KR102218711B1 - 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 - Google Patents

오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102218711B1
KR102218711B1 KR1020180164007A KR20180164007A KR102218711B1 KR 102218711 B1 KR102218711 B1 KR 102218711B1 KR 1020180164007 A KR1020180164007 A KR 1020180164007A KR 20180164007 A KR20180164007 A KR 20180164007A KR 102218711 B1 KR102218711 B1 KR 102218711B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
flow path
ozone
treatment liquid
light source
Prior art date
Application number
KR1020180164007A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200075387A (ko
Inventor
최문순
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180164007A priority Critical patent/KR102218711B1/ko
Priority to US16/718,011 priority patent/US11433438B2/en
Priority to CN201911306583.XA priority patent/CN111508865B/zh
Publication of KR20200075387A publication Critical patent/KR20200075387A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102218711B1 publication Critical patent/KR102218711B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/58—Treatment of water, waste water, or sewage by removing specified dissolved compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/66—Ozone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/30—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
    • C02F1/32—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation with ultraviolet light
    • C02F1/325—Irradiation devices or lamp constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2259/00—Type of treatment
    • B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
    • B01D2259/804—UV light

Abstract

본 발명은 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치와 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 오존 분해 유닛은 처리액이 통과되는 유로를 가지는 유로 제공 부재; 및 상기 유로 제공 부재에 설치되어 상기 처리액에 자외선을 조사하기 위한 광원부재를 포함하되; 상기 유로 제공 부재는 상기 광원부재를 중심으로 상기 처리액이 나선형으로 이동하며 상기 자외선을 조사받을 수 있도록 구성된 나선형 유로를 포함할 수 있다.

Description

오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법{Dissolved ozone removal unit and Apparatus for treating a substrate including the unit, Method for treating a substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 공정에 사용된 처리액 내에 용존 오존을 분해하는 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치와 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.
특히, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
한편, 세정 공정에 사용되는 처리액 중에는 고농도의 오존이 포함되어 있는 처리액이 사용되는 경우가 있으며, 기판을 처리하는 공정을 진행하고 난 처리액은 내부에 용존 오존을 제거한 후 버려진다.
용존 오존을 제거하는 방법으로는 촉매에 의해 용존 오존을 제거하는 방법이 있다. 촉매에 의한 용존 오존 제거 방법은 활성탄과 오존의 직접 반응에 의해 활성탄 표면에 의해 용존 오존을 제거하는 방법이 있다. 이와는 달리, 금속산화물인 이산화 망간을 사용하여 용존 오존을 분해시키는 방법이 있다.
다만, 촉매를 이용한 용존 오존 제거 방법은 촉매들에 수명이 정해져 있어 주기적인 교체가 필요하다.
본 발명은 기판을 처리하는 처리액 내에 용존 오존을 효율적으로 제거할 수 있는 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치와 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 오존 제거 시간을 획기적으로 단축시킬 수 있는 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치와 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 대량의 고농도 오존수로부터 용존 오존을 신속하고 안전하게 제거할 수 있는 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치와 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일측면에 따르면, 처리액이 통과되는 유로를 가지는 유로 제공 부재; 및 상기 유로 제공 부재에 설치되어 상기 처리액에 자외선을 조사하기 위한 광원부재를 포함하되; 상기 유로 제공 부재는 상기 광원부재를 중심으로 상기 처리액이 나선형으로 이동하며 상기 자외선을 조사받을 수 있도록 구성된 나선형 유로를 포함하는 오존 분해 유닛이 제공될 수 있다.
또한, 상기 광원부재는 상기 처리액과 직접 접촉되지 않도록 상기 유로 제공 부재의 중앙에 형성된 수용공간에 탈부착 가능하게 설치될 수 있다.
또한, 상기 유로 제공 부재는 상기 광원부재를 감싸도록 제공되는 내통; 및
상기 내통과의 사이에 상기 나선형 유로가 제공되도록 상기 내통의 외측에 동축적으로 배치되는 외통으로 이루어지는 하우징을 포함할 수 있다.
또한, 상기 하우징은 상기 외통과 상기 내통 사이에 나선형 블레이드가 설치되며, 상기 나선형 블레이드의 외경면은 상기 외통의 내경면에 밀봉 결합되고, 상기 나선형 블레이드의 내경면은 상기 내통의 외경면에 밀봉 결합됨으로써 상기 나선형 유로를 형성할 수 있다.
또한, 상기 나선형 유로는 상기 내통의 외경면에 형성된 나선홈 또는 상기 외통의 내경면에 형성된 나선홈에 의해 제공될 수 있다.
또한, 상기 하우징은 상기 내통의 수용공간과 연통되도록 일단이 개방된 형태로 제공되며, 상기 광원부재는 상기 하우징의 개방된 일단을 통해 상기 내통의 수용공간에 위치되는 램프관을 포함할 수 있다.
또한, 상기 하우징은 자외선 투과 재질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 하우징은 일단에 상기 외통의 길이방향과 수직한 방향으로 제공되고, 외부로부터 상기 나선형 유로로 상기 처리액이 유입되는 유입포트; 및 타단에 상기 외통의 길이방향과 수직한 방향으로 제공되고, 상기 나선형 유로에서 용존 오존이 제거된 처리액이 배출되는 유출포트;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 하우징은 상단에 상기 나선형 유로에서 분해된 오존 가스가 배기되는 배기관을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 오존 분해 유닛은 상기 배기관과 연결되며, 상기 오존 가스를 분해하는 가스 분해 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 하우징은 상기 유입포트가 위치한 일단이 상방에 위치되도록 수직하게 배치될 수 있다.
또한, 상기 하우징은 수평하게 배치될 수 있다.
또한, 상기 유로 제공 부재는 상기 하우징이 적어도 2개 이상 적층 배치되고, 상기 적어도 2개 이상의 상기 하우징들 중 상단에 배치된 하우징의 유출포트는 하단에 배치된 하우징의 유입포트와 연결되는 직렬 유로 구조를 제공할 수 있다.
또한, 상기 광원부재는 일측 단부가 막히고 타측 단부는 후방캡에 기밀되게 결합된 램프관을 포함하고; 상기 유로 제공 부재는 상기 램프관에 나선으로 감겨 상기 나선형 유로를 제공하는 그리고 자외선 투과 재질로 이루어지는 배관을 포함할 수 있다.
또한, 상기 광원부재는 하나 또는 복수개의 유브이 램프로 제공될 수 있다.
또한, 상기 오존 분해 유닛은 상기 유출 포트에 설치되어 상기 처리액 내에 용존 오존량을 측정하는 측정부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부에 처리공간을 가지는 컵; 상기 처리공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛; 상기 지지유닛에 놓인 기판으로 오존을 포함하는 처리액을 토출하는 액 토출유닛; 및 상기 처리공간으로부터 배출되는 처리액으로부터 오존을 분해하는 오존 분해 유닛을 포함하되; 상기 오존 분해 유닛은, 상기 처리액이 흐르는 유로를 가지는 하우징; 및 상기 하우징에 배치되어 상기 처리액에 자외선을 제공하는 광원부재를 포함하되, 상기 하우징은 나선 형상의 유로가 형성된 튜브 형태를 갖는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 하우징은 양단부에 상기 하우징의 길이방향과 수직한 방향으로 상기 처리액이 유입 및 배출되는 유입포트 및 배출 포트가 제공될 수 있다.
또한, 상기 하우징은 내부에 상기 광원부재가 설치되는 수용공간을 더 포함하며, 상기 유로는 상기 수용공간에 설치되는 상기 광원부재를 둘러싸도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 하우징은 상기 수용공간과 연통되도록 일단이 개방된 형태로 제공되며, 상기 광원부재는 상기 하우징의 개방된 일단을 통해 상기 내통의 수용공간에 위치되는 램프관을 포함할 수 있다.
또한, 상기 하우징은 중앙 상단에 분해된 오존이 배기되는 배기포트를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 하우징은 외통과 내통 사이에 나선형 블레이드가 설치되며, 상기 나선형 블레이드의 외경면은 상기 외통의 내경면에 밀봉 결합되고, 상기 나선형 블레이드의 내경면은 상기 내통의 외경면에 밀봉 결합됨으로써 상기 유로를 형성할 수 있다.
또한, 상기 하우징은 상기 광원부재를 감싸도록 제공되는 내통; 및 상기 내통의 외측에 동축적으로 배치되는 외통을 포함하고, 상기 유로는 상기 내통의 외경면에 형성된 나선홈 또는 상기 외통의 내경면에 형성된 나선홈에 의해 제공될 수 있다.
또한, 상기 하우징은 자외선 투과 재질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 하우징은 그 길이방향에 수직한 방향으로 복수개가 나란히 배열되고, 상기 하우징들은 서로 직렬로 연결될 수 있다.
또한, 상기 장치는 각각의 상기 하우징에서 배기되는 오존들이 집합되는 집합 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 광원부재는 하나 또는 복수개의 유브이 램프로 제공될 수 있다.
또한, 상기 오존 분해 유닛은 상기 유출 포트에 설치되어 상기 처리액 내에 용존 오존량을 측정하는 측정부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 기판에 오존수가 포함된 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하되, 상기 기판을 처리하는 공정이 이루어지는 동안 회수되는 또는 상기 기판이 처리하는 공정이 끝난 후 회수된 상기 처리액 내에 용존 오존을 분해하여 외부로 배출하고; 상기 용존 오존의 분해는 광원부재에서 상기 처리액으로 광을 조사하되, 상기 처리액은 나선형으로 형성된 유로를 따라 이동하면서 광을 조사받아 이루어지는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 처리액으로부터 분해된 상기 용존 오존은 상기 유로에 형성된 배기포트를 통해 배기되어 집합 장치를 통해 분리 배출될 수 있다.
또한, 상기 광은 자외선으로 제공될 수 있다.
또한, 상기 광원부재는 상기 처리액이 통과하는 상기 유로와 구획된 공간에서 광을 조사할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 공정에 사용된 처리액 내에 용존 오존을 처리액에 자외선을 조사하여 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 공정에 사용된 처리액 내에 용존 오존을 제거하여 처리액으로 인한 환경오염을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리액의 이동 경로를 나선형으로 제공함으로써 하우징 내에서의 처리액 체류시간을 증가시켜 자외선 조사량을 극대화함으로써 오존 분해 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 광원부재는 하우징의 중앙에 형성된 수용공간에 탈부착 가능하게 설치됨으로써, 처리액과 직접 접촉되지 않음으로써 유지 보수(교체)가 용이하고 처리액에 의한 오염이나 부식 등을 예방할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 복수개의 하우징들이 인라인 방식으로 구성함으로써 처리액의 처리 시간 최소화, 생산성 향상 및 오존 제거 효율을 향상 등의 효과를 기대할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 오존 분해 유닛을 보여주는 분해 사시도이다.
도 5는 오존 분해 유닛의 단면도이다.
도 6은 하우징의 단면 사시도이다.
도 7은 본 발명에서 유로 제공 부재의 제1변형예를 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명에서 유로 제공 부재의 제2변형예를 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명에서 유로 제공 부재의 제3변형예를 보여주는 도면이다.
도 10 및 도 11은 본 발명에서 유로 제공 부재의 제4변형예를 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명에서 유로 제공 부재의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 13은 반사층을 갖는 하우징을 보여주는 도면이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 포함한다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 3은 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2와 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 챔버(310), 컵(320), 지지 유닛(330), 승강 유닛(340), 액 공급 유닛(360), 액 배출 유닛(370) 그리고 오존 분해 유닛(400)을 포함한다.
챔버(310)는 내부에 공간을 제공한다. 챔버(310)의 내부에는 컵(320)이 위치한다.
컵(320)는 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 컵(320)는 상부가 개방된 형상으로 제공된다. 컵(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 포함한다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(330)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
지지 유닛(330)은 컵(320) 내에 배치된다. 지지 유닛(330)은 기판 처리 공정 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 유닛(330)은 몸체(332), 지지핀(334), 척 핀(336), 그리고 지지축(338)을 포함한다. 몸체(332)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(332)의 저면에는 모터(339)에 의해 회전가능한 지지축(338)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(332)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(332)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(332)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척 핀(336)은 복수 개 제공된다. 척 핀(336)은 몸체(332)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(336)은 몸체(332)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(336)은 지지 유닛(330)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(336)은 몸체(332)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(332)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(330)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(336)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행 시에는 척 핀(336)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(336)은 기판의 측부와 접촉된다.
승강 유닛(340)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(330)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(340))은 브라켓(342), 이동축(344), 그리고 구동기(346)를 포함한다.
브라켓(342)은 컵(320)의 외벽에 고정설치된다. 브라켓(342)에는 구동기(346)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(344)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(330)에 놓이거나, 지지 유닛(330)로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(330)이 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다.
일 예로, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(340)은 컵(320) 대신 지지 유닛(330)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 공급 유닛(360)은 기판(W) 처리 공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 일 예로 공급되는 처리액은 오존수를 포함하는 처리액 일 수 있다. 일 예로 처리액에 포함된 용존 오존량은 30ppm 또는 80ppm 일수 있다. 이와는 달리, 처리액 내에 용존 오존량은 80ppm 이상일 수 있다. 처리액 내에 용존 오존량은 기판에 형성된 막의 종류에 따라서 다르게 설정될 수 있다.
액 공급 유닛(360)은 노즐 지지대(362), 노즐(364), 지지축(366), 그리고 구동기(368)를 포함한다.
지지축(366)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(366)의 하단에는 구동기(368)가 결합된다. 구동기(368)는 지지축(366)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(362)는 구동기(368)와 결합된 지지축(366)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(364)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(364)은 구동기(368)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(364)이 컵(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(364)이 컵(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 노즐(364)은 기판(W)상으로 액을 공급한다.
액 공급 유닛(360)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 액 공급 유닛(360)이 복수 개 제공되는 경우, 오존수가 포함된 처리액, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 액 공급 유닛(360)을 통해 제공될 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.
액 배출 유닛(370)은 기판(W)에 액을 공급하여 기판(W)을 처리하고 난 뒤에 액을 회수한다. 액 배출 유닛(371)은 배출 용기(371)를 포함한다. 배출 용기(371)는 원통형상으로 제공될 수 있다. 배출 용기(371)는 처리가 끝난 액(용존 오존을 포함하는 처리액)을 저장할 수 있다.
오존 분해 유닛(400)은 액 배출 유닛(370)과 연결된다. 오존 분해 유닛(400)은 액 배출 유닛(370)에서 공급된 처리액 내에 용존 오존을 분해한다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 오존 분해 유닛을 보여주는 분해 사시도이고, 도 5는 오존 분해 유닛의 단면도이며, 도 6은 하우징의 단면 사시도이다.
이하, 도 4 내지 도 6을 참고하면, 오존 분해 유닛(400)은 유로 제공 부재(402), 광원부재(440), 측정부재(480), 그리고 가스 분해 부재(490)를 포함할 수 있다.
유로 제공 부재(402)는 처리액이 통과되는 유로를 제공할 수 있다. 유로 제공 부재(402)는 광원부재(440)를 중심으로 처리액이 나선형으로 이동하며 자외선을 조사받을 수 있도록 구성된 나선형 유로(404)를 포함할 수 있다.
일 예로, 유로 제공 부재(402)는 내통(420)과 외통(430)으로 이루어지는 원통 형상의 하우징(410)을 포함할 수 있다. 하우징(410)은 그 길이방향이 수평 방향과 나란하도록 설치될 수 있다. 내통(420)은 광원부재(440)를 감싸도록 제공될 수 있다. 내통(420)은 광원부재(440)가 수용될 수 있는 내부공간(수용공간)(422)을 제공할 수 있다. 하우징은 내통의 수용공간과 연통되도록 일단이 개방된 형태로 제공될 수 있다. 외통(430)은 내통(420)과의 사이에 나선형 유로(404)가 제공되도록 내통(420)의 외측에 동축적으로 배치될 수 있다.
한편, 하우징(410)은 외통(430)과 내통(420) 사이에 나선형 블레이드(418)가 설치될 수 있다. 나선형 블레이드(418)의 외경면은 외통(430)의 내경면에 밀봉 결합되고, 나선형 블레이드(418)의 내경면은 내통(420)의 외경면에 밀봉 결합됨으로써 나선형 유로(404)를 형성한다. 내통 및 나선형 블레이드는 자외선이 통과할 수 있는 자외선 투과 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 도 13에서와 같이, 외통(430)은 내측면에 자외선을 반사시키는 반사층(반사시트)(437)을 포함할 수 있으며, 이 경우 나선형 유로(404)를 통과하는 처리액으로의 자외선 조사율을 높일 수 있어 오존 분해 효율을 향상시킬 수 있다.
하우징(410)은 유입 포트(432)와 유출 포트(434) 그리고 배기포트(436)를 포함할 수 있다. 유입 포트(432)는 외부(배출 용기)로부터 나선형 유로(404)로 처리액이 유입되는 입구에 해당된다. 유입 포트(432)는 외통(430)의 일단에 위치되고 외통(430)의 길이방향과 수직한 방향으로 제공될 수 있다. 유출 포트(434)는 나선형 유로(404)에서 용존 오존이 제거된 처리액이 배출되는 출구에 해당된다. 유출 포트(434)는 외통(430)의 타단에 위치되고 외통(430)의 길이방향과 수직한 방향으로 제공될 수 있다. 바람직하게, 유입 포트(432)는 외통(430)의 상단쪽에 위치되고 유출 포트(434)는 외통(430)의 하단족에 위치될 수 있다. 유입포트(432)를 통해 유입되는 처리액은 중력에 의해 나선형 유로(404)를 통과한 후 유출 포트(434)를 통해 자연 배출될 수 있다.
하우징(410)은 중앙 상단에 오존이 분해된 가스(기체)가 배기되는 배기포트(436)를 갖는다. 배기 포트(436)는 외통 중앙 상단에 위치된다. 배기 포트(436)를 통해 배기되는 가스는 집합 장치를 통해 분리 배출될 수 있다. 집합 장치는 가스 분해 부재(490)를 포함할 수 있다. 가스 분해 부재(490)는 배기 포트(436)를 통해 배기되는 가스를 분해한다.
측정부재(480)는 유출포트를 통해 배출되는 처리액의 용존 오존량을 측정한다. 측정부재(480)에서 측정된 측정값은 오존 폐수량을 조절하도록 제어부(미도시됨)로 제공될 수 있다. 또한, 측정부재(480)는 처리액의 용존 오존량이 설정범위보다 높은 경우 측정부재(480)와 연결된 알람부재(미도시)에 신호를 보내어 작업자에게 이를 알릴 수 있다.
광원부재(440)는 나선형 유로(404)를 통과하는 처리액으로 광을 조사한다. 일 예로 광원부재(440)는 처리액으로 자외선을 조사할 수 있다. 광원부재(440)는 내통(420)의 수용공간(422)에 탈부착 가능하게 설치될 수 있다. 일 예로 광원부재(440)는 유브이(UV) 램프로 제공될 수 있다. 유브이 램프에서 조사되는 광은 254nm 파장으로 제공될 수 있다.
광원부재(440)는 하우징(410)의 개방된 일단을 통해 내통(420)의 수용공간(422)에 위치되는 램프관(442)을 포함할 수 있다. 램프관(442)은 일측 단부가 막히고 타측 단부는 후방캡(444)에 기밀되게 결합된 형태로 제공될 수 있다.
상기와 같이, 광원부재(440)는 하우징(410)의 중앙에 형성된 수용공간(422)에 탈부착 가능하게 설치됨으로써 처리액과 직접 접촉되지 않음으로써 유지 보수(교체)가 용이하고 처리액에 의한 오염이나 부식 등을 예방할 수 있다.
(제1변형예)
도 7은 본 발명에서 유로 제공 부재의 제1변형예를 보여주는 도면이다.
도 7을 참조하면, 제1변형예에 따른 유로 제공 부재(402a)는 내통(420a)과 외통(430a)으로 이루어지는 원통 형상의 하우징(410a)을 포함하며, 이들은 도 5에 도시된 내통(420)과 외통(430)으로 이루어지는 하우징(410)과 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 본 실시예와의 차이점을 위주로 변형예를 설명하기로 한다.
본 변형예에서, 내통(420a)과 외통(430a) 사이에 제공되는 나선형 유로(404)는 내통(420a)의 외경면에 형성된 나선홈(429)에 의해 제공된다는 점에서 차이점을 갖는다. 이와 같은 변형예에 따른 나선형 유로(404)는 도 5에 도시된 나선형 유로 제작 방법보다 용이하다는 장점을 갖는다.
(제2변형예)
도 8은 본 발명에서 유로 제공 부재의 제2변형예를 보여주는 도면이다.
도 8을 참조하면, 제2변형예에 따른 유로 제공 부재(402b)는 내통(420b)과 외통(430b)으로 이루어지는 원통 형상의 하우징(410b)을 포함하며, 이들은 도 7에 도시된 내통(420a)과 외통(430a)으로 이루어지는 하우징(410a)과 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 본 실시예와의 차이점을 위주로 변형예를 설명하기로 한다.
본 변형예에서, 내통(420b)과 외통(430b) 사이에 제공되는 나선형 유로(404)는 외통(430b)의 내경면에 형성된 나선홈(439)에 의해 제공된다는 점에서 차이점을 갖는다. 이와 같은 변형예에 따른 나선형 유로는 도 5에 도시된 나선형 유로 제작 방법보다 용이하다는 장점을 갖는다.
(제3변형예)
도 9는 본 발명의 제3변형예에 따른 유로 제공 부재를 보여주는 사시도이다.
도 9를 참조하면, 제3변형예에 따른 유로 제공 부재(402c)는 광원부재(440)의 램프관(442)에 나선으로 감겨 나선형 유로를 제공하는 배관 부재(470c)로 제공될 수 있다. 배관 부재(470c)는 자외선 투과 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 배관 부재(470c)는 유입 포트(472)와 유출 포트(474) 그리고 배기포트(476)를 포함하며, 이들은 도 5에 도시된 유입 포트(432)와 유출 포트(434) 그리고 배기포트(436)와 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로 상세한 설명은 생략한다.
(제4변형예)
도 10 및 도 11은 본 발명의 제4변형예에 따른 유로 제공 부재를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 제4변형예에 따른 유로 제공 부재(402d)는 내통(420d)과 외통(430d)으로 이루어지는 원통 형상의 하우징(410d)을 포함하며, 이들은 도 5에 도시된 내통(420)과 외통(430)으로 이루어지는 하우징(410)과 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 본 실시예와의 차이점을 위주로 변형예를 설명하기로 한다.
본 변형예에서, 하우징(410d)은 수직하게 배치된다는데 그 특징이 있다. 이 처럼, 수평하게 배치되는 하우징(410)의 나선형 유로를 통과하는 처리액보다 수직하게 배치되는 하우징(410d)의 나선형 유로를 통과하는 처리액이 보다 원활한 흐름을 제공할 수 있다는 점에서 차이점이 있다. 하우징이 수직하게 배치되는 경우 배기포트(476)는 하우징의 최상단에 배치되는 것이 바람직하다.
(도 5 다른 예)
도 12는 본 발명의 다른 예에 따른 오존 분해 유닛을 보여주는 도면이다.
도 12를 참조하면, 오존 분해 유닛(400a)은 복수개의 하우징(410)들을 포함하며, 하우징(410)은 그 길이방향에 수직한 방향으로 복수개가 나란히 배열되고, 하우징(410)들이 서로 직렬로 연결될 수 있다. 본 실시예에서는 3개의 하우징(410)이 적층 배치되며, 하우징(410)들 중 상단에 배치된 하우징(410)의 유출포트(434)는 하단에 배치된 하우징(410)의 유입포트(432)와 연결되는 직렬 유로 구조를 제공할 수 있다.
상기와 같이, 복수개의 하우징(410)들이 인라인 방식으로 구성함으로써 처리액의 처리 시간 최소화, 생산성 향상 및 오존 제거 효율을 향상 등의 효과를 기대할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다.
기판을 처리하는 공정은 기판에 오존수가 포함된 처리액을 공급한다. 처리액은 기판에 형성된 막과 반응하여 막을 제거할 수 있다. 기판을 처리하는 공정이 끝난 후 처리액은 회수된다. 회수된 처리액은 오존 분해 유닛(400)으로 제공되어 처리액 내에 용존 오존을 분해하여 외부로 배출한다.
오존 분해 유닛에서의 용존 오존 분해는 광원부재에서 처리액으로 자외선을 조사하되, 처리액은 나선형으로 형성된 유로를 따라 이동하면서 광을 조사받아 이루어진다. 처리액으로부터 분해된 용존 오존은 나선형 유로에 형성된 배기포트를 통해 배기되어 집합 장치를 통해 분리 배출된다.
상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기판 처리 장치에서 사용된 오존이 포함된 처리액(오존수)이 통과하는 나선형 유로가 제공되는 구조에 의해 이 나선형 유로를 통과하는 처리액의 용존 오존 제거가 매우 효율적으로 진행될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
310: 챔버 320: 컵
330: 지지 유닛 360: 액 공급 유닛
370: 액 배출 유닛 400: 오존 분해 유닛
410: 하우징 420 : 내통
430 : 외통 440: 광원부재

Claims (32)

  1. 처리액 내에 포함된 용존 오존을 분해하는 오존 분해 유닛에 있어서:
    처리액에 자외선을 조사하기 위한 광원부재;
    상기 광원부재를 중심으로 상기 처리액이 나선형으로 이동하며 상기 자외선을 조사받을 수 있도록 구성된 나선형 유로를 포함하되;
    유로 제공 부재는
    상기 광원부재를 감싸도록 제공되는 내통; 및
    상기 내통과의 사이에 상기 나선형 유로가 제공되도록 상기 내통의 외측에 동축적으로 배치되는 외통으로 이루어지는 하우징을 포함하며,
    상기 하우징은
    상기 외통과 상기 내통 사이에 나선형 블레이드가 설치되고,
    상기 나선형 블레이드의 외경면은 상기 외통의 내경면에 밀봉 결합되고, 상기 나선형 블레이드의 내경면은 상기 내통의 외경면에 밀봉 결합됨으로써 상기 나선형 유로를 형성하는 오존 분해 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광원부재는
    상기 처리액과 직접 접촉되지 않도록 상기 유로 제공 부재의 중앙에 형성된 수용공간에 탈부착 가능하게 설치되는 오존 분해 유닛.
  3. 처리액 내에 포함된 용존 오존을 분해하는 오존 분해 유닛에 있어서:
    처리액에 자외선을 조사하기 위한 광원부재;
    상기 광원부재를 중심으로 상기 처리액이 나선형으로 이동하며 상기 자외선을 조사받을 수 있도록 구성된 나선형 유로를 포함하되;
    유로 제공 부재는
    상기 광원부재를 감싸도록 제공되는 내통; 및
    상기 내통과의 사이에 상기 나선형 유로가 제공되도록 상기 내통의 외측에 동축적으로 배치되는 외통으로 이루어지는 하우징을 포함하며,
    상기 나선형 유로는
    상기 내통의 외경면에 형성된 나선홈 또는 상기 외통의 내경면에 형성된 나선홈에 의해 제공되는 오존 분해 유닛.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 하우징은
    상기 내통의 수용공간과 연통되도록 일단이 개방된 형태로 제공되며,
    상기 광원부재는
    상기 하우징의 개방된 일단을 통해 상기 내통의 수용공간에 위치되는 램프관을 포함하는 오존 분해 유닛.
  7. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 하우징은
    자외선 투과 재질로 이루어지는 오존 분해 유닛.
  8. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 하우징은
    일단에 상기 외통의 길이방향과 수직한 방향으로 제공되고, 외부로부터 상기 나선형 유로로 상기 처리액이 유입되는 유입포트; 및
    타단에 상기 외통의 길이방향과 수직한 방향으로 제공되고, 상기 나선형 유로에서 용존 오존이 제거된 처리액이 배출되는 유출포트;를 포함하는 오존 분해 유닛.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 하우징은
    상단에 상기 나선형 유로에서 오존 가스가 분해되어 배기되는 배기관을 더 포함하는 오존 분해 유닛.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 오존 분해 유닛은
    상기 배기관과 연결되며, 상기 오존 가스를 분해하는 가스 분해 부재를 더 포함하는 오존 분해 유닛.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 하우징은
    상기 유입포트가 위치한 일단이 상방에 위치되도록 수직하게 배치되는 오존 분해 유닛.
  12. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 하우징은
    수평하게 배치되는 오존 분해 유닛.
  13. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 유로 제공 부재는
    상기 하우징이 적어도 2개 이상 적층 배치되고,
    상기 적어도 2개 이상의 상기 하우징들 중 상단에 배치된 하우징의 유출포트는 하단에 배치된 하우징의 유입포트와 연결되는 직렬 유로 구조를 제공하는 오존 분해 유닛.
  14. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 광원부재는
    일측 단부가 막히고 타측 단부는 후방캡에 기밀되게 결합된 램프관을 포함하고;
    상기 유로 제공 부재는
    상기 램프관에 나선으로 감겨 상기 나선형 유로를 제공하는 그리고 자외선 투과 재질로 이루어지는 배관을 포함하는 오존 분해 유닛.
