TW201724924A - 接著劑組成物及結構體 - Google Patents

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Abstract

一種接著劑組成物，其含有：具有可自由基聚合的官能基的第1矽烷化合物、與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物、自由基聚合性化合物（相當於所述第1矽烷化合物的化合物除外）、及1分鐘半衰期溫度為120℃以下的過氧化物。

Description

接著劑組成物及結構體
本發明是有關於一種接著劑組成物及結構體。
在半導體元件及液晶顯示元件（顯示器顯示元件）中，自先前便以使元件中的各種構件結合為目的而使用各種接著劑。接著劑所要求的特性以接著性為首，覆蓋耐熱性、高溫高濕狀態下的可靠性等多個方面。而且，作為接著中所使用的被黏著體，使用印刷配線板、有機基材（聚醯亞胺基材等）、金屬（鈦、銅、鋁等）、具有ITO、IZO、IGZO、SiNx 、SiO2 等表面狀態的基材等，需要根據各被黏著體而進行接著劑的分子設計。
在先前，在半導體元件用接著劑或液晶顯示元件用接著劑中使用顯示出高接著性及高可靠性的熱固性樹脂（環氧樹脂、丙烯酸樹脂等）。作為使用環氧樹脂的接著劑的構成成分，一般使用環氧樹脂及潛伏性硬化劑，所述潛伏性硬化劑藉由熱或光而產生對於環氧樹脂具有反應性的陽離子種或陰離子種。潛伏性硬化劑是決定硬化溫度及硬化速度的重要因素，自常溫下的儲存穩定性及加熱時的硬化速度的觀點考慮，可使用各種化合物。在實際的步驟中，例如藉由在溫度為170℃～250℃、10秒～3小時的硬化條件下進行硬化而獲得所期望的接著性。
而且，近年來存在如下的擔憂：隨著半導體元件的高積體化及液晶顯示元件的高精細化，元件間及配線間的間距狹小化，由於硬化時的熱而對周邊構件造成不良影響。進而，為了低成本化，需要使產量（throughput）提高，要求低溫（90℃～170℃）且短時間（1小時以內、較佳為10秒以內、更佳為5秒以內）的接著，換而言之需要低溫短時間硬化（低溫快速硬化）的接著。已知為了達成該低溫短時間硬化，需要使用活化能（activation energy）低的熱潛伏性觸媒，但非常難以兼具常溫附近的儲存穩定性。
因此，近年來開始關注自由基硬化系接著劑等，所述自由基硬化系接著劑併用(甲基)丙烯酸酯衍生物與作為自由基聚合起始劑的過氧化物。自由基硬化系由於作為反應活性種（active species）的自由基非常富有反應性，因此可短時間硬化，且若為自由基聚合起始劑的分解溫度以下，則過氧化物穩定地存在，因此其是兼顧低溫短時間硬化與儲存穩定性（例如常溫附近的儲存穩定性）的硬化系。例如已知有含有具有可自由基聚合的官能基（(甲基)丙烯醯基、乙烯基等）的矽烷化合物（矽烷偶合劑等）的自由基硬化系接著劑組成物（例如參照下述專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2013-191625號公報 專利文獻2：日本專利特開2006-22231號公報 專利文獻3：國際公開第2009/063827號
[發明所欲解決之課題] 然而，在保存含有具有可自由基聚合的官能基的矽烷化合物的先前的接著劑組成物（混合物）的情況下，矽烷化合物的特性劣化顯著，接著劑組成物的接著性降低。因此，對於自由基硬化系的先前的接著劑組成物，要求保存穩定性提高。
本發明的目的在於提供具有優異的保存穩定性的接著劑組成物、及使用其的結構體。 [解決課題之手段]
本發明者如下所述地推測關於在先前的接著劑組成物中，矽烷化合物的特性劣化的主要原因。亦即，在接著劑組成物的保存中，與矽烷化合物不同的其他起始劑開始聚合反應時，矽烷化合物摻入至該聚合反應中，因此摻入至接著劑組成物的構成材料（樹脂等）的內部。由此而推測可對接著劑組成物與被黏著體的界面起作用的分子數減少，因此特性劣化。
而且，本發明者發現在自由基聚合系（例如(甲基)丙烯酸酯自由基系）的接著劑組成物中，使用1分鐘半衰期溫度為120℃以下的活性高的過氧化物的情況（亦即，在近年來需求變大的130℃、5秒的低溫短時間硬化的情況）下，所述特性降低特別顯著。
本發明者為了改善保存穩定性（使用期限（pot life）特性）而反覆進行了銳意研究，結果發現在含有自由基聚合性化合物與1分鐘半衰期溫度為120℃以下的過氧化物的接著劑組成物中，併用具有可自由基聚合的官能基的第1矽烷化合物、與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物的情況下，接著劑組成物的保存穩定性顯著提高。
本發明的接著劑組成物含有：具有可自由基聚合的官能基的第1矽烷化合物、與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物、自由基聚合性化合物（相當於第1矽烷化合物的化合物除外）、及1分鐘半衰期溫度為120℃以下的過氧化物。
本發明的接著劑組成物具有比先前更優異的保存穩定性。此種接著劑組成物可抑制接著劑組成物的接著性在保存中經時性降低的現象。
關於獲得此種效果的主要原因，本發明者如下所述地推測。亦即，藉由使具有可自由基聚合的官能基的第1矽烷化合物、與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物存在於接著劑組成物中，即使在保存中，第1矽烷化合物進行自由基聚合而摻入至聚合物中的情況下，亦可藉由第2矽烷化合物與聚合物中的第1矽烷化合物及被黏著體交聯，從而維持接著劑組成物或其硬化物與被黏著體的接著性。
然而，在所述專利文獻2中，在自由基硬化系中，以使連接初始密接性及可靠性試驗後的密接性提高為目的而使用矽烷偶合劑。然而，在專利文獻2中，使用1分鐘半衰期溫度為125℃這樣的較高的過氧化物（換而言之，穩定性高的過氧化物），本發明者進行了研究，結果發現存在無法充分地確認矽烷偶合劑對於保存穩定性的效果的情況。而且，在專利文獻2中，發現在150℃、10秒的連接條件下，近年來所需的130℃、5秒的連接條件下，存在未能充分地產生硬化反應的情況。對此，藉由本發明的接著劑組成物，可達成低溫短時間硬化（90℃～170℃、1小時以內、較佳為10秒以內、更佳為5秒以內），即使在130℃、5秒等的連接條件下，亦可充分地達成硬化。
較佳為所述第1矽烷化合物的所述官能基包含選自由(甲基)丙烯醯基及乙烯基所組成的群組的至少一種。較佳為所述第2矽烷化合物具有環氧基。
本發明的接著劑組成物亦可進而含有導電粒子。
本發明的接著劑組成物亦可用於電路連接（電路連接用接著劑組成物）。
本發明的結構體包含所述接著劑組成物或其硬化物。
本發明的結構體亦可為如下的實施方式：其包含：具有第一電路電極的第一電路構件、具有第二電路電極的第二電路構件、及配置於所述第一電路構件及所述第二電路構件之間的電路連接構件，所述第一電路電極及所述第二電路電極電性連接，所述電路連接構件包含所述接著劑組成物或其硬化物。 [發明的效果]
藉由本發明可提供具有比先前更優異的保存穩定性的接著劑組成物及使用其的結構體。
藉由本發明可提供接著劑組成物或其硬化物於結構體或其製造中的應用。藉由本發明可提供接著劑組成物或其硬化物於電路連接中的應用。藉由本發明可提供接著劑組成物或其硬化物於電路連接結構體或其製造中的應用。
以下，關於本發明的實施方式而加以說明，但本發明並不受該些實施方式任何限定。
