JP3899715B2 - シリコンウェーハ表面の検査方法 - Google Patents
シリコンウェーハ表面の検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3899715B2 JP3899715B2 JP36734498A JP36734498A JP3899715B2 JP 3899715 B2 JP3899715 B2 JP 3899715B2 JP 36734498 A JP36734498 A JP 36734498A JP 36734498 A JP36734498 A JP 36734498A JP 3899715 B2 JP3899715 B2 JP 3899715B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- bright spot
- heavy metal
- shape
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハ表面の検査方法に関し、より詳しくは、異物検査装置により検出される輝点を基に、汚染物質としての重金属不純物元素を特定するシリコンウェーハ表面の検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコンエピタキシャルウエーハまたは鏡面仕上げシリコンウェーハにSC−1洗浄(NH4 OH,H2 O2 ,H2 Oの混合溶液を用いた洗浄)を繰り返し行った後、異物検査装置で検出される輝点の形状を、走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)や透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)等の走査型トンネル顕微鏡(STM:Scanning Tunneling Microscope )、あるいは原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope )等の走査型プローブ顕微鏡(SPM:Scanning Probe Microscope )で観察する検査方法は、既に提案されている。
【0003】
従来、前記異物検査装置で検出される輝点としては、シリコンウェーハ上のパーティクルとシリコンウェーハの結晶品質に起因した各種表面ピット[COP(Crystal Originated Particles)、転位等]とが知られている。このうち、前記パーティクルはシリコンウェーハ表面で凸状に観察され、前記COPはシリコンウェーハ表面で正方形[(100)鏡面ウェーハ]や六角形[(111)鏡面ウェーハ]に観察されることから、前記パーティクルや前記COPを輝点の原因とするものについてはその原因をある程度特定することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、シリコンウェーハ表面近傍のバルク中に存在する各種金属不純物に起因する輝点の形状はいまだ報告されておらず、異物検査装置により検出された輝点の形状から重金属不純物の元素種類を特定することは不可能であった。
異物検査装置で検出される輝点の形成原因を知ることは、ウェーハ製造工程における改善のヒントを得ることに繋がり、LSIにおける酸化絶縁膜の信頼性や少数キャリアライフタイム等の品質特性を向上させる上で重要な意味を有している。
【0005】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、シリコンウェーハ品質特性の劣化原因が重金属不純物にあるか否かの判定、あるいはシリコンウェーハ品質特性の劣化原因が重金属不純物にある場合はこの重金属不純物元素の種類の特定を簡易かつ迅速に行うことができるシリコンウェーハ表面の検査方法を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段及びその効果】
上記目的を達成するために、本発明に係るシリコンウェーハ表面の検査方法(1)は、予め既知の重金属をシリコンウェーハ表面に拡散させる際、400〜1200℃の温度範囲での熱処理を施す熱処理工程、
予め既知の重金属を拡散させておいた前記シリコンウェーハ表面をSC−1(NH4OH、H2O2、H2O溶液による)洗浄する洗浄工程、
異物検査装置により前記シリコンウェーハ表面における輝点を検出する輝点検出工程、
該輝点の形状を顕微鏡等によって観察しておく輝点形状観察工程、
被検査用のシリコンウェーハに対する洗浄工程の前に、400〜900℃の温度範囲での熱処理を施しておく熱処理工程、
被検査用の前記シリコンウェーハ表面をSC−1(NH4OH、H2O2、H2O溶液による)洗浄する洗浄工程、
異物検査装置により前記シリコンウェーハ表面における輝点を検出する輝点検出工程、
該輝点の形状を前記顕微鏡等によって観察する輝点形状観察工程、
前記重金属を拡散させておいたシリコンウェーハ表面における重金属に起因する輝点の形状と、前記被検査用のシリコンウェーハ表面における前記輝点の形状とを比較することにより、前記被検査用のシリコンウェーハ表面に存在する重金属元素種を特定する重金属元素種特定工程
を含むことを特徴としている。
【0007】
上記シリコンウェーハ表面の検査方法(1)によれば、異物検査装置により検出された輝点が、どのような重金属不純物元素に起因しているのかを簡便に且つ効率的に評価することができる。
また、前記二つのSC−1(NH4OH、H2O2、H2O溶液による)洗浄により、前記シリコンウェーハ表面における輝点を検出できるまでの洗浄を容易に行うことができる。
また、予め既知の重金属を前記シリコンウェーハ表面に拡散させる際、400〜1200℃の温度範囲での熱処理を施すことにより、シリコンウェーハ表面への前記重金属の拡散を均一的、かつ確実なものとすることができる。
また、検出対象がFeのようにシリコンウェーハバルク中に原子の状態で固溶しやすい重金属であったとしても、これを前記被検査用のシリコンウェーハの表面近傍のバルク中に析出させて、原子の状態で固溶しやすい重金属の検出を確実なものとすることができる。
【0009】
また、本発明に係るシリコンウェーハ表面の検査方法(2)は、予め既知の重金属をシリコンウェーハ表面に拡散させる際、400〜1200℃の温度範囲での熱処理を施す熱処理工程、
予め既知の重金属を拡散させておいた前記シリコンウェーハ表面を複数回SC−1(NH 4 OH、H 2 O 2 、H 2 O溶液による)洗浄する洗浄工程、
異物検査装置により前記シリコンウェーハ表面における輝点を検出する輝点検出工程、
該輝点の形状を顕微鏡等によって観察しておく輝点形状観察工程、
被検査用のシリコンウェーハに対する洗浄工程の前に、400〜900℃の温度範囲での熱処理を施しておく熱処理工程、
被検査用の前記シリコンウェーハ表面を複数回SC−1(NH 4 OH、H 2 O 2 、H 2 O溶液による)洗浄する洗浄工程、
異物検査装置により前記シリコンウェーハ表面における輝点を検出する輝点検出工程、
該輝点の形状を前記顕微鏡等によって観察する輝点形状観察工程、
前記重金属を拡散させておいたシリコンウェーハ表面における重金属に起因する輝点の形状と、前記被検査用のシリコンウェーハ表面における前記輝点の形状とを比較することにより、前記被検査用のシリコンウェーハ表面に存在する重金属元素種を特定する重金属元素種特定工程
を含むことを特徴としている。
上記シリコンウェーハ表面の検査方法(2)によれば、前記異物検査装置により前記シリコンウェーハ表面における輝点を検出できるまでの洗浄を確実なものとすることができる。
【0012】
また、本発明に係るシリコンウェーハ表面の検査方法(3)は、上記シリコンウェーハ表面の検査方法(1)又は(2)において、前記400〜900℃の温度範囲での熱処理の前に、前記被検査用のシリコンウェーハ表面に存在する重金属を除去するための洗浄を行い、前記400〜900℃の温度範囲での熱処理の後に、前記被検査用のシリコンウェーハ表面の酸化膜を除去しておくことを特徴としている。
上記シリコンウェーハ表面の検査方法(3)によれば、シリコンウェーハバルク中に原子の状態で固溶しやすい重金属以外の重金属の影響をなくし、シリコンウェーハバルク中に原子の状態で固溶しやすい重金属の検出を、より容易なものとすることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るシリコンウェーハ表面の検査方法の実施の形態を説明する。
予めシリコンウェーハの表面に既知の元素からなる各種重金属を含む水溶液を滴下することにより、あるいはシリコンウェーハを既知の元素からなる各種重金属を含む水溶液中に浸漬すること等により、シリコンウェーハ表面に重金属汚染を生じさせておく。次に前記シリコンウェーハに乾燥酸素又は窒素雰囲気中、400〜1200℃の温度範囲で1時間程度の熱処理を施すことにより、前記重金属を該シリコンウェーハ中に拡散させ、シリコンウェーハ表面近傍のバルク中に前記重金属を析出させる。
【0014】
次に前記シリコンウェーハに対して例えば(NH4 OH:H2 O2 :H2 O=1:1:5)からなる溶液を用いたSC−1洗浄を複数回繰り返し施し、その後、異物検査装置を用いてシリコンウェーハ表面における輝点を観察し、各輝点の座標を記憶手段に記憶させておく。
次に、前記座標を基に輝点の形状をSEMあるいはAFM等を用いて観察しておく。
【0015】
次に、シリコンウェーハの表面に重金属汚染処理を施していない未処理のシリコンエピタキシャルウェーハまたは鏡面仕上げシリコンウェーハに対し、前記SC−1洗浄を複数回繰り返し施す。その後、異物検査装置を用いて前記シリコンウェーハ表面における輝点を観察し、各輝点の座標を記憶手段に記憶させておく。
【0016】
次に、前記座標を基に、前記輝点の形状をSEMあるいはAFM等を用いて観察する。そして該輝点の形状を、先に観察しておいた前記重金属汚染に起因する輝点の形状と比較し、未処理のシリコンエピタキシャルウェーハまたは鏡面仕上げシリコンウェーハ表面に存在する重金属汚染元素種の特定を行う。
【0017】
上記方法は、シリコンウェーハ表面近傍のバルク中に欠陥を形成しやすいNiやCu等の重金属汚染物質の検出に極めて有効である。
しかしながら、Feのようにシリコンウェーハのバルク中に原子の状態で固溶しやすい重金属に対しては、上記した方法は有効でない場合も生じる。そこで、Feのようにシリコンウェーハバルク中に原子の状態で固溶しやすい重金属の検出には以下の方法を実施する。
【0018】
まず、シリコンエピタキシャルウエーハまたは鏡面仕上げシリコンウェーハの表面に存在する重金属を除去するための洗浄をSC−1洗浄やSC−2洗浄を用いて行い、その後、シリコンウェーハの表面にFe元素を含む水溶液を滴下することにより、あるいはシリコンウェーハをFe元素を含む水溶液中に浸漬すること等により、シリコンウェーハの表面にFe重金属汚染を生じさせておく。次に固溶しているFe重金属を表面近傍バルク中に析出させるため、乾燥酸素又は窒素雰囲気中、比較的低温である400〜900℃の温度範囲で2時間程度の熱処理を施す。
【0019】
次に前記シリコンウェーハに対して例えば(NH4 OH:H2 O2 :H2 O=1:1:5)からなるSC−1洗浄を複数回繰り返し施し、その後、異物検査装置を用いてシリコンウェーハ表面におけるFe重金属に起因する輝点を観察し、各輝点の座標を記憶手段に記憶させておく。
次に、前記座標を基に、前記輝点の形状をSEMあるいはAFM等を用いて観察しておく。
【0020】
次に、シリコンウェーハの表面にFe重金属汚染処理を施していない未処理のシリコンエピタキシャルウェーハまたは鏡面仕上げシリコンウェーハに対し、シリコンウェーハ表面上に存在する重金属を除去するための洗浄をSC−1洗浄やSC−2洗浄を用いて行う。次に、固溶しているFe重金属をシリコンウェーハ表面近傍のバルク中に析出させるため、比較的低温である400〜900℃の熱処理を行う。
【0021】
該シリコンウェーハ表面上に形成された酸化膜を希HF水溶液により除去した後、SC−1洗浄を複数回繰り返し施し、その後、異物検査装置を用いて輝点を観察し、各輝点の座標を記憶手段に記憶させておく。
【0022】
次に、前記座標を基に、前記輝点の形状をSEMあるいはAFM等を用いて観察し、該輝点の形状を、先に観察しておいた前記Fe重金属汚染に起因する輝点の形状と比較することにより、未処理のシリコンエピタキシャルウェーハまたは鏡面仕上げシリコンウェーハ表面におけるFe重金属汚染の有無を確認する。
【0023】
上記したシリコンウェーハ表面の検査方法を実施することにより、異物検査装置により検出された輝点が、どのような重金属不純物元素に起因するものであるかを簡便に且つ効率的に評価することができる。
【0024】
【実施例】
以下、本発明に係るシリコンウェーハ表面の検査方法の実施例を説明する。 結晶方位が(100)、p型、抵抗率10ΩcmのCZシリコンウェーハを使用し、該シリコンウェーハの表面にNi、CuまたはFeを含む水溶液を滴下し、その後スピン乾燥させることにより、Ni、CuまたはFeのシリコンウェーハ表面における濃度が1013atoms/cm2 になるように、定量的に汚染させた。
【0025】
次に前記シリコンウェーハに、窒素雰囲気中、1000℃の条件下で1時間の熱処理を施し、これら重金属元素をシリコンウェーハ中に拡散させ、シリコンウェーハ表面近傍のバルク中に前記重金属を析出させた。その後、前記シリコンウェーハに対し、NH4 OHとH2 O2 とH2 Oとの配合比が(NH4 OH:H2 O2 :H2 O=1:1:5)であるSC−1洗浄を5回行った後、異物検査装置を用いて輝点を観察し、各輝点の座標を記憶手段に記憶させた。
【0026】
次に、該記憶手段に記憶させた前記座標を基に、前記輝点の形状をSEMあるいはAFM等によって観察した。図1にAFMを用いて観察したNiで汚染させたシリコンウェーハ表面における輝点の形状を示す。〈110〉方向に平行、あるいは直交する方向にキズ状のピットが観察された。
【0027】
図2にSEMを用いて観察したCuで汚染させたシリコンウェーハ表面における輝点の形状を示す。〈100〉方向あるいは〈110〉方向に平行、あるいは直交する方向にライン状のピットが集合的に観察された。
【0028】
上記条件では、Feで汚染させたシリコンウェーハには輝点が観察されなかったので、Feで汚染させたシリコンウェーハには、前記窒素雰囲気中、1000℃の条件下での熱処理の後、さらに前記窒素雰囲気中、650℃、2時間の熱処理を施した。この後、前記SC−1洗浄を5回行い、その後、異物検出装置を用いて輝点を観察し、各輝点の座標を記憶手段に記憶させた。
【0029】
次に、該記憶手段に記憶させた前記座標を基に、前記輝点の形状をSEMあるいはAFM等によって観察した。図3にAFMを用いて観察したFeで汚染させたシリコンウェーハ表面における輝点の形状を示す。〈110〉方向に平行、あるいは直交する方向に棒状のピットが観察された。
以上、Ni、Cu、Feの各重金属汚染元素に特有の形状を有するピットを観察することができた。
【0030】
次に、その表面に重金属汚染処理を施していない未処理のシリコンエピタキシャルウエーハまたは鏡面仕上げシリコンウェーハに、異物検査装置を用いた観察で輝点が検出されるまで、前記SC−1洗浄を複数回繰り返し、その後、各輝点の座標を記憶手段に記憶させた。
【0031】
次に、該記憶手段に記憶させた前記座標を基に、前記輝点の形状をSEMあるいはAFM等によって観察し、該輝点の形状を前記重金属起因の輝点の既知の形状と比較することにより重金属元素種を特定した。
【0032】
既知の形状と相似するピットが観察されないシリコンウェーハの場合は、該シリコンウェーハ表面上に存在する重金属を除去するための洗浄をSC−1洗浄及びSC−2洗浄を用いて行い、その後、窒素雰囲気中、400〜900℃の温度範囲で2時間の熱処理を施した。次に、該シリコンウェーハの表面上に形成された酸化膜を希HF水溶液により除去し、その後、異物検査装置を用いた観察で輝点が検出されるまで、前記SC−1洗浄を複数回繰り返し、その後、各輝点の座標を記憶手段に記憶させた。
【0033】
次に、該記憶手段に記憶させた前記座標を基に、前記輝点の形状をSEMあるいはAFM等を用いて観察し、該輝点の形状を前記重金属起因の輝点の既知の形状と比較することによりFeを含む重金属元素種を特定した。
【0034】
本実施例に係るシリコンウェーハ表面の検査方法を実施することにより、異物検査装置により検出された輝点が、どのような重金属不純物元素に起因するものであるかを簡便に且つ効率的に評価することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るシリコンウェーハ表面の検査方法において、シリコンウェーハ表面近傍の異物検査装置により検出したNi汚染に起因する輝点をAFMを用いて観察した顕微鏡写真である。
【図2】本発明の実施例に係るシリコンウェーハ表面の検査方法において、シリコンウェーハ表面近傍の異物検査装置により検出したCu汚染に起因する輝点をSEMを用いて観察した顕微鏡写真である。
【図3】本発明の実施例に係るシリコンウェーハ表面の検査方法において、シリコンウェーハ表面近傍の異物検査装置により検出したFe汚染に起因する輝点をAFMを用いて観察した顕微鏡写真である。
Claims (3)
- 予め既知の重金属をシリコンウェーハ表面に拡散させる際、400〜1200℃の温度範囲での熱処理を施す熱処理工程、
予め既知の重金属を拡散させておいた前記シリコンウェーハ表面をSC−1(NH4OH、H2O2、H2O溶液による)洗浄する洗浄工程、
異物検査装置により前記シリコンウェーハ表面における輝点を検出する輝点検出工程、
該輝点の形状を顕微鏡等によって観察しておく輝点形状観察工程、
被検査用のシリコンウェーハに対する洗浄工程の前に、400〜900℃の温度範囲での熱処理を施しておく熱処理工程、
被検査用の前記シリコンウェーハ表面をSC−1(NH4OH、H2O2、H2O溶液による)洗浄する洗浄工程、
異物検査装置により前記シリコンウェーハ表面における輝点を検出する輝点検出工程、
該輝点の形状を前記顕微鏡等によって観察する輝点形状観察工程、
前記重金属を拡散させておいたシリコンウェーハ表面における重金属に起因する輝点の形状と、前記被検査用のシリコンウェーハ表面における前記輝点の形状とを比較することにより、前記被検査用のシリコンウェーハ表面に存在する重金属元素種を特定する重金属元素種特定工程
を含むことを特徴とするシリコンウェーハ表面の検査方法。 - 予め既知の重金属をシリコンウェーハ表面に拡散させる際、400〜1200℃の温度範囲での熱処理を施す熱処理工程、
予め既知の重金属を拡散させておいた前記シリコンウェーハ表面を複数回SC−1(NH 4 OH、H 2 O 2 、H 2 O溶液による)洗浄する洗浄工程、
異物検査装置により前記シリコンウェーハ表面における輝点を検出する輝点検出工程、
該輝点の形状を顕微鏡等によって観察しておく輝点形状観察工程、
被検査用のシリコンウェーハに対する洗浄工程の前に、400〜900℃の温度範囲での熱処理を施しておく熱処理工程、
被検査用の前記シリコンウェーハ表面を複数回SC−1(NH 4 OH、H 2 O 2 、H 2 O溶液による)洗浄する洗浄工程、
異物検査装置により前記シリコンウェーハ表面における輝点を検出する輝点検出工程、
該輝点の形状を前記顕微鏡等によって観察する輝点形状観察工程、
前記重金属を拡散させておいたシリコンウェーハ表面における重金属に起因する輝点の形状と、前記被検査用のシリコンウェーハ表面における前記輝点の形状とを比較することにより、前記被検査用のシリコンウェーハ表面に存在する重金属元素種を特定する重金属元素種特定工程
を含むことを特徴とするシリコンウェーハ表面の検査方法。 - 前記400〜900℃の温度範囲での熱処理の前に、前記被検査用のシリコンウェーハ表面に存在する重金属を除去するための洗浄を行い、前記400〜900℃の温度範囲での熱処理の後に、前記被検査用のシリコンウェーハ表面の酸化膜を除去しておくことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のシリコンウェーハ表面の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36734498A JP3899715B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | シリコンウェーハ表面の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36734498A JP3899715B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | シリコンウェーハ表面の検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000193597A JP2000193597A (ja) | 2000-07-14 |
JP3899715B2 true JP3899715B2 (ja) | 2007-03-28 |
Family
ID=18489080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36734498A Expired - Lifetime JP3899715B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | シリコンウェーハ表面の検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3899715B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9618897D0 (en) | 1996-09-10 | 1996-10-23 | Bio Rad Micromeasurements Ltd | Micro defects in silicon wafers |
GB0308182D0 (en) | 2003-04-09 | 2003-05-14 | Aoti Operating Co Inc | Detection method and apparatus |
TWI391645B (zh) | 2005-07-06 | 2013-04-01 | Nanometrics Inc | 晶圓或其他工作表面下污染物及缺陷非接觸測量之差分波長光致發光 |
TWI439684B (zh) | 2005-07-06 | 2014-06-01 | Nanometrics Inc | 具自晶圓或其他工件特定材料層所發射光致發光信號優先偵測之光致發光成像 |
JP4784420B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-10-05 | 株式会社Sumco | 半導体基板の品質評価方法、半導体基板の製造方法 |
JP5219334B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2013-06-26 | 株式会社Sumco | 半導体基板の製造方法および品質評価方法 |
US7517706B2 (en) | 2006-07-21 | 2009-04-14 | Sumco Corporation | Method for evaluating quality of semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor substrate |
US8143078B2 (en) * | 2009-12-23 | 2012-03-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for monitoring the amount of contamination imparted into semiconductor wafers during wafer processing |
JP6947137B2 (ja) * | 2018-08-17 | 2021-10-13 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの金属汚染の評価方法およびウェーハの製造工程の管理方法 |
-
1998
- 1998-12-24 JP JP36734498A patent/JP3899715B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000193597A (ja) | 2000-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0952609A2 (en) | SC-2 based pre-thermal treatment wafer cleaning process | |
US7901132B2 (en) | Method of identifying crystal defect region in monocrystalline silicon using metal contamination and heat treatment | |
JP3899715B2 (ja) | シリコンウェーハ表面の検査方法 | |
JP2002076082A (ja) | シリコンウエーハの検査方法及び製造方法、半導体デバイスの製造方法及びシリコンウエーハ | |
KR950004593B1 (ko) | 반도체 기판, 반도체 기판과 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 기판의 검사·평가방법 | |
US7517706B2 (en) | Method for evaluating quality of semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor substrate | |
JP5219334B2 (ja) | 半導体基板の製造方法および品質評価方法 | |
JP4784420B2 (ja) | 半導体基板の品質評価方法、半導体基板の製造方法 | |
JP3717691B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法 | |
KR20040045986A (ko) | 실리콘 웨이퍼 또는 실리콘 단결정 잉곳의 결함 영역 구분방법 | |
Nakashima et al. | A method to detect oxygen precipitates in silicon wafers by highly selective reactive ion etching | |
JP3917245B2 (ja) | シリコンウェーハ及び熱処理用ボート、チューブの評価方法 | |
KR100384680B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 | |
JPH1154579A (ja) | 半導体基板の評価方法 | |
Kolbesen et al. | Impact of defects on the technology of highly integrated circuits | |
JP3994523B2 (ja) | シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法 | |
JP3704426B2 (ja) | 金属不純物析出履歴の評価方法 | |
JPH1174493A (ja) | Soiウエーハの欠陥検査方法 | |
JP2011119528A (ja) | 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法 | |
US6727189B2 (en) | Method for detecting metal contamination on a silicon chip by implanting arsenic | |
Alpern et al. | Detection of fast diffusing metal impurities in silicon by haze test and by modulated optical reflectance: a comparison | |
Matlock | Material Defect Factors Affecting MOS Device Performance | |
Polignano et al. | Low temperature drive-in of surface-deposited copper in silicon wafers | |
Ahn et al. | Identification and removal of defects on silicon wafer processed with a rinse with/without megasonics in DI water | |
KR20050059910A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 결함을 검출하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060606 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |