JP2021518676A - 保護された接続及びその接続を含むコネクタを形成する方法 - Google Patents

Abstract

任意に支持体に取り付けられた第１接続素子と第２接続素子との間に保護された接続を形成する方法であって、前記第１接続素子及び／又は前記支持体に保護材料を堆積するステップ（ｉ）と、任意に前記保護材料にオーバーレイコーティングを堆積するステップ（ｉｉ）と、前記第２接続素子を押し込み、前記第１接続素子と前記第２接続素子との間に接続を確立するステップ（ｉｉｉ）とを含み、前記接続は前記保護材料によって保護されている。【選択図】図２

Description

本発明は、第１接続素子と第２接続素子との間に保護された接続を形成する方法、その方法によって得られる保護された接続及びコネクタに関する。

電子及び電気デバイスは、環境液体、特に水等の液体による汚染によって引き起こされる損傷に対して非常に敏感であることがよく知られている。通常の使用中に、又は偶発的な曝露の結果として液体と接触すると、電子部品間の短絡、及び回路基板や電子チップ等への修復不可能な損傷につながり得る。

この問題は、携帯電話、スマートフォン、ポケットベル、ラジオ、補聴器、ラップトップ型コンピュータ、ノート型コンピュータ、タブレット型コンピュータ、ファブレット、携帯情報端末（ＰＤＡ）等、屋外又は屋内で液体に近接した状態で用いられる場合に、液体による重大な汚染に晒され得る小型携帯用電子機器に関して特に深刻である。そのようなデバイスはまた、例えば、液体中に落としたり、液体が撥ねかかったりして、偶発的に液体へ曝露されやすい。

他の種類の電子又は電気デバイス、例えば、屋外照明システム、無線アンテナ及び他の形態の通信機器は、主としてその設置場所に起因して損傷を受けやすい場合がある。

保護コーティングを電子基板に適用することが特に困難であることは当該技術分野で知られている。電子基板は、原理上、少なくとも１つの露出した電子又は電気接点を備える、任意の電子若しくは電気デバイス又は構成要素であってもよい。そのような基材は、例えば、エレクトロケミカルマイグレーションのために特に脆弱であり、例えば、回路基板の表面構造等の複雑な面全体にわたって非常に効果的なバリア及び撥液保護が必要とされる。

ブラッシング、噴霧、浸漬等の湿式化学技術により、湿気、埃、化学物質及び極端な温度を保護するために、電子又は電気デバイスにコンフォーマルコーティングを適用することが知られている。コンフォーマルコーティングは、コーティングが形成される基板の三次元形状を取り、基板の表面全体を覆う。例えば、パリレン技術に基づいて、電子基板に比較的厚い保護コーティングを適用することが知られている。この方法で形成されたコンフォーマルコーティングの厚さは、通常、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はウレタン樹脂の場合、３０〜１３０μｍであり、シリコン樹脂の場合、５０〜２１０μｍである。

これらのコーティングを形成するために湿式化学技術を使用するには、溶媒の使用が必要であり、それに付随する環境への影響という欠点を有する。さらに、湿式化学技術では、デバイス又は構成要素の露出領域のみをコーティングするため、構成要素の後ろにある窪み等の「隠れた」領域は保護されないままにし得る。携帯電話のそのような隠れた領域の例として、ＲＦシールドの下の領域、フォグスクリーン（屈曲ガラス）コネクタ、ＺＩＦ（ゼロ挿入力）コネクタの内部部品が含まれる。

さらに、そのような基板の電気又は電子接点は、過度に厚い保護層でコーティングされた場合、電気抵抗の増加によってその機能を失う場合がある。

湿式化学技術によって形成されるコンフォーマルコーティングは、比較的厚いので、接点は通常、その上にコーティングが堆積しないようにマスクされている。しかし、これは複雑な処理につながり、産業規模では実用的ではない。さらに、比較的厚いコーティングは、回転シャフト等の領域内で目詰まりを引き起こし得る。電子及び電気デバイスを保護する代替的方法は、Ｐ２ｉ防滴技術であり、この技術では、超薄撥水保護コーティングが組み立てられた電子又は電気デバイスの外側と内側の両方に適用される。これにより、液体の侵入が制限されると同時に、さらに侵入した任意の液体もデバイス内に広がることが防止される。したがって、液体によるいかなる挑戦も、その大部分は、まず初めにデバイス中へ侵入することが防止され、同時に、デバイス内において接点の機能に干渉しないある程度の追加の保護も存在する。しかしながら、この技術では、物理的バリアではなく撥液性コーティングを対象としているため、一般的には、撥ねかかりに対する保護しか提供できず、デバイスを液体に浸漬した場合の保護は提供できない。

国際公開第２００７／０８３１２２号には、電気又は電子デバイスの表面にポリマー層を形成するのに充分な時間にわたって、特定のモノマー化合物を含むパルスプラズマに曝露することによって電気又は電子デバイス上に形成された、撥液性ポリマーコーティングを有する電子及び電気デバイスが開示されている。一般に、処理されるべき部品は、気相状態の堆積されるべき材料と共にプラズマチャンバ内に配置され、グロー放電がチャンバ内で発火され、パルスであってもよい適切な電圧が印加される。

国際公開第２０１６／１９８８５７号には、表面に架橋ポリマーコーティングを含む電子又は電気デバイスが開示されており、該架橋ポリマーコーティングは、デバイスの表面に架橋ポリマーコーティングを形成するのに充分な時間にわたって、デバイスを特定のモノマー化合物及び特定の特性を有する架橋剤を含むプラズマに曝露することで得られる。

当技術分野では、従来技術の方法によって適用されたコーティングの欠点を含むことなく、非常に効果的な保護コーティングが依然として求められている。そのようなコーティングは、特にエレクトロニクス産業において、液体に対する基板の耐性をさらに高め、耐久性を向上させ、及び／又は保護された基板をより効率良く製造することが可能となる。本発明の目的は、この問題及び／又は従来技術に関連する他の少なくとも１つの問題に対する解決策を提供することである。

本発明の第１の様態は、任意に支持体に取り付けられた第１接続素子と第２接続素子との間に保護された接続を形成する方法を提供し、その方法は、第１接続素子上及び／又は支持体上に保護材料を堆積するステップ（ｉ）と、任意に、保護材料上にオーバーレイコーティングを堆積するステップ（ｉｉ）と、第２接続素子を押して第１接続素子と第２接続素子との間に接続を確立するステップ（ｉｉｉ）とを含み、接続は保護材料によって保護される。

有利には、保護材料は、接続を確立するのに使用される動作が保護材料による接続の保護も確立し得るような方法で堆積される。

ステップ（ｉｉｉ）は、第２接続素子を保護材料に押し込むことを含み得る。これは、接続を確立するために連続的に又は同時に実行され得る。連続の場合、第２接続素子を保護材料に押し込んでから接続を確立し得るか、又は接続を確立してから第２接続素子を保護材料に押し込み得る。

ステップ（ｉｉｉ）は、第２接続素子を押して第１接続素子と第２接続素子との間に接続を確立することを含む。このステップには、通常、第１接続素子と第２接続素子との間に接続を確立するために第２接続素子を押すことが含まれる。

この方法は、保護材料にオーバーレイコーティングを堆積することを含み得る。この場合、ステップ（ｉｉｉ）は、第２接続素子をオーバーレイコーティングに押し込むことを含み得る。

好ましい実施形態では、ステップ（ｉ）において、保護材料は第１接続素子に堆積される。

一実施形態では、ステップ（ｉｉｉ）において、第２接続素子は保護材料に押し込まれ、任意にオーバーレイコーティングを介して第１接続素子と第２接続素子との間に接続を確立する。

好ましい実施形態は、第１接続素子と第２接続素子との間に保護された接続を形成する方法を提供し、この方法は、第１接続素子上に保護材料を堆積するステップ（ｉ）と、任意に保護材料上にオーバーレイコーティングを堆積するステップ（ｉｉ）と、第２接続素子を保護材料に押し込み、任意にオーバーレイコーティングを介して第１接続素子と第２接続素子の間に接続を確立するステップ（ｉｉｉ）とを含み、接続は保護材料によって保護される。

保護材料は、液体、埃又は機械的損傷からの保護を提供し得るが、接続を固定するための固定材として機能してもよい。

保護材料は、接続を包んでもよい。これは、保護材料が接続の表面全体、又は実質的に表面全体を覆うことを意味し得る。一実施形態では、保護材料は、接続の周りを密封してもよい。一実施形態では、保護材料は、液体、埃及び／又は機械的損傷から保護するために接続の表面を充分に覆う。

一実施形態では、第２接続素子が保護材料に押し込まれる。これは、第２接続素子が保護材料の表面に穴を開け、保護材料を貫通することを意味し得る。あるいは、これは、第２接続素子が保護材料を圧縮して、第２接続素子が、例えば、窪み、凹み又はチャネルを保護材料に押し込むことによって、そうでなければ保護材料で占有されるであろう空間領域を占めることを意味し得る。この意味で、第２接続素子は、保護材料が占める空間領域に押し込まれている。この実施形態では、保護材料は、第２接続素子に対して弾性的にバイアスされる。この弾力性のあるバイアスは、接続の保護に役割を果たし得る。

接続は、保護材料によって保護されている。特に好ましい実施形態では、保護材料は、接続が確立されたときに接続の周りに防水シールを形成する。有利には、これは、接続を損傷する可能性のある水の侵入を防ぐ。

一実施形態では、保護材料は自己修復材料であってもよい。「自己修復」とは、損傷が持続した場合に材料がそれ自体を再生又は修復する能力を指し、例えば、材料内で古い結合が壊れると、新しい結合が自然に形成されるからである。通常、自己修復材料が損傷した場合、例えば、第２接続素子を材料に押し込むことにより、化学修復プロセスを含む自動修復プロセスが起動する。化学修復プロセスは、例えば、重合、エンタングルメント又は架橋に基づき得、その架橋は任意に可逆的であり得る。

一実施形態では、保護材料はゲルであってもよい。当技術分野において既知のように、ゲルは、流体によって体積全体に膨張する非流体コロイドネットワーク又はポリマーネットワークである。

一実施形態では、ゲルは自己修復ゲルを含む。

一実施形態では、保護材料の硬度値は、ＡＳＴＭ Ｄ２２４０によって決定されるショアＡ硬度に準拠して、４０以下である。任意に、保護材料の硬度値は、ショアＡ硬度に準拠して、３５以下、３０以下、２５以下、２０以下、１５以下又は１０以下である。