在本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸酯」是表示丙烯酸酯及與其對應的甲基丙烯酸酯的至少一者。在「(甲基)丙烯醯基」、「(甲基)丙烯酸」等其他類似的表現中亦同樣。以下所例示的材料若無特別限制，則可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。至於組成物中的各成分的含量，在組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下，若無特別說明，則表示組成物中所存在的該多種物質的合計量。使用「～」而表示的數值範圍表示包含「～」的前後所記載的數值而分別作為最小值及最大值的範圍。所謂「A或B」，若包含A及B的任一者即可，亦可包含兩者。所謂「常溫」是表示25℃。
在本說明書中階段性記載的數值範圍中，某一階段的數值範圍的上限值或下限值亦可置換為其他階段的數值範圍的上限值或下限值。而且，在本說明書中所記載的數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值亦可置換為實施例中所示的值。
＜接著劑組成物＞ 本實施方式的接著劑組成物含有矽烷化合物、自由基聚合性化合物（自由基聚合性物質）、硬化劑。本實施方式的接著劑組成物含有具有可自由基聚合的官能基（參與硬化系的自由基聚合反應的官能基。在自由基聚合系中可聚合的官能基）的第1矽烷化合物、與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物（相當於所述第1矽烷化合物的化合物除外）而作為矽烷化合物。本實施方式的接著劑組成物含有1分鐘半衰期溫度為120℃以下的過氧化物而作為所述硬化劑。本實施方式的接著劑組成物是自由基硬化系（自由基聚合系）接著劑組成物。本實施方式的接著劑組成物可作為電路連接用接著劑組成物而適宜使用。以下，關於各成分而加以說明。
（矽烷化合物） 本實施方式的接著劑組成物含有具有可自由基聚合的官能基的第1矽烷化合物、與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物。第2矽烷化合物是並不相當於第1矽烷化合物的化合物，並不具有可自由基聚合的官能基。矽烷化合物亦可為矽烷偶合劑。
作為可自由基聚合的官能基，例如可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、苯乙烯基、馬來醯亞胺基等乙烯性不飽和鍵含有基。自獲得更優異的保存穩定性及接著性的觀點考慮，可自由基聚合的官能基較佳為選自由(甲基)丙烯醯基及乙烯基所組成的群組的至少一種，更佳為(甲基)丙烯醯基。
第2矽烷化合物亦可具有並不參與自由基聚合反應的官能基。作為並不參與自由基聚合反應的官能基，可列舉烷基、苯基、烷氧基矽烷基、胺基、烷基胺基（甲基胺基等）、苄基胺基、苯基胺基、環烷基胺基（環己基胺基等）、嗎啉基、哌嗪基、異氰酸酯基、咪唑基、脲基、二烷基胺基（二甲基胺基等）、環氧基等。環氧基亦可含有於縮水甘油基、縮水甘油氧基等環氧基含有基（含有環氧基的基）中。自獲得更優異的保存穩定性的觀點考慮，第2矽烷化合物較佳為具有選自由烷基及環氧基所組成的群組的至少一種，更佳為具有環氧基。
作為矽烷化合物，可使用下述通式（I）所表示的化合物。式（I）所表示的化合物例如可藉由使有機氯矽烷與醇反應等方法而合成。 [化1][式中，X表示有機基，R1 及R2 分別獨立地表示烷基，m表示0～2的整數，s表示0以上的整數。在R1 多個存在的情況下，各R1 可相互相同亦可不同。在R2 多個存在的情況下，各R2 可相互相同亦可不同。R1 、R2 及Cs H2s 的各個亦可分支]
作為有機基X，可列舉乙烯性不飽和鍵含有基（含有乙烯性不飽和鍵的基）、氮原子含有基（含有氮原子的基）、硫原子含有基（含有硫原子的基）、環氧基等。作為乙烯性不飽和鍵含有基，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、苯乙烯基等。作為氮原子含有基，可列舉胺基、單取代胺基、二取代胺基、異氰酸酯基、咪唑基、脲基、馬來醯亞胺基等。作為單取代胺基，可列舉烷基胺基（甲基胺基等）、苄基胺基、苯基胺基、環烷基胺基（環己基胺基等）等。作為二取代胺基，可列舉非環狀二取代胺基、環狀二取代胺基等。作為非環狀二取代胺基，可列舉二烷基胺基（二甲基胺基等）等。作為環狀二取代胺基，可列舉嗎啉基、哌嗪基等。作為硫原子含有基，可列舉巰基等。環氧基亦可含有於縮水甘油基、縮水甘油氧基等環氧基含有基（含有環氧基的基）中。(甲基)丙烯醯基亦可含有於(甲基)丙烯醯氧基中。
R1 及R2 的烷基的碳數例如為1～20。作為所述烷基的具體例，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基等。作為R1 及R2 ，可使用所述烷基的各結構異構物。自烷氧基矽烷基部分與被黏著體反應時難以成為立體阻礙，獲得與被黏著體更優異的接著性的觀點考慮，R1 的烷基的碳數較佳為1～10，更佳為1～5。自獲得與被黏著體更優異的接著性的觀點考慮，R2 的烷基的碳數較佳為1～10，更佳為1～5。
m為0～2的整數。自烷氧基矽烷基部分與被黏著體反應時難以成為立體阻礙，獲得與被黏著體更優異的接著性的觀點考慮，m較佳為0～1，更佳為0。s為0以上的整數。自獲得更優異的保存穩定性的觀點考慮，s較佳為1～20的整數，更佳為1～10的整數。
作為第1矽烷化合物，可列舉(甲基)丙烯醯氧基烷基三烷氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基二烷基二烷氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基三烷基烷氧基矽烷、烯基三烷氧基矽烷、苯乙烯基三烷氧基矽烷、苯乙烯基烷基三烷氧基矽烷等。作為第1矽烷化合物，自獲得更優異的保存穩定性及接著性的觀點考慮，較佳為選自由(甲基)丙烯醯氧基烷基三烷氧基矽烷及(甲基)丙烯醯氧基二烷基二烷氧基矽烷所組成的群組的至少一種。作為(甲基)丙烯醯氧基烷基三烷氧基矽烷，可列舉3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、8-(甲基)丙烯醯氧基辛基三甲氧基矽烷、8-(甲基)丙烯醯氧基辛基三乙氧基矽烷等。作為(甲基)丙烯醯氧基二烷基二烷氧基矽烷，可列舉3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、8-(甲基)丙烯醯氧基辛基甲基二甲氧基矽烷、8-(甲基)丙烯醯氧基辛基甲基二乙氧基矽烷等。作為烯基三烷氧基矽烷，可列舉乙烯基三烷氧基矽烷、辛烯基三烷氧基矽烷、辛烯基烷基二烷氧基矽烷等。作為乙烯基三烷氧基矽烷，可列舉乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等。作為辛烯基三烷氧基矽烷，可列舉7-辛烯基三甲氧基矽烷、7-辛烯基三乙氧基矽烷等。作為辛烯基烷基二烷氧基矽烷，可列舉7-辛烯基甲基二甲氧基矽烷、7-辛烯基甲基二乙氧基矽烷等。作為苯乙烯基三烷氧基矽烷，可列舉對苯乙烯基三甲氧基矽烷等。作為苯乙烯基烷基三烷氧基矽烷，可列舉對苯乙烯基辛基三甲氧基矽烷等。第1矽烷化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為第2矽烷化合物，可列舉縮水甘油氧基烷基三烷氧基矽烷（3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、8-縮水甘油氧基辛基三甲氧基矽烷、8-縮水甘油氧基辛基三乙氧基矽烷等）、縮水甘油氧基二烷基二烷氧基矽烷（3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、8-縮水甘油氧基辛基甲基二甲氧基矽烷、8-縮水甘油氧基辛基甲基二乙氧基矽烷等）、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-8-胺基辛基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-8-胺基辛基三甲氧基矽烷、3-胺基辛基三甲氧基矽烷、3-胺基辛基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基亞丁基)辛基胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-8-胺基辛基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、8-脲基辛基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、8-巰基辛基甲基二甲氧基矽烷、8-巰基辛基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、8-異氰酸酯基辛基三甲氧基矽烷、8-異氰酸酯基辛基三乙氧基矽烷等。自獲得更優異的保存穩定性的觀點考慮，第2矽烷化合物較佳為選自由縮水甘油氧基烷基三烷氧基矽烷及縮水甘油氧基二烷基二烷氧基矽烷所組成的群組的至少一種，更佳為選自由3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷及3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷所組成的群組的至少一種。第2矽烷化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為式（I）所表示的化合物以外的第2矽烷化合物，可列舉四烷氧基矽烷、烷基三烷氧基矽烷、二烷基二烷氧基矽烷等。作為此種第2矽烷化合物，可列舉甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等。作為式（I）所表示的化合物以外的第2矽烷化合物，自獲得更優異的保存穩定性的觀點考慮，較佳為選自由烷基三烷氧基矽烷及四烷氧基矽烷所組成的群組的至少一種，更佳為選自由甲基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷及四乙氧基矽烷所組成的群組的至少一種。式（I）所表示的第2化合物以外的矽烷化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
矽烷化合物（包含第1矽烷化合物、第2矽烷化合物及其他矽烷化合物）的含量並無特別限定，但自容易抑制在被黏著體（電路構件等）與接著劑組成物或其硬化物（電路連接構件等）的界面產生剝離氣泡的觀點考慮，以接著劑組成物的接著劑成分（接著劑組成物中的導電粒子以外的固體成分。以下相同）的總質量為基準而言較佳為下述的範圍。矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.25質量%以上，進而較佳為0.5質量%以上，特佳為1質量%以上，極佳為2質量%以上，非常佳為3質量%以上。矽烷化合物的含量較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為10質量%以下，特佳為5質量%以下。自該些觀點考慮，矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.25質量%～15質量%，進而較佳為0.5質量%～10質量%，特佳為1質量%～5質量%，極佳為2質量%～5質量%，非常佳為3質量%～5質量%。
自容易抑制被黏著體（電路構件等）與接著劑組成物或其硬化物（電路連接構件等）的界面產生剝離氣泡的觀點考慮，第1矽烷化合物的含量較佳的是以接著劑組成物的接著劑成分的總質量為基準而言為下述的範圍。第1矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.25質量%以上，進而較佳為0.5質量%以上，特佳為1質量%以上，極佳為1.5質量%以上。第1矽烷化合物的含量較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為10質量%以下，特佳為5質量%以下，極佳為3質量%以下。自該等觀點考慮，第1矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.25質量%～15質量%，進而較佳為0.5質量%～10質量%，特佳為1質量%～5質量%，極佳為1.5質量%～3質量%。
自容易抑制被黏著體（電路構件等）與接著劑組成物或其硬化物（電路連接構件等）的界面產生剝離氣泡的觀點考慮，第2矽烷化合物的含量較佳的是以接著劑組成物的接著劑成分的總質量為基準而言為下述範圍。第2矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.25質量%以上，進而較佳為0.5質量%以上，特佳為1質量%以上，極佳為1.5質量%以上。第2矽烷化合物的含量較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為10質量%以下，特佳為5質量%以下，極佳為3質量%以下。自該等觀點考慮，第2矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.25質量%～15質量%，進而較佳為0.5質量%～10質量%，特佳為1質量%～5質量%，極佳為1.5質量%～3質量%。
自獲得更優異的保存穩定性及接著性的觀點考慮，第1矽烷化合物的含量相對於第2矽烷化合物的含量的比率（質量比。相對於第2矽烷化合物的含量1的相對值）較佳為0.01以上，更佳為0.1以上，進而較佳為0.2以上，特佳為0.5以上，極佳為1以上。自獲得更優異的保存穩定性及接著性的觀點考慮，所述比率較佳為100以下，更佳為10以下，進而較佳為5以下，特佳為3以下，極佳為2以下。
