TW201740396A

TW201740396A - 透光性導電膜及調光膜

Info

Publication number: TW201740396A
Application number: TW105136518A
Authority: TW
Inventors: Nozomi Fujino; Tomotake Nashiki
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2015-11-09
Filing date: 2016-11-09
Publication date: 2017-11-16
Also published as: KR20180081048A; EP3376508A4; JP6412539B2; EP3376508A1; JP2019033088A; CN108352217B; JP2018081928A; KR102618086B1; JP6637528B2; JP6530118B2; JP2019025915A; JP6637565B2; US10720264B2; US20190122784A1; CN108352217A; JP2017092033A; TWI716486B

Abstract

本發明之透光性導電膜係具備透光性基材、及非晶質透光性導電層者，於將非晶質透光性導電層之載子密度設為Xa×1019(/cm3)、霍爾移動率設為Ya(cm2/V・s)，將對非晶質透光性導電層進行加熱處理後之被加熱透光性導電層之載子密度設為Xc×1019(/cm3)、霍爾移動率設為Yc(cm2/V・s)，且將移動距離L設為{(Xc－Xa)2＋(Yc－Ya)2}1/2時，滿足下述(1)～(3)之條件。 (1)Xa≦Xc、 (2)Ya≧Yc、 (3)上述移動距離L為1.0以上且45.0以下。

Description

透光性導電膜及調光膜

本發明係關於一種透光性導電膜、及使用其之調光膜。

近年來，就製冷供暖負荷之減少或設計性等而言，以智慧型窗等為代表之調光元件之需求增加。調光元件用於建築物或交通工具之窗玻璃、間壁、內飾等各種用途。作為調光元件，例如於專利文獻1中提出有如下調光膜，該調光膜具備2個透明導電性樹脂基材、及夾於2個透明導電性樹脂基材之調光層，調光層包含樹脂基體及光調整懸浮液，且透明導電性樹脂基材之厚度為20～80 μm(例如參照專利文獻1)。專利文獻1之調光膜藉由施加電場而調整通過調光層之光之吸收、散射，藉此能夠進行調光。對此種調光膜之透明導電性樹脂基材採用使包含銦錫複合氧化物(ITO)之透明電極積層於聚酯膜等支持基材所得之膜。先前技術文獻專利文獻專利文獻1：WO2008/075773

[發明所欲解決之問題] 且說，於透明電極中使用之ITO層等導電性金屬氧化物層因其形成過程而具有晶體結構或非晶質結構(amorphous)。例如於藉由濺鍍等將導電性金屬氧化物層形成於支持基材之情形時，形成非晶質之導電性金屬氧化物層。該非晶質之導電性金屬氧化物可藉由熱而轉化為晶體結構。一般而言，於透明電極，使用表面電阻值較低之結晶性之導電性金屬氧化物層。然而，結晶性之導電性金屬氧化物層存在耐龜裂性或耐擦傷性較差之不良情況。尤其是，調光膜多數情況下因其用途而用作大面積之膜，於其成形或加工、搬運之過程中，產生龜裂或損傷之可能性較高。因此，對於調光膜，非晶質性之導電性金屬氧化物層之要求較高。然而，若將此種非晶質性之導電性金屬氧化物用作調光膜之透明電極，則由於暴露於外部大氣或日光，故而因熱導致局部或全面地自然轉化為結晶性之導電性金屬氧化物，從而表面電阻變化。其結果，有於調光膜面內產生表面電阻之不均而使調光產生不均之虞。本發明之目的在於提供一種耐龜裂性及熱穩定性優異之透光性導電膜及調光膜。 [解決問題之技術手段] 本發明[1]包含一種透光性導電膜，其係具備透光性基材、及非晶質透光性導電層者，於將上述非晶質透光性導電層之載子密度設為Xa×10¹⁹ (/cm³ )、霍爾移動率設為Ya(cm² /V・s)，將對上述非晶質透光性導電層進行加熱處理後之被加熱透光性導電層之載子密度設為Xc×10¹⁹ (/cm³ )、霍爾移動率設為Yc(cm² /V・s)，且將移動距離L設為{(Xc－Xa)² ＋(Yc－Ya)² }^1/2 時，滿足下述(1)～(3)之條件。 (1)Xa≦Xc (2)Ya≧Yc (3)上述移動距離L為1.0以上且45.0以下。本發明[2]包含如[1]之透光性導電膜，其中Xc相對於Xa之比(Xc/Xa)為1.05以上且1.80以下。本發明[3]包含如[1]或[2]之透光性導電膜，其中上述被加熱透光性導電層為非晶質。本發明[4]包含如[1]至[3]中任一項之透光性導電膜，其中上述非晶質透光性導電層含有銦系導電性氧化物。本發明[5]包含一種調光膜，其依序具備第1透光性導電膜、調光功能層、及第2透光性導電膜，並且上述第1透光性導電膜及/或上述第2透光性導電膜係如[1]至[4]中任一項之透光性導電膜。 [發明之效果] 本發明之透光性導電膜由於具備透光性基材、及非晶質透光性導電層，故而耐龜裂性優異。又，由於非晶質透光性導電層滿足特定條件，故而能夠抑制因熱導致之透光性導電層之電阻率變化，從而熱穩定性優異。又，本發明之調光膜由於耐龜裂性優異，故而加工性或搬運性良好。又，由於熱穩定性優異，故而能夠長期減少調光之不均。

於圖1中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向、第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側、第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。於圖1中，紙面左右方向為左右方向(寬度方向、與第1方向正交之第2方向)，紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。於圖1中，紙厚方向為前後方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面近前側為前側(第3方向一側)，紙面裏側為後側(第3方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。 1.透光性導電膜如圖1所示，透光性導電膜1之一實施形態形成具有特定厚度之膜形狀(包括片形狀)，於與厚度方向正交之特定方向(前後方向及左右方向、即面方向)延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面(2個主面)。透光性導電膜1例如為調光膜4(於下文敍述，參照圖2)等之一個零件，即，並非調光裝置(於下文敍述)。即，透光性導電膜1係用以製作調光膜4等之零件，不包含調光功能層5等，而為單獨以零件流通從而於產業上可利用之器件。具體而言，透光性導電膜1依序具備透光性基材2、及非晶質透光性導電層3。即，透光性導電膜1具備透光性基材2、及配置於透光性基材2之上側之非晶質透光性導電層3。較佳為，透光性導電膜1僅由透光性基材2、及非晶質透光性導電層3構成。以下，對各層進行詳細敍述。 2.透光性基材透光性基材2係透光性導電膜1之最下層，且係確保透光性導電膜1之機械強度之支持材料。透光性基材2具有膜形狀(包括片形狀)。透光性基材2例如包含有機膜、例如玻璃板等無機板。透光性基材2較佳為包含有機膜，更佳為包含高分子膜。有機膜含有水或有機氣體，故而能夠抑制非晶質透光性導電層3之因加熱導致之結晶化，從而進一步維持非晶質性。高分子膜具有透光性。作為高分子膜之材料，可列舉例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)、例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物等烯烴樹脂、例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂、降烯樹脂等。該等高分子膜可單獨使用或併用2種以上。就透光性、耐熱性、機械特性等觀點而言，較佳為列舉聚酯樹脂，更佳為列舉PET。透光性基材2之厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，更佳為40 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下。透光性基材2之厚度例如可使用膜厚計進行測定。亦可於透光性基材2之下表面具備隔離件等。 3.非晶質透光性導電層非晶質透光性導電層3係非晶質之透光性導電層，且係視需要可於後續步驟中藉由蝕刻而圖案化之導電層。非晶質透光性導電層3具有膜形狀(包括片形狀)，以與透光性基材2之上表面接觸之方式配置於透光性基材2之整個上表面。作為非晶質透光性導電層3之材料，可列舉例如包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬的金屬氧化物。於金屬氧化物中，視需要亦可進而摻雜上述群中所示之金屬原子。作為非晶質透光性導電層3，可列舉例如銦錫複合氧化物(ITO)等銦系導電性氧化物、例如銻錫複合氧化物(ATO)等銻系導電性氧化物等。就使表面電阻降低之觀點、及確保優異之透光性之觀點而言，非晶質透光性導電層3含有銦系導電性氧化物，更佳為含有銦錫複合氧化物(ITO)。即，非晶質透光性導電層3較佳為銦系導電性氧化物層，更佳為ITO層。藉此，電阻較低，透光性優異。於使用ITO作為非晶質透光性導電層3之材料之情形時，氧化錫(SnO₂ )之含量相對於氧化錫及氧化銦(In₂ O₃ )之合計量例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為8質量%以上，又，例如為25質量%以下，較佳為15質量%以下，更佳為13質量%以下。藉由將氧化錫之含量設為上述下限以上，能夠實現非晶質透光性導電層3之低表面電阻值(例如150 Ω/□以下)，並且更確實地抑制轉換為結晶質。又，藉由將氧化錫之含量設為上述上限以下，能夠使透光性或表面電阻之穩定性提高。本說明書中之「ITO」只要為至少包含銦(In)及錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可包含除該等以外之追加成分。作為追加成分，可列舉例如除In、Sn以外之金屬元素，具體而言可列舉Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。非晶質透光性導電層3為非晶質(amorphous)之透光性導電層，較佳為非晶質ITO層。藉此，耐龜裂性、耐擦傷性優異。例如於非晶質透光性導電層3為ITO層之情形時，可藉由將其於20℃之鹽酸(濃度5質量%)中浸漬15分鐘後進行水洗、乾燥並測定15 mm左右之間之端子間電阻，而判斷非晶質透光性導電層3為非晶質之情況。於本說明書中，於將透光性導電膜1於鹽酸(20℃、濃度：5質量%)中浸漬、水洗、乾燥後，透光性導電層中之15 mm間之端子間電阻為10 kΩ以上之情形時，透光性導電層為非晶質。非晶質透光性導電層3較佳為含有雜質元素。作為雜質元素，可列舉源自於形成非晶質透光性導電層3時使用之濺鍍氣體之元素(例如Ar元素)、源自透光性基材2中所含有之水或有機氣體之元素(例如H元素、C元素)。藉由含有該等，能夠使非晶質透光性導電層3之非晶質性進一步提高。具體而言，非晶質透光性導電層3中所含有之Ar元素之含量例如為0.2原子%以上，較佳為0.3原子%以上，又，例如為0.5原子%以下，較佳為0.4原子%以下。藉由將Ar元素量設為上述下限以上，能夠進一步容易地維持非晶質透光性導電層3之非晶質性。另一方面，藉由將Ar元素量設為上述上限以下，能夠使非晶質透光性導電層3之電阻變化率進一步穩定。再者，Ar元素等雜質元素之含量可藉由調整濺鍍之條件、例如濺鍍電源、磁場強度、氣壓等而較佳地進行調整。非晶質透光性導電層3之厚度例如為10 nm以上，較佳為30 nm以上，更佳為50 nm以上，又，例如為200 nm以下，較佳為150 nm以下，更佳為100 nm以下。非晶質透光性導電層3之厚度例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡之剖面觀察而進行測定。 4.透光性導電膜之製造方法接下來，對製造透光性導電膜1之方法進行說明。透光性導電膜1係藉由準備透光性基材2並將非晶質透光性導電層3形成於透光性基材2之表面而獲得。例如，藉由乾式將非晶質透光性導電層3配置(積層)於透光性基材2之上表面。作為乾式，可列舉例如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳為列舉濺鍍法。濺鍍法係將靶及被接著體(透光性基材2)對向配置於真空裝置之腔室內，一面供給氣體，一面施加電壓，藉此使氣體離子加速並照射至靶，將靶材料自靶表面濺出而使該靶材料積層於被接著體表面。作為濺鍍法，可列舉例如2極濺鍍法、ECR(電子回旋共振)濺鍍法、磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等。較佳為列舉磁控濺鍍法。用於濺鍍法之電源例如亦可為直流(DC)電源、交流中頻(AC/MF)電源、高頻(RF)電源、重疊有直流電源之高頻電源中之任一者。作為靶，可列舉構成非晶質透光性導電層3之上述金屬氧化物。例如於使用ITO作為非晶質透光性導電層3之材料之情形時，使用包含ITO之靶。靶中之氧化錫(SnO₂ )含量相對於氧化錫及氧化銦(In₂ O₃ )之合計量例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為8質量%以上，又，例如為25質量%以下，較佳為15質量%以下，更佳為13質量%以下。就成膜速度、對非晶質透光性導電層3之雜質之混入等觀點而言，靶表面之水平磁場之強度例如為10 mT以上且200 mT以下。濺鍍時之放電氣壓例如為1.0 Pa以下，較佳為0.5 Pa以下，又，例如為0.01 Pa以上。就維持非晶質透光性導電層3之非晶質性之觀點而言，濺鍍時之透光性基材2之溫度例如為180℃以下，較佳為90℃以下。若透光性基材2之溫度超過上述範圍，則有無法獲得非晶質透光性導電層3而與濺鍍同時轉化為結晶質之虞。作為於濺鍍法中使用之氣體，可列舉例如Ar等惰性氣體。又，於該方法中，併用氧氣等反應性氣體。反應性氣體之流量相對於惰性氣體之流量之比(反應性氣體之流量(sccm)/惰性氣體之流量(sccm))例如為0.1/100以上且5/100以下。於該方法中，尤其藉由調整氧氣量，能夠獲得下述特性之透光性導電膜1。即，例如若列舉藉由濺鍍法形成ITO層作為非晶質透光性導電層3之情形為例，則藉由濺鍍法獲得之ITO層一般而言成膜為非晶質之ITO層。此時，根據導入至非晶質ITO層內部之氧導入量，非晶質ITO層之膜質變化。具體而言，於導入至非晶質ITO層內部之氧導入量少於適當量之情形(氧不足狀態)時，因大氣環境下之加熱而轉化為結晶質，其結果，加熱後之表面電阻值大幅度減少。另一方面，若導入至非晶質ITO層之氧導入量為適當量，則即便於經過大氣環境下之加熱之情形時，亦維持非晶質結構，電阻變化率較小。另一方面，若非晶質ITO中所含有之氧導入量較適當量過剩，則因大氣環境下之加熱，雖維持非晶質結構，但加熱後之表面電阻值大幅度增大，從而電阻變化率較大。上述之原因推測如下。再者，本發明並不限定於以下理論。於非晶質ITO層中所包含之氧量較少之情形(氧不足狀態)時，非晶質ITO層於其結構中具有多個氧缺陷部，故而構成ITO膜之各原子容易藉由熱振動而移動，從而容易獲取最佳結構。