TW201711101A - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

於基板處理裝置中，藉由於噴嘴間隙之上方且處理液噴嘴之周圍設置迷宮，且朝迷宮內供給密封氣體，而自外部空間將噴嘴間隙密封。其結果，可抑制外部空間之環境氣體經由噴嘴間隙朝處理空間之侵入。此外，於頂板之對向構件凸緣部之上面設置有第1凹凸部，且於對向構件移動機構之保持部本體之下面設置有第2凹凸部。並且，僅於頂板位於第2位置之狀態下(亦即，形成有處理空間之狀態下)，藉由於第1凹凸部及第2凹凸部之一凹部內隔著間隙配置有另一凸部而形成迷宮。藉此，可實現基板處理裝置之扁平化。

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置。

習知，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，對基板實施各種各樣之處理。例如，藉由朝表面上形成有光阻之圖案之基板上供給藥液，對基板之表面進行蝕刻等之藥液處理。此外，於藥液處理結束後，朝基板上供給洗淨液而進行洗淨處理，然後進行基板之乾燥處理。

於日本專利第3621568號公報(文獻1)之基板洗淨裝置中，在水平保持晶圓之旋轉夾頭(spin chuck)上載置有蓋構件，且與晶圓一同旋轉。於基板之洗淨處理時，首先，自分離配置於蓋構件之上方之上噴嘴，經由設置於蓋構件之旋轉中心之開口，朝旋轉中之基板上供給洗淨液。作為洗淨液，可利用氟酸、鹽酸、硫酸、磷酸、氨、過氧化氫水等。接著，藉由自該上噴嘴朝旋轉中之基板上供給純水，沖洗附著於基板上之洗淨液。然後，於基板之乾燥處理時，自上述上噴嘴吐出氮(N₂)氣，且經由蓋構件之開口被供給於晶圓上。藉此，可使蓋構件與晶圓之間的空間中之氧濃度降低，進而可促進基板之乾燥。

於日本專利特開2014-30045號公報(文獻2)之基板周緣處理裝置中，也同樣於水平保持晶圓之旋轉夾頭上載置有遮擋 板，且與晶圓一同旋轉。於遮擋板之中央設置有貫通孔，且於遮擋板之上面結合有一凸緣管，該凸緣管具有與該貫通孔連通之內部空間。於凸緣管之上端結合有中央具有貫通孔之遮擋板凸緣。當使遮擋板自旋轉夾頭上退避時，遮擋板用機械手上昇而自下方保持遮擋板凸緣，藉由進一步上昇而使遮擋板朝上方自旋轉夾頭分離。

於凸緣管之內部空間，以與凸緣管不接觸之狀態配置有中心軸噴嘴。當進行晶圓之處理時，自中心軸噴嘴朝遮擋板與晶圓之間的空間供給氮氣等處理氣體。於遮擋板凸緣之上面固定有遮擋側迷宮構件，且於遮擋側迷宮構件之上方，以與遮擋側迷宮構件不接觸之狀態配置有噴嘴側迷宮構件。噴嘴側迷宮構件，係被固定於保持中心軸噴嘴之噴嘴保持部，且與中央軸噴嘴及噴嘴保持部一同昇降。於噴嘴側迷宮構件與遮擋側迷宮構件之間的空間內，被供給有乾燥空氣等之密封氣體。

可是，於文獻1之基板洗淨裝置中，有可能自蓋構件之開口朝蓋構件與晶圓之間的空間內侵入該空間之外部的環境氣體。另一方面，於文獻2之基板周緣處理裝置中，藉由朝遮擋側迷宮構件與噴嘴側迷宮構件之間的空間內供給密封氣體，抑制該空間之外部的環境氣體自遮擋板之貫通孔侵入遮擋板與晶圓之間的空間內。然而，遮擋側迷宮構件係被固定於遮擋板凸緣之上面，並且於遮擋側迷宮構件之上方配置有噴嘴側迷宮構件，因此，會於上下方向招致基板周緣處理裝置大型化。此外，若遮擋板與晶圓之間的空間之壓力發生變動而變得較外部之壓力低，則迷宮中之密封被破壞，進而恐有外部環境氣體侵入該空間之虞。

本發明係應用於處理基板之基板處理裝置，其目的在於，實現基板處理裝置之扁平化。本發明之又一目的在於，適宜地抑制來自外部空間之環境氣體之侵入。

本發明之一基板處理裝置，其包含：基板保持部，其以水平狀態保持基板；對向構件，其與上述基板之上面對向，並於中央部設置有對向構件開口；對向構件移動機構，其保持上述對向構件，且使上述對向構件在上下方向之第1位置與較上述第1位置靠下方之第2位置之間相對於上述基板保持部相對地移動；基板旋轉機構，其使上述基板以朝向上述上下方向之中心軸為中心，與上述基板保持部一同旋轉；處理液噴嘴，其經由上述對向構件開口朝上述基板之上述上面供給處理液；及氣體供給部，其朝上述對向構件與上述基板之間的空間內供給處理環境用氣體；其中，上述對向構件具備：對向構件本體，其與上述基板之上述上面對向，並於中央部設置有上述對向構件開口；筒狀之對向構件筒部，其自上述對向構件本體之上述對向構件開口之周圍朝上方突出並供上述處理液噴嘴插入；對向構件凸緣部，其自上述對向構件筒部之上端部朝徑向外側呈環狀擴張並被保持於上述對向構件移動機構；及第1凹凸部，其於上述對向構件凸緣部之上面呈同心圓狀交互地配置有凹部及凸部；上述對向構件移動機構具備：保持部下部，其於上述上下方向與上述對向構件凸緣部之下面對向；保持部上部，其於上述上下方向與上述對向構件凸緣部之上述上面對向；及第2凹凸部，其於上述保持部上部之下面呈同心圓狀交互地配置有凹部及凸部；並且，於上述對向構件位於上述第1位置之狀態下，藉由上述 保持部下部自下側支撐上述對向構件凸緣部，上述對向構件藉由上述對向構件移動機構所保持且自上述基板保持部朝上方分離，於上述對向構件位於上述第2位置之狀態下，上述對向構件自上述對向構件移動機構分離，且藉由上述基板保持部所保持，變得可藉由上述基板旋轉機構而與上述基板保持部一同旋轉，並且藉由在上述第1凹凸部及上述第2凹凸部之一凹部內隔著間隙配置另一凸部而形成迷宮，藉由朝上述迷宮內供給密封氣體，可自上述迷宮之徑向外側之空間將上述處理液噴嘴與上述對向構件筒部之間的空間即噴嘴間隙密封。根據該基板處理裝置，可實現基板處理裝置之扁平化。

本發明之一較佳實施形態中，上述保持部上部係具備圓周狀噴射口，其於上述迷宮之徑向內端與徑向外端之間朝上述迷宮內噴射上述密封氣體。

更佳為，還具備環狀之歧管，其於上述密封氣體之供給源即密封氣體供給部與上述圓周狀噴射口之間暫時貯留來自上述密封氣體供給部之上述密封氣體。

本發明之又一較佳實施形態中，上述迷宮中與上述圓周狀噴射口對向之面，係隨著朝向徑向外側而朝下方之傾斜面。

本發明之又一較佳實施形態中，上述第1凹凸部具備複數之凹部，上述複數之凹部中的最靠近徑向內側之凹部，係設置於上述對向構件筒部之上部，且上述上下方向之大小係較其他之凹部大。

本發明之又一較佳實施形態中，上述保持部上部具備圓周狀吸引口，其於上述迷宮之徑向外端部吸引上述迷宮內之氣體。

本發明之又一較佳實施形態中，藉由上述氣體供給部，自上述處理液噴嘴之側面朝斜下方對上述噴嘴間隙噴射上述處理環境用氣體。

本發明之又一基板處理裝置，其包含：基板保持部，其以水平狀態保持基板；基板旋轉機構，其使上述基板以朝向上下方向之中心軸為中心，與上述基板保持部一同旋轉；對向構件，其具有與上述基板之上面對向並於中央部設置有對向構件開口之對向構件本體、及自上述對向構件本體之上述對向構件開口之周圍朝上方突出之筒狀之對向構件筒部；處理液噴嘴，其被插入上述對向構件筒部，且經由上述對向構件開口朝上述基板之上述上面供給處理液；氣體供給部，其朝上述對向構件與上述基板之間的空間內供給處理環境用氣體；迷宮，其連接於上述處理液噴嘴與上述對向構件筒部之間的空間即噴嘴間隙，且藉由供給密封氣體，自外部空間將上述噴嘴間隙密封；及密封氣體流量控制部，其基於上述迷宮之壓力與上述外部空間之壓力的相對關係，控制供給於上述迷宮之上述密封氣體之流量。根據該基板處理裝置，可適宜地抑制來自外部空間之環境氣體之侵入。

本發明之一較佳實施形態中，上述相對關係，係隨上述噴嘴間隙之壓力變動而變動。

較佳為，藉由上述氣體供給部，自上述處理液噴嘴之側面朝斜下方對上述噴嘴間隙噴射上述處理環境用氣體，且於朝上述噴嘴間隙噴射之上述處理環境用氣體之流量變動時，上述密封氣體流量控制部，基於藉由上述處理環境用氣體之流量變動而產生之上述噴嘴間隙之上述壓力變動，對上述密封氣體之流量進行控制。

本發明之又一較佳實施形態中，於上述基板之藉由上述基板旋轉機構旋轉之旋轉速度變動時，上述密封氣體流量控制部，基於因上述旋轉速度之變動而產生之上述噴嘴間隙之上述壓力變動，對上述密封氣體之流量進行控制。

本發明之又一較佳實施形態中，於對上述基板之處理之種類變化時，上述密封氣體流量控制部，基於因上述處理之種類變化而產生之上述噴嘴間隙之上述壓力變動，對上述密封氣體之流量進行控制。

本發明之又一較佳實施形態中，還具備：第1壓力測量部，其測量上述迷宮之壓力；及第2壓力測量部，其測量上述外部空間之壓力；且基於上述第1壓力測量部及上述第2壓力測量部之輸出，取得上述相對關係。

本發明之又一較佳實施形態中，於上述迷宮之上述外部空間側之端部吸引上述迷宮內之氣體。

本發明之又一較佳實施形態中，還具備對向構件移動機構，其保持上述對向構件，且使上述對向構件在上下方向之第1位置與較上述第1位置靠下方之第2位置之間相對於上述基板保持部相對地移動；上述對向構件更具備：對向構件凸緣部，其自上述對向構件筒部之上端部朝徑向外側呈環狀擴張，並被保持於上述對向構件移動機構；及第1凹凸部，其於上述對向構件凸緣部之上面呈同心圓狀交互地配置有凹部及凸部；上述對向構件移動機構具備：保持部下部，其於上述上下方向與上述對向構件凸緣部之下面對向；保持部上部，其於上述上下方向與上述對向構件凸緣部之上述上面對向；及第2凹凸部，其於上述保持部上部之下面呈同心圓 狀交互地配置有凹部及凸部；並且，於上述對向構件位於上述第1位置之狀態下，藉由上述保持部下部自下側支撐上述對向構件凸緣部，上述對向構件藉由上述對向構件移動機構所保持且自上述基板保持部朝上方分離，於上述對向構件位於上述第2位置之狀態下，上述對向構件自上述對向構件移動機構分離，且藉由上述基板保持部所保持，變得可藉由上述基板旋轉機構而與上述基板保持部一同旋轉，並且藉由在上述第1凹凸部及上述第2凹凸部之一凹部內隔著間隙配置另一凸部而形成上述迷宮。

上述目的及其他之目的、特徵、形式及優點，藉由參照附圖且以下進行之本發明之詳細的說明，自可明瞭。

1‧‧‧基板處理裝置

4‧‧‧杯部

5‧‧‧頂板

6‧‧‧對向構件移動機構

7‧‧‧氣液供給部

9‧‧‧基板

11‧‧‧殼體

31‧‧‧基板保持部

33‧‧‧基板旋轉機構

34‧‧‧旋轉機構收容部

41‧‧‧第1防護罩

42‧‧‧第2防護罩

43‧‧‧防護罩移動機構

44‧‧‧排出口

51‧‧‧對向構件本體

52‧‧‧被保持部

53‧‧‧繫合部

54‧‧‧對向構件開口

55‧‧‧第1凹凸部

56‧‧‧噴嘴間隙

57、57a、57b‧‧‧迷宮

58‧‧‧氣體供給道

61‧‧‧對向構件保持部

62‧‧‧對向構件昇降機構

71‧‧‧處理液噴嘴

72‧‧‧處理液供給部

73‧‧‧氣體供給部

74‧‧‧密封氣體流量控制部

90‧‧‧處理空間

91‧‧‧(基板之)上面

311‧‧‧保持基部

312‧‧‧夾頭

313‧‧‧繫合部

314‧‧‧基部支撐部

411‧‧‧第1防護罩側壁部

412‧‧‧第1防護罩頂蓋部

421‧‧‧第2防護罩側壁部

422‧‧‧第2防護罩頂蓋部

511‧‧‧對向構件頂蓋部

512‧‧‧對向構件側壁部

521‧‧‧對向構件筒部

522‧‧‧對向構件凸緣部

551‧‧‧(第1凹凸部之)凹部

552‧‧‧凸部

553‧‧‧面

581‧‧‧第1流道

582‧‧‧第1歧管

583‧‧‧第2流道

584‧‧‧第2歧管

585‧‧‧氣體噴射口

591‧‧‧氣體吸引口

592‧‧‧吸引道

611‧‧‧保持部本體

612‧‧‧本體支撐部

613‧‧‧凸緣支撐部

614‧‧‧支撐部連接部

615‧‧‧第2凹凸部

616‧‧‧移動限制部

716‧‧‧處理液流道

716a‧‧‧吐出口

717‧‧‧氣體流道

717a‧‧‧下面噴射口

717b‧‧‧側面噴射口

751‧‧‧第1壓力測量部

752‧‧‧第2壓力測量部

J1‧‧‧中心軸

S11~S19‧‧‧步驟

圖1為一實施形態之基板處理裝置之剖視圖。

圖2為基板處理裝置之剖視圖。

圖3為放大顯示頂板及對向構件移動機構之一部分之剖視圖。

圖4為氣體供給道之俯視圖。

圖5為顯示氣液供給部之方塊圖。

圖6為放大顯示處理液噴嘴之一部分之剖視圖。

圖7為顯示基板之處理流程之圖。

圖8為基板處理裝置之剖視圖。

圖9為顯示其他之迷宮之例子之剖視圖。

圖10為顯示其他之迷宮之例子之剖視圖。

圖11為放大顯示基板處理裝置之另一例之頂板及對向構件移動機構之一部分之剖視圖。

圖12為顯示氣液供給部之方塊圖。

圖13為顯示其他之迷宮之例子之剖視圖。

圖14為顯示其他之迷宮之例子之剖視圖。

圖1為顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之構成之剖視圖。基板處理裝置1，係各一片地處理半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)之單片處理式之裝置。基板處理裝置1具備基板保持部31、基板旋轉機構33、杯部4、頂板5、對向構件移動機構6、及處理液噴嘴71。

基板保持部31係以水平狀態保持基板9。基板保持部31具備保持基部311、複數之夾頭312、複數之繫合部313、及基部支撐部314。基板9係配置於保持基部311之上方。保持基部311及基部支撐部314，分別為以朝向上下方向之中心軸J1為中心之大致圓板狀之構件。保持基部311係配置於基部支撐部314之上方，且藉由基部支撐部314被自下方支撐。保持基部311之外徑，係較基部支撐部314之外徑大。保持基部311係於以中心軸J1為中心之圓周方向之全周，較基部支撐部314更朝徑向外側擴張。

