JP4054248B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4054248B2 JP4054248B2 JP2002333632A JP2002333632A JP4054248B2 JP 4054248 B2 JP4054248 B2 JP 4054248B2 JP 2002333632 A JP2002333632 A JP 2002333632A JP 2002333632 A JP2002333632 A JP 2002333632A JP 4054248 B2 JP4054248 B2 JP 4054248B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- process gas
- motor shaft
- processing apparatus
- motor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、「基板」と称する)に対して所定の処理を行う基板処理装置に関するもので、特に、基板上方に配置される雰囲気遮断板を回転させる回転駆動機構の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板の製造工程において、洗浄処理は、基板表面を清浄に保ち、また、パーティクルや金属汚染を効果的に除去する技術として重要である。このような洗浄処理の一方式として、基板上方に雰囲気遮断板を配置し、基板の上方および下方から基板に向けて処理液を吐出して洗浄を行う洗浄方式が知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−093891号公報
【0004】
図7は、スピンベース510に保持された基板Wの上方に、基板Wと対向するように雰囲気遮断板を配置した枚葉式洗浄装置500の構成の一例を示す図である。図7に示すように、基板洗浄装置500は、主として雰囲気遮断板530と、略鉛直方向の回転軸を中心として雰囲気遮断板530を回転させるベルト駆動機構541と、スピンベース510と、略鉛直方向の回転軸を中心としてスピンベース510を回転させるベルト駆動機構521とから構成されている。
【0005】
雰囲気遮断板530は、基板W付近の雰囲気を周囲雰囲気から遮断するのに使用される部材である。
【0006】
雰囲気遮断板530の中心部上面側には、回転軸535が垂設されている。回転軸535は中空の円筒状部材であり、その内側の中空部分には配管537を介して処理液供給源538と連通接続された上側処理液ノズル536が挿設されている。また、気体供給路545は、回転軸535の内周面と上側処理液ノズル536の外周面とに囲まれた空間である。図7に示すように、気体供給路545は、配管546を介してプロセスガスを供給するガス供給源547と連通接続されている。したがって、基板Wの上方から基板Wの上面に向かって、プロセスガスや処理液を吐出することができる。
【0007】
回転軸535の上端付近は、ベルト駆動機構541を介してモータ542と連動連結されている。図7に示すように、回転軸535の外周に固設された従動プーリ541aとモータ542の回転軸に連結された主動プーリ541bとの間にベルト541cが巻き掛けられている。したがって、モータ542が駆動すると、その駆動力はベルト駆動機構541を介して回転軸535に伝達され、回転軸535とともに雰囲気遮断板530が水平面内にて鉛直方向に沿った軸J5を中心として回転される。
【0008】
スピンベース510は、中心部に開口を有する円盤状の部材であって、その上面にはそれぞれが円形の基板Wの周縁部を把持する複数のチャックピン514が立設されている。
【0009】
スピンベース510の中心部下面側には回転軸511が垂設されている。回転軸511は回転軸535と同様の中空の円筒状部材であり、その内側の中空部分に挿設された下側処理液ノズル515と、気体供給路519とが設けられている。そのため、基板W下方から基板の下面に向けて、それぞれ、処理液およびプロセスガスを供給することができる。
【0010】
また、回転軸511の下端付近は、ベルト駆動機構521を介してモータ520と連動連結されている。そのため、スピンベース510のチャックピン514に把持された基板Wは、雰囲気遮断板530と同様に、水平面内にて鉛直方向に沿った軸J5を中心として回転される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、基板洗浄装置500では、ベルト541cによってモータ542の駆動力を回転軸535に伝達することにより、雰囲気遮断板530を軸J5を中心とした水平面内で回転させている。しかし、基板処理装置500のようにベルト駆動機構541によって回転軸535を回転させる際、ベルト541cで発生した振動が回転軸535を介して雰囲気遮断板530に伝達される。これにより、雰囲気遮断板530が振動して基板Wと雰囲気遮断板530とが衝突する場合があるため、基板Wと雰囲気遮断板530との距離を少なくとも0.5mm以上とする必要があった。その結果、雰囲気遮断板530を基板Wに近接させてチャンバ2内の雰囲気と遮断し基板W付近を雰囲気をプロセスガスと置換する際に、多くのプロセスガスを必要とし、基板W付近を効率的にプロセスガス雰囲気とすることができなかった。
【0012】
また、ベルト541cを使用して回転軸535を介して雰囲気遮断板530を回転させる場合、当該ベルト541cの磨耗によってパーティクルが発生する。そして、ベルト駆動機構541の密閉度が低い場合、ベルト駆動機構541からパーティクルが飛散して基板Wに付着していまい、基板不良の原因となっていた。
【0013】
さらに、回転軸535内に配設された上側処理液ノズル536および気体供給路545から基板Wに向けて吐出される処理液およびプロセスガスの吐出方向を調整する場合や、基板Wと雰囲気遮断板530との平行度や回転中心等の位置調整の場合、回転軸535とベルト541cとモータ542とをそれぞれ調整しなければならず調整作業が非効率的だった。
【0014】
そして、以上の問題点は、基板洗浄装置に限られず、雰囲気遮蔽板を使用する基板処理全般においても同様に問題となる。
【0015】
そこで、本発明では、基板の上方に配置された遮蔽板を回転させて基板処理を行う基板処理装置において、回転による遮断板の振動を低減するこができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、請求項1に記載の発明は、基板を回転させつつ所定の処理を施す基板処理装置であって、前記基板を略水平姿勢にて保持しつつ、前記基板を略鉛直方向に沿った第1の回転軸を中心として回転させる保持手段と、前記保持手段よりも上方に配置され、前記保持手段によって保持された基板の上面に対向する雰囲気遮断板と、前記雰囲気遮断板の上方に配置され、前記雰囲気遮断板と接続された第1のモータ軸を第2の回転軸として前記雰囲気遮断板を回転させる第1のモータと、プロセスガスを、前記第1のモータ軸の周壁の下部付近に設けられたハウジング側プロセスガス導入管と、前記雰囲気遮断板の内部に設けられたモータ軸側プロセスガス導入管と、を介して前記基板の上方から前記基板の周縁部に向けて吐出する第1のプロセスガス吐出手段と、前記第1のモータ軸と前記第1のモータと、の間のモータ軸隙間部に設けられ、前記ハウジング側プロセスガス導入管と接する第1のシール機構と、を備え、前記第1のシール機構は、前記モータ軸隙間部と連通接続され、前記モータ軸隙間部にシールガスを供給する第2のシールガス供給手段、を有し、前記第1のモータの駆動力は、前記第1のモータ軸に直接伝達されることを特徴とする。
【0017】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第1のモータ軸に挿入して設けられたプロセスガス流路を介して前記第1のモータ軸の下部付近から前記保持手段に保持された基板に向けてプロセスガスを吐出する第2のプロセスガス吐出手段と、前記第1のモータ軸に挿入して設けられた処理液流路を介して前記第1のモータ軸の下部付近から前記保持手段に保持された基板に向けて処理液を吐出する第1の処理液吐出手段と、をさらに備えることを特徴とする。
【0018】
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の基板処理装置であって、前記プロセスガス流路と前記第1のモータとの間のリング隙間部に配置された第2のシール機構、をさらに備えることを特徴とする。
【0019】
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の基板処理装置であって、前記第2のシール機構は、前記リング隙間部の一端と連通接続され、前記リング隙間部にシールガスを供給する第2のシールガス供給手段と、前記リング隙間部の他端と連通接続され、前記リング隙間部を排気する第1の排気手段と、を有することを特徴とする。
【0020】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の基板処理装置であって、前記リング隙間部は、ラビリンス構造を有することを特徴とする。
【0022】
請求項6に記載の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記モータ軸隙間部は、前記第1のモータ軸の下部と前記第1のモータを含むハウジングの下部との間に設けられていることを特徴とする。
【0023】
請求項7に記載の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第1のシール機構は、前記モータ軸隙間部と連通接続され、前記モータ軸隙間部内を排気する第2の排気手段を有することを特徴とする。
【0024】
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の基板処理装置であって、前記モータ軸隙間部は、ラビリンス構造を有することを特徴とする。
【0025】
請求項9に記載の発明は、請求項6ないし請求項8のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記モータ軸隙間部は、耐処理液加工されていることを特徴とする。
【0026】
請求項10に記載の発明は、請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記保持手段は、前記基板の保持位置より下方に配置された第2のモータを有しており、前記基板は、前記第2のモータに挿入して設けられた第2のモータ軸を中心として回転させられることを特徴とする。
【0027】
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の基板処理装置であって、前記第2のモータ軸に挿入して設けられ、前記保持手段に保持された基板の下方からプロセスガスを吐出する第3のプロセスガス吐出手段と、前記第2のモータ軸に挿入して設けられ、前記保持手段に保持された基板の下方から処理液を吐出する第2の処理液吐出手段と、をさらに備えることを特徴とする。
【0028】
請求項12に記載の発明は、請求項1ないし請求項11のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記雰囲気遮断板と、前記保持手段に保持された基板との距離は0.5mm以下であることを特徴とする。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0030】
<1.基板処理装置の構成>
図1は、本発明の実施の形態における基板処理装置1の全体構成を模式的に示す正面図である。また、図2は、基板処理装置1の回転駆動機構100上部付近の断面を模式的に示す図である。また、図3は、基板処理装置1の回転駆動機構100下部付近の断面を模式的に示す図である。なお、図1および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため、必要に応じてZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平平面とするXYZ直交座標系を付している。
【0031】
本発明の基板処理装置1は、基板1枚に対して基板処理を行う枚葉式の基板処理装置であり、スピンベース30に保持された基板Wに向けて、純水や、硝酸水、塩酸水、フッ酸水、混合フッ酸水(過酸化水素水をフッ酸水に混合)等の酸性溶液や、アンモニア水、SC1(アンモニア水と過酸化水素水との混合液)等のアルカリ性溶液等の薬液を供給して洗浄処理を行う装置である(以下、酸性溶液やアルカリ性溶液を総称して「薬液」とも呼ぶ、また、純水や薬液を総称して「処理液」とも呼ぶ)。
【0032】
図1に示すように、基板処理装置1は、主として、略鉛直方向に沿った中心軸を有する円筒状のチャンバ2と、その内部に配置され、基板Wを略水平にて保持するスピンベース30と、スピンベース30を鉛直方向の回転軸を中心として回転させる回転駆動機構300と、洗浄処理中に基板W付近の雰囲気をチャンバ2内の雰囲気から遮断するのに使用される雰囲気遮断板27と、雰囲気遮断板27を鉛直方向の回転軸を中心として回転させる回転駆動機構100と、雰囲気遮断板27およびスピンベース30を取り囲むように配置されるスプラッシュガード3とから構成されている。
【0033】
雰囲気遮断板27は、スピンベース30に保持された基板Wの上面に対向するように略水平姿勢にて設けられた部材である。雰囲気遮断板27は、スピンベース30に保持された基板Wに近接させることにより、基板W付近の雰囲気をチャンバ2内の雰囲気と遮断することができる。また、雰囲気遮断板27を基板Wに近接させつつ、基板W付近の雰囲気をプロセスガス供給源119(図2参照)から供給されるプロセスガスと置換することにより、基板W付近の雰囲気を低酸素濃度雰囲気とすることができる。そのため、振切り乾燥時に発生するウォーターマークを抑制することができる。さらに、雰囲気遮断板27の直径は、基板Wの直径よりも若干大きく、かつ、スプラッシュガード3の上部開口の直径よりも小さくなるように形成されている。これにより、振切り乾燥時にスプラッシュガード3で跳ね返った汚染物質が基板Wに付着するのを防止することができるため、乾燥不良を防止することができる。
【0034】
回転駆動機構100は、主としてモータ101と、モータ101に挿入され、モータ101の駆動軸として機能するモータ軸110とを有している。図1に示すように、回転駆動機構100は、昇降機構33によって鉛直方向に昇降可能に構成されている。
【0035】
モータ軸110は、図1に示すように、雰囲気遮断板27の中心部付近を貫通して雰囲気遮断板27と接続されている。また、モータ軸110は、モータ101内側の上部に配設されたベアリング191と、モータ101内側の下部に配設されたベアリング291とによって軸受けされている。
【0036】
また、モータ101の内側には、図1に示すように、モータ軸110(回転側)に取り付けられたロータ磁界発生部102と、モータ101のカバーの内壁(固定側)に取り付けられたステータ磁界発生部103とが備えられている。ロータ磁界発生部102は、略円筒状の部材であり、その外周部には、コイルが巻かれている。そのため、ロータ磁界発生部102では、当該コイルに電位差を印加することによって電磁気的に磁界を発生することができる。また、ロータ磁界発生部102の中心付近の中空部には、モータ軸110が挿入して設けられている。そのため、ロータ磁界発生部102は、モータ軸110を介してベアリング191およびベアリング291により回転させることができる。ただし、ロータ磁界発生部102で発生させる磁界は、電磁気的なものだけに限られず、アルニコ磁石、フェライト磁石、希土類コバルト磁石およびNd-Fe-B系磁石を使用して作成された永久磁石であってもよい。
【0037】
ステータ磁界発生部103は、複数の円弧状部材によって構成された略円筒部材である。図1に示すように、ステータ磁界発生部103は、その内周面はロータ磁界発生部102の外周面を覆うように形成されており、モータ101の内壁に固定されている。また、ステータ磁界発生部103を構成する各円弧状には、コイルを巻きつけられている。そのため、各円弧状のコイルに、電位差を印加することによって、それぞれ異なった磁界を発生することができる。
【0038】
このように、ステータ磁界発生部103ではそれぞれ別個に磁界を発生することができる。そのため、ロータ磁界発生部102にて磁界を発生させつつステータ磁界発生部103の各円弧状部材で発生させる磁界を制御することによって、昇降機構33とモータ101のカバーとが接続されて固定側を構成することで、ロータ磁界発生部102が回転させられ、モータ軸110を回転させることができる。その結果、モータ軸110に接続されている雰囲気遮断板27は、軸J1を中心として回転させられる。
【0039】
なお、ベアリング191およびベアリング291は、当該ベアリング内にてパーティクルが発生し、そのパーティクルが基板Wに付着して処理不良が発生するのを抑制するため、非接触タイプや非接触タイプのシール付きのものを使用することが好ましい。
【0040】
このように、基板処理装置1は、モータ101の駆動力を、従来の基板処理装置500(図7参照)のようにベルト駆動機構541などの別体の動力伝達機構を介さずに直接駆動力を伝達して雰囲気遮断板27を回転することができる。そのため、本実施の形態の基板処理装置1では、従来の基板処理装置500のように、ベルト541cで発生した振動が回転軸535を介して雰囲気遮断板530に伝達されることがなく、雰囲気遮断板27の振動について考慮する必要がない。その結果、本実施の形態の基板処理装置1では、雰囲気遮断板27と基板Wとの距離を0.5mm以下とすることができるため、基板W付近の雰囲気をプロセスガスと置換する場合、基板W付近を効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【0041】
また、従来の基板処理装置500では、ベルト駆動機構541の密閉度が低い場合、ベルト541cが磨耗して発生したパーティクルがベルト駆動機構541外部に飛散し、当該パーティクルが基板Wに付着して基板不良の原因となっていた。しかし、本実施の形態の基板処理装置1では、ベルト駆動機構を有さず、ベルトの磨耗によって発生するパーティクルの影響を考慮する必要がないため、良好に基板処理を実施することができる。
【0042】
さらに、従来の基板処理装置500において、雰囲気遮断板530の水平度(すなわち、雰囲気遮断板530とX軸との平行度)の調整を行う場合、回転軸535のZ軸に対する傾きを調整するほかに、ベルト駆動機構541の調整(例えば、モータ542の回転軸とZ軸との傾き調整、ベルト541cの位置調整等)を行う必要があった。これに対して、本実施の形態の回転駆動機構100は、モータ軸110に対して直接モータ101の駆動力が伝達されるように構成されているため、回転駆動機構100の傾きを調整するのみで雰囲気遮断板27の水平度を調整することができ、調整作業に要する時間を短縮することができる。
【0043】
モータ軸110は、円筒状の中空部分を有する中空軸であり、その内部には、図1に示すように、処理液流路131が挿入して設けられている。図3に示すように、基板W中央付近の上方には処理液吐出口131aが同心に設けられている。また、図2に示すように、処理液流路131の上端は、配管137(137a、137h、137k、137f、137g)およびバルブ138aを介して第1の処理液供給源139aと、また、配管137(137a、137h、137d、137e)およびバルブ138bを介して第2の処理液供給源139bと、また、配管137(137a、137b、137c)およびバルブ138cを介して第3の処理液供給源139cと、さらに、配管137(137a、137h、137k、137m、137n)およびバルブ138dを介してウエハ洗浄液供給源139dと、それぞれ連通接続されている。
【0044】
したがって、基板Wが回転駆動機構300によって回転されている際に、バルブ138b,138cおよび138dが閉鎖されてバルブ138aが開放されると、処理液吐出口131aから基板Wに向けて第1の処理液が吐出される。また、バルブ138c、138d、および138aが閉鎖されてバルブ138bが開放されると第2の処理液が、また、バルブ138d、138aおよび138bが閉鎖されてバルブ138cが開放されると第3の処理液が、さらに、バルブ138a、138b、138cが閉鎖されてバルブ138dが開放されるとウエハ洗浄液が、それぞれ処理液吐出口131aから基板Wに向けて吐出される。そして、吐出された処理液が、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの上面中心部付近から周縁部方向に広がるため、主として、基板W上面に対して基板処理を施すことができる。
【0045】
なお、第1、第2、および第3の処理液としては、洗浄方法に応じて、純水や、硝酸水、塩酸水、フッ酸水、混合フッ酸水(過酸化水素水をフッ酸水に混合)等の酸性溶液や、アンモニア水、SC1(アンモニア水と過酸化水素水との混合液)等のアルカリ性溶液が選択される。また、本実施の形態では、ウエハ洗浄液として純水を使用している。
【0046】
