JPH09303838A - 清浄な資材用保管庫 - Google Patents
清浄な資材用保管庫Info
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- JPH09303838A JPH09303838A JP8140767A JP14076796A JPH09303838A JP H09303838 A JPH09303838 A JP H09303838A JP 8140767 A JP8140767 A JP 8140767A JP 14076796 A JP14076796 A JP 14076796A JP H09303838 A JPH09303838 A JP H09303838A
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- F24F3/12—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 保管される基板表面の有機物汚染を防止可能
な保管庫を提供する。 【解決手段】 本発明は、クリーンルーム１２と、その
クリーンルームと隔離された状態で清浄な資材を保管す
る保管空間１０とから構成され、保管用清浄空気生成手
段３６により生成された、例えば、触媒燃焼法によりメ
タンを含む炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御
された保管用清浄空気、あるいはそれ自身からのガス状
不純物の発生がないように構成された触媒反応塔や活性
炭フィルタや流動層吸着塔により、清浄な資材表面の純
水滴下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な
状態に保持できるように制御された保管用清浄空気を、
送気系３２、４６から保管空間１０の中へ送気すること
ができる。従って、基板表面の有機物汚染を効果的に防
止することが可能である。その際に、不活性ガスなどを
使用しないので、安全にかつ廉価なランニングコストで
保管庫を稼働させることができる。
な保管庫を提供する。 【解決手段】 本発明は、クリーンルーム１２と、その
クリーンルームと隔離された状態で清浄な資材を保管す
る保管空間１０とから構成され、保管用清浄空気生成手
段３６により生成された、例えば、触媒燃焼法によりメ
タンを含む炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御
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不純物の発生がないように構成された触媒反応塔や活性
炭フィルタや流動層吸着塔により、清浄な資材表面の純
水滴下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な
状態に保持できるように制御された保管用清浄空気を、
送気系３２、４６から保管空間１０の中へ送気すること
ができる。従って、基板表面の有機物汚染を効果的に防
止することが可能である。その際に、不活性ガスなどを
使用しないので、安全にかつ廉価なランニングコストで
保管庫を稼働させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、清浄な資材用保管
庫に係り、特に半導体素子や液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）を製造するクリーンルームなどの清浄空間におい
て、半導体基板やＬＣＤ基板などの清浄な資材を保管す
るための局所清浄空間に関する。
庫に係り、特に半導体素子や液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）を製造するクリーンルームなどの清浄空間におい
て、半導体基板やＬＣＤ基板などの清浄な資材を保管す
るための局所清浄空間に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体やＬＣＤパネル製造工程におい
て、ベアウェハや素ガラスから完成品を得るためには多
くの工程が必要である。例えば、ベアウェハから１ＭＤ
ＲＡＭチップに至る半導体製造ラインは約２００工程の
プロセスから成る。また、例えば、素ガラスから９．４
型ＴＦＴに至るＬＣＤパネル製造ラインは約８０工程の
プロセスからなる。各プロセスに常に連続的に製品を流
すことは困難で、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造ライン
では、前工程で回路が一通り形成された半製品基板を後
工程に移送するまでに、その半製品基板を、数十時間、
清浄雰囲気に保持された保管庫（ストッカ）に保管する
場合もある。
て、ベアウェハや素ガラスから完成品を得るためには多
くの工程が必要である。例えば、ベアウェハから１ＭＤ
ＲＡＭチップに至る半導体製造ラインは約２００工程の
プロセスから成る。また、例えば、素ガラスから９．４
型ＴＦＴに至るＬＣＤパネル製造ラインは約８０工程の
プロセスからなる。各プロセスに常に連続的に製品を流
すことは困難で、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造ライン
では、前工程で回路が一通り形成された半製品基板を後
工程に移送するまでに、その半製品基板を、数十時間、
清浄雰囲気に保持された保管庫（ストッカ）に保管する
場合もある。
【０００３】ところで、半導体基板やＬＣＤ基板を通常
のクリーンルーム雰囲気中で保管すると、それらの表面
にはクリーンルーム雰囲気由来の有機物が付着すること
がある。例えば、雰囲気由来の有機物が半導体基板であ
るシリコンウェハに付着した状態で、６５０℃以上の高
温下において絶縁酸化膜（ＳｉＯ２）が形成されると、
有機物中の炭素成分がＳｉＣに変化してこの絶縁酸化膜
（ＳｉＯ２）中に取り込まれる。この場合、絶縁酸化膜
の絶縁耐圧は大幅に低下する。また、リーク電流も大幅
に増大する。また、例えば、雰囲気由来の有機物がＬＣ
Ｄ基板であるガラスに付着した状態で、そのガラス表面
上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）用のアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）が成膜されると、ガラスとａ−Ｓｉ膜
の密着不良が生じる。以上のように、半導体基板やＬＣ
Ｄ基板の表面に付着したクリーンルーム雰囲気由来の有
機物は、半導体素子やＬＣＤの電気特性に悪影響を及ぼ
すことが知られている。
のクリーンルーム雰囲気中で保管すると、それらの表面
にはクリーンルーム雰囲気由来の有機物が付着すること
がある。例えば、雰囲気由来の有機物が半導体基板であ
るシリコンウェハに付着した状態で、６５０℃以上の高
温下において絶縁酸化膜（ＳｉＯ２）が形成されると、
有機物中の炭素成分がＳｉＣに変化してこの絶縁酸化膜
（ＳｉＯ２）中に取り込まれる。この場合、絶縁酸化膜
の絶縁耐圧は大幅に低下する。また、リーク電流も大幅
に増大する。また、例えば、雰囲気由来の有機物がＬＣ
Ｄ基板であるガラスに付着した状態で、そのガラス表面
上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）用のアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）が成膜されると、ガラスとａ−Ｓｉ膜
の密着不良が生じる。以上のように、半導体基板やＬＣ
Ｄ基板の表面に付着したクリーンルーム雰囲気由来の有
機物は、半導体素子やＬＣＤの電気特性に悪影響を及ぼ
すことが知られている。
【０００４】従って、このような製品不良を防止するた
めには、表面付着有機物を洗浄技術によって除去しなけ
ればならない。しかしながら、公知の有機物洗浄技術、
例えば紫外線／オゾン洗浄によって表面付着有機物を除
去した場合には、基板一枚当たりの洗浄時間として数分
間も要し、頻繁に洗浄することはスループットの低下を
招く。
めには、表面付着有機物を洗浄技術によって除去しなけ
ればならない。しかしながら、公知の有機物洗浄技術、
例えば紫外線／オゾン洗浄によって表面付着有機物を除
去した場合には、基板一枚当たりの洗浄時間として数分
間も要し、頻繁に洗浄することはスループットの低下を
招く。
【０００５】そこで、クリーンルーム雰囲気暴露による
基板表面の有機物汚染の防止対策が模索されており、こ
れまでにも、半製品基板の表面に有機物汚染を起こすこ
となく保管することができる各種保管庫が提案されてい
る。
基板表面の有機物汚染の防止対策が模索されており、こ
れまでにも、半製品基板の表面に有機物汚染を起こすこ
となく保管することができる各種保管庫が提案されてい
る。
【０００６】例えば、ＨＥＰＡフィルタやＵＬＰＡフィ
ルタなどの高性能フィルタとケミカルフィルタとを組み
合わせて、粒子状物質のみならずガス状有機物の除去も
行うことにより、保管庫内での有機物汚染を防止する技
法が提案されている。しかしながら、ケミカルフィルタ
の上流側に通常の高性能フィルタ（ＨＥＰＡ、ＵＬＰＡ
など）を取り付けた場合には、ケミカルフィルタ自身か
ら発生する粒子状汚染物を除去することができず、これ
に対して、ケミカルフィルタの下流側に通常の高性能フ
ィルタを取り付けた場合には、この高性能フィルタの構
成材料から発生するガス状汚染物を除去できないという
問題があるため、必ずしも実効を挙げることができな
い。
ルタなどの高性能フィルタとケミカルフィルタとを組み
合わせて、粒子状物質のみならずガス状有機物の除去も
行うことにより、保管庫内での有機物汚染を防止する技
法が提案されている。しかしながら、ケミカルフィルタ
の上流側に通常の高性能フィルタ（ＨＥＰＡ、ＵＬＰＡ
など）を取り付けた場合には、ケミカルフィルタ自身か
ら発生する粒子状汚染物を除去することができず、これ
に対して、ケミカルフィルタの下流側に通常の高性能フ
ィルタを取り付けた場合には、この高性能フィルタの構
成材料から発生するガス状汚染物を除去できないという
問題があるため、必ずしも実効を挙げることができな
い。
【０００７】また、例えば、特開平６−１５６６２２号
公報には、保管庫（または、ウェハストッカ）内を清浄
空気の代わりに不活性ガスで充満し、基板の有機物汚染
を防止する技法が提案されている。このような不活性ガ
スチャンバ内で基板を保管することにより、清浄空気が
充満されたクリーンルーム内で基板を保管した場合に比
較して、有機物による表面汚染を１／５〜１／２程度に
まで軽減することができる。しかしながら、保管庫（ま
たは、ウェハストッカ）を不活性ガスで充満する場合、
不活性ガスのコストが高いという問題のみならず安全性
の問題に注意を払う必要がある。すなわち、なんらかの
事故により大量の不活性ガスがクリーンルーム内に漏洩
した場合、周辺の作業員は窒息のおそれがある。
公報には、保管庫（または、ウェハストッカ）内を清浄
空気の代わりに不活性ガスで充満し、基板の有機物汚染
を防止する技法が提案されている。このような不活性ガ
スチャンバ内で基板を保管することにより、清浄空気が
充満されたクリーンルーム内で基板を保管した場合に比
較して、有機物による表面汚染を１／５〜１／２程度に
まで軽減することができる。しかしながら、保管庫（ま
たは、ウェハストッカ）を不活性ガスで充満する場合、
不活性ガスのコストが高いという問題のみならず安全性
の問題に注意を払う必要がある。すなわち、なんらかの
事故により大量の不活性ガスがクリーンルーム内に漏洩
した場合、周辺の作業員は窒息のおそれがある。
【０００８】さらに、例えば、特開平５−２８６５６７
号公報には、不活性ガスを封入した密閉容器内に半製品
基板を収納し、保管する技法が提案されている。しか
し、このような容器は、完成品であるＩＣチップやＬＣ
Ｄガラスを収納し、そのまま容器ごと搬出するには適し
ているが、半製品基板のように出し入れを頻繁に行う資
材を保管する方法としては不適切である。
号公報には、不活性ガスを封入した密閉容器内に半製品
基板を収納し、保管する技法が提案されている。しか
し、このような容器は、完成品であるＩＣチップやＬＣ
Ｄガラスを収納し、そのまま容器ごと搬出するには適し
ているが、半製品基板のように出し入れを頻繁に行う資
材を保管する方法としては不適切である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来の清浄な資材用保管庫が有する問題点に鑑みて成
されたものであり、半導体基板やＬＣＤ基板などの清浄
な資材を、有機物汚染を引き起こすことなく保管するこ
とが可能であり、また不活性ガスを使用せず、従って、
安全にかつ廉価なランニングコストで稼働させることが
可能であり、さらに、出し入れを頻繁に行う資材の保管
に好適な清浄な資材用保管庫を提供することである。
な従来の清浄な資材用保管庫が有する問題点に鑑みて成
されたものであり、半導体基板やＬＣＤ基板などの清浄
な資材を、有機物汚染を引き起こすことなく保管するこ
とが可能であり、また不活性ガスを使用せず、従って、
安全にかつ廉価なランニングコストで稼働させることが
可能であり、さらに、出し入れを頻繁に行う資材の保管
に好適な清浄な資材用保管庫を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明は、第１の清浄度に保持され
た周囲清浄空間と、その周囲清浄空間と隔離された状態
で清浄な資材を保管する保管手段が設置された第１の局
所清浄空間とを備えた清浄な資材用保管庫に、メタンを
含む炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御され第
２の清浄度に保持された保管用清浄空気を生成する保管
用清浄空気生成手段と、その第１の局所清浄空間内に保
管用清浄空気を供給する送気手段とを設けている。かか
る構成により、基板表面の有機物汚染を効果的に防止す
ることが可能である。その際に、不活性ガスを使用しな
いので、安全にかつ廉価なランニングコストで保管庫を
稼働させることができる。
に、請求項１に記載の発明は、第１の清浄度に保持され
た周囲清浄空間と、その周囲清浄空間と隔離された状態
で清浄な資材を保管する保管手段が設置された第１の局
所清浄空間とを備えた清浄な資材用保管庫に、メタンを
含む炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御され第
２の清浄度に保持された保管用清浄空気を生成する保管
用清浄空気生成手段と、その第１の局所清浄空間内に保
管用清浄空気を供給する送気手段とを設けている。かか
る構成により、基板表面の有機物汚染を効果的に防止す
ることが可能である。その際に、不活性ガスを使用しな
いので、安全にかつ廉価なランニングコストで保管庫を
稼働させることができる。
【００１１】また、上記課題を解決するために、請求項
２によると、第１の清浄度に保持された周囲清浄空間
と、その周囲清浄空間と隔離された状態で清浄な資材を
保管する保管手段が設置された第１の局所清浄空間とを
備えた清浄な資材用保管庫に、清浄な資材表面の純水滴
下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状態
に保持できる第２の清浄度に保持された保管用清浄空気
を生成する保管用清浄空気生成手段と、その第１の局所
清浄空間内に保管用清浄空気を供給する送気手段とを設
けている。従って、清浄な資材を保管する第１の局所清
浄空間内に清浄な資材表面の純水滴下接触角または表面
抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状態に保持できるように
制御された保管用清浄空気が充填されるので、基板表面
の有機物汚染を効果的に防止することが可能である。そ
の際に、不活性ガスを使用しないので、安全にかつ廉価
なイニシャルコストで保管庫を稼働させることができ
る。
２によると、第１の清浄度に保持された周囲清浄空間
と、その周囲清浄空間と隔離された状態で清浄な資材を
保管する保管手段が設置された第１の局所清浄空間とを
備えた清浄な資材用保管庫に、清浄な資材表面の純水滴
下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状態
に保持できる第２の清浄度に保持された保管用清浄空気
を生成する保管用清浄空気生成手段と、その第１の局所
清浄空間内に保管用清浄空気を供給する送気手段とを設
けている。従って、清浄な資材を保管する第１の局所清
浄空間内に清浄な資材表面の純水滴下接触角または表面
抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状態に保持できるように
制御された保管用清浄空気が充填されるので、基板表面
の有機物汚染を効果的に防止することが可能である。そ
の際に、不活性ガスを使用しないので、安全にかつ廉価
なイニシャルコストで保管庫を稼働させることができ
る。
【００１２】上記保管用清浄空気生成手段は、請求項３
に記載のように、例えば２００〜４５０℃の温度で、白
金またはパラジウムなどの貴金属触媒や、銅、マンガ
ン、クロム、ニッケル、鉄などの酸化物触媒と接触させ
て、その中に含まれる炭化水素類を二酸化炭素と水に分
解する、いわゆる触媒燃焼法によって分解する炭化水素
類除去手段として構成することができる。この触媒燃焼
法によれば、従来のケミカルフィルタによる濾過では困
難であった炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御
された清浄空気を容易に生成することができる。
に記載のように、例えば２００〜４５０℃の温度で、白
金またはパラジウムなどの貴金属触媒や、銅、マンガ
ン、クロム、ニッケル、鉄などの酸化物触媒と接触させ
て、その中に含まれる炭化水素類を二酸化炭素と水に分
解する、いわゆる触媒燃焼法によって分解する炭化水素
類除去手段として構成することができる。この触媒燃焼
法によれば、従来のケミカルフィルタによる濾過では困
難であった炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御
された清浄空気を容易に生成することができる。
【００１３】また、上記保管用清浄空気生成手段は、外
気または前記周囲清浄空間の清浄空気中に含まれる炭化
水素類を、請求項４に記載のように、活性炭フィルタに
よって、あるいは請求項５に記載のように、活性炭濾材
を使用した流動層吸着塔によって吸着する炭化水素類除
去手段として構成することが好ましい。さらに、活性炭
は、微量ながらそれ自身から発塵（活性炭微粒を発生）
するので、炭化水素類除去手段の下流側に活性炭微粒捕
集のために濾過フィルタ（たとえば、請求項６に記載の
ように、粒径が０．３μｍの大きさの微粒子を９９．９
７％以上捕集できる高性能フィルタ、あるいは、請求項
７に記載のように、粒径が０．３μｍまたは０．３μｍ
以上の大きさの微粒子を９９．９７％未満捕集できる中
性能フィルタと、その下流に配される粒径が０．３μｍ
の大きさの微粒子を９９．９７％以上捕集できる高性能
フィルタ）を取り付けることが好ましい。この際、通常
の中性能フィルタ、ＨＥＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフ
ィルタでは、濾材に揮発性有機物を含むバインダを使用
しているのでバインダからの脱ガスがある。したがっ
て、バインダを使用しない濾材を用い、あるいはバイン
ダを使用していても焼き出しなどの処理により揮発性有
機物を除去した濾材を用い、さらに濾材をフレームに固
定する手段であるシール材にも脱ガスの発生のない種類
を選択したり、あるいは濾材を脱ガスのない素材で物理
的に圧着してフレームに固定したりすることが好まし
い。以上によって、清浄な資材表面の純水滴下接触角ま
たは表面抵抗率が洗浄直後と同等な状態に保持できるよ
うに制御された清浄空気を安価に生成することができ
る。
気または前記周囲清浄空間の清浄空気中に含まれる炭化
水素類を、請求項４に記載のように、活性炭フィルタに
よって、あるいは請求項５に記載のように、活性炭濾材
を使用した流動層吸着塔によって吸着する炭化水素類除
去手段として構成することが好ましい。さらに、活性炭
は、微量ながらそれ自身から発塵（活性炭微粒を発生）
するので、炭化水素類除去手段の下流側に活性炭微粒捕
集のために濾過フィルタ（たとえば、請求項６に記載の
ように、粒径が０．３μｍの大きさの微粒子を９９．９
７％以上捕集できる高性能フィルタ、あるいは、請求項
７に記載のように、粒径が０．３μｍまたは０．３μｍ
以上の大きさの微粒子を９９．９７％未満捕集できる中
性能フィルタと、その下流に配される粒径が０．３μｍ
の大きさの微粒子を９９．９７％以上捕集できる高性能
フィルタ）を取り付けることが好ましい。この際、通常
の中性能フィルタ、ＨＥＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフ
ィルタでは、濾材に揮発性有機物を含むバインダを使用
しているのでバインダからの脱ガスがある。したがっ
て、バインダを使用しない濾材を用い、あるいはバイン
ダを使用していても焼き出しなどの処理により揮発性有
機物を除去した濾材を用い、さらに濾材をフレームに固
定する手段であるシール材にも脱ガスの発生のない種類
を選択したり、あるいは濾材を脱ガスのない素材で物理
的に圧着してフレームに固定したりすることが好まし
い。以上によって、清浄な資材表面の純水滴下接触角ま
たは表面抵抗率が洗浄直後と同等な状態に保持できるよ
うに制御された清浄空気を安価に生成することができ
る。
【００１４】さらに、請求項８に記載のように、第１の
局所清浄空間を、保管手段が設置される保管空間とその
保管空間と前記周囲清浄空間との間に介装されるバッフ
ァ空間とから構成することもできる。その場合に、保管
空間とバッファ空間との間およびバッファ空間と周囲清
浄空間との間をそれぞれ開閉自在の隔離壁により隔離す
るように構成することが好ましい。かかる構成によれ
ば、例えば資材搬入時には、保管空間とバッファ空間と
を隔離してからバッファ空間に周囲清浄空間から資材を
搬入し、次いでバッファ空間と周囲清浄空間とを隔離し
てからバッファ空間内を保管用清浄空気で充満させ、次
いで資材を保管空間に搬入することが可能となり、資材
搬入時に周囲清浄空間の雰囲気由来の有機物が保管空間
内に混入することを防止できる。同様に、例えば資材搬
出時には、バッファ空間と周囲清浄空間とを隔離してか
らバッファ空間に資材を搬出し、次いでバッファ空間と
保管空間とを隔離してからバッファ空間と周囲清浄空間
とを連通させ資材を搬出することが可能となり、資材搬
出時に周囲清浄空間の雰囲気由来の有機物が保管空間内
に混入することを防止できる。従って、頻繁に搬入搬出
を繰り返す半製品の清浄な資材を保管するに適した保管
庫を構築することができる。
局所清浄空間を、保管手段が設置される保管空間とその
保管空間と前記周囲清浄空間との間に介装されるバッフ
ァ空間とから構成することもできる。その場合に、保管
空間とバッファ空間との間およびバッファ空間と周囲清
浄空間との間をそれぞれ開閉自在の隔離壁により隔離す
るように構成することが好ましい。かかる構成によれ
ば、例えば資材搬入時には、保管空間とバッファ空間と
を隔離してからバッファ空間に周囲清浄空間から資材を
搬入し、次いでバッファ空間と周囲清浄空間とを隔離し
てからバッファ空間内を保管用清浄空気で充満させ、次
いで資材を保管空間に搬入することが可能となり、資材
搬入時に周囲清浄空間の雰囲気由来の有機物が保管空間
内に混入することを防止できる。同様に、例えば資材搬
出時には、バッファ空間と周囲清浄空間とを隔離してか
らバッファ空間に資材を搬出し、次いでバッファ空間と
保管空間とを隔離してからバッファ空間と周囲清浄空間
とを連通させ資材を搬出することが可能となり、資材搬
出時に周囲清浄空間の雰囲気由来の有機物が保管空間内
に混入することを防止できる。従って、頻繁に搬入搬出
を繰り返す半製品の清浄な資材を保管するに適した保管
庫を構築することができる。
【００１５】このように、第１の局所清浄空間を保管手
段が設置される保管空間とその保管空間と前記周囲清浄
空間との間に介装されるバッファ空間とから構成した場
合に、請求項９に記載のように、送気手段により保管空
間からバッファ空間に保管用清浄空気が流れるように構
成すれば、バッファ空間から例えば周囲清浄空間におい
て汚染された空気が保管空間内に混入することを効果的
に防止することができる。
段が設置される保管空間とその保管空間と前記周囲清浄
空間との間に介装されるバッファ空間とから構成した場
合に、請求項９に記載のように、送気手段により保管空
間からバッファ空間に保管用清浄空気が流れるように構
成すれば、バッファ空間から例えば周囲清浄空間におい
て汚染された空気が保管空間内に混入することを効果的
に防止することができる。
【００１６】さらに、請求項１０に記載のように、上記
保管庫に、第１の局所清浄空間および周囲清浄空間と隔
離された第２の局所清浄空間と、その第２の局所清浄空
間内に前記第１の局所清浄空間内の前記保管用清浄空気
を導入するガス導入手段とを設け、さらに、その第２の
局所清浄空間内に保管用清浄空気による有機物汚染を評
価する評価装置を設置するように構成することができ
る。かかる評価装置により、清浄な資材が保管される第
１の局所清浄空間内の有機物汚染の程度を経時的に観察
することが可能なので、第１の局所清浄空間内の有機物
汚染が進展し、保管される資材が有機物により汚染さ
れ、製品の歩留まりが低下する前に、有機物汚染対策を
講じることが可能となる。さらに、かかる評価装置によ
り、活性炭フィルタを用いた場合に従来問題となってい
たフィルタの交換時期が不明確であるといった点を解決
することもできる。
保管庫に、第１の局所清浄空間および周囲清浄空間と隔
離された第２の局所清浄空間と、その第２の局所清浄空
間内に前記第１の局所清浄空間内の前記保管用清浄空気
を導入するガス導入手段とを設け、さらに、その第２の
局所清浄空間内に保管用清浄空気による有機物汚染を評
価する評価装置を設置するように構成することができ
る。かかる評価装置により、清浄な資材が保管される第
１の局所清浄空間内の有機物汚染の程度を経時的に観察
することが可能なので、第１の局所清浄空間内の有機物
汚染が進展し、保管される資材が有機物により汚染さ
れ、製品の歩留まりが低下する前に、有機物汚染対策を
講じることが可能となる。さらに、かかる評価装置によ
り、活性炭フィルタを用いた場合に従来問題となってい
たフィルタの交換時期が不明確であるといった点を解決
することもできる。
【００１７】このように評価装置を設けた場合には、請
求項１１に記載のように、送気手段を切換自在であると
共に相互に独立した複数の送気系統から構成し、評価装
置による評価に応じて第１の局所清浄空間に保管用清浄
空気を供給する送気系統を切り換えるように構成するこ
とができる。このように、保管用清浄空気を供給する送
気系統を複数設ければ、評価装置により第１の局所清浄
空間内の有機物汚染が進展したと判断された場合には、
現在稼働中の送気系統の保管用清浄空気が炭化水素類で
汚染されていると判断してこれを遮断し、別の送気系統
を接続して、この新しい送気系統から清浄な資材表面の
純水滴下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等
な状態に保持できるように制御された新しい保管用清浄
空気を第１の局所清浄空間に供給することができる。
求項１１に記載のように、送気手段を切換自在であると
共に相互に独立した複数の送気系統から構成し、評価装
置による評価に応じて第１の局所清浄空間に保管用清浄
空気を供給する送気系統を切り換えるように構成するこ
とができる。このように、保管用清浄空気を供給する送
気系統を複数設ければ、評価装置により第１の局所清浄
空間内の有機物汚染が進展したと判断された場合には、
現在稼働中の送気系統の保管用清浄空気が炭化水素類で
汚染されていると判断してこれを遮断し、別の送気系統
を接続して、この新しい送気系統から清浄な資材表面の
純水滴下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等
な状態に保持できるように制御された新しい保管用清浄
空気を第１の局所清浄空間に供給することができる。
【００１８】さらにまた、請求項１２に記載のように、
第１の局所清浄空間に不活性ガスを送気する不活性ガス
送気手段を設け、送気手段を評価装置による評価に応じ
て不活性ガス送気手段に切り換えるように構成すること
ができる。このように、不活性ガスを供給する不活性ガ
ス送気手段を設けることにより、評価装置により第１の
局所清浄空間内の有機物汚染が進展したと判断された場
合には、現在稼働中の送気手段を遮断し、不活性ガス送
気手段を接続して、不活性ガスを第１の局所清浄空間に
供給することができる。そして、例えば活性炭フィルタ
を交換し、清浄な資材表面の純水滴下接触角または表面
抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状態に保持できるように
制御された清浄空気を送気することが可能なように調整
した後に、再び元の送気手段に切り換えることができ
る。
第１の局所清浄空間に不活性ガスを送気する不活性ガス
送気手段を設け、送気手段を評価装置による評価に応じ
て不活性ガス送気手段に切り換えるように構成すること
ができる。このように、不活性ガスを供給する不活性ガ
ス送気手段を設けることにより、評価装置により第１の
局所清浄空間内の有機物汚染が進展したと判断された場
合には、現在稼働中の送気手段を遮断し、不活性ガス送
気手段を接続して、不活性ガスを第１の局所清浄空間に
供給することができる。そして、例えば活性炭フィルタ
を交換し、清浄な資材表面の純水滴下接触角または表面
抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状態に保持できるように
制御された清浄空気を送気することが可能なように調整
した後に、再び元の送気手段に切り換えることができ
る。
【００１９】有機物汚染を評価する評価装置は、請求項
１３に記載のように、少なくとも表面が絶縁性の基板
と、その基板表面上の少なくとも２点間の電気抵抗値を
測定する表面抵抗率計と、第２の局所空間内に実質的に
一定の相対湿度を有する調湿ガスを導入する調湿ガス導
入手段と、表面抵抗率計により測定された表面抵抗率に
応じて基板表面の有機物汚染を評価するとともに、保管
用清浄空気生成手段の有機物除去能力の劣化を診断（あ
るいは監視）する手段とから構成することができる。一
定の相対湿度雰囲気においては、絶縁性表面の表面抵抗
率はその表面の有機物汚染に依存して変化することが知
られている。従って、第２の局所清浄空間内に設置され
た表面が絶縁性の基板の表面抵抗率を経時的に測定する
ことにより、その表面抵抗率の増加割合から基板表面の
有機物による汚染の度合いを評価することができる。
１３に記載のように、少なくとも表面が絶縁性の基板
と、その基板表面上の少なくとも２点間の電気抵抗値を
測定する表面抵抗率計と、第２の局所空間内に実質的に
一定の相対湿度を有する調湿ガスを導入する調湿ガス導
入手段と、表面抵抗率計により測定された表面抵抗率に
応じて基板表面の有機物汚染を評価するとともに、保管
用清浄空気生成手段の有機物除去能力の劣化を診断（あ
るいは監視）する手段とから構成することができる。一
定の相対湿度雰囲気においては、絶縁性表面の表面抵抗
率はその表面の有機物汚染に依存して変化することが知
られている。従って、第２の局所清浄空間内に設置され
た表面が絶縁性の基板の表面抵抗率を経時的に測定する
ことにより、その表面抵抗率の増加割合から基板表面の
有機物による汚染の度合いを評価することができる。
【００２０】また有機物汚染を評価する評価装置は、請
求項１４に記載のように、基板と、その基板表面上に液
滴を滴下する滴下手段と、滴下された液滴の接触角を測
定する測定手段と、測定された接触角に応じて基板表面
の有機物汚染を評価するとともに、保管用清浄空気生成
手段の有機物除去能力の劣化を診断（あるいは監視）す
る手段とから構成することもできる。表面に滴下された
液滴の接触角はその表面の有機物汚染に依存して変化す
ることが知られている。従って、第２の局所清浄空間内
に設置された基板の表面に滴下された液滴の接触角を観
察することにより、その接触角の増加割合から基板表面
の有機物による汚染の度合いを評価することができる。
求項１４に記載のように、基板と、その基板表面上に液
滴を滴下する滴下手段と、滴下された液滴の接触角を測
定する測定手段と、測定された接触角に応じて基板表面
の有機物汚染を評価するとともに、保管用清浄空気生成
手段の有機物除去能力の劣化を診断（あるいは監視）す
る手段とから構成することもできる。表面に滴下された
液滴の接触角はその表面の有機物汚染に依存して変化す
ることが知られている。従って、第２の局所清浄空間内
に設置された基板の表面に滴下された液滴の接触角を観
察することにより、その接触角の増加割合から基板表面
の有機物による汚染の度合いを評価することができる。
【００２１】また、上記評価装置において、請求項１５
に記載のように、測定または観察する対象となる基板の
表面の材質を、第１の局所清浄空間内に保管される清浄
な資材の表面の材質と実質的に同じに構成し、その基板
の洗浄後の放置時間も、第１の局所清浄空間内に保管さ
れる清浄な資材の洗浄後の放置時間と同じにすることが
好ましい。かかる構成によれば、より正確に第１の局所
清浄空間内の有機物汚染の程度の評価と、保管用清浄空
気生成手段の有機物除去能力の劣化を診断（あるいは監
視）することが可能となる。
に記載のように、測定または観察する対象となる基板の
表面の材質を、第１の局所清浄空間内に保管される清浄
な資材の表面の材質と実質的に同じに構成し、その基板
の洗浄後の放置時間も、第１の局所清浄空間内に保管さ
れる清浄な資材の洗浄後の放置時間と同じにすることが
好ましい。かかる構成によれば、より正確に第１の局所
清浄空間内の有機物汚染の程度の評価と、保管用清浄空
気生成手段の有機物除去能力の劣化を診断（あるいは監
視）することが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照しながら
本発明に基づいて構成された清浄な資材の保管庫の好適
な実施の形態について詳細に説明する。
本発明に基づいて構成された清浄な資材の保管庫の好適
な実施の形態について詳細に説明する。
【００２３】図１〜図３には、本発明の第１実施例にか
かるＬＣＤ基板の保管に適するように構成した保管庫１
０が示されており、それぞれ、図１は保管庫１０の平面
図、図２は図１のＡから見た保管庫１０の側面図、図３
は図１のＢから見た保管庫１０の側面図を示している。
かるＬＣＤ基板の保管に適するように構成した保管庫１
０が示されており、それぞれ、図１は保管庫１０の平面
図、図２は図１のＡから見た保管庫１０の側面図、図３
は図１のＢから見た保管庫１０の側面図を示している。
【００２４】図示のように、本発明にかかる保管庫１０
は、第１の清浄度に保持された周囲清浄空間（クリーン
ルーム）１２内にその空間とは隔離状態で設置される第
１の局所清浄空間として構成される。保管庫１０は、ク
リーンルーム１２と隔壁１４により隔離されクリーンル
ーム１２との間でＬＣＤ基板１８を受け渡しを行うバッ
ファ空間としての前室１６と、ＬＣＤ基板１８を搬送す
る搬送室２０と、実際にＬＣＤ基板１８の保管を行う保
管室２２とから構成されている。なお図示の例では搬送
室２０と保管室２２とは共通の空間（保管空間）として
構成されているが、搬送室２０と保管室２２とを開閉自
在の隔壁により隔離して、搬送室２０に起因するコンタ
ミネーションが保管室２２に入り込まないように構成す
ることも可能である。
は、第１の清浄度に保持された周囲清浄空間（クリーン
ルーム）１２内にその空間とは隔離状態で設置される第
１の局所清浄空間として構成される。保管庫１０は、ク
リーンルーム１２と隔壁１４により隔離されクリーンル
ーム１２との間でＬＣＤ基板１８を受け渡しを行うバッ
ファ空間としての前室１６と、ＬＣＤ基板１８を搬送す
る搬送室２０と、実際にＬＣＤ基板１８の保管を行う保
管室２２とから構成されている。なお図示の例では搬送
室２０と保管室２２とは共通の空間（保管空間）として
構成されているが、搬送室２０と保管室２２とを開閉自
在の隔壁により隔離して、搬送室２０に起因するコンタ
ミネーションが保管室２２に入り込まないように構成す
ることも可能である。
【００２５】クリーンルーム１２内には前室１６の隔壁
１４に隣接してキャリア台２４が設置されており、この
キャリア台２４上には所定枚数のＬＣＤ基板を収納する
ことができるキャリア２６が載置される。また前室１６
内には搬送アーム２８などの搬送機構が設置されてお
り、キャリア台２４からＬＣＤ基板が収納されたキャリ
ア２６を前室１６内のキャリア台３０に移載することが
できる。さらに前室１６には給気系３２が設けられてお
り、図５に関連して後述する保管用清浄空気生成装置３
６、すなわち触媒燃焼装置や、図６に関連して後述する
保管用清浄空気生成装置３６’、すなわち活性炭フィル
タユニットにより生成された保管用清浄空気を給気系３
２より導入することができる。また前室１６には排気系
３４が設けられており、必要に応じて前室１６内を排気
することができる。
１４に隣接してキャリア台２４が設置されており、この
キャリア台２４上には所定枚数のＬＣＤ基板を収納する
ことができるキャリア２６が載置される。また前室１６
内には搬送アーム２８などの搬送機構が設置されてお
り、キャリア台２４からＬＣＤ基板が収納されたキャリ
ア２６を前室１６内のキャリア台３０に移載することが
できる。さらに前室１６には給気系３２が設けられてお
り、図５に関連して後述する保管用清浄空気生成装置３
６、すなわち触媒燃焼装置や、図６に関連して後述する
保管用清浄空気生成装置３６’、すなわち活性炭フィル
タユニットにより生成された保管用清浄空気を給気系３
２より導入することができる。また前室１６には排気系
３４が設けられており、必要に応じて前室１６内を排気
することができる。
【００２６】さらに前室１６と搬送室２０とは開閉自在
の隔壁３８で隔離されている。搬送室２０内には保管室
２２に沿って移動可能な移動台３９と、その移動台３９
に設置された搬送アーム４０とが設置されている。例え
ば、資材を保管する際には、隔壁３８を開けて、搬送ア
ーム４０により前室１６内のキャリア台３０に設置され
たキャリア２６を取り出し、保管室２２の空きストッカ
位置にまで移動台３９で移送し、その空きストッカにキ
ャリア２６を収納することができる。
の隔壁３８で隔離されている。搬送室２０内には保管室
２２に沿って移動可能な移動台３９と、その移動台３９
に設置された搬送アーム４０とが設置されている。例え
ば、資材を保管する際には、隔壁３８を開けて、搬送ア
ーム４０により前室１６内のキャリア台３０に設置され
たキャリア２６を取り出し、保管室２２の空きストッカ
位置にまで移動台３９で移送し、その空きストッカにキ
ャリア２６を収納することができる。
【００２７】保管室２２内には、複数のストッカ４２が
形成されている。なお図示の例では、上下２段、横３列
のストッカユニット４４が２台併設されているが、本発
明はかかる実施例に限定されず、任意の数のストッカを
任意に配置した保管室２２に対して適用できることは言
うまでもない。また図示の例では、所定枚数のＬＣＤ基
板１８が収容されたキャリア２６を収容するストッカ４
２を示したが、ＬＣＤ基板１８を直接収容することが可
能なストッカにより保管室を構成することも可能であ
る。
形成されている。なお図示の例では、上下２段、横３列
のストッカユニット４４が２台併設されているが、本発
明はかかる実施例に限定されず、任意の数のストッカを
任意に配置した保管室２２に対して適用できることは言
うまでもない。また図示の例では、所定枚数のＬＣＤ基
板１８が収容されたキャリア２６を収容するストッカ４
２を示したが、ＬＣＤ基板１８を直接収容することが可
能なストッカにより保管室を構成することも可能であ
る。
【００２８】さらに上記構成に加えて、図４に示す保管
庫１０’のように、保管室２２には吸気系４６および高
性能フィルタ４８を設けることも可能である。かかる構
成によれば、図５に関連して後述する保管用清浄空気生
成装置３６により、例えば炭化水素類の総濃度１０ｐｐ
ｂ以下に制御された清浄空気をさらに高性能フィルタ４
８で第２の清浄度に調整した後、保管用清浄空気として
保管室２２内に導入することができる。なお、本明細書
においては、周囲清浄空間を成すクリーンルームの清浄
度を第１の清浄度と称するとともに、資材を保管する第
１の局所清浄空間の清浄度を第２の清浄度と称している
が、これらの清浄度は、両者を同じにする場合を含め、
必要に応じて任意に設定することができる。さらに、図
示の例では保管室２２内のフィルタ４８により第２の清
浄度を達成する構成を示したが、保管用清浄空気生成装
置３６内において適当なフィルタ手段により第２の清浄
度を達成するように構成することもできる。また保管室
２２には排気系５０が設けられており、必要に応じて保
管室２２内を排気することができる。
庫１０’のように、保管室２２には吸気系４６および高
性能フィルタ４８を設けることも可能である。かかる構
成によれば、図５に関連して後述する保管用清浄空気生
成装置３６により、例えば炭化水素類の総濃度１０ｐｐ
ｂ以下に制御された清浄空気をさらに高性能フィルタ４
８で第２の清浄度に調整した後、保管用清浄空気として
保管室２２内に導入することができる。なお、本明細書
においては、周囲清浄空間を成すクリーンルームの清浄
度を第１の清浄度と称するとともに、資材を保管する第
１の局所清浄空間の清浄度を第２の清浄度と称している
が、これらの清浄度は、両者を同じにする場合を含め、
必要に応じて任意に設定することができる。さらに、図
示の例では保管室２２内のフィルタ４８により第２の清
浄度を達成する構成を示したが、保管用清浄空気生成装
置３６内において適当なフィルタ手段により第２の清浄
度を達成するように構成することもできる。また保管室
２２には排気系５０が設けられており、必要に応じて保
管室２２内を排気することができる。
【００２９】次に図５を参照しながら、図４に示す保管
庫１０’に適用される保管用清浄空気を生成するための
保管用清浄空気生成装置３６について説明する。図示の
ように、保管用清浄空気生成装置３６は、取り入れた空
気を圧縮する圧縮機５２と、空気を加熱し触媒と反応さ
せる反応塔５４と、処理済みの空気を冷却する熱交換器
５６とから主に構成されている。さらに保管用清浄空気
生成装置３６は、圧縮機５２と反応塔５４との間の送気
経路中に、ガスフィルタ５８、圧力計６０、流量計６２
が介装されており、生成される保管用清浄空気の清浄
度、圧力、流量をそれぞれ調整することが可能である。
また、反応塔５４内には、例えば白金やパラジウムなど
の酸化触媒が置かれており、加熱器６４により、空気中
に含まれる炭化水素類を次式に示されるように燃焼させ
分解することができる。なお、図中６６は、反応塔５４
の過熱を防止するための温度指示調節警報器である。 ２ＣnＨm＋（ｍ／２＋２ｎ）Ｏ2 → ２ｎＣＯ2＋ｍＨ
2Ｏ
庫１０’に適用される保管用清浄空気を生成するための
保管用清浄空気生成装置３６について説明する。図示の
ように、保管用清浄空気生成装置３６は、取り入れた空
気を圧縮する圧縮機５２と、空気を加熱し触媒と反応さ
せる反応塔５４と、処理済みの空気を冷却する熱交換器
５６とから主に構成されている。さらに保管用清浄空気
生成装置３６は、圧縮機５２と反応塔５４との間の送気
経路中に、ガスフィルタ５８、圧力計６０、流量計６２
が介装されており、生成される保管用清浄空気の清浄
度、圧力、流量をそれぞれ調整することが可能である。
また、反応塔５４内には、例えば白金やパラジウムなど
の酸化触媒が置かれており、加熱器６４により、空気中
に含まれる炭化水素類を次式に示されるように燃焼させ
分解することができる。なお、図中６６は、反応塔５４
の過熱を防止するための温度指示調節警報器である。 ２ＣnＨm＋（ｍ／２＋２ｎ）Ｏ2 → ２ｎＣＯ2＋ｍＨ
2Ｏ
【００３０】このようにして、クリーンルーム内の清浄
空気または外気は、圧縮機５２により、例えば４２０℃
に加熱された反応塔５４に送気され、反応塔５４内にお
いて酸化触媒と反応し、炭化水素類が水と炭酸ガスに分
解され除去される。ところで、通常のクリーンルーム空
気中には、水分が１０，０００ｐｐｍ〜２０，０００ｐ
ｐｍ、炭酸ガスが数百ｐｐｍ、メタンを含む炭化水素類
総量が数ｐｐｍ含まれているから、炭化水素類が全て燃
焼しても、水分量や炭酸ガス量は元から含まれていた量
と比較して微量増加するだけである。炭化水素類を燃焼
分解された清浄空気は、フィン付きの熱交換器５６によ
り室温まで冷却され、清浄空気取り出し口６８より外部
に取り出される。
空気または外気は、圧縮機５２により、例えば４２０℃
に加熱された反応塔５４に送気され、反応塔５４内にお
いて酸化触媒と反応し、炭化水素類が水と炭酸ガスに分
解され除去される。ところで、通常のクリーンルーム空
気中には、水分が１０，０００ｐｐｍ〜２０，０００ｐ
ｐｍ、炭酸ガスが数百ｐｐｍ、メタンを含む炭化水素類
総量が数ｐｐｍ含まれているから、炭化水素類が全て燃
焼しても、水分量や炭酸ガス量は元から含まれていた量
と比較して微量増加するだけである。炭化水素類を燃焼
分解された清浄空気は、フィン付きの熱交換器５６によ
り室温まで冷却され、清浄空気取り出し口６８より外部
に取り出される。
【００３１】次に図６を参照しながら、図１〜図３に示
す保管庫１０に適用される保管用清浄空気を生成するた
め保管用清浄空気生成装置３６’について説明する。図
示のように、保管用清浄空気生成装置３６’は、ユニッ
ト内へ空気を取り込む、あるいはシステム内で空気を循
環させるための送風機６５２と、活性炭フィルタの目詰
まりを抑制するための粒子粗取りフィルタ６５４と、空
気中の炭化水素類を吸着するための活性炭フィルタ６５
６と、活性炭フィルタから発生するおそれのある活性炭
微粒を下流側で除去するための粒子除去濾過フィルタ６
５８とから主に構成されている。送風機６５２は、イン
バータ６６０で周波数制御され、任意に処理風量を調節
することが可能である。
す保管庫１０に適用される保管用清浄空気を生成するた
め保管用清浄空気生成装置３６’について説明する。図
示のように、保管用清浄空気生成装置３６’は、ユニッ
ト内へ空気を取り込む、あるいはシステム内で空気を循
環させるための送風機６５２と、活性炭フィルタの目詰
まりを抑制するための粒子粗取りフィルタ６５４と、空
気中の炭化水素類を吸着するための活性炭フィルタ６５
６と、活性炭フィルタから発生するおそれのある活性炭
微粒を下流側で除去するための粒子除去濾過フィルタ６
５８とから主に構成されている。送風機６５２は、イン
バータ６６０で周波数制御され、任意に処理風量を調節
することが可能である。
【００３２】活性炭フィルタ６５６は、ベースとなる活
性炭の形状によって、ペレット状、繊維状、ハニカム状
が可能である。本実施の形態では、濾材である活性炭に
は、ガス状不純物を発生しないように添着物を全く使用
しないペレット状の球状活性炭素材を用いた。一般に繊
維状ならびハニカム状活性炭フィルタは、他の有機繊維
や接着剤を用いて形を整えたり強度を保たせたりしてい
るので、有機繊維や接着剤から有機物ガスを発生する。
また、ペレット状の活性炭素材も、ウレタンなどに接着
剤で添着して使用すると、ウレタンや接着剤から有機物
ガスを発生する。かかる有機物ガスは二次汚染源となる
ため何らかの対策が必要である。そこで、本実施の形態
においては、球状活性炭をガス状不純物の発生しない素
材で構成された容器内に充填する構成を採用している。
なお本明細書において、ガス状不純物を発生しない素材
としては、例えば脱脂処理を施し、耐腐食性・低表面粗
度のステンレス、アルミニウムなどの金属や、アルミ
ナ、ジルコニアなどのセラミックスを用いることができ
る。ただし、ステンレスの場合は、電解研磨処理を施し
たものを用いることが好ましい。またアルミニウムの場
合には、ベーマイト処理のような表面処理を施したもの
を用いることが好ましい。
性炭の形状によって、ペレット状、繊維状、ハニカム状
が可能である。本実施の形態では、濾材である活性炭に
は、ガス状不純物を発生しないように添着物を全く使用
しないペレット状の球状活性炭素材を用いた。一般に繊
維状ならびハニカム状活性炭フィルタは、他の有機繊維
や接着剤を用いて形を整えたり強度を保たせたりしてい
るので、有機繊維や接着剤から有機物ガスを発生する。
また、ペレット状の活性炭素材も、ウレタンなどに接着
剤で添着して使用すると、ウレタンや接着剤から有機物
ガスを発生する。かかる有機物ガスは二次汚染源となる
ため何らかの対策が必要である。そこで、本実施の形態
においては、球状活性炭をガス状不純物の発生しない素
材で構成された容器内に充填する構成を採用している。
なお本明細書において、ガス状不純物を発生しない素材
としては、例えば脱脂処理を施し、耐腐食性・低表面粗
度のステンレス、アルミニウムなどの金属や、アルミ
ナ、ジルコニアなどのセラミックスを用いることができ
る。ただし、ステンレスの場合は、電解研磨処理を施し
たものを用いることが好ましい。またアルミニウムの場
合には、ベーマイト処理のような表面処理を施したもの
を用いることが好ましい。
【００３３】図７および図８には、ガス状不純物を発生
しない素材で構成された濾過フィルタの一例が示されて
いる。この濾過フィルタ４２０は、例えばステンレスや
アルミニウムなどから成る金属製フレーム４１２ａ、４
１２ｂとガラス繊維素材のフィルタ４１４のみから構成
されている。図８に示すように、本実施の形態では、バ
インダを含まない（または、バインダを含んでいたとし
ても焼き出し処理などにより揮発性有機物を除去した）
ガラス繊維のみからなる濾紙形平板フィルタ濾材４１４
を凹凸に折り曲げてフィルタ要素を構成する。そして、
凹凸形状のフィルタの上下端部４１４ａは、フィルタの
凹凸形状に対応して凹凸形状に成形された金属製型枠４
１２ａ、４１２ｂの凹凸部間（図８（ａ）、（ｂ）に示
す金属製型枠４１２ａ、４１２ｂの上面および下面）に
挟み込む。また凹凸形状のフィルタの左右端部４１４ｂ
は金属製型枠４１２ａ、１４２ｂの平坦面間（図８
（ａ）（ｂ））に示す金属製型枠４１２ａ、４１２ｂの
左右側面）に挟み込む。このようにすれば、ガス状不純
物などを発生するシール材などを使用せずに、図８
（ａ）に示すような濾過フィルタ４２０を構成すること
ができる。なお図８（ａ）は、粒子除去フィルタを組み
立てた状態を示し、図８（ｂ）は一方の金属枠４１２ａ
を取り外した状態を示す斜視図である。このようして組
み立てられた粒子除去フィルタ４２０は、金属製型枠４
１２ａ、４１２ｂごと濾材４１４を、例えば３００℃で
ベーキングして、全ての有機物を脱離させる。この濾過
フィルタ４２０は、常温で有機物ガスの発生のないフッ
素樹脂製パッキンを介して風道６６２（図６）間に取り
付けられる。
しない素材で構成された濾過フィルタの一例が示されて
いる。この濾過フィルタ４２０は、例えばステンレスや
アルミニウムなどから成る金属製フレーム４１２ａ、４
１２ｂとガラス繊維素材のフィルタ４１４のみから構成
されている。図８に示すように、本実施の形態では、バ
インダを含まない（または、バインダを含んでいたとし
ても焼き出し処理などにより揮発性有機物を除去した）
ガラス繊維のみからなる濾紙形平板フィルタ濾材４１４
を凹凸に折り曲げてフィルタ要素を構成する。そして、
凹凸形状のフィルタの上下端部４１４ａは、フィルタの
凹凸形状に対応して凹凸形状に成形された金属製型枠４
１２ａ、４１２ｂの凹凸部間（図８（ａ）、（ｂ）に示
す金属製型枠４１２ａ、４１２ｂの上面および下面）に
挟み込む。また凹凸形状のフィルタの左右端部４１４ｂ
は金属製型枠４１２ａ、１４２ｂの平坦面間（図８
（ａ）（ｂ））に示す金属製型枠４１２ａ、４１２ｂの
左右側面）に挟み込む。このようにすれば、ガス状不純
物などを発生するシール材などを使用せずに、図８
（ａ）に示すような濾過フィルタ４２０を構成すること
ができる。なお図８（ａ）は、粒子除去フィルタを組み
立てた状態を示し、図８（ｂ）は一方の金属枠４１２ａ
を取り外した状態を示す斜視図である。このようして組
み立てられた粒子除去フィルタ４２０は、金属製型枠４
１２ａ、４１２ｂごと濾材４１４を、例えば３００℃で
ベーキングして、全ての有機物を脱離させる。この濾過
フィルタ４２０は、常温で有機物ガスの発生のないフッ
素樹脂製パッキンを介して風道６６２（図６）間に取り
付けられる。
【００３４】なお、濾過フィルタは、図９に示すように
構成することも可能である。図９に示す濾過フィルタ４
２０’は、図７および図８に示す粒子除去フィルタ４２
０と異なり、バインダを含まない（または、バインダを
含んでいたとしても焼き出し処理などにより揮発性有機
物を除去した）ガラス繊維のみからなる濾紙形平板フィ
ルタ濾材４１４’をジグザグに折り曲げてフィルタ要素
を構成し、そのジグザグ形状のフィルタ４１４’を、そ
のジグザグ形状に対応してジグザグ形状に成形された金
属製型枠４１２ａ’、４１２ｂ’の間に挟み込んだもの
である。かかる形状の相違を除けば、図９に示す粒子除
去フィルタ４２０’は、図７および図８に示す粒子除去
フィルタ４２０と実質的には同一の構成を有しているの
で、詳細な説明は省略する。
構成することも可能である。図９に示す濾過フィルタ４
２０’は、図７および図８に示す粒子除去フィルタ４２
０と異なり、バインダを含まない（または、バインダを
含んでいたとしても焼き出し処理などにより揮発性有機
物を除去した）ガラス繊維のみからなる濾紙形平板フィ
ルタ濾材４１４’をジグザグに折り曲げてフィルタ要素
を構成し、そのジグザグ形状のフィルタ４１４’を、そ
のジグザグ形状に対応してジグザグ形状に成形された金
属製型枠４１２ａ’、４１２ｂ’の間に挟み込んだもの
である。かかる形状の相違を除けば、図９に示す粒子除
去フィルタ４２０’は、図７および図８に示す粒子除去
フィルタ４２０と実質的には同一の構成を有しているの
で、詳細な説明は省略する。
【００３５】さらに、図１０には、風道６６２（図６）
に活性炭フィルタ６５６と粒子除去濾過フィルタ６５８
を取り付けるためにさらに別の態様が示されている。図
示のように本実施の態様にかかる活性炭フィルタ４５０
は、ステンレス製メッシュ４５２、４５４の間に球状活
性炭を単層に配した球状活性炭層４５６と、球状活性炭
層４５６の下流の空気通過空間４５８とから成るフィル
タ単位を複数段積層するとともに、その最下流側に、球
状活性炭層４５６から発生する二次粒子を除去するため
の濾過フィルタ４６０を配することにより構成されてい
る。このように単層の球状活性炭層４５６を空気通過空
間４５８を介して複数段積層することにより、圧力損失
の小さな濾過フィルタ構造を得ることができる。なお、
フィルタ構成部材は、すべてガス状不純物を発生しない
素材を用いることにより、濾過フィルタ自体が有機物汚
染の汚染源となることを防止することができる。
に活性炭フィルタ６５６と粒子除去濾過フィルタ６５８
を取り付けるためにさらに別の態様が示されている。図
示のように本実施の態様にかかる活性炭フィルタ４５０
は、ステンレス製メッシュ４５２、４５４の間に球状活
性炭を単層に配した球状活性炭層４５６と、球状活性炭
層４５６の下流の空気通過空間４５８とから成るフィル
タ単位を複数段積層するとともに、その最下流側に、球
状活性炭層４５６から発生する二次粒子を除去するため
の濾過フィルタ４６０を配することにより構成されてい
る。このように単層の球状活性炭層４５６を空気通過空
間４５８を介して複数段積層することにより、圧力損失
の小さな濾過フィルタ構造を得ることができる。なお、
フィルタ構成部材は、すべてガス状不純物を発生しない
素材を用いることにより、濾過フィルタ自体が有機物汚
染の汚染源となることを防止することができる。
【００３６】再び図６に戻り、以上のように活性炭フィ
ルタ６５６により、有機物ガスを除去処理された後の清
浄空気は、清浄空気取り出し口６６４から外部に取り出
される。なお、清浄空気取り出し口６６４より下流側の
風道および保管庫の構成部材も全て不純物ガスの発生の
ない材料を採用する必要がある。また、シールの必要な
風道または保管庫の構成部材のジョイント部分には、ガ
ス状不純物による有機物汚染を防止するために、全て脱
ガスのないフッ素樹脂製パッキンを使用した。図示のよ
うに、保管用清浄空気生成装置３６’では、粒子除去用
濾過フィルタ６５８の前後の差圧を差圧計６６６でモニ
タし、粒子除去用濾過フィルタ６５８の交換時期を知る
ことができる。
ルタ６５６により、有機物ガスを除去処理された後の清
浄空気は、清浄空気取り出し口６６４から外部に取り出
される。なお、清浄空気取り出し口６６４より下流側の
風道および保管庫の構成部材も全て不純物ガスの発生の
ない材料を採用する必要がある。また、シールの必要な
風道または保管庫の構成部材のジョイント部分には、ガ
ス状不純物による有機物汚染を防止するために、全て脱
ガスのないフッ素樹脂製パッキンを使用した。図示のよ
うに、保管用清浄空気生成装置３６’では、粒子除去用
濾過フィルタ６５８の前後の差圧を差圧計６６６でモニ
タし、粒子除去用濾過フィルタ６５８の交換時期を知る
ことができる。
【００３７】図６〜図１０に示す保管用清浄空気清浄装
置では、活性炭フィルタにより空気中の炭化水素類を吸
着する構成を採用したが、本発明はかかる例に限定され
ず、図１１に示すような、活性炭濾材を使用した流動層
吸着塔５５０を備えたガス状不純物処理システム５００
を使用することも可能である。このガス状不純物処理シ
ステム５００は、流動層吸着塔５５０を使用し、その下
流側にガス状不純物を発生しない中性能フィルタ５２２
及び高性能フィルタ５２４を上流側から順次直列に設置
したものである。また、中性能フィルタ５２２や高性能
フィルタ５２４をシステムに取り付ける際には、有機物
ガスの発生のないシール部材、例えば無機素材パッキン
やテフロンなどのフッ素樹脂パッキンを使用することが
好ましい。
置では、活性炭フィルタにより空気中の炭化水素類を吸
着する構成を採用したが、本発明はかかる例に限定され
ず、図１１に示すような、活性炭濾材を使用した流動層
吸着塔５５０を備えたガス状不純物処理システム５００
を使用することも可能である。このガス状不純物処理シ
ステム５００は、流動層吸着塔５５０を使用し、その下
流側にガス状不純物を発生しない中性能フィルタ５２２
及び高性能フィルタ５２４を上流側から順次直列に設置
したものである。また、中性能フィルタ５２２や高性能
フィルタ５２４をシステムに取り付ける際には、有機物
ガスの発生のないシール部材、例えば無機素材パッキン
やテフロンなどのフッ素樹脂パッキンを使用することが
好ましい。
【００３８】この流動層吸着塔５５０は、大きく分けて
流動層吸着部５５２、シール部５５４、吸着濾材搬送部
５５６から成る。流動層吸着部５５２は、吸着塔５５８
内に多段に積層された多孔板５６０を備えている。吸着
濾材（例えば、粒状活性炭）は、この流動層吸着部５５
２において、多段の多孔板５６０上で、例えば静止層高
１０〜２０ｍｍ、流動層高２０〜４０ｍｍの流動層５６
２を形成し、多段毎に流動移動しながら各段の流下部５
６０ａから逐次下段に落下して行く。この間、吸着濾材
は、空気取入口５６３からダンパ５６３ｂと渦巻送風機
５６３ａを経由して取り入れられた上向流の処理空気５
６４と均一に接触し、処理空気中の不純物ガス成分を吸
着する。他方、浄化された空気５６６は吸着塔５５８の
上部５５８ａから放出される。またシール部５５４をな
す吸着塔底部５５８ｂに達した吸着濾材は、吸着濾材搬
送部５５６によって吸着塔の最上段に戻され、再び吸着
工程に移って行く。
流動層吸着部５５２、シール部５５４、吸着濾材搬送部
５５６から成る。流動層吸着部５５２は、吸着塔５５８
内に多段に積層された多孔板５６０を備えている。吸着
濾材（例えば、粒状活性炭）は、この流動層吸着部５５
２において、多段の多孔板５６０上で、例えば静止層高
１０〜２０ｍｍ、流動層高２０〜４０ｍｍの流動層５６
２を形成し、多段毎に流動移動しながら各段の流下部５
６０ａから逐次下段に落下して行く。この間、吸着濾材
は、空気取入口５６３からダンパ５６３ｂと渦巻送風機
５６３ａを経由して取り入れられた上向流の処理空気５
６４と均一に接触し、処理空気中の不純物ガス成分を吸
着する。他方、浄化された空気５６６は吸着塔５５８の
上部５５８ａから放出される。またシール部５５４をな
す吸着塔底部５５８ｂに達した吸着濾材は、吸着濾材搬
送部５５６によって吸着塔の最上段に戻され、再び吸着
工程に移って行く。
【００３９】かかる流動層吸着塔５５０を利用したガス
状不純物の除去装置は、流動状態にある吸着濾材の層の
中を被処理空気が通過するため、通気抵抗が極めて低い
という利点がある。例えば０．７ｍｍ直径の粒状活性炭
からなる静止層高１．５ｃｍの流動層を１ｍ／ｓの被処
理空気が通過する場合の通気抵抗はわずか１０ｍｍＨ2
Ｏである。また、被処理空気中に含まれるｐｐｍオーダ
のガス状有機不純物を１ｐｐｂ以下の濃度にするために
はせいぜい７段の流動層、つまり７０ｍｍＨ2Ｏの通気
抵抗を見込んでおけば十分である。なお、長期連続運転
中に、吸着塔内の吸着濾材は不純物を吸着して破過（飽
和して吸着性能を失う状態）に近づく。従って、破過す
る前に安全を見込んで早目に吸着濾材の交換が必要であ
る。例えば、破過するまでの寿命が２年であれば半年置
きに交換することができる。
状不純物の除去装置は、流動状態にある吸着濾材の層の
中を被処理空気が通過するため、通気抵抗が極めて低い
という利点がある。例えば０．７ｍｍ直径の粒状活性炭
からなる静止層高１．５ｃｍの流動層を１ｍ／ｓの被処
理空気が通過する場合の通気抵抗はわずか１０ｍｍＨ2
Ｏである。また、被処理空気中に含まれるｐｐｍオーダ
のガス状有機不純物を１ｐｐｂ以下の濃度にするために
はせいぜい７段の流動層、つまり７０ｍｍＨ2Ｏの通気
抵抗を見込んでおけば十分である。なお、長期連続運転
中に、吸着塔内の吸着濾材は不純物を吸着して破過（飽
和して吸着性能を失う状態）に近づく。従って、破過す
る前に安全を見込んで早目に吸着濾材の交換が必要であ
る。例えば、破過するまでの寿命が２年であれば半年置
きに交換することができる。
【００４０】図１１に示す吸着濾材搬送部５５６につい
て説明する。吸着濾材搬送部５５６は、ターボ送風機５
６８を備えており、このターボ送風機５６８によりダン
パ５７４と三方管５７２と気流輸送管５７６を経由して
圧縮空気５７８が吸着塔の最上段に送られる。三方管５
７２において、圧縮空気５７８と、取り出し口５７０か
ら出た吸着濾材とが混合される。取り出し口５７０から
吸着濾材を取り出す経路には、第１経路５７０ａと第２
経路５７０ｂの２系統があり、第１経路５７０ａから取
り出された吸着濾材が圧縮空気５７８によって吸着塔の
最上段まで気流搬送される。この際、第２経路５７０ｂ
はダンパ５７４ａおよびバルブ５８０を閉じることによ
って閉鎖されている。
て説明する。吸着濾材搬送部５５６は、ターボ送風機５
６８を備えており、このターボ送風機５６８によりダン
パ５７４と三方管５７２と気流輸送管５７６を経由して
圧縮空気５７８が吸着塔の最上段に送られる。三方管５
７２において、圧縮空気５７８と、取り出し口５７０か
ら出た吸着濾材とが混合される。取り出し口５７０から
吸着濾材を取り出す経路には、第１経路５７０ａと第２
経路５７０ｂの２系統があり、第１経路５７０ａから取
り出された吸着濾材が圧縮空気５７８によって吸着塔の
最上段まで気流搬送される。この際、第２経路５７０ｂ
はダンパ５７４ａおよびバルブ５８０を閉じることによ
って閉鎖されている。
【００４１】一方、吸着濾材を交換する場合は、渦巻送
風機５６３ａを停止し、ダンパ５７４を閉じて第１経路
５７０ａを閉鎖する。逆に第２経路５７０ｂは開放し、
三方管５７２ａにおいて、ダンパ５７４ａを経由した圧
縮空気５７８ａと、取り出し口５７０から出た吸着濾材
とを混合する。この吸着濾材はバルブ５８０を経由して
使用済み濾材貯槽５８２まで気流搬送される。気流搬送
に使用された圧縮空気５７８ａは貯槽５８２に取り付け
た排気口５８２ａから外部に排出される。
風機５６３ａを停止し、ダンパ５７４を閉じて第１経路
５７０ａを閉鎖する。逆に第２経路５７０ｂは開放し、
三方管５７２ａにおいて、ダンパ５７４ａを経由した圧
縮空気５７８ａと、取り出し口５７０から出た吸着濾材
とを混合する。この吸着濾材はバルブ５８０を経由して
使用済み濾材貯槽５８２まで気流搬送される。気流搬送
に使用された圧縮空気５７８ａは貯槽５８２に取り付け
た排気口５８２ａから外部に排出される。
【００４２】吸着塔５５８の使用済み濾材を全て貯槽５
８２に気流搬送した後、貯槽下部に取り付けたバルブ５
８４を開いて使用済み濾材を外部に取り出す。一方、未
使用の吸着濾材は供給口５８４ａから未使用濾材貯槽５
８４に入れる。その後未使用の吸着濾材は、バルブ５８
６を経由して取り入れ口５８８から吸着塔５５８内に入
る。
８２に気流搬送した後、貯槽下部に取り付けたバルブ５
８４を開いて使用済み濾材を外部に取り出す。一方、未
使用の吸着濾材は供給口５８４ａから未使用濾材貯槽５
８４に入れる。その後未使用の吸着濾材は、バルブ５８
６を経由して取り入れ口５８８から吸着塔５５８内に入
る。
【００４３】ところで、かかる流動層吸着塔５５０で
は、流動状態にある吸着濾材自体が微粒子の発生源とな
る。しかし、本実施の形態によれば、流動層吸着塔５５
０の下流側にガス状不純物を発生しない中性能フィルタ
５２２および高性能フィルタ５２４が設置されるので、
ガス状不純物と粒子状不純物の両方とも含まないクリー
ンエアを供給することができる。なお、中性能フィルタ
５２２および高性能フィルタ５２４の詳細については後
述する。また図示の例では、中性能フィルタ５２２と高
性能フィルタ５２４を直列に配列しているが、高性能フ
ィルタ５２４のみを設置する構成にしても良い。ただ
し、かかる流動層吸着塔５５０では、流動状態にある吸
着濾材は、互いに擦れ合うことで夥しいミクロンサイズ
の微粒子を発生するため、このような微粒子をＨＥＰＡ
やＵＬＰＡと称される高性能フィルタで除去しようとす
れば、例えば、粉塵濃度１ｍｇ／ｍ3、通気風速０．３
ｍ／ｓｅｃの場合、２ヶ月程度で完全に目詰まりを起こ
してしまう。
は、流動状態にある吸着濾材自体が微粒子の発生源とな
る。しかし、本実施の形態によれば、流動層吸着塔５５
０の下流側にガス状不純物を発生しない中性能フィルタ
５２２および高性能フィルタ５２４が設置されるので、
ガス状不純物と粒子状不純物の両方とも含まないクリー
ンエアを供給することができる。なお、中性能フィルタ
５２２および高性能フィルタ５２４の詳細については後
述する。また図示の例では、中性能フィルタ５２２と高
性能フィルタ５２４を直列に配列しているが、高性能フ
ィルタ５２４のみを設置する構成にしても良い。ただ
し、かかる流動層吸着塔５５０では、流動状態にある吸
着濾材は、互いに擦れ合うことで夥しいミクロンサイズ
の微粒子を発生するため、このような微粒子をＨＥＰＡ
やＵＬＰＡと称される高性能フィルタで除去しようとす
れば、例えば、粉塵濃度１ｍｇ／ｍ3、通気風速０．３
ｍ／ｓｅｃの場合、２ヶ月程度で完全に目詰まりを起こ
してしまう。
【００４４】従って、本実施の形態に示すように、まず
中性能フィルタ５２２でミクロンサイズの濾材摩耗粒子
を除去し、中性能フィルタ５２２で除去できなかった僅
かのサブミクロンサイズの微粒子をさらに下流側に設け
た高性能フィルタ５２４で除去する構成を採用すること
が好ましい。さらにまた、中性能フィルタ５２２に従来
のバグフィルタ再生に用いられるような再生装置を設け
てフィルタの交換寿命を延長させても良い。なお中性能
フィルタ５２２や高性能フィルタ５２４をシステムに取
り付ける際には、有機物ガスの発生のないシール部材、
例えば無機素材パッキンやテフロンなどのフッ素樹脂パ
ッキンを使用することが好ましい。
中性能フィルタ５２２でミクロンサイズの濾材摩耗粒子
を除去し、中性能フィルタ５２２で除去できなかった僅
かのサブミクロンサイズの微粒子をさらに下流側に設け
た高性能フィルタ５２４で除去する構成を採用すること
が好ましい。さらにまた、中性能フィルタ５２２に従来
のバグフィルタ再生に用いられるような再生装置を設け
てフィルタの交換寿命を延長させても良い。なお中性能
フィルタ５２２や高性能フィルタ５２４をシステムに取
り付ける際には、有機物ガスの発生のないシール部材、
例えば無機素材パッキンやテフロンなどのフッ素樹脂パ
ッキンを使用することが好ましい。
【００４５】次に上記のように構成された保管庫の動作
について図１〜図３を用いて説明する。まず清浄な資材
を搬入する動作について説明する。保管すべきＬＣＤ基
板１８を収納したキャリア２６をクリーンルーム１２内
のキャリア台２４に載置する。次いで、クリーンルーム
１２と前室１６とを隔離する隔壁１４が開いて、キャリ
ア２６は搬送アーム２８により保持されて前室１６内に
収容され、前室１６内のキャリア台３０に載置される。
その後、隔壁１４が閉じ、前室１６とクリーンルーム１
２とを隔離してから、保管用清浄空気生成装置３６、３
６’より給気系３２を介して、メタンを含む炭化水素類
の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御された微粒子を含まな
い清浄空気、または清浄な資材表面の純水滴下接触角ま
たは表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状態に保持でき
るように制御された微粒子を含まない清浄空気が、前室
１６内に送気される。このとき、前室１６は隣接する室
から隔離された隔離空間を構成し（従って、前室１６と
搬送室２０との間の隔壁３８は閉じられている）、給気
量と同量の空気が排気系３４から排気される。前室１６
の内部雰囲気が保管用清浄空気に十分入れ替わった後、
前室１６と搬送室２０との間の隔壁３８が開き、搬送室
２０の内部にある搬送機構の搬送アーム４０によって、
前室１６から搬送室２０へキャリア２６が取り込まれ
る。次いで、移動台３９は、保管室２２の空きストッカ
４２の位置まで移動し、保持したキャリア２６をその空
きストッカ４２に収容する。ストッカ４２には、給気系
４６から保管用清浄空気が送り込まれ、図３に矢印で示
すように、キャリア２６と搬送室２０とを通過してスト
ッカ４２の下部５１に回り込む気流が形成される。この
とき、保管室２２および搬送室２０は隣接する室から隔
離された隔離空間を構成し（従って、搬送室２０と前室
１６との間の隔壁３８は閉じられている）、給気量と同
量の空気が排気系５０から排気される。
について図１〜図３を用いて説明する。まず清浄な資材
を搬入する動作について説明する。保管すべきＬＣＤ基
板１８を収納したキャリア２６をクリーンルーム１２内
のキャリア台２４に載置する。次いで、クリーンルーム
１２と前室１６とを隔離する隔壁１４が開いて、キャリ
ア２６は搬送アーム２８により保持されて前室１６内に
収容され、前室１６内のキャリア台３０に載置される。
その後、隔壁１４が閉じ、前室１６とクリーンルーム１
２とを隔離してから、保管用清浄空気生成装置３６、３
６’より給気系３２を介して、メタンを含む炭化水素類
の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御された微粒子を含まな
い清浄空気、または清浄な資材表面の純水滴下接触角ま
たは表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状態に保持でき
るように制御された微粒子を含まない清浄空気が、前室
１６内に送気される。このとき、前室１６は隣接する室
から隔離された隔離空間を構成し（従って、前室１６と
搬送室２０との間の隔壁３８は閉じられている）、給気
量と同量の空気が排気系３４から排気される。前室１６
の内部雰囲気が保管用清浄空気に十分入れ替わった後、
前室１６と搬送室２０との間の隔壁３８が開き、搬送室
２０の内部にある搬送機構の搬送アーム４０によって、
前室１６から搬送室２０へキャリア２６が取り込まれ
る。次いで、移動台３９は、保管室２２の空きストッカ
４２の位置まで移動し、保持したキャリア２６をその空
きストッカ４２に収容する。ストッカ４２には、給気系
４６から保管用清浄空気が送り込まれ、図３に矢印で示
すように、キャリア２６と搬送室２０とを通過してスト
ッカ４２の下部５１に回り込む気流が形成される。この
とき、保管室２２および搬送室２０は隣接する室から隔
離された隔離空間を構成し（従って、搬送室２０と前室
１６との間の隔壁３８は閉じられている）、給気量と同
量の空気が排気系５０から排気される。
【００４６】次に、ストッカ４２において一定期間保管
されたキャリア２６を搬出する動作について説明する。
まず、移動台３９が搬出するキャリア２６が収容された
ストッカ４２位置まで移動し、搬送アーム４０にてキャ
リア２６を保持する。移動台３９は前室１６の位置まで
移動する。この時点で、前室１６は密閉状態にされ、そ
の内部は保管用清浄空気雰囲気に保持されている。次い
で、隔壁３８が開放し、搬送アーム４０はキャリア２６
を前室１６内のキャリア台３０上に載置する。その後、
搬送室２０と前室１６との間の隔壁３８を閉じた後、前
室１６とクリーンルーム１２との間の隔壁１４が開放
し、キャリア台３０上のキャリア２６は搬送アーム２８
により、クリーンルーム１２内のキャリア台２４に載置
され、搬出動作が完了する。
されたキャリア２６を搬出する動作について説明する。
まず、移動台３９が搬出するキャリア２６が収容された
ストッカ４２位置まで移動し、搬送アーム４０にてキャ
リア２６を保持する。移動台３９は前室１６の位置まで
移動する。この時点で、前室１６は密閉状態にされ、そ
の内部は保管用清浄空気雰囲気に保持されている。次い
で、隔壁３８が開放し、搬送アーム４０はキャリア２６
を前室１６内のキャリア台３０上に載置する。その後、
搬送室２０と前室１６との間の隔壁３８を閉じた後、前
室１６とクリーンルーム１２との間の隔壁１４が開放
し、キャリア台３０上のキャリア２６は搬送アーム２８
により、クリーンルーム１２内のキャリア台２４に載置
され、搬出動作が完了する。
【００４７】なお図１〜図４に示した実施例では、保管
用清浄空気の前室１６への送気は給気系３２を介して行
われるが、図１２に示すように、この給気系３２を省略
して、前室１６と搬送室２０（保管空間）とを隔てる隔
壁３８を貫通する開口部３７を設け、保管室２２に送気
された保管用清浄空気の一部が搬送室２０を介して前室
１６に流れ込むような構成にすることも可能である。か
かる構成によれば、保管用清浄空気の気流は、常に保管
室２２から搬送室２０を介して前室１６に流れるので、
前室１６や搬送室２０内において発生する汚染が保管室
２２内に入り込むのを効果的に防止することができる。
またこの際、給気系４６から保管室２２までの経路途中
で発生する可能性のある微粒子までも完全に除去するた
めに、脱ガスのない素材で構成された微粒子除去用フィ
ルタ４８を設けることもできる。
用清浄空気の前室１６への送気は給気系３２を介して行
われるが、図１２に示すように、この給気系３２を省略
して、前室１６と搬送室２０（保管空間）とを隔てる隔
壁３８を貫通する開口部３７を設け、保管室２２に送気
された保管用清浄空気の一部が搬送室２０を介して前室
１６に流れ込むような構成にすることも可能である。か
かる構成によれば、保管用清浄空気の気流は、常に保管
室２２から搬送室２０を介して前室１６に流れるので、
前室１６や搬送室２０内において発生する汚染が保管室
２２内に入り込むのを効果的に防止することができる。
またこの際、給気系４６から保管室２２までの経路途中
で発生する可能性のある微粒子までも完全に除去するた
めに、脱ガスのない素材で構成された微粒子除去用フィ
ルタ４８を設けることもできる。
【００４８】図１３には、本発明に係る清浄な資材用保
管庫のさらに別な実施例が示されている。この保管庫
は、図１〜図４に関連して説明した保管庫に加えて、保
管室２２（または搬送室２０、前室１６）内の有機物汚
染の程度を評価するための評価装置１００（２００）が
設置されている。なお本明細書において、各図面間にお
いて同一の機能構成を有する構成部材については、同一
の番号を付することにより重複説明を省略している。
管庫のさらに別な実施例が示されている。この保管庫
は、図１〜図４に関連して説明した保管庫に加えて、保
管室２２（または搬送室２０、前室１６）内の有機物汚
染の程度を評価するための評価装置１００（２００）が
設置されている。なお本明細書において、各図面間にお
いて同一の機能構成を有する構成部材については、同一
の番号を付することにより重複説明を省略している。
【００４９】この評価装置１００（２００）は、図１３
に示すように、周囲清浄空間（クリーンルーム）１２
と、前室１６、搬送室２０、保管室２２から成る保管空
間（第１の局所清浄空間）と隔離された、図１４、図１
７に示すような第２の局所清浄空間を構成するチャンバ
１０２（２０２）を備えており、そのチャンバ１０２
（２０２）内に、保管室２２内の保管用清浄空気雰囲気
を管路７０を介して供給することが可能である。評価装
置１００（２００）による評価結果は制御器７２に送ら
れ、制御器７２は、その結果に応じて、保管用清浄空気
生成装置３６（３６’）に、例えば送気中断指令などを
出すことができる。あるいは、図２０および図２１に関
連して後述するようなバックアップ用の装置構成が採用
されている場合には、制御器７２はバックアップ用装置
に対して所定の指令を出すことができる。なお、図１３
に示す実施例では、評価装置１００（２００）に評価対
象となる雰囲気を導入する管路７０を保管室２２の排気
系５０から分岐した管路として構成したが、図２０およ
び図２１に示すように、保管用清浄空気生成装置３６
（３６’）の吸気系４６から分岐するように管路７１を
設ける構成とすることも可能である。
に示すように、周囲清浄空間（クリーンルーム）１２
と、前室１６、搬送室２０、保管室２２から成る保管空
間（第１の局所清浄空間）と隔離された、図１４、図１
７に示すような第２の局所清浄空間を構成するチャンバ
１０２（２０２）を備えており、そのチャンバ１０２
（２０２）内に、保管室２２内の保管用清浄空気雰囲気
を管路７０を介して供給することが可能である。評価装
置１００（２００）による評価結果は制御器７２に送ら
れ、制御器７２は、その結果に応じて、保管用清浄空気
生成装置３６（３６’）に、例えば送気中断指令などを
出すことができる。あるいは、図２０および図２１に関
連して後述するようなバックアップ用の装置構成が採用
されている場合には、制御器７２はバックアップ用装置
に対して所定の指令を出すことができる。なお、図１３
に示す実施例では、評価装置１００（２００）に評価対
象となる雰囲気を導入する管路７０を保管室２２の排気
系５０から分岐した管路として構成したが、図２０およ
び図２１に示すように、保管用清浄空気生成装置３６
（３６’）の吸気系４６から分岐するように管路７１を
設ける構成とすることも可能である。
【００５０】評価装置１００（２００）としては、保管
空間（前室、搬送室、保管室）１６、２０、２２内の有
機物汚染の程度を評価できるものであれば良く、例え
ば、基板表面に付着した有機物量をＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により測定する装置を使用
することができる。このＸ線光分子分光法（以下、ＸＰ
Ｓ法と称する。）は、高真空中で測定サンプルに軟Ｘ線
を照射して、サンプル表面から脱出する光電子のエネル
ギーと数をスペクトロメータで計測することにより、サ
ンプル表面に存在する元素を定性／定量分析するもので
ある。ＸＰＳ法による極微量の表面有機物汚染量の評価
では、有機物汚染量は、表面から深さ数十オングストロ
ームの分析領域内における全原子数に対する炭素原子数
の割合、あるいは上記分析領域内に存在する既知の元素
の原子数に対する炭素原子数の比で表される。ＸＰＳ法
の装置内チャンバに表面が絶縁性の基板を入れ、保管空
間の雰囲気に曝す。一定時間置きにチャンバを真空にし
て基板表面の有機物汚染量を評価する。この汚染量の経
時変化から保管空間の雰囲気の汚れ具合が判定できる。
さらに、かかる評価装置により、活性炭フィルタを用い
た場合に従来問題となっていたフィルタの交換時期が不
明確であるといった点を解決し、活性炭フィルタの劣化
を知ることができる。
空間（前室、搬送室、保管室）１６、２０、２２内の有
機物汚染の程度を評価できるものであれば良く、例え
ば、基板表面に付着した有機物量をＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により測定する装置を使用
することができる。このＸ線光分子分光法（以下、ＸＰ
Ｓ法と称する。）は、高真空中で測定サンプルに軟Ｘ線
を照射して、サンプル表面から脱出する光電子のエネル
ギーと数をスペクトロメータで計測することにより、サ
ンプル表面に存在する元素を定性／定量分析するもので
ある。ＸＰＳ法による極微量の表面有機物汚染量の評価
では、有機物汚染量は、表面から深さ数十オングストロ
ームの分析領域内における全原子数に対する炭素原子数
の割合、あるいは上記分析領域内に存在する既知の元素
の原子数に対する炭素原子数の比で表される。ＸＰＳ法
の装置内チャンバに表面が絶縁性の基板を入れ、保管空
間の雰囲気に曝す。一定時間置きにチャンバを真空にし
て基板表面の有機物汚染量を評価する。この汚染量の経
時変化から保管空間の雰囲気の汚れ具合が判定できる。
さらに、かかる評価装置により、活性炭フィルタを用い
た場合に従来問題となっていたフィルタの交換時期が不
明確であるといった点を解決し、活性炭フィルタの劣化
を知ることができる。
【００５１】上記のようなＸＰＳ法による評価装置は、
有機物汚染量を高精度に測定することができるので、保
管室内のガラス基板表面に有機物汚染を引き起こす雰囲
気を評価するために有効な手段であるが、高真空装置や
スペクトロメータが不可欠なために非常に高価である。
また、ＸＰＳ法は、サンプル採取場所と分析場所が一致
した状態で測定を行う、いわゆるインライン分析には不
向きな分析方法である。そこで、図１４〜図１６に示す
ような表面が絶縁性の基板表面の表面抵抗率の変化を利
用した評価装置１００、あるいは図１７〜図１９に示す
ような表面が絶縁性のまたは導電性の基板表面に滴下さ
れた液滴の接触角の変化を利用した評価装置２００を使
用することにより、より廉価な構成で正確なインライン
分析を行うことができる。
有機物汚染量を高精度に測定することができるので、保
管室内のガラス基板表面に有機物汚染を引き起こす雰囲
気を評価するために有効な手段であるが、高真空装置や
スペクトロメータが不可欠なために非常に高価である。
また、ＸＰＳ法は、サンプル採取場所と分析場所が一致
した状態で測定を行う、いわゆるインライン分析には不
向きな分析方法である。そこで、図１４〜図１６に示す
ような表面が絶縁性の基板表面の表面抵抗率の変化を利
用した評価装置１００、あるいは図１７〜図１９に示す
ような表面が絶縁性のまたは導電性の基板表面に滴下さ
れた液滴の接触角の変化を利用した評価装置２００を使
用することにより、より廉価な構成で正確なインライン
分析を行うことができる。
【００５２】まず、図１４〜図１６を参照しながら、表
面が絶縁性の基板表面の表面抵抗率の変化を利用した評
価装置１００について説明する。
面が絶縁性の基板表面の表面抵抗率の変化を利用した評
価装置１００について説明する。
【００５３】図１４に示すように、評価装置１００は、
第１の局所空間および周囲清浄空間と隔離された隔離空
間１０２を備えている。この隔離空間１０２は、たとえ
ばアルミニウム製の隔壁で周囲と隔離されたチャンバと
して構成することができる。この隔離空間１０２の内部
に有機物を除去した清浄な表面１０４ａを有するガラス
基板１０４が設置されている。なお、本実施例では、保
管室２２内にガラス基板１８が保管されるので、有機物
汚染の評価対象としてガラス基板１０４を使用したが、
保管室２２内にシリコンウェハを保管するような場合に
は、有機物汚染の評価対象としてシリコンウェハを使用
することが好ましい。このように、保管庫内に保管され
る資材の表面の材料と同じ材料の表面を有する基板を評
価対象として使用することにより、より正確な有機物汚
染の評価を行うことが可能となる。さらに、評価装置に
おいて測定または観察する対象となる基板の洗浄後の放
置時間も、保管庫内に保管される清浄な資材の洗浄後の
放置時間と同じにすることが好ましい。なお、本実施例
では基板表面が絶縁性である必要があるので、シリコン
基板を使用する場合には、シリコン基板の表面に絶縁膜
が形成されている必要がある。
第１の局所空間および周囲清浄空間と隔離された隔離空
間１０２を備えている。この隔離空間１０２は、たとえ
ばアルミニウム製の隔壁で周囲と隔離されたチャンバと
して構成することができる。この隔離空間１０２の内部
に有機物を除去した清浄な表面１０４ａを有するガラス
基板１０４が設置されている。なお、本実施例では、保
管室２２内にガラス基板１８が保管されるので、有機物
汚染の評価対象としてガラス基板１０４を使用したが、
保管室２２内にシリコンウェハを保管するような場合に
は、有機物汚染の評価対象としてシリコンウェハを使用
することが好ましい。このように、保管庫内に保管され
る資材の表面の材料と同じ材料の表面を有する基板を評
価対象として使用することにより、より正確な有機物汚
染の評価を行うことが可能となる。さらに、評価装置に
おいて測定または観察する対象となる基板の洗浄後の放
置時間も、保管庫内に保管される清浄な資材の洗浄後の
放置時間と同じにすることが好ましい。なお、本実施例
では基板表面が絶縁性である必要があるので、シリコン
基板を使用する場合には、シリコン基板の表面に絶縁膜
が形成されている必要がある。
【００５４】このガラス基板１０４には表面抵抗率測定
用の金属電極１０６が蒸着されている。図１５（Ａ）
（Ｂ）に、ガラス基板１０４に蒸着される金属電極１０
６の概略を示す。図示のように、金属電極１０６は、ガ
ラス基板１０４の表面１０４ａの略中心に直径Ｄ１の略
円形に蒸着された第１電極１０６ａと、その第１電極１
０６ａと同心円状に配された内径Ｄ２の略円環状の第２
電極１０６ｂと、ガラス基板１０４の裏面１０４ｂに略
円形に蒸着された接地電極１０６ｃとから構成される。
これらの電極１０６はガラス基板１０４の表面１０４
ａ、ｂに導電性材料を直接蒸着させて構成することが可
能である。あるいは、これらの電極１０６はガラス基板
１０４の表面１０４ａ、ｂに、たとえばプラズマＣＶＤ
で絶縁膜を形成し、さらにその絶縁膜の表面に、たとえ
ばスパッタ装置で導電性材料を蒸着させて構成すること
も可能である。さらに第１および第２電極１０６ａ、１
０６ｂ間には、電源１０８および電流計１１０が直列に
接続されており、表面抵抗率計１１２（図中点線で囲っ
た部分）が構成されている。なお、図示の例では、基板
１０４及び隔離空間１０２の一部も含めて表面抵抗率計
１１２が構成されているように示されているが、これは
理解を容易にするためであり、ここに言う表面抵抗率計
１１２は、サンプル基板１０４の表面上の少なくとも２
点間の電気抵抗値を測定できるものであれば良く、各種
装置を使用することが可能である。また、本実施例にお
いては、サンプル基板１０４としてガラス基板を用いて
いるが、測定対象に応じてサンプル基板として別の基
板、例えば絶縁膜が形成されたシリコンウェハを使用し
て、そのサンプル基板表面に電極１０６を設置して、表
面抵抗率計１１２により表面抵抗率を測定することも可
能である。
用の金属電極１０６が蒸着されている。図１５（Ａ）
（Ｂ）に、ガラス基板１０４に蒸着される金属電極１０
６の概略を示す。図示のように、金属電極１０６は、ガ
ラス基板１０４の表面１０４ａの略中心に直径Ｄ１の略
円形に蒸着された第１電極１０６ａと、その第１電極１
０６ａと同心円状に配された内径Ｄ２の略円環状の第２
電極１０６ｂと、ガラス基板１０４の裏面１０４ｂに略
円形に蒸着された接地電極１０６ｃとから構成される。
これらの電極１０６はガラス基板１０４の表面１０４
ａ、ｂに導電性材料を直接蒸着させて構成することが可
能である。あるいは、これらの電極１０６はガラス基板
１０４の表面１０４ａ、ｂに、たとえばプラズマＣＶＤ
で絶縁膜を形成し、さらにその絶縁膜の表面に、たとえ
ばスパッタ装置で導電性材料を蒸着させて構成すること
も可能である。さらに第１および第２電極１０６ａ、１
０６ｂ間には、電源１０８および電流計１１０が直列に
接続されており、表面抵抗率計１１２（図中点線で囲っ
た部分）が構成されている。なお、図示の例では、基板
１０４及び隔離空間１０２の一部も含めて表面抵抗率計
１１２が構成されているように示されているが、これは
理解を容易にするためであり、ここに言う表面抵抗率計
１１２は、サンプル基板１０４の表面上の少なくとも２
点間の電気抵抗値を測定できるものであれば良く、各種
装置を使用することが可能である。また、本実施例にお
いては、サンプル基板１０４としてガラス基板を用いて
いるが、測定対象に応じてサンプル基板として別の基
板、例えば絶縁膜が形成されたシリコンウェハを使用し
て、そのサンプル基板表面に電極１０６を設置して、表
面抵抗率計１１２により表面抵抗率を測定することも可
能である。
【００５５】さらに、隔離空間１０２内には、給気バル
ブＶ１を介して湿度発生器１１４により調湿された加圧
精製空気を導入可能であり、給気バルブＶ２を介して酸
素ボンベ１１６より酸素を導入可能であり、さらに給気
バルブＶ３を介して評価対象雰囲気を導入可能である。
また隔離空間１０２には、湿度センサ１１８に連通する
排気バルブＶ４、排気ポンプ１２０に連通する排気バル
ブＶ５、エアポンプ１２２に連通する排気バルブＶ６が
それぞれ接続されている。また湿度センサ１１８により
検出される相対湿度は制御器１２４に送られ、制御器１
２４は検出値に応じて湿度発生器１１４をフィードバッ
ク制御する。また、隔離空間１０２の上部には紫外線ラ
ンプ１２６が設置されており、ガラス基板１０４の表面
１０４ａに紫外線を照射することができる。
ブＶ１を介して湿度発生器１１４により調湿された加圧
精製空気を導入可能であり、給気バルブＶ２を介して酸
素ボンベ１１６より酸素を導入可能であり、さらに給気
バルブＶ３を介して評価対象雰囲気を導入可能である。
また隔離空間１０２には、湿度センサ１１８に連通する
排気バルブＶ４、排気ポンプ１２０に連通する排気バル
ブＶ５、エアポンプ１２２に連通する排気バルブＶ６が
それぞれ接続されている。また湿度センサ１１８により
検出される相対湿度は制御器１２４に送られ、制御器１
２４は検出値に応じて湿度発生器１１４をフィードバッ
ク制御する。また、隔離空間１０２の上部には紫外線ラ
ンプ１２６が設置されており、ガラス基板１０４の表面
１０４ａに紫外線を照射することができる。
【００５６】まず、洗浄直後のガラス基板の表面抵抗率
を測定するには、バルブＶ２、Ｖ５、Ｖ３、Ｖ６を閉じ
た状態で、バルブＶ１、Ｖ４を開き、所定の相対湿度に
制御された加圧調湿ガスを隔離空間１０２内に送り込
む。加圧調湿ガスは、加圧精製空気を湿度発生器１１４
に送気する方法、いわゆる分流法で得られる。隔離空間
１０２内が所定の一定の相対湿度に維持されるように、
調湿ガスの出口側に設置した湿度センサ１１８および制
御器１２４で湿度発生器１１４の分流量がフィードバッ
ク制御される。隔離空間１０２内が所定の相対湿度に達
した後、表面抵抗率測定用の電極１０６に電圧を印加
し、表面抵抗率計１１２により、清浄なガラス基板の初
期表面抵抗率（Ｒｓi）を測定する。
を測定するには、バルブＶ２、Ｖ５、Ｖ３、Ｖ６を閉じ
た状態で、バルブＶ１、Ｖ４を開き、所定の相対湿度に
制御された加圧調湿ガスを隔離空間１０２内に送り込
む。加圧調湿ガスは、加圧精製空気を湿度発生器１１４
に送気する方法、いわゆる分流法で得られる。隔離空間
１０２内が所定の一定の相対湿度に維持されるように、
調湿ガスの出口側に設置した湿度センサ１１８および制
御器１２４で湿度発生器１１４の分流量がフィードバッ
ク制御される。隔離空間１０２内が所定の相対湿度に達
した後、表面抵抗率測定用の電極１０６に電圧を印加
し、表面抵抗率計１１２により、清浄なガラス基板の初
期表面抵抗率（Ｒｓi）を測定する。
【００５７】次に、バルブＶ１、Ｖ４を閉じ、バルブＶ
３、Ｖ６を開け、エアポンプ１２２を作動し、隔離空間
１０２内に評価対象雰囲気の気体を吸引し、ガラス基板
１０４の表面１０４ａを所定時間にわたり評価対象雰囲
気の気体で曝す。暴露終了とともに、バルブＶ３、Ｖ６
を閉じて、バルブＶ１、Ｖ４を開け、制御器１２４によ
り、再び隔離空間１０２内を所定の相対湿度（洗浄後の
基板の表面抵抗率を測定した時の相対湿度と実質的に同
一の相対湿度）雰囲気にし、表面抵抗率計１１２によ
り、表面抵抗率（Ｒsf）を測定する。こうして、一定時
間ごとに表面抵抗率（Ｒsf）の測定を繰り返すことで、
清浄表面上の有機物汚染量の経時変化を追跡できる。
３、Ｖ６を開け、エアポンプ１２２を作動し、隔離空間
１０２内に評価対象雰囲気の気体を吸引し、ガラス基板
１０４の表面１０４ａを所定時間にわたり評価対象雰囲
気の気体で曝す。暴露終了とともに、バルブＶ３、Ｖ６
を閉じて、バルブＶ１、Ｖ４を開け、制御器１２４によ
り、再び隔離空間１０２内を所定の相対湿度（洗浄後の
基板の表面抵抗率を測定した時の相対湿度と実質的に同
一の相対湿度）雰囲気にし、表面抵抗率計１１２によ
り、表面抵抗率（Ｒsf）を測定する。こうして、一定時
間ごとに表面抵抗率（Ｒsf）の測定を繰り返すことで、
清浄表面上の有機物汚染量の経時変化を追跡できる。
【００５８】また、隔離空間１０２内にはＵＶ（紫外
線）ランプ１２６が設けられており、一連の表面抵抗率
の経時変化測定が完了した後、バルブＶ１、Ｖ４、Ｖ
３、Ｖ６を閉じて、バルブＶ２、Ｖ５を開いて、酸素ボ
ンベ１１６から加圧酸素ガスを隔離空間１０２内に送気
するとともに、ガラス基板１０４の表面１０４ａにＵＶ
光を照射して、表面１０４ａに付着した有機物を分解除
去する、いわゆる紫外線／オゾン洗浄が施される。紫外
線／オゾン洗浄後、バルブＶ２を閉じ、バルブＶ５を開
けたままで、バルブＶ１を開いて、洗浄の際に隔離空間
１０２内部で発生したオゾンガスを排気ポンプ１２０で
外部に排出しながら、隔離空間１０２内部を精製空気で
置換する。こうして、次の清浄ガラス基板の表面抵抗率
の経時変化測定に備える。
線）ランプ１２６が設けられており、一連の表面抵抗率
の経時変化測定が完了した後、バルブＶ１、Ｖ４、Ｖ
３、Ｖ６を閉じて、バルブＶ２、Ｖ５を開いて、酸素ボ
ンベ１１６から加圧酸素ガスを隔離空間１０２内に送気
するとともに、ガラス基板１０４の表面１０４ａにＵＶ
光を照射して、表面１０４ａに付着した有機物を分解除
去する、いわゆる紫外線／オゾン洗浄が施される。紫外
線／オゾン洗浄後、バルブＶ２を閉じ、バルブＶ５を開
けたままで、バルブＶ１を開いて、洗浄の際に隔離空間
１０２内部で発生したオゾンガスを排気ポンプ１２０で
外部に排出しながら、隔離空間１０２内部を精製空気で
置換する。こうして、次の清浄ガラス基板の表面抵抗率
の経時変化測定に備える。
【００５９】また、ＸＰＳ法で測定したガラス基板表面
の有機物付着量（炭素／ケイ素比）と一定の相対湿度雰
囲気中で測定した表面抵抗率の増加率（Ｒsf／Ｒsi）の
間には、図１６に示すような関係があることがわかっ
た。図示のように、有機物付着量の増加に対応して表面
抵抗率も増加しており、この関係を利用すれば、表面抵
抗率の増加量の測定値をガラス基板表面の有機物付着量
に換算することができる。たとえば、ガラス基板に一定
時間だけ種々の評価対象雰囲気を暴露したときの表面抵
抗率の増加割合によって、異なるさまざまな雰囲気が表
面有機物汚染源として寄与する程度を比較することがで
きる。あるいは、ガラス基板が保管されているある特定
の雰囲気中に置かれた同一ガラス基板の表面抵抗率測定
を一定時間間隔で繰り返すことによって、その雰囲気由
来のガラス基板の表面の有機物汚染量が許容値以下に保
たれているかどうかを常時監視することが可能となる。
の有機物付着量（炭素／ケイ素比）と一定の相対湿度雰
囲気中で測定した表面抵抗率の増加率（Ｒsf／Ｒsi）の
間には、図１６に示すような関係があることがわかっ
た。図示のように、有機物付着量の増加に対応して表面
抵抗率も増加しており、この関係を利用すれば、表面抵
抗率の増加量の測定値をガラス基板表面の有機物付着量
に換算することができる。たとえば、ガラス基板に一定
時間だけ種々の評価対象雰囲気を暴露したときの表面抵
抗率の増加割合によって、異なるさまざまな雰囲気が表
面有機物汚染源として寄与する程度を比較することがで
きる。あるいは、ガラス基板が保管されているある特定
の雰囲気中に置かれた同一ガラス基板の表面抵抗率測定
を一定時間間隔で繰り返すことによって、その雰囲気由
来のガラス基板の表面の有機物汚染量が許容値以下に保
たれているかどうかを常時監視することが可能となる。
【００６０】次に、図１７〜図１９を参照しながら、基
板表面に滴下された液滴の接触角の変化を利用した評価
装置２００について説明する。
板表面に滴下された液滴の接触角の変化を利用した評価
装置２００について説明する。
【００６１】図１７に示すように、評価装置２００は、
第１の局所空間および周囲清浄空間と隔離された隔離空
間２０２を備えている。この隔離空間２０２は、たとえ
ば周囲とアルミニウム製の隔壁により隔離されたチャン
バとして構成することができる。この隔離空間２０２内
部にはステージ２０４が設置されており、図１８に示す
ように、そのステージ２０４上に有機物を除去した清浄
な表面２０６ａを有するガラス基板２０６が搭載されて
いる。ガラス基板２０６上部には、ガラス表面２０６ａ
に超純水の液滴２０７を滴下するためのシリンジ２０８
が設けられている。また、図１８に示すように、シリン
ジ２０８から滴下される液滴２０７のガラス基板２０６
上の滴下位置を自在に変えられるよう、ステージ２０４
には基板２０６を水平面内で回転したり平行に移動した
りできる移動機構（不図示）が設けられている。なお、
本実施例では、保管室２２内にガラス基板１８が保管さ
れるので、有機物汚染の評価対象としてガラス基板２０
６を使用したが、保管室２２内にシリコンウェハを保管
するような場合には、有機物汚染の評価対象としてシリ
コンウェハを使用することが好ましい。このように、保
管庫内に保管される資材の表面の材料と同じ材料の表面
を有する基板を評価対象として使用することにより、よ
り正確な有機物汚染の評価を行うことが可能となる。な
お、本実施例では図１４の実施例と異なり、基板表面が
絶縁性である必要はないので、シリコン基板もそのまま
使用できる。
第１の局所空間および周囲清浄空間と隔離された隔離空
間２０２を備えている。この隔離空間２０２は、たとえ
ば周囲とアルミニウム製の隔壁により隔離されたチャン
バとして構成することができる。この隔離空間２０２内
部にはステージ２０４が設置されており、図１８に示す
ように、そのステージ２０４上に有機物を除去した清浄
な表面２０６ａを有するガラス基板２０６が搭載されて
いる。ガラス基板２０６上部には、ガラス表面２０６ａ
に超純水の液滴２０７を滴下するためのシリンジ２０８
が設けられている。また、図１８に示すように、シリン
ジ２０８から滴下される液滴２０７のガラス基板２０６
上の滴下位置を自在に変えられるよう、ステージ２０４
には基板２０６を水平面内で回転したり平行に移動した
りできる移動機構（不図示）が設けられている。なお、
本実施例では、保管室２２内にガラス基板１８が保管さ
れるので、有機物汚染の評価対象としてガラス基板２０
６を使用したが、保管室２２内にシリコンウェハを保管
するような場合には、有機物汚染の評価対象としてシリ
コンウェハを使用することが好ましい。このように、保
管庫内に保管される資材の表面の材料と同じ材料の表面
を有する基板を評価対象として使用することにより、よ
り正確な有機物汚染の評価を行うことが可能となる。な
お、本実施例では図１４の実施例と異なり、基板表面が
絶縁性である必要はないので、シリコン基板もそのまま
使用できる。
【００６２】さらに、隔離空間２０２の側壁には測定用
窓２１０ａ、２１０ｂが設けられている。測定用窓２１
０ａの外側には基板２０６に滴下された液滴２０７を照
明する光源２１２が設けられ、測定用窓２１０ｂの外側
には液滴２０７の像を拡大して観察するための顕微鏡や
拡大鏡などの象拡大手段２１４が設けられている。従っ
て、図１８に示すような、ガラス基板２０６上に滴下さ
れた液滴２０７を、光源２１２からの照明光に曝し、拡
大鏡２１４でその接触角αを測定することができる。な
お、この液滴の接触角の変化により有機物汚染の程度を
評価をする方法は、次のような原理を利用したものであ
る。有機物汚染のない酸化膜付きシリコンウェハやガラ
ス基板の表面は水に馴染みやすい性質、つまり親水性で
あり、接触角は小さい。ところが、有機物で汚染された
場合には基板の表面は水をはじく性質、つまり疎水性に
変化し、接触角が大きくなる。従って、図１７に示す装
置により接触角の変化を経時的に観察することにより有
機物汚染の程度を評価することができる。
窓２１０ａ、２１０ｂが設けられている。測定用窓２１
０ａの外側には基板２０６に滴下された液滴２０７を照
明する光源２１２が設けられ、測定用窓２１０ｂの外側
には液滴２０７の像を拡大して観察するための顕微鏡や
拡大鏡などの象拡大手段２１４が設けられている。従っ
て、図１８に示すような、ガラス基板２０６上に滴下さ
れた液滴２０７を、光源２１２からの照明光に曝し、拡
大鏡２１４でその接触角αを測定することができる。な
お、この液滴の接触角の変化により有機物汚染の程度を
評価をする方法は、次のような原理を利用したものであ
る。有機物汚染のない酸化膜付きシリコンウェハやガラ
ス基板の表面は水に馴染みやすい性質、つまり親水性で
あり、接触角は小さい。ところが、有機物で汚染された
場合には基板の表面は水をはじく性質、つまり疎水性に
変化し、接触角が大きくなる。従って、図１７に示す装
置により接触角の変化を経時的に観察することにより有
機物汚染の程度を評価することができる。
【００６３】また隔離空間２０２には、吸気バルブＶ１
１を介してボンベ２１４より少なくとも酸素を含む洗浄
ガスを導入することが可能であるとともに、吸気バルブ
Ｖ１２を介して評価用気体を導入することが可能であ
る。さらに隔離空間２０２には、洗浄ガスを排気するよ
うに導入・排気ポンプ２１６に連通する排気バルブＶ１
３が接続され、また評価用ガスを排気するようにエアポ
ンプ２１８に連通する排気バルブＶ１４が接続されてい
る。また、隔離空間２０２の上部には、基板洗浄時に基
板２０６の表面２０６ａに紫外線を照射するための紫外
線ランプ２２０が設置されている。
１を介してボンベ２１４より少なくとも酸素を含む洗浄
ガスを導入することが可能であるとともに、吸気バルブ
Ｖ１２を介して評価用気体を導入することが可能であ
る。さらに隔離空間２０２には、洗浄ガスを排気するよ
うに導入・排気ポンプ２１６に連通する排気バルブＶ１
３が接続され、また評価用ガスを排気するようにエアポ
ンプ２１８に連通する排気バルブＶ１４が接続されてい
る。また、隔離空間２０２の上部には、基板洗浄時に基
板２０６の表面２０６ａに紫外線を照射するための紫外
線ランプ２２０が設置されている。
【００６４】次に、上記評価装置を用いて、基板表面の
有機物汚染を評価する方法につい説明する。まず、洗浄
直後の清浄基板の接触角を拡大鏡２１４により測定す
る。その後、バルブＶ１１とバルブＶ１３を閉じ、バル
ブＶ１２とバルブ１４の両方を開いて、評価対象となる
雰囲気の気体を隔離空間２０２内にエアポンプ２１８で
送気する。所定時間にわたり基板２０６の表面２０６ａ
を評価雰囲気に曝した後、ステージ２０４を駆動して、
隔離空間２０２内の基板２０６を水平面内で移動する。
なお、この実施例では、ステージ２０４を駆動するよう
に構成しているが、シリンジ２０８を水平面内を自在に
移動可能に構成し、基板２０６（ステージ２０４）を静
止したままシリンジ２０８の方を移動してもよい。つま
り、１回の接触角測定が終わる度に、ステージ２０４ま
たはシリンジ２０８を回転または水平方向に移動して、
液滴がまだ滴下されていない位置に液滴を滴下して再度
接触角を測定する。こうして、一定時間ごとに接触角の
測定を繰り返すことで、清浄表面上の有機物汚染量の経
時変化を追跡できる。
有機物汚染を評価する方法につい説明する。まず、洗浄
直後の清浄基板の接触角を拡大鏡２１４により測定す
る。その後、バルブＶ１１とバルブＶ１３を閉じ、バル
ブＶ１２とバルブ１４の両方を開いて、評価対象となる
雰囲気の気体を隔離空間２０２内にエアポンプ２１８で
送気する。所定時間にわたり基板２０６の表面２０６ａ
を評価雰囲気に曝した後、ステージ２０４を駆動して、
隔離空間２０２内の基板２０６を水平面内で移動する。
なお、この実施例では、ステージ２０４を駆動するよう
に構成しているが、シリンジ２０８を水平面内を自在に
移動可能に構成し、基板２０６（ステージ２０４）を静
止したままシリンジ２０８の方を移動してもよい。つま
り、１回の接触角測定が終わる度に、ステージ２０４ま
たはシリンジ２０８を回転または水平方向に移動して、
液滴がまだ滴下されていない位置に液滴を滴下して再度
接触角を測定する。こうして、一定時間ごとに接触角の
測定を繰り返すことで、清浄表面上の有機物汚染量の経
時変化を追跡できる。
【００６５】また、一連の接触角の経時変化測定が完了
後、バルブＶ１２とバルブＶ１４の両方を閉じて、バル
ブＶ１１とバルブＶ１３の両方を開いて、ボンベ２１４
から少なくとも酸素を含む洗浄ガスを隔離空間２０２内
に送気し、さらに紫外線ランプ２２０によりガラス基板
２０６の表面２０６ａに紫外線を照射して、表面２０６
ａに付着した有機物を分解除去する、いわゆる紫外線／
オゾン洗浄を施す。紫外線／オゾン洗浄後、バルブＶ１
１を閉じ、バルブＶ１３は開いたままで、バルブＶ１２
を開いて、洗浄の際に隔離空間２０２内部で発生したオ
ゾンガスを排気ポンプ２１６で外部に排出しながら、隔
離空間２０２内部を評価対象となる雰囲気の気体で置換
する。こうしてつぎの清浄ガラス基板の接触角の経時変
化測定に備える。
後、バルブＶ１２とバルブＶ１４の両方を閉じて、バル
ブＶ１１とバルブＶ１３の両方を開いて、ボンベ２１４
から少なくとも酸素を含む洗浄ガスを隔離空間２０２内
に送気し、さらに紫外線ランプ２２０によりガラス基板
２０６の表面２０６ａに紫外線を照射して、表面２０６
ａに付着した有機物を分解除去する、いわゆる紫外線／
オゾン洗浄を施す。紫外線／オゾン洗浄後、バルブＶ１
１を閉じ、バルブＶ１３は開いたままで、バルブＶ１２
を開いて、洗浄の際に隔離空間２０２内部で発生したオ
ゾンガスを排気ポンプ２１６で外部に排出しながら、隔
離空間２０２内部を評価対象となる雰囲気の気体で置換
する。こうしてつぎの清浄ガラス基板の接触角の経時変
化測定に備える。
【００６６】図１９に、有機物付着量（炭素／ケイ素
比）と接触角との関係を示す。図示のように、有機物付
着量（炭素／ケイ素比）の増加に対応して接触角も増加
しており、この関係を利用すれば、接触角の測定値をガ
ラス基板表面の有機物付着量に換算できる。たとえば、
ガラス基板に一定時間だけ種々の評価対象雰囲気を暴露
したときの接触角の増加割合によって、異なるさまざま
な雰囲気が表面有機物汚染源として寄与する程度を比較
することができる。あるいは、ガラス基板が保管されて
いるある特定の雰囲気中に置かれた同一ガラス基板の接
触角測定を一定時間間隔で繰り返すことによって、その
雰囲気由来のガラス基板の表面有機物汚染量が許容値以
下に保たれているかどうかを常時監視することが可能と
なる。
比）と接触角との関係を示す。図示のように、有機物付
着量（炭素／ケイ素比）の増加に対応して接触角も増加
しており、この関係を利用すれば、接触角の測定値をガ
ラス基板表面の有機物付着量に換算できる。たとえば、
ガラス基板に一定時間だけ種々の評価対象雰囲気を暴露
したときの接触角の増加割合によって、異なるさまざま
な雰囲気が表面有機物汚染源として寄与する程度を比較
することができる。あるいは、ガラス基板が保管されて
いるある特定の雰囲気中に置かれた同一ガラス基板の接
触角測定を一定時間間隔で繰り返すことによって、その
雰囲気由来のガラス基板の表面有機物汚染量が許容値以
下に保たれているかどうかを常時監視することが可能と
なる。
【００６７】さて、図１〜図４に示す保管庫１０（１
０’）において、触媒燃焼法による保管用清浄空気生成
装置３６が正常に稼働中の場合や、保管用清浄空気生成
装置３６’の活性炭の吸着性能が使用に耐え得る範囲内
であれば、図１４に示す評価装置１００により測定され
た基板の表面抵抗率の増加は１日当たり数％に抑えら
れ、あるいは図１７に示す評価装置２００により測定さ
れた基板の表面に滴下された液滴の接触角の増加は１日
当たり数度に抑えられる。しかしながら、評価装置１０
０、２００により経時的に測定された表面抵抗率の増
加、あるいは接触角の増加が上記範囲を超えるような場
合には（例えば、１日当たりの表面抵抗率の増加率の変
化が数１０％になった場合や、１日当たりの接触角の増
加が数１０度になった場合）、保管用清浄空気生成装置
３６に何らかの異常が生じたり、あるいは保管用清浄空
気生成装置３６’の活性炭が破過に達し、処理空気中の
有機物ガスを十分に除去できなくなり、保管空間内に有
機物汚染が生じたものと判断できる。かかる場合には、
保管中の清浄な資材を直ちに取り出して、再度洗浄し直
し、改めて保管する必要がある。そして、図１３の制御
器７２は、保管用清浄空気生成装置３６（３６’）に対
して送気の中止などの所定の指令を送り、保管用清浄空
気生成装置３６（３６’）の修理を行うか、または活性
炭フィルタを交換することができる。あるいは、図２
０、２１に示すようなバックアップ機構が設けられてい
る場合には、制御器７２は、稼働中の保管用清浄空気生
成装置をバックアップ機構に切り換えることができる。
０’）において、触媒燃焼法による保管用清浄空気生成
装置３６が正常に稼働中の場合や、保管用清浄空気生成
装置３６’の活性炭の吸着性能が使用に耐え得る範囲内
であれば、図１４に示す評価装置１００により測定され
た基板の表面抵抗率の増加は１日当たり数％に抑えら
れ、あるいは図１７に示す評価装置２００により測定さ
れた基板の表面に滴下された液滴の接触角の増加は１日
当たり数度に抑えられる。しかしながら、評価装置１０
０、２００により経時的に測定された表面抵抗率の増
加、あるいは接触角の増加が上記範囲を超えるような場
合には（例えば、１日当たりの表面抵抗率の増加率の変
化が数１０％になった場合や、１日当たりの接触角の増
加が数１０度になった場合）、保管用清浄空気生成装置
３６に何らかの異常が生じたり、あるいは保管用清浄空
気生成装置３６’の活性炭が破過に達し、処理空気中の
有機物ガスを十分に除去できなくなり、保管空間内に有
機物汚染が生じたものと判断できる。かかる場合には、
保管中の清浄な資材を直ちに取り出して、再度洗浄し直
し、改めて保管する必要がある。そして、図１３の制御
器７２は、保管用清浄空気生成装置３６（３６’）に対
して送気の中止などの所定の指令を送り、保管用清浄空
気生成装置３６（３６’）の修理を行うか、または活性
炭フィルタを交換することができる。あるいは、図２
０、２１に示すようなバックアップ機構が設けられてい
る場合には、制御器７２は、稼働中の保管用清浄空気生
成装置をバックアップ機構に切り換えることができる。
【００６８】バックアップ機構としては、例えば図２０
に示すような機構３０２を採用することができる。この
バックアップ機構３０２においては、保管用清浄空気生
成装置３６が独立に制御可能な２系統の第１および第２
保管用清浄空気生成装置３６ａ、３６ｂから構成されて
いる。そして、保管庫１０への給気系４６から分岐した
管路７１により保管庫１０に送気される保管用清浄空気
の一部が評価装置１００（２００）に送られ、そこで有
機物汚染の程度が経時的に観察される。例えば、第１の
保管用清浄空気生成装置３６ａから保管用清浄空気が供
給されている時（すなわち、バルブ７８が開放しバルブ
８０が閉止している）、評価装置１００（２００）にお
いて有機物汚染が発生したと評価された場合には、制御
器７２は、バルブ７８を閉止しバルブ８０を開放するこ
とにより、保管用清浄空気の供給源を第２の保管用清浄
空気生成装置３６ｂに切り換えることができる。そし
て、異常が発生した第１の保管用清浄空気生成装置３６
ａの活性炭フィルタを交換することができる。
に示すような機構３０２を採用することができる。この
バックアップ機構３０２においては、保管用清浄空気生
成装置３６が独立に制御可能な２系統の第１および第２
保管用清浄空気生成装置３６ａ、３６ｂから構成されて
いる。そして、保管庫１０への給気系４６から分岐した
管路７１により保管庫１０に送気される保管用清浄空気
の一部が評価装置１００（２００）に送られ、そこで有
機物汚染の程度が経時的に観察される。例えば、第１の
保管用清浄空気生成装置３６ａから保管用清浄空気が供
給されている時（すなわち、バルブ７８が開放しバルブ
８０が閉止している）、評価装置１００（２００）にお
いて有機物汚染が発生したと評価された場合には、制御
器７２は、バルブ７８を閉止しバルブ８０を開放するこ
とにより、保管用清浄空気の供給源を第２の保管用清浄
空気生成装置３６ｂに切り換えることができる。そし
て、異常が発生した第１の保管用清浄空気生成装置３６
ａの活性炭フィルタを交換することができる。
【００６９】図２１には、バックアップ機構の別の実施
例が示されている。このバックアップ機構３０４は、図
２０に示す第２の保管用清浄空気生成装置の代わりに不
活性ガス供給源８２が給気系４６に接続されている。従
って、評価装置１００（２００）により異常が発生した
と評価された場合には、制御器７２は保管用清浄空気生
成装置３６に連通するバルブ８４を閉止し、不活性ガス
供給源８２に連通するバルブ８６を開放し、保管用清浄
空気生成装置３６の修理が完了するまでの臨時措置とし
て、保管庫１０に不活性ガスを供給することができる。
例が示されている。このバックアップ機構３０４は、図
２０に示す第２の保管用清浄空気生成装置の代わりに不
活性ガス供給源８２が給気系４６に接続されている。従
って、評価装置１００（２００）により異常が発生した
と評価された場合には、制御器７２は保管用清浄空気生
成装置３６に連通するバルブ８４を閉止し、不活性ガス
供給源８２に連通するバルブ８６を開放し、保管用清浄
空気生成装置３６の修理が完了するまでの臨時措置とし
て、保管庫１０に不活性ガスを供給することができる。
【００７０】以上、本発明をＬＣＤ基板用の保管庫に適
用した実施例に即して説明したが、本発明はかかる実施
例に限定されず、当業者であれば特許請求の範囲に記載
された技術的思想の範疇において様々な変更及び修正を
行うことが可能であり、それらについても本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
用した実施例に即して説明したが、本発明はかかる実施
例に限定されず、当業者であれば特許請求の範囲に記載
された技術的思想の範疇において様々な変更及び修正を
行うことが可能であり、それらについても本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
【００７１】例えば、本発明は、本実施例に示したＬＣ
Ｄ基板用の保管庫のみならず半導体ウェハ用の保管庫に
対しても適用可能である。また基板をキャリアに収納
し、そのキャリア単位で保管する場合のみならず、基板
を直接保管する保管庫に対しても当然に適用することが
できる。また、本発明によれば、図５に示す触媒燃焼法
を利用した保管用清浄空気生成装置に限らず、メタンを
含む炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御できる
ような装置であれば、各種装置を使用することが可能で
ある。また、本発明によれば、図６〜１０に示す活性炭
フィルタを利用した保管用清浄空気生成装置、あるいは
図１１に示す活性炭濾材を使用した流動層吸着塔を利用
した保管用清浄空気生成装置に限らず、清浄な資材表面
の純水滴下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同
等な状態に保持できるように制御できるような装置であ
れば、各種装置を使用することが可能である。
Ｄ基板用の保管庫のみならず半導体ウェハ用の保管庫に
対しても適用可能である。また基板をキャリアに収納
し、そのキャリア単位で保管する場合のみならず、基板
を直接保管する保管庫に対しても当然に適用することが
できる。また、本発明によれば、図５に示す触媒燃焼法
を利用した保管用清浄空気生成装置に限らず、メタンを
含む炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御できる
ような装置であれば、各種装置を使用することが可能で
ある。また、本発明によれば、図６〜１０に示す活性炭
フィルタを利用した保管用清浄空気生成装置、あるいは
図１１に示す活性炭濾材を使用した流動層吸着塔を利用
した保管用清浄空気生成装置に限らず、清浄な資材表面
の純水滴下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同
等な状態に保持できるように制御できるような装置であ
れば、各種装置を使用することが可能である。
【００７２】また、保管空間の基板表面の有機物汚染の
程度を直接評価する評価装置として、図１４および図１
７に示すような評価装置に限定されず基板表面の有機物
汚染を間接的に測定可能な各種センサを使用することが
できる。例えば、空気中の有機物量を測定するセンサを
用いて間接的に基板表面の有機物汚染を推定して評価す
るように構成することもできる。さらにまた図示の例で
はクリーンルーム内に保管庫を設けた構成を示したが、
本発明にかかる保管庫はクリーンルームなどの周囲清浄
空間と隔離された状態に保持されれば良く、クリーンル
ームの外部に設置することも可能である。
程度を直接評価する評価装置として、図１４および図１
７に示すような評価装置に限定されず基板表面の有機物
汚染を間接的に測定可能な各種センサを使用することが
できる。例えば、空気中の有機物量を測定するセンサを
用いて間接的に基板表面の有機物汚染を推定して評価す
るように構成することもできる。さらにまた図示の例で
はクリーンルーム内に保管庫を設けた構成を示したが、
本発明にかかる保管庫はクリーンルームなどの周囲清浄
空間と隔離された状態に保持されれば良く、クリーンル
ームの外部に設置することも可能である。
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
清浄な資材を保管する第１の局所清浄空間内にメタンを
含む炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御された
保管用清浄空気が充填されるので、基板表面の有機物汚
染を効果的に防止することが可能である。その際に、不
活性ガスを使用しないので、安全にかつ廉価なランニン
グコストで保管庫を稼働させることができる。
清浄な資材を保管する第１の局所清浄空間内にメタンを
含む炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制御された
保管用清浄空気が充填されるので、基板表面の有機物汚
染を効果的に防止することが可能である。その際に、不
活性ガスを使用しないので、安全にかつ廉価なランニン
グコストで保管庫を稼働させることができる。
【００７４】さらに本発明によれば、清浄な資材を保管
する第１の局所清浄空間内に、例えば触媒反応塔や活性
炭フィルタや流動層吸着塔より、清浄な資材表面の純水
滴下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状
態に保持できるように制御された保管用清浄空気が充満
されるので、基板表面の有機物汚染を効果的に防止する
ことが可能である。その際に、不活性ガスなどを使用し
ないので、安全にかつ廉価なイニシャルコストで保管庫
を稼働させることができる。また触媒反応塔や活性炭フ
ィルタや流動層吸着塔などの清浄空気生成手段の下流側
に自身から脱ガスのない微粒子除去手段を設け、生成し
た清浄空気中の微粒子や不純物ガスを極力低減すること
も可能である。
する第１の局所清浄空間内に、例えば触媒反応塔や活性
炭フィルタや流動層吸着塔より、清浄な資材表面の純水
滴下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状
態に保持できるように制御された保管用清浄空気が充満
されるので、基板表面の有機物汚染を効果的に防止する
ことが可能である。その際に、不活性ガスなどを使用し
ないので、安全にかつ廉価なイニシャルコストで保管庫
を稼働させることができる。また触媒反応塔や活性炭フ
ィルタや流動層吸着塔などの清浄空気生成手段の下流側
に自身から脱ガスのない微粒子除去手段を設け、生成し
た清浄空気中の微粒子や不純物ガスを極力低減すること
も可能である。
【００７５】さらに、第１の局所清浄空間が、清浄な資
材を保管する保管空間とバッファ空間とに区画されてお
り、資材の搬入搬出時に周囲清浄空間の雰囲気由来の有
機物が保管空間内に混入することを防止できるので、頻
繁に搬入搬出を繰り返す半製品の清浄な資材を保管する
に適した保管庫を構築することができる。
材を保管する保管空間とバッファ空間とに区画されてお
り、資材の搬入搬出時に周囲清浄空間の雰囲気由来の有
機物が保管空間内に混入することを防止できるので、頻
繁に搬入搬出を繰り返す半製品の清浄な資材を保管する
に適した保管庫を構築することができる。
【００７６】さらに、第２の局所清浄空間内において、
評価装置により、清浄な資材が保管される第１の局所清
浄空間内の保管用清浄空気による有機物表面汚染の程度
を経時的に観察すれば、第１の局所清浄空間内の有機物
汚染が進展し、保管される資材が有機物により汚染さ
れ、製品の歩留まりが低下する前に、有機物汚染対策を
講じることが可能となる。
評価装置により、清浄な資材が保管される第１の局所清
浄空間内の保管用清浄空気による有機物表面汚染の程度
を経時的に観察すれば、第１の局所清浄空間内の有機物
汚染が進展し、保管される資材が有機物により汚染さ
れ、製品の歩留まりが低下する前に、有機物汚染対策を
講じることが可能となる。
【図１】本発明に係る清浄な資材用保管庫の一実施例の
概略平面図である。
概略平面図である。
【図２】図１に示す清浄な資材用保管庫をＡ方向から見
た側面図である。
た側面図である。
【図３】図１に示す清浄な資材用保管庫をＢ方向から見
た側面図である。
た側面図である。
【図４】本発明に係る清浄な資材用保管庫の別の実施例
の概略平面図である。
の概略平面図である。
【図５】図１に示す清浄な資材用保管庫に適用可能な保
管用清浄空気生成装置の一例を示す構成図である。
管用清浄空気生成装置の一例を示す構成図である。
【図６】図１に示す清浄な資材用保管庫に適用可能な保
管用清浄空気生成装置の一例を示す構成図である。
管用清浄空気生成装置の一例を示す構成図である。
【図７】図６に示す保管用清浄空気生成装置に適用可能
な濾過フィルタの一例を示す概略的な分解組立図であ
る。
な濾過フィルタの一例を示す概略的な分解組立図であ
る。
【図８】図８（ａ）は、図７に示す濾過フィルタの組立
後の概略的な斜視図であり、図８（ｂ）は、図７に示す
濾過フィルタに使用される金属枠の概略を示す斜視図で
ある。
後の概略的な斜視図であり、図８（ｂ）は、図７に示す
濾過フィルタに使用される金属枠の概略を示す斜視図で
ある。
【図９】図６に示す保管用清浄空気生成装置に適用可能
な濾過フィルタの別の例を示す概略的な分解組立図であ
る。
な濾過フィルタの別の例を示す概略的な分解組立図であ
る。
【図１０】図６に示す保管用清浄空気生成装置に適用可
能な濾過フィルタの別の例を示す概略的な構成図であ
る。
能な濾過フィルタの別の例を示す概略的な構成図であ
る。
【図１１】図１に示す清浄な資材用保管庫に適用可能な
保管用清浄空気生成装置の別の例を示す構成図である。
保管用清浄空気生成装置の別の例を示す構成図である。
【図１２】本発明に係る清浄な資材用保管庫の別の実施
例の概略平面図である。
例の概略平面図である。
【図１３】本発明に係る清浄な資材用保管庫のさらに別
の実施例の概略平面図である。
の実施例の概略平面図である。
【図１４】本発明に係る清浄な資材用保管庫に適用可能
な評価装置の一実施例を示す概略的な構成図である。
な評価装置の一実施例を示す概略的な構成図である。
【図１５】図１４の評価装置に適用可能な基板に形成さ
れる電極の構成を示す平面図であり、（Ａ）はその表面
の様子を示し、（Ｂ）その裏面の様子を示している。
れる電極の構成を示す平面図であり、（Ａ）はその表面
の様子を示し、（Ｂ）その裏面の様子を示している。
【図１６】ガラス基板の表面に対する有機物付着量（炭
素／ケイ素比）と表面抵抗率の増加率の関係を示すグラ
フである。
素／ケイ素比）と表面抵抗率の増加率の関係を示すグラ
フである。
【図１７】本発明に係る清浄な資材用保管庫に適用可能
な評価装置の別な実施例を示す概略的な構成図である。
な評価装置の別な実施例を示す概略的な構成図である。
【図１８】基板表面に滴下された液滴と接触角との関係
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図１９】ガラス基板の表面に対する有機物付着量（炭
素／ケイ素比）と接触角との関係を示すグラフである。
素／ケイ素比）と接触角との関係を示すグラフである。
【図２０】本発明に係る清浄な資材用保管庫に適用可能
なバックアップ機構の一実施例を示す概略的な構成図で
ある。
なバックアップ機構の一実施例を示す概略的な構成図で
ある。
【図２１】本発明に係る清浄な資材用保管庫に適用可能
なバックアップ機構の別の実施例を示す概略的な構成図
である。
なバックアップ機構の別の実施例を示す概略的な構成図
である。
１０ 保管空間（第１の局所清浄空間） １２ クリーンルーム（周囲清浄空間） １４ 隔壁 １６ 前室（バッファ空間） １８ ＬＣＤ基板 ２０ 搬送室 ２２ 保管室 ２６ キャリア ３２ 吸気系 ３４ 排気系 ３６ 保管用清浄空気生成装置 ３８ 隔壁 ４２ ストッカ ４６ 吸気系 ５０ 排気系 ７２ 制御器 １００ 評価装置 ２００ 評価装置
Claims (15)
- 【請求項１】 第１の清浄度に保持された周囲清浄空間
と、その周囲清浄空間と隔離された状態で清浄な資材を
保管する保管手段が設置された第１の局所清浄空間とを
備えた清浄な資材用保管庫において、 メタンを含む炭化水素類の総濃度が１０ｐｐｂ以下に制
御され第２の清浄度に保持された保管用清浄空気を生成
する保管用清浄空気生成手段と、 前記第１の局所清浄空間内に前記保管用清浄空気を供給
する送気手段とを備えたことを特徴とする、清浄な資材
用保管庫。 - 【請求項２】 第１の清浄度に保持された周囲清浄空間
と、その周囲清浄空間と隔離された状態で清浄な資材を
保管する保管手段が設置された第１の局所清浄空間とを
備えた清浄な資材用保管庫において、 清浄な資材表面の純水滴下接触角または表面抵抗率を洗
浄直後とほぼ同等な状態に保持できる第２の清浄度に保
持された保管用清浄空気を生成する保管用清浄空気生成
手段と、 前記第１の局所清浄空間内に前記保管用清浄空気を供給
する送気手段と、を備えたことを特徴とする、清浄な資
材用保管庫。 - 【請求項３】 前記保管用清浄空気生成手段は、外気ま
たは前記周囲清浄空間の清浄空気中に含まれる炭化水素
類を触媒燃焼法によって分解する炭化水素類除去手段を
備えていることを特徴とする、請求項１または２に記載
の清浄な資材用保管庫。 - 【請求項４】 前記保管用清浄空気生成手段は、外気ま
たは前記周囲清浄空間の清浄空気中に含まれる炭化水素
類を活性炭フィルタによって吸着する炭化水素類除去手
段を備えていることを特徴とする、請求項２に記載の清
浄な資材用保管庫。 - 【請求項５】 前記保管用清浄空気生成手段は、外気ま
たは前記周囲清浄空間の清浄空気中に含まれる炭化水素
類を活性炭濾材を使用した流動層吸着塔によって吸着す
る炭化水素類除去手段を備えていることを特徴とする、
請求項２に記載の清浄な資材用保管庫。 - 【請求項６】 前記保管用清浄空気生成手段は、前記炭
化水素類除去手段の下流に、粒径が０．３μｍの大きさ
の微粒子を９９．９７％以上捕集できるガス状不純物を
発生しない素材のみから構成される高性能フィルタを備
えていることを特徴とする、請求項３〜５のいずれかに
記載の清浄な資材用保管庫。 - 【請求項７】 前記保管用清浄空気生成手段は、前記炭
化水素類除去手段の下流に、粒径が０．３μｍまたは
０．３μｍ以上の大きさの微粒子を９９．９７％未満捕
集できるガス状不純物を発生しない素材のみから構成さ
れる中性能フィルタと、その下流に配される粒径が０．
３μｍの大きさの微粒子を９９．９７％以上捕集できる
ガス状不純物を発生しない素材のみから構成される高性
能フィルタを備えていることを特徴とする、請求項５に
記載の清浄な資材用保管庫。 - 【請求項８】 前記第１の局所清浄空間は、前記保管手
段が設置される保管空間とその保管空間と前記周囲清浄
空間との間に介装されるバッファ空間とから成り、前記
保管空間と前記バッファ空間との間および前記バッファ
空間と前記周囲清浄空間との間はそれぞれ開閉自在の隔
離壁により隔離されていることを特徴とする、請求項１
〜７のいずれかに記載の清浄な資材用保管庫。 - 【請求項９】 前記送気手段は、前記保管用清浄空気の
空気流を前記保管空間から前記バッファ空間に送るもの
であることを特徴とする、請求項８に記載の清浄な資材
用保管庫。 - 【請求項１０】 さらに、前記第１の局所清浄空間およ
び前記周囲清浄空間と隔離された第２の局所清浄空間
と、その第２の局所清浄空間内に前記第１の局所清浄空
間内の前記保管用清浄空気を導入するガス導入手段と、
前記第２の局所清浄空間内に配置され前記保管用清浄空
気による有機物汚染を評価する評価装置とを備えたこと
を特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の清浄な
資材用保管庫。 - 【請求項１１】 前記送気手段は、切換自在であると共
に相互に独立した複数の送気系統を含み、前記評価装置
による評価に応じて前記第１の局所清浄空間に前記保管
用清浄空気を供給する送気系統が切り換えられることを
特徴とする、請求項１０に記載の清浄な資材用保管庫。 - 【請求項１２】 さらに、前記第１の局所清浄空間に不
活性ガスを送気する不活性ガス送気手段を備え、前記送
気手段は前記評価装置による評価に応じて前記不活性ガ
ス送気手段に切り換えられることを特徴とする、請求項
１０に記載の清浄な資材用保管庫。 - 【請求項１３】 前記評価装置は、少なくとも表面が絶
縁性の基板と、その基板表面上の少なくとも２点間の電
気抵抗値を測定する表面抵抗率計と、前記第２の局所空
間内に実質的に一定の相対湿度を有する調湿ガスを導入
する調湿ガス導入手段と、前記表面抵抗率計により測定
された表面抵抗率に応じて前記基板表面の有機物汚染を
評価するとともに、保管用清浄空気生成手段の有機物除
去能力の劣化を診断する手段とを備えていることを特徴
とする、請求項１０に記載の清浄な資材用保管庫。 - 【請求項１４】 前記評価装置は、基板と、その基板表
面上に液滴を滴下する滴下手段と、滴下された液滴の接
触角を測定する測定手段と、測定された接触角に応じて
前記基板表面の有機物汚染を評価するとともに、保管用
清浄空気生成手段の有機物除去能力の劣化を診断する手
段を備えていることを特徴とする、請求項１０に記載の
清浄な資材用保管庫。 - 【請求項１５】 前記基板の表面の材質は、前記第１の
局所清浄空間内に保管される清浄な資材の表面の材質と
実質的に同じであり、かつ洗浄後の暴露時間も実質的に
同じであることを特徴とする、請求項１３または１４に
記載の清浄な資材用保管庫。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14076796A JP3519212B2 (ja) | 1995-06-13 | 1996-05-10 | 清浄な資材用保管庫 |
| US08/660,458 US5798455A (en) | 1995-06-13 | 1996-06-07 | Storehouse for use in storage of clean materials |
| KR1019960021225A KR100425006B1 (ko) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | 청정한자재용보관고 |
| EP96890105A EP0748990B1 (en) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | Storehouse for use in storage of clean materials |
| DE69615753T DE69615753T2 (de) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | Lagerraum zum Lagern von reinen Gegenständen |
| TW085107112A TW325520B (en) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | Storehouse for use in storage of clean materials |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17137495 | 1995-06-13 | ||
| JP7-171374 | 1995-06-13 | ||
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