CN105051871A - 放置台及等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明是一种放置台及等离子体处理装置，在放置通过还原性自由基来进行处理的被处理基板的放置台中，所述放置台包括：在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面；及邻接于所述放置面的非放置面，所述非放置面的至少一部分的表面被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖。

Description

放置台及等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及一种放置台及等离子体处理装置。
背景技术
作为用于进行对形成在半导体装置制造用的硅片、曝光掩模用的玻璃基板等被处理基板上的抗蚀层进行剥离的灰化处理的装置，存在利用等离子体的等离子体处理装置。
在进行灰化处理等的等离子体处理时，有时会将从等离子体生成的自由基作为主体而进行化学处理。例如，在一般称之为远程等离子体处理装置的等离子体发生区域与处理容器隔离的等离子体处理装置中进行处理时，在放电管内发生等离子体，通过使因等离子体而生成的等离子体生成物中寿命也长的活性物质(自由基)到达被处理基板表面上，从而进行处理。
在这样的等离子体处理装置中，如专利文献1所示，预先进行用气体耐腐蚀性、耐热性出色的氧化铝膜(Al2O3)来覆盖处理容器内的构件(例如放置被处理基板的放置台)表面的处理。
另外，如专利文献2所示，近几年在灰化处理中作为对抗蚀层的底膜的损伤少的处理气体而有时会使用氢气等的还原性气体。
但是，存在如下问题，当用氧化铝膜覆盖处理容器内的构件(例如放置被处理基板的放置台)表面时，即使自由基到达处理容器，也与处理容器内的氧化铝膜发生反应而自由基失去活性。
尤其，通过含氢气体来进行灰化处理时，含氢气体的因等离子体而生成的氢自由基与包含在氧化铝膜中的氧发生反应，从而失去活性。这样，在使用氢等还原性气体而进行等离子体处理时，从还原性气体的等离子体生成的还原性自由基与引起还原反应的构件发生反应，从而失去活性。因此，存在接近放置台表面的氧化铝膜等引起还原反应的构件的区域即被处理基板的周缘部的灰化速率降低的问题。
专利文献1：日本国特开平8-195343号公报
专利文献2：日本国特开2006-13190号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种放置台及等离子体处理装置，其抑制还原性自由基失去活性，能够提高等离子体处理效率。
根据实施方式所涉及的放置台，放置通过还原性自由基来进行处理的被处理基板，其特征为，所述放置台具备：在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面；及邻接于所述放置面的非放置面，所述非放置面的至少一部分的表面被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖。
根据本发明，抑制还原性自由基中的活性物质失去活性，能够提高等离子体处理效率。
附图说明
图1是用于例示第1实施方式所涉及的等离子体处理装置的模式剖视图。
图2(a)及图2(b)是在从断面观察被处理基板W时的图。
图3(a)～图3(c)是比较第1实施方式与现有实施方式的灰化速率分布图。
图4(a)～图4(c)是用于例示第2实施方式所涉及的等离子体处理方法的模式剖视图。
图5(a)～图5(e)是被处理基板W及放置台4的剖视图。
具体实施方式
以下，在本实施方式中“灰化”、“剥离抗蚀层”、“去除抗蚀层”是相同意思。另外，“活性物质”、“自由基”是相同意思。
第1实施方式
以下，参照附图对实施方式进行例示。并且，在各附图中，对相同的构成要素标注相同的符号并适当省略详细说明。
在本实施方式中，例示对形成在玻璃基板等非处理基板W的被处理面上的抗蚀层进行剥离处理的等离子体处理装置。
