TW201638259A - 透明導電層層合用薄膜、該製造方法、及透明導電性薄膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供可實現透明導電性薄膜之透明導線層表面之低電阻化及透明導電層之表面粗糙度之減低，同時抑制朝透明導電性薄膜之透明導電層之水蒸氣透過之透明導電層層合用薄膜、該製造方法及透明導電性薄膜者，係至少將具有開口部之金屬層與設於該開口部之透明樹脂層作為複合層層合於透明樹脂薄膜基材上之透明氣體障蔽層上而成之透明導電層層合用薄膜，且係具有該透明氣體障蔽層之該透明樹脂薄膜基材之JIS K7129所規定之40℃×90%RH之水蒸氣透過度為1.0×10-3(g/m2．day)以下，且每100μm之該透明樹脂層以JIS K7129所規定之40℃×90%RH之水蒸氣透過度為20(g/m2．day)以下之透明導電層層合用薄膜、該製造方法及透明導電性薄膜。

Description

透明導電層層合用薄膜、該製造方法、及透明導電性薄膜
本發明係關於透明導電層層合用薄膜、該製造方法、及透明導電性薄膜。
近年來，由於印刷電子之發展，被期待今後普及之以有機薄膜太陽電池或有機EL照明等為代表之主要使用有機材料之電子裝置已進展大面積化進而可撓化。基於高性能且大面積之電子裝置之觀點，於作為該等電子裝置之透光性電極使用之透明導電性薄膜，為了改善於裝置動作(集電或電壓施加)時，由於透明導電層一般具有高的電阻率故而產生之電力損失(太陽電池等之發電用電子裝置中，越遠離集電電極則越因透明導電層之高電阻率使電流密度降低，決定電池性能之轉換效率降低)或特性分佈(有機EL照明等之發光用電子裝置中，越遠離電壓施加電極則越因透明導電層之高電阻率使電流密度降低，發生亮度分佈等)，而要求透明導電層表面之低電阻率化。再者，基於維持裝置性能及可撓性且成為長壽命之電子裝置之觀點，為了抑制透過前述透明導電性薄膜之透明 導電層之水蒸氣或氧等引起之電子裝置內部之活性層等之材料或金屬配線材料之劣化，而要求氣體障蔽性。
該等中，對於關於前述透明導電層表面之低電阻化(包含對透明導電層之輔助金屬電極層賦予、源自該輔助金屬電極層賦予之構造(階差)之電子裝置內部之透明導電層與驅動層部之短路發生等之消除)之要求，於例如專利文獻1中，揭示於透明導電層上設置作為輔助電極之具有比透明導電層低之電阻值之金屬細線或金屬糊之圖案層之構造，同時作為消解上述短路發生等之問題之方法，揭示有於由塑膠樹脂薄膜所成之透明基板上之開口部具有透明樹脂膜之由金屬膜所成之層上層合透明導電膜之透明電極基板。
又，對於關於氣體障蔽性之要求，於專利文獻2中，揭示於透明薄膜基材上，依序層合透明障蔽層、透明樹脂層及透明導電層之障蔽性透明導電薄膜。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利第4615250號公報
專利文獻2：國際公開第2011/046011號
然而，專利文獻1中，以該構造，僅以樹脂基材無法滿足例如有機薄膜太陽電池或有機EL照明等之電子裝置內部之活性層等所要求之氣體障蔽性，因自與大氣接觸之側之透明導電性基板之水分透過，而使電子裝置內部之活性層等劣化，而有成為包含裝置性能劣化在內之成為縮短裝置壽命之要因之深刻問題。
又，專利文獻2中，對於自與大氣接觸之側之透明薄膜基材面之水分透過，雖藉由透明氣體障蔽層與以抑制，但另一方面，並未考慮自構成透明導電性薄膜之透明樹脂層及與大氣直接接觸之透明樹脂層之端面朝裝置內部之水分透過之氣體障蔽性，因自透明樹脂層之端面朝構成前述電子裝置之活性層等之水分透過，而使裝置性能經時劣化，有縮短裝置壽命之問題。
本發明係鑑於上述問題，其課題在於提供可實現透明導電性薄膜之透明導線層表面之低電阻化及透明導電層之表面粗糙度之減低，同時抑制朝透明導電性薄膜之透明導電層之水蒸氣透過之透明導電層層合用薄膜、該製造方法及透明導電性薄膜。且藉由使用本發明之透明導電性薄膜作為透光性電極使用，而可提供裝置性能之劣化少且長壽命之有機薄膜太陽電池及有機EL照明。
本發明人等為解決上述課題而重複積極檢討之結果，發現至少將具有開口部之金屬層與設於該開口部 之特定透明樹脂層作為複合層層合於透明樹脂薄膜基材上之透明氣體障蔽層上而成之透明導電層層合用薄膜中，藉由將具有該透明氣體障蔽層之該透明樹脂薄膜基材及該透明樹脂層之水蒸氣透過度分別設於特定範圍內，而抑制自透明樹脂薄膜基材之水蒸氣透過，且抑制自透明樹脂層端面之水蒸氣透過之透明導電層層合用薄膜，進而藉由將於透明導電層層合用薄膜上層合透明導電層之透明導電性薄膜使用作為電子裝置之透光性電極，於使透明導電層之低電阻化之同時，可使裝置性能之劣化少且長壽命化，因而完成本發明。又，本發明中，所謂「包含透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材」意指於將透明氣體障蔽層層合於透明樹脂薄膜基材之至少任一面上而成之透明樹脂薄膜基材者。
亦即，本發明係提供以下之(1)~(11)者。
(1)一種透明導電層層合用薄膜，其係至少將具有開口部之金屬層與設於該開口部之透明樹脂層作為複合層層合於透明樹脂薄膜基材上之透明氣體障蔽層上而成之透明導電層層合用薄膜，且具有該透明氣體障蔽層之該透明樹脂薄膜基材之JIS K7129所規定之40℃×90%RH之水蒸氣透過度為1.0×10-3(g/m2．day)以下，且每100μm之該透明樹脂層以JIS K7129所規定之40℃×90%RH之水蒸氣透過度為20(g/m2．day)以下。
(2)如上述(1)之透明導電層層合用薄膜，其中前述透明樹脂層係由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯 或聚偏氯乙烯所形成。
(3)如上述(1)之透明導電層層合用薄膜，其中前述透明氣體障蔽層係由氧氮化矽層、無機氧化物層或無機氮化物層所成。
(4)如上述(1)之透明導電層層合用薄膜，其中前述複合層之包含前述金屬層與前述透明樹脂層之界面階差之表面之由JIS-B0601-1994所規定之均方根粗糙度Rq為200nm以下。
(5)一種透明導電性薄膜，其係於如上述(1)~(4)中任一項之透明導電層層合用薄膜之複合層上層合透明導電層而成。
(6)如上述(5)之透明導電性薄膜，其中前述透明導電層包含透明導電性氧化物或導電性有機高分子。
(7)如上述(6)之透明導電性薄膜，其中前述透明導電性氧化物係銦錫氧化物(ITO)、鎵-鋅氧化物(GZO)，導電性有機高分子係聚(3,4-乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)[PEDOT：PSS]。
