TW202016337A - 透光性導電膜及調光膜 - Google Patents

Abstract

本發明之透光性導電膜(1)具備透光性基材(2)及透光性導電層(3)。透光性導電層(3)具有結晶質區域及非晶質區域。透光性導電層(3)中之晶粒之最大長度為200 nm以下，將透光性導電層(3)於大氣氛圍下、80℃、240小時之條件下進行加熱時之晶粒之最大長度為200 nm以下。

Description

透光性導電膜及調光膜

本發明係關於一種透光性導電膜及具備其之調光膜。

近年來，自冷暖氣設備負載之降低或設計性等考慮，智能窗等所代表之調光裝置之需求提高。調光裝置用於建築物或交通工具之窗玻璃、間隔件、室內裝飾等各種用途。

作為調光裝置中所使用之膜，例如專利文獻1中提出一種調光膜，其具備2個透明導電樹脂基材及夾持於2個透明導電樹脂基材之調光層，且調光層含有樹脂基質及光調整用懸濁液，透明導電樹脂基材之厚度為20~80 μm(例如參照專利文獻1)。

專利文獻1之調光膜藉由施加電場而調整通過調光層之光之吸收、散射，藉此可進行調光。此種調光膜之透明導電樹脂基材採用於聚酯膜等支持基材上積層包含銦錫複合氧化物(ITO)之透明導電層而成之膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]WO2008/075773

[發明所欲解決之問題]

且說，ITO等透明導電材料由於其形成過程而具有晶體結構或非晶質結構(Amorphous)。例如於藉由濺鍍等乾式方法而於支持基材上形成透明導電層(透光性導電層)之情形時，形成非晶質之透明導電層。而且，非晶質之透明導電層由於熱而轉化成結晶質之透明導電層。

通常情況下，與非晶質之透明導電層相比較而言，結晶質之透明導電層容易去除液體(尤其是水性液體)。因此，若於結晶質之透明導電層之表面配置調光層，則透明導電層去除調光層所含有之液體。其結果，調光層之厚度變得不均勻，產生調光功能產生偏差之缺陷。

又，調光膜長期暴露於外部大氣或日光下，因此由於熱而局部或全部地自然轉化為結晶質，透光率發生變化。因此，產生於調光膜面內產生透明度不均之缺陷。即，熱穩定性較差。

本發明提供一種熱穩定性良好，可降低調光功能之偏差之透光性導電膜及調光膜。 [解決問題之技術手段]

本發明[1]包含一種透光性導電膜，其係具備透光性基材及透光性導電層者，且上述透光性導電層具有結晶質區域及非晶質區域，上述透光性導電層中之晶粒之最大長度為200 nm以下，將上述透光性導電層於大氣氛圍下、80℃、240小時之條件下進行加熱時之晶粒之最大長度為200 nm以下。

本發明[2]包含如[1]之透光性導電膜，其中上述透光性導電層中之結晶質區域之面積比率為25%以下。

本發明[3]包含如[1]或[2]之透光性導電膜，其中上述透光性導電膜之透過率T₀ 與將上述透光性導電膜於大氣氛圍下、80℃、240小時之條件下進行加熱時之透過率T₁ 之變化率為1.0%以下。

本發明[4]包含如[1]至[3]之透光性導電膜，其係調光用透光性導電膜。

本發明[5]包含一種調光膜，其依序具備第1透光性導電膜、調光功能層及第2透光性導電膜，且上述第1透光性導電膜及/或上述第2透光性導電膜為如[1]至[4]中任一項之透光性導電膜。 [發明之效果]

根據本發明之透光性導電膜及調光膜，可將調光功能層均勻地配置於透光性導電層，可降低調光功能之偏差。又，即便長期加熱保存，亦可抑制透光性導電層之透光率之變化，因此熱穩定性良好。

於圖1中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向，第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側，第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側，第1方向另一側)。又，紙面左右方向及深度方向為與上下方向正交之面方向。具體而言，依據各圖之方向箭頭。

