JP3097622B2 - 定量汚染試料の作成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板表面の
金属汚染、有機物汚染、アンモニア又は酸性成分の高感
度分析ならびに半導体製造プロセス時の許容濃度の把握
のための評価に使用する定量汚染試料を作成する方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】超ＬＳＩの微細化に伴い、半導体基板表
面の清浄化の要求がますます激しくなってきている。特
に金属不純物は、半導体基板表面に付着すると致命的で
半導体デバイスの電気特性を著しく劣化させる。一般的
には、半導体基板の表面金属汚染温度は１×１０¹⁰ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ² 以下のレベルにする必要があると言われ
ている。また、クリーンルーム中の有機物が半導体デバ
イスの電気特性を劣化させるおそれがあることも分かっ
てきている。ゲート酸化膜の薄膜化が進んでいる現在に
おいては、今まで以上に金属不純物、有機不純物の低減
化が必要となっている。また、化学増幅型レジストを使
用するリソグラフイ工程ではアミン、アンモニア等が雰
囲気中に存在するとパターン不良が発生することが分か
ってきている。そこで、クリーンルーム雰囲気中や半導
体基板表面のアンモニアやアミンの制御がますます重要
になっている。このようなことから、金属不純物、有機
不純物、アンモニア、酸性成分等の不純物で定量的に汚
染させた半導体基板を作成し、半導体デバイスの電気特
性評価および高感度分析用の標準試料を作成することが
重要となってきている。

【０００３】ところで、従来の金属不純物に関する汚染
試料または標準試料作成方法としては、以下に示す４つ
の方法が提案されている。特開平７−１６９８１０号公
報に記載の方法は、スピンコート法と言われる方法であ
る。洗浄により、酸洗浄後に自然酸化膜を付けた状態
で、シリコンウェハ上に一定量の濃度に希釈した汚染液
を数ｍｌ滴下する。ウェハを低速回転させ、親水性のウ
ェハ全面に液滴を拡散させる。一定時間放置後、高速回
転させ乾燥させる。この方法は、ウェハ間でのばらつき
は少なく、いずれの金属についても溶夜中の金属不純物
濃度の増加に比例してシリコンウェハの金属不純物濃度
が増加している。このようにしで、所望の濃度の金属汚
染試料を提供できる。

【０００４】一方、他の３つの方法は、いずれも薬液浸
漬法と呼ばれる方法である。特開平６−２４９７６４号
公報に記載の方法では、一定濃度の金属不純物を含むア
ルカリ性過酸化水素溶液にシリコンウェハを浸漬した
後、純水でリンスする。この方法によれば、鉄、ニッケ
ル等の金属不純物の面内分布、深さ方向分布及び総量を
一定に制御した汚染試料を提供できる。

【０００５】また、特開平１−２４３５３６号公報に記
載の方法では、汚染金属元素の酸化物生成エンタルピを
調べて、汚染方法を判断している。アルミニウム、鉄等
は酸化物の生成エンタルピが大きいので、純水中もしく
は酸化性処理液中に所望の濃度の金属を滴下し、半導体
基板を浸漬させ、汚染させる。銅のように酸化物の生成
エンタルピが小さい金属は自然酸化膜除去後に銅を含む
汚染処理液中で汚染させる。このようにして、所望の金
属の選択的な汚染試料を捷供できる。

【０００６】さらに、特開平８−３３７０４９号公報に
記載の方法では、発明者が金属の性質にあわせて薬液を
調合し、低濃度の定量汚染をしている方法である。たと
えば、Ｆｅは１／１０に希釈したアルカリ性過酸化水素
溶液を用いて、その中にＦｅを滴下し、低濃度領域の汚
染を確立させている。

【０００７】これらの薬液浸漬法では、バッチ式のた
め、一度に複数の半導体基板表面の定量汚染が可能であ
る。さらに、金属の面内分布および深さ方向および汚染
総量を制御した定量汚染試料の作成ができる。