  15. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 광원부재는 하나 또는 복수개의 유브이 램프로 제공되는 오존 분해 유닛.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 오존 분해 유닛은
    상기 유출 포트에 설치되어 상기 처리액 내에 용존 오존량을 측정하는 측정부재를 더 포함하는 오존 분해 유닛.
  17. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리공간을 가지는 컵;
    상기 처리공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛;
    상기 지지유닛에 놓인 기판으로 오존을 포함하는 처리액을 토출하는 액 토출유닛; 및
    상기 처리공간으로부터 배출되는 처리액으로부터 오존을 분해하는 오존 분해 유닛을 포함하되;
    상기 오존 분해 유닛은,
    상기 처리액이 흐르는 유로를 가지는 하우징; 및
    상기 하우징에 배치되어 상기 처리액에 자외선을 제공하는 광원부재를 포함하되,
    상기 하우징은 나선 형상의 유로가 형성된 튜브 형태를 가지며,
    상기 하우징은
    외통과 내통 사이에 나선형 블레이드가 설치되며,
    상기 나선형 블레이드의 외경면은 상기 외통의 내경면에 밀봉 결합되고, 상기 나선형 블레이드의 내경면은 상기 내통의 외경면에 밀봉 결합됨으로써 상기 유로를 형성하는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 하우징은
    양단부에 상기 하우징의 길이방향과 수직한 방향으로 상기 처리액이 유입 및 배출되는 유입포트 및 배출 포트가 제공되는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 하우징은
    내부에 상기 광원부재가 설치되는 수용공간을 더 포함하며,
    상기 유로는 상기 수용공간에 설치되는 상기 광원부재를 둘러싸도록 제공되는 기판 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 하우징은
    상기 수용공간과 연통되도록 일단이 개방된 형태로 제공되며,
    상기 광원부재는
    상기 하우징의 개방된 일단을 통해 상기 내통의 수용공간에 위치되는 램프관을 포함하는 기판 처리 장치.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 하우징은
    중앙 상단에 가스가 배기되는 배기포트를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  22. 삭제
  23. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리공간을 가지는 컵;
    상기 처리공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛;
    상기 지지유닛에 놓인 기판으로 오존을 포함하는 처리액을 토출하는 액 토출유닛; 및
    상기 처리공간으로부터 배출되는 처리액으로부터 오존을 분해하는 오존 분해 유닛을 포함하되;
    상기 오존 분해 유닛은,
    상기 처리액이 흐르는 유로를 가지는 하우징; 및
    상기 하우징에 배치되어 상기 처리액에 자외선을 제공하는 광원부재를 포함하되,
    상기 하우징은 나선 형상의 유로가 형성된 튜브 형태를 가지며,
    상기 하우징은
    상기 광원부재를 감싸도록 제공되는 내통; 및
    상기 내통의 외측에 동축적으로 배치되는 외통을 포함하고,
    상기 유로는
    상기 내통의 외경면에 형성된 나선홈 또는 상기 외통의 내경면에 형성된 나선홈에 의해 제공되는 기판 처리 장치.
  24. 제17항 또는 제23항에 있어서,
    상기 하우징은
    자외선 투과 재질로 이루어지는 기판 처리 장치.
  25. 제17항 또는 제23항에 있어서,
    상기 하우징은 그 길이방향에 수직한 방향으로 복수개가 나란히 배열되고, 상기 하우징들은 서로 직렬로 연결되는 기판 처리 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 장치는 각각의 상기 하우징에서 배기되는 오존들이 집합되는 집합 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  27. 제17항 또는 제23항에 있어서,
    상기 광원부재는 하나 또는 복수개의 유브이 램프로 제공되는 기판 처리 장치.
  28. 제18항에 있어서,
    상기 오존 분해 유닛은
    상기 배출 포트에 설치되어 상기 처리액 내에 용존 오존량을 측정하는 측정부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
KR1020180164007A 2018-12-18 2018-12-18 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 KR102218711B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180164007A KR102218711B1 (ko) 2018-12-18 2018-12-18 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
US16/718,011 US11433438B2 (en) 2018-12-18 2019-12-17 Dissolved ozone removal unit, substrate treating apparatus including the same, and substrate treating method
CN201911306583.XA CN111508865B (zh) 2018-12-18 2019-12-18 溶解臭氧去除单元、包括该溶解臭氧去除单元的基板处理装置以及基板处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180164007A KR102218711B1 (ko) 2018-12-18 2018-12-18 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200075387A KR20200075387A (ko) 2020-06-26
KR102218711B1 true KR102218711B1 (ko) 2021-02-22

Family

ID=71073228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180164007A KR102218711B1 (ko) 2018-12-18 2018-12-18 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11433438B2 (ko)
KR (1) KR102218711B1 (ko)
CN (1) CN111508865B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102218711B1 (ko) * 2018-12-18 2021-02-22 세메스 주식회사 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
CN116293990A (zh) * 2023-05-23 2023-06-23 常兴集团有限公司 一种具备灭菌功能的空调系统
CN117482689B (zh) * 2023-12-29 2024-03-15 上海钧乾智造科技有限公司 一种臭氧分解装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002001318A (ja) * 2000-06-16 2002-01-08 Shibaura Mechatronics Corp オゾン水処理装置および洗浄処理装置
KR200287643Y1 (ko) * 2002-06-10 2002-08-30 고석배 음료수 순간 살균장치
JP2006075731A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Dkk Toa Corp 光酸化器および測定装置
KR101776024B1 (ko) * 2015-12-17 2017-09-07 세메스 주식회사 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5069885A (en) * 1990-04-23 1991-12-03 Ritchie David G Photocatalytic fluid purification apparatus having helical nontransparent substrate
JPH0639831A (ja) * 1991-02-13 1994-02-15 Nippon Spindle Mfg Co Ltd スライシングマシンにおけるウエハーの収納装置
JPH1133567A (ja) * 1997-07-25 1999-02-09 Meidensha Corp オゾン分解方法とその装置
US6547963B1 (en) * 2000-07-05 2003-04-15 Hsi-Hu Tsai Structure of water tank with ultraviolet-ray sterilization lamp
CN1289150C (zh) * 2000-11-13 2006-12-13 拜尔公司 使用紫外线辐射对流体中的微生物进行灭活的方法
JP3616079B2 (ja) * 2002-07-30 2005-02-02 ネオオゾン株式会社 電解式オゾン水製造装置
KR200326013Y1 (ko) 2003-01-23 2003-09-13 곽종운 수처리용 전기장 반응장치
JP2004241726A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Sharp Corp レジスト処理方法およびレジスト処理装置
KR100718676B1 (ko) * 2004-11-17 2007-05-18 김태규 광촉매 비드체를 이용한 수질살균정화장치
US20090145855A1 (en) * 2007-12-06 2009-06-11 Novapure Systems Inc. Water Purifier System and Method
KR100874130B1 (ko) * 2008-01-30 2008-12-15 (주)동남이엔지 광촉매를 이용한 정화 장치
KR100944806B1 (ko) 2009-08-19 2010-02-26 (주)삼원이앤이 선회류 유도부를 이용한 하폐수처리용 연속식 반응기
US20110318237A1 (en) * 2010-06-26 2011-12-29 Richard Woodling Ultraviolet reactor baffle design for advanced oxidation process and ultraviolet disinfection
JP5146522B2 (ja) * 2010-11-26 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2013086011A (ja) * 2011-10-17 2013-05-13 Asahi Organic Chemicals Industry Co Ltd オゾン水製造方法及び製造装置
JP5218948B1 (ja) * 2012-05-16 2013-06-26 重昭 安達 気体溶解器
JP2016174060A (ja) * 2015-03-17 2016-09-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
SE540413C2 (en) * 2016-05-25 2018-09-11 Wallenius Water Innovation Ab A UV light liquid treatment system
KR101933080B1 (ko) * 2016-10-26 2018-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 공정 유체 처리기 및 오존 분해 방법
KR102218711B1 (ko) * 2018-12-18 2021-02-22 세메스 주식회사 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002001318A (ja) * 2000-06-16 2002-01-08 Shibaura Mechatronics Corp オゾン水処理装置および洗浄処理装置
KR200287643Y1 (ko) * 2002-06-10 2002-08-30 고석배 음료수 순간 살균장치
JP2006075731A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Dkk Toa Corp 光酸化器および測定装置
KR101776024B1 (ko) * 2015-12-17 2017-09-07 세메스 주식회사 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11433438B2 (en) 2022-09-06
US20200188968A1 (en) 2020-06-18
CN111508865A (zh) 2020-08-07
KR20200075387A (ko) 2020-06-26
CN111508865B (zh) 2023-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102218711B1 (ko) 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
KR100395997B1 (ko) 세정·건조처리장치,기판의처리장치및기판의처리방법
KR101776024B1 (ko) 오존 분해 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
JP5371854B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101570168B1 (ko) 기판 처리 장치
US10991603B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
US10453672B2 (en) Dissolved ozone removal unit, apparatus for treating substrate, method of removing dissolved ozone, and method of cleaning substrate
KR102375576B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20170137238A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102265121B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20170137244A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20180002101A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
WO2018150628A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN106310723B (zh) 消泡单元以及包括其的衬底处理装置
US11167326B2 (en) Substrate processing apparatus and nozzle unit
KR102201878B1 (ko) 척핀 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101979602B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP7348240B2 (ja) 基板処理装置および方法
KR102180009B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20170137247A (ko) 기판 처리 장치
KR102188350B1 (ko) 세정액공급유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
KR20230102704A (ko) 기판 처리 장치
KR20230102710A (ko) 기판 처리 장치
CN115116894A (zh) 用于处理基板的设备
KR20200022622A (ko) 기판 스트립 방법 및 기판 스트립 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant