TW201710411A - 塗層 - Google Patents

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史蒂芬 柯森
戴爾文 伊凡斯
安捷里奇 西歐庫
克萊福 泰弗爾德
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Abstract

本發明提供一種電子裝置或電氣裝置或其組件，其包含在該電子裝置或電氣裝置或其組件之表面上的交聯聚合物塗層；其中該交聯聚合物塗層可藉由使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於包含單體化合物及交聯試劑之電漿，保持足以允許在其表面上形成該交聯聚合物塗層之時間段而獲得；其中該單體化合物具有下式： □其中R1、R2及R4各自獨立地選自氫、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基，或鹵基烷基，或視情況經鹵基取代之芳基，且R3係選自： □其中X各自獨立地選自氫、鹵素、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基、鹵基烷基或視情況經鹵基取代之芳基；且n1為1至27之整 數；且其中該交聯試劑包含藉助於一或多個連接部分附接之兩個或多於兩個不飽和鍵且具有在標準壓力下低於500℃之沸點。

Description

塗層
本發明係關於保護塗層。具體言之，本發明係關於用於電子裝置或電氣裝置及其組件之保護塗層，及形成此類塗層之方法。該等塗層可藉由具有疏水性且因此阻擋水基液體進入電子裝置中來進行保護，或其可藉由形成障壁塗層且因此在電話之電子部件與水基液體之間產生電阻來進行保護。
使用單不飽和單體，使用電漿聚合製程來製備障壁塗層(參見共同待決之申請案)。
亦使用全氟烷基鏈單體，由脈衝電漿沈積製程產生疏水性表面(參見WO 9858117 A1)。
電漿引發聚合反應之功率影響所產生之聚合物的性質。連續波電漿之較高平均能量輸入引起單體之更多片段化，且因此聚合物喪失單體之結構特性。在丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟癸酯(PFAC8)之情況下，全氟烷基鏈得到較少保持且損害表面塗層之接觸角。較高電漿能量亦引起較高交聯。對於較低平均能量輸入之脈衝電漿，存在較佳的單體結構保持及較少交聯。全氟鏈在低能量下之較高保持，脈衝電漿條件使表面塗層具有最佳的接觸角水準。
當全氟烷基鏈具有八個或超過八個氟化碳(長鏈)時，由該單體製備之聚合物具有結晶結構。當全氟烷基鏈具有少於八個氟化碳時，所 得聚合物為非晶形的且因此在水存在下會不穩定(參見「Molecular Aggregation Structure and Surface Properties of Poly(fluoroalkyl acrylate)Thin Films」,Marcomolecules,2005，第38卷，第5699-5705頁)。
當藉由高平均功率(連續波或CW)或低平均功率(脈衝波或PW)電漿製備長鏈全氟烷基聚合物時，則歸因於長鏈之結晶結構，該等聚合物觸摸起來無黏性且在水存在下穩定。然而，鏈較短之聚合物塗層之感覺及水穩定性受所用電漿功率水準影響。舉例而言，當PFAC6(丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟辛酯)在低功率電漿條件下聚合時，所得聚合物塗層可具有若干缺點。舉例而言，該塗層可使水滴極少散開(滑落)，藉由其表面上水滴之存在進行標記，具有黏性感覺或可容易地塗污(例如，在矽晶圓及ABS塑料之基板上)。
藉由增加用於聚合之電漿的功率，聚合物交聯度變高且變得更難塗污。然而，增加功率同時具有經由更多的單體片段化(如上文所描述)而降低水接觸角之作用。圖1顯示在125公升腔室中增加CW電漿之功率與比單體流量之作用：在4W/μl/min之比率下，水接觸角為約85至95度且塗層無黏性。然而，隨著該比率下降，接觸角增加且黏性/髒污塗層之出現亦增加。圖2顯示對於脈衝電漿條件之相同作用。此等結果顯示，用於產生無黏性且無污染之塗層的製程窗具有有限之電漿處理範圍且最終塗層具有受損之水接觸角。
因此，目的在於解決利用先前技術塗層之一或多種以上提及之問題。
本發明之一態樣提供一種電子裝置或電氣裝置或其組件，其包含在該電子裝置或電氣裝置或其組件之表面上的保護性交聯聚合物塗層； 其中該保護性交聯聚合物塗層可藉由使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於包含單體化合物及交聯試劑之電漿，保持足以允許在其表面上形成該保護性交聯聚合物塗層之時間段而獲得，其中該單體化合物具有下式：
其中R1、R2及R4各自獨立地選自氫、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基，或鹵基烷基，或視情況經鹵基取代之芳基，且R3係選自：
其中X各自獨立地選自氫、鹵素、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基、鹵基烷基或視情況經鹵基取代之芳基；且n1為1至27之整數；且其中該交聯試劑包含藉助於一或多個連接部分附接之兩個或多於兩個不飽和鍵且具有在標準壓力下低於500℃之沸點。
較高的聚合物交聯水準(先前僅可用高平均功率連續波電漿達成)可藉由將交聯分子添加至單體中以產生交聯共聚物來實現。此具有增加電漿處理範圍之益處，因此，現可以低平均能量脈衝電漿條件製造穩定塗層。
由低能量脈衝電漿引起之疏水性單體結構之高度保持使得由共聚物構成之塗層為良好疏水性塗層(如藉由水接觸角證明)及觸摸無黏性或不易髒污之塗層。因此，此等特性使其適於電子裝置之塗層以防止水基液體進入而引起意外損害。此類塗層之厚度通常在1與100nm之間，較佳在1與50nm之間。
該塗層可描述為拒液層，通常為拒水層。該塗層可排斥水，水性液體(諸如雨水)或油。
作為提供拒液層之替代，或除提供拒液層外，塗層可為物理障壁層。
塗層可為物理障壁，亦即，其提供針對質量及電子傳輸之物理障壁。
該物理障壁層限制水、氧及離子之擴散。當塗層為物理障壁時，其厚度通常超過50nm。
塗層為保護層，亦即，其防止由接觸水其他液體引起之損害。塗層可藉由形成拒液層及/或物理障壁層而提供保護功能。
塗層較佳實質上不含小孔以使其能夠提供物理障壁。較佳△Z d<0.15，其中△Z為AFM線掃描時之平均高度變化，以nm表示(如圖3中所示)且d為塗層厚度，以nm表示。
△Z/d之值指示塗層表面上之缺陷/空隙延伸至塗層中之程度，亦即，缺陷深度相對於總塗層厚度之百分比值。舉例而言，△Z/d=0.15意謂，表面上之空隙僅向下延伸至15%之塗層厚度。△Z/d<0.15之塗層在本文中定義為實質上不含小孔。若空隙大於此值，則不太可能獲得所需功能。
塗層較佳為保形塗層，此意謂其呈現電子裝置或電氣裝置或其組件之3D形狀且實質上覆蓋該裝置之整個表面。此有利於確保該塗層在該裝置或組件之整個表面上具有足夠厚度以得到最佳功能。術語「實質上覆蓋整個表面」之含義在一定程度上取決於欲覆蓋之表面之類型。舉例而言，對於一些組件，可能需要完全覆蓋表面以使該組件在浸沒於水中之後仍起作用。然而，對於其他組件或外殼，可容許覆蓋範圍存在小間隙。
塗層具有的厚度可為50至10,000nm，視情況為50至8000nm、 100至5000nm，較佳為250nm至5000nm，最佳為250nm至2000nm。
塗層可為電絕緣的且具有足夠順應性以使電連接器可接合至電子裝置或電氣裝置或其組件且在電連接器與電子裝置或電氣裝置或其組件之間產生電連接，而不需要先移除塗層。在此情況下，電連接器對塗層施加的力足以改變電連接器局部之塗層之結構或甚至破壞該塗層，從而允許產生電連接。對於厚度小於5000nm之塗層及小於2000nm之高效能塗層，電連接器通常可以此方式接合至電子裝置或電氣裝置或組件。
在對電子裝置或電氣裝置或組件施加功率時，電子裝置或電氣裝置或其組件通常可經受住浸入多達1m之水中超過30分鐘，而無故障或腐蝕。塗層之有效性可藉由量測當浸沒於水中保持設定時間段時在固定電壓下其電阻來測定；舉例而言，對浸沒於水中的裝置之塗層施加8V電壓達13分鐘。在此測試中電阻值為1×107歐姆或更高之塗層為有效障壁塗層且經塗佈之電子裝置或電氣裝置或其組件將成功地通過IPX7測試。IPX7測試為入口防護標記(Ingress Protection Marking)，其將針對水提供之防護之程度進行分類及分級。在針對電話之IPX7測試中，在指定壓力及時間條件下，將裝置浸入水中(多達1m浸沒)持續30分鐘時間。該裝置在測試期間須通電且在24小時之後仍起作用。
在一個實施例中，塗層為電絕緣的且其厚度小於1微米，且其中使用1mm直徑之圓形探針對塗層施加5至20g力允許與電子裝置或電氣裝置或其組件在已施加力之局部區域中產生電連接。
在另一個實施例中，塗層為電絕緣的且其厚度為1至2.5微米，且其中使用1mm直徑之圓形探針對塗層施加20至100g力允許在該塗層已施加力之局部區域中產生電連接。
塗層之密度可高於形成該塗層之相應單體的密度。舉例而言， 密度增加可為至少0.1g/cm3。密度之增加係由高度交聯之塗層解釋。塗層之高密度改善該塗層之障壁特性。
該塗層可形成由至少70°之靜態水接觸角(WCA)界定之表面。WCA為至少90°之塗層為拒液層，通常為拒水層。對於氟化聚合物，塗層之靜態水接觸角可為至少100°。液體在固體基板上之接觸角指示表面能，該表面能又說明基板之拒液性。接觸角係在VCA Optima接觸角分析儀上，在室溫下使用3μl去離子水液滴進行量測。
交聯劑
對於交聯試劑之基本要求係存在兩個或多於兩個不飽和鍵，例如-C=C-或炔烴基團。不飽和鍵係藉由一或多個連接部分附接。連接部分不受特別限制，只要其將兩個或多於兩個不飽和鍵接合在一起即可。交聯試劑必須具有在標準壓力下低於500℃，較佳-10至300℃，視情況180至270℃，最佳205至260℃之沸點。較佳(但非必需)交聯試劑對於用於電漿處理中無過度危害，亦即，其可用於低含量蒸氣不存在任何顯著衛生及安全問題(例如，劇烈氧化、爆炸、有毒或具有難聞氣味(例如，惡臭試劑))的製造環境。交聯試劑較佳具有以下結構之一：
其中Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7及Y8各自獨立地選自氫、視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈C1-C6烷基或芳基；且L為連接部分。
最佳L具有下式：
其中Y9各自獨立地選自一鍵、-O-、-O-C(O)-、-C(O)-O-、-Y11-O-C(O)-、-C(O)-O-Y11-、-OY11-及-Y11O-，其中Y11為視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈C1-C8伸烷基；及Y10係選自視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈C1-C8伸烷基及含矽氧烷之基團。
在一個最佳實施例中，Y10具有下式：
其中Y12及Y13各自獨立地選自H、鹵基、視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈C1-C8烷基，或-OY14，其中Y14係選自視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C8烷基或烯基，且n為1至10之整數。
視情況，Y12各自為H且Y13各自為H，亦即，Y10為直鏈伸烷基鏈。對於此實施例，Y9較佳為乙烯酯基或乙烯基醚基。
視情況，Y12各自為氟且Y13各自為氟，亦即，Y10為直鏈全氟伸烷基鏈。
通常，n為4至6。
在另一實施例中，Y10具有下式：
其中Y15各自獨立地選自視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基。
在一個實施例中，Y15各自為甲基，且Y9各自為一鍵。
在另一實施例中，Y10具有下式：
其中Y16至Y19各自獨立地選自H及視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C8烷基或烯基。較佳烯基為乙烯基。視情況，Y18為H或乙烯基，且Y16、Y17及Y19各自為H。在一個實施例中，Y16至Y19各自為H。在另一實施例中，Y18為乙烯基，且Y16、Y17及Y19各自為H。
在化合物(i)之較佳實施例中，L具有以下結構之一：
在化合物(i)之另一實施例中，L具有以下結構之一：
對於根據結構(vii)之L，Y10較佳為伸烷基鏈或伸環烷基，諸如以上結構iv)及vi)中所示者。伸烷基鏈可為直鏈伸烷基鏈。當Y10為伸環烷基時，伸環己基較佳，最佳為1,4伸環己基。
對於根據結構(viii)之L，Y10較佳為結構(iv)，亦即，伸烷基或氟伸烷基鏈。
對於根據結構(ix)之L，Y10較佳為伸環烷基，諸如根據結構(vi)之伸環己基。
對於根據結構(x)之L，Y10較佳為結構(iv)，其中Y12及Y13各自為F，亦即，全氟伸烷基鏈。
對於根據結構(xi)或結構(xii)之L，Y10較佳為伸烷基或伸環烷基。視情況，伸烷基或伸環烷基可經一或多個乙烯基或烯基醚基團，較佳一或多乙烯基醚基團取代。
當Y9各自為一鍵時，Y10各自可為結構(iv)、(v)及(vi)中之任一者。較佳Y10為直鏈伸烷基，由此交聯試劑為二烯，諸如庚二烯、辛二烯或壬二烯，最佳為1,7-辛二烯。
當Y9各自為O時，Y10各自較佳為分支鏈或直鏈C1-C6伸烷基，較佳為直鏈伸烷基，最佳為C4直鏈伸烷基，亦即，交聯試劑為1,4-丁二醇二乙烯醚。
應瞭解，Y9基團各自可與任何其他Y9基團及Y10基團組合以形成交聯試劑。
熟習此項技術者將明白上文所提及之環狀、分支鏈或直鏈C1-C8伸烷基各自可能之取代基。伸烷基可在一或多個位置經適合化學基團取代。鹵基取代基較佳，其中氟取代基最佳。C1-C8伸烷基各自可為C1-C3、C2-C6或C6-C8伸烷基。
交聯劑之尤佳實施例具有Y10之烷基鏈且在任一側具有乙烯酯基或乙烯基醚基。
尤佳之交聯試劑為己二酸二乙烯基酯。(一種二乙烯基酯)
另一較佳之交聯試劑為1,4-丁二醇二乙烯醚(一種二乙烯醚)。
在最佳實施例中，該交聯試劑係選自己二酸二乙烯基酯(DVA)、1,4丁二醇二乙烯醚(BDVE)、1,4環己烷二甲醇二乙烯醚(CDDE)、1,7-辛二烯(17OD)、1,2,4-三乙烯基環己烷(TVCH)、1,3-二乙烯基四甲基 二矽氧烷(DVTMDS)、1,4-環己烷二甲酸二烯丙基酯(DCHD)、1,6-二乙烯基全氟己烷(DVPFH)、1H,1H,6H,6H-全氟己二醇二丙烯酸酯(PFHDA)及乙二醛雙(二烯丙基縮醛)(GBDA)。
對於根據化合物(ii)之炔烴交聯試劑，L較佳選自分支鏈或直鏈C1-C8伸烷基或醚基。L可為C3、C4、C5或C6伸烷基，較佳為直鏈伸烷基。尤佳之交聯試劑的化學結構陳述下表1中：
單體化合物
該單體化合物具有下式：
其中R1、R2及R4各自獨立地選自氫、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基，或鹵基烷基，或視情況經鹵基取代之芳基，且R3係選自：
其中X各自獨立地選自氫、鹵素、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基，鹵基烷基或視情況經鹵基取代之芳基；且n1為1至27之整數。較佳地，n1為1至12。視情況n1為4至12，視情況為6至8。
在一個較佳實施例中，R3係選自：
其中m1為0至13之整數且X各自獨立地選自氫、鹵素、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基、鹵基烷基或視情況經鹵基取代之芳 基；且m2為2至14之整數；在一個尤佳實施例中，單體為式I(a)化合物：
其中R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫或視情況經取代之C1-C6分支鏈或直鏈烷基；X各自獨立地選自氫或鹵素；a為0至10；b為2至14；且c為0或1；；或該單體為式I(b)化合物：
其中R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫或視情況經取代之C1-C6分支鏈或直鏈烷基；X各自獨立地選自氫或鹵素；a為0至10；b為2至14；且c為0或1。
鹵素可為氯或溴，但為了遵守RoHS法規(危害物質限用指令(Restriction of Hazardous Substances))，較佳為氟。
a為0至10，較佳為0至6，視情況為2至4，最佳為0或1。b為2至14，視情況為2至10，較佳為3至7。
R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫或C1-C6分支鏈或直鏈烷基。烷基可為經取代或未經取代、飽和或不飽和的。當烷基經取代時，取代基之位置或類型不受特別限制，只要所得聚合物提供適當拒 液及/或障壁層即可。熟習此項技術者將瞭解適合取代基。若烷基經取代，則較佳取代基為鹵基，亦即，R1、R2、R4及R5至R10中之任一者可為鹵烷基，較佳為氟烷基。其他可能之取代基可為羥基或胺基。若烷基為不飽和的，則其可包含一或多個烯烴或炔烴基團。
R1、R2、R4及R5至R10各自可獨立地選自氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、正戊基、新戊基、正己基、異己基及3-甲基戊基。
在一個較佳實施例中，R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫或甲基。
在一個較佳實施例中，a及c各自獨立地為0或1；且b為3至7。
在一個較佳實施例中，X各自為H。在一個替代性較佳實施例中，X各自為F。
視情況，R1及R2均為氫。
視情況，R4為氫或甲基。較佳R1及R2均為氫且R4為氫或甲基。
視情況R9為氫且R10為分支鏈或直鏈C1-C6烷基。在一個較佳實施例中，R10為甲基。
在一個實施例中，R5至R8各自為氫。
在一個實施例中，R1、R2、R4及R5至R10各自為氫，X各自為H，a=0且c=0。
在一個尤佳實施例中，單體化合物具有下式：
其中n為2至10。
在另一個較佳實施例中，單體化合物具有下式：
其中n為2至10。
單體化合物可選自丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟己酯(PFAC4)、丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟辛酯(PFAC6)、丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟癸酯(PFAC8)及丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟十二酯(PFAC10)。
單體化合物可選自甲基丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟己酯(PFMAC4)、甲基丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟辛酯(PFMAC6)及甲基丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟癸酯(PFMAC8)。
式I(a)之單體化合物可具有下式：
其中a及c各自獨立地為0或1，b=3-7且n為4至10，其中n=a+b+c+1。
式I(a)之單體化合物可具有下式：
其中n為2至12。
單體化合物可選自丙烯酸乙基己酯、丙烯酸己酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸月桂基(十二基)酯及丙烯酸異癸酯。
單體可具有下式：
其中n為4至14。
單體可具有下式：
其中n為4至14。
在另一態樣中，本發明提供一種用於處理電子裝置或其組件之方法，其包含：使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於包含單體化合物及交聯試劑之電漿，保持足以允許在該電子裝置或電氣裝置或其組件之表面上形成保護性交聯聚合物塗層之時間段；其中該單體化合物具有下式：
其中R1、R2及R4各自獨立地選自氫、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基，或鹵基烷基，或視情況經鹵基取代之芳基，且R3係選自：
其中X各自獨立地選自氫、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6 烷基、鹵基烷基或視情況經鹵基取代之芳基；且n1為1至27之整數；且其中交聯試劑包含兩個或多於兩個不飽和鍵且具有在標準壓力下低於500℃之沸點。
該方法中使用之單體化合物及交聯試劑於上文更詳細地描述。
通常，將電子裝置或電氣裝置或其組件置放於電漿沈積腔室中，在該腔室內點燃輝光放電且以脈衝場形式施加電壓。
較佳電壓係以30至800W之功率施加。視情況電壓係以使得接通時間/斷開時間之比率在0.001至1範圍內，視情況在0.002至0.5範圍內之序列脈衝。舉例而言，接通時間可為10至500μs，較佳為35至45μs，或30至40μs，諸如為約36μs，且斷開時間可為0.1至30ms，較佳為0.1至20ms，視情況為5至15ms，例如為6ms。接通時間可為35μs、40μs、45μs。斷開時間可為0.1、1、2、3、6、8、10、15、20、25或30ms。
術語脈衝可意謂電漿在無(或實質上無)電漿發射之狀態(斷開狀態)與發射特定量電漿之狀態(接通狀態)之間循環。或者，脈衝可意謂存在連續電漿發射，但電漿量在上限(接通狀態)與下限(斷開狀態)之間循環。
在另一實施例中，本發明在於一種在如上文所定義之電子裝置或電氣裝置或其組件上形成塗層之方法，該方法包含：使該基板在腔室中暴露於包含單體化合物之電漿，較佳連續電漿，保持足以允許在該基板上形成保護性聚合物塗層之時間段，其中在該基板暴露期間，該連續電漿之功率密度為至少2W/升，較佳為20W/升。
視情況，電壓係以脈衝場形式施加，保持30秒至90分鐘之時間段。視情況，電壓係以脈衝場形式施加，保持5至60分鐘。視情況在初始步驟中，對電子裝置或電氣裝置或其組件施加連續功率電漿。初始步驟可在惰性氣體存在下進行。
在交聯劑及/或單體化合物進入沈積腔室之前，其各自可在室溫下呈氣體、液體或固體(例如粉末)形式。然而，較佳交聯試劑及單體化合物在室溫下均為液體，且最佳單體及交聯劑液體為可混溶的。
單體化合物及/或交聯劑宜在電漿中呈氣態。電漿可僅僅包含單體化合物及交聯劑之蒸氣。此類蒸氣可就地形成，其中該等化合物係以液體形式引入腔室中。單體亦可與載氣，特定言之惰性氣體，諸如氦氣或氬氣組合。
在較佳實施例中，單體及/或交聯劑可藉助於氣霧劑裝置，諸如噴霧器或類似物輸送至腔室中，如例如WO2003/097245及WO03/101621中所述，其內容以引用的方式併入本文中。在此類佈置中，可能不需要載氣，其有利地幫助達成高流動速率。
在一個實施例中，單體化合物及/或交聯試劑係呈氣態形式且取決於腔室體積，以10至5000mg/min之速率饋送到電漿中，同時施加脈衝電壓。
視情況電漿係以0.001至40W/升之平均功率產生。
交聯劑可與單體混溶且因此一起或分別引入電漿腔室中。或交聯劑可為與單體不可混溶的且分別引入電漿腔室中。在此情形下，術語「可混溶」意謂交聯劑可溶於單體中，且當混合時，其形成具有均一組成之溶液。術語「不可混溶」用於意謂交聯劑僅部分可溶或不可溶於單體且因此形成乳液或分成兩層。
取決於特定交聯劑，交聯試劑之存在量較佳為單體化合物及交聯試劑之總體積之10至60(v/v)%，視情況為20至40(v/v)%，視情況為25至30(v/v)%，視情況為30至50(v/v)%。熟習此項技術者應瞭解，該量在一定程度上將取決於需要塗層具有拒液性抑或提供針對質量及電子傳輸之障壁而變化。熟習此項技術者應瞭解，(v/v)百分比係產生穩定交聯聚合物塗層及最高水接觸角之百分比。
電子裝置或電氣裝置或其組件
儘管本發明在多種基板之情況下具有益處，但在本發明之所有態樣中，基板可有利地為電子基板。
在本發明之一些實施例中，電子基板可包含電子裝置或電氣裝置，亦即，電氣設備或電子設備之任何工件。電氣裝置及電子裝置之非限制性實例包括通信裝置，諸如行動電話、智慧型電話及傳呼機、無線電，以及聲音及音頻系統，諸如擴音器、麥克風、振鈴器或蜂音器、助聽器、個人音頻設備(諸如個人CD、卡式磁帶或MP3播放機)、電視、DVD播放機(包括攜帶型DVD播放機)、視頻記錄器、數位式及其他機頂盒(諸如Sky)、電腦及相關組件(諸如膝上型電腦、筆記型電腦、平板、平板手機或掌上型電腦、個人數位助理(PDA)、鍵盤或儀錶)、遊戲控制台(特定言之手持式遊戲站及其類似物)、資料儲存裝置、戶外照明系統或無線電天線及其他形式之通信設備。
在本發明之較佳實施例中，基板可包含電子組件，例如印刷電路板(PCB)、印刷電路板陣列(PCBA)、電晶體、電阻器或半導體晶片，或由其組成。因此，電子組件可為電子裝置(例如行動電話)之內部組件。本發明之塗層對於防止此類組件中之電化學遷移特別有意義。
在本發明之所有態樣中，以有效方式形成保護性聚合物塗層之精確條件將取決於多種因素而變化，諸如(但不限於)單體化合物、交聯試劑、基板之性質以及所需塗層特性。此等條件可使用常規方法，或較佳地，使用本文所描述的本發明之技術及較佳特徵測定，其與本發明以特定協同方式起作用。
現將參照以下非限制性實例及說明性附圖進一步描述本發明，在附圖中： 圖1說明在先前技術製程中，在3公升腔室中增加CW電漿之功率與單體流量比之作用。
圖2顯示對於脈衝電漿條件之相同作用。
圖3顯示根據實例1製備之試樣實例(厚度d=1230nm)在10×10μm2視野內之輕敲模式圖像(左手側)及顯示用於計算RMS粗糙度之資料的等高線(右手側)。在該曲線上指示之△Z值係在該圖中代表大部分塗層之區域內取得。在△Z範圍上方之峰指示大粒子且在△Z範圍下方之谷顯示塗層中之空隙或小孔。峰之寬度亦指示粒度。
圖4說明根據針對125公升腔室之製程，將己二酸二乙烯基酯交聯劑添加至丙烯酸全氟辛酯中對水接觸角之影響。
圖5顯示添加根據本發明之交聯劑對每奈米塗層之電阻的影響。
圖6顯示如實例3中所描述製備之90nm厚塗層在2×2μm2視野內之輕敲模式圖像(左上圖)、指示塗層之高度變化(z軸)的代表等高線(右上圖)及指示完全基板覆蓋之相位圖像(左下圖)；塗層之RMS粗糙度為1.65nm且△z/d=0.05。
圖7顯示根據實例5形成之塗層的FTIR/ATR光譜。
實例1 在3公升腔室中在無交聯劑存在下使PFAC6電漿聚合之實例
在3公升玻璃腔室中，使用連續電漿製程使PFAC6聚合。在實驗基質中，使用50、100及200瓦特之RF功率水準產生連續電漿。製程壓力係在30、60及90毫托下執行且單體流動速率在50、100及200微升液體/分鐘執行。製程持續時間為10或40分鐘。經塗佈基板為矽晶圓且塗層是否具有黏性係藉由用手指擦拭基板且用眼睛確定塗層是否塗污來確定。圖1中之結果指示，對於較低CW功率，塗層可容易地塗污(亦即，有黏性)，但藉由增加功率與流量比，塗層變得難以塗污(亦即，無黏性)且預期此歸因於由更多的單體片段化引起之另外的交 聯。亦觀察到水接觸角隨功率與流量比增加而減小，且此亦指示較高功率使單體片段化程度增加。
亦使用同樣的3公升腔室觀察在脈衝電漿聚合情況下功率與流量比之作用。在此等實驗中，峰值功率為250或500W。RF功率饋電係以35微秒之接通時間及5.5及1毫秒之斷開時間脈衝。製程壓力為20、35、60或80毫托。單體流量為50或200微升液體/分鐘。圖2顯示較低的功率比流量條件可產生可經塗污(具有黏性)之塗層且可僅藉由增加功率使污跡減少。此亦伴隨水接觸角之減小。
由圖1及2得到之結果顯示，電漿處理PFAC6就其自身而言只能在功率高到足以降低另一所需特性水接觸角之情況下才產生無污跡之塗層。此說明需要添加交聯劑以防止塗層塗污且維持水接觸角。
實例2 在交聯劑存在下丙烯酸全氟烷酯共聚合顯示電阻之改進的實例
將丙烯酸全氟辛酯單體與來自以下清單之單一交聯劑混合：VINYL ESTERS：己二酸二乙烯基酯(DVA)
VINYL ETHERS：1,4-丁二醇二乙烯醚(BDVE)；1,4環己烷二甲醇二乙烯醚(CDDE)
DI-或TRI-VINYLS：1,7-辛二烯(1,7-OD)；1,2,4-三乙烯基環己烷(TVCH)；具有烷基氟基之DI VINYL：1,6-二乙烯基全氟己烷(DVPFH)
具有矽基之DI VINYL：1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷(DVTMDS)
具有環己羧酸酯基之DI VINYL：1,4-環己烷二甲酸二烯丙基酯(DCHC)
DI ACRYLATE：1H,1H,6H,6H-全氟己二醇二丙烯酸酯(PFHDA)
將交聯劑以體積百分比計按以下百分比與PFAC6混合：20%、40%、60%、80%及100%。
在3公升玻璃電漿腔室中進行電漿引發之聚合反應。基板為測試電路板。將PFAC6/交聯劑混合物以0.04至0.06ul/min之速率引入且製程壓力為40毫托。製程電漿由1分鐘50W之連續電漿(CW)步驟，隨後10至20分鐘50W之脈衝電漿(PW)步驟組成且RF功率係藉由工作循環為6.9%之脈衝序列輸送。將經塗佈電路板浸入自來水中且施加8V電勢，保持13分鐘。使用最終電流讀數及塗層厚度量測值計算每奈米塗層之電阻。圖5在以下顯示添加一系列交聯劑對每奈米障壁塗層之電阻的影響。圖5清晰顯示藉由添加交聯劑至PFAC6單體中可獲得的電阻改善。另外，所有測試交聯劑在20%及超過20%之濃度值下均得到無污跡/無黏性塗層，但DVTMDS、DCHD、PFHDA及DVPFH除外，其在40%及超過40%之含量下無污跡。
實例3 交聯劑濃度對拒水塗層影響之實例.
在125公升體積腔室中，使用PFAC6及不同含量之己二酸二乙烯基酯(DVA)且使用氦氣作為載氣製備拒水塗層。沈積製程由3分鐘300W功率之CW步驟及150W功率之脈衝步驟以及0.018%之RF脈衝工作循環組成。使用矽晶圓作為測試基板且藉由將3μl去離子水滴施加至經塗佈晶圓上且使用VCA Optima(AST)及圖像分析軟體量測接觸角來測定經塗佈晶圓之接觸角。接觸角隨(v/v)% DVA交聯劑之變化示於圖4中。亦應注意，對於10(v/v)% DVA濃度，水滴在其外周所處經塗佈晶圓上留下標記。此表明，需要較高交聯劑含量來得到更穩定塗層。此觀察結果結合圖4中之結果表明20至40(v/v)% DVA交聯劑之最佳範圍，不過對於不同單體及交聯劑，以及不同腔室大小，此很可能變化，通常在10至60(v/v)%範圍內。
丙烯酸全氟烷酯在己二酸二乙烯基酯(DVA)存在下之脈衝電漿聚合係在125公升腔室中進行。圖4顯示添加不同液體體積百分比之DVA 交聯劑至丙烯酸全氟辛酯中對在矽晶圓基板上之水接觸角的影響。
實例4 單體/交聯劑共聚物塗層之AFM量測的實例
在22公升體積腔室中，使用PFAC6及10% DVA製備障壁型式之塗層。沈積製程由CW功率與流量比為3.9(瓦特/微升/分鐘)之1分鐘CW步驟及PW功率/單體流量比為0.28(瓦特/微升/分鐘)之脈衝步驟組成。圖6顯示代表性表面構形及相差圖像係自所有樣品獲得。高空間解析度圖像主要顯示凸起特徵之間之區域的結構。塗層之RMS粗糙度為1.65nm且△z/d=0.05。由於△z/d值<0.15，則此指示物理層實質上不含小孔。
實例5 單體/交聯劑共聚物塗層之FTIR/ATR量測的實例
如實例4中所描述，在22公升體積腔室中，使用單獨PFAC6及含10% DVA之PFAC6製備兩個障壁型式之塗層。沈積製程由CW功率與流量比為3.9(瓦特/微升/分鐘)之1分鐘CW步驟及PW功率/單體流量比為0.28(瓦特/微升/分鐘)之脈衝步驟組成。圖7顯示自兩個樣品獲得的代表性FTIR/ATR光譜。
該塗層中由CF3基團及C=O基團之伸縮模式產生之峰，即CF3/C=O之FTIR/ATR強度比指示該塗層中存在足以形成物理障壁之交聯。CF3係指PFAC6側鏈中之端基。
咸信障壁塗層之形成係由在聚合期間單體之交聯及控制性片段化之混合所引起。咸信交聯主要經由CF2-CF3鏈進行，而片段化被認為主要由聚合期間C=O基團損失及在較低程度上CF2鏈之縮短所引起。交聯影響塗層中-CF3基團之豐度且控制性片段化控制塗層中C=O基團之量。該兩個官能基之比率指示發生足夠交聯及片段化且可藉由相應FTIR/ATR峰之強度比來量測。
經顯示，如實例2中所描述，CF3/C=O比率降低之塗層在電測試中產生較高電阻值，顯示在交聯(針對CF3)及片段化(針對C=O)增加時塗層效能之改善。若由-CF3伸縮及C=O伸縮產生之峰，即CF3/C=O之FTIR/ATR強度比低於0.6e-0.1n(其中對於PFAC6，n=6)，則預期該塗層在電測試時之電阻將高於8兆歐姆。
在電測試期間之峰強度比CF3/C=O、塗層厚度及最終電流讀數示於表2中：

Claims (91)

  1. 一種電子裝置或電氣裝置或其組件，其包含在該電子裝置或電氣裝置或其組件之表面上的保護性交聯聚合物塗層；其中該保護性交聯聚合物塗層可藉由使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於包含單體化合物及交聯試劑之電漿，保持足以允許在其表面上形成該保護性交聯聚合物塗層之時間段而獲得，其中該單體化合物具有下式： 其中R1、R2及R4各自獨立地選自氫、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基，或鹵基烷基，或視情況經鹵基取代之芳基，且R3係選自： 其中X各自獨立地選自氫、鹵素、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基、鹵基烷基或視情況經鹵基取代之芳基；且n1為1至27之整數；且其中該交聯試劑包含藉助於一或多個連接部分附接之兩個或多於兩個不飽和鍵且具有在標準壓力下低於500℃之沸點。
  2. 如請求項1之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該保護性交聯聚合物塗層為針對質量及電子傳輸之物理障壁。
  3. 如請求項1或2之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該保護性 交聯聚合物塗層形成由至少90°之靜態水接觸角(WCA)界定的拒液表面。
  4. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該交聯試劑具有以下結構之一： 其中Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7及Y8各自獨立地選自氫、視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈C1-C6烷基或芳基；且L為連接部分。
  5. 如請求項4之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中對於化合物(i)，L具有下式： Y9各自獨立地選自一鍵、-O-、-O-C(O)-、-C(O)-O-、-Y11-O-C(O)-、-C(O)-O-Y11-、-OY11-及-Y11O-，其中Y11為視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈C1-C8伸烷基；及Y10係選自視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈C1-C8伸烷基及矽氧烷基。
  6. 如請求項5之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中對於化合物(i)，L具有以下結構之一：
  7. 如請求項5之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中對於化合物(i)，L具有以下結構之一：
  8. 如請求項5至7中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中Y10具有下式： 其中Y12及Y13各自獨立地選自H、鹵基、視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈烷基，或-OY14，其中Y14係選自視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C8烷基或烯基，且n為1至10之整數。
  9. 如請求項8之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中Y12各自為H且Y13各自為H。
  10. 如請求項8之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中Y12各自為氟且Y13各自為氟。
  11. 如請求項8至10中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中n為4至6。
  12. 如請求項5至7中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中Y10具有下式： 其中Y15各自獨立地選自視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基。
  13. 如請求項12之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中Y15各自為甲 基，且Y9各自為一鍵。
  14. 如請求項5至7中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中Y10具有下式： 其中Y16至Y19各自獨立地選自H及視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C8烷基或烯基。
  15. 如請求項14之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中Y18為H或伸乙烯基，且Y16、Y17及Y19各自為H。
  16. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該交聯試劑係選自己二酸二乙烯基酯(DVA)、1,4丁二醇二乙烯醚(BDVE)、1,4環己烷二甲醇二乙烯醚(CDDE)、1,7-辛二烯(17OD)、1,2,4-三乙烯基環己烷(TVCH)、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷(DVTMDS)、1,4-環己烷二甲酸二烯丙基酯(DCHD)、1,6-二乙烯基全氟己烷(DVPFH)、1H,1H,6H,6H-全氟己二醇二丙烯酸酯(PFHDA)及乙二醛雙(二烯丙基縮醛)(GBDA)。
  17. 如請求項4之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中對於化合物(ii)，L係選自分支鏈或直鏈C1-C8伸烷基或醚基。
  18. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該單體為式I(a)化合物：I(a) 其中R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫或視情況經取代之C1-C6分支鏈或直鏈烷基；X各自獨立地選自氫或鹵素；a為0至10；b為2至14；且c為0或1；；或其中該單體為式I(b)化合物： 其中R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫或視情況經取代之C1-C6分支鏈或直鏈烷基；X各自獨立地選自氫或鹵素；a為0至10；b為2至14；且c為0或1。
  19. 如請求項18之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該鹵素為氟。
  20. 如請求項18或19之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、正戊基、新戊基、正己基、異己基及3-甲基戊基。
  21. 如請求項20之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫或甲基。
  22. 如請求項18至20中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中a及c各自獨立地為0或1；且b為3至7。
  23. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中X 各自為H。
  24. 如請求項1至22中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中X各自為F。
  25. 如請求項18至24中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R1及R2均為氫。
  26. 如請求項18至25中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R4為氫或甲基。
  27. 如請求項18至26中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R9為氫且R10為分支鏈或直鏈C1-C6烷基。
  28. 如請求項27之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R10為甲基。
  29. 如請求項18至28中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R5至R8各自為氫。
  30. 如請求項18至29中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R1、R2、R4及R5至R10各自為氫，X各自為H，a=0且c=0。
  31. 如請求項24至30中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該式I(a)化合物具有下式： 其中n為2至10。
  32. 如請求項24至30中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該式I(a)化合物具有下式： 其中n為2至10。
  33. 如請求項31之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該式I(a)化合物係選自丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟己酯(PFAC4)、丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟辛酯(PFAC6)、丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟癸酯(PFAC8)及丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟十二酯(PFAC10)。
  34. 如請求項32之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該式I(a)化合物係選自甲基丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟己酯(PFMAC4)、甲基丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟辛酯(PFMAC6)及甲基丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟癸酯(PFMAC8)。
  35. 如請求項18至23中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該式I(a)化合物具有下式： 其中a及c各自獨立地為0或1，b=3-7且n為4至10，其中n=a+b+c+1。
  36. 如請求項18至23中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該式I(a)化合物具有下式： 其中n為2至12。
  37. 如請求項35或36之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該式I(a)化合物係選自丙烯酸乙基己酯、丙烯酸己酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸月桂基(十二基)酯及丙烯酸異癸酯。
  38. 如請求項18至23中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該單體為式I(b)化合物且具有下式： 其中n為4至14，視情況其中R1、R2及R3各自為H。
  39. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該電子裝置或電氣裝置或其組件係選自行動電話；智慧型電話；傳呼機；無線電；聲音及音頻系統，諸如擴音器、麥克風、振鈴器及/或蜂音器；助聽器；個人音頻設備，諸如個人CD、卡式磁帶或MP3播放機；電視；DVD播放機，包括攜帶型DVD播放機；視頻記錄器；數位式及其他機頂盒；電腦及相關組件，諸如膝上型電腦、筆記型電腦、平板、平板手機或掌上型電腦、個人數位助理(PDA)、鍵盤或儀錶；遊戲控制台；資料儲存裝置；戶外照明系統；無線電天線及其他形式之通信設備；及印刷電路板。
  40. 一種用於處理電子裝置或電氣裝置或其組件之方法，其包含：使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於包含單體化合物及交聯試劑之電漿，保持足以允許在該電子裝置或電氣裝置或其組件之表面上形成保護性交聯聚合物塗層之時間段；其中該單體化合物具有下式： 其中R1、R2及R4各自獨立地選自氫、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基，或鹵基烷基，或視情況經鹵基取代之芳基， 且R3係選自： 其中X各自獨立地選自氫、視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基、鹵基烷基或視情況經鹵基取代之芳基；且n1為1至27之整數；且其中該交聯試劑包含藉助於一或多個連接部分附接之兩個或多於兩個不飽和鍵且具有在標準壓力下低於500℃之沸點。
  41. 如請求項40之方法，其中該交聯試劑具有以下結構之一： 其中Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7及Y8各自獨立地選自氫、視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈C1-C6烷基或芳基；且L為連接部分。
  42. 如請求項41之方法，其中對於化合物(i)，L具有下式： Y9各自獨立地選自一鍵、-O-、-O-C(O)-、-C(O)-O-、-Y11-O-C(O)-、-C(O)-O-Y11-、-OY11-及-Y11O-，其中Y11為視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈C1-C8伸烷基；及Y10係選自視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈C1-C8伸烷基及矽氧烷基。
  43. 如請求項42之方法，其中對於化合物(i)，L具有以下結構之一：
  44. 如請求項42之方法，其中對於化合物(i)，L具有以下結構之一：
  45. 如請求項42至44中任一項之方法，其中Y10具有下式： 其中Y12及Y13各自獨立地選自H、鹵基、視情況經取代之環狀、分支鏈或直鏈烷基，或-OY14，其中Y14係選自視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C8烷基或烯基，且n為1至10之整數。
  46. 如請求項45之方法，其中Y12各自為H且Y13各自為H。
  47. 如請求項45之方法，其中Y12各自為氟且Y13各自為氟。
  48. 如請求項45至47中任一項之方法，其中n為4至6。
  49. 如請求項42至44中任一項之方法，其中Y10具有下式： 其中Y15各自獨立地選自視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C6烷基。
  50. 如請求項49之方法，其中Y15各自為甲基，且Y9各自為一鍵。
  51. 如請求項42至44中任一項之方法，其中Y10具有下式： 其中Y16至Y19各自獨立地選自H及視情況經取代之分支鏈或直鏈C1-C8烷基或烯基。
  52. 如請求項51之方法，其中Y18為伸乙烯基或H，且Y16、Y17及Y19各自為H。
  53. 如請求項40至52中任一項之方法，其中該交聯試劑係選自己二酸二乙烯基酯(DVA)、1,4丁二醇二乙烯醚(BDVE)、1,4環己烷二甲醇二乙烯醚(CDDE)、1,7-辛二烯(17OD)、1,2,4-三乙烯基環己烷(TVCH)、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷(DVTMDS)、1,4-環己烷二甲酸二烯丙基酯(DCHD)、1,6-二乙烯基全氟己烷(DVPFH)、1H,1H,6H,6H-全氟己二醇二丙烯酸酯(PFHDA)及乙二醛雙(二烯丙基縮醛)(GBDA)。
  54. 如請求項41之方法，其中對於化合物(ii)，L係選自分支鏈或直鏈C1-C8伸烷基或醚基。
  55. 如請求項40至54中任一項之方法，其中該單體為式I(a)化合物： 其中R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫或視情況經取代之C1-C6分支鏈或直鏈烷基；X各自獨立地選自氫或鹵素；a為0至10；b為2至14；且c為0或1； ；或其中該單體為式I(b)化合物： 其中R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫或視情況經取代之C1-C6分支鏈或直鏈烷基；X各自獨立地選自氫或鹵素；a為0至10；b為2至14；且c為0或1。
  56. 如請求項55之方法，其中該鹵素為氟。
  57. 如請求項55或56之方法，其中R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、正戊基、新戊基、正己基、異己基及3-甲基戊基。
  58. 如請求項57之方法，其中R1、R2、R4及R5至R10各自獨立地選自氫或甲基。
  59. 如請求項55至58中任一項之方法，其中a及c各自獨立地為0或1；且b為3至7。
  60. 如前述請求項中任一項之方法，其中X各自為H。
  61. 如請求項41至59中任一項之方法，其中X各自為F。
  62. 如請求項41至61中任一項之方法，其中R1及R2均為氫。
  63. 如請求項41至62中任一項之方法，其中R4為氫或甲基。
  64. 如請求項41至63中任一項之方法，其中R9為氫且R10為分支鏈或直鏈C1-C6烷基。
  65. 如請求項64之方法，其中R10為甲基。
  66. 如請求項41至65中任一項之方法，其中R5至R8各自為氫。
  67. 如請求項41至66中任一項之方法，其中R1、R2、R4及R5至R10各自為氫，X各自為H，a=0且c=0。
  68. 如請求項61至67中任一項之方法，其中該式I(a)化合物具有下式： 其中n為2至10。
  69. 如請求項61至67中任一項之方法，其中該式I(a)化合物具有下式： 其中n為2至10。
  70. 如請求項68之方法，其中該式I(a)化合物係選自丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟己酯(PFAC4)、丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟辛酯(PFAC6)、丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟癸酯(PFAC8)及丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟十二酯(PFAC10)。
  71. 如請求項69之方法，其中該式I(a)化合物係選自甲基丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟己酯(PFMAC4)、甲基丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟辛酯(PFMAC6)及甲基丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟癸酯(PFMAC8)。
  72. 如請求項41至61中任一項之方法，其中該式I(a)化合物具有下式： 其中a及c各自獨立地為0或1，b=3-7且n為4至10，其中n=a+b+c+1。
  73. 如請求項41至61中任一項之方法，其中該式I(a)化合物具有下式： 其中n為2至12。
  74. 如請求項72或73之方法，其中該式I(a)化合物係選自丙烯酸乙基己酯、丙烯酸己酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸月桂基(十二基)酯及丙烯酸異癸酯。
  75. 如請求項41至60中任一項之方法，其中該單體為式I(b)化合物且具有下式： 其中n為4至14。
  76. 如請求項75之方法，其中該單體為式I(b)化合物且具有下式： 其中n為4至14。
  77. 如請求項40至76中任一項之方法，其中將該電子裝置或電氣裝置或其組件置放於電漿沈積腔室中，在該腔室內點燃輝光放電且以脈衝場形式施加電壓。
  78. 如請求項77之方法，其中電壓係以40至500W之功率施加。
  79. 如請求項77或78之方法，其中該電壓係以使得接通時間：斷開時間之比率在1：500至1：1500範圍內之序列脈衝。
  80. 如請求項77至79中任一項之方法，其中該電壓係以功率在接通時持續20至50μs且在斷開時持續1000μs至30000μs之序列脈衝。
  81. 如請求項77至80中任一項之方法，其中該電壓係以脈衝場形式施加，持續30秒至90分鐘時間段。
  82. 如請求項81之方法，其中該電壓係以脈衝場形式施加，持續5至60分鐘。
  83. 如請求項77至82中任一項之方法，其中在初始步驟中，對該電子裝置或電氣裝置或其組件施加連續功率電漿。
  84. 如請求項83之方法，其中該初始步驟係在惰性氣體存在下進行。
  85. 如請求項77至84中任一項之方法，其中將呈氣態形式的該單體化合物及/或該交聯試劑以80至300mg/min之速率饋送至該電漿中，同時施加該脈衝電壓。
  86. 如請求項77至85中任一項之方法，其中該電漿係利用平均功率為0.001至500w/m3之電壓產生。
  87. 如請求項40至86中任一項之方法，其中該單體化合物係與該交聯試劑可混溶的。
  88. 如請求項40至86中任一項之方法，其中該單體化合物與該交聯 試劑不可混溶。
  89. 如請求項87之方法，其中使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於電漿之步驟係在電漿腔室中發生；且該單體化合物及交聯試劑係在進入該腔室之前混合。
  90. 如請求項87或88之方法，其中使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於電漿之步驟係在電漿腔室中發生；且該單體化合物及交聯試劑係分別引入該腔室中。
  91. 如請求項40至90中任一項之方法，其中該交聯試劑之存在量為單體化合物與交聯試劑之總體積的10至60(v/v)%。
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