【０００８】一方、有機物汚染に関しては、前記公報
（特開平８−３３７０４９号公報）に記載されているよ
うに、密閉容器内に所望の有機物を入れ、ガス状にして
容器内に充満させ、その中に半導体基板を入れて、暴露
させて汚染させる方法がある。暴露時間の変化によって
段階的な濃度の汚染ができる。なお、アンモニア、アミ
ンや酸性成分の半導体基板上への低濃度定量汚染はいま
だに確立されていないのが現状である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記した従来
技術には、それぞれ以下に示す問題がある。特開平７−
１６９８１０号公報記載のスピンコート法では、枚葉式
のため強制汚染に時間がかかる。親水性表面でないと汚
染できないので、最終洗浄は自然酸化膜が形成されるよ
うにしなくてはならない。中央に汚染液を滴下し、回転
させる関係で、面内ばらつきが大きく、中央に多く偏析
しやすい。金属によっては、自然酸化膜中に取り込まれ
やすいものとシリコン界面に偏析しやすいものがある
が、全て、自然酸化膜上に汚染させるので、実際上の汚
染の状況を反映していない。

【００１０】また、特開平６−２４９７６４号公報記載
の方法では、アルカリ性の過酸化水素溶液を使用するの
で、酸化物をつくりやすい金属及びアルカリ側で溶解度
積の大きい金属（鉄、ニッケルなど）は定量汚染できる
が、銅などの金属は定量汚染が困難である。さらに、強
アルカリを使用することで、シリコン表面がエッチング
され、表面粗さが大きくなる。前記特開平１−２４３５
３６号公報記載の方法は前記の問題を回避するために金
属不純物の酸化物生成エンタルピを考慮し、銅は自然酸
化膜除去後に汚染させている。両者二つはバッチ式のた
め一度に複数の定量汚染ができるが、濃度制御およぴ低
濃度の汚染は非常に難しい。特にアンモニア過水等の使
用では、鉄、アルミニウムはその性質上雰囲気中から混
入しやすく、１ｐｐｂ以下溶液中に存在していた場合に
金属不純物を滴下せずとも１×１０¹⁰〜¹³ａｔｏｍｓ／
ｃｍ² レベルの汚染が生じる場合がある。溶液中の金属
濃度を１ｐｐｂ以下レベルに制御することはできなかっ
た。これに対し、特開平８−３３７０４９号公報記載の
方法では、金属種の半導体基板への吸着特性を考慮して
いるため、１０¹⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ² レベルまでの定量
汚染が可能である。しかしながら、薬液の調整が煩雑で
あることが挙げられる。

【００１１】このように、前記した各従来技術は、面内
の均一な汚染はできるが、局所的な汚染ができないとい
う問題がある。また、特開平８−３３７０４９号公報記
載の方法以外の方法は、低濃度領域の汚染が困難であっ
た。さらに、半導体基板表面に定量汚染された量は、随
時ダミーを用いた定量分析が必要となる。

【００１２】一方、有機物汚染に関する特開平８−３３
７０４９号公報記載の方法では、暴露時間が長いので、
汚染に時間がかかり、また、金属汚染と同様に随時ダミ
ーを用いた定量分析が必要となるという問題がある。