（自由基聚合性化合物） 自由基聚合性化合物是具有可自由基聚合的官能基的化合物，且是並不相當於第1矽烷化合物的化合物。作為此種自由基聚合性化合物，可列舉(甲基)丙烯酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、檸康醯亞胺樹脂、納迪克醯亞胺樹脂等。所謂「(甲基)丙烯酸酯化合物」是表示具有(甲基)丙烯醯基的化合物。自由基聚合性化合物可以單體或寡聚物的狀態而使用，亦可將單體與寡聚物併用。自由基聚合性化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為(甲基)丙烯酸酯化合物的具體例，可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二(甲基)丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基甲氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、(甲基)丙烯酸二環戊烯基酯、(甲基)丙烯酸三環癸基酯、異三聚氰酸三((甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、異三聚氰酸EO改質二(甲基)丙烯酸酯、9,9-雙-[4-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀等。作為(甲基)丙烯酸酯化合物以外的自由基聚合性化合物，例如可適宜地使用專利文獻3（國際公開第2009/063827號）中所記載的化合物。(甲基)丙烯酸酯化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為自由基聚合性化合物，自獲得更優異的保存穩定性的觀點考慮，較佳為(甲基)丙烯酸酯化合物，更佳為(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。自使耐熱性提高的觀點考慮，較佳的是(甲基)丙烯酸酯化合物具有選自由二環戊烯基、三環癸基及三嗪環所組成的群組的至少一種取代基。
而且，作為自由基聚合性化合物，較佳為使用具有下述通式（II）所表示的磷酸酯結構的自由基聚合性化合物，更佳為將(甲基)丙烯酸酯化合物等所述自由基聚合性化合物與具有式（II）所表示的磷酸酯結構的自由基聚合性化合物併用。在該些情況下，對於無機物（金屬等）的表面的接著強度提高，因此適於例如電路電極彼此的接著。
[化2][式中，p表示1～3的整數，R表示氫原子或甲基]
所述具有磷酸酯結構的自由基聚合性化合物例如可藉由使無水磷酸與(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯反應而獲得。作為所述具有磷酸酯結構的自由基聚合性化合物的具體例，可列舉磷酸單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、磷酸二(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯等。式（II）所表示的具有磷酸酯結構的自由基聚合性化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
自獲得更優異的接著性的觀點考慮，式（II）所表示的具有磷酸酯結構的自由基聚合性化合物的含量較佳為相對於自由基聚合性化合物（相當於自由基聚合性化合物的成分的總量。以下相同）100質量份而言為1質量份～100質量份，更佳為1質量份～50質量份，進而較佳為1質量份～10質量份。自獲得更優異的接著性的觀點考慮，式（II）所表示的具有磷酸酯結構的自由基聚合性化合物的含量較佳的是相對於自由基聚合性化合物及膜形成材料（視需要使用的成分）的合計100質量份而言為0.01質量份～50質量份，更佳為0.5質量份～10質量份，進而較佳為0.5質量份～5質量份。
所述自由基聚合性化合物亦可含有(甲基)丙烯酸烯丙酯。在這種情況下，(甲基)丙烯酸烯丙酯的含量較佳的是相對於自由基聚合性化合物及膜形成材料（視需要使用的成分）的合計100質量份而言為0.1質量份～10質量份，更佳為0.5質量份～5質量份。
自獲得更優異的接著性的觀點考慮，以接著劑組成物的接著劑成分的總質量為基準而言，自由基聚合性化合物的含量較佳為下述的範圍。自由基聚合性化合物的含量較佳為10質量%以上，更佳為20質量%以上，進而較佳為30質量%以上，特佳為40質量%以上。自由基聚合性化合物的含量較佳為90質量%以下，更佳為80質量%以下，進而較佳為70質量%以下，特佳為60質量%以下，極佳為50質量%以下。自該等觀點考慮，自由基聚合性化合物的含量較佳為10質量%～90質量%，更佳為20質量%～80質量%，進而較佳為30質量%～70質量%，特佳為40質量%～60質量%，極佳為40質量%～50質量%。
（硬化劑） 作為硬化劑，可使用藉由熱（加熱）而產生游離自由基的硬化劑、藉由光而產生游離自由基的硬化劑、藉由超音波、電磁波等而產生游離自由基的硬化劑等。
藉由熱而產生游離自由基的硬化劑是藉由熱而分解，產生游離自由基的硬化劑。作為此種硬化劑，可列舉過氧化物（有機過氧化物等）、偶氮系化合物等。硬化劑可根據目標的連接溫度、連接時間、使用期限等而適宜選定。本實施方式的接著劑組成物含有1分鐘半衰期溫度為120℃以下的過氧化物（以下稱為「過氧化物A」）而作為所述硬化劑。自更容易達成低溫連接的觀點考慮，過氧化物A中的1分鐘半衰期溫度較佳為40℃以上。 再者，所謂「半衰期」是過氧化物的濃度減少至初始的一半的時間，1分鐘半衰期溫度表示半衰期成為1分鐘的溫度。作為1分鐘半衰期溫度，可使用日油股份有限公司發行的目錄（有機過氧化物（第10版、2015年2月））中所揭示的值。
作為藉由熱而產生游離自由基的硬化劑的具體例，可列舉過氧化二醯基、過氧化二碳酸酯、過氧化酯、過氧化縮酮、過氧化二烷基、過氧化氫、矽烷基過氧化物等。
自抑制電極（電路電極等）的腐蝕的觀點考慮，硬化劑較佳為所含有的氯離子及有機酸的濃度為5000 ppm以下的硬化劑，更佳為在熱分解後所產生的有機酸少的硬化劑。作為此種硬化劑的具體例，可列舉過氧化酯、過氧化二烷基、過氧化氫、矽烷基過氧化物等，自獲得高反應性的觀點考慮，更佳為過氧化酯。
作為過氧化酯，可列舉過氧化新癸酸枯基酯、過氧化新癸酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化新癸酸-1-環己基-1-甲基乙酯、過氧化新癸酸第三己酯、過氧化特戊酸第三丁酯、過氧化2-乙基己酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基己醯基過氧基)己烷、過氧化2-乙基己酸-1-環己基-1-甲基乙酯、過氧化2-乙基己酸第三己酯、過氧化2-乙基己酸第三丁酯、過氧化異丁酸第三丁酯、1,1-雙(第三丁基過氧基)環己烷、過氧化異丙基單碳酸第三己酯、過氧化3,5,5-三甲基己酸第三丁酯、過氧化月桂酸第三丁酯、2,5-二甲基-2,5-二(間甲苯甲醯基過氧基)己烷、過氧化異丙基單碳酸第三丁酯、過氧化2-乙基己基單碳酸第三丁酯、過氧基苯甲酸第三己酯、過氧化乙酸第三丁酯等。作為所述過氧化酯以外的藉由熱而產生游離自由基的硬化劑，例如可適宜使用專利文獻3（國際公開第2009/063827號）中所記載的化合物。過氧化酯可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為過氧化物A，可列舉過氧化二碳酸二正丙酯（1分鐘半衰期溫度：94.0℃）、過氧化二碳酸二異丙酯（1分鐘半衰期溫度：88.3℃）、過氧化二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯（1分鐘半衰期溫度：92.1℃）、過氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯（1分鐘半衰期溫度：90.6℃）、過氧化新癸酸第三己酯（1分鐘半衰期溫度：100.9℃）、過氧化新庚酸第三丁酯（1分鐘半衰期溫度：104.6℃）、過氧化特戊酸第三己酯（1分鐘半衰期溫度：109.1℃）、過氧化特戊酸第三丁酯（1分鐘半衰期溫度：110.3℃）、過氧化二(3,5,5-三甲基己醯)（1分鐘半衰期溫度：112.6℃）、過氧化二月桂醯（1分鐘半衰期溫度：116.4℃）、2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基己醯基過氧基)己烷（1分鐘半衰期溫度：118.8℃）等。藉由使用該些過氧化物A，可獲得高反應性。過氧化物A可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
本實施方式的接著劑組成物亦可進而含有過氧化物A以外的硬化劑。亦即，亦可將過氧化物A與1分鐘半衰期溫度超過120℃的過氧化物組合而使用。在這種情況下，存在獲得更良好的低溫活性及保存穩定性的傾向。自獲得高的反應性的觀點、及進而提高使用期限的觀點考慮，過氧化物A以外的硬化劑較佳為10小時半衰期溫度為40℃以上、且1分鐘半衰期溫度為180℃以下的有機過氧化物，更佳為10分鐘半衰期溫度為40℃以上、且1分鐘半衰期溫度為160℃以下的有機過氧化物。
藉由光而產生游離自由基的硬化劑是藉由光而分解，從而產生游離自由基的硬化劑。作為此種硬化劑，可使用藉由照射波長為150 nm～750 nm的光而產生游離自由基的化合物。作為此種化合物，例如自對於光照射的感度高的觀點考慮，較佳為光引發、光聚合及光硬化（Photoinitiation, Photopolymerization, and Photocuring），J.-P. 富阿西耶（Fouassier），翰思出版社（Hanser Publishers）（1995年）、第17頁～第35頁中所記載的α-乙醯胺基苯酮衍生物及氧化膦衍生物。
硬化劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。亦可將硬化劑與分解促進劑、分解抑制劑等併用。而且，亦可藉由聚胺基甲酸酯系或聚酯系的高分子物質等包覆硬化劑而進行微膠囊化。微膠囊化的硬化劑可延長使用壽命（usable life），因此較佳。
在連接時間為25秒以下的情況下，自容易獲得充分的反應率的觀點考慮，過氧化物A的含量較佳為下述的範圍。相對於自由基聚合性化合物100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為0.1質量份以上，更佳為1質量份以上，進而較佳為3質量份以上，特佳為5質量份以上，極佳為10質量份以上。相對於自由基聚合性化合物100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為100質量份以下，更佳為50質量份以下，進而較佳為30質量份以下，特佳為20質量份以下，極佳為15質量份以下。自該些觀點考慮，相對於自由基聚合性化合物100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為0.1質量份～100質量份，更佳為1質量份～50質量份，進而較佳為3質量份～30質量份，特佳為5質量份～20質量份，極佳為10質量份～15質量份。
於連接時間為25秒以下的情況下，自容易獲得充分的反應率的觀點考慮，過氧化物A的含量較佳為下述的範圍。相對於自由基聚合性化合物及膜形成材料（視需要使用的成分）的合計100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為2質量份以上，更佳為3質量份以上，進而較佳為4質量份以上，特佳為5質量份以上。相對於自由基聚合性化合物及膜形成材料（視需要使用的成分）的合計100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為10質量份以下，更佳為8質量份以下，進而較佳為7質量份以下，特佳為6質量份以下。自該些觀點考慮，相對於自由基聚合性化合物及膜形成材料（視需要使用的成分）的合計100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為2質量份～10質量份，更佳為3質量份～10質量份，進而較佳為4質量份～8質量份，特佳為5質量份～7質量份，極佳為5質量份～6質量份。
自容易獲得充分的反應率的觀點考慮，並不限定連接時間的情況的過氧化物A的含量較佳為下述的範圍。相對於自由基聚合性化合物100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為0.01質量份以上，更佳為0.1質量份以上，進而較佳為1質量份以上，特佳為3質量份以上，極佳為5質量份以上，非常佳為10質量份以上。相對於自由基聚合性化合物100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為100質量份以下，更佳為50質量份以下，進而較佳為30質量份以下，特佳為20質量份以下，極佳為15質量份以下。自該等觀點考慮，相對於自由基聚合性化合物100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為0.01質量份～100質量份，更佳為0.1質量份～50質量份，進而較佳為1質量份～30質量份，特佳為3質量份～20質量份，極佳為5質量份～15質量份，非常佳為10質量份～15質量份。
自容易獲得充分的反應率的觀點考慮，並不限定連接時間的情況的過氧化物A的含量較佳為下述的範圍。相對於自由基聚合性化合物及膜形成材料（視需要使用的成分）的合計100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為0.01質量份以上，更佳為0.1質量份以上，進而較佳為2質量份以上，特佳為3質量份以上，極佳為4質量份以上，非常佳為5質量份以上。相對於自由基聚合性化合物及膜形成材料（視需要使用的成分）的合計100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為100質量份以下，更佳為50質量份以下，進而較佳為10質量份以下，特佳為8質量份以下，極佳為7質量份以下，非常佳為6質量份以下。自該些觀點考慮，相對於自由基聚合性化合物及膜形成材料（視需要使用的成分）的合計100質量份而言，過氧化物A的含量較佳為0.01質量份～100質量份，更佳為0.1質量份～50質量份，進而較佳為2質量份～10質量份，特佳為3質量份～8質量份，極佳為4質量份～7質量份，非常佳為5質量份～6質量份。
（膜形成材料） 本實施方式的接著劑組成物亦可視需要而含有膜形成材料。膜形成材料在使液狀的接著劑組成物固形化為膜狀的情況下，可使通常狀態（常溫常壓）下膜的操作性提高，對膜賦予難以裂開、難以破損、難以黏膩等特性。作為膜形成材料，可列舉苯氧樹脂、聚乙烯甲醛、聚苯乙烯、聚乙烯丁醛、聚酯、聚醯胺、二甲苯樹脂、聚胺基甲酸酯等。自接著性、相溶性、耐熱性及機械強度優異的觀點考慮，該些中較佳為苯氧樹脂。膜形成材料可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為苯氧樹脂，例如可列舉藉由使2官能環氧樹脂與2官能酚類進行加成聚合而獲得的樹脂、及藉由使2官能酚類與表鹵醇進行反應直至高分子化而獲得的樹脂。苯氧樹脂例如可藉由1莫耳2官能酚類與0.985莫耳～1.015莫耳表鹵醇在鹼金屬氫氧化物等觸媒的存在下，在非反應性溶劑中、40℃～120℃的溫度下進行反應而獲得。自樹脂的機械特性及熱特性優異的觀點考慮，苯氧樹脂特佳的是將2官能性環氧樹脂與2官能性酚類的調配當量比設為環氧基/酚性羥基=1/0.9～1/1.1，在鹼金屬化合物、有機磷系化合物、環狀胺系化合物等觸媒的存在下，在沸點為120℃以上的有機溶劑（醯胺系、醚系、酮系、內酯系、醇系等）中，在反應固體成分為50質量%以下的條件下加熱至50℃～200℃進行加成聚合反應而獲得。苯氧樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為2官能環氧樹脂，可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、聯苯二縮水甘油醚、經甲基取代的聯苯二縮水甘油醚等。2官能酚類是具有2個酚性羥基的化合物。作為2官能酚類，可列舉對苯二酚類、雙酚A、雙酚F、雙酚AD、雙酚S、雙酚茀、經甲基取代的雙酚茀、二羥基聯苯、經甲基取代的二羥基聯苯等雙酚類等。苯氧樹脂亦可經自由基聚合性官能基、或其他反應性化合物改質（例如環氧改質）。
相對於接著劑組成物的接著劑成分100質量份而言，膜形成材料的含量較佳為10質量份～90質量份，更佳為20質量份～60質量份，進而較佳為30質量份～50質量份。
（導電粒子） 本實施方式的接著劑組成物亦可進而含有導電粒子。作為導電粒子的構成材料，可列舉金（Au）、銀（Ag）、鎳（Ni）、銅（Cu）、焊料等金屬、碳等。而且，亦可為以非導電性的樹脂、玻璃、陶瓷、塑膠等為核，於該核上包覆有所述金屬（金屬粒子等）或碳的包覆導電粒子。包覆導電粒子或熱熔融金屬粒子由於加熱加壓而具有變形性，因此在連接時消除電路電極的高度不均一，在連接時與電極的接觸面積增加，因此可靠性提高而較佳。
自分散性及導電性優異的觀點考慮，導電粒子的平均粒徑較佳為1 μm～30 μm。導電粒子的平均粒徑例如可使用雷射繞射法等機器分析而測定。自導電性優異的觀點考慮，以接著劑組成物的接著劑成分的總體積為基準而言，導電粒子的含量較佳為0.1體積%以上，更佳為1體積%以上。自容易抑制電極（電路電極等）短路的觀點考慮，以接著劑組成物的接著劑成分的總體積為基準而言，導電粒子的含量較佳為50體積%以下，更佳為20體積%以下，進而較佳為10體積%以下，特佳為5體積%以下，極佳為3體積%以下。自該些觀點考慮，導電粒子的含量較佳為0.1體積%～50體積%，更佳為0.1體積%～20體積%，進而較佳為1體積%～20體積%，特佳為1體積%～10體積%，極佳為1體積%～5體積%，非常佳為1體積%～3體積%。再者，「體積%」是基於23℃的硬化前的各成分的體積而決定，但各成分的體積亦可利用比重而自質量換算為體積。而且，亦可求出在如下容器中投入對象成分而增加的體積而作為對象成分的體積，所述容器是量筒等放入有並不使對象成分溶解或膨潤、且充分浸濕對象成分的適當的溶劑（水、醇等）的容器。
（其他成分） 本實施方式的接著劑組成物亦可視需要適宜含有對苯二酚、對苯二酚甲醚類等聚合抑制劑。
本實施方式的接著劑組成物亦可進而含有使選自由(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯及丙烯腈所組成的群組的至少一種單體成分聚合而獲得的均聚物或共聚物。自應力緩和優異的觀點考慮，較佳的是本實施方式的接著劑組成物含有丙烯酸橡膠等，所述丙烯酸橡膠是使具有縮水甘油醚基的(甲基)丙烯酸縮水甘油酯聚合而獲得的共聚物。自提高接著劑組成物的凝聚力的觀點考慮，所述丙烯酸橡膠的重量平均分子量較佳為20萬以上。
本實施方式的接著劑組成物亦可含有所述導電粒子的表面包覆有高分子樹脂等的包覆微粒子。在將此種包覆微粒子與所述導電粒子併用的情況下，即使在導電粒子的含量增加的情況下，亦容易抑制由於導電粒子彼此接觸所造成的短路，因此使鄰接的電路電極間的絕緣性提高。可並不使用導電粒子而單獨使用所述包覆微粒子，亦可將包覆微粒子與導電粒子併用。
本實施方式的接著劑組成物亦可含有樹膠微粒子、填充劑（二氧化矽粒子等）、軟化劑、促進劑、抗老化劑、著色劑、阻燃化劑、觸變劑等。本實施方式的接著劑組成物亦可適宜含有增黏劑、調平劑、著色劑、耐候性改善劑等添加劑。
樹膠微粒子較佳為具有導電粒子的平均粒徑的2倍以下的平均粒徑、且在常溫下的儲存彈性模數是導電粒子及接著劑組成物在常溫下的儲存彈性模數的1/2以下的粒子。特別是在樹膠微粒子的材質為矽酮、丙烯酸系乳液（acrylic emulsion）、苯乙烯-丁二烯橡膠（Styrene Butadiene Rubber，SBR）、丁腈橡膠（Nitrile-Butadiene Rubber，NBR）或聚丁二烯橡膠的情況下，樹膠微粒子適宜的是單獨使用或將兩種以上混合使用。三維交聯的樹膠微粒子的耐溶劑性優異，容易分散於接著劑組成物中。
填充劑可使電路電極間的電氣特性（連接可靠性等）提高。作為填充劑，例如可適宜使用具有導電粒子的平均粒徑的1/2以下的平均粒徑的粒子。在將並不具有導電性的粒子與填充劑併用的情況下，可使用並不具有導電性的粒子的平均粒徑以下的粒子作為填充劑。填充劑的含量較佳的是相對於接著劑組成物的接著劑成分100質量份而言為0.1質量份～60質量份。藉由使所述含量為60質量份以下，存在更充分地獲得連接可靠性的提高效果的傾向。藉由使所述含量為0.1質量份以上，存在充分獲得填充劑的添加效果的傾向。
本實施方式的接著劑組成物在常溫下為液狀的情況下，可以糊狀而使用。接著劑組成物在常溫下為固體狀的情況下，除了進行加熱而使用以外，亦可使用溶劑而進行糊化。作為可使用的溶劑，若為對於接著劑組成物中的成分而言並無反應性、且顯示出充分的溶解性的溶劑，則並無特別限制。溶劑較佳為在常壓下的沸點為50℃～150℃的溶劑。沸點若為50℃以上，則在常溫下溶劑的揮發性差，因此即使是開放系統亦可使用。沸點若為150℃以下，則容易使溶劑揮發，因此可在接著後獲得良好的可靠性。
本實施方式的接著劑組成物亦可為膜狀。可將視需要含有溶劑等的接著劑組成物塗佈於氟樹脂膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、剝離性基材（脫模紙等）上，然後將溶劑等除去，藉此獲得膜狀的接著劑組成物。而且，在不織布等基材中含浸所述溶液而載置於剝離性基材上之後，藉由將溶劑等除去而可獲得膜狀的接著劑組成物。若以膜狀使用接著劑組成物，則操作性等優異。膜狀接著劑組成物的厚度可為1 μm～100 μm，亦可為5 μm～50 μm。
本實施方式的接著劑組成物可藉由與加熱或光照射一同進行加壓而使其接著。藉由併用加熱及光照射，可進而以低溫短時間進行接著。光照射較佳的是照射150 nm～750 nm的波長區域的光。光源可使用低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈（超高壓水銀燈等）、氙氣燈、金屬鹵素燈等。照射量可為0.1 J/cm2 ～10 J/cm2 。加熱溫度並無特別限制，較佳為50℃～170℃的溫度。壓力若為並不對被黏著體造成損傷的範圍，則並無特別限制，較佳為0.1 MPa～10 MPa。較佳為在0.5秒～3小時的範圍進行加熱及加壓。
本實施方式的接著劑組成物可作為同一被黏著體的接著劑而使用，亦可作為熱膨脹係數不同的不同種被黏著體的接著劑而使用。具體而言可作為各向異性導電接著劑、銀糊、銀膜等為代表的電路連接材料；晶片尺寸封裝（Chip Scale Package，CSP）用彈性體、CSP用底部填充材料、晶片上引線（Lead on Chip，LOC）膠帶等為代表的半導體元件接著材料等而使用。
＜結構體及其製造方法＞ 本實施方式的結構體包含本實施方式的接著劑組成物或其硬化物。本實施方式的結構體例如為電路連接結構體等半導體裝置。作為本實施方式的結構體的一實施方式，電路連接結構體包含具有第一電路電極的第一電路構件、具有第二電路電極的第二電路構件、及配置在第一電路構件及第二電路構件之間的電路連接構件。第一電路構件例如包含第一基板、與配置在該第一基板上的第一電路電極。第二電路構件例如包含第二基板、與配置在該第二基板上的第二電路電極。第一電路電極及第二電路電極相對向且電性連接。電路連接構件包含本實施方式的接著劑組成物或其硬化物。本實施方式的結構體若包含本實施方式的接著劑組成物或其硬化物即可，亦可使用並不具有電路電極的構件（基板等）而代替所述電路連接結構體的電路構件。
本實施方式的結構體的製造方法包含使本實施方式的接著劑組成物硬化的步驟。作為本實施方式的結構體的製造方法的一實施方式，電路連接結構體的製造方法包含：配置步驟，在具有第一電路電極的第一電路構件與具有第二電路電極的第二電路構件之間配置本實施方式的接著劑組成物，加熱加壓步驟，對第一電路構件與第二電路構件進行加壓而使第一電路電極與第二電路電極電性連接，且對接著劑組成物進行加熱而使其硬化。在配置步驟中，可以第一電路電極與第二電路電極相對向的方式進行配置。在加熱加壓步驟中，可對第一電路構件與第二電路構件相對向的方向進行加壓。
以下，使用圖式，關於電路連接結構體及其製造方法加以說明而作為本實施方式的一實施方式。圖1是表示結構體的一實施方式的示意剖面圖。圖1中所示的電路連接結構體100a包含相對向的電路構件（第一電路構件）20及電路構件（第二電路構件）30，在電路構件20與電路構件30之間配置有連接該些構件的電路連接構件10。電路連接構件10包含本實施方式的接著劑組成物的硬化物。
電路構件20包含基板（第一基板）21與配置在基板21的主表面21a上的電路電極（第一電路電極）22。在基板21的主表面21a上，亦可根據情況配置絕緣層（未圖示）。
電路構件30包含基板（第二基板）31與配置在基板31的主表面31a上的電路電極（第二電路電極）32。在基板31的主表面31a上，亦可根據情況而配置絕緣層（未圖示）。
電路連接構件10含有絕緣性物質（除導電粒子以外的成分的硬化物）10a及導電粒子10b。導電粒子10b至少配置在相對向的電路電極22與電路電極32之間。在電路連接結構體100a中，電路電極22及電路電極32經由導電粒子10b而電性連接。
電路構件20及電路構件30具有單個或多個電路電極（連接端子）。作為電路構件20及電路構件30，例如可使用包含需要電性連接的電極的構件。作為電路構件，可使用半導體晶片（IC晶片）、電阻器晶片、電容器晶片等晶片零件；印刷基板、半導體搭載用基板等基板等。作為電路構件20及電路構件30的組合，例如可使用半導體晶片及半導體搭載用基板。作為基板的材質，例如可列舉半導體、玻璃、陶瓷等無機物；聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、(甲基)丙烯酸樹脂、環狀烯烴樹脂等有機物；玻璃與環氧等的複合物等。基板亦可為塑膠基板。
圖2是表示結構體的其他實施方式的示意剖面圖。圖2所示的電路連接結構體100b除了電路連接構件10不含導電粒子10b以外，具有與電路連接結構體100a同樣的構成。在圖2所示的電路連接結構體100b中，電路電極22與電路電極32並不經由導電粒子而直接接觸，從而電性連接。
電路連接結構體100a及電路連接結構體100b例如可藉由以下的方法而製造。首先，在接著劑組成物為糊狀的情況下，塗佈接著劑組成物及進行乾燥，藉此在電路構件20上配置含有接著劑組成物的樹脂層。在接著劑組成物為膜狀的情況下，將膜狀的接著劑組成物貼附於電路構件20上，藉此在電路構件20上配置含有接著劑組成物的樹脂層。繼而，以電路電極22與電路電極32對向配置的方式，在電路構件20上所配置的樹脂層上載置電路構件30。其次，對含有接著劑組成物的樹脂層進行加熱處理或光照射，藉此使接著劑組成物硬化而獲得硬化物（電路連接構件10）。藉由以上而獲得電路連接結構體100a及電路連接結構體100b。 [實施例]
以下，列舉實施例及比較例而對本發明加以更具體的說明。但本發明並不限定於以下的實施例。
（聚胺基甲酸酯的合成） 在具有回流冷凝器、溫度計及攪拌機的可分離式燒瓶中，加入作為1000質量份具有醚鍵的二醇的聚丙二醇（和光純藥工業股份有限公司製造、數量平均分子量Mn=2000）及4000質量份甲基乙基酮（溶劑）後，在40℃下進行30分鐘攪拌而製備反應液。將所述反應液升溫至70℃後，加入0.0127質量份二甲基錫月桂酸鹽（觸媒）。其次，對於該反應液，以1小時滴加在125質量份甲基乙基酮中溶解125質量份4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯而製備的溶液。其後，在所述溫度下繼續攪拌直至藉由紅外分光光度計（日本分光股份有限公司製造）無法看到源自異氰酸酯基的吸收峰值（2270 cm-1 ），獲得聚胺基甲酸酯的甲基乙基酮溶液。其次，以該溶液的固體成分濃度（聚胺基甲酸酯的濃度）成為30質量%的方式調整溶劑量。所獲得的聚胺基甲酸酯（胺基甲酸酯樹脂）的重量平均分子量是藉由凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）而測定的結果，其為320000（標準聚苯乙烯換算值）。將GPC的測定條件表示於表1中。
[表1]
（丙烯酸胺基甲酸酯的合成） 在安裝有溫度計、攪拌機、惰性氣體導入口及回流冷凝器的2 L（升）的四口燒瓶中，裝入4000質量份聚碳酸酯二醇（奧德里奇（Aldrich）公司製造、數量平均分子量為2000）、238質量份丙烯酸-2-羥基乙酯、0.49質量份對苯二酚單甲醚、4.9質量份錫系觸媒而製備反應液。對於加熱至70℃的反應液，以3小時均一地滴加666質量份異佛爾酮二異氰酸酯（IPDI）而使其反應。在滴加完成後，繼續進行15小時的反應，將NCO%（NCO含量）成為0.2質量%以下的時間點視為反應結束，獲得丙烯酸胺基甲酸酯。NCO%可藉由電位差自動滴定裝置（商品名：AT-510、京都電子工業股份有限公司製造）而確認。GPC分析的結果是丙烯酸胺基甲酸酯的重量平均分子量為8500（標準聚苯乙烯換算值）。再者，利用GPC的分析是在與所述聚胺基甲酸酯的重量平均分子量的分析同樣的條件下進行。
（導電粒子的製作） 在聚苯乙烯粒子的表面形成厚度為0.2 μm的鎳層。進而，在該鎳層的外側形成厚度為0.04 μm的金層。藉此而製作平均粒徑為4 μm的導電粒子。
（膜狀接著劑的製作） 將表2及表3中所示的成分以表2及表3中所示的質量比（固體成分）加以混合而獲得混合物。使所述導電粒子以1.5體積%的比例（基準：接著劑組成物的接著劑成分的總體積）分散於該混合物中，獲得用以形成膜狀接著劑的塗敷液。使用塗敷工具將該塗敷液塗佈在厚50 μm的聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜上。在70℃下對塗膜進行10分鐘熱風乾燥而形成厚度為18 μm的膜狀接著劑。
表2及表3中所示的苯氧樹脂以將40 g的PKHC（聯合碳化股份有限公司製造、商品名、重量平均分子量45000）溶解於60 g甲基乙基酮中而製備的40質量%溶液的形態使用。使用如上所述而合成的聚胺基甲酸酯作為聚胺基甲酸酯。使用如上所述而合成的丙烯酸胺基甲酸酯作為自由基聚合性化合物A。使用異三聚氰酸EO改質二丙烯酸酯（商品名：M-215、東亞合成股份有限公司製造）作為自由基聚合性化合物B。使用磷酸-2-甲基丙烯醯氧基乙酯（商品名：輕酯(Light ester）P-2M、共榮社化學股份有限公司製造）作為自由基聚合性化合物C（磷酸酯）。使用9,9-雙-[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀（商品名：A-BPEF、新中村化學股份有限公司製造）作為自由基聚合性化合物D。
作為具有可自由基聚合的官能基（參與硬化系自由基聚合反應的官能基）的矽烷化合物（第1矽烷化合物），使用如下的成分。使用3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷（商品名：KBM-502、信越化學工業股份有限公司製造）作為矽烷化合物A1，使用3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷（商品名：KBM-503、信越化學工業股份有限公司製造）作為矽烷化合物A2，使用3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷（商品名：KBM-5103、信越化學工業股份有限公司製造）作為矽烷化合物A3。
作為具有並不參與硬化系自由基聚合反應的官能基、且並不具有可自由基聚合的官能基（參與硬化系自由基聚合反應的官能基）的矽烷化合物（第2矽烷化合物），使用如下的成分。使用3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷（商品名：KBM-402、信越化學工業股份有限公司製造）作為矽烷化合物B1，使用3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（商品名：KBM-403、信越化學工業股份有限公司製造）作為矽烷化合物B2，使用甲基三甲氧基矽烷（商品名：KBM-13、信越化學工業股份有限公司製造）作為矽烷化合物B3。
作為自由基聚合起始劑，使用過氧化二月桂醯（過氧化物A1、商品名：帕勞以魯（PEROYL）L、日油股份有限公司製造、1分鐘半衰期溫度：116.4℃）、過氧化特戊酸第三丁酯（過氧化物A2、商品名：帕布奇魯（Perbuthyl）PV、日油股份有限公司製造、1分鐘半衰期溫度：110.3℃）、及過氧化2-乙基己酸-1,1,3,3-四甲基丁酯（過氧化物B、商品名：帕奧庫塔（Perocta）O、日油股份有限公司製造、1分鐘半衰期溫度：124.3℃）。
使10 g作為無機物粒子的二氧化矽粒子（商品名：R104、日本艾羅技（AEROSIL）股份有限公司製造）分散於45 g甲苯及45 g乙酸乙酯的混合溶劑中而製備10質量%的分散液，將其調配於塗敷液中。
（連接體的製作） 使用表2及表3中所示的膜狀接著劑而將具有2200根線寬為75 μm、間距為150 μm（間隙為75 μm）及厚度為18 μm的銅電路的可撓性電路基板（FPC），與包含玻璃基板及形成在玻璃基板上的厚度為0.2 μm的氮化矽（SiNx ）薄層的SiNx 基板（厚度為0.7 mm）連接。連接使用熱壓接裝置（加熱方式：恆溫型、東麗工程股份有限公司製造），在130℃、3 MPa下進行5秒的加熱及加壓或者在170℃、3 MPa下進行5秒的加熱及加壓。藉此製作藉由膜狀接著劑的硬化物以1.5 mm的寬度將FPC與SiNx 基板連接而成的連接體。將壓接面積設為0.495 cm2 而計算加壓的壓力。
（剝離評價） 使用光學顯微鏡觀察所述連接體的製作不久後的連接外觀、及將所述連接體在85℃、85%RH的恆溫恆濕槽中放置250小時後（高溫高濕試驗後）的連接外觀。測定間隙部分在SiNx 基板與硬化物的界面產生剝離的面積（剝離面積），評價剝離的有無。將剝離面積佔間隙整體的比例超過30%的情況評價為「B」（存在剝離），將剝離面積的比例為30%以下的情況評價為「A」（無剝離）。將評價結果表示於表2及表3中。再者，關於連接體的製作不久後的連接外觀，在所有實施例及比較例中均無剝離。
（保存穩定性（使用期限特性）的評價） 在40℃的恆溫槽中對所述膜狀接著劑進行1天處理。使用該膜狀接著劑，藉由與所述同樣的方法製作連接體後進行高溫高濕試驗。將評價結果表示於表2及表3中。
[表2]
[表3]
根據表2及表3而確認實施例的膜狀接著劑與比較例相比而言，能夠進行低溫短時間連接（特別是130℃、5秒的連接）。而且，可確認實施例的膜狀接著劑與比較例相比而言，即使在高溫高濕處理後亦可良好地保持在基板（無機物基板）表面上的密接力，保存穩定性優異。
10‧‧‧電路連接構件
10a‧‧‧絕緣性物質
10b‧‧‧導電粒子
20‧‧‧第一電路構件
21‧‧‧第一基板
21a、31a‧‧‧主表面
22‧‧‧第一電路電極
30‧‧‧第二電路構件
31‧‧‧第二基板
32‧‧‧第二電路電極
100a、100b‧‧‧電路連接結構體
圖1是表示本發明的結構體的一實施方式的示意性剖面圖。 圖2是表示本發明的結構體的其他一實施方式的示意性剖面圖。
10‧‧‧電路連接構件
10a‧‧‧絕緣性物質
10b‧‧‧導電粒子
20‧‧‧第一電路構件
21‧‧‧第一基板
21a、31a‧‧‧主表面
22‧‧‧第一電路電極
30‧‧‧第二電路構件
31‧‧‧第二基板
32‧‧‧第二電路電極
100a‧‧‧電路連接結構體

Claims (7)

  1. 一種接著劑組成物，其含有：具有可自由基聚合的官能基的第1矽烷化合物、 與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物、 自由基聚合性化合物（相當於所述第1矽烷化合物的化合物除外）、及 1分鐘半衰期溫度為120℃以下的過氧化物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的接著劑組成物，其中所述第1矽烷化合物的所述官能基包含選自由(甲基)丙烯醯基及乙烯基所組成的群組的至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接著劑組成物，其中所述第2矽烷化合物具有環氧基。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的接著劑組成物，其進而含有導電粒子。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的接著劑組成物，其用於電路連接。
  6. 一種結構體，其包含如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的接著劑組成物或其硬化物。
  7. 一種結構體，其包含：具有第一電路電極的第一電路構件、 具有第二電路電極的第二電路構件、及 配置於所述第一電路構件及所述第二電路構件之間的電路連接構件， 所述第一電路電極及所述第二電路電極電性連接， 所述電路連接構件包含如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的接著劑組成物或其硬化物。
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