1.透光性導電膜 作為本發明之一實施形態之透光性導電膜1例如為用於調光裝置之膜。透光性導電膜1如圖1所示那樣，成為具有特定厚度之膜形狀(包含片狀)，於與上下方向(厚度方向)正交之面方向上延伸，具有平坦之上表面(厚度方向一面)及平坦之下表面(厚度方向另一面)。透光性導電膜1例如為調光膜7(下述，參照圖3)及調光裝置(下述)等之一零件，即，並非調光膜7及調光裝置。即，透光性導電膜1係用以製作調光膜7及調光裝置之零件，係不包含調光功能層8等，以單個零件流通，且產業上可利用之器件。

具體而言，透光性導電膜1於上下方向上具備透光性基材2及透光性導電層3。即，透光性導電膜1具備透光性基材2及配置於透光性基材2之上側的透光性導電層3。較佳為透光性導電膜1僅包含透光性基材2及透光性導電層3。以下，對各層進行詳述。

2.透光性基材 透光性基材2係透光性導電膜1之最下層，其係確保透光性導電膜1之機械強度之支持材。

透光性基材2具有膜形狀(包含片狀)。

透光性基材2例如包含有機膜、無機板(玻璃板等)。透光性基材2較佳包含有機膜，更佳包含高分子膜。有機膜含有水或有機氣體，因此可抑制透光性導電層3之由加熱所致之結晶性，抑制結晶質區域4之擴大。

高分子膜具有透光性及可撓性。作為高分子膜之材料，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)；例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物等烯烴樹脂；例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂等。該等高分子膜可單獨使用或併用2種以上。

就透光性、可撓性、機械強度等觀點而言，透光性基材2較佳可列舉由聚酯樹脂形成之聚酯系膜，更佳可列舉聚對苯二甲酸乙二酯膜。

透光性基材2之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為80%以上，較佳為85%以上。

透光性基材2之厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，更佳為40 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下。透光性基材2之厚度例如可使用膜厚計而測定。

亦可於透光性基材2之下表面設置隔離件等。

3.透光性導電層 透光性導電層3係可視需要於後續步驟中藉由蝕刻實施圖案化之導電層。

透光性導電層3具有膜形狀(包含片狀)，以與透光性基材2之上表面接觸之方式配置於透光性基材2之整個上表面。

作為透光性導電層3之材料，例如可列舉包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬的金屬氧化物。金屬氧化物可視需要進而摻雜上述群中所示之金屬原子。

作為透光性導電層3，較佳可列舉的是導電性金屬氧化物，具體而言可列舉：例如銦錫複合氧化物(ITO)等銦系導電性氧化物，例如銻錫複合氧化物(ATO)等銻系導電性氧化物等。就降低表面電阻之觀點及確保優異之透光性之觀點而言，透光性導電層3含有銦系導電性氧化物，更佳為含有銦錫複合氧化物(ITO)。即，透光性導電層3較佳為銦系導電性氧化物層，更佳為ITO層。

於使用ITO作為透光性導電層3之材料之情形時，氧化錫(SnO₂ )含量相對於氧化錫及氧化銦(In₂ O₃ )之合計量而言例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為8質量%以上，又，例如為25質量%以下，較佳為15質量%以下，更佳為13質量%以下。若氧化錫之含量為上述下限以上，則可實現透光性導電層3之低電阻，且更確實地抑制轉化為結晶質。又，若氧化錫之含量為上述上限以下，則可提高透光性或電阻之穩定性。

本說明書中之「ITO」只要是至少含有銦(In)及錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可含有其等以外之追加成分。作為追加成分，例如可列舉除In、Sn以外之金屬元素，具體而言可列舉：Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。

透光性導電層3具有結晶質區域4及非晶質區域5。即，透光性導電層3為半結晶質。

結晶質區域4係形成透光性導電層3之材料(例如ITO)成為結晶質之俯視區域。即，結晶質區域4含有晶粒6。於結晶質區域4中，只要晶粒6存在於上下方向之一部分即可(圖2A之A部)，未必必須為晶粒6存在於遍及上下方向整體之狀態(圖2A之B部)。