【００１３】本発明の目的は、半導体基板表面に再現性
がよく、段階的な低濃度の種々の金属汚染、有機物汚
染、アンモニア汚染並びに酸性成分の汚染を形成可能な
定量汚染試料の作成方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、金属汚染、有
機物汚染、アンモニア又は酸性成分汚染を形成するため
に、スタンダート溶液を段階的にｐｐｔからｐｐｂに希
釈し、試料となる半導体基板の表面の所定の汚染面積に
一定量の液滴を滴下する。このとき、液滴する所望の面
積と同じ面積の開口を有する治具を用い、既知濃度の汚
染物を含む薬液を前記開口を通して半導体基板表面上に
液滴する。また、前記治具を移動する手段によって前記
治具の開口を前記半導体基板表面上の所望位置に移動
し、前記半導体基板表面上の所望位置に前記薬液を液滴
する。さらに、汚染が入らないように乾燥する。また、
半導体基板表面上に前記治具の開口を介して前記薬液を
液滴した状態のまま、前記液滴を乾燥させることで、前
記液滴の面積を変化させることなく乾燥する。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。先ず、本発明の試料が金属汚染の場
合には、原子吸光用の１０００ｐｐｍの標準液を硝酸１
Ｍ中でｐｐｔ−ｐｐｂ程度に希釈する。そして、滴下用
の治具を使用し、所望の位置に所望の濃度の標準液を所
望の面積滴下する。この時たとえば、Ｆｅ＝ｌｐｐｂの
滴下量が０．２ｃｃで面積が２ｃｍ² の時の半導体基板
表面汚染濃度は、 〔滴下濃度（１ppb ）×滴下量（0.2cc ）×アボガドロ
数（6.02×10²³個）〕／〔滴下面積（２cm² ）×Ｆｅ原
子量（55.847）〕＝1.1 ×10¹²atoms/cm² となる。この場合の滴下用の治具は、有機ガスの放出の
少ない素材を使用し、滴下面積と滴下位置が変化できる
構成となっている。強制汚染は、汚染の少ないＵＬＰＡ
フィルタ及び種々のケミカルフィルタを目的に応じて使
用することが望ましい。滴下後の乾固は、赤外線ランプ
で行う。

【００１６】また、本発明の試料が有機物汚染の場合に
は、所望の有機物をｎ−ヘキサン等でｐｐｔ−ｐｐｂ程
度に希釈する。滴下用治具を用いて、所望の位置に所望
の濃度の標準液を所望の面積に滴下する。この際は、ク
リーンルーム雰囲気中の有機ガスを取り込まないよう
に、ＵＬＰＡフィルタに有機物除去用、アンモニア除去
用のケミカルフィルタが付加されたフィルタを備え、空
気の取り込み口と排気口を備えたクリーンベンチ内で作
業することが特徴となる。滴下後の乾固は特に行わなく
てもよい。

【００１７】さらに、本発明の試料がアンモニア、酸性
成分の汚染の場合には、所望のアンモニアまたは酸性成
分を純水でｐｐｔ−ｐｐｂ程度に希釈する。そして、滴
下用治具を用いて、所望の位置に所望の濃度の標準液を
所望の面積に滴下する。この際は、クリーンルーム雰囲
気中のアンモニアガスおよび酸性ガスを取り込まないよ
うに、ＵＬＰＡフィルタに酸性成分除去用、アンモニア
除去用のケミカルフィルタが付加されたフィルタを備
え、空気の取り込み口と排気口を備えたクリーンベンチ
内で作業することが特徴となる。

【００１８】次に、本発明の試料の作成方法の実施形態
を図面を参照して説明する。図１は本発明においてウェ
ハ表面に薬液を滴下する際に使用する滴下装置１０の概
略図である。試料となるウェハ１を置く基台２および滴
下用のドロップポイント指示棒３はＰＴＦＥ（パーフロ
ロエタン）またはＰＥＥＫ（パーエーテルエーテルケト
ン）等の、クロスコンタミネーションを無くした素材で
できている。前記基台２はウェハ１との接触面積を極力
少なくするために、角筒状に形成されている。また、滴
下用の前記ドロップポイント指示棒３はＸ軸、Ｙ軸方向
に任意に移動可能とされている。例えば、この例では、
前記基台２の両側に一対のＸレール４がＸ方向に延設さ
れ、Ｙレール５がこのＸレール４に沿って往復移動可能
とされている。また、前記Ｙレール５には可動体６がＹ
レール５に沿って往復移動可能に支持されており、前記
ドロップポイント指示棒３はその一端部において前記可
動体６に支持されている。したがって、前記Ｙレール５
と可動体６をＸ，Ｙ方向に任意に移動させることで、前
記ドロップポンイト支持棒３により、前記基台２上に置
かれたウェハ１の表面の任意位置に薬液を滴下すること
が可能となる。