モータ軸110内部の中空部分と処理液流路131との間は、プロセスガス流路112として使用される。図3に示すように、プロセスガス流路112の上端には、処理液流路131と同様に、チャックピン31に保持された基板Wの上側中央付近にプロセスガスを吐出するプロセスガス吐出口112aが設けられている。プロセスガス流路112の上端は、ハウジング105(モータ101のカバーに相当)を貫通して設けられたガス導入管111、配管117(117a、117b、117c)およびバルブ118を介してプロセスガス供給源119と連通接続されている。したがって、基板Wを回転させつつバルブ118を開放すると、配管117およびプロセスガス流路112を介して、プロセスガス吐出口112aから基板Wの上面中央付近に向けてプロセスガスを吐出することができる。そして、吐出されたプロセスガスは、基板Wの中心部付近から周縁部方向に広がるため、主として基板Wの上面付近をプロセスガス雰囲気とすることができる。なお、本実施の形態において、プロセスガスは、安価に入手することができる窒素ガスを使用している。
【0047】
また、基板処理装置1は、プロセスガス供給源219から供給されるプロセスガスを、プロセスガス導入管211、212およびプロセスガス空間213を介し、遮断板下部27cの周縁部に等間隔で全周に設けられたプロセスガス吐出口214から基板Wの周縁部に向けて吐出可能に構成されている。
【0048】
図4は、雰囲気遮断板27下方に視点を設定して雰囲気遮断板27を見た場合の回転駆動機構100および雰囲気遮断板27を模式的に示す図である。なお、図4において、説明の都合上、雰囲気遮断板27の遮断板側部27bおよび遮断板下部27cを取り外している。図3、図4に示すように、回転駆動機構100下部には、プロセスガス供給源219から供給されるプロセスガスの流路となるプロセスガス導入管211、212が設けられている。
【0049】
プロセスガス導入管211は、図3に示すように、回転駆動機構100のハウジング105下部に略水平方向に形成された貫通孔であり、図4に示すように、6つの導入管により構成されている。そして、各プロセスガス導入管211は、その隣り合うプロセスガス導入管211とのなす角θがπ/3(単位:rad)となるように形成されている。
【0050】
プロセスガス導入管212は、モータ101が駆動することによって回転させられるモータ軸110の下部の周壁に形成された貫通孔である。図3に示すように、プロセスガス導入管212の一端の孔部212aは、プロセスガス導入管211と略同一高さとなるように形成されており、したがって、孔部212aとモータ軸隙間部223とは接することとなる。また、プロセスガス導入管212の他端212bは、モータ軸110の下端に形成されており、プロセスガス空間213と連通接続されている。さらに、プロセスガス導入管212は、図4に示すように、プロセスガス導入管211と同様に6つの導入管により構成されている。そして、各プロセスガス導入管212は、その隣り合うプロセスガス導入管211とのなす角θがπ/3(単位:rad)となるように形成されている。
【0051】
このように、プロセスガス導入管211はハウジング105に設けられており、また、プロセスガス導入管212はモータ101を駆動させることによって回転させられるモータ軸110に設けられている。これにより、モータ軸110が回転すると、プロセスガス導入管212はプロセスガス導入管211に対して相対的に移動し、プロセスガス導入管211とプロセスガス導入管212とは常に略直線状とならない。しかし、モータ軸隙間部223の水平方向の幅に対してプロセスガス導入管212の直径は十分大きく設定されている。このため、プロセスガス導入管211から供給されるプロセスガスの大部分は、モータ軸隙間部223に進入することなく、プロセスガス導入管212に流入する。
【0052】
また、雰囲気遮断板27のプロセスガス空間213は、プロセスガス導入管212から供給されたプロセスガスの流路として使用される。図3に示すように、プロセスガス空間213は、雰囲気遮断板27の内部空間であり、遮断板下部27cの周縁部に設けられたプロセスガス吐出口214と接続されている。
【0053】
このように、プロセスガス供給源219から供給されるプロセスガスは、プロセスガス導入管211、プロセスガス導入管212、およびプロセスガス空間213を介してプロセスガス吐出口214に到達する。そのため、プロセスガス吐出口214からチャックピン31に把持された基板Wの周縁部に向けてプロセスガスを吐出することができる。したがって、プロセスガス吐出口112aから基板Wの中心付近に向けてプロセスガスを吐出するのに加えて、プロセスガス吐出口214から基板Wの周縁部に向けてプロセスガスを吐出することにより、基板Wの周縁部付近の雰囲気をさらに効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。そのため、基板W付近上面付近をプロセスガス雰囲気に置換するのに要する時間をさらに短縮することができる。
【0054】
スピンベース30は、図1に示すように、その中心部に開口を有する円盤状の部材であって、その上面にはそれぞれが円形の基板Wの周縁部を把持する複数のチャックピン31が立設されている。したがって、基板Wは、スピンベース30上に略水平姿勢にて保持されている。
【0055】
チャックピン31は、基板Wの外周端面を押圧して基板Wを保持するピンであり、チャックピン31が基板Wの外周端面を押圧する押圧状態と、基板Wの外周端面から離れる開放状態との間で切り換え可能に構成されている。したがって、スピンベース30が、図示を省略する搬送ユニットから基板Wを受け取る場合、および、当該ユニットに対して基板Wを受け渡す場合において、チャックピン31は開放状態にされる。一方、基板Wに対して後述する基板処理を施す場合には、チャックピン31を押圧状態として基板Wの周縁部を把持し、スピンベース30から所定間隔を隔てた水平姿勢にて基板Wを保持する。
【0056】
なお、円形の基板Wを確実に保持するためには、チャックピン31を3個以上設けてあれば良く、例えば、3個のチャックピン31がスピンベース30の周縁に沿って等間隔(120°間隔)に立設してもよい。ただし、図1では図示の便宜上、2個のチャックピン31を示している。
【0057】
回転駆動機構300は、図1に示すように、主として、モータ301と、モータ301に挿入され、モータ301の駆動軸として機能するモータ軸310とから構成されている。
【0058】
モータ軸310は、図1に示すように、スピンベース30の中心部付近の中心部付近を貫通してスピンベース30と接続されている。また、モータ軸310は、モータ軸310内側の上部に配設されたベアリング391と、モータ301内側の下部に配設されたベアリング392とによって軸受けされている。
【0059】
また、モータ301の内側には、図1に示すように、モータ軸310(回転側)に取り付けられたロータ磁界発生部302と、モータ301の内壁(固定側)に取り付けられたステータ磁界発生部303とが備えられている。ロータ磁界発生部102は、略円筒状の部材であり、その外周部には、コイルが巻かれている。そのため、ロータ磁界発生部302では、当該コイルに電位差を印加することによって電磁気的に磁界を発生することができる。また、ロータ磁界発生部302の中心付近の中空部には、モータ軸310が挿入して設けられている。そのため、ロータ磁界発生部302は、モータ軸110を介してベアリング391およびベアリング392により回転させることができる。ただし、ロータ磁界発生部102で発生させる磁界は、ロータ磁界発生部302と同様に、電磁気的なものだけに限られず、永久磁石であってもよい。
【0060】
ステータ磁界発生部303は、複数の円弧状部材によって構成された略円筒部材である。図1に示すように、ステータ磁界発生部303は、その内周面はロータ磁界発生部302の外周面を覆うように形成されており、モータ301の内壁に固定されている。また、ステータ磁界発生部303を構成する各円弧状部材には、コイルを巻きつけられている。そのため、各円弧状のコイルに、電位差を印加することによって、それぞれ異なった磁界を発生することができる。
【0061】
このように、磁界発生部303ではそれぞれ別個に磁界を発生することができる。そのため、ロータ磁界発生部302にて磁界を発生させつつステータ磁界発生部303の各円弧状部材で発生させる磁界を制御することによって、ロータ磁界発生部302が回転させられ、モータ軸310を回転させることができる。その結果、モータ軸310に接続されているスピンベース30は、軸J1を中心として回転させられる。
【0062】
なお、ベアリング391およびベアリング392は、当該ベアリングにおいてパーティクルが発生して基板の処理不良を抑制するため、非接触タイプか非接触タイプのシール付きのものを使用することが好ましい。また、回転駆動機構300は、回転駆動機構100と同期して回転させることができる。そのため、回転駆動機構100に結合された雰囲気遮断板27と、回転駆動機構300に結合されたスピンベース30とを同期して回転させることができる。
【0063】
モータ軸310は、円筒状の中空部分を有する中空軸とされており、その内部には、図1に示すように、処理液流路331が挿入されて設けられている。また、処理液流路331の上端には処理液吐出口331aが設けられている。そして、処理液流路331の下端は、配管137(137j、137h、137k、137f、137g)およびバルブ138aを介して第1の処理液供給源139aと、また、配管137(137j、137h、137d、137e)およびバルブ138bを介して第2の処理液供給源139bと、また、配管137(137j、137b、137c)およびバルブ138cを介して第3の処理液供給源139cと、さらに、配管137(137j、137h、137k、137m、137n)およびバルブ138dを介してウエハ洗浄液供給源139dと、それぞれ連通接続されている。また、配管137は、上述のように処理液流路131とも連通接続されている。
【0064】
したがって、基板Wが回転駆動機構300によって回転されている際に、バルブ138b,138cおよび138dが閉鎖されてバルブ138aが開放されると、処理液吐出口331aから基板Wに向けて第1の処理液が吐出される。また、バルブ138c、138d、および138aが閉鎖されてバルブ138bが開放されると第2の処理液が、また、バルブ138d、138aおよび138bが閉鎖されてバルブ138cが開放されると第3の処理液が、さらにバルブ138a、138b、138cが閉鎖されてバルブ138dが開放されるるとウエハ洗浄液が、それぞれ処理液吐出口331aから基板Wに向けて吐出される。そして、吐出された処理液が、基板Wの下面中心部付近から周縁部方向に広がるため、主として、基板W下面に対して基板処理を施すことができる。なお、上述のように、バルブ138a〜138dの開閉制御を行うことにより、基板W上方の処理液吐出口131aから基板Wの上面の中心付近に向けて処理液が吐出される。そのため、本実施の形態の基板処理装置1では、バルブ138a〜138dの開閉制御を行うことにより、基板Wの上面および下面から同時に処理液を供給し、洗浄処理を実施することができる。
