TW201726947A - 熔射用漿料、熔射被膜及熔射被膜之形成方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題為提供即使於漿料中熔射粒子沈澱的情況，其沈澱亦容易消失之熔射用漿料。其解決手段係藉由本發明，來提供含有熔射粒子、與分散介質之熔射用漿料。該熔射粒子，於平面視之平均圓形度為0.85以下。又，熔射粒子之平均圓形度較佳為0.6以上。再者，熔射粒子可包含氟化釔、與氟氧化釔。

Description

熔射用漿料、熔射被膜及熔射被膜之形成方法

本發明係關於含有熔射粒子之熔射用漿料、熔射被膜、及該熔射被膜之形成方法。

熔射被膜係藉由將熔射粒子熔射於基材而形成。熔射被膜，係依照構成熔射粒子之材料特性，而於各種用途中使用。例如，氧化鋁熔射被膜，由於氧化鋁顯示高的電絕緣性、耐摩耗性及耐蝕性，故使用作為各種構件之保護被膜(例如參照專利文獻1)。又，氧化釔熔射被膜，由於氧化釔顯示高的耐電漿侵蝕性(蝕刻耐性、耐腐蝕性)，故使用作為半導體設備製造裝置中之構件的保護被膜。如此之熔射被膜，不僅藉由以粉末形態，藉由以含有熔射粒子之漿料形態來熔射熔射粒子亦可形成(例如參照專利文獻2)。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開2014-240511號公報

〔專利文獻2〕日本特開2010-150617號公報

但是，保管漿料時，漿料中之熔射粒子可能會因重力而沈降，產生沈澱。沈澱之熔射粒子必須在熔射漿料之前予以再分散，因此產生沈澱之漿料容易被視為不符實用。又，於其他方面，伴隨半導體設備之積體度提高，要求對半導體設備製造裝置中之粒子(異物)所致之污染進行更精密之管理。但是，使用產生沈澱之漿料所形成的熔射被膜，容易形成氣孔，係有例如以往不成為問題的可能成為更微細之粒子的發生源之問題。

因而，本發明之目的為提供即使於漿料中熔射粒子沈澱的情況，其沈澱亦容易消失之熔射用漿料。又，本發明之其他目的為提供該熔射用漿料之熔射物的熔射被膜及該熔射被膜之形成方法。

本發明之發明者等人努力探討的結果，違反熔射用漿料之以往的常識地發現，藉由使用不符合可提高流動性之形狀的形狀者作為熔射粒子，可容易地使熔射粒子之沈澱消失。本發明係基於如此之見解而為者。亦即，本發明為含有熔射粒子、與分散介質之熔射用漿料。上述熔射粒子，其特徵為於平面視之平均圓形度為0.85以 下。

上述熔射用漿料中，熔射粒子之形態，並非接近於為了提高流動性所適合的球形者，而是設為非球形。又，係設為一時沈澱之熔射粒子的沈澱為不為硬而凝結的形態者。依照該構成，於熔射用漿料中，可使一時沈澱之熔射粒子容易地成為適合的分散狀態，可提高將該漿料對熔射裝置供給時的供給性。亦即，熔射用漿料可具備再分散性。又，可抑制漿料之供給性低所造成之熔射被膜中的氣孔產生。

於此所揭示之熔射用漿料的較佳之一態樣中，其特徵為上述熔射粒子之平均圓形度為0.6以上。藉由該構成，會減低熔射粒子表面之凹凸，且減低熔射時熔射粒子攝入氣體的機率。藉此，可更確實地減低使用該熔射用漿料所形成之熔射被膜的氣孔率。

於此所揭示之熔射用漿料的較佳之一態樣中，其特徵為上述熔射粒子之平均粒子徑為100nm以上、8μm以下。藉由該構成，可適合地將以粉體的形態時熔射效率低之熔射粒子作為熔射用材料使用。又，可藉由小的熔射粒子形成緻密之熔射被膜。

再者，本說明書中，關於熔射粒子之「平均粒子徑」，對於平均粒子徑未達1μm之熔射粒子，係採用基於比表面積所算出之平均粒子徑(球當量直徑)。該平均粒子徑D，係以上述熔射粒子之比表面積為S、以構成該熔射粒子之材料的密度為ρ時，基於下式；D=6/ (ρS)所得到之值。例如，熔射粒子為氧化釔(氧化釔；Y₂O₃)時，可算出密度ρ為5.01g/cm³。又，熔射粒子之比表面積，可採用例如藉由氣體吸附法所測定之值，可根據JIS Z 8830：2013(ISO9277：2010)「以氣體吸附測定粉體(固體)之比表面積的方法」之規定來測定。例如，熔射粒子之比表面積的測定，可使用Micromeritics公司製之表面積測定裝置、商品名「FlowSorbII 2300」來進行。又，對於平均粒子徑1μm以上之熔射粒子，係採用藉由基於雷射繞射/散射法之粒度分布測定裝置所測定之體積基準的粒度分布中之於累積值50%之粒徑(累積50%粒徑)，作為「平均粒子徑」。

於此所揭示之熔射用漿料的較佳之一態樣中，其特徵為上述熔射粒子，包含陶瓷及無機化合物之至少1種。藉由該構成，可形成耐電漿侵蝕特性優良之熔射被膜。

於此所揭示之熔射用漿料的較佳之一態樣中，其特徵為上述無機化合物，包含含有釔(Y)及鹵素元素(X)作為構成元素的化合物。例如，較佳為上述鹵素元素(X)為氟、上述無機化合物包含氟化釔。藉由該構成，可形成特別是對鹵素系電漿之耐電漿侵蝕特性優良的熔射被膜。

再者，於此所揭示之技術中，鹵素系電漿，典型而言係指使用含有鹵素系氣體(鹵化合物氣體)之電漿產生氣體所產生之電漿。例如，具體而言，可例示半導 體基板之製造時使用於乾蝕刻步驟等的以SF₆、CF₄、CHF₃、ClF₃、HF等之氟系氣體；或Cl₂、BCl₃、HCl等之氯系氣體；HBr等之溴系氣體；HI等之碘系氣體等之1種單獨、或混合使用2種以上所產生的電漿，作為典型者。此等之氣體，亦可為與氬(Ar)等之惰性氣體之混合氣體。

於此所揭示之熔射用漿料的較佳之一態樣中，其特徵為上述熔射粒子，包含含有釔(Y)、鹵素元素(X)及氧(O)作為構成元素之化合物。例如，較佳為上述鹵素元素(X)為氟、上述化合物為氟氧化釔。藉由該構成，可形成耐電漿侵蝕特性進一步更加優良之熔射被膜。例如，可形成具有氟氧化釔所致之新穎特性的熔射被膜。

於此所揭示之熔射用漿料的較佳之一態樣中，其特徵為前述熔射粒子包含氟化釔、與氟氧化釔。藉由該構成，可適合地抑制於熔射中氟氧化釔被氧化分解，進而形成耐電漿侵蝕特性更優良的熔射被膜。

於此所揭示之熔射用漿料的較佳之一態樣中，其特徵為進一步含有凝集劑。藉由該構成，即使於熔射用漿料中熔射粒子沈澱的情況，亦會抑制熔射粒子硬而凝集。藉此，提供於漿料中之熔射粒子的分散安定性更加提高的熔射用漿料。

再者，於此所揭示之熔射用漿料的較佳之一態樣中，較佳為於具有1L容積之高度16.5cm之圓筒容器 內置入上述熔射用漿料700mL，於室溫下靜置一週時所產生的沈澱，係藉由在20℃以上、30℃以下之溫度下，以中心軸呈水平的方式放置上述圓筒容器，圍繞其中心軸使上述圓筒容器以100rpm之旋轉速度旋轉達30分鐘並攪拌上述圓筒容器內之熔射用漿料而會消失者。如此地，藉由和緩的攪拌操作而沈澱消失時，可評估為再分散性良好。

於其他方面，本發明係提供熔射被膜。該熔射被膜，其特徵為由熔射上述任一者之熔射用漿料而得的熔射物所成。該熔射被膜可為例如使用平均粒子徑較小的熔射用粒子，藉由以高效率熔射所形成者。因此，可形成為緻密且密合性及被膜強度高之熔射被膜。

又，本發明亦提供熔射被膜之形成方法。該熔射被膜之形成方法，係熔射熔射用漿料而形成熔射被膜。藉此，可得到均質且緻密的熔射被膜。例如，可得到耐電漿侵蝕性優良的熔射被膜。

於此所揭示之熔射被膜之形成方法的較佳之一態樣中，係將含有有機溶劑作為上述分散介質的熔射用漿料予以電漿熔射而形成熔射被膜。藉此，可以較低溫且高速來進行熔射，可一邊抑制熔射粒子之氧化及變質，一邊形成緻密的熔射被膜。進而，可形成耐電漿侵蝕性優良的熔射被膜。

於此所揭示之熔射被膜之形成方法的較佳之一態樣中，係將含有水作為上述分散介質的熔射用漿料予以高速火焰熔射而形成熔射被膜。藉此，可一邊抑制熔射 粒子之氧化，一邊形成接近於熔射粒子之組成的組成之熔射被膜。進而，可形成耐電漿侵蝕性優良的熔射被膜。

於此所揭示之熔射被膜之形成方法的較佳之一態樣中，係將上述熔射用漿料以軸向饋送方式供給於熔射裝置。藉此，將漿料中之熔射粒子以軸方向投入熔射熱源，因此可使更多的熔射粒子有助於被膜形成，能夠以高的熔射效率形成熔射被膜。

再者，「軸向饋送方式」，係指由熔射熱源(例如，電漿弧或燃燒焰)之中心，於該熔射熱源之產生方向或吹管噴嘴(torch nozzle)之軸方向供給熔射用漿料之手法。

於此所揭示之熔射被膜之形成方法的較佳之一態樣中，係包含使用2個給料器，將上述熔射用漿料以來自該2個給料器之熔射用漿料之供給量變動周期互相成為逆相位的方式供給至熔射裝置。藉此，可更加抑制平均粒子徑較大之熔射粒子於漿料中凝集或沈降，使漿料無不均地以大致一定的比例供給。藉此，可於被膜組織形成偏差少的熔射被膜，故較佳。

於此所揭示之熔射被膜之形成方法的較佳之一態樣中，係包含將上述熔射用漿料自給料器送出，於熔射裝置之前於槽中一時滯留，利用自然落下而將該槽內之熔射用漿料供給至熔射裝置。藉此，可於熔射裝置之前的槽中調整熔射用漿料之狀態，可抑制平均粒子徑較大之熔射粒子於漿料中凝集或沈降，使熔射用漿料無不均地以大致一定的比例供給。藉此亦可於被膜組織形成偏差少之熔 射被膜，故較佳。

於此所揭示之熔射被膜之形成方法的較佳之一態樣中，係包含透過導電性管體對熔射裝置供給熔射用漿料。藉此，對於流動於導電性管體內之熔射用漿料可抑制靜電產生，熔射粒子之供給量不易引起變動，故較佳。

〔圖1〕一實施形態之熔射粒子的掃描型電子顯微鏡(SEM)像。

以下說明本發明之適合的實施形態。再者，本說明書中特別提及之事項以外的事項且為本發明之實施所必要的事項，可為基於關於本說明書記載之發明實施的教示與該領域中申請時的技術常識，而為所屬技術領域中具有通常知識者所理解並實施。

(熔射用漿料)

於此所揭示之熔射用漿料，可含有熔射粒子、與分散介質。該熔射用漿料，例如，係藉由於分散介質中混合熔射粒子來配製。混合可使用翼式攪拌機、均質機或混合機來進行。此外，該熔射用漿料，係以雖為會產生沈澱之形態的漿料，但沈澱容易消失的方式(亦即，容易再分散的 方式)所構成。以下，說明構成熔射用漿料之材料。又，之後，說明用以評估沈澱之再分散性的沈澱消失試驗。

(熔射粒子)

熔射用漿料中所含有的熔射粒子，其特徵為平面視之平均圓形度為0.85以下。此處，平均圓形度係指評估以平面視觀察熔射粒子時之熔射粒子的圓形度之值。圓形度係表示熔射粒子之表面形狀的複雜度之指標，例如，係被採用作為可間接地表示球形度之指標。當隨著熔射粒子接近真球形(亦即，以平面視為圓形)，圓形度成為接近1的值。平均圓形度過高時，於熔射用漿料中藉由熔射粒子自然落下而沈澱時會有熔射粒子硬而堵塞、凝結之虞。如此情況時，不易以簡單的攪拌操作來使熔射粒子再度分散，故不佳。因而，於此所揭示之技術中，係如圖1所例示般，係使用外形具有大的凹凸之非球形(亦即，以平面視為非圓形)的粒子，作為熔射粒子。藉由使平均圓形度為0.85以下，熔射粒子基於表面的凹凸，即使於漿料中沈澱時亦可抑制硬而凝結。因此，於漿料中沈澱後之熔射粒子的再分散性會提高。藉此，即使熔射粒子沈澱的情況，亦會實現該熔射粒子之再分散性優良的熔射用漿料。

再者，例如，由後述之陶瓷或無機化合物所成之熔射粒子，於熔射用漿料中因重力而容易沈降，可能產生沈澱。因此，熔射用漿料於使用時，必須進行用以將沈澱的熔射粒子再分散之攪拌等之操作。此處，使用於以 往之熔射用漿料的熔射粒子，為了提高漿料之流動性，係使用接近球形者、亦即平均圓形度更接近1者。因此，為了於熔射用漿料中使一時沈澱之熔射粒子分散，必須有比較強的攪拌操作。相對於此，於此所揭示之熔射用漿料中，熔射粒子具有上述之非球形的粒子形態。因此，可配製為於後述之沈澱消失試驗中沈澱容易消失。

又，熔射粒子之平均圓形度，較佳為0.6以上。藉由為0.6以上，可抑制於使用該熔射用漿料所形成之熔射被膜中產生氣孔。亦即，藉由使熔射粒子之平均圓形度為0.6以上、0.85以下，會提供再分散性優良、且可形成緻密的熔射被膜之熔射用漿料。平均圓形度更佳為0.65以上、特佳為0.7以上。

再者，本說明書中，平均圓形度可採用藉由影像解析法所得之5000個以上的熔射粒子於平面視之圓形度的算術平均值。圓形度可由以下方式測定。亦即，具體而言，首先使熔射粒子分散於測定用分散介質而配製測定用試料。作為測定用分散介質，只要係可抑制熔射粒子之凝集，將熔射粒子調整為分散狀態者，則無特殊限制。本實施形態中，作為測定用分散介質，係使用添加0.1質量%之濃度的界面活性劑聚氧乙烯山梨醇酐單月桂酸酯的離子交換水。又，測定用試料中之熔射粒子的比例係設為30質量%以下(本實施形態中為30質量%)。將如此方式準備的測定用試料流入玻璃槽等，藉以形成抑制了熔射粒子之重疊的扁平試料流。藉由對此試料流照射頻閃光來 攝影，取得於測定用試料中懸浮流動的熔射粒子之靜止影像。藉由將所得之熔射粒子的靜止影像進行影像解析，來算出圓形度。圓形度係由下式：〔(圓形度)=(具備與熔射粒子影像相同面積之圓的周長)/(粒子影像之周長)〕來定義。換言之，係由熔射粒子每1個的投影面積、與周長，來算出圓形度。對於5000個以上之熔射粒子求出該圓形度，以其算術平均值作為平均圓形度。本說明書中，上述平均圓形度，係採用使用流動式粒子影像分析裝置(Sysmex(股)製、FPIA-2100)所算出之值。

熔射粒子之組成並無特殊限制。例如，可為由各種金屬、陶瓷、無機化合物等之各種材料所構成的粒子(亦可準備為粉末的形態)。由形成耐電漿侵蝕特性優良之熔射被膜的觀點，熔射粒子較佳為包含陶瓷及無機化合物之至少1種。

此處，作為陶瓷，並無特殊限制。例如可考慮由各種金屬之氧化物所成之氧化物系陶瓷、或由金屬之碳化物所成之碳化物系陶瓷、由金屬之氮化物所成之氮化物系陶瓷、其他可考慮由金屬之硼化物、氟化物、氫氧化物、碳酸鹽、磷酸鹽等之非氧化物所成之非氧化物系陶瓷。

作為氧化物系陶瓷，並無特殊限定，可為各種金屬之氧化物。構成該氧化物系陶瓷之金屬元素，可列舉例如由B、Si、Ge、Sb、Bi等之半金屬元素；Na、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Al、Ga、In、Sn、Pb、P等之典型金屬元 素；Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag、Au等之過渡金屬元素；La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tu、Yb、Lu等之鑭系元素中選擇的1種或2種以上。其中尤以由Mg、Y、Ti、Zr、Cr、Mn、Fe、Zn、Al、Er中選擇的1種或2種以上之元素為佳。再者，於此所揭示之氧化物系陶瓷，於以上之金屬元素以外，亦佳為含有F、Cl、Br、I等之鹵素元素。

作為氧化物系陶瓷，更具體而言，例如，可例示氧化鋁、氧化鋯、氧化釔、氧化鉻、氧化鈦、輝鈷礦、氧化鎂、二氧化矽、氧化钙、氧化鈰、肥粒鐵、尖晶石、鋯石、鎂橄欖石、塊滑石、菫青石、莫來石、氧化鎳、氧化銀、氧化銅、氧化鋅、氧化鎵、氧化鍶、氧化鈧、氧化釤、氧化鉍、氧化鑭、氧化鎦、氧化鉿、氧化釩、氧化鈮、氧化鎢、錳氧化物、氧化鉭、氧化鋱、氧化銪、氧化釹、氧化錫、氧化銻、含有銻之氧化錫、氧化銦、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鋯酸鉛、Mn-Zn肥粒鐵、Ni-Zn肥粒鐵、賽隆(矽鋁氮氧化物)、含有錫之氧化銦、鋁酸氧化鋯、矽酸氧化鋯、鋁酸氧化鉿、矽酸氧化鉿、矽酸氧化鈦、矽酸氧化鑭、鋁酸氧化鑭、矽酸氧化釔、矽酸氧化鈦、矽酸氧化鉭、氟氧化釔、氯氧化釔、溴氧化釔、碘氧化釔等。

又，非氧化物系陶瓷，可列舉例如碳化鎢、碳化鉻、碳化鈮、碳化釩、碳化鉭、碳化鈦、碳化鋯、碳 化鉿、碳化矽及碳化硼等之碳化物系陶瓷；或氮化矽、氮化鋁等之氮化物系陶瓷；硼化鉿、硼化鋯、硼化鉭及硼化鈦等之硼化物系陶瓷；氫氧磷灰石等之氫氧化物系陶瓷；磷酸鈣等之磷酸系陶瓷等。

無機化合物並無特殊限制，係考慮例如，如矽之半導體、或各種碳化物、氮化物、硼化物等之無機化合物的粒子(可為粉末)。該無機化合物可為結晶性者、亦可為非結晶性者。例如，特佳之無機化合物，可列舉以SiO₂為主體之石英玻璃；或於其中添加有硼(B)、磷(P)、氟(F)等之元素的各種玻璃組成物；或含有稀土類元素(RE)與鹵素元素(X)之稀土類元素的鹵化物。稀土類元素鹵化物，例如可形成耐電漿侵蝕性優良的熔射被膜。因此，於形成半導體設備製造裝置中之構件的保護被膜之用途的熔射用漿料中，熔射粒子含有稀土類元素鹵化物一事，可為較佳的形態。

該稀土類元素鹵化物中，稀土類元素(RE)並無特殊限制，可由鈧、釔及鑭系之元素中適當選擇。具體而言，可考慮鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、鉕(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)及鎦(Lu)之任1種、或2種以上之組合。由改善耐電漿侵蝕性、或價格較為便宜等之觀點，較佳者可列舉Y、La、Gd、Tb、Eu、Yb、Dy、Ce等。其中尤以含有Y為佳。該稀土類元 素，可含有此等中任1種單獨、或組合2種以上含有亦可。

又，關於鹵素元素(X)亦無特殊限制，其係元素週期表之第17族元素的任意者皆可。具體而言，可為氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)及砈(At)等之鹵素元素的任1種單獨、或2種以上之組合。較佳可為F、Cl、Br。鹵素元素，可含有此等中任1種單獨、或組合2種以上含有亦可。如此之稀土類元素鹵化物，較佳為以氟化釔(YF₃)、氯化釔(YCl₃)、溴化釔(YBr₃)等為代表之釔的鹵化物，又，可列舉以氟化釔為代表之各種稀土類元素的氟化物作為適合的例子。

再者，作為此處所揭示之熔射粒子，於以上之陶瓷、無機化合物中，尤以含有由氟氧化釔所成之熔射粒子為佳。氟氧化釔亦於例如為了可形成耐電漿侵蝕性優良的熔射被膜方面為佳。氟氧化釔特別是於可形成對鹵素系電漿之耐電漿侵蝕性優良的熔射被膜之點上為佳。氟氧化釔可為至少含有釔(Y)、氧(O)、與氟(F)作為構成元素的化合物。構成該氟氧化釔之釔(Y)、氧(O)與氟(F)之比例並無特殊限制。

例如，氟對氧之莫耳比(F/O)並無特殊限制。作為適合的一例，莫耳比(F/O)例如可為1、較佳為大於1。具體而言，例如，較佳為1.2以上、更佳為1.3以上、特佳為1.4以上。莫耳比(F/O)之上限並無特殊限制，例如，可為3以下。作為氟對氧之莫耳比(F/O) 之更適合的一例，例如，藉由成為1.3以上、1.53以下(例如1.4以上、1.52以下)、1.55以上、1.68以下(例如1.58以上、1.65以下)、1.7以上、1.8以下(例如1.72以上、1.78以下)，可提高熔射時之熱安定性，因此較佳。如此地，藉由使熔射粒子之氟對氧的比例增高，該熔射用漿料之熔射物即熔射被膜，可具備對鹵素系電漿之優良耐侵蝕性，故較佳。

又，釔對氧之莫耳比(Y/O)並無特殊限制。作為適合的一例，莫耳比(Y/O)可為1、較佳為大於1。具體而言，例如，較佳為1.05以上、更佳為1.1以上、特佳為1.15以上。莫耳比(Y/O)之上限並無特殊限制，例如，可為1.5以下。作為釔對氧之莫耳比(Y/O)之更適合的一例，例如，藉由成為1.1以上、1.18以下(例如1.12以上、1.17以下)、1.18以上、1.22以下(例如1.19以上、1.21以下)、1.22以上、1.3以下(例如1.23以上、1.27以下)，可提高熔射時之熱安定性，因此較佳。如此地，藉由使氧對釔之比例為小，將該熔射用漿料進行熔射時，可抑制熔射粒子之氧化分解，故較佳。例如，於該熔射用漿料之熔射物即熔射被膜中，可抑制因釔成分之氧化而形成氧化釔(例如Y₂O₃)，故較佳。

更具體而言，氟氧化釔，可為釔、氧與氟之比為1：1：1之化學組成以YOF表示之化合物。又，可為通式；Y₁O_1-nF_1+2n(式中，n例如為滿足0.12≦n≦0.22)表示之Y₅O₄F₇、Y₆O₅F₈、Y₇O₆F₉、Y₁₇O₁₄F₂₃等。 特別地，莫耳比(Y/O)及(F/O)為上述之更適合的範圍之Y₅O₄F₇、Y₆O₅F₈、Y₇O₆F₉等，可形成對鹵素氣體電漿之耐電漿侵蝕特性優良、更緻密且高硬度的熔射被膜，故較佳。如此之氟氧化釔，可由任1種之化合物的單相構成、亦可由組合任2種以上之化合物的混合相、固溶體、化合物之任一者或此等之混合等所構成。

又，於此所揭示之熔射用漿料，於由氟氧化釔所成之熔射粒子以外，亦可含有由其他陶瓷或無機化合物、金屬、金屬陶瓷所成之熔射粒子。但是，例如，就用以形成耐電漿侵蝕特性優良之熔射被膜的熔射用漿料而言，熔射粒子較佳為含有更多氟氧化釔。如此之鹵氧化釔，較佳為於熔射粒子中含有77質量%以上之高比例。氟氧化釔相較於自以往即已知為耐電漿侵蝕性高之材料的氧化釔(Y₂O₃)而言，耐電漿侵蝕性更加優良。如此之氟氧化釔，即使僅含少量亦會大幅有助於耐電漿侵蝕性之提高，但藉由如上述般多量含有，可顯示極良好的電漿耐性，故較佳。氟氧化釔之比例，更佳為80質量%以上(超過80質量%)、又更佳為85質量%以上(超過85質量%)、又再更佳為90質量%以上(超過90質量%)、又再更佳為95質量%以上(超過95質量%)。例如，實質上100質量%(不可避免的雜質以外的全部)為特別適合。再者，熔射粒子藉由如此地以高比例含有氟氧化釔，暴露於電漿時容許含有容易成為粒子(微小片、異物)源的其他物質。

又，熔射粒子中含有氟氧化釔時，熔射粒子的全部為氟氧化釔可為適合之一態樣。但是，氟氧化釔當中，關於比較容易被氧化之組成物(例如Y₁O₁F₁)，例如，較佳為以23質量%以下之比例含有稀土類元素之鹵化物。熔射粒子中所含有的稀土類元素鹵化物，藉由熔射而被氧化，可於熔射被膜中形成稀土類元素之氧化物。例如，氟化釔藉由熔射而被氧化，可於熔射被膜中形成氧化釔。該氧化釔，於暴露於鹵素系電漿之環境中，可能成為以往不成問題之更微小粒子的產生源。另一方面，氟氧化釔(例如Y₁O₁F₁等)亦藉由熔射而被氧化，於熔射被膜中可形成氧化釔。此時，氟氧化釔與少量之稀土類元素鹵化物共存時，氟氧化釔之氧化可被稀土類元素鹵化物抑制，故為適合。惟，含有過剩的稀土類元素鹵化物，如上所述，會造成粒子源之增大，因而含有超過23質量%時，耐電漿侵蝕性會降低，故不佳。由該觀點而言，稀土類元素鹵化物之含有比例，較佳為20質量%以下、更佳為15質量%以下、又更佳為10質量%以下、例如5質量%以下。於此所揭示之熔射用材料之較佳態樣中，關於稀土類元素鹵化物(例如氟化釔)，亦可為實質上不含有。

再者，關於鹵化釔及鹵氧化釔，係以鹵素元素為氟的情況為例來說明。但是，此等化合物之鹵素元素為氟以外時，由於可採同一或類似之結晶構造，其特性亦類似，故所屬技術領域中具有通常知識者可理解關於將上述說明之氟(F)的一部分或全部取代為任意之鹵素元素 而得的化合物，亦可得到同樣的作用。

熔射粒子中所含有的鹵化釔及/或鹵氧化釔之詳細組成及其比例並無特殊限制。例如，可為熔射粒子之全部為鹵化釔、亦可全部為鹵氧化釔、亦可為此等之任意比例的混合物。

再者，由氧化釔(Y₂O₃)所成之熔射粒子，於為了形成白色之熔射被膜，且形成具有環境隔離性或一般的對電漿之耐侵蝕特性的熔射被膜而言，可為較佳的材料。但是，為了能夠更高等級地展現熔射物即熔射被膜之電漿耐性，熔射粒子亦可為實質上不含有釔之氧化物(氧化釔：Y₂O₃)成分的構成。例如，於含有由上述之氟氧化釔所成之熔射粒子的熔射用漿料中，較佳為不含由氧化釔所成之熔射粒子。熔射粒子中所含有的氧化釔，藉由熔射，可於熔射被膜中維持作為氧化釔存在。該氧化釔，如上所述，相較於氟氧化釔或稀土類元素鹵化物等而言，電漿耐性顯著地低。因此，含有該氧化釔的部分，當暴露於電漿環境時，容易產生脆的變質層，變質層容易成為極微細的粒子而脫離。此外，該微細粒子會有作為粒子而堆積於半導體基板上之虞。因此，於此所揭示之熔射用漿料中，較佳為排除含有可成為粒子源之氧化釔。

再者，本說明書中「實質上不含有」，意指該成分(此處為氧化釔)之含有比例為5質量%以下、較佳為3質量%以下、例如1質量%以下。該構成，例如，亦可藉由將該熔射粒子進行X射線繞射分析時，未檢測出 基於該成分之繞射峰來予以把握。

再者，熔射粒子中含有複數種(例如a；為自然數時，a≧2)組成之氟氧化釔及/或稀土類鹵化物時，各組成之化合物的含有比例可由以下方法測定來算出。首先，藉由X射線繞射分析，決定構成熔射粒子之化合物組成。此時，氟氧化釔係鑑定至其價數(元素比)。

此外，例如，熔射用材料中存在1種氟氧化釔，且剩餘的為YF₃時，可藉由例如氧/氮/氫分析裝置(例如，LECO公司製、ONH836)來測定熔射用材料之氧含量，由所得之氧濃度來定量氟氧化釔之含量。

氟氧化釔存在2種以上、或混合存在有氧化釔等之含氧化合物時，例如可將各化合物之比例以校正曲線法來定量。具體而言，係準備數種變化各自之化合物的含有比例之樣品，對於各自之樣品進行X射線繞射分析，製成顯示主要波峰強度與各化合物含量之關係的校正曲線。然後基於該校正曲線，由所欲測定之熔射用材料的XRD之氟氧化釔的主要波峰強度來定量含量。

又，關於上述氟氧化釔中之莫耳比(F/O)及莫耳比(Y/O)，可藉由對每個組成物算出莫耳比(Fa/Oa)及莫耳比(Ya/Oa)，而且對該莫耳比(Fa/Oa)及莫耳比(Ya/Oa)分別乘上該組成物之存在比予以合計(取加權和)，來得到熔射粒子中作為鹵氧化釔全體之莫耳比(F/O)及莫耳比(Y/O)。

再者，構成上述熔射粒子之材料，亦可以提 高功能性之目的等，導入上述例示以外之元素。又，上述之陶瓷及無機化合物，各自亦可為具有2種以上之組成的材料之混合體或複合體。

上述熔射粒子，只要平均粒子徑為30μm左右以下則無特殊限制，關於平均粒子徑之下限亦無特殊限制。此處，由於其供給性之提高效果明確，故熔射粒子係使用平均粒子徑較小者作為於此所揭示之熔射用漿料為佳。由該觀點而言，熔射粒子之平均粒子徑，例如可為8μm以下、較佳為6μm以下、更佳為5μm以下、例如可為3μm以下。平均粒子徑之下限並無特殊限制，考慮到該熔射用漿料之黏性或流動性時，例如，可為0.1μm以上、較佳為0.2μm以上、更佳為0.5μm以上、例如可為1μm以上。

再者，通常，例如使用平均粒子徑8μm以下左右之微細的熔射粒子作為熔射材料時，伴隨比表面積之增大，其流動性可能降低。如此時，如此的熔射材料對熔射裝置之供給性不佳，熔射材料會附著於供給路徑等，不易對熔射裝置供給，可能降低被膜形成能力。此外，如此之熔射材料由於其質量小，會被熔射火焰或噴射氣流彈開而可能不易適合地飛行。相對於此，於此所揭示之熔射用漿料，即使例如平均粒子徑為8μm以下之熔射粒子，亦因考慮到對熔射裝置之供給性而配製為漿料，故可抑制對供給路徑等之附著，維持被膜形成能力在高水準。又，因為係以漿料之狀態來供給至火焰或噴射氣流，故可不被該 火焰或噴流彈開而乘於氣流上，且飛行中分散介質被去除，故可更高地維持熔射效率來形成熔射被膜。

熔射粒子之平均粒子徑，對於平均粒子徑約1μm以上之粒子，可採用使用雷射繞射/散射式粒度分布測定裝置((股)堀場製作所製、LA-950)所測定的體積基準之粒度分布中之累積50%粒徑(D₅₀)。又，與平均粒子徑之測定同時地，可算出熔射粒子之體積基準的粒度分布中之累積3%粒徑(D₃)與累積97%粒徑(D₉₇)。

再者，對於平均粒子徑約未達1μm之粒子，可採用基於比表面積所算出之球當量直徑。比表面積，例如可為使用比表面積測定裝置(Micromeritics公司製、FlowSorbII 2300)，由藉由連續流動法所測定之N₂等之氣體吸附量，以BET 1點法所算出之值。再者，上述中應用各測定方法之平均粒子徑的臨界值並非嚴格規定者，亦可依所使用之分析器的精度等來變更。

(分散介質)

作為分散介質，可採用水系分散介質或非水系分散介質之任意者。

作為水系分散介質，可使用水或水與水溶性有機溶劑之混合物(混合水溶液)。作為水，可使用自來水、離子交換水(去離子水)、蒸餾水、純水等。構成該混合水溶液之水以外的有機溶劑，可適當選擇可與水混合為均質的有機溶劑(例如碳數1~4之低級醇或低級酮等)之1種或 2種以上來使用。例如，可列舉甲醇、乙醇、n-丙醇、異丙醇等之有機溶劑作為適合的例子。作為水系分散介質，較佳為使用例如該水系分散介質之80質量%以上(更佳為90質量%以上、又更佳為95質量%以上)為水的水或混合水溶液。特佳之例子可為實質上由水所成之水系分散介質(例如自來水、蒸餾水、純水、精製水)。

非水系分散介質典型而言可列具不含水之有機溶劑。作為該有機溶劑並無特殊限制，例如，可列舉單獨使用甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇等之醇類；甲苯、己烷、燈油等之有機溶劑的一種；或組合2種以上使用。

所使用之分散介質的種類或組成，例如，可依熔射用漿料之熔射方法來適當選擇。亦即，例如，將熔射用漿料以高速火焰熔射法熔射時，可使用水系分散介質或非水系分散介質之任意者。使用水系分散介質時，相較於使用非水系分散介質的情況，於提高所得熔射被膜之表面粗度(成為光滑)的觀點上有益。使用非水系分散介質時，相較於使用水系分散介質的情況，於降低所得熔射被膜之氣孔率的觀點上有益。

再者，所使用之分散介質的種類，可依熔射粒子之溶解性、或熔射用漿料之熔射方法來適當選擇。例如，將熔射用漿料進行高速火焰熔射時，較佳為使用水系分散介質。將熔射用漿料進行電漿熔射時，較佳為使用非水系分散介質。但是，電漿熔射的情況時，亦可使用水系分散介質作為替代。

熔射用漿料中之熔射粒子含量、亦即固體成分濃度，較佳為10質量%以上、更佳為20質量%以上、又更佳為30質量%以上。此時，容易提高由熔射用漿料每單位時間所製造之熔射被膜厚度、亦即熔射效率。

又，熔射用漿料中之熔射粒子含量，較佳為85質量%以下、更佳為70質量%以下、又更佳為50質量%以下。此時，容易得到具有適於對熔射裝置之良好供給所需之流動性的熔射用漿料、亦即具有對於形成熔射被膜充分所需的流動性之熔射用漿料。

(凝集劑)

熔射用漿料，亦可依需要進一步含有凝集劑。此處，凝集劑係指可使熔射用漿料中之熔射粒子凝集(agglomeration)的化合物。典型而言，係指可使熔射用漿料中之熔射粒子軟凝集(flocculation)的化合物。雖亦依熔射粒子之物性而異，但熔射用漿料中含有凝集劑(包含再分散性提高劑或結塊防止劑等)時，藉由以熔射粒子彼此之間存在有凝集劑的狀態來產生熔射粒子之沈澱，會抑制沈澱之熔射粒子的凝結(aggregation；粒子彼此硬而固結並堆積)，提高再分散性。換言之，即使沈澱之熔射粒子沈澱了的情況，亦可防止個別粒子緊密凝集(可為凝結)(亦稱為結塊、硬結塊)。該凝集劑，特佳為於含有平均粒子徑200nm以上之容易沈降的熔射粒子之熔射用漿料中含有。換言之，沈澱之熔射粒子藉由攪拌等之操作 而容易再分散，因此用以再分散之操作變得簡便。凝集劑可為鋁系化合物、鐵系化合物、磷酸系化合物、有機化合物之任意者。鋁系化合物之例子可列舉硫酸鋁(亦稱為硫酸礬土)、氯化鋁、聚氯化鋁(亦稱為PAC、PACl)等。鐵系化合物之例子可列舉氯化鐵(III)、聚硫酸鐵(III)等。磷酸系化合物之例子可列舉焦磷酸鈉等。有機化合物之例子可列舉蘋果酸、琥珀酸、檸檬酸、馬來酸、馬來酸酐等之有機酸、氯化二烯丙基二甲基銨聚合物、氯化月桂基三甲基銨、萘磺酸縮合物、三異丙基萘磺酸鈉、及聚苯乙烯磺酸鈉、異丁烯-馬來酸共聚物、羧基乙烯基聚合物等。

再者，由該記載可明顯得知，例如，本說明書中所稱之「鋁“系”化合物」的概念，係包含含有鋁元素之化合物及其鹽以及衍生物。關於其他化合物亦相同。

凝集劑之含量，雖亦依熔射粒子之組成(物性)等而異，故不一定受到限定，但典型而言，以熔射粒子之質量為100質量%時，大約的標準可為0.1~2質量%之範圍。

(分散劑)

熔射用漿料，亦可依需要進一步含有分散劑。此處分散劑係指可提高熔射用漿料中之熔射粒子的分散安定性之化合物。該分散劑，例如本質上可為對熔射粒子作用之化合物、亦可為對分散介質作用之化合物。又，例如，藉由對熔射粒子或分散介質之作用，而可為改善熔射粒子表面 之濕潤性的化合物、可為將熔射粒子解膠之化合物、亦可為抑制/阻礙經解膠之熔射粒子的再凝集之化合物。

分散劑可依上述分散介質而由水系分散劑與非水系分散劑中適當選擇來使用。又，作為該分散劑，可為高分子型分散劑、界面活性劑型分散劑(亦稱為低分子型分散劑)或無機型分散劑之任意者，又，此等可為陰離子性、陽離子性或非離子性之任意者。亦即，可為於分散劑之分子構造中，具有陰離子性基、陽離子性基及非離子性基之至少1種官能基者。

作為高分子型分散劑之例子，就水系分散劑而言，可列舉聚羧酸鈉鹽、聚羧酸銨鹽、聚羧酸系高分子等之由聚羧酸系化合物所成之分散劑；聚苯乙烯磺酸鈉鹽、聚苯乙烯磺酸銨鹽、聚異戊二烯磺酸鈉鹽、聚異戊二烯磺酸銨鹽、萘磺酸鈉鹽、萘磺酸銨鹽、萘磺酸甲醛縮合物之鈉鹽、萘磺酸甲醛縮合物之銨鹽等之由磺酸系化合物所成之分散劑；由聚乙二醇化合物所成之分散劑等。又，就非水系分散劑而言，可列舉聚丙烯酸鹽、聚甲基丙烯酸鹽、聚丙烯醯胺、聚甲基丙烯醯胺、等之由丙烯酸系化合物所成之分散劑；由於聚羧酸之一部分具有烷基酯鍵的聚羧酸部分烷基酯化合物所成之分散劑；由聚醚化合物所成之分散劑；由聚伸烷基多胺化合物所成之分散劑等。

作為界面活性劑型分散劑(亦稱為低分子型分散劑)之例子，就水系分散劑而言，可列舉由烷基磺酸系化合物所成之分散劑；由四級銨化合物所成之分散劑； 由環氧烷化合物所成之分散劑等。又，就非水系分散劑而言，可列舉由多元醇酯化合物所成之分散劑、由烷基多胺化合物所成之分散劑、烷基咪唑啉等之由咪唑啉化合物所成之分散劑等。

作為無機型分散劑之例子，就水系分散劑而言，可列舉例如正磷酸鹽、偏磷酸鹽、聚磷酸鹽、焦磷酸鹽、三聚磷酸鹽、六偏磷酸鹽、及有機磷酸鹽等之磷酸鹽；硫酸鐵(III)、硫酸鐵(II)、氯化鐵(III)、及氯化鐵(II)等之鐵鹽；硫酸鋁、聚氯化鋁、及鋁酸鈉等之鋁鹽；硫酸鈣、氫氧化鈣、及磷酸氫鈣等之鈣鹽等。

以上之分散劑，可任1種單獨使用、亦可組合2種以上合併使用。於此所揭示之技術中，作為具體的一例，係以合併使用烷基咪唑啉化合物系之分散劑、與由聚丙烯酸化合物所成之分散劑，作為較佳之一態樣。分散劑之含量，雖亦依熔射粒子之組成(物性)等而異，故不一定受到限定，但典型而言，以熔射粒子之質量為100質量%時，大約的標準可為0.01~2質量%左右之範圍。又，為了方便，即使分類為水系分散劑或非水系分散劑之任一者的化合物，亦依其詳細的化學構造或使用形態，而可有作為另一方之非水系分散劑或水系分散劑使用的化合物。

(黏度調整劑)

熔射用漿料，亦可依需要進一步含有黏度調整劑。此處，黏度調整劑，係指可使熔射用漿料之黏度降低或增大 之化合物。藉由適切調整熔射用漿料之黏度，即使熔射用漿料中之熔射粒子含量較高時，亦可抑制熔射用漿料之流動性降低。可使用作為黏度調整劑的化合物之例子可列舉非離子性聚合物，例如聚乙二醇等之聚醚；或羧基甲基纖維素(CMC)、羥基乙基纖維素(HEC)等之纖維素衍生物等。

(消泡劑)

熔射用漿料，亦可依需要進一步含有消泡劑。此處，消泡劑，係指於熔射用漿料之製造時或熔射時，可防止熔射用漿料中產生氣泡的化合物、或可使熔射用漿料中產生的氣泡消失的化合物。消泡劑之例子可列舉聚矽氧油、聚矽氧乳液系消泡劑、聚醚系消泡劑、脂肪酸酯系消泡劑等。

(防腐劑、防黴劑)

熔射用漿料，亦可依需要進一步含有防腐劑或防黴劑。防腐劑或防黴劑之例子可列舉異噻唑啉系化合物、唑系化合物、丙二醇等。

使用以上之凝集劑、分散劑、黏度調整劑、消泡劑、防腐劑及防黴劑等之添加劑時，可任1種單獨使用、亦可組合2種以上來使用。此等添加劑，可於配製熔射用漿料時，於與熔射粒子相同的時機點添加於分散介質中、亦可於別的時機點添加。

再者，作為上述例示之各種添加劑的化合物，除了作為主要之添加劑用途的作用以外，亦可能展現作為其他添加劑之功能。換言之，例如，即使為同一種類或組成之化合物，亦可能有顯示作為不同的2種以上添加劑之作用的情況。

再者，熔射用漿料之pH並無特殊限制，較佳為2以上、12以下。由熔射用漿料之操作容易度方面而言，pH較佳為6以上、更佳為7以上、特佳為8以上。又，pH較佳為11以下、更佳為10.5以下、特佳為10以下。再者，由調整熔射粒子之凝集性的觀點而言，亦可調整pH為上述適合範圍外之值。熔射用漿料之pH係藉由公知之各種酸、鹼、或該等之鹽來調整。具體而言，較佳可使用羧酸、有機膦酸、有機磺酸等之有機酸；或磷酸、亞磷酸、硫酸、硝酸、鹽酸、硼酸、碳酸等之無機酸；氫氧化四甲基銨、三甲醇胺、單乙醇胺等之有機鹼；氫氧化鉀、氫氧化鈉、氨等之無機鹼；或該等之鹽。

再者，熔射用漿料之pH，可採用使用玻璃電極式之pH計(例如，(股)堀場製作所製、桌上型pH計(F-72))，且使用pH標準液(例如，鄰苯二甲酸鹽pH標準液(pH：4.005/25℃)、中性磷酸鹽pH標準液(pH：6.865/25℃)、碳酸鹽pH標準液(pH：10.012/25℃))，根據JIS Z8802：2011所測定的值。

熔射用漿料中之熔射粒子的仄他電位之絕對值，較佳為10mV以上、更佳為25mV以上、特佳為 40mV以上。仄他電位之絕對值的上限並無特殊限制，例如，較佳為500mV以下。藉由如此地調整熔射用漿料中之仄他電位的絕對值，可調整熔射用漿料中之熔射粒子的分散安定性。熔射粒子之仄他電位，可採用不對測定對象之熔射用漿料施以稀釋等之前處理等即予以測定之值。仄他電位之測定方法，例如可採用顯微鏡電泳法、旋轉繞射晶格法、雷射/都卜勒電泳法、超音波振動電位法、動電音波振幅法(electrokinetic sonic amplitude method)等之公知的測定手法。其中尤佳可採用可由藉著超音波照射使熔射漿料中之熔射粒子振動來測定仄他電位，來測定高濃度熔射漿料中之熔射粒子的仄他電位的超音波振動電位法。本說明書中，仄他電位係採用使用超音波方式粒度分布/仄他電位測定裝置(Dispersion Technology公司製、DT-1200)所測定的值。

熔射用漿料中之熔射粒子的沈降速度，係表示熔射粒子於熔射用漿料中沈降時的速度。該沈降速度，可使用作為顯示熔射粒子之沈降性的指標，且亦可利用作為顯示分散安定性之程度的指標。該沈降速度較佳為30μm/秒以上、更佳為35μm/秒以上、又更佳為40μm/秒以上，但不必然限定於此。熔射用漿料中之熔射粒子，雖不沈降而保持為分散狀態亦可，但若為熔射粒子更容易沈澱的熔射用漿料，因於此所揭示之技術的效果變得更明確，故較佳。由該觀點而言，於此所揭示之技術，例如能夠以熔射粒子之沈降速度為70μm/秒以下左右的熔射用漿 料作為較佳的對象。

熔射用漿料中之熔射粒子的沈降速度，可採用對於全部的熔射粒子，根據液相離心沈降法(JIS Z8823-1：2001)所測定之值。沈降速度，例如，可採用使用離心沈降/光透過法之粒度分布/分散安定性分析裝置(L.U.M.GmbH公司製、LUMiSizer 610)，以旋轉數為920rpm(100G)所測定之值。

熔射用漿料之黏度較佳為3000mPa．s以下、更佳為1000mPa．s以下、又更佳為500mPa．s以下、最佳為300mPa．s以下(例如，100mPa．s以下)。隨著黏度變低，容易得到具有對熔射被膜之形成所充分之所需的流動性之熔射用漿料。

熔射用漿料之黏度，為使用旋轉式黏度計所測定的於室溫(25℃)之黏度。該黏度，例如可採用使用布魯克菲德(Brookfieid)型旋轉黏度計(例如，Rion股份有限公司製、VISCOTESTER VT-03F)所測定之值。

(沈澱消失試驗)

以上之熔射用漿料，係被調整為一時沈澱的熔射粒子容易消失。該沈澱之熔射粒子的再分散性，例如，可藉由於此所揭示之沈澱消失試驗來評估。沈澱消失試驗，可藉由以下順序實施。亦即，首先，將熔射用漿料700mL置入具有1L容積之高度16.5cm的圓筒容器(內徑約4.4cm)內，於室溫下靜置一週。藉此，熔射用漿料中所 含有的熔射粒子會於分散介質中沈降，與分散介質分離而產生沈澱。將如此地產生沈澱之狀態的熔射用漿料，於20℃以上、30℃以下之溫度下，以圓筒容器之中心軸呈水平的方式配置，使其繞中心軸旋轉。旋轉條件係以旋轉速度為100rpm、旋轉時間為30分鐘。旋轉時，例如，可將圓筒容器載置於旋轉滾筒等，當場使其繞中心軸轉動。可藉由目視攪拌後之熔射用漿料來確認沈澱消失。藉由該沈澱消失試驗而沈澱消失之熔射用漿料，可評估為即使產生沈澱，再分散性為高。又，藉由將熔射用漿料移送至熔射裝置時的熔射用漿料之脈動，亦可維持熔射粒子之充分的再分散狀態。因此，可作為可形成良質之熔射被膜的熔射用漿料而被提供。

如以上所述，於此所揭示之熔射用漿料，藉由含有分散性良好的熔射粒子，可配製為再分散性良好的漿料。因此，例如，可將該熔射用漿料全體分包為2個以上之構成而提供，熔射(實際使用)時予以一體化來使用。例如，該熔射用漿料，由熔射用粒子沈澱的狀態，可分割為不含熔射用粒子或含量較少之構成部分(典型而言係上清部分)、與含有全部熔射用粒子或含量較多之構成部分(典型而言為去除上清部分後的剩餘部分)來提供。此外實際使用時，可藉由將分割之構成成分適當混合並施以振盪處理等，來作為上述熔射用漿料使用。或者，該熔射用漿料，可將分散介質以外之成分容納於與分散介質不同的1個以上之包裝來提供。此時亦於實際使用時，可藉 由將分散介質以外之成分與分散介質混合來配製熔射用漿料。藉由如此進行，於正要熔射之前亦可簡便地配製熔射用漿料。又，係有至使用於熔射為止的保存容易的優點。

(熔射被膜之形成方法)

(基材)

於此所揭示之熔射被膜之形成方法中，以熔射來形成熔射被膜之對象的基材並無特殊限定。例如，只要係由供該熔射而可具備所期望之耐性的材料所成之基材，則可使用由各種材料所成之基材。該材料可列舉例如各種之金屬或合金等。具體而言，例如，可例示鋁、鋁合金、鐵、鐵鋼、銅、銅合金、鎳、鎳合金、金、銀、鉍、錳、鋅、鋅合金等。其中尤可列舉由通用之金屬材料當中熱膨脹係數較大之以各種SUS材(可為所謂的不鏽鋼)等為代表的鐵鋼；以英高鎳等為代表的耐熱合金；以不變鋼、科伐合金等為代表的低膨脹合金；以赫史特合金等為代表的耐蝕合金；作為輕量構造材等而有用之以1000系列~7000系列鋁合金等為代表的鋁合金等所成之基材。

(被膜形成方法)

再者，於此所揭示之熔射用漿料，藉由供給基於公知之熔射方法的熔射裝置，可使用作為用以形成熔射被膜之熔射用材料。將熔射用漿料適合地進行熔射的熔射方法，例如，可例示採用電漿熔射法、高速火焰熔射法等之熔射 方法。

電漿熔射法，係指利用電漿焰作為用以軟化或熔融熔射材料之熔射熱源的熔射方法。於電極間產生電弧，且藉由該電弧將操作氣體電漿化時，該電漿流係成為高溫高速之電漿噴流由噴嘴噴出。電漿熔射法，包含藉由對該電漿噴流投入熔射用材料並加熱、加速使其堆積於基材而得到熔射被膜之一般被覆手法。再者，電漿熔射法，可為於大氣中所進行的大氣電漿熔射(APS：atmospheric plasma spraying)、於低於大氣壓之氣壓進行熔射的減壓電漿熔射(LPS：low pressure plasma spraying)、於高於大氣壓之加壓容器內進行電漿熔射的加壓電漿熔射(high pressure plasma spraying)等之態樣。依照該電漿熔射，例如作為一例，可藉由將熔射材料藉由5000℃~10000℃左右的電漿噴流予以熔融及加速，將熔射粒子以300m/s~600m/s左右的速度對基材碰撞使其堆積。

又，作為高速火焰熔射法，例如可考慮氧助燃型高速火焰(HVOF)熔射法、泡沫噴霧熔射(foam spraying)法及空氣助燃型(HVAF)高速火焰熔射法等。

HVOF熔射法，係指利用混合燃料與氧而於高壓燃燒之燃燒焰作為用於熔射之熱源的火焰熔射法之一種。藉由提高燃燒室之壓力，使得雖為連續之燃燒焰但仍由噴嘴噴出高速(可為超音速)的高溫氣流。HVOF熔射法，包含藉由對該氣流中投入熔射用材料並加熱、加速使其堆積於基材而得到熔射被膜之一般被覆手法。依照HVOF熔射 法，例如，作為一例，可藉由將熔射用漿料供給至2000℃~3000℃之超音速燃燒焰的噴流，自該漿料去除(可為燃燒或蒸發。以下相同)分散介質，並且使熔射粒子軟化或熔融，以500m/s~1000m/s之高速度對基材碰撞使其堆積。高速火焰熔射所使用之燃料，可為乙炔、乙烯、丙烷、丙烯等之烴的氣體燃料，亦可為燈油或乙醇等之液體燃料。又，較佳為熔射材料之熔點越高，超音速燃燒焰之溫度越高者，由該觀點，較佳為使用氣體燃料。

又，亦可採用應用了上述HVOF熔射法之所謂泡沫噴霧熔射法之熔射法。泡沫噴霧熔射法，典型而言係指於上述HVOF熔射法中，對燃燒焰混合由室溫左右之溫度的氮等所成之冷卻氣體等，以降低了燃燒焰溫度的狀態進行熔射，以形成熔射被膜之手法。熔射材料不限定於完全熔融之狀態，例如，可熔射一部分經熔融之狀態、或為熔點以下之軟化狀態者。依照該泡沫噴霧熔射法，例如，作為一例，可藉由將熔射用漿料供給至1000℃~2000℃之超音速燃燒焰的噴流，由該漿料去除(可為燃燒或蒸發。以下相同)分散介質，並且使熔射粒子軟化或熔融，以500m/s~1000m/s之高速度對基材碰撞使其堆積。

HVAF熔射法，係指於上述HVOF熔射法中，使用空氣來取代作為助燃氣體之氧的熔射法。依照HVAF熔射法，相較於HVOF熔射法，可使熔射溫度為低溫。例如，作為一例，可藉由將熔射用漿料供給至1600℃~2000℃之超音速燃燒焰的噴流，由該漿料去除(可為燃燒或蒸 發。以下相同)分散介質，並且使熔射粒子軟化或熔融，使熔射粒子以500m/s~1000m/s之高速度對基材碰撞使其堆積。

於此所揭示之發明中，將上述熔射用漿料以高速火焰熔射或電漿熔射進行熔射時，能夠效率良好地形成耐電漿侵蝕特性優良之緻密的熔射被膜，故較佳。再者，熔射用漿料含有水作為分散介質時，較佳為使用高速火焰熔射，但不特別限定。熔射用漿料中所含有的分散介質為有機溶劑時，較佳為使用電漿熔射。

再者，熔射用漿料對熔射裝置之供給，雖不一定受到限定，但較佳為10mL/min以上、200mL/min以下之流速。藉由使熔射用漿料之供給速度成為約10mL/min以上，可使流動於熔射用漿料供給裝置(例如，漿料供給管體)內之漿料成為亂流狀態，而增大漿料之擠出力，又，會抑制熔射粒子之沈降，故較佳。由該觀點而言，供給熔射用漿料時的流速，較佳為20mL/min以上、更佳為30mL/min以上。另一方面，供給速度太快時，會有超過可於熔射裝置熔射之漿料量之虞，故不佳。由該觀點而言，供給熔射用漿料時的流速，係以200mL/min以下為適切、較佳為150mL/min以下、例如為100mL/min以下更適切。

又，熔射用漿料對熔射裝置之供給，較佳為以軸向饋送方式進行、亦即朝向與於熔射裝置產生之噴射流之軸相同的方向來進行熔射用漿料之供給。例如，將本 發明之漿料狀的熔射用漿料以軸向饋送方式供給至熔射裝置時，因為熔射用漿料之流動性良好，故熔射用漿料中之熔射材料不易附著於熔射裝置內，可效率良好地形成緻密的熔射被膜，故較佳。

進一步地，使用一般的給料器來將熔射用漿料供給至熔射裝置時，由於會發生周期性的供給量變動，故可認為不易安定供給。由於該周期性的供給量變動，而使熔射用漿料之供給量產生不均時，則可能有不易於熔射裝置內將熔射材料均勻加熱，形成不均勻的熔射被膜的情況。因此，為了將熔射用漿料安定地供給至熔射裝置，亦可為2行程方式，亦即使用2個給料器，使來自兩給料器之熔射用漿料的供給量之變動周期互相成為逆相位。具體而言，例如，可調整供給方式成為來自一方之給料器的供給量增加時，來自另一方之給料器的供給量減少般之周期。將本發明之熔射用漿料以2行程方式供給至熔射裝置時，熔射用漿料之流動性良好，因此可效率良好地形成緻密的熔射被膜。

作為用以將漿料狀之熔射用材料安定地供給至熔射裝置的手段，可為使自給料器送出之漿料一時滯留於設置於熔射裝置之前的滯留槽，由該滯留槽利用自然落下將漿料供給至熔射裝置；或藉由泵等之手段將槽內之漿料強制性地供給至熔射裝置。藉由泵等之手段強制供給的情況時，即使槽與熔射裝置之間以管體連接，漿料中之熔射材料亦不易於管體內附著，故較佳。為了使槽內之熔射 用漿料中之成分的分布狀態均勻化，亦可設置將槽內之熔射用漿料攪拌的手段。

熔射用漿料對熔射裝置之供給，較佳為透過例如金屬製之導電性管體來進行。使用導電性管體時，藉由抑制靜電的產生，而熔射用漿料之供給量不易引起變動。導電性管體之內面，較佳為具有0.2μm以下之表面粗度Ra。

再者，熔射距離較佳設定為自熔射裝置之噴嘴前端起至基材為止的距離為30mm以上。熔射距離太近時，會有無法充分確保用以去除熔射用漿料中之分散介質、或使熔射粒子軟化/熔融的時間，或者因熔射熱源接近於基材而使基材變質或產生變形之虞，故不佳。又，熔射距離較佳為200mm以下左右(較佳為150mm以下、例如100mm以下)。若為該距離，則被充分加熱之熔射粒子可在保持該溫度之下到達基材，因此可得到更緻密的熔射被膜。熔射時，較佳為將基材自與被熔射面相反側之面起冷卻。該冷卻除了水冷以外，亦可以適切的冷媒進行冷卻。

(熔射被膜)

藉由以上之於此所揭示之技術，係提供作為上述熔射用漿料之熔射物的熔射被膜。該熔射被膜，係由與熔射粒子相同組成之化合物及/或其分解物所成。該熔射被膜係如上所述，可使用再分散性良好的熔射用漿料形成。因 此，熔射粒子於熔射用漿料中維持適合的分散狀態及流動狀態，被安定地供給至熔射裝置，形成抑制了氣孔形成之緻密的熔射被膜。又，熔射粒子係不被火焰或噴流彈開而效率良好地被供給至熱源之中心附近，可充分被軟化或熔融。因此，被軟化或熔融之熔射粒子係對基材、或於粒子彼此間，緻密且密合性良好地附著。藉此，形成均質性及附著性良好的熔射被膜。

又，該熔射被膜，例如可適合地包含含有釔(Y)及鹵素元素(X)之化合物；或含有釔、氧、鹵素元素之化合物(Y-O-X)作為構成成分。因此，與關於上述熔射粒子所說明者相同地，該熔射被膜可為對鹵素系電漿之耐電漿侵蝕特性優良者。該熔射被膜，例如可形成為基於XRD繞射，氧化釔(Y₂O₃)之主要波峰強度的比例為90%以下(較佳為80%以下、更佳為70%以下、特佳為60%以下、例如40%以下)者。進一步地，該熔射被膜，例如可形成為基於XRD繞射，鹵氧化釔之主要波峰強度的比例之合計為10%以上(較佳為20%以上、更佳為30%以上、特佳為40%以上、例如60%以上)者。

以下，說明關於本發明的數個實施例，但並非意圖將本發明限定為該實施例所示者。

(實施例)

藉由將熔射粒子與分散介質混合，且依需要進一步混合添加劑，配製樣品1~17之熔射用漿料。各熔射用漿料 之詳細係如表1所示。

表1中之“分散介質”欄，表示各熔射用漿料所使用之分散介質種類。同欄中之“水”表示作為水系分散介質之蒸餾水、“乙醇”表示作為非水系分散介質之乙醇單質、“非水系混合溶劑”表示將作為非水系分散介質之乙醇、異丙醇(i-PrOH)與正丙醇(n-PrOH)以85：5：10之重量比混合的混合分散介質。

表1中之“熔射粒子之種類”欄，表示各熔射用漿料中之熔射粒子種類。同欄中之“YF₃”表示氟化釔、“Y₅O₄F₇”表示具有該通式表示之組成的氟氧化釔、“Al₂O₃”表示氧化鋁、“Y₂O₃”表示氧化釔、“YSZ”表示於氧化鋯導入8質量%之氧化釔而得的氧化釔安定化氧化鋯(ZrO₂-8wt%Y₂O₃)、“YOF”表示具有該通式表示之組成的氟氧化釔。再者，記載2種以上之熔射粒子時，表示將各組成之熔射粒子各以所記載之比例(質量%)混合而得的混合粒子。

表1中之“熔射粒子之平均粒子徑”欄，表示各熔射用漿料所使用之熔射粒子的平均粒子徑。平均粒子徑，對於平均粒子徑1μm以上之熔射粒子係採用以雷射繞射/散射式粒度分布測定裝置的測定值、對於平均粒子徑未達1μm之熔射粒子係採用比表面積球當量直徑。

表1中之“熔射粒子之含量”欄，表示各熔射用漿料中之熔射粒子的含量。

表1中之“凝集劑”、“黏度調整劑”、 “分散劑”、“防黴劑”之各欄，表示各熔射用漿料所使用之此等添加劑的種類。再者，凝集劑之欄之“iBMC”表示異丁烯-馬來酸共聚物、“CVP”表示羧基乙烯基聚合物。黏度調整劑之欄之“PEG”表示聚乙二醇。分散劑之欄之“PC”表示水系聚羧酸鹽。防黴劑之欄之“NaClO”表示次氯酸鈉、“異噻唑啉系摻合物”表示5-氯-2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮及2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮與鎂鹽之混合水溶液、與2-溴-2-硝基丙烷-1,3-二醇之摻合物。又，表1中之添加劑之欄之「-」表示未使用添加劑。

使用凝集劑時，係以熔射用漿料中之凝集劑含量成為0.2質量%的量來使用。使用黏度調整劑時，係以熔射用漿料中之黏度調整劑含量成為0.2質量%的量來使用。使用分散劑時，係以熔射用漿料中之分散劑含量成為0.2質量%的量來使用。使用防黴劑時，係以熔射用漿料中之防黴劑含量成為0.2質量%的量來使用。

接著，調查樣品1~17之熔射用漿料之物性，其結果如下述表2所示。

表2中之“pH”、“黏度”、“沈降速度”、“仄他電位”欄，表示將熔射用漿料或漿料中之熔射粒子的各自之物性的測定值以上述手法測定之結果。又，表1中之“沈澱消失試驗”欄之「○」，表示沈澱消失試驗中熔射用漿料之沈澱消失、「×」表示熔射用漿料之沈澱未完全消失。各欄中之連字號(-)，表示未實施測定。

又，使用沈澱消失試驗後之樣品1~17之熔射用漿料來進行熔射，對於藉由熔射所形成之熔射被膜特性 進行調查，其結果示於表2中之“成膜性其1”及“成膜性其2”欄。“成膜性其1”欄，表示以下述條件將各熔射用漿料進行HVOF熔射時所得之熔射被膜的氣孔率之評估結果。“成膜性其2”欄，表示以下述條件將各熔射用漿料進行大氣壓電漿(APS)熔射時所得之熔射被膜的氣孔率之評估結果。同欄中之“◎(優良)”表示所形成之熔射被膜的氣孔率為3%以下、“○(良)”表示所形成之熔射被膜的氣孔率為超過3%且7%以下、“△(可)”表示所形成之熔射被膜的氣孔率為超過7%且10%以下、“×(不良)”表示所形成之熔射被膜的氣孔率為超過10%、“-”表示未試驗。再者，例5及例10之結果附有*，係表示使用未進行沈澱消失試驗之剛配製後的漿料所形成之熔射被膜的結果。

又，熔射被膜之氣孔率，係如後述，採用由影像解析法算出對所形成之熔射被膜以垂直於基材的方向切斷的截面之氣孔率所得之值。具體而言，係取得熔射被膜之截面的影像，使用影像解析軟體進行分離為氣孔部與固相部(經熔射之熔射粒子的部分)的2值化，以氣孔部佔全部截面積之面積的比例，來算出氣孔率。影像解析軟體係使用Image-Pro(Media Cybernetics公司製)。

<APS熔射條件>

熔射裝置：Northwest Mettech公司製之“Axial III”

漿料供給機：Northwest Mettech公司製之“M650”

Ar氣體流量：81L/min

氮氣流量：81L/min

氫氣流量：18L/min

電漿電力：88kW

熔射距離：50mm

熔射機移動速度：240m/min

熔射用漿料供給量：3L/hour

<HVOF熔射條件>

熔射裝置：GTV公司製之“Top gun”

漿料供給機：GTV公司製

乙炔氣體流量75L/min

氧氣流量230L/min

熔射距離：90mm

熔射機移動速度：100m/min

熔射用漿料供給量：4.5L/hour

再者，不管於APS熔射及HVOF熔射的何者，均準備由鋁合金(Al6061)所成之板材(70mm×50mm×2.3mm)作為被熔射材料之基材，且以褐色氧化鋁研削材料(A#40)實施噴砂處理後使用。

如表1及表2所示，例(樣品)1~4、6~9、11~17之熔射用漿料，雖為熔射粒子會形成沈澱之性質的漿料，但因熔射粒子之平均圓形度為0.85以下，故可確認到於沈澱消失試驗中藉由簡單的操作，熔射粒子之沈澱會消失。又，於此等熔射用漿料中，可知隨著熔射粒子之平均圓形度於0.85以下之範圍中增大，氣孔率係有減低的傾向。亦即，可知熔射粒子之平均圓形度較佳為於0.85以下之範圍中的較大者(例如0.7~0.85)，會實現成膜性良好的熔射用漿料。

再者，例(樣品)1~4、6~9、11~17之熔射用 漿料當中，作為熔射粒子，僅含有氟化釔的例1~4之熔射用漿料、與僅含有氟氧化釔(Y₅O₄F₇)的例6~9之熔射用漿料的熔射物即熔射被膜，可成為氣孔率10%以下之緻密的、且具備高的耐電漿侵蝕性者。

又，如例(樣品)11~17所示，若依照組合含有氟化釔與氟氧化釔(YOF)作為熔射粒子之熔射用漿料，相較於使用僅含有YOF作為熔射粒子之熔射用漿料的情況，可形成對鹵素系電漿之耐侵蝕特性更加提高的熔射被膜。

另一方面，如例5及例10所示，對於熔射粒子之平均圓形度超過0.85而為0.95之熔射用漿料，確認到沈澱之熔射粒子並未藉由沈澱消失試驗而再分散。該熔射粒子之沈澱係硬而堵塞，堆積於容器底部，難以直接將熔射用漿料供給至熔射裝置。判斷如此之熔射用漿料不適於實用。再者，將例5及例10之熔射用漿料，以剛配製後之熔射粒子的分散性良好的狀態下供熔射，用於參考。其結果，確認到未形成沈澱之例5及例10的熔射用漿料，若為流動性良好的狀態，則可適合地進行熔射。

以上，詳細說明了本發明之具體例子，但此等不過是例示，並非限定申請專利範圍者。申請專利範圍所記載之技術，係包含將以上例示之具體例子施以各種變化、變更者。

Claims (18)

1. 一種熔射用漿料，其係含有熔射粒子、與分散介質之熔射用漿料，其中前述熔射粒子，於平面視之平均圓形度為0.85以下。
2. 如請求項1之熔射用漿料，其中前述熔射粒子之平均圓形度為0.6以上。
3. 如請求項1或2之熔射用漿料，其中前述熔射粒子之平均粒子徑為100nm以上、8μm以下。
4. 如請求項1或2之熔射用漿料，其中前述熔射粒子，包含陶瓷及無機化合物之至少1種。
5. 如請求項4之熔射用漿料，其中前述無機化合物，包含含有釔(Y)及鹵素元素(X)作為構成元素的化合物。
6. 如請求項5之熔射用漿料，其中前述鹵素元素(X)為氟，且前述無機化合物包含氟化釔。
7. 如請求項4之熔射用漿料，其中前述熔射粒子，包含含有釔(Y)、鹵素元素(X)及氧(O)作為構成元素之化合物。
8. 如請求項7之熔射用漿料，其中前述鹵素元素(X)為氟，且前述化合物包含氟氧化釔。
9. 如請求項4之熔射用漿料，其中前述熔射粒子包含氟化釔、與氟氧化釔。
10. 如請求項1或2之熔射用漿料，其中進一步含有 凝集劑。
11. 一種熔射被膜，其係由熔射如請求項1至10中任一項之熔射用漿料的熔射物所成。
12. 一種熔射被膜之形成方法，其係熔射如請求項1至10中任一項之熔射用漿料來形成熔射被膜。
13. 如請求項12之熔射被膜之形成方法，其中將含有有機溶劑作為前述分散介質之熔射用漿料進行電漿熔射來形成熔射被膜。
14. 如請求項12之熔射被膜之形成方法，其中將含有水作為前述分散介質之熔射用漿料進行高速火焰熔射來形成熔射被膜。
15. 如請求項12至14中任一項之熔射被膜之形成方法，其係包含將前述熔射用漿料以軸向饋送方式供給至熔射裝置。
16. 如請求項12至14中任一項之熔射被膜之形成方法，其係包含使用2個給料器，使來自兩給料器之熔射用漿料的供給量之變動周期互相成為逆相位來將前述熔射用漿料供給至熔射裝置。
17. 如請求項12至14中任一項之熔射被膜之形成方法，其係包含將前述熔射用漿料自給料器送出，於熔射裝置之前於槽中一時滯留，利用自然落下而將該槽內之熔射用漿料供給至熔射裝置。
18. 如請求項12至14中任一項之熔射被膜之形成方法，其係包含透過導電性管體來對熔射裝置供給熔射用漿 料。