TWI770166B - 附透光性導電層之膜、調光膜及調光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之附透光性導電層之膜包含膜基材及透光性導電層。透光性導電層及將透光性導電層以80℃加熱500小時後之被加熱透光性導電層均為非晶質。於將透光性導電層之載子密度設為Xa×1019 (/cm3 )、將霍爾遷移率設為Ya(cm2 /V•s)，並將被加熱透光性導電層之載子密度設為Xc×1019 (/cm3 )、將霍爾遷移率設為Yc(cm2 /V•s)時，滿足下述(1)式及式(2)之兩者。 0.5≦(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≦1.5 (1) Yc＞Ya (2)

Description

附透光性導電層之膜、調光膜及調光裝置
本發明係關於一種附透光性導電層之膜、調光膜及調光裝置。
近年來，就空調負載之降低或設計性等而言，以智慧型窗戶等為代表之調光裝置之需求增高。調光裝置作為建築物或交通工具之窗玻璃、間壁、室內裝飾等被用於各種產業。 作為調光裝置，例如提出有一種調光玻璃，其具備：具有2個透明導電性樹脂基材及由其等夾持之調光層之調光膜、及夾持調光膜之2片玻璃板(例如，參照專利文獻1)。 專利文獻1之調光玻璃可藉由施加電場而調整通過調光層之光之吸收、散射，藉此進行調光。又，專利文獻1之透明導電性樹脂基材具備透明樹脂基材、及形成於其表面之包含ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)之透明導電膜。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：WO2008/075773
[發明所欲解決之問題] 然而，透明導電膜具有結晶結構及非晶質結構之任一種。例如，於藉由濺鍍等將透明導電膜形成於透明樹脂基材之情形時，形成非晶質之透明導電膜。其後，該非晶質之透明導電膜藉由熱而轉化成結晶結構。 一般而言，透明導電膜使用表面電阻較低之結晶性之透明導電膜。 然而，結晶性之透明導電膜存在耐龜裂性或耐擦傷性較低之不良情況。尤其是由於調光玻璃所具備之調光膜多數情況下係作為大面積之膜使用，故而於其成形或加工、搬運之過程中產生龜裂或損傷之可能性較高。又，為了以較高之生產性獲得結晶性之透明導電膜，必須將非晶質性之透明導電膜以高溫(例如150℃以上)進行加熱，而容易產生伴隨加熱而產生之熱皺褶。尤其是於大面積之調光膜中，多數情況下會因調光膜之皺褶而導致外觀(設計性)看起來較差。因此，於調光膜中，對非晶質性之透明導電膜之要求較高。 然而，若調光膜具備非晶質性之透明導電膜，則由於暴露於外部大氣或日光中，故而容易因熱而導致局部或整面地向結晶性之透明導電膜自然轉化，表面電阻容易變化。其結果，有於調光膜面內產生表面電阻之不均而調光產生差異之虞。 本發明提供一種耐龜裂性、耐擦傷性、熱穩定性優異之附透光性導電層之膜、具備其而可抑制因熱所引起之調光之差異且外觀優異之調光膜及調光裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明(1)包含一種附透光性導電層之膜，其具備膜基材及透光性導電層，上述透光性導電層及將上述透光性導電層以80℃加熱500小時後之被加熱透光性導電層均為非晶質，且於將上述透光性導電層之載子密度設為Xa×1019 (/cm3 )、將霍爾遷移率設為Ya(cm2 /V•s)，將上述被加熱透光性導電層之載子密度設為Xc×1019 (/cm3 )、將霍爾遷移率設為Yc(cm2 /V•s)時，滿足下述(1)式及式(2)之兩者。 0.5≦(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≦1.5 (1) Yc＞Ya (2) 本發明(2)包含如(1)所記載之附透光性導電層之膜，其中上述膜基材具有長條形狀，且上述膜基材具有30 cm以上之寬度方向長度。 本發明(3)包含如(2)所記載之附透光性導電層之膜，其中於上述被加熱透光性導電層之沿著上述寬度方向之3點之複數個位置分別測定Xc及Yc，上述Xc之標準偏差為10×1019 (/cm3 )以下，且上述Yc之標準偏差為5(cm2 /V•s)以下。 本發明(4)包含如(1)至(3)中任一項所記載之附透光性導電層之膜，其中上述膜基材具有30 cm以上之TD方向(Transverse Direction，橫向)長度。 本發明(5)包含如(4)所記載之附透光性導電層之膜，其中於上述被加熱透光性導電層之沿著上述TD方向之3點之複數個位置分別測定Xc及Yc，上述Xc之標準偏差為10×1019 (/cm3 )以下，且上述Yc之標準偏差為5(cm2 /V•s)以下。 本發明(6)包含如(1)至(5)中任一項所記載之附透光性導電層之膜，其中上述透光性導電層含有銦系氧化物。 本發明(7)包含一種調光膜，其依序具備第1附透光性導電層之膜、調光功能層、及第2附透光性導電層之膜，且上述第1附透光性導電層之膜及/或上述第2附透光性導電層之膜係如(1)至(6)中任一項所記載之附透光性導電層之膜。 本發明(8)包含如(7)所記載之調光膜，其中上述調光功能層包含藉由施加電場及電流之至少一者而改變透光率及霧度之至少一者，藉此表現出調光性之材料。 本發明(9)包含一種調光裝置，其依序具備如(7)或(8)所記載之調光膜及透明保護板。 [發明之效果] 於本發明之附透光性導電層之膜中，由於透光性導電層及被加熱透光性導電層均為非晶質，故而耐龜裂性或耐擦傷性優異。 又，由於透光性導電層及被加熱透光性導電層之載子密度及霍爾遷移率滿足特定之條件，故而可抑制因熱所導致之透光性導電層之表面電阻之變化率及/或差，因此，熱穩定性優異。 本發明之調光膜由於耐龜裂性或耐傷擦傷性優異，故而加工性或搬運性良好。 本發明之調光膜係非晶質之透光性導電層，且未經過高溫加熱步驟而使用，故而即便以大面積使用調光膜，設計性(外觀)亦優異。 本發明之調光膜由於熱穩定性優異，故而具備其之本發明之調光裝置可長期抑制調光之差異。
於圖1中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向、第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側、第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。 於圖1及圖2A、圖2B中，紙面左右方向為左右方向(寬度方向、短邊方向、TD方向、與第1方向正交之第2方向)。 於圖2A及圖2B中，紙面上下方向為前後方向(長度方向、MD方向(Machine direction，縱向)、與第1方向及第2方向正交之第3方向)。 再者，圖2B及圖2C所示之粗實線係基於附透光性導電層之膜1之切斷之切斷線。 本發明之附透光性導電層之膜之一實施形態的附透光性導電層之膜1如圖1所示，形成具有特定厚度之膜形狀(包含片形狀)，具有沿著與厚度方向正交之特定方向(前後方向及左右方向、即面方向)延伸且平坦之上表面及平坦之下表面(2個主面)。附透光性導電層之膜1例如為調光膜4(下述，參照圖3)等之一零件，即並非為調光膜4。即，附透光性導電層之膜1係用以製作調光膜4等之零件，不包含調光功能層5等，係以零件單獨流通且可於產業上利用之器件。 具體而言，附透光性導電層之膜1依序具備膜基材2及透光性導電層3。即，附透光性導電層之膜1具備膜基材2及配置於膜基材2之上側之透光性導電層3。又，較佳為附透光性導電層之膜1僅由膜基材2及透光性導電層3構成。 膜基材2係附透光性導電層之膜1之最下層，並且係確保附透光性導電層之膜1之機械強度之支持材。 膜基材2具有膜形狀(包含片形狀)。 作為膜基材2之材料，可列舉例如有機材料、例如玻璃等無機材料，較佳為列舉有機材料。有機材料由於含有水或有機氣體，故而可抑制因透光性導電層3之加熱而產生之結晶性，可進一步維持非晶質性。 作為膜基材2之材料，更佳為列舉高分子。 作為高分子，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)；例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物等烯烴樹脂；例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂、降𦯉烯樹脂等。該等高分子可單獨使用或將2種以上併用。 該等高分子通常具有透光性，亦可根據用途使用具有遮光性之材料。 於本申請案中，若膜基材2之可見光透過率為50%以上且100%以下，則定義為具有透光性，若為0%以上且未達50%，則定義為具有遮光性。遮光性之賦予方法並無限定，例如可藉由於高分子中添加色素或染料而調整遮光性。 就耐熱性、機械特性等觀點而言，高分子較佳為列舉聚酯樹脂，更佳為列舉PET。 又，藉由調整膜基材2之水分含量，可獲得下述特性之附透光性導電層之膜1。 具體而言，膜基材2之每單位面積之水分含量例如為10 μg/cm2 以上，較佳為20 μg/cm2 以上，更佳為30 μg/cm2 以上，又，例如為200 μg/cm2 以下，較佳為170 μg/cm2 以下。若膜基材2之水分含量為上述範圍內，則不易產生結晶化，且容易獲得低電阻之非晶質之透光性導電層3。若膜基材2之水分過小，則有容易產生環境溫度下之非晶質之透光性導電層3之結晶化之傾向，若膜基材2之水分含量過大，則有非晶質之透光性導電層3之表面電阻穩定性降低之傾向。水分含量(μg/cm2 )可根據藉由JIS K 7251-B法(水分氣化法)求出之水分含量作為每單位面積之水之含量而算出。 亦可於膜基材2之下表面設置隔離膜或保護膜等。 膜基材2之厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，更佳為40 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下。膜基材2之厚度例如可使用膜厚計進行測定。 膜基材2之俯視形狀根據附透光性導電層之膜1之用途及目的適當設定，並無特別限定。如圖2A所示，膜基材2例如具有前後方向較長、左右方向較短之長條之大致矩形狀。藉此，膜基材2具有相互對向之2個長邊6、及將其等之左右方向兩端緣連結之2個短邊7。 該膜基材2之俯視下之尺寸根據附透光性導電層之膜1之用途及目的適當設定，並無特別限定。膜基材2例如具有30 cm以上、較佳為0.50 m以上、更佳為1.0 m以上、進而較佳為1.2 m以上、尤佳為2 m以上、且10 m以下之短邊7之長度(TD方向長度)W。 膜基材2亦可將膜基材2捲繞而製成長條狀膜捲筒。長條狀膜捲筒之捲繞數量例如為100 m以上，較佳為500 m以上，更佳為1000 m以上，又，例如為20000 m以下。長條狀膜捲筒可以輥對輥方式連續地形成透光性導電層3，生產性優異。 透光性導電層3係可視需要於下述步驟中藉由蝕刻進行圖案化之導電層。如圖1所示，透光性導電層3係附透光性導電層之膜1中之最上層。透光性導電層3具有膜形狀(包含片形狀)，且以與膜基材2之上表面接觸之方式配置於膜基材2之整個上表面。透光性導電層3為非晶質。 再者，關於透光性導電層3為非晶質，例如於透光性導電層3之材料為ITO(下述)之情形時，可藉由於20℃之鹽酸(濃度5質量%)中浸漬15分鐘後進行水洗及乾燥，並測定15 mm左右之間之端子間電阻而判斷。於本說明書中，於在將附透光性導電層之膜1浸漬於鹽酸(20℃、濃度：5質量%)中並進行水洗及乾燥後，透光性導電層3中之15 mm間之端子間電阻為10 kΩ以上之情形時，判斷透光性導電層3為非晶質。 作為透光性導電層3之材料，例如可列舉包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。亦可視需要於金屬氧化物中進而摻雜上述群中所示之金屬原子或未記載於上述群中之金屬原子或半金屬原子。 作為透光性導電層3，可列舉例如銦錫複合氧化物(ITO)、銦鋅複合氧化物(IZO)等銦系氧化物、例如銻錫複合氧化物(ATO)等銻系氧化物等。就降低表面電阻之觀點及確保優異之透光性之觀點而言，透光性導電層3含有銦系氧化物，更佳為含有銦錫複合氧化物(ITO)。即，透光性導電層3較佳為銦系氧化物層，更佳為ITO層。藉此，表面電阻低，透光性優異。 於將ITO用作透光性導電層3之材料之情形時，氧化錫(SnO2 )含量相對於氧化錫及氧化銦(In2 O3 )之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為8質量%以上，進而較佳為超過10質量%，又，例如為25質量%以下，較佳為15質量%以下，更佳為13質量%以下。藉由將氧化錫之含量設為上述下限以上，可實現透光性導電層3之低表面電阻(例如，150 Ω/□以下)，並且可更確實地抑制向結晶質之轉化。又，藉由將氧化錫之含量設為上述上限以下，可提高透光性或表面電阻之穩定性。 所謂本說明書中之「ITO」，只要為至少包含銦(In)與錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可包含該等以外之追加成分。作為追加成分，例如可列舉In、Sn以外之金屬元素，具體而言，可列舉Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。 透光性導電層3較佳為包含雜質元素。作為雜質元素，可列舉源自形成透光性導電層3時所使用之濺鍍氣體之元素(例如Ar元素)、源自膜基材2中所含有之水或有機氣體之元素(例如H元素、C元素)。藉由含有該等，可進一步提高透光性導電層3之非晶質性。 透光性導電層3之厚度例如為10 nm以上，較佳為30 nm以上，更佳為超過30 nm，進而較佳為40 nm以上，尤佳為50 nm以上，又，例如為200 nm以下，較佳為150 nm以下，更佳為100 nm以下，進而較佳為80 nm以下。透光性導電層3之厚度例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡之剖面觀察進行測定。於透光性導電層3之材料為ITO之情形時，通常非晶質之透光性導電層3之厚度越大，非晶質穩定性(可穩定地維持非晶質之性質)越低而越容易自然結晶化。尤其是於厚度超過30 nm之水準下，該傾向顯著，但由於本透光性導電層3具有下述特性，故而即便透光性導電層3之材料為ITO，非晶質穩定性亦優異。 透光性導電層3之俯視形狀及尺寸與膜基材2之其等相同。 繼而，對製造附透光性導電層之膜1之方法進行說明。 附透光性導電層之膜1係藉由首先準備膜基材2，繼而將透光性導電層3形成於膜基材2之表面而獲得。 於將透光性導電層3形成於膜基材2之表面時，例如，藉由乾式將透光性導電層3配置(積層)於膜基材2之上表面。 作為乾式，例如可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳為列舉濺鍍法。 濺鍍法係於真空裝置之腔室內將靶及膜基材2對向配置，一面供給氣體，一面施加電壓，藉此使氣體離子加速照射至靶而自靶表面彈出靶材料，並使該靶材料積層於膜基材2之表面。 作為濺鍍法，例如可列舉二極濺鍍法、ECR(electron cyclotron resonance，電子回旋共振)濺鍍法、磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等。較佳為列舉磁控濺鍍法。 濺鍍法所使用之電源例如可為直流(DC)電源、交流中頻(AC/MF)電源、高頻(RF)電源、將直流電源重疊之高頻電源之任一者。 作為靶，可列舉構成透光性導電層3之上述金屬氧化物。例如，於將ITO用作透光性導電層3之材料之情形時，使用包含ITO之靶。靶中之氧化錫(SnO2 )含量相對於氧化錫及氧化銦(In2 O3 )之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為8質量%以上，進而較佳為超過10質量%，又，例如為25質量%以下，較佳為15質量%以下，更佳為13質量%以下。 就成膜速度、雜質對透光性導電層3之組入等觀點而言，靶表面之水平磁場之強度例如為10 mT以上，較佳為20 mT以上，又，為200 mT以下，較佳為100 mT以下，更佳為80 mT以下。若水平磁場強度為上述範圍，則可提高濺鍍中之電漿密度，膜基材2所受到之熱量容易變高。其結果，自膜基材2釋放之雜質(例如水等)容易組入至透光性導電層3內，透光性導電層3之非晶質性容易變高。 濺鍍時之放電氣壓例如為1.0 Pa以下，較佳為0.5 Pa以下，又，例如為0.01 Pa以上，較佳為0.2 Pa以上。 藉由調整濺鍍時之膜基材2之溫度，可獲得下述特性之附透光性導電層之膜1。 濺鍍時之膜基材2之溫度例如為-30℃以上，較佳為-10℃以上，又，例如為180℃以下，較佳為90℃以下，更佳為60℃以下，進而較佳為40℃以下，尤佳為未達10℃。 藉由設為上述上限以下，可抑制因成膜時之熱而導致之透光性導電層3之結晶粒生成。又，藉由設為上述下限以上，可將膜基材2中所含有之水或有機氣體之釋放量調整為適當之範圍，從而容易獲得具有品質良好之非晶質膜之透光性導電層3。 作為濺鍍法中所使用之氣體，可列舉例如惰性氣體之單獨使用、例如惰性氣體及反應性氣體之組合。作為惰性氣體，例如可列舉Ar氣體等。作為反應性氣體，例如可列舉氧氣等。 較佳為列舉惰性氣體及反應性氣體之組合。 反應性氣體之流量相對於惰性氣體之流量之比(反應性氣體之流量(sccm)/惰性氣體之流量(sccm))例如為0.010以上且5以下。反應性氣體之流量相對於惰性氣體之流量之比係根據氣壓或靶表面之水平磁場強度、膜基材之溫度等成膜環境適當設定。 於該方法中，藉由調整反應氣體量、尤其是氧氣量，可形成(成膜)下述特性之透光性導電層3。 例如列舉透光性導電層3之材料為ITO之例。藉由濺鍍法而獲得之透光性導電層3通常係作為非晶質之透光性導電層3而成膜。此時，根據導入至非晶質之透光性導電層3內部之氧氣導入量，非晶質之透光性導電層3之膜質變化。 具體而言，於導入至非晶質之透光性導電層3內部之氧氣導入量少於適量之情形(氧氣不足狀態)時，會因大氣環境下之加熱而向結晶質轉化。 另一方面，若非晶質之透光性導電層3中所含有之氧氣導入量適量，則即便於經過大氣環境下之加熱之情形時，亦維持非晶質結構而熱穩定性優異。 另一方面，若非晶質之透光性導電層3中所含有之氧氣導入量多於適量，則雖經過大氣環境下之加熱而維持非晶質結構，但加熱後之表面電阻大幅增大而熱穩定性較差。 上述原因不限定於任何理論，作如下推測。再者，本發明並不限定於以下理論。於非晶質之透光性導電層3中所包含之氧氣量較少之情形(氧氣不足狀態)時，非晶質之透光性導電層3於其結構中具有大量氧空位部，故而構成ITO之各原子容易藉由熱振動而移動，從而容易獲取最佳結構。因此，藉由大氣環境下之加熱，而將氧氣適度組入至氧空位部，並獲取最佳結構(結晶質結構)。另一方面，若非晶質之透光性導電層3中所含有之氧氣導入量為適量範圍，則非晶質之透光性導電層3不易產生氧空位部。即，所謂氧氣之適量範圍，表示非晶質之透光性導電層3容易獲取化學反應計量組成之範圍。若氧氣量適量，則即便於非晶質之透光性導電層3於大氣環境下進行加熱之情形時，由於氧空位部較少，故而亦不會過度氧化而維持品質良好之非晶質結構。另一方面，於非晶質之透光性導電層3中所含有之氧氣導入量過剩之情形時，非晶質之透光性導電層3內所包含之氧原子發揮作為雜質之作用。若雜質原子超過適當之含有水準，則會成為中子散射之因素而導致表面電阻增大。因此推測，若非晶質之透光性導電層3中所含有之氧氣導入量過剩，則透光性導電層3內之氧氣量因加熱而進一步變得過剩，表面電阻大幅增大(熱穩定性降低)。 此處，於以輥對輥方式於TD方向長度較大(例如30 cm以上)之膜基材2上形成非晶質之透光性導電層3之情形時，藉由使透光性導電層3之成膜時所供給之氧氣之供給量於膜基材2之TD方向上變化，而獲得下述特性之透光性導電層3。膜基材2含有雜質氣體(上述水分或有機氣體)，但於濺鍍(真空成膜)時釋放之雜質氣體之量、以及組入至透光性導電層3中之雜質氣體之量於膜基材2之TD方向上並不均勻(不均勻)。又，相對於所導入之氧氣量，藉由真空泵排出之氧氣量亦於TD方向上並不均勻(不均勻)。 因此，於在TD方向上均勻地導入氧氣之情形時，對應於TD方向之雜質氣體之量或被廢棄之氧氣量而產生局部氧氣過多(雜質過多)或氧氣不足之區域，從而不易獲得下述特性之透光性導電層3。尤其是於使用長條狀之膜基材2(例如300 m以上)並以輥對輥方式形成透光性導電層3之情形時，容易受到TD方向之雜質氣體之量之差異(不均勻性)之影響，此外，亦容易受到膜基材2之行進方向(MD方向)之雜質氣體含量之差異之影響，從而有更難獲得下述特性之透光性導電層3之傾向。因此，藉由對應於透光性導電層3之TD方向之雜質氣體含量或氧氣含量調整TD方向之氧氣之導入量，而獲得具有下述特性之附透光性導電層之膜1。再者，於獲得結晶質之透光性導電層3(並非本發明之非晶質之透光性導電層3)之情形時，由於預先使氧氣導入量明確少於上述「適量」，故而可減小TD方向之雜質氣體或氧氣量之影響，TD方向之氧氣導入量之影響較小。 調整TD方向之氧氣導入量之方法並無限定，例如可藉由將氧氣供給配管於TD方向上分割成複數個而適當調整氧氣導入量。氧氣供給配管之分割數例如分割成2個以上，較佳為分割成3個以上，又，例如分割成20個以下，較佳為分割成10個以下。藉由具備分割成複數個之氧氣供給配管，可獲得下述特性之透光性導電層3。 透光性導電層3之加熱前之表面電阻例如為1 Ω/□以上，較佳為10 Ω/□以上，又，例如為250 Ω/□以下，較佳為200 Ω/□以下，更佳為150 Ω/□以下，進而較佳為未達100 Ω/□。若加熱前之表面電阻為上述下限以上，則可抑制透光性導電層3之光學特性之劣化。又，若加熱前之表面電阻為上述上限以下，則可防止下述透光性導電層3之加熱前後之表面電阻之變化率及/或差變得過大，而可獲得穩定之透光性導電層3。 被加熱透光性導電層3α之表面電阻與透光性導電層3之表面電阻相同。 透光性導電層3之加熱前後之表面電阻之變化率(被加熱透光性導電層3α之表面電阻相對於透光性導電層3之表面電阻之比率)(即被加熱透光性導電層3α之表面電阻/透光性導電層3之表面電阻)例如為0.80以上，較佳為0.85以上，更佳為0.90以上，又，例如為1.25以下，較佳為1.20以下，更佳為1.1以下。 被加熱透光性導電層3α之表面電阻減去透光性導電層3之表面電阻所得之值之絕對值、即被加熱透光性導電層3α之表面電阻與透光性導電層3之表面電阻之差(|[被加熱透光性導電層3α之表面電阻]-[透光性導電層3之表面電阻]|)例如為40 Ω/□以下，較佳為30 Ω/□以下，更佳為20 Ω/□以下，進而較佳為15 Ω/□以下，又，例如為0 Ω/□以上，較佳為0.001 Ω/□以上。表面電阻較小(例如250 Ω/□以下)之非晶質之透光性導電層3通常厚度容易變厚，其結果，非晶質穩定性容易變差，加熱前後之表面電阻之差容易增大。然而，本申請案之透光性導電層3由於適當設定膜內之氧氣量或雜質量(例如水分含量)、成膜製程(靶表面之水平磁場強度或放電氣壓、溫度等)，故而可將加熱前後之表面電阻之差抑制在上述範圍。 若上述差為上述上限以下，則可抑制透光性導電層3之膜質變化變得過大，而可防止調光功能層5之塗佈性之變差及/或調光功能之劣化。 透光性導電層3之加熱前之比電阻例如為6×10-4 Ω•cm以下，較佳為5.5×10-4 Ω•cm以下，更佳為5×10-4 Ω•cm以下，進而較佳為4.8×10-4 Ω•cm以下，尤佳為4.5×10-4 Ω•cm以下，又，例如為3×10-4 Ω•cm以上，較佳為3.5×10-4 Ω•cm以上，更佳為4.0×10-4 Ω•cm以上。若加熱前之透光性導電層3之比電阻為上述上限以下，則可減小上述透光性導電層3之加熱前後之表面電阻之變化率及/或差。又，若比電阻為上述下限以上，則容易維持透光性導電層3之非晶質性。 被加熱透光性導電層3α之比電阻與透光性導電層3之比電阻相同，較佳為與透光性導電層3之比電阻同等水準以下。具體而言，被加熱透光性導電層3α之比電阻相對於透光性導電層3之比電阻之比([被加熱透光性導電層3α之比電阻/[透光性導電層3之比電阻])例如為1.25以下，較佳為1.2以下，更佳為未達1.2，進而較佳為1.1以下，尤佳為1.0以下，最佳為0.98以下，又，例如為0.5以上，較佳為0.65以上，進而較佳為0.8以上。若上述比為上述範圍，則容易獲得穩定之非晶質性。 再者，被加熱透光性導電層3α係將透光性導電層3於大氣環境下以80℃加熱500小時後而成者。又，被加熱透光性導電層3α成為透光性導電層3之熱穩定性之指標。進而，於作為長期之熱穩定性之加速試驗進行加熱之情形時，亦可將加熱條件例如設為140℃、1小時。被加熱透光性導電層3α為非晶質。 該附透光性導電層之膜1具備基於以下之霍爾效應之特性。 [1]載子密度(Xa、Xc) 透光性導電層3之加熱前之載子密度(Xa×1019 /cm3 )例如為10×1019 /cm3 以上，較佳為20×1019 /cm3 以上，更佳為30×1019 /cm3 以上，進而較佳為35×1019 /cm3 以上，又，例如為60×1019 /cm3 以下，較佳為50×1019 /cm3 以下，更佳為40×1019 /cm3 以下。如圖2A所示，透光性導電層3之載子密度Xa係沿著沿短邊7之方向(TD方向、短邊方向)，於複數點P1、P2、P3測定載子密度，並作為其等之平均值而求出。此時，所測定之點數為3點。測定點之兩端部(P1及p3之2點)係設為距均勻地形成有透光性導電層3之末端部之位置80 mm之內側位置，中央點(P2之1點)係設為膜基材2之中央位置。於本申請案中，所謂「均勻地形成有透光性導電層3之末端部」，意指透光性導電層3之厚度相對於膜基材2之中央位置之透光性導電層3之厚度為±10%以內之區域之末端部。 具體而言，於膜基材2之TD寬度為1300 mm且整個面均勻地形成有透光性導電層3之情形時，將P1=80 mm、P2=650 mm、P3=1220 mm位置設為測定點。 再者，所謂「加熱前」，例如係指自形成透光性導電層3後起至加熱至80℃以上之前。 進而，即便為透光性導電層3之熱歷程不明確之附透光性導電層之膜1，只要為重新加熱至80℃以上之前，則亦作為「加熱前」對待。 透光性導電層3之沿著短邊7之方向長度之3點之複數點之載子密度之標準偏差例如為10×1019 (/cm3 )以下，較佳為5×1019 (/cm3 )以下，更佳為3×1019 (/cm3 )以下，進而較佳為2×1019 (/cm3 )以下，又，例如為0.001×1019 (/cm3 )以上。若標準偏差為上述上限以下，則可均勻地設定透光性導電層3之寬度方向上之載子密度Xa，因此，可減少寬度方向上之熱特性之差異，從而可提高熱穩定性。 另一方面，被加熱透光性導電層3α之載子密度(Xc×1019 /cm3 )例如為10×1019 /cm3 以上，較佳為20×1019 /cm3 以上，更佳為30×1019 /cm3 以上，進而較佳為32×1019 /cm3 以上，又，例如為70×1019 /cm3 以下，較佳為60×1019 /cm3 以下，較佳為50×1019 /cm3 以下。被加熱透光性導電層3α之載子密度Xc係藉由與透光性導電層3之載子密度Xa相同之測定求出。 被加熱透光性導電層3α之沿著短邊7之方向長度之複數點P1、P2、P3之載子密度之標準偏差例如為10×1019 (/cm3 )以下，較佳為5×1019 (/cm3 )以下，更佳為3×1019 (/cm3 )以下，進而較佳為2×1019 (/cm3 )以下，又，例如為0.001×1019 (/cm3 )以上。若標準偏差為上述上限以下，則可均勻地設定被加熱透光性導電層3α之寬度方向上之載子密度Xc，因此，可減少寬度方向上之熱特性之差異，從而可提高熱穩定性。 就透光性導電層3之熱穩定性之觀點而言，被加熱透光性導電層3α之載子密度之標準偏差較佳為與透光性導電層3之載子密度之標準偏差相同之值以下。透光性導電層3藉由具有上述特徵，而進一步提高透光性導電層3之熱穩定性。 [2]霍爾遷移率(Ya、Yc) 透光性導電層3之加熱前之霍爾遷移率(Ya cm2 /V•s)例如為10 cm2 /V•s以上，較佳為20 cm2 /V•s以上，更佳為30 cm2 /V•s以上，又，例如為70 cm2 /V•s以下，較佳為50 cm2 /V•s以下，更佳為40 cm2 /V•s以下。再者，透光性導電層3之霍爾遷移率Ya係於沿著沿短邊7之方向(TD方向、短邊方向)之3點之複數點P1、P2、P3測定霍爾遷移率Ya，並作為其等之平均值而求出。 透光性導電層3之沿著短邊7之方向長度之複數點P1、P2、P3之霍爾遷移率之標準偏差例如為5 cm2 /V•s以下，較佳為3 cm2 /V•s以下，更佳為2 cm2 /V•s以下，進而較佳為1 cm2 /V•s以下，又，例如為0.001 cm2 /V•s以上。若標準偏差為上述上限以下，則可均勻地設定透光性導電層3之沿著短邊7之方向上之霍爾遷移率Ya，因此，可減少寬度方向上之熱特性之差異，從而可提高熱穩定性。 被加熱透光性導電層3α之霍爾遷移率(Yc cm2 /V•s)例如為10 cm2 /V•s以上，較佳為20 cm2 /V•s以上，更佳為30 cm2 /V•s以上，又，例如為70 cm2 /V•s以下，較佳為50 cm2 /V•s以下，更佳為45 cm2 /V•s以下。再者，被加熱透光性導電層3α之霍爾遷移率Yc係藉由與霍爾遷移率Ya相同之測定求出。 又，被加熱透光性導電層3α之沿著短邊7之方向長度上之複數點P1、P2、P3之霍爾遷移率之標準偏差例如為5 cm2 /V•s以下，較佳為3 cm2 /V•s以下，更佳為2 cm2 /V•s以下，進而較佳為1 cm2 /V•s以下，又，例如為0.001 cm2 /V•s以上。若標準偏差為上述上限以下，則可均勻地設定被加熱透光性導電層3α之寬度方向上之霍爾遷移率Yc，因此，可減少寬度方向上之熱特性之差異，從而可提高熱穩定性。 被加熱透光性導電層3α之霍爾遷移率Yc之標準偏差較佳為與透光性導電層3之霍爾遷移率Ya之標準偏差相同之值以下。藉此，透光性導電層3之熱穩定性進一步提高。 再者，霍爾遷移率係基於霍爾效應，係導電率與霍爾常數之積。 與透光性導電層及被加熱透光性導電層之載子密度及霍爾遷移率相關之式(1)~(4) 並且，透光性導電層3之載子密度(Xa×1019 /cm3 )及被加熱透光性導電層之載子密度(Xc×1019 /cm3 )與透光性導電層3之霍爾遷移率(Ya cm2 /V•s)及被加熱透光性導電層之霍爾遷移率(Ya cm2 /V•s)滿足下述式(1)及式(2)之兩者。 0.5≦(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≦1.5 (1) Yc＞Ya (2) 若不滿足上述式(1)，則無法抑制透光性導電層3之因加熱而產生之表面電阻之變化，因此，熱穩定性降低。 再者，(Xc/Xa)係被加熱透光性導電層3α之載子密度Xc相對於透光性導電層3之載子密度Xa之比，(Yc/Ya)係被加熱透光性導電層3α之霍爾遷移率Yc相對於透光性導電層3之霍爾遷移率Ya之比，並且若均為1或者接近1之值，則滿足上述式(1)。又，即便於(Xc/Xa)不接近1、具體而言相對於1顯著大之情形時，只要(Xc/Xa)不相對於1顯著小，則亦滿足上述式(1)。進而，上述大小關係亦可顛倒。 (Xc/Xa)×(Yc/Ya)較佳為0.80以上，更佳為0.90以上，進而較佳為0.95以上，尤佳為1.000以上。又，(Xc/Xa)×(Yc/Ya)較佳為1.3以下，更佳為1.2以下，進而較佳為1.15以下，尤佳為1.10以下。若(Xc/Xa)×(Yc/Ya)為上述下限以上或者上述上限以下，則可抑制透光性導電層3之因加熱而產生之表面電阻之變化，因此，熱穩定性優異。 若滿足式(2)，則Yc/Ya超過1。 Yc/Ya超過1.000，較佳為1.001以上，更佳為1.01以上，又，例如為1.7以下，較佳為1.5以下，更佳為1.3以下，進而較佳為1.2以下，尤佳為1.1以下。滿足式(2)之透光性導電層3容易表現出良好之導電性。另一方面，若滿足式(2)，則有因加熱而非晶質之透光性導電層3結晶化(電阻變化)之傾向，但由於該透光性導電層3滿足式(1)及式(2)之兩者，進而若Yc/Ya為上述下限以上或者上述上限以下，則可減小膜基材2之寬度方向(TD方向)上之表面電阻之公差。進而，若Yc/Ya為上述上限以下，則可減少加熱前後之透光性導電層3之表面電阻之差。 又，Xa、Xc、Ya及Yc較佳為滿足下述式(3)或下述式(4)。 Xc＜Xa且Yc＞Ya (3) Xc≥Xa且Yc＞Ya (4) 於滿足式(3)之情形時，Xc/Xa未達1，且Yc/Ya超過1。詳細而言，Xc/Xa較佳為未達1.000，更佳為0.99以下，又，較佳為0.7以上，更佳為0.8以上，進而較佳為0.85以上，尤佳為0.90以上。Yc/Ya之適當之範圍與上述式(2)中詳細敍述之範圍相同。若Xc/Xa為上述下限以上，則可減小透光性導電層3之表面電阻之公差。若Xc/Xa為上述上限以下，則可減小透光性導電層3之加熱前後之表面電阻之變化率及/或差。 於滿足式(4)之情形時，Xc/Xa為1以上，且Yc/Ya超過1。詳細而言，Xc/Xa較佳為1.000以上，更佳為1.01以上，進而較佳為1.02以上，又，例如為1.7以下，較佳為1.5以下，更佳為1.3以下，進而較佳為1.2以下，尤佳為1.1以下。Yc/Ya之適當之範圍與上述式(2)中詳細敍述之範圍相同。若Xc/Xa為上述下限以上，則容易抑制透光性導電層3之表面電阻因加熱而大幅增加。若Xc/Xa為上述上限以下，則容易抑制伴隨加熱之透光性導電層3之結晶化。 藉此，獲得具備膜基材2及透光性導電層3之附透光性導電層之膜1(加熱前之附透光性導電層之膜1)。 附透光性導電層之膜1之總厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下。 再者，形成有透光性導電層3之附透光性導電層之膜1係可於產業上利用之器件，但形成有被加熱透光性導電層3α之附透光性導電層之膜1未必以於市場上流通為目的，而係用於測量透光性導電層3之熱穩定性之指標之膜。 再者，該附透光性導電層之膜1可視需要實施蝕刻而將透光性導電層3圖案化成特定形狀。 又，以輥對輥方式實施上述製造方法，又，以批次方式實施上述製造方法。較佳為以輥對輥方式實施。 於以輥對輥方式製造附透光性導電層之膜1之情形時，沿著長邊6之方向成為MD方向(長度方向)，沿著短邊7之方向成為TD方向(短邊方向、寬度方向)。 其後，附透光性導電層之膜1根據其用途及目的將外形加工成所需尺寸。 例如，如圖2B所示，以沿著長邊6之方向成為MD方向、沿著短邊7之方向成為TD方向之方式將附透光性導電層之膜1沿著例如MD方向切斷，獲得複數個附透光性導電層之膜1。於該情形時，複數個附透光性導電層之膜1各自之短邊7之長度W(寬度方向長度、短邊方向長度、TD方向長度)例如為30 cm以上，較佳為0.50 m以上，更佳為1.0 m以上，進而較佳為1.2 m以上，又，例如為4 m以下，較佳為2 m以下。若短邊7之長度W為上述下限以上，則可提高下文要說明之調光膜4及調光裝置9之製造效率，並且可製造大型之調光膜4及調光裝置9。 另一方面，如圖2C所示，亦可以沿著長邊6之方向成為TD方向且沿著短邊7之方向成為MD方向之方式將附透光性導電層之膜1沿著例如MD方向切斷而獲得複數個附透光性導電層之膜1。於該情形時，複數個附透光性導電層之膜1各自之長邊6之長度L(長度方向長度、TD方向長度)例如為30 cm以上，較佳為0.50 m以上，更佳為1.0 m以上，進而較佳為1.2 m以上，又，例如為4 m以下，較佳為2 m以下。若長邊6之長度L為上述下限以上，則可作為長度方向充分長之附透光性導電層之膜1用於各種用途。 再者，例如於具有特定俯視形狀之透光性導電膜1中，於其製造方法(輥對輥方式)中之MD方向及TD方向不明確之情形時，於本申請案中，測定透光性導電層3之表面電阻，求出其數值之公差(3點中最大與最小之差)，藉此判斷MD方向及TD方向(測定位置依據[1]載子密度(Xa、Xc)項所記載之測定位置)。於測定表面電阻時，將任意之測定軸設定為0°，並於45°、90°、135°方向之4軸方向上分別求出表面電阻，並將公差最小之方向定義為MD方向，將與MD方向正交之方向定義為TD方向。 繼而，參照圖3對使用上述附透光性導電層之膜1製造調光膜4之方法進行說明。 如圖3所示，該方法具備：製造2個上述附透光性導電層之膜1之步驟；及繼而藉由2個附透光性導電層之膜1夾持調光功能層5之步驟。 首先，製造2個附透光性導電層之膜1。 2個附透光性導電層之膜1係第1附透光性導電層之膜1A及第2附透光性導電層之膜1B。第1附透光性導電層之膜1A及第2附透光性導電層之膜1B均具有相同構成。 於調光膜4中，第1附透光性導電層之膜1A及第2附透光性導電層之膜1B之材料較佳為具有透光性之高分子。 繼而，例如藉由濕式將調光功能層5形成於第1附透光性導電層之膜1A中之透光性導電層3之上表面(表面)。 例如，將包含液晶組合物之溶液塗佈於第1附透光性導電層之膜1A中之透光性導電層3之上表面。液晶組合物包含藉由施加電場及電流之至少一者而改變透光率及霧度之至少一者，藉此表現出調光性之材料。液晶組合物可列舉溶液中所包含之公知者，例如可列舉日本專利特開平8-194209號公報所記載之液晶分散樹脂。 繼而，針對第2附透光性導電層之膜1B，以第2附透光性導電層之膜1B之透光性導電層3與液晶組合物之塗膜之表面接觸之方式積層第2附透光性導電層之膜1B。藉此，藉由2個附透光性導電層之膜1、即第1附透光性導電層之膜1A及第2附透光性導電層之膜1B夾入塗膜。 其後，對塗膜實施適當之處理(例如光硬化處理或熱乾燥處理等)而形成調光功能層5。調光功能層5形成於第1附透光性導電層之膜1A之透光性導電層3與第2附透光性導電層之膜1B之透光性導電層3之間。 藉此，獲得依序具備第1附透光性導電層之膜1A、調光功能層5、及第2附透光性導電層之膜1B之調光膜4。 並且，調光膜4例如係配備於調光裝置9。 調光裝置9具備調光膜4、透明保護板10、及電源8。 透明保護板10設置於第1附透光性導電層之膜1A及第2附透光性導電層之膜1B各自之膜基材2之表面。2個透明保護板10分別形成具有特定厚度之板形狀(包含片形狀)，且具有沿面方向延伸且平坦之上表面及平坦之下表面(2個主面)。作為透明保護板10之材料，例如可列舉玻璃等無機材料。 電源8經由配線11連接於第1附透光性導電層之膜1A及第2附透光性導電層之膜1B各自之透光性導電層3。電源8構成為可對2個透光性導電層3施加可變電壓。 於該調光裝置9中，自電源8對2個透光性導電層3施加電壓，藉此，於調光功能層5產生電場。該電場被電源8控制。因此，調光功能層5阻斷光或使光透過。 並且，於該附透光性導電層之膜1中，由於透光性導電層3及被加熱透光性導電層3α均為非晶質，故而耐龜裂性或耐擦傷性優異。 又，由於透光性導電層3及被加熱透光性導電層3α滿足上述式(1)及(2)之兩者，故而可抑制因熱而產生之透光性導電層3之表面電阻之變化，從而熱穩定性優異。 如圖2A及圖2B所示，若膜基材2之短邊7之長度W較長為30 cm以上，則可提高調光膜4及調光裝置9之製造效率，並且可製造大型之調光膜4及調光裝置9。 又，即便於先前之非晶質性之透光性導電層3經加熱而維持非晶質之情形時，於調光裝置9中之附透光性導電層之膜1內亦存在膜質之差異，其結果，存在尤其於膜基材2之寬度方向上產生表面電阻之差異之情況。 具體而言，於膜基材2中，若作為寬度方向長度之短邊7之長度W較長為30 cm以上，則寬度方向上之Xc及Yc之標準偏差容易增大。即，寬度方向上之Xc及Yc容易產生差異。 然而，於該附透光性導電層之膜1中，以透光性導電層3及被加熱透光性導電層3α滿足上述式(1)及式(2)之兩者之方式形成透光性導電層3，因此，可減小寬度方向上之Xc及Yc之標準偏差，即可抑制寬度方向上之Xc及Yc之差異，具體而言，可將Xc之標準偏差設定為10×1019 (/cm3 )以下，將Yc之標準偏差設定為5(cm2 /V•s)以下。因此，寬度方向上之熱穩定性進一步優異。 又，如圖2C所示，若於膜基材2中沿著TD方向之長邊6之長度L較長為30 cm以上，則TD方向上之Xc及Yc之標準偏差容易增大。即，TD方向上之Xc及Yc容易產生差異。 然而，於該附透光性導電層之膜1中，以透光性導電層3及被加熱透光性導電層3α滿足上述式(1)之方式形成透光性導電層3，因此，可抑制TD方向上之Xc及Yc之標準偏差、即TD方向上之Xc及Yc之差異，具體而言，可將Xc之標準偏差設定為10×1019 (/cm3 )以下，將Yc之標準偏差設定為5(cm2 /V•s)以下。因此，TD方向上之熱穩定性進一步優異。 又，透光性導電層3若含有銦系氧化物，則表面電阻低及透光性優異。 圖3所示之調光膜4由於耐龜裂性或耐傷擦傷性優異，故而加工性或搬運性良好。 又，調光膜4由於熱穩定性優異，故而具備其之調光裝置9可長期抑制調光之差異。 於調光膜4中，由於可不經過高溫加熱步驟而使用非晶質之透光性導電層3，故而即便以大面積使用調光膜4，設計性亦優異。 調光膜4由於熱穩定性優異，故而具備其之調光裝置9可長期抑制調光之差異。 於一實施形態中，調光膜4具備2個圖1所示之附透光性導電層之膜1。即，圖3所示之2個附透光性導電層之膜1均為圖1所示之附透光性導電層之膜1。然而，例如亦可為僅2個中之一個附透光性導電層之膜1為圖1所示之附透光性導電層之膜1，另一個為先前之附透光性導電層之膜。 如圖1所示，於一實施形態中，於膜基材2之表面直接配置透光性導電層3，例如，亦可於膜基材2之上表面及/或下表面設置功能層，但未圖示。 作為功能層，可列舉易接著層、底塗層、硬塗層、低聚物防止層等。易接著層係用以提高膜基材2與透光性導電層3之密接性而設置之層。底塗層係用以調整附透光性導電層之膜1之反射率或光學色相而設置之層。硬塗層係用以提高附透光性導電層之膜1之耐擦傷性而設置之層。低聚物防止層係用以抑制自膜基材2析出低聚物而設置之層。作為該等功能層之材料，可列舉樹脂組合物或無機氧化物，較佳為包含樹脂組合物。又，該等功能層可單獨使用1種，亦可將2種以上併用。 實施例 以下，關於本發明，使用實施例詳細地進行說明，但本發明只要不超出其主旨，則並不限定於實施例，可基於本發明之技術思想進行各種變化及變更。 以下表示實施例及比較例，對本發明進而具體地進行說明。再者，本發明並不限定於任何實施例及比較例。又，於以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替代成於上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限(定義為「以上」、「超過」之數值)。 實施例1 準備長度500 m、寬度1300 mm(130 cm)、厚度188 μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜設為膜基材2。膜基材2之水分含量為75 μg/cm2 。 將膜基材2設置於輥對輥型濺鍍裝置並進行真空排氣。其後，於導入Ar及O2 並設為氣壓0.4 Pa之真空環境下，藉由DC磁控濺鍍法，將搬送速度設為9 m/min製造厚度32 nm之包含ITO之透光性導電層3。ITO為非晶質。藉此，製造依序具備透光性基材2及透光性導電層3之透光性導電膜1。 再者，使用12質量%之氧化錫與88質量%之氧化銦之燒結體(ITO)作為靶，且將磁鐵之水平磁場調節為30 mT。 於濺鍍裝置中，於將膜基材2之寬度方向分割成4份之區域分別配置4根氧氣配管。並且，於濺鍍時，將左右兩端部之2根氧氣配管之氧氣供給量相對於中央之2根氧氣配管之氧氣供給量設定為0.94倍。具體而言，於左右兩端部之2根氧氣配管中，將O2 流量相對於Ar流量之比(O2 /Ar)設定為0.030，於中央部之2根氧氣配管中，將O2 流量相對於Ar流量之比(O2 /Ar)設定為0.032。 將濺鍍時之膜基材2之溫度設定為0℃。 實施例2 將搬送速度設為4.5 m/min，將透光性導電層3之厚度設為65 nm，於左右兩端部之2根氧氣配管中，將O2 流量相對於Ar流量之比(O2 /Ar)設定為0.030，於中央部之2根氧氣配管中，將O2 流量相對於Ar流量之比(O2 /Ar)之設定變更為0.031，除此以外，以與實施例1相同之方式製造附透光性導電層之膜1。 實施例3 將左右兩端部之2根氧氣配管之氧氣供給量相對於中央之2根氧氣配管之氧氣供給量設定為0.92倍，除此以外，以與實施例2相同之方式製造附透光性導電層之膜1。具體而言，於左右兩端部之2根氧氣配管中，將O2 流量相對於Ar流量之比(O2 /Ar)設定為0.022，於中央部之2根氧氣配管中，將O2 流量相對於Ar流量之比(O2 /Ar)設定為0.024。 實施例4 將輥對輥型濺鍍裝置中之膜基材2之搬送速度設定為1.05倍，將透光性導電層3之厚度設為62 nm，除此以外，以與實施例2相同之方式製造附透光性導電層之膜1。 實施例5 將左右兩端部之2根氧氣配管之氧氣供給量相對於中央之2根氧氣配管之氧氣供給量設定為0.95倍，除此以外，以與實施例2相同之方式製造附透光性導電層之膜1。具體而言，於左右兩端部之2根氧氣配管中，將O2 流量相對於Ar流量之比(O2 /Ar)設定為0.035，於中央部之2根氧氣配管中，將O2 流量相對於Ar流量之比(O2 /Ar)設定為0.037。 比較例1 準備長度1500 m、寬度1300 mm(130 cm)、厚度50 μm之附熱硬化樹脂層(底塗層)之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(膜基材2之水分含量為18 μg/cm2 )作為膜基材2，使用10質量%之氧化錫與90質量%之氧化銦之燒結體(ITO)作為靶。又，將O2 流量相對於Ar流量之比(O2 /Ar)設定為0.011，一面於TD方向(參照圖2B)上均勻地導入氧氣導入量，一面形成厚度25 nm之包含ITO之透光性導電層3。除上述之項目以外，以與實施例1相同之方式製造附透光性導電層之膜1。 比較例2 使用長度3000 m、寬度1300 mm(130 cm)、厚度188 μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)作為膜基材2，將O2 流量相對於Ar流量之比(O2 /Ar)設為0.033，一面於TD方向(參照圖2B)上均勻地導入氧氣導入量，一面形成厚度65 nm之包含ITO之透光性導電層3，除此以外，以與實施例2相同之方式製造附透光性導電層之膜1。 針對各實施例及各比較例中所獲得之光透明性導電膜，實施下述測定。將結果示於表1。 (評價) (1)膜基材之厚度及水分含量 膜基材2之厚度係使用膜厚計(尾崎製作所公司製造，裝置名「Digital Dial Gauge DG-205」)進行測定。透光性導電層3之厚度係藉由使用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製造，裝置名「HF-2000」)之剖面觀察進行測定。 膜基材2之水分含量係藉由JIS K 7251-B法(水分氣化法)而求出。 (2)透光性導電層之載子密度、霍爾遷移率及該等之標準偏差 使用霍爾效應測定系統(Bio-Rad製造，商品名「HL5500PC」)實施測定。載子密度係使用上述(1)中求出之透光性導電層3之厚度而算出。 具體而言，於各實施例及各比較例中，於寬度1300 mm之TD方向上，於80 mm位置(P1)、650 mm位置(P2)、1220 mm位置之(P3)之3點分別求出載子密度及霍爾遷移率。以上述複數點之平均值分別求出Xa及Ya，亦求出標準偏差。 (3)被加熱透光性導電層之載子密度、霍爾遷移率及該等之標準偏差 首先，將各附透光性導電層之膜1以80℃加熱500小時而將透光性導電層3製成被加熱透光性導電層3α。 針對各被加熱透光性導電層3α，與上述(3)同樣地，使用霍爾效應測定系統(Bio-Rad製造，商品名「HL5500PC」)測定載子密度及霍爾遷移率。再者，各例之載子密度及霍爾遷移率之測定位置與上述(3)相同。繼而，以上述複數點之平均值分別求出Xc及Yc，並且亦求出標準偏差。 (4)透光性導電層及被加熱透光性導電層之膜質 將各透光性導電層3及各被加熱透光性導電層3α於鹽酸(濃度：5質量%)中浸漬15分鐘後進行水洗、乾燥，並測定各透光性導電層3之15 mm左右之間之兩端子間電阻。將15 mm間之兩端子間電阻超過10 kΩ之情形判斷為非晶質，將未超過10 kΩ之情形判斷為結晶質。 (5)表面電阻之變化率及差之評價 依據JIS K7194(1994年)藉由四端子法求出各附透光性導電層之膜1之透光性導電層3之TD方向(參照圖2B)之表面電阻(各實施例及比較例之電阻測定點與霍爾效應測定實施點為相同位置)，並算出表面電阻之平均值。即，首先，測定各附透光性導電層之膜1之透光性導電層3之表面電阻之TD方向上之平均值(Ra)。繼而，測定以140℃加熱1小時後之被加熱透光性導電層3α之表面電阻之TD方向上之平均值(Rc)。求出加熱後之表面電阻相對於加熱前之表面電阻之電阻變化率(Rc/Ra)，並根據下述基準實施評價。 ○：表面電阻之變化率為0.8以上且1.25以下 ×：表面電阻之變化率未達0.8或超過1.25 一併求出加熱前後之表面電阻之差(|Rc-Ra|)。 (6)寬度方向(TD方向)上之表面電阻之公差 與「表面電阻之變化率及差之評價」同樣地，測定各附透光性導電層之膜1以140℃加熱1小時後之被加熱透光性導電層3α之TD方向之表面電阻。求出TD方向上最大之電阻(最大電阻：Rmax)與最小之電阻(最小電阻：Rmin)，將其差量(Rmax-Rmin)設為表面電阻之公差，並根據下述基準進行評價。 ○：表面電阻之公差為0 Ω/□以上且10 Ω/□以下 ×：表面電阻之公差超過10 Ω/□ (7)透光性導電層及被加熱透光性導電層之比電阻 求出利用(5)「表面電阻之變化率及差之評價」所記載之方法求出之透光性導電層3(加熱前)及被加熱透光性導電層3α(加熱後)各自之表面電阻之平均值與透光性導電層3之厚度之積，藉此獲得透光性導電層3(加熱前)及被加熱透光性導電層3α(加熱後)各自之比電阻。 [表1]
Figure AA1
 再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態提供，其只不過為例示，而不應限定性地解釋。對該技術領域之業者而言明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性] 附透光性導電層之膜可用於調光膜。
1‧‧‧附透光性導電層之膜1A‧‧‧第1附透光性導電層之膜1B‧‧‧第2附透光性導電層之膜2‧‧‧膜基材3‧‧‧透光性導電層3α‧‧‧被加熱透光性導電層4‧‧‧調光膜5‧‧‧調光功能層6‧‧‧長邊7‧‧‧短邊8‧‧‧電源9‧‧‧調光裝置10‧‧‧透明保護板11‧‧‧配線L‧‧‧長度P1‧‧‧點P2‧‧‧點P3‧‧‧點W‧‧‧寬度(TD方向長度)Xa‧‧‧透光性導電層之載子密度Xc‧‧‧被加熱透光性導電層之載子密度Ya‧‧‧透光性導電層之霍爾遷移率Yc‧‧‧被加熱透光性導電層之霍爾遷移率
圖1表示本發明之附透光性導電層之膜之一實施形態之剖視圖。 圖2A~圖2C係圖1所示之附透光性導電層之膜之俯視圖，圖2A表示外形加工前之附透光性導電層之膜，圖2B表示於外形加工後具有沿著TD方向之短邊之附透光性導電層之膜，圖2C表示於外形加工後具有沿著TD方向之長邊之附透光性導電層之膜。 圖3表示具備圖1所示之附透光性導電層之膜之調光膜及調光裝置之剖視圖。
1‧‧‧附透光性導電層之膜
2‧‧‧膜基材
3‧‧‧透光性導電層
3α‧‧‧被加熱透光性導電層
6‧‧‧長邊

Claims (9)

  1. 一種附透光性導電層之膜，其特徵在於包含膜基材及透光性導電層，上述透光性導電層及將上述透光性導電層以80℃加熱500小時後之被加熱透光性導電層均為非晶質，且於將上述透光性導電層之載子密度設為Xa×1019(/cm3)、將霍爾遷移率設為Ya(cm2/V˙s)，將上述被加熱透光性導電層之載子密度設為Xc×1019(/cm3)、將霍爾遷移率設為Yc(cm2/V˙s)時，滿足下述(1)式及式(2)之兩者：0.5≦(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≦1.5 (1) Yc>Ya (2)；上述膜基材之材料為有機材料。
  2. 如請求項1之附透光性導電層之膜，其中上述膜基材具有長條形狀，且上述膜基材具有30cm以上之寬度方向長度。
  3. 如請求項2之附透光性導電層之膜，其中於上述被加熱透光性導電層之沿著上述寬度方向之3點之複數個位置分別測定Xc及Yc，上述Xc之標準偏差為10×1019(/cm3)以下，且上述Yc之標準偏差為5(cm2/V˙s)以下。
  4. 如請求項1之附透光性導電層之膜，其中上述膜基材具有30cm以上之TD方向長度。
  5. 如請求項4之附透光性導電層之膜，其中於上述被加熱透光性導電層之沿著上述TD方向之3點之複數個位置分別測定Xc及Yc，上述Xc之標準偏差為10×1019(/cm3)以下，且上述Yc之標準偏差為5(cm2/V˙s)以下。
  6. 如請求項1之附透光性導電層之膜，其中上述透光性導電層含有銦系氧化物。
  7. 一種調光膜，其特徵在於依序包含第1附透光性導電層之膜、調光功能層、及第2附透光性導電層之膜，且上述第1附透光性導電層之膜及/或上述第2附透光性導電層之膜係如請求項1之附透光性導電層之膜。
  8. 如請求項7之調光膜，其中上述調光功能層包含藉由施加電場及電流之至少一者而改變透光率及霧度之至少一者，藉此表現出調光性之材料。
  9. 一種調光裝置，其特徵在於依序包含：如請求項7之調光膜、及透明保護板。
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