【0065】
また、モータ軸310内部の中空部分と処理液流路331との間は、プロセスガス流路312として使用される。図1に示すように、プロセスガス流路312の上端には、処理液流路331と同様に、チャックピン31に保持された基板Wの下面中央付近にプロセスガスを吐出するプロセスガス吐出口312aが設けられている。そして、プロセスガス流路312の下端は、配管117(117a、117b、117d)およびバルブ118を介してプロセスガス供給源119に連通接続されている。したがって、基板Wを回転させつつバルブ118を開放すると、配管117およびプロセスガス流路312を介してプロセスガス吐出口312aから基板Wの下面中央付近に向けてプロセスガスを吐出することができる。そして、吐出されたプロセスガスは、基板Wの中心部付近から周縁部方向に広がるため、主として基板Wの下面付近をプロセスガス雰囲気とすることができる。なお、上述のようにプロセスガス供給源119は、配管117およびバルブ118を介してプロセスガス吐出口112aとも連通接続されている。したがって、本実施の形態では、バルブ118の開閉制御を行うことにより、基板Wの上面および下面から同時にプロセスガスを供給することができる。
【0066】
スプラッシュガード3は、回転駆動機構300によって回転させつつ基板Wに向けて処理液を吐出する際において、回転による遠心力によって基板Wの外側に飛散された処理液を回収する部材である。そして、スプラッシュガード3の回収ポート11a、回収ポート11b、回収ポート11cおよび案内部3aによって回収された処理液は、それぞれ、第1の処理液回収槽21、第2の処理液回収槽22、第3の処理液回収槽23および洗浄液回収槽26に貯留される。また、回収ポート11a〜11cおよび案内部3aで回収されなかった処理液は、洗浄液回収槽24にて回収された貯留される。
【0067】
図1に示すように、スプラッシュガード3は、チャンバ2と同心状に外側から内側に向かって配置された4つの円筒部材48a〜48dを含んでいる。4つの円筒部材48a〜48dは、最外部の円筒部材48aから最内部の円筒部材48dに向かって、順に高さが低くなるようになっている。円筒部材48a〜48dの上端からは、中心側(スピンベース30側)に向かって斜め上方に突出部49a〜49dがそれぞれ突出しており、突出部49a〜49dの先端はほぼ鉛直な面にのる。
【0068】
図1に示すように、突出部49aと突出部49bとにより回収ポート11aが、突出部49bと突出部49cとにより回収ポート11bが、また、突出部49cと突出部49dとにより回収ポート11cが、それぞれ形成されている。各回収ポート11a〜11cは、上下方向に積層されている。
【0069】
円筒部材48bの下部は、同心状の2つの円筒体48e、48fとなっており、円筒体48eは、円筒体48fの外側に配置されている。同様に、円筒部材48cは、円筒体48g、48hとなっており、円筒体48gは円筒体48hより外側に配置されている。さらに、円筒部材48cの下部は、同心状の2つの円筒体48i、48jとなっており、円筒体48iは円筒体48jより外側に配置されている。
【0070】
円筒体48jは、円筒部材48dから中心側斜め下方に延びる傾斜部48kの下方に延びるように設けられている。突出部49d、円筒部材48d、および傾斜部48kにより、スプラッシュガード3の中心部に向かって開口した断面がほぼ「コ」の字形の案内部3aが形成されている。案内部3aは、回収ポート11cの下方に位置している。
【0071】
スプラッシュガード3の下方には、チャンバ2の下部を塞ぐように底板35がほぼ水平に配置されている。底板35からは、円筒状の5つの分離壁25a〜分離壁25eが立設されている。分離壁25a〜25eは同心状に、外側から内側に向かって、分離壁25a、25b、25c、25d、25eの順に配置されている。また、平面視において、分離壁25eの直径はスピンベース30の直径よりわずかに小さい。
【0072】
分離壁25a、25bを側壁として第1の処理液回収槽21が、分離壁25b、25cを側壁として第2の処理液回収槽22が、分離壁25c、25dを側壁として第3の処理液回収槽23が、それぞれ形成されている。また、分離壁25d、25eを側壁として洗浄液回収槽26が、チャンバ2および分離壁25aを側壁として洗浄液回収槽24が、それぞれ形成されている。
【0073】
スプラッシュガード3には、昇降機構10が結合されている。図1に示すように、昇降機構10は、主として、スプラッシュガード3に結合された結合部材10aと、結合部材10aに接続されてほぼ鉛直方向に沿う昇降軸10bと、昇降軸10bに接続され昇降軸10bを昇降可能な昇降駆動部10cとから構成されている。分離壁25aには、案内部材10dが結合されており、昇降軸10bは案内部材10dに挿通されている。昇降駆動部10cを駆動させることにより、昇降駆動部10cを昇降させてスプラッシュガード3をほぼ鉛直方向に昇降できるように構成されている。
【0074】
そして、スプラッシュガード3が下降されると、円筒部材48aの下部および円筒体48eが分離壁25aと分離壁25bとの間に、円筒体48f、48gが分離壁25bと分離壁25cとの間に、円筒体48h、48iが分離壁25cと分離壁25dとの間に、円筒体48jが25dと分離壁25eとの間に、それぞれ挿入される。
【0075】
このように、スプラッシュガード3では、昇降機構10によってスプラッシュガード3の鉛直方向の位置を制御することにより、スピンベース30から飛散される処理液を別々の回収槽に回収することができる。すなわち、(1)回収ポート11aで回収された処理液は、円筒部材48aの内周面と円筒部材48bおよび円筒体48e外周面との間の空間に導かれ、第1の処理液回収槽21に貯留される。また、(2)回収ポート11bで回収された処理液は、円筒部材48bおよび円筒体48fの内周面と円筒部材48cおよび円筒体48gの外周面との間の空間に導かれ、第2の処理液回収槽22に貯留される。また、(3)回収ポート11cで回収された処理液は、円筒部材48cおよび円筒体48hの内周面と円筒部材48dおよび円筒体48iの外周面との間の空間に導かれ、第3の処理液回収槽23に貯留される。さらに、(4)案内部3aで回収された処理液は、円筒部材48d、傾斜部48kおよび円筒体48jの内周面に沿って導かれ、洗浄液回収槽26に貯留される。そして、回収された処理液は、その種類に応じて、廃棄処分したり、再利用することが可能である。
【0076】
円筒部材48dの内周面には、スピンベース30を洗浄するために略水平方向に洗浄液を吐出できる洗浄ノズル12が配設されている。図1に示すように、洗浄ノズル12は、配管17およびバルブ18を介して洗浄液供給源19と連通接続されている。したがって、バルブ18を開放することにより、洗浄ノズル12から略水平方向に洗浄液を吐出することができる。なお、本実施の形態では、洗浄液として純水を使用している。
【0077】
制御部60は、プログラムや変数等を格納するメモリ61と、メモリ61に格納されたプログラムに従った制御を実行するCPU62とを備えている。CPU62は、メモリ61に格納されているプログラムに従って、各バルブの開閉制御や、雰囲気遮断板27を回転させる回転駆動機構100、スピンベース30を回転させる回転駆動機構300、スプラッシュガード3の昇降を行う昇降機構10、および回転駆動機構100の昇降を行う昇降機構33の位置制御等を所定のタイミングで行う。
【0078】
<2.基板上方の回転駆動機構の処理液ミスト対策>
本実施の形態の基板処理装置1によって洗浄処理を行う場合、基板Wを回転駆動機構300によって回転させつつ、基板Wの上方および下方から処理液を吐出する。これにより、吐出された処理液は回転の遠心力によって基板Wの表裏全面に拡がって処理液による洗浄処理が進行する。しかし、回転の遠心力によって飛散した処理液のミストのうちスプラッシュガード3によって回収されなかったものは、チャンバ2内に飛散される。そして、当該処理液ミストが回転駆動機構100に進入すると、モータ軸110を腐食させたり、モータ101故障の原因となる。また、同様に、チャンバ2内を浮遊するパーティクルがモータ101内に進入するとモータ101故障の原因となる。
【0079】
そこで、以下では、処理液のミストが飛散し、パーティクルが浮遊するチャンバ2内の雰囲気中に配置され、これら処理液ミストやパーティクルの影響を大きく受ける回転駆動機構100について、回転駆動機構100を密閉(シール)してその内部に処理液ミストやパーティクルが進入するのを防止する機構、および処理液のミストにより回転駆動機構100が腐食されるのを防止する機構について説明する。
【0080】
<2.1.回転駆動機構上部のシール>
基板処理装置1において、プロセスガスを基板Wの上方および下方から供給する際、回転駆動機構100によって雰囲気遮断板27を回転させるとともに、回転駆動機構300によって基板Wを回転させながら、プロセスガスを供給する。この場合、基板Wの上面中心付近に供給されるプロセスガスは、上述のように、配管117、ガス導入管111およびプロセスガス流路112を介してプロセスガス吐出口112aから吐出される。
【0081】
しかし、洗浄処理が終了し、バルブ118を閉鎖して基板W上方からのプロセスガスの供給を停止するとともに、モータ101の回転を停止させた場合、プロセスガス吐出口112a(図3参照)付近のガスや処理液ミストが、プロセスガス吐出口112aからプロセスガス流路112内に吸い上げられる。そして、吸い上げられた処理液のミストやガスが、リング隙間部152およびモータ隙間部153を介してモータ101内部に流入すると、モータ101が故障する原因となる。
【0082】
そこで、以下では、プロセスガス吐出口112aから吸い上げられてプロセスガス流路112の上部に向かって逆流する処理液のミストやガスが、モータ101の上方からモータ101内部に流入することを防止するシール機構について説明する。
【0083】
図2に示すように、モータ軸110の上部には内側リング114が固定されており、モータ軸110とともに回転できるように構成されている。一方、ハウジング105には、外側リング151が固定されている。図2に示すように、外側リング151は、外側リング151の内周面の凹凸と内側リング114の外周面の凹凸とが一定間隔となるように固定されている。そのため、外側リング151の内周面と内側リング114の外周面とに挟まれたリング隙間部152は、ラビリンス機構(シール機構)を形成している。なお、本実施の形態では、外側リング151の内周面と内側リング114の外周面との間隔が0.1mm以下となるようにしている。このようにリング隙間部152は、外側リング151と内側リング114とによってラビリンス構造を有している。
【0084】
ここで、ラビリンス機構とは、非接触型のシール(密閉)機構であり、2つの部材の凹凸を組み合わせてそれらの間を小さな隙間通路としたシール機構である。これにより、プロセスガス供給源119からガス導入管111を介してプロセスガス流路112の上部に供給されるプロセスガスがリング隙間部152に流入する際、当該凹凸部がプロセスガス等の流体の通過を抑制する流体抵抗として働く。そのため、リング隙間部152からモータ隙間部153を介してモータ101内部にプロセスガスが流入することを抑制することができる。また、当該凹凸部は、モータ101内部で発生したパーティクルがプロセスガス流路112に流入することを抑制することができる。
【0085】
また、本実施の形態では、リング隙間部152にシールガスを充填することにより、プロセスガス流路112を上方に向かって逆流した処理液ミストがリング隙間部152に流入した場合であっても、リング隙間部152に充填したシールガスによって処理液ミストを塞き止めて、モータ101内部に流入することを防止している。
【0086】
図2に示すように、リング隙間上部152aには、ハウジング105と外側リング151とを貫通するシールガス導入管161aが形成されている。さらに、処理液ノズル120を挟んでシールガス導入管161aと反対側には、シールガス導入管161aと同様にハウジング105と外側リング151とを貫通するシールガス導入管161bが形成されている。
【0087】
シールガス導入管161aは、配管167(167a、167c、167d)およびバルブ168を介して、また、シールガス導入管161bは、配管167(167b、167c、167d)およびバルブ168を介して、それぞれシールガス供給源169に連通接続されている。したがって、バルブ168を開放することにより、シールガス供給源169からシールガス導入管161a、161bの2本の導入管を介してリング隙間部152にシールガスを供給することができる。ここで、シールガスとは、リング隙間部152に充填するガスのことである。このシールガスは、(1)プロセスガス流路112を逆流する処理液のミストがモータ101内部に流入するのをリング隙間部152に充填したガスにより塞き止めるために、また、(2)モータ101で発生したパーティクルがプロセスガス流路112に流入するのを充填したガスによって塞き止めるために使用される。なお、シールガスは、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等の不活性ガスが使用されるが、本実施の形態においては、安価に入手することができる窒素ガスを使用している。
【0088】
リング隙間下部152bには、ハウジング105と外側リング151とを貫通する排出管171aが形成されている。また、処理液ノズル120を挟んで排出管171aと反対側には、排出管171aと同様に、ハウジング105と外側リング151とを貫通する排出管171bが形成されている。
【0089】
図2に示すように、排出管171aは、配管177(177a、177c、177d、177e)、排気ポンプ176、および、バルブ178を介して、また、排出管171aは、配管177(177b、177c、177d、177e)、排気ポンプ176、および、バルブ178を介して、それぞれ排出ドレイン179に連通接続されている。したがって、リング隙間部152にシールガスを充填しつつ、バルブ178を開放して排気ポンプ176を動作させることにより、リング隙間部152からモータ101内部や基板Wに処理液ミストやパーティクルが流出することを塞き止めつつ、リング隙間部152に流入した処理液のミストやパーティクルをシールガスとともに排出ドレイン179に排出することができる。
【0090】
以上のように、回転駆動機構100の上部において、(1)リング隙間部152をラビリンス機構として形成することにより、処理ミストが通過する際の流体抵抗となるため、リング隙間部152に処理液ミストが流入することを抑制することができる。さらに、(2)リング隙間部152に処理液ミストが流入した場合であっても、この流入した処理液ミストは、リング隙間部152に充填したシールガスによって塞き止められ、リング隙間下部152bからシールガスとともに排出ドレインに排出される。そのため、回転駆動機構100上部に流入した処理液ミストは、確実に回転駆動機構100外に排出することができる。
【0091】
その結果、処理液ミストがモータ101内部に流入することを確実に防止することができるため、処理液ミストが原因となってモータ101が故障することを防止できる。
【0092】
<2.2.回転駆動機構下部のシール>
本実施の形態の基板処理装置1では、基板Wを回転させつつ基板W付近をプロセスガス雰囲気として洗浄処理を行う場合、基板Wの周縁部付近をさらに効率的にプロセスガス雰囲気とするため、プロセスガス吐出口112aおよびプロセスガス吐出口312aだけでなく、プロセスガス吐出口214からもプロセスガスを吐出している。
【0093】
しかし、洗浄処理終了後、バルブ218を閉鎖してプロセスガス吐出口214から基板Wへのプロセスガスの供給を停止するとともに、モータ101の回転を停止させた場合、(1)プロセスガス吐出口214(図3参照)付近の処理液のミストが、プロセスガス空間213、プロセスガス導入管212を介して、また、(2)チャンバ2内を浮遊するの処理液のミストやパーティクルが、回転駆動機構100と雰囲気遮断板27との間の遮蔽板隙間部224を介して、それぞれモータ軸隙間部223に吸い上げられる。そして、吸い上げられた処理液ミストやパーティクルがモータ101内部に流入すると、モータ101が故障する原因となる。
【0094】
そこで、以下では、プロセスガス吐出口214またはチャンバ2内から吸い上げられた処理液のミストやパーティクルが、モータ101下部のモータ軸隙間部223を介してモータ101内部に流入することを防止するシール機構について説明する。
【0095】
図5は、モータ軸110の下部付近に設けられたラビリンスリング241を説明するための斜視図である。図3に示すように、モータ軸110の下部付近には複数(本実施の形態においては5つ)のラビリンスリング241が設けられている。ラビリンスリング241は、図5に示すように、モータ軸110の外周部に配置されたリング部材である。ラビリンスリング241をプロセスガス導入管212の孔部212a付近に設けることにより、モータ軸110とハウジング105との間のモータ軸隙間部223に凹凸を形成することができ、モータ軸隙間部223にラビリンス機構(シール機構)を形成することができる。これにより、モータ軸隙間部223は、流体抵抗として働くため、吸い上げられた処理液ミストがモータ軸隙間部223に流入することを抑制することができる。このように、モータ軸隙間部223は、モータ軸110とその外周部に配置されたラビリンスリング241とによってラビリンス構造を有しているといえる。
【0096】
なお、ラビリンスリング241にかえて、ハウジング105の内周面でラビリンスリング241の配置と同じ部位に溝を形成して凹部とし、モータ軸110の外周面の加工しない面とでラビリンス機構を形成してもよい。また、本実施の形態では、モータ軸隙間部223にシールガスを充填することにより、モータ軸隙間部223に流入した処理液ミストを充填したシールガスによって塞き止めて、モータ101内部に流入することを防止している。
【0097】
図3に示すように、モータ軸隙間上部223a付近のハウジング105には、シールガス導入管221が形成されている。シールガス導入管221の一端は、配管227およびバルブ228を介してシールガス供給源229と連通接続されている。また、シールガス導入管221の他端は、図3に示すように、二股に分岐した導入管221a、221bとそれぞれ連通されている。さらに導入管221aおよび導入管221bの端部のうち、シールガス導入管221と連通された端部と反対側の端部は、ともにモータ軸隙間部223と連通している。したがって、バルブ228を開放することにより、シールガス供給源229からモータ軸隙間部223にシールガスを供給することができる。また、図3に示すように、シールガス導入管221から上側に分岐する導入管221aの下面位置は、プロセスガス導入管211の上面位置と略同一高さ、または、プロセスガス導入管211の上面位置より高くなるように設定されており、また、シールガス導入管221から下側に分岐する導入管221bの上面位置は、プロセスガス導入管211の下面位置と略同一高さ、または、プロセスガス導入管211の下面位置より低くなるように設定されている。これにより、プロセスガス導入管211より上方に設けられたラビリンス機構と、プロセスガス導入管211より下方のラビリンス機構とに効率的にシールガスを供給することができる。そのため、プロセスガス供給路(プロセスガス導入管211、プロセスガス導入管212、およびプロセスガス空間213)とモータ軸隙間部223とを効率的にシールすることができる。
【0098】
また、モータ軸隙間下部223bには、ハウジング105を貫通するモータ軸隙間下部223bが形成されている。図3に示すように、排出管231は、配管237、バルブ238、および、排気ポンプ236を介して排出ドレイン239に連通接続されている。
【0099】
したがって、モータ軸隙間上部223aにシールガスを充填しつつバルブ238を開放して排気ポンプ236を動作させることにより、モータ軸隙間上部223aからモータ101内部や基板W付近に処理液ミストやパーティクルが流出することを塞き止めつつ、モータ軸隙間部223に流入した処理液ミストやパーティクルをシールガスとともに排出ドレイン239に排出することができる。
【0100】
以上のように、回転駆動機構100の下部において、(1)モータ軸隙間部223をラビリンス機構として形成することにより、処理液ミストが通過する際の流体抵抗となるため、モータ軸隙間部223に処理液ミスとが流入することを抑制することができる。さらに(2)モータ軸隙間部223に処理液ミストが流入した場合であっても、この流入した処理液ミストは、モータ軸隙間部223に充填したシールガスによって塞き止められ、モータ軸隙間下部223bからシールガスとともに排出ドレイン239に排出されるため、回転駆動機構100下部に流入した処理液ミストは確実に回転駆動機構100外に排出することができる。
【0101】
<2.3.回転駆動機構の腐食防止>
上述のように、本実施の形態の基板処理装置1では、基板Wを回転させつつ、プロセスガス吐出口112aおよびプロセスガス吐出口214からプロセスガスを吐出して基板W付近をプロセスガス雰囲気とする洗浄処理う。そして、洗浄処理終了後、モータ101の回転を停止させ、バルブ218を閉鎖してプロセスガスの供給を停止する場合、(1)基板W近で発生した処理液のミストがプロセスガス吐出口214、プロセスガス空間213、プロセスガス導入管212を介して、また、(2)チャンバ2内の処理液のミストが遮蔽板隙間部224を介して、それぞれモータ軸隙間部223に吸い上げられる。これにより、モータ軸隙間部223付近のハウジング105やモータ軸110に処理液ミストが付着してによって腐食され、回転駆動機構100の性能が低下してしまう(例えば、モータ軸110が腐食されることにより、モータ軸110の軸心が偏心して雰囲気遮断板27を正しく回転することができない等)。
【0102】
そこで、本実施の形態では、回転駆動機構100の下部付近が腐食することを防止する耐処理液性を有する膜を形成して回転駆動機構100を耐処理液加工することにより、処理液ミストによる腐食を防止している。図6は、回転駆動機構100下部付近に形成される耐処理液性膜を説明するための図である。図6に示すように、モータ軸110の下部付近の外周面およびモータ軸110に設けられたラビリンスリング241の表面には、腐食防止膜225が形成されている。また同様に、ハウジング105の下部付近の内周面には、腐食防止膜226が形成されている。
【0103】
ここで、本実施の形態では、腐食防止膜225、226として、ポリテトラフルオロエチレン(ポリエチレンの水素全部がフッ素で置換された化合物)のようなフッ素を含有する有機高分子を使用しているが、これに限定されるものでなく、処理液に対して耐腐食性を有している材料であればよい。
【0104】
このように、ハウジング105、モータ軸110、およびラビリンスリング241に耐腐食性を有する腐食防止膜225、226を形成することにより、処理液ミストによる腐食を防止することができる。そのため、処理液ミストによる腐食によって回転駆動機構100の性能が低下することを防止することができる。
【0105】
<3.基板の洗浄方法>
ここでは、基板処理装置1による基板の洗浄方法について説明する。なお、基板Wの洗浄処理を開始する前において、すべてのバルブは閉鎖されている。
【0106】
まず、昇降機構10によってスプラッシュガード3を下降させるとともに、昇降機構33によって回転駆動機構100を上昇させて、図示を省略する搬送ユニットからスピンベース30に基板Wを受け渡す。この際、スプラッシュガード3回転駆動機構100、および雰囲気遮断板27が当該搬送ユニットと干渉しないように、スプラッシュガード3および回転駆動機構100を移動させる。そして、受け渡された基板Wをチャックピン31によって把持し、スピンベース30に対して略水平姿勢となるように基板Wを保持する。
【0107】
次に、昇降機構10によって基板Wと回収ポート11aとが略同一高さとなるようにスプラッシュガード3を移動させるとともに、昇降機構33によって雰囲気遮断板27を基板Wより上方に140mm〜150mm離間させ、基板Wと対向させる。続いて、回転駆動機構100によって雰囲気遮断板27を回転させるとともに、回転駆動機構300によってスピンベース30を回転させる。そして、雰囲気遮断板27とスピンベース30とが、それぞれ所定の回転数となるように回転制御を行う。
【0108】
また、スピンベース30を回転させる際に、バルブ168を開放してシールガス供給源169から回転駆動機構100上部のリング隙間部152にシールガスを供給するとともに、バルブ178を開放し、排気ポンプ176を動作させる。これにより、リング隙間部152がシール機構とし働き、てプロセスガス流路112とモータ隙間部153とをシールすることができる。そのため、基板Wが把持されたスピンベース30内の雰囲気の処理液ミストがプロセスガス流路112を介してモータ101内部に流入することを防止できる。また、モータ101内部からプロセスガス流路112を介してスピンベース30内の雰囲気にパーティクルが流入することを防止し、基板Wに当該パーティクルが付着することを防止することができる。
【0109】
さらに、スピンベース30を回転させる際に、バルブ228を開放してシールガス供給源229から回転駆動機構100下部のモータ軸隙間部223にシールガスを供給するとともに、バルブ238を開放し、排気ポンプ236を動作させる。これにより、モータ軸隙間部223はシール機構として働き、プロセスガス導入管212および遮蔽板隙間部224とモータ101内部とをシールすることができる。そのため、スピンベース30内やチャンバ2内の雰囲気の処理液ミストやパーティクルがモータ101内部に流入することを防止できる。また、モータ101内部からモータ軸隙間部223を介してスピンベース30内の雰囲気にパーティクルが流入することを防止し、基板Wに当該パーティクルが付着することを防止できる。
【0110】
続いて、バルブ138aを開放して処理液吐出口131aと処理液吐出口331aとから基板Wの上下面に向けて第1の処理液を吐出する。このとき、スピンベース30は回転し続けているため、基板Wの中心付近に吐出された第1の処理液は、回転にともなう遠心力によって基板Wの周縁方向に広がり、基板Wの上下全面にわたって供給されて洗浄処理が進行する。そして、回転するスピンベース30や基板Wから飛散した第1の処理液は、回収ポート11aにて回収され第1の処理液回収槽21に貯留される。
【0111】
続いて、バルブ138aを閉鎖するとともに、昇降機構10を上昇させて基板Wと回収ポート11bとが略同一高さとなるようにスプラッシュガード3を移動させる。次に、バルブ138bを開放して第2の処理液によって基板Wの上下面の洗浄処理を行う。このとき、回転するスピンベース30や基板Wから飛散した第2の処理液は、回収ポート11bにて回収され第2の処理液回収槽22に貯留される。
【0112】
続いて、バルブ138bを閉鎖するとともに、昇降機構10を上昇させて基板Wと回収ポート11cとが略同一高さとなるようにスプラッシュガード3を移動させる。次に、バルブ138cを開放して第3の処理液によって基板Wの上下面の洗浄処理を行う。このとき、回転するスピンベース30や基板Wから飛散した第3の処理液は、回収ポート11cにて回収され第3の処理液回収槽23に貯留される。なお、雰囲気遮断板27およびスピンベース30は回転し続けている。また、第1、第2、および第3の処理液によって洗浄処理を行っている間、リング隙間部152およびモータ軸隙間部223はシール機構として機能し続けているため、モータ101内部にこれら処理液のミストが進入することを防止できる。
【0113】
続いて、雰囲気遮断板27およびスピンベース30を回転させつつ、バルブ138cを閉鎖するとともに、昇降機構10を上昇させて基板Wと回収ポート11cとが略同一高さとなるようにスプラッシュガード3を移動させる。次に、昇降機構33によって雰囲気遮断板27を下降させて、基板Wと雰囲気遮断板27との距離が0.5mm以下となるようにする。続いて、バルブ118およびバルブ218を開放して、プロセスガス吐出口112aから基板W上面の中心付近に向けて、また、プロセスガス吐出口312aから基板W下面の中心付近に向けて、さらに、遮断板下部27cに設けられたプロセスガス吐出口214から基板W上面の周縁付近に向けてそれぞれプロセスガスを供給する。
【0114】
このように、雰囲気遮断板27およびスピンベース30を回転させつつ、雰囲気遮断板27との距離が0.5mm以下となるようにして基板Wの上下面にプロセスガスを供給することにより、基板W付近の雰囲気をプロセスガスと置換してプロセスガス雰囲気とすることができる。そのため、基板W付近を低酸素濃度雰囲気とすることができる。また、基板Wと雰囲気遮断板27との距離が0.5mm以下とすることにより、基板W付近の雰囲気をプロセスガスと置換するのに使用されるプロセスガスの使用量を低減することができるため、効率的に基板W付近をプロセスガス雰囲気とすることができる。
【0115】
続いて、バルブ138dを開放して基板Wの上下面の中央付近にウエハ洗浄液を吐出して基板Wを洗浄するとともに、バルブ18を開放して洗浄ノズル12からチャックピン31に向けてチャック洗浄液を吐出することによって基板Wや、スピンベース30、チャックピン31をリンス洗浄する。これにより、基板W、スピンベース30およびチャックピン31に残留している第1、第2、および第3の処理液が洗い流される。そのため、これら処理液が結晶化することによって生じるパーティクルが発生することを防止でき、良好に基板処理を行うことができる。なお、本実施の形態では、ウエハ洗浄液およびチャック洗浄液として純水を使用している。
【0116】
続いて、バルブ138dおよびバルブ18を閉鎖して基板Wへのウエハ洗浄液およびチャック洗浄液の供給を停止する。次に、雰囲気遮断板27およびスピンベース30を高速に回転させて、基板Wに付着したウエハ洗浄液およびチャック洗浄液を基板Wの周縁方向に振りきって振切り乾燥させる。この際、基板W付近には、プロセスガスが供給し続けており、基板W付近は低酸素濃度雰囲気となっている。そのため、ウォーターマーク(水と酸素と基板のシリコンとが反応して発生する乾燥不良)の発生を抑制することができ、基板Wを良好に乾燥させることができる。また、リング隙間部152およびモータ軸隙間部223はシール機構として機能し続けているため、モータ101内部に処理液のミストが進入することを防止できる。
【0117】
基板の乾燥が完了すると、雰囲気遮断板27およびスピンベース30の回転を停止させる。次に、バルブ118およびバルブ218を閉鎖して基板Wへのプロセスガスの供給を、また、バルブ138dを閉鎖して基板Wへのウエハ洗浄液の供給を、さらに、バルブ18を閉鎖してチャックピン31へのチャック洗浄液の供給をそれぞれ停止させる。そして、昇降機構10によってスプラッシュガード3を下降させるとともに、昇降機構33によって回転駆動機構100を上昇させて、図示を省略するスピンベース30から搬送ユニットに基板Wを受け渡して洗浄処理を終了する。
【0118】
<4.基板処理装置の利点>
以上のように、本実施の形態の基板処理装置1では、以下のような利点がある。
【0119】
(1)回転駆動機構100では、モータ101の駆動力がモータ軸110に直接伝達されることにより、雰囲気遮断板27を回転することができる。そのため、従来の基板処理装置500で使用されているベルト駆動機構と比較して、雰囲気遮断板27の振動を低減することができ、チャックピン31に把持された基板Wと雰囲気遮断板27との距離を小さくすることができる。
【0120】
また、基板Wと雰囲気遮断板27との距離を小さくしつつ、基板Wに向けて処理液およびプロセスガスを吐出することができるため、処理液を基板Wに向けて吐出しつつ、基板W付近をプロセスガス雰囲気とする場合、吐出するプロセスガスの供給量を低減することができ、基板W付近を効率的にプロセスガスと置換してプロセスガス雰囲気とすることができる。
【0121】
また、従来の基板処理装置500のようにベルト駆動機構541から発生するパーティクルの影響を考慮する必要がなく、良好に基板処理を行うことができる。
【0122】
さらに、処理液やプロセスガスの吐出方向を調整する場合、回転駆動機構100について鉛直方向との傾き調整を行えばよく、効率的に著性作業を行うことができる。
【0123】
(2)また、本実施の形態の基板処理装置1では、回転駆動機構100の上部と下部とにシール機構を設けることにより、チャンバ2内およびスピンベース30内の雰囲気とモータ101内部とをシールすることができる。そのため、チャンバ2内およびスピンベース30からモータ101に処理液ミストやパーティクルが進入すること防止でき、モータ101がこれら処理ミストやパーティクルによって故障することを防止できる。また、モータ101で発生したパーティクルが基板Wに付着することを防止し、基板Wの処理不良を防止できる。
【0124】
(3)また、本実施の形態では、回転駆動機構100だけでなく回転駆動機構300についても、従来の基板処理装置500のようにベルト駆動機構によってスピンベース510を回転させるのではなく、モータ301の駆動力をモータ軸310に直接伝達してスピンベース30を回転させている。これにより、スピンベース30の振動を低減することができるため、さらに、雰囲気遮断板27と基板Wとの距離を小さくすることができる。
【0125】
<5.変形例>
以上、本発明について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【0126】
(1)本実施の形態では、基板Wに対して洗浄処理を施しているが、雰囲気遮断板27を使用する基板処理であれば、他の処理方法であっても適用可能である。
【0127】
本実施形態の基板処理装置1において、基板Wに対して処理液を吐出する場合、上下から同一の処理液が供給されるように配管が構成されているが、これに限定されるものでない。例えば、配管137aおよび配管137jに新たなバルブを設け、当該バルブを開閉制御を行うことにより、基板Wの上方のみ、下方のみ、または、上方および下方から処理液を供給できるように基板処理装置1の配管およびバルブを構成してもよい。
【0128】
(2)また、本実施の形態では、プロセスガス吐出口112aおよびプロセスガス吐出口312aから同一の処理液(すなわち、第1〜第3の処理液およびウエハ洗浄液)を吐出して洗浄処理を行っているが、プロセスガス吐出口112aとプロセスガス吐出口312aとから別の処理液を吐出して洗浄処理を行ってもよい。
【0129】
(3)モータ軸110の下部の外周面には5つのラビリンスリング241が設けられているが、ラビリンスリング241の個数はこれに限定されるものでなく、ラビリンス機構を設ける隙間部の鉛直方向の大きさに応じた個数のラビリンスリング241を設けてもよい。
【0130】
(4)モータ軸110の下部には、6つのプロセスガス導入管212が形成されているが、プロセスガス導入管212の個数はこれに限定されるものでなく、プロセスガスの供給量やモータ軸110の肉厚等に応じた個数のプロセスガス導入管212を設けてもよい。
【0131】
(5)回転駆動機構100において、モータ軸110下部付近やハウジング105下部付近のように処理液ミストが付着する部分に耐腐食性の膜を形成して、処理液ミストによる腐食を防止しているが、腐食防止策としてはこれに限定されない。例えば、処理液ミストが付着する部分の表面に対して改質処理を施して腐食を防止してもよい。
【0132】
(6)本実施の形態の基板処理装置1では、チャンバ2内の雰囲気に配置された回転駆動機構100について、その上部付近にシール機構を、また下部付近にシール機構と処理液ミストによる腐食防止策とを施しているが、回転駆動機構300についても同様なシール機構や腐食防止策を施してもよい。
【0133】
【発明の効果】
請求項1から請求項11に記載の発明によれば、第1のモータの駆動力が第1のモータ軸に直接伝達されて雰囲気遮断板を回転させることにより、回転による雰囲気遮断板の振動を低減することができるため、雰囲気遮断板と基板との距離を小さくすることができる。
【0134】
特に、請求項2に記載の発明によれば、雰囲気遮断板と基板との距離を小さくしつつ、基板の上方から基板に向けて処理液とプロセスガスとを吐出することができる。そのため、処理液によって基板処理を行う際に、基板付近を効果的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【0135】
特に、請求項3に記載の発明によれば、リング隙間部に第2のシール機構を設けることにより、プロセスガス流路を介して第1のモータにパーティクルや処理液ミストが進入することを防止できる。そのため、第1のモータが処理液ミストやパーティクルによって破損することを防止することができる。また、第1のモータ内で発生したパーティクルがプロセスガス流路に進入することを防止することができるため、プロセスガス流路に進入したパーティクルが基板に付着することを防止でき、基板不良が発生することを防止できる。
【0136】
特に、請求項4に記載の発明によれば、リング隙間部の一端からシールガスを供給し、リング隙間部の他端からシールガスを排出することにより、リング隙間部に進入したパーティクルや処理液ミストを排出することができる。そのため、リング隙間部を介して第1のモータに処理液ミストやパーティクルが進入すること、および、プロセスガス流路に進入したパーティクルが基板に付着することをさらに防止することができる。
【0137】
特に、請求項5に記載の発明によれば、リング隙間部はラビリンス構造を有するため、リング隙間部に進入した処理液ミストやパーティクルが、プロセスガス流路や第1のモータに進入することをさらに防止することができる。
【0138】
また、請求項1に記載の発明によれば、第2のプロセスガス吐出手段に加えて第1のプロセスガス吐出手段から基板に向けてプロセスガスを吐出することにより、基板全体にプロセスガスを供給することができるため、基板付近をさらに効果的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【0139】
特に、請求項6に記載の発明によれば、モータ軸隙間部に第1のシール機構を設けることにより、モータ軸側プロセスガス導入管、ハウジング側プロセスガス導入管、およびモータ軸隙間部を介してモータに処理液ミストやパーティクルが進入することを防止できるため、モータの破損を防止することができる。また、モータの回転によって発生したパーティクルが、ハウジング側プロセスガス導入管およびモータ軸側プロセスガス導入管を介して基板に付着することを防止することができるため、基板不良が発生することを防止できる。
【0140】
特に、請求項7に記載の発明によれば、モータ軸隙間部の一端からシールガスを供給し、モータ軸隙間部の他端からシールガスを排出することにより、モータ軸隙間部に進入した処理液ミストやパーティクルを排出することができる。そのため、第1のモータに処理液ミストやパーティクルが進入すること、および、モータで発生したパーティクルがハウジング側プロセスガス導入管およびモータ軸側プロセスガス導入管を介して基板に付着することをさらに防止することができる。
【0141】
特に、請求項8に記載の発明によれば、モータ軸隙間部はラビリンス構造を有するため、モータ軸隙間部に進入した処理液ミストやパーティクルが、ハウジング側プロセスガス導入管や第1のモータに進入することをさらに防止することができる。
【0142】
特に、請求項9に記載の発明によれば、モータ軸隙間部が耐処理液加工されているため、モータ軸隙間部が処理液によって腐食することや錆びることを防止できる。
【0143】
特に、請求項10に記載の発明によれば、第2のモータの駆動力が第2のモータ軸に直接伝達されて前記保持手段に保持された基板を回転させることにより、回転による基板の振動を低減することができる。そのため、雰囲気遮断板と基板との距離をさらに小さくすることができる。その結果、基板付近の雰囲気を窒素ガスと置換する場合に使用されるプロセスガスの使用量を低減でき、基板付近を効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【0144】
特に、請求項11に記載の発明によれば、雰囲気遮断板と基板との距離を小さくしつつ、基板の下方から基板に向けて処理液とプロセスガスとを吐出することができる。そのため、処理液によって基板処理を行う際に、基板付近を効果的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【0145】
特に、請求項12に記載の発明によれば、雰囲気遮断板と基板との距離を0.5mm以下とするため、基板付近をさらに効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基板処理装置の全体構成を模式的に示す正面図である。
【図2】図1の基板処理装置の回転駆動機構の上部付近の断面を模式的に示す図である。
【図3】図1の基板処理装置の回転駆動機構の下部付近の断面を模式的に示す図である。
【図4】図1の基板処理装置の回転駆動機構の下側を模式的に示す下面図である。
【図5】図1の基板処理装置のモータ軸を模式的に示す斜視図である。
【図6】図1の基板処理装置の回転駆動機構への耐腐食性膜を説明するための図である。
【図7】基板上方に雰囲気遮断板を配置した従来の基板洗浄装置の全体構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置
27 雰囲気遮断板
30 スピンベース
101、301 モータ
110、310 モータ軸
112、312 プロセスガス流路
131、331 処理液流路
152 リング隙間部
223 モータ軸隙間部
W 基板
Claims (12)
- 基板を回転させつつ所定の処理を施す基板処理装置であって、
(a) 前記基板を略水平姿勢にて保持しつつ、前記基板を略鉛直方向に沿った第1の回転軸を中心として回転させる保持手段と、
(b) 前記保持手段よりも上方に配置され、前記保持手段によって保持された基板の上面に対向する雰囲気遮断板と、
(c) 前記雰囲気遮断板の上方に配置され、前記雰囲気遮断板と接続された第1のモータ軸を第2の回転軸として前記雰囲気遮断板を回転させる第1のモータと、
(d)プロセスガスを、
(d−1)前記第1のモータ軸の周壁の下部付近に設けられたハウジング側プロセスガス導入管と、
(d−2)前記雰囲気遮断板の内部に設けられたモータ軸側プロセスガス導入管と、
を介して前記基板の上方から前記基板の周縁部に向けて吐出する第1のプロセスガス吐出手段と、
(e)前記第1のモータ軸と前記第1のモータと、の間のモータ軸隙間部に設けられ、前記ハウジング側プロセスガス導入管と接する第1のシール機構と、
を備え、
前記第1のシール機構は、
(e−1)前記モータ軸隙間部と連通接続され、前記モータ軸隙間部にシールガスを供給する第2のシールガス供給手段、
を有し、
前記第1のモータの駆動力は、前記第1のモータ軸に直接伝達されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
(f) 前記第1のモータ軸に挿入して設けられたプロセスガス流路を介して前記第1のモータ軸の下部付近から前記保持手段に保持された基板に向けてプロセスガスを吐出する第2のプロセスガス吐出手段と、
(g) 前記第1のモータ軸に挿入して設けられた処理液流路を介して前記第1のモータ軸の下部付近から前記保持手段に保持された基板に向けて処理液を吐出する第1の処理液吐出手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
(h) 前記プロセスガス流路と前記第1のモータとの間のリング隙間部に配置された第2のシール機構、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記第2のシール機構は、
(h−1) 前記リング隙間部の一端と連通接続され、前記リング隙間部にシールガスを供給する第2のシールガス供給手段と、
(h−2) 前記リング隙間部の他端と連通接続され、前記リング隙間部を排気する第1の排気手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記リング隙間部は、ラビリンス構造を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記モータ軸隙間部は、前記第1のモータ軸の下部と前記第1のモータを含むハウジングの下部との間に設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第1のシール機構は、
(e−2) 前記モータ軸隙間部と連通接続され、前記モータ軸隙間部内を排気する第2の排気手段、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置であって、
前記モータ軸隙間部は、ラビリンス構造を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6ないし請求項8のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記モータ軸隙間部は、耐処理液加工されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記保持手段は、
(a−1) 前記基板の保持位置より下方に配置された第2のモータを有しており、前記基板は、前記第2のモータに挿入して設けられた第2のモータ軸を中心として回転させられることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置であって、
(i) 前記第2のモータ軸に挿入して設けられ、前記保持手段に保持された基板の下方からプロセスガスを吐出する第3のプロセスガス吐出手段と、
(j) 前記第2のモータ軸に挿入して設けられ、前記保持手段に保持された基板の下方から処理液を吐出する第2の処理液吐出手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし請求項11のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記雰囲気遮断板と、前記保持手段に保持された基板との距離は0.5mm以下であることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002333632A JP4054248B2 (ja) | 2002-11-18 | 2002-11-18 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002333632A JP4054248B2 (ja) | 2002-11-18 | 2002-11-18 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004172204A JP2004172204A (ja) | 2004-06-17 |
JP4054248B2 true JP4054248B2 (ja) | 2008-02-27 |
Family
ID=32698288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002333632A Expired - Fee Related JP4054248B2 (ja) | 2002-11-18 | 2002-11-18 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4054248B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10249517B2 (en) | 2015-06-15 | 2019-04-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8485204B2 (en) * | 2010-05-25 | 2013-07-16 | Lam Research Ag | Closed chamber with fluid separation feature |
US20120305036A1 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Lam Research Ag | Device for treating surfaces of wafer-shaped articles |
US10770335B2 (en) * | 2016-07-06 | 2020-09-08 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Substrate supporting apparatus |
JP2021152762A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 株式会社Screenホールディングス | 学習済みモデル生成方法、学習済みモデル、異常要因推定装置、基板処理装置、異常要因推定方法、学習方法、学習装置、及び、学習データ作成方法 |
-
2002
- 2002-11-18 JP JP2002333632A patent/JP4054248B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10249517B2 (en) | 2015-06-15 | 2019-04-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004172204A (ja) | 2004-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6983755B2 (en) | Cleaning method and cleaning apparatus for performing the same | |
US9539589B2 (en) | Substrate processing apparatus, and nozzle | |
JP3511514B2 (ja) | 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法 | |
US6824621B2 (en) | Single wafer type substrate cleaning method and apparatus | |
JP6229933B2 (ja) | 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI517907B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
US8282771B2 (en) | Method of processing a substrate, spin unit for supplying processing materials to a substrate, and apparatus for processing a substrate having the same | |
US6792959B2 (en) | Single wafer type cleaning method and apparatus | |
JP4722570B2 (ja) | 基板洗浄方法,記録媒体及び基板洗浄装置 | |
US7211145B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR20190025614A (ko) | 기판 지지 장치 | |
JP4054248B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3067479B2 (ja) | ウエーハの高平坦度エッチング方法および装置 | |
JP6331189B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20040079403A1 (en) | Single workpiece processing system | |
KR101120617B1 (ko) | 웨이퍼의 습식처리 장치 및 방법 | |
JP4457046B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2019061979A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102193669B1 (ko) | 압력 측정 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR101973862B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP6562508B2 (ja) | 基板保持装置 | |
JP2006128424A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2002184739A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20060066415A (ko) | 기판 이송 장치 | |
JP4703944B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070605 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070731 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071009 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131214 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |