JPH0431740A - 大気汚染物質有無検査方法 - Google Patents
大気汚染物質有無検査方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置を製造するクリーンルーム内の極く微量な大
気汚染物質の有無を検査する方法に関し、大気汚染物質
の濃度がＰＰＢオーダの極く微量なものであっても、大
気汚染物質が存在することを検査可能とすることを目的
とし、 大気汚染物質に対して吸着性を有する板状体の表面に親
水性膜を形成してなる検査板の表面に液体液を垂らして
初期接触角を測定する工程と、上記検査板を大気汚染物
質の有無を検査すべき雰囲気中に放置する工程と、放置
後に、上記検査板の表面に再び上記液体液を垂らして放
置後接触角を測定する工程とよりなり、上記初期接触角
と上記放置後接触角との比較に基づいて上記雰囲気中の
大気汚染物質の有無を検査するよう構成する。
気汚染物質の有無を検査する方法に関し、大気汚染物質
の濃度がＰＰＢオーダの極く微量なものであっても、大
気汚染物質が存在することを検査可能とすることを目的
とし、 大気汚染物質に対して吸着性を有する板状体の表面に親
水性膜を形成してなる検査板の表面に液体液を垂らして
初期接触角を測定する工程と、上記検査板を大気汚染物
質の有無を検査すべき雰囲気中に放置する工程と、放置
後に、上記検査板の表面に再び上記液体液を垂らして放
置後接触角を測定する工程とよりなり、上記初期接触角
と上記放置後接触角との比較に基づいて上記雰囲気中の
大気汚染物質の有無を検査するよう構成する。
大気汚染物質も半導体装置の品質に悪影響を及はす。
特に蒸発ガス及び水分等の大気汚染物質にあっては、Ｐ
ＰＭオーダ以下の極く微量であっても製造された半導体
装置の品質に悪影響を及ぼすことがある。
ＰＭオーダ以下の極く微量であっても製造された半導体
装置の品質に悪影響を及ぼすことがある。
従って、半導体装置を製造するクリーンルームは、極く
微量な大気汚染物質を除去しうる構成のものが必要とさ
れている。
微量な大気汚染物質を除去しうる構成のものが必要とさ
れている。
このためには、クリーンルーム内にある大気汚染物質の
濃度がＰＰＢオーダのものであっても、大気汚染物質の
存在の有無を正しく検査できる方法が前提として必要と
される。
濃度がＰＰＢオーダのものであっても、大気汚染物質の
存在の有無を正しく検査できる方法が前提として必要と
される。
本発明は半導体装置を製造するクリーンルーム内の極く
微量な大気汚染物質の有無を検査する方法に関する。
微量な大気汚染物質の有無を検査する方法に関する。
半導体装置の製造においては、微粒子は勿論、薬品の蒸
発ガス、有機溶剤の蒸発ガス、水分等の〔従来の技術〕 従来、微量な大気汚染物質の存在を検査する方法として
、ガスクロマトグラフィー又はイオンクロマトグラフィ
ーを使用する方法がある。
発ガス、有機溶剤の蒸発ガス、水分等の〔従来の技術〕 従来、微量な大気汚染物質の存在を検査する方法として
、ガスクロマトグラフィー又はイオンクロマトグラフィ
ーを使用する方法がある。
しかし、この方法で検査てきるのは、ＰＰＭオーダが限
度であり、これ以下のＰＰＢオーダの極微量なものにつ
いては、検査か不可能であった。
度であり、これ以下のＰＰＢオーダの極微量なものにつ
いては、検査か不可能であった。
そこで、本発明は、大気汚染物質の濃度かＰＰＢオーダ
の極く微量なものであっても、大気汚染物質が存在する
ことを検査可能とする大気汚染物質有無検査方法を提供
することを目的とする。
の極く微量なものであっても、大気汚染物質が存在する
ことを検査可能とする大気汚染物質有無検査方法を提供
することを目的とする。
本発明は、大気汚染物質に対して吸着性を有する板状体
の表面に親水性膜を形成してなる検査板の表面に液体液
を垂らして初期接触角を測定する工程と、 上記検査板を大気汚染物質の有無を検査すべき雰囲気中
に放置する工程と、 放置後に、上記検査板の表面に再び上記液体液を垂らし
て放置後接触角を測定する工程とよりなり、 上記初期接触角と上記放置後接触角との比較に基づいて
上記雰囲気中の大気汚染物質の有無を検査する構成であ
る。
の表面に親水性膜を形成してなる検査板の表面に液体液
を垂らして初期接触角を測定する工程と、 上記検査板を大気汚染物質の有無を検査すべき雰囲気中
に放置する工程と、 放置後に、上記検査板の表面に再び上記液体液を垂らし
て放置後接触角を測定する工程とよりなり、 上記初期接触角と上記放置後接触角との比較に基づいて
上記雰囲気中の大気汚染物質の有無を検査する構成であ
る。
放置工程は、雰囲気中にイオンクロマトグラフィーによ
っては検出か困難である程度の極く微量の大気汚染物質
が存在している場合であっても、大気汚染物質を検査板
に付着させる。
っては検出か困難である程度の極く微量の大気汚染物質
が存在している場合であっても、大気汚染物質を検査板
に付着させる。
大気汚染物質は、検査板に付着して、検査板の表面の界
面状態を変化させる。界面状態の変化により、液体液の
接触角が変化する。
面状態を変化させる。界面状態の変化により、液体液の
接触角が変化する。
第１図及び第２図は夫々本発明の一実施例を説明する図
である。
である。
本実施例は、実験の結果、薬品及び有機溶剤の蒸発ガス
及び水分等の半導体製造用クリーンルーム内における大
気汚染物質の大部分か固体の表面の界面状態を親水性か
ら撥水性に変化させることが判明したことに基づくもの
である。
及び水分等の半導体製造用クリーンルーム内における大
気汚染物質の大部分か固体の表面の界面状態を親水性か
ら撥水性に変化させることが判明したことに基づくもの
である。
まず、検査板作成工程１を行う。
この工程では、吸着性を有する表面を研磨したシリコン
（Ｓｉ）板１０に所謂ＳＣＩ処理を施す。
（Ｓｉ）板１０に所謂ＳＣＩ処理を施す。
即ち、
■ Ｓｉ板１０を、過酸化水素水、アンモニア、湯の混
合、混合させた液でＩＯ分程度洗浄して表面のＳ ｉ
Ｏを膜を解かして除去し、■ 更に水洗を１０分程度行
ない、 ■ 硫酸で１０分程度洗浄し、 ■ 再度水洗浄し、 ■ その後、乾燥する。
合、混合させた液でＩＯ分程度洗浄して表面のＳ ｉ
Ｏを膜を解かして除去し、■ 更に水洗を１０分程度行
ない、 ■ 硫酸で１０分程度洗浄し、 ■ 再度水洗浄し、 ■ その後、乾燥する。
これにより、第２図（Ａ）に示すように、Ｓｉ板１００
表面に、界面状態が親水性である５ｉ−０２膜１１が形
成された検査板１２か作成される。
表面に、界面状態が親水性である５ｉ−０２膜１１が形
成された検査板１２か作成される。
次に、初期接触角測定工程２を行う。
この工程では、第２図（Ｂ）に示すように、検査板１２
の上面に水滴１３を垂らして、接触角測定装置を使用し
て初期接触角θ、を測定する。
の上面に水滴１３を垂らして、接触角測定装置を使用し
て初期接触角θ、を測定する。
ＳｉＯ２膜１１は親水性を有しているため、ぬれ性が良
く、水滴１３は広（拡がった状態となり、初期接触角θ
１は約５度と小さい。
く、水滴１３は広（拡がった状態となり、初期接触角θ
１は約５度と小さい。
次に放置工程３を行う。
この工程３では、水滴を除去して、上記の検査板１２を
、半導体製造用のクリーンルーム内に約−週間放置する
。
、半導体製造用のクリーンルーム内に約−週間放置する
。
ここで、クリーンルーム内は、イオンクロマトグラフィ
ー及びガスクロマトグラフィーでは、薬品、有機溶剤の
蒸発ガス、水分等の大気汚染物質を検出出来ない程度に
、相当に清浄な状態にある。
ー及びガスクロマトグラフィーでは、薬品、有機溶剤の
蒸発ガス、水分等の大気汚染物質を検出出来ない程度に
、相当に清浄な状態にある。
クリーンルーム内に、ＰＰＢオーダの極く微量の大気汚
染物質１４が存在している場合には、その濃度がＰＰＢ
オーダであるとはいえども、長期に亘る放置の間に、第
２図（Ｃ）に示すように、大気汚染物質１４の一部が符
号１５で示すように検査板１２の上面に付着し、これに
吸着される。
染物質１４が存在している場合には、その濃度がＰＰＢ
オーダであるとはいえども、長期に亘る放置の間に、第
２図（Ｃ）に示すように、大気汚染物質１４の一部が符
号１５で示すように検査板１２の上面に付着し、これに
吸着される。
この結果、親水性Ｓ ｉ Ｏ２膜１１の表面の界面状態
が変化する。本実施例では、親水性５ｉｎ２膜１１の表
面が撥水性ＳｉＯ２膜１６となる。
が変化する。本実施例では、親水性５ｉｎ２膜１１の表
面が撥水性ＳｉＯ２膜１６となる。
クリーンルーム内に大気汚染物質が全く無い場合には、
長期に亘る放置後も、親水性ＳｉＯ□膜１１の表面の界
面状態は変化せず、第２図（Ｄ）に示すように、元の状
態のままである。
長期に亘る放置後も、親水性ＳｉＯ□膜１１の表面の界
面状態は変化せず、第２図（Ｄ）に示すように、元の状
態のままである。
１２Ａは、極く微量の大気汚染物質が存在しているクリ
ーンルーム内に放置した後の検査板であり１１２Ｂは、
大気汚染物質が全く無いクリーンルーム内に放置した後
の検査板である。
ーンルーム内に放置した後の検査板であり１１２Ｂは、
大気汚染物質が全く無いクリーンルーム内に放置した後
の検査板である。
次に、放置後接触角測定工程４を行う。
この工程では、第２図（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、検
査板１２Ａ１１２Ｂの上面に再び水滴１３を垂らして、
接触角測定装置を使用して放置した後の接触角である放
置後接触角θ２ａ、 θ２ｂを測定する。
査板１２Ａ１１２Ｂの上面に再び水滴１３を垂らして、
接触角測定装置を使用して放置した後の接触角である放
置後接触角θ２ａ、 θ２ｂを測定する。
検査板１２Ａの表面の界面状態は撥水性を有しており、
水滴１３は第２図（Ｅ）に示すように盛り上がった状態
となる。接触角θ２ａは例えば４５度である。
水滴１３は第２図（Ｅ）に示すように盛り上がった状態
となる。接触角θ２ａは例えば４５度である。
一方、別の検査板１２Ｂの表面の界面状態は依然として
親水性を有しており、水滴１３は第２図（Ｆ）のように
拡がった状態にある。接触角θ２ｂは例えば５度である
。
親水性を有しており、水滴１３は第２図（Ｆ）のように
拡がった状態にある。接触角θ２ｂは例えば５度である
。
次に大気汚染物質有無判断工程５を行う。
この工程では、初期接触角θ１と放置後接触角θ２ａ、
θ２ｂとの間に差違かあるか否かを調へる。
θ２ｂとの間に差違かあるか否かを調へる。
差違は、検査板１２の表面の界面状態が変化したことか
原因であり、差違かあれば、そのクリーンルーム内には
極く微量の大気汚染物質が含まれていると判断し、差違
が無ければ、そのクリーンルーム内には極く微量の大気
汚染物質も含まれていないと判断する。
原因であり、差違かあれば、そのクリーンルーム内には
極く微量の大気汚染物質が含まれていると判断し、差違
が無ければ、そのクリーンルーム内には極く微量の大気
汚染物質も含まれていないと判断する。
第２図（Ｂ）、（Ｅ）に示すように、差違かある場合に
は、そのクリーンルーム内には大気汚染物質かイオンク
ロマトグラフィー及びガスクロマトグラフィーによって
は検出不可能な程度に極く微量ではあるけれとも含まれ
ていると判断する。
は、そのクリーンルーム内には大気汚染物質かイオンク
ロマトグラフィー及びガスクロマトグラフィーによって
は検出不可能な程度に極く微量ではあるけれとも含まれ
ていると判断する。
また、第２図（Ｂ）、 （Ｆ）に示すように、差違か
無い場合には、そのクリーンルーム内には極く微量の大
気汚染物質も含まれていないと判断する。
無い場合には、そのクリーンルーム内には極く微量の大
気汚染物質も含まれていないと判断する。
ここで、検査板１２の表面の界面状態は、親水性からこ
れとは正反対の撥水性を有するものに変化する。このた
め、上記の接触角の差違は大きく（上記実施例では４０
度）、そのクリーンルーム内にイオンクロマトグラフィ
ー及びガスクロマトグラフィーによっては検出てきない
ＰＰＢオーダの大気汚染物質が存在しているか否かの判
断は、容易である。
れとは正反対の撥水性を有するものに変化する。このた
め、上記の接触角の差違は大きく（上記実施例では４０
度）、そのクリーンルーム内にイオンクロマトグラフィ
ー及びガスクロマトグラフィーによっては検出てきない
ＰＰＢオーダの大気汚染物質が存在しているか否かの判
断は、容易である。
次に、本発明の第２実施例について、第３図を参照して
説明する。
説明する。
本実施例は、固体の表面の界面状態を撥水性から親水性
に変化させる大気汚染物質の有無の検査に適用される。
に変化させる大気汚染物質の有無の検査に適用される。
まず、第３図（Ａ）に示すように、Ｓｉ膜２０の表面に
撥水性ＳｉＯ２膜２１を形成して検査板２２を作成する
。
撥水性ＳｉＯ２膜２１を形成して検査板２２を作成する
。
次いで、第３図（Ｂ）に示すように、検査板２２の表面
に水滴２３を垂らして、接触角θ１ｏを測定する。接触
角θ１０は約４５度である。
に水滴２３を垂らして、接触角θ１ｏを測定する。接触
角θ１０は約４５度である。
次いで、第３図（Ｃ）に示すように、検査板２２をクリ
ーンルーム内に約１週間放置する。
ーンルーム内に約１週間放置する。
このクリーンルーム内に、上記の大気汚染物質か極く僅
かでもあると、大気汚染物質２４か符号２５で示すよう
に検査板２２に付着し、この表面の界面状態を親水性と
し、表面に親水性の５ｉ−０２膜２５か形成される。２
２Ａは放置後の検査板である。
かでもあると、大気汚染物質２４か符号２５で示すよう
に検査板２２に付着し、この表面の界面状態を親水性と
し、表面に親水性の５ｉ−０２膜２５か形成される。２
２Ａは放置後の検査板である。
次いで第３図（Ｄ）に示すように、検査板２２Ａの表面
に水滴２３を垂らして、接触角θ１１を測定する。接触
角θ１１は約５度である。
に水滴２３を垂らして、接触角θ１１を測定する。接触
角θ１１は約５度である。
上記のように初期接触角θ１０と放置後接触角θ８．と
に差違があれば、そのクリーンルーム内にはイオンクロ
マトグラフィー等では検出不可能である極く微量の大気
汚染物質が存在していると判断される。
に差違があれば、そのクリーンルーム内にはイオンクロ
マトグラフィー等では検出不可能である極く微量の大気
汚染物質が存在していると判断される。
なお、検査板１２．２２としては大気汚染物質を吸着す
る特性を有するものであれば良く、Ｓｉの他に、石英ガ
ラス、ＭｇＦｚ 、ＣａＦ２．Ｇｅ。
る特性を有するものであれば良く、Ｓｉの他に、石英ガ
ラス、ＭｇＦｚ 、ＣａＦ２．Ｇｅ。
ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等でもよい。
以上説明したように、本発明によれば、雰囲気中の大気
汚染物質の濃度かＰＰＢオーダてありイオンクロマトグ
ラフィー等では検査が不可能である場合てあっても、そ
の雰囲気中に大気汚染物質か存在することを検査するこ
とが出来る。
汚染物質の濃度かＰＰＢオーダてありイオンクロマトグ
ラフィー等では検査が不可能である場合てあっても、そ
の雰囲気中に大気汚染物質か存在することを検査するこ
とが出来る。
第１図は本発明の大気汚染物質有無検査方法の一実施例
を示す図、 第２図は第１図の各工程における状態を示す図、第３図
は本発明の別の実施例を示す図である。 ２Ａ。 ３．２ ４．２ ５．２ ６．２ を示す。 ２Ｂ、２２Ａは放置後の検査板、 は水滴、 はクリーンルーム内の大気汚染物質、 は検査板に付着した大気汚染物質、 は撥水性ＳｉＯ□膜
を示す図、 第２図は第１図の各工程における状態を示す図、第３図
は本発明の別の実施例を示す図である。 ２Ａ。 ３．２ ４．２ ５．２ ６．２ を示す。 ２Ｂ、２２Ａは放置後の検査板、 は水滴、 はクリーンルーム内の大気汚染物質、 は検査板に付着した大気汚染物質、 は撥水性ＳｉＯ□膜
Claims (2)
- （１）大気汚染物質に対して吸着性を有する板状体（１
０）の表面に親水性膜（１１）を形成してなる検査板（
１２）の表面に液体滴（１３）を垂らして初期接触角（
θ＿１）を測定する工程（２）と、 上記検査板を大気汚染物質の有無を検査すべき雰囲気中
に放置する工程（３）と、 放置後に、上記検査板（１２Ａ、１２Ｂ）の表面に再び
上記液体滴（１３）を垂らして放置後接触角（θ２ａ、
θ２ｂ）を測定する工程（４）とよりなり、 上記初期接触角（θ＿１）と上記放置後接触角（θ２ａ
、θ２ｂ）との比較に基づいて上記雰囲気中の大気汚染
物質の有無を検査することを特徴とする大気汚染物質有
無検査方法。 - （２）大気汚染物質に対して吸着性を有する板状体（２
０）の表面に撥水性膜（２１）を形成してなる検査板（
２２）の表面に液体滴（２３）を垂らして初期接触角（
θ＿１＿０）を測定する工程（２）と、 上記検査板を大気汚染物質の有無を検査すべき雰囲気中
に放置する工程（３）と、 放置後に、上記検査板（２２Ａ）の表面に再び上記液体
滴（２３）を垂らして放置後接触角（θ＿１＿１）を測
定する工程とよりなり、上記初期接触角（θ＿１＿０）
と上記放置後接触角（θ＿１＿１）との比較に基づいて
上記雰囲気中の大気汚染物質の有無を検査することを特
徴とする大気汚染物質有無検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13795890A JPH0431740A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 大気汚染物質有無検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13795890A JPH0431740A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 大気汚染物質有無検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0431740A true JPH0431740A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15210703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13795890A Pending JPH0431740A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 大気汚染物質有無検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0431740A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583285A (en) * | 1994-11-29 | 1996-12-10 | Lucent Technologies Inc. | Method for detecting a coating material on a substrate |
| JPH09271731A (ja) * | 1996-04-08 | 1997-10-21 | Toto Ltd | 被対象物質除去方法 |
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