JP2022060772A - 軟磁性材料及びインダクタ - Google Patents

Abstract

【課題】インダクタに用いる金属磁性体を構成する軟磁性材料であって、金属磁性体を構成したときに高い耐電圧性を安定に実現することのできる軟磁性材料を提供する。
【解決手段】軟磁性金属を含む粒子核と当該粒子核の表面に位置する絶縁膜とで構成された軟磁性粒子を含む軟磁性材料であって、粒子核は、絶縁膜との間に上記軟磁性金属の酸化物で構成される酸化膜を有し、且つＣｒを含まないか又は１．５重量％以下のＣｒを含み、酸素の含有量が重量比９００ｐｐｍ以上２８００ｐｐｍ以下である。
【選択図】図７

Description

本発明は、軟磁性材料及びこれを用いたインダクタに関する。

金属磁性体を用いたインダクタ（コイル部品）は、例えば表面実装が可能なチップインダクタとして、スマートフォンなどの様々な電気機器に広く用いられている。このようなインダクタに用いる金属磁性体として、軟磁性材料である金属の粒子で構成される軟磁性粉に樹脂を加えて加圧成型した、圧粉磁心ないし素体を用いることが知られている。

特許文献１には、軟磁性粉を構成する磁性体粒子として微小な磁性材料のコア（粒子核）の表面上にゾルゲル反応生成物で構成された絶縁被膜を形成したものを用いることが記載されている。この構成によれば、磁性体粒子の表面の絶縁性を増して、圧縮成型して得られる圧粉磁心又は素体における比抵抗を大きくし、高い耐電圧特性を実現することができる。

しかしながら、粒子核の表面状態によっては、当該粒子核に対する絶縁膜の固着強度を十分確保できず、製造工程等において絶縁膜が剥離すること等により、金属磁性体としての高い耐電圧性を安定に実現することが困難となる場合があり得る。

国際公開ＷＯ２０１８／１３１５３６号

本発明の目的は、加圧成型されて金属磁性体を構成したときに当該金属磁性体としての高い耐電圧性を安定に実現することのできる軟磁性材料を提供することである。

本発明の一の態様は、軟磁性金属を含む粒子核と前記粒子核の表面に位置する絶縁膜とで構成された軟磁性粒子を含む軟磁性材料であって、前記粒子核は、前記絶縁膜との間に前記軟磁性金属の酸化物で構成される酸化膜を有し、前記粒子核は、Ｃｒを含まないか又は１．５重量％以下のＣｒを含み、酸素の含有量が重量比９００ｐｐｍ以上２８００ｐｐｍ以下である、軟磁性材料である。

本発明に係る軟磁性材料によれば、これを加圧成型して金属磁性体としたときに当該金属磁性体としての高い耐電圧性を安定に実現することができる。

本発明の実施形態に係るインダクタの構成を模式的に示す図であり、インダクタの天面の側を視た斜視図である。 同インダクタの構成を模式的に示す図であり、インダクタの実装面の側を視た斜視図である。 同インダクタの内部構成を透視して示す透視斜視図である。 インダクタの製造工程の概要を示す図である。 混合粉で形成されたタブレットを用いた素体成型の態様を示す図である。 成型後の素体のコアの状態を示す模式図である。 混合粉を構成する第１軟磁性粒子の構成を示す図である。 Ｃｒレスの第１軟磁性粒子の、粒子核に形成された酸化膜の表面の電子顕微鏡写真である。 第１軟磁性粒子についての、酸素含有量に対する成型体の耐電圧の変化を示す図である。 第１軟磁性粒子についての、酸素含有量に対する成型体の比透磁率の変化を示す図である。 第１軟磁性粒子についての、酸素含有量に対する成型体の飽和磁束密度の変化を示す図である。 混合粉を構成する第２軟磁性粒子の構成を示す図である。 第２軟磁性粒子についての、Ｓｉ／Ｃ重量比に対する成型体の比透磁率の変化を示す図である。 第２軟磁性粒子についての、Ｓｉ／Ｃ重量比に対する成型体の圧環強度の変化を示す図である。 素体成型・硬化工程におけるコイル周辺部での混合粉の流動態様を示す図である。 素体成型・硬化工程における第１タブレットの表面領域と中央部領域の空隙の状態を示す図である。 インダクタの参照面を説明する図である。 素体の側面の樹脂の充填態様を示す図である。 素体の表面粗さの測定結果を示す図である。 素体の側面とコイルとの間隔を説明する図である。 混合粉における樹脂量と素体の密度との関係を説明する図である。 （Ａ）はコイルの下段の巻線部を周囲材料と共に示す画像であり、（Ｂ）はコイルの上段の巻線部を周囲材料と共に示す画像である。 素体成型の際の加圧力の説明に供する図である。 線間磁性粉構造のシミュレーション結果を示す特性曲線図である。 巻回部近傍に磁気ギャップとなるエアギャップを設けた場合の画像である。 エアギャップの有無に応じたシミュレーション結果を示す特性曲線図である。 素体研削に用いられる研削装置の一例を模式的に示す図である。 サイドギャップの説明図である。 素体保護膜形成に用いる保護膜形成装置の一例を模式的に示す図である。 ナノシリカの含有量と乾燥速度の実験結果を示す図である。 ナノシリカのシリカ粒子の平均粒径と、くっつき発生率の実験結果を示す図である。 素体保護膜に生じたクラックを示す画像である。 素体保護膜の厚みを変えて「めっき飛び」の数を計測した結果を示す図である。

［インダクタ全体構成］
図１及び図２は本実施形態に係るインダクタ１の構成を模式的に示す図であり、図１はインダクタ１の天面１４の側を視た斜視図、図２はインダクタ１の実装面１２の側を視た斜視図である。
本実施形態のインダクタ１は、表面実装型の電子部品として構成されており、略直方体形状の素体１０と、当該素体１０の表面に設けられた一対の外部電極２０とを備え、素体１０の一面が図示しない回路基板の表面に実装される実装面１２（図２）として構成され、また素体１０は外部電極２０を除き素体保護膜５０で覆われている。

以下、素体１０において、実装面１２の対向面を天面１４（図１）と言い、実装面１２及び天面１４以外の４面の側面のうち、コイル３０の後述する引出部３４が位置する一対の面を第１側面１６と言い、残りの一対の面を第２側面１８と言う。これら第１側面１６、及び第２側面１８は、後述するコイル３０が備える巻回部３２の径方向に位置する素体１０の面でもある。以下では、対向する実装面１２と天面１４を、一対の主面とも称する。

また、図１に示すように、実装面１２から天面１４までの長さを素体１０の高さＨと定義し、天面１４の短辺の長さを素体１０の幅Ｗと定義し、長辺の長さを素体１０の長さＬと定義する。

図３は本実施形態に係るインダクタ１の内部構成を示す透視斜視図である。
素体１０は、コイル３０と、当該コイル３０が埋設されたコア４０と、を備え、コイル３０をコア４０に封入したコイル封入型磁性部品として構成されている。
コイル３０は導線を巻回した空芯コイル部品である。
コア４０は、軟磁性粉と樹脂を混合した混合粉を、コイル３０を内包した状態で圧粉することで略直方体形状に圧縮成型された成型体である。

コイル３０は、導線が巻回された巻回部３２と、当該巻回部３２から引き出された一対の引出部３４とを備える。巻回部３２は、導線の両端が外周に位置し、かつ内周で互いに繋がるように導線を渦巻き状に巻回して形成される。素体１０の内部において、コイル３０は、巻回部３２の中心軸Ｋが素体１０の高さＨの方向に沿う姿勢でコア４０に埋設されており、また引出部３４は、巻回部３２から一対の第１側面１６のそれぞれまで引き出されている。

コイル３０の形成に用いられる導線は、電気的絶縁性を有した絶縁被覆層と、当該絶縁被覆層の上に形成された融着被覆層とを有する絶縁被覆材６０によって予め被覆されている。コイル形成工程では、加熱しながら導線を巻回することで融着被覆層が溶融することで巻回部３２の導線同士が固着し、コイル形成後の巻回部３２の型崩れが抑えられる。また絶縁被覆層によってコイル３０とコア４０とが確実に絶縁される。

一対の外部電極２０は、素体１０の第１側面１６のそれぞれから実装面１２に亘って延びるＬ字状部材である。外部電極２０はそれぞれ、第１側面１６においてコイル３０の引出部３４と接続され、また実装面１２に延出した部分２０Ａ（図２）が半田などの適宜の実装手段によって回路基板の配線に電気的に接続される。

かかる構成のインダクタ１は、例えば、高周波回路のインピーダンス整合用コイル（マッチングコイル）として用いられ、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、スマートフォン、カーエレクトロニクス、医療用・産業用機械などの電子機器に用いられる。ただし、インダクタ１の用途はこれに限られず、例えば、同調回路、フィルタ回路や整流平滑回路などにも用いることもできる。

［インダクタ製造工程概要］
図４は、インダクタ１の製造工程の概要を示す図である。
同図に示すように、インダクタ１の製造工程は、造粒工程と、コイル形成工程と、素体成型・硬化工程と、素体研削工程と、素体保護膜形成工程と、素体保護膜除去工程と、外部電極形成工程と、を含む。

造粒工程は、コア４０が含有する軟磁性粉と樹脂を混合した混合粉を造粒する工程である。軟磁性粉は、表面が絶縁膜で覆われた粒子から成っている。

コイル形成工程は、絶縁被覆材６０によって被覆された導線からコイル３０を形成する工程である。当該工程において、コイル３０は、「アルファ巻」と称される巻き方で導線を巻回することにより、上述した巻回部３２、及び一対の引出部３４を有した形状に形成される。アルファ巻とは、導体として機能する導線の巻始めと巻終わりの引出部３４が外周に位置するように渦巻き状に２段に巻回された状態を言う。コイル３０のターン数は、特に限定されるものではないが、例えば６．５ターンである。

素体成型・硬化工程は、素体１０の元と成る成型体を成型する工程である。
成型体の成型材料には、造粒工程で得られた混合粉が用いられる。
当該工程では、混合粉を予備成型してタブレット（所定形状の固形物）を作成し、当該タブレットとコイル３０を成型金型のキャビティ内に配置する。次いで、キャビティを加熱しながらパンチを用いて加圧することでコイル３０を内包した成型体を圧縮成型し、その後、硬化した成型体をキャビティから取り出し、この成型体に対して研磨を行う。この研磨にはバレル研磨を用いることで、成型体の角部へのＲ付けを行うことができる。

予備成型したタブレットには、図５に示すように、コイル３０が入り込む溝７１を有した適宜形状（例えばＥ型など）の第１タブレット７０と、当該第１タブレット７０の溝７１を覆う適宜形状（例えばＩ型や板状など）の第２タブレット７２との２種類のタブレットが用いられる。圧縮成型時は、コイル３０を溝７１に嵌めた第１タブレット７０と、第２タブレット７２とを成型金型７４のキャビティ７５内に重ねて配置する。そして、第１タブレット７０及び第２タブレット７２に熱を加えながら、この重なり方向に、第１タブレット７０又は／及び第２タブレット７２の側（図５の例では第２タブレット７２の側）からパンチ７６を用いて加圧することで、第１タブレット７０、コイル３０、及び第２タブレット７２を一体化する。
なお、予備成型したタブレットではなく、造粒工程で得られた混合粉をそのままキャビティに投入して圧縮成型してもよい。

圧縮成型時の加圧力Ｐは、図６に示すように、素体１０の成型後において軟磁性粉を構成する個々の粒子８０が潰れることなく成型前の形状を維持するような従前よりも低い圧力であることが好ましい。かかる加圧力Ｐにより、軟磁性粉を構成する個々の粒子８０において、表面の絶縁膜の損傷が抑えられるため、絶縁性能低下（すなわち耐圧性能低下）が抑えられる。

また図６に示すように、軟磁性粉を構成する粒子８０の粒度は２種以上（図６の例では、平均粒径が比較的大きな大粒子である第１軟磁性粒子８１と、平均粒径が比較的小さな小粒子である第２軟磁性粒子８２）であることが好ましい。かかる軟磁性粉によれば、圧縮成型時において、図６に示すように、大粒子である第１軟磁性粒子８１の間に樹脂９０と共に小粒子である第２軟磁性粒子８２が入り込むため、粒子８０の充填率が高い成型体（素体１０）が得られる。コア４０を構成する第１軟磁性粒子８１及び第２軟磁性粒子８２の実施形態については後述する。

素体研削工程は、素体成型・硬化工程で得た成型体の第２側面１８に砥粒を作用させることで、幅Ｗが所定幅になるまで第２側面１８を削り落とす（すなわち研削する）工程である。
当該工程によって、成型体の幅Ｗを所定幅までダウンサイジングした素体１０が得られる。かかるダウンサイジングにより、素体１０内のコイル３０と第２側面１８との距離（サイドギャップとも言う）が縮まるため、コイル３０の巻回部３２の径方向におけるコイル３０の占有率が高められる。また、圧縮成型で得た成型体を所定サイズに研削加工して素体１０を得るため、圧縮成型だけで素体１０を所定サイズに制御する場合に比べ、素体１０の寸法ばらつきを低減することができる。
なお、素体研削工程において、第２側面１８の研削によって生じた角を面取りするための研磨（例えばバレル研磨）を行ってもよい。

素体保護膜形成工程は、素体研削工程で所定サイズに研削された素体１０の全表面に素体保護膜５０を形成する工程である。
素体保護膜５０の材料には、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、又は、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられる。なお、これらの樹脂は酸化ケイ素、酸化チタン等を含むフィラーを更に含んでいても良い。
当該工程では、素体１０の全表面に素体保護膜５０の材料を、塗布やディップ等の適宜の手段により付与し、これを硬化することにより素体保護膜５０を形成する。

素体保護膜除去工程は、全表面が素体保護膜５０で覆われた素体１０にレーザを照射することで、外部電極２０が形成される電極形成箇所（本実施形態では第１側面１６内の所定箇所）の素体保護膜５０と、当該電極形成箇所に露出しているコイル３０の引出部３４の絶縁被覆材６０と、を除去する工程である。
なお、素体保護膜除去工程において、レーザによる絶縁被覆材６０の除去の後、電極形成箇所の表面を清浄するためにエッチング処理を行っても良い。

外部電極形成工程は、素体保護膜除去工程において素体保護膜５０が除去された電極形成箇所に、めっきによって外部電極２０を形成する工程である。
当該工程において、外部電極２０は、素体１０の表面に露出した軟磁性粉とコイル３０の引出部３４に、めっき処理を行うことで形成される。このめっき処理では、銅（Ｃｕ）から形成される層をめっき成長によって形成することで外部電極２０を形成する。
なお、銅（Ｃｕ）の層の上に、ニッケル（Ｎｉ）から形成される層と、スズ（Ｓｎ）から形成される層とを、この順にめっき成長によって積層形成してもよい。また銅（Ｃｕ）の層に代えて、アルミニウム（Ａｌ）や、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）の層を用いてもよい。

また、外部電極は、スパッタリングや導電性樹脂、銅板などを用いて形成してもよい。また、外部電極２０は、図示例のＬ字形状に限らず、いわゆる５面電極構造であってもよく、また底面電極であってもよい。

上記のように製造されたインダクタ１によれば、コア４０としての機械強度を維持しつつコア４０の比抵抗と軟磁性金属部分の比率等を高めて、信頼性が高く且つ良好な耐電圧性、透磁率、飽和磁束密度、及び直流重畳特性を実現している。

次いでインダクタ１の実施例を以下に説明する。
なお、各実施例において、特に断りがない限り、インダクタ１の寸法は、高さＨが０．７±０．１ｍｍ、幅Ｗが１．２±０．２ｍｍ、長さＬが２．０±０．２ｍｍであり、耐電圧は約２０Ｖである。
また、インダクタ１は、後述する［Ａ－１－１．第１軟磁性粒子］、［Ａ－１－２．第２軟磁性粒子］、［Ａ－２．樹脂］、［Ｂ．コイル］、［Ｃ．磁路］、［Ｄ．素体研削］、及び［Ｅ．素体保護膜］のそれぞれに示す任意の実施例を用いて、これら実施例の任意の組み合わせにより構成され得る。

［Ａ．混合粉］
コア４０の形成に用いられる混合粉は、軟磁性粉と樹脂とを含む。
［Ａ－１．軟磁性粉］
混合粉に含まれる軟磁性粉は、軟磁性金属の粒子で構成される軟磁性材料である。この軟磁性粉は、例えば、第１軟磁性粒子８１（大粒）と、第１軟磁性粒子８１より平均粒径が小さい第２軟磁性粒子８２（小粒）とを含む。なお、本明細書において「平均粒径」は体積基準のメジアン径を意味する。

第１軟磁性粒子８１及び第２軟磁性粒子８２のそれぞれの平均粒径は、これらを互いに混合する前において、それぞれ粒度分布計を用いて測定することができる。また、混合粉を加圧成型した成型体としてのコア４０の状態において測定する場合には、コア４０を研磨して得られる軟磁性粒子の断面の電子顕微鏡画像を解析することにより測定することができる。例えば、上記電子顕微鏡写真から各軟磁性粒子断面の円相当径を求め、各軟磁性粒子が上記円相当径を有する球であるものと仮定して、各球の体積を求め、その体積値分布の中央値から平均粒径を算出することができる。

第１軟磁性粒子８１の平均粒径は、２０μｍ以上２８μｍ以下であり、好ましくは２１．４μｍ以上２７．４μｍ以下である。第２軟磁性粒子８２の平均粒径は、１μｍ以上６μｍ以下であり、好ましくは１．５μｍ以上１．８μｍ以下である。このように、混合粉を平均粒径の異なる第１軟磁性粒子８１と第２軟磁性粒子８２とにより構成することで、平均粒径の大きい第１軟磁性粒子８１によりコア４０としての飽和磁束密度を高めて直流重畳特性を向上しつつ、平均粒径の小さい第２軟磁性粒子８２を第１軟磁性粒子８１同士の間隙に入り込ませ、コア４０における軟磁性粒子の充填率を高めて比透磁率を向上させることができる。

また、混合粉に含まれる第２軟磁性粒子８２の量は、その混合粉に含まれる軟磁性粒子の総重量を基準として１５重量％以上３０重量％以下であり、好ましくは２０重量％以上３０重量％以下である。軟磁性材料における第２軟磁性粒子８２の含有量が上記範囲内であると、混合粉の成型体であるコア４０における軟磁性粒子の充填率をより高くすることができる。

第２軟磁性粒子８２を構成する軟磁性金属の組成は第１軟磁性粒子８１を構成する軟磁性金属の組成と同じであってもよいが、互いに異なる組成を有し、互いにほぼ同等の硬度を有していることが好ましい。第１軟磁性粒子８１及び第２軟磁性粒子８２の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて計測することができる。例えば、第１軟磁性粒子８１の硬度は、６００ＨＶ（ｋｇｆ／ｍｍ^２）以上１２００ＨＶ以下であり、望ましくは８００ＨＶ以上１０００ＨＶ以下である。また、第２軟磁性粒子８２の硬度は、９００ＨＶ（ｋｇｆ／ｍｍ^２）以上１４００ＨＶ以下であり、望ましくは９００ＨＶ以上１１００ＨＶ以下である。

また、第１軟磁性粒子８１の硬度に対する第２軟磁性粒子８２の硬度の比は、０．７以上１．２以下であることが望ましい。これにより、これらの軟磁性粒子を含む混合粉を加圧成型してコア４０を形成する際に、第１軟磁性粒子８１又は第２軟磁性粒子８２の硬度の低い一方の軟磁性粒子が変形してしまうのを防止して、コア４０としての絶縁抵抗が低下してしまうのを防止することができる。

［Ａ－１－１．第１軟磁性粒子］
［Ａ－１－１－１．第１軟磁性粒子の実施形態］
図７は、第１軟磁性粒子８１の構成を示す図である。第１軟磁性粒子８１は、軟磁性金属から成る粒子核８１Ａと、その粒子核８１Ａの表面に形成された絶縁膜８１Ｃと、で構成される。粒子核８１Ａは、その粒子核８１Ａを構成する軟磁性金属を当該粒子核８１Ａの表面において酸化させることにより形成された酸化膜８１Ｂを有する。

コア４０において高い耐電圧性を安定に実現するために、絶縁膜８１Ｃは、その下地となる酸化膜８１Ｂから剥離しない程度に、当該酸化膜８１Ｂとの固着強度が確保されている必要がある。絶縁膜８１Ｃが酸化膜８１Ｂから剥離した場合には、コア４０の絶縁抵抗は低下し、インダクタとしての耐電圧性が低下する。一方、酸化膜８１Ｂの形成により粒子核８１Ａにおける軟磁性金属の量は減少し、当該粒子核８１Ａを用いて形成されるコア４０の比透磁率は減少する。このため、酸化膜８１Ｂの厚さは、比透磁率の観点からはできるだけ薄いことが好ましい。

本発明者は、上記粒子核８１ＡをＣｒを含む軟磁性金属で構成した場合に、当該粒子核８１Ａの表面に形成される酸化膜８１Ｂが薄くなって表面が平滑となりやすく、酸化膜８１Ｂ上における絶縁膜８１Ｃの固着強度が十分に得られない場合があり得ることを見出した。また、本発明者は、その解決策として、粒子核８１ＡにおけるＣｒの含有量を制限すると共に、粒子核８１Ａの表面に形成する酸化膜８１Ｂの膜厚を所定範囲の厚さとすることで、酸化膜８１Ｂ上における絶縁膜８１Ｃの固着強度を確保しつつ、その粒子核８１Ａを用いて形成されるコア４０の比透磁率の減少を一定範囲に抑制できることを見出した。

具体的には、粒子核８１Ａを構成する軟磁性金属を、Ｃｒの含有率が１．５重量％以下の鉄基金属磁性体とする。Ｃｒの含有量をこの範囲とすることにより、鉄の含有量を高めて粒子核８１Ａとしての比透磁率を高めつつ、粒子核８１Ａ表面に不動態膜がまだらに形成されるので、酸化膜８１Ｂが不均一になって、酸化膜８１Ｂと絶縁膜８１Ｃの接触表面積を増やすことができ、絶縁膜８１Ｃと酸化膜８１Ｂとの固着強度を高めることができる。

粒子核８１Ａは、Ｃｒレスの（Ｃｒを含まない）鉄基金属磁性体であってもよい。ここで、「Ｃｒレス」とは、その素材がＣｒを実質的に含有しないことを意味し、Ｃｒを含むとしてもその量が、粒子核８１Ａの製造過程において環境から混入し得る程度の微小な量（例えば、５００ｐｐｍ以下）であることを意味する。

粒子核８１Ａは、より具体的には、Ｃｒの含有量が上記数値の範囲内であるＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金又はＦｅ－Ｓｉ合金の非晶質（アモルファス）又は結晶質の金属磁性体である。上記Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金又はＦｅ－Ｓｉ合金は、例えば、Ｆｅが８７重量％以上、Ｓｉが３重量％以上であって、Ｂ（ホウ素）を含み得る。

第１軟磁性粒子８１の粒子核８１Ａは、上記Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金又はＦｅ－Ｓｉ合金に限らず、鉄基金属磁性体を用いて形成されていればよい。そのような鉄基金属磁性体は、例えば、Ｃｒの含有量が上記数値の範囲内であるＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ａｌ、又はＦｅ－Ｓｉ－Ａｌの非晶質又は結晶質の合金であるものとすることができる。

第１軟磁性粒子８１の粒子核８１ＡとしてＣｒレスの合金を用いる場合には、粒子核８１ＡにおけるＦｅの重量比を高めることができるので、この粒子核８１Ａを用いて作製されるコア４０の飽和磁束密度をより高めて、インダクタとしてより良好な直流重畳特性を得ることができる。

酸化膜８１Ｂは、粒子核８１Ａの製造過程において、その粒子核８１Ａの表面の軟磁性金属を酸化することにより形成し得る。例えば、酸化膜８１Ｂは、粒子核８１Ａの製造過程においてその粒子核８１Ａが水又は酸素雰囲気に暴露されることにより、及び又は粒子核８１Ａを高温酸素雰囲気中に暴露するなどの積極的な酸化工程を設けることにより形成し得る。

酸化膜８１Ｂは、粒子核８１Ａの表面において軟磁性金属の酸化が進むに従って、その膜厚が厚くなると共に、その表面の面粗さが増大し、その表面上に形成される絶縁膜８１Ｃと酸化膜８１Ｂとの固着強度が高まる。一方で、軟磁性金属の酸化が進むに従って酸化膜８１Ｂの膜厚が厚くなると、粒子核８１Ａに含まれる金属の量は減少し、当該粒子核８１Ａによりコア４０を形成した際の当該コア４０の比透磁率が減少する。絶縁膜８１Ｃの固着強度を確保し且つ比透磁率の減少を一定範囲に抑制する観点からは、粒子核８１Ａの酸素含有量として、当該酸素含有量は９００ｐｐｍ以上２８００ｐｐｍ以下であることが望ましい。

酸化膜８１Ｂ上に形成する絶縁膜８１Ｃは、例えば、メカノケミカル法で形成される無機ガラス被膜である。無機ガラス被膜は、例えば、リン酸亜鉛、リン酸マンガン等のリン酸塩ガラス、又はガラスである。これに代えて、絶縁膜８１Ｃを、有機高分子被膜、有機－無機ハイブリッド被膜、又は無機系絶縁性被膜で構成してもよい。これらの絶縁膜８１Ｃは、その素材に依存して、メカノケミカル法や、金属アルコキシドのゾルゲル反応などにより形成され得る。

絶縁膜８１Ｃの厚みは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。絶縁膜８１Ｃの厚みを１０ｎｍ以上とすることにより、第１軟磁性粒子８１の比抵抗を高めることができる。また、絶縁膜８１Ｃの厚みを５０ｎｍ以下とすることにより、第１軟磁性粒子８１に占める金属の割合を高くし、これを用いたコア４０において良好な磁気特性を得ることができる。

上記構成の第１軟磁性粒子８１は、粒子核８１Ａの酸化膜８１Ｂ上に形成される絶縁膜８１Ｃの固着強度を確保してコア４０における高い耐電圧性を安定に実現しつつ、コア４０の比透磁率を高く維持することができる。

［Ａ－１－１－２．第１軟磁性粒子の製造方法］
次に、本発明の一実施形態に係る第１軟磁性粒子８１の製造方法について以下に説明する。なお、以下に説明する方法は一例に過ぎず、本発明に係る第１軟磁性粒子８１の製造方法は以下の方法に限定されるものではない。

第１軟磁性粒子８１の粒子核８１Ａは、例えばガスアトマイズ法により得られる。すなわち、粒子核８１Ａの元となる各金属を電気誘導炉で加熱溶融して溶湯とし、得られた溶湯を不活性ガスであるアルゴンガスのジェットと共に噴出孔から噴出させることにより金属微粒子を得る。その後、得られた微粒子を水中で冷却し、乾燥して第１軟磁性粒子８１の粒子核８１Ａとする。粒子核８１Ａの平均粒径は、例えば、上記ガスアトマイズ法における溶湯の噴き出しに用いるアルゴンガスのジェット流の速度及び又は噴出孔の口径を調整することにより調整することができる。

粒子核８１Ａとして例えば２０μｍ以上の平均粒径を有する粒子核８１Ａをアモルファス金属として形成する場合には、上記溶湯から形成された金属微粒子を高速回転の水流により急冷するＳＷＡＰ法（Ｓｐｉｎｎｉｎｇ Ｗａｔｅｒ Ａｔｏｍｉｚａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いることができる。

上記水における冷却及びその後の乾燥過程において粒子核８１Ａが水及び又は酸素雰囲気に暴露されることにより、その粒子核８１Ａの表面に酸化膜８１Ｂが形成される。酸化膜８１Ｂの厚さは、上記水又は酸素雰囲気への暴露時間を制御することにより、及び又は粒子核８１Ａの製造環境における酸素濃度を制御することにより所望の厚さとすることができる。これに加えて、上記乾燥後の粒子核８１Ａを高温酸素雰囲気に暴露することにより、粒子核８１Ａの表面に酸化膜８１Ｂを更に厚く形成することもできる。なお、粒子核８１Ａの平均粒径は、酸化膜８１Ｂの形成及び後述する絶縁膜８１Ｃの形成処理の前後で実質的に変化しないと考えて差し支えない。

また、粒子核８１Ａの表面に形成する酸化膜８１Ｂは、その膜内において金属酸化物が必ずしも一様に分布している必要はない。例えば、粒子核８１Ａを構成する一つ又は複数の金属が複数種類の酸化物を形成し得る場合には、異なる種類の酸化物が酸化膜８１Ｂ内において互いに不均一に分布していてもよく、また、異なる種類の酸化物から成る複数の層によって酸化膜８１Ｂが構成されていてもよい。

次に、上記粒子核８１Ａ上に形成された酸化膜８１Ｂの上に、絶縁膜８１Ｃを形成する。絶縁膜８１Ｃは、例えば、メカノケミカル法で形成されるリン酸塩ガラスの膜である。

［Ａ－１－１－３．第１軟磁性粒子の実施例］
粒子核８１ＡのＣｒ含有量及び粒子核８１Ａの表面の酸化膜８１Ｂの厚さが互いに異なる２７種類の試料（試料Ａ１－０１からＡ１－２７）を作製し、その特性についての評価を行なった。試料Ａ１－０１からＡ１－２７における粒子の概要は、下記の表１のとおりである。ここで、試料Ａ１－０３ないしＡ１－０８、試料Ａ１－１２ないしＡ１－１６、及び試料Ａ１－２０ないしＡ１－２４は、第１軟磁性粒子８１の実施例である。

以下、各試料について説明する。
＜試料Ａ１－０１＞
（粒子核の作製）
粒子核８１Ａとして、Ｃｒの含有量がゼロである（Ｃｒレスの）Ｆｅ－Ｓｉ合金のアモルファス金属微粒子を、上述したＳＷＡＰ法により作製した。作製した粒子核８１ＡにおけるＦｅ及びＳｉの含有量は、Ｆｅが９３重量％、Ｓｉが３．５重量％、Ｂが３重量％、残部がＣである。粒子核８１Ａの表面酸化による酸化膜８１Ｂの平均膜厚は５ｎｍである。また、作製した粒子核８１Ａの硬度は、９５３ＨＶである。

ここで、上記Ｆｅ及びＳｉの含有量は、ＩＣＰ－ＯＥＳ発光分光分析法（スパーク放電発光分光分析法）により測定した。また、上記粒子核８１Ａの硬度は、ナノインデンテーション法により測定した。

（絶縁膜の形成）
次に、上記得られた粒子核８１Ａ（酸化膜８１Ｂを含む）の表面に、リン酸塩ガラスであるリン酸亜鉛で構成される絶縁膜８１Ｃを、メカノケミカル法により形成し、絶縁膜８１Ｃの形成後の軟磁性粒子を、第１軟磁性粒子８１の試料Ａ１－０１とした。形成した絶縁膜８１Ｃの膜厚は、２３ｎｍである。
第１軟磁性粒子８１の平均粒径（メジアン粒径）は２５．３μｍである。
平均粒径は、粒度分布計を用いて測定した。
酸化膜８１Ｂの平均膜厚と絶縁膜８１Ｃの膜厚は、絶縁膜８１Ｃの形成後の軟磁性粒子とエポキシ樹脂との混合物を加圧成型し、これを切断して電子顕微鏡観察することで得られる軟磁性粒子の断面の電子顕微鏡画像から計測した。具体的には、上記加圧成形により得られた成型体を長さ方向の１／２で切断し、その切断面において、ＷＴの１／２で、厚みを４等分した交点３箇所を、それぞれ１０万倍の倍率に設定した電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて撮影した。そして、その切断面に含まれる粒子核８１Ａの断面の電子顕微鏡画像（ＴＥＭ画像）から、酸化膜８１Ｂの平均膜厚と絶縁膜８１Ｃの膜厚を計測し、それらの平均値を算出した。

（酸化膜の厚さの不均一性及び酸素含有量の評価）
上記酸化膜８１Ｂの平均膜厚と絶縁膜８１Ｃの膜厚の計測に用いた成型体の電子顕微鏡画像により、粒子核８１Ａの断面における酸化膜８１Ｂの最大膜厚と最小膜厚との差（以下、酸化膜の厚みの差ともいう）を計測し、酸化膜８１Ｂの厚さの不均一性を示す指標値とした。
また、粒子核８１Ａの表面上に形成された酸化膜８１Ｂの量を絶縁膜８１Ｃの形成後において推定し得るパラメータとして、上記作製した試料Ａ１－０１における酸素含有量を評価した。酸素含有量は、上記作製した軟磁性粒子を１グラム秤量し、これに含まれる酸素含有量を不活性ガス融解法により測定して評価した。

（絶縁膜固着強度の評価）
上記作製した軟磁性粒子における絶縁膜８１Ｃの固着強度を、粉体抵抗測定器（ハイレスタ）を用いて以下のように評価した。まず、上記作製した軟磁性粒子で構成される粉体を１０ｇ秤量し、これを、粉体抵抗測定器が備える測定用の円筒（電気的絶縁体を側壁とし且つ接地電位に接続した金属板を底板とする円筒）に入れる。円筒に入れた上記粉体の上面に、上記内径と同サイズの直径を有する金属板で構成される上板を接触させ、底板と上板との間に電圧を印加する。上板に、底板の方向へ向かう加重をかけ、当該加重を増加させつつ上板と底板との間に流れる電流を観測し、当該電流が所定の閾値を超えたときの加重の値（単位ＭＰａ（メガパスカル））を、絶縁膜８１Ｃの固着強度の程度を表す評価値として計測した。評価結果を◎〇×で表すものとし、計測値が６０Ｍｐａ以上であれば◎、２０ＭＰａ以上６０Ｍｐａ未満であれば〇、２０Ｍｐａ未満のときは×とした。評価結果を、表２に示す。

（試験片の作製）
上記作製した試料Ａ１－０１の軟磁性粒子を用いて構成される成型体の耐電圧、比透磁率、及び飽和磁束密度を評価するため、試料Ａ１－０１についての試験片を作製した。試験片は、試料Ａ０１－０１である第１軟磁性粒子８１と、第２軟磁性粒子８２と、エポキシ樹脂と、を加圧成型して成る環状の試験片である。試験片に用いた第２軟磁性粒子８２は、後述の試料Ａ２－０５である。

上記試験片に用いた第２軟磁性粒子８２は、結晶質の純鉄で構成される粒子核８２Ａ（後述）に、炭素数１６の長鎖部を有するアルキル基を含む厚さ２ｎｍの絶縁膜８２Ｂ（後述）を形成した、平均粒径３μｍのものである。試験片に用いた上記第１軟磁性粒子８１と上記第２軟磁性粒子８２の重量比は、７５：２５である。また、上記第１軟磁性粒子８１と上記第２軟磁性粒子８２の合計と上記エポキシ樹脂との重量比は、１００：３．１である。試験片の形状は、内径８ｍｍ、外径１３ｍｍ、厚さ５ｍｍの、トロイダル形状とした。

（耐電圧の評価）
上記作製した試料Ａ１－０１についての試験片を用いて、耐電圧を評価した。耐電圧は、ＡＣ／ＤＣ耐電圧絶縁抵抗試験器を用いて測定した。

（透磁率の評価）
上記作製した試料Ａ１－０１についての試験片を用いて、比透磁率を評価した。比透磁率は、ＢＨアナライザとインピーダンス・マテリアル・アナライザとにより、周波数１ＭＨｚの高周波信号を用いて測定した。評価結果を、表２に示す。

（飽和磁束密度の評価）
上記作製した試料Ａ１－０１についての試験片を用いて、飽和磁束密度を評価した。ＬＣＲメータと直流電源を用いて重畳時の試験片のインダクタンス変化を測定し、ＢＨデータを逆算して、磁束が飽和した値を飽和磁束密度とした。評価結果を、表２に示す。

＜試料Ａ１－０２ないしＡ１－２７＞
粒子核８１Ａに含まれるＣｒの含有量を上述の表１とし、Ｆｅ及びＳｉの含有量、酸素含有量を変えて、上述した試料Ａ１－０１と同様の手順で、試料Ａ１－０２ないしＡ１－２７のそれぞれの試料を作製し、固着強度、比透磁率、飽和磁束密度を評価した。

図８は、Ｃｒ含有量ゼロ（Ｃｒレス）の粒子核８１Ａのうち、酸素含有量が５００、１２００、１５００、２５００、２６００ｐｐｍである粒子核８１Ａ、すなわち、試料Ａ１－０１、Ａ１－０４、Ａ１－０５、Ａ１－０６、及びＡ１－０７の粒子核８１Ａについて撮影した、それら粒子核８１Ａの表面の電子顕微鏡写真である。図８に示すこれら試料間での粒子核８１Ａの表面状態の違いから、酸化膜８１Ｂの膜厚が厚くなるほど、従って絶縁膜８１Ｃの形成前における粒子核８１Ａの酸素含有量が多くなるほど、酸化膜８１Ｂの表面の凹凸が深くなることが判る。このような酸化膜８１Ｂの膜厚増加に伴う凹凸の深さの増大は、例えば、粒子核８１Ａの接触状態が異なり、粒子核８１Ａの表面の乾燥状態に差が生じるため、Ｆｅ－Ｓｉ合金の酸化されやすさが場所により異なるためと考えられる。

また、酸素含有量が９００ｐｐｍ以上であれば、酸化膜８１Ｂの平均膜厚が厚く、酸化膜８１Ｂの厚みの差が大きくなって、絶縁膜８１Ｃの固着強度が基準値を満たす。すなわち、絶縁膜８１Ｃの固着強度の観点からは、第１軟磁性粒子８１における酸素含有量は９００ｐｐｍ以上であることが望ましい。

このような、酸化膜８１Ｂの膜厚の増加に伴う絶縁膜８１Ｃの固着強度の改善効果は、酸化膜８１Ｂの膜厚の増加に伴って当該酸化膜８１Ｂの表面に形成される凹凸が深まり、当該凹凸に起因するアンカー効果が高まることによるものと考えられる。

そして、表２における、試料Ａ１－２６及びＡ１－２７と、他の試料Ａ１－０３ないしＡ１－０８、試料Ａ１－１２ないしＡ１－１６、及び試料Ａ１－２０ないしＡ１－２４と、の間での、固着強度の比較から、このような面粗さの増加に起因する固着強度の向上効果は、Ｃｒ含有量が１．５重量％以下で得られ、特に試料Ａ１－０１Ｃｒレス（含有量０）のときに顕著であることがわかる。

図９、図１０、及び図１１は、それぞれ、Ｃｒレスの試料Ａ１－０１ないしＡ１－０９における、耐電圧、比透磁率、及び飽和磁束密度の、酸素含有量への依存傾向を示すグラフである。

図９に示す耐電圧は、酸素含有量の増加と共に増加する。これは、酸化膜８１Ｂの膜厚の増加と共に絶縁膜８１Ｃの固着強度が増加していく結果、第１軟磁性粒子８１の粒子核８１Ａの、周囲に対する絶縁抵抗が増大し、従って試験片（成型体）としての比抵抗が増加していくためと考えられる。

図１０に示す比透磁率は、酸素含有量の増加と共に減少する。これは、酸素含有量の増加、すなわち、粒子核８１Ａを構成するＦｅ－Ｓｉ合金の酸化部分の増加により、粒子核８１ＡにおけるＦｅ－Ｓｉ合金の含有量、すなわち軟磁性金属の金属部分の含有量が減少していくためと考えられる。また、酸素含有量２８００ｐｐｍ以下の範囲であれば、酸化膜８１Ｂの膜厚増加に伴う比透磁率の減少を、酸素含有量５００ｐｐｍにおける値に対し１５％程度に抑制できることが判る。

図１１に示す飽和磁束密度は、酸素含有量と共に増加する。ここで、酸素含有量２５００ｐｐｍにおいて飽和磁束密度が減少しているのは、測定ミス等によるものと考えられる。飽和磁束密度が酸素含有量と共に増加するのは、上記のように粒子核８１Ａを構成する軟磁性金属であるＦｅ－Ｓｉ合金の酸化部分の増加により当該粒子核８１ＡにおけるＦｅ－Ｓｉ合金部分の断面積が減少する結果、試験片を通過する磁束のうち粒子核８１ＡのＦｅ－Ｓｉ合金部分を通過する実効的な磁束の数が減少するためと考えられる。

以上の結果より、コア４０を構成する第１軟磁性粒子８１の望ましい酸素含有量は、絶縁膜８１Ｃの固着強度を確保して耐電圧を実用レベルに維持しつつ、比透磁率の大幅な減少を抑制し得る範囲として、９００ｐｐｍ以上２８００ｐｐｍ以下であることがわかる。

以上説明したように、コア４０の形成に用いる混合粉の軟磁性粉（軟磁性材料）は、第１軟磁性粒子８１を含む。第１軟磁性粒子８１は、軟磁性金属を含む粒子核８１Ａと、粒子核８１Ａの表面に位置する絶縁膜８１Ｃとで構成される。また、上記粒子核８１Ａは、上記絶縁膜８１Ｃとの間に上記軟磁性金属の酸化物で構成される酸化膜８１Ｂを有する。そして、上記粒子核８１Ａは、Ｃｒを含まないか又は１．５重量％以下のＣｒを含み、酸素の含有量が重量比９００ｐｐｍ以上２８００ｐｐｍ以下である。

この構成によれば、上記第１軟磁性粒子８１を含む混合粉を加圧成型して金属磁性体としてのコア４０を構成したときに、コア４０において透磁率の減少を抑制しつつ高い耐電圧性を安定に実現することができる。

また、第１軟磁性粒子８１の粒子核８１Ａに含まれる軟磁性金属は、ＦｅとＳｉを含有する鉄基軟磁性金属とすることができる。この構成によれば、粒子核８１Ａの表面に酸化膜８１Ｂを容易に形成することができる。

また、上記鉄基軟磁性金属は、結晶質であり得る。この構成によれば、粒子核８１Ａの表面に酸化膜８１Ｂを更に容易に形成することができる。

また、混合粉を構成する軟磁性粉（軟磁性材料）は、第１軟磁性粒子８１に加えて、軟磁性金属を含み且つ第１軟磁性粒子より平均粒径が小さい他の第２軟磁性粒子８２を更に含み得る。第１軟磁性粒子８１に加えて、後述の第２軟磁性粒子８２を用いることにより、コア４０における軟磁性粒子の充填率を高めて、より高い透磁率を得ることができる。

また、上述したいずれかの実施例に係る第１軟磁性粒子８１を含む軟磁性材料を用いて構成される金属磁性体と、巻回された導線と、により、インダクタ１を構成することができる。この構成によれば、小型で且つ高い耐電圧を有する、信頼性の高いインダクタを実現し得る。

［Ａ－１－２．第２軟磁性粒子］
［Ａ－１－２－１．第２軟磁性粒子の実施形態］
図１２は、第２軟磁性粒子８２の構成を示す図である。第２軟磁性粒子８２は、軟磁性金属から成る粒子核８２Ａと、その粒子核８２Ａの表面に形成された絶縁膜８２Ｂと、で構成される。粒子核８２Ａを構成する軟磁性金属は、例えば結晶質又は非晶質の鉄（Ｆｅ）である。具体的には、第２軟磁性粒子８２の粒体は、例えば、オニオンスキン構造のカルボニル鉄粉であり、Ｆｅの含有量が９５重量％以上９９．８重量％以下、このましくは９７重量％以上９９．８重量％以下である。このカルボニル鉄粉は、不純物として炭素Ｃ、酸素Ｏ、窒素Ｎ、硫黄Ｓを含み得る。また、粒子核８２Ａとなるカルボニル鉄粉は、その表面にＦｅの酸化膜を有していてもよい。

第２軟磁性粒子８２の粒子核８２Ａを構成する軟磁性金属は、上述した第１軟磁性粒子８１と同様に、Ｆｅに限らず、Ｆｅにその他の金属を含有する鉄基金属磁性体であるものとすることができる。

第２軟磁性粒子８２の絶縁膜８２Ｂは、例えばシリカを成分とするゾルゲル反応生成物で構成され、炭素数８以上の直鎖部を有する炭化水素基を含む。炭素数８以上の直鎖部を有する炭化水素基は、具体的には、例えば、鎖状飽和炭化水素基であるアルキル基である。なお、炭素数８以上の直鎖部を有する炭化水素基は、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基からなる群から選択される１以上の炭化水素基であってもよい。また、アルキル基は、１級アルキル基、２級アルキル基又は３級アルキル基のいずれであってもよい。

長鎖部を有する上記炭化水素基は、例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と上記炭化水素基を有するシランカップリング剤との混合物を用いたゾルゲル反応の生成物として形成され得る。

第２軟磁性粒子８２の絶縁膜８２Ｂに炭素数８以上の直鎖部を有する炭化水素基を付与することにより、第１軟磁性粒子８１及び第２軟磁性粒子８２を含む混合粉を加圧成型してコア４０を形成した際に、当該コア４０におけるこれら軟磁性粒子の充填率が向上し得る。

軟磁性材料の充填率が向上するメカニズムは、特定の理論に拘束されるものではないが、以下のとおりであると推測される。上述したように、コア４０は、第１軟磁性粒子８１と、第２軟磁性粒子８２と、エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂等）と、を含む混合粉を加圧成型することで形成される。この場合、一方の軟磁性粒子である例えば第２軟磁性粒子８２（小粒子）が、その表面に炭素数８以上の直鎖部を有する炭化水素基を有していると、第２軟磁性粒子８２と、上記エポキシ樹脂が備える極性基（エポキシ基および／または水酸基等）と、の間の水素結合および／または双極子相互作用を小さくすることができ、それにより、加圧成型の際における第２軟磁性粒子８２の流動性（滑り性）が向上し得る。

その結果、第１軟磁性粒子８１（大粒子）同士の間の隙間に滑り性の高い第２軟磁性粒子８２が入り込むことができる。このようなメカニズムにより、軟磁性粒子が長鎖炭化水素基を有しない場合と比較して、コア４０における軟磁性粒子の充填率を向上させることができると考えられる。軟磁性粒子の充填率が向上することにより、コア４０における軟磁性材料の密度を増大させることができ、その結果、コア４０の比透磁率を増大させることができる。

ここで、第２軟磁性粒子８２の滑り性は、ＪＩＳＺ ８８３５で用いられる一面せん断試験装置にて以下の手順で測定することができる。より具体的には、滑り性は、下部セル直動型の一面せん断試験装置（株式会社ナノシーズ製の粉体層せん断力測定装置ＮＳ－Ｓ５００）を用いて以下の手順で測定することができる。上部セル（Ｒｉｎｇ）の内径及び下部セル（Ｂａｓｅ）の内径は共に１５ｍｍに設定し、上部セルと下部セルとの間の隙間（微小間隔）は０．２ｍｍに設定する。レーザーセンサーを用いて粉体層の厚みを測定できるように、粉体を入れる前に、上部下部セルに上きね（Ｌｉｄ）を配置してゼロ点を設定しておく。この上下分割セルに第２軟磁性粒子８２の粉体試料１０ｇを均一に充填し、静かに上きね（Ｌｉｄ）を配置した後、垂直サーボモーター（Ｖｅｒｔｉｃａｌ ｓｅｒｖｏ ｍｏｔｏｒ）で１５０Ｎの押し込み荷重をかける。垂直サーボモーターで１５０Ｎの押し込み荷重をかけた時点で垂直サーボモーターのロードセル（Ｌｏａｄ ｃｅｌｌ）の位置が固定される。押し込み速度は０．２ｍｍ／秒に設定する。垂直サーボモーターのロードセルの位置が固定されてから１００秒後に横摺りを開始する。つまり、横摺り開始遅延を１００秒に設定する。水平サーボモーター（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｓｅｒｖｏ ｍｏｔｏｒ）の作動により横摺りが開始した後、０．１秒毎に圧力を測定していく。横摺り速度は５μｍ／秒に設定する。測定試料ごとに水平サーボモーターが作動している期間内でＮ＝５０点以上を連続で測定し、測定値の変動係数（ＣＶ値）が０．４％以下になった時に測定を停止する。最終的に圧密された粉体層の厚み（最終粉体層厚み）をレーザーセンサーで計測する。

そして、上記測定により得られた、垂直サーボモーターのロードセルの位置が固定された時点で当該ロードセルにかかる荷重（押し込み最大荷重）、水平サーボモーターの作動開始時点で上記ロードセルにかかる荷重（横滑り開始時押し込み荷重）、及び上記の最終粉体層厚みの値に基づいて、下記の式を用いて滑り性を求めることができる（詳細については、例えば特願２０１９－２２４６７８号参照）。

上述したように、第２軟磁性粒子８２の表面に炭素数８以上の直鎖部を有する炭化水素基を付与することにより、第２軟磁性粒子８２の滑り性を向上し、コア４０を形成した際の当該コア４０における軟磁性粒子の充填率を向上して、その透磁率を高くすることができる。ただし、第２軟磁性粒子８２の表面に長鎖炭化水素基を含有させて滑り性を向上した結果、第２軟磁性粒子８２とその周りの樹脂ないし他の軟磁性粒子（第１軟磁性粒子８１及び又は他の第２軟磁性粒子８２）との密着性ないし結合性は低下し、成型体であるコア４０の機械強度は低下することとなり得る。

本発明者は、第２軟磁性粒子８２の粒子核８２Ａの表面に形成する炭素数８以上の長鎖炭化水素基の数を減らして滑り性を制御することにより、成型体であるコア４０の機械強度を改善できることを見出した。

第２軟磁性粒子８２の表面における長鎖炭化水素基の数は、例えば、絶縁膜８２Ｂを粒子核８２Ａの表面に形成する際に用いるゾルゲル反応用混合剤におけるテトラエトキシシランとシランカップリング剤との混合比により制御することができる。

第２軟磁性粒子８２の表面における長鎖炭化水素基の数の多寡は、絶縁膜８２Ｂにおけるケイ素Ｓｉと炭素Ｃとの含有量の比で評価することができる。また、この長鎖炭化水素基の数の多寡は、第２軟磁性粒子８２の粒子核８２ＡにＳｉ及びＣが含まれていない場合には、第２軟磁性粒子８２の全体に含まれるＣに対するＳｉの量の重量比（Ｓｉ／Ｃ重量比）で評価することができる。コア４０の機械強度の低下を抑制しつつ高い透磁率を維持する観点では、第２軟磁性粒子８２におけるＳｉ／Ｃ重量比は、７．６以上４２．８以下であることが望ましい。

なお、本実施形態では、混合粉を構成する平均粒径の異なる第１軟磁性粒子８１及び第２軟磁性粒子８２のうち、平均粒径の小さい第２軟磁性粒子８２の粒子核８２Ａの表面に長鎖炭化水素基を有するものとしたが、長鎖炭化水素基を形成する軟磁性粒子は第２軟磁性粒子８２には限られない。例えば、第２軟磁性粒子８２に代えて、第１軟磁性粒子８１の表面、又は第１軟磁性粒子８１及び第２軟磁性粒子８２の表面に、上述したような炭素数８以上の長鎖部を有する炭化水素基を含む絶縁膜８２Ｂを形成するものとしてもよい。これにより、第１軟磁性粒子８１の表面、又は第１軟磁性粒子８１及び第２軟磁性粒子８２の表面の滑り性を向上して、コア４０の機械強度の低下を抑制しつつ当該コア４０における高い透磁率を実現することができる。

［Ａ－１－２－２．第２軟磁性粒子の製造方法］
次に、本発明の一実施形態に係る第２軟磁性粒子８２の製造方法について以下に説明する。なお、以下に説明する方法は一例に過ぎず、本発明に係る第２軟磁性粒子８２の製造方法は以下の方法に限定されるものではない。

（軟磁性金属の粒子核の準備）
まず、第２軟磁性粒子８２の粒子核８２Ａとなる金属微粒子を準備する。第２軟磁性粒子８２の平均粒径及び粒子核８２Ａの組成等の詳細は上述したとおりである。なお、粒子核８２Ａの平均粒径は、後述する表面処理の前後で実質的に変化しないと考えて差し支えない。

（粒子核の表面上への絶縁膜の形成）
次に、上記粒子核８２Ａの表面上に、炭素数８以上の直鎖部を有する炭化水素基を含む絶縁膜８２Ｂを形成する。この絶縁膜８２Ｂの形成は、例えば、アルコキシドであるテトラエトキシシランとシランカップリング剤とを含む表面処理剤のゾルゲル反応により行うことができる。これにより、ゾルゲル反応生成物としての、直鎖部を有する炭化水素基を有する絶縁膜８２Ｂを、粒子核８２Ａ上に形成することができる。

上記アルコキシドは、テトラエトキシシランに限るものではなく、化学式Ｍ－（ＯＲ）ｎで表すことができる。式中、金属アルコキシドの金属種Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｔａ及びＢｉからなる群から選択される１以上であることが好ましい。金属アルコキシドのアルコキシ基ＯＲは、メトキシ基、エトキシ基および／またはプロポキシ基等、任意のアルコキシ基を選択することができる。

また、シランカップリング剤は、化学式Ｒ′－Ｓｉ（ＯＲ）_３で表すことができる。式中、Ｒ′は炭素数８以上の直鎖部を有する炭化水素基であり、例えば、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基およびオクタデシル基からなる群から選択される１以上の炭化水素基であってよい。式中、ＯＲはアルコキシ基であり、好ましくはメトキシ基、またはエトキシ基である。例えば、炭素数１６の直鎖部を有する炭化水素基を形成する場合には、ヘキサデシルトリメトキシシランを用いることができる。

このようにして得られた、滑り性が付与された第２軟磁性粒子８２は、上述した第１軟磁性粒子８１及びエポキシ樹脂と共に加圧成型されてコア４０を形成する際に、エポキシ樹脂に過度に拘束されることなく第１軟磁性粒子８１同士の間に効果的に充填され得るので、コア４０として高い比透磁率の磁性体（磁心）を実現することができる。

ここで、粒子核８２Ａへの絶縁膜８２Ｂの形成は、粒子核８２Ａの表面へのテトラエトキシシランの膜を形成する第１段階のプロセスと、形成したテトラエトキシシランの膜の上にテトラエトキシシランとシランカップリング剤とのゾルゲル反応により炭素数８以上の直鎖部を有する長鎖炭化水素基を含む膜を形成する第２段階のプロセスと、により行うことが望ましい。これにより、長鎖炭化水素基が絶縁膜８２Ｂの層内に埋もれてしまうのを抑制して、長鎖炭化水素基を絶縁膜８２Ｂの表面に効果的に配することができるので、絶縁膜８２Ｂの形成時に用いるシランカップリング剤の量を低減することができる。

また、上記表面処理剤は、上記第１段階のプロセスにおいて界面活性剤を含むものとすることができる。表面処理剤に界面活性剤を加えることで、ミセルになった界面活性剤の親水基部分と、テトラエトキシシランの加水分解反応によって形成されたシラノール基が水素結合する。これにより、テトラエトキシシランの膜を形成する第１段階のプロセスにおいて上記ミセルが軟磁性金属の粒子核８２Ａの表面に配され、粒子核８２Ａ表面にはテトラエトキシシラン分子の密度が粗な部分と密な部分とができるので、第２段階のプロセスにおいて炭素数８以上の長鎖炭化水素基が互いに間隔をもって配されることとなる。その結果、長鎖炭化水素基が絶縁膜８２Ｂの表面に分散して配されることとなり、第２軟磁性粒子の表面の全体に滑り性を行き渡らせることができる。

［Ａ－１－２－３．第２軟磁性粒子の実施例］
絶縁膜８２Ｂに含まれる炭化水素基の鎖長部の炭素数、及び絶縁膜８２ＢにおけるＣに対するＳｉの重量比（Ｓｉ／Ｃ重量比）がそれぞれ異なる２７種類の軟磁性粒子の試料を、試料Ａ２－０１ないしＡ２－２７として作製して、その特性についての評価を行なった。試料Ａ２－０１からＡ２－２７の概要を表３に示す。ここで、試料Ａ２－０１ないしＡ２－０９、試料Ａ２－１５ないしＡ２－１８、及び試料Ａ２－２４ないしＡ２－２７は、第２軟磁性粒子８２の実施例である。なお、表３には、試料Ａ２－０１ないしＡ２－２７のそれぞれにおいて絶縁膜８２Ｂの作製に用いたシランカップリング剤も、併せて示している。

以下、各試料について説明する。
＜試料Ａ２－０１＞
（粒子核の準備）
第２軟磁性粒子８２の粒子核８２Ａとして、９７ｗｔ％以上９９．８ｗｔ％以下の鉄を含むカルボニル鉄粉を選択した。この粒子核８２Ａは、９５２ＨＶの硬度を有する。この値は、上述した試料Ａ１－０１ないしＡ１－０８において用いた第１軟磁性粒子８１の粒子核８１Ａの硬度とほぼ等しい。

（長鎖炭化水素基を含む絶縁膜の形成）
上記準備した粒子核８２Ａに、炭素数１６の直鎖部を有する炭化水素基であるアルキル基を含む絶縁膜８２Ｂを形成する。上記絶縁膜８２Ｂを形成するための表面処理剤として、アルコキシドであるテトラエトキシシランと、シランカップリング剤であるヘキサデシルトリメトキシシランと、界面活性剤であるリン酸エステル型アニオン界面活性剤と、を含む混合液を用いた。

具体的な手順は、以下のとおりである。なお、テトラエトキシシランおよびヘキサデシルトリメトキシシランは、それぞれ、ＫＢＥ０４（製造元：信越化学工業株式会社）、及びＸ－８８－４２２（製造元：信越化学工業株式会社）を用いた。また、リン酸エステル型アニオン界面活性剤として、プライサーフＡＬ（製造元：第１工業製薬株式会社）を用いた。

まず、粒子核８２Ａの表面にテトラエトキシシランの膜を形成する第１段階のプロセスを行った。イソプロピルアルコールと、アンモニア水と、プライサーフＡＬの水溶液と、を添加して攪拌し、分散液１を作製した。上記準備した粒子核８２Ａを所定量秤量してイソプロピルアルコールを添加し、超音波振動を与えて粒子核８２Ａの粉を分散させて分散液２を作製した。その後、分散液２へ分散液１を添加し、撹拌機を用いて攪拌して分散液３とした。

次に、イソプロピルアルコールにテトラエトキシシランを加えて混合し、表面処理液１を作製した。この表面処理液１を、分散液３に添加して反応液１とし、これを撹拌機により攪拌して、粒子核８２Ａ表面にテトラエトキシシランの膜を形成した。

続いて、上記第１段階のプロセスで形成したテトラエトキシシランの膜の表面に炭素数１６の直鎖部を有するアルキル基を形成する第２段階のプロセスを行った。まず、イソプロピルアルコールとヘキサデシルトリメトキシシランと、テトラエトキシシランとを混合して表面処理液２を作製した。この表面処理液２を第１段階のプロセスで生製した反応液１に添加して反応液２とし、これを撹拌機により攪拌して、上記形成したテトラエトキシシランの膜の表面に炭素数１６の直鎖部を有するアルキル基を形成した。

その後、反応液２をメンブレンフィルタにより吸引ろ過して、絶縁膜８１Ｃが形成された粒子を分離した。分離した粒子をアセトンにより適宜洗浄し、常温自然環境にて乾燥した。乾燥した粒子を金属メッシュにより濾し、残った粒子を第２軟磁性粒子８２について試料Ａ２－０１とした。
上記のように作製した第２軟磁性粒子８２の平均粒径（メジアン粒径）は、１．７μｍである。なお、平均粒径は、粒度分布計を用いて測定した。

（絶縁膜形成後の粒子核におけるＳｉ／Ｃ重量比の確認方法）
形成した絶縁膜８２Ｂの表面における炭素数１６の長鎖部を有する炭化水素基の数の多寡を表すパラメータとして、上記絶縁膜８２Ｂを形成した後の試料Ａ２－０１におけるＳｉ／Ｃ重量比を、ＸＰＳにより測定したデータを換算して確認した。

（滑り性の評価）
上記作製した試料Ａ２－０１の軟磁性粒子を１０ｇ秤量し、下部セル直動型の一面せん断試験装置（株式会社ナノシーズ製の粉体層せん断力測定装置ＮＳ－Ｓ５００）を用いて滑り性の評価を行った。上部セル（Ｒｉｎｇ）の内径及び下部セル（Ｂａｓｅ）の内径は共に１５ｍｍに設定し、押し込み荷重は１５０Ｎに設定した。評価結果を、表５に示す。

（試験片の作製）
上記作製した試料Ａ２－０１の軟磁性粒子を用いて構成される成型体を評価するため、試料Ａ２－０１についての試験片を作製した。試験片は、第１軟磁性粒子８１と、試料Ａ０２－０１である第２軟磁性粒子８２と、エポキシ樹脂と、を加圧成型して成る環状の試験片である。

上記試験片に用いた第１軟磁性粒子８１は、上述した試料Ａ１－０４であり、Ｃｒを含まない非晶質のＦｅ－Ｓｉ合金で構成された平均粒径２５．３μｍの粒体に、５ｎｍの酸化膜と、２３ｎｍの絶縁膜８２Ｂを形成したものである。第１軟磁性粒子８１と第２軟磁性粒子８２の混合比は、重量比で７５：２５である。第１軟磁性粒子８１と第２軟磁性粒子の合計とエポキシ樹脂との混合比は、重量比で１００：３．１である。試験片の形状は、内径８ｍｍ、外径１３ｍｍ、厚さ４ｍｍの、トロイダル形状とした。

（透磁率の評価）
上記作製した試料Ａ２－０１についての試験片を用いて、比透磁率を評価した。比透磁率は、ＢＨアナライザとインピーダンス・マテリアル・アナライザにより、周波数１ＭＨｚの高周波信号を用いて測定した。また、比透磁率の評価結果を〇×で表すものとし、測定値が基準値３０以上である場合には〇、基準値３０未満である場合は×とした。比透磁率の測定値及び評価の結果を、表５に示す。

（圧環強度の評価）
上記作製した試料Ａ２－０１についての試験片を用いて、圧環強度を評価した。圧環強度の計測方法は、上記トロイダル状に形成された試験片を径方向に圧力を加えて破壊された時の圧力を測定した。また、圧環強度の評価結果を〇×で表すものとし、測定値が基準値８５Ｎ／ｍｍ^２以上である場合には〇、基準値８５Ｎ／ｍｍ^２未満である場合は×とした。圧環強度の測定値及び評価の結果を、表５に示す。

（耐電圧の評価）
上記作製した試料Ａ２－０１についての試験片を用いて、耐電圧を評価した。耐電圧は、ＡＣ／ＤＣ耐電圧絶縁抵抗試験器を用いて測定した。評価結果を〇×で表すものとし、測定値が基準値５０Ｖ／ｍｍ以上である場合には〇、基準値５０Ｖ／ｍｍ未満である場合は×とした。評価結果を、表５に示す。

＜試料Ａ２－０２ないしＡ２－２７＞
試料Ａ２－０２ないしＡ２－２７では、それぞれ、上述の表３に示すシランカップリング剤を用いて、絶縁膜８２Ｂに含まれる炭化水素基の鎖長部の炭素数を表３に記載の数とすると共に、絶縁膜８２ＢにおけるＳｉ／Ｃ重量比を上述の表３の値となるようにした。それ以外は、試料Ａ２－０１と同様の手順で、絶縁膜８２Ｂを形成し及び滑り性を評価した。また、試料Ａ２－０２ないしＡ２－２７のそれぞれについて、各試料の軟磁性粒子を第２軟磁性粒子８２として用いて試料Ａ２－０１と同様の試験片を作製し、作製したそれぞれの試験片を用いて、試料Ａ２－０１と同様の手順により比透磁率、圧環強度、及び耐電圧を評価した。

ここで、試料Ａ２－０１ないしＡ２－２７におけるＳｉ／Ｃ重量比は、絶縁膜８２Ｂの形成時に使用するテトラエトキシシランとシランカップリング剤の混合比を変えることにより調整した。

試料Ａ２－０１ないしＡ２－０９の評価結果を、表４に示す。また、試料Ａ２－１０ないしＡ２－１８の評価結果を表５に、試料Ａ２－１９ないしＡ２－２７の評価結果を、表６に示す。

表４ないし表６における滑り性の測定値及び透磁率の評価結果から、粒子核８２Ａの表面に形成する絶縁膜８２Ｂに炭素数８以上の炭素数の長鎖部を有する炭化水素基を含むことで、軟磁性粒子としての滑り性が向上し、成型体（試験片）の成型密度が向上して比透磁率が向上することがわかる。

図１３および図１４は、それぞれ、上記の表４ないし表６に示すデータから得られる、Ｓｉ／Ｃ重量比に対する比透磁率および圧環強度の変化を示すグラフである。

図１３及び図１４より、比透磁率と圧環強度とは、Ｓｉ／Ｃ重量比に関して互いにトレードオフの関係にあることがわかる。また、これらの図より、直鎖部の炭素数が８以上である絶縁膜８２Ｂにおいては、Ｓｉ／Ｃ重量比が７．６以上４２．８以下の範囲であれば、互いにトレードオフの関係にある圧環強度および比透磁率について、圧環強度を８５以上、比透磁率を３０以上にすることができ、実用に耐え得る機械強度を保持しつつ高い比透磁率を有するコアを実現することができることがわかる。特に、製造上における繰り返し再現性の観点では、Ｓｉ／Ｃ重量比は、９．７以上１３．４以下の範囲であればより好ましい。

以上説明したように、混合粉を構成する軟磁性粉（軟磁性材料）は、第２軟磁性粒子８２を含む。第２軟磁性粒子８２は、炭素数が８以上の直鎖部を有する炭化水素基を有する絶縁膜８２Ｂを粒子核８２Ａの表面に有し、絶縁膜８２ＢにおけるＳｉ含有量に対するＣ含有量の比が７．６以上４２．８以下である。

この構成によれば、上記第２軟磁性粒子８２を含む混合粉を加圧成型して金属磁性体としてのコア４０を形成したときに、コア４０において高い機械強度と高い透磁率とを同時に実現することができる。

また、第２軟磁性粒子８２の上記絶縁膜８２Ｂが有する上記炭化水素基は、アルキル基であり得る。この構成によれば、粒子核８２Ａの表面に炭素数が８以上の直鎖部を有する炭化水素基を容易に形成することができる。

また、第２軟磁性粒子８２の粒子核８２Ａは、カルボニル鉄とすることができる。この構成によれば、金属磁性体としてのコア４０を形成したときに、コア４０においてより高い透磁率を実現することができる。

また、混合粉を構成する軟磁性粉（軟磁性材料）は、第２軟磁性粒子８２に加えて、軟磁性金属を含み且つ第２軟磁性粒子の粒子核８２Ａより平均粒径が大きい他の粒子核８１Ａで構成された第１軟磁性粒子８１を更に含み得る。この構成によれば、コア４０における軟磁性粒子の充填率を更に高めて、より高い透磁率を得ることができる。

また、上述したいずれかの実施例に係る第２軟磁性粒子８２を含む軟磁性材料を用いて構成される金属磁性体と、巻回された導線と、により、インダクタ１を構成することができる。この構成によれば、小型で且つ信頼性の高いインダクタを実現し得る。

［Ａ－２．樹脂］
樹脂の割合は、軟磁性粉と樹脂の総重量を基準として、２．０重量％以上３．５重量％以下である。また、樹脂は、少なくともビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とゴム変性エポキシ樹脂とを含み、更に、フェノールノボラック型エポキシ樹脂を含んでもよい。

本発明者らは、後述する評価実験により、混合粉にフェノールノボラック型エポキシ樹脂を配合しない場合のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とゴム変性エポキシ樹脂の好適な配合率である第１樹脂配合率を見出した。第１樹脂配合率は、混合粉に含まれる樹脂の総重量を基準として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂４０重量％以上９０重量％以下、ゴム変性エポキシ樹脂１０重量％以上５０重量％以下である。

ここで、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、混合粉に含まれる樹脂の主成分であるが、混合粉に含まれる樹脂をビスフェノールＡエポキシ樹脂のみにすると、形成される素体１０が硬脆くなり易い。そこで、混合粉に含まれる樹脂にゴム変性エポキシ樹脂を配合することにより、形成される素体１０に靭性を持たせて、素体１０の硬脆さを改善することができる。そして、第１樹脂配合率により、混合粉に含まれる樹脂中のビスフェノールＡ型樹脂とゴム変性エポキシ樹脂の割合を設定し、上述した素体成型・硬化工程によってコイル３０を封止した素体１０を成型することにより、強度と靭性を両立させたインダクタ１を製造することができる。

また、本発明者らは、後述する評価実験により、混合粉にフェノールノボラック型エポキシ樹脂を配合する場合の、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とゴム変性エポキシ樹脂とフェノールノボラック型エポキシ樹脂の好適な配合率である第２配合率を見出した。第２配合率は、混合粉に含まれる樹脂の総重量を基準として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂４０重量％以上８０重量％以下、ゴム変性エポキシ樹脂１０重量％以上５０重量％以下、フェノールノボラック型エポキシ樹脂１重量％以上３０重量％以下である。

ここで、フェノールノボラック型エポキシ樹脂は、上述した素体成型・硬化工程において、素体を形成する際の混合粉を流動させるときの粘度調整と、素体のガラス転移温度の調整を行って、素体が高温になったときの強度を向上させる機能を果たす。そこで、第２配合率によって、フェノールノボラック型エポキシ樹脂を適切に配合することにより、素体成型時の加熱に対する素体の強度を向上させた上で、強度と靭性を両立させたインダクタ１を製造することができる。

さらに、本発明者らは、上記第１配合率又は第２樹脂配合率により樹脂を配合した混合粉を用いて、素体を形成することによって、以下の特定構成１～特定構成３を有するインダクタを製造することができることを、知見した。

特定構成１…素体１０の断面について、素体１０の表面から１μｍ以上１００μｍ以下の表面領域における軟磁性粒子（第１の軟磁性粒子及び第２の軟磁性粒子）と樹脂との合計面積に対する空隙の面積の割合が、素体１０の中央部領域における、軟磁性粒子と樹脂との合計面積に対する空隙の面積の割合よりも小さく、中央部領域よりも表面領域の方が緻密である。

特定構成２…図１～図３を参照して、主面１２，１４と第２側面１８とが接する稜線部分における樹脂量が、主面１２，１４と第１側面１６とが接する稜線部分における樹脂量よりも少ない。

特定構成３…図１～図３を参照して、研磨された第１の軟磁性粒子又は研磨された第２の軟磁性粒子がコアから露出し、コアから露出した第１の軟磁性粒子又は第２の軟磁性粒子が素体保護膜５０により覆われている。さらに、第２側面１８の表面粗さが第１側面１６の表面粗さよりも大きく、第２側面１８とコイル３０の巻回部３２との狭い方の間隔が、第１の軟磁性粒子の径の１倍よりも大きく４倍よりも小さい。

上記特定構成１～特定構成３が得られるメカニズムについて説明する。図５を参照して上述したように、第１タブレット７０にコイル３０をセットして、第１タブレット７０と第２タブレット７２とによりコイル３０を挟んで、一体化する。第１タブレット７０と第２タブレット７２に熱を加えながら、第１タブレット７０と第２タブレット７２の重なり方向に加圧することにより、混合粉が流動して、コイル３０が埋設されたコアが得られる。

図１５は、第１のタブレット７０と第２のタブレット７２とによりコイル３０を挟んで、重なり方向に加圧中のコイル３０周辺部を拡大した画像である。図１６は、第１タブレット７０の横断面図である。図１５に示したように、コイル３０の横の領域には、隙間ｓ１，ｓ２，ｓ３ができる。そのため、第１タブレット７０と第２タブレット７２の重なり方向に加圧したときに、コアの外周部付近の隙間から先に混合粉が充填される。

すなわち、コイル３０の外周部付近では混合粉の移動量が多くなり、これにより、隙間が埋まり易いために充填密度が高くなり易い。それに対して、コイル３０の内側の領域では、混合粉の移動量が少ないために隙間が埋まり難く、充填密度が低くなり易い。そのため、図１６に示したように、コイル３０の外周部ｓ１０～ｓ１３における混合粉の充填率が、コイル３０の内側部分ｓ１４よりも高くなる。そのため、上記特定構成１を有するインダクタ１を得ることができる。

素体の表面領域に空隙があると、空隙から素体内部に湿気が入ってインダクタの耐湿性が悪化するという不都合がある。また、外部電極を形成する際に、メッキ液が空隙から素体内部に入って素体の経年劣化が早まるという不都合がある。そこで、上記特定構成により、素体の表面領域の緻密度を高めることにより、これらの不都合が生じることを防止することができる。

ここで、図１７は、インダクタ１の参照面であるＬＴ面とＷＴ面の説明図であり、図１８は、図１７に示したインダクタ１のＬＴ面とＷＴ面の断面の画像である。上述したように、素体１０に素体保護膜が形成される前に、素体研削工程により第２側面１８が研削されるが、第１側面１６については研削が行われない。そのため、ＬＴ面の断面での主面（ここでは実装面）１２と第２側面１８とが接する稜線部分ｓ２２，ｓ２３は、第２側面と面一に金属磁性粉が研削され、稜線部分ｓ２２，ｓ２３における金属磁性粉の露出する面積が増加し、稜線部分ｓ２２，ｓ２３における樹脂量は、ＷＴ面の断面での主面１２と第２側面１８が接する稜線部分ｓ２０，ｓ２１における樹脂量よりも少なくなる。これにより、上記特定構成２を有するインダクタ１を得ることができる。特定構成２によれば、主面１２と第２側面１８が接する稜線部分付近が研削されることで、素体保護膜から突出する軟磁性粒子が低減され、インダクタの絶縁性が低下することを防止することができる。

また、図１９は、上述した素体成型・硬化工程による加工後、及び素体研削工程後のＬＴ面、及びＷＴ面の表面の顕微鏡写真と最大高さの対比表である。最大高さＳｚは、表面粗さの指標値として用いられる。最大高さＳｚが大きいほど、表面粗さが大きいことを示している。

ＬＴ面は素体研削工程によって研削され、その際に第１の軟磁性粒子又は第２の軟磁性体粒子の脱粒が生じるために、表面粗さが大きくなる。そのため、ＬＴ面の最大高さＳｚ（５０μｍ）は、研削が行われないＭＴ面の最大高さＳｚ（４３μｍ）よりも大きくなる。ＬＴ面の表面粗さを大きくすることにより、ＬＴ面における素体保護膜とコアとの接合性を高めることができる。この表面粗さは、形状解析レーザ顕微鏡（キーエンス社製 ＶＫ－Ｘ２５０）を用いて、ＬＴ面、及びＷＴ面の表面の中央を長手方向に沿って走査し、最大高さ（Ｓｚ）を測定することにより求めた。

また、図２０に示したように、第２側面１８とコイル３０との間隔ＳＧ１，ＳＧ２のうち、狭い方の間隔を第１の軟磁性粒子の１倍よりも大きく４倍よりも小さい範囲とすることにより、素体の耐湿性を確保した上で、外形サイズを小さくした、上記特定構成３を有するインダクタ１を得ることができる。

［Ａ―２－１．第１樹脂配合率の樹脂を用いた実施形態］
上記第１樹脂配合率の樹脂を含む混合粉を用いて、上述した、造粒工程→コイル形成工程→素体成型・硬化工程→素体研削工程→素体保護膜形成工程→素体保護膜除去工程→外部電極形成工程、によりインダクタの素体の試料を作成し、各試料の素体について評価を行った。素体成型・硬化工程における製造条件は、温度１３５℃、加圧力１０ＭＰａである。

（素体強度の評価）
各試料について、３点曲げ試験装置（島津製作所製の３点曲げ試験装置ＡＧＳ－５ｋＮＸ）を用いて、３点曲げした時の破壊加重により強度を評価した。破壊加重が３０ＭＰａ以上である場合をＧ（合格）とし、３０ＭＰａ未満である場合をＮＧ（不合格）とした。

（靭性の評価）
各試料について、３点曲げ試験装置を用いて３点曲げ試験を行い、壊れた時の試料変形量で靭性を評価した。

（密度の評価）
各試料について、断面の画像に対して、画像処理を行って空隙の画像部分を抽出し、断面の面積に対する空隙の画像部分の総面積の割合を算出して空隙率を測定した。
空隙率の測定は、素体を長さ方向の１／２で切断し、その切断面において、素体の表面から１μｍ以上１００μｍの領域の４箇所（各面１箇所づつ）を、それぞれ１０００倍の倍率に設定した走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて撮影し、その切断面に含まれる空隙を計測し、平均を算出することにより行った。また、素体を長さ方向の１／２で切断し、その切断面において、素体の中央領域の４箇所を、それぞれ１０００倍の倍率に設定した走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて撮影し、その切断面に含まれる空隙を計測し、平均を算出することにより、空隙率を測定した。
その結果、試料番号ｂ９乃至試料番号ｂ１３と、試料番号ｂ２７、試料番号ｂ２８、試料番号ｂ３２以外は素体の表面領域及び中央領域の計８点の平均の空隙率が小さく、素体の表面領域における空隙の割合が、素体の中央部領域における空隙の割合よりも小さく、中央部領域よりも表面領域の方が緻密であった。

（混合粉における樹脂の割合）
図２１は、混合粉における樹脂の量と素体の密度との関係を、縦軸を素体の密度（ｇ／ｃｍ^３）に設定し、横軸を混合粉中の樹脂量（重量％）に設定して示したものである。素体の成型条件は、温度１８０度、加圧力３０ＭＰａ、加圧時間１００秒である。図２３において、樹脂量を２．０％より少なくすると素体の密度が低下している。これは、混合粉の流動性が低下して、素体を成型する際の混合粉の充填性が悪化しているためであると推認される。

表７の試料による評価結果から、素体の強度と靭性を両立させたインダクタを構成するための混合粉における樹脂の好適な配合率として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂４０重量％以上９０重量％以下、ゴム変性エポキシ樹脂１０重量％以上５０重量％以下（上記第１樹脂配合率）が見出された。

［Ａ－２－２．第２樹脂配合率の樹脂を用いた実施形態］
上記Ａ－２－１に示した実施形態と同様に、上記第２樹脂配合率の樹脂を含む混合粉を用いて、インダクタの素体の試料を作成し、各試料の素体について評価を行った。混合粉における樹脂の割合は、上記Ａ－２－１に示した実施形態と同様に、混合粉の２．０重量％以上３．５重量％以下である。

表８の試料による評価結果から、素体の強度と靭性を両立させたインダクタを構成するための混合材材料における樹脂の好適な配合率として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂４０重量％以上８０重量％以下、ゴム変性エポキシ樹脂１０重量％以上５０重量％以下、フェノールノボラック型エポキシ樹脂１重量％以上３０重量％以下（上記第２樹脂配合率）が見出された。特に、試料番号ｂ１４乃至ｂ２６、ｂ２９乃至ｂ３１で素体の靭性が優れていた。

［Ａ－２－３．サイドギャップに関する実施形態］
図２０に示した第２側面１８とコイル３０との間隔（サイドギャップ）ＳＧ１，ＳＧ２と、インダクタ１の耐湿性の良否を評価するために、以下の表９、表１０に示した試料を作成して、耐湿性の評価を行った。

（耐湿性の評価）
各試料について、温度を８５℃、湿度を８５％に設定した耐湿槽を用いた耐湿試験を行い、吸水による素子の重量増加が２重量％以下である場合をＧ（合格）とし、２を超えている場合をＮＧ（不合格）とした。
（混合粉の仕様）
混合粉における樹脂の割合を２．０重量％以上３．５％以下、樹脂の配合は上記第１樹脂配合率とした。混合粉における大粒の軟磁性粒子（第１の軟磁性粒子）の平均粒径は２１μｍ（表１０の試料）又は２８μｍ（表１１の試料）であり、小粒の軟磁性粒子（第２の軟磁性粒子）の平均粒径は２μｍである。

以下、表９に示した試料ｂ５１～ｂ６０の評価について説明する。試料ｂ５４～ｂ６０は本発明の実施例であり、試料ｂ５１～ｂ５３は比較例である。

（実施例Ａ－２－３－１）
＜実施例Ａ－２－３－１１（試料番号ｂ５４）
サイドギャップ小側２５μｍ、サイドギャップ大側８５μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－１２（試料番号ｂ５５）＞
サイドギャップ小側２９μｍ、サイドギャップ大側８１μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－１３（試料番号ｂ５６）＞
サイドギャップ小側３３μｍ、サイドギャップ大側７７μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－１４（試料番号ｂ５７）＞
サイドギャップ小側４０μｍ、サイドギャップ大側７０μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－１５（試料番号ｂ５８）＞
サイドギャップ小側４５μｍ、サイドギャップ大側６５μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－１６（試料番号ｂ５９）＞
サイドギャップ小側５０μｍ、サイドギャップ大側６０μｍである素体を形成した。評価結果…Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－１７（試料番号ｂ６０）＞
サイドギャップ小側５５μｍ、サイドギャップ大側５５μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。

（比較例Ａ－２－３－１）
＜比較例Ａ－２－３－１１（試料番号ｂ５１）＞
サイドギャップ小側０μｍ、サイドギャップ大側１１０μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。
＜比較例Ａ－２－３－１２（試料番号ｂ５２）＞
サイドギャップ小側１０μｍ、サイドギャップ大側１００μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。
＜比較例Ａ－２－３－１３（試料番号ｂ５３）＞
サイドギャップ小側１８μｍ、サイドギャップ大側９２μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。

表１０による評価結果から、平均粒径２１μｍの第１の軟磁性粒子について、サイドギャップ小側が、第１の軟磁性粒子の粒径の１倍よりも大きく４倍よりも小さい範囲である素体について、良好な耐湿性が得られることが見出された。

以下、表１０に示した試料ｂ６１～ｂ７０の評価について説明する。試料ｂ５４～ｂ６０は本発明の実施例であり、試料ｂ５１～ｂ５３は比較例である。

（実施例Ａ－２－３－２）
＜実施例Ａ－２－３－２１（試料番号ｂ６５）
サイドギャップ小側２９μｍ、サイドギャップ大側８１μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－２２（試料番号ｂ６６）＞
サイドギャップ小側３３μｍ、サイドギャップ大側７７μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－２３（試料番号ｂ６７）＞
サイドギャップ小側４０μｍ、サイドギャップ大側７０μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－２４（試料番号ｂ６８）＞
サイドギャップ小側４５μｍ、サイドギャップ大側６５μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－２５（試料番号ｂ６９）＞
サイドギャップ小側５０μｍ、サイドギャップ大側６０μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性Ｇ。
＜実施例Ａ－２－３－２６（試料番号ｂ７０）＞
サイドギャップ小側５５μｍ、サイドギャップ大側５５μｍである素体を形成した。評価結果…Ｇ。

（比較例Ａ－２－３－２）
＜比較例Ａ－２－３－２１（試料番号ｂ６１）＞
サイドギャップ小側０μｍ、サイドギャップ大側１１０μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。
＜比較例Ａ－２－３－２２（試料番号ｂ６２）＞
サイドギャップ小側１０μｍ、サイドギャップ大側１００μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。
＜比較例Ａ－２－３－２３（試料番号ｂ６３）＞
サイドギャップ小側１８μｍ、サイドギャップ大側９２μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。
＜比較例Ａ－２－３－２４（試料番号ｂ６４）＞
サイドギャップ小側２５μｍ、サイドギャップ大側８５μｍである素体を形成した。評価結果…耐湿性ＮＧ。

表１１による評価結果から、平均粒径２８μｍの第１の軟磁性粒子について、サイドギャップ小側が、第１の軟磁性粒子の粒径の１倍よりも大きく４倍よりも小さい範囲である素体について、良好な耐湿性が得られることが見出された。

［Ａ－２－４．他の検討事項］
上記実施形態では、混合粉に含有させる樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、及びフェノールノボラック型エポキシ樹脂を採用した。ビスフェノールＡエポキシ樹脂の上位概念はエポキシ樹脂であり、ゴム変性エポキシ樹脂の上位概念は可撓性を有するゴム又は樹脂である。

そこで、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂との代替を検討する余地がある樹脂として、ビスフェノールＡ，Ｆ，Ｓ型のフェノキシ樹脂が挙げられる。また、ゴム変性エポキシ樹脂との代替を検討する余地がある樹脂又はゴムとして、ウレタン変性、ＮＢＲ（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ Ｒｕｂｂｅｒ）ゴム変性、ＣＴＢＮ（Ｃａｒｂｏｘｙｌ Ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）ゴム変性、ＣＴＢＮゴムが挙げられる。また、フェノールノボラック型エポキシ樹脂との代替を検討する余地がある樹脂としては、ノボラック型に限定すると、クレゾール、ジシクロペンタジエン、フェノールアラルキル、ビフェニル、ナフトール、キシリレン、トリフェニルメタン、テトラキスフェノールエタンが挙げられ、ノボラック型に限定しなければナフタレン、ビフェニル、トリアジンも挙げられる。

［Ｂ．コイル］
（導線）
インダクタ１において、コイル３０に用いられる導線は、丸線及び平角線のどちらを用いても良いが（図３は平角線）、導線に平角線を用いることにより、巻回部３２の形成時に導線同士の間に隙間を生じさせずに巻回すことが容易になる。
この巻回部３２の巻数は、インダクタ１が実現する特性に応じて適宜に決定される。
また導線としては、好ましくは銅からなる銅線が用いられる。

例えばインダクタ１において、コイル３０の巻回部３２の寸法は、幅Ｗ方向の外形が１．１７ｍｍ、内径が０．５５ｍｍ、高さが０．４ｍｍであることが好ましい。
また、厚みＴのみが０．５５±０．１ｍｍに変更された寸法のインダクタ１においては、外形が１．１７±０．０５ｍｍ、内径が０．４８±０．０５ｍｍ、高さが０．３０±０．０５ｍｍであることが好ましい。

ここで、コイル３０の導線を平角線とした場合、平角線の厚みは、好ましくは０．１１８ｍｍ以下、より好ましくは０．１１３ｍｍ以下である。平角線の厚みを小さくすることにより、同じ巻数であってもコイル３０が小さくなり、コイル部品全体の小型化に有利となる。また同じ大きさのコイル３０であっても巻数を多くすることができる。

さらに、平角線の厚みは、好ましくは０．０５２ｍｍ以上、より好ましくは０．７７ｍｍ以上であり得る。平角線の厚みを０．０５２ｍｍ以上とすることにより、導線の抵抗を小さくすることができる。

また平角線の幅は、好ましくは０．２０３ｍｍ以下、より好ましくは０．１８３ｍｍ以下であり得る。
平角線の幅を小さくすることにより、コイル３０を小さくすることができ、コイル部品全体の小型化に有利となる。

さらに平角線の幅は、好ましくは０．１４１ｍｍ以上、より好ましくは０．１６２ｍｍ以上であり得る。平角線の幅を０．１４１ｍｍ以上とすることにより、導線の抵抗を小さくすることができる。

また平角線のアスペクト比（幅／厚み）は、１：１．３から１：３．４の間、好ましくは１：１．３であり得る。
なお、幅Ｗのみが０．５５±０．１ｍｍに変更され寸法のインダクタ１においては、厚みが０．１１３ｍｍ、幅が０．１４１ｍｍ、アスペクト比（幅／厚み）が１：１．３の導線がコイル３０に用いられる。
アスペクト比を従前のものより小さくするほど、インダクタ１の高さＨの方向に対する幅Ｗの方向のコイル３０（導線）占有率が向上し、Ｒｄｃ（直流抵抗）を低下させつつ飽和磁束密度Ｂｓを向上させることができる。

（絶縁被覆材）
絶縁被覆材６０の絶縁被覆層を形成する材質としては、特に限定されないが、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドアミド樹脂が挙げられ、好ましくはポリイミドアミド樹脂である。
また絶縁被覆層の厚みは４μｍが好ましい。

絶縁被覆材６０の融着被覆層を形成する材質としては、ポリアミド樹脂が挙げられる。
また、融着被覆層の厚みは、好ましくは１μｍ以上２５μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上２５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上４μｍ以下である。
融着被覆層の厚みを上記の値とすることで、コイル３０の巻回部３２の大型化を抑えつつ、当該巻回部３２の最外周において導線のスプリングバックによる剥離を十分に抑える融着力が得られ、コイル３０の形状不良を防止することができる。

［Ｃ．磁路］
［Ｃ－１．線間磁性粉］
インダクタ１は、磁性材料に金属磁性粒子からなる軟磁性材料を用いているので、フェライト等の磁性材料を使用する場合と比べ、良好な直流重畳特性を得ることができる。しかし、特にコイル３０の巻回部３２近傍の磁束密度が大きくなりすぎると、磁気飽和が発生するおそれがある。
ここで、図２２（Ａ）は、コイル３０の下段の巻線部３２Ｌを周囲材料と共に示す画像であり、図２２（Ｂ）は、コイル３０の上段の巻線部３２Ｌを周囲材料と共に示す画像である。図２２（Ａ）及び（Ｂ）において、紙面上下方向が素体１０の高さＨ方向に相当し、紙面左右方向が巻回部３２の径方向に相当している。また、図中、符号ＣＷは巻回部３２の巻幅を示している。

本構成では、磁束密度が局所的に飽和することを防止すべく、図２２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、小粒子である第２軟磁性粒子８２の一部を、巻線部３２Ｌ間に入り込ませて巻線部３２Ｌ間に磁路を形成するようにしている。この巻線部３２Ｌ間に第２軟磁性粒子８２が入り込んだ構造を、線間磁性粉構造と表記する。

線間磁性粉構造について説明する。
図２２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、大粒子である第１軟磁性粒子８１は、巻線部３２Ｌ間よりも大径であるので、巻線部３２Ｌ間に入り込まない。一方、第２軟磁性粒子８２は、第１軟磁性粒子８１よりも小径であり、かつ、融着被覆層の厚さより小さい平均径に形成されている。このため、第２軟磁性粒子８２は、第１軟磁性粒子８１と巻線部３２Ｌ間との間の領域１０Ｓに入り、第２軟磁性粒子８２を巻線部３２Ｌ間に入り込ませ易くなる。

本構成では、第１及び第２軟磁性粒子８１，８２を含む混合粉内にコイル３０を配置して圧縮成型する素体成型・硬化工程の際に、第２軟磁性粒子８２が、第１軟磁性粒子８１と巻線部３２Ｌとの間に積極的に入り込むように加圧力Ｐを従前よりも高い値に調整している。しかも、その圧縮成型の際に加熱を行うので、巻線部３２Ｌ表面の絶縁被覆材６０中の融着被覆層を溶融させ、溶融した融着被覆層内に第２軟磁性粒子８２を入れ易くなる。

より具体的には、図２３に示すように上方から加圧力Ｐを作用させた場合に、コイル３０の巻回部３２及びその周囲には、上方から加圧力Ｐが作用するとともに、作用反作用の法則などにより、下方及び左右からも加圧力Ｐが作用する。これにより、コイル３０の外周側から各巻線部３２Ｌに向けて第２軟磁性粒子８２に圧力を付与し、巻線部３２Ｌ間に充填し易くなる。
このときの加圧力Ｐの条件には、加圧力Ｐの値だけでなく、加圧力Ｐを付与する時間などの加圧に関する各種パラメータを含めてもよい。この条件を適切に設定することによって、第２軟磁性粒子８２を巻線部３２Ｌ間に適切に充填し易くなる。この場合、更に、加熱の条件を調整したり、巻回部３２と周囲壁（成型金型７４及びパンチ７６の内面）との間の距離などを調整したりすることによって、第２軟磁性粒子８２を巻線部３２Ｌ間により充填し易くしてもよい。

同図２２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、巻線部３２Ｌ間に、第２軟磁性粒子８２からなる磁路を形成することにより、巻回部３２近傍で磁束密度が局所的に飽和することを抑制でき、直流重畳特性を向上できる。

次に、第２軟磁性粒子８２からなる磁路の長さについて説明する。
コイル３０の巻線部３２Ｌの線幅９５μｍ、コイル３０の巻線部３２Ｌの厚み１８０μｍ、コイル３０の巻線部３２Ｌ間の融着被覆層の厚さ６μｍ、第１軟磁性粒子８１の平均粒径が１０μｍ以上、第２軟磁性粒子８２の平均粒径が５μｍ以下、加圧力Ｐ＝３００ｋｇ／ｃｍ^２ の条件で、巻線部３２Ｌ間の第２軟磁性粒子８２からなる磁路を５％ずつ異ならせて直流重畳定格電流Ｉｓａｔを算出する検討を行った。
直流重畳定格電流Ｉｓａｔは、インダクタンスが電流を重畳していない初期特性に対して一定割合低下するときの電流値であり、磁気飽和させずに流すことのできる最大電流の目安である。なお、初期インダクタンス値より約３０％低下するときの電流値を直流重畳定格電流Ｉｓａｔと定義している。検討結果を表１１に示している。

比較例Ｃ１－１は、巻線部３２Ｌ間の磁路の長さが零、つまり、第２軟磁性粒子８２が巻線部２３２Ｌ間に存在していない場合である。比較例Ｃ１－２は、巻線部３２Ｌ間の磁路の長さを、巻線部３２Ｌ同士が接する長さの５％にした場合である。なお、巻線部３２Ｌ同士が接する長さはコイル３０の高さに相当する。
実施例Ｃ１－１は、巻線部３２Ｌ間の磁路の長さを、巻線部３２Ｌ同士が接する長さの１０％にした場合を示している。実施例Ｃ１－２は、巻線部３２Ｌ間の磁路の長さを、巻線部３２Ｌ同士が接する長さの５０％にした場合を示している。比較例Ｃ１－３は、巻線部３２Ｌ間の磁路の長さを、巻線部３２Ｌ同士が接する長さの５５％にした場合を示している。なお、直流重畳定格電流Ｉｓａｔは、比較例Ｃ１の場合を値１００としている。

発明者等が検討したところ、巻線部３２Ｌ間の磁路の長さが１０％以上になると、巻線部３２Ｌ間の磁路の長さが零の場合と比べて、直流重畳定格電流Ｉｓａｔの上昇が大きくなったので、磁路の長さは１０％以上が好ましい。しかし、巻線部３２Ｌ間の磁路の長さが５５％を超えると、巻線部３２Ｌ同士を接合する融着被覆層にひび割れが生じ、巻線部３２Ｌ同士が剥がれ易くなるおそれが生じる。

これらの事情を考慮すると、磁気飽和を抑制し、直流重畳特性を向上する観点からは、巻線部３２Ｌ間の磁路の長さを１０％以上にすることが好ましく、巻線部３２Ｌ同士の剥がれを抑制する観点も考慮すると、１０％以上、かつ５０％以下にすることが好ましいと判断した。したがって、巻線部３２Ｌ間の磁路の長さを１０％～５０％の範囲で設定することが好ましい。

図２４は、線間磁性粉構造のシミュレーション結果を示す特性曲線図である。
図２４中、横軸は電流値を示し、縦軸はインダクタンス値（Ｌ値）を示している。また、図２４において、比較例Ｃ１－４は、線間磁性粉構造を設けない場合を示しており、つまり、上下２段に巻回される巻回部３２の上段と下段の間の面、上段の巻線部３２Ｌ間、及び下段の巻線部３２Ｌ間のいずれにも第２軟磁性粒子８２が存在していない。
実施例Ｃ１－３は、巻回部３２の上段と下段の間の面、上段の巻線部３２Ｌ間、及び下段の巻線部３２Ｌ間のそれぞれの全周に第２軟磁性粒子８２を存在させた場合を示している。
実施例Ｃ１－４は、上段の巻線部３２Ｌ間の上側半分、及び下段の巻線部３２Ｌ間の下側半分に第２軟磁性粒子８２を存在させた場合を示している。
実施例Ｃ１－６は、上段の巻線部３２Ｌ間、及び下段の巻線部３２Ｌ間の全周に第２軟磁性粒子８２を存在させた場合を示している。

表１２には、比較例Ｃ１－４、及び実施例Ｃ１－３～Ｃ１－６の初期インダクタンス値（初期Ｌ値）と直流重畳定格電流Ｉｓａｔのシミュレーション結果を示している。なお、コイル３０の線幅、厚さ、及び融着被覆層の厚さなどの条件は表１１の場合と同じである。

図２４に示すように、実施例Ｃ１－３～Ｃ１－６については、比較例Ｃ１－４と比べ、０Ａ～１０Ａの広い電流範囲で大きいインダクタンス値が得られており、磁気飽和を抑制し、直流重畳特性が向上していることを確認できる。また、表１２に示すように、直流重畳定格電流Ｉｓａｔについても、実施例Ｃ１－３～Ｃ１－６が、比較例Ｃ１－４を上回っていることは明らかである。
また、実施例Ｃ１－３及びＣ１－６がほぼ同じ特性（インダクタンス値、及び直流重畳定格電流Ｉｓａｔ）が得られ、かつ、他の実施例Ｃ１－４，Ｃ１－５と比べても、大きいインダクタンス値が得られている。実施例Ｃ１－３及びＣ１－６は、上段の巻線部３２Ｌ間、及び下段の巻線部３２Ｌ間に第２軟磁性粒子８２を存在させる点が共通であることから、この点が、磁気飽和を抑制し、直流重畳特性を向上することに有利であると推定できる。

このように、コイル３０が埋設されるコア４０が、大粒子の第１軟磁性粒子８１と小粒子の第２軟磁性粒子８２とを含み、第２軟磁性粒子８２の一部が、第１軟磁性粒子８１とコイル３０の巻線部３２Ｌ間との間の領域１０Ｓに入って巻線部３２Ｌ間に入り込み、巻線部３２Ｌ間に磁路を形成するので、良好な直流重畳特性が得られる磁性粒子を用いても磁束密度が局所的に飽和することを抑制することができる。

また、第２軟磁性粒子８２は、隣接する巻線部３２Ｌ同士が接する長さの１０％以上の長さに渡って巻線部３２Ｌ間に存在するので、１０％未満の場合と比べ、磁束密度の局所的な飽和、つまり、磁気飽和をより抑制できる。
さらに、第２軟磁性粒子８２は、隣接する巻線部３２Ｌ同士が接する長さの５０％以下の長さに渡って巻線部３２Ｌ間に存在する構成にすることにより、巻線部３２Ｌ同士を接合する融着被覆層にひび割れが生じ、巻線部３２Ｌ同士が剥がれ易くなる事態を避け易くなる。

また、隣接する巻線部３２Ｌ同士は融着被覆層からなる融着剤によって接合され、第２軟磁性粒子８２は、融着被覆層の厚さよりも小さい径に形成され、第２軟磁性粒子８２の一部が融着被覆層内に入り込んで巻線部３２Ｌ間に磁路を形成するので、隣接する巻線部３２Ｌ同士を接合しながら巻線部３２Ｌ間に効率よく磁路を形成でき、磁気飽和を効果的に抑制し易くなる。

さらに、コア４０の材料（第１及び第２軟磁性粒子８１，８２等）とコイル３０とからなる素材を圧縮成型して素体１０を形成する際に、第２軟磁性粒子８２の一部が上記領域１０Ｓに入り込むように、少なくとも圧縮成型時の加圧力Ｐを調整するので、巻線部３２Ｌ間に磁路を容易に設けることができる。
なお、第２軟磁性粒子８２の一部を巻線部３２Ｌ間に入り込ませる方法は、加圧力Ｐの条件、加熱の条件などに限定しなくてもよい。例えば、第１及び第２軟磁性粒子８１，８２の径の調整、各粒子８１，８２間の表面層のすべり性の調整、及び、樹脂の選定などを適宜に組み合わせて、第２軟磁性粒子８２を上記領域１０Ｓに入り込ませ易くしてもよい。

また、コイル３０が、導線がつながった状態で上下多段（２段以上も含む）に巻回された巻回部３２を有する場合、最上段、及び／又は最下段の巻線部３２Ｌ間に第２軟磁性粒子８２を存在させることが好ましい。これにより、磁気飽和の抑制に効果的な磁路を設けやすくなる。
なお、第２軟磁性粒子８２の一部を巻線部３２Ｌ間に入り込ませることが可能な範囲で、コア４０の材料を適宜に増減したり、変更したりしてもよいし、コイル３０などの形状を適宜に変更したりしてもよい。また、素体成型・硬化工程時に第２軟磁性粒子８２を上記領域１０Ｓに入り込ませる場合に限定されず、他の方法で、第２軟磁性粒子８２を上記領域１０Ｓに入り込ませるようにしてもよい。

また、コイル３０の巻き方はアルファ巻に限定されず、例えばエッジワイズ巻でもよい。エッジワイズ巻などの場合も、融着被覆層によって接合された隣接する巻線部３２Ｌ間に第２軟磁性粒子８２によって磁路が形成されることで、磁気飽和を効果的に抑制し易くなる。

［Ｃ－２．磁気ギャップ］
インダクタ１に対し、コイル３０の巻回部３２近傍の磁束密度が飽和することを更に抑制すべく、巻回部３２近傍に磁気ギャップを設けるようにしてもよい。
図２５は、巻回部３２近傍に磁気ギャップとなるエアギャップ４０Ｋを設けた場合の画像である。
このエアギャップ４０Ｋは、巻線部３２Ｌの並び方向に延在し、磁束に略直交する。このエアギャップ４０Ｋは、素体成型・硬化工程の際に形成されている。詳述すると、図２３に示したように、コイル３０の上下左右に加圧力Ｐを作用させることにより、コイル３０の巻回部３２の周囲にてコア材料である第１及び第２軟磁性粒子８１，８２などが圧縮される。その後、パンチ７６を速やかに待避させたり、コア材料が固まりきっていない状態で型から素体１０を取り出したりすること等によって、第１及び第２軟磁性粒子８１，８２などのスプリングバック（反発力）を利用して、巻回部３２の周囲に図２５に示すようなエアギャップ４０Ｋが形成される。

このスプリングバックには、第１軟磁性粒子８１間、第２軟磁性粒子８２間、第１及び第２軟磁性粒子８１，８２間の少なくともいずれかの反発が含まれる。これらの反発を適宜に利用して、磁気ギャップとして機能するエアギャップ４０Ｋが形成される。なお、このスプリングバックに、コイル３０とコア４０（第１及び第２軟磁性粒子８１，８２）との間の反発を含めてもよい。

すなわち、圧縮成型時の加圧力Ｐ、加圧速度、加圧時間、パンチ７６の待避速度、素体１０の取り出しタイミングなどの圧縮成型時の各種条件を適宜に調整することによって、巻線部３２Ｌの周囲に、巻線部３２Ｌの並び方向に延在するエアギャップ４０Ｋが形成される。これにより、磁気ギャップとして機能するエアギャップ４０Ｋを容易に設け、このエアギャップ４０Ｋにより、コイル３０の巻回部３２近傍の磁束密度の飽和を抑え、直流重畳特性を向上することができる。

次に、エアギャップ４０Ｋの位置、長さ及び幅について説明する。
コイル３０の巻線部３２Ｌの線幅９５μｍ、コイル３０の巻線部３２Ｌの厚さ１８０μｍ、コイル３０の巻線部３２Ｌの融着被覆層の厚さ４μｍ、第１軟磁性粒子８１の平均粒径が１０μｍ以上、第２軟磁性粒子８２の平均粒径が５μｍ以下、加圧力Ｐ＝３００ｋｇ／ｃｍ^２ の条件で、エアギャップ４０Ｋの位置、長さ及び幅を異ならせて直流重畳定格電流Ｉｓａｔを算出する検討を行った。直流重畳定格電流Ｉｓａｔは、初期インダクタンス値より約３０％低下するときの電流値としている。

表１３には、エアギャップ４０Ｋの位置の検討結果を示している。表１３中の直流重畳定格電流Ｉｓａｔは、エアギャップ４０Ｋが巻回部３２から１１μｍの位置にある場合を値１００とした場合を示している。

表１３に示すように、エアギャップ４０Ｋが巻回部３２から３０μｍの範囲では、巻回部３２から離れるほど直流重畳定格電流Ｉｓａｔの値が大きくなり、５０μｍを超えると、Ｉｓａｔの値が１００を下回った。発明者等の検討では、エアギャップ４０Ｋが巻回部３２から５０μｍの範囲以内が磁気飽和を抑制するのに効果的な範囲であり、換言すると、第１軟磁性粒子８１の平均粒径の５倍の距離以内が磁気飽和を抑制するのに好適な範囲であった。より好ましくは、エアギャップ４０Ｋが巻回部３２から２０μｍ以上、３０μｍ以下の範囲にあることが望ましい。

表１４には、エアギャップ４０Ｋの長さＫＬ（図２５参照）の検討結果を示している。表１４中の直流重畳定格電流Ｉｓａｔは、エアギャップ４０Ｋの長さＫＬが巻回部３２の巻幅ＣＷ（図２５）の１０％の場合を値１００とした場合を示している。

表１４に示すように、巻回部３２の巻幅ＣＷの１１０％まではエアギャップ４０Ｋが長くなるほど直流重畳定格電流Ｉｓａｔの値が大きくなった。発明者等の検討では、エアギャップ４０Ｋの長さＫＬが、単一の巻線部３２Ｌの幅以上（巻幅ＣＷの３３％以上）であることが磁気飽和を抑制するのに効果的であった。
一方、エアギャップ４０Ｋの長さＫＬが巻幅ＣＷを大きく超えると、より具体的には、巻幅ＣＷの１１０％を超えると、エアギャップ４０Ｋがコイル３０の巻軸又は巻軸と平行な領域に直交し、インダクタンス値が大幅に低下するおそれが生じる。

そこで、発明者等は、エアギャップ４０Ｋの長さＫＬは単一の巻線部３２Ｌの幅以上（巻回部３２の巻幅ＣＷの３３％以上に相当）、巻回部３２の巻幅ＣＷの１１０％以下が好ましく、より好ましくは、単一の巻線部３２Ｌの幅の１．５倍以上（巻回部３２の巻幅ＣＷの５０％以上）、巻回部３２の巻幅ＣＷ以下（１００％以下）がよいと判断した。

表１５には、エアギャップ４０Ｋの幅ＫＷ（図２５参照）の検討結果を示している。この幅ＫＷは、巻線部３２Ｌの並び方向に直交するエアギャップ４０Ｋの長さに相当している。表１５中の直流重畳定格電流Ｉｓａｔは、エアギャップ４０Ｋの幅ＫＷが最小粒子の径未満である１μｍ未満の場合を値１００とした場合を示している。

表１５に示すように、エアギャップ４０Ｋの幅ＫＷが１０μｍまでは幅ＫＷが大きくなるほど直流重畳定格電流Ｉｓａｔの値が大きくなり、１０μｍと１１μｍでは直流重畳定格電流Ｉｓａｔの値が同じであった。また、エアギャップ４０Ｋの幅ＫＷが１１μｍを超えると、幅ＫＷが第１軟磁性粒子８１の平均粒径よりも大きくなり、第１軟磁性粒子８１に固着している樹脂の軟磁性粒子固着強度が弱くなり、エアギャップ４０Ｋの延在方向に沿って素体１０にクラックが発生し易くなる。
したがって、エアギャップ４０Ｋの幅ＫＷは、第２軟磁性粒子８２の平均粒径以上（５μｍ）以上、１１μｍ以下が好ましく、より好ましくは、素体１０のクラックを抑制可能な範囲で１０μｍに近い値が好ましい。

図２６は、エアギャップ４０Ｋの有無に応じたシミュレーション結果を示す特性曲線図である。図２６中、横軸は電流値を示し、縦軸はインダクタンス値（Ｌ値）を示しており、特性曲線Ｋ１はエアギャップ４０Ｋ無しの場合を示し、特性曲線Ｋ２は、巻回部３２の上下、内周及び外周に、巻回部３２の長手方向及び短手方向の双方に、エアギャップ４０Ｋが延在している場合を示している。

表１６には、特性曲線Ｋ１，Ｋ２のそれぞれに対応する初期インダクタンス値（初期Ｌ値）と直流重畳定格電流Ｉｓａｔのシミュレーション結果を示している。なお、コイル３０の線幅、厚さ、及び融着被覆層の厚さなどの条件は表１１，Ｋ２の場合と同じである。

図２６及び表１６に示すように、シミュレーション結果からエアギャップ４０Ｋありの方が磁気飽和を抑制できることが判り、特に、電流値０Ａ以上、６Ａ以下の範囲で磁気飽和の抑制効果が得られることが確認できる。

このように、素体１０は、コイル３０の巻回部３２の外周、かつ、巻回部３２から第１軟磁性粒子８１の平均粒径の５倍の距離以内に、巻線部３２Ｌが並ぶ方向に延在するエアギャップ４０Ｋを有しているので、良好な直流重畳特性が得られる磁性粒子を用いても磁気飽和を抑制可能になる。

しかも、エアギャップ４０Ｋは、巻線部３２Ｌが並ぶ方向で、単一の巻線部３２Ｌの幅以上、巻回部３２の巻幅ＣＷ以下の長さであり、巻線部３２Ｌの径方向で、第２軟磁性粒子８２の平均粒径以上、１０μｍ以下の幅であるので、磁気飽和を効果的に抑制可能になる。

また、エアギャップ４０Ｋは、コア４０の材料とコイル３０とからなる素材を圧縮成型して素体１０を形成する際のスプリングバックを利用して形成されているので、エアギャップ４０Ｋを容易に設けることができる。
なお、エアギャップ４０Ｋを形成可能な範囲で、コア４０の材料を適宜に増減したり、変更したりしてもよいし、コイル３０などの形状を適宜に変更したりしてもよい。また、素体成型・硬化工程時にエアギャップ４０Ｋを形成する場合に限定されず、他の方法でエアギャップ４０Ｋを形成するようにしてもよい。

［Ｄ．素体研削］
本実施例において、インダクタ１の素体１０には、平均粒径が大きな大粒子及び当該大粒子よりも平均粒径が小さな小粒子から成る軟磁性粉と樹脂との混合粉を圧縮成型して成型体が用いられている。

図４に示した素体研削工程では、先述の通り、圧縮成型後の素体１０の第２側面１８（図１）に砥粒を作用させて幅Ｗが所定幅になるまで研削する工程である。この研削によって素体１０が所定サイズまでダウンサイジングされ、素体１０におけるコイル３０の占有率が高められる。また素体１０を研削加工によってダウンサイジングし所定サイズに加工する手法を採用することで、成型金型のキャビティの寸法調整によって素体１０のサイズを所定サイズに制御する場合に比べ、素体１０の寸法ばらつきを低減できる。この研削の後、第２側面１８に研削によって生じた角を面取りするために例えばバレル研磨を行ってもよい。

（研削装置）
図２７は、素体研削に用いられる研削装置１０１の一例を模式的に示す図である。
研削装置１０１は、研削対象である素体１０（ワーク）を保持する保持具１０２と、当該保持具１０２で保持された素体１０を間に挟む上砥石１０３、及び下砥石１０４と、を備え、保持具１０２には、素体１０が研削面である第２側面１８を上下に向けた姿勢で保持される。
素体研削時には、研削装置１０１が上砥石１０３及び下砥石１０４を所定の荷重で上下の第２側面１８のそれぞれに押し当てつつ、これら上砥石１０３及び下砥石１０４を上下の第２側面１８に対して相対移動させることで、上砥石１０３及び下砥石１０４の砥粒１０５によって上下の第２側面１８を同時に研削する（いわゆる両面研削）。

（砥粒の大きさ）
砥粒１０５の大きさは、研削レートと比例関係にあり、また砥粒１０５が大きくなるほど、研削面において軟磁性粉の粒子の脱粒が多く発生し表面粗さが大きくなることが発明者の実験によって確かめられている。
詳述すると、軟磁性粉の成型体を研削すると、砥粒１０５によって軟磁性粉の粒子が少なからず脱粒し、粒子の欠損による凹みが研削面に生じる。大粒子及び小粒子から成る軟磁性粉において、小粒子よりも大粒子の方が脱粒し易く、砥粒１０５を大きくするほど多くの大粒子が脱粒することで、研削面に比較的大きな凹みが多く発生し、これにより研削面の表面粗さが大きくなる。
表面粗さに関しては、表面粗さと荷重に相関関係が無いことが発明者の実験によって確かめられている。

なお、本実施例において、表面粗さの評価には算術平均高さを用いた。具体的には、測定対象の面において、所定大きさ（本実施例では約２００μｍ×２９０μｍ）の複数（例えば３から４点）の測定エリアを設定し、各測定エリアにおける最大高さをレーザ顕微鏡で測定し、これら最大高さの平均から算出平均高さを求めた。レーザ顕微鏡には株式会社キーエンス社製の型式ＶＫ－Ｘ２５０を用いた。

（研削速度）
研削速度（上砥石１０３及び下砥石１０４の移動速度）が大きくなるほど軟磁性粉の粒子の切削が生じ研削面の表面粗さは低くなること、及び、研削速度が上記研削レートと比例関係にあることが、発明者の実験によって確かめられている。

（研削レート）
研削レートについては、目標値が適宜に設定され、この目標値の実現に必要な砥粒１０５の大きさ及び研削速度が決定される。これら砥粒１０５の大きさ及び研削速度はそれぞれ、上述の通り、研削面の表面粗さと関係する。本実施例では、研削後の表面粗さを研削前よりも大きくし、さらには研削後の第２側面１８の粗さを研削対象外の面である天面１４及び実装面１２よりも大きくするように、砥粒１０５の大きさ及び研削速度が設定されている。
研削によって表面粗さＳａが大きくなることで、素体１０の第２側面１８を覆う素体保護膜５０の固着強度が高められる。また素体１０は、外部電極２０を除き素体保護膜５０によって表面が覆われており、かかる素体保護膜５０によって素体１０の耐湿性や防さび性、電気的絶縁性が高められている。

（研削時間）
研削時間は、研削開始タイミングＴｓから研削終了タイミングＴｅまでの時間で定義され、素体研削前の素体１０の幅Ｗと当該幅Ｗの目標値である所定幅との差、及び研削レートに基づいて決定される。
そして素体研削時には、制御装置（図示せず）が上記荷重プロファイル１０６及び研削時間に基づいて研削装置１０１の研削動作を制御することで、圧縮成型後の素体１０の幅Ｗが所定幅になるまで研削が行われる。

（サイドギャップ）
サイドギャップＳｇは、図２８に示すように、インダクタ１において、素体１０の内部のコイル３０から直近の第２側面１８までの厚みで定義される。なお、素体１０が素体保護膜５０によって覆われている場合、サイドギャップＳｇは素体保護膜５０を除いた厚みである。
そして、本実施例では、幅Ｗが所定幅まで研削された素体１０において、サイドギャップＳｇが１個分の軟磁性粉の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも大きく、かつ、４個分の軟磁性粉の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも小さくなっている。換言すれば、本実施例において、所定幅に研削された素体１０のサイドギャップＳｇが、かかる厚みとなるように、この所定幅及びコイル３０の巻回部３２の幅ＷＬａ（図２８）の両方又は一方が予め調整されている。

研削後の素体１０において、サイドギャップＳｇの厚みを、少なくとも軟磁性粉の１個分の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも大きくすることで、研削によって第２側面１８に脱粒が生じていたとしても、少なくとも１粒以上の大粒子が第２側面１８とコイル３０の間に残存するため、コイル３０の露出が防止された状態となる。
また研削後の素体１０において、サイドギャップＳｇの厚みを、軟磁性粉の４個分の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも小さい範囲に制限することで、素体１０の大型化を防止しつつコイル３０の占有率を十分に高い値に維持し、インダクタンスの低下を防止できる。

表１７及び表１８は、インダクタ１におけるサイドギャップＳｇの最大値及び最小値、当該インダクタ１のインダクタンス値、及び耐湿性の測定結果を示す。
表１７は、軟磁性粉の大粒子、及び小粒子の平均粒径がそれぞれ２１μｍ、及び２μｍのインダクタ１を測定したものであり、表１８は、軟磁性粉の大粒子、及び小粒子の平均粒径がそれぞれ２８μｍ、及び２μｍのインダクタ１を測定したものである。

かかる軟磁性粉には、クロムレスのＦｅ－Ｓｉ系アモルファス合金粉と結晶質の純鉄とから成る磁性粉が用いられており、クロムレスのＦｅ－Ｓｉ系アモルファス合金粉の粒子が大粒子に相当し、純鉄が小粒子に相当する。大粒子の表面はＳｉＯ層とＦｅ_２ＳｉＯ_４層とが積層した酸化膜で覆われ、小粒子の表面はＦｅの酸化膜で覆われており、個々の粒子が酸化膜によって電気的絶縁性を有している。
そして、かかる軟磁性粉とエポキシ樹脂との混合粉を圧縮成型することで、インダクタ１の素体１０を成型している。
したがって、素体表面には、樹脂、Ｆｅ又はＦｅの酸化物、リン酸塩ガラス及び、ＳｉＯ_２と炭素数が１６の鎖長のアルキル基が存在することになる。

インダクタンス値についてはＬＣＲメータで測定し、耐湿性については温度が８５℃、湿度が８５％の環境下にインダクタ１を曝して試験し、試験結果に基づいて、所定の製品品質基準に耐湿性が満たないものを「ＮＧ」としている。

表１７、及び表１８に示される通り、サイドギャップＳｇの最小値が１個分の大粒子の平均粒径よりも大きければ、十分な耐湿性が得られることが分かる。またサイドギャップＳｇの最大値が大きくなるほどインダクタンス値が低下することが分かる。
またサイドギャップＳｇの最小値が１個分の大粒子の平均粒径よりも大きく、かつサイドギャップＳｇの最大値が４個分の大粒子の平均粒径よりも小さい範囲において、サイドギャップＳｇの最小値と最大値の比が１対１である場合に、耐湿性能、及びインダクタンス値が共に良好なインダクタ１が得られることが分かる。

以上説明したように、本実施例のインダクタ１は、コイル３０が埋設された板状の成型体から成る素体１０に一対の外部電極２０を設けたインダクタ１であって、素体１０は、平均粒径が異なる大粒子と小粒子からなる軟磁性粉及び樹脂の混合粉から成型されており、コイル３０の径方向に位置する第２側面１８から当該コイル３０までの厚みであるサイドギャップＳｇが、１個分の大粒子に相当する厚みよりも大きく、かつ、４個分の大粒子に相当する厚みよりも小さい。

素体１０のサイドギャップＳｇの厚みが、少なくとも軟磁性粉の１個分の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも大きいことで、少なくとも１粒以上の大粒子が第２側面１８とコイル３０の間に存在し、コイル３０の露出が防止された状態となる。
また素体１０のサイドギャップＳｇの厚みが、軟磁性粉の４個分の大粒子の平均粒径に相当する厚みよりも小さい範囲に制限されることで、素体１０の大型化を防止しつつコイル３０の占有率を十分に高い値に維持し、インダクタンスの低下を防止できる。これにより、小型でありながらも、実用的な直流抵抗及び飽和磁束密度が得られるインダクタ１が実現できる。

本実施例のインダクタ１において、素体１０の第２側面１８は、素体保護膜５０で覆われており、少なくとも他の１以上の面（実装面１２及び天面１４）よりも表面粗さが大きい。
これにより、第２側面１８と素体保護膜５０の固着強度を高めることができる。

本実施例のインダクタ１において、素体１０は、外部電極２０を除き素体保護膜５０によって表面が覆われている。
これにより、素体１０の耐湿性や防さび性、電気的絶縁性が高められ、高品質なインダクタ１が得られる。

［Ｅ．素体保護膜］
本実施例において、インダクタ１の素体１０には、平均粒径が大きな大粒子及び当該大粒子よりも平均粒径が小さな小粒子から成る軟磁性粉と樹脂との混合粉を圧縮成型して成型体が用いられている。

素体保護膜５０は、外部電極２０の箇所を除く素体１０の全表面を覆い、素体１０の電気的絶縁性、及び防さび性を高める層である。先述の素体研削工程において研削面（第２側面１８）に軟磁性粉の大粒子の脱粒が生じたとしても、当該研削面を素体保護膜５０が覆うことで電気的絶縁性及び防さび性の低下を防止できる。

（素体保護膜形成工程・保護膜形成装置）
素体保護膜５０は、図４を参照して説明した通り、素体保護膜形成工程において素体１０の全表面に熱硬化性樹脂を含有する保護膜材料をスプレー（噴霧）やディップ（浸漬）などの適宜の手法で塗布することで形成される。

図２９は素体保護膜形成に用いる保護膜形成装置２０１の一例を模式的に示す図である。
保護膜形成装置２０１は、ワーク２０８である多数の素体１０の表面に保護膜材料をスプレーすることで塗膜する装置である。同図に示すように、保護膜形成装置２０１は、装置本体２０２に回転可能に設けられ、多数の素体１０（ワーク２０８）が投入されるドラム２０３と、熱を供給するヒータ２０４と、ドラム２０３の排気経路となるダクト２０５と、ドラム２０３の中に配置されたスプレーノズル２０６と、を備える。

素体保護膜形成の際、保護膜形成装置２０１は、多数の素体１０が投入されたドラム２０３をヒータ２０４によって熱硬化しない温度（例えば、３０～７０℃）に予熱する（予熱工程）。
次いで、保護膜形成装置２０１は、ドラム２０３を回転（いわゆるバレル回転）させて素体１０を撹拌しながら、スプレーノズル２０６から保護膜材料を素体１０に噴霧しつつ、不図示のエアーノズルからホットエアー２０７を素体１０に吹き付けて素体１０の表面に素体保護膜５０を塗膜する（塗布工程）。この塗布工程における終盤では、保護膜形成装置２０１は、保護膜材料の噴霧を停止する一方で、素体１０の撹拌、及びホットエアー２０７を素体１０に吹き付けることで、素体１０の素体保護膜５０を適度に乾燥させる（乾燥工程）。そして素体保護膜５０が乾燥した後に、素体１０がドラム２０３から取り出される（ワーク取り出し工程）。

乾燥工程において、乾燥が不十分な場合、素体保護膜５０にポア（細孔）や膨潤が発生し、また素体１０への素体保護膜５０の密着性も悪くなる。乾燥が過度な場合、素体保護膜５０がいわゆる不連続膜となり、また素体１０への素体保護膜５０の密着性も悪くなる。そこで乾燥は、素体保護膜５０がいわゆる連続膜となり、かつ素体１０への素体保護膜５０の密着性が良好に維持される適度な程度で行われることが好ましい。

（保護膜材料）
保護膜材料には、素体保護膜５０の基材である樹脂種と、この樹脂種を希釈する溶剤種と、添加物であるフィラー種を混合液が用いられる。

（樹脂種）
樹脂種には、エポキシ樹脂を主剤とし、フェノキシ樹脂及びノボラック樹脂の一方又は両方を添加した樹脂が好適に用いられる。フェノキシ樹脂を添加することで素体保護膜５０の靱性が高められる。ノボラック樹脂を添加することで素体保護膜５０の耐熱性が高められる。
樹脂種の樹脂には顔料が含まれていることが好ましい。
顔料を含む樹脂を用いることで、図４に示した素体保護膜形成工程、及び外部電極形成工程において、素体１０の表面にレーザ光を照射して素体保護膜５０を除去し外部電極２０を形成する際の加工性を良くできる。顔料には、例えばカーボンブラックが好適に用いられる。

（溶剤種）
溶剤種には、上記塗布工程において樹脂種をミスト状にして噴霧でき、また乾燥工程において適度な乾燥性が得られる溶剤が用いられ、例えばペースト状の樹脂の希釈剤に用いられるメチルエチルケトン（ＭＥＫ）等を含有する溶剤が好適に用いられる。

（フィラー種）
フィラー種には、素体保護膜５０に光沢を低減し、かつ素体保護膜５０の膜質を良好とするフィラーであって、溶剤に分散するものが用いられる。
素体保護膜５０の光沢が低減することで、カメラを用いたインダクタ１の外観検査時において色飛びによる誤判定を防止できる。かかるフィラーには、シリカ（ＳｉＯ_２）粉が好適に用いられる。
また、フィラー種は、保護膜材料を噴霧するスプレーノズル２０６の目詰まり防止、及び、ドラム２０３のバレル回転による素体１０の表面へのダメージ低減を図るために、フィラーの粒子のサイズは小さいほど好ましく、シリカ粉をフィラーとする場合はナノシリカを用いることが好ましい。

（ナノシリカ）
発明者は、ナノシリカをフィラーとした場合に、塗布工程の終盤に行われる乾燥工程おける乾燥速度と、ナノシリカの含有量との間に相関があることを実験によって見出した。

図３０は、ナノシリカの含有量と乾燥速度の実験結果を示す図である。
この実験では、樹脂種にエポキシ樹脂、溶剤種にＭＥＫ、フィラー種にナノシリカを用いて保護膜材料のサンプルを作成し、このサンプルを用いて素体１０に素体保護膜５０を形成し、更に外部電極２０を形成してインダクタ１を構成した。そして、素体保護膜５０の乾燥工程において、放置する乾燥放置時間と、素体保護膜５０の固形分との関係を調べた。
保護膜材料のサンプルは、ナノシリカの含有量が０（含有なし）、５０ｐｈｒ、１００ｐｒｈ、２００ｐｈｒの４つを作成した。いずれのサンプルにも、平均粒径が４５ｎｍのシリカ粒子から成るナノシリカをフィラーに用いている。
シリカ粒子の平均粒径は、インダクタ１において、天面１４の４隅の角をそれぞれ対角に結んだ交点部分と交差し、第２側面１８と平行に素体１０を切断し、素体１０の上下の第２側面１８において、素体１０の長さＬを４等分した点のそれぞれにおいて素体保護膜５０の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用い、３０万倍に拡大して撮影し、シリカ粒子を観察した。透過型電子顕微鏡には、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）を用いて測定した。この電界放射型透過電子顕微鏡には、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）のシステム（サーモフィシャーサイエンティフィック株式会社製の型番：ＮＯＲＡＮ Ｓｙｓｔｅｍ ７）が付設された、日本電子株式会社製の多機能電子顕微鏡（型番：ＪＥＭ－Ｆ２００）を用いた。

図３０に示されるように、ナノシリカの含有量が大きくなるほど短い乾燥放置時間でも固形分が高くなることが分かる。すなわち、保護膜材料におけるナノシリカの含有量を増やすことで乾燥速度を速め、乾燥工程の工程時間を短縮することができる。

なお、この実験において乾燥後の素体保護膜５０を観察結果、乾燥後の固定分が８０％以下である場合、後述する「くっつき」が発生し、また固形分が９０％程度であると、良好な膜質の素体保護膜５０が得られるものの素体保護膜５０の表面にクラックが発生することが分かった。
したがって、乾燥工程においては、固定分が８０％から９０％の範囲となるように乾燥することが好ましい。

（くっつき）
「くっつき」は、塗布工程において、ドラム２０３に複数の素体を投入してスプレー塗布した際に、素体１０の素体保護膜５０同士が接着する現象であり、素体保護膜５０の品質低下の要因になる。発明者は、ナノシリカをフィラーとした場合に、当該ナノシリカのシリカ粒子の粒子径を変えることで、塗布工程中の「くっつき」が抑えられることを実験によって見出した。

図３１は、ナノシリカのシリカ粒子の平均粒径と、くっつき発生率の実験結果を示す図である。
この実験では、保護膜材料として２つのサンプル１、２を作成した。
サンプル１は、樹脂種にエポキシ樹脂、溶剤種にＰＧＭ、フィラー種にナノシリカを用いた保護膜材料であり、サンプル２は、樹脂種にエポキシ樹脂、溶剤種にＭＥＫ、フィラー種にナノシリカを用いた保護膜材料である。サンプル１、２のいずれも、ナノシリカの含有量は２００ｐｈｒとした。
そして、上記塗布工程により、それぞれのサンプル１、２を用いて素体１０に素体保護膜５０を塗膜した後、上記ワーク取り出し工程において、ドラム２０３から素体１０を取り出したときに互いに接着状態の素体１０の個数を計数することで、くっつき発生率を求めた。

図３１に示されるように、シリカ粒子の平均粒径が小さくなるほど、くっつき発生率が低下することがわ分かる。
溶媒種にＭＥＫを用いたサンプル２と、溶剤種にＰＧＭを用いたサンプル１とを比較すると、シリカ粒子の平均粒径が同じ場合、くっつき発生率はサンプル２の方が低いことが分かる。
またサンプル２については、シリカ粒子の平均粒径が４５ｎｍ以下になると、くっつき発生率が顕著に低下することが分かる。

サンプル１、２のいずれにおいても、シリカ粒子の平均粒径が１２ｎｍ程度まで小さくなると、くっつき発生率が概ねゼロまで抑えられる。
しかしながら、シリカ粒子の平均粒径が１２ｎｍである場合、サンプル１、２のいずれにおいても、形成後の素体保護膜５０の表面に、図３２に示すクラックの発生が観察された。したがって、シリカ粒子の平均粒径は、１２ｎｍよりも大きいことが好ましく、クラックの発生がより確実に抑えられる１５ｎｍ以上であることがより好ましい。

また、シリカ粒子の平均粒径が７５ｎｍを超えて大きくなると保護膜材料にフィラーの沈殿が顕著に生じることが観察された。この保護膜材料が塗膜に用いられると、仮にくっつきが生じなかったとしても、均一な素体保護膜５０が得られない。したがって、シリカ粒子の平均粒径は、保護膜材料に沈殿が生じない粒子径である７５ｎｍ以下であることが好ましい。

なお、平均粒径が１５ｎｍから７５ｎｍのシリカ粒子（シリカ粉）を、十分な乾燥速度が得られる含有量（１５０ｐｈｒから２５０ｐｈｒ）だけ含む保護膜材料を用いて素体保護膜５０を形成した場合、形成後の素体保護膜５０においては、樹脂に対するシリカ粒子の重量比が概ね１５０％から２５０％となる。
換言すれば、かかる重量比の素体保護膜５０が形成されている場合には、速い乾燥速度で、かつ「くっつき」も発生することなく素体保護膜５０が形成されたことを示し、高品質な素体保護膜５０が得られていると言える。

（めっき飛び）
図３３は、素体保護膜５０の厚みを変えて「めっき飛び」の数を計測した結果を示す図である。
「めっき飛び」とは、素体１０の表面において素体保護膜５０が塗布されていない箇所が発生し、意図しない箇所にめっきが形成されることである。例えば素体研削によって軟磁性粉の大粒子が脱粒することで、素体１０の表面に比較的大きな凹みが生じていた場合には、当該凹みに保護膜材料が十分に入り込めずに「めっき飛び」が発生する要因となる。

本計測では、素体１０における天面１４及び実装面１２と、第１側面１６及び第２側面１８とが交差する稜線部分の全辺について、所定計測間隔ごとに「めっき飛び」の有無を確認し、「めっき飛び」が生じている箇所の数を計数した。

同図から分かるように、素体保護膜５０の厚みが小さくなると、多くの「めっき飛び」が発生するものの、厚みが５μｍ以上であれば「めっき飛び」の数は顕著に減少し、１０μ以上であれば「めっき飛び」は生じていないことが分かる。
したがって、素体保護膜５０の厚みは１０μｍ以上であることが好ましく、このような厚みとすることで、「めっき飛び」の発生を抑え素体１０の全表面を素体保護膜５０によって確実に保護することができる。

ただし、インダクタ１の素体１０のサイズが規定の場合には、素体保護膜５０の厚みが大きくなると、その分、素体保護膜５０を除いた部分の素体１０のサイズが縮小しコイル３０も小さくなることからインダクタ１の性能が低下する。
また、インダクタ１は、素体保護膜５０を除去した箇所に外部電極２０が形成されるため、外部電極２０よりも素体保護膜５０が厚いと、外部電極２０が素体保護膜５０の表面から突出せず、外部電極２０と基板との接触性が悪くなる。
そこで、素体保護膜５０の厚みは、少なくとも外部電極２０の厚み以下であることが好ましい。本実施例では、高さＨが０．７±０．１ｍｍ、幅Ｗが１．２±０．２ｍｍ、長さＬが２．０±０．２ｍｍのサイズのインダクタ１の場合、外部電極２０の厚みは、０．５８ｍｍから０．７５ｍｍの範囲であり、高さＨが０．５５±０．１ｍｍ、幅Ｗが１．２±０．２ｍｍ、長さＬが２．０±０．２ｍｍのサイズのインダクタ１の場合、外部電極２０の厚みは、０．５８ｍｍ～０．７５ｍｍであり、０．４３から０．６０ｍｍの範囲である。素体保護膜５０は、かかる外部電極２０の厚み以下の範囲の中でも、高性能のインダクタ１を得るために３０μｍ以下であることがより好ましい。
なお、外部電極２０の厚みは次のように測定した。すなわち、インダクタ１において、天面１４の４隅の角をそれぞれ対角に結んだ交点部分と交差し、第２側面１８と平行に素体１０を切断し、素体１０の実装面１２に形成された外部電極２０の長さ方向を４等分した点の膜厚をマイクロスコープを用いて１０００倍に拡大して測定し、それぞれの平均を第１測定値として求めた。そして当該第１測定値を１０個のインダクタ１について求め、それぞれの第１測定値の平均を、外部電極２０の厚みとした。マイクロスコープには株式会社キーエンス社製の型番ＶＨＸ－７０００を用いている。

（脱粒対策）
成型体である素体１０の表面が研削加工されている場合、上述の通り、研削時に軟磁性粉の粒子が少なからず脱粒する。本実施例では、平均粒径が大きな大粒子と平均粒径が小さな小粒子とから成る軟磁性粉が用いられているため、大粒子の脱粒によって比較的深い凹みが研削面（本実施例では第２側面１８）に生じる。

表１９は、素体保護膜５０の厚みと、脱粒によって生じた凹みの深さと、防さび性能との実験結果を示す図である。
この実験の保護膜材料には図３１に示す実験と同じサンプルを用いた。素体１０の成型に用いる軟磁性粉には、大粒子の平均粒径が２１μｍから２８μｍのものを用いている。
素体保護膜５０の厚みは次のように測定した。すなわち、インダクタ１において、天面１４の４隅の角をそれぞれ対角に結んだ交点部分と交差し、第２側面１８と平行に素体１０を切断し、素体１０の上下の第２側面１８において、素体１０の長さＬを４等分した点のそれぞれにおいて素体保護膜５０の膜厚をマイクロスコープを用いて１０００倍に拡大して測定し、それぞれの平均を第２測定値として求めた。そして当該第２測定値を１０個のインダクタ１について求め、それぞれの第２測定値の平均を厚みの測定値としている（平均厚み）。マイクロスコープには株式会社キーエンス社製の型番ＶＨＸ－７０００を用いている。
防さび性は、所定の製品品質基準に防さび性が満たないものを「ＮＧ」、満足するものを「Ｇ」としている。

表１９に示されるように、脱粒による凹みの深さに対して素体保護膜５０の厚みが小さいと防さび性が悪く、素体保護膜５０の品質が十分でないことが分かり、凹みの深さに対する素体保護膜５０の厚みの比が０．４以上であると十分な防さび性が得られることが分かる。凹みの深さは、概ね大粒子の平均粒径に相当することから、素体保護膜５０の厚みが大粒子の平均粒径の０．４倍以上であれば、表面に脱粒が生じていても十分な品質の素体保護膜５０が得られる。

以上説明したように、本実施例のインダクタ１は、軟磁性粉および樹脂を含んで成る素体１０と、素体１０に埋設されたコイル３０と、素体１０に設けられた外部電極２０とを有し、素体１０の表面に素体保護膜５０を有するインダクタ１であって、素体保護膜５０は、厚みが１０μｍ以上であり、シリカ粒子と樹脂とを含み、シリカ粒子の平均粒径は１５～７５ｎｍであり、樹脂に対するシリカ粒子の重量比は１５０～２５０％である。

素体保護膜５０の厚みが１０μｍ以上であることで、「めっき飛び」の発生を抑え素体１０の全表面を素体保護膜５０によって確実に保護することができる。
素体保護膜５０がシリカ粒子を含有することで、光沢が低減され、光学的手法を用いた外観検査時の誤判定を防止できる。
また素体保護膜５０において、シリカ粒子の平均粒径が１５～７５ｎｍであり、樹脂に対するシリカ粒子の重量比は１５０～２５０％であることで、素体保護膜形成において「くっつき」による劣化を受けていない高品位な素体保護膜５０が得られる。

本実施例において、素体保護膜５０の厚みは外部電極２０の厚み以下である。
これにより、外部電極２０が素体保護膜５０の厚みに阻害されることなく、基板の回路と良好に接触できる。

本実施例において、素体保護膜５０は、カーボンブラックを含有する。
これにより、外部電極２０を形成するために素体保護膜５０をレーザによって除去する際の加工性が高められる。

本実施例において、素体保護膜５０は、フェノキシ樹脂を含有する。
これにより、素体１０の靱性を高めることができる。

本実施例において、素体保護膜５０は、ノボラック樹脂を含有する。
これにより、素体１０の耐熱性を高めることができる。

本実施例において、素体保護膜５０の厚みは大粒子の平均粒径の０．４倍以上である。
これにより、表面に脱粒が生じていても十分な品質の素体保護膜５０が得られる。

なお、本実施例において、酸化チタンや酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムをフィラー種に用いてもよい。

１ インダクタ
１０ 素体
１０Ｓ 領域
１２ 実装面
１４ 天面
１６ 第１側面
１８ 第２側面
２０ 外部電極
３０ コイル
３２ 巻回部
３２Ｌ 巻線部
３４ 引出部
４０ コア
４０Ｋ エアギャップ（磁気ギャップ）
５０ 素体保護膜
６０ 絶縁被覆材
８１ 第１軟磁性粒子
８１Ａ 粒子核
８１Ｂ 酸化膜
８１Ｃ 絶縁膜
８２ 第２軟磁性粒子
８２Ａ 粒子核
８２Ｂ 絶縁膜
Ｈ 高さ
Ｗ 幅
Ｌ 長さ
Ｐ 加圧力
ＣＷ 巻回部の巻幅
ＫＬ エアギャップの長さ
ＫＷ エアギャップの幅

Claims (5)

1. 軟磁性金属を含む粒子核と前記粒子核の表面に位置する絶縁膜とで構成された軟磁性粒子を含む軟磁性材料であって、
   前記粒子核は、前記絶縁膜との間に前記軟磁性金属の酸化物で構成される酸化膜を有し、
   前記粒子核は、
   Ｃｒを含まないか又は１．５重量％以下のＣｒを含み、
   酸素の含有量が重量比９００ｐｐｍ以上２８００ｐｐｍ以下である、
   軟磁性材料。
2. 前記粒子核に含まれる軟磁性金属は、鉄基軟磁性金属である、
   請求項１に記載の軟磁性材料。
3. 前記鉄基軟磁性金属は、非晶質である、
   請求項２に記載の軟磁性材料。
4. 軟磁性金属を含み且つ前記粒子核より平均粒径が小さい他の粒子核で構成された他の軟磁性粒子を更に含む、
   請求項１ないし３のいずれか一項に記載の軟磁性材料。
5. 請求項１ないし４のいずれか一項に記載の軟磁性材料を用いて構成される金属磁性体と、
   巻回された導線と、
   を有するインダクタ。

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