图1是用于例示第1实施方式所涉及的等离子体处理装置100的模式剖视图。图1所示的等离子体处理装置100是等离子体发生区域从处理容器1隔离的等离子体处理装置，一般称之为远程等离子体处理装置。
等离子体处理装置100具备处理容器1、等离子体发生部3、减压部8。等离子体发生部3设置有放电管7、微波发生部10、导入波导管6、气体供给部2等。
处理容器1
处理容器1是以可维持减压气氛的方式被密封的容器。被处理基板W如下，放置在设置于处理容器1内的放置台4上，通过因在等离子体发生区域P中发生的等离子体而生成的等离子体生成物来进行灰化处理。放置台4中内置加热器等温度控制单元4a，可进行被处理基板W的温度控制。对放置台4进行后述。
搬入搬出口9
在处理容器1的侧壁上设置有将被处理基板W搬入、搬出于处理容器1内的搬入搬出口9。搬入搬出口9处设置有闸阀9a。闸阀9a具有门9b，通过阀门开闭机构(未图示)对门9b进行开闭，从而开放、关闭搬入搬出口9。门9b具备O型环等密封构件9c，在用门9b关闭搬入搬出口9时，能够密封搬入搬出口9与门9b的接触面。
排气口8a
在处理容器1内的底部附近设置有排气口8a，通过压力控制部8b连接有减压部8。减压部8通过压力控制部8b在对处理容器1内的压力进行控制的同时进行排气，处理容器1内部的压力成为规定的压力为止进行减压。
放电管7、气体搬运部5
在内部具有等离子体发生区域的放电管7通过气体搬运部5连接于处理容器1。气体搬运部5与设置在处理容器1的上顶附近的未图示的开口部相连接。在等离子体发生区域P中生成的等离子体生成物能够经由该气体搬运部5而到达被处理基板W的主面。
气体供给部2
气体供给部2通过以规定的比例混合2种以上的处理气体的气体混合部5a向放电管7内部的等离子体发生区域P导入规定量的处理气体G。通过在等离子体发生区域P中激发该处理气体G，从而生成等离子体生成物。处理气体G可以是含氢的气体与非活性气体的混合气体。作为非活性气体可以是氮或氦或氩。也可以将处理气体G只视为氢气。此时，也可以不设置气体混合部5a。当处理气体G为含氢的气体时，生成氢自由基等的等离子体生成物。
微波发生部10
微波发生部10使规定能量(例如2.45GHz)的微波M发生震荡，而向导入波导管6放射。
导入波导管6
导入波导管6传播从微波发生部10放射的微波M而向放电管7内部的等离子体发生区域P导入微波M。
因被导入的微波M而得到能量，从而在等离子体发生区域P中形成处理气体G的等离子体。包含在等离子体中的自由基等活性物质通过气体搬运部5被供给到处理容器1内的被处理基板W上，进行抗蚀层的灰化处理。
在此，在从等离子体发生区域P到达被处理基板W表面期间，当暴露于氢自由基的构件的表面由包含石英(SiO2)或氧化铝膜(Al2O3)等含氧材料所形成时，在氢自由基到达构件表面时发生还原反应。即，有助于被处理基板W的处理的氢自由基在从等离子体发生区域P到达被处理基板W表面期间因与暴露于氢自由基的构件表面的还原反应而被消耗从而失去活性。其结果，被处理基板W的处理效率降低。在构件表面包含氮化物时也相同。
于是，用硅(Si)覆盖在从等离子体发生区域P到达被处理基板W表面期间暴露于氢自由基的构件表面。由于硅(Si)不含氧，因此不会与氢自由基发生还原反应，能够抑制在构件表面上自由基失去活性。其结果，能够抑制被处理基板W的处理效率降低。
在此，作为在从等离子体发生区域P到达被处理基板W表面期间暴露于氢自由基的构件，以下进一步例示放置被处理基板W的放置台4而进行说明。
放置台4
在放置台4的表面由石英(SiO2)或氧化铝膜(Al2O3)等含氧材料所形成时，当氢自由基到达构件表面时发生还原反应。
尤其在如图2(a)所示地接近放置台4表面的被处理基板W的周缘部分，处理速率降低。其结果，被处理基板W的处理均一性降低。
于是，如图2(b)所示，本实施方式中的放置台4在上面(放置被处理基板W的侧的面)搭载表面被硅(Si)所覆盖的基座4b。
图3(a)～图3(c)中表示比较本实施方式与现有方式的剥离抗蚀层速率(灰化速率)分布。在图3(a)及图3(b)中，在形成有抗蚀层的硅基板(被处理基板W)中，进行了剥离抗蚀层的灰化处理。图3(a)表示现有方式中的灰化速率，图3(b)表示本实施方式的灰化速率。另外，图3(c)表示在被处理基板W主面上的X、Y方向。
在本实施方式(图3(b))中，将被处理基板放置于如上所述地在上面搭载有被硅(Si)所覆盖的基座4b的放置台4，而进行灰化处理。另外，在现有方式(图3(a))中，将被处理基板W放置于实施了氧化铝膜(Al2O3)表面处理的放置台4，而进行灰化处理。
如本实施方式那样，通过在放置台4上搭载被硅(Si)所覆盖的基座4b，从而与现有方式(图3(a))相比，很明确可抑制被处理基板W周缘的剥离抗蚀层速率的降低。即，在本实施方式中，能够抑制在被处理基板W的周缘区域氢自由基失去活性。其结果，能够提高被处理基板W的处理均一性。
通过抑制与构件表面发生还原反应，从而从抑制氢自由基失去活性的观点考虑，构件表面由非氧化物所形成即可。只是，如果考虑对被处理基板W的污染，则覆盖基座4b的材料优选构成被处理基板W的材料。例如，在被处理基板W为石英(SiO2)或硅(Si)时，较佳的构件表面材料是含硅(Si)的材料。而且如果是硅(Si)，则可抑制如上所述地氢自由基失去活性，而且能够抑制对被处理基板W的污染。
另外，由于从图3(a)明显看出受因氢自由基失去活性而发生的灰化速率减低的影响的是被处理基板W的周缘部，因此也可以使基座4b的形状呈埋没放置台4的放置面露出的部分(在从正上方观察放置台4时，不存在被处理基板W的部分)且像只保持被处理基板W的周缘部那样的中空构件。例如也可以是环状的构件。此时，以保持被处理基板W的部分的宽度成为被处理基板W的处理区域外的方式设定环的宽度即可，以便在被处理基板W的处理区域(例如元器件形成区域)中的加热时的面内温度分布变少。
根据本实施方式，在放置被处理基板的放置台4由石英(SiO2)或氧化铝膜(Al2O3)等含氧材料所形成时，能够抑制在氢自由基到达构件表面时发生的还原反应。即，由于在放置台4的上面(放置被处理基板W的侧的面)具有表面被硅(Si)所覆盖的基座4b，因此能够抑制在等离子体发生区域P中生成的自由基在由含氧材料所形成的放置台4的表面上失去活性。其结果，能够抑制接近放置台4的被处理基板W的周缘区域的灰化速率的降低，能够提高被处理基板W的处理均一性。
第2实施方式(等离子体处理方法)
以下，参照附图对实施方式进行例示。并且，在各附图中，对相同的构成要素标注相同的符号并适当省略详细说明。
在此，例示对形成在玻璃基板(基体)的被处理面上的抗蚀层进行剥离处理的等离子体处理方法。另外，在此，对制造EUV掩模底版(MaskBlank)的一系列工序中的剥离抗蚀层处理进行说明。
图4(a)～图4(c)是用于例示第2实施方式所涉及的等离子体处理方法的模式剖视图。
首先，准备在基体200上以反射层201、保护层202、吸收体层203、抗蚀层204的顺序进行层叠的EUV掩模基板(被处理基板)W。
基体200例如由石英等材料所构成。由于反射层201是将像钼膜与硅膜那样的折射率相互较大不同的材料分别交替层叠40层而构成，因此能够成为在将EUV光照射于层表面时的光线反射率得到提高的多层反射膜。如前所述，保护层202是为了抑制在进行吸收体层203的等离子体蚀刻时反射层201所受的损伤而设置的，可以含有钌(Ru)或氮化铬(CrN)。吸收体层203能够使用对EUV光的吸收系数高的材料例如铬(Cr)或钽(Ta)为主成分的材料。吸收体层203也可以是层叠对于EUV光照射的反射率不同的2层以上的层而构成。
如图4(a)所示，在吸收体层203的表面上形成有成为蚀刻掩模的实施图案形成的抗蚀层204。通过既存的方法进行抗蚀层204的图案形成。此时，在抗蚀层的开口部204a露出有吸收体层203。
接下来，如图4(b)所示，通过第1蚀刻处理对应于抗蚀层的开口部204a而在吸收体层203上形成图案。能够通过等离子体处理来进行第1蚀刻处理。所使用的处理气体可以是吸收体层203的材料容易发生反应的气体例如Cl2、HCl、CCl4等的氯系气体或者与其他气体的混合气体。
这样通过第1蚀刻处理而在吸收体层203上形成图案。此时，在吸收体层的开口部203a露出有保护层202的表面。
之后，如图4(c)所示地去除抗蚀层204。
此时，通过氢与非活性气体的混合气体的等离子体来去除抗蚀层204。
在此，当使用第1实施方式的等离子体处理装置时，即使放置被处理基板的放置台4由石英(SiO2)或氧化铝膜(Al2O3)等含氧材料所形成，也能够抑制在氢自由基到达构件表面时发生还原反应。即，由于在放置台4的上面(放置被处理基板W的侧的面)具有被硅(Si)所覆盖的基座4b，因此能够抑制在等离子体发生区域P中生成的自由基在由含氧材料所形成的放置台4的表面上失去活性。其结果，能够抑制接近放置台4的被处理基板W的周缘区域的灰化速率的降低，能够提高被处理基板W的处理均一性。
另外，在去除抗蚀层时，如果通过设置于放置台4的温度控制单元4a进行温度控制，则能够抑制钼层的扩散。
另外，在去除抗蚀层204之后，根据需要再次将抗蚀层涂布在保护层202上而进行图案形成，能够将该抗蚀层作为掩模而进行保护层202或反射层201的蚀刻处理。
如以上所示，能够对形成在基体200的被处理面上的抗蚀层204进行剥离处理。
以上，例示了第1、第2实施方式。但是，本发明并不局限于这些记述。
关于前述的实施方式，只要具备本发明的特征，本领域技术人员适当地追加、删除构成要素或者进行设计变更或者追加、省略工序或者进行条件变更的发明，也包含在本发明的范围内。
例如，虽然作为本实施方式的等离子体处理装置而将远程等离子体型的等离子体处理装置为例进行了说明，但是也可以应用于等离子体发生区域与放置被处理基板W的反应室设置在同一处理容器内的下降流型等的其他方式的等离子体处理装置。
另外，在上述第1、第2实施方式中，虽然作为暴露于氢自由基的构件而举出由石英(SiO2)或氧化铝膜(Al2O3)等含氧材料所形成的放置台4的例子，此时，通过在放置台4的上面(放置被处理基板W的侧的面)设置表面被硅(Si)所覆盖的基座4b，从而抑制在等离子体发生区域P中生成的自由基在由含氧材料所形成的放置台4的表面上失去活性，但是由于用硅(Si)覆盖放置台4的表面即可，因此代替基座4b也可以用硅膜覆盖放置台4的表面。但是，如果使用基座4b，则由于可从放置台4装卸，因此能够拆卸基座4b而进行清洁，维护性得到提高。
另外，也可以代替放置台4或者与放置台4一起应用于在从等离子体发生区域P到达被处理基板W表面的期间暴露于氢自由基的构件。在从该等离子体发生区域P到达被处理基板W表面的期间暴露于氢自由基的构件，例如可以是处理容器1内的内壁面或整流气流的整流板(未图示)或气体输送部5的内壁面等。
这样，即使在从等离子体发生区域P到达被处理基板W表面的期间暴露于氢自由基的构件的表面由石英(SiO2)或氧化铝膜(Al2O3)等含氧材料所形成，也能够抑制在氢自由基到达构件表面时发生还原反应。即，能够抑制有助于被处理基板W的处理的自由基在从等离子体发生区域P到达被处理基板W表面期间因与暴露于氢自由基的构件表面的还原反应而被消耗从而失去活性，被处理基板W的处理效率降低。
另外，在上述的第1、第2实施方式中，虽然用硅(Si)覆盖各种构件，但是由于构件表面为硅(Si)即可，因此也可以构件自身就由硅(Si)所构成。
另外，例如，虽然作为本实施方式的等离子体处理方法而以剥离抗蚀层处理为例进行了说明，但是也可以应用于通过氢自由基进行处理的蚀刻处理等其他方式的等离子体处理方法。
另外，例如，在上述的第1、第2实施方式中，虽然处理气体G是含氢气体，但是也可以应用于使用因其他还原性气体而生成的还原性自由基的处理中。
第3实施方式
本实施方式例如涉及用于等离子体处理装置的放置台。
在本实施方式中，也使用图1所示的等离子体处理装置100。等离子体处理装置100是等离子体发生区域从处理容器1隔离的等离子体处理装置。
被处理基板W放置于设置在处理容器1内的放置台4，通过由在等离子体发生区域P中发生的等离子体所生成的活性物质(自由基)等的等离子体生成物来进行等离子体处理。
在本实施方式中，也通过氢自由基等的还原性自由基来进行被处理基板W的等离子体处理。
与上述的第1、第2实施方式同样，在暴露于还原性自由基的构件表面由石英(SiO2)或氧化铝膜(Al2O3)等含氧材料所形成时，在还原性自由基到达构件表面时，发生还原反应。即，有助于被处理基板W的处理的自由基因与处理容器1内的构件表面的还原反应而被消耗从而失去活性。其结果，被处理基板W的处理效率降低。构件表面含氮化物时也相同。
于是，用不与还原性自由基发生还原反应的材料来覆盖暴露于还原性自由基的构件表面。不发生还原反应的材料例如可以是硅(Si)或无杂质的金属材料(Al、Pt、Au等)。由于这些不含有氧化物或氮化物等发生还原反应的材料，因此不会与还原性自由基发生还原反应，能够抑制在构件表面上自由基失去活性。其结果，能够抑制被处理基板W的处理效率降低。
放置台4是放置被处理基板W的构件，例如呈圆柱形状。
在此，在被处理基板W放置于放置台4的状态下俯视该放置台4时，将由被处理基板W所覆盖的部分定义为放置面，不由被处理基板W所覆盖的部分定义为非放置面，将两个面统一定义为上面。非放置面如下，被设置成邻接于放置面，既可以由与放置面同一的构件所构成，也可以由其他的构件所构成。
图5(a)是表示比较例中的放置台4-1的图。对放置台4-1的上面(放置面与非放置面)实施了氧化铝膜(Al2O3)表面处理。
如图5(a)所示，在放置台4-1的上面由发生还原反应的材料所形成时，自由基与从被处理基板W露出的非放置面发生还原反应而被消耗。其结果，在接近非放置面的被处理基板W的周边区域，有助于处理的自由基量减少，灰化速率降低。其结果，被处理基板W的处理均一性降低。
图5(b)～图5(e)是表示本实施方式中的放置台4-2～4-5的图。
图5(b)是使放置台4-2的放置面与被处理基板W的背面接触而放置被处理基板W的图。
图5(c)～图5(e)是在放置台4-3～4-5的各放置面与被处理基板W的背面之间设置间隔而放置被处理基板W的图。
在被处理基板W为作为光掩模而使用的石英基板时，由于将被处理基板W放置于放置台4，因此被处理基板W的成为产品的区域的背面产生伤痕或附着污物等，成为被处理基板W的透过性变差的要因。
因此，被处理基板W以其成为产品的区域(例如中心部)的背面与放置台4的放置面具有间隔的方式被放置。例如，通过从放置台4的放置面突出的放置部4c来保持被处理基板W的不成为产品的区域(例如周端部)的背面。该放置部4c是销等呈棒状的构件，其顶端部可保持被处理基板W。
另外，该放置部4c连接于具有驱动源的升降单元，通过进行升降动作，从而能够调整被处理基板W的背面与放置台4的放置面的间隔。例如，在进行灰化时，调整为放置台4的温度控制单元4a能够通过辐射热来进行被处理基板W的温度控制的程度的间隔，在搬入搬出被处理基板W时，调整为搬运机器人的搬运手可进入的程度的间隔。
如图5(b)～图5(e)所示，本实施方式中的放置台4-2～4-5在上面搭载表面被不发生还原反应的材料所覆盖的基座4b。并且，在本实施方式中，将硅(Si)作为不发生还原反应的材料。另外，在本实施方式中，将氢自由基作为还原性自由基。
根据本实施方式，即使含有还原性自由基的气体碰撞非放置面，也由于非放置面由不发生还原反应的材料所形成，因此能够防止还原性自由基失去活性。
在此，将自由基用作主体的灰化处理的灰化速率受在等离子体发生区域P中生成的包含在到达被处理基板W的气体中的自由基量的影响。
由于自由基不具有方向性，因此被气体的流动所引导而到达被处理基板W。
由于该气体从设置于处理容器1的上顶附近的气体搬运部5的开口部供给，从设置于处理容器1的底部附近的排气口8a排出，因此虽然会形成在处理容器1内从上方向下方流动的下降流，但是一部分气体与处理容器1内的构件发生碰撞而产生对流，也有可能产生从下方向上方流动的气流。
因此，即使包含自由基的气体与放置台4(4-2～4-5)的非放置面发生碰撞，该气体也引起对流而到达被处理基板W的处理面，包含在该气体中的自由基与处理面发生反应，从而能够进行处理。即，像比较例的放置台4-1那样，如果非放置面由发生还原反应的材料所形成，则在放置台4-1的非放置面上消耗的还原性自由基在本实施方式中不会被消耗，而是因气体的对流而到达被处理基板W的上面，能够有助于被处理基板W的处理。由此，能够加大有助于处理的自由基量，能够提高被处理基板W的灰化速率。
另外，在本实施方式中，还要使放置台4的非放置面的面积大于被处理基板W的面积(放置面的面积)。例如，在将被处理基板W做成200mm直径的圆盘时，能够将放置台4的上面做成300mm直径的圆形形状。由此，能够充分地加大非放置面，通过含有自由基的气体与非放置面发生碰撞，从而能够有效地引起对流。即，如果放置台4的上面与被处理基板的面积大致相等(非放置面为大致0)，则原本由减压部8排出含有自由基的气体，而在本实施方式中，由于非放置面大到可引起对流的程度，因此原来被排出的含有自由基的气体与非放置面发生碰撞，所以能够到达被处理基板W。其结果，能够加大有助于处理的自由基量，能够提高被处理基板W的灰化速率。
另外，在本实施方式中，还优选被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖的放置台4-2～4-5的非放置面位于被处理基板W的处理面的下方。
例如，即使非放置面由不发生还原反应的材料所形成，在非放置面位于被处理基板W的处理面的上方时，也由于含有自由基的气体与处理面相比更先与非放置面发生碰撞，因此也有可能自由基彼此发生反应而失去活性。但是，像本实施方式的放置台4-2～4-5那样，通过使非放置面位于被处理基板W的处理面的下方，从而能够防止含有自由基的气体在到达被处理基板W的之前与非放置面发生碰撞而自由基失去活性。由此，能够加大这有助于处理的自由基量，能够提高被处理基板W的灰化速率。
另外，为了发挥本实施方式的效果，像放置台4-5那样，用不与还原性自由基发生还原反应的材料至少覆盖放置台4的放置面露出的部分(非放置面)即可。但是，像放置台4-2～4-4那样，不仅优选用不与还原性自由基发生还原反应的材料来覆盖放置台4的放置面露出的部分(非放置面)，也优选用不与还原性自由基发生还原反应的材料来覆盖由被处理基板W所覆盖的部分(放置面)。由此，如前所述，在具有间隔地保持被处理基板W的背面与放置面时，通过该间隔的自由基也能够去除附着于被处理基板W背面的抗蚀层等的有机物。
如关于图3(a)～图3(c)进行说明的那样，如本实施方式所示，通过在放置台4上搭载被硅(Si)所覆盖的基座4b，从而与现有的方式(图3(a))相比，很明确抑制被处理基板W周缘的灰化速率的降低。即，在本实施方式中，能够抑制在被处理基板W的周缘区域还原性自由基失去活性。其结果，能够提高被处理基板W的处理均一性。
以上，例示了第1～第3实施方式。但是，本发明并不局限于这些记述。
例如，虽然作为本实施方式的等离子体处理装置而以远程等离子体型的等离子体处理装置为例进行了说明，但是也可以应用于等离子体发生区域与设置被处理基板W的反应室设置在同一处理容器内的下降流型或表面波等离子体(SWP)处理装置、电感耦合等离子体(ICP)处理装置等使用自由基来进行处理的其他方式的等离子体处理装置。
另外，在上述实施方式中，虽然例示了在放置台4的上面(放置被处理基板W的侧的面)设置表面被硅(Si)所覆盖的基座4b的情况，但是由于用硅(Si)覆盖放置台4的表面即可，因此代替基座4b也可以用硅膜覆盖放置台4的表面。但是，如果使用基座4b，则由于可从放置台4装卸，因此能够拆卸基座4b而进行清洁，维护性得到提高。并且，在将基座4b搭载于放置台4的上面时，上述实施方式中的“非放置面”由基座4b表面所构成，用硅膜覆盖放置台4表面时的“非放置面”由放置台4的表面所构成。
另外，也可以与放置台4一起用不与自由基发生还原反应的材料覆盖在从等离子体发生区域P到达被处理基板W表面期间暴露于还原性自由基的构件表面。在从该等离子体发生区域P到达被处理基板W表面期间暴露于还原性自由基的构件，例如可以是处理容器1内的内壁面或整流气流的整流板(未图示)或气体输送部5的内壁面等。
这样，能够抑制有助于被处理基板W的处理的自由基在从等离子体发生区域P到达被处理基板W表面期间因与暴露于还原性自由基的构件表面的还原反应而被消耗从而失去活性，被处理基板W的处理效率降低。
另外，在上述的实施方式中，虽然用硅(Si)覆盖各种构件，但是由于构件表面为硅(Si)即可，因此构件自身也可以由硅(Si)所构成。
另外，在上述的实施方式中，虽然作为不与自由基发生还原反应的材料而以硅(Si)为例进行了说明，但是从通过抑制与构件表面发生还原反应来抑制还原性自由基失去活性的观点考虑，构件表面由非氧化物或非氮化物的材料形成即可。例如，可以是硅(Si)或无杂质的金属材料(Al、Pt、Au等)。
但是，如果考虑对被处理基板W的污染，则优选覆盖基座4b的材料为构成被处理基板W的材料。另外，优选在使处理容器1暴露于大气气氛时，难以发生氧化的材料。例如，在被处理基板W为石英(SiO2)或硅(Si)时，构件表面的材料可以是硅(Si)。
另外，例如，虽然作为本实施方式的等离子体处理方法而以剥离抗蚀层处理为例进行了说明，但是也可以应用于通过还原性自由基进行处理的蚀刻处理或附着在用于曝光的光掩模上的有机物的等离子体清洗等其他方式的等离子体处理方法。
另外，例如，虽然作为本实施方式的等离子体处理方法而以作为光掩模而使用的石英基板的灰化为例进行了说明，在被处理基板W为半导体晶片时，也会有时与表面抗蚀层的去除一起去除附着于背面的有机物。此时，也能够在通过放置部进行保持的同时进行剥离抗蚀层处理。
另外，例如，俯视本实施方式的被处理基板W、放置台4及基座4b的形状既可以是圆盘也可以是矩形。
另外，只要可行，则可以对前述的各实施方式所具备的各要素进行组合，只要包含本发明的特征，对这些进行了组合的技术同样包含在本发明的范围内。
符号说明
1-处理容器；2-气体供给部；3-等离子体发生部；4-放置台；4a-温度控制单元；4b-基座(suscepter)；4c-放置部；5-气体搬运部；5a-气体混合部；6-导入波导管；7-放电管；8-减压部；8a-排气口；8b-压力控制部；9-搬入搬出口；9a-闸阀；9b-门；9c-密封构件；10-微波发生部；15-控制部；100-等离子体处理装置；200-基体；201-反射层；202-保护层；203-吸收体层；203a-吸收体层的开口部；204-抗蚀层；204a-抗蚀层的开口部；G-处理气体；M-微波；P-等离子体；W-被处理基板。

Claims (11)

1.一种放置台，放置通过还原性自由基来进行处理的被处理基板，其特征为，
所述放置台具备：在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面；及邻接于所述放置面的非放置面，
所述非放置面的至少一部分的表面被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖。
2.根据权利要求1所述的放置台，其特征为，所述不发生还原反应的材料是硅即Si。
3.根据权利要求1所述的放置台，其特征为，所述还原性自由基是氢自由基。
4.根据权利要求1所述的放置台，其特征为，所述被处理基板是石英基板。
5.根据权利要求1所述的放置台，其特征为，所述非放置面的面积大于所述被处理基板的面积。
6.根据权利要求1所述的放置台，其特征为，所述非放置面包括可装卸于所述放置台的基座的表面。
7.根据权利要求1所述的放置台，其特征为，所述放置面的表面被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖。
8.一种等离子体处理装置，其特征为，
具备：处理容器，可维持低于大气压的气氛；
放置台，设置在所述处理容器内且放置被处理基板；
及等离子体发生部，生成处理所述被处理基板的还原性自由基，
所述放置台使用权利要求1所述的放置台。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征为，
所述等离子体发生部具备：放电管，通过气体搬运部连接于所述处理容器，在内部具有等离子体发生区域；
气体导入单元，向所述等离子体发生区域导入含氢的气体；
及微波导入单元，向所述等离子体发生区域导入微波。
10.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征为，在放置所述被处理基板时，所述放置台的非放置面位于所述被处理基板的处理面的下方。
11.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征为，通过从所述放置面突出的放置部，与所述放置面隔着间隔保持所述被处理基板。
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