(8)如上述(5)~(7)中任一項之透明導電性薄膜，其中前述透明導電性薄膜之透明導電層之表面電阻率為5(Ω/□)以下。
(9)一種電子裝置，其係對向電極之至少一者係由前述透明導電性薄膜構成之電子裝置，該透明導電性薄膜係如上述(5)~(8)中任一項之透明導電性薄膜。
(10)一種透明導電層層合用薄膜之製造方法，係至 少將具有開口部之金屬層與設於該開口部之透明樹脂層作為複合層層合於透明樹脂薄膜基材上之透明氣體障蔽層上而成之透明導電層層合用薄膜之製造方法，其包含下述步驟(A)、(B)，(A)於轉印用基材上形成具有前述開口部之金屬層，進而於該開口部形成前述透明樹脂層而形成複合層之步驟；(B)將該複合層轉印於前述透明氣體障蔽層上之步驟。
(11)如上述(10)之透明導電性薄膜之製造方法，其中包含於前述透明導電層層合用薄膜之前述複合層上進而層合透明導電層之步驟。
依據本發明，可提供可實現透明導電性薄膜之透明導線層表面之低電阻化及透明導電層之表面粗糙度之減低，同時抑制朝透明導電性薄膜之透明導電層之水蒸氣透過之透明導電層層合用薄膜、該製造方法及透明導電性薄膜。且藉由使用本發明之透明導電性薄膜作為透光性電極使用，而可提供裝置性能之劣化少且長壽命之有機薄膜太陽電池及有機EL照明。
1‧‧‧透明導電性薄膜
1a‧‧‧透明導電層層合用薄膜
1b‧‧‧透明導電層
2‧‧‧透明樹脂薄膜基材
3‧‧‧透明氣體障蔽層
4‧‧‧複合層
5‧‧‧金屬層(輔助電極層)
6‧‧‧透明樹脂層
7‧‧‧轉印用基材
8‧‧‧密封黏著材層
9‧‧‧玻璃基板
10‧‧‧鈣層
10a‧‧‧鈣層左端(前方部)
10b‧‧‧鈣層左端(後方部)
10c‧‧‧鈣層左端(中央部)
10d‧‧‧腐蝕距離
10k‧‧‧腐蝕區域
10p‧‧‧腐蝕進行方向
11‧‧‧鈣腐蝕試驗評價用樣品
圖1係顯示本發明之透明導電層層合用薄膜及透明導電性薄膜之一例之剖面圖。
圖2係以步驟順序顯示依據本發明之製造方法之步驟之一例之說明圖。
圖3係用以說明本發明之實施例、比較例所製作之鈣腐蝕試驗評價用樣品之圖，(a)係鈣腐蝕試驗評價用樣品之剖面圖，(b)係顯示腐蝕進行後之鈣層之腐蝕損傷之俯視圖。
[透明導電層層合用薄膜]
本發明之透明導電層層合用薄膜係至少將具有開口部之金屬層與設於該開口部之透明樹脂層作為複合層層合於透明樹脂薄膜基材上之透明氣體障蔽層上而成之透明導電層層合用薄膜，且具有該透明氣體障蔽層之該透明樹脂薄膜基材之JIS K7129所規定之40℃×90%RH之水蒸氣透過度為1.0×10-3(g/m2．day)以下，且每100μm之該透明樹脂層以JIS K7129所規定之40℃×90%RH之水蒸氣透過度為20(g/m2．day)以下。
圖1係顯示本發明之透明導電層層合用薄膜及透明導電性薄膜之一例之剖面圖。透明導電層層合用薄膜1a係於透明樹脂薄膜基材2上層合由透明氣體障蔽層3、具有開口部之金屬層5與設於開口部之透明樹脂層6 而成之複合層4而成者，透明導電性薄膜1係進而於複合層4上層合透明導電層1b者。
藉由使構成透明導電層層合用薄膜之包含透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材之水蒸氣透過度於40℃×90%RH下為1.0×10-3(g/m2．day)以下，可抑制大氣中之水蒸氣自透明導電層層合用薄膜之透明樹脂薄膜基材面透過。同時，藉由使構成透明導電層層合用薄膜之透明樹脂層之膜厚每100μm之水蒸氣透過度於40℃×90%RH下為20(g/m2．day)以下，可抑制大氣中之水蒸氣自構成複合層之透明樹脂層之端部透過。作為該等結果，於透明導電層層合用薄膜之複合層上層合例如透明導電層，作成透明導電性薄膜時，成為透過透明導電層之水蒸氣受抑制者。
又，層合透明導電層，作成透明導電性薄膜時，藉由賦予複合層之金屬層(輔助電極層)，而成為透明導電層表面低電阻化(表面電阻率減少)者。
於本發明之透明導電層層合用薄膜之複合層上層合透明導電層之透明導電性薄膜於例如對向之電極之至少一者以透明導電性薄膜構成之電子裝置中作為透光性電極使用時，由於抑制了透過透明導電層之水蒸氣，故對於構成鄰接之電子裝置之活性層等可將水蒸氣所致之經時性能劣化達最小限度，且可長壽命化。
(水蒸氣透過度之評價)
本發明中，水蒸氣透過度之評價係依據JIS K7129之規定進行。
針對本發明所用之具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材，使用水蒸氣透過率計(Mocon公司製，裝置名：AQUATRAN)測定40℃×90%RH下之水蒸氣透過度。
同樣地，針對本發明所用之透明樹脂層，使用水蒸氣透過率計(Systech Instruments公司製，裝置名：Lyssy L80-5000)測定透明樹脂層之40℃×90%RH下之水蒸氣透過度，將所得值換算為膜厚100μm時之值(g/m2．day)。所謂膜厚100μm時意指即使對其他膜厚測定時，由於水蒸氣透過度與膜厚成反比，故可採用換算為每100μm之值。關於此點每單位膜厚之水蒸氣透過度為材料之固有物性。
再者，此處，自薄膜厚之端面直接測定水蒸氣透過度有困難，但由於水蒸氣透過度為如上述之通常材料固有之物性，故水蒸氣透過度若低，則意指自端面之水蒸氣透過度亦低。因此，藉由通常之水蒸氣透過度之相對比較，認為採用對端面之該水蒸氣透過度之討論不成為問題。
(透明樹脂薄膜基材)
本發明所用之透明樹脂薄膜基材於層合透明氣體障蔽層時，自不具有該透明氣體障蔽層之該透明樹脂薄膜基材面側之40℃×90%RH之高濕條件下之水蒸氣透過度係以總計成為1.0×10-3(g/m2．day)以下之方式適當選擇。
作為透明樹脂薄膜基材，例如若為柔軟性及透明性優異者即無特別限制，舉例為聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚伸苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚伸苯硫醚、聚丙烯酸酯、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合物等。該等中，作為聚酯舉例為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚丙烯酸酯等。且，作為環烯烴系聚合物舉例為降冰片烯系聚合物、單環之環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯脂環式烴聚合物、及該等之氫化物。此種透明樹脂薄膜基材中，基於成本、耐熱性之觀點，特佳為經雙軸延伸之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。
透明薄膜樹脂基材之厚度較好為10~500μm，更好為10~300μm，又更好為10~100μm。若為該範圍，則可確保作為透明樹脂薄膜基材之機械強度、透明性。
(透明氣體障蔽層)
本發明所用之透明氣體障蔽層係例如於圖1中，設於透明樹脂薄膜基材2與複合層4之間，並抑制大氣中之水蒸氣透過透明樹脂薄膜基材2，結果，具有防止水蒸氣朝複合層4、透明導電層1b之透過之機能。本發明中，有必要以層合於前述透明樹脂薄膜基材上時，自不具有該透明氣體障蔽層之該透明樹脂薄膜基材面側之於40℃× 90%RH之高濕條件下之水蒸氣透過度為1.0×10-3(g/m2．day)以下之方式，根據前述透明樹脂薄膜基材，適當選擇後述之氣體障蔽材料及層數。
作為透明氣體障蔽層，舉例為無機化合物之蒸鍍膜或金屬之蒸鍍膜等之無機蒸鍍膜；對含高分子化合物之層(以下有時稱「高分子層」)施以離子注入等之改質處理所得之層等。
作為無機化合物蒸鍍膜之原料舉例為氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等之無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等之無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；氧氮化矽等之無機氧氮化物；無機氧化碳物；無機氮化碳化物；無機氧化氮化碳化物等。
作為金屬蒸鍍膜之原料舉例為鋁、鎂、鋅及錫等。該等可單獨使用1種或組合2種以上使用。
作為高分子層中使用之高分子化合物舉例為聚有機矽氧烷、聚矽氮烷系化合物等之含矽高分子化合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚伸苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯等。該等高分子化合物可單獨使用1種或組合2種以上使用。該等高分子化合物中，較好為具有更優異氣體障蔽性之含矽高分子化合物。作為含矽高分子化合物舉例為聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物及聚有機矽氧烷系化合物等。該等中，基於可形成具有優異之氣體障蔽性之障蔽層之觀點，較好為聚矽氮烷系化合物。
上述中，基於氣體障蔽性之觀點，較好為以無機氧化物、無機氮化物或金屬為原料之無機蒸鍍膜，進而基於透明性之觀點，較好為以無機氧化物或無機氮化物為原料之無機蒸鍍膜。且，無機化合物之蒸鍍膜或對含聚矽氮烷系化合物之層施以改質處理所形成之以氧、氮、矽為主構成原子之層所成之氧氮化矽層，基於具有層間密著性、氣體障蔽性及耐彎曲性之觀點，可較好地使用。
透明氣體障蔽層可藉由例如對含有聚矽氮烷化合物之層施以電漿離子注入處理、電漿處理、紫外線照射處理、熱處理等而形成。藉由電漿離子注入處理所注入之離子舉例為氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、及氪等。
電漿離子注入處理之具體處理方法舉例有於使用外部電場所發生之電漿中存在之離子注入含聚矽氮烷化合物層之方法，或不使用外部電場，僅以對由氣體障蔽層形成用材料所成之層施加負的高電壓脈衝而得之電場所發生之電漿中存在之離子注入含聚矽氮烷化合物層之方法。
電漿處理係使含聚矽氮烷化合物層暴露於電漿中，使含有含矽聚合物之層改質之方法。例如，可依據日本特開2012-106421號公報所記載之方法，進行電漿處理。紫外線照射處理係對含聚矽氮烷化合物層照射紫外線而使含有含矽聚合物之層改質之方法。例如，可依據日本特開2013-226757號公報所記載之方法，進行紫外線改質處理。該等中，基於不使含聚矽氮烷化合物層之表面粗糙，可效率良好地改質至其內部、可形成氣體障蔽性更優異之 氣體障蔽層，較好為離子注入處理。
透明氣體障蔽層可為1層亦可層合2層以上。又，層合2層以上時，該等可相同亦可不同。
透明氣體障蔽層之膜厚較好為20nm~50μm，更好為30nm~1μm，又更好為40~500nm。透明氣體障蔽層之膜厚在該範圍內時，可獲得優異之氣體障蔽性或密著性，並且可兼顧柔軟性與被膜強度。
又，透明氣體障蔽層單體(包含複數層)之於40℃×90%RH之高濕條件下之水蒸氣透過度為1.0(g/m2．day)以下，更好為0.05(g/m2．day)以下，又更好為0.01(g/m2．day)以下。若為如此之水蒸氣透過度，則可阻隔透過前述透明樹脂薄膜基材之水蒸氣，例如可抑制水蒸氣朝本發明所用之鄰接複合層之透過。
本發明所用之具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材，亦即圖1中之透明樹脂薄膜基材2與透明氣體障蔽層3之層合體之水蒸氣透過度於40℃×90%RH下為1.0×10-3(g/m2．day)以下。該水蒸氣透過度若超過1.0×10-3(g/m2．day)，則因大氣中之水蒸氣透過，而使透明導電層劣化，表面電阻增大。且，作為電子裝置之透光性電極使用時，該等裝置內部之活性層等之經時劣化進行，而縮短裝置壽命。水蒸氣透過度較好為7.0×10-4(g/m2．day)以下，更好為5.0×10-4(g/m2．day)以下，又更好為1.0×10-4(g/m2．day)以下。若水蒸氣透過度落於此範圍內，且後述之透明樹脂層之水蒸氣透過度在本發明範圍 內，則例如對透明導電層層合用薄膜之複合層層合透明導電層，作成透明導電性薄膜時，不會使透明導電層劣化，而可維持表面電阻率。又，作為電子裝置之透光性電極使用時，可抑制該等裝置內部之活性層等之經時劣化，可使裝置長壽命化。
<複合層>
本發明之複合層，於透明導電層層合用薄膜上層合透明導電層作成透明導電性薄膜時，具有透明導電層之低電阻化(表面電阻率之降低)及抑制大氣中之水蒸氣透過之機能。
如圖1所示，複合層4係由例如於透明氣體障蔽層3上形成之具有開口部之金屬層5與設於開口部之透明樹脂層6而成。
(金屬層)
金屬層係於本發明之透明導電層層合用薄膜上層合透明導電層作成透明導電性薄膜時，用以使透明導電層之表面電阻率降低而設。又，通常以不使該透明導電層之透過率降低之方式，並非以僅由金屬層而成之整面層使用，而是以經圖案化，至少具有後述之開口部(開口率於後述)之金屬層(以下有時將圖案化之金屬層稱為「輔助電極層」)而使用。
用以形成輔助電極層之材料並未特別限制， 但使用光微影術等方法進行圖案化時，可舉例為金、銀、銅、鋁、鎳、鉑等單金屬、鋁-矽、鋁-銅、鋁-鈦-鈀等之2元或3元系之鋁合金等。該等材料中，較好為銀、銅、鋁合金，基於成本、蝕刻性、耐腐蝕性之觀點，更好為銅、鋁合金。
且，可使用含導電性微粒子之導電糊。作為導電糊，可使用於含黏合劑之溶劑中，分散金屬微粒子、碳微粒子、氧化釕微粒子等之導電性微粒子者。藉由印刷該等導電糊並硬化，獲得輔助電極層。
作為上述金屬微粒子之材質，基於導電性之觀點，較好為銀、銅、金等，基於價格方面，較好為銀、銅、鎳、鐵、鈷等。又，基於耐腐蝕性或耐藥品性之方面，較好為鉑、銠、釕、鈀等。碳微粒子就導電性方面比金屬微粒子差，但價格便宜，耐腐蝕性及耐藥品性優異。且，氧化釕(RuO2)微粒子比碳微粒子更為昂貴，但為具有優異耐腐蝕性之導電性物質，故可作為輔助電極層使用。
輔助電極層可為單層亦可為多層構造。作為多層構造可為層合由同種材料所成之層的多層構造，亦可為層合由至少2種以上之材料所成之層的多層構造。
作為多層構造更好為層合由不同材料所成之層的2層構造。作為此種多層構造若為例如先形成銀之圖案層，自其上形成銅之圖案層，則可保持銀之高導電性同時改善耐腐蝕性故而較佳。
作為本發明之輔助電極層之圖案並未特別限制，舉例為格子狀、蜂窩狀、梳齒狀、帶狀(條狀)、直線狀、曲線狀、波線狀(正弦波曲線等)、多邊形狀之網眼狀、圓形狀之網眼狀、橢圓狀之網眼狀、不定形等。該等中，較好為格子狀、蜂窩狀、梳齒狀者。
輔助電極層之膜厚較好為100nm~20μm，更好為100nm~15μm，又更好為100nm~10μm。
輔助電極層之圖案之開口部(未形成輔助電極層之部分)之開口率，基於透明性(光線透過率)之觀點，較好為80%以上且未達100%，更好為90%以上且未達100%，又更好為95%以上且未達100%。又，所謂開口率係開口部之總面積相對於包含開口部之形成輔助電極層之圖案之全部區域之面積的比例。
輔助電極層之線寬較好為1~100μm，更好為3~75μm，又更好為5~50μm。線寬若為該範圍，則開口率廣，可確保透過率，進而可獲得安定之低電阻透明導電性薄膜，故較佳。
(透明樹脂層)
本發明所用之透明樹脂層係例如圖1中設於金屬層(輔助電極層)5之開口部者(透明樹脂層6)，具有抑制自複合層4之與大氣接觸之端部之水蒸氣透過之機能。
且，藉由設為與前述輔助電極層相同膜厚，且後述之包含該輔助電極層與前述透明樹脂層之界面階差之表面之 均方根粗糙度Rq為特定範圍內，可抑制與電子裝置內部之驅動層等之短路。
本發明所用之透明樹脂層之40℃×90%RH之高濕條件下、膜厚100μm之水蒸氣透過度為20(g/m2．day)以下。該水蒸氣透過度若超過20(g/m2．day)，則因大氣中之水蒸氣自透明樹脂層端部透過，而使透明導電層劣化且表面電阻率上升，電子裝置內部之活性層等之經時劣化進行，縮短裝置壽命。水蒸氣透過度較好為20(g/m2．day)以下，更好為10(g/m2．day)以下，又更好為1(g/m2．day)以下。水蒸氣透過度若為該範圍，且包含前述透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材之水蒸氣透過度在本發明範圍內，則例如於透明導電層層合用薄膜之複合層上層合透明導電層作成透明導電性薄膜時，不使透明導電層劣化，可維持表面電阻率。又，例如作為電子裝置之透光性電極使用時，可抑制該等裝置內部之活性層等之經時劣化，可使裝置長壽命化。
作為形成透明樹脂層之透明樹脂組成物，若水蒸氣透過度包含於本發明範圍者，則可無特別限制地使用。舉例為例如能量線硬化型樹脂之硬化物、熱可塑性樹脂等。此處，所謂能量線硬化型樹脂意指藉由照射電磁波或帶電粒子束中具有能量量子者，亦即照射紫外線或電子束等而交聯、硬化之聚合性化合物。
其中，基於低水蒸氣透過度、層合之容易性之觀點，較好為熱可塑性樹脂。
作為熱可塑性樹脂舉例為例如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯等之聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚偏氯乙烯系樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化物、聚乙烯醇、聚碳酸酯系樹脂、氟系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、縮醛系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚萘二甲酸丁二酯(PBN)等之聚酯系樹脂、尼龍6、尼龍66等之聚醯胺系樹脂等。且上述樹脂可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。該等中，較好為聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯，更好為聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯，聚乙烯由於水蒸氣透過度低，具有高透明性故特佳。
透明樹脂層之膜厚與前述輔助電極層之膜厚同樣，較好為100nm~100μm，更好為100nm~50μm，又更好為100nm~20μm。
前述複合層之包含輔助電極層與透明樹脂層之以界面階差之表面之由JIS-B0601-1994所規定之均方根粗糙度Rq較好為200nm以下，更好為150nm以下，又更好為100nm以下。均方根粗糙度Rq若在該範圍，則層合透明導電層作成透明導電性薄膜時，由於可維持透明性及表面電阻率，且可抑制與電子裝置之驅動層間之短路發生故而較佳。
[透明導電性薄膜]
本發明之透明導電性薄膜係如前述於本發明之透明導電層層合用薄膜之複合層上層合透明導電層而成者。因此，由於抑制了水蒸氣透過度，故不使透明導電層劣化，可維持表面電阻率。又，由於於複合層上設有輔助電極層，故可同時降低透明導電層之表面電阻率。
(透明導電層)
作為透明導電層較好使用透明導電性氧化物。具體舉例為銦-錫氧化物(ITO)、銦-鋅氧化物(IZO)、鋁-鋅氧化物(AZO)、鎵-鋅氧化物(GZO)、銦-鎵-鋅氧化物(IGZO)、氧化鈮、氧化鈦、氧化錫等。該等可單獨使用或複數使用。其中較好為銦-錫氧化物(ITO)、鎵-鋅氧化物(GZO)，基於透過率、表面電阻率、安定性之觀點，更好為銦-錫氧化物(ITO)。
再者，作為透明導電層較好使用導電性有機高分子。作為導電性有機高分子舉例為聚(3,4-乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)[PEDOT：PSS]、聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯等。其中，基於導電性、透明性之觀點，較好為聚(3,4-乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)[PEDOT：PSS]、聚噻吩，基於導電性、透明性之觀點，更好為聚(3,4-乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)[PEDOT：PSS]。
透明導電層之膜厚較好為10~500nm，更好為20~200nm。為該範圍時，由於可獲得兼具有高透過率、 低表面電阻率之薄膜故而較佳。
且，透明導電層之全光線透過率依據JIS K7361-1測定之全光線透過率較好為70%以上者，更好為80%以上者，又更好為90%以上者。
再者，透明導電層單層之表面電阻率較好為1000(Ω/□)以下，更好為100(Ω/□)以下。
此外，本發明之具有輔助電極層之透明導電性薄膜之透明導電層之表面電阻率較好為5(Ω/□)以下，更好為1(Ω/□)以下。
若表面電阻率為5(Ω/□)以下，則透明導電性薄膜即使使用於有機薄膜太陽電池、有機EL照明等之需要大面積之電子裝置之透光性電極等時，亦可改善於裝置動作(集電或電壓施加)時之電力損失(太陽電池等之發電用電子裝置中，越遠離集電電極則越因透明導電層之高電阻率使電流密度降低，決定電池性能之轉換效率降低)或特性分佈(有機EL照明等之發光用電子裝置中，越遠離施加電極則越因透明導電層之高電阻率使電流密度降低，發生亮度分佈等)。
(電子裝置)
本發明之電子裝置係對向電極之至少一者係由透明導電性薄膜構成之電子裝置，該透明導電性薄膜係本發明之透明導電性薄膜。因此，由於可抑制自透明導電性薄膜之透明導電層之水蒸氣透過度，故該透明導電性薄膜組裝於 電子裝置時，可抑制水蒸氣透過裝置內部，而成為裝置之活性層等之經時性能劣化少且長壽命之電子裝置。同時，可降低透明導電層之表面電阻率，且為可撓性，故可較好地使用作為要求大面積化之有機薄膜太陽電池、有機EL照明。
[透明導電層層合用薄膜之製造方法]
本發明之透明導電層層合用薄膜之製造方法係至少將具有開口部之金屬層與設於該開口部之透明樹脂層作為複合層層合於透明樹脂薄膜基材上之透明氣體障蔽層上而成之透明導電層層合用薄膜之製造方法，其包含下述步驟(A)、(B)：(A)於轉印用基材上形成具有前述開口部之金屬層，進而於該開口部形成前述透明樹脂層而形成複合層之步驟；(B)將該複合層轉印於前述透明氣體障蔽層上之步驟。
針對本發明之透明導電層層合用薄膜之製造方法使用圖式加以說明。
圖2係以步驟順序顯示依據本發明之製造方法之步驟之一例之說明圖，(a)係於轉印用基材7上形成金屬層5後之剖面圖，(b)係於金屬層5之開口部形成透明樹脂層6，形成由金屬層5與透明樹脂層6所成之複合層4之剖面圖，(c)係顯示將複合層4轉印於透明 樹脂薄膜基材2上之透明氣體障蔽層3之步驟之剖面圖，(d)係轉印複合層4，進而自複合層4剝離轉印用基材7，將轉印用基材7面之平滑性轉印於複合層4後之剖面圖。
<複合層形成步驟>
複合層形成步驟係於轉印用基材上形成具有開口部之金屬層與設於該開口部之透明樹脂層形成複合層之步驟，係由金屬層形成步驟及透明樹脂層形成步驟所成。
(金屬層形成步驟)
金屬層形成步驟係於轉印用基材上形成由金屬層所成之圖案(輔助電極層)之步驟。圖2(a)中，係於轉印用基材7上形成輔助電極層5之步驟。
本發明所用之轉印用基材較好由基材薄膜所成，並於其上設置使聚矽氧樹脂組成物硬化之硬化層。
作為基材薄膜並未特別限制，可舉例為例如聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯薄膜、聚丙烯或聚甲基戊烯等之聚烯烴薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚乙酸乙烯酯薄膜等，但該等中，較好為聚酯薄膜，尤佳為雙軸延伸之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。基材薄膜厚度，基於機械強度、耐久性及透明性之觀點，較好為10μm~500μm，更好為20μm~300μm，又更好為30μm~100μm。基材薄膜之表面粗糙度，基於轉印物之剝離性、轉印物之表面粗糙度之 觀點，Rq較好為30nm以下，更好為20nm以下，又更好為10nm以下。
硬化層之形成方法係將由聚矽氧樹脂組成物與依據期望所用之各種添加劑成分所成之塗佈液，以例如凹版塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法、旋轉塗佈法等塗佈於前述基材薄膜上。此時，基於塗佈液之黏度調整目的，亦可添加適當有機溶劑。作為有機溶劑並無特別限制，可使用各種者。例如使用以甲苯、己烷等之烴化合物為代表，乙酸乙酯、甲基乙基酮、及該等之混合物等。
作為輔助電極層之形成方法，舉例為於轉印用基材上設置位形成圖案之整面金屬層後，藉由以光微影法為主體之習知物理處理或化學處理或併用該等等，加工成特定圖案形狀之方法，又舉例為以噴墨法、網版印刷法等直接形成輔助電極層之圖案之方法等。
作為未形成圖案之輔助電極層之形成方法，舉例有真空蒸鍍、濺鍍、離子鍍敷等之PVD(物理氣相成長法)、或熱CVD、原子層蒸鍍(ALD)等之CVD(化學氣相成長法)等之乾製程，或浸漬塗佈、旋轉塗佈、噴霧塗佈、凹版塗佈、模嘴塗佈、刮刀塗佈等之各種塗佈或電鍍等之濕製程、銀鹽法等，係根據輔助電極之材料適當選擇。
又，藉由網版印刷等之方法，形成輔助電極之圖案時，可使用含導電性微粒子之導電糊。當然亦可使用光微影法等之方法進行圖案化。基於步驟之簡便、成本、工站時間(tact time)縮短之觀點，叫好使用導電糊之圖案印 刷。
作為導電糊，如前述，可使用於含黏合劑之溶劑中分散金屬微粒子、碳微粒子、氧化釕微粒子等之導電性微粒子者。藉由印刷該導電糊並硬化而獲得輔助電極層。
上述金屬微粒子之材料如前述。
(透明樹脂層形成步驟)
透明樹脂層形成步驟係於金屬層之開口部層合透明樹脂層之步驟，係例如圖2(b)中，將含透明樹脂之透明樹脂組成物於轉印用基材7上之金屬層5之開口部成膜，形成透明樹脂層6之步驟。
作為透明樹脂層之形成方法舉例為熱層合、浸漬塗佈、旋轉塗佈、噴霧塗佈、凹版塗佈、模嘴塗佈、刮刀塗佈、馬亞塗佈等。其中，使用熱可塑性樹脂作為透明樹脂層時，基於可簡便製造，較好為熱層合。熱層合係以習知方法進行，但層合條件通常加熱溫度為120~180℃，加壓量0.1~25MPa。
又，使用能量線硬化型樹脂時，作為照射能量放射線之方法，舉例為例如紫外線或電子束等。上述紫外線可由高壓水銀燈、融合H燈、氙氣燈等獲得，光量通常為100~500mJ/cm2，另一方面，電子束係由電子束加速器等獲得，照射量通常為150~350kV。該活性能量線中，特佳為紫外線。又，使用電子束時，不添加光聚合起始劑，即可獲得硬化膜。
<複合層轉印步驟>
複合層轉印步驟係將複合層形成步驟所得之轉印用基材上之複合層轉印於透明薄膜基材之透明氣體障蔽層表面側之步驟，例如，於圖2(c)中，使透明氣體障蔽層3與複合層4對向，將複合層4轉印至透明氣體障蔽層3，而於透明氣體障蔽層3上層合複合層4之步驟。該步驟中，進而包含剝離由轉印用基材7與複合層4所成之面之步驟。例如，轉印層合複合層4後，圖2(d)中，藉由剝離轉印用基材7與複合層4之界面，將轉印用基材7之面之平滑性轉印至複合層4之面上，可形成表面粗糙度小、階差小、由輔助電極層與透明樹脂層所成之面。轉印方法及剝離方法並無特別限制，可藉習知方法進行。
<透明導電層形成步驟>
透明導電層形成步驟係於前述步驟所得之由透明導電層層合用薄膜之輔助電極層與透明樹脂層所成之複合層面側，層合透明導電層之步驟。
作為透明導電層之形成方法，舉例為真空蒸鍍、濺鍍、離子電鍍等之PVD(物理氣相成長法)或熱CVD、原子層蒸鍍(ALD)等之CVD(化學氣相成長法)等。藉由上述手法成膜後，根據需要，藉由在不對其他層合體造成影響之範圍內施以加熱處理，可形成具有更優異表面電阻率之透明導電層。
又，作為透明導電層，可使用透明導電層形成用塗佈液。作為該透明導電層之形成方法，舉例為浸漬塗佈、旋轉塗佈、噴霧塗佈、凹版塗佈、模嘴塗佈、刮刀塗佈等。藉由上述手法塗佈、乾燥後，根據需要，藉由在不對其他層合體造成影響之範圍內，施以加熱處理或紫外線照射等之硬化處理，可形成具有更優異表面電阻率之透明導電層。
本發明所用之透明導電層形成用塗佈液係包含溶劑與分散於該溶劑中之導電性氧化物微粒子，作為導電性氧化物微粒子可使用作為前述透明導電層用材料所舉例之具有透明性及導電性之銦-錫氧化物(ITO)、銦-鋅氧化物(IZO)、鋁-鋅氧化物(AZO)、鎵-鋅氧化物(GZO)、銦-鎵-鋅氧化物(IGZO)、氧化鈮、氧化鈦、氧化錫等。該導電性氧化物微粒子之平均粒徑較好為10~100nm。若為該範圍，則由於可確保高透明性與高導電性故而較佳。
透明導電層形成用塗佈液中，為了提高單層之膜強度，亦可添加黏合劑。該黏合劑可使用有機黏合劑與無機黏合劑之兩者或任一者，可考慮對成為形成面之透明樹脂層、輔助電極層之影響，適當選擇。
有機黏合劑並未特別限定，可自熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線(UV)硬化性樹脂、電子束硬化性樹脂等適當選擇。例如，作為熱可塑性樹脂舉例為丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、PET樹脂、聚乙烯醇樹脂等，作為熱 硬化性樹脂舉例為環氧樹脂等，作為紫外線硬化性樹脂舉例為含有各種寡聚物、單體、光聚合起始劑之樹脂等，作為電子束硬化性樹脂舉例為含有各種寡聚物、單體之樹脂等。
又，作為無機黏合劑並未特別限制，可舉例為以氧化矽溶膠為主成分之黏合劑。無機黏合劑亦可包含氟化鎂微粒子、氧化鋁溶膠、氧化鋯溶膠、氧化鈦溶膠等、或以有機官能基修飾之氧化矽溶膠。
依據本發明之製造方法，可製造形成有表面粗糙度小、界面階差小的由輔助電極層與透明樹脂層所成之複合層面且抑制水蒸氣透過度之透明導電層層合用薄膜，進而藉由於該複合層面上層合透明導電層，可製造表面電阻率低而且與電子裝置之驅動層之電極等之電性短路之發生受抑制之具有輔助電極層之透明導電性薄膜。
[實施例]
其次，藉由實施例更詳細說明本發明，但本發明不受該等例之限制。
實施例、比較例所用或製作之透明樹脂、具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材之水蒸氣透過度、透明導電性薄膜之表面電阻率、透明導電層層合用薄膜之表面粗糙度評價及透明導電性薄膜之鈣腐蝕評價係藉以下方法進行。
(a)水蒸氣透過度之評價
水蒸氣透過度之評價係根據JIS K7129進行。
(a-1)透明樹脂之水蒸氣透過度
透明樹脂層之40℃×90%RH之水蒸氣透過度係使用水蒸氣透過率計(Systech Instruments公司製，裝置名：Lyssy L80-5000)測定，將所得值換算為膜厚100μm時之值(g/m2．day)。
(a-2)具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材之水蒸氣透過度
40℃×90%RH下之具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材之水蒸氣透過度係使用水蒸氣透過率計(Mocon公司製，裝置名：AQUATRAN)測定。
(b)透明導電性薄膜之表面電阻率
藉由低電阻率計(三菱化學分析公司製，製品明ROLESTA AX MCP-T370)，於25℃ 50%RH之環境下，測定透明導電性薄膜之表面電阻率(Ω/□)。
(c)界面階差、表面粗糙度
透明導電層層合用薄膜之複合層之輔助電極層與透明樹脂層間之轉印面之界面部位表面，係使用光干涉式表面粗糙度計(Veeco公司製，型名：Wyko NT1100)，測定 以JIS-B0601-1994所規定之均方根粗糙度Rq，評價包含界面部位之階差之表面粗糙度。
(d)透明導電性薄膜之鈣腐蝕評價
圖3(a)顯示本發明之實施例、比較例製作之鈣腐蝕試驗評價用樣品之剖面圖。圖3(a)中，鈣腐蝕試驗評價用樣品11係於本發明所用之複合層4上層合之透明導電層1b上，透過下述之密封黏著材層8，配置鈣層10而構成。具體而言，藉以下順序製作鈣腐蝕試驗評價用樣品。
對於異丁烯/異戊二烯共聚物(日本BUTYL公司製，品名：Exxon Butyl 268)100質量份，添加黏著賦予材(日本ZEON公司製，品名：QUINTON)50質量份，以甲苯溶解，調製固體成分濃度20質量%之接著性樹脂組成物，將該接著性樹脂組成物塗佈於剝離性薄膜(LINTEC公司製，品名：SP-PET38T103-1)上，於120℃乾燥2分鐘，形成膜厚20μm之密封黏著材層8(水蒸氣透過度3.4g/m2．day)。
另一方面，使用蒸鍍裝置(ILS技術公司製，裝置名：E2000LL)，於45mm邊長(厚度：0.685mm)之玻璃基板9(CORNING公司製，無鹼玻璃基板)表面之中心35mm邊長上，蒸鍍鈣150nm，形成鈣層10。接著，於手套箱中，於透明導電性薄膜之透明導電層1b表面上，層合前述密封黏著材層8，於100℃乾燥10分鐘後，將剝 離性薄膜剝離，其次，將密封黏著材層8之剝離面層合於玻璃基板9之鈣層10面側，而製作鈣腐蝕試驗評價用樣品11。
自手套箱取出所製作之評價用樣品，於60℃、95%RH之環境下靜置100小時，以光學顯微鏡(KEYENCE公司製，型名：VHX-1000)觀察距鈣層10之端部之腐蝕距離。
又，此處上述腐蝕距離如以下定義。
圖3(b)中顯示鈣腐蝕試驗評價用樣品11之鈣層10之腐蝕進行影像之俯視圖。腐蝕距離10d係定義為於鈣層10之例如自鈣層左端(中央部)至鈣層10之中央部方向，亦即自鈣層左端(中央部)10c於腐蝕區域10k中之腐蝕進行方向10p中，腐蝕之距離。
(實施例1) (1)透明氣體障蔽層之製作
於透明樹脂薄膜基材(東洋紡公司製，COSMOSHINE A4300)上，就由棒塗佈法塗佈下述之底塗層形成用溶液，於70℃加熱乾燥1分鐘後，使用UV光照射燈(Fusion UV Systems LAPAN公司製，高壓水銀燈；累積光量100mJ/cm2，峰值強度1.466W，線速度20m/分鐘，通過次數2次)進行UV光照射，形成厚度1μm之底塗層。於所得底塗層上，藉由旋轉塗佈法塗佈全氫聚矽氮烷含有液(AZ Electronic Materials公司製，商品名： AZNL110A-20)，所得塗膜於120℃加熱2分鐘，形成厚150nm之全氫聚矽氮烷層。再者，於所得之全氫聚矽氮烷層上，藉由下述條件，電漿離子注入氬(Ar)，形成電漿離子注入之全氫聚矽氮烷層(以下稱為「無機層A」)。所得具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材(以下有時稱為「具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材A」)之水蒸氣透過度為8.0×10-3g/(m2．day)。
其次，於無機層A上，以旋轉塗佈法塗佈全氫聚矽氮烷含有液(AZ Electronic Materials公司製，商品名：AZNL110A-20)，所得塗膜於120℃加熱2分鐘，形成厚150nm之全氫聚矽氮烷層。再者，於所得之全氫聚矽氮烷層上，將施加電壓設為-6kV進行電漿離子注入以外，與無機層A之製膜條件同樣地，於無機層A上形成氮化矽層(無機層B)，於透明樹脂薄膜基材上製作第2層透明氣體障蔽層。具有2層構成之透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材(以下有時稱為「具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材B」)之水蒸氣透過度為7.0×10-4g/(m2．day)。
(底塗層形成用溶液)
將二季戊四醇六丙烯酸酯(新中村化學公司製，商品名：A-DPH)20質量份溶解於甲基異丁基酮100質量份後，以對固體成分成為3質量%之方式添加光聚合起始劑(BASF公司製，商品名：Irgacure127)，調製底塗層形 成用溶液。
電漿離子注入係使用下述裝置，藉以下之注入條件進行。
<電漿離子注入裝置>
RF電源：型號「RF56000」，日本電子公司製
高電壓脈衝電源：「PV-3-HSHV-0835」，栗田製作所公司製
<電漿離子注入條件>
．電漿生成氣體：Ar
．氣體流量：100sccm
．佔空比：0.5%
．重複頻率：1000Hz
．施加電壓：-6kV
．RF電源：頻率13.56MHz，施加電力1000W
．腔室內壓：0.2Pa
．脈衝寬：5秒
．處理時間(離子注入時間)：200秒
．搬送速度：0.2m/min
(2)透明導電層層合用薄膜及透明導電性薄膜之製作
藉由網版印刷裝置(MICRO TECH公司製；裝置名：MT-320TV)，於轉印用基材(LINTECH公司製，品名： PLD8030)上印刷導電糊(MITSUBOSHI BELT公司製，品名：EC-264)，製作由厚度6μm、線寬50μm、間距2000μm之格子狀金屬細線圖案所成之輔助電極層。
其次，將作為透明樹脂之高密度聚乙烯系樹脂(京葉聚乙烯公司製，品名：F3001)進行薄膜成膜之高密度聚乙烯系樹脂薄膜使用熱層合機(Royal Sovereign公司製，裝置：RSL-382S)，以加熱溫度125℃、0.3m/min熱層合4次，藉由透明樹脂填充於金屬細線之開口部而設置透明樹脂層，層合由輔助電極層與透明樹脂層所成之複合層。所得複合層面與具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材B之透明氣體障蔽層側之面對向，藉由將複合層層合於透明氣體障蔽層上而轉印並層合。
其次，自複合層剝離轉印用基材，而製作於透明樹脂薄膜基材上具有透明氣體障蔽層與由以透明樹脂填充開口部之金屬細線層所成之輔助電極層之透明導電層層合用薄膜。
再者，藉由濺鍍裝置(ULVAC公司製，裝置名：ISP-4000S-C)，於所得透明導電層層合用薄膜之複合層面上層合100nm之銦-錫氧化物(ITO)，而製作透明導電性薄膜。具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材B及透明樹脂層(換算膜厚100μm)之水蒸氣透過度、所製作之透明導電性薄膜之表面電阻率、透明導電層層合用薄膜之均方根粗糙度Rq及透明導電性薄膜之鈣腐蝕距離之評價結果示於表1。
(實施例2)
除了透明樹脂變更為聚苯乙烯系樹脂薄膜(OJI F-TEX公司製，品名：ALPHAN PK-002)，且熱層合時之加熱溫度變更為150℃以外，與實施例1同樣製作透明導電層層合用薄膜及透明導電性薄膜。具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材B及透明樹脂層(換算膜厚100μm)之水蒸氣透過度、所製作之透明導電性薄膜之表面電阻率、透明導電層層合用薄膜之均方根粗糙度Rq及透明導電性薄膜之鈣腐蝕距離之評價結果示於表1。
(比較例1)
與實施例1同樣，製作由厚6μm、線寬50μm、間距2000μm之格子狀金屬細線圖案所成之輔助電極層。
其次，塗佈作為透明樹脂之丙烯酸系樹脂(東亞合成公司製，品名：UVX-6125)，藉由透明樹脂填充金屬細線之開口部而設置透明樹脂層，層合由輔助電極層與透明樹脂層所成之複合層(透明樹脂層未硬化)。所得複合層面與具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材B之透明氣體障蔽層側之面對向，將複合層層合於透明氣體障蔽層上，自具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材側照射UV，自複合層剝離轉印用基材，而製作於透明樹脂薄膜基材上具有透明氣體障蔽層與由以透明樹脂填充開口部之金屬細線層所成之輔助電極層之透明導電層層合用薄膜， 進而，與實施例1同樣，藉由層合透明導電層而製作透明導電性薄膜。
具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材B及透明樹脂層(換算膜厚100μm)之水蒸氣透過度、所製作之透明導電性薄膜之表面電阻率、透明導電層層合用薄膜之均方根粗糙度Rq及透明導電性薄膜之鈣腐蝕距離之評價結果示於表1。
(比較例2)
與實施例1同樣，製作由厚6μm、線寬50μm、間距2000μm之格子狀金屬細線圖案所成之輔助電極層。
其次，塗佈作為透明樹脂之聚矽氧樹脂(信越化學工業公司製，品名：KER-2500)，藉由透明樹脂填充金屬細線之開口部而設置透明樹脂層，層合由輔助電極層與透明樹脂層所成之複合層(透明樹脂層未硬化)。所得複合層面與具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材B之透明氣體障蔽層側之面對向，將複合層層合於透明氣體障蔽層上並熱硬化後，自複合層剝離轉印用基材，而製作於透明樹脂薄膜基材上具有透明氣體障蔽層與由以透明樹脂填充開口部之金屬細線層所成之輔助電極層之透明導電層層合用薄膜，進而，與實施例1同樣，藉由層合透明導電層而製作透明導電性薄膜。
具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材B及透明樹脂層(換算膜厚100μm)之水蒸氣透過度、所製作之透明 導電性薄膜之表面電阻率、透明導電層層合用薄膜之均方根粗糙度Rq及透明導電性薄膜之鈣腐蝕距離之評價結果示於表1。
(比較例3)
實施例1中，除了將具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材B變更為不具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材(東洋紡公司製，品名：COSMOSHINE A4300，水蒸氣透過度>1(g/m2．day))以外，與實施例1同樣，製作透明導電層層合用薄膜及透明導電性薄膜。上述不具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材及透明樹脂層(換算膜厚100μm)之水蒸氣透過度、所製作之透明導電性薄膜之表面電阻率、透明導電層層合用薄膜之均方根粗糙度Rq及透明導電性薄膜之鈣腐蝕距離之評價結果示於表1。
(比較例4)
實施例1中，除了將具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材B變更為具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材A以外，與實施例1同樣，製作透明導電層層合用薄膜及透明導電性薄膜。上述具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材A及透明樹脂層(換算膜厚100μm)之水蒸氣透過度、所製作之透明導電性薄膜之表面電阻率、透明導電層層合用薄膜之均方根粗糙度Rq及透明導電性薄膜之鈣腐蝕距離之評價結果示於表1。
如由表1所了解，可知實施例1、2中，透明樹脂層之水蒸氣透過度高，相較於比較例1，鈣腐蝕距離顯著減小，耐腐蝕性高。比較例2中，鈣劣化顯著增大，無法正確測定腐蝕距離。
又，比較例3、4中，鈣腐蝕距離無法測定，認為係因為自不具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材或具有透明氣體障蔽層之透明樹脂薄膜基材A之水蒸氣透過度較高，藉此腐蝕進行為速率限制(腐蝕速度大)之故。
[產業上之可利用性]
使用本發明之透明導電層層合用薄膜及透明導電性薄膜時，可實現透明導電層之低電阻化。且，由於自透明樹脂薄膜基材及透明樹脂層之水蒸氣透過度低，故結果由透明樹脂層與輔助電極層所成之複合層、及層合於該複合層之透明導電層之水蒸氣透過受抑制，故例如對向 之電極之至少一者之透明導電性薄膜以本發明之透明導電性薄膜構成之電子裝置，可抑制裝置之活性層等之性能劣化且可實現長壽命化。基於該等，可較好地使用於有機薄膜太陽電池或有機EL照明等之電子裝置。

Claims (11)

  1. 一種透明導電層層合用薄膜，其係至少將具有開口部之金屬層與設於該開口部之透明樹脂層作為複合層層合於透明樹脂薄膜基材上之透明氣體障蔽層上而成之透明導電層層合用薄膜，且具有該透明氣體障蔽層之該透明樹脂薄膜基材之JIS K7129所規定之40℃×90%RH之水蒸氣透過度為1.0×10-3(g/m2．day)以下，且每100μm之該透明樹脂層以JIS K7129所規定之40℃×90%RH之水蒸氣透過度為20(g/m2．day)以下。
  2. 如請求項1之透明導電層層合用薄膜，其中前述透明樹脂層係由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯或聚偏氯乙烯所形成。
  3. 如請求項1之透明導電層層合用薄膜，其中前述透明氣體障蔽層係由氧氮化矽層、無機氧化物層或無機氮化物層所成。
  4. 如請求項1之透明導電層層合用薄膜，其中前述複合層之包含前述金屬層與前述透明樹脂層之界面階差之表面之由JIS-B0601-1994所規定之均方根粗糙度為200nm以下。
  5. 一種透明導電性薄膜，其係於如請求項1~4中任一項之透明導電層層合用薄膜之複合層上層合透明導電層而成。
  6. 如請求項5之透明導電性薄膜，其中前述透明導電層包含透明導電性氧化物或導電性有機高分子。
  7. 如請求項6之透明導電性薄膜，其中前述透明導電性氧化物係銦錫氧化物(ITO)或鎵-鋅氧化物(GZO)，導電性有機高分子係聚(3,4-乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)[PEDOT：PSS]。
  8. 如請求項5~7中任一項之透明導電性薄膜，其中前述透明導電性薄膜之透明導電層之表面電阻率為5(Ω/□)以下。
  9. 一種電子裝置，其係對向電極之至少一者係由前述透明導電性薄膜構成之電子裝置，該透明導電性薄膜係如請求項5~8中任一項之透明導電性薄膜。
  10. 一種透明導電層層合用薄膜之製造方法，係至少將具有開口部之金屬層與設於該開口部之透明樹脂層作為複合層層合於透明樹脂薄膜基材上之透明氣體障蔽層上而成之透明導電層層合用薄膜之製造方法，其包含下述步驟(A)、(B)，(A)於轉印用基材上形成具有前述開口部之金屬層，進而於該開口部形成前述透明樹脂層而形成複合層之步驟；(B)將該複合層轉印於前述透明氣體障蔽層上之步驟。
  11. 如請求項10之透明導電性薄膜之製造方法，其中包含於前述透明導電層層合用薄膜之前述複合層上進而層合透明導電層之步驟。
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