因此，藉由大氣環境下之加熱，一面將氧適度取入至氧缺陷部，一面獲取最佳結構(結晶質結構)，其結果，表面電阻值大幅度減少。另一方面，若非晶質ITO中所含有之氧導入量為適當量範圍，則不易於非晶質ITO層產生氧缺陷部。即，所謂氧之適當量範圍，表示非晶質ITO容易採用化學計量組成之範圍。若氧量為適當量，則非晶質ITO即便於大氣環境下加熱之情形時，亦由於氧缺陷部較少，故而不會過度氧化，而維持優質之非晶質結構。另一方面，於非晶質ITO中所含有之氧導入量過剩之情形時，非晶質ITO膜內所包含之氧原子作為雜質起作用。雜質原子若超過較佳之含有水準，則成為中子散射之因素，而使表面電阻值增大。因此，推測若非晶質ITO中所含有之氧導入量過剩，則ITO內之氧量因加熱而進一步過剩，從而表面電阻值大幅度增大。具體而言，例如以ITO內所含有之氧量成為適當量範圍之方式，調整供給至腔室之氧氣之供給比率。氧氣之供給比率之較佳值根據真空裝置之濺鍍電源或磁場強度、腔室容積等設備因素、於透光性基材2中微小地含有之反應性氣體量(水等)等材料因素而適當設定。例如，對於含有反應性氣體之高分子膜、及不含有反應性氣體之玻璃基材，由於能夠減少氧氣供給量，故而高分子膜較佳。又，由於磁場強度及電源與O₂ 電漿之生成量有關，故而氧氣供給量根據所採用之磁場強度、電源而變化，就減少施加於透光性基材2之熱量而提高非晶質性之觀點而言，較佳為低磁場，又，就成膜速率之觀點而言，較佳為直流電源。具體而言，例如於使用高分子膜作為透光性基材2，將水平磁場強度設為1～50 mT(較佳為20～40 mT)之低磁場強度並採用直流電源之情形時，氧氣相對於Ar氣體之比率(O₂ /Ar)例如為0.022以上，較佳為0.025以上，更佳為0.028以上，又，例如為0.036以下，較佳為0.035以下，更佳為0.034以下。又，例如於使用高分子膜作為透光性基材2，將水平磁場強度設為50～200 mT(較佳為80～120 mT)之高磁場強度並採用直流電源之情形時，氧氣相對於Ar氣體之比率(O₂ /Ar)例如為0.018以上，較佳為0.020以上，更佳為0.022以上，又，例如為0.035以下，較佳為0.034以下，更佳為0.033以下，進而較佳為0.025以下。再者，例如可將於濺鍍中供給之氧供給量(sccm)(X軸)與根據該氧供給量獲得之ITO之表面電阻值(Ω/□)(Y軸)繪圖於圖表，而根據該圖表判斷是否將氧以適當之比率導入至ITO。即，該圖表之極小附近區域之表面電阻值最小，ITO成為化學計量組成，故而可判斷該極小附近區域之X軸之值為使化學計量組成之氧導入至ITO之適當之氧供給量。藉此，獲得具備透光性基材2、及非晶質透光性導電層3之透光性導電膜1(加熱處理前)。透光性導電膜1之總厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下。以此方式獲得之透光性導電膜1具有以下特性。非晶質透光性導電層3中之加熱處理前之載子密度(Xa×10¹⁹ /cm³ )例如為10.0×10¹⁹ /cm³ 以上，較佳為20.0×10¹⁹ /cm³ 以上，更佳為29.0×10¹⁹ /cm³ 以上，又，例如為50.0×10¹⁹ /cm³ 以下，較佳為43.0×10¹⁹ /cm³ 以下。非晶質透光性導電層3中之加熱處理前之霍爾移動率(Ya cm² /V・s)例如為10.0 cm² /V・s以上，較佳為15.0 cm² /V・s以上，更佳為28.0 cm² /V・s以上，又，例如為50.0 cm² /V・s以下，較佳為36.5 cm² /V・s以下。非晶質透光性導電層3中之加熱處理前之表面電阻值例如為1 Ω/□以上，較佳為10 Ω/□以上，又，例如為200 Ω/□以下，較佳為150 Ω/□以下，更佳為未達100 Ω/□。再者，所謂加熱處理前，例如係指自製造透光性導電膜1後至加熱至80℃以上之前。對非晶質透光性導電層3進行加熱處理後之被加熱透光性導電層之載子密度(Xc×10¹⁹ /cm³ )例如為15.0×10¹⁹ /cm³ 以上，較佳為20.0×10¹⁹ /cm³ 以上，更佳為30.0×10¹⁹ /cm³ 以上，又，例如為150.0×10¹⁹ /cm³ 以下，較佳為100.0×10¹⁹ /cm³ 以下，更佳為80.0×10¹⁹ /cm³ 以下。被加熱透光性導電層之霍爾移動率(Yc cm² /V・s)例如為10.0 cm² /V・s以上，較佳為15.0 cm² /V・s以上，又，例如為35.0 cm² /V・s以下，較佳為30.0 cm² /V・s以下，更佳為23.5 cm² /V・s以下，進而較佳為22.5 cm² /V・s以下。被加熱透光性導電層之表面電阻值例如為1 Ω/□以上，較佳為10 Ω/□以上，又，例如為200 Ω/□以下，較佳為150 Ω/□以下，更佳為未達100 Ω/□。所謂被加熱透光性導電層係指於大氣環境下對非晶質透光性導電層3進行加熱處理後之透光性導電層。就確認非晶質透光性導電層3之長期可靠性之觀點而言，該加熱處理之溫度及暴露時間例如為80℃且500小時。又，於實施加熱處理作為長期可靠性評價之加速試驗之情形時，例如亦可設為140℃且1～2小時。又，對於非晶質透光性導電層3之載子密度(Xa×10¹⁹ /cm³ )、及與被加熱透光性導電層之載子密度(Xc×10¹⁹ /cm³ )，滿足Xa≦Xc之式(1)，較佳為滿足Xa＜Xc之式(1')。若滿足Xa＞Xc之關係，則非晶質透光性導電層3由於表面電阻值大幅度增加，故而加熱時之穩定性較差。尤其是，加熱前後之載子密度之比、即Xc相對於Xa之比(Xc/Xa)較佳為超過1.00，更佳為1.05以上，進而較佳為1.10以上。又，較佳為未達2.00，更佳為1.80以下。藉由將上述比設為上述範圍，確實地抑制因加熱導致之電阻變化，熱穩定性進一步優異。對於非晶質透光性導電層3之霍爾移動率(Ya cm² /V・s)、及與被加熱透光性導電層之霍爾移動率(Ya cm² /V・s)，滿足Ya≧Yc之式(2)，較佳為滿足Ya＞Yc之式(2')。若滿足Ya＜Yc之關係，則非晶質透光性導電層3容易因加熱處理而結晶化，從而表面電阻值大幅度降低，其結果，加熱時之穩定性較差。尤其是，加熱前後之霍爾移動率之比、即Yc相對於Ya之比(Yc/Ya)較佳為未達1.00，更佳為0.75以下。又，較佳為超過0.50，更佳為0.60以上。藉由將上述比設為上述範圍，確實地抑制因加熱導致之電阻變化，從而熱穩定性進一步優異。於將移動距離L設為{(Xc－Xa)² ＋(Yc－Ya)² }^1/2 時(參照圖3)，L為1.0以上且45.0以下。較佳為10.0以上，更佳為13.0以上，又，較佳為40.0以下，更佳為未達35.0，進而較佳為33.0以下。藉由將移動距離L設為上述範圍，加熱前後之非晶質透光性導電層3之膜質變化較小，熱穩定性尤其優異。又，加熱前後之載子密度之比(Xc/Xa)與加熱前後之霍爾移動率之比(Yc/Ya)之積、即(Yc/Ya)×(Xc/Xa)例如為0.50以上，較佳為0.65以上，進而較佳為0.75以上，又，例如為1.80以下，較佳為1.50以下，進而較佳為1.30以下。藉由將加熱前後之載子密度之比率及霍爾移動率之比率設為上述固定之範圍內，能夠抑制結晶性，又，能夠抑制電阻變化。被加熱透光性導電層較佳為非晶質。藉此，熱穩定性優異，並且耐龜裂性及耐擦傷性優異。而且，該透光性導電膜1由於具備透光性基材2、及非晶質透光性導電層，故而耐龜裂性、耐擦傷性等優異。又，由於加熱前之非晶質透光性導電層3及被加熱透光性導電層中之霍爾移動率及載子密度滿足特定條件，故而能夠抑制因熱導致之非晶質透光性導電層3之電阻率之變化，從而熱穩定性優異。尤其是，本發明者等人達成如下構想，從而完成本發明：由於非晶質透光性導電層3之比電阻和霍爾移動率與載子密度之乘積成反比例，故而如需減小因加熱導致之電阻變化，則必須以於加熱前後霍爾移動率之行為與載子密度之行為變得相反之方式設計非晶質透光性導電層3之膜質。亦即，藉由本發明之非晶質透光性導電層3滿足上述式(1)～(3)，即，藉由於非晶質透光性導電層3中，以使加熱處理後之霍爾移動率變小，使加熱後之載子密度變大，使移動距離L變小之方式實施膜設計，而抑制加熱前後之比電阻之值之變化。其結果，因加熱導致之電阻變化較少，從而熱穩定性優異。該透光性導電膜1係於產業上可利用之器件。再者，該透光性導電膜1視需要可實施蝕刻而使非晶質透光性導電層3圖案化成特定形狀。又，亦可藉由卷對卷方式實施上述製造方法，又，藉由分批方式實施上述製造方法。 5.調光膜之製造方法接下來，參照圖2，對使用上述透光性導電膜1製造調光膜4之方法進行說明。如圖2所示，該方法具備製造2個上述透光性導電膜1之步驟、及繼而藉由2個透光性導電膜1將調光功能層5夾住之步驟。首先，製造2個上述透光性導電膜1。再者，亦可對1個透光性導電膜1進行切斷加工而準備2個透光性導電膜1。 2個透光性導電膜1係第1透光性導電膜1A、及第2透光性導電膜1B。繼而，例如藉由濕式，將調光功能層5形成於第1透光性導電膜1A中之非晶質透光性導電層3之上表面(表面)。例如，將包含液晶組合物之溶液塗佈於第1透光性導電膜1A中之非晶質透光性導電層3之上表面。液晶組合物可列舉溶液中包括之公知者，可列舉例如日本專利特開平8-194209號公報中所記載之液晶分散樹脂。繼而，將第2透光性導電膜1B以第2透光性導電膜1B之非晶質透光性導電層3與塗膜接觸之方式積層於塗膜之表面。藉此，藉由2個透光性導電膜1、即第1透光性導電膜1A及第2透光性導電膜1B，將塗膜夾住。其後，對塗膜實施適當之處理(例如光硬化處理或熱乾燥處理等)，而形成調光功能層5。調光功能層5形成於第1透光性導電膜1A之非晶質透光性導電層3與第2透光性導電膜1B之非晶質透光性導電層3之間。藉此，獲得依序具備第1透光性導電膜1A、調光功能層5、及第2透光性導電膜1B之調光膜4。而且，調光膜4係具備於調光裝置(未圖示、例如調光窗等)，該調光裝置具備電源(未圖示)、控制裝置(未圖示)等。於未圖示之調光裝置中，藉由電源，對第1透光性導電膜1A中之非晶質透光性導電層3、及第2透光性導電膜1B中之非晶質透光性導電層3施加電壓，藉此，於其等之間產生電場。而且，基於控制裝置，控制上述電場，藉此，位於第1透光性導電膜1A與第2透光性導電膜1B之間之調光功能層5將光遮斷，或使光透過。而且，該調光膜4由於具備透光性導電膜1，故而加工性或搬運性良好。又，由於能夠長期抑制產生表面電阻之不均進而產生調光功能層5之配向不均，故而能夠減少調光之不均。 6.變化例於圖1之實施形態中，於透光性基材2之表面直接配置有非晶質透光性導電層3，例如雖未圖示，但可於透光性基材2之上表面及/或下表面設置功能層。即，例如透光性導電膜1可具備透光性基材2、配置於透光性基材2之上表面之功能層、及配置於功能層之上表面之非晶質透光性導電層3。又，例如透光性導電膜1可具備透光性基材2、配置於透光性基材2之上表面之非晶質透光性導電層3、及配置於透光性基材2之下表面之功能層。又，例如亦可於透光性基材2之上側及下側依序具備功能層及非晶質透光性導電層3。作為功能層，可列舉易接著層、底塗層、硬塗層等。易接著層係為了使透光性基材2與非晶質透光性導電層3之密接性提高而設置之層。底塗層係為了調整透光性導電膜1之反射率或光學色相而設置之層。硬塗層係為了提高透光性導電膜1之耐擦傷性而設置之層。該等功能層可為單獨1種，亦可併用2種以上。實施例以下，使用實施例，對本發明進行詳細說明，但本發明只要不超出其主旨，則不限定於實施例，可基於本發明之技術思想進行各種變化及變更。又，以下記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可被上述「實施方式」中所記載之、對應於其等之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相當之記載之上限(被定義為「以下」、「未達」之數值)或下限(被定義為「以上」、「超過」之數值)代替。實施例1 準備厚度188 μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(三菱樹脂製造、製品名「DIAFOIL」)，製成透光性基材。將PET膜設置於卷對卷型濺鍍裝置，進行真空排氣。其後，於導入Ar及O₂ 並設為氣壓0.4 Pa之真空環境中，藉由DC磁控濺鍍法，製造包含厚度65 nm之ITO之透光性導電層。ITO為非晶質。再者，使用10質量%之氧化錫與90質量%之氧化銦之燒結體作為靶，磁體之水平磁場調節為30 mT。O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)調節為0.0342。實施例2 將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0333，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜(ITO厚度：65 nm)。實施例3 將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0327，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜(ITO厚度：65 nm)。實施例4 將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0296，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜(ITO厚度：65 nm)。實施例5 將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0289，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜(ITO厚度：65 nm)。實施例6 將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0280，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜(ITO厚度：65 nm)。實施例7 將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0264，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜(ITO厚度：65 nm)。實施例8 將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0358，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜(ITO厚度：65 nm)。實施例9 將厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(三菱樹脂製造、製品名「DIAFOIL」)製成透光性基材。將磁體之水平磁場設為100 mT，將成膜氣壓設為0.3 Pa，將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0223，而於上述透光性基材上形成厚度30 nm之ITO層，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜。實施例10 將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0338，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜(ITO厚度：65 nm)。比較例1 將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0373，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜(ITO厚度：65 nm)。比較例2 將氣壓設為0.4 Pa，將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0114，除此以外，以與實施例9同樣之方式製造透光性導電膜(ITO厚度：30 nm)。比較例3 將氣壓設為0.4 Pa，將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0074，實施RF重疊DC磁控濺鍍法(RF頻率13.56 MHz、RF功率相對於DC功率之比(RF功率/DC功率)為0.2)，除此以外，與實施例9同樣地製造透光性導電膜(ITO厚度：30 nm)。比較例4 使用厚度50 μm之PET膜，將O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.0201，將ITO層之厚度設為30 nm，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造透光性導電膜。對於各實施例及各比較例中獲得之透光性導電膜實施下述測定。將結果示於表1及圖3。如根據圖3而明確，於各實施例之透光性導電膜中，加熱後之曲線相對於加熱前之曲線向右下方向移動，加熱前之曲線與加熱後之曲線之距離L較短。另一方面，比較例1之透光性導電膜係加熱後之曲線相對於加熱前之曲線向左下方向移動。比較例2、4之透光性導電膜係加熱後之曲線相對於加熱前之曲線向右上方向移動。比較例3、4之透光性導電膜係加熱前之曲線與加熱後之曲線之距離L較長。 [表1] (評價) (1)厚度 PET膜(透明基材)之厚度係使用膜厚計(尾崎製作所公司製造、裝置名「DIGITAL DIAL GAGE DG-205」)進行測定。ITO層(透光性導電層)之厚度係藉由使用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製造、裝置名「HF-2000」)之剖面觀察進行測定。 (2)Ar含量使用以拉塞福背向散射譜法為測定原理之測定裝置(National Electrostatics Corporation製造、「Pelletron 3SDH」)，分析各透光性導電膜之ITO層中之Ar之存在原子量。具體而言，若將In、Sn、O、Ar之4種元素作為檢測對象，測定Ar之存在原子量相對於4種元素之總存在原子量之比率(原子%)。 (3)非晶質透光性導電層之載子密度、霍爾移動率使用霍爾效應測定系統(Bio-Rad製造、商品名「HL5500PC」)實施測定。載子密度係使用於上述(1)中求出之ITO層之厚度而算出。 (4)被加熱透光性導電層之載子密度、霍爾移動率將各透光性導電膜以80℃加熱500小時，而獲得具備PET膜(透明基材)及被加熱ITO層(被加熱透光性導電層)之被加熱透光性導電膜。對各被加熱ITO層，以與上述(3)同樣之方式使用霍爾效應測定系統(Bio-Rad製造、商品名「HL5500PC」)，而測定載子密度及霍爾移動率。 (5)移動距離之算出使用於上述(4)及上述(5)中獲得之載子密度及霍爾移動率、及下式，算出移動距離L。 L＝{(Xc－Xa)² ＋(Yc－Ya)² }^1/2 再者，將非晶質透光性導電層之載子密度設為Xa×10¹⁹ (/cm³ )、霍爾移動率設為Ya(cm² /V・s)。將被加熱透光性導電層之載子密度設為Xc×10¹⁹ (/cm³ )、霍爾移動率設為Yc(cm² /V・s)。 (6)透光性導電層及被加熱透光性導電層之結晶性將各透光性導電膜及各被加熱透光性導電膜於鹽酸(濃度：5質量%)中浸漬15分鐘後進行水洗、乾燥，測定各導電層之15 mm左右之間之二端子間電阻。將15 mm間之二端子間電阻超過10 kΩ之情形判斷為非晶質，將未超過10 kΩ之情形判斷為結晶質。 (7)電阻變化率之評價各透光性導電膜之ITO層之表面電阻值係依照JIS K7194(1994年)並藉由四端子法而求出。即，首先測定各透光性導電膜之ITO層之表面電阻值(Ra)。繼而，測定以80℃加熱500小時後之透光性導電膜之透光性導電層之表面電阻值(Rc)。求出加熱後之表面電阻值相對於加熱前之表面電阻值之電阻變化率(100×(Rc/Ra))，以下述基準實施評價。 ○：電阻變化率未達±30% △：電阻變化率為±(30%～49%) ×：電阻變化率為±50%以上再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為單純之例示，並不能作限定性之解釋。由該技術領域之業者明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍。 [產業上之可利用性] 本發明之透光性導電膜及調光膜可應用於各種工業製品，例如用於建築物或交通工具之窗玻璃、間壁、內飾等各種調光元件用途。

1‧‧‧透光性導電膜 1A‧‧‧第1透光性導電膜 1B‧‧‧第2透光性導電膜 2‧‧‧透光性基材 3‧‧‧非晶質透光性導電層 4‧‧‧調光膜 5‧‧‧調光功能層

圖1表示本發明之透光性導電膜之一實施形態之剖視圖。圖2表示具備圖1所示之透光性導電膜之調光膜之剖視圖。圖3表示對各實施例及各比較例之透光性導電膜之透光性導電層中之霍爾移動率及載子密度進行繪圖所得的圖表。

1‧‧‧透光性導電膜

2‧‧‧透光性基材

3‧‧‧非晶質透光性導電層

Claims

一種透光性導電膜，其特徵在於：其係具備透光性基材、及非晶質透光性導電層者，於將上述非晶質透光性導電層之載子密度設為Xa×10¹⁹ (/cm³ )、霍爾移動率設為Ya(cm² /V・s)，將對上述非晶質透光性導電層進行加熱處理後之被加熱透光性導電層之載子密度設為Xc×10¹⁹ (/cm³ )、霍爾移動率設為Yc(cm² /V・s)，且將移動距離L設為{(Xc－Xa)² ＋(Yc－Ya)² }^1/2 時，滿足下述(1)～(3)之條件， (1)Xa≦Xc、 (2)Ya≧Yc、 (3)上述移動距離L為1.0以上且45.0以下。
如請求項1之透光性導電膜，其中Xc相對於Xa之比(Xc/Xa)為1.05以上且1.80以下。
如請求項1之透光性導電膜，其中上述被加熱透光性導電層為非晶質。
如請求項1之透光性導電膜，其中上述非晶質透光性導電層含有銦系導電性氧化物。
一種調光膜，其特徵在於：依序具備第1透光性導電膜、調光功能層、及第2透光性導電膜，並且上述第1透光性導電膜及/或上述第2透光性導電膜係如請求項1之透光性導電膜。