【００１９】前記ドロップポイント支持棒３は、図２に
その一部の破断斜視図を示すように、細長い板状に形成
されており、その長さ方向に沿って複数個の異なる開口
７（７ａ，７ｂ，…）が開設されている。ここでは、異
なる径寸法の円形の開口７として形成されている。な
お、この実施形態では、前記複数個の開口７の面積は、
０．１〜２ｃｍ² 程度に設定されている。そして、各開
口７の周縁に沿って円環状の壁部８が指示棒３の下面よ
りも数ミリ程度下方に突出されている。これらの壁部８
は、開口７を通してウェハの表面上に薬液の液滴を滴下
した時に、壁部８の内面での表面張力で、液滴の面積を
各開口７と同一の面積に維持することができる。したが
って、この状態で、後述するように急速加熱をすれば、
偏析等が起こることなく、所望の面積に汚染させること
ができる。なお、薬液の面積を相違させる際は、異なる
開口を利用すればよいことは言うまでもない。

【００２０】図３は、図１に示した滴下装置１０を内蔵
した汚染装置の概略構成図である。金属不純物の低濃度
の汚染並びに有機物汚染、アンモニアまたは酸性成分の
汚染の際には、クリーンルーム雰囲気からの汚染を取り
込み安いので、図３に汚染から乾燥まで行える汚染装置
を用いる。この汚染装置では、上部からクリーンルーム
の空気を取り込んで、下部に排気させる構造をとってい
る。クリーンルーム室１１の上部の空気取り込み口１２
ではＵＬＰＡフィルタ１３の他に有機物除去用、アンモ
ニア除去用及び酸除去用のケミカルフィルタ１４が設置
されている。ケミカルフィルタの種類は活性炭系でも良
いし、イオン交換樹脂系でもよい。このようなフィルタ
１３，１４を設置し、クリーンルーム１１の下部排気口
１５から排気を行うことで、クリーンルーム１１内には
常に清浄なクリーンエアが循環される。また、金属汚染
およびアンモニア、酸性成分の滴下された液滴の乾燥
は、前記滴下装置１０の直上に配置された赤外線ランプ
１６、ここではアーム付きの可動タイプの赤外線ランプ
で即座に乾燥させる。これにより、清浄な雰囲気の下
で、各種所望の汚染が遂行できる。

【００２１】

【実施例】以下、各種汚染試料の実施例について個々に
説明する。最初に、Ｃｏ（コバルト）の局所汚染の例を
説明する。原子吸光用のコバルト標準液１０００ｐｐｍ
を１Ｍ硝酸で希択し、０．０１ｐｐｂから１０ｐｐｂに
する。そして、図３に示した汚染装置を使用し、ウェハ
の表面に２ｃｍ² と０．２ｃｍ² の面積で汚染する。６
インチウェハの場合には総面積は１７７ｃｍ² である。
面内平均では、１×１０¹¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 〜１×１
０⁸ ａｔｏｍｓ／ｃｍ² となる汚染が、図４に示すよう
に、滴下濃度面積を１／１０または１／１００にする
と、局所的には１×１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 〜１×１
０¹⁰ ａｔｏｍｓ／ｃｍ² となる。滴下液は少量のた
め、５０〜６０度の低温での赤外線ランプ加熱で、１分
以内に乾燥が可能であり、低濃度かつ局所汚染が可能で
ある。さらに、既知量のため、ダミーウェハの作成並び
に定量分析は不要である。このようにして、同一ウェハ
内で汚染なしの部分と局所的な汚染部分を作り出すこと
ができる。

【００２２】この方法で、実際にコバルトの局所汚染を
施したサンプルのゲート酸化膜の初期耐圧を評価した。
犠牲酸化膜除去後に汚水させた。汚染濃度は、１×１０
¹¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 〜１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ² ，１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 〜１×１０¹³ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ² とした。初期耐圧の測定結果を図５及び
図６に示す。図５（ａ）は、汚染なしの水準である。図
５（ｂ）は硝酸１Ｍ（コバルトを含まない）の水準であ
る。図６（ａ）はコバルトが１×１０¹¹ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ² と１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ² で汚染させた場合
の水準１である。図６（ｂ）はコバルトが１×１０¹²ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ² と１×１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ² で汚
染させた場合の水準２である。コバルトは１×１０¹¹ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ² 汚染箇所でも、Ｃモード（８ＭＶ以
上）であった。それに対して、１×１０¹²ａｔｏｍｓ／
ｃｍ² 以上では、汚染箇所の各所で１ＭＶから７ＭＶの
Ａ，Ｂモード不良が見られた。コバルトは、１２乗以上
で初期耐圧の劣化が見られた。ダイレクトにコバルトの
汚染が初期耐圧に影響を与えることが判明した。

