CN113828504A - 防护涂层的制备方法以及防护涂层 - Google Patents
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- 239000011253 protective coating Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 165
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 164
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 27
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 15
- QUKRIOLKOHUUBM-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C QUKRIOLKOHUUBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 7
- -1 methyl phenyl vinyl Chemical group 0.000 claims description 5
- HIHIPCDUFKZOSL-UHFFFAOYSA-N ethenyl(methyl)silicon Chemical compound C[Si]C=C HIHIPCDUFKZOSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- PMQIWLWDLURJOE-UHFFFAOYSA-N triethoxy(1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCC(F)(F)F PMQIWLWDLURJOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XROQZHANPUSTMK-UHFFFAOYSA-N C(C(=C)C)(=O)OC(C(C(F)(F)F)(F)F)(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)F Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OC(C(C(F)(F)F)(F)F)(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)F XROQZHANPUSTMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 61
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 30
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 10
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 9
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 8
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 210000004243 sweat Anatomy 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011416 infrared curing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- JZZIHCLFHIXETF-UHFFFAOYSA-N dimethylsilicon Chemical compound C[Si]C JZZIHCLFHIXETF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
- B05D7/24—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials for applying particular liquids or other fluent materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/32—Processes for applying liquids or other fluent materials using means for protecting parts of a surface not to be coated, e.g. using stencils, resists
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
- B05D3/0209—Multistage baking
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
- B05D7/50—Multilayers
- B05D7/52—Two layers
- B05D7/54—No clear coat specified
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2502/00—Acrylic polymers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2530/00—Rubber or the like
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种防护涂层的制备方法以及防护涂层,包括以下步骤:在基底表面上形成第一涂料,制备第一涂层,其中所述第一涂料含有硅橡胶;固化形成所述第一涂层的基底,制备固化第一涂层;电离含氟烷烃的第二涂料使其沉积在固化第一涂层的基底的表面,制备复合涂层。上述防护涂层的制备方法中通过制备含有硅橡胶的第一涂料的第一涂层,固化后进行电离第二涂料使其形成等离子体沉积在第一涂层表面,第二涂料中的氟与第一涂料中的硅橡胶进行化学键合,增加复合涂层的结合力。同时第二涂料也同时对第一涂层中未填满的部分进行填补,加强整个复合涂层的均匀性、致密性以及防护性。
Description
技术领域
本发明涉及防护涂层领域,特别是涉及一种防护涂层的制备方法以及防护涂层。
背景技术
电子产品为了保证其使用通常在其表面形成防护涂层,以避免在日常使用中腐蚀介质如:水、雾霾、盐雾等对电子产品的性能产生影响。传统经常采用以下两种方法制备防护涂层,其中之一为在电子产品表面形成一层具有防护效果的膜层,其防护原理为物理隔离,即在电子产品表面涂覆阻水物质阻止水分子接触工件。上述方法形成的膜层通常较厚,在几十微米到几十毫米之间,所以防护涂层的抗电压,抗腐蚀及耐浸泡效果好,但由于此涂层制备方法的限制,膜层无法完全均匀覆盖工件,特别是在工件尖角处,或结构复杂处会出现空隙,导致防护能力不足。此外上述防护涂层形成的过程中还有气体残留,导致防护涂层的结构松散,缺陷较多。还有一种是在电子产品表面进行外延成膜,形成一层具有疏水效果的防护涂层,此防护涂层的厚度一般较薄,在几纳米到几微米之间,因此此防护涂层的抗电压、抗腐蚀及耐浸泡效果差。
发明内容
基于此,有必要提供一种防护涂层的制备方法以及防护涂层,使防护涂层同时具有均匀性、致密性以及防护性。
本发明提供一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤:
S10:在基底表面上形成第一涂料,制备第一涂层,其中所述第一涂料含有硅橡胶;
S20:固化形成有所述第一涂层的基底,制备固化第一涂层;
S30:电离含氟烷烃的第二涂料使其沉积在固化有所述第一涂层的基底的表面,制备复合涂层。
在其中一个实施例中,在步骤S30中电离含氟烷烃的第二涂料的使其沉积的方法为等离子体增强化学气相沉积法。
在其中一个实施例中,在步骤S10之前还包括对所述基底的预设工作区域进行遮蔽的步骤。
在其中一个实施例中,在步骤S10中在基底表面上形成第一涂料的方法选自喷涂、浸蘸和涂布的至少一种。
在其中一个实施例中,所述第一涂料选自二甲基硅橡胶、甲基乙烯基硅橡胶和甲基苯基乙烯基硅橡胶中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述第一涂层的厚度为10μm~2mm。
在其中一个实施例中,在步骤S20中固化为连续固化,包括第一次固化和第二次固化。
在其中一个实施例中,所述第一次固化时间为5分钟~60分钟,固化温度为20℃~40℃。
在其中一个实施例中,所述第二次固化时间为2天~7天,固化温度为80℃~100℃。
在其中一个实施例中,在步骤S30中制备所述复合涂层的真空度为20mTorr~200mTorr。
在其中一个实施例中,所述第二涂料选自全氟辛基乙基丙烯酸酯、全氟己基丙基甲基丙烯酸酯以及十七氟癸基三乙氧基硅烷中的至少一种。
进一步地,本发明还提供上述的防护涂层制备方法得到的防护涂层或含有所述防护涂层的电子器件。
上述防护涂层的制备方法中通过制备含有硅橡胶的第一涂料的第一涂层,固化后进行电离第二涂料使其形成等离子体沉积在第一涂层表面,第二涂料中的氟与第一涂料中的硅橡胶进行化学键合,增加复合涂层的结合力。同时第二涂料也同时对第一涂层中未填满的部分进行填补,加强整个复合涂层的均匀性、致密性以及防护性,进一步提高防护涂层的抗电压,抗腐蚀及耐浸泡性。
具体实施方式
本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。在本发明的描述中,“若干”的含义是至少一个,例如一个,两个等,除非另有明确具体的限定。
本发明中的词语“优选地”、更优选地”等是指,在某些情况下可提供某些有益效果的本发明实施方案。然而,在相同的情况下或其他情况下,其他实施方案也可能是优选的。此外,对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用,也并非旨在将其他实施方案排除在本发明的范围之外。
当本文中公开一个数值范围时,上述范围视为连续,且包括该范围的最小值及最大值,以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地,当范围是指整数时,包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外,当提供多个范围描述特征或特性时,可以合并该范围。换言之,除非另有指明,否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。
在描述位置关系时,除非另有规定,否则当一元件例如层、膜或基板被指为在另一膜层“上”时,其能直接在其他膜层上或亦可存在中间膜层。进一步说,当层被指为在另一层“下”时,其可直接在下方,亦可存在一或多个中间层。亦可以理解的是,当层被指为在两层“之间”时,其可为两层之间的唯一层,或亦可存在一或多个中间层。
除非相反地提及,否则单数形式的术语可以包括复数形式,并不能理解为其数量为一个。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤S10~步骤S30。
步骤S10:在基底表面上形成第一涂料,制备第一涂层,其中第一涂料含有硅橡胶。
在一个具体示例中,第一涂料选自二甲基硅橡胶、甲基乙烯基硅橡胶和甲基苯基乙烯基硅橡胶中的至少一种。
可以理解地,在步骤S10中在基底表面上形成第一涂料的方法选自喷涂、浸蘸和涂布的至少一种。
优选地,涂覆方法优选为喷涂,具体地,第一涂料经过高压雾化后形成雾状喷雾均匀的涂覆在基底上,喷涂时,进液量在5ml/min~50ml/min,进液压力控制在0.1MPa~0.8MPa,雾化口雾化压力控制在0.01MPa~0.2MPa。
优选地,上述喷涂时的进液量为5ml/min~8ml/min。进液压力控制在0.1MPa~0.5MPa,雾化口雾化压力控制在0.05MPa~0.15MPa。
具体地,上述喷涂时的进液量可以但不限于是5ml/min、6ml/min、7ml/min或8ml/min。
进一步地,喷涂时的优选进液压力可以但不限于是0.1Mpa、0.2Mpa、0.3Mpa、0.4Mpa或0.5Mpa。
更进一步地,雾化口雾化压力可以但不限于是0.05Mpa、0.06Mpa、0.07Mpa、0.08Mpa、0.09Mpa、0.1Mpa、0.11Mpa、0.12Mpa、0.13Mpa、0.14Mpa或0.15Mpa。
在一个具体示例中,第一涂层的厚度为10μm~2mm。
优选地,上述第一涂层的厚度优选为20μm~150μm,更进一步地,40μm~100μm。
步骤S20:固化形成第一涂层的基底,制备固化第一涂层。
在一个具体示例中,在步骤S20中固化固化为连续固化,包括第一次固化和第二次固化。
可以理解地,第一次固化为表干固化,第一次固化的设备包括但不限于是红外固化炉或隧道炉进行高温固化,第二次固化则为完全固化,第二次固化的设备包括但不限于是红外固化炉或隧道炉进行高温固化。
在一个具体示例中,第一次固化时间为5分钟~60分钟,固化温度为20℃~40℃。
具体地,第一次固化时间可以但不限于是5分钟、15分钟、20分钟、25分钟、30分钟、35分钟、40分钟、45分钟、50分钟、55分钟或60分钟。
第一固化的温度为20℃、25℃、30℃、35℃或40℃。优选地,第一固化温度为30℃~40℃。
进一步地,第二次固化时间为2天~7天,固化温度为80℃~100℃。
第二固化的温度为80℃、85℃、90℃、95℃或100℃2。优选地,第二固化温度为80℃~90℃。
步骤S30:电离含氟烷烃的第二涂料使其沉积在固化第一涂层的基底的表面,制备复合涂层。
在一个具体示例中,制备复合涂层的真空度为20mTorr~200mTorr。
进一步地,制备复合涂层的真空度可以但不限于是20mTorr、40mTorr、60mTorr、80mTorr、100mTorr、120mTorr、140mTorr、160mTorr、180mTorr、200mTorr
沉积过程中的真空环境,可以有效去除残留在防护第一涂层内部的气体,使膜层内缺陷减少,制备得到的复合涂层更加致密。
可以理解地,上述第二涂料的沉积方式包括但不限于是等离子体增强化学的气相沉积法。
具体地,将反应腔内的真空度调节至20mT~200mT,以10mg/min~200mg/min的流量通入第二涂料,并采用惰性气氛进行保护,在电源恒定放电模式(CW),200W~600W的功率条件下处理20s~200s,随后在电源脉冲模式(PW),以100mg/min~900mg/min的流量通入第二涂料200W~600W的功率以及占空比为0.1%-30%的条件下处理200s~2000s。
优选地,将反应腔内的真空度调节至20mT~100mT,以50mg/min~150mg/min的流量通入第二涂料,并采用惰性气氛进行保护,在电源恒定放电模式(CW),300W~600W的功率条件下处理20s~100s,随后在电源脉冲模式(PW),以300mg/min~900mg/min的流量通入第二涂料300W~600W的功率以及占空比为1%~10%的条件下处理500s~1500s。
具体上述惰性气体可以但不限于是氩气和氦气中的至少一种,进一步地,上述氦气的流量为50sccm~400sccm。
在一个具体示例中,在步骤S10之前还包括对基底的预设工作区域进行遮蔽的步骤。
可以理解地,有时基底为电子工件需要导通而防护涂层会影响导通,或者防护涂层会影响工件工作,此时需要用点胶或者胶带将需要导通或者有影响的工件进行遮蔽防止防护涂层造成影响。
进一步地,本发明提供的防护涂层的制备方法首先会对基底的预设工作区域进行遮蔽处理,随后将含有硅橡胶的第一涂料涂覆于基底上,随后对第一涂层进行固化并沉积第二涂料形成复合涂层,此复合涂层相较于单一液相法膜层,包覆更均匀,膜层更致密,防护性能更好,且具有表面疏水性。相较于单一气相法膜层,具有极强的抗电压、抗腐蚀及浸泡能力。
可以理解地,上述基底可以但不限于是电子器件。
本发明提供的防护涂层的制备方法首先将含有硅橡胶的第一涂料后喷涂到基底表面,进行固化后,再利用等离子体增强技术将含氟烷烃的第二涂料沉积到工件表面。上述复合涂层的制备过程不仅能极大增强基底表面的疏水性,同时能够对喷涂工艺形成的第一涂层有填充作用;喷涂工艺制备的第一涂层表面产生的空隙会被第二涂料进行填补从而得到保护。沉积时的真空处理可以有效排除防水胶内部的气体,使第一涂料胶凝固后的膜层更加致密。带电粒子在高能电场加速下高速轰击涂层表面,能够一定程度上钻进第一涂料形成的高分子胶体,增强高分子链之间的化学键合,增加涂层的结合力。离化后的离子携带高能量,作用于第一涂层表面可将第一涂层表面改性,增加防护涂层的防护性能。
进一步地,本发明还提供上述的防护涂层制备方法得到的防护涂层或含有防护涂层的电子器件。
以下提供具体的实施例对本发明的防护涂层的制备方法以及防护涂层进一步详细地说明。
实施例1
本实施例提供一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤:
首先,对电子器件进行遮蔽。
然后,在遮蔽完成的电子器件表面涂覆第一涂料形成第一涂层,第一涂料经过高压雾化后形成雾状喷雾均匀的涂覆在电子器件上,其中第一涂料为二甲基硅橡胶。喷涂时,进液量控制在5ml/min,进液压力控制在0.3MPa,雾化口雾化第二压力控制在0.1Mpa,喷涂厚度控制在40μm。第一涂料经喷涂后处于液体状态均匀覆盖在电子器件表面形成第一涂层。
之后要对形成第一涂层的电子器件进行固化,固化设备为隧道炉,表干固化时间为20min,固化温度为40℃,完全固化时间为3天,固化温度为80℃。
最后,将固化完成后的电子器件放入镀膜腔体,将腔体抽真空,真空度为70mTorr,通入第二涂料全氟辛基乙基丙烯酸酯流量为100mg/min。同时通入惰性气体流量为200sccm,电源处于CW模式中,电源功率为600w,处理时间为60s,随后将电源切换成PW模式,停止通入惰性气体,第二涂料流量调整为600mg/min,电源功率为500W,占空比为3%,处理时间为1000s,获得防护涂层。
实施例2
本实施例提供一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤:
首先,对电子器件进行遮蔽。
然后,在遮蔽完成的电子器件表面涂覆第一涂料形成第一涂层,第一涂料经过高压雾化后形成雾状喷雾均匀的涂覆在电子器件上,其中第一涂料为甲基乙烯基硅橡胶。喷涂时,进液量控制在5ml/min,进液压力控制在0.3MPa,雾化口雾化第二压力控制在0.1Mpa,喷涂厚度控制在40μm。第一涂料经喷涂后处于液体状态均匀覆盖在电子器件表面形成第一涂层。
之后要对形成第一涂层的电子器件进行固化,固化设备为隧道炉,表干固化时间为20min,固化温度为40℃,完全固化时间为3天,固化温度为80℃。最后,将固化完成后的电子器件放入镀膜腔体,将腔体抽真空,真空度为70mTorr,通入第二涂料全氟辛基乙基丙烯酸酯流量为100mg/min。同时通入惰性气体流量为200sccm,电源处于CW模式中,电源功率为600w,处理时间为60s,随后将电源切换成PW模式,停止通入惰性气体,第二涂料流量调整为600mg/min,电源功率为500W,占空比为3%,处理时间为1000s,获得防护涂层。
实施例3
本实施例提供一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤:
首先,对电子器件进行遮蔽。
然后,在遮蔽完成的电子器件表面涂覆第一涂料形成第一涂层,第一涂料经过高压雾化后形成雾状喷雾均匀的涂覆在电子器件上,其中第一涂料为二甲基硅橡胶。喷涂时,进液量控制在5ml/min,进液压力控制在0.3MPa,雾化口雾化第二压力控制在0.1Mpa,喷涂厚度控制在40μm。第一涂料经喷涂后处于液体状态均匀覆盖在电子器件表面形成第一涂层。
之后要对形成第一涂层的电子器件进行固化,固化设备为隧道炉,表干固化时间为20min,固化温度为40℃,完全固化时间为3天,固化温度为80℃。最后,将固化完成后的电子器件放入镀膜腔体,将腔体抽真空,真空度为70mTorr,通入第二涂料十七氟癸基三乙氧基硅烷流量为100mg/min。同时通入惰性气体流量为200sccm,电源处于CW模式中,电源功率为600w,处理时间为60s,随后将电源切换成PW模式,停止通入惰性气体,第二涂料流量调整为600mg/min,电源功率为500W,占空比为3%,处理时间为1000s,获得防护涂层。
对比例1
本对比例提供一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤:
首先,对电子器件进行遮蔽。
然后,在遮蔽完成的电子器件表面涂覆第一涂料形成第一涂层,第一涂料经过高压雾化后形成雾状喷雾均匀的涂覆在电子器件上,其中第一涂料为二甲基硅橡胶。喷涂时,进液量控制在5ml/min,进液压力控制在0.3MPa,雾化口雾化第二压力控制在0.1Mpa,喷涂厚度控制在40μm。第一涂料经喷涂后处于液体状态均匀覆盖在电子器件表面形成第一涂层。
最后,将电子器件放入镀膜腔体,将腔体抽真空,真空度为70mTorr,通入第二涂料全氟辛基乙基丙烯酸酯流量为100mg/min。同时通入惰性气体流量为200sccm,电源处于CW模式中,电源功率为600w,处理时间为60s,随后将电源切换成PW模式,停止通入惰性气体,第二涂料流量调整为600mg/min,电源功率为500W,占空比为3%,处理时间为1000s,获得防护涂层。。
对比例2
本对比例提供一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤:
首先,对电子器件进行遮蔽。
然后,在遮蔽完成的电子器件表面涂覆第一涂料形成第一涂层,第一涂料经过高压雾化后形成雾状喷雾均匀的涂覆在电子器件上,其中第一涂料为二甲基硅橡胶。喷涂时,进液量控制在5ml/min,进液压力控制在0.3MPa,雾化口雾化第二压力控制在0.1Mpa,喷涂厚度控制在40μm。第一涂料经喷涂后处于液体状态均匀覆盖在电子器件表面形成第一涂层。
之后要对形成第一涂层的电子器件进行固化,在隧道炉中进行完全固化,完全固化时间为3天20分钟,固化温度为80℃。
最后,将固化完成后的电子器件放入镀膜腔体,将腔体抽真空,真空度为70mTorr,通入第二涂料全氟辛基乙基丙烯酸酯流量为100mg/min。同时通入惰性气体流量为200sccm,电源处于CW模式中,电源功率为600w,处理时间为60s,随后将电源切换成PW模式,停止通入惰性气体,第二涂料流量调整为600mg/min,电源功率为500W,占空比为3%,处理时间为1000s,获得防护涂层。
对比例3
本对比例提供一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤:
首先,对电子器件进行遮蔽。
然后,在遮蔽完成的电子器件表面涂覆第一涂料形成第一涂层,第一涂料经过高压雾化后形成雾状喷雾均匀的涂覆在电子器件上,其中第一涂料为乙烯基三氯硅烷。喷涂时,进液量控制在5ml/min,进液压力控制在0.3MPa,雾化口雾化第二压力控制在0.1Mpa,喷涂厚度控制在40μm。第一涂料经喷涂后处于液体状态均匀覆盖在电子器件表面形成第一涂层。
之后要对形成第一涂层的电子器件进行固化,固化设备为隧道炉,表干固化时间为20min,固化温度为40℃,完全固化时间为3天,固化温度为80℃。最后,将固化完成后的电子器件放入镀膜腔体,将腔体抽真空,真空度为70mTorr,通入第二涂料全氟辛基乙基丙烯酸酯流量为100mg/min。同时通入惰性气体流量为200sccm,电源处于CW模式中,电源功率为600w,处理时间为60s,随后将电源切换成PW模式,停止通入惰性气体,第二涂料流量调整为600mg/min,电源功率为500W,占空比为3%,处理时间为1000s,获得防护涂层。
对比例4
本对比例提供一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤:
首先,对电子器件进行遮蔽。
然后,在遮蔽完成的电子器件表面涂覆第一涂料形成第一涂层,第一涂料经过高压雾化后形成雾状喷雾均匀的涂覆在电子器件上,其中第一涂料为为α-氰基丙烯酸甲酯。喷涂时,进液量控制在5ml/min,进液压力控制在0.3MPa,雾化口雾化第二压力控制在0.1Mpa,喷涂厚度控制在40μm。第一涂料经喷涂后处于液体状态均匀覆盖在电子器件表面形成第一涂层。
之后要对形成第一涂层的电子器件进行固化,固化设备为隧道炉,表干固化时间为20min,固化温度为40℃,完全固化时间为3天,固化温度为80℃。最后,将固化完成后的电子器件放入镀膜腔体,将腔体抽真空,真空度为70mTorr,通入第二涂料全氟辛基乙基丙烯酸酯流量为100mg/min。同时通入惰性气体流量为200sccm,电源处于CW模式中,电源功率为600w,处理时间为60s,随后将电源切换成PW模式,停止通入惰性气体,第二涂料流量调整为600mg/min,电源功率为500W,占空比为3%,处理时间为1000s,获得防护涂层。
对比例5
本对比例提供一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤:
电子器件表面涂覆二甲基硅橡胶形成涂层,涂料经过高压雾化后形成雾状喷雾均匀的涂覆在电子器件上。喷涂时,进液量控制在5ml/min,进液压力控制在0.3MPa,雾化口雾化第二压力控制在0.1Mpa,喷涂厚度控制在40μm。涂料经喷涂后处于液体状态均匀覆盖在电子器件表面形成防护涂层。
对比例6
本对比例提供一种防护涂层的制备方法,包括以下步骤:
将电子器件放入镀膜腔体,将腔体抽真空,真空度为70mTorr,通入第二涂料全氟辛基乙基丙烯酸酯流量为100mg/min。同时通入惰性气体流量为200sccm,电源处于CW模式中,电源功率为600w,处理时间为60s,随后将电源切换成PW模式,停止通入惰性气体,第二涂料流量调整为600mg/min,电源功率为500W,占空比为3%,处理时间为1000s,获得防护涂层。
性能测试与结果分析
人工汗液浸泡通电测试步骤具体为:1.将导线焊接在工件正负极处,2.将工件完全浸入人工汗液,保证汗液没过器件10mm,3.使用外接电源通入5v直流电压,记录工件出现腐蚀的时间。
水滴角测试步骤具体为:1.将工件水平放置在水滴角测试仪的测试台上,2.滴下2μL水在工件表面,3.利用测试仪计算机软件计算出水滴角角度。
实施例1~3与对比例1~6的水滴角测试以及人工汗液浸泡通电测试结果如下表所示。
组别 | 水滴角 | 人工汗液浸泡通电(5V) |
实施例1 | 125° | 17h |
实施例2 | 110° | 8h |
实施例3 | 124° | 15h |
对比例1 | 125° | 4h |
对比例2 | 123° | 6h |
对比例3 | 90° | 5h |
对比例4 | 120° | 7h |
对比例5 | 88° | 5h |
对比例6 | 120° | 0.1h |
可以看出本发明实施例提供的防护涂层相较于对比例的防护涂层在保证疏水性的前提下还具有很强的防护性。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,便于具体和详细地理解本发明的技术方案,但并不能因此而理解为对发明专利保护范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。应当理解,本领域技术人员在本发明提供的技术方案的基础上,通过合乎逻辑地分析、推理或者有限的实验得到的技术方案,均在本发明所附权利要求的保护范围内。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求的内容为准,说明书可以用于解释权利要求的内容。
Claims (12)
1.一种防护涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10:在基底表面上形成第一涂料,制备第一涂层,其中所述第一涂料含有硅橡胶;
S20:固化形成有所述第一涂层的基底,制备固化第一涂层;
S30:电离含氟烷烃的第二涂料使其沉积在固化有所述第一涂层的基底的表面,制备复合涂层。
2.如权利要求1所述的防护涂层的制备方法,其特征在于,在步骤S30中电离含氟烷烃的第二涂料的使其沉积的方法为等离子体增强化学气相沉积法。
3.如权利要求1所述的防护涂层的制备方法,其特征在于,在步骤S10之前还包括对所述基底的预设工作区域进行遮蔽的步骤。
4.如权利要求1所述的防护涂层的制备方法,其特征在于,在步骤S10中在基底表面上形成第一涂料的方法选自喷涂、浸蘸和涂布的至少一种。
5.如权利要求1所述的防护涂层的制备方法,其特征在于,所述第一涂料选自二甲基硅橡胶、甲基乙烯基硅橡胶和甲基苯基乙烯基硅橡胶中的至少一种。
6.如权利要求1所述的防护涂层的制备方法,其特征在于,所述第一涂层的厚度为10μm~2mm。
7.如权利要求1所述的防护涂层的制备方法,其特征在于,在步骤S20中固化为连续固化,包括第一次固化和第二次固化。
8.如权利要求7所述的防护涂层的制备方法,其特征在于,所述第一次固化时间为5分钟~60分钟,固化温度为20℃~40℃。
9.如权利要求7所述的防护涂层的制备方法,其特征在于,所述第二次固化时间为2天~7天,固化温度为80℃~100℃。
10.如权利要求1所述的防护涂层的制备方法,其特征在于,在步骤S30中制备所述复合涂层的真空度为20mTorr~200mTorr。
11.如权利要求1~10任一项所述的防护涂层的制备方法,其特征在于,所述第二涂料选自全氟辛基乙基丙烯酸酯、全氟己基丙基甲基丙烯酸酯以及十七氟癸基三乙氧基硅烷中的至少一种。
12.如权利要求1~11任一项所述的防护涂层制备方法得到的防护涂层或含有所述防护涂层的电子器件。
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---|---|---|---|---|
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CN111684868A (zh) * | 2018-03-16 | 2020-09-18 | P2I有限公司 | 形成受保护连接的方法以及包括该连接的连接器 |
Non-Patent Citations (1)
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