複數之夾頭312，係以中心軸J1為中心且以大致等角度間隔沿圓周方向被配置於保持基部311之上面外周部。於基板保持部31中，藉由複數之夾頭312支撐基板9之外緣部。複數之繫合部313，係以中心軸J1為中心且以大致等角度間隔沿圓周方向被配置於保持基部311之上面外周部。複數之繫合部313，係配置於較複數之夾頭312靠徑向外側。

基板旋轉機構33係被收容於旋轉機構收容部34之 內部。基板旋轉機構33及旋轉機構收容部34，係配置於基板保持部31之下方。基板旋轉機構33，係使基板9以中心軸J1為中心，與基板保持部31一同旋轉。

杯部4係以中心軸J1為中心之環狀構件，且被配置於基板9及基板保持部31之徑向外側。杯部4係配置於基板9及基板保持部31之周圍全周，用以接取自基板9朝周圍飛散之處理液等。杯部4具備第1防護罩41、第2防護罩42、防護罩移動機構43及排出口44。

第1防護罩41具有第1防護罩側壁部411、及第1防護罩頂蓋部412。第1防護罩側壁部411，係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。第1防護罩頂蓋部412，係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自第1防護罩側壁部411之上端部朝徑向內側擴張。第2防護罩42具有第2防護罩側壁部421及第2防護罩頂蓋部422。第2防護罩側壁部421，係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且位於較第1防護罩側壁部411靠徑向外側。第2防護罩頂蓋部422，係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且於較第1防護罩頂蓋部412靠上方，自第2防護罩側壁部421之上端部朝徑向內側擴張。第1防護罩頂蓋部412之內徑及第2防護罩頂蓋部422之內徑，係較基板保持部31之保持基部311之外徑及頂板5之外徑略大。

防護罩移動機構43係藉由朝上下方向移動第1防護罩41，在第1防護罩41與第2防護罩42之間對接取來自基板9之處理液等之防護罩進行切換。由杯部4之第1防護罩41及第2防護罩42接取之處理液等，經由排出口44被朝處理室殼體11之 外部排出。此外，第1防護罩41內及第2防護罩42內之氣體，也經由排出口44朝殼體11之外部排出。

頂板5係俯視為大致圓形之構件。頂板5係與基板9之上面91對向之對向構件，且是遮擋基板9之上方之遮擋板。頂板5之外徑，係較基板9之外徑、及保持基部311之外徑大。頂板5具備對向構件本體51、被保持部52、複數之繫合部53、及第1凹凸部55。對向構件本體51具備對向構件頂蓋部511及對向構件側壁部512。對向構件頂蓋部511，係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之構件，且與基板9之上面91對向。於對向構件頂蓋部511之中央部設置有對向構件開口54。對向構件開口54例如俯視為大致圓形。對向構件開口54之直徑，係遠小於基板9之直徑。對向構件側壁部512，係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之構件，且自對向構件頂蓋部511之外周部朝下方擴張。

複數之繫合部53係以中心軸J1為中心且以大致等角度間隔沿圓周方向被配置於對向構件頂蓋部511之下面之外周部。複數之繫合部53，係配置於對向構件側壁部512之徑向內側。

被保持部52係連接於對向構件本體51之上面。被保持部52具備對向構件筒部521及對向構件凸緣部522。對向構件筒部521，係自對向構件本體51之對向構件開口54之周圍朝上方突出之大致圓筒狀之部位。對向構件筒部521，例如為以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。對向構件凸緣部522，係自對向構件筒部521之上端部呈環狀朝徑向外側擴張。對向構件凸緣部522，例如為以中心軸J1為中心之大致圓環板狀。於對向構件凸緣部522之上面設置有呈同心圓狀交互地配置有圓周狀之凹部及圓周狀之凸部之 第1凹凸部55。第1凹凸部55具有複數之凹部及複數之凸部。該複數之凹部中的最靠徑向內側之凹部551，係被設於對向構件筒部521之上部，且上下方向之大小，係較第1凹凸部55之其他凹部大。

對向構件移動機構6具備對向構件保持部61及對向構件昇降機構62。對向構件保持部61，係保持頂板5之被保持部52。對向構件保持部61具備保持部本體611、本體支撐部612、凸緣支撐部613、支撐部連接部614及第2凹凸部615。保持部本體611例如為以中心軸J1為中心之大致圓板狀。保持部本體611係覆蓋於頂板5之對向構件凸緣部522之上方。本體支撐部612係大致水平延伸之桿狀的臂。本體支撐部612之一端部連接於保持部本體611，另一端部連接於對向構件昇降機構62。

處理液噴嘴71係自保持部本體611之中央部朝下方突出。處理液噴嘴71係以非接觸狀態被插入對向構件筒部521內。以下之說明中，稱處理液噴嘴71與對向構件筒部521之間的空間為「噴嘴間隙56」。於處理液噴嘴71之周圍且保持部本體611之下面設置有呈同心圓狀交互地配置有圓周狀之凹部及圓周狀之凸部之第2凹凸部615。第2凹凸部615係於上下方向與第1凹凸部55對向。

凸緣支撐部613，例如為以中心軸J1為中心之大致圓環板狀。凸緣支撐部613係位於對向構件凸緣部522之下方。凸緣支撐部613之內徑，係較頂板5之對向構件凸緣部522之外徑小。凸緣支撐部613之外徑，係較頂板5之對向構件凸緣部522之外徑大。支撐部連接部614，例如為以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。支撐部連接部614係於對向構件凸緣部522之周圍，用以連接凸緣 支撐部613與保持部本體611。於對向構件保持部61中，保持部本體611係於上下方向與對向構件凸緣部522之上面對向之保持部上部，凸緣支撐部613係於上下方向與對向構件凸緣部522之下面對向之保持部下部。

於頂板5位於圖1所示之位置之狀態下，凸緣支撐部613係自下側接觸且支撐於頂板5之對向構件凸緣部522之外周部。換言之，對向構件凸緣部522，係藉由對向構件移動機構6之對向構件保持部61所保持。藉此，頂板5係於基板9及基板保持部31之上方，藉由對向構件保持部61所懸吊。於以下之說明中，稱圖1所示之頂板5之上下方向之位置為「第1位置」。頂板5係於第1位置，藉由對向構件移動機構6所保持而自基板保持部31朝上方分離。此外，於頂板5位於第1位置之狀態下，第2凹凸部615之凸部之下端，係位於較第1凹凸部55之凸部之上端靠上方。

於凸緣支撐部613設置有限制頂板5之位置偏移(亦即，頂板5之移動及旋轉)之移動限制部616。於圖1所示之例子中，移動限制部616係自凸緣支撐部613之上面朝上方突出之突起部。藉由移動限制部616被插入設置於對向構件凸緣部522之孔部，而限制頂板5之位置偏移。

對向構件昇降機構62，係使頂板5與對向構件保持部61一同朝上下方向移動。圖2為顯示頂板5自圖1所示之第1位置下降之狀態之剖視圖。以下之說明中，稱圖2所示之頂板5之上下方向之位置為「第2位置」。亦即，對向構件昇降機構62，係使頂板5在第1位置與第2位置之間相對於基板保持部31相對地朝上下方向移動。第2位置係較第1位置靠下方之位置。換言之， 第2位置係頂板5在上下方向較第1位置靠近基板保持部31之位置。

於頂板5位於第2位置之狀態下，頂板5之複數繫合部53，分別與基板保持部31之複數繫合部313繫合。複數之繫合部53係藉由複數之繫合部313被自下方支撐。換言之，複數之繫合部313係支撐頂板5之對向構件支撐部。例如，繫合部313係大致平行於上下方向之銷，繫合部313之上端部，係嵌合於向上形成於繫合部53之下端部之凹部。此外，頂板5之對向構件凸緣部522，係朝上方自對向構件保持部61之凸緣支撐部613分離。藉此，頂板5於第2位置，藉由基板保持部31所保持且自對向構件移動機構6分離(亦即，成為與對向構件移動機構6不接觸之狀態)。

於頂板5藉由基板保持部31所保持之狀態下，頂板5之對向構件側壁部512之下端，係位於較基板保持部31之保持基部311之上面靠下方、或者在上下方向與保持基部311之上面相同之位置。若於頂板5位於第2位置之狀態下驅動基板旋轉機構33，頂板5與基板9及基板保持部31一同旋轉。換言之，於頂板5位於第2位置之狀態下，頂板5可藉由基板旋轉機構33而與基板9及基板保持部31一同以中心軸J1為中心進行旋轉。

圖3為放大顯示頂板5及對向構件移動機構6之一部分之剖視圖。如圖2及圖3所示，於頂板5位於第2位置之狀態下，第1凹凸部55及第2凹凸部615，係以彼此不接觸之狀態在上下方向接近。第1凹凸部55之凸部隔著間隙被配置於第2凹凸部615之凹部內，第2凹凸部615之凸部隔著間隙被配置於第1凹凸部55之凹部內。換言之，於第1凹凸部55及第2凹凸部615之一 凹部內隔著間隙配置有另一凸部。藉此，於處理液噴嘴71之周圍，且於頂板5之對向構件凸緣部522與對向構件移動機構6之保持部本體611之間形成有迷宮57。於迷宮57整體，第1凹凸部55與第2凹凸部615之間的上下方向之距離及徑向之距離大致恆定。迷宮57係連接於噴嘴間隙56。當頂板5旋轉時，第1凹凸部55旋轉，第2凹凸部615不旋轉。

如圖3所示，於對向構件保持部61之內部設置有連接於迷宮57之氣體供給道58。再者，於上述圖1及圖2中，省略氣體供給道58之圖示。圖4為顯示氣體供給道58之俯視圖。如圖3及圖4所示，氣體供給道58具備第1流道581、第1歧管582、複數之第2流道583、第2歧管584、及複數之氣體噴射口585。第1歧管582、複數之第2流道583及第2歧管584，係形成於保持部本體611之內部，複數之氣體噴射口585係形成於保持部本體611之下面。此外，第1流道581係形成於本體支撐部612之內部。

複數之氣體噴射口585，係於第2凹凸部615之一個凹部之上面(即，凹部之底面)，以大致等角度間隔被配置於圓周方向。複數之氣體噴射口585，係以中心軸J1為中心呈圓周狀配置之圓周狀噴射口。該圓周狀噴射口，係配置於迷宮57之徑向內端與徑向外端之間。於氣體供給道58中，例如，也可取代複數之氣體噴射口585，而設置以中心軸J1為中心之大致圓環狀之一個噴射口來作為圓周狀噴射口。

第2歧管584係配置於複數之氣體噴射口585之上方，且連接於複數之氣體噴射口585。第2歧管584係以中心軸J1為中心之大致圓環狀之流道。第1歧管582係配置於第2歧管584 之徑向外側。第1歧管582係以中心軸J1為中心之大致圓環狀之流道。複數之第2流道583，係朝大致徑向延伸之直線狀之流道，且用以連接第1歧管582與第2歧管584。於圖4所示之例子中，4個第2流道583係以大致等角度間隔被配置於圓周方向。第1流道581係自第1歧管582朝徑向外側延伸。第1流道581係被配置於在圓周方向上與複數之第2流道583不同之位置。

圖5為顯示與基板處理裝置1之氣體及處理液之供給相關之氣液供給部7之方塊圖。氣液供給部7具備處理液噴嘴71、處理液供給部72及氣體供給部73。處理液供給部72係連接於處理液噴嘴71。氣體供給部73係連接於處理液噴嘴71，且朝處理液噴嘴71供給氣體。氣體供給部73並且還連接於設置在對向構件保持部61之氣體供給道58之第1流道581，且經由氣體供給道58朝迷宮57供給氣體。

於基板處理裝置1中，作為處理液，係利用各種各樣之種類之液體。處理液例如也可為使用於基板9之藥液處理之藥液(聚合物除去液、氟酸或四甲基氫氧化銨水溶液等之蝕刻液等)。處理液例如也可為使用於基板9之洗淨處理之純水(DIW：deionized water)或碳酸水等之洗淨液。處理液例如也可為為了取代基板9上之液體而供給之異丙醇(IPA)等。自氣體供給部73供給之氣體，例如為氮(N₂)氣等之惰性氣體。也可自氣體供給部73供給惰性氣體以外之各種氣體。

圖6為放大顯示處理液噴嘴71之一部分之剖視圖。處理液噴嘴71例如由PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)形成。於處理液噴嘴71之內部設置有處理液流道716、及2個氣體流 道717。處理液流道716係連接於圖5所示之處理液供給部72。2個氣體流道717係連接於圖5所示之氣體供給部73。

自處理液供給部72供給於圖6所示之處理液流道716之處理液，係自設於處理液噴嘴71之下端面之吐出口716a朝下方吐出。於自處理液噴嘴71吐出複數種類之處理液之情況，也可於處理液噴嘴71設置分別與複數種類之處理液對應之複數之處理液流道716，且分別自複數之吐出口716a吐出複數種類之處理液。

自氣體供給部73供給於中央之氣體流道717(圖中之右側之氣體流道717)之惰性氣體，係自設於處理液噴嘴71之下端面之下面噴射口717a朝下方供給(例如，噴射)。自氣體供給部73供給於外周部之氣體流道717之惰性氣體，係自設於處理液噴嘴71之側面之複數側面噴射口717b被供給於周圍。

複數之側面噴射口717b，係於圓周方向以大致等角度間隔排列。複數之側面噴射口717b，係連接於自外周部之氣體流道717之下端部朝圓周方向延伸之圓周狀之流道。自氣體供給部73供給之惰性氣體，係自複數之側面噴射口717b被朝斜下方供給(例如，噴射)。再者，側面噴射口717b也可僅設置一個。

自處理液供給部72(參照圖5)供給之處理液，係自處理液噴嘴71之吐出口716a，經由圖2所示之對向構件開口54被朝基板9之上面91吐出。換言之，處理液噴嘴71係經由對向構件開口54將自處理液供給部72供給之處理液供給於基板9之上面91。於基板處理裝置1中，處理液噴嘴71也可為自對向構件本體51之對向構件開口54朝下方突出。換言之，處理液噴嘴71之前端， 也可位於較對向構件開口54之下端緣靠下方。自處理液供給部72供給之處理液，係於處理液噴嘴71內經由對向構件開口54朝下方流動，且自處理液噴嘴71之吐出口716a(參照圖6)朝基板9之上面91吐出。所指之處理液經由對向構件開口54而被供給之情況，不僅包含在較對向構件開口54靠上方處自處理液噴嘴71吐出之處理液通過對向構件開口54之狀態，而且還包含經由被插入於對向構件開口54之處理液噴嘴71吐出處理液之狀態。

自氣體供給部73(參照圖5)供給於處理液噴嘴71之惰性氣體之一部分，係自處理液噴嘴71之下面噴射口717a(參照圖6)且經由對向構件開口54被供給於頂板5與基板9之間的空間(以下，稱為「處理空間90」)。此外，自氣體供給部73供給於處理液噴嘴71之惰性氣體之一部分，係自處理液噴嘴71之複數側面噴射口717b(參照圖6)被朝噴嘴間隙56供給。於噴嘴間隙56中，來自氣體供給部73之惰性氣體，係自處理液噴嘴71之側面朝斜下方供給而流向下方，被朝處理空間90供給。

於基板處理裝置1中，基板9之處理，較佳為在惰性氣體自處理液噴嘴71被朝處理空間90內供給且處理空間90成為惰性氣體環境之狀態下進行。換言之，自氣體供給部73供給於處理空間90之氣體，係處理環境用氣體。處理環境用氣體，還包含自處理液噴嘴71被朝噴嘴間隙56供給，且經由噴嘴間隙56被供給於處理空間90之氣體。

自氣體供給部73供給於圖3及圖4所示之氣體供給道58之第1流道581之惰性氣體，係於第1歧管582被朝圓周方向擴散，且經由複數之第2流道583被導向第2歧管584。該惰性 氣體在第2歧管584也被朝圓周方向擴散，且在迷宮57之徑向內端與徑向外端之間，自複數之氣體噴射口585朝下方之迷宮57噴射。藉由自複數之氣體噴射口585朝迷宮57供給惰性氣體，可自迷宮57之徑向外側之空間將較迷宮57靠徑向內側之空間即噴嘴間隙56、及連接於噴嘴間隙56之處理空間90密封。亦即，自氣體供給部73供給於迷宮57之氣體，係密封氣體。自複數之氣體噴射口585供給於迷宮57之惰性氣體，於迷宮57內被朝徑向外側及徑向內側擴散。

於圖5所示之例子中，氣體供給部73係密封氣體之供給源即密封氣體供給部，且是處理環境用氣體之供給源即處理環境用氣體供給部。並且，處理環境用氣體與密封氣體，係相同種類之氣體。再者，處理環境用氣體與密封氣體，也可為不同種類之氣體。於氣體供給道58中，第1歧管582及第2歧管584，分別為在密封氣體供給部即氣體供給部73與複數之氣體噴射口585之間暫時貯留密封氣體之環狀之歧管。

其次，參照圖7對基板處理裝置1之基板9之處理流程之一例進行說明。首先，於頂板5位於圖1所示之第1位置之狀態下，將基板9搬入殼體11內，且藉由基板保持部31所保持(步驟S11)。此時，頂板5係藉由對向構件移動機構6之對向構件保持部61所保持。

接著，藉由對向構件昇降機構62使對向構件保持部61朝下方移動。藉此，頂板5自第1位置向下朝第2位置移動，如圖2所示，頂板5被基板保持部31所保持(步驟S12)。此外，如圖2及圖3所示，於頂板5與對向構件保持部61之間形成有迷宮57。 然後，自氣體供給部73且經由處理液噴嘴71開始朝噴嘴間隙56及處理空間90供給惰性氣體(即處理環境用氣體)。此外，自氣體供給部73且經由氣體供給道58(參照圖3)，開始朝迷宮57供給惰性氣體(即密封氣體)。

接著，藉由圖2所示之基板旋轉機構33，開始基板保持部31、基板9及頂板5之旋轉(步驟S13)。來自處理液噴嘴71之惰性氣體之供給、及朝迷宮57之惰性氣體之供給，於步驟S13以後仍繼續進行。然後，自處理液供給部72朝處理液噴嘴71供給第1處理液，且經由位於第2位置之頂板5之對向構件開口54，供給於旋轉中之基板9之上面91之中央部(步驟S14)。

自處理液噴嘴71供給於基板9之中央部之第1處理液，藉由基板9之旋轉，自基板9之中央部朝徑向外側擴散，被賦予至基板9之上面91整體。第1處理液自基板9之外緣朝徑向外側飛散，且藉由杯部4之第1防護罩41所接取。圖2所示之第1防護罩41之上下方向之位置，係接取來自基板9之處理液之位置，以下之說明中稱為「取液位置」。藉由對基板9賦予第1處理液達規定時間後，結束藉由第1處理液之對基板9之處理。

第1處理液例如為聚合物除去液或蝕刻液等之藥液，於步驟S14中，進行對基板9之藥液處理。再者，第1處理液之供給(步驟S14)，也可在基板9之旋轉開始(步驟S13)前進行。該情況下，第1處理液會在靜止狀態之基板9之整個上面91覆液(盛液)，而進行第1處理液之覆液處理。

若藉由第1處理液進行之基板9之處理結束，停止來自處理液噴嘴71之第1處理液之供給。然後，藉由防護罩移動 機構43使第1防護罩41朝下方移動，且如圖8所示，位於較上述之取液位置靠下方之待避位置。藉此，接取來自基板9之處理液之防護罩，自第1防護罩41被切換成第2防護罩42。亦即，防護罩移動機構43係一防護罩切換機構，該防護罩切換機構，係藉由使第1防護罩41在取液位置與待避位置之間朝上下方向移動，在第1防護罩41與第2防護罩42之間對接取來自基板9之處理液之防護罩進行切換。

接著，自處理液供給部72朝處理液噴嘴71供給第2處理液，且經由位於第2位置之頂板5之對向構件開口54，供給於旋轉中之基板9之上面91之中央部(步驟S15)。自處理液噴嘴71供給於基板9之中央部之第2處理液，藉由基板9之旋轉，自基板9之中央部朝徑向外側擴散，被賦予於基板9之整個上面91。第2處理液自基板9之外緣朝徑向外側飛散，且藉由杯部4之第2防護罩42所接取。藉由對基板9賦予規定時間第2處理液後，結束藉由第2處理液進行之基板9之處理。第2處理液例如為純水或碳酸水等之洗淨液，於步驟S15中，對基板9進行洗淨處理。

若藉由第2處理液進行之基板9之處理結束，則停止來自處理液噴嘴71之第2處理液之供給。然後，增大藉由氣體供給部73自處理液噴嘴71之側面朝噴嘴間隙56噴射之惰性氣體之流量。此外，還增大自處理液噴嘴71之下端面朝處理空間90噴射之惰性氣體之流量。並且，增大基板9之藉由基板旋轉機構33旋轉之旋轉速度。藉此，使殘留於基板9之上面91上之第2處理液等朝徑向外側移動，且自基板9之外緣朝徑向外側飛散，然後由杯部4之第2防護罩42接取。藉由繼續使基板9旋轉規定時間， 進行自基板9之上面91上除去處理液之乾燥處理(步驟S16)。

結束了基板9之乾燥處理後，停止基板旋轉機構33進行之基板保持部31、基板9及頂板5之旋轉(步驟S17)。此外，停止自氣體供給部73朝噴嘴間隙56、處理空間90及迷宮57之惰性氣體之供給。接著，藉由對向構件昇降機構62使對向構件保持部61朝上方移動，使頂板5自第2位置向上朝圖1所示之第1位置移動(步驟S18)。頂板5朝上方自基板保持部31分離且藉由對向構件保持部61所保持。然後，自殼體11中搬出基板9(步驟S19)。於基板處理裝置1中，對複數之基板9依序進行上述之步驟S11~S19，而依序對複數之基板9進行處理。

如以上說明，於基板處理裝置1中，頂板5在第1位置藉由對向構件保持部61所保持，並自基板保持部31朝上方分離。此外，頂板5在較第1位置靠下方之第2位置藉由基板保持部31所保持，且藉由基板旋轉機構33而與基板9及基板保持部31一同旋轉。氣體供給部73朝頂板5與基板9之間的處理空間90供給處理環境用氣體。藉此，使處理空間90成為所期望之氣體環境，從而可於該氣體環境下進行基板9之處理。例如，於朝處理空間90供給惰性氣體之情況下，可於惰性氣體環境(亦即，低氧環境)下對基板9進行處理。

於基板處理裝置1中，如上述，藉由使基板9及頂板5以中心軸J1為中心進行旋轉，處理空間90內之基板9之中央部上方之區域(以下，稱為「中央區域」)之壓力，變得較周圍之壓力低。藉此，在該中央區域之上方連接於處理空間90之噴嘴間隙56內之氣體，被朝處理空間90吸引。

噴嘴間隙56係在其上端與處理空間90及噴嘴間隙56以外之外部的空間(以下，稱為「外部空間」)連接。因此，假定不設置上述之迷宮57，因在處理空間之中央區域產生之負壓，該外部空間之環境氣體，可能自噴嘴間隙之上端侵入，且還可能經由噴嘴間隙侵入處理空間內。

相對於此，於基板處理裝置1中，如圖2所示，於噴嘴間隙56之上方且處理液噴嘴71之周圍設置有迷宮57。並且，藉由朝迷宮57供給密封氣體，自外部空間(具體而言，迷宮57之徑向外側之空間)將噴嘴間隙56密封。其結果，可抑制外部空間之環境氣體經由噴嘴間隙56朝處理空間90之侵入。

此外，於基板處理裝置1中，於頂板5之對向構件凸緣部522之上面設置有第1凹凸部55，且於對向構件移動機構6之保持部本體611之下面設置有第2凹凸部615。並且，僅於頂板5位於第2位置之狀態下(亦即，形成有進行基板9之處理之處理空間90之狀態下)，藉由於第1凹凸部55及第2凹凸部615之一凹部內隔著間隙配置有另一凸部而形成迷宮57。藉此，相較於與頂板之上下方向之位置無關而常設有迷宮之構造之基板處理裝置，可實現基板處理裝置1之扁平化(亦即，上下方向之小型化)。

於基板處理裝置1中，藉由氣體供給部73自處理液噴嘴71之側面朝斜下方對噴嘴間隙56噴射處理環境用氣體。因此，該處理環境用氣體在噴嘴間隙56內朝下方流動，噴嘴間隙56之壓力變得較外部空間之壓力低(亦即，產生有負壓)。因此，假定不設置上述迷宮57，則該外部空間之環境氣體，可能自噴嘴間隙之上端侵入，且還可能經由噴嘴間隙侵入處理空間。如上述，於基板 處理裝置1中，供給有密封氣體之迷宮57，係於噴嘴間隙56之上方被設置於處理液噴嘴71之周圍，藉由迷宮57自外部空間將噴嘴間隙56密封。其結果，即使於自處理液噴嘴71之側面朝斜下方噴射處理環境用氣體之情況，仍可抑制外部空間之環境氣體經由噴嘴間隙56朝處理空間90之侵入。

於形成迷宮57之第1凹凸部55中，複數之凹部中的最靠徑向內側之凹部551，係設置於對向構件筒部521之上部，且上下方向之大小係較第1凹凸部55之其他凹部大。藉此，可進一步抑制外部空間之環境氣體之朝較迷宮57之徑向內端靠徑向內側之侵入。其結果，可進一步抑制外部空間之環境氣體經由噴嘴間隙56朝處理空間90之侵入。

於對向構件移動機構6中，對向構件保持部61之保持部本體611，具備在迷宮57之徑向內端與徑向外端之間朝迷宮57噴射密封氣體之圓周狀噴射口(圖4所示之例子中，複數之氣體噴射口585)。因此，自氣體供給部73供給於迷宮57之密封氣體，於迷宮57內朝徑向外側及徑向內側擴散。如此，藉由於迷宮57內形成朝徑向外側之密封氣體之氣流，可抑制外部空間之環境氣體侵入迷宮57內。此外，藉由於迷宮57內形成朝徑向內側之密封氣體之氣流，可減低因基板9之旋轉或自處理液噴嘴71朝噴嘴間隙56之處理環境用氣體之噴射而產生之負壓。其結果，可進一步抑制外部空間之環境氣體侵入迷宮57內。

於基板處理裝置1中，於上述圓周狀噴射口與密封氣體之供給源即氣體供給部73之間設置有暫時貯留密封氣體之環狀之第1歧管582。藉此，可提高自圓周狀噴射口噴射之密封氣體 之流量之在圓周方向之均勻性。此外，藉由也設置與第1歧管582相同之第2歧管584，可進一步提高自圓周狀噴射口噴射之密封氣體之流量之在圓周方向之均勻性。

其次，對其他較佳之迷宮之例子進行說明。圖9及圖10分別與圖3相同，為放大顯示頂板5及對向構件移動機構6之一部分之剖視圖。於圖9所示之迷宮57a中，與複數之氣體噴射口585(亦即，圓周狀噴射口)對向之面553，係隨著朝向徑向外側而朝下方之傾斜面。詳細而言，頂板5之第1凹凸部55中的、位於複數之氣體噴射口585之下方之一個環狀之凸部552之徑向外側之側面553，係隨著朝向徑向外側而朝下方之傾斜面。

藉此，可容易沿傾斜面即側面553朝徑向外側導引自複數之氣體噴射口585朝迷宮57a內噴射之密封氣體。其結果，可進一步抑制外部空間之環境氣體侵入迷宮57a內。此外，由於自各氣體噴射口585朝側面553噴射之密封氣體係朝圓周方向擴散，因此對迷宮57a之複數之氣體噴射口585之間的區域也可大致均勻地供給密封氣體。其結果，可於迷宮57a中，提高密封氣體之壓力之在圓周方向之均勻性。並且，還可進一步提高迷宮57a中之密封氣體之流量之在圓周方向之均勻性。

於圖10所示之例子中，對向構件保持部61之保持部本體611，具備在迷宮57b之徑向外端部(亦即，上述外部空間側之端部)吸引迷宮57b內之氣體之複數之氣體吸引口591。複數之氣體吸引口591，係於第2凹凸部615之徑向外端部之一個凹部之上面(亦即，凹部之底面)，以大致等角度間隔被配置於圓周方向。複數之氣體吸引口591，經由形成於對向構件保持部61之內部之吸引 道592，被連接於省略圖示之吸引部。複數之氣體吸引口591，係於迷宮57b之徑向外端部，以中心軸J1為中心被配置成圓周狀之圓周狀吸引口。藉由驅動該吸引部，經由該圓周狀吸引口吸引迷宮57b內之氣體。

藉此，於迷宮57b中，可抑制外部空間之環境氣體之朝較複數之氣體吸引口591靠徑向內側之侵入。此外，可更容易地朝徑向外側導引自複數之氣體噴射口585朝迷宮57b內供給之密封氣體。其結果，可進一步抑制外部空間之環境氣體侵入迷宮57b內。於迷宮57b中，也可取代複數之氣體吸引口591，設置以中心軸J1為中心之大致圓環狀之一個吸引口來作為圓周狀吸引口。設置於迷宮57b之圓周狀吸引口，也可設置於圖9所示之迷宮57a。

其次，對基板處理裝置1之其他較佳例進行說明。圖11為放大顯示基板處理裝置1之頂板5及對向構件移動機構6之一部分之剖視圖，且與上述圖3對應。圖11所示之基板處理裝置1，除了上述基板處理裝置1之各構成外，還具備第1壓力測量部751及第2壓力測量部752。第1壓力測量部751係測量迷宮57之壓力。第1壓力測量部751例如為安裝於對向構件保持部61之保持部本體611之上側之壓力計。第2壓力測量部752係測量外部空間(亦即，噴嘴間隙56及頂板5與基板9之間的空間即處理空間90以外之外部空間)之壓力。第2壓力測量部752例如為安裝於對向構件保持部61之支撐部連接部614之徑向外側之壓力計。

圖12為顯示與圖11所示之基板處理裝置1之氣體及處理液之供給相關之氣液供給部7之方塊圖。氣液供給部7具備處理液噴嘴71、處理液供給部72、氣體供給部73、及密封氣體流 量控制部74。處理液供給部72係連接於處理液噴嘴71。氣體供給部73係連接於處理液噴嘴71，且朝處理液噴嘴71供給氣體。氣體供給部73並且還與設置在對向構件保持部61之氣體供給道58之第1流道581連接，且經由氣體供給道58朝迷宮57供給氣體。

密封氣體流量控制部74，係設置於氣體供給部73與迷宮57之間，且基於迷宮57之壓力與上述外部空間之壓力之相對關係，控制供給於迷宮57之氣體之流量。密封氣體流量控制部74，例如藉由調節設置於連接氣體供給部73與迷宮57之氣體供給道58上之閥之開度，控制供給於迷宮57之密封氣體之流量。迷宮57之壓力與上述外部空間之壓力之相對關係，係基於第1壓力測量部751及第2壓力測量部752之輸出而取得。作為該相對關係，例如取得自第1壓力測量部751輸出之迷宮57之壓力與自第2壓力測量部752輸出之外部空間之壓力之差。

圖11所示之基板處理裝置1之基板9之處理流程，係與上述圖7所例示者大致相同。如上述，於圖7所例示之基板9之處理中，於步驟S15之對基板9之洗淨處理與步驟S16之乾燥處理之間(亦即，對基板9之處理之種類自洗淨處理變化為乾燥處理時)，增大自處理液噴嘴71之側面朝噴嘴間隙56噴射之處理環境用氣體之流量。藉此，噴嘴間隙56之壓力進一步降低(亦即，噴嘴間隙56之負壓增大)。此外，於步驟S15與步驟S16之間，增大基板9及頂板5之藉由基板旋轉機構33旋轉之旋轉速度。藉此，處理空間90之中央區域之壓力進一步降低(亦即，產生於處理空間90之中央區域之負壓增大)。

如此，於步驟S15與步驟S16之間，藉由處理環境 用氣體之流量增大及基板9之旋轉速度之增大，產生噴嘴間隙56之壓力變動，藉由該壓力變動，迷宮57之壓力與上述外部空間之壓力之相對關係發生變動。具體而言，外部空間與噴嘴間隙56之壓力差變大，外部空間之環境氣體變得容易經由迷宮57侵入噴嘴間隙56。

因此，於圖11所示之基板處理裝置1中，例如，於迷宮57之壓力變得較外部空間之壓力低規定之壓力差以上之情況下，藉由密封氣體流量控制部74，增大供給於迷宮57之密封氣體之流量，提高迷宮57中之密封之強度。如此，藉由密封氣體流量控制部74，且基於迷宮57之壓力與外部空間之壓力之相對關係來控制供給於迷宮57之密封氣體之流量，可適宜地抑制外部空間之環境氣體侵入迷宮57內。其結果，可適宜地抑制環境氣體自外部空間朝處理空間90內之侵入。

此外，於基板處理裝置1中，如上述，迷宮57之壓力與外部空間之壓力之相對關係，係基於第1壓力測量部751及第2壓力測量部752之輸出而取得。藉此，由於可精度良好地取得該相對關係，因此可藉由密封氣體流量控制部74精度良好地進行基於該相對關係之密封氣體之流量控制。其結果，可更適地抑制環境氣體自外部空間朝處理空間90內之侵入。

於基板處理裝置1中，迷宮57之壓力與外部空間之壓力之相對關係，不必一定要基於第1壓力測量部751及第2壓力測量部752之輸出而取得。例如，該相對關係也可基於朝噴嘴間隙56噴射之處理環境用氣體之流量而取得。具體而言，於朝噴嘴間隙56噴射之處理環境用氣體之流量為規定之流量以上之情況下，也可 判斷為迷宮57之壓力變得較外部空間之壓力低規定之壓力差以上。該情況下，密封氣體流量控制部74，在朝噴嘴間隙56噴射之處理環境用氣體之流量變動時，基於因該處理環境用氣體之流量變動而產生之噴嘴間隙56之壓力變動，控制供給於迷宮57之密封氣體之流量。藉此，可適宜地抑制環境氣體自外部空間朝處理空間90內之侵入。

此外，例如，上述相對關係也可基於基板9之旋轉速度來取得。具體而言，於基板9之旋轉速度為規定之旋轉速度以上之情況下，也可判斷為迷宮57之壓力變得較外部空間之壓力低規定之壓力差以上。該情況下，密封氣體流量控制部74，在基板9之藉由基板旋轉機構33旋轉之旋轉速度變動時，基於因該旋轉速度之變動而產生之噴嘴間隙56之壓力變動，控制供給於迷宮57之密封氣體之流量。藉此，可適宜地抑制環境氣體自外部空間朝處理空間90內之侵入。

並且，例如，上述相對關係也可基於對基板9之處理之種類而取得。具體而言，於進行對基板9之乾燥處理之情況下，也可判斷為迷宮57之壓力變得較外部空間之壓力低規定之壓力差以上。該情況下，密封氣體流量控制部74，在對基板9之處理之種類變動時，基於因由該處理種類之變動而產生之噴嘴間隙56之壓力變動，控制供給於迷宮57之密封氣體之流量。藉此，可適宜地抑制環境氣體自外部空間朝處理空間90內之侵入。

換言之，於基板處理裝置1中，也可基於朝噴嘴間隙56噴射之處理環境用氣體之流量變動、基板9之藉由基板旋轉機構33旋轉之旋轉速度之變動、及對基板9之處理之種類變化中 的、任一個或2個以上之變動(或變化)，藉由密封氣體流量控制部74進行密封氣體之流量控制。該情況下，也可省略第1壓力測量部751及第2壓力測量部752，也可組合使用基於來自第1壓力測量部751及第2壓力測量部752之輸出之密封氣體之流量控制。

如圖13及圖14所示，上述第1壓力測量部751、第2壓力測量部752及密封氣體流量控制部74(參照圖12)，也可設置於圖9及圖10所示之迷宮57a、57b。

上述之基板處理裝置1，係可進行各種各樣之變更。

例如，於自複數之氣體噴射口585噴射之密封氣體之流量在圓周方向上大致均勻之情況下，也可省略第1歧管582及第2歧管584之任一者或兩者。

圖3所示之朝迷宮57之密封氣體之供給，不必一定要自設置於對向構件保持部61之保持部本體611之複數氣體噴射口585(亦即，圓周狀噴射口)進行。例如，也可自設置於保持部本體611之非圓周狀之噴射口，進行朝移迷宮57之密封氣體之供給。或者，也可自設置於較迷宮57靠徑向內側之噴射口(例如，於處理液噴嘴71之側面被配置在與迷宮57上下方向大致相同之位置之噴射口)朝迷宮57之徑向內端噴射密封氣體。於圖9及圖10所示之迷宮57a、57b中也同樣。

圖10所示之迷宮57b之徑向外端部之氣體之吸引，不必一定要自設置於對向構件保持部61之保持部本體611之圓周狀吸引口進行。例如，也可在迷宮57b之徑向外端部自被設置於保持部本體611之非圓周狀之吸引口進行周圍之氣體之吸引。

於圖1所示之基板處理裝置1中，也可進行來自處 理液噴嘴71之側面之處理環境用氣體之噴射。

迷宮57不必一定要由對向構件凸緣部522之第1凹凸部55及對向構件保持部61之第2凹凸部615形成。迷宮57之形狀及配置，也可進行各種之變更。此外，迷宮57不必一定要僅於頂板5位於第2位置之狀態下被形成，也可設置為與頂板5之位置無關。頂板5不必一定要被保持於基板保持部31且藉由基板旋轉機構33而與基板9一同旋轉，也可藉由自基板旋轉機構33獨立之其他旋轉機構而進行旋轉。此外，頂板5也可不旋轉。

上述實施形態及各變形例之構成，只要不相互矛盾，即可適宜地組合。

對發明詳細地進行了描述及說明，但已述之說明僅為例示而已並不局限於此。因此，只要不超出本發明之範疇，即可實施多數之變形或形態。

5‧‧‧頂板

6‧‧‧對向構件移動機構

55‧‧‧第1凹凸部

56‧‧‧噴嘴間隙

57‧‧‧迷宮

58‧‧‧氣體供給道

71‧‧‧處理液噴嘴

90‧‧‧處理空間

522‧‧‧對向構件凸緣部

581‧‧‧第1流道

582‧‧‧第1歧管

583‧‧‧第2流道

584‧‧‧第2歧管

585‧‧‧氣體噴射口

611‧‧‧保持部本體

612‧‧‧本體支撐部

615‧‧‧第2凹凸部

J1‧‧‧中心軸

Claims (19)

1. 一種基板處理裝置，係處理基板者；其包含：基板保持部，其以水平狀態保持基板；對向構件，其與上述基板之上面對向，並於中央部設置有對向構件開口；對向構件移動機構，其保持上述對向構件，使上述對向構件在上下方向之第1位置與較上述第1位置靠下方之第2位置之間相對於上述基板保持部相對地移動；基板旋轉機構，其使上述基板以朝向上述上下方向之中心軸為中心，與上述基板保持部一同旋轉；處理液噴嘴，其經由上述對向構件開口朝上述基板之上述上面供給處理液；及氣體供給部，其朝上述對向構件與上述基板之間的空間供給處理環境用氣體；其中，上述對向構件具備：對向構件本體，其與上述基板之上述上面對向，並於中央部設置上述對向構件開口；筒狀之對向構件筒部，其自上述對向構件本體之上述對向構件開口之周圍朝上方突出並供上述處理液噴嘴插入；對向構件凸緣部，其自上述對向構件筒部之上端部朝徑向外側呈環狀擴張並被保持於上述對向構件移動機構；及第1凹凸部，其於上述對向構件凸緣部之上面呈同心圓狀交互地配置凹部及凸部；上述對向構件移動機構具備： 保持部下部，其於上述上下方向與上述對向構件凸緣部之下面對向；保持部上部，其於上述上下方向與上述對向構件凸緣部之上述上面對向；及第2凹凸部，其於上述保持部上部之下面呈同心圓狀交互地配置凹部及凸部；於上述對向構件位於上述第1位置之狀態下，上述保持部下部自下側支撐上述對向構件凸緣部，藉此，上述對向構件藉由上述對向構件移動機構所保持並自上述基板保持部朝上方分離，於上述對向構件位於上述第2位置之狀態下，上述對向構件自上述對向構件移動機構分離，並藉由上述基板保持部所保持，變得可藉由上述基板旋轉機構而與上述基板保持部一同旋轉，並且藉由在上述第1凹凸部及上述第2凹凸部之一凹部內隔著間隙配置另一凸部而形成迷宮，藉由朝上述迷宮供給密封氣體，自上述迷宮之徑向外側之空間將上述處理液噴嘴與上述對向構件筒部之間的空間即噴嘴間隙予以密封。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述保持部上部係具備圓周狀噴射口，其於上述迷宮之徑向內端與徑向外端之間朝上述迷宮噴射上述密封氣體。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，進一步具備環狀之歧管，其於上述密封氣體之供給源即密封氣體供給部與上述圓周狀噴射口之間暫時貯留來自上述密封氣體供給部之上述密封氣體。
4. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述迷宮中與上述圓周狀噴射口對向之面，係隨著朝向徑向外側而朝向下方之傾斜面。
5. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述迷宮中與上述圓周狀噴射口對向之面，係隨著朝向徑向外側而朝向下方之傾斜面。
6. 如請求項1至5中任一項之基板處理裝置，其中，上述第1凹凸部具備複數之凹部，上述複數之凹部中的最靠近徑向內側之凹部，係設置於上述對向構件筒部之上部，在上述上下方向之大小係較其他之凹部大。
7. 如請求項1至5中任一項之基板處理裝置，其中，上述保持部上部具備圓周狀吸引口，其於上述迷宮之徑向外端部吸引上述迷宮內之氣體。
8. 如請求項1至5中任一項之基板處理裝置，其中，藉由上述氣體供給部，自上述處理液噴嘴之側面朝斜下方對上述噴嘴間隙噴射上述處理環境用氣體。
9. 一種基板處理裝置，係處理基板者；其包含：基板保持部，其以水平狀態保持基板；基板旋轉機構，其使上述基板以朝向上下方向之中心軸為中心，與上述基板保持部一同旋轉；對向構件，其具有與上述基板之上面對向並於中央部設置有對向構件開口之對向構件本體、及自上述對向構件本體之上述對向構件開口之周圍朝上方突出之筒狀之對向構件筒部；處理液噴嘴，其被插入上述對向構件筒部，經由上述對向構件開口朝上述基板之上述上面供給處理液；氣體供給部，其朝上述對向構件與上述基板之間的空間供給處理環境用氣體；迷宮，其連接於上述處理液噴嘴與上述對向構件筒部之間的空間 即噴嘴間隙，藉由供給密封氣體，自外部空間將上述噴嘴間隙予以密封；及密封氣體流量控制部，其基於上述迷宮之壓力與上述外部空間之壓力的相對關係，控制供給於上述迷宮之上述密封氣體之流量。
10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述相對關係係隨上述噴嘴間隙之壓力變動而變動。
11. 如請求項10之基板處理裝置，其中，藉由上述氣體供給部，自上述處理液噴嘴之側面朝斜下方對上述噴嘴間隙噴射上述處理環境用氣體，於朝上述噴嘴間隙噴射之上述處理環境用氣體之流量變動時，係基於藉由上述處理環境用氣體之流量變動而產生之上述噴嘴間隙之上述壓力變動。
12. 如請求項11之基板處理裝置，其中，於上述基板之藉由上述基板旋轉機構旋轉之旋轉速度變動時，上述密封氣體流量控制部係基於因上述旋轉速度之變動而產生之上述噴嘴間隙之上述壓力變動，對上述密封氣體之流量進行控制。
13. 如請求項12之基板處理裝置，其中，於對上述基板之處理之種類變化時，上述密封氣體流量控制部係基於因上述處理之種類變化而產生之上述噴嘴間隙之上述壓力變動，對上述密封氣體之流量進行控制。
14. 如請求項10之基板處理裝置，其中，於上述基板之藉由上述基板旋轉機構旋轉之旋轉速度變動時，上述密封氣體流量控制部係基於因上述旋轉速度之變動而產生之上述噴嘴間隙之上述壓力變動，對上述密封氣體之流量進行控制。
15. 如請求項14之基板處理裝置，其中，於對上述基板之處理之種類變化時，上述密封氣體流量控制部係基於因上述處理之種類變化而產生之上述噴嘴間隙之上述壓力變動，對上述密封氣體之流量進行控制。
16. 如請求項10之基板處理裝置，其中，於對上述基板之處理之種類變化時，上述密封氣體流量控制部係基於因上述處理之種類變化而產生之上述噴嘴間隙之上述壓力變動，對上述密封氣體之流量進行控制。
17. 如請求項9至16中任一項之基板處理裝置，其中，進一步具備：第1壓力測量部，其測量上述迷宮之壓力；及第2壓力測量部，其測量上述外部空間之壓力；基於上述第1壓力測量部及上述第2壓力測量部之輸出，取得上述相對關係。
18. 如請求項9至16中任一項之基板處理裝置，其中，於上述迷宮之上述外部空間側之端部吸引上述迷宮內之氣體。
19. 如請求項9至16中任一項之基板處理裝置，其中，進一步具備對向構件移動機構，其保持上述對向構件，使上述對向構件在上下方向之第1位置與較上述第1位置靠下方之第2位置之間相對於上述基板保持部相對地移動；上述對向構件更具備：對向構件凸緣部，其自上述對向構件筒部之上端部朝徑向外側呈環狀擴張，並被保持於上述對向構件移動機構；及第1凹凸部，其於上述對向構件凸緣部之上面呈同心圓狀交互地 配置凹部及凸部；上述對向構件移動機構具備：保持部下部，其於上述上下方向與上述對向構件凸緣部之下面對向；保持部上部，其於上述上下方向與上述對向構件凸緣部之上述上面對向；及第2凹凸部，其於上述保持部上部之下面呈同心圓狀交互地配置凹部及凸部；於上述對向構件位於上述第1位置之狀態下，上述保持部下部自下側支撐上述對向構件凸緣部，藉此，上述對向構件藉由上述對向構件移動機構所保持並自上述基板保持部朝上方分離，於上述對向構件位於上述第2位置之狀態下，上述對向構件自上述對向構件移動機構分離，並藉由上述基板保持部所保持，變得可藉由上述基板旋轉機構而與上述基板保持部一同旋轉，並且藉由在上述第1凹凸部及上述第2凹凸部之一凹部內隔著間隙配置另一凸部而形成上述迷宮。