TW201716588A - 從電子廢棄物再生貴金屬和卑金屬之永續製程 - Google Patents
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Abstract
用以從印刷線路板回收電子組件之方法,藉此貴金屬及卑金屬係使用環保組成物而從電子組分萃取出。使用本案所述方法及組成物至少可從電子組件萃取出金、銀及銅離子且還原成其個別金屬。
Description
本發明大致上係有關於用以回收印刷線路板之環保方法,更明確言之,用以從包含該等金屬之IC晶片及其它材料萃取貴金屬及卑金屬之環保方法。
已用過的電子設備、零組件及組件的廢棄,包括老舊過時的或損毀的電腦、電腦監視器、電視接收器、行動電話、MP3播放器、及類似產品正在以快速速率增加。一般已知當電子設備採取垃圾掩埋廢棄時對活體生物及對生態環境皆可能產生顯著風險。同理,須瞭解不當拆解對執行手動拆解者的健康及安全性產生相當大風險。
印刷線路板(PWB)乃許多電子系統之共用組件。PWB典型地係經由將乾膜積層在乾淨的銅箔上,其係支承於玻璃纖維板基體而製成。該薄膜係以具有電路板設計之負片薄膜而暴露出,及使用蝕刻劑來從電路板去除未經遮罩的銅箔。然後焊料施用在板子上未經蝕刻之銅上方。依據特定PWB之使用及設計,多種其它金屬可用於製造過程,包括鉛、錫、鎳、鐵、鋅、鋁、銀、金、鉑及汞。PWB包括多種其它組件例如,電晶體、電容器、散熱座、IC、電阻器、整合型開關、處理器等。
PWB可能是困難處理的廢棄材料,原因在於當PWB從其安裝的
電氣組件移除時極少能再使用。此外,PWB典型地係由歸類為危險性或「特殊」廢料流之材料所組成。該等材料須被隔離且與其它非危險性固體廢料流分開處理。作為廢料處理之PWB須使用數種可用廢棄選項中之任一者處理。此等選項不僅代價昂貴,且需顯著大量努力及藉發電機處理。此外,由於此等廢棄選項部分並未包括催毀廢棄電路板,故發電機也仍保有與不當處置或廢棄相關聯之問題。
隨著電子碎屑廢料負載的不斷增高,已有多種不同方法提出以試圖對抗原料的廢棄及環境污染。至於PWB,主要問題在於實際上不同材料膠合、焊接、或結合在一起。需要有高能需求之方法來分開各種材料使得材料可被回收。目前,此等方法涉及將PWB切碎成有裝備的、部分有裝備的、及無裝備的狀態。有關切碎,前兩種情況為考量環境影響之原因,於最末情況下,組件係藉脫焊、瓦解、鑿開、磨細、濕化學處理(例如王水、氰化物等)或其它類似方法去除,隨後,PWB或其碎片係在金工燃燒。於本方法中,由玻璃纖維及塑膠或類似之此等材料所製成的基材也被燃燒,PWB的熔解過程造成能量需求量高。精製熔解金屬也要求更高能量及不環保的製程,諸如金屬熔煉。
此處所述方法可用於循環再利用電子廢棄物,及用於從其中回收有價值的及/或危險的金屬。此等方法對用來回收存在於電子廢棄物中之有價值的及/或危險的金屬的熔煉法提供替代之道。
於一個態樣中,描述一種從電子廢棄物去除多於一種金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一第一金屬消化組成物而形成一第一萃取液體及一第一萃取固體;(b)分離該第一萃取固體與該第一萃取液體;(c)使該第一萃取固體接觸一第二金屬消化組成物而形成一第二
萃取液體及一第二萃取固體;(d)分離該第二萃取固體與該第二萃取液體,其中該第二萃取液體包含第一金屬離子;及(e)使該第一萃取液體接觸一添加劑而分離第二金屬離子與第三金屬離子。
較佳地,該第一萃取液體包含至少一個螯合劑、至少一個氧化劑、及至少一個催化劑。較佳地,該第二萃取液體包含至少一個螯合劑、至少一個氧化劑、及至少一個催化劑。熟諳技藝人士須瞭解第一萃取液體可與第二萃取液體相同或相異。於一較佳具體例中,第一金屬包含金,第二金屬包含銀,及第三金屬包含銅。
於另一態樣中,描述一種從電子廢棄物去除多於一種金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一第一金屬消化組成物而形成一第一萃取液體及一第一萃取固體;(b)分離該第一萃取固體與該第一萃取液體;(c)使該第一萃取固體接觸一第二金屬消化組成物而形成一第二萃取液體及一第二萃取固體;(d)分離該第二萃取固體與該第二萃取液體,其中該第二萃取液體包含第一金屬離子;及(e)使該第一萃取液體接觸一pH調節劑而分離第二金屬離子與第三金屬離子。
較佳地,該第一萃取液體包含至少一個螯合劑、至少一個氧化劑、及至少一個催化劑。較佳地,該第二萃取液體包含至少一個螯合劑、至少一個氧化劑、及至少一個催化劑。熟諳技藝人士須瞭解第一萃取液體可與第二萃取液體相同或相異。於一較佳具體例中,第一金屬包含金,第二金屬包含銀,及第三金屬包含銅。
於又另一態樣中,描述一種從電子廢棄物去除多於一種金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一第一金屬消化組成物而形成一第一萃取液體及一第一萃取固體;(b)分離該第一萃取固體與該第一萃取液體;(c)使該第一萃取固體接觸一第二金屬消化組成物而形成一第二萃取液體及一第二萃取固體;(d)分離該第二萃取固體與該第二萃取液體,其中該第二萃取液體包含第一金屬離子;及(e)使該第一萃取液體接觸與該第一萃取液體不可相溶混之一有機組分而分離第二金屬離子與第三金屬離子。
較佳地,該第一萃取液體包含至少一個螯合劑、至少一個氧化劑、及至少一個催化劑。較佳地,該第二萃取液體包含至少一個螯合劑、至少一個氧化劑、及至少一個催化劑。熟諳技藝人士須瞭解第一萃取液體可與第二萃取液體相同或相異。於一較佳具體例中,第一金屬包含金,第二金屬包含銀,及第三金屬包含銅。
於又另一具體例中,一種從電子廢棄物去除金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一組成物以從該電子廢棄物萃取至少兩種金屬離子;(b)將萃取自該電子廢棄物之至少兩種金屬離子分離成個別金屬離子分量;及(c)還原金屬離子之各個分量成為固體金屬。
其它態樣、特徵結構及優點從後文揭示及隨附之申請專利範圍將更完整彰顯。
圖1顯示本案所述之通用分離方法。
圖2示意地顯示該分離方法,其中該添加劑為pH調節劑。
圖3示意地顯示該分離方法,其中該添加劑為有機組分。
圖4顯示使用配方D以小規模序列萃取所萃取得之Ag、Al、Au、Cu、Fe、Mn、Ni、Pb、Sb、Sn及Zn之百分比呈所萃取之金屬總質量之函數。
圖5顯示使用配方D以大規模序列萃取所萃取得之Ag、Al、Au、Cu、Fe、Mn、Ni、Pb、Sb、Sn及Zn之百分比呈所萃取之金屬總質量之函數。
本發明大致上係有關回收印刷線路板之環保方法,更明確言之,係有關回收從印刷線路板移除的組分之環保方法。
用於本文揭示之目的,「電子廢棄物」或「e-廢棄物」係相對應於電腦、電腦監視器、電視接收器、行動電話、視訊攝影機、數位相機、DVD播放器、視訊遊戲主機台、傳真機、影印機、MP3播放器、及類似產品達到其有用壽命終點或由於其它因素已經被棄置。電子廢棄物或e-廢棄物包括此等眾所周知之項目所含的組件諸如印刷線路板及其上所含的組件(例如電晶體、電容器、散熱座、積體電路(IC)、電阻器、整合型開關、晶片及處理器)。
如此處使用,「金屬」相對應於較佳係從自印刷線路板去除的組件所萃取的貴金屬及卑金屬。
如此處使用,「貴金屬」包括諸如金、銀、鉑、鈀、包含其之合金及其組合物等金屬。
如此處使用,「卑金屬」相對應於鐵、鎳、鉛、鋅、包含其之合金及其組合物。雖然其本身並非卑金屬,但用於本發明之目的,卑金屬進一步包括銅、錳、錫、銻、鋁及包含其之合金及其組合物。
「實質上不含」於此處係定義為小於2wt.%,較佳小於1wt.%,更佳小於0.5wt.%,及最佳小於0.1wt.%。「不含」係相對應於0wt.%。
如此處使用,「約」意圖相對應於所述數值之±5%。
如此處使用,「錯合劑」包括熟諳技藝人士瞭解為錯合劑、螯合劑、鉗合劑、及其組合之該等化合物。錯合劑將與金屬原子或欲使用此處所述組成物去除之金屬離子進行化學組合或物理性保有。
用於此處所述目的,「印刷線路板」及「印刷電路板」為同義字因此可互換使用。
為了達成本說明之目的,「PWB組件」包括但非限於電晶體、電容器、散熱座、IC、電阻器、整合型開關、晶片及處理器。
如此處使用,「釋放」一詞相對應於從該PWB組件完全去除該等組件,或從PWB組件部分釋放該等組件,其中從PWB部分釋放組件係相對應於弱化該等組件焊接結合至PWB,而釋放之其餘部分可藉其它方法進行。
如此處使用,「實質上分離」相對應於從包含至少兩種金屬之材料或組成物分離第一金屬,其中從該材料或組成物分離至少75wt%第一金屬,較佳從該材料或組成物分離至少85wt%,又更佳至少90wt%,及最佳至少95wt%第一金屬。
組成物可以寬廣多種特定配方具體實施,容後詳述。於全部此等組成物中,其中組成物之特定組分係參考包括下限零之重量百分比範圍討論,須瞭解此等組分可存在於或不存在於組成物之多種特定具體例,於存在有此等組分之情況下,以採用此等組分之組成物總重為基準,其可以低抵0.001重量百分比之濃度存在。
於共同審查中之專利申請案61/362,118申請日2010年7月7日,及61/368,360申請日2010年7月28日,二案名稱皆為「從印刷線路板再生
貴金屬及銅之方法」,二案全文皆係以引用方式併入此處,描述一種從表面去除焊料之方法(例如從印刷線路板(PWB)去除含鉛及/或錫之焊料之方法)。隨著焊料之去除,PWB上的組件釋放,及該等組件可分離成可回收再利用的該等組件,及必須進一步加工處理用於廢棄、再生有用材料等之該等組件。本揭示係有關於得自必須進一步加工處理之PWB組件之材料的再生。須瞭解本發明係有關得自PW組件之材料的再生而與其獲得方法無關(例如脫焊、瓦解、鑿開、磨細、濕化學處理或使用技藝界已知之若干其它方法)。
於第一態樣中,描述一種從電子廢棄物去除金屬之方法及大致上舉例說明於圖1,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一組成物來從該電子廢棄物萃取至少兩種金屬離子;(b)將萃取自該電子廢棄物之至少兩種金屬離子分離成個別金屬離子分量;及(c)還原金屬離子之各個分量成為固體金屬。
於一個具體例中,於圖2及圖3描述及舉例說明一種從電子廢棄物去除多於一種金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一第一金屬消化組成物而形成一第一萃取液體及一第一萃取固體;(b)分離該第一萃取固體與該第一萃取液體;(c)使該第一萃取固體接觸一第二金屬消化組成物而形成一第二萃取液體及一第二萃取固體;(d)分離該第二萃取固體與該第二萃取液體,其中該第二萃取液體包含第一金屬離子;及(e)使該第一萃取液體接觸一添加劑而分離第二金屬離子與第三金屬離子。
於另一個具體例中,於圖2及圖3描述及舉例說明一種從電子廢棄物去除多於一種金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一第一金屬消化組成物而形成一第一萃取液體及一第一萃取固體;(b)分離該第一萃取固體與該第一萃取液體;(c)使該第一萃取固體接觸一第二金屬消化組成物而形成一第二萃取液體及一第二萃取固體;(d)分離該第二萃取固體與該第二萃取液體,其中該第二萃取液體包含第一金屬離子;(e)使該第一萃取液體接觸一添加劑而分離第二金屬離子與第三金屬離子;及(f)將該第一金屬離子還原成一第一金屬,該第二金屬離子還原成一第二金屬,及該第三金屬離子還原成一第三金屬。
電子廢棄物可粉化成粉末、切碎成碎片、壓碎、或呈任何其它形式,只要電子廢棄物所含之金屬方便暴露以供從電子廢棄物中萃取即可。如此處定義,「壓碎」電子廢棄物係相對應於將電子廢棄物(例如PWB組件)之金或其它貴金屬實質上暴露於萃取組成物之任一種方法,例如斷裂、粉碎或切碎電子廢棄物。較佳,電子廢棄物經碎裂,因此減少金或其它貴金屬由於粉化或切碎之損失量。若碎屑經粉化,其中金粉塵黏著於分離液流且喪失於磁性分量,則貴金屬可能損失。如此,壓碎進一步定義為比較諸如粉化或切碎等方法,金或其它貴金屬之損失量不大於10%,較佳不大於5%,又更佳不大於2%之方法。此外,壓碎電子廢棄物經由減少含有危險性金屬及溴化阻燃劑之粉塵的釋放,因此減少對人體健康的危害。
於一個具體例中,第一金屬消化組成物包含、其組成為或其主要組成為至少一種氧化劑及至少一種錯合劑。於另一個具體例中,第
一金屬消化組成物包含、其組成為或其主要組成為至少一種氧化劑、至少一種錯合劑、及至少一種催化劑。第一金屬消化組成物較佳比較王水或含氰化物之組成物更佳環保。又復,第一金屬消化組成物較佳係配方來從電子廢棄物分離第一金屬或金屬離子成為可進一步加工處理來再生金屬之一分量。舉例言之,於一個具體例中,第一金屬消化組成物可用來從其它貴金屬及卑金屬中分離金,其中金係存在於固體,及其它貴金屬及卑金屬係溶解於第一金屬消化組成物。例如,金及聚合物料係存在於第一萃取固體,而第一萃取液體包含金以外之貴金屬及其它卑金屬。
於施用第一萃取,如此處所述第一金屬消化組成物係以任一種適當方式接觸電子廢棄物,例如經由噴灑該組成物至電子廢棄物上,經由浸泡電子廢棄物(於定量體積之組成物),經由該電子廢棄物接觸其上吸收有另一種材料例如襯墊或纖維狀吸收性施用器元件,或藉任何其它手段、方式或技術,藉此組成物接觸電子廢棄物。使用第一金屬消化組成物之第一萃取方法可以是靜態或動態。較佳該方法為動態因而進行攪動及/或超音波處理。
於使用第一金屬消化組成物,組成物典型地係於約20℃至約70℃,較佳約20℃至約50℃範圍之溫度接觸電子廢棄物經歷約10分鐘至約200分鐘,較佳約30分鐘至135分鐘時間。此等接觸時間及溫度為舉例說明,任何其它適當時間及溫度條件皆可採用,其可有效用來將第一金屬或金屬離子從電子廢棄物分離成第一分量,該第一分量可進一步處理來再生該金屬。
氧化劑係含括於組成物以氧化欲去除的金屬成為離子形式。此處預期涵蓋之氧化劑包括但非限於甲烷磺酸(MSA)、乙烷磺酸、苯磺酸、2-羥基乙烷磺酸、環己基胺基磺酸、正丙烷磺酸、正丁烷磺酸、或正辛烷磺酸、過氧化氫(H2O2)、FeCl3(水合及非水合二者)、奧松
(oxone)(2KHSO5.KHSO4.K2SO4)、多原子銨鹽類(例如過氧基一硫酸銨、亞氯酸銨(NH4ClO2)、氯酸銨(NH4ClO3)、碘酸銨(NH4IO3)、過硼酸銨(NH4BO3)、過氯酸銨(NH4ClO4)、過碘酸銨(NH4IO3)、過硫酸銨((NH4)2S2O8)、次氯酸銨(NH4ClO))、多原子鈉鹽類(例如過硫酸鈉(Na2S2O8)、次氯酸鈉(NaClO))、多原子鉀鹽類(例如碘酸鉀(KIO3)、過錳酸鉀(KMnO4)、過硫酸鉀、硝酸(HNO3)、過硫酸鉀(K2S2O8)、次氯酸鉀(KClO))、多原子四甲基銨鹽類(例如亞氯酸四甲基銨((N(CH3)4)ClO2)、氯酸四甲基銨((N(CH3)4)ClO3)、碘酸四甲基銨((N(CH3)4)IO3)、過硼酸四甲基銨((N(CH3)4)BO3)、過氯酸四甲基銨((N(CH3)4)ClO4)、過碘酸四甲基銨((N(CH3)4)IO4)、過硫酸四甲基銨((N(CH3)4)S2O8))、多原子四丁基銨鹽類(例如過氧基一硫酸四甲基銨)、過氧基一硫酸、硝酸鐵(Fe(NO3)3)、尿素過氧化氫((CO(NH2)2)H2O2)、過乙酸(CH3(CO)OOH)、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸銨、4-甲氧基苯磺酸、4-羥基苯磺酸、4-胺基苯磺酸、4-硝基苯磺酸、甲苯磺酸、己基苯磺酸、庚基苯磺酸、辛基苯磺酸、壬基苯磺酸、癸基苯磺酸、十一烷基苯磺酸、十二烷基苯磺酸、十三烷基苯磺酸、十四烷基苯磺酸、十六烷基苯磺酸、3-硝基苯磺酸、2-硝基苯磺酸、2-硝基萘磺酸、3-硝基萘磺酸、2,3-二硝基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2,5-二硝基苯磺酸、2,6-二硝基苯磺酸、3,5-二硝基苯磺酸、2,4,6-三硝基苯磺酸、3-胺基苯磺酸、2-胺基苯磺酸、2-胺基萘磺酸、3-胺基萘磺酸、2,3-二胺基苯磺酸、2,4-二胺基苯磺酸、2,5-二胺基苯磺酸、2,6-二胺基苯磺酸、3,5-二胺基苯磺酸、2,4,6-三硝基苯磺酸、3-羥基苯磺酸、2-羥基苯磺酸、2-羥基藥磺酸、3-羥基萘磺酸、2,3-二羥基苯磺酸、2,4-二羥基苯磺酸、2,5-二羥基苯磺酸、2,6-二羥基苯磺酸、3,5-二羥基苯磺酸、2,3,4-三羥基苯磺酸、2,3,5-三羥基苯磺酸、2,3,6-三羥基苯磺酸、2,4,5-三羥基苯磺酸、2,4,6-三羥基苯磺酸、
3,4,5-三羥基苯磺酸、2,3,4,5-四羥基苯磺酸、2,3,4,6-四羥基苯磺酸、2,3,5,6-四羥基苯磺酸、2,4,5,6-四羥基苯磺酸、3-甲氧苯磺酸、2-甲氧苯磺酸、2,3-二甲氧苯磺酸、2,4-二甲氧苯磺酸、2,5-二甲氧苯磺酸、2,6-二甲氧苯磺酸、3,5-二甲氧苯磺酸、2,4,6-三甲氧苯磺酸、及其組合物。氧化劑可於製造廠、於第一組成物導入PWB之前、或另外,於PWB亦即於原位導入第一組成物。較佳,氧化劑包含過氧化物化合物諸如過氧化氫。
含括錯合劑以錯合藉氧化劑所導入的離子。此處意圖涵蓋之錯合劑包括但非限於:β-二酮酸酯化合物諸如乙醯基丙酮酸酯、1,1,1-三氟-2,4-戊二酮、及1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮;羧酸酯類諸如甲酸酯類及乙酸酯類及其它長鏈羧酸酯類;及醯胺類(及胺類)諸如貳(三甲基矽烷基醯胺)四元體。額外螯合劑包括胺類及胺基酸類(亦即甘胺酸、絲胺酸、脯胺酸、白胺酸、丙胺酸、天冬醯胺、天冬酸、麩胺、纈胺酸、及離胺酸)、檸檬酸、乙酸、順丁烯二酸、草酸、丙二酸、丁二酸、膦酸、膦酸衍生物諸如羥基亞乙基二膦酸(HEDP)、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、腈基-參(亞甲基膦酸)、腈基三乙酸、亞胺基二乙酸、愛堤卓尼克酸(etidronic acid)、伸乙基二胺、伸乙基二胺四乙酸(EDTA)、及(1,2-伸環己基二腈基)四乙酸(CDTA)、尿酸、四乙二醇二甲醚(tetraglyme)、五甲基二伸乙基三胺(PMDETA)、1,3,5-三4.-2,4,6-三硫醇三鈉鹽溶液、1,3,5-三4.-2,4,6-三硫醇三銨鹽溶液、二乙基二硫代胺基甲酸鈉、具有一個烷基(R2=己基、辛基、癸基或十二烷基)及一個寡醚(R1(CH2CH2O)2,此處R1=乙基或丁基)之羥二取代之二硫代胺基甲酸酯類(R1(CH2CH2O)2NR2CS2Na)、硫酸銨、一乙醇胺(MEA)、迪奎特(Dequest)2000、迪奎特2010、迪奎特2060、二伸乙基三胺五乙酸、伸丙基二胺四乙酸、2-羥基吡啶1-氧化物、伸乙基二胺二丁二酸(EDDS)、N-(2-羥基乙基)亞胺基二乙酸(HEIDA)、三磷酸
五鹼基鈉、其鈉鹽及銨鹽、氯化銨、硫酸銨、鹽酸、硫酸、及其組合物。較佳地,該錯合劑包含鹽酸或硫酸。
添加催化劑係為了增進從電子廢棄物去除金屬之去除率。較佳地,催化劑包含二醇或二醇醚,其係選自於由乙二醇、丙二醇、丁二醇、二丙二醇、二乙二醇一甲醚、三乙二醇一甲醚、二乙二醇一乙醚、三乙二醇一乙醚、乙二醇一丙醚、乙二醇一丁醚、二乙二醇一丁醚(DEGBE)、三乙二醇一丁醚、乙二醇一己醚、二乙二醇一己醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚(DPGME)、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚(DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、及其組合物所組成之組群。最佳地,催化劑包含二乙二醇一丁基醚、丙二醇、二丙二醇一丁基醚、及其組合物。最佳地,催化劑包含DEGBE。當含括時,催化劑之含量係於約0.01wt%至約10wt%,較佳約0.1wt%至約5wt%,及最佳約0.5wt%至約1wt%之範圍。雖然不欲受理論所限,相信經由改變催化劑之鏈長度(例如甲基相對於丁基),可改變第一萃取組成物針對某些金屬之選擇性。