一実施形態では、保護材料の硬度値は、ＡＳＴＭ Ｄ２２４０によって決定されるショアＯＯ硬度に準拠して、１００未満である。任意に、保護材料の硬度値は、ショアＯＯ硬度に準拠して、９０以下、８０以下、７０以下、６０以下、５０以下、４０以下、３０以下、２０以下又は１０以下である。一実施形態では、保護材料の硬度値は、ショアＯＯ硬度に準拠して、１０未満である。

一実施形態では、保護材料の硬度値は、ＩＳＯ ２１３７、９．３８ｇの中空円錐形によって決定される押し込み硬さスケールに準拠して、１ｍｍ／１０以上である（この測定方法では、数値が大きいほど柔らかい素材である）。任意に、保護材料の硬度は、ＩＳＯ ２１３７、９．３８ｇの中空円錐形で測定された押し込み硬さスケールに準拠して、３０ｍｍ／１０以上、４０ｍｍ／１０以上、５０ｍｍ／１０以上、６０ｍｍ／１０以上、７０ｍｍ／１０以上、８０ｍｍ／１０以上、９０ｍｍ／１０以上、１００ｍｍ／１０以上、１１０ｍｍ／１０以上、１２０ｍｍ／１０以上、１３０ｍｍ／１０以上、１４０ｍｍ／１０以上、１５０ｍｍ／１０以上又は１６０ｍｍ／１０以上である。

一実施形態では、保護材料の絶縁耐力は、５ｋＶ／ｍｍ以上であり、好ましくは１０ｋＶ／ｍｍ以上である。

一実施形態では、保護材料を堆積することは、硬化、任意にＵＶ硬化及び／又は熱硬化を含む。熱硬化は、室温又は室温より高い温度で行ってもよい。例えば、熱硬化は、３０℃、４０℃、５０℃、６０℃、７０℃、８０℃又は９０℃を超える温度で行い得る。特に、熱硬化は、３０〜１００℃、４０〜９０℃、５０〜８０℃又は６０〜７０℃の温度で行い得る。好ましい実施形態では、熱硬化は、室温で、例えば、１０〜３０℃、１５〜２５℃又は１８〜２２℃、例えば、約１７℃、１８℃、１９℃、２０℃、２１℃、２２℃、２３℃又は２４℃の温度で行い得る。

一実施形態では、保護材料を堆積することは、基材及び触媒の使用を含む。一実施形態では、基材は、ビニル含有ポリシロキサン及び／又はヒドロシロキサン含有ポリシロキサン等の加硫性シリコンゴム及び／又はシリコンプレポリマーを含む。一実施形態では、触媒は、ヒドロシリル化開始剤又は触媒を含む。一実施形態では、触媒は白金を含む。基材と触媒との混合比は、当業者により容易に決定され得る。例えば、基材と触媒との混合比は、体積で２０：１〜１：１であり得る。一実施形態では、混合比は、体積で１：１５〜１：５、又は約１０：１である。

硬化前の基材の粘度は、２３℃で５０ｃＰｓ〜４００，０００ｃＰｓ、例えば、１０００ｃＰｓ〜２００，０００ｃＰｓ、１０，０００ｃＰｓ〜１００，０００ｃＰｓ、又は約５５，０００ｃＰｓである。

一実施形態では、硬化前の基材の粘度の下限は、５０ｃＰｓ、１００ｃＰｓ、２００ｃＰｓ、５００ｃＰｓ、１０００ｃＰｓ、１０，０００ｃＰｓ、２０，０００ｃＰｓ、３０，０００ｃＰｓ、４０，０００ｃＰｓ又は５０，０００ｃＰｓであり、及び／又は硬化前の基材の粘度の上限は、４００，０００ｃＰｓ、３００，０００ｃＰｓ、２００，０００ｃＰｓ、１００，０００ｃＰｓ、９０，０００ｃＰｓ、８０，０００ｃＰｓ、７０，０００ｃＰｓ、６０，０００ｃＰｓ又は５０，０００ｃＰｓである。

硬化前の触媒の粘度は、２３℃で５０ｃＰｓ〜４００，０００ｃＰｓ、例えば、５００ｃＰｓ〜２００，０００ｃＰｓ、７５０ｃＰｓ〜１００，０００ｃＰｓ、又は約１，０００ｃＰｓであり得る。

一実施形態では、硬化前の触媒の粘度の下限は、５０ｃＰｓ、１００ｃＰｓ、２００ｃＰｓ、５００ｃＰｓ、７５０ｃＰｓ又は１，０００ｃＰｓであり、及び／又は硬化前の触媒の粘度の上限は、４００，０００ｃＰｓ、３００，０００ｃＰｓ、２００，０００ｃＰｓ、１００，０００ｃＰｓ、９０，０００ｃＰｓ、８０，０００ｃＰｓ、７０，０００ｃＰｓ、６０，０００ｃＰｓ、５０，０００ｃＰｓ、４０，０００ｃＰｓ、３０，０００ｃＰｓ、２０，０００ｃＰｓ、１０，０００ｃＰｓ、５０００ｃＰｓ、４０００ｃＰｓ、３０００ｃＰｓ、２０００ｃＰｓ又は１０００ｃＰｓである。

硬化前の基材と触媒の混合物の粘度は、２３℃で５０ｃＰｓ〜４００，０００ｃＰｓ、例えば、５０ｃＰｓ〜４００，０００ｃＰｓ、又は５０ｃＰｓ〜４００，０００ｃＰｓ、又は約４２，０００ｃＰｓであり得る。

一実施形態では、硬化前の基材と触媒の混合物の粘度の下限は、５０ｃＰｓ、１００ｃＰｓ、２００ｃＰｓ、５００ｃＰｓ、１０００ｃＰｓ、１０，０００ｃＰｓ、２０，０００ｃＰｓ、３０，０００ｃＰｓ、４０，０００ｃＰｓ又は５０，０００ｃＰｓであり、及び／又は硬化前の基材と触媒の混合物の粘度の上限は、４００，０００ｃＰｓ、３００，０００ｃＰｓ、２００，０００ｃＰｓ、１００，０００ｃＰｓ、９０，０００ｃＰｓ、８０，０００ｃＰｓ、７０，０００ｃＰｓ、６０，０００ｃＰｓ、５０，０００ｃＰｓ又は４５，０００ｃＰｓである。

一実施形態では、保護材料は、複数の別個のユニットとして堆積される。

一実施形態では、保護材料は、第１接続素子に直接堆積される。

本発明の第１の様態による方法では、接続は、第１接続素子と第２接続素子との間に確立される。したがって、接続は、第１接続素子と第２接続素子との間のインタフェースである。第１接続素子及び第２接続素子は、コネクタを構成してもよい。したがって、接続は、コネクタインタフェースであってもよい。

接続は、電気接続であり得る。第１接続素子及び第２接続素子は、電気コネクタを構成し得る。電気接続では、保護材料は、接続の導電性表面（すなわち、第１接続素子及び第２接続素子の導電性表面）を保護する。言い換えれば、導電性表面は、水又は他の汚染物質への曝露から保護されている。例えば、接続素子が絶縁ワイヤであり、絶縁体の一部が除去されて導電性コアが露出している場合、保護材料は接続及び残りの露出した導電性コアを保護する。絶縁体がワイヤの片側のみで除去されている特定の実施形態では、露出したコアを保護材料の堆積物に対して（すなわち、穴を開けたり貫通したりせずに）押すことによって保護し得る。

一実施形態では、電気コネクタは、ばねタイプのコンタクトを備えた電気コネクタ、ばね荷重ピンを含むコンタクトを備えた電気コネクタ、プラグインタイプの電気コネクタ、接触パッド、基板対基板（Ｂ２Ｂ）コネクタ及びゼロ挿入力（ＺＩＦ）コネクタから選択される。好ましくは、電気コネクタは、ばねコネクタ、接触パッド、基板対基板（Ｂ２Ｂ）コネクタ及びゼロ挿入力（ＺＩＦ）コネクタから選択される。

本発明の実施形態では、電気コネクタ及び／又は第１接続素子は、例えば、プリント回路基板（ＰＣＢ）、プリント回路基板アレイ（ＰＣＢＡ）、トランジスタ、抵抗器、又は半導体チップ等、電子部品の一部を形成するか、又はその上に存在する。電子部品は、例えば、携帯電話等の電子デバイスの内部部品であってもよい。

一実施形態では、本発明の第１の様態による方法は、保護材料上にオーバーレイコーティングを堆積するステップ（ｉｉ）を含む。オーバーレイコーティングは、例えば、プラズマ蒸着、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、又はブラッシング、噴霧及び浸漬等の湿式化学技術によって堆積させられ得る。オーバーレイコーティングは、例えば、プラズマ堆積コーティング、ＣＶＤコーティング又はスプレーコーティングであり得る。一実施形態では、オーバーレイコーティングは、パリレンコーティングであり得る。

一実施形態では、ステップ（ｉｉ）でオーバーレイコーティングを堆積することは、プラズマ堆積層を形成することを含む。

一実施形態では、ステップ（ｉｉ）でオーバーレイコーティングを堆積することは、保護材料を、オーバーレイコーティングを形成するのに充分な時間にわたって、モノマー化合物を含むプラズマに曝露することを含む。

驚くべきことに、プラズマ堆積層の下に保護材料を使用すると、第２接続素子は、防水特性等、コーティングの所望の特性を維持しながら、保護材料及びプラズマ堆積層を介して押し出される。マスキング工程は不要で、接続素子は腐食から保護されている。さらに、第２接続素子は、保護された接続を確立するために個別に処理する必要はない。

一実施形態では、モノマー化合物は、式（Ｉ）の化合物であって、

式中、各Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^４は、独立して、水素、ハロゲン、任意に置換された分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_６アルキル、任意に置換されたＣ_３−Ｃ_８シクロアルキル、及び任意に置換されたＣ_３−Ｃ_１２アリールから選択され、並びにＲ^３は以下から選択され、

式中、各Ｘは、独立して、水素、ハロゲン、任意に置換された分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_６アルキル、任意に置換されたＣ_３−Ｃ_８シクロアルキル、及び任意に置換されたＣ_３−Ｃ_１２アリールから選択され、ｎは１〜２７の整数である。

本明細書全体を通して、特に明記されていない限り、以下の通りである。

「任意に置換された」基は、非置換であるか、又は１つ以上、例えば、１つ又は２つの置換基で置換されていてもよい。これらの置換基は、例えば、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール及びヘテロシクリル基；カルボン酸及びカルボン酸イオン；カルボン酸エステル；カルバメート；アルコキシル基；ケトン及びアルデヒド基；アミン及びアミド基；−ＯＨ、−ＣＮ、−ＮＯ_２；及びハロゲンから選択されてもよい。

アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であってもよい。アルキル基は、Ｃ_１−Ｃ_６アルキル、又はＣ_１−Ｃ_５アルキル、又はＣ_１−Ｃ_４アルキル、又はＣ_１−Ｃ_３アルキル、又はＣ_１−Ｃ_２アルキルであってもよい。アルキル基は、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル及び３−メチルペンチルから選択されてもよい。

シクロアルキル基は、Ｃ_３−Ｃ_８シクロアルキル、Ｃ_３−Ｃ_７シクロアルキル、Ｃ_３−Ｃ_６シクロアルキル、Ｃ_４−Ｃ_６シクロアルキル、又はＣ_５−Ｃ_６シクロアルキルであってもよい。

アリール基は、単環式又は二環式芳香族基であってもよい。アリール基は、３〜１２個の炭素原子を含んでもよい。アリール基は、Ｃ_３−Ｃ_１２アリール、Ｃ_５−Ｃ_１２アリール、Ｃ_５−Ｃ_１０アリール、Ｃ_５−Ｃ_８アリール又はＣ_５−Ｃ_６アリールであってもよい。

ハロゲン基は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）又はヨウ素（Ｉ）であってもよく、好ましくはフッ素（Ｆ）である。

一実施形態では、各Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^４は、独立して、水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル及び３−メチルペンチルから選択される。一実施形態では、各Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^４は、独立して、水素及びメチルから選択される。一実施形態では、Ｒ^１及びＲ^２は両方とも水素である。一実施形態では、Ｒ^４はメチルである。一実施形態では、各Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^４は水素である。

一実施形態では、各Ｘは、独立して、水素、ハロゲン、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル及び３−メチルペンチルから選択される。一実施形態では、各Ｘは、独立して、水素及びハロゲンから選択される。一実施形態では、各Ｘは水素である。一実施形態では、各Ｘはハロゲンである。一実施形態では、各ＸはＦである。

ｎは１〜２７の整数である。一実施形態では、ｎの可能な範囲の下限値は、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５又は２６であり、及び／又はｎの可能な範囲の上限値は、２７、２６、２５、２４、２３、２２、２１、２０、１９、１８、１７、１６、１５、１４、１３、１２、１１、１０、９、８、７、６、５、４、３又は２である。

一実施形態では、モノマー化合物は式（Ｉａ）の化合物であって、

式中、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４及びＲ^５〜Ｒ^１０は、独立して、水素及び任意に置換されたＣ_１−Ｃ_６分岐鎖状又は直鎖状アルキルから選択され、各Ｘは、独立して、水素及びハロゲンから選択され、ａは０〜１０、ｂは２〜１４、ｃは０又は１である。

一実施形態では、モノマー化合物は式（Ｉｂ）の化合物であって、

式中、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４及びＲ^５〜Ｒ^１０は、独立して、水素及び任意に置換されたＣ_１−Ｃ_６分岐鎖状又は直鎖状アルキルから選択され、各Ｘは、独立して、水素及びハロゲンから選択され、ａは０〜１０、ｂは２〜１４、ｃは０又は１である。

一実施形態では、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４及びＲ^５〜Ｒ^１０は、独立して、水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル及び３−メチルペンチルから選択される。

一実施形態では、各Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^４は、独立して、水素及びメチルから選択される。一実施形態では、Ｒ^１及びＲ^２は両方とも水素である。一実施形態では、Ｒ^４はメチルである。一実施形態では、各Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^４は水素である。

一実施形態では、各Ｒ^５〜Ｒ^１０は、独立して、水素及びメチルから選択される。

一実施形態では、Ｒ^５及びＲ^６は水素である。一実施形態では、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８は水素である。一実施形態では、各Ｒ^５〜Ｒ^１０は水素である。

一実施形態では、各Ｘは、独立して、水素、ハロゲン、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル及び３−メチルペンチルから選択される。一実施形態では、各Ｘは、独立して、水素及びハロゲンから選択される。一実施形態では、各Ｘは水素である。一実施形態では、各Ｘはハロゲンである。一実施形態では、各ＸはＦである。

ａは、０〜１０の整数である。一実施形態では、ａの可能な範囲の下限値は、０、１、２、３、４、５、６、７、８又は９であり、及び／又はａの可能な範囲の上限値は、１０、９、８、７、６、５、４、３、２又は１である。

ｂは、２〜１４の整数である。一実施形態では、ｂの可能な範囲の下限値は、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２又は１３であり、及び／又はｂの可能な範囲の上限値は、１４、１３、１２、１１、１０、９、８、７、６、５、４又は３である。

一実施形態では、ｃは０である。一実施形態では、ｃは１である。

一実施形態では、ａ及びｃはそれぞれ０である。

一実施形態では、ａ及びｃはそれぞれ独立して０又は１であり、ｂは３〜７である。

一実施形態では、ｐ＝ａ＋ｂ＋ｃ＋１であり、ａ及びｃはそれぞれ独立して０又は１であり、ｂは３〜７であり、ｐは４〜１０である。

一実施形態では、モノマー化合物は式（Ｉｃ）の化合物であって、

式中、ｍは１〜１０である。

ｍは、０〜１０の整数である。一実施形態では、ｍの可能な範囲の下限値は、０、１、２、３、４、５、６、７、８又は９であり、及び／又はｍの可能な範囲の上限値は、１０、９、８、７、６、５、４、３、２又は１である。

一実施形態では、式（Ｉｃ）の化合物は、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロヘキシルアクリレート（ＰＦＡＣ４）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルアクリレート（ＰＦＡＣ６）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアクリレート（ＰＦＡＣ８）及び１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロドデシルアクリレート（ＰＦＡＣ１０）から選択される。

一実施形態では、コーティング層Ｘを形成するために使用されるモノマー化合物は、式（Ｉｄ）の化合物であって、

式中、ｍは１〜１０である。

ｍは、０〜１０の整数である。一実施形態では、ｍの可能な範囲の下限値は、０、１、２、３、４、５、６、７、８又は９であり、及び／又はｍの可能な範囲の上限値は、１０、９、８、７、６、５、４、３、２又は１である。

一実施形態では、式（Ｉｄ）の化合物は、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロヘキシルメタクリレート（ＰＦＭＡＣ４）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルメタクリレート（ＰＦＭＡＣ６）、及び１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルメタクリレート（ＰＦＭＡＣ８）から選択される。

一実施形態では、モノマー化合物は式（Ｉｅ）の化合物であって、

式中、Ｒ^４、Ｒ^１０、ａ、ｂ及びｃは、上記の通りである。

一実施形態では、ｑ＝ａ＋ｂ＋ｃ＋１であり、ａ及びｃはそれぞれ独立して０又は１であり、ｂは３〜７であり、ｑは４〜１０である。

一実施形態では、モノマー化合物は式（Ｉｆ）の化合物であって、

式中、ｍは２〜１２である。

一実施形態では、モノマー化合物は、エチルヘキシルアクリレート、ヘキシルアクリレート、デシルアクリレート、ラウリルドデシルアクリレート、イソデシルアクリレートから選択されてもよい。

一実施形態では、モノマー化合物は、式（Ｉｇ）の化合物であって、

式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^４は上記の通りであり、ｍは４〜１４である。

一実施形態では、モノマー化合物は、式（Ｉｈ）の化合物であって、

式中、ｍは４〜１４である。

一実施形態では、ステップ（ｉｉ）において、保護材料はモノマー化合物及び架橋剤を含むプラズマに曝露される。

一実施形態では、架橋剤は、１つ以上のリンカー部分によって結合された２つ以上の不飽和結合を含む。

一実施形態では、架橋剤は、標準圧力で５００℃未満の沸点を有する。

一実施形態では、架橋剤は、独立して、式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）の化合物から選択され、

式中、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７及びＹ^８は、各々独立して、水素、任意に置換された分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_６アルキル、任意に置換されたＣ_１−Ｃ_６シクロアルキル、及び任意に置換されたＣ_１−Ｃ_６アリールから選択され、Ｌはリンカー部分である。

一実施形態では、Ｌ基は以下の式を有し、

式中、各Ｙ^９は、独立して、結合、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｙ^１１−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｙ^１１−、−ＯＹ^１１−、及び−Ｙ^１１Ｏ−から選択され、Ｙ^１１は、任意に置換された分岐鎖状、直鎖状又は環状Ｃ_１−Ｃ_８アルキレンであり、並びに、Ｙ^１０は、任意に置換された分岐鎖状、直鎖状又は環状Ｃ_１−Ｃ_８アルキレン及びシロキサン基から選択される。

一実施形態では、各Ｙ^９は、結合である。

一実施形態では、各Ｙ^９は、−Ｏ−である。

一実施形態では、各Ｙ^９は、ビニルエステル又はビニルエーテル基である。

一実施形態では、Ｙ^１０は以下の式を有し、

式中、各Ｙ^１２及びＹ^１３は、独立して、水素、ハロゲン、任意に置換された環状、分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_８アルキル又は−ＯＹ^１４から選択され、Ｙ^１４は、任意に置換された分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_８アルキル又はアルケニルから選択され、ｎ”は０〜１０の整数である。

一実施形態では、各Ｙ^１２は水素であり、Ｙ^１３は水素であるから、Ｙ^１０は直鎖状アルキレン鎖である。本実施形態において、Ｙ^９は、例えば、ビニルエステル又はビニルエーテル基であり得る。

一実施形態では、各Ｙ^１２はフルオロであり、各Ｙ^１３はフルオロであるから、Ｙ^１０は直鎖状パーフルオロアルキレン鎖である。

ｎ”は０〜１０の整数である。一実施形態では、ｎ”の可能な範囲の下限値は、０、１、２、３、４、５、６、７、８又は９であり、及び／又はｎ”の可能な範囲の上限値は、１０、９、８、７、６、５、４、３、２又は１である。一実施形態では、ｎ”は４〜６である。

一実施形態では、Ｙ^１０は以下の式を有し、

式中、Ｙ^１５は、独立して、任意に置換された分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_６アルキルから選択される。

一実施形態では、各Ｙ^１５はメチルである。一実施形態では、各Ｙ^９は結合である。

一実施形態では、Ｙ^１０は以下の式を有し、

式中、Ｙ^１６、Ｙ^１７、Ｙ^１８及びＹ^１９は、それぞれ独立して、水素、任意に置換された分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_８アルキル又はアルケニルから選択される。一実施形態では、アルケニル基はビニルである。

一実施形態では、Ｙ^１８は水素又はビニルであり、Ｙ^１６、Ｙ^１７及びＹ^１９はそれぞれ水素である。一実施形態では、各Ｙ^１６、Ｙ^１７、Ｙ^１８及びＹ^１９は水素である。別の実施形態では、Ｙ^１８はビニルであり、Ｙ^１６、Ｙ^１７及びＹ^１９はそれぞれ水素である。

一実施形態では、Ｌは以下の構造のうち１つを有する。

一実施形態では、Ｌは以下の構造のうち１つを有する。

Ｌが構造（ｅ）の場合、Ｙ^１０は、例えば、上記の構造（ｂ）及び（ｄ）で示されるようなアルキレン鎖又はシクロアルキレンであり得る。アルキレン鎖は、例えば、直鎖状アルキレン鎖であってもよい。

Ｙ^１０がシクロアルキレンである場合、これは、例えば、１，４−シクロヘキシレン等のシクロヘキシレンであり得る。

Ｌが構造（ｆ）の場合、Ｙ^１０は、例えば、構造（ｂ）であり、例えば、アルキレン又はフルオロアルキレン鎖であり得る。

Ｌが構造（ｇ）の場合、Ｙ^１０は、例えば、構造（ｄ）によるシクロヘキシレン等のシクロアルキレンであり得る。

Ｌが構造（ｈ）の場合、Ｙ^１０は、例えば、各Ｙ^１２及びＹ^１３がＦである構造（ｂ）、すなわち、パーフルオロアルキレン鎖であり得る。

Ｌが構造（ｉ）又は構造（ｊ）の場合、Ｙ^１０は、例えば、アルキレン又はシクロアルキレンであり得る。任意に、アルキレン又はシクロアルキレンは、１つ以上のビニル基又はアルケニルエーテル基、例えば、１つ以上のビニルエーテル基で置換されていてもよい。

各Ｙ^９が結合である場合、各Ｙ^１０は、例えば、構造（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）のいずれかであってもよい。

一実施形態では、Ｙ^１０は、架橋剤が例えばヘプタジエン、オクタジエン又はノナジエン等のジエンであるような直鎖状アルキレンである。一実施形態では、それは、１，７−オクタジエンである。

各Ｙ^９がＯである場合、各Ｙ^１０は、例えば、分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_６アルキレンであってもよく、好ましくは直鎖状アルキレン、最も好ましくはＣ_４直鎖状アルキレンである。一実施形態では、架橋剤は、１，４−ブタンジオールジビニルエーテルである。

各Ｙ^９基は、他の任意のＹ^９基及びＹ^１０基と組み合わされて、架橋剤を形成し得ることが理解されるであろう。

当業者であれば、上述した環状、分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_８アルキレン基の各々について可能な置換基を知っているであろう。アルキレン基は、適切な化学基によって１つ以上の位置で置換されていてもよい。ハロ置換基が好ましく、フルオロ置換基が最も好ましい。各Ｃ_１−Ｃ_８アルキレン基は、例えば、Ｃ_１−Ｃ_３、Ｃ_２−Ｃ_６又はＣ_６−Ｃ_８アルキレン基であってもよい。

一実施形態では、架橋剤は、Ｙ^１０のアルキル鎖と、両側にビニルエステル又はビニルエーテル基を持つ。

一実施形態では、架橋剤は、独立して、アジピン酸ジビニル（ＤＶＡ）、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル（ＢＤＶＥ）、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル（ＣＤＤＥ）、１，７−オクタジエン（１７ＯＤ）、１，２，４−トリビニルシクロヘキサン（ＴＶＣＨ）、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＴＭＤＳ）、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル（ＤＣＨＤ）、１，６−ジビニルパーフルオロヘキサン（ＤＶＰＦＨ）、１Ｈ，１Ｈ，６Ｈ，６Ｈ−パーフルオロヘキサンジオールジアクリレート（ＰＦＨＤＡ）及びグリオキサールビス（ジアリルアセタール）（ＧＢＤＡ）から選択される。

一実施形態では、架橋剤は、アジピン酸ジビニル（ＤＶＡ）である。

一実施形態では、架橋剤は、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル（ＢＤＶＥ）である。

一実施形態では、式（ＩＩＩ）の化合物の場合、Ｌは、例えば、分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_８アルキレン又はエーテル基から選択され得る。Ｌは、例えば、Ｃ_３、Ｃ_４、Ｃ_５又はＣ_６アルキレンであってもよく、好ましくは直鎖状アルキレンである。

架橋剤の化学構造を以下の表１に示す。

一実施形態では、本発明の第１の様態による方法のステップ（ｉｉ）において、モノマー化合物及び架橋剤は、液相のプラズマ堆積チャンバに導入されており、モノマー化合物に対する架橋剤の体積比は、１：９９〜９０：１０、１：９９〜５０：５０又は１：９９〜３０：７０である。

一実施形態では、ステップ（ｉｉ）において、モノマー化合物に対する架橋剤の体積比は、１：９９〜２５：７５、１：９９〜２０：８０、５：９５〜２０：８０又は５：９５〜１５：８５である。一実施形態では、モノマー化合物に対する架橋剤の体積比は、約１０：９０である。

一実施形態では、ステップ（ｉｉ）において、モノマー化合物に対する架橋剤の体積比の下限は、１：９９、２：９８、３：９７、４：９６、５：９５、６：９４、７：９３、８：９２、９：９１又は１０：９０であり、及び／又はモノマー化合物に対する架橋剤の体積比の上限は、９０：１０、８０：２０、７０：３０、６０：４０、５０：５０、４０：６０、３０：７０、２９：７１、２８：７２、２７：７３、２６：７４、２５：７５、２４：７６、２３：７７、２２：７８、２１：７９、２０：８０、１９：８１、１８：８２、１７：８３、１６：８４、１５：８５、１４：８６、１３：８７、１２：８８、１１：８９又は１０：９０である。

当業者に知られているように、試薬をプラズマ堆積チャンバに導入するときに体積比の測定を使用することは、プラズマ堆積の分野では一般的である。あるいは、モノマー化合物等の試薬と架橋剤との比率は、試薬がチャンバに導入されるモル比として表され得る。これは、モル投入流量比として知られている。

一実施形態では、本発明の第１の様態による方法のステップ（ｉｉ）において、モノマー化合物及び架橋剤は、任意に液相のプラズマ堆積チャンバに導入されており、モノマー化合物に対する架橋剤のモル投入流量比は、１：２０〜１０：１又は１：２０〜１：１である。

一実施形態では、モノマー化合物に対する架橋剤のモル投入流量比は、１：２０〜１：２、１：１５〜１：５又は１：１４〜１：６である。

一実施形態では、ステップ（ｉｉ）において、モノマー化合物に対する架橋剤のモル投入流量比の下限は、１：２０、１：１９、１：１８、１：１７、１：１６、１：１５、１：１４、１：１３、１：１２、１：１１、１：１０、１：９、１：８、１：７、１：６、１：５、１：４、１：３又は１：２であり、及び／又はモノマー化合物に対する架橋剤の可能な範囲のモル投入流量比の上限は、１０：１、９：１、８：１、７：１、６：１、５：１、４：１、３：１、２：１、１：１、１：２、１：３、１：４、１：５、１：６、１：７、１：８、１：９、１：１０、１：１１、１：１２、１：１３、１：１４、１：１５、１：１６、１：１７、１：１８又は１：１９である。

モノマー化合物に対する架橋剤の体積比は、モノマー化合物に対する架橋剤のモル比に容易に変換され得、特定のモノマー化合物及び架橋剤の場合はその逆になる。

例えば、架橋剤及びモノマー化合物を液相のプラズマ堆積チャンバに導入し、モノマー化合物に対する架橋剤の体積比が１０：９０であるとき、架橋剤がＤＶＡで、モノマー化合物が１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルアクリレート（ＰＦＡＣ６）である場合、ＰＦＡＣ６に対するＤＶＡのモル投入流量比は約１：６である。

同様に、架橋剤及びモノマー化合物を液相のプラズマ堆積チャンバに導入し、モノマー化合物に対する架橋剤の体積比が５：９５であるとき、架橋剤がＤＶＡで、モノマー化合物がＰＦＡＣ６の場合、ＰＦＡＣ６に対するＤＶＡのモル投入流量比は約１：１３である。

一般に、プラズマ堆積プロセスでは、処理されるべき部品がプラズマ堆積チャンバ内に配置され、前記チャンバ内でグロー放電が発火され、連続波又はパルスのいずれかであってもよい適切な電圧が印加される。グロー放電は、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加することにより適切に発火される。

モノマー化合物及び／又は架橋剤が堆積チャンバに入る前、各々は室温で気体、液体又は固体（例えば、粉末）の形態であってもよい。しかしながら、モノマー化合物及び／又は架橋剤が両方とも室温で液体であることが好ましく、最も好ましくは、モノマー及び架橋剤の液体が混和性である。

架橋剤は、モノマーと混和性であってもよく、一緒に又は別々にプラズマチャンバに導入されてもよい。又は、架橋剤はモノマーと非混和性であってもよく、別々にプラズマチャンバに導入されてもよい。この文脈において、「混和性」という用語は、架橋剤がモノマーに可溶性であることを意味し、混合された場合に、それらが均一な組成の溶液を形成する。「非混和性」という用語が用いられる場合、架橋剤がモノマー中に部分的にしか可溶性でないか、又は不溶性であることを意味し、したがって、エマルジョンを形成するか、又は２つの層に分離する。

モノマー化合物及び／又は架橋剤は、好適には、プラズマ中で気相である。プラズマは、単にモノマー化合物及び／又は架橋剤の蒸気を含むだけであってもよい。そのような蒸気は、化合物が液体でチャンバに導入されて、その場で形成されてもよい。モノマーはまた、キャリアガス、特に、ヘリウム又はアルゴン等の不活性ガスと組み合わされてもよい。

好ましい実施形態では、モノマー及び／又は架橋剤は、例えば、国際公開第２００３／０９７２４５号及び第２００３／１０１６２１号に記載されているように、ネブライザー又は同種のもの等、エアロゾル装置を用いてチャンバに送られてもよい。そのような装置では、キャリアガスは必要とされなくてもよく、これは、高い流速を実現するのに有利に役立つ。

モノマー化合物及び／又は架橋剤のチャンバへの正確な流速は、使用される特定のモノマー化合物及び／又は架橋剤の性質、基材の性質、所望のコーティング特性及びプラズマチャンバ体積にある程度依存してもよい。本発明のいくつかの実施形態では、モノマー化合物及び／又は架橋剤は、少なくとも１ｓｃｃｍ（標準立方センチメートル／分）、好ましくは１〜２５００ｓｃｃｍ、１〜２０００ｓｃｃｍ、１〜１５００ｓｃｃｍ、１〜１０００ｓｃｃｍ、１〜７５０ｓｃｃｍ、１〜５００ｓｃｃｍ、１〜２５０ｓｃｃｍ、１〜２００ｓｃｃｍ、１〜１００ｓｃｃｍ又は５〜６０ｓｃｃｍの範囲のガス流速で導入される。

モノマー化合物及び／又は架橋剤のガス流量は、例えば、理想気体の法則を使用して、液体のモノマー流量から算出し得る。すなわち、チャンバ内のモノマーが２７３Ｋで１モルの気体である理想気体のように機能すると仮定して、１大気圧（ＳＴＰ）は２２４００ｃｍ^３の体積を占める。

（保護材料を備えた）接続素子をプラズマに曝露するステップは、パルス（ＰＷ）堆積ステップを含んでもよい。あるいは、又はさらに（保護材料を備えた）接続素子をプラズマに曝露するステップは、連続波（ＣＷ）堆積ステップを含んでもよい。

パルスという用語は、プラズマ放射がない（又は実質的にない）状態（オフ状態）と、特定量のプラズマが放射される状態（オン状態）との間をプラズマが反復することを意味してもよい。あるいは、パルスは、プラズマ放射が連続的であるが、プラズマの量が上限（オン状態）と下限（オフ状態）との間を反復することを意味してもよい。

パルスプラズマの場合、より高いピーク出力を使用してパルス化レジーム（すなわち、オン時間／オフ時間）を変えることで、より高い平均出力を実現し得る。

任意に、電圧は、オン時間／オフ時間の比が０．００１〜１、任意に０．００２〜０．５の範囲内であるパルスシーケンスであってもよい。例えば、オン時間は、１０〜５００μｓ、３５〜４５μｓ又は３０〜４０μｓであってもよく、約３６μｓ等であり、オフ時間は、０．１〜３０ｍｓ、０．１〜２０ｍｓ又は５〜１５ｍｓであってもよく、例えば、６ｍｓである。オン時間は、３５μｓ、４０μｓ、４５μｓであってもよい。オフ時間は、０．１、１、２、３、６、８、１０、１５、２０、２５又は３０ｍｓであってもよい。

任意に、電圧は、３０秒間〜９０分間にわたってパルス場として印加されてもよい。任意に、電圧は５〜６０分間にわたってパルス場として印加されてもよい。

ＲＦ出力は、１〜２０００Ｗにわたって供給され得、例えば、５０〜１０００Ｗ、１００〜５００Ｗ、１２５〜２５０Ｗである。

ピーク出力は、１〜２０００Ｗであり得、例えば、５０〜１０００Ｗ、１００〜５００Ｗ、１２５〜２５０Ｗ、又は約１６０Ｗである。

連続波プラズマ又はパルスプラズマにおけるモノマー流量比に対するピーク出力は、２〜６０Ｗ／ｓｃｃｍ、２〜４０Ｗ／ｓｃｃｍ、２〜２５Ｗ／ｓｃｃｍ、又は５〜２０Ｗ／ｓｃｃｍであってもよい。

基板を連続波プラズマ又はパルスプラズマに曝露している間、プラズマのピーク出力密度は、０．００１〜４０Ｗ／リットル、少なくとも２Ｗ／リットル、又は約２０Ｗ／リットルである。

一実施形態では、保護材料の厚さは、０．１ｍｍ〜５ｍｍ、例えば、０．５ｍｍ〜２ｍｍ又は約１ｍｍである。

一実施形態では、保護材料の厚さの下限は、０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ、０．６ｍｍ、０．７ｍｍ、０．８ｍｍ又は０．９ｍｍであり、及び／又は保護材料の厚さの上限は、５ｍｍ、４ｍｍ、３ｍｍ、２．５ｍｍ、２ｍｍ、１．５ｍｍ、１．４ｍｍ、１．３ｍｍ、１．２ｍｍ、１．１ｍｍ又は１ｍｍである。

一実施形態では、オーバーレイコーティング層の厚さは、２５０〜１００００ｎｍ、５００〜８０００ｎｍ、１０００〜６０００ｎｍ、１５００〜５０００ｎｍ、又は２０００〜４０００ｎｍである。

一実施形態では、オーバーレイコーティングの厚さの下限は、２５０ｎｍ、５００ｎｍ、７５０ｎｍ、１０００ｎｍ、１１００ｎｍ、１２００ｎｍ、１３００ｎｍ、１４００ｎｍ、１５００ｎｍ、１６００ｎｍ、１７００ｎｍ、１８００ｎｍ、１９００ｎｍ、２０００ｎｍ、２１００ｎｍ、２２００ｎｍ、２３００ｎｍ、２４００ｎｍ又は２５００ｎｍであり、及び／又はオーバーレイコーティングの厚さの上限は、１００００ｎｍ、９０００ｎｍ、８０００ｎｍ、７０００ｎｍ、６０００ｎｍ、５５００ｎｍ、５０００ｎｍ、４９００ｎｍ、４８００ｎｍ、４７００ｎｍ、４６００ｎｍ、４５００ｎｍ、４４００ｎｍ、４３００ｎｍ、４２００ｎｍ、４１００ｎｍ、４０００ｎｍ、３９００ｎｍ、３８００ｎｍ、３７００ｎｍ、３６００ｎｍ、３５００ｎｍ、３４００ｎｍ、３３００ｎｍ、３２００ｎｍ、３１００ｎｍ、３０００ｎｍ、２９００ｎｍ、２８００ｎｍ、２７００ｎｍ、２６００ｎｍ、２５００ｎｍ、２４００ｎｍ、２３００ｎｍ、２２００ｎｍ、２１００ｎｍ、２０００ｎｍ又は１９００ｎｍである。

一実施形態では、オーバーレイコーティングは、コンフォーマルであってもよく、これは、オーバーレイコーティングが、保護材料の三次元形状を取り、少なくとも保護材料の表面全体を実質的に覆うことを意味し得る。これには、コーティングが、保護材料の表面全体にわたって最適な機能をもたらすのに充分な厚さを確実に有するという利点がある。

本発明の第１の様態に係る方法の一実施形態では、方法はさらに１つ以上の追加のコーティング層を堆積することを含む。

本発明の第１の様態に係る方法の一実施形態では、第２接続素子は、保護材料及び／又はオーバーレイコーティングでコーティングされていない。一実施形態では、第２接続素子は、コーティングされていない。

本発明の第１の様態に係る方法の代替的実施形態では、方法はまた、ステップ（ｉｉｉ）で接続を行う前に、第２接続素子上に上述の保護材料及び任意に上述のオーバーレイコーティングを堆積することを含む。

本発明の第１の様態に係る方法の一実施形態では、ステップ（ｉｉｉ）において、第１接続素子と第２接続素子との間に接続を行うことは、接続を行う前に保護材料及び任意にオーバーレイコーティングを打ち抜くことを含む。

第２接続素子は、最初に保護材料及び任意にオーバーレイコーティングを打ち抜くことなく、保護材料の中に又は保護材料を介して、任意にオーバーレイコーティングを介して押し込まれてもよい。ただし、電気を作る前に保護材料を打ち抜くことで、保護材料の中に、又は保護材料を介して第２接続素子を押し込むことが容易になり得る。

本発明の第１の様態に係る方法の一実施形態では、その方法はステップ（ｉ）において、保護材料の堆積前に、接続素子を洗浄、エッチング又は活性化することをさらに含む。この予備工程は、コーティングの堆積前に接続素子を準備し、活性化ステップとして作用し得る。そのステップの目的は、例えば、接続素子をコーティング（例えば、酸化金属）に対して化学的に受容性にし得る、及び／又はコーティングが基板に「キーイン」（例えば、機械的インターロックを強化）できるように物理的に粗くし得る。

一実施形態では、予備工程において、連続出力プラズマは、接続素子に適用され得る。予備工程は、不活性ガスの存在下で行われてもよい。一実施形態では、予備工程は、ヘリウム及び／又は酸素の存在下で行われる。

本発明の第２の様態によると、本発明の第１の様態に係る方法によって得られる保護された接続が提供される。

本発明の第３の様態によると、接続を形成する第１接続素子及び第２接続素子を含むコネクタが提供され、その接続はオーバーレイコーティングを有する少量の保護材料によって保護され、保護材料の一部は、接続素子間に挿入されている。

第１接続素子、第２接続素子、コネクタ、接続、保護材料及びオーバーレイコーティングは、本発明の第１の様態に関して記載又は定義されているものであってもよい。

明細書の記載及び請求項全体を通して、「含む」及び「含有する」の語、並びにこれらの語の変化形、例えば、「含んでいる」及び「含む」は、「含むがそれらに限定されない」を意味し、他の構成要素、整数、又はステップを排除しない。さらに、単数は、文脈からそうでないことが必要でない限り、複数を包含し、特に、不定冠詞が用いられる場合、文脈からそうでないことが必要でない限り、本明細書は、単数だけではなく複数も考慮するものとして理解されるべきである。

本発明の各様態の好ましい特徴は、他の様態のいずれかと組み合わせて記載される通りであってもよい。本願の範囲内で、単独で又は任意の組み合わせで、前の段落、特許請求の範囲及び／又は以下の説明及び図面、特にその個々の特徴に記載されている様々な様態、実施形態、実施例及び代替案を取ってもよいことが明確に意図されている。すなわち、すべての実施形態及び／又は任意の実施形態の特徴は、そのような特徴に互換性がない場合を除いて、任意の方法及び／又は組み合わせで組み合わせられ得る。

ここで、本発明の１つ以上の実施形態は、添付の説明のための図面を参照して、例としてのみ説明される。

図１は、コーティングの抵抗を決定するための電気試験装置を示す。 図２は、（ａ）接触パッド及び（ｂ）ばねコネクタ上方に分配された保護材料（ゲルブリスタの形態）の概略例を示す。 図３（ａ）は、保護材料に囲まれた基板対基板ソケット（又はヘッダー）の平面図を示し、（ｂ）は、プラズマコーティング後の保護材料に囲まれた基板対基板ソケット（又はヘッダー）の側面図の概略図を示す。 保護材料及びプラズマコーティングをＺＩＦコネクタに適用し、その後ケーブルを保護材料及びプラズマコーティングに挿入して電気接続を行うプロセスの概略図を示す。

プラズマ堆積プロセス
プラズマ重合実験は、２２リットルの作業容量を備えた金属反応チャンバ内で実行された。チャンバは、２つの部分で構成され、１つの開いた面を備えた浅い立方体の空洞で、垂直に向けられ、外縁のＶｉｔｏｎ Ｏリングを介して頑丈な金属製ドアに密閉されていた。すべての表面を３７℃に加熱した。チャンバの内部には、空洞の開いた面ごとの領域である単一の穴あき金属電極があり、これも垂直に向けられ、コーナーの接続を介してドアに取り付けられ、金属ドアの中心を通った接続を介してＲＦ電源ユニットによって供給された。パルスプラズマ堆積の場合、ＲＦ電源ユニットは、パルス発生器によって制御された。

チャンバの後部は、総容量１２５Ｌに達し、より大きな空洞を介して金属ポンプライン、圧力制御バルブ、圧縮乾燥空気供給、及び真空ポンプに接続された。チャンバのドアは、圧力ゲージ、（内面が７０℃に加熱された）モノマー供給バルブ、温度コントローラ、及びマスフローコントローラに接続されたガス供給ラインに接続するためのいくつかの円筒形ポートを含んだ。

各実験では、サンプルは、ドアに面して穴あき電極に取り付けられたナイロンペグに垂直に配置された。

反応器をベース圧力（通常、＜１０ｍＴｏｒｒ）まで排気した。プロセスガスは、マスフローコントローラを使用して、通常のガス流量値２〜２５ｓｃｃｍでチャンバに送られた。モノマーは、通常のモノマーガス流量値５〜６０ｓｃｃｍでチャンバに送られた。チャンバを３７℃に加熱した。反応器内の圧力は、２０〜３０ｍＴｏｒｒに維持された。プラズマは、１３．５６ＭＨｚのＲＦを用いて生成された。このプロセスには通常、少なくとも連続波（ＣＷ）プラズマ及びパルス波（ＰＷ）プラズマのステップを含む。任意に、これらのステップは、連続波（ＣＷ）プラズマを用いた初期の活性化ステップによって進められ得る。使用された場合、活性化ＣＷプラズマは１分間、ＣＷプラズマは１分間又は４分間であり、ＰＷプラズマの持続時間は実験によって異なった。ピーク出力設定は、いずれの場合も１６０Ｗであり、パルス条件はオン時間（ｔ_ｏｎ）＝３７μｓ、オフ時間（ｔ_ｏｆｆ）＝１０ｍｓであった。堆積終了後に、ＲＦ電源を切り、モノマー供給バルブを停止して、ベース圧力までチャンバを排気した。その後、チャンバを通気して大気圧とし、コーティングされたサンプルを取り出した。

各実験では、４〜６個のテストプリント回路基板（ＰＣＢ）とそれに付随するＳｉウエハを使用した。Ｓｉウエハを使用すると、例えば、表面形態のためのＡＦＭやコーティング密度のためのＸＲＲ等、形成されたコーティングの物理的特性を測定できる。テストＰＣＢの金属トラックは、金でコーティングされた銅であった。Ｓｉウエハは、ＰＣＢの前面上部に配置された。

分析方法
以下の方法を使用して、本発明に準じて形成された例示的なコーティングされた表面のいくつかの特性を調査した。

（水道水中での抵抗）
この試験方法は、プリント回路基板に電気的バリアを提供する様々なコーティングの能力を評価し、スマートフォンがＩＥＣ ６０５２９ １４．２．７（ＩＰＸ７）試験に合格する能力を予測するために考案された。この方法は、水道水で使用するように設計されている。この試験では、標準化されたプリント回路基板（ＰＣＢ）の水中での電流電圧（ＩＶ）特性の測定を含む。ＰＣＢは、水中のトラック全体でエレクトロケミカルマイグレーションが発生した時点を評価可能であるように、電極間の間隔を０．５ｍｍとして設計した。電気化学的活性の度合いは、電流量を測定することによって定量化され、低い電流量は良好なコーティング品質を示す。この方法は、様々なコーティングを区別するのに極めて有効であることが示された。コーティングの性能は、例えば、４Ｖ、８Ｖ及び２１Ｖでの抵抗として定量化し得る。未処理のテストデバイスで測定された抵抗は、１６Ｖ／ｍｍ印加時で約１００オームである。

図１は、電気試験装置１００を示す。試験されるコーティングされたＰＣＢ１１０は、水１１４のビーカー１１２に入れられ、接続部１１６、１１８を介して電源（図示せず）に接続される。コーティングされたＰＣＢ１１０は、局所的なイオン濃度の影響を最小限にするためにビーカー１１２内で水平且つ垂直に中央に配置される（コーティングされたＰＣＢ１１０の垂直位置は非常に重要であり、水１１４レベルは、青色の指示線１２０になるはずである）。コーティングされたＰＣＢ１１０が接続されると、電源が所望の電圧に設定され、電流が直ちに監視される。印加される電圧は、例えば、８Ｖであり、コーティングされたＰＣＢ１１０は、設定電圧で１３分間保持され、その期間中、電流が継続的に監視される。

様々なプロセスパラメータによって形成されたコーティングが試験される。コーティングの抵抗値が１０ＭＯｈｍｓを超えると、コーティングされたデバイスはＩＰＸ７試験に合格することがわかっている。コーティングされるデバイス（例えば、スマートフォン）の性質は、例えば、材料、侵入点、消費電力等の変動により、試験に影響を与える。

（塩水中での抵抗）
この試験方法は、水道水の代わりに塩水を使用することを除いて、上記の「水道水中での抵抗」の方法と同じである。塩水の組成は、５％ｗ／ｖのＮａＣｌ、すなわち１００ｍｌの水あたり５ｇのＮａＣｌである。

（コーティングの厚さ）
形成されたコーティングの厚さは、分光エリプソメトリによって検証された光学定数を使用した分光反射率測定装置（フィルメトリクス Ｆ２０−ＵＶ）を使用して測定された。

（分光エリプソメトリ）
分光エリプソメトリは、入射偏光と、サンプルとの相互作用後の光（すなわち、反射光、透過光等）との間の偏光の変化を測定する手法である。偏光の変化は、振幅比Ψ及び位相差Δによって定量される。広帯域光源を使用して、この変動をある範囲の波長にわたって測定し、Ψ及びΔの標準値を波長の関数として測定する。ＩＴＡＣ ＭＮＴエリプソメータは、Ｈｏｒｉｂａ Ｙｖｏｎ社のＡｕｔｏＳＥであり、４５０〜８５０ｎｍの波長範囲を有する。膜厚や屈折率等の多くの光学定数は、Ψ値及びΔ値から導き出され得る。

サンプル測定から収集されたデータは、予め定義されたスペクトル範囲における反射又は送信信号の高調波の強度を含む。これらを数学的に処理し、Ｉｓ及びＩｃと呼ばれる強度値をｆ（Ｉ）として抽出する。Ｉｃ及びＩｓから出発して、ソフトウェアによってΨ及びΔを算出する。厚さ又は光学定数等の対象であるパラメータを抽出するために、Ψ及びΔの理論的算出を可能にするモデルを設定する必要がある。対象であるパラメータは、理論的及び実験的データファイルを比較して最適なもの（ＭＳＥ又はＸ^２）を得ることによって決定される。薄層に最適な場合、Ｘ^２＜３が得られるべきであり、より厚いコーティングの場合、この値は１５まで大きくなり得る。使用されるモデルは、表面粗さを考慮して混合層（ＰＴＦＥ＋空隙）で仕上げたＳｉ基板上にＰＴＦＥを含む３層ローレンツモデルである。

（分光反射率測定）
コーティングの厚さは、フィルメトリクス Ｆ２０−ＵＶ分光反射率測定装置を使用して測定される。この機器（Ｆ２０−ＵＶ）は、コーティングから光を反射させ、得られた反射スペクトルをある範囲の波長にわたって分析することにより、コーティングの特性を測定する。コーティングの様々な界面から反射された光は、同相又は逆相であり得るため、これらの反射は、入射光の波長及びコーティングの厚さと屈折率に応じて、加算又は減算される。その結果、コーティングの特徴である反射スペクトルの強度振動が得られる。

コーティングの厚さを決定するために、フィルメトリクスソフトウェアにより、測定されたスペクトルに可能な限り一致する理論的な反射スペクトルを算出する。まず、仮のコーティング積層体（層状構造）に基づいて、反射スペクトルがどのように見えるはずであるかについての推測から始まる。これには、様々な層の厚さ（０．２ｎｍの精度）及び屈折率、並びにサンプルを構成する基板に関する情報が含まれる（屈折率値は、分光エリプソメトリから導き出され得る）。次に、測定されたスペクトルに対して最適なものを見つけるまでコーティングの特性を調整することによって、理論的な反射スペクトルは調整される。

厚さを測定するための代替技術は、触針式表面形状測定及びＳＥＭによるコーティング断面測定である。

モノマー化合物
これらの実施例で使用されたモノマー化合物は、ＰＦＡＣ６、すなわち、以下の式の１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルアクリレート（ＣＡＳ番号１７５２７−２９−６）であった。

架橋剤
これらの実施例で使用された架橋剤は、以下の式のアジピン酸ジビニル（ＤＶＡ）（ＣＡＳ番号４０７４−９０−２）であった。

実施例Ａ プラズマコーティングの形成
厚さ２５００ｎｍのコーティングは、体積比９：１で予め混合されて液相のプラズマ堆積チャンバに導入される過フッ素化アクリレートモノマーのＰＦＡＣ６及び架橋剤のＤＶＡを使用して、上記の気相プラズマ堆積プロセスでプリント回路基板（ＰＣＢ）及び付随するＳｉウエハに堆積される。

ＰＣＢ上のコーティングのバリア性能は、上記の試験によって試験され、その結果が表２に示される。

実施例１ 自己修復ゲルを使用してばねコネクタを保護
自己修復ゲルは、電気接続を行う必要があるプリント回路基板（ＰＣＢ）の領域、例えば、ばねコネクタ又は接触パッドに分配される。ゲルの分配は、手動又は自動で行われ得る。ゲルは、１つ以上の個別のユニットとして分配され得る。分配されたユニットの寸法は、幅約２．５ｍｍ、高さ１ｍｍであり得る。

自己修復ゲルは、シリコンゴムである。（硬化前の）基材は、シリコンゴムブレンドである。触媒は、白金添加剤を含む。

自己修復ゲルには以下の特性がある。
硬化前の基材の粘度：２５℃で５５，０００ｃＰｓ
硬化前の触媒の粘度：２０℃で１，０００ｃＰｓ
硬化前の混合物の粘度：２３℃で４２，０００ｃＰｓ
体積による基材：触媒の混合比：１０：１
硬化メカニズム：広帯域ＵＶ光源でＵＶ硬化可能
硬化後の押し込み硬さ（ＩＳＯ ２１３７、９．３８ｇ中空円錐形）：７０ｍｍ／１０
絶縁耐力：＞２３ｋＶ

ゲルは、３６５ｎｍのＵＶ ＬＥＤ（硬化時間１９秒、距離１０ｍｍ）下で硬化され、その後、実施例Ａに記載されるようにフルオロポリマープラズマ堆積コーティングで処理される。

フルオロポリマー処理後、ばね仕掛けのパンチを使用して所定の速度及び直径で再構築する前にゲルに穴を開け、接触パッドがゲルを押し通せるようにし得る。

図２（ａ）は、ばねコネクタ２３０を有する構成要素２０４と接続するための接触パッド２２０を有するＰＣＢ２０２の概略例を示す。この例では、ゲル２１０は、接触パッド２２０がゲル２１０内に完全に包まれるように、接触パッド２２０上方に分配される。続いて、フルオロポリマーコーティング２１２がＰＣＢ２０２及びゲル２１０上方に堆積される。構成要素２０４をＰＣＢ２０２に向けて接続するとき、ばねコネクタ２３０の接触部２３２がフルオロポリマーコーティング２１２と接触する。フルオロポリマーコーティング２１２の下にあるゲル２１０は、クッションとして機能し、それによってフルオロポリマー層２１２を脆くさせる。したがって、ばねコネクタ２３０の接触部２３２は、脆いフルオロポリマー層２１２を突き破り、ゲル２１０内の接触パッド２２０と係合することができる。

図２（ｂ）は、接触パッド２２０を有する構成要素２０４と接続するためのばねコネクタ２３０を有するＰＣＢの概略図を示す。この例では、ゲル２１０は、ばねコネクタ２３０上方に堆積され、ばねコネクタ２３０の接触部２３２がゲル２１０内に完全に包まれる。続いて、フルオロポリマーコーティング２１２は、ＰＣＢ２０２、ばねコネクタ２３０の一部及びゲル２１０上方に堆積される。ゲル２１０は、マスクとして機能し、それによってフルオロポリマーによるばねコネクタ２３０の接触部２３２のコーティングを防止する。

構成要素２０４をＰＣＢ２０２に向けて接続するとき、フルオロポリマーコーティング２１２の下にあるゲル２１０は、クッションとして機能し、接触パッド２２０が脆いフルオロポリマー層２１２を押し通すことを可能にする。マスキング工程は必要なく、接触ピン２３２及びパッド２２０は、自己修復ゲル２１０によって腐食から保護されている。

あるいは、構成要素２０４をＰＣＢ２０２に向けて接続する前の予備工程で、別のツールを使用してフルオロポリマー層２１２の穴を壊してもよい。

実施例２ 自己修復ゲルを使用して基板対基板コネクタを保護
自己修復ゲルは、電気接続を行う必要があるプリント回路基板（ＰＣＢ）の領域、例えば、基板対基板コネクタペアのソケット又はヘッダーのいずれかの周囲に分配される。ゲルの分配は、手動又は自動で行われ得、ゲルの厚さは構成要素の高さよりも大きくする必要がある。コネクタが対になっている場合、ゲルの正確な量は基板対基板コネクタの寸法とレイアウトに依存するが、未処理コネクタの外側の端子を覆って保護するのに充分なゲルが必要である。ゲルは、基板対基板コネクタとゲルとの間にギャップが生じるように適用されてもよい。ゲルは、端子が露出している基板対基板コネクタの側面にのみ適用されてもよい。

自己修復ゲルは、シリコンゴムである。（硬化前の）基材は、シリコンゴムブレンドである。触媒は、白金添加剤を含む。

自己修復ゲルには以下の特性がある。
硬化前の基材の粘度：２５℃で５５，０００ｃＰｓ
硬化前の触媒の粘度：２０℃で１，０００ｃＰｓ
硬化前の混合物の粘度：２３℃で４２，０００ｃＰｓ
体積による基材：触媒の混合比：１０：１
硬化メカニズム：広帯域ＵＶ光源でＵＶ硬化可能
硬化後の押し込み硬さ（ＩＳＯ ２１３７、９．３８ｇ中空円錐形）：７０ｍｍ／１０
絶縁耐力：＞２３ｋＶ

分配に続いて、ゲルは、３６５ｎｍのＵＶ ＬＥＤ（硬化時間１９秒、距離１０ｍｍ）下で硬化され、その後、実施例Ａに記載されるようにフルオロポリマープラズマ堆積コーティングで処理される。

もう一方のコネクタを個別に処理する必要がないため、接続ペアは結合され得る。

図３（ａ）は、ゲル３１０に囲まれた基板対基板ソケット３２０の平面図、図３（ｂ）は、プラズマコーティング後にフルオロポリマープラズマ堆積コーティング３１２を形成するゲル３１０に囲まれた基板対基板ソケット３２０の側面図の概略図を示す。（未処理の）基板対基板ヘッダー３２２は、基板対基板ソケット３２０と接触させられ、フルオロポリマープラズマ堆積コーティング３１２を押し通して接続を形成する。（未処理の）基板対基板ヘッダー３２２の両側の端子３２４、３２６は、ソケット３２０及びヘッダー３２２が対になっている場合、ゲル３１０によって保護される。あるいは、ソケット３２０はヘッダーであってもよく、（未処理の）ヘッダー３２２はソケットであってもよい。

実施例３ 自己修復ゲルを使用してＺＩＦコネクタを保護
自己修復ゲルは、例えば、ＺＩＦコネクタの上方で電気接続を行う必要があるプリント回路基板（ＰＣＢ）の領域に分配される。ゲルの分配は、手動又は自動で行われ得、ゲルの量は、ＺＩＦコネクタの寸法及びレイアウトに依存する。挿入されたＺＩＦジャンパーケーブルの端子が完全に水没して保護されるようにするには、充分なゲルが必要である。

自己修復ゲルは、シリコンゴムである。（硬化前の）基材はシリコンゴムブレンドである。触媒は、白金添加剤を含む。

自己修復ゲルには以下の特性がある。
硬化前の基材の粘度：２５℃で５５，０００ｃＰｓ
硬化前の触媒の粘度：２０℃で１，０００ｃＰｓ
硬化前の混合物の粘度：２３℃で４２，０００ｃＰｓ
体積による基材：触媒の混合比：１０：１
硬化メカニズム：広帯域ＵＶ光源でＵＶ硬化可能
硬化後の押し込み硬さ（ＩＳＯ ２１３７、９．３８ｇ中空円錐形）：７０ｍｍ／１０
絶縁耐力：＞２３ｋＶ

分配に続いて、ゲルは、３６５ｎｍのＵＶ ＬＥＤ（硬化時間１９秒、距離１０ｍｍ）下で硬化され、その後、実施例Ａに記載されるようにフルオロポリマープラズマ堆積コーティングで処理される。

ＺＩＦケーブルは個別に処理される必要がなく、ゲルを介してＺＩＦコネクタに挿入されて、レバーを閉じ得る。

図４は、ゲル及びプラズマコーティングをＺＩＦコネクタに適用し、その後ケーブルをゲル及びプラズマコーティングに挿入して電気接続を行うプロセスの概略図を示す。より詳細には、図４（ａ）を参照すると、ゲル４１０は、ＰＣＢ４０２上のＺＩＦコネクタ４２０の一部の上方に分配され、ＺＩＦコネクタ４２０は、下（閉）位置にレバー４２２を有する。その後、フルオロポリマーコーティング４１２は、図４（ｂ）に示すように、ＰＣＢ４０２、ゲル４１０及びゲル４１０が分配されていないＺＩＦコネクタ４２０の上方に堆積される。そして、レバー４２２を上（開）位置に動かし、図４（ｃ）に示すように、脆いフルオロポリマーコーティング４１２を通過し、ゲル４１０を介してＺＩＦケーブル４３０をＺＩＦコネクタ４２０に挿入する。図４（ｄ）を参照すると、レバー４２２は下（閉）位置に戻されて、ＺＩＦケーブル４３０をＺＩＦコネクタ４２０にロックする。

ゲル４１０は、レバー４２２が上（開）位置にあるときに、ＺＩＦコネクタ４２０の一部の上方に分配されてもよい。

Claims (58)

1. 任意に支持体に実装された第１接続素子と第２接続素子との間に保護された接続を形成する方法であって、
   前記第１接続素子及び／又は前記支持体に保護材料を堆積するステップ（ｉ）と、
   任意に前記保護材料にオーバーレイコーティングを堆積するステップ（ｉｉ）と、
   前記第２接続素子を押して前記第１接続素子と前記第２接続素子との間に接続を確立するステップ（ｉｉｉ）とを含み、
   前記接続は、前記保護材料によって保護されている、方法。
2. 前記ステップ（ｉｉｉ）は、前記第２接続素子を前記保護材料の中に押すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記ステップ（ｉｉｉ）は、前記オーバーレイコーティングを介して前記第２接続素子を押すことをさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記ステップ（ｉ）において、前記保護材料は、前記第１接続素子に堆積される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
5. 前記ステップ（ｉｉｉ）において、前記第２接続素子は前記保護材料に押し込まれて、任意に前記オーバーレイコーティングを介して前記第１接続素子と前記第２接続素子との間に接続を確立する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
6. 前記支持体は、プリント回路基板である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
7. 前記第１接続素子に保護材料を堆積するステップ（ｉ）と、
   任意に前記保護材料にオーバーレイコーティングを堆積するステップ（ｉｉ）と、
   前記第２接続素子を前記保護材料に押し込んで、任意に前記オーバーレイコーティングを介して第１接続素子と第２接続素子との間に接続を確立するステップ（ｉｉｉ）とを含み、
   前記接続は、前記保護材料によって保護されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
8. 前記保護材料は、自己修復材料である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. 前記保護材料は、ゲルである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. 前記保護材料は、ＡＳＴＭ Ｄ２２４０によって決定されるショアＯＯ硬度に準拠して、１００未満の硬度値を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
11. 前記保護材料は、ＩＳＯ ２１３７、９．３８ｇの中空円錐形によって決定される押し込み硬さスケールに準拠して、１ｍｍ／１０以上の硬度値を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
12. 前記保護材料を堆積することは、任意にシリコンゴムを含む基材と、任意に白金を含む触媒とを使用することを含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
13. 前記保護材料を堆積することは、硬化、任意にＵＶ硬化及び／又は熱硬化を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 前記基材と前記触媒の混合物の粘度は、１００ｃＰｓ〜４００，０００ｃＰｓである、請求項１２又は１３に記載の方法。
15. 前記接続は、電気接続である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
16. 前記第１接続素子及び前記第２接続素子は、電気コネクタを構成し、該電気コネクタは、ばねタイプのコンタクトを含む電気コネクタ、ばね荷重ピンを含むコンタクトを有する電気コネクタ、プラグインタイプの電気コネクタ、接触パッド、基板対基板（Ｂ２Ｂ）コネクタ及びゼロ挿入力（ＺＩＦ）コネクタから選択される、請求項１５に記載の方法。
17. 前記方法は、前記保護材料にオーバーレイコーティングを堆積するステップ（ｉｉ）を含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
18. 前記ステップ（ｉｉ）において、前記オーバーレイコーティングを堆積することは、プラズマ堆積層を形成することを含む、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
19. 前記ステップ（ｉｉ）において、前記オーバーレイコーティングを堆積することは、前記保護材料を、該オーバーレイコーティングを形成するのに充分な時間にわたってモノマー化合物を含むプラズマに曝露することを含む、請求項１８に記載の方法。
20. 前記モノマー化合物は、式（Ｉ）の化合物であって、
    

    

    
    式中、各Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^４は、独立して、水素、ハロゲン、任意に置換された分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_６アルキル、任意に置換されたＣ_３−Ｃ_８シクロアルキル、任意に置換されたＣ_３−Ｃ_１２アリールから選択され、
    並びに、Ｒ^３は以下の式から選択され、
    

    

    式中、各Ｘは、独立して、水素、ハロゲン、任意に置換された分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_６アルキル、任意に置換されたＣ_３−Ｃ_８シクロアルキル、及び任意に置換されたＣ_３−Ｃ_１２アリールから選択され、ｎは１〜２７の整数である、請求項１９に記載の方法。
21. 前記モノマー化合物は、式（Ｉａ）の化合物であって、
    

    

    式中、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４及びＲ^５〜Ｒ^１０は、独立して、水素及び任意に置換されたＣ_１−Ｃ_６分岐鎖状又は直鎖状アルキルから選択され、各Ｘは、独立して、水素及びハロゲンから選択され、ａは０〜１０であり、ｂは２〜１４であり、ｃは０又は１であり、
    又は前記モノマー化合物は、式（Ｉｂ）の化合物であって、
    

    

    式中、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４及びＲ^５〜Ｒ^１０は、独立して、水素及び任意に置換されたＣ_１−Ｃ_６分岐鎖状又は直鎖状アルキルから選択され、各Ｘは、独立して、水素及びハロゲンから選択され、ａは０〜１０であり、ｂは２〜１４であり、ｃは０又は１である、請求項１９又は２０に記載の方法。
22. ａ及びｃは、それぞれ独立して０又は１であり、ｂは３〜７である、請求項２１に記載の方法。
23. 各ＸはＦである、請求項２０〜２２のいずれか１項に記載の方法。
24. 各Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^４は、独立して、水素及びメチルから選択される、請求項２０〜２３のいずれか１項に記載の方法。
25. 各Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^４は、水素である、請求項２４に記載の方法。
26. 各Ｒ^５〜Ｒ^１０は、独立して、水素及びメチルから選択される、請求項２１〜２５のいずれか１項に記載の方法。
27. 各Ｒ^５〜Ｒ^１０は、水素である、請求項２６に記載の方法。
28. 前記モノマー化合物は、式（Ｉｃ）の化合物であって、
    

    

    式中、ｍは１〜１０である、請求項２０〜２７のいずれか１項に記載の方法。
29. 前記式（Ｉｃ）の化合物は、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロヘキシルアクリレート（ＰＦＡＣ４）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルアクリレート（ＰＦＡＣ６）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアクリレート（ＰＦＡＣ８）及び１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロドデシルアクリレート（ＰＦＡＣ１０）から選択される、請求項２８に記載の方法。
30. 前記モノマー化合物は、式（Ｉｄ）の化合物であって、
    

    

    式中、ｍは１〜１０である、請求項２０〜２７のいずれか１項に記載の方法。
31. 前記式（Ｉｄ）の化合物は、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロヘキシルメタクリレート（ＰＦＭＡＣ４）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルメタクリレート（ＰＦＭＡＣ６）、及び１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルメタクリレート（ＰＦＭＡＣ８）から選択される、請求項３０に記載の方法。
32. 前記ステップ（ｉｉ）において、前記保護材料は、前記モノマー化合物及び架橋剤を含むプラズマに曝露される、請求項１９〜３１のいずれか１項に記載の方法。
33. 前記架橋剤は、１つ以上のリンカー部分によって結合された２つ以上の不飽和結合を含む、請求項３２に記載の方法。
34. 前記架橋剤は、標準圧力で５００℃未満の沸点を有する、請求項３２又は３３に記載の方法。
35. 前記架橋剤は、独立して、式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）の化合物から選択され、
    

    

    式中、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７及びＹ^８は、それぞれ独立して、水素、任意に置換された分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_６アルキル、任意に置換されたＣ_１−Ｃ_６シクロアルキル、及び任意に置換されたＣ_１−Ｃ_６アリールから選択され、Ｌはリンカー部分である、請求項３２〜３４のいずれか１項に記載の方法。
36. 前記式（ＩＩ）の化合物において、Ｌは以下の式を有し、
    

    

    式中、各Ｙ^９は、独立して、結合、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｙ^１１−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｙ^１１−、−ＯＹ^１１−及び−Ｙ^１１Ｏ−から選択され、Ｙ^１１は、任意に置換された分岐鎖状、直鎖状又は環状Ｃ_１−Ｃ_８アルキレンであり、
    並びに、Ｙ^１０は、任意に置換された分岐鎖状、直鎖状又は環状Ｃ_１−Ｃ_８アルキレン及びシロキサン基から選択される、請求項３５に記載の方法。
37. 前記架橋剤は、独立して、アジピン酸ジビニル（ＤＶＡ）、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル（ＢＤＶＥ）、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル（ＣＤＤＥ）、１，７−オクタジエン（１７ＯＤ）、１，２，４−トリビニルシクロヘキサン（ＴＶＣＨ）、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン（ＤＶＴＭＤＳ）、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル（ＤＣＨＤ）、１，６−ジビニルパーフルオロヘキサン（ＤＶＰＦＨ）、１Ｈ，１Ｈ，６Ｈ，６Ｈ−パーフルオロヘキサンジオールジアクリレート（ＰＦＨＤＡ）及びグリオキサールビス（ジアリルアセタール）（ＧＢＤＡ）から選択される、請求項３２〜３６のいずれか１項に記載の方法。
38. 前記架橋剤は、アジピン酸ジビニル（ＤＶＡ）である、請求項３７に記載の方法。
39. 前記式（ＩＩＩ）の化合物において、Ｌは、分岐鎖状又は直鎖状Ｃ_１−Ｃ_８アルキレン又はエーテル基から選択される、請求項３５〜３８のいずれか１項に記載の方法。
40. 前記ステップ（ｉｉ）において、前記モノマー化合物及び前記架橋剤は、液相のプラズマ堆積チャンバに導入されており、該モノマー化合物に対する該架橋剤の体積比は、１：９９〜２０：８０である、請求項３２〜３９のいずれか１項に記載の方法。
41. 前記ステップ（ｉｉ）において、前記モノマー化合物に対する前記架橋剤の体積比は、５：９５〜１５：８５である、請求項４０に記載の方法。
42. 前記ステップ（ｉｉ）において、前記モノマー化合物及び前記架橋剤は、プラズマ堆積チャンバに導入されており、該モノマー化合物に対する該架橋剤のモル投入流量比は、１：２０〜１：１である、請求項３２〜４１のいずれか１項に記載の方法。
43. 前記ステップ（ｉｉ）において、前記モノマー化合物に対する前記架橋剤のモル投入流量比は、１：１４〜１：６である、請求項４２に記載の方法。
44. 前記保護材料の厚さは、０．１ｍｍ〜５ｍｍである、請求項１〜４３のいずれか１項に記載の方法。
45. 前記オーバーレイコーティング層の厚さは、２５０ｎｍ〜１００００ｎｍである、請求項１〜４４のいずれか１項に記載の方法。
46. 前記方法は、１つ以上の追加のコーティング層を堆積することをさらに含む、請求項１〜４５のいずれか１項に記載の方法。
47. 前記第２接続素子は、コーティングされていない、請求項１〜４６のいずれか１項に記載の方法。
48. 前記方法は、前記ステップ（ｉｉｉ）において、接続を行う前に前記保護材料及び任意に前記オーバーレイコーティングを第２接続素子に堆積することをさらに含む、請求項１〜４７のいずれか１項に記載の方法。
49. 前記ステップ（ｉｉｉ）において、前記第１接続素子と前記第２接続素子との間に接続を行うことは、接続を行う前に前記保護材料及び任意に前記オーバーレイコーティングを打ち抜くことを含む、請求項１〜４８のいずれか１項に記載の方法。
50. 請求項１〜４９のいずれか１項に記載の方法によって得られる、保護された接続。
51. 接続を形成する第１接続素子と第２接続素子とを含むコネクタであって、
    前記接続は、オーバーレイコーティングを有する少量の保護材料によって保護され、
    前記保護材料の一部は、任意に前記接続素子の間に挿入される、コネクタ。
52. 前記コネクタは、電気コネクタである、請求項５１に記載のコネクタ。
53. 前記コネクタは、請求項１０に定義された電気コネクタから選択される、請求項５２に記載のコネクタ。
54. 前記保護材料は、請求項８〜１１又は４４のいずれか１項に定義されている通りである、請求項５１〜５３のいずれか１項に記載のコネクタ。
55. 前記保護材料は、請求項１又は７〜１４のいずれか１項に定義されているように堆積によって得られる、請求項５１〜５４のいずれか１項に記載のコネクタ。
56. 前記オーバーレイコーティングは、プラズマ堆積層を含む、請求項５１〜５５のいずれか１項に記載のコネクタ。
57. 前記オーバーレイコーティングは、請求項１８〜４３のいずれか１項に定義されているように堆積によって得られる、請求項５１〜５６のいずれか１項に記載のコネクタ。
58. 前記オーバーレイコーティングは、請求項４５に記載されている通りである、請求項５１〜５７のいずれか１項に記載のコネクタ。
    
    

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