非晶質區域5係除結晶質區域4以外之區域，其係形成透光性導電層3之材料(例如ITO)為非晶質(Amorphous)狀態之俯視區域。即，於非晶質區域5中並不存在晶粒6。

透光性導電層3同時具有結晶質區域4及非晶質區域5，藉此可抑制於由完全不具有結晶質區域4之完全非晶質狀態產生結晶質區域4時產生之缺陷(較大透光性之變動)。又，透光性導電層3藉由至少一部分(於本實施形態中為大部分)具備具有柔軟性之非晶質區域5，可抑制由於製造時或搬送時之衝擊所致之龜裂。又，可抑制光透過不均之產生或調光功能缺陷之產生。

於透光性導電層3(加熱前)中，結晶質區域4中所存在之晶粒6之最大長度為200 nm以下，較佳為170 nm以下，更佳為150 nm以下，進而較佳為120 nm以下，特佳為80 nm以下，尤佳為60 nm以下，最佳為45 nm以下。最大長度之下限例如為0.1 nm以上，較佳為1 nm以上。若晶粒之最大長度為上述上限以下，則可抑制透光性導電層3之晶粒6之生長，可將長期加熱保存後之透光率之變化抑制為較低之範圍，且耐久性優異。

再者，晶粒6之最大長度係表示於結晶質區域4內所存在之全部晶粒6中，晶粒6之長度(各晶粒6能夠獲得之最大俯視長度)為最大者(參照圖2B)。

於透光性導電層3中，結晶質區域4所占之面積例如為0.01%以上，較佳為0.1%以上，更佳為0.5%以上，進而較佳為1%以上，又，例如為25%以下，較佳為20%以下，更佳為15%以下，進而較佳為10%以下，尤佳為5%以下。若結晶質區域之面積為上述範圍，則可進一步抑制長期加熱保存後之透光率之變化。

非晶質區域5所占之面積例如為75%以上，較佳為80%以上，更佳為85%以上，進而較佳為90%以上，尤佳為95%以上，又，例如為99.99%以下，較佳為99.9%以下，更佳為99.5%以下，進而較佳為99%以下。

結晶質區域4及非晶質區域5之面積、以及晶粒6之最大長度例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡將透光性導電層3之上表面放大為100,000倍之圖像後進行觀察而測定。

於對透光性導電層3進行高溫處理時，即，於高溫處理過之透光性導電層中，晶粒6之最大長度為200 nm以下，較佳為170 nm以下，更佳為150 nm以下，進而較佳為120 nm以下，尤佳為100 nm以下，最佳為80 nm以下，又，例如為0.1 nm以上，較佳為1 nm以上。

又，於此時，結晶質區域4所占之面積例如為0.5%以上，較佳為1%以上，又，例如為60%以下，較佳為50%以下，更佳為40%以下，進而較佳為30%以下，尤佳為20%以下，特佳為15%以下，最佳為5%以下。

若高溫處理時之晶粒6之最大長度或結晶質區域4之面積為上述範圍，則可將長期加熱保存後之透光率之變化抑制為非常低之範圍，熱穩定性優異。

於本發明中，高溫處理係指將透光性導電層3(甚至透光性導電膜1)於大氣環境下、80℃下加熱240小時之處理。作為加速高溫處理，亦可採用大氣氛圍下、140℃、30分鐘之加熱條件。

透光性導電層3較佳為含有雜質元素。作為雜質元素，可列舉：來自於形成透光性導電層3時使用之濺鍍氣體之元素(例如Ar元素)、來自透光性基材2所含有之水或有機氣體之元素(例如H元素、C元素)。藉由含有其等，可使透光性導電層3之結晶質區域4之面積更加降低。

