TW201715629A - 基板處理裝置、基板處理方法、基板處理裝置的維修方法及記錄媒體 - Google Patents

基板處理裝置、基板處理方法、基板處理裝置的維修方法及記錄媒體 Download PDF

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Abstract

本發明之目的在於：在實行晶圓的加熱處理時，將因為晶圓的處理所產生的昇華物分解，以抑制昇華物附著於排氣通路。另外在利用光源部的光線對晶圓W實行加熱等的處理時，將附著於透光窗的昇華物除去。為了達成上述目的，本發明在處理容器2的內面形成熱觸媒層5，並將該熱觸媒層5加熱。藉此，從晶圓W上的塗布膜昇華並進入到處理容器2內的昇華物，在到達熱觸媒層5的附近時，會因為熱觸媒層5的熱活性化而被分解除去。另外當欲將附著於透光窗42的昇華物除去時，在將表面形成了熱觸媒層5的清潔用基板6搬入處理容器2內，並令熱觸媒層5接近透光窗42之後，將清潔用基板6加熱，藉此將附著於透光窗42的表面的昇華物9除去。

Description

基板處理裝置、基板處理方法、基板處理裝置的維修方法及記錄媒體
本發明係關於在具備排氣通路的處理容器內載置基板並實行基板處理的技術領域。
例如在多層配線構造的半導體裝置的製造步驟中，會實行在基板（亦即半導體晶圓，以下稱為「晶圓」）上形成光阻膜或反射防止膜等的塗布膜的處理，接著為了令殘留在塗布膜中的溶劑乾燥，並促進交聯劑的交聯反應，會實行加熱處理。作為實行加熱處理的加熱處理裝置，會採用在處理容器內設置兼作晶圓載置台的加熱板的構造者。作為加熱晶圓的加熱部，取代加熱板，使用紅外線燈（LED光源）的構造者亦為人所習知。
在該等加熱處理裝置中，由於在加熱晶圓之後塗布膜中的有機成分會昇華，故會利用空氣或惰性氣體清洗處理容器內部，並與排氣流一起將昇華物經由排氣通路排出。針對處理容器內的壁部，為了抑制處理蒙氣中的微粒的飛散，會加熱到昇華物的昇華溫度以上，以抑制昇華物的附著。然而流入排氣通路中的昇華物在排氣通路的下游側溫度會降低，故昇華物會變得容易析出，因此有必要定期進行維修。
另外當將LED光源當作加熱部使用時，針對昇華物附著於將處理容器內的蒙氣與光源所在之蒙氣分隔的例如由石英板所構成的透光窗所導致的照度降低問題，則必須將裝置分解並實行清潔步驟。另外例如在形成作為蝕刻遮罩的稱為SOC（Spin On Cap，旋塗式覆蓋部）膜的碳系膜的步驟中，照射UV（紫外線）以實行膜層的平坦化處理的步驟已為人所習知，惟在該等情況下仍存在同樣的問題。
另外專利文獻1記載了關於利用熱觸媒除去聚合物的技術內容。另外專利文獻2記載了利用熱觸媒進行塑膠複合材料的分解處理的技術內容。然而並未記載關於在基板處理裝置中將所產生之昇華物或分解殘渣除去的技術內容。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2014－94464號公報 [專利文獻2] 日本特開2014－177523號公報
[發明所欲解決的問題] 本發明係在該等背景之下所思及者，其目的為提供一種可在一邊對處理容器內進行排氣一邊對基板實行處理時，將基板處理所生成之生成物分解，以抑制生成物附著於排氣通路的技術。本發明之另一目的在於提供一種在一邊對處理容器內進行排氣一邊利用光源部的光對基板實行處理時，將因為基板的處理所生成且附著於透光窗的生成物除去的技術。 [解決問題的手段]
本發明之基板處理裝置的特徵為包含：處理容器，其在內部設置了載置被處理基板用的載置部；排氣通路，其用來將該處理容器內的蒙氣排出；熱觸媒物質，其形成於該處理容器的內面以及該排氣通路的至少其中一方，藉由被加熱而熱活性化，以將因為被處理基板的處理而從該被處理基板產生的生成物分解；以及熱觸媒用的加熱部，其用來將該熱觸媒物質加熱。
本發明之另一基板處理裝置的特徵為包含：處理容器，其在內部設置了載置被處理基板用的載置部；基板加熱部，其將該載置部所載置之被處理基板加熱；排氣通路，其用來將該處理容器內的蒙氣排出；光源部，其對該載置部所載置之基板照射光線；透光窗，其將該光源部與處理容器內的蒙氣分隔；選擇部，其選擇維修模式；以及控制部，其輸出控制信號，以實行：將具備可藉由被加熱而熱活性化以將因為基板的處理而從基板產生之生成物（亦即昇華物）分解的熱觸媒物質的維修用基板，在選擇了該維修模式時搬入該處理容器內的步驟；接著為了令該維修用基板的該熱觸媒物質熱活性化而利用該基板加熱部進行加熱的步驟；以及為了將附著於該透光窗的該昇華物除去，而令被加熱之該維修用基板接近該透光窗的步驟。
本發明之基板處理方法包含：將被處理基板載置於處理容器內的載置部並進行處理的步驟；將該處理容器內的蒙氣經由排氣通路排出的步驟；以及將設置於該處理容器的內面以及該排氣通路的至少其中一方的熱觸媒物質加熱，使其熱活性化，以將因為被處理基板的處理而從基板產生之生成物分解的步驟。
本發明之基板處理裝置的維修方法，係維修基板處理裝置的方法，該基板處理裝置包含：處理容器，其在內部設置了載置被處理基板用的載置部；基板加熱部，其將該載置部所載置之被處理基板加熱；排氣通路，其用來將該處理容器內的蒙氣排出；光源部，其對該載置部所載置之基板照射光線；以及透光窗，其將該光源部與處理容器內的蒙氣分隔；該基板處理裝置的維修方法的特徵為包含：將具備可藉由被加熱而熱活性化以將因為基板的處理而從基板產生之生成物（亦即昇華物）分解的熱觸媒物質的維修用基板，搬入該處理容器內的步驟；接著為了令該維修用基板的該熱觸媒物質熱活性化而利用該基板加熱部進行加熱的步驟；以及為了將附著於該透光窗的該昇華物除去，而令被加熱之該維修用基板接近該透光窗的步驟。
本發明之記憶媒體，記憶了電腦程式，該電腦程式用於基板處理裝置，該基板處理裝置具備在內部設置了載置被處理基板用的載置部的處理容器，該記憶媒體的特徵為：該電腦程式組合步驟群以實行上述的基板處理方法。
另外本發明之記憶媒體，記憶了電腦程式，該電腦程式用於基板處理裝置，該基板處理裝置具備在內部設置了載置被處理基板用的載置部的處理容器，該記憶媒體的特徵為：該電腦程式組合步驟群以實行上述的基板處理裝置的維修方法。 [發明的功效]
若根據本發明，當在處理容器內實行基板的處理，並將處理容器內的蒙氣排出時，藉由在處理容器的內面以及該排氣通路的至少其中一方設置熱觸媒物質，並將熱觸媒物質加熱，以將在處理容器內的蒙氣中所產生的生成物分解除去。藉此便可抑制生成物附著於排氣通路，故可降低維修頻度。另外，另一本發明，在一邊對處理容器內進行排氣一邊利用光源部的光線對基板實行處理時，藉由將設置了熱觸媒物質的維修用基板加熱，並令其接近透光窗，以將附著於透光窗的昇華物除去，故無須拆解處理容器便可清潔透光窗。
［第1實施態樣］ 作為本發明之第1實施態樣的基板處理裝置，針對適用於加熱處理裝置的例子進行説明。首先針對組裝了本發明之加熱處理裝置的基板處理系統（亦即塗布、顯影裝置）的整體簡單敘述。塗布、顯影裝置，如圖1以及圖2所示的，構成將載置區塊B1、處理區塊B2、介面區塊B3連接成直線狀的構造。介面區塊B3，更與曝光站B4連接。
載置區塊B1，具有從收納複數枚產品用基板（例如直徑300mm的晶圓W）的搬運容器（亦即載體C，例如FOUP）將該等基板搬入裝置內或是從裝置內搬出的功能，並具備載體C的載置台101、閘門102，以及用來從載體C搬運晶圓W的搬運臂103。處理區塊B2構成用來對晶圓W實行液體處理的第1～第6單位區塊D1～D6由下往上依序堆疊的構造，各單位區塊D1～D6，大致為相同的構造。在圖1中，各單位區塊D1～D6所附之字母文字，表示處理種類別，BCT表示反射防止膜形成處理，COT表示對晶圓W供給光阻以形成光阻膜的光阻膜形成處理，DEV表示顯影處理。
圖2代表性地顯示出單位區塊D3的構造，於單位區塊D3，設置了在從載置區塊B1側向介面區塊B3延伸的直條狀的搬運區域R3內移動的主臂A3，以及具備杯具模組111的塗布單元110。另外於棚台單元U1～U6堆疊了相當於本發明之加熱處理裝置的加熱模組以及冷卻模組1。在搬運區域R3的載置區塊B1側，設置了由互相堆疊的複數個模組所構成的棚台單元U7。搬運臂103與主臂A3之間的晶圓W的傳遞，透過棚台單元U7的傳遞模組與搬運臂104實行。
介面區塊B3，係用來在處理區塊B2與曝光站B4之間實行晶圓W的傳遞的區塊，並具備複數個處理模組互相堆疊的棚台單元U8、U9、U10。另外圖中的105、106係分別用來在棚台單元U8、U9之間以及棚台單元U9、U10之間實行晶圓W的傳遞的搬運臂，圖中的107，係用來在棚台單元U10與曝光站B4之間實行晶圓W的傳遞的搬運臂。針對在由塗布、顯影裝置以及曝光站B4所構成之系統中的晶圓W的大致搬運路徑簡單進行説明。晶圓W，依照載體C→搬運臂103→棚台單元U7的傳遞模組→搬運臂104→棚台單元U7的傳遞模組→單位區塊D1（D2）→單位區塊D3（D4）→介面區塊B3→曝光站B4→介面區塊B3→單位區塊D5（D6）→棚台單元U7的傳遞模組TRS→搬運臂103→載體C的順序移動。
塗布、顯影裝置，如圖2所示的具備控制部100。控制部100，具有程式儲存部，於程式儲存部，儲存了組合命令以實施晶圓搬運配方、各加熱模組以及冷卻模組的清潔作業序列的程式。
圖3顯示出加熱模組（亦即加熱處理裝置）的整體構造。圖3中的2為處理容器，該處理容器2，係由下構件25與蓋部22所構成，該下構件25係由頂面開口的扁平圓筒體所構成，該蓋部22相對於該下構件25上下移動以開啟或關閉處理容器2，進而構成實行基板（亦即直徑300mm的晶圓W）的加熱處理的加熱室。下構件25透過支持構件26被支持在基台27之上，該基台27相當於圖中未顯示的框體的底面部，該框體構成加熱處理裝置的外裝體。於下構件25，設置了基板加熱部（亦即構成光源部的LED陣列41），在LED陣列41的上方側，設置了用來將該LED陣列41所在之蒙氣與處理蒙氣分隔的例如由石英所構成的透光窗42。LED陣列41，遍及其整個周圍被例如對銅（Cu）板鍍金的反射板43所包圍，可將射向與照射方向（在圖3中為上方向）不同之方向的光線反射以有效率地取得輻射光。另外於透光窗42的表面，設置了用來將後述的清潔用基板保持在接近該透光窗42之狀態的突起部44。
於下構件25的底部28以及透光窗42，從上方觀察在周圍方向上等間隔設置了3個將該等構件從厚度方向貫通的貫通孔29，對應各貫通孔29，設置了支持晶圓W的升降銷23。升降銷23，以利用設置在基台27上的升降機構24進行升降，而從透光窗42的表面突出或没入的方式設置，藉由使晶圓W升降，而在其與例如圖2中的搬運臂A3之間實行晶圓W的傳遞。
蓋部22係由底面開口的扁平圓筒體所構成，並構成可在與下構件25的周圍壁部的頂面接觸（詳細而言係與後述的銷51抵接）而形成將處理容器2關閉之狀態的下降位置，與將晶圓W傳遞給升降銷23時的上升位置之間升降的構造。在該例中蓋部22的升降動作係利用設置於基台27的升降機構19驅動安裝於蓋部22的外周圍面的升降臂18來進行。
另外於下構件25的周圍壁部的頂面，沿著周圍方向隔著間隔形成了例如高度1mm的銷51。因此，當關閉蓋部22時，在蓋部22與下構件25之間會形成1mm的間隙，在將處理容器2內的氣體排出時，外部氣體（加熱處理裝置所在之無塵室的蒙氣）會從間隙流入，並在處理容器2內形成氣流。於蓋部22的頂板的中央部位，形成了排氣口32，於排氣口32，連接了由排氣導管所構成的排氣通路30的一端側的底部。排氣通路30，沿著蓋部22的頂面在半徑方向上直線狀延伸，並與工場內的排氣導管連接。
另外於處理容器2的內壁面的全部，形成了熱觸媒層5，其係覆蓋熱觸媒物質（熱觸媒體）所形成，該熱觸媒物質例如係由Cr2 O3 所構成。熱觸媒層5，例如只要在基材上利用塗布、熱噴塗等已知的覆蓋方法形成熱觸媒體的被膜即可。在蓋部22的壁內，埋設了用來對處理容器2內的熱觸媒層5進行加熱的熱觸媒用的加熱部（亦即加熱器10）。加熱器10的發熱量，設定成熱觸媒層5被熱活性化而發揮熱觸媒功能（亦即將從晶圓W產生並到達該熱觸媒層5附近的昇華物熱分解的功能）的溫度，在例如Cr2 O3 的情況下，為200℃～400℃。位於蓋部22的頂面的排氣通路30被圖中未顯示的加熱器，加熱到從晶圓W產生的昇華物不會附著的溫度。
於圖3揭示了控制加熱處理裝置的控制部，該控制部由於可謂係圖2所示之控制部的一部分，故附上相同的符號100。圖3所示之控制部100，與選擇維修模式的選擇部99連接，當選擇了維修模式時，用來實行加熱處理裝置的維修的程式便啟動。該選擇部99例如設置於操作者所操作的操作面板。控制部100，例如根據事前輸入控制部100的運轉程式，控制升降機構24所致之升降銷23的升降動作、LED模組4的照射強度調整或導通切斷動作。
接著針對本發明的實施態樣的基板處理裝置（亦即加熱處理裝置）的作用進行説明。首先利用外部的搬運臂（例如圖2所示的主臂A3）將晶圓W搬入處理容器2內。在該時點，LED模組4處於切斷狀態。當主臂A3所保持之晶圓W到達透光窗42的上方時，利用升降機構24令升降銷23上升，將主臂A3上的晶圓W頂起，從主臂A3接收晶圓W，傳遞了晶圓W的主臂A3便退出到處理容器2之外。
然後令蓋部22下降，如圖3所示的，使蓋部22處於閉合狀態以形成處理蒙氣，同時令升降銷23下降，使晶圓W位於既定的高度，例如，位於透光窗42的表面與晶圓W的底面之間的間隙的高度為3mm的高度。接著從LED模組4向晶圓W照射晶圓W的吸收波長帶域的輻射光（亦即紅外線），將晶圓W加熱到既定的加熱處理溫度200℃～400℃（例如300℃）。因此在本實施態樣中，升降銷23相當於載置部。另外例如在令蓋部22下降之後才透過排氣通路30開始對處理容器2內進行排氣。如上所述的在將蓋部22閉合的狀態下，因為銷51的存在，蓋部22與下構件25之間形成了間隙。因此，當處理容器2內形成負壓時周圍的蒙氣（空氣）會從該間隙流入，如圖4所示的在處理容器2內，會形成從外周圍流向中央上部的氣流。
此時從晶圓W的塗布膜，例如塗布液中所含之有機成分，會昇華而成為昇華物，生成物（亦即昇華物）乘著處理容器2內所形成之氣流，流向處理容器2的中央上部的排氣口32，從排氣口32流入排氣通路30。另一方面，形成於包含處理容器2的頂板面在內的內壁面的熱觸媒層5會因為加熱器10而熱活性化，故接近處理容器2的內壁面的昇華物，會因為熱觸媒層5的熱觸媒作用而被分解。
在此針對熱觸媒層5所致之晶圓W處理時所產生的生成物（在此為從塗布膜昇華的昇華物）的分解進行説明。熱觸媒層5，例如在將Cr2 O3 加熱時會激發電子，而具有很強的氧化力。當有機成分（亦即昇華物）接近該熱觸媒層5時，有機成分會被氧化，而在昇華物內產生自由基。之後，所生成之自由基，在200～400℃之下，會在昇華物內傳播。然後昇華物會因為自由基而裂開，並小分子化，而成為小分子的昇華物，會與處理容器2內的蒙氣中所含有的氧結合，而成為二氧化碳與水。因此，從排氣口32排氣的處理容器2內的蒙氣，在利用熱觸媒層5的觸媒作用將昇華物分解之後便被排出。
在加熱處理結束之後，升降銷23上升並將晶圓W頂起，升降銷23就這樣上升到與搬運臂A3進行傳遞的高度位置。然後令搬運臂A3進入到處理容器2內的晶圓W的傳遞位置，之後，令升降銷23下降以將晶圓W傳遞給搬運臂A3。接收到晶圓W的搬運臂A3，在保持著晶圓W的狀態下後退，將晶圓W搬出到處理容器2之外。
像這樣從晶圓W昇華的昇華物，在被處理容器2內所覆蓋之熱觸媒層5分解之後會被排出，惟一部分的昇華物，會侵入到晶圓W與透光窗42之間的間隙，附著於透光窗42的表面。因此如圖5所示的昇華物9會在透光窗42的表面析出，從LED模組4所照射之光線的透光率會變差。因此晶圓W會發生溫度不一致的情況，無法良好地受到加熱，另外昇華物9可能會成為微粒的發生源。
因此在例如加熱處理裝置所預先設定之枚數的晶圓W的處理結束之後，會實行將透光窗42的表面所析出之昇華物9除去的清潔作業。在該清潔作業中，會使用例如將直徑300mm的晶圓W的背面以熱觸媒層5覆蓋的清潔用基板。茲針對使用清潔用基板除去昇華物的情況進行説明，首先操作者利用模式選擇部99選擇維修模式。根據該選擇，利用搬運臂103從載置於例如圖1、圖2所示之塗布、顯影裝置的載置區塊B1的載體C將清潔用基板取出。清潔用基板透過搬運臂104、棚台單元U7傳遞給主臂A3，然後利用該主臂A3搬入處理容器2內並傳遞給升降銷23。
之後，如圖6所示的令升降銷23下降，將清潔用基板6傳遞給（載置於）各突起部44。然後，開始從排氣通路30排氣，同時令LED模組4導通，將清潔用基板6加熱到例如300℃。因此可以說，LED模組4係兼作熱觸媒用的加熱部以及基板加熱部。然後清潔用基板6的底面側的熱觸媒層5被活性化，由於透光窗42與清潔用基板6的距離接近到3mm左右，故附著於透光窗42的昇華物9會因為熱觸媒作用而被分解除去。昇華物9的分解成分與處理容器2內的蒙氣一併從排氣通路30排出。另外清潔用基板6亦可載置於塗布、顯影裝置內的保管部。保管部亦可利用例如棚台單元U7的一部分。
在第1實施態樣中，當欲在處理容器2內實行晶圓W的加熱處理時，會於處理容器2的內面形成熱觸媒層5，並將該熱觸媒層5加熱。因此當從晶圓W上的塗布膜昇華並進入到處理容器2內的昇華物到達熱觸媒層5的附近時，會因為熱觸媒層5的熱活性化而被分解除去。其結果，由於流到排氣通路30的下游側的昇華物的量會變少，故排氣通路30的昇華物的附著量也會變少，可降低維修頻度，同時可抑制昇華物在處理容器2的內面析出，因此可減少微粒污染，亦可抑制處理容器2內的清潔頻度。
另外藉由將表面形成熱觸媒層5的清潔用基板6搬入處理容器2內，並將清潔用基板6加熱，以將附著於透光窗42的表面的昇華物9除去。藉此，便可降低拆解處理容器2並實行內部清潔的維修頻度。
［第2實施態樣］ 圖7以及圖8顯示出第2實施態樣的基板處理裝置。該基板處理裝置係在圖3所示之加熱處理裝置中，將排氣通路30的位於處理容器2的上方側的部位，以形成相較於比該部位更下游側之部位的壓力損失更大的壓力損失的方式，構成例如迷路構造。於構成迷路構造的部位，形成了熱觸媒層5。在該例中所謂的下游側的部位，係相當於構成比位於處理容器2的上方側的部位更下游側的排氣通路的排氣管34。構成迷路構造的部位，相當於壓力損失區域（壓力損失部），為了方便說明，將其說明為排氣通路300。
排氣通路300，具備：下側排氣通路31，其一端側與排氣口32連接，在處理容器2的圖中，向右側周緣延伸；以及上側排氣通路33，其設置在下側排氣通路31的上方，同時其底面透過連通口31a與該下側排氣通路31的另一端側連通。上側排氣通路33，向處理容器的左側周緣左右彎曲迂迴複數次，與排氣管34連接，該排氣管34與所謂的工場排氣管（設置在工場內的排氣導管）連接。然後於該下側排氣通路31以及上側排氣通路33的各自的內面形成了熱觸媒層5。更構成在上側排氣通路33與處理容器2之間設置導熱板36，以傳導設置於處理容器2的加熱器10的熱，而將熱觸媒層5加熱到例如300℃的構造。另外，亦可設置專門用來將排氣通路300加熱的加熱器。
在第2實施態樣中，當處理容器2內的蒙氣經由排氣口32流入排氣通路300時，在該排氣通路300內流動的期間昇華物會因為熱觸媒層5而被分解排出。另外由於排氣通路300的流路彎曲迂迴，比起以通常的布局形成排氣通路的排氣管（亦即下游側的排氣管34）而言壓力損失更大，故處理容器2內的蒙氣的排氣流與排氣通路300的內壁衝突的程度較大。因此排氣流所含之昇華物與熱觸媒層5接觸或是位於熱觸媒層5附近的時間變長，故可將昇華物更確實地除去，其結果，便可減少排氣管34中的昇華物的附著量，進而降低維修頻度。
圖9顯示出壓力損失部（亦即排氣通路）的形狀、構造的另一例。圖9所示之壓力損失部（亦即排氣通路301），其一端側的底面與處理容器2的排氣口32連接，另一端側直線狀延伸。然後在排氣通路301的長度方向上觀察，從右側的壁部向左側的壁部延伸同時從頂板面向底面延伸的捕捉板部302，以及從左側的壁部向右側的壁部延伸同時從底面向頂板面延伸的捕捉板部302，在排氣通路301的長度方向上交替並排，設置了複數片。於排氣通路301的內面以及捕捉板部302的表面形成了熱觸媒層5。
再者，壓力損失部（亦即排氣通路），亦可如圖10所示的，為構成「一端側的底面與排氣口32連接，向外側螺旋狀環繞，並在外緣部與排氣管34連接」的構造的排氣通路303。此時，亦可例如像圖10所示的那樣構成在排氣流的流動方向上從左右的側壁令捕捉板部304交替突出的構造。像這樣在處理容器2的直接下游側設置壓力損失較大的排氣通路並於該排氣通路形成熱觸媒層5係較佳的態樣，惟亦可如圖3所示的沿著通常的排氣通路30的布局於排氣通路30設置熱觸媒層5，即使在此等情況下，仍具有可抑制昇華物附著於下游側的排氣通路的效果。另外即使構成「並未於處理容器2的內壁設置熱觸媒層5，而係於排氣通路設置熱觸媒層5」的構造，亦具有可抑制昇華物附著於下游側的排氣通路的效果。在以上所述的實施態樣中，係使用LED陣列41作為將晶圓W加熱的基板加熱部，惟亦可使用成為載置晶圓W的載置板並利用加熱器進行加熱的加熱板。
［第3實施態樣］ 茲説明適用於對晶圓W的表面照射UV（紫外線）以進行UV處理的裝置（例如使形成於晶圓W的塗布膜的表面平坦化的UV處理裝置）的例子，作為本發明之第3實施態樣的基板處理裝置。作為塗布膜，例如可列舉出形成在晶圓W的圖案上的SOC膜。作為SOC膜的原料，可使用將含有與在含氧蒙氣下照射紫外線所產生之活性氧或臭氧發生反應而分解的碳化合物的有機膜原料{例如具有聚乙烯構造[（－CH2 －）n ]的骨架的聚合物原料}溶解於溶媒的液體。UV處理裝置，如圖11所示的具備扁平且前後方向細長的長方體形狀的框體70，於框體70的前方側的側壁面設置了晶圓W搬入或搬出用的搬入搬出口71，以及開啟或關閉該搬入搬出口71的擋門72。
框體70的內部，在從搬入搬出口71觀察位於跟前側的分隔板73的上方側的空間內，設置了搬運晶圓W的搬運臂74。於搬運臂74，設置了使其在跟前側的位置與內裡側的位置之間朝前後方向移動的圖中未顯示的移動機構；搬運臂74，在跟前側的位置，在其與圖中未顯示的外部的搬運臂之間實行晶圓W的傳遞，在內裡側的位置，在其與後述的載置台81之間實行晶圓W的傳遞。搬運臂74，亦具有作為冷卻經過處理後之晶圓W的冷卻臂的功能。
在與外部的搬運臂之間傳遞晶圓W的跟前側的位置，設置了在實行外部的搬運臂與搬運臂74之間的晶圓W的傳遞時，暫時支持該晶圓W的升降銷75。升降銷75，與配置在分隔板73的下方側的空間內的升降機構76連接，而可在比搬運臂74的晶圓W的載置面更下方側的位置以及比該載置面更上方側且與外部的搬運臂之間實行晶圓W的傳遞的位置之間升降。在搬運臂74與外部的搬運臂之間實行晶圓W的傳遞的位置的後方側配置了晶圓W的載置台81。在載置台81的內部，埋入了加熱器82，故亦具有作為將晶圓W加熱的加熱部的功能。
在載置台81的下方側，設置了在實行與搬運臂74之間的晶圓W的傳遞時，暫時支持該晶圓W的升降銷83。如圖11所示的，於載置台81，設置了升降銷83可貫通的貫通孔84。升降銷83，與升降機構85連接，藉由在移動到載置台81的上方側的搬運臂74的晶圓W的載置面的下方側位置與該載置面的上方側位置之間升降，以在其與搬運臂74之間實行晶圓W的傳遞，並將晶圓W載置於載置台81。另外升降銷83，構成可在支持第1實施態樣所説明之清潔用基板6時，上升到清潔用基板6的頂面與頂板面（詳細而言係後述的UV透光部93的底面）之間的高度尺寸在數mm～十數mm的範圍內（例如3mm）的高度的構造。
在載置台81的上方側，設置了收納UV燈92的燈室91，該UV燈92係作為用來對載置台81所載置之晶圓W照射UV光的光源部。燈室91的底面，設置了令UV燈92所照射之UV光穿透並射向晶圓W的透光窗（亦即UV透光部93）。UV透光部93，例如由UV光可穿透的石英板等所構成。另外用來對框體70內供給清淨空氣的氣體供給部94與用來將框體70內的蒙氣排出的排氣口95，以互相對向的方式設置於燈室91的下方的側壁。排氣口95，透過排氣管96與排氣機構97連接。另外於UV處理裝置，亦與加熱處理裝置同樣，連接了控制部100。
在該UV處理裝置中，表面塗布了SOC膜的晶圓W藉由外部的基板搬運機構與升降銷75的協同運作傳遞給搬運臂74。接著令搬運臂74移動到載置台81的上方側並停止，之後令升降銷83上升，將晶圓W從搬運臂74傳遞給升降銷83。之後令升降銷83下降，將晶圓W載置於載置台81。然後從氣體供給部94供給氣體，同時開始從排氣口95排氣。
之後將晶圓W加熱到例如250℃，點亮UV燈92，照射UV光。藉由所照射之UV光，從晶圓W的上方的清淨空氣（含氧蒙氣）中的氧產生活性氧或臭氧。藉由該等活性氧與臭氧，SOC膜的表面（SOC膜的一部分）被分解除去，實行所謂的回蝕。
該等對晶圓W照射UV以實行SOC膜的平坦化的步驟，在如圖12所示的對晶圓W進行加熱處理時，從晶圓W昇華的昇華物有時會附著於UV透光部93的底面，若昇華物9附著於UV透光部93則透光率會下降，便無法實行良好的UV處理。因此，在實行過例如預先設定之枚數的晶圓W的處理之後，會使用遍及表面以及背面之中的至少表面的全部形成了熱觸媒層5的清潔用基板6將昇華物9除去。
例如利用與晶圓W同樣的步驟，如圖13所示的將清潔用基板6載置於載置台81。之後，利用載置台81將清潔用基板6（熱觸媒層5）加熱到200～400℃（例如300℃）。接著如圖14所示的令升降銷83上升，使清潔用基板6上升到其與UV透光部93之間的高度尺寸在數mm～十數mm的範圍內（例如3mm）的高度。此時持續以載置台81進行加熱，將清潔用基板6的溫度維持在300℃。另外利用氣體供給部94供給清淨空氣，同時開始從排氣口95排氣。其結果，藉由熱觸媒層5的作用，附著於UV透光部93的底面的昇華物9被分解，被分解之昇華物9與蒙氣一起從排氣口95排出。
若根據第3實施態樣，則係藉由將清潔用基板6加熱，以將附著於UV透光部93的表面的昇華物9除去。因此可抑制UV的透光率變差對UV處理所造成的不良影響，另外也具有可降低拆解處理容器2並實行內部清潔之維修頻度的效果。在第3實施態樣中，亦可於排氣管96形成熱觸媒層以抑制昇華物在下游側的排氣通路析出，此時，亦可將排氣管96設置成像第2實施態樣那樣的壓力損失很大的構造。另外亦可將載置台81設置成可隨意升降的構造，並令載置台81上升，使除去用基板接近UV透光部93的底面，在本例中只要清潔用基板6的至少表面側被熱觸媒層5所覆蓋即可，惟亦可表面以及背面這兩面都被覆蓋。本發明的基板處理裝置，不限於加熱基板的裝置，亦可為例如利用處理氣體蝕刻基板的裝置。
關於熱觸媒層所使用之材料的例子，亦可為以下之化學式所示的物質。BeO（氧化鈹）、MgO（氧化鎂）、CaO（氧化鈣）、SrO（氧化鍶）、BaO（氧化鋇）、CeO2 （二氧化鈰）、TiO2 （二氧化鈦）、ZrO2 （二氧化鋯）、V2 O5 （五氧化二釩）、Y2 O3 （三氧化二釔）、Y2 O2 S（二氧硫化二釔）、Nb2 O5 （五氧化二鈮）、Ta2 O5 （五氧化二鉭）、MoO3 （三氧化鉬）、WO3 （三氧化鎢）、MnO2 （二氧化錳）、Fe2 O3 （三氧化二鐵）、Fe3 O4 （四氧化三鐵）、MgFe2 O4 、NiFe2 O4 、ZnFe2 O4 、ZnCo2 O4 、ZnO（氧化鋅）、CdO（氧化鎘）、MgAl2 O4 、ZnAl2 O4 、Tl2 O3 （三氧化二鉈）、In2 O3 （三氧化二銦）、SnO2 （二氧化錫）、PbO2 （二氧化鉛）、UO2 （二氧化鈾）、Cr2 O3 （三氧化二鉻）、MgCr2 O4 、FeCrO4 、CoCrO4 、ZnCr2 O4 、WO2 （二氧化鎢）、MnO（氧化錳）、Mn3 O4 （四氧化三錳）、Mn2 O3 （三氧化二錳）、FeO（氧化鐵）、NiO（氧化鎳）、CoO（氧化鈷）、Co3 O4 （四氧化三鈷）、PdO（氧化鈀）、CuO（氧化銅）、Cu2 O（氧化二銅）、Ag2 O（氧化二銀）、CoAl2 O4 、NiAl2 O4 、Ti2 O（氧化二鈦）、GeO（氧化鍺）、PbO（氧化鉛）、TiO（氧化鈦）、Ti2 O3 （三氧化二鈦）、VO（氧化釩）、MoO2 （二氧化鉬）、IrO2 （二氧化銥）、RuO2 （二氧化釕）。再者該等熱觸媒體，宜加熱到200℃以上，更宜加熱到300℃以上的溫度。另外當欲將熱觸媒體設置於處理容器的內面或排氣管的內面時，亦可設置例如將熱觸媒體形成板狀的成型體。另外維修用基板亦可為由熱觸媒體所構成的板狀體。
另外藉由將該等材料使用於熱觸媒層5，便可將聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、ABS樹脂、環氧樹脂、酚殘留物、苯、甲苯、揮發性有機碳等分解。
另外對於覆蓋在處理容器或排氣管的內面的熱觸媒層而言，除了將熱觸媒層加熱的加熱部之外，更可設置將熱觸媒層冷卻的冷卻機構。例如可列舉出於處理容器的壁內或排氣管的周圍埋設冷卻配管，並令例如被冷卻器所冷卻之冷卻水流通於冷卻配管的內部的構造。在該等構造中，例如利用冷卻機構將熱觸媒層冷卻，令處理容器內的蒙氣或排氣管內的流通排氣所含之有機成分析出於熱觸媒層的表面。之後利用加熱機構將熱觸媒層加熱，以將昇華物分解除去。若根據該等方法，由於可將熱觸媒層冷卻以積極地捕捉收集蒙氣或排氣中所含之有機成分，故捕捉收集效率會提高，如是便可除去比加熱熱觸媒層以除去有機成分的方式更多的昇華物。藉此便可更進一步抑制流到排氣管的下游側的有機成分的量。
［第4實施態樣］ 以下所述之第4～6實施態樣，係表示將本發明之基板處理裝置適用於加熱處理裝置的例子。本發明，亦可將多孔質的熱觸媒體（熱觸媒物質）配置於排氣通路並使排氣流通過該熱觸媒體之中，本發明之第4實施態樣，係採用該等方法的加熱處理裝置的構造例。圖15以及圖16所示之例，取代上述圖7所示之加熱處理裝置中的包含排氣通路300在內的構造部位，具備包含將多孔質的熱觸媒形成塊狀的成型體（亦即塊體322）在內的構造體310。構造體310，具備：包含一端與形成於蓋部22的排氣口32連接的排氣通路312在內的本體部分311，以及從形成於該排氣通路312的另一端側的排氣埠313插入該排氣通路312內的筒匣320。
筒匣320，具備殼體321以及多孔質的熱觸媒體（亦即塊體322）。殼體321係保持塊體322的保持體，形成從排氣通路312的上游側向下游側延伸且頂面為開口的大略箱型。殼體321，製作成將筒匣320插入排氣通路312時排氣通路312的壁面與筒匣320之間會形成不會妨礙到筒匣320裝卸之程度的極狹窄的間隙。另外於殼體321的長度方向一端側的底面，在對應排氣口32的位置形成了孔部323。再者殼體320的長度方向的另一端側的側面為開放的，同時用來將筒匣320從排氣通路312拉出的水平突片324以從殼體321的底面延伸而出的方式形成。
塊體322，例如構成令熱觸媒物質附著於由陶瓷所構成之多孔質體的觸媒載持體（亦即過濾器）的構造，並形成可收納於殼體321的角柱狀。然後如圖16所示的由塊體322插入殼體321所構成的筒匣320，從排氣埠313插入排氣通路312。排氣埠313，與連接於工場用資源之圖中未顯示的導管連接。在本例的加熱處理裝置中，例如設置於蓋體22的加熱器10透過本體部分311，將排氣通路312內的塊體322加熱，使熱觸媒體活性化。另外亦可於本體部分311設置加熱器，並利用該加熱器將塊體322加熱。然後當對處理容器2內的蒙氣進行排氣時，排氣流在流過排氣通路312時會通過構成塊體322的多孔質體的空隙，並經由導管排出。
藉由像這樣配置成將多孔質體的塊體322塞入排氣通路312，並使排氣流通過塊體322內的空隙，排氣流所含之昇華物接觸熱觸媒體的面積便會變大，排氣流中的昇華物的分解效率便更良好。然後例如在每經過一既定枚數之晶圓W的處理或一段加熱處理裝置的既定運作時間便將排氣埠313與導管分離，並從排氣通路312將筒匣320取出，然後將塊體322更換成新的塊體322。
在加熱處理裝置中，在實行加熱處理之後，會有排氣所含之難分解物質阻塞塊體322的空隙，而使排氣流量降低之虞，惟若根據第4實施態樣的加熱處理裝置，便可快速而簡單地從排氣通路312將塊體322取出並更換之。因此可簡單地實行維修，以圖縮短維修所導致之裝置運轉中斷時間（down time）。
另外亦可取代塊體322，例如使熱觸媒體附著於粒狀的陶瓷球的表面，並以填埋殼體321的間隙的方式填充之。將熱觸媒體所設之基質設置成粒子狀的態樣，表面積也會變大，故具有同樣的效果。另外，當欲將塊體322設置在排氣通路312的內部時，亦可使塊體322形成「塊體322的構造材料（亦即陶瓷）的密度從配置在排氣通路312的上游側（排氣口32側）的部位向配置在下游側（導管側）的部位變高（越上游側空隙率越高）」的態樣。藉由該等構造，排氣通過塊體322時的壓力損失會變小，故排氣流會平穩地流過排氣通路312，如是便可輕易地確保所需要的排氣流量。再者熱觸媒用的加熱部，亦可埋設於塊體322的內部。例如可列舉出如圖17所示的在塊體322的內部設置在長度方向上複數次彎曲迂迴的加熱器325的構造。
［第5實施態樣］ 另外針對對於構成將複數個加熱處理裝置的各自的排氣通路連接於共通的排氣通路（亦即集合導管）以進行排氣的構造的基板處理裝置適用本發明的實施態樣，用圖18進行説明。在圖18中，加熱處理裝置1所連接之300，係表示加熱處理裝置1的個別的排氣通路，330係表示共通的集合導管，集合導管330的下游側與工場用資源連接。然後該實施態樣，如圖18所示的具備熱觸媒物質的熱觸媒單元340以可隨意裝卸的方式設置於集合導管330。
熱觸媒單元340，例如，如圖18的縱剖面圖所示的，具備剖面形狀與集合導管330的剖面形狀對應的管路332，透過形成於管路332的兩端的凸緣331與集合導管330側的凸緣，以可隨意裝卸的方式連接於集合導管330。在管路332的內部，固定著多孔質的熱觸媒體的塊體341，於管路332的外表面，遍及整個周圍設置了用來加熱塊體341的加熱器342。另外加熱器342的周圍，被隔熱材343所覆蓋，然後隔熱材343的外側被蓋部344所覆蓋。另外亦可取代在蓋部344與加熱器342之間設置隔熱材343，令冷卻水流通於蓋部344與加熱器343之間，或是供給隔熱用的空氣。在本例中，係於各加熱處理裝置1的個別的排氣通路300，例如，如第2實施態樣或第4實施態樣所述的，設置熱觸媒體，除了個別的排氣管300之外，更於集合導管330設置熱觸媒體，藉以避免個別的排氣通路300所無法除去的昇華物附著堆積在下游側。
另外在第5實施態樣中，在並未於個別的排氣通路300設置熱觸媒體而係於處理容器2的內面設置熱觸媒體的情況下，或是於個別的排氣通路300以及處理容器2的內面均未設置熱觸媒體的情況下，亦可僅於集合導管330設置熱觸媒體。另外在第3實施態樣的加熱處理裝置中，亦可構成更於集合導管330設置熱觸媒單元340的構造。
［第6實施態樣］ 圖19、圖20，係表示本發明之第6實施態樣的加熱處理裝置。該加熱處理裝置，利用埋設了加熱部（亦即加熱器361）的熱板362以及該熱板362所嵌入之基體370構成載置晶圓W的載置台360，於載置台360的周緣部位（亦即基體370的表面）沿著周圍方向遍及整個周圍設置了複數個具有開口的排氣口363。在基體370內，以各排氣口363為開口端的排氣通路364，設置成往下方延伸並向載置台360的中央部位彎曲。另一方面，於載置台360的底面中央部位，連接了排氣管365，且設置了例如圓柱狀的塊體366，其底面塞住該排氣管365的開口部，另外其周圍面塞住排氣通路364的下游側。亦即，排氣管365與排氣通路364之間被塊體366塞住，塊體366的頂面與熱板362的底面接觸。塊體366，與第4實施態樣所使用的塊體322同樣，構成令熱觸媒體附著於例如多孔質之陶瓷過濾器的構造。另外，排氣通路364，亦可設置成由對應各排氣口363上下延伸的排氣通路以及該等排氣通路的下端於其形成開口的共通排氣室所構成，並在該排氣室內設置塊體366的構造。另外在載置台360的上方，設置了蓋部367，蓋部367，於頂板部中央連接了用來供給例如氮氣（N2 氣體）等的清洗氣體的清洗氣體供給管路368。因此在該實施態樣中，加熱器361，兼作熱觸媒用的加熱部。
藉由以該等方式構成，便可利用載置台360的熱板362將晶圓W加熱，同時將設置於排氣通路364的熱觸媒體（亦即塊體366）加熱，使其活性化。然後由於在從排氣口363將晶圓W的上方的蒙氣排出時，排氣會通過受到加熱的塊體366才排出，故可將排氣所含之昇華物分解。另外第1～第5實施態樣所示之加熱處理裝置的載置台，亦可適用圖19、圖20所示之載置台360。
另外例如亦可測定在排氣通路中，設置了熱觸媒體的區域的下游側的排氣壓，並在排氣壓超過閾値時，令熱觸媒體的溫度上升。例如，如圖21所示的，在第4實施態樣所示之加熱處理裝置中，在排氣通路312的設置了塊體322的區域的下游側，設置測定排氣壓的排氣壓測定部326。然後構成「預先將排氣壓的上限閾値記憶於控制部100，比較排氣壓測定部326的測定値與壓力的上限閾値，當排氣壓超過上限閾値時，令熱觸媒用的加熱部（亦即加熱器10）的溫度上升到例如500℃」的構造。
例如在加熱處理裝置中，在實行晶圓W的處理，接著進行蒙氣的排氣之後，未能分解完畢的昇華物有時會附著於塊體322或排氣通路312，壓力損失可能會變高，故會有導致排氣流量降低之虞。因此藉由在排氣壓上升時提高加熱器10的溫度，以提高熱觸媒體的活性。藉此，便可將阻塞於塊體322的物質或附著於排氣通路312的附著物也分解，故可降低壓力損失，並降低維修的頻度。
另外排氣壓測定部326，亦可設置在比設置熱觸媒體的區域更靠上游側（處理容器2側）之處。或者亦可測定排氣的流量，並在流量低於下限値時令熱觸媒用的加熱部的溫度提高。再者亦可例如每經過既定枚數之晶圓W的處理，或者裝置的運作時間每經過既定的時間，便在一定的時間內提高熱觸媒用的加熱部的加熱溫度。藉由以該等方式構成便可定期地將附著於成型體的難分解物質除去，進而降低維修的頻度。
［檢證試驗］ 對於被Cr2 O3 所覆蓋之基板，以令聚合物（FRP）附著於表面的樣本為參考例，以並未令聚合物附著於表面的樣本為比較例，測定令參考例以及比較例的樣本的溫度緩緩從0℃提高到600℃時的質量的變化以及熱流。熱流的測定，使用示差掃描熱量測定器。圖22以及圖23係分別顯示出參考例以及比較例的對應溫度的樣本的質量的變化率（質量％）以及熱流（μV）的値的特性圖。若根據該結果，在參考例中，在溫度為300℃～350℃附近熱流增加，質量減少。吾人認為，這是因為，Cr2 O3 作為熱觸媒發揮作用，將聚合物分解的關係。因此，可以說，當使用Cr2 O3 作為熱觸媒層時，藉由加熱到300℃左右，便可將所附著之聚合物分解。
1‧‧‧加熱處理裝置
2‧‧‧處理容器
4‧‧‧LED模組
5‧‧‧熱觸媒層
6‧‧‧清潔用基板
9‧‧‧昇華物
10‧‧‧加熱器
18‧‧‧升降臂
19‧‧‧升降機構
22‧‧‧蓋部
23‧‧‧升降銷
24‧‧‧升降機構
25‧‧‧下構件
26‧‧‧支持構件
27‧‧‧基台
28‧‧‧底部
29‧‧‧貫通孔
30‧‧‧排氣通路
31‧‧‧下側排氣通路
31a‧‧‧連通口
32‧‧‧排氣口
33‧‧‧上側排氣通路
34‧‧‧排氣管
36‧‧‧導熱板
41‧‧‧LED陣列
42‧‧‧透光窗
43‧‧‧反射板
44‧‧‧突起部
51‧‧‧銷
70‧‧‧框體
71‧‧‧搬入搬出口
72‧‧‧擋門
73‧‧‧分隔板
74‧‧‧搬運臂
75‧‧‧升降銷
76‧‧‧升降機構
81‧‧‧載置台
82‧‧‧加熱器
83‧‧‧升降銷
84‧‧‧貫通孔
85‧‧‧升降機構
91‧‧‧燈室
92‧‧‧UV燈
93‧‧‧UV透光部
94‧‧‧氣體供給部
95‧‧‧排氣口
96‧‧‧排氣管
97‧‧‧排氣機構
99‧‧‧選擇部
100‧‧‧控制部
101‧‧‧載置台
102‧‧‧閘門
103‧‧‧搬運臂
104‧‧‧搬運臂
105‧‧‧搬運臂
106‧‧‧搬運臂
107‧‧‧搬運臂
110‧‧‧塗布單元
111‧‧‧杯具模組
300‧‧‧排氣通路
301‧‧‧排氣通路
302‧‧‧捕捉板部
303‧‧‧排氣通路
304‧‧‧捕捉板部
310‧‧‧構造體
311‧‧‧本體部分
312‧‧‧排氣通路
313‧‧‧排氣埠
320‧‧‧筒匣
321‧‧‧殼體
322‧‧‧塊體
323‧‧‧孔部
324‧‧‧水平突片
325‧‧‧加熱器
326‧‧‧排氣壓測定部
330‧‧‧集合導管
331‧‧‧凸緣
332‧‧‧管路
340‧‧‧熱觸媒單元
341‧‧‧塊體
342‧‧‧加熱器
343‧‧‧隔熱材
344‧‧‧蓋部
360‧‧‧載置台
361‧‧‧加熱器
362‧‧‧熱板
363‧‧‧排氣口
364‧‧‧排氣通路
365‧‧‧排氣管
366‧‧‧塊體
367‧‧‧蓋部
368‧‧‧清洗氣體供給管路
370‧‧‧基體
A3‧‧‧主臂
B1‧‧‧載置區塊
B2‧‧‧處理區塊
B3‧‧‧介面區塊
B4‧‧‧曝光站
BCT‧‧‧反射防止膜形成處理
C‧‧‧載體
COT‧‧‧光阻膜形成處理
D1‧‧‧第1單位區塊
D2‧‧‧第2單位區塊
D3‧‧‧第3單位區塊
D4‧‧‧第4單位區塊
D5‧‧‧第5單位區塊
D6‧‧‧第6單位區塊
DEV‧‧‧顯影處理
R3‧‧‧搬運區域
U1~U10‧‧‧棚台單元
W‧‧‧晶圓
[圖1] 係表示塗布、顯影裝置的立體圖。 [圖2] 係表示塗布、顯影裝置的俯視圖。 [圖3] 係表示第1實施態樣的加熱處理裝置的縱斷側視圖。 [圖4] 係表示該加熱處理裝置的作用的説明圖。 [圖5] 係表示本發明的基板處理裝置的維修方法的説明圖。 [圖6] 係表示本發明的基板處理裝置的維修方法的説明圖。 [圖7] 係表示第2實施態樣的加熱處理裝置的縱斷側視圖。 [圖8] 係表示加熱處理裝置的排氣通路的俯視圖。 [圖9] 係表示加熱處理裝置的排氣通路的另一例的俯視圖以及側視圖。 [圖10] 係表示加熱處理裝置的排氣通路的另一例的俯視圖。 [圖11] 係表示第3實施態樣的平坦化裝置的縱斷側視圖。 [圖12] 係表示在平坦化裝置中所產生之昇華物的説明圖。 [圖13] 係表示平坦化裝置的維修方法的説明圖。 [圖14] 係表示平坦化裝置的維修方法的説明圖。 [圖15] 係表示第4實施態樣的加熱處理裝置的剖面圖。 [圖16] 係表示第4實施態樣的加熱處理裝置的分解立體圖。 [圖17] 係表示塊體以及熱觸媒用的加熱部的例子的立體圖。 [圖18] 係表示第5實施態樣的加熱處理裝置的立體圖以及熱觸媒單元的剖面圖。 [圖19] 係表示第6實施態樣的加熱處理裝置的剖面圖。 [圖20] 係表示第6實施態樣的加熱處理裝置的載置台的俯視圖。 [圖21] 係表示設置了排氣壓測定部的加熱裝置的説明圖。 [圖22] 係表示參考例的質量變化與熱量的溫度變化的特性圖。 [圖23] 係表示比較例的質量變化與熱量的溫度變化的特性圖。
2‧‧‧處理容器
4‧‧‧LED模組
5‧‧‧熱觸媒層
10‧‧‧加熱器
18‧‧‧升降臂
19‧‧‧升降機構
22‧‧‧蓋部
23‧‧‧升降銷
24‧‧‧升降機構
25‧‧‧下構件
26‧‧‧支持構件
27‧‧‧基台
28‧‧‧底部
29‧‧‧貫通孔
30‧‧‧排氣通路
32‧‧‧排氣口
41‧‧‧LED陣列
42‧‧‧透光窗
43‧‧‧反射板
44‧‧‧突起部
51‧‧‧銷
99‧‧‧選擇部
100‧‧‧控制部
W‧‧‧晶圓

Claims (22)

  1. 一種基板處理裝置，包含： 處理容器，其在內部設置了載置被處理基板用的載置部； 排氣通路，其用來將該處理容器內的蒙氣排出； 熱觸媒物質，其設置於該處理容器的內面與該排氣通路的至少其中一方，藉由被加熱而熱活性化，以將因為被處理基板的處理而從該被處理基板產生之生成物分解；以及 熱觸媒用的加熱部，其用來將該熱觸媒物質加熱。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中更包含： 基板加熱部，其將該載置部所載置之被處理基板加熱。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中， 從該被處理基板產生的生成物為昇華物。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中， 該排氣通路，具備比其下游側壓力損失更大的壓力損失區域，於該壓力損失區域，設置了該熱觸媒物質。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中更包含： 光源部，其對該載置部所載置之被處理基板照射光線； 透光窗，其將該光源部與處理容器內的蒙氣分隔； 選擇部，其選擇維修模式；以及 控制部，其輸出控制信號，以實行： 將具備該熱觸媒物質的維修用基板，在選擇了該維修模式時搬入該處理容器內的步驟； 接著為了令該熱觸媒物質熱活性化，而利用該基板加熱部加熱該維修用基板的步驟；以及 為了將附著於該透光窗的該生成物除去，而令被加熱之該維修用基板接近該透光窗的步驟。
  6. 一種基板處理裝置，包含： 處理容器，其在內部設置了載置被處理基板用的載置部； 基板加熱部，其將該載置部所載置之被處理基板加熱； 排氣通路，其用來將該處理容器內的蒙氣排出； 光源部，其對該載置部所載置之基板照射光線； 透光窗，其將該光源部與處理容器內的蒙氣分隔； 選擇部，其選擇維修模式；以及 控制部，其輸出控制信號，以實行： 在選擇了該維修模式時，將具備「可藉由被加熱而熱活性化，以將因為基板的處理而從基板產生之生成物亦即昇華物予以分解的熱觸媒物質」的維修用基板，搬入該處理容器內的步驟； 接著，為了令該熱觸媒物質熱活性化，而利用該基板加熱部加熱該維修用基板的步驟；以及 為了將附著於該透光窗的該昇華物除去，而令被加熱之該維修用基板接近該透光窗的步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中， 該光源部，兼作為該基板加熱部。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中， 該光源部，係照射紫外線的燈。
  9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理裝置，其中， 令被加熱之該維修用基板接近該透光窗的步驟，係利用從背面側保持基板並令其升降的升降銷來進行。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項或申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理裝置，其中， 該熱觸媒物質，形成層狀。
  11. 如申請專利範圍第1至3項中任一項或申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理裝置，其中， 該熱觸媒物質，係於多孔質的載持體載持熱觸媒而構成塊體或粒子體，並以塞住該排氣通路的方式設置。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其構成為： 將該熱觸媒物質被收納於殼體的筒匣，以可隨意裝卸的方式裝設於排氣通路。
  13. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中更包含： 測定部，其測定該排氣通路的排氣壓或排氣流量；以及 控制部，其在該測定部所測定到的排氣壓超過設定値或所測定到的排氣流量低於設定値時，進行控制，令熱觸媒用的加熱部的加熱溫度上升。
  14. 如申請專利範圍第1至3項中任一項或申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理裝置，其中更包含： 控制部，其進行控制，俾於每經過一段基板處理的累計時間或每經過一基板的處理枚數之後，便暫時地令熱觸媒用的加熱部的加熱溫度上升。
  15. 如申請專利範圍第1至3項中任一項或申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理裝置，其中， 設置了複數個該處理容器，並具備共通排氣通路，各處理容器所個別設置之相當於該排氣通路的個別排氣通路分別合流於該共通排氣通路； 於該個別排氣通路設置了該熱觸媒物質，更以塞住該共通排氣通路的方式設置了「於多孔質的載持體載持熱觸媒的塊體或粒子體而構成的熱觸媒物質」。
  16. 一種基板處理方法，包含： 將被處理基板載置於處理容器內的載置部並進行處理的步驟； 將該處理容器內的蒙氣經由排氣通路排出的步驟；以及 將設置於該處理容器的內面以及該排氣通路的至少其中一方的熱觸媒物質加熱，使其熱活性化，以將因為被處理基板的處理而從基板產生之生成物分解的步驟。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理方法，其中， 該載置部所載置之被處理基板的處理，係一邊利用基板加熱部加熱一邊進行。
  18. 如申請專利範圍第16或17項之基板處理方法，其中更包含： 該熱觸媒物質係於多孔質的載持體載持熱觸媒的塊體或粒子體而構成，並以塞住該排氣通路的方式設置，當測定該排氣通路的排氣壓或排氣流量的測定部所測定到的排氣壓超過設定値或所測定到的排氣流量低於設定値時，令熱觸媒物質的加熱溫度上升的步驟。
  19. 如申請專利範圍第16或17項之基板處理方法，其中更包含： 在每經過一段基板處理的累計時間或每經過一基板的處理枚數之後，便暫時地令熱觸媒用的加熱部的加熱溫度上升的步驟。
  20. 一種基板處理記憶媒體，其記憶了電腦程式，該電腦程式用於基板處理裝置，該基板處理裝置具備在內部設置了載置被處理基板用的載置部的處理容器，該基板處理記憶媒體的特徵為： 該電腦程式，包含有用以實行申請專利範圍第16至19項中任一項所記載的基板處理方法的步驟群。
  21. 一種基板處理裝置的維修方法，該基板處理裝置包含：處理容器，其在內部設置了載置被處理基板用的載置部；基板加熱部，其將該載置部所載置之被處理基板加熱；排氣通路，其用來將該處理容器內的蒙氣排出；光源部，其對該載置部所載置之基板照射光線；以及透光窗，其將該光源部與處理容器內的蒙氣分隔；該基板處理裝置的維修方法的特徵為包含： 將具備「可藉由被加熱而熱活性化，以將因為基板的處理而從基板產生之生成物亦即昇華物予以分解之熱觸媒物質」的維修用基板，搬入該處理容器內的步驟； 接著，為了令該熱觸媒物質熱活性化，而利用該基板加熱部加熱該維修用基板的步驟；以及 為了將附著於該透光窗的該昇華物除去，而令被加熱之該維修用基板接近該透光窗的步驟。
  22. 一種基板處理記憶媒體，其記憶了電腦程式，該電腦程式用於基板處理裝置，該基板處理裝置具備在內部設置了載置被處理基板用的載置部的處理容器，該基板處理記憶媒體的特徵為： 該電腦程式，包含用以實行申請專利範圍第21項所記載之基板處理裝置的維修方法之步驟群。
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