較佳地,於一個具體例中,第一金屬消化組成物包含、其組成為、其主要組成為鹽酸及過氧化氫。於另一個具體例中,第一金屬消化組成物包含、其組成為、或其主要組成為鹽酸、過氧化氫、及二醇或二醇醚。又另一個具體例中,第一金屬消化組成物包含、其組成為、或其主要組成為鹽酸、過氧化氫、及二乙二醇一丁基醚。第一金屬消化組成物實質上不含硝酸及含氰化物之組分。較佳地,第一金屬消化組成物為水溶性、非腐蝕性、不可燃性及低毒性。
如圖2及圖3所示,於使用第一金屬消化組成物進行第一次萃取後,有第一萃取固體及第一萃取液體。如前文導論,第一金屬消化組
成物較佳係配方來將第一金屬或金屬離子從電子廢棄物分離成可進一步加工處理來再生第一金屬之分量。舉例言之,於一個具體例中,第一金屬消化組成物可用來從其它貴金屬及卑金屬分離金。如圖2及圖3例示顯示,第一萃取固體可包含金,而第一萃取液體可包含其它貴金屬及卑金屬(例如銀及銅)之離子。
於第一萃取後,第一萃取固體可使用技藝界眾所周知之方法(例如過濾手段、離心及傾析等)而從第一萃取液體分離。
如圖2及圖3所示,一旦獲得第一萃取固體,即開始第二萃取,其中第二金屬消化組成物係組合包含第一金屬(例如金)之第一萃取固體。第二金屬消化組成物可與第一金屬消化組成物相同或相異。較佳地,第二金屬消化組成物係與第一金屬消化組成物相同,其中第一金屬消化組成物接觸電子廢棄物之時間及/或溫度係與第二金屬消化組成物接觸第一萃取固體之時間及/或溫度不同,其將於此處實施例中澄清。
於施用第二萃取,如此處所述第二金屬消化組成物係以適當方式接觸第一萃取固體,例如經由將組成物噴灑於第一萃取固體上,經由浸泡第一萃取固體(於定量組成物),經由第一萃取固體接觸其它材料例如其上吸收有該組成物之襯墊或纖維狀吸收性施用器元件,或經由其它適當手段、方式或技術,經由將組成物接觸第一萃取固體。使用第二金屬消化組成物之第二萃取方法可以是靜態或動態。較佳該方法為動態,因而出現攪動及/或超音波處理。
於使用第二金屬消化組成物,組成物典型係於約20℃至約70℃,較佳於約20℃至約50℃範圍之溫度接觸第一萃取固體經歷約10分鐘至約200分鐘,較佳約30分鐘至135分鐘時間。此種接觸時間及溫度為舉例說明,可採用可有效地從第一萃取固體分離第一金屬離子成為可進一步加工處理來再生該金屬之分量之任何其它適當時間及溫度。
於一個具體例中,第二金屬消化組成物包含、其組成為、或其主要組成為至少一種氧化劑及至少一種錯合劑。於另一個具體例中,第二金屬消化組成物包含、其組成為、或其主要組成為至少一種氧化劑、至少一種錯合劑、及至少一種催化劑。第二金屬消化組成物較佳比較硝酸及含氰化物組成物實質上更為環保且實質上不含硝酸及含氰化物組成物。又復,第二金屬消化組成物較佳係配方成從第一萃取固體實質上分離第一金屬離子成為可進一步加工處理來再生該金屬之分量(例如水性分量)。例如,於一個具體例中,第二金屬消化組成物可用從第一萃取固體分離金離子,其中第二萃取固體包含聚合物料。氧化劑、錯合劑及催化劑係與前文描述者相同。
如圖2及圖3所示,使用第二金屬消化組成物進行第二次萃取後,可有第二萃取固體及第二萃取液體。如前文介紹,第二金屬消化組成物較佳係配方來從第一萃取固體實質上分離第一金屬離子(例如金)成為可進一步加工處理來再生金屬之分量(例如第二萃取液體)。例如於一個具體例中,第二金屬消化組成物可用來從第一萃取固體分離金離子。如圖2及圖3所示,第二萃取液體包含金離子,而第二萃取固體包含殘餘塑膠。熟諳技藝人士須瞭解殘餘塑膠可被拋棄,或另外循環利用或回收再生供再度使用。於金屬離子萃取入第二萃取液體後,經由還原金屬離子可獲得金屬,容後詳述。
於從第一萃取液體分離第一萃取固體後,可加入添加劑來進一步分離存在於第一萃取液體之金屬。添加劑可以是pH調節劑或有機相使得當添加添加劑至第一萃取液體時,基於使用沈澱或分離第二金屬離子從第三金屬離子分離。另外,或除了添加pH調節劑或有機添加劑,可改變接觸條件之溫度。
技藝界已知隨著溶液pH之升高,某些金屬離子溶液形成氫氧化物固體。如此於一個具體例中,添加劑為pH調節劑,其中第一萃取
液體之pH升高至約6至約12,較佳約9至約11之範圍,來分離第二金屬離子與第一萃取液體。此處預期涵蓋之pH調節劑較佳包括氫氧陰離子諸如鹼金屬及鹼土金屬氫氧化物諸如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銣、氫氧化銫、氫氧化鎂、氫氧化鈣、氫氧化鍶、或氫氧化鋇。另外,pH調節劑可包括具有式[NR1R2R3R4]+OH-之第四銨鹼,其中R1、R2、R3及R4係彼此相同或相異且係選自於由氫、直鏈或分支鏈C1-C6烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基)、C6-C10芳基(例如苄基)、及其組合所組成之組群。pH調節劑添加至第一萃取液體較佳係將第二金屬離子從第一萃取液體分離至可進一步加工處理來再生該金屬之一分量。例如,如圖2所示,於pH斜坡式變化至約6至約12,較佳約9至約11之範圍時,將形成包含金屬氫氧化物之沈澱(「pH斜坡式固體」),該沈澱溶液從包含第二金屬離子之其餘液體(「pH斜坡式液體」)分離。pH斜坡式固體可使用技藝界眾所周知之方法(例如過濾手段、離心及傾析等)而從pH斜坡式液體分離。舉例言之,於pH斜坡式液體中之第二金屬離子包含銀離子,其實質上可從第一萃取液體之其它金屬分離,在pH調節劑存在下容易形成氫氧化物固體。包含銀離子之pH斜坡式液體於隨後步驟可被還原成銀金屬,容後詳述。
從pH斜坡式液體分離後剩餘之pH斜坡式固體可包含數種金屬,最值得注意者為銅係呈金屬氫氧化物鹽形式。銅離子隨後從pH斜坡式固體萃取入水相,接著還原成銅金屬。例如,使用稀硫酸溶液可從固體萃取銅離子。
如此,另一個具體例係有關於如圖2所示從電子廢棄物去除多於一種金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一第一金屬消化組成物而形成一第一萃取液體及一第一萃取固體;(b)分離該第一萃取固體與該第一萃取液體;
(c)使該第一萃取固體接觸一第二金屬消化組成物而形成一第二萃取液體及一第二萃取固體;(d)分離該第二萃取固體與該第二萃取液體,其中該第二萃取液體包含第一金屬離子;及(e)使該第一萃取液體接觸一pH調節劑而分離第二金屬離子與第三金屬離子。
又另一具體例係有關於如圖2所示從電子廢棄物去除多於一種金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一第一金屬消化組成物而形成一第一萃取液體及一第一萃取固體;(b)分離該第一萃取固體與該第一萃取液體;(c)使該第一萃取固體接觸一第二金屬消化組成物而形成一第二萃取液體及一第二萃取固體;(d)分離該第二萃取固體與該第二萃取液體,其中該第二萃取液體包含第一金屬離子;(e)使該第一萃取液體接觸一pH調節劑而分離第二金屬離子與第三金屬離子;及(f)將第一金屬離子還原成第一金屬,第二金屬離子還原成第二金屬,及第三金屬離子還原成第三金屬。
於另一個具體例中,添加劑為添加至第一萃取液來從另一金屬離子(例如第三金屬離子)分離金屬離子(例如第二金屬離子)之有機成分。更明確言之,有機成分添加至第一萃取液體,將形成二相(有機組分係與水性之第一萃取液體實質上為不相溶混),一相包含第二金屬離子及另一相包含第三金屬離子。此處意圖涵蓋之有機組分包括羥基肟類諸如ACORGA® M5774金屬萃取劑(Cytec Industries,Inc.)或其相當物。有機組分添加至第一萃取液體較佳係從第一萃取液體分離第
二金屬離子進入可進一步加工處理來再生金屬之分量。例如,參考圖3,水相可包含陰離子,一有機相可包含銅離子。包含銀離子之水相pH可斜坡式變化至約6至約12,較佳約9至約11之範圍,如前文描述,其中銀離子實質上與水相的其它金屬分離,該等金屬於pH調節劑存在下容易形成氫氧化物固體。於從pH斜坡式液體分離pH斜坡式固體後,pH斜坡式液體內之銀離子可還原而獲得銀金屬。第三金屬離子可從有機相萃取入水相,及包含第三金屬離子之水相可經還原來獲得銅金屬。從有機相萃取銅離子可使用稀硫酸進行。
金屬離子還原成固態高純度金屬為熟諳技藝人士眾所周知。較佳地,還原劑為所謂的環保化學品。此外,較佳地還原係以最少加熱需求快速發生。例如,較佳還原劑包括但非限於抗壞血酸、丙二酸二乙酯、偏亞硫酸氫鈉、波利菲農(polyphenon)60、葡萄糖及檸檬酸鈉。
如此,另一個具體例係有關於如圖3所示從電子廢棄物去除多於一種金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一第一金屬消化組成物而形成一第一萃取液體及一第一萃取固體;(b)分離該第一萃取固體與該第一萃取液體;(c)使該第一萃取固體接觸一第二金屬消化組成物而形成一第二萃取液體及一第二萃取固體;(d)分離該第二萃取固體與該第二萃取液體,其中該第二萃取液體包含第一金屬離子;及(e)使該第一萃取液體接觸與該第一萃取液體不可相溶混之一有機組分而分離第二金屬離子與第三金屬離子。
又另一具體例係有關於如圖3所示從電子廢棄物去除多於一種金屬之方法,該方法包含:
(a)使該電子廢棄物接觸一第一金屬消化組成物而形成一第一萃取液體及一第一萃取固體;(b)分離該第一萃取固體與該第一萃取液體;(c)使該第一萃取固體接觸一第二金屬消化組成物而形成一第二萃取液體及一第二萃取固體;(d)分離該第二萃取固體與該第二萃取液體,其中該第二萃取液體包含第一金屬離子;(c)使該第一萃取液體接觸與該第一萃取液體不可相溶混之一有機組分而分離第二金屬離子與第三金屬離子;及(f)將第一金屬離子還原成第一金屬,第二金屬離子還原成第二金屬,及第三金屬離子還原成第三金屬。
此處所述組成物容易藉簡單添加個別成分及混合成均質條件而配方。此外,組成物容易配方為單一包裝調配物或多份式調配物,其於使用點或在使用點之前混合,例如多份式配方之個別部分可在工具內或工具上游的混合槽內混合。個別成分之濃度可以組成物之特定倍數寬廣改變,亦即更稀釋或更濃縮,須瞭解此處所述組成物可有多種變化及另外包含、其組成為或其主要組成為與此處揭示一致之成分的任一種組合。
使用此處所述方法,可回收再生電子廢棄物中高於90wt%金屬。
於另一態樣中,此處所述方法可用於礦業來從礦石中分離金屬。例如替換起始之電子廢棄物,欲使用第一金屬消化組成物萃取之有機材料為礦石或礦業之若干其它產物。
於另一態樣中,描述一種從電子廢棄物去除金屬之方法,該方法包括於某種條件下使電子廢棄物接觸組成物來從該電子廢棄物中萃取金屬離子進入萃取組成物,其中該組成物包含、其組成為、其主要
組成為至少一種氧化劑、至少一種錯合劑、及至少一種催化劑。適當氧化劑、錯合劑及催化劑已經如此處描述。於一個具體例中,該組成物包含、其組成為或其主要組成為鹽酸、過氧化氫、及二醇或二醇醚。於另一個具體例中,該組成物包含、其組成為、或其主要組成為鹽酸、過氧化氫及二乙二醇一丁醚。於較佳具體例中,該方法進一步包含從固體電子廢棄物分離包含金屬離子之萃取組成物。固體金屬可經由還原萃取組成物中之金屬離子獲得(例如使用適合用於此項目的之還原劑)。於一具體例中,使用此處所述萃取組成物處理之電子廢棄物可含有兩種或多種不同金屬。
於又另一態樣中,描述一種從電子廢棄物去除金屬之方法,該方法包含:(a)於特定條件下使電子廢棄物接觸一組成物來從該電子廢棄物萃取金屬離子進入萃取組成物;(b)從固體電子廢棄物分離包含金屬之萃取組成物;及(c)從該包含金屬離子之萃取組成物獲得固體金屬,其中該組成物包含、其組成為、其主要組成為至少一種氧化劑、至少一種錯合劑、及至少一種催化劑。適當氧化劑、錯合劑及催化劑已經如此處描述。於一個具體例中,該組成物包含、其組成為或其主要組成為鹽酸、過氧化氫、及二醇或二醇醚。於另一個具體例中,該組成物包含、其組成為、或其主要組成為鹽酸、過氧化氫及二乙二醇一丁醚。經由還原於萃取組成物之金屬離子(例如使用適合用於該項目的之還原劑)可獲得固體金屬。於一具體例中,使用此處所述萃取組成物處理之電子廢棄物可含有兩種或多種不同金屬。
於另一態樣中,一種從至少第二金屬分離第一金屬之方法,該方法包含於特定條件下使得包含第一及第二金屬之材料接觸一種組成物來從該材料中萃取第一金屬離子進入萃取組成物,其中該組成物包含、其組成為、其主要組成為至少一種氧化劑、至少一種錯合劑、及至少一種催化劑。適當氧化劑、錯合劑及催化劑已經如此處描述。於
一個具體例中,該組成物包含、其組成為或其主要組成為鹽酸、過氧化氫、及二醇或二醇醚。於另一個具體例中,該組成物包含、其組成為、或其主要組成為鹽酸、過氧化氫及二乙二醇一丁醚。於另一態樣中,該方法進一步包含從該材料分離包含第一金屬離子之萃取組成物。固體第一金屬可經由還原萃取組成物中之第一金屬離子(例如使用適合用於該項目的之還原劑)獲得。
於另一態樣中,一種從至少第二金屬分離第一金屬之方法,該方法包含:(a)使包含第一及第二金屬之材料於特定條件下接觸一種組成物來從該材料萃取第一金屬離子進入萃取組成物;(b)從該材料分離包含第一金屬離子之萃取組成物;及(c)從該第一金屬離子獲得固體第一金屬,其中該組成物包含、其組成為、其主要組成為至少一種氧化劑、至少一種錯合劑、及至少一種催化劑。適當氧化劑、錯合劑及催化劑已經如此處描述。於一個具體例中,該組成物包含、其組成為或其主要組成為鹽酸、過氧化氫、及二醇或二醇醚。於另一個具體例中,該組成物包含、其組成為、或其主要組成為鹽酸、過氧化氫及二乙二醇一丁醚。經由還原萃取組成物之第一金屬離子(例如使用適合用於該項目的之還原劑)可獲得固體第一金屬。
本發明之特徵結構及優點經由後文討論之具體實施例將更完整顯示。
使用此處所述第一金屬消化組成物變化例進行電子廢棄物之第一萃取。電子廢棄物研磨成為粗粉。粉末之單一消化及多次消化係重複進行,第一萃取組成物及第一萃取固體係使用感應耦合電漿質譜術(ICP-MS)進行分析。全部消化皆係使用500毫克至10克粉末於10毫升至200毫升第一金屬消化組成物進行。整個消化期間進行攪動。於約室溫至約50℃範圍之溫度消化時間係自約30分鐘至約135分鐘。
接受測試之第一金屬消化組成物如下:
配方A:王水(對照,3:1 HCl:HNO3)
配方B:37% HCl:30% H2O2(90%:10%體積比)
配方C:37% HCl:30% H2O2(90%:10%體積比)含NH4Cl或NH4SCN
配方D:37% HCl:30% H2O2(90%:10%體積比+0.75vol.% DEGBE)
配方E:37% HCl:30% H2O2(90%:10%體積比+0.75vol.%丙二醇)
配方F:37% HCl:30% H2O2(90%:10%體積比+0.75vol.% DPGBE)
配方G:愛堤卓尼克酸+DEGBE(99%:1%體積比)
配方H:1:1:6 H2SO4:H2O2:H2O
配方I:37% HCl:30% H2O2(90%:10%體積比+0.5vol.% DEGBE)
配方J:37% HCl:30% H2O2(90%:10%體積比+1vol.% DEGBE)
配方K:95% H2SO4:30% H2O2(90%:10%體積比)
配方L:95% H2SO4:30% H2O2(90%:10%體積比+0.75vol.% DEGBE)
配方M:37% HCl:30% H2O2(90%:10%體積比+25vol.% DEGBE)
配方N:75vol.%愛堤卓尼克酸+25vol.% DEGBE
配方O:愛堤卓尼克酸+DEGBE+NH4Cl(94%:1%:5%體積比)
使用此處所述方法從電子廢棄物萃取金、銀及銅之實驗結果及配方顯示於下表1。王水(配方A)結果係經標準化以容易與其它消化產物做比較。
可知多種消化方法相對於王水(配方A)可獲得高於90%之一種或多種金屬的萃取效率。大於100%之值指示針對該種金屬之萃取效率係高於王水。多次萃取可獲得相對於王水,金、銀及銅之100%回收率。
可知可選擇配方及反應條件來確保銀及銅離子相對於金的選擇性萃取。舉例言之,第一萃取可使用配方J作為第一金屬消化組成物於50℃經歷30分鐘時間進行,銀離子及銅離子分別具有79%及95%萃
取效率(相對於王水),而未萃取金。然後使用乾淨配方J作為第二金屬消化組成物於室溫經歷30分鐘時間,容易地從電子廢棄物萃取金離子。於另一個替代例中,第一金屬消化組成物可為配方F於50℃歷30分鐘,而第二金屬消化組成物可為乾淨配方F於室溫歷30分鐘。須瞭解此等僅為驗證可調配消化組成物來選擇適當溫度及時間而針對此處所述第一萃取步驟,相對於金選擇性萃取金屬離子之實施例。
另一種測定金屬萃取效率之方法係測定萃取至該液體中之單一金屬總質量相對於該金屬於該電子廢棄物粉末之總質量。於本方法中,電子廢棄物粉末係經消化,然後液體與固體分離,液體及固體皆經分析以測定其金屬接觸,及算出液體中之金屬相對於電子廢棄物中金屬總量之百分比。若該萃取為高度有效,則將發現關注的金屬出現於液體,該金屬已經從固體中萃取出。結果顯示於表2。
可知最有效之萃取為配方D序列萃取,其中電子廢棄物係於配方D於50℃消化30分鐘,消化液被去除,剩餘電子廢棄物於乾淨配方D又於50℃消化75分鐘,及去除消化液。
於50℃萃取電子廢棄物30分鐘,接著使用乾淨配方D兩次額外萃取30分鐘及75分鐘進行小規模之序列萃取。結果顯示於圖4,其中於50℃除了金以外之全部金屬皆在最初30分鐘萃取以內被強力萃取,及93%金之總質量係在第二次30分鐘及第三次75分鐘萃取時被萃取。
使用配方D經由於50℃萃取電子廢棄物30分鐘,接著使用乾淨配方D額外萃取105分鐘進行大規模序列萃取(相對於小規模序列萃取的規模為20倍大)。結果顯示於圖5,其中於大規模達成銀及銅與金之較佳分離。
如此,序列萃取係用於從金分離銀及銅。
然後,始於本實施例之小規模第一萃取液之一等分試樣(配方D,50℃,30分鐘),其實質上不含金,逐滴添加氫氧化鈉(例如參考圖2,pH斜坡式)。於約pH 6形成沈澱。沈澱(於pH 6之pH斜坡式固體)及剩餘液體(於pH 10之pH斜坡式液體)使用ICP-MS分析金屬離子含量。結果顯示於表3:表3:針對小規模萃取於pH斜坡式固體中之金屬離子相對於pH斜坡式液體之每百萬份之份數(ppm)。
可知使用小規模萃取pH斜坡式,pH斜坡式液體含有大部分銀(82%),而沈澱含有100%銅及大部分之剩餘金屬。
然後,始於本實施例之大規模第一萃取液之一等分試檬(配方D,50℃,30分鐘),其實質上不含金,逐滴添加氫氧化鈉。於約pH 6形成沈澱。沈澱(於pH 6之pH斜坡式固體)及剩餘液體(於pH 12之pH斜坡式液體)使用ICP-MS分析金屬離子含量。結果顯示於表4:
可知使用大規模萃取pH斜坡式,pH斜坡式液體含有大部分100%銀,而沈澱含有99%銅及大部分之剩餘金屬。
另外,有機組分可組合第一萃取液體來允許期望的金屬離子選擇性沈澱(例如參考圖3,添加添加劑)。關注的有機組分為M-5774,其為肟類及醛肟類之專有混合物,該混合物對銅離子具有選擇性及從水性溶液中相分離。有機層從包含銅離子之水性溶液中萃取銅離子。於萃取入M-5774後,使用稀硫酸洗滌而從有機M-5774層回收銅離子。
始於本實施例一等分試檬小規模第一萃取液體(配方D,50℃,30分鐘),其實質上不含金,於不同pH及溫度條件下添加M-5774歷經30分鐘(例如參考圖3,添加添加劑)。形成二層。一層為水性及一層為有機性。於分離二層後,水層使用ICP-MS分析金屬離子。結果顯
示於表5:
可知於pH 4及室溫使用小規模萃取,從銅(8%)選擇性萃取銀(98%)。
一旦分離,例如此處所述,金屬離子較佳係還原成金屬固體。較佳還原劑為所謂之環保化學品。此外,較佳還原係以最小加熱需求快速發生。
為了計量還原劑之功效,執行Au+3(ICP金標準於稀HCl(約0.05M)),Ag+(1M AgNO3)及Cu+2(1M CuSO4)之標準溶液之還原。環保還原劑係添加至標準溶液,控制時間、溫度及pH。於環保還原劑添加前或添加後,藉添加HCl、NaHCO3或NaOH調整pH。溶液之pH影響金屬離子之氧化態,因此影響還原成金屬固體之可能性。溶液中之金屬離子之初量及還原後所收集之固體之終量經比較來測定回收百分比。
測試六種環保之化學還原劑:抗壞血酸、丙二酸二乙酯、偏亞硫酸氫鈉、波利菲農60(P60,綠茶萃取物)、D-葡萄糖及檸檬酸鈉,容後詳述。
抗壞血酸
抗壞血酸(AA)係於表6揭示之條件及室溫歷經少於1小時時間添
加至Au3+、Ag+及Cu2+個別溶液,使用ICP-MS分析回收之固體測試其純度。結果顯示於表6。
可知使用抗壞血酸在少於一小時內回收高純度金及銅。
丙二酸二乙酯
丙二酸二乙酯與水性溶液不可相溶混,金可選擇性萃取入有機層,於低pH形成CH2(COOC2H5)Au(H2O)4Cl3錯合物。隨後,含金之有機萃取物可經由混合硝酸洗滌而去除雜質,及然後於80℃使用FeSO4來還原金金屬。
丙二酸二乙酯(DEM)係於表7揭示之條件及室溫下歷經少於1小時時間添加至Au3+、Ag+及Cu2+個別溶液,回收之固體使用ICP-MS分析
來測試純度。結果顯示於表7。
可知相對於銀或銅,丙二酸二乙酯用於金之還原較為有效。
偏亞硫酸氫鈉
偏亞硫酸氫鈉(SMB)添加至表8揭示之條件及於室溫歷經少於1小時之Au3+、Ag+及Cu2+個別溶液,回收之固體使用ICP-MS分析來測試純度。結果顯示於表8。
可知相對於銀或銅,偏亞硫酸氫鈉用於金的還原較為有效。
波利菲農60
波利菲農60(P60)添加至於表9揭示之條件及室溫的個別Au3+、Ag+及Cu2+溶液,回收之固體使用ICP-MS分析來測試純度。結果顯示於表9。
可知相對於金或銅,P60用於銀之還原較為有效。
葡萄糖
於表10揭示之條件下,葡萄糖添加至Au3+、Ag+及Cu2+個別溶液內,回收之固體使用ICP-MS分析來測試純度。結果顯示於表10。
銀及金固體係使用葡萄糖作為還原劑形成,其中金要求鹼的存在,及銀要求高溫(100℃)。
雖然已經參考說明之具體例及特徵於各方面揭示本發明,但須瞭解前文所述具體例及特徵結構絕非意圖限制本發明,基於此處揭示,多種其它變化、修改及其它具體例對熟諳技藝人士將顯然自明。因此本發明須廣義解譯為涵蓋落入於後文陳述之申請專利範圍之精髓及範圍內之全部此等變化、修改及其它具體例。
Claims (31)
- 一種從電子廢棄物去除多於一種金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸第一金屬消化組成物而形成第一萃取液體及第一萃取固體,其中該第一金屬消化組成物包含至少一種氧化劑及至少一種錯合劑;(b)分離該第一萃取固體與該第一萃取液體;(c)使該第一萃取固體接觸第二金屬消化組成物而形成第二萃取液體及第二萃取固體,其中該第二金屬消化組成物包含至少一種氧化劑及至少一種錯合劑;(d)分離該第二萃取固體與該第二萃取液體,其中該第二萃取液體包含第一金屬離子;及(e)使該第一萃取液體接觸添加劑而分離第二金屬離子與第三金屬離子,其中該至少一種氧化劑包含甲烷磺酸(MSA)、乙烷磺酸、苯磺酸、2-羥基乙烷磺酸、環己基胺基磺酸、正丙烷磺酸、正丁烷磺酸、或正辛烷磺酸、過氧化氫(H2O2)、FeCl3(水合及非水合二者)、奧松(oxone)(2KHSO5.KHSO4.K2SO4)、過氧基一硫酸銨、亞氯酸銨(NH4ClO2)、氯酸銨(NH4ClO3)、碘酸銨(NH4IO3)、過硼酸銨(NH4BO3)、過氯酸銨(NH4ClO4)、過碘酸銨(NH4IO3)、過硫酸銨((NH4)2S2O8)、次氯酸銨(NH4ClO)、過硫酸鈉(Na2S2O8)、次氯酸鈉(NaClO)、碘酸鉀(KIO3)、過錳酸鉀(KMnO4)、過硫酸鉀、硝酸(HNO3)、過硫酸鉀(K2S2O8)、次氯酸鉀(KClO)、亞氯酸四甲基銨((N(CH3)4)ClO2)、氯酸四甲基銨((N(CH3)4)ClO3)、碘酸四甲基銨((N(CH3)4)IO3)、過硼酸四甲基銨((N(CH3)4)BO3)、過氯酸四甲基銨((N(CH3)4)ClO4)、過碘酸四甲基銨((N(CH3)4)IO4)、 過硫酸四甲基銨((N(CH3)4)S2O8)、過氧基一硫酸四甲基銨、過氧基一硫酸、硝酸鐵(Fe(NO3)3)、尿素過氧化氫((CO(NH2)2)H2O2)、過乙酸(CH3(CO)OOH)、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸銨、4-甲氧基苯磺酸、4-羥基苯磺酸、4-胺基苯磺酸、4-硝基苯磺酸、甲苯磺酸、己基苯磺酸、庚基苯磺酸、辛基苯磺酸、壬基苯磺酸、癸基苯磺酸、十一烷基苯磺酸、十二烷基苯磺酸、十三烷基苯磺酸、十四烷基苯磺酸、十六烷基苯磺酸、3-硝基苯磺酸、2-硝基苯磺酸、2-硝基萘磺酸、3-硝基萘磺酸、2,3-二硝基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2,5-二硝基苯磺酸、2,6-二硝基苯磺酸、3,5-二硝基苯磺酸、2,4,6-三硝基苯磺酸、3-胺基苯磺酸、2-胺基苯磺酸、2-胺基萘磺酸、3-胺基萘磺酸、2,3-二胺基苯磺酸、2,4-二胺基苯磺酸、2,5-二胺基苯磺酸、2,6-二胺基苯磺酸、3,5-二胺基苯磺酸、2,4,6-三硝基苯磺酸、3-羥基苯磺酸、2-羥基苯磺酸、2-羥基萘磺酸、3-羥基萘磺酸、2,3-二羥基苯磺酸、2,4-二羥基苯磺酸、2,5-二羥基苯磺酸、2,6-二羥基苯磺酸、3,5-二羥基苯磺酸、2,3,4-三羥基苯磺酸、2,3,5-三羥基苯磺酸、2,3,6-三羥基苯磺酸、2,4,5-三羥基苯磺酸、2,4,6-三羥基苯磺酸、3,4,5-三羥基苯磺酸、2,3,4,5-四羥基苯磺酸、2,3,4,6-四羥基苯磺酸、2,3,5,6-四羥基苯磺酸、2,4,5,6-四羥基苯磺酸、3-甲氧苯磺酸、2-甲氧苯磺酸、2,3-二甲氧苯磺酸、2,4-二甲氧苯磺酸、2,5-二甲氧苯磺酸、2,6-二甲氧苯磺酸、3,5-二甲氧苯磺酸、2,4,6-三甲氧苯磺酸、或其組合物。
- 如請求項1之方法,其中該電子廢棄物係經粉化成為粉末、切碎、壓碎而暴露出金屬、或其組合。
- 如請求項1或2之方法,其中該方法係於20℃至70℃範圍之溫度進行。
- 如請求項1或2之方法,其中該方法係於20℃至50℃範圍之溫度進行。
- 如請求項1或2之方法,其中該第一金屬消化組成物係與該第二金屬消化組成物相同。
- 如請求項1或2之方法,其中該第一金屬消化組成物係與該第二金屬消化組成物不同。
- 如請求項1或2之方法,其中該第一金屬消化組成物進一步包含至少一種催化劑。
- 如請求項1或2之方法,其中該第二金屬消化組成物進一步包含至少一種催化劑。
- 如請求項1或2之方法,其中該至少一種錯合劑包含選自於由乙醯基丙酮酸酯、1,1,1-三氟-2,4-戊二酮、1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮、甲酸酯類、乙酸酯類、貳(三甲基矽烷基醯胺)四元體、甘胺酸、絲胺酸、脯胺酸、白胺酸、丙胺酸、天冬醯胺、天冬酸、麩胺、纈胺酸、及離胺酸、檸檬酸、乙酸、順丁烯二酸、草酸、丙二酸、丁二酸、膦酸、羥基亞乙基二膦酸(HEDP)、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、腈基-參(亞甲基膦酸)、腈基三乙酸、亞胺基二乙酸、愛堤卓尼克酸(etidronic acid)、伸乙基二胺、伸乙基二胺四乙酸(EDTA)、及(1,2-伸環己基二腈基)四乙酸(CDTA)、尿酸、四乙二醇二甲醚(tetraglyme)、五甲基二伸乙基三胺(PMDETA)、1,3,5-三4.-2,4,6-三硫醇三鈉鹽溶液、1,3,5-三4.-2,4,6-三硫醇三銨鹽溶液、二乙基二硫代胺基甲酸鈉、具有一個烷基(R2=己基、辛基、癸基或十二烷基)及一個寡醚(R1(CH2CH2O)2,此處R1=乙基或丁基)之經二取代之二硫代胺基甲酸酯類(R1(CH2CH2O)2NR2CS2Na)、硫酸銨、一乙醇胺(MEA)、迪奎特(Dequest)2000、迪奎特2010、迪奎特2060、二 伸乙基三胺五乙酸、伸丙基二胺四乙酸、2-羥基吡啶1-氧化物、伸乙基二胺二丁二酸(EDDS)、N-(2-羥基乙基)亞胺基二乙酸(HEIDA)、三磷酸五鹼基鈉、氯化銨、硫酸銨、鹽酸、硫酸、及其組合物所組成之組群中之物種。
- 如請求項1或2之方法,其中該至少一種錯合劑包含鹽酸或硫酸。
- 如請求項1或2之方法,其中該至少一種氧化劑包含硝酸。
- 如請求項1或2之方法,其中該至少一種氧化劑包含過氧化氫。
- 如請求項7之方法,其中該至少一種催化劑包含二醇或二醇醚,其係選自於由乙二醇、丙二醇、丁二醇、二丙二醇、二乙二醇一甲醚、三乙二醇一甲醚、二乙二醇一乙醚、三乙二醇一乙醚、乙二醇一丙醚、乙二醇一丁醚、二乙二醇一丁醚(DEGBE)、三乙二醇一丁醚、乙二醇一己醚、二乙二醇一己醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚(DPGME)、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚(DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、及其組合物所組成之組群。
- 如請求項8之方法,其中該至少一種催化劑包含二醇或二醇醚,其係選自於由乙二醇、丙二醇、丁二醇、二丙二醇、二乙二醇一甲醚、三乙二醇一甲醚、二乙二醇一乙醚、三乙二醇一乙醚、乙二醇一丙醚、乙二醇一丁醚、二乙二醇一丁醚(DEGBE)、三乙二醇一丁醚、乙二醇一己醚、二乙二醇一己醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚(DPGME)、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚(DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基 醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、及其組合物所組成之組群。
- 如請求項7之方法,其中該至少一種催化劑包含二乙二醇一丁醚。
- 如請求項8之方法,其中該至少一種催化劑包含二乙二醇一丁醚。
- 如請求項1或2之方法,其中該第一及第二金屬消化組成物不具有含氰化物之化合物。
- 如請求項1或2之方法,其中該添加劑包含pH調節劑。
- 如請求項18之方法,其中該pH調節劑包含鹼。
- 如請求項18之方法,其中該pH調節劑包含氫氧根陰離子。
- 如請求項18之方法,其中該第一金屬消化組成物之pH係調整至6至12之範圍。
- 如請求項18之方法,其中該第一金屬消化組成物之pH係調整至9至11之範圍。
- 如請求項18之方法,其中該第二金屬離子係含括於液體分量及該第三金屬離子係含括於固體分量。
- 如請求項1或2之方法,其係進一步包含還原該第一金屬離子成為第一固體金屬。
- 如請求項1或2之方法,其係進一步包含還原該第二金屬離子成為第二固體金屬。
- 如請求項1或2之方法,其係進一步包含還原該第三金屬離子成為第三固體金屬。
- 如請求項1或2之方法,其中該第一金屬為金。
- 如請求項1或2之方法,其中該第二金屬為銀。
- 如請求項1或2之方法,其中該第三金屬為銅。
- 一種從電子廢棄物去除金屬之方法,該方法包含:(a)使該電子廢棄物接觸一組成物而從該電子廢棄物萃取至少兩種金屬離子;(b)將萃取自該電子廢棄物之至少兩種金屬離子分離成個別金屬離子分量;及(c)還原金屬離子之各個分量成為固體金屬。
- 如請求項30之方法,其中該組成物包含至少一種氧化劑及至少一種錯合劑。
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CN106029573B (zh) * | 2014-02-26 | 2018-12-11 | 格林里昂集团有限公司 | 废料中金和/或银的回收 |
CN103934536B (zh) * | 2014-05-12 | 2016-06-22 | 上海第二工业大学 | 一种对废弃印刷电路板焊接元器件进行拆解的方法 |
KR101849622B1 (ko) * | 2014-09-09 | 2018-04-18 | 차이나 내셔널 일렉트릭 애퍼레터스 리서치 인스티튜트 | 기저층 구리/니켈 전기 도금 재료로부터 희귀/불활성 금속을 회수하는 방법 및 시약 |
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ITUB20152452A1 (it) * | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Research And Recycling Soc Cooperativa | Processo, e relativo impianto, per l'estrazione di metalli pregiati da schede elettroniche |
US10597753B2 (en) * | 2015-08-27 | 2020-03-24 | All Green Recycling, Inc. | Systems and methods of efficiently recovering precious metals using an alkaline leach, ultrasound, and electrolysis |
US10202668B2 (en) * | 2015-08-27 | 2019-02-12 | All Green Recycling, Inc. | Metal recovery processes |
WO2017037625A1 (en) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | Attero Recycling Pvt. Ltd. | A method and process of recovering metal values from waste monolithic ceramic capacitors |
US9777346B2 (en) | 2015-09-03 | 2017-10-03 | Battelle Energy Alliance, Llc | Methods for recovering metals from electronic waste, and related systems |
CN105886780A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-08-24 | 董博文 | 一种非氰高效溶浸含金物料中金的药剂 |
CN106498159B (zh) * | 2016-10-24 | 2018-07-03 | 黄奇向 | 一种金银铜选矿添加剂及其生产方法和使用方法 |
WO2018092954A1 (ko) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | 삼덕금속 주식회사 | 동합금 유래 금속의 회수방법 |
CN107217142B (zh) * | 2017-07-04 | 2019-04-12 | 南京大学 | 一种分质回收复杂重金属的耐酸螯合树脂组合调控方法 |
WO2019178051A1 (en) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | Jabil Inc. | Precious metals recovery processes |
BR112020023254A2 (pt) | 2018-05-15 | 2021-02-23 | Hycroft Mining Holding Corporation | métodos e sistemas de oxidação alcalina para recuperação de metais de minérios |
WO2019229632A1 (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | Università Degli Studi Dell'aquila | Hydrometallurgical method for the recovery of base metals and precious metals from a waste material |
CN108950211B (zh) * | 2018-06-13 | 2019-09-10 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种从废旧芯片中回收银和铜的方法 |
CN109609783B (zh) * | 2018-12-22 | 2020-11-10 | 励福(江门)环保科技股份有限公司 | 一种从含钯、铑合金的合金片中高效分离提纯钯和铑的方法 |
CN109609767A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-12 | 北京工业大学 | 一种基于超声辅助的废线路板贵金属高效分离回收方法 |
SG11202111023QA (en) * | 2019-04-03 | 2021-11-29 | Clean Earth Tech Pty Ltd | Materials and processes for recovering precious metals |
US11312922B2 (en) | 2019-04-12 | 2022-04-26 | Ecolab Usa Inc. | Antimicrobial multi-purpose cleaner comprising a sulfonic acid-containing surfactant and methods of making and using the same |
US11666955B2 (en) | 2019-09-04 | 2023-06-06 | Jabil Inc. | System and method for obtaining mineral rich powder from electronic waste |
CN110466090B (zh) * | 2019-09-10 | 2021-03-30 | 珠海市安能环保科技有限公司 | 一种从hw16废感光胶片中回收银和pet胶片的方法 |
JP2023183841A (ja) * | 2022-06-16 | 2023-12-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 貴金属の製造方法 |
CN116004990B (zh) * | 2023-02-20 | 2024-06-21 | 澳门科技大学 | 一种从废弃手机电路板回收铜和金的方法 |
Family Cites Families (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD253048A1 (de) | 1986-10-01 | 1988-01-06 | Funk A Bergbau Huettenkombinat | Verfahren zur rueckgewinnung von edel- und begleitmetallen aus sekundaerrohstoffen |
JPH059606A (ja) * | 1991-07-03 | 1993-01-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 金銀合金の分離方法 |
US5993685A (en) | 1997-04-02 | 1999-11-30 | Advanced Technology Materials | Planarization composition for removing metal films |
US6322600B1 (en) | 1997-04-23 | 2001-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Planarization compositions and methods for removing interlayer dielectric films |
US6126720A (en) * | 1997-06-16 | 2000-10-03 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for smelting noble metal |
US6280651B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-08-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent |
JP3309794B2 (ja) * | 1998-02-19 | 2002-07-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 白金およびパラジウムの分離除去方法 |
JP4226216B2 (ja) | 1998-05-18 | 2009-02-18 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 半導体基板用の剥離用組成物 |
US6875733B1 (en) | 1998-10-14 | 2005-04-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ammonium borate containing compositions for stripping residues from semiconductor substrates |
US6409781B1 (en) | 2000-05-01 | 2002-06-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Polishing slurries for copper and associated materials |
KR100395400B1 (ko) | 2001-02-27 | 2003-08-25 | (주)아이티그린 | 킬레이트 수지를 이용하여 전자폐기물에서 백금족 원소를 회수하는 방법 |
KR100421937B1 (ko) | 2001-07-16 | 2004-03-12 | 오치정 | 폐 인쇄회로기판으로부터 유가금속을 회수하는 방법 |
US6692546B2 (en) | 2001-08-14 | 2004-02-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same |
US7029373B2 (en) | 2001-08-14 | 2006-04-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same |
US6800218B2 (en) | 2001-08-23 | 2004-10-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Abrasive free formulations for chemical mechanical polishing of copper and associated materials and method of using same |
US6802983B2 (en) | 2001-09-17 | 2004-10-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Preparation of high performance silica slurry using a centrifuge |
US6773873B2 (en) | 2002-03-25 | 2004-08-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates |
US7300601B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization |
US8236485B2 (en) | 2002-12-20 | 2012-08-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Photoresist removal |
ITMI20030468A1 (it) * | 2003-03-12 | 2004-09-13 | Engitec S R L | Processo per recuperare metalli in particolare metalli |
US20060191376A1 (en) * | 2003-03-27 | 2006-08-31 | Wu Hsieh S | Method and devices for recycling copper from a discarded circuit board and a discarded fluid containing copper |
KR20060024775A (ko) | 2003-05-12 | 2006-03-17 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 제2단계 구리 라이너 및 관련된 물질을 위한 cmp조성물및 그 이용방법 |
US7736405B2 (en) | 2003-05-12 | 2010-06-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same |
CN1208479C (zh) * | 2003-06-02 | 2005-06-29 | 浙江省冶金研究院有限公司 | 电子废料的贵金属再生回收方法 |
JP4524593B2 (ja) | 2003-10-27 | 2010-08-18 | 三菱化学株式会社 | 貴金属の溶解液及びこの溶解液を用いた貴金属の溶解・回収方法 |
CN1938412A (zh) | 2003-12-02 | 2007-03-28 | 高级技术材料公司 | 剥离抗蚀剂、barc和填隙材料的化学制剂及方法 |
US8338087B2 (en) | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
WO2006013568A2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-02-09 | Berg Recycling Industries Ltd. | Recovery of precious metals from electronic scrap by hydrometallurgical processing |
WO2006069738A1 (de) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Basf Aktiengesellschaft | Verwendung von nichtionischen tensiden bei der metallgewinnung |
US20060154186A1 (en) | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings |
WO2006110645A2 (en) | 2005-04-11 | 2006-10-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluoride liquid cleaners with polar and non-polar solvent mixtures for cleaning low-k-containing microelectronic devices |
TW200700935A (en) | 2005-04-15 | 2007-01-01 | Advanced Tech Materials | Formulations for cleaning ion-implanted photoresist layers from microelectronic devices |
US20070251551A1 (en) | 2005-04-15 | 2007-11-01 | Korzenski Michael B | Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems |
EP1899111A2 (en) | 2005-06-06 | 2008-03-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Integrated chemical mechanical polishing composition and process for single platen processing |
TWI408212B (zh) | 2005-06-07 | 2013-09-11 | Advanced Tech Materials | 金屬及介電相容犧牲抗反射塗層清洗及移除組成物 |
CN101233601A (zh) | 2005-06-13 | 2008-07-30 | 高级技术材料公司 | 在金属硅化物形成后用于选择性除去金属或金属合金的组合物及方法 |
CN101356628B (zh) | 2005-08-05 | 2012-01-04 | 高级技术材料公司 | 用于对金属膜进行平坦化的高通量化学机械抛光组合物 |
WO2007027522A2 (en) | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for removing thick film photoresist |
KR101444468B1 (ko) | 2005-10-05 | 2014-10-30 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 산화성 수성 세정제 |
WO2007044447A2 (en) | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for selectively etching gate spacer oxide material |
KR20080059442A (ko) | 2005-10-13 | 2008-06-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 금속 상용성 포토레지스트 및/또는 희생 반사방지 코팅제거 조성물 |
AU2006340825A1 (en) | 2005-11-09 | 2007-10-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon |
TW200734448A (en) | 2006-02-03 | 2007-09-16 | Advanced Tech Materials | Low pH post-CMP residue removal composition and method of use |
US8685909B2 (en) | 2006-09-21 | 2014-04-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antioxidants for post-CMP cleaning formulations |
CN100406591C (zh) | 2006-10-31 | 2008-07-30 | 东华大学 | 一种从电子废弃物中提取金属铜的方法 |
US20080125342A1 (en) | 2006-11-07 | 2008-05-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for cleaning memory device structures |
TWI562234B (en) | 2006-12-21 | 2016-12-11 | Entegris Inc | Compositions and methods for the selective removal of silicon nitride |
US20100163788A1 (en) | 2006-12-21 | 2010-07-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Liquid cleaner for the removal of post-etch residues |
US20100087065A1 (en) | 2007-01-31 | 2010-04-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications |
TWI516573B (zh) | 2007-02-06 | 2016-01-11 | 安堤格里斯公司 | 選擇性移除TiSiN之組成物及方法 |
US20100112728A1 (en) | 2007-03-31 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for stripping material for wafer reclamation |
CN101100706A (zh) * | 2007-07-13 | 2008-01-09 | 东华大学 | 一种从印刷线路板中浸金的方法 |
KR20100051839A (ko) | 2007-08-02 | 2010-05-18 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 마이크로전자 장치로부터 잔사를 제거하기 위한 플루오라이드 비-함유 조성물 |
KR20100056537A (ko) | 2007-08-20 | 2010-05-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 이온-주입된 포토레지스트를 제거하기 위한 조성물 및 방법 |
TW200934865A (en) | 2007-11-30 | 2009-08-16 | Advanced Tech Materials | Formulations for cleaning memory device structures |
WO2009087908A1 (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Shibaura Institute Of Technology | 有用金属のリサイクル方法 |
JP5498686B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2014-05-21 | 株式会社東芝 | 貴金属回収方法および貴金属回収システム |
JP2011520142A (ja) | 2008-05-01 | 2011-07-14 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 高密度注入レジストの除去のための低pH混合物 |
TW201013338A (en) | 2008-08-04 | 2010-04-01 | Advanced Tech Materials | Environmentally friendly polymer stripping compositions |
SG173172A1 (en) | 2009-01-28 | 2011-08-29 | Advanced Tech Materials | Lithographic tool in situ clean formulations |
WO2010086745A1 (en) | 2009-02-02 | 2010-08-05 | Atmi Taiwan Co., Ltd. | Method of etching lanthanum-containing oxide layers |
WO2010091045A2 (en) | 2009-02-05 | 2010-08-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-fluoride containing composition for the removal of polymers and other organic material from a surface |
WO2011056948A2 (en) | 2009-11-05 | 2011-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods of texturing surfaces for controlled reflection |
EP2558605A1 (en) | 2010-04-15 | 2013-02-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for recycling of obsolete printed circuit boards |
US9063431B2 (en) | 2010-07-16 | 2015-06-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaner for the removal of post-etch residues |
JP6101421B2 (ja) | 2010-08-16 | 2017-03-22 | インテグリス・インコーポレーテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
TWI502065B (zh) | 2010-10-13 | 2015-10-01 | Entegris Inc | 抑制氮化鈦腐蝕之組成物及方法 |
KR102064487B1 (ko) | 2011-01-13 | 2020-01-10 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 세륨-함유 용액에 의해 발생된 입자의 제거를 위한 배합물 |
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