透光性導電層3之厚度例如為10 nm以上，較佳為30 nm以上，更佳為50 nm以上，又，例如為200 nm以下，較佳為150 nm以下，更佳為80 nm以下。

透光性導電層3之厚度例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡之剖面觀察而測定。

透光性導電層3之比電阻例如為6.5×10^-4 Ω・cm以下，較佳為6.0×10^-4 Ω・cm以下，更佳為5.5×10^-4 Ω・cm以下，進而較佳為5.0×10^-4 Ω・cm以下，尤佳為4.6×10^-4 Ω・cm以下，又，例如為2.5×10^-4 Ω・cm以上，較佳為3.0×10^-4 Ω・cm以上。若透光性導電層3之比電阻值為上述上限以下，則即便於用作大型調光裝置之情形時，亦可實現良好之電驅動。又，若比電阻值為上述下限以上，則可更確實地維持透光性導電層3之非晶質性。

比電阻可由透光性導電層3之表面電阻值與厚度之積求出，透光性導電層3之表面電阻值可藉由四端子法而測定。

4.透光性導電膜之製造方法 其次，對製造透光性導電膜1之方法進行說明。

透光性導電膜1藉由準備透光性基材2，於透光性基材2之上表面形成透光性導電層3而獲得。

例如，藉由乾式於透光性基材2之上表面配置(積層)透光性導電層3。

作為乾式，例如可列舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳可列舉濺鍍法。

濺鍍法係於真空裝置之腔室內對向配置靶及被黏著體(透光性基材2)，供給氣體且施加電壓，藉此對氣體離子進行加速而照射至靶上，自靶表面彈出靶材料，使該靶材料積層於被黏著體表面。

作為濺鍍法，例如可列舉：二極濺鍍法、ECR(Electron Cyclotron Resonance，電子回旋共振)濺鍍法、磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等。較佳可列舉磁控濺鍍法。

濺鍍法中所使用之電源例如可為直流(DC)電源、交流中頻(AC/MF)電源、高頻(RF)電源、將直流電源重疊而成之高頻電源之任一者。

作為靶，可列舉構成透光性導電層3之上述金屬氧化物。例如，於使用ITO作為透光性導電層3之材料之情形時，使用包含ITO之靶。靶中之氧化錫(SnO₂ )含量相對於氧化錫及氧化銦(In₂ O₃ )之合計量而言例如為0.5質量%以上，較佳為5質量%以上，更佳為超過10質量%，又，例如為25質量%以下，較佳為15質量%以下。

濺鍍時之電壓例如為200 V以上，較佳為300 V以上，更佳為400 V以上，又，例如為800 V以下，較佳為600 V以下。若將電壓設為上述範圍所示之高電壓，則可於透光性導電層3內部存在適量之惰性氣體、水等雜質，其結果可降低結晶質區域4之面積，或縮小晶粒6之粒徑(尤其是最大長度)。

濺鍍時之溫度(具體而言，透光性基材2之溫度)例如為100℃以下，較佳為50℃以下，更佳為未達0℃，又，例如為-20℃以上。若成膜溫度為上述上限以下，則可更確實地降低透光性導電層3之結晶質區域4之產生。

濺鍍時之氣壓例如為1.0 Pa以下，較佳為0.5 Pa以下，又，例如為0.01 Pa以上。

作為所導入之氣體，例如可列舉Ar等惰性氣體。又，較佳為併用氧氣等反應性氣體。反應性氣體之流量相對於惰性氣體之流量之比(反應性氣體之流量(sccm)/惰性氣體之流量(sccm))例如為0.025以上，較佳為0.03以上，又，例如為0.05以下。

水之分壓比(水/全壓)例如為0.02以上，較佳為0.05以上，又，例如為0.10以下。

若反應氣體之流量比或水之分壓比為上述下限以上，則可使透光性導電層3內部之水分等雜質適量地存在，其結果可降低結晶質區域4之面積，或縮小晶粒6之粒徑(尤其是最大長度)。

藉此獲得具備透光性基材2及透光性導電層3之透光性導電膜1。

透光性導電膜1之總厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下。

透光性導電膜1之透光率T₀ 例如為50%以上，較佳為70%以上。上述透光率T₀ 係下述長期加熱保存之前的透光性導電膜1之透光率。

於對透光性導電膜1進行長期加熱保存時，即，於長期加熱過之透光性導電膜中，其透光率T₁ 為50%以上，較佳為70%以上。

透過率T₀ 與透過率T₁ 之變化率ΔT例如為1.5%以下，較佳為1.0%以下，更佳為0.8%以下，進而較佳為0.5%以下。 若上述變化率ΔT為上述範圍，則即便長期使用透光性導電膜1，透光率之變化仍然降低，因此可抑制透光率之不均。

變化率ΔT可藉由「{(T₁ -T₀ )/T₀ }×100%」之式而算出。

於本發明中，長期加熱保存係指將透光性導電膜1於大氣環境下、80℃下加熱240小時之處理。

而且，於該透光性導電膜1中，透光性導電層3具有結晶質區域4及非晶質區域5，透光性導電層3中之晶粒6之最大長度為200 nm以下。

因此，可將調光功能層8均勻地塗佈於透光性導電層3之表面，或可抑制調光功能層8內部之透過性導電層表面上之氣泡之形成。因此，可均勻地配置調光功能層8，可降低調光功能之偏差。推測其原因在於：於結晶質區域4中，容易彈開液體之晶粒6成為特定以下之大小，即，彈開液體之結構單元細分化，因此構成調光功能層8之溶液被彈開之面積降低。

又，將透光性導電層3於大氣氛圍下、80℃、240小時之條件下加熱時之晶粒之最大長度為200 nm以下。

因此，即便長期加熱保存，亦可抑制透光性導電層3之透光率之變化，透光性之熱穩定性良好。推測其原因在於：於結晶質區域4中，晶粒6成為上述特定以下之大小，因此晶粒6之擴大及增加得到抑制，結晶質區域4(具備與非晶質區域5不同透光率之區域)不會較大地擴張。

又，透光性導電膜1具有結晶質區域4及非晶質區域5，即，具備一部分(於本實施形態中為大部分)相較於結晶質區域4具有柔軟性之非晶質區域5，因此耐龜裂性等優異。

該透光性導電膜1為產業上可利用之器件。

再者，該透光性導電膜1可視需要實施蝕刻，使透光性導電層3圖案化成特定形狀。藉此可將透光性導電層3製成透明電極、透明配線等。此種透光性導電膜1亦可用作觸控面板用之透明導電膜。

5.調光膜 其次，關於使用透光性導電膜1製造調光膜7之方法，參照圖3進行說明。

調光膜7之製造方法例如具備：製造2個透光性導電膜1之步驟、其次藉由2個透光性導電膜1夾著調光功能層8之步驟。

首先，製造2個上述透光性導電膜1。再者，亦可對1個透光性導電膜1進行切斷加工，準備2個透光性導電膜1。

2個透光性導電膜1為第1透光性導電膜1A及第2透光性導電膜1B。

其次，例如藉由濕式於第1透光性導電膜1A中之透光性導電層3之上表面(表面)形成調光功能層8。

例如，將液晶組合物或其溶液塗佈於第1透光性導電膜1A中之透光性導電層3之上表面，形成塗膜。液晶組合物若為可用於調光用途者，則並無限定，可列舉公知者，例如可列舉日本專利特開平8-194209號公報中所記載之液晶分散樹脂。

繼而，將第2透光性導電膜1B以第2透光性導電膜1B之透光性導電層3與塗膜接觸之方式積層於塗膜之上表面。藉此，藉由2個透光性導電膜1、即第1透光性導電膜1A及第2透光性導電膜1B夾住塗膜。

其後，對於塗膜，視需要實施適當之處理(例如熱乾燥處理、光硬化處理)，形成調光功能層8。調光功能層8配置於第1透光性導電膜1A之透光性導電層3與第2透光性導電膜1B之透光性導電層3之間。