【００２３】次に、Ｆｅ（鉄）の局所汚染の実施例につ
いて説明する。原子吸光用の鉄の標準液１００ｐｐｍを
１Ｍ硝酸で希釈し、０．０１ｐｐｂから１０ｐｐｂにす
る。そして、図３の汚染装置を使用し、２ｃｍ² と０．
２ｃｍ² の箇所に汚染する。６インチウェハの場合には
総面積は１７７ｃｍ² である。面内平均では、１×１０
¹¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 〜１×１０⁸ ａｔｏｍｓ／ｃｍ²
となる汚染が、滴下濃度面積を１／１０または１／１０
０にすると、局所的には１×１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ²
〜１×１０¹⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ² となる。滴下液は少量
のため、５０〜６０度の低温での赤外線ランプ加熱で、
１分以内に乾燥が可能であり、低濃度かつ局所汚染が可
能である。さらに、既知量のため、ダミーウェハの作成
並びに定量分析は不要である。このようにして、同一ウ
ェハ内で汚染なしの部分と局所的な汚染部分を作り出す
ことができる。

【００２４】この方法で、実際に鉄の局所汚染を施した
サンプルのゲート酸化膜の初期耐圧を評価した。犠牲酸
化膜除去後に汚染させた。汚染濃度は、１×１０¹¹ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ² 〜１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ² ，１×
１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 〜１×１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ² とした。初期耐圧の測定結果を図７及び図８に示
す。図７（ａ）は鉄が１×１０¹⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ² と
１×１０¹¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ² で汚染させた場合の水準
である。図７（ｂ）は鉄が１×１０¹¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ
² と１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ² で汚染させた場合の
水準である。図７（ｃ）は鉄が１×１０¹²ａｔｏｍｓ／
ｃｍ² と１×１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ² で汚染させた場
合の水準である。鉄は１×１０¹⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 汚
染箇所でも、ほとんどＣモード（８ＭＶ以上）であっ
た。それに村して、１×１０¹¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 以上
では、汚染箇所の各所で１ＭＶから７ＭＶのＡ，Ｂモー
ド不良が見られた。鉄は、１１乗以上で初期耐圧の劣化
が見られた。ダイレクトに鉄の汚染が初期耐圧に影響を
与えることが、判明した。

【００２５】さらに、Ｔｉ（チタン）の局所汚染の実施
例について説明する。原子吸光用のチタン標準液１００
０ｐｐｍを１Ｍ硝酸で希釈し、０・０１ｐｐｂから１０
ｐｐｂにする。そして、図３の汚染装置を使用し、２ｃ
ｍ² と０．２ｃｍ² の箇所に汚染する。６インチウェハ
の場合には総面積は１７７ｃｍ² である。面内平均で
は、１×１０¹¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 、１×１０⁸ ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ² となる汚染が、滴下濃度面積を１／１０ま
たは１／１００にすると、局所的には１×１０¹³ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ² ，１×１０¹⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ² となる。
滴下液は少量のため、５０〜６０度の低温での赤外線ラ
ンプ加熱で、１分以内に乾燥が可能であり、低濃度かつ
局所汚染が可能である。さらに、既知量のため、ダミー
ウェハの作成並びに定量分析は不要である。このように
して、同一ウェハ内で汚染なしの部分と局所的な汚染部
分を作り出すことができる。

【００２６】この方法で、実際にチタンの局所汚染を施
したサンプルのゲート酸化膜の初期耐圧を評価した。犠
牲酸化膜除去後に汚染させた。汚染濃度は、１×１０¹¹
ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 〜１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ² ，
１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 〜１×１０¹³ａｔｏｍｓ
／ｃｍ² とした。初期耐圧の測定結果を図８に示す。図
８（ａ）はチタンが１×１０¹¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ² と１
×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ² で汚染させた場合の水準で
ある。図８（ｂ）はチタンが１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ² と１×１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ² で汚染させた場合
の水準である。チタンは１×１０¹¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ²
汚染箇所でも、ほとんどＣモード（８ＭＶ以上）であっ
た。それに対して、１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 以上
では、汚染箇所の各所で０ＭＶから７ＭＶのＡ，Ｂモー
ド不良が見られた。、チタンは、１２乗以上で初期耐圧
の劣化が見られた。ダイレクトにチタンの汚染が初期耐
圧に影響を与えることが、判明した。

【００２７】

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれ
ば、液滴する所望の面積と同じ面積の開口を有する治具
を用い、既知濃度の汚染物を含む薬液を前記開口を通し
て半導体基板表面上に液滴することにより、半導体製造
工程におけるメタル、有機、アンモニア又は酸性成分が
デバイスに影響するかどうかを明確にし、かつ影響する
場合の許容限界値を明確にするための試料を作成するこ
とが可能となる。したがって、この試料を用いてウェハ
の汚染の測定を行うことにより、製造ラインの管理基準
が明確となり、半導体デバイスの特性の劣化を未然に防
御することが可能となる。また、アンモニアおよび酸性
成分に至っては、ウェハへの低濃度の定量表面汚染の標
準試料を作成できるので、低濃度高感度測定が可能とな
り、制御レベルの明確化を進めることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法で使用する薬液の滴下装置の概略図
である。

【図２】図１のドロップポイント指示棒の一部を破断し
た拡大図と液滴の滴下状態を示す断面図である。

【図３】本発明方法で使用する汚染装置の概略図であ
る。

【図４】栄光Ｘ線測定によるコバルトの汚染後の濃度分
布図である。

【図５】リファレンス水準及び硝酸１Ｍ滴下水準での初
期耐圧を示す図である。

【図６】コバルト汚染水準１，２の初期耐圧を示す図で
ある。

【図７】鉄汚染水準１，２，３の初期耐圧を示す図であ
る。

【図８】チタン汚染水準１，２の初期耐圧を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ ウェハ ２ 基台 ３ ドロップポイント指示棒 ４ Ｘレール ５ Ｙレール ６ 可動体 ７ 開口 ８ 壁部 １０ 滴下装置 １１ クリーンルーム １２ 空気取り込み口 １３ ＵＬＰＡフィルタ １４ ケミカルフィルタ １５ 排気口 １６ 赤外線ランプ

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01N 33/00 G01N 1/00 102 H01L 21/66 G01R 31/26 G01N 1/28

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板表面上に既知濃度の汚染物を
   含む薬液を既知の面積に液滴する定量汚染試料の作成方
   法であって、前記液滴する所望の面積と同じ面積の開口
   を有する治具を用い、前記既知濃度の汚染物を含む薬液
   を前記開口を通して前記半導体基板表面上に液滴するこ
   とを特徴とする定量汚染試料の作成方法。
2. 【請求項２】 前記治具を移動する手段によって前記治
   具の開口を前記半導体基板表面上の所望位置に移動し、
   前記半導体基板表面上の所望位置に前記薬液を液滴する
   請求項１に記載の定量汚染試料の作成方法。
3. 【請求項３】 前記汚染物が液滴された前記半導体基板
   表面を他の汚染が入らない状態で乾燥させる請求項１ま
   たは２に記載の定量汚染試料の作成方法。
4. 【請求項４】 前記半導体基板表面上に前記治具の開口
   を介して前記薬液を液滴した状態のまま、前記液滴を乾
   燥させることで、前記液滴の面積を変化させずに乾燥さ
   せる請求項１ないし３のいずれかに記載の定量汚染試料
   の作成方法。
5. 【請求項５】 前記薬液の滴下に際しては、前記治具と
   して複数個の異なる開口が設けられたドロップポイント
   指示棒を用い、所望の面積の開口を選択して前記半導体
   基板の表面に滴下する請求項１ないし４のいずれかに記
   載の定量汚染試料の作成方法。