TW201800463A - 半導體加工用黏著片 - Google Patents

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Abstract

本發明之半導體加工用黏著片於基材膜上具有黏著劑層，且基材膜之5%模數為7.0~20.0MPa，基材膜為1層且相對於基底樹脂100質量份含有苯乙烯系嵌段共聚物5~39質量份，苯乙烯系嵌段共聚物係選自苯乙烯-氫化異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-氫化丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物及苯乙烯-氫化異戊二烯/丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物中至少1種樹脂，基底樹脂係選自聚丙烯、聚乙烯及其他特定樹脂中至少1種樹脂。

Description

半導體加工用黏著片
本發明係關於一種半導體加工用黏著片。
更詳細而言，本發明係關於一種適於在將半導體晶圓切割成晶片時等固定保持半導體晶圓之切割用黏著帶及半導體封裝加工所使用之切割用黏著帶。尤其是關於適宜用於高密度構裝半導體封裝加工用途之切割用黏著帶。
切割用黏著帶係於將形成有電路圖案之半導體晶圓分離成晶片狀之切割步驟時保護、固定晶圓者。半導體晶圓被固定於黏著帶之後，藉由被稱為切割刀之旋轉刀進行切割而成為分離成晶片狀之半導體晶片。於拾取步驟之前，半導體晶片由黏著帶所保持。
其後，於利用樹脂將多個半導體晶片一次成型並個別地分離而形成各半導體封裝之情形時，貼附至切割帶進行固定，並藉由被稱為切割刀之旋轉刀進行切割。於如此經樹脂一次密封之封裝之切割步驟中，切斷時之負荷較大，而且封裝樹脂含有脫模劑且其樹脂表面亦具有含有微小凹凸之構造。因此，關於該半導體加工用黏著帶所使用之黏著劑，為了可牢固地保持封裝，不產生切割時封裝未得到保持而飛散(以下，稱為「封 裝飛散」)等不良情況，而使用柔軟之黏著劑。
然而，因使用此種柔軟之黏著劑，而產生因切割導致黏著劑附著於封裝側面或蓋印至封裝之雷射記號剝落之問題。
為了減少此種封裝飛散，業界自先前以來進行了研究。
例如，提出有於黏著劑層使用(甲基)丙烯酸酯之黏著帶(參照專利文獻1)。
然而，因近年來封裝越來越小型化，而封裝所保持在黏著帶上之面積變小，更容易產生封裝飛散。因此，僅改良黏著劑並不足以抑制封裝飛散。
又，為了抑制半導體晶圓之振動，提出有藉由在黏著片之基材面置入彈性體而抑制切割時之碎片(chipping)(參照專利文獻2)。如此般，藉由不僅使黏著劑柔軟亦使基材側柔軟，可提高與封裝之密合性，因此較佳。另一方面，市場上封裝之小尺寸化正在發展，先前之利用銷頂起之拾取方法變得拾取非常耗時。因此，目前藉由利用鑷子等刮擦黏著帶之背面使黏著帶彎曲而使封裝瞬間掉落(以下，稱為刮落)，藉此進行拾取。
然而，若於黏著片之基材面置入彈性體而使基材側柔軟，則因柔軟之緣故反而存在如下課題：即便因刮落使黏著帶彎曲，封裝亦不掉落，因此刮落並不順利。
[專利文獻1]日本特開2007-100064號公報
[專利文獻2]日本特開2009-170886號公報
本發明欲解決如上所述之伴隨先前技術之問題，其課題在於提供一種減少切割時所產生之封裝飛散之產生且於切割後即便利用刮落等之拾取亦可迅速且確實地自黏著帶剝離的半導體加工用黏著片。
本發明人等進行了努力研究，對苯乙烯系共聚物相對於基底樹脂之含量及黏著片之5%模數進行了詳細研究，結果發現關鍵在於苯乙烯系共聚物含量較少，且損耗係數之值較低，從而完成了本發明。
即，本發明之上述課題係藉由以下手段解決。
[1]一種半導體加工用黏著片，係於基材膜上具有黏著劑層者，其特徵在於：上述基材膜之5%模數為7.0~20.0MPa，上述基材膜為1層，且相對於基底樹脂100質量份含有苯乙烯系嵌段共聚物5~39質量份，上述苯乙烯系嵌段共聚物係選自苯乙烯-氫化異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-氫化丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物及苯乙烯-氫化異戊二烯/丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物中至少1種樹脂，上述基底樹脂係選自聚丙烯、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、直鏈低密度聚乙烯、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基) 丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚苯乙烯、聚胺酯(polyurethane)、聚醯胺、離子聚合物、腈橡膠、丁基橡膠、苯乙烯異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、天然橡膠及其氫化物或改質物中至少1種樹脂。
[2]如[1]所記載之半導體加工用黏著片，其中，上述基底樹脂為聚丙烯。
[3]如[1]或[2]所記載之半導體加工用黏著片，其中，形成上述黏著劑層之黏著劑為丙烯酸系黏著劑。
[4]如[1]至[3]中任一項所記載之半導體加工用黏著片，其中，上述苯乙烯系嵌段共聚物相對於基底樹脂100質量份為10~35質量份。
[5]如[1]至[4]中任一項所記載之半導體加工用黏著片，其用於半導體封裝之切割。
於本發明中，稱為丙烯酸系之情形亦包括甲基丙烯酸系。
又，為了使丙烯酸系更明確，如(甲基)丙烯酸系般，「(甲基)」之括弧部分意指該部分可有可無，例如，(甲基)丙烯酸系為丙烯酸系、甲基丙烯酸系或包含該等之情形均可。
根據本發明，能夠提供一種減少切割時所產生之封裝飛散之產生且於切割後即便利用刮落等之拾取亦可迅速且確實地自黏著帶剝離的半導體加工用黏著片。
本發明之上述及其他特徵及優點係參照適當添加之圖式，由下述記載進一步闡明。
1‧‧‧基材膜
2‧‧‧黏著劑層
11‧‧‧固持器
12‧‧‧半導體加工用黏著片
13‧‧‧半導體晶圓
14‧‧‧半導體晶片
15‧‧‧實線箭頭方向
16‧‧‧擴張器
17‧‧‧虛線箭頭方向
圖1係表示本發明之半導體加工用黏著片之一實施形態之剖面圖。
圖2係對半導體晶圓之切割步驟及拾取步驟進行說明之剖面圖。
圖3係對半導體晶圓之切割步驟及拾取步驟進行說明之剖面圖。
圖4係對半導體晶圓之切割步驟及拾取步驟進行說明之剖面圖。
圖5係對半導體晶圓之切割步驟及拾取步驟進行說明之剖面圖。
以下，對本發明之半導體加工用黏著片進行詳細說明。
<<半導體加工用黏著片>>
如圖1中示意性地表示之概略剖面圖般，本發明之半導體加工用黏著片12於基材膜1上之至少一面具有黏著劑層2。
首先，自基材膜依序進行說明。
<基材膜>
於本發明中，基材膜並非積層有多個樹脂膜之積層體，而由1層、即單一之樹脂膜構成。
構成基材膜之樹脂並非單一之樹脂，而由基底樹脂與至少苯乙烯系嵌段共聚物構成。
(苯乙烯系嵌段共聚物)
苯乙烯系嵌段共聚物為彈性體，其亦被稱為苯乙烯系熱塑性彈性體或苯乙烯系彈性體。
苯乙烯系嵌段共聚物較佳為由硬鏈段(hard segment)之聚苯乙烯及軟鏈段(soft segment)構成之苯乙烯嵌段共聚物，作為軟鏈段，例如可列舉：聚丁二烯、聚異丁烯、聚異戊二烯、氫化聚丁二烯(即乙烯/丙烯)、氫化聚異丁烯(即乙烯/丁烯)、氫化異戊二烯/丁二烯(即乙烯-乙烯/丙烯)、丁二烯橡膠、環氧化聚丁二烯等。
藉由使用苯乙烯系嵌段共聚物，基材膜變柔軟，可提高與半導體封裝之密合性。又，變得容易進行延伸。
其中，於本發明中，使用選自苯乙烯-氫化異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-氫化丁二烯-苯乙烯共聚物(SEBS)及苯乙烯-氫化異戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物(SEEPS)中至少1種樹脂。
此處，於苯乙烯系嵌段共聚物中，「-」意指以嵌段單位(1個嵌段)連結，「/」意指成為1個重複單位且其成為嵌段單位(1個嵌段)。
苯乙烯系嵌段共聚物可使用1種亦可併用數種。
苯乙烯系嵌段共聚物係與基底樹脂一併使用，本發明中，相對於基底樹脂100質量份含有5~39質量份，較佳為10~35質量份。
若苯乙烯系嵌段共聚物之含量未達5質量份，則基材膜變剛直，無法提高與半導體封裝之密合性。反之，若超過39質量份，則即便藉由刮落使半導體加工用黏著片彎曲，封裝亦不掉落，因此刮落並不順利。
(基底樹脂)
於本發明中，基底樹脂為苯乙烯系嵌段共聚物以外之樹脂。
作為基底樹脂，較佳為熱塑性樹脂，更佳為基材膜之耐水性及耐熱性 優異者，尤佳為合成樹脂膜。
作為熱塑性樹脂，可列舉：聚烯烴樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯胺樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、熱塑性聚醯胺醯亞胺樹脂、聚胺酯樹脂、脲樹脂、聚酯樹脂、液晶聚酯樹脂、聚縮醛樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯醚(polyphenylene ether)(包含改質聚苯醚)樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚醚酮(包含改質聚醚醚酮)樹脂、聚醚酮樹脂、聚芳基醚酮樹脂、聚芳酯樹脂、氟系樹脂、聚伸苯醚(polyphenylene oxide)樹脂、聚乳酸、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、苯氧基樹脂、矽樹脂等。
熱塑性樹脂中，尤佳為聚烯烴樹脂。
再者，熱塑性樹脂可進行酸改質等改質，可為結晶性亦可為非晶性。
其中，於本發明中，使用選自聚丙烯、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、直鏈低密度聚乙烯、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚苯乙烯、聚胺酯、聚醯胺、離子聚合物、腈橡膠、丁基橡膠、苯乙烯異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、天然橡膠及其氫化物或改質物中至少1種樹脂。
(聚烯烴樹脂)
聚烯烴樹脂為使至少1種烯烴聚合而成之聚烯烴樹脂，可為均聚物亦可為共聚物。
作為此種烯烴，例如可列舉：乙烯、丙烯、包含異丁烯、異丁烯(1- 丁烯)之碳原子數4~12之α-烯烴、丁二烯、異戊二烯、(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯醯胺、乙烯醇、乙酸乙烯酯、氯乙烯、苯乙烯、丙烯腈等。
再者，作為碳原子數4~12之α-烯烴，例如可列舉：1-丁烯、2-甲基-1-丙烯、2-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、2-乙基-1-丁烯、2,3-二甲基-1-丁烯、2-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、3,3-二甲基-1-丁烯、1-庚烯、甲基-1-己烯、二甲基-1-戊烯、乙基-1-戊烯、三甲基-1-丁烯、甲基乙基-1-丁烯、1-辛烯、甲基-1-戊烯、乙基-1-己烯、二甲基-1-己烯、丙基-1-庚烯、甲基乙基-1-庚烯、三甲基-1-戊烯、丙基-1-戊烯、二乙基-1-丁烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十一烯、1-十二烯等。
作為聚烯烴樹脂，例如可列舉：聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚異丁烯樹脂、聚異丁烯樹脂、聚異戊二烯樹脂、聚丁二烯樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂(所謂之烯丙樹脂)、聚氯乙烯樹脂等乙烯基樹脂、聚(甲基)丙烯醯胺樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚合樹脂(ABS樹脂)、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物等。
該等樹脂之中，較佳為聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚合樹脂(ABS樹脂)，尤佳為聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂。
作為聚乙烯樹脂，可列舉乙烯均聚物、乙烯-α-烯烴共聚物等。作為α-烯烴，較佳為1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯。
作為乙烯-α-烯烴共聚物，例如可列舉：乙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-1-戊烯共聚物、乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-1-辛烯共 聚物等。
再者，於以密度或形狀進行分類之情形時，可為高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、超低密度聚乙烯(VLDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、超高分子量聚乙烯(UHMW-PE)之任一者。
作為聚丙烯樹脂，可列舉：丙烯均聚物、丙烯-乙烯無規共聚物、丙烯-α-烯烴無規共聚物、丙烯-乙烯-α-烯烴共聚物、丙烯嵌段共聚物(由丙烯均聚物成分或主要由丙烯構成之共聚物成分、及使選自乙烯及α-烯烴中之單體之至少1種與丙烯共聚合而獲得之共聚物所構成)等。該等聚丙烯樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
用於聚丙烯樹脂之α-烯烴較佳為1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、1-辛烯、1-癸烯，更佳為1-丁烯、1-己烯、1-辛烯。
作為丙烯-α-烯烴無規共聚物，例如可列舉：丙烯-1-丁烯無規共聚物、丙烯-1-己烯無規共聚物、丙烯-1-辛烯無規共聚物等。
作為丙烯-乙烯-α-烯烴共聚物，例如可列舉：丙烯-乙烯-1-丁烯共聚物、丙烯-乙烯-1-己烯共聚物、丙烯-乙烯-1-辛烯共聚物等。
作為丙烯嵌段共聚物，例如可列舉：(丙烯)-(丙烯-乙烯)共聚物、(丙烯)-(丙烯-乙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯)-(丙烯-乙烯-1-己烯)共聚物、(丙烯)-(丙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯)-(丙烯-1-己烯)共聚物、(丙烯-乙烯)-(丙烯-乙烯)共聚物、(丙烯-乙烯)-(丙烯-乙烯 -1-丁烯)共聚物、(丙烯-乙烯)-(丙烯-乙烯-1-己烯)共聚物、(丙烯-乙烯)-(丙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯-乙烯)-(丙烯-1-己烯)共聚物、(丙烯-1-丁烯)-(丙烯-乙烯)共聚物、(丙烯-1-丁烯)-(丙烯-乙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯-1-丁烯)-(丙烯-乙烯-1-己烯)共聚物、(丙烯-1-丁烯)-(丙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯-1-丁烯)-(丙烯-1-己烯)共聚物等。
該等聚丙烯樹脂之中，較佳為丙烯均聚物、丙烯-乙烯無規共聚物、丙烯-1-丁烯無規共聚物、丙烯-乙烯-1-丁烯共聚物、丙烯嵌段共聚物。
聚丙烯樹脂之結晶性以熔解溫度(熔點)或立體規則性之方式加以要求，並根據對本發明之聚烯烴樹脂組成物所要求之品質、或對將其成形而獲得之成形品所要求之品質相應地進行調整。
再者，立體規則性被稱為同排指數(isotactic index)、對排指數(syndiotactic index)。
同排指數係以Macromolecules，第8卷，687頁(1975年)所記載之13C-NMR法求出。具體而言，以13C-NMR光譜之甲基之碳區域之總吸收峰中mmmm峰之面積分率之形式求出聚丙烯樹脂之同排指數。
同排指數較高者之結晶性較高，較佳為0.96以上，更佳為0.97以上，進而較佳為0.98以上。
另一方面，對排指數係利用J.Am.Chem.Soc.，110，6255(1988)或Angew.Chem.Int.Ed.Engl.，1955，34，1143-1170中所記載之方法求出，對排指數較高者之結晶性較高。
作為乙烯基樹脂，例如可列舉：氯乙烯樹脂〔氯乙烯單體之均聚物(聚氯乙烯樹脂等)、氯乙烯單體與其他單體之共聚物(氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等)等〕、乙烯醇樹脂(聚乙烯醇等均聚物、乙烯-乙烯醇共聚物等共聚物等)、聚乙烯甲醛等聚乙烯縮醛樹脂等。該等乙烯系樹脂可單獨使用，或者亦可將2種以上組合而使用。
聚烯烴樹脂之熔融流動速率(MFR)通常為0.01~400g/10min，就提高機械強度或生產穩定性之觀點而言，較佳為1~400g/10min，更佳為1~100g/10min，進而較佳為1~50g/10min。
再者，於本發明中，熔融流動速率(MFR)係依據.JIS K7210於190℃、2.16kg負荷下每10分鐘流出之聚合物之質量(g/10min)。
於本發明中，基底樹脂尤佳為聚丙烯。
亦可對基材膜之與黏著劑層相接之面實施電暈處理或者設置底塗層等其他層以提高密合性。
基材膜之厚度並無特別限制，較佳為70~300μm，更佳為100~200μm，進而較佳為100~250μm，尤佳為100~150μm。
又，於本發明中，超過100μm者亦較佳，於該情形時，較佳為超過100μm且為300μm以下，更佳為110~300μm，進而較佳為110~250μm，尤佳為110~200μm。
<基材膜之5%模數>
於本發明中，基材膜之5%模數為7.0~20.0MPa。
基材膜之5%模數較佳為7.0~15.0MPa，更佳為超過7.0MPa且為15.0 MPa以下，進而較佳為超過8.0MPa且為15.0MPa以下，尤佳為8.5~15.0MPa，最佳為10.0~15.0MPa。
若基材膜之5%模數未達7.0MPa，則由於基材膜較柔軟，故而於晶片之刮落時力不傳遞導致晶片殘留於半導體加工用黏著片上，若超過20.0MPa，則由於基材膜過於剛直，故而對半導體封裝之貼附性變差，於切割時產生封裝飛散。
5%模數係藉由依據JIS K 7127/2/300，測定5%應變時之應力而獲得。
於本發明中，於MD方向及TD方向各測定5次，並將平均該等測定值之全部所得之值設為5%模數之值。
為了將5%模數設為上述範圍，可根據基底樹脂、苯乙烯系嵌段共聚物之種類及摻合量進行調整。
<黏著劑、黏著劑層>
黏著劑層可藉由先前以來公知之各種黏著劑來形成。作為此種黏著劑，並無任何限定，例如可使用將橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、聚乙烯醚系等作為基礎聚合物之黏著劑。
於本發明中，較佳為丙烯酸系黏著劑。
為了對該等基礎聚合物附加凝聚力，可摻合交聯劑。
作為交聯劑，對應於基礎聚合物，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺樹脂等。進而可於無損本發明之目的之範圍內，視需要於黏著劑中含有各種添加成分。
又，亦可使用放射線硬化型或加熱發泡型黏著劑。
作為放射線硬化型黏著劑，可使用利用紫外線、電子束等進行硬化且剝離時容易剝離之黏著劑。又，作為加熱發泡型黏著劑，可使用藉由加熱且藉由發泡劑或膨脹劑而容易剝離之黏著劑。進而，作為黏著劑，亦可為能夠切晶-黏晶兼用之接著劑。作為放射線硬化型黏著劑，例如可較佳地使用日本特公平1-56112號公報、日本特開平7-135189號公報等所記載者，但並不限定於該等。於本發明中，較佳為使用紫外線硬化型黏著劑。於該情形時，只要具有藉由放射線進行硬化並三維網狀化之性質即可，例如使用對通常之橡膠系或丙烯酸系感壓性基礎樹脂(聚合物)摻合分子中具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵之低分子量化合物(以下，稱為光聚合性化合物)及光聚合起始劑而成者。
上述橡膠系或丙烯酸系基礎樹脂使用天然橡膠、各種合成橡膠等橡膠系聚合物、或聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯與能夠和其進行共聚合之其他不飽和單體之共聚合物等丙烯酸系聚合物。
又，藉由向上述黏著劑中混合異氰酸酯系硬化劑，可將初始之接著力設定為任意值。作為此種硬化劑，具體而言係使用多元異氰酸酯化合物、例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二苯甲烷-2,4'-二異氰酸酯、3-甲基二苯甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、離胺酸異氰酸酯等。
為紫外線硬化型黏著劑之情形時，藉由在黏著劑中混入光聚 合起始劑，可減少利用紫外線照射之聚合硬化時間以及紫外線照射量。
作為此種光聚合起始劑，具體而言，可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、苄基二苯硫醚、一硫化四甲胺硫甲醯基(tetramethylthiuram monosulfide)、偶氮二異丁腈、聯苄、二乙醯、β-氯蒽醌(β-chloro-anthraquinone)等。
丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之質量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬以上，進而較佳為25萬以上，尤佳為30萬以上，最佳為40萬以上。質量平均分子量之上限較佳為200萬以下，更佳為150萬以下，進而較佳為100萬以下，尤佳為80萬以下。
於本發明中，例如列舉10萬~200萬作為較佳之範圍，列舉25萬~200萬作為更佳之範圍。若示出其他範圍例，則例如亦可列舉20萬~150萬之範圍。
質量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法(GPC)進行標準聚苯乙烯換算而得者。
黏著劑層之厚度並無特別限制，較佳為4~30μm，尤佳為5~25μm。
可將半導體晶圓貼合於本發明之半導體加工用黏著片，並藉由常規方法進行如圖2~5所示之晶圓之切割及拾取。於使用本發明之半導體加工用黏著片之半導體晶圓之加工方法中，不切入至基材膜可減小切割刀之切削阻力，順利地進行半導體晶圓切削並減少碎片，因此較佳。為了不使切口到達基材膜，例如只要依據手冊適當變更所使用之切割裝置之切入深度之設定即可。
用於本發明之裸晶圓並無特別限定，可自先前所使用之任意裸晶圓中適當選擇而使用。
[實施例]
以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於此。
<基材膜之製造>
1)基材膜A
將苯乙烯-氫化異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)(商品名：Septon KF-2104、Kuraray股份有限公司製造)與均丙烯(PP)(商品名：J-105G、宇部興產股份有限公司製造)以下述表1所示之摻合比進行混合，並利用雙軸混練機於約200℃藉由膜擠出成形而進行加工，從而製造厚度150μm之基材膜A。
2)基材膜B
將苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)(商品名：Hybrar5127、Kuraray股份有限公司製造)與均丙烯(PP)(商品名：J-105G、宇部興產股份有限公司製造)以下述表1所示之摻合比進行混合，並利用雙軸混練機於約200℃藉由膜擠出成形而進行加工，從而製造厚度150μm之基材膜B。
3)基材膜C
將苯乙烯-氫化丁二烯-苯乙烯共聚物(SEBS)(商品名：Septon 8104、Kuraray股份有限公司製造)與均丙烯(PP)(商品名：J-105G、宇部興產股份有限公司製造)以下述表1所示之摻合比進行混合，並利用雙軸混練 機於約200℃藉由膜擠出成形而進行加工，從而製造厚度150μm之基材膜C。
4)基材膜D
將苯乙烯-氫化異戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物(SEEPS)(商品名：Septon 4033、Kuraray股份有限公司製造)與均丙烯(PP)(商品名：J-105G、宇部興產股份有限公司製造)以下述表1所示之摻合比進行混合，並利用雙軸混練機於約200℃藉由膜擠出成形而進行加工，從而製造厚度150μm之基材膜D。
<黏著劑之製備>
向丙烯酸系基礎聚合物(由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯構成之共聚物、質量平均分子量40萬、玻璃轉移溫度：-35℃)100質量份添加聚異氰酸酯化合物(商品名：Coronate L、Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)3質量份、作為具有光聚合性碳-碳雙鍵之化合物之四羥甲基甲烷四丙烯酸酯50質量份、作為光聚合起始劑之α-羥基環己基苯基酮1質量份並進行混合，而獲得黏著劑。
實施例1~3及比較例1
於上述基材膜A之一表面將上述黏著劑塗佈成厚度20μm而形成黏著劑層，從而製造實施例1~3及比較例1之各半導體加工用黏著片。
實施例4
除使用上述基材膜B以外，以與實施例1相同之方式製造半導體加工用黏著片。
實施例5
除使用上述基材膜C以外，以與實施例1相同之方式製造半導體加工用黏著片。
實施例6
除使用上述基材膜D以外，以與實施例1相同之方式製造半導體加工用黏著片。
以如下所述之方式對該等各半導體加工用黏著片進行5%模數、封裝飛散及拾取成功率之評價。
(5%模數)
使用各基材膜依據JIS K7127/2/300製作試片並測定5%模數。對各試片於MD方向及TD方向各測定5次，並將平均該等測定值之全部所得之值設為試驗結果。
(封裝飛散)
將QFN封裝(60mm×150mm、厚度0.95mm)貼合於各半導體加工用黏著片。藉由切片機(DISCO股份有限公司製造、DFD6340)於刀片轉數20000rpm、切削速度30mm/min、對黏著片之切入量60μm之條件下以成為晶片尺寸1mm×1mm之方式進行切割。
切割後，按以下評價基準進行評價。
評價基準
○：晶片均殘留於半導體加工用黏著片上
×：1片以上之晶片飛散
(拾取成功率)
利用以下2種方法進行評價。
(1)利用刮落進行之評價
於切割後進行紫外線照射(200mJ/cm2)，並利用鑷子刮擦半導體加工用黏著片之背面而使晶片掉落。
(2)利用超音波進行之評價
於切割後進行紫外線照射(200mJ/cm2)，並使半導體加工用黏著片之背面接觸超音波振盪端子而使晶片掉落。
將所獲得之結果彙總示於下述表1。
再者，表中之空白意指未使用。
Figure TW201800463AD00001
根據上述表1，實施例1~6之半導體加工用黏著片均為5%模數之值在7.0~20.0MPa之範圍，未產生封裝飛散，且利用刮落及超音波振盪端子進行之拾取亦良好。
相對於此，比較例1之半導體加工用黏著片之彈性體成分較多，5%模數之值變小，結果雖然未產生封裝飛散，但尤其於利用刮落進行之拾取時，刮擦半導體加工用黏著片之力未良好地傳遞，導致晶片殘留於半導體加工 用黏著片上。
另一方面，比較例2之半導體加工用黏著片之彈性體成分較少，5%模數之值變小，結果損耗係數變低，結果對半導體封裝之貼附性變差，導致產生封裝飛散。
對本發明與其實施態樣一併進行了說明，只要本發明人等未特別加以指定，則認為未意圖將本發明人等之發明限定於說明之任一細節，應不違反隨附之申請專利範圍所示之發明之精神及範圍地進行範圍廣泛之解釋。
本案主張基於2016年3月31日於日本提出專利申請之日本特願2016-073264之優先權，於本文中參照該特願並將其內容併入為本說明書之記載之一部分。
1‧‧‧基材膜
2‧‧‧黏著劑層
12‧‧‧半導體加工用黏著片

Claims (5)

  1. 一種半導體加工用黏著片，係於基材膜上具有黏著劑層者，其特徵在於：上述基材膜之5%模數為7.0~20.0MPa，上述基材膜為1層，且相對於基底樹脂100質量份含有苯乙烯系嵌段共聚物5~39質量份，上述苯乙烯系嵌段共聚物係選自苯乙烯-氫化異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-氫化丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物及苯乙烯-氫化異戊二烯/丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物中至少1種樹脂，且上述基底樹脂係選自聚丙烯、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、直鏈低密度聚乙烯、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚苯乙烯、聚胺酯(polyurethane)、聚醯胺、離子聚合物、腈橡膠、丁基橡膠、苯乙烯異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、天然橡膠及其氫化物或改質物中至少1種樹脂。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體加工用黏著片，其中，上述基底樹脂為聚丙烯。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體加工用黏著片，其中，形成上述黏著劑層之黏著劑為丙烯酸系黏著劑。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體加工用黏著片，其中，上述苯乙烯系嵌段共聚物相對於基底樹脂100質量份為10~35質量份。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體加工用黏著片，其用於半導體封裝之切割。
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