藉此，獲得依序具備第1透光性導電膜1A、調光功能層8及第2透光性導電膜1B之調光膜7。

調光膜7藉由安裝電源(未圖示)及控制裝置(未圖示)而用作例如電場驅動型之調光裝置(未圖示)。於電場驅動型之調光裝置中，藉由電源對第1透光性導電膜1A中之透光性導電層3及第2透光性導電膜1B中之透光性導電層3施加電壓，藉此於其等之間產生電場。而且，基於控制裝置控制上述電場，藉此使位於其等之間的調光功能層8成為配向狀態或不規則狀態，使光透過或將其遮斷。

而且，該調光膜7具備透光性導電膜1，因此可具備均一之調光功能層8，可降低調光功能之偏差。又，即便長期加熱保存，亦可抑制透光性導電層3之透光率之變化，因此熱穩定性良好。

6.變化例 於圖1之實施形態中，透光性導電層3直接配置於透光性基材2之上表面，但例如雖未圖示，但可於透光性基材2之上表面及/或下表面設置功能層。

即，例如，透光性導電膜1可具備透光性基材2、配置於透光性基材2之上表面之功能層、及配置於功能層之上表面之透光性導電層3。又，例如，透光性導電膜1可具備透光性基材2、配置於透光性基材2之上表面之透光性導電層3、及配置於透光性基材2之下表面之功能層。又，例如，亦可於透光性基材2之上側及下側依序具備功能層及透光性導電層3。

作為功能層，可列舉：易接著層、底漆塗佈層、硬塗層等。易接著層係用以提高透光性基材2與透光性導電層3之密接性而設置之層。底漆塗佈層係用以調整透光性導電膜1之反射率或光學色相而設置之層。硬塗層係用以提高透光性導電膜1之耐擦傷性而設置之層。該等功能層可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 [實施例]

以下，關於本發明，使用實施例而詳細地進行說明，但本發明只要不超過其主旨，就並不限定於實施例，可基於本發明之技術思想進行各種變化及變更。

以下示出實施例及比較例，對本發明進一步具體地進行說明。再者，本發明不受實施例及比較例任何限定。又，以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替代為上述「實施形態」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限(定義為「以上」、「超過」之數值)。

實施例1 準備厚度188 μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜作為透光性基材。

將PET膜設置於卷對卷型濺鍍裝置上進行真空排氣。其後，於導入有Ar及O₂ 之真空氛圍(氣壓0.2 Pa)中，藉由DC磁控濺鍍法形成厚度65 nm之包含ITO之透光性導電層。藉此製造透光性導電膜。

濺鍍條件如下所述。使用13質量%之氧化錫與87質量%之氧化銦之燒結體作為靶。濺鍍電壓設為400 V。透光性基材之溫度冷卻至-5℃。O₂ 流量相對於Ar流量之比(O₂ /Ar)設為0.03。真空氛圍之水分壓比(H₂ O/全壓)設為0.06。

實施例2 將濺鍍條件變更為表1中記載之條件，除此以外，與實施例1同樣地製造透光性導電膜。

比較例1 將濺鍍條件變更為表1中記載之條件，除此以外，與實施例1同樣地製造透光性導電膜。其中，透光性導電層之厚度設為25 nm。

(評估) (1)厚度 透光性基材之厚度使用膜厚計(尾崎製作所公司製造，裝置名「Digital Dial Gauge DG-205」)進行測定。透光性導電層之厚度藉由使用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製造，裝置名「HF-2000」)之剖面觀察進行測定。

(2)加熱前之晶粒 於各實施例及各比較例之透光性導電膜中，使用穿透式電子顯微鏡(日立公司製造之「H-7650」)，觀察透光性導電層之上表面，獲得倍率為100,000倍之平面圖像。根據該圖像測定結晶質區域相對於透光性導電層整體之面積比率及晶粒之最大長度。將結果示於表1。

(3)比電阻 於各透光性導電膜中，藉由四端子法測定光透明導電層之上表面之表面電阻值，根據該表面電阻值與上述厚度之積算出比電阻。將結果示於表1。

(4)高溫處理後之晶粒之觀察 將各透光性導電膜於大氣環境下、80℃下加熱240小時。於該高溫處理過之透光性導電膜中，與上述(2)之測定同樣地測定結晶質區域之面積比率及晶粒之最大長度。將其結果示於表1。

(5)熱穩定性 使用測霧計(Suga Test Instruments公司製造，裝置名「HGM-2DP」)，測定各透光性導電膜之全光線透過率，設為長期加熱保存前之透光率T₀ 。

其次，將各透光性導電膜於大氣環境下、80℃、240小時之條件下進行加熱。與上述同樣地測定該透光性導電膜之全光線透過率，設為長期加熱保存後之透光率T₁ 。

藉由「{(T₁ -T₀ )/T₀ }×100%」之式算出加熱前後之變化率ΔT。將ΔT為0.5%以下之情形評估為◎，將ΔT超過0.5%且為1.0%以下之情形評估為○，將ΔT超過1.0%，且為1.5%以下之情形評估為Δ，將ΔT超過2.0%之情形評估為×。將結果示於表1。

(6)調光功能層之均一性 作為調光功能層用之液晶組合物，準備將向列型液晶、樹脂及水加以混合而成之水性塗敷液，將該水性塗敷液以厚度成為20 μm之方式均勻地塗佈於各實施例及各比較例之透光性導電膜之透光性導電層之上表面。

將此時之液晶組合物均一地配置於透光性導電層之上表面之情形評估為○。將液晶組合物未配置於透光性導電層之上表面之一部分，產生不均之情形評估為×。

[表1]

再者，上述發明提供了本發明之例示之實施形態，但其僅為例示，並非限定性地進行解釋。由該技術領域之業者明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍。 [產業上之可利用性]

本發明之透光性導電膜及調光膜可適用於各種工業製品。例如用於建築物或交通工具之窗玻璃、間隔件、室內裝飾等各種用途中。

1:透光性導電膜 1A:第1透光性導電膜 1B:第2透光性導電膜 2:透光性基材 3:透光性導電層 4:結晶質區域 5:非晶質區域 6:晶粒 7:調光膜 8:調光功能層 A:晶粒6存在於上下方向之一部分之狀態 B:晶粒6存在於上下方向整體之狀態

圖1表示本發明之透光性導電膜之一實施形態之剖視圖。 圖2A-B表示圖1所示之透光性導電膜之放大圖，圖2A表示剖視圖，圖2B表示俯視圖。 圖3表示具備圖1所示之透光性導電膜之調光膜之剖視圖。

1:透光性導電膜

2:透光性基材

3:透光性導電層

Claims (5)

1. 一種透光性導電膜，其特徵在於：其係具備透光性基材及透光性導電層者，且 上述透光性導電層具有結晶質區域及非晶質區域， 上述透光性導電層中之晶粒之最大長度為200 nm以下， 將上述透光性導電層於大氣氛圍下、80℃、240小時之條件下進行加熱時之晶粒之最大長度為200 nm以下。
2. 如請求項1之透光性導電膜，其中上述透光性導電層中之結晶質區域之面積比率為25%以下。
3. 如請求項1或2之透光性導電膜，其中上述透光性導電膜之透過率T₀ 與將上述透光性導電膜於大氣氛圍下、80℃、240小時之條件下加熱時之透過率T₁ 之變化率為1.0%以下。
4. 如請求項1或2之透光性導電膜，其係調光用透光性導電膜。
5. 一種調光膜，其特徵在於：依序具備第1透光性導電膜、調光功能層及第2透光性導電膜，且 上述第1透光性導電膜及/或上述第2透光性導電膜為如請求項1至4中任一項之透光性導電膜。

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