JPH0897263A - 半導体装置製造工程の汚染度評価方法 - Google Patents
半導体装置製造工程の汚染度評価方法Info
- Publication number
- JPH0897263A JPH0897263A JP11431795A JP11431795A JPH0897263A JP H0897263 A JPH0897263 A JP H0897263A JP 11431795 A JP11431795 A JP 11431795A JP 11431795 A JP11431795 A JP 11431795A JP H0897263 A JPH0897263 A JP H0897263A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- silicon wafer
- manufacturing process
- contamination
- device manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造過程の所望の複数工程にお
ける汚染度を評価可能な半導体装置製造工程の汚染度評
価方法を提供する。 【構成】 酸素濃度が１．０×１０18atoms/cm3 ASTMよ
り低いシリコンウェハに、汚染度評価対象である任意の
複数の製造工程にて実際の半導体装置製造処理を施した
後、シリコン面を露出させ、そのシリコン表面または断
面にセコエッチング等の酸処理を施し、微分干渉顕微鏡
等で結晶欠陥数を検出し、この欠陥数に基づいて上記複
数の製造工程における汚染度を評価する。
ける汚染度を評価可能な半導体装置製造工程の汚染度評
価方法を提供する。 【構成】 酸素濃度が１．０×１０18atoms/cm3 ASTMよ
り低いシリコンウェハに、汚染度評価対象である任意の
複数の製造工程にて実際の半導体装置製造処理を施した
後、シリコン面を露出させ、そのシリコン表面または断
面にセコエッチング等の酸処理を施し、微分干渉顕微鏡
等で結晶欠陥数を検出し、この欠陥数に基づいて上記複
数の製造工程における汚染度を評価する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
における汚染度の評価方法に関するものである。
における汚染度の評価方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来は、半導体装置の製造過程における
汚染度の評価は、例えば物理分析（ＴＸＲＦ、原子吸光
ＩＣＰ−ＭＳ）や電気特性（酸化膜耐圧、Ｃ−Ｖ特性）
等により、炉における加熱処理や洗浄槽における洗浄処
理というように各工程ごとに行なっていた。
汚染度の評価は、例えば物理分析（ＴＸＲＦ、原子吸光
ＩＣＰ−ＭＳ）や電気特性（酸化膜耐圧、Ｃ−Ｖ特性）
等により、炉における加熱処理や洗浄槽における洗浄処
理というように各工程ごとに行なっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の評価方法で
は、各工程における個別の汚染度は詳細に評価可能であ
るが、工程全般においてはウェハハンドリングや表面状
態の影響を受けやすい等の外的要因により、複数の工程
における汚染度評価は困難であった。
は、各工程における個別の汚染度は詳細に評価可能であ
るが、工程全般においてはウェハハンドリングや表面状
態の影響を受けやすい等の外的要因により、複数の工程
における汚染度評価は困難であった。
【０００４】本発明は、酸素濃度が極めて低いシリコン
ウェハを用い、ウェハハンドリングやウェハの表面状態
の影響を受けることなく、半導体装置の製造過程の複数
工程における汚染度を評価可能な半導体装置製造工程の
汚染度評価方法を提供することを目的としている。
ウェハを用い、ウェハハンドリングやウェハの表面状態
の影響を受けることなく、半導体装置の製造過程の複数
工程における汚染度を評価可能な半導体装置製造工程の
汚染度評価方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸素濃度が極
めて低いシリコンウェハに所望の半導体装置製造工程を
施し、この製造工程を施した上記シリコンウェハ内の結
晶欠陥数に基づいて上記製造工程における上記シリコン
ウェハに対する汚染度を評価することにより、上記課題
を解決するものである。
めて低いシリコンウェハに所望の半導体装置製造工程を
施し、この製造工程を施した上記シリコンウェハ内の結
晶欠陥数に基づいて上記製造工程における上記シリコン
ウェハに対する汚染度を評価することにより、上記課題
を解決するものである。
【０００６】なお、上記シリコンウェハの酸素濃度は、
１．０×１０18atoms/cm3 ASTMより低いものであること
が好ましい。
１．０×１０18atoms/cm3 ASTMより低いものであること
が好ましい。
【０００７】また、上記製造工程を施した上記シリコン
ウェハの表面または断面にセコエッチング等の酸処理を
行なった後、そのシリコンウェハ内の結晶欠陥数に基づ
いて上記製造工程における上記シリコンウェハに対する
汚染度を評価することが好ましい。
ウェハの表面または断面にセコエッチング等の酸処理を
行なった後、そのシリコンウェハ内の結晶欠陥数に基づ
いて上記製造工程における上記シリコンウェハに対する
汚染度を評価することが好ましい。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を説明する。
【０００９】本発明方法においては、酸素濃度が１．０
×１０18atoms/cm3 ASTMより低いシリコンウェハ（以
下、極低酸素濃度シリコンウェハという。）を用いる。
これは、極低酸素濃度シリコンウェハは、汚染要因が存
在する製造工程で処理した場合に、点欠陥または積層欠
陥が生じやすいという特徴を有しているからである。
×１０18atoms/cm3 ASTMより低いシリコンウェハ（以
