JP2012017258A - Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物スパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。
【選択図】なし

Description

本発明は、酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜作製用のスパッタリングターゲットに関する。

酸化インジウム及び酸化亜鉛、又は酸化インジウム、酸化亜鉛及び酸化ガリウムからなる非晶質の酸化物膜は、可視光透過性を有し、かつ、導電体、又は半導体から絶縁体まで広い電気特性を有するため、透明導電膜や半導体膜（例えば、薄膜トランジスタ等に用いられる）として着目されている。
特に、細川等によって、酸化インジウムと酸化亜鉛を含むｎ型半導体材料が見出されて以来（特許文献１）、酸化インジウムと酸化亜鉛を含む種々の酸化物半導体が注目されてきた。

上記酸化物膜の成膜方法としては、スパッタリング、ＰＬＤ（パルスレーザーデポジション）、蒸着等の物理的な成膜、及びゾルゲル法等の化学的な成膜が検討されている。このなかでも、比較的低温で大面積に均一に成膜できることから、スパッタリング法等の物理的成膜が中心に検討されている。
上記の物理的成膜で酸化物薄膜を成膜する際は、均一に、安定して、効率よく（高い成膜速度で）成膜するために、酸化物焼結体からなるターゲットを用いることが一般的である。

上記の酸化物膜を作製するためのターゲット（主にスパッタリングターゲット）としては、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝２〜２０）、ＩｎＧａＺｎＯ_４、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７等の公知の結晶型の組成、又はそれと近い組成のものを中心に検討している。
具体的には、ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む酸化物の焼結体からなることを特徴とするターゲットや、この酸化物に、さらに正三価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種を２０原子％以下でドープしたターゲットが公開されている（特許文献２）。
また、ＩｎＧａＺｎＯ_４やＩｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７の六方晶層状化合物の結晶構造（ホモロガス結晶構造）を示すターゲットが検討されている（特許文献３、４、５）。

また、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝２〜２０）の六方晶層状化合物とＩｎ_２Ｏ_３との混合物や、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝２〜２０）の六方晶層状化合物とＺｎＯとの混合物からなるターゲット（特許文献２）、ＩｎＧａＺｎＯ_４の六方晶層状化合物とＺｎＧａ_２Ｏ_４のスピネル構造の混合物からなるターゲット（特許文献６）等、混合物の特性を生かしたターゲットの開発が検討されている。
また、特許文献７にはＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２等、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１〜２０）で表される酸化物及びその合成方法が公開されている。

ところで、ターゲットについて、上述した公知の結晶型以外の酸化物についての検討はされておらず、薄膜に関して検討されている程度である（特許文献３、８）。具体的には、コスパッタリング等により、成膜時に組成比を調整する方法で形成した薄膜について検討されている。
尚、公知の結晶型ではない酸化物について、粉末の原料を焼成して得られる焼結体の固溶限界や格子定数の変化が報告されている（非特許文献１、２）。非特許文献２では、Ｉｎ_１．５Ｇａ_０．５Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍの結晶構造を持つ酸化物の存在を仮定し計算した例はあるが、酸化物の合成やスパッタリングターゲットへの適用等、具体的な検討はされていなかった（非特許文献２、ＴＡＢＬＥ ＩＶ）。

一方、酸化インジウム、酸化亜鉛及び酸化ガリウムの組成比を変えて種々の薄膜トランジスタを作製する検討がなされている（特許文献９）。しかし、各組成におけるターゲットの検討が不十分であったため、比抵抗はまだ高いものであった。
また、金属組成比（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ）が３０：１５：５５のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ焼結体を用いて、非晶質酸化物半導体膜及び薄膜トランジスタを形成した例が開示されている（特許文献１０）。しかし、薄膜のＧａの含有比率がターゲットのＧａの含有比率の３分の２程度と極端に減少してしまうという問題があった。これは、ターゲットの性状が不適切であることを示唆している。しかし、ターゲット性状やその改善に関する検討はなされていなかった。

特許第４３１８６８９号 特開平６−２３４５６５号公報 特開平８−２４５２２０号公報 特開２００７−７３３１２号公報 国際公開第２００９／０８４５３７号パンフレット 国際公開第２００８／０７２４８６号パンフレット 特開昭６３−２３９１１７号公報 特開２００７−２８１４０９号公報 国際公開第２００９／０７５２８１号パンフレット 特開２００８−５３３５６号公報

Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，８２［１０］２７０５−２７１０（１９９９） Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，９３［２］２９８−３１５（１９９１）

本発明は、相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。

本発明者らが鋭意研究した結果、従来から知られていたＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ及びＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍの結晶型とは異なる、新たな結晶構造を有する酸化物を発見した。この酸化物は、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２で表される結晶構造とＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２で表される結晶構造の中間的な結晶構造を有していると推定される。そして、この新たな酸化物とビックスバイト型の結晶構造を有するＩｎ_２Ｏ_３をともに含有する酸化物混合体が、酸化物半導体用途の薄膜の成膜に好適なスパッタリングターゲットとして好適であることを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット等が提供される。
１．下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。
２．インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）の原子比が、下記式（１）及び（２）を満たす、１に記載のスパッタリングターゲット。
０．１０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．４５ （１）
０．０５＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．１８ （２）
３．インジウム元素（Ｉｎ）及びガリウム元素（Ｇａ）の原子比が、下記式（３）を満たす、１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
０．１４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ） （３）
４．含有される金属元素が、実質的にＩｎ，Ｇａ及びＺｎである１〜３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
５．抵抗が１０ｍΩｃｍ以下、相対密度９５％以上である１〜４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
６．上記１〜５のいずれかに記載スパッタリングターゲットを用いて作製された酸化物薄膜。

本発明によれば、相対密度が高く、抵抗が低く、酸化物半導体や酸化物薄膜の作製に適したスパッタリングターゲットを提供できる。

（ａ）はＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２の結晶構造の概念図、（ｂ）はＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２の概念図、（ｃ）は酸化物Ａの結晶構造の概念図である。 参照例で作製した酸化物焼結体のＸ線回折チャートである。 実施例１で作製した酸化物焼結体のＸ線回折チャートである。 実施例２で作製した酸化物焼結体のＸ線回折チャートである。

本発明のスパッタリングターゲットは、インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含む、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物焼結体からなり、下記の２つの結晶構造をともに有することを特徴とする。
結晶構造１：酸化物Ａ（インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物）
結晶構造２：ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）

上記酸化物Ａは、本発明者らが新規に発見した結晶構造であり、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により得られるチャートにおいて、下記のＡ〜Ｅの領域に回折ピークが観測される。
Ａ．入射角（２θ）＝７．０°〜８．４°（好ましくは７．２°〜８．２°）
Ｂ．２θ＝３０．６°〜３２．０°（好ましくは３０．８°〜３１．８°）
Ｃ．２θ＝３３．８°〜３５．８°（好ましくは３４．５°〜３５．３°）
Ｄ．２θ＝５３．５°〜５６．５°（好ましくは５４．１°〜５６．１°）
Ｅ．２θ＝５６．５°〜５９．５°（好ましくは５７．０°〜５９．０°）

尚、２θが３０．６°〜３２．０°（上記領域Ｂ）及び３３．８°〜３５．８°（上記領域Ｃ）の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークであることが好ましい。
尚、メインピークとは、２θが５〜８０°の範囲で最も強度（高さ）の強いピークであり、サブピークとは、２番目に強度の強いピークのことである。
尚、メインピークが重なる場合は、他のピークからメインピークの強度を逆算することが可能である。

本願において、Ｘ線回折の測定条件は、例えば以下の通りである。
装置：（株）リガク製Ｕｌｔｉｍａ−ＩＩＩ
Ｘ線：Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４０６Å、グラファイトモノクロメータにて単色化）
２θ−θ反射法、連続スキャン（１．０°／分）
サンプリング間隔：０．０２°
スリット ＤＳ、ＳＳ：２／３°、ＲＳ：０．６ｍｍ

Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により得られるチャートにおいて上記のピークが観測される酸化物結晶は、ＪＣＰＤＳ（Ｊｏｉｎｔ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ ｏｆ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）カードにはなく、今まで確認されていない新規な結晶である。
酸化物ＡのＸ線回折チャートは、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２（ＪＣＰＤＳ：４０−０２５２）で示される結晶構造及びＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２（ＪＣＰＤＳ：２０−１４４２）で示される結晶構造に類似している。しかしながら、酸化物ＡはＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２特有のピーク（上記領域Ａのピーク）、及びＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２特有のピーク（上記領域Ｄ及びＥのピーク）を有し、かつ、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２及びＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２には観測されないピーク（上記領域Ｂ）を有する。従って、酸化物Ａは、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２及びＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２とは異なる。

上記領域Ｂのピークについて、このピークはＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２とＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２のメインピークの間、即ち、３１°付近と３２°付近の間にある。従って、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２のメインピークよりも低角側にシフトしており（格子間距離が広がっていると思われる）、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２のメインピークよりも高角側にシフトしている（格子間距離が狭まっていると思われる）。

酸化物Ａの結晶構造は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２（ＪＣＰＤＳ：４０−０２５２）の結晶構造及びＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２（ＪＣＰＤＳ：２０−１４４２）の結晶構造に類似していると考えられる。
図１の（ａ）に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２の結晶構造を、（ｂ）にＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２の結晶構造を、（ｃ）に推定される酸化物Ａの結晶構造を示す。
Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表される結晶構造やＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表される結晶構造は「六方晶層状化合物」あるいは「ホモロガス相の結晶構造」と呼ばれ、異なる物質の結晶層を何層か重ね合わせた長周期を有する「自然超格子」構造から成る結晶である。結晶周期ないし各薄膜層の厚さが、ナノメーター程度の場合、これら各層の化学組成や層の厚さの組み合わせによって、単一の物質や各層を均一に混ぜ合わせた混晶の性質とは異なる固有の特性が得られる。

ホモロガス相の結晶構造は、例えば、ターゲットの粉砕物又は切削片について測定したＸ線回折パターンが、組成比から想定されるホモロガス相の結晶構造Ｘ線回折パターンと一致することから確認できる。具体的には、ＪＣＰＤＳカードから得られるホモロガス相の結晶構造Ｘ線回折パターンと一致することから確認することができる。

Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表される結晶構造は、ＩｎＯ_１．５層とＩｎＺｎＯ_２．５層とＺｎＯ層が１：１：（ｍ−１）の比率で周期的に繰り返された構造を有すると考えられている。また、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表される結晶構造は、ＩｎＯ_１．５層とＧａＺｎＯ_２．５層とＺｎＯ層が１：１：（ｍ−１）の比率で周期的に繰り返されると考えられている。
このように、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表される結晶構造やＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）のＸ線回折による測定結果は、ピーク位置が異なる（格子間距離は異なる）がパターンは似たものとなる。

酸化物Ａの結晶構造は、上述したＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍやＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍと同様に、「六方晶層状化合物」あるいは「ホモロガス相の結晶構造」からなる結晶であると推定している。酸化物Ａは、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２特有のピーク（上記領域Ａのピーク）、及びＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２特有のピーク（上記領域Ｄ及びＥのピーク）を併せ持っている。このことから、ＩｎＺｎＯ_２．５層及びＧａＺｎＯ_２．５層のどちらとも異なるＩｎ_１−ｄＧａ_ｄＺｎＯ_２．５層（０＜ｄ＜１）と表される層が生成しているものと考えられる。即ち、ＩｎＯ_１．５層とＩｎ_１−ｄＧａ_ｄＺｎＯ_２．５層（０＜ｄ＜１）とＺｎＯ層を１：１：（ｍ−１）の比率で周期的に繰り返した構造と推定している。

尚、Ｉｎ_１−ｄＧａ_ｄＺｎＯ_２．５層（０＜ｄ＜１）は、ＩｎＺｎＯ_２．５層とＧａＺｎＯ_２．５層が混在した状態、ＩｎＺｎＯ_２．５層のＩｎの一部がＧａに置換された状態、又はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯを含む新たな構造を有する層であると考えられる。

酸化物Ａにおいては、Ｘ線回折測定により本発明特有の回折パターンを示していれば、酸化物の酸素が過剰であっても不足（酸素欠損）していても構わない（酸素元素の原子比が化学量論比からずれていても良い）。酸化物の酸素が過剰であると、ターゲットとしたときに抵抗が高くなりすぎるおそれがあるため、酸素欠損を持っていることが好ましい。

結晶構造２である、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）は、Ｘ線回折測定により、ＪＣＰＤＳカード：０６−０４１６の回折ピークを有することにより特定される。

スパッタリングターゲットにおける上記結晶構造１の含有率（原子％）は、３０％〜７０％であることが好ましく、特に、４０％〜６０％であることが好ましい。また、結晶構造２の含有率は、３０％〜７０％であることが好ましく、特に、４０％〜６０％であることが好ましい。
尚、本発明のスパッタリングターゲットは、上記結晶構造１及び結晶構造２以外の結晶構造を含有していてもよい。例えば、ターゲットの焼成工程の条件等により、ターゲットがＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_３、ＩｎＧａＺｎＯ_４等の結晶構造を含む場合がある。しかしながら、本発明の効果を得るためには、結晶構造１又は結晶構造２の一方を主成分（第１成分）とし、他方を副成分（第２成分）とすることが好ましい。特に、結晶構造１及び結晶構造２の含有率の合計が９０％以上であることが好ましく、さらに、９５％以上であることが好ましく、１００％であってもよい。
各結晶の含有率は、Ｘ線回折チャートの回折ピークの強度比から算出できる。

本発明のスパッタリングターゲットの元素組成について、インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）の原子比が、下記式（１）及び（２）を満たすことが好ましい。
０．１０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．４５ （１）
０．０５＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．１８ （２）

上記式（１）について、Ｚｎの比率が０．１０未満や０．４５超であると、ターゲットの抵抗が高くなるおそれがある。
Ｚｎの比率は、０．２５〜０．４２であることがさらに好ましく、特に、０．３０〜０．４０であることが好ましい。この範囲の場合、酸化物ＡとＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造をともに含んだターゲットを作製しやすい。

上記式（２）について、Ｇａの比率が０．０５以下であると、得られる酸化物薄膜の耐湿性が低下したり、薄膜トランジスタ（半導体薄膜）を作製した際にウェットエッチングの速度が速くなりすぎるおそれがある。一方、０．１８以上だと、ターゲットの抵抗が高くなったり、薄膜トランジスタ（半導体薄膜）を作製した際に移動度が低下するおそれがある。
Ｇａの比率は、０．１０〜０．１７であることが好ましく、さらに、０．１２〜０．１６であることが好ましい。
尚、Ｇａの比率が０．１３に近いと、酸化物Ａの結晶を生成させやすい。

本発明のスパッタリングターゲットの元素組成は、さらに、インジウム元素（Ｉｎ）及びガリウム元素（Ｇａ）の原子比が、下記式（３）を満たすことが好ましい。
０．１４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ） （３）
尚、式（３）におけるＧａの上限は０．３５以下であることが好ましい。

本発明のターゲット又は酸化物薄膜に含まれる各元素の原子比は、誘導結合プラズマ発光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）により含有元素を定量分析して求めることができる。
具体的に、ＩＣＰ−ＡＥＳを用いた分析では、溶液試料をネブライザーで霧状にして、アルゴンプラズマ（約６０００〜８０００℃）に導入すると、試料中の元素は熱エネルギーを吸収して励起され、軌道電子が基底状態から高いエネルギー準位の軌道に移る。この軌道電子は１０^−７〜１０^−８秒程度で、より低いエネルギー準位の軌道に移る。この際にエネルギーの差を光として放射し発光する。この光は元素固有の波長（スペクトル線）を示すため、スペクトル線の有無により元素の存在を確認できる（定性分析）。

また、それぞれのスペクトル線の大きさ（発光強度）は試料中の元素数に比例するため、既知濃度の標準液と比較することで試料濃度を求めることができる（定量分析）。
定性分析で含有されている元素を特定後、定性分析で含有量を求め、その結果から各元素の原子比を求める。

本発明では、本発明の効果を損ねない範囲において、上述したＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ以外の他の金属元素、例えば、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等を含有していてもよい。
本発明においては、ターゲットに含有される金属元素は、実質的にＩｎ，Ｇａ及びＺｎのみであってもよい。尚、「実質的」とは、原料や製造工程等により不可避的に含まれる不純物等以外の元素を含まないことを意味する。

本発明のターゲットは、例えば、各金属元素を含有する原料粉末を焼結することにより製造できる。以下、製造工程について説明する。
（１）配合工程
原料の配合工程は、本発明の酸化物に含有される金属元素の化合物を混合する必須の工程である。
原料としては、インジウム化合物の粉末、ガリウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末等の粉末を用いる。インジウムの化合物としては、例えば、酸化インジウム、水酸化インジウム等が挙げられる。亜鉛の化合物としては、例えば、酸化亜鉛、水酸化亜鉛等が挙げられる。各々の化合物として、焼結のしやすさ、副生成物の残存のし難さから、酸化物が好ましい。
原料の純度は、通常２Ｎ（９９質量％）以上、好ましくは３Ｎ（９９．９質量％）以上、特に好ましくは４Ｎ（９９．９９質量％）以上である。純度が２Ｎより低いと耐久性が低下したり、液晶側に不純物が入り、焼き付けが起こるおそれがある。
原料の一部として金属亜鉛（亜鉛末）を用いることが好ましい。原料の一部に亜鉛末を用いるとホワイトスポットの生成を低減することができる。
金属酸化物等のターゲットの製造に用いる原料を混合し、通常の混合粉砕機、例えば、湿式ボールミルやビーズミル又は超音波装置を用いて、均一に混合・粉砕することが好ましい。

原料として酸化物を使用する場合、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛の比表面積（ＢＥＴ比表面積）は、通常各々３〜１８ｍ^２／ｇ、３〜１８ｍ^２／ｇ、３〜１８ｍ^２／ｇであり、好ましくは各々７〜１６ｍ^２／ｇ、７〜１６ｍ^２／ｇ、３〜１０ｍ^２／ｇであり、より好ましくは各々７〜１５ｍ^２／ｇ、７〜１５ｍ^２／ｇ、４〜１０ｍ^２／ｇであり、特に好ましくは各々１１〜１５ｍ^２／ｇ、１１〜１５ｍ^２／ｇ、４〜５ｍ^２／ｇである。比表面積が小さすぎると焼結体中に各々の元素の凝集体が成長する、原料粉末の結晶型が残存する、想定外の結晶型が生成し性状が変化する、などのおそれがある。比表面積が大きすぎると想定外の結晶型が生成し性状が変化する、分散不良を起こし外観不良や特性のムラが生じる、などのおそれがある。

（２）仮焼工程
仮焼工程では、上記工程で得た混合物を仮焼する。尚、本工程は必要に応じて設けられる工程である。仮焼工程により、酸化物の密度を上げることが容易になるが、製造コストが上がるおそれがある。そのため、仮焼を行わずに密度を上げられることがより好ましい。
仮焼工程においては、５００〜１２００℃で、１〜１００時間の条件で上記の混合物を熱処理することが好ましい。５００℃未満又は１時間未満の熱処理では、インジウム化合物や亜鉛化合物、錫化合物の熱分解が不十分となる場合がある。一方、熱処理条件が、１２００℃を超えた場合又は１００時間を超えた場合には、粒子の粗大化が起こる場合がある。
従って、特に好ましいのは、８００〜１２００℃の温度範囲で、２〜５０時間、熱処理（仮焼）することである。
尚、ここで得られた仮焼物は、下記の成形工程及び焼成工程の前に粉砕することが好ましい。粉砕は原料粉の粒径が平均粒径（Ｄ５０）が好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、特に好ましくは０．５μｍ以下まで行うとよい。目的は、原料の均一分散化である。粒径の大きい原料粉が存在すると場所による組成むらが生じるおそれがある。場所による組成むらは、スパッタ時の異常放電の原因となる。また、組成むらがターゲットと作製した薄膜の組成のずれの原因となるおそれがある。

（３）成形工程
成形工程は、上述した配合工程で得た混合物（上記仮焼工程を設けた場合には仮焼物）を加圧成形して成形体とする必須の工程である。この工程により、ターゲットとして好適な形状に成形する。仮焼工程を設けた場合には得られた仮焼物の微粉末を造粒した後、成形処理により所望の形状に成形することができる。
成形処理としては、例えば、プレス成形（一軸成形）、金型成形、鋳込み成形、射出成形等が挙げられるが、焼結密度の高いターゲットを得るためには、冷間静水圧（ＣＩＰ）等で成形するのが好ましい。
尚、単なるプレス成形（一軸プレス）であると圧力にムラ生じて、想定外の結晶型が生成してしまうおそれがある。
また、プレス成形（一軸プレス）後に、冷間静水圧（ＣＩＰ）、熱間静水圧（ＨＩＰ）等を行い２段階以上の成形工程を設けてもよい。
ＣＩＰ（冷間静水圧、あるいは静水圧加圧装置）を用いる場合、面圧８００〜４０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で０．５〜６０分保持することが好ましく、面圧２０００〜３０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で２〜３０分保持することがより好ましい。前記範囲内であると、成形体内部の組成むらなどが減り均一化されることが期待される。また、面圧が８００ｋｇｆ／ｃｍ^２以下であると、焼結後の密度が上がらないあるいは抵抗が高くなるおそれがある。面圧４０００ｋｇｆ／ｃｍ^２以上であると装置が大きくなりすぎ不経済となるおそれがある。保持時間が０．５分以下であると焼結後の密度が上がらないあるいは抵抗が高くなるおそれがある。６０分以上であると時間が掛かりすぎ不経済となるおそれがある。
尚、成形処理に際しては、ポリビニルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等の成形助剤を用いてもよい。

（４）焼成工程
焼成工程は、上記成形工程で得られた成形体を焼成する必須の工程である。
焼成は、熱間静水圧（ＨＩＰ）焼成等によって行うことができる。
焼成条件としては、酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下に、通常、１１００〜１６００℃において、通常３０分〜３６０時間、好ましくは８〜１８０時間、より好ましくは１２〜９６時間焼成する。焼成温度が１１００℃未満であると、ターゲットの密度が上がり難くなったり、焼結に時間がかかり過ぎるおそれがある。一方、１６００℃を超えると成分の気化により、組成がずれたり、炉を傷めたりするおそれがある。
燃焼時間が３０分未満であると、ターゲットの密度が上がり難く、３６０時間より長いと、製造時間がかかり過ぎコストが高くなるため、実用上採用できない。

一方、酸素を含有しない雰囲気で焼成したり、１６００℃以上の温度において焼成したりすると、得られるターゲットの密度を十分に向上させることができず、スパッタリング時の異常放電の発生を十分に抑制できなくなる場合がある。
焼成時の昇温速度は、通常８℃／分以下、好ましくは４℃／分以下、より好ましくは２℃／分以下、さらに好ましくは１℃／分以下、特に好ましくは０．５℃／分以下である。８℃／分以下であると本発明のターゲットが得られやすい。また、降温時にクラックが発生しにくい。
また、焼成時の降温速度は、通常４℃／分以下、好ましくは２℃／分以下、より好ましくは１℃／分以下、さらに好ましくは０．８℃／分以下、特に好ましくは０．５℃／分以下である。４℃／分以下であると本発明のターゲットが得られやすい。また、降温時にクラックが発生しにくい。

（５）還元工程
還元工程は、上記焼成工程で得られた焼結体のバルク抵抗をターゲット全体で均一化するためのものであり、必要に応じて設けられる工程である
本工程で適用することができる還元方法としては、例えば、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスによる還元等が挙げられる。
還元性ガスによる還元処理の場合、水素、メタン、一酸化炭素、又はこれらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
不活性ガス中での焼成による還元処理の場合、窒素、アルゴン、又はこれらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
還元処理時の温度は、通常１００〜８００℃、好ましくは２００〜８００℃である。また、還元処理の時間は、通常０．０１〜１０時間、好ましくは０．０５〜５時間である。

上記の各工程により、上記結晶構造１及び２をともに含む酸化物焼結体が得られる。この酸化物焼結体は、相対密度が高く、抵抗が低く、抗折強度が高く、均一性が高く、酸化物半導体や透明導電膜等酸化物薄膜を作製するためのターゲットとして適している。

上記の酸化物焼結体を必要に応じて所望の形状に加工することにより最終製品が得られる。
加工は、上記の酸化物焼結体をスパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工し、また、バッキングプレート等の装着用治具を取り付けるために行う。酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとするには、焼結体を、例えば、平面研削盤で研削して表面粗さＲａ５μｍ以下とする。さらに、スパッタリングターゲットのスパッタ面に鏡面加工を施して、平均表面粗さＲａが１０００オングストローム以下としてもよい。この鏡面加工（研磨）は機械的な研磨、化学研磨、メカノケミカル研磨（機械的な研磨と化学研磨の併用）等の、すでに知られている研磨技術を用いることができる。例えば、固定砥粒ポリッシャー（ポリッシュ液：水）で＃２０００以上にポリッシングしたり、又は遊離砥粒ラップ（研磨材：ＳｉＣペースト等）にてラッピング後、研磨材をダイヤモンドペーストに換えてラッピングすることによって得ることができる。このような研磨方法には特に制限はない。

得られたスパッタリングターゲットをバッキングプレートへボンディングする。ターゲットの厚みは通常２〜２０ｍｍ、好ましくは３〜１２ｍｍ、特に好ましくは４〜６ｍｍである。また、複数のターゲットを一つのバッキングプレートに取り付け、実質一つのターゲットとしてもよい。

研磨後、ターゲットを洗浄する。洗浄処理にはエアーブローあるいは流水洗浄等を使用できる。エアーブローで異物を除去する際には、ノズルの向い側から集塵機で吸気を行なうとより有効に除去できる。尚、以上のエアーブローや流水洗浄では限界があるので、さらに超音波洗浄等を行なうこともできる。この超音波洗浄は周波数２５〜３００ＫＨｚの間で多重発振させて行なう方法が有効である。例えば周波数２５〜３００ＫＨｚの間で、２５ＫＨｚ刻みに１２種類の周波数を多重発振させて超音波洗浄を行なうのが良い。

本発明スパッタリングターゲットは、相対密度が９５％以上であることが好ましく、９６％以上がより好ましく、９７％以上が特に好ましい。９５％未満だとターゲットが割れやすかったり、異常放電が発生しやすかったりするおそれがある。
相対密度とは、加重平均より算出した理論密度に対して相対的に算出した密度である。各原料の密度の加重平均より算出した密度が理論密度であり、これを１００％とする。

ターゲットの抵抗は、０．０１ｍΩｃｍ以上１０ｍΩｃｍ以下が好ましく、０．１ｍΩｃｍ以上５ｍΩｃｍ以下がより好ましく、０．２ｍΩｃｍ以上３ｍΩｃｍ以下が特に好ましい。抵抗値が１０ｍΩｃｍを超えると、長時間ＤＣスパッタリングを続けている場合、異常放電によりスパークが発生し、ターゲットが割れたり、スパークにより飛び出した粒子が成膜基板に付着し、酸化物半導体膜としての性能を低下させたりする場合がある。一方、０．０１ｍΩｃｍより小さいと、ターゲットの抵抗がパーティクルの抵抗より小さくなり、飛散してきたパーティクルにより異常放電が起きるおそれがある。

ターゲット内における、亜鉛以外の陽性元素のばらつき範囲が０．５％以内であることが好ましい。０．５％以内であると、ターゲットの抵抗の均一性を向上できる（ばらつきを減少できる）。また、成膜品のばらつきを低減できる。
陽性元素のばらつき範囲は、ターゲットの１０点から切り出した試料をＩＣＰで分析することにより測定できる。

ターゲット内における相対密度のばらつきの範囲が３％以内であることが好ましい。密度のばらつきの範囲が３％以内であると、ターゲットの抵抗の均一性が向上できる（ばらつきを減少できる）。また、成膜品のばらつきを低減できる。
相対密度のばらつきは、焼結体の任意の１０箇所を切り出して、その相対密度をアルキメデス法で求め、その平均値、最大値及び最小値を基に下記式から算出する。
相対密度のばらつき＝（最大−最小）／平均×１００（％）

ターゲット内におけるフェレー径２μｍ以上のピンホール数が単位面積当たり５０個／ｍｍ^２以下が好ましく、２０個／ｍｍ^２以下がより好ましく、５個／ｍｍ^２以下がさらに好ましい。フェレー径２μｍ以上のピンホール数が５０個／ｍｍ^２より多いと、ターゲット使用初期から末期まで異常放電が多発する傾向にあるため好ましくない。また、得られるスパッタ膜の平滑性も低下する傾向にある。焼結体内部のフェレー径２μｍ以上のピンホールが５個／ｍｍ^２以下だと、ターゲット使用初期から末期まで異常放電を抑制でき、また、得られるスパッタ膜は非常に平滑である。
ここで、フェレー径とは、ピンホールを粒子として見立てた場合に、粒子を挟むある一定方向の平行線間隔のことをいう。例えば、倍率１００倍のＳＥＭ像による観察で計測できる。

本発明のスパッタリングターゲットを用いて、基板等の対象物にスパッタすることにより、本発明の酸化物薄膜を成膜することができる。酸化物薄膜は薄膜トランジスタの半導体層、酸化物薄膜層等に好適に使用できる。
成膜時の膜厚としては、１〜４５ｎｍが好ましく、３〜３０ｎｍがさらに好ましく、５〜２０ｎｍが特に好ましい。膜厚が、４５ｎｍ以下となることにより、移動度が高く、Ｓ値が低い半導体となることが期待できる。

実施例１
（１）酸化物焼結体の作製
出発原料として、Ｉｎ_２Ｏ_３（純度４Ｎ、アジア物性材料社製）、Ｇａ_２Ｏ_３（純度４Ｎ、アジア物性材料社製）及びＺｎＯ（純度４Ｎ、高純度化学社製）を使用した。
これらの原料を秤量し、湿式媒体攪拌ミルを使用して混合粉砕した。尚、湿式媒体攪拌ミルの媒体には１ｍｍφのジルコニアビーズを使用した。
そして混合粉砕後、スプレードライヤーで乾燥させた。得られた混合粉末を金型に充填し、冷間静水圧（ＣＩＰ）にて面圧２２００ｋｇｆ／ｃｍ^２、５分保持にて加圧成形し成形体を作製した。
その後、電気炉にて焼結した。焼結条件は以下のとおりとした。
昇温速度：２℃／分
焼結温度：１５００℃
焼結時間：６時間
焼結雰囲気：酸素流入
降温時間：７２時間

（２）スパッタリングターゲットの作製
焼結後、厚さ６ｍｍの焼結体を厚さ５ｍｍ直径４インチに研削、研磨した。この焼結体からターゲット用焼結体を切り出した。焼結体の側辺をダイヤモンドカッターで切断して、表面を平面研削盤で研削して表面粗さＲａ０．５μｍ以下のターゲット素材とした。
次に、表面をエアーブローし、さらに周波数２５〜３００ｋＨｚの間で２５ｋＨｚ刻みに１２種類の周波数を多重発振させて３分間超音波洗浄した。ターゲット素材を得た。

この後、ターゲット素材をインジウム半田にて無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングしてターゲットとした。ターゲットの表面粗さＲａ≦０．５μｍであり、方向性のない研削面を備えていた。
製造したターゲットＤＣスパッタ成膜装置に装着した。０．３ＰａのＡｒ雰囲気下で、１００Ｗにて１００時間連続スパッタを行い、表面に発生するノジュールを計測した。その結果、ターゲット表面にはほとんどノジュールが発生しなかった。また、成膜時に異常放電はほとんど発生しなかった。

得られた酸化物焼結体（ターゲット）について、下記の評価を行った。結果を表１に示す。
（Ａ）酸化物焼結体の金属元素の比率
誘導結合プラズマ発光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ、島津製作所社製）で分析した。

（Ｂ）酸化物焼結体の結晶構造
Ｘ線回折測定（ＸＲＤ）により判定した。
・装置：（株）リガク製Ｕｌｔｉｍａ−ＩＩＩ
・Ｘ線：Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４０６Å、グラファイトモノクロメータにて単色化）
・２θ−θ反射法、連続スキャン（１．０°／分）
・サンプリング間隔：０．０２°
・スリット ＤＳ、ＳＳ：２／３°、ＲＳ：０．６ｍｍ

（Ｃ）ターゲットの特性
（ａ）相対密度
原料粉の密度から計算した理論密度と、アルキメデス法で測定した焼結体の密度から、下記計算式にて算出した。
相対密度＝（アルキメデス法で測定した密度）÷（理論密度）×１００（％）
（ｂ）バルク抵抗
抵抗率計（三菱化学(株)製、ロレスタ）を使用し四探針法（ＪＩＳ Ｒ１６３７）に基づき測定、１０箇所の平均値を抵抗率値とした。
（ｃ）抵抗の均一性
抵抗率計（三菱化学(株)製、ロレスタ）を使用し四探針法（ＪＩＳ Ｒ１６３７）に基づき測定、１０箇所の平均値と標準偏差から、下記計算式にて算出した。
（標準偏差）÷（平均値）×１００（％）
（ｄ）ピンホール数（平均空孔数）
焼結体の任意の方向にて鏡面研磨後、エッチングし、組織をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、単位面積当たりの直径１μｍ以上の空孔の個数を数えた。

（Ｄ）ターゲットの成膜特性
（ａ）異常放電
９６時間で発生した異常放電回数を測定した。
（ｂ）パーティクル（発塵量）
チャンバー内にスライドガラスを設置し、９６時間連続成膜後のスライドガラスに付着した１μｍ以上のパーティクルの密度を、顕微鏡を用いて計測した。
その結果、パーティクルが少ない方から順に、１０⁴個／ｍ²以内：○、１０⁴個／ｍ²超：×として評価した。
（ｃ）ノジュール（ノジュール発生密度）
９６時間連続成膜後の成膜後のスパッタリングターゲットの写真からノジュールで被覆された面積を計算し、以下の式で発生密度を計算した。
ノジュール発生密度＝ノジュール発生面積÷スパッタリングターゲット面積
その結果、ノジュールが少ない方から順に、１０^-1以内：○、１０^-1超：×として評価した。

（Ｅ）薄膜の評価
作製したターゲットを用い、下記の条件で薄膜（厚さ５０ｎｍ）を作製し、熱処理前後の電気特性を評価した。
・成膜条件
全圧は０．６５Ｐａ、酸素分圧はＡｒ：１９．６ｓｃｃｍ、Ｏ_２：０．４ｓｃｃｍ、パワーはＲＦ１００Ｗ、Ｔ−Ｓ間距離は１００ｍｍ、基板温度は室温（加熱なし）とした。
・熱処理条件
オーブンを用い、大気下、３００℃、１時間処理した。
・電子キャリア密度とホール移動度の測定
東陽テクニカ製、Ｒｅｓｉ Ｔｅｓｔ８３１０（ホール測定装置）を用いて評価した（測定条件：室温（２５℃）、０．５［Ｔ］、１０^−４〜１０^−１２Ａ、ＡＣ磁場ホール測定）。

実施例１で製造したターゲットのＸ線回折測定（ＸＲＤ）チャートを図２に示す。尚、比較のため、ＸＲＤチャートの下部にＺｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５（ＪＣＰＤＳ：２０−１４４２）のチャート及びＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５（ＪＣＰＤＳ：４０−０２５２）のチャートを示す。このチャートの解析結果から、２θ＝７．７０°、３１．２４°、３４．８０°、５５．１０°、５７．９６°の５本のピークが確認でき、酸化物Ａを含んでいることが確認できた（Ｚｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５やＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５の混合物とは異なっていた）。さらに、ＪＣＰＤＳカードのＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造に対応するピークも確認できた。すなわち、Ｉｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造と酸化物Ａの混合物になっていることが確認できた。
また、ピーク強度比から、酸化物ＡとＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造の比は凡そ５：４であった。
また、誘導結合プラズマ発光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）によりスパッタにより成膜した薄膜の含有元素を定量分析した。原子比でＩｎ：Ｇａ：Ｚｎは、５１：１０：３９でターゲットとほぼ一致（各組成の原子比がターゲットの±２％以内）し、Ｇａ含有量の大きな変動はなかった。

実施例２、３
原料の組成比を表１に示すように変更した他は、実施例１と同様にターゲットを作製し、評価した。結果を表１に示す。また、実施例２のＸ線回折チャートを図３に示す。

参照例
酸化物Ａ単体からなる酸化物焼結体を作製した。具体的には、原料の組成比を表１に示すように変更した他は、実施例１と同様にした。得られたターゲットを評価した。結果を表１に示す。
参照例で製造した酸化物焼結体のＸ線回折測定（ＸＲＤ）チャートを図４に示す。尚、比較のため、ＸＲＤチャートの下部にＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２（ＪＣＰＤＳ：４０−０２５２）のチャート及びＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２（ＪＣＰＤＳ：２０−１４４２）のチャートを示す。
この酸化物はＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２特有のピーク（図４中、○で示す）、及びＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２特有のピーク（図４中、○で示す）を有し、かつ、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２及びＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２には観測されないピークを有する。従って、この酸化物は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_２及びＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_２とは異なる新規な結晶系を有する。

本発明のスパッタリングターゲットは、新規な結晶である酸化物ＡとＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造をともに含む。この結果、酸化物Ａのみからなるターゲットよりも、焼結密度（相対密度）が向上し、抵抗が低下していることがわかる。これは、酸素欠損を生じやすいビックスバイト構造により、ターゲットのキャリア電子が生じ、新規結晶の層状構造で導電することが可能になったためと推定される。

比較例１
酸化インジウム粉末（純度４Ｎ）を秤量し、湿式媒体攪拌ミルを使用して粉砕した。尚、湿式媒体攪拌ミルの媒体には１ｍｍφのジルコニアビーズを使用した。
そして混合粉砕後、スプレードライヤーで乾燥させた。得られた粉末を金型に充填しコールドプレス機にて加圧成形し成形体を作製した。
得られた成形体を、酸素を流通させながら酸素雰囲気中１２００℃の高温で４時間焼結した。これによって、仮焼工程を行うことなく相対密度８２．２％であるスパッタリングターゲット用焼結体を得た。
Ｘ線回折により焼結体中には、Ｉｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造が存在することが確認された。この焼結体のバルク抵抗は、２５００ｍΩｃｍであった。
製造したターゲット（４インチφ、厚み５ｍｍ）をバッキングプレートにボンディングし、ＤＣスパッタ成膜装置に装着した。０．３ＰａのＡｒ雰囲気下で、１００Ｗにて１００時間連続スパッタを行い、表面に発生するノジュールを計測した。その結果、ターゲット表面のほぼ全面にノジュールの発生が認められた。
得られたターゲットを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。

比較例２
酸化インジウム粉末（純度４Ｎ）、酸化ガリウム粉末（純度４Ｎ）及び酸化亜鉛粉末（純度４Ｎ）を重量比でほぼＩｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝３４：４６：２０となるように秤量し、湿式媒体攪拌ミルを使用して混合粉砕した。尚、湿式媒体攪拌ミルの媒体には１ｍｍφのジルコニアビーズを使用した。
そして混合粉砕後、スプレードライヤーで乾燥させた。得られた混合粉末を金型に充填しコールドプレス機にて加圧成形し成形体を作製した。
得られた成形体を、酸素を流通させながら酸素雰囲気中１２００℃の高温で４時間焼結した。これによって、仮焼工程を行うことなく相対密度９０．８％（焼結体密度５．８５ｇ／ｃｍ^３）であるＩＧＺＯスパッタリングターゲット用焼結体を得た。
Ｘ線回折により焼結体中には、ＺｎＧａ_２Ｏ_４の結晶が存在することが確認されたが、ＩｎＧａＺｎＯ_４は観察されなかった。この焼結体のバルク抵抗は、１５０ｍΩｃｍであった。
製造したターゲット（４インチφ、厚み５ｍｍ）をバッキングプレートにボンディングし、ＤＣスパッタ成膜装置に装着した。０．３ＰａのＡｒ雰囲気下で、１００Ｗにて１００時間連続スパッタを行い、表面に発生するノジュールを計測した。その結果、ターゲット表面のほぼ半分にノジュールの発生が認められた。
得られたターゲットを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。

比較例３
組成比を表１のようにした以外は比較例２同様にターゲットを作製・評価した。結果を表１に示す。

［ＴＦＴの作製・評価］
実施例１−３及び参照例で作製したターゲットを使用してボトムゲート構造の電界効果型トランジスタを作製した。
スパッタリングターゲットを、スパッタ法の一つであるＲＦマグネトロンスパッタリング法の成膜装置に装着し、熱酸化膜（１００ｎｍ）付シリコン基板上に、膜厚が１５ｎｍのチャンネル層（半導体層）を成膜した。スパッタ条件は、上述の薄膜作製と同様とした。フォトリソグラフィにより半導体領域（いわゆる島）を構成した。
次に、半導体付き基板を、大気下３００℃で０．５時間熱処理した。
リフトオフのために、フォトレジスト材料を塗布しフォトレジスト膜を形成後、ソース電極及びドレイン電極となる金属薄膜を成膜した。金属薄膜は、ＤＣスパッタリングでＴｉ／Ａｕ／Ｔｉの順に積層して成膜した。成膜後リフトオフでパターニングしてソース電極、ドレイン電極を形成した。
その後、金属薄膜付き基板を、再度大気下３００℃で１時間熱処理して、Ｗ＝３０μｍ、Ｌ＝３０μｍのＳｉ基板をゲート電極としたボトムゲート構造の電界効果型トランジスタを製造した。
尚、半導体層の膜厚が４０ｎｍのものも同様に作製した。

得られた電界効果型トランジスタについて、下記の評価を行った。結果は表２に示す。
（１）電界効果移動度（μ）、Ｓ値、閾値電圧（Ｖｔｈ）
半導体パラメーターアナライザー（ケースレー４２００）を用い、大気圧の乾燥窒素雰囲気下、室温、遮光環境下で測定した。
（２）膜厚測定
膜厚計（（株）小坂研究所 ＥＴ３０００）を用いて測定した。
結果を表２に示す。

本発明のスパッタリングターゲットは、酸化物薄膜の形成に好適に使用できる。酸化物薄膜は、例えば、薄膜トランジスタの半導体層等に使用できる。

Claims (6)

1. 下記に示す酸化物Ａと、
   ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
   酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。
2. インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）の原子比が、下記式（１）及び（２）を満たす、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
   ０．１０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．４５ （１）
   ０．０５＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．１８ （２）
3. インジウム元素（Ｉｎ）及びガリウム元素（Ｇａ）の原子比が、下記式（３）を満たす、請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
   ０．１４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ） （３）
4. 含有される金属元素が、実質的にＩｎ，Ｇａ及びＺｎである請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
5. 抵抗が１０ｍΩｃｍ以下、相対密度９５％以上である請求項１〜４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載スパッタリングターゲットを用いて作製された酸化物薄膜。

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