抵抗）を低下させつつ飽和磁束密度Ｂｓを向上させることができる。

（絶縁被覆材）
絶縁被覆材６０の絶縁被覆層を形成する材質としては、特に限定されないが、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドアミド樹脂が挙げられ、好ましくはポリイミドアミド樹脂である。
また絶縁被覆層の厚みは４μｍが好ましい。

絶縁被覆材６０の融着被覆層を形成する材質としては、ポリアミド樹脂が挙げられる。
また、融着被覆層の厚みは、好ましくは１μｍ以上２５μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上２５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上４μｍ以下である。
融着被覆層の厚みを上記の値とすることで、コイル３０の巻回部３２の大型化を抑えつつ、当該巻回部３２の最外周において導線のスプリングバックによる剥離を十分に抑える融着力が得られ、コイル３０の形状不良を防止することができる。

［Ｃ．素体研削］
本実施例において、インダクタ１の素体１０には、平均粒径が大きな大粒子及び当該大粒子よりも平均粒径が小さな小粒子から成る軟磁性粉と樹脂との混合粉を圧縮成型して成型体が用いられている。

図４に示した素体研削工程では、先述の通り、圧縮成型後の素体１０の第２側面１８（図１）に砥粒を作用させて幅Ｗが所定幅になるまで研削する工程である。この研削によって素体１０が所定サイズまでダウンサイジングされ、素体１０におけるコイル３０の占有率が高められる。また素体１０を研削加工によってダウンサイジングし所定サイズに加工する手法を採用することで、成型金型のキャビティの寸法調整によって素体１０のサイズを所定サイズに制御する場合に比べ、素体１０の寸法ばらつきを低減できる。この研削の後、第２側面１８に研削によって生じた角を面取りするために例えばバレル研磨を行ってもよい。

（研削装置）
図１１は、素体研削に用いられる研削装置１０１の一例を模式的に示す図である。
研削装置１０１は、研削対象である素体１０（ワーク）を保持する保持具１０２と、当該保持具１０２で保持された素体１０を間に挟む上砥石１０３、及び下砥石１０４と、を備え、保持具１０２には、素体１０が研削面である第２側面１８を上下に向けた姿勢で保持される。
素体研削時には、研削装置１０１が上砥石１０３及び下砥石１０４を所定の荷重で上下の第２側面１８のそれぞれに押し当てつつ、これら上砥石１０３及び下砥石１０４を上下の第２側面１８に対して相対移動させることで、上砥石１０３及び下砥石１０４の砥粒１０５によって上下の第２側面１８を同時に研削する（いわゆる両面研削）。

（砥粒の大きさ）
砥粒１０５の大きさは、研削レートと比例関係にあり、また砥粒１０５が大きくなるほど、研削面において軟磁性粉の粒子の脱粒が多く発生し表面粗さが大きくなることが発明者の実験によって確かめられている。
詳述すると、軟磁性粉の成型体を研削すると、砥粒１０５によって軟磁性粉の粒子が少なからず脱粒し、粒子の欠損による凹みが研削面に生じる。大粒子及び小粒子から成る軟磁性粉において、小粒子よりも大粒子の方が脱粒し易く、砥粒１０５を大きくするほど多くの大粒子が脱粒することで、研削面に比較的大きな凹みが多く発生し、これにより研削面の表面粗さが大きくなる。
表面粗さに関しては、表面粗さと荷重に相関関係が無いことが発明者の実験によって確かめられている。

なお、本実施例において、表面粗さの評価には算術平均高さを用いた。具体的には、測定対象の面において、所定大きさ（本実施例では約２００μｍ×２９０μｍ）の複数（例えば３から４点）の測定エリアを設定し、各測定エリアにおける最大高さをレーザ顕微鏡で測定し、これら最大高さの平均から算出平均高さを求めた。レーザ顕微鏡には株式会社キーエンス社製の型式ＶＫ－Ｘ２５０を用いた。

（研削速度）
研削速度（上砥石１０３及び下砥石１０４の移動速度）が大きくなるほど軟磁性粉の粒子の切削が生じ研削面の表面粗さは低くなること、及び、研削速度が上記研削レートと比例関係にあることが、発明者の実験によって確かめられている。

（研削レート）
研削レートについては、目標値が適宜に設定され、この目標値の実現に必要な砥粒１０５の大きさ及び研削速度が決定される。これら砥粒１０５の大きさ及び研削速度はそれぞれ、上述の通り、研削面の表面粗さと関係する。本実施例では、研削後の表面粗さを研削前よりも大きくし、さらには研削後の第２側面１８の粗さを研削対象外の面である天面１４及び実装面１２よりも大きくするように、砥粒１０５の大きさ及び研削速度が設定されている。
研削によって表面粗さＳａが大きくなることで、素体１０の第２側面１８を覆う素体保護膜５０の固着強度が高められる。また素体１０は、外部電極２０を除き素体保護膜５０によって表面が覆われており、かかる素体保護膜５０によって素体１０の耐湿性や防さび性、電気的絶縁性が高められている。

（研削時間）
研削時間は、研削開始タイミングＴｓから研削終了タイミングＴｅまでの時間で定義され、素体研削前の素体１０の幅Ｗと当該幅Ｗの目標値である所定幅との差、及び研削レートに基づいて決定される。
そして素体研削時には、制御装置（図示せず）が上記荷重プロファイル１０６及び研削時間に基づいて研削装置１０１の研削動作を制御することで、圧縮成型後の素体１０の幅Ｗが所定幅になるまで研削が行われる。

（サイドギャップ）
サイドギャップＳｇは、図１２に示すように、インダクタ１において、素体１０の内部のコイル３０から直近の第２側面１８までの厚みで定義される。なお、素体１０が素体保護膜５０によって覆われている場合、サイドギャップＳｇは素体保護膜５０を除いた厚みである。
そして、本実施例では、幅Ｗが所定幅まで研削された素体１０において、サイドギャップＳｇが１個分の軟磁性粉の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも大きく、かつ、４個分の軟磁性粉の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも小さくなっている。換言すれば、本実施例において、所定幅に研削された素体１０のサイドギャップＳｇが、かかる厚みとなるように、この所定幅及びコイル３０の巻回部３２の幅ＷＬａ（図１２）の両方又は一方が予め調整されている。

研削後の素体１０において、サイドギャップＳｇの厚みを、少なくとも軟磁性粉の１個分の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも大きくすることで、研削によって第２側面１８に脱粒が生じていたとしても、少なくとも１粒以上の大粒子が第２側面１８とコイル３０の間に残存するため、コイル３０の露出が防止された状態となる。
また研削後の素体１０において、サイドギャップＳｇの厚みを、軟磁性粉の４個分の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも小さい範囲に制限することで、素体１０の大型化を防止しつつコイル３０の占有率を十分に高い値に維持し、インダクタンスの低下を防止できる。

表３及び表４は、インダクタ１におけるサイドギャップＳｇの最大値及び最小値、当該インダクタ１のインダクタンス値、及び耐湿性の測定結果を示す。
表３は、軟磁性粉の大粒子、及び小粒子の平均粒径がそれぞれ２１μｍ、及び２μｍのインダクタ１を測定したものであり、表４は、軟磁性粉の大粒子、及び小粒子の平均粒径がそれぞれ２８μｍ、及び２μｍのインダクタ１を測定したものである。

インダクタンス値についてはＬＣＲメータで測定し、耐湿性については温度が８５℃、湿度が８５％の環境下にインダクタ１を曝して試験し、試験結果に基づいて、所定の製品品質基準に耐湿性が満たないものを「ＮＧ」としている。

表３、及び表４に示される通り、サイドギャップＳｇの最小値が１個分の大粒子の平均粒径よりも大きければ、十分な耐湿性が得られることが分かる。またサイドギャップＳｇの最大値が大きくなるほどインダクタンス値が低下することが分かる。
またサイドギャップＳｇの最小値が１個分の大粒子の平均粒径よりも大きく、かつサイドギャップＳｇの最大値が４個分の大粒子の平均粒径よりも小さい範囲において、サイドギャップＳｇの最小値と最大値の比が１対１である場合に、耐湿性能、及びインダクタンス値が共に良好なインダクタ１が得られることが分かる。

以上説明したように、本実施例のインダクタ１は、コイル３０が埋設された板状の成型体から成る素体１０に一対の外部電極２０を設けたインダクタ１であって、素体１０は、平均粒径が異なる大粒子と小粒子からなる軟磁性粉及び樹脂の混合粉から成型されており、コイル３０の径方向に位置する第２側面１８から当該コイル３０までの厚みであるサイドギャップＳｇが、１個分の大粒子に相当する厚みよりも大きく、かつ、４個分の大粒子に相当する厚みよりも小さい。

素体１０のサイドギャップＳｇの厚みが、少なくとも軟磁性粉の１個分の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも大きいことで、少なくとも１粒以上の大粒子が第２側面１８とコイル３０の間に存在し、コイル３０の露出が防止された状態となる。
また素体１０のサイドギャップＳｇの厚みが、軟磁性粉の４個分の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも小さい範囲に制限されることで、素体１０の大型化を防止しつつコイル３０の占有率を十分に高い値に維持し、インダクタンスの低下を防止できる。これにより、小型でありながらも、実用的な直流抵抗及び飽和磁束密度が得られるインダクタ１が実現できる。

本実施例のインダクタ１において、素体１０の第２側面１８は、素体保護膜５０で覆われており、少なくとも他の１以上の面（実装面１２及び天面１４）よりも表面粗さが大きい。
これにより、第２側面１８と素体保護膜５０の固着強度を高めることができる。

本実施例のインダクタ１において、素体１０は、外部電極２０を除き素体保護膜５０によって表面が覆われている。
これにより、素体１０の耐湿性や防さび性、電気的絶縁性が高められ、高品質なインダクタ１が得られる。

［Ｄ．素体保護膜］
本実施例において、インダクタ１の素体１０には、平均粒径が大きな大粒子及び当該大粒子よりも平均粒径が小さな小粒子から成る軟磁性粉と樹脂との混合粉を圧縮成型して成型体が用いられている。

素体保護膜５０は、外部電極２０の箇所を除く素体１０の全表面を覆い、素体１０の電気的絶縁性、及び防さび性を高める層である。先述の素体研削工程において研削面（第２側面１８）に軟磁性粉の大粒子の脱粒が生じたとしても、当該研削面を素体保護膜５０が覆うことで電気的絶縁性及び防さび性の低下を防止できる。

（素体保護膜形成工程・保護膜形成装置）
素体保護膜５０は、図４を参照して説明した通り、素体保護膜形成工程において素体１０の全表面に熱硬化性樹脂を含有する保護膜材料をスプレー（噴霧）やディップ（浸漬）などの適宜の手法で塗布することで形成される。

図１３は素体保護膜形成に用いる保護膜形成装置２０１の一例を模式的に示す図である。
保護膜形成装置２０１は、ワーク２０８である多数の素体１０の表面に保護膜材料をスプレーすることで塗膜する装置である。同図に示すように、保護膜形成装置２０１は、装置本体２０２に回転可能に設けられ、多数の素体１０（ワーク２０８）が投入されるドラム２０３と、熱を供給するヒータ２０４と、ドラム２０３の排気経路となるダクト２０５と、ドラム２０３の中に配置されたスプレーノズル２０６と、を備える。

素体保護膜形成の際、保護膜形成装置２０１は、多数の素体１０が投入されたドラム２０３をヒータ２０４によって熱硬化しない温度（例えば、３０～７０℃）に予熱する（予熱工程）。
次いで、保護膜形成装置２０１は、ドラム２０３を回転（いわゆるバレル回転）させて素体１０を撹拌しながら、スプレーノズル２０６から保護膜材料を素体１０に噴霧しつつ、不図示のエアーノズルからホットエアー２０７を素体１０に吹き付けて素体１０の表面に素体保護膜５０を塗膜する（塗布工程）。この塗布工程における終盤では、保護膜形成装置２０１は、保護膜材料の噴霧を停止する一方で、素体１０の撹拌、及びホットエアー２０７を素体１０に吹き付けることで、素体１０の素体保護膜５０を適度に乾燥させる（乾燥工程）。そして素体保護膜５０が乾燥した後に、素体１０がドラム２０３から取り出される（ワーク取り出し工程）。

乾燥工程において、乾燥が不十分な場合、素体保護膜５０にポア（細孔）や膨潤が発生し、また素体１０への素体保護膜５０の密着性も悪くなる。乾燥が過度な場合、素体保護膜５０がいわゆる不連続膜となり、また素体１０への素体保護膜５０の密着性も悪くなる。そこで乾燥は、素体保護膜５０がいわゆる連続膜となり、かつ素体１０への素体保護膜５０の密着性が良好に維持される適度な程度で行われることが好ましい。

（保護膜材料）
保護膜材料には、素体保護膜５０の基材である樹脂種と、この樹脂種を希釈する溶剤種と、添加物であるフィラー種を混合液が用いられる。

（樹脂種）
樹脂種には、エポキシ樹脂を主剤とし、フェノキシ樹脂及びノボラック樹脂の一方又は両方を添加した樹脂が好適に用いられる。フェノキシ樹脂を添加することで素体保護膜５０の靱性が高められる。ノボラック樹脂を添加することで素体保護膜５０の耐熱性が高められる。
樹脂種の樹脂には顔料が含まれていることが好ましい。
顔料を含む樹脂を用いることで、図４に示した素体保護膜形成工程、及び外部電極形成工程において、素体１０の表面にレーザ光を照射して素体保護膜５０を除去し外部電極２０を形成する際の加工性を良くできる。顔料には、例えばカーボンブラックが好適に用いられる。

（溶剤種）
溶剤種には、上記塗布工程において樹脂種をミスト状にして噴霧でき、また乾燥工程において適度な乾燥性が得られる溶剤が用いられ、例えばペースト状の樹脂の希釈剤に用いられるメチルエチルケトン（ＭＥＫ）等を含有する溶剤が好適に用いられる。

（フィラー種）
フィラー種には、素体保護膜５０に光沢を低減し、かつ素体保護膜５０の膜質を良好とするフィラーであって、溶剤に分散するものが用いられる。
素体保護膜５０の光沢が低減することで、カメラを用いたインダクタ１の外観検査時において色飛びによる誤判定を防止できる。かかるフィラーには、シリカ（ＳｉＯ_２）粉が好適に用いられる。
また、フィラー種は、保護膜材料を噴霧するスプレーノズル２０６の目詰まり防止、及び、ドラム２０３のバレル回転による素体１０の表面へのダメージ低減を図るために、フィラーの粒子のサイズは小さいほど好ましく、シリカ粉をフィラーとする場合はナノシリカを用いることが好ましい。

（ナノシリカ）
発明者は、ナノシリカをフィラーとした場合に、塗布工程の終盤に行われる乾燥工程おける乾燥速度と、ナノシリカの含有量との間に相関があることを実験によって見出した。

図１４は、ナノシリカの含有量と乾燥速度の実験結果を示す図である。
この実験では、樹脂種にエポキシ樹脂、溶剤種にＭＥＫ、フィラー種にナノシリカを用いて保護膜材料のサンプルを作成し、このサンプルを用いて素体１０に素体保護膜５０を形成し、更に外部電極２０を形成してインダクタ１を構成した。そして、素体保護膜５０の乾燥工程において、放置する乾燥放置時間と、素体保護膜５０の固形分との関係を調べた。
保護膜材料のサンプルは、ナノシリカの含有量が０（含有なし）、５０ｐｈｒ、１００ｐｒｈ、２００ｐｈｒの４つを作成した。いずれのサンプルにも、平均粒径が４５ｎｍのシリカ粒子から成るナノシリカをフィラーに用いている。
シリカ粒子の平均粒径は、インダクタ１において、天面１４の４隅の角をそれぞれ対角に結んだ交点部分と交差し、第２側面１８と平行に素体１０を切断し、素体１０の上下の第２側面１８において、素体１０の長さＬを４等分した点のそれぞれにおいて素体保護膜５０の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用い、３０万倍に拡大して撮影し、シリカ粒子を観察した。透過型電子顕微鏡には、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）を用いて測定した。この電界放射型透過電子顕微鏡には、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）のシステム（サーモフィシャーサイエンティフィック株式会社製の型番：ＮＯＲＡＮ Ｓｙｓｔｅｍ ７）が付設された、日本電子株式会社製の多機能電子顕微鏡（型番：ＪＥＭ－Ｆ２００）を用いた。

図１４に示されるように、ナノシリカの含有量が大きくなるほど短い乾燥放置時間でも固形分が高くなることが分かる。すなわち、保護膜材料におけるナノシリカの含有量を増やすことで乾燥速度を速め、乾燥工程の工程時間を短縮することができる。

なお、この実験において乾燥後の素体保護膜５０を観察結果、乾燥後の固定分が８０％以下である場合、後述する「くっつき」が発生し、また固形分が９０％程度であると、良好な膜質の素体保護膜５０が得られるものの素体保護膜５０の表面にクラックが発生することが分かった。
したがって、乾燥工程においては、固定分が８０％から９０％の範囲となるように乾燥することが好ましい。

（くっつき）
「くっつき」は、塗布工程において、ドラム２０３に複数の素体を投入してスプレー塗布した際に、素体１０の素体保護膜５０同士が接着する現象であり、素体保護膜５０の品質低下の要因になる。発明者は、ナノシリカをフィラーとした場合に、当該ナノシリカのシリカ粒子の粒子径を変えることで、塗布工程中の「くっつき」が抑えられることを実験によって見出した。

図１５は、ナノシリカのシリカ粒子の平均粒径と、くっつき発生率の実験結果を示す図である。
この実験では、保護膜材料として２つのサンプル１、２を作成した。
サンプル１は、樹脂種にエポキシ樹脂、溶剤種にＰＧＭ、フィラー種にナノシリカを用いた保護膜材料であり、サンプル２は、樹脂種にエポキシ樹脂、溶剤種にＭＥＫ、フィラー種にナノシリカを用いた保護膜材料である。サンプル１、２のいずれも、ナノシリカの含有量は２００ｐｈｒとした。
そして、上記塗布工程により、それぞれのサンプル１、２を用いて素体１０に素体保護膜５０を塗膜した後、上記ワーク取り出し工程において、ドラム２０３から素体１０を取り出したときに互いに接着状態の素体１０の個数を計数することで、くっつき発生率を求めた。

図１５に示されるように、シリカ粒子の平均粒径が小さくなるほど、くっつき発生率が低下することがわ分かる。
溶媒種にＭＥＫを用いたサンプル２と、溶剤種にＰＧＭを用いたサンプル１とを比較すると、シリカ粒子の平均粒径が同じ場合、くっつき発生率はサンプル２の方が低いことが分かる。
またサンプル２については、シリカ粒子の平均粒径が４５ｎｍ以下になると、くっつき発生率が顕著に低下することが分かる。

サンプル１、２のいずれにおいても、シリカ粒子の平均粒径が１２ｎｍ程度まで小さくなると、くっつき発生率が概ねゼロまで抑えられる。
しかしながら、シリカ粒子の平均粒径が１２ｎｍである場合、サンプル１、２のいずれにおいても、形成後の素体保護膜５０の表面に、図１６に示すクラックの発生が観察された。したがって、シリカ粒子の平均粒径は、１２ｎｍよりも大きいことが好ましく、クラックの発生がより確実に抑えられる１５ｎｍ以上であることがより好ましい。

また、シリカ粒子の平均粒径が７５ｎｍを超えて大きくなると保護膜材料にフィラーの沈殿が顕著に生じることが観察された。この保護膜材料が塗膜に用いられると、仮にくっつきが生じなかったとしても、均一な素体保護膜５０が得られない。したがって、シリカ粒子の平均粒径は、保護膜材料に沈殿が生じない粒子径である７５ｎｍ以下であることが好ましい。

なお、平均粒径が１５ｎｍから７５ｎｍのシリカ粒子（シリカ粉）を、十分な乾燥速度が得られる含有量（１５０ｐｈｒから２５０ｐｈｒ）だけ含む保護膜材料を用いて素体保護膜５０を形成した場合、形成後の素体保護膜５０においては、樹脂に対するシリカ粒子の重量比が概ね１５０％から２５０％となる。
換言すれば、かかる重量比の素体保護膜５０が形成されている場合には、速い乾燥速度で、かつ「くっつき」も発生することなく素体保護膜５０が形成されたことを示し、高品質な素体保護膜５０が得られていると言える。

（めっき飛び）
図１７は、素体保護膜５０の厚みを変えて「めっき飛び」の数を計測した結果を示す図である。
「めっき飛び」とは、素体１０の表面において素体保護膜５０が塗布されていない箇所が発生し、意図しない箇所にめっきが形成されることである。例えば素体研削によって軟磁性粉の大粒子が脱粒することで、素体１０の表面に比較的大きな凹みが生じていた場合には、当該凹みに保護膜材料が十分に入り込めずに「めっき飛び」が発生する要因となる。

本計測では、素体１０における天面１４及び実装面１２と、第１側面１６及び第２側面１８とが交差する稜線部分の全辺について、所定計測間隔ごとに「めっき飛び」の有無を確認し、「めっき飛び」が生じている箇所の数を計数した。

同図から分かるように、素体保護膜５０の厚みが小さくなると、多くの「めっき飛び」が発生するものの、厚みが５μｍ以上であれば「めっき飛び」の数は顕著に減少し、１０μ以上であれば「めっき飛び」は生じていないことが分かる。
したがって、素体保護膜５０の厚みは１０μｍ以上であることが好ましく、このような厚みとすることで、「めっき飛び」の発生を抑え素体１０の全表面を素体保護膜５０によって確実に保護することができる。

ただし、インダクタ１の素体１０のサイズが規定の場合には、素体保護膜５０の厚みが大きくなると、その分、素体保護膜５０を除いた部分の素体１０のサイズが縮小しコイル３０も小さくなることからインダクタ１の性能が低下する。
また、インダクタ１は、素体保護膜５０を除去した箇所に外部電極２０が形成されるため、外部電極２０よりも素体保護膜５０が厚いと、外部電極２０が素体保護膜５０の表面から突出せず、外部電極２０と基板との接触性が悪くなる。
そこで、素体保護膜５０の厚みは、少なくとも外部電極２０の厚み以下であることが好ましい。本実施例では、高さＨが０．７±０．１ｍｍ、幅Ｗが１．２±０．２ｍｍ、長さＬが２．０±０．２ｍｍのサイズのインダクタ１の場合、外部電極２０の厚みは、０．５８ｍｍから０．７５ｍｍの範囲であり、高さＨが０．５５±０．１ｍｍ、幅Ｗが１．２±０．２ｍｍ、長さＬが２．０±０．２ｍｍのサイズのインダクタ１の場合、外部電極２０の厚みは、０．５８ｍｍ～０．７５ｍｍであり、０．４３から０．６０ｍｍの範囲である。素体保護膜５０は、かかる外部電極２０の厚み以下の範囲の中でも、高性能のインダクタ１を得るために３０μｍ以下であることがより好ましい。
なお、外部電極２０の厚みは次のように測定した。すなわち、インダクタ１において、天面１４の４隅の角をそれぞれ対角に結んだ交点部分と交差し、第２側面１８と平行に素体１０を切断し、素体１０の実装面１２に形成された外部電極２０の長さ方向を４等分した点の膜厚をマイクロスコープを用いて１０００倍に拡大して測定し、それぞれの平均を第１測定値として求めた。そして当該第１測定値を１０個のインダクタ１について求め、それぞれの第１測定値の平均を、外部電極２０の厚みとした。マイクロスコープには株式会社キーエンス社製の型番ＶＨＸ－７０００を用いている。

（脱粒対策）
成型体である素体１０の表面が研削加工されている場合、上述の通り、研削時に軟磁性粉の粒子が少なからず脱粒する。本実施例では、平均粒径が大きな大粒子と平均粒径が小さな小粒子とから成る軟磁性粉が用いられているため、大粒子の脱粒によって比較的深い凹みが研削面（本実施例では第２側面１８）に生じる。

表５は、素体保護膜５０の厚みと、脱粒によって生じた凹みの深さと、防さび性能との実験結果を示す図である。
この実験の保護膜材料には図１５に示す実験と同じサンプルを用いた。素体１０の成型に用いる軟磁性粉には、大粒子の平均粒径が２１μｍから２８μｍのものを用いている。
素体保護膜５０の厚みは次のように測定した。すなわち、インダクタ１において、天面１４の４隅の角をそれぞれ対角に結んだ交点部分と交差し、第２側面１８と平行に素体１０を切断し、素体１０の上下の第２側面１８において、素体１０の長さＬを４等分した点のそれぞれにおいて素体保護膜５０の膜厚をマイクロスコープを用いて１０００倍に拡大して測定し、それぞれの平均を第２測定値として求めた。そして当該第２測定値を１０個のインダクタ１について求め、それぞれの第２測定値の平均を厚みの測定値としている（平均厚み）。マイクロスコープには株式会社キーエンス社製の型番ＶＨＸ－７０００を用いている。
防さび性は、所定の製品品質基準に防さび性が満たないものを「ＮＧ」、満足するものを「Ｇ」としている。

表５に示されるように、脱粒による凹みの深さに対して素体保護膜５０の厚みが小さいと防さび性が悪く、素体保護膜５０の品質が十分でないことが分かり、凹みの深さに対する素体保護膜５０の厚みの比が０．４以上であると十分な防さび性が得られることが分かる。凹みの深さは、概ね大粒子の平均粒径に相当することから、素体保護膜５０の厚みが大粒子の平均粒径の０．４倍以上であれば、表面に脱粒が生じていても十分な品質の素体保護膜５０が得られる。

以上説明したように、本実施例のインダクタ１は、軟磁性粉および樹脂を含んで成る素体１０と、素体１０に埋設されたコイル３０と、素体１０に設けられた外部電極２０とを有し、素体１０の表面に素体保護膜５０を有するインダクタ１であって、素体保護膜５０は、厚みが１０μｍ以上であり、シリカ粒子と樹脂とを含み、シリカ粒子の平均粒径は１５～７５ｎｍであり、樹脂に対するシリカ粒子の重量比は１５０～２５０％である。

素体保護膜５０の厚みが１０μｍ以上であることで、「めっき飛び」の発生を抑え素体１０の全表面を素体保護膜５０によって確実に保護することができる。
素体保護膜５０がシリカ粒子を含有することで、光沢が低減され、光学的手法を用いた外観検査時の誤判定を防止できる。
また素体保護膜５０において、シリカ粒子の平均粒径が１５～７５ｎｍであり、樹脂に対するシリカ粒子の重量比は１５０～２５０％であることで、素体保護膜形成において「くっつき」による劣化を受けていない高品位な素体保護膜５０が得られる。

本実施例において、素体保護膜５０の厚みは外部電極２０の厚み以下である。
これにより、外部電極２０が素体保護膜５０の厚みに阻害されることなく、基板の回路と良好に接触できる。

本実施例において、素体保護膜５０は、カーボンブラックを含有する。
これにより、外部電極２０を形成するために素体保護膜５０をレーザによって除去する際の加工性が高められる。

本実施例において、素体保護膜５０は、フェノキシ樹脂を含有する。
これにより、素体１０の靱性を高めることができる。

本実施例において、素体保護膜５０は、ノボラック樹脂を含有する。
これにより、素体１０の耐熱性を高めることができる。

本実施例において、素体保護膜５０の厚みは大粒子の平均粒径の０．４倍以上である。
これにより、表面に脱粒が生じていても十分な品質の素体保護膜５０が得られる。

なお、本実施例において、酸化チタンや酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムをフィラー種に用いてもよい。

１ インダクタ
１０ 素体
１２ 実装面
１４ 天面
１６ 第１側面
１８ 第２側面
２０ 外部電極
３０ コイル
３２ 巻回部
３４ 引出部
４０ コア
５０ 素体保護膜
６０ 絶縁被覆材
８１ 第１軟磁性粒子
８２ 第２軟磁性粒子
Ｈ 高さ
Ｗ 幅
Ｌ 長さ

Claims (3)

1. 大粒子及び小粒子の軟磁性粒子から成る軟磁性粉と樹脂を含んで成る素体と、前記素体に埋設されたコイルと、前記素体に設けられた外部電極とを有し、前記素体の表面に素体保護膜を有するインダクタであって、
   前記素体の表面には、前記大粒子の平均粒径の０．４倍以上の厚みの前記素体保護膜が形成されている
   ことを特徴とするインダクタ。
2. 前記素体保護膜の厚みが１０μｍ以上である
   ことを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
3. 前記素体保護膜の厚みが、前記外部電極の厚み以下である
   ことを特徴とする請求項１または２に記載のインダクタ。

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