下、極低酸素濃度シリコンウェハという。）を用いる。
これは、極低酸素濃度シリコンウェハは、汚染要因が存
在する製造工程で処理した場合に、点欠陥または積層欠
陥が生じやすいという特徴を有しているからである。
【００１０】上記極低酸素濃度シリコンウェハを、汚染
度評価対象である所望の複数の製造工程にて処理を行な
う。この処理は、酸素濃度が１．４〜１．７×１０18at
oms/cm3 ASTM程度の通常の酸素濃度シリコンウェハに実
際に半導体装置を形成する際の処理と同じものである。
度評価対象である所望の複数の製造工程にて処理を行な
う。この処理は、酸素濃度が１．４〜１．７×１０18at
oms/cm3 ASTM程度の通常の酸素濃度シリコンウェハに実
際に半導体装置を形成する際の処理と同じものである。
【００１１】上記処理を終了したら、そのシリコンウェ
ハに表面処理を施してシリコン面を露出させ、そのシリ
コン表面または断面にセコエッチング等の酸処理を施
し、微分干渉顕微鏡等で結晶欠陥数を検出する。
ハに表面処理を施してシリコン面を露出させ、そのシリ
コン表面または断面にセコエッチング等の酸処理を施
し、微分干渉顕微鏡等で結晶欠陥数を検出する。
【００１２】もともと、上記通常の酸素濃度シリコンウ
ェハには１０5 個／cm2 程度の欠陥が存在し、上記極低
酸素濃度シリコンウェハにはほとんど欠陥が存在しな
い。製造工程に汚染要因が存在しない場合は、両者の欠
陥数はそれぞれほとんど増加しないが、汚染要因が存在
する場合は、両者とも１０3 個／cm2 程度の欠陥が発生
する。上記通常の酸素濃度シリコンウェハには、もとも
と１０5 個／cm2 程度の欠陥が存在するので、１０3 個
／cm2 程度の欠陥が増えても、その増加数は把握し難
い。これに対して、上記極低酸素濃度シリコンウェハ
は、もともと欠陥がほとんど存在しない状態から、１０
3 個／cm2 程度の欠陥が発生するので、その増加数を把
握し易い。この欠陥数に基づいて、上記汚染度評価対象
である複数の製造工程における汚染度を評価する。
ェハには１０5 個／cm2 程度の欠陥が存在し、上記極低
酸素濃度シリコンウェハにはほとんど欠陥が存在しな
い。製造工程に汚染要因が存在しない場合は、両者の欠
陥数はそれぞれほとんど増加しないが、汚染要因が存在
する場合は、両者とも１０3 個／cm2 程度の欠陥が発生
する。上記通常の酸素濃度シリコンウェハには、もとも
と１０5 個／cm2 程度の欠陥が存在するので、１０3 個
／cm2 程度の欠陥が増えても、その増加数は把握し難
い。これに対して、上記極低酸素濃度シリコンウェハ
は、もともと欠陥がほとんど存在しない状態から、１０
3 個／cm2 程度の欠陥が発生するので、その増加数を把
握し易い。この欠陥数に基づいて、上記汚染度評価対象
である複数の製造工程における汚染度を評価する。
【００１３】以上のようにして、半導体装置の製造過程
における所望の複数工程における汚染度を評価する。
における所望の複数工程における汚染度を評価する。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、酸素濃度が極めて低い
シリコンウェハに対して、半導体装置の製造過程におけ
る所望の複数工程の処理を施し、そのシリコンウェハに
生じた欠陥数に基づいて、その所望の複数工程の汚染度
を評価することが可能なので、表面処理の方法やウェハ
ハンドリング等の物理的な外的要因の影響を受けること
なく、任意の複数工程の汚染度を定量的に評価すること
ができる。
シリコンウェハに対して、半導体装置の製造過程におけ
る所望の複数工程の処理を施し、そのシリコンウェハに
生じた欠陥数に基づいて、その所望の複数工程の汚染度
を評価することが可能なので、表面処理の方法やウェハ
ハンドリング等の物理的な外的要因の影響を受けること
なく、任意の複数工程の汚染度を定量的に評価すること
ができる。
【００１５】
Claims (3)
- 【請求項１】 酸素濃度が極めて低いシリコンウェハに
所望の半導体装置製造工程を施し、この製造工程を施し
た上記シリコンウェハ内の結晶欠陥数に基づいて上記製
造工程における上記シリコンウェハに対する汚染度を評
価することを特徴とする半導体装置製造工程の汚染度評
価方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置製造工程の
汚染度評価方法において、上記シリコンウェハの酸素濃
度は、１．０×１０18atoms/cm3 ASTM（Ame-rican Soci
ety for Testing Materials ）より低いものであること
を特徴とする半導体装置製造工程の汚染度評価方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置製造工程の
汚染度評価方法において、上記製造工程を施した上記シ
リコンウェハの表面または断面にセコエッチング等の酸
処理を行なった後、そのシリコンウェハ内の結晶欠陥数
に基づいて上記製造工程における上記シリコンウェハに
対する汚染度を評価することを特徴とする半導体装置製
造工程の汚染度評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11431795A JPH0897263A (ja) | 1994-07-26 | 1995-05-12 | 半導体装置製造工程の汚染度評価方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-174223 | 1994-07-26 | ||
| JP17422394 | 1994-07-26 | ||
| JP11431795A JPH0897263A (ja) | 1994-07-26 | 1995-05-12 | 半導体装置製造工程の汚染度評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897263A true JPH0897263A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=26453094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11431795A Withdrawn JPH0897263A (ja) | 1994-07-26 | 1995-05-12 | 半導体装置製造工程の汚染度評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897263A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7314766B2 (en) | 2002-11-14 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer treatment method, semiconductor wafer inspection method, semiconductor device development method and semiconductor wafer treatment apparatus |
| WO2010039570A2 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Hemlock Semiconductor Corporation | Method of determining an amount of impurities that a contaminating material contributes to high purity silicon and furnace for treating high purity silicon |
| CN114062396A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-02-18 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 空气中分子污染物的检测方法及铜互连结构的形成方法 |
-
1995
- 1995-05-12 JP JP11431795A patent/JPH0897263A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7314766B2 (en) | 2002-11-14 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer treatment method, semiconductor wafer inspection method, semiconductor device development method and semiconductor wafer treatment apparatus |
| WO2010039570A2 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Hemlock Semiconductor Corporation | Method of determining an amount of impurities that a contaminating material contributes to high purity silicon and furnace for treating high purity silicon |
| WO2010039570A3 (en) * | 2008-09-30 | 2010-11-18 | Hemlock Semiconductor Corporation | Method of determining an amount of impurities that a contaminating material contributes to high purity silicon and furnace for treating high purity silicon |
| CN102209685A (zh) * | 2008-09-30 | 2011-10-05 | 赫姆洛克半导体公司 | 测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法和用于处理高纯硅的炉子 |
| EP2567939A3 (en) * | 2008-09-30 | 2014-07-09 | Hemlock Semiconductor Corporation | Method of determining an amount of impurities that a contaminating material contributes to high purity silicon and furnace for treating high purity silicon |
| US8895324B2 (en) | 2008-09-30 | 2014-11-25 | Hemlock Semiconductor Corporation | Method of determining an amount of impurities that a contaminating material contributes to high purity silicon |
| CN114062396A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-02-18 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 空气中分子污染物的检测方法及铜互连结构的形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |