JP2018517044A - コーティング - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 69
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 29
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims abstract description 27
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 76
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- JZQAAQZDDMEFGZ-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl) hexanedioate Chemical group C=COC(=O)CCCCC(=O)OC=C JZQAAQZDDMEFGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 18
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 16
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 11
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 11
- MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenoxy)butane Chemical compound C=COCCCCOC=C MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XWJBRBSPAODJER-UHFFFAOYSA-N 1,7-octadiene Chemical compound C=CCCCCC=C XWJBRBSPAODJER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZXTPJLLIHIDBKQ-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) cyclohexane-1,4-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1CCC(C(=O)OCC=C)CC1 ZXTPJLLIHIDBKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 lauryl decyl Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 7
- BXAAQNFGSQKPDZ-UHFFFAOYSA-N 3-[1,2,2-tris(prop-2-enoxy)ethoxy]prop-1-ene Chemical compound C=CCOC(OCC=C)C(OCC=C)OCC=C BXAAQNFGSQKPDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 claims description 5
- HIYIGPVBMDKPCR-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(ethenoxymethyl)cyclohexane Chemical compound C=COCC1(COC=C)CCCCC1 HIYIGPVBMDKPCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KTRQRAQRHBLCSQ-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-tris(ethenyl)cyclohexane Chemical compound C=CC1CCC(C=C)C(C=C)C1 KTRQRAQRHBLCSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WVXLLHWEQSZBLW-UHFFFAOYSA-N 2-(4-acetyl-2-methoxyphenoxy)acetic acid Chemical compound COC1=CC(C(C)=O)=CC=C1OCC(O)=O WVXLLHWEQSZBLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VPKQPPJQTZJZDB-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C VPKQPPJQTZJZDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PDFSXHZXNZCKNF-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8-dodecafluorodeca-1,9-diene Chemical compound C=CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C=C PDFSXHZXNZCKNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 4
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TYNRPOFACABVSI-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F TYNRPOFACABVSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CDXFIRXEAJABAZ-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F CDXFIRXEAJABAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FIAHOPQKBBASOY-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-henicosafluorododecyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C FIAHOPQKBBASOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- LVGFPWDANALGOY-UHFFFAOYSA-N 8-methylnonyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)C=C LVGFPWDANALGOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N decyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCOC(=O)C=C FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N hexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C=C LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 claims description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 claims description 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 2
- QILGVWIMFQATRQ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-henicosafluorodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F QILGVWIMFQATRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- HAGZZKFZSAMMFD-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-henicosafluorodecyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)OC(=O)C=C HAGZZKFZSAMMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- NWRZGFYWENINNX-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-tris(ethenyl)cyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1(C=C)C=C NWRZGFYWENINNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 claims 2
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 claims 2
- 230000003796 beauty Effects 0.000 claims 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 abstract 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 9
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 9
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 9
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical group C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 5
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- OFHKMSIZNZJZKM-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)OC(=O)C=C OFHKMSIZNZJZKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 3
- QUKRIOLKOHUUBM-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C QUKRIOLKOHUUBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002355 alkine group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229960000834 vinyl ether Drugs 0.000 description 2
- CLNYHERYALISIR-FNORWQNLSA-N (3e)-nona-1,3-diene Chemical compound CCCCC\C=C\C=C CLNYHERYALISIR-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- 125000003161 (C1-C6) alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- QTYUSOHYEPOHLV-FNORWQNLSA-N 1,3-Octadiene Chemical compound CCCC\C=C\C=C QTYUSOHYEPOHLV-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- 125000004955 1,4-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[*:2] 0.000 description 1
- HBZFBSFGXQBQTB-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F HBZFBSFGXQBQTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 125000002009 alkene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000009675 coating thickness measurement Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009791 electrochemical migration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- OGQVROWWFUXRST-UHFFFAOYSA-N heptadiene group Chemical group C=CC=CCCC OGQVROWWFUXRST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000006199 nebulizer Substances 0.000 description 1
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
本発明は、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの面上に架橋されたポリマーコーティングを備える電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントを提供し;ここで、架橋されたポリマーコーティングは、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントを、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの面上に架橋されたポリマーコーティングを形成させるのに充分な時間にわたってモノマー化合物及び架橋剤を含むプラズマに曝露することによって得ることができ、ここで、モノマー化合物は、以下の式を有し、式中、R1、R2、及びR4は、各々独立して、水素、置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C6アルキル、又はハロアルキル、又はハロで置換されていてもよいアリールから選択され、R3は、から選択され;又は、式中、各Xは、独立して、水素、ハロゲン、置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C6アルキル、ハロアルキル、又はハロで置換されていてもよいアリールから選択され;n1は、から27の整数であり;並びにここで、架橋剤は、1つ以上のリンカー部分によって結合された2つ以上の不飽和結合を備え、及び標準圧力で500℃未満の沸点を有する。
Description
本発明は、保護コーティングに関する。詳細には、本発明は、電子若しくは電気デバイス、及びそのコンポーネントのための保護コーティング、並びにそのようなコーティングを形成する方法に関する。このコーティングは、疎水性であることによって保護することができ、したがって、水性液体の電子デバイス中への侵入に耐えることができるか、又はこのコーティングは、バリアコーティングを形成することによって保護することができ、したがって、電話機の電気部品と水性液体との間に電気抵抗を提供することができる。
モノ不飽和モノマーが、プラズマ重合プロセスを用いたバリアコーティングの作製に用いられている(同時係属出願参照)。
パーフルオロアルキル鎖モノマーも、パルスプラズマ堆積プロセスから疎水性表面を作り出すために用いられている(国際公開第9858117(A1)号パンフレット参照)。
プラズマ開始重合の出力は、生成されるポリマーの性質に影響を与える。連続波プラズマの平均エネルギー投入を高めることは、モノマーの断片化の増加に繋がり、したがって、ポリマーは、モノマーの構造特性を喪失する。1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルアクリレート(PFAC8)の場合、パーフルオロアルキル鎖の保持率が低下し、表面コーティングの接触角が損なわれる。プラズマエネルギーを高めることは、架橋の増加にも繋がる。パルスプラズマの平均エネルギー投入を低下させた場合、モノマー構造がより良好に保持され、架橋が減少する。低エネルギーパルスプラズマ条件下でパーフルオロ鎖の保持率を上げることは、表面コーティングにおける最良レベルの接触角に繋がる。
パーフルオロアルキル鎖が8個以上のフッ素化炭素を有する場合(長鎖)、このモノマーから作製されたポリマーは、結晶構造を有する。パーフルオロアルキル鎖が8個未満のフッ素化炭素を有する場合、得られたポリマーは、アモルファスであり、したがって、水の存在下では不安定となり得る(“Molecular Aggregation Structure and Surface Properties of Poly(fluoroalkyl acrylate) Thin Films, Marcomolecules, 2005, vol 38, p5699-5705を参照)。
長鎖パーフルオロアルキルポリマーが、高平均出力(連続波若しくはCW)プラズマ、又は低平均出力(パルス波若しくはPW)プラズマによって作製される場合、長鎖の結晶構造のために、ポリマーは触ってもくっつかず、水の存在下で安定である。しかし、より短鎖のポリマーコーティングの手触り及び水安定性は、用いられるプラズマ出力レベルの影響を受ける。例えば、PFAC6(1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルアクリレート)が低出力プラズマ条件で重合される場合、得られたポリマーコーティングは、いくつかの欠点を有し得る。例えば、このコーティングは、水滴を少し広がらせる(スランプ)、その表面に水滴の存在による跡を残す、粘着性の手触りを有する、又は汚れやすいという可能性がある(例えば、シリコンウェハ及びABSプラスチックの基材上)。
重合に用いられるプラズマの出力を増加させることにより、ポリマーは、より高架橋となり、汚れに対する耐性が高まる。しかし、出力の増加は、モノマーの断片化が増加することによって水接触角が低下するという付随効果を有する(上述のように)。図1は、125リットルチャンバーでのCWプラズマにおける出力対モノマー流量比を増加させる効果を示しており、4W/μl/分の比で、水接触角は、約85〜95度であり、コーティングは、非粘着性である。しかし、この比が低下すると、接触角は増加し、粘着性の/染みのついたコーティングの発生も増加している。図2は、パルスプラズマ条件での同じ効果を示している。これらの結果は、非粘着性で染みのないコーティングを作製するためのプロセスウィンドウでは、プラズマ処理範囲が限定され、最終コーティングの水接触角が損なわれることを示している。
したがって、目的は、先行技術のコーティングに伴う上述した問題点の1つ以上を解決することである。
本発明の態様は、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの面上に架橋された保護ポリマーコーティングを備えた電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントを提供し;
ここで、架橋された保護ポリマーコーティングは、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントを、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの面上に架橋された保護ポリマーコーティングを形成させるのに充分な時間にわたってモノマー化合物及び架橋剤を含むプラズマに曝露することによって得ることができ、
ここで、モノマー化合物は、以下の式を有し:
ここで、架橋された保護ポリマーコーティングは、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントを、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの面上に架橋された保護ポリマーコーティングを形成させるのに充分な時間にわたってモノマー化合物及び架橋剤を含むプラズマに曝露することによって得ることができ、
ここで、モノマー化合物は、以下の式を有し:
式中、R1、R2、及びR4は、各々独立して、水素、置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C6アルキル、又はハロアルキル、又はハロで置換されていてもよいアリールから選択され、R3は:
から選択され、式中、各Xは、独立して、水素、ハロゲン、置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C6アルキル、ハロアルキル、又はハロで置換されていてもよいアリールから選択され;n1は、1から27の整数であり;並びにここで、架橋剤は、1つ以上のリンカー部分によって結合された2つ以上の不飽和結合を備え、及び標準圧力で500℃未満の沸点を有する。
高いレベルのポリマー架橋(これまでは、高い平均出力連続波プラズマでしか実現できなかった)を、架橋分子をモノマーに添加して架橋されたコポリマーを作製することによって実現することができる。これは、プラズマ処理範囲が広がるという利点を有し、したがって、安定なコーティングを低い平均エネルギーパルスプラズマ条件で作製することができるようになった。
低エネルギーパルスプラズマによって疎水性モノマー構造を高度に保持することにより、コポリマーのコーティングが、良好な疎水性コーティング(水接触角によって裏付けられるように)及び触ってもくっつかない又は汚れないコーティングとなる。したがって、これらの特性によって、不慮の損傷による水性液体の侵入を防止するための電子デバイスのコーティングとして好適となる。そのようなコーティングは、典型的には、1から100nm、好ましくは、1から50nmの厚さを有する。
コーティングは、撥液性層、典型的には、撥水性層と表現することができる。コーティングは、水、雨水などの水性液体、又は油をはじくことができる。
別の選択肢として、又は撥液性層を提供することに加えて、コーティングは、物理的バリア層であってもよい。
コーティングは、物理的バリアであってよく、すなわち、物質及び電子輸送に対する物理的バリアを提供する。
物理的バリア層は、水、酸素、及びイオンの拡散を制限する。コーティングは、物理的バリアである場合、典型的には、50nm超の厚さを有する。
コーティングは、保護層であり、すなわち、水又は他の液体との接触による損傷を防止する。コーティングは、撥液性層及び/又は物理的バリア層を形成することによって、保護機能を提供することができる。
コーティングは、好ましくは、それが物理的バリアを提供することができるように、実質的にピンホールフリーである。ΔZが、AFMラインスキャンにおけるnm単位の平均高さ変動であり(図3に示されるように)、dが、nm単位のコーティング厚さである場合に、ΔZ/d<0.15であることが好ましい。
ΔZ/dの値から、コーティング表面上の欠陥/空隙が、コーティングの中へどの程度広がっているか、すなわち、コーティングの総厚さに対する欠陥深さの割合の値が分かる。例えば、ΔZ/d=0.15とは、表面上の空隙が、コーティング厚さの15%までしか下向きに広がっていないことを意味する。本明細書では、ΔZ/d<0.15のコーティングを、実質的にピンホールフリーであると定める。空隙がこれよりも大きい場合、所望される機能が実現されない可能性が高い。
コーティングは、コンフォーマルであることが好ましく、これは、コーティングが、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの三次元形状を取り、デバイスの実質的に面全体を被覆していることを意味する。これには、コーティングが、デバイス又はコンポーネントの面全体にわたって最適な機能をもたらすのに充分な厚さを確実に有するという利点がある。「実質的に面全体を被覆している」の用語の意味は、被覆されるべき面の種類にある程度依存する。例えば、あるコンポーネントの場合、水没後でもそのコンポーネントが作動するために、面の完全な被覆が必要であり得る。しかし、コンポーネント又は筐体によっては、被覆に小さいギャップが許容される場合もある。
コーティングは、50から10000nm、所望に応じて、50から8000nm、100から5000nm、好ましくは、250nm〜5000nm、最も好ましくは、250nm〜2000nmの厚さを有してよい。
コーティングは、電気絶縁性であってよく、及び電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントに電気コネクタを接合することができ、電気コネクタと電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントとの間の電気接続を、まずコーティングを除去するという必要性なしに行うことができるように充分に柔軟であってよい。この場合、電気コネクタからコーティングに働く力は、電気コネクタに局所的であるコーティングの構造を変化させるか、又はコーティングを貫通さえもするのに充分なものであり、それによって、電気接続を行うことが可能となる。電気コネクタは、典型的には、5000nm未満のコーティング厚さの場合、及び高性能コーティングでは2000nm未満の場合に、この方法で電子若しくは電気デバイス、又はコンポーネントに接合することができる。
電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントは、典型的には、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの電源が入った状態で、1mまでの水中への30分間にわたる浸漬に対して故障又は腐食を起こすことなく耐えることができる。コーティングの効果は、設定された時間にわたって水没された時点の固定電圧でのその電気抵抗を測定することによって特定することができ;例えば、13分間にわたって水没されるデバイスのコーティングに8Vの電圧を印加することによる。この試験で1×107オーム以上の抵抗値を有するコーティングが、効果的なバリアコーティングであり、コーティングされた電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントは、IPX7試験に問題なく合格することになる。IPX7試験は、水に対して得られる保護の度合いを分類し、等級付ける侵入に対する保護等級である。電話機に対するIPX7試験では、デバイスは、圧力及び30分間の時間の定められた条件下で水中に浸漬される(1mまでの水没)。デバイスは、試験の間電源を入れておく必要があり、24時間後に作動しなければならない。
1つの実施形態では、コーティングは、電気絶縁性であり、1ミクロン(1μm)未満の厚さを有し、この場合、5〜20gの力を1mm径の丸型プローブを用いてコーティングに印加することで、力が印加された局所領域で、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントとの電気接続を行うことが可能となる。
別の実施形態では、コーティングは、電気絶縁性であり、1〜2.5ミクロン(1〜2.5μm)の厚さを有し、この場合、20〜100gの力を1mm径の丸型プローブを用いてコーティングに印加することで、力が印加されたコーティングの局所領域で、電気接続を行うことが可能となる。
コーティングは、それが形成される対応するモノマーよりも高い密度を有し得る。例えば、密度の増加は、少なくとも0.1g/cm3であってよい。密度の増加は、コーティングが高架橋されていることで説明される。コーティングの高い密度により、コーティングのバリア特性が向上する。
コーティングは、少なくとも70°の静的水接触角(WCA)によって規定される表面を形成し得る。少なくとも90°のWCAを有するコーティングは、撥液性、典型的には、撥水性層である。フッ素化ポリマーの場合、コーティングは、少なくとも100°の静的水接触角を有し得る。固体基材上での液体の接触角は、表面エネルギーの指標であり、そしてそれが基材の撥液性を示す。接触角は、VCA Optima接触角分析器により、脱イオン水の3μlの液滴を室温で用いて測定した。
架橋剤
架橋剤に対する基本的な必要条件は、−C=C−又はアルキン基を例とする2つ以上の不飽和結合が存在することである。不飽和結合は、1つ以上のリンカー部分によって結合されている。リンカー部分は、特に限定されず、2つ以上の不飽和結合を一緒に接合するものであればよい。架橋剤は、標準圧力で500℃未満の、好ましくは、−10から300℃の、所望に応じて、180から270℃の、最も好ましくは、205から260℃の沸点を有する必要がある。必須ではないが、架橋剤は、プラズマ処理での使用において過度に有害でないこと、すなわち、低レベルの蒸気がいかなる健康及び安全上の大きな問題(例:強い酸化性、爆発性、毒性、又は不快な臭気を有する(例:臭気剤))も起こすことのない生産環境で用いることができることが好ましい。架橋剤は、好ましくは、以下の構造のうちの1つを有し:
架橋剤に対する基本的な必要条件は、−C=C−又はアルキン基を例とする2つ以上の不飽和結合が存在することである。不飽和結合は、1つ以上のリンカー部分によって結合されている。リンカー部分は、特に限定されず、2つ以上の不飽和結合を一緒に接合するものであればよい。架橋剤は、標準圧力で500℃未満の、好ましくは、−10から300℃の、所望に応じて、180から270℃の、最も好ましくは、205から260℃の沸点を有する必要がある。必須ではないが、架橋剤は、プラズマ処理での使用において過度に有害でないこと、すなわち、低レベルの蒸気がいかなる健康及び安全上の大きな問題(例:強い酸化性、爆発性、毒性、又は不快な臭気を有する(例:臭気剤))も起こすことのない生産環境で用いることができることが好ましい。架橋剤は、好ましくは、以下の構造のうちの1つを有し:
式中、Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、及びY8は、各々独立して、水素、置換されていてもよい環状、分岐鎖状、若しくは直鎖状C1−C6アルキル、又はアリールから選択され;Lは、リンカー部分である。
最も好ましくは、Lは、以下の式を有し:
式中、各Y9は、独立して、結合、−O−、−O−C(O)−、−C(O)−O−、−Y11−O−C(O)−、−C(O)−O−Y11−、−OY11−、及び−Y11O−から選択され、ここで、Y11は、置換されていてもよい環状、分岐鎖状、又は直鎖状C1−C8アルキレンであり;並びに、
Y10は、置換されていてもよい環状、分岐鎖状、又は直鎖状C1−C8アルキレン、及びシロキサン含有基から選択される。
Y10は、置換されていてもよい環状、分岐鎖状、又は直鎖状C1−C8アルキレン、及びシロキサン含有基から選択される。
1つの最も好ましい実施形態では、Y10は、以下の式を有し:
式中、各Y12及びY13は、独立して、H、ハロ、置換されていてもよい環状、分岐鎖状、若しくは直鎖状C1−C8アルキル、又は−OY14から選択され、ここで、Y14は、置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C8アルキル又はアルケニルから選択され、並びにnは、1から10の整数である。
所望に応じて、各Y12は、Hであってよく、及び各Y13は、Hであってよく、すなわち、Y10は、直鎖状アルキレン鎖であってよい。この実施形態では、Y9は、好ましくは、ビニルエステル又はビニルエーテル基である。
所望に応じて、各Y12は、フルオロであってよく、及び各Y13は、フルオロであってよく、すなわち、Y10は、直鎖状パーフルオロアルキレン鎖であってよい。
典型的には、nは、4から6である。
別の実施形態では、Y10は、以下の式を有し:
式中、各Y15は、独立して、置換されていてもよい分岐鎖状又は直鎖状C1−C6アルキルから選択される。
1つの実施形態では、各Y15は、メチルであり、及び各Y9は、結合である。
さらなる実施形態では、Y10は、以下の式を有し:
式中、Y16からY19は、各々独立して、H、及び置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C8アルキル又はアルケニルから選択される。好ましいアルケニル基は、ビニルである。所望に応じて、Y18は、H又はビニルであってよく、並びにY16、Y17、及びY19は、各々Hであってよい。1つの実施形態では、Y16からY19の各々は、Hである。別の実施形態では、Y18は、ビニルであり、並びにY16、Y17、及びY19は、各々Hである。
化合物(i)に対する好ましい実施形態では、Lは、以下の構造のうちの1つを有する:
化合物(i)に対する別の実施形態では、Lは、以下の構造のうちの1つを有する:
構造(vii)に従うLの場合、Y10は、好ましくは、上記構造iv)及びvi)に示される構造などのアルキレン鎖又はシクロアルキレンである。アルキレン鎖は、直鎖状アルキレン鎖であってよい。Y10がシクロアルキレンである場合、シクロへキシレンが好ましく、1,4シクロへキシレンが最も好ましい。
構造(viii)に従うLの場合、Y10は、好ましくは、構造(iv)、すなわち、アルキレン又はフルオロアルキレン鎖である。
構造(ix)に従うLの場合、Y10は、好ましくは、構造(vi)に従うシクロへキシレンなどのシクロアルキレンである。
構造(x)に従うLの場合、Y10は、好ましくは、各Y12及びY13がFである構造(iv)、すなわち、パーフルオロアルキレン鎖である。
構造(xi)又は構造(xii)に従うLの場合、Y10は、好ましくは、アルキレン又はシクロアルキレンである。所望に応じて、アルキレン又はシクロアルキレンは、1つ以上のビニル基又はアルケニルエーテル基によって、好ましくは、1つ以上のビニルエーテル基によって置換されていてもよい。
各Y9が結合である場合、各Y10は、構造(iv)、(v)、及び(vi)のいずれであってもよい。好ましくは、Y10は、架橋剤がヘプタジエン、オクタジエン、又はノナジエン、最も好ましくは、1,7−オクタジエンなどのジエンであるように、直鎖状アルキレンである。
各Y9がOである場合、各Y10は、好ましくは、分岐鎖状又は直鎖状C1−C6アルキレン、好ましくは、直鎖状アルキレン、最も好ましくは、C4直鎖状アルキレンであり、すなわち、架橋剤は、1,4−ブタンジオールジビニルエーテルである。
各Y9基が、他のいずれのY9基及びY10基と組み合わされて架橋剤が形成されてもよいことは理解される。
当業者であれば、上述した環状、分岐鎖状、又は直鎖状C1−C8アルキレン基の各々に対する考え得る置換基を認識するであろう。アルキレン基は、好適な化学基によって1つ以上の位置で置換されていてよい。ハロ置換基が好ましく、フルオロ置換基が最も好ましい。各C1−C8アルキレン基は、C1−C3、C2−C6、又はC6−C8アルキレン基であってよい。
架橋剤の特に好ましい実施形態は、Y10としてアルキル鎖を、及び両側にビニルエステル又はビニルエーテル基を有する。
特に好ましい架橋剤は、アジピン酸ジビニルである(ジビニルエステル)。
別の好ましい架橋剤は、1,4−ブタンジオールジビニルエーテルである(ジビニルエーテル)。
最も好ましい実施形態の場合、架橋剤は、アジピン酸ジビニル(DVA)、1,4ブタンジオールジビニルエーテル(BDVE)、1,4シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル(CDDE)、1,7−オクタジエン(17OD)、1,2,4−トリビニルシクロヘキサン(TVCH)、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン(DVTMDS)、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル(DCHD)、1,6−ジビニルパーフルオロヘキサン(DVPFH)、1H,1H,6H,6H−パーフルオロヘキサンジオールジアクリレート(PFHDA)、及びグリオキサールビス(ジアリルアセタール)(GBDA)から選択される。
化合物(ii)に従うアルキン架橋剤の場合、Lは、好ましくは、分岐鎖状又は直鎖状C1−C8アルキレン又はエーテル基から選択される。Lは、C3、C4、C5、又はC6アルキレン、好ましくは、直鎖状アルキレンであってよい。特に好ましい架橋剤の化学構造を以下の表1に示す。
モノマー化合物
モノマー化合物は、以下の式を有し:
モノマー化合物は、以下の式を有し:
式中、R1、R2、及びR4は、各々独立して、水素、置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C6アルキル、又はハロアルキル、又はハロで置換されていてもよいアリールから選択され、R3は:
から選択され、式中、各Xは、独立して、水素、ハロゲン、置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C6アルキル、ハロアルキル、又はハロで置換されていてもよいアリールから選択され;n1は、1から27の整数である。好ましくは、n1は、1から12である。所望に応じて、n1は、4から12、所望に応じて、6から8であってよい。
好ましい実施形態では、R3は:
から選択され、式中、m1は、0から13の整数であり、各Xは、独立して、水素、ハロゲン、置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C6アルキル、ハロアルキル、又はハロで置換されていてもよいアリールから選択され;m2は、2から14の整数である。
特に好ましい実施形態では、モノマーは、式I(a)の化合物であり:
式中、R1、R2、R4、及びR5からR10の各々は、独立して、水素、又は置換されていてもよいC1−C6分岐鎖状若しくは直鎖状アルキル基から選択され;各Xは、独立して、水素又はハロゲンから選択され;aは、0〜10であり;bは、2から14であり;及びcは、0又は1であるか;
又は
モノマーは、式I(b)の化合物であり:
又は
モノマーは、式I(b)の化合物であり:
式中、R1、R2、R4、及びR5からR10の各々は、独立して、水素、又は置換されていてもよいC1−C6分岐鎖状若しくは直鎖状アルキル基から選択され;各Xは、独立して、水素又はハロゲンから選択され;aは、0〜10であり;bは、2から14であり;及びcは、0又は1である。
ハロゲンは、塩素又は臭素であってもよいが、RoHS規制(有害物質の使用制限)に準拠するために、フッ素が好ましい。
aは、0から10、好ましくは、0から6、所望に応じて、2から4、最も好ましくは、0又は1である。bは、2から14、所望に応じて、2から10、好ましくは、3から7である。
R1、R2、R4、及びR5からR10の各々は、独立して、水素、又はC1−C6分岐鎖状若しくは直鎖状アルキル基から選択される。アルキル基は、置換されていても、又は無置換であってもよく、飽和であっても、又は不飽和であってもよい。アルキル基が置換されている場合、置換基の位置又は種類は、特に限定されず、得られるポリマーが適切な撥液性層及び/又はバリア層を提供すればよい。当業者であれば、好適な置換基を認識するであろう。アルキル基が置換されている場合、好ましい置換基は、ハロであり、すなわち、R1、R2、R4、及びR5からR10のいずれも、ハロアルキル、好ましくは、フルオロアルキルであってよい。他の考え得る置換基は、ヒドロキシル又はアミン基であってよい。アルキル基が不飽和である場合、それは、1つ以上のアルケン基又はアルキン基を備えていてよい。
R1、R2、R4、及びR5からR10の各々は、独立して、水素、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、sec−ブチル、n−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシル、イソヘキシル、及び3−メチルペンチルから選択されてよい。
好ましい実施形態では、R1、R2、R4、及びR5からR10の各々は、独立して、水素又はメチルから選択される。
好ましい実施形態では、a及びcは、各々独立して、0又は1であり、bは、3から7である。
1つの好ましい実施形態では、各Xは、Hである。別の選択肢としての好ましい実施形態では、各Xは、Fである。
所望に応じて、R1及びR2は、両方が水素であってよい。
所望に応じて、R4は、水素又はメチルであってよい。好ましくは、R1及びR2は、両方が水素であり、R4は、水素又はメチルである。
所望に応じて、R9は、水素であってよく、R10は、分岐鎖状又は直鎖状C1−C6アルキル基であってよい。好ましい実施形態では、R10は、メチルである。
1つの実施形態では、R5からR8の各々は、水素である。
1つの実施形態では、R1、R2、R4、及びR5からR10の各々は、水素であり、各Xは、Hであり、a=0及びc=0である。
特に好ましい実施形態では、モノマー化合物は、以下の式を有し:
式中、nは、2から10である。
別の好ましい実施形態では、モノマー化合物は、以下の式を有し:
式中、nは、2から10である。
モノマー化合物は、1H,1H,2H,2H−パーフルオロヘキシルアクリレート(PFAC4)、1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルアクリレート(PFAC6)、1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルアクリレート(PFAC8)、及び1H,1H,2H,2H−パーフルオロドデシルアクリレート(PFAC10)から選択されてよい。
モノマー化合物は、1H,1H,2H,2H−パーフルオロヘキシルメタクリレート(PFMAC4)、1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルメタクリレート(PFMAC6)、及び1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルメタクリレート(PFMAC8)から選択されてよい。
式I(a)のモノマー化合物は、以下の式を有していてよく:
式中、a及びcは、各々独立して、0又は1であり、b=3〜7であり、nは、4から10であり、ここで、n=a+b+c+1である。
式I(a)のモノマー化合物は、以下の式を有していてよく:
式中、nは、2から12である。
モノマー化合物は、エチルヘキシルアクリレート、ヘキシルアクリレート、デシルアクリレート、ラウリルドデシルアクリレート、及びイソデシルアクリレートから選択されてよい。
モノマーは、以下の式を有していてよく:
式中、nは、4から14である。
モノマーは、以下の式を有していてよく:
式中、nは、4から14である。
さらなる態様では、本発明は、電子デバイス又はそのコンポーネントを処理するための方法を提供し、その方法は:
電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントを、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの面上に架橋された保護ポリマーコーティングを形成させるのに充分な時間にわたってモノマー化合物及び架橋剤を含むプラズマに曝露することを含み;
ここで、モノマー化合物は、以下の式を有し:
電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントを、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの面上に架橋された保護ポリマーコーティングを形成させるのに充分な時間にわたってモノマー化合物及び架橋剤を含むプラズマに曝露することを含み;
ここで、モノマー化合物は、以下の式を有し:
式中、R1、R2、及びR4は、各々独立して、水素、置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C6アルキル、又はハロアルキル、又はハロで置換されていてもよいアリールから選択され、R3は:
から選択され、式中、各Xは、独立して、水素、置換されていてもよい分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C6アルキル、ハロアルキル、又はハロで置換されていてもよいアリールから選択され;n1は、1から27の整数であり;並びにここで、架橋剤は、2つ以上の不飽和結合を備え、及び標準圧力で500℃未満の沸点を有する。
本方法で用いられるモノマー化合物及び架橋剤については、上記でより詳細に述べている。
典型的には、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントが、プラズマ堆積チャンバー中に置かれ、前記チャンバー内でグロー放電が発生され、電圧がパルス場として印加される。
好ましくは、印加電圧は、30から800Wの出力である。所望に応じて、電圧は、オン時間/オフ時間の比が、0.001から1、所望に応じて、0.002から0.5の範囲内であるシーケンスのパルスであってよい。例えば、オン時間は、10〜500μs、好ましくは、35〜45μs、又は30〜40μsであってよく、約36μsなどであり、オフ時間は、0.1から30ms、好ましくは、0.1から20ms、所望に応じて、5から15msであってよく、例えば6msである。オン時間は、35μs、40μs、45μsであってよい。オフ時間は、0.1、1、2、3、6、8、10、15、20、25、又は30msであってよい。
パルスの用語は、プラズマ放射がない(又は実質的にない)状態(オフ状態)と特定量のプラズマが放射される状態(オン状態)との間をプラズマが反復することを意味し得る。別の選択肢として、パルスは、プラズマの放射は連続的であるが、プラズマの量が上限(オン状態)と下限(オフ状態)との間を反復することを意味し得る。
さらなる実施形態では、本発明は、上記で定める電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント上にコーティングを形成する方法にあり、その方法は:前記基材を、チャンバー中で、基材上に保護ポリマーコーティングを形成させるのに充分な時間にわたってモノマー化合物を含むプラズマに、好ましくは、連続プラズマに曝露することを含み、ここで、基材の曝露の過程で、連続プラズマは、少なくとも2W/リットルの、好ましくは、20W/リットルの出力密度を有する。
所望に応じて、電圧は、30秒間から90分間にわたってパルス場として印加されてよい。所望に応じて、電圧は、5から60分間にわたってパルス場として印加されてよい。所望に応じて、予備工程として、連続出力プラズマが、電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントに適用されてよい。予備工程は、不活性ガスの存在下で行われてよい。
架橋剤及び/又はモノマー化合物が堆積チャンバーに導入される前は、各々は、室温で気体、液体、又は固体(例えば、粉末)の形態であってよい。しかし、架橋剤及びモノマー化合物の両方が室温で液体であることが好ましく、最も好ましくは、モノマー及び架橋剤の液体が混和性であることが好ましい。
モノマー化合物及び/又は架橋剤は、好適には、プラズマ中で気相である。プラズマは、単にモノマー化合物及び架橋剤の蒸気を含むだけであってよい。そのような蒸気は、化合物が液体の形態でチャンバー中に導入されて、in−situで形成されてもよい。モノマーはまた、キャリアガス、特に、ヘリウム又はアルゴンなどの不活性ガスと混合されてもよい。
好ましい実施形態では、モノマー及び/又は架橋剤は、例えばその内容が参照により本明細書に援用される国際公開第2003/097245号パンフレット及び国際公開第03/101621号パンフレットに記載されているように、ネブライザー又は同種のものなどのエアロゾル装置を用いてチャンバーに送られてよい。そのような設備では、キャリアガスが必要でない場合があり、このことは、有利には、高い流速を実現する手助けとなる。
1つの実施形態では、モノマー化合物及び/又は架橋剤は、気体の形態であり、チャンバー容量に応じて、10〜5000mg/分の速度でプラズマ中に供給され、同時にパルス電圧が印加される。
所望に応じて、プラズマは、0.001から40W/リットルの平均出力で生成されてよい。
架橋剤は、モノマーと混和性であってよく、したがって、一緒に又は別々にプラズマチャンバー中へ導入されてよい。又は、架橋剤は、モノマーと非混和性であってもよく、別々にプラズマチャンバー中へ導入されてよい。この文脈において、「混和性」の用語は、架橋剤がモノマー中に可溶性であり、混合された場合に、それらが均一な組成の溶液を形成することを意味する。「非混和性」の用語が用いられる場合、架橋剤がモノマー中に部分的にしか可溶性でないか、又は不溶性であり、したがって、エマルジョンを形成するか、又は2つの層に分離することを意味する。
架橋剤は、好ましくは、具体的な架橋剤に応じて、モノマー化合物及び架橋剤の合計体積に対して10から60(体積/体積)%、所望に応じて、20から40(体積/体積)%、所望に応じて、25から30(体積/体積)%、所望に応じて、30から50(体積/体積)%の量で存在する。当業者であれば、コーティングが撥液性であることが必要であるか、又は物質及び電子輸送に対するバリアを提供することが必要であるかに応じて、この量がある程度変動することは理解される。当業者であれば、(体積/体積)パーセントが、安定な架橋されたポリマーコーティング及び最も高い水接触角を与えるパーセントであることは理解される。
電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント
本発明は、広く様々な基材の状況において有益であるが、本発明のすべての態様において、基材は、有利には、電子基材であってよい。
本発明は、広く様々な基材の状況において有益であるが、本発明のすべての態様において、基材は、有利には、電子基材であってよい。
本発明のある実施形態では、電子基材は、電子又は電気デバイスを、すなわち、いかなる電気又は電子機器をも含み得る。電気及び電子デバイスの限定されない例としては、携帯電話、スマートフォン、及びポケットベルなどの通信デバイス、ラジオ、及びラウドスピーカー、マイクロホン、リンガー、若しくはブザーなどの音響・音声システム、補聴器、パーソナルCD、テープカセット、若しくはMP3プレーヤーなどのパーソナルオーディオ機器、テレビ、携帯型DVDプレーヤーを含むDVDプレーヤー、ビデオレコーダー、Skyなどのデジタル及び他のセットトップボックス、ラップトップ型、ノート型、タブレット型、ファブレット型、若しくはパームトップ型コンピューターなどのコンピューター及び関連コンポーネント、携帯情報端末(PDA)、キーボード、又は計器装備(instrumentation)、ゲーム機、特に携帯型プレーステーション及び同種のもの、データ記憶装置、屋外照明システム、又は無線アンテナ及び他の形態の通信機器が挙げられる。
本発明の好ましい実施形態では、基材は、電子コンポーネントを備えるか、又は電子コンポーネントから成っていてよく、例えば、プリント回路基板(PCB)、プリント回路基板アレイ(PCBA)、トランジスタ、抵抗器、又は半導体チップである。電子コンポーネントは、したがって、携帯電話機を例とする電子デバイスの内部コンポーネントであってよい。本発明のコーティングは、そのようなコンポーネントにおけるエレクトロケミカルマイグレーションを防止するのに特に有用である。
本発明のすべての態様において、保護ポリマーコーティングが効果的に形成される厳密な条件は、モノマー化合物の性質、架橋剤、基材、さらには所望されるコーティングの特性などであるがこれらに限定されない因子に応じて様々となる。これらの条件は、通常の手順の方法を用いて、又は好ましくは、本発明と特に相乗効果的に作用する本明細書で述べる本発明の技術及び好ましい特徴を用いて決定することができる。
以降、本発明について、以下の限定されない例及び添付の説明のための図面を参照して、さらに記載する。
例1
3リットルチャンバー中、架橋剤なしでのPFAC6のプラズマ重合例
PFAC6を、3リットルのガラスチャンバー中、連続プラズマプロセスを用いて重合した。実験マトリックスでは、50、100、及び200ワットのRF出力レベルを用いて連続プラズマを生成させた。プロセス圧力は、30、60、及び90ミリトル(mTorr)で運転し、モノマー流速は、1分間あたり50、100、及び200マイクロリットルの液体で運転した。プロセスの継続時間は、10又は40分間とした。コーティングされた基材は、シリコンウェハであり、コーティングが粘着性であるかどうかの判定は、基材を指でふき、コーティングが汚れたかどうかを目視で判定することによって行った。図1の結果は、CW出力が低い場合は、コーティングは汚れやすかったが(すなわち、粘着性)、出力対流量比を高めることによって、コーティングが汚れに対する耐性を有するようになった(すなわち、非粘着性)ことを示しており、これは、モノマー断片化が増加することに起因するさらなる架橋によるものであると考えられる。水接触角も、出力対流量比を高めることによって低下したことが見られており、このことも、出力の増加がモノマー断片化レベルを高めることを示唆している。
3リットルチャンバー中、架橋剤なしでのPFAC6のプラズマ重合例
PFAC6を、3リットルのガラスチャンバー中、連続プラズマプロセスを用いて重合した。実験マトリックスでは、50、100、及び200ワットのRF出力レベルを用いて連続プラズマを生成させた。プロセス圧力は、30、60、及び90ミリトル(mTorr)で運転し、モノマー流速は、1分間あたり50、100、及び200マイクロリットルの液体で運転した。プロセスの継続時間は、10又は40分間とした。コーティングされた基材は、シリコンウェハであり、コーティングが粘着性であるかどうかの判定は、基材を指でふき、コーティングが汚れたかどうかを目視で判定することによって行った。図1の結果は、CW出力が低い場合は、コーティングは汚れやすかったが(すなわち、粘着性)、出力対流量比を高めることによって、コーティングが汚れに対する耐性を有するようになった(すなわち、非粘着性)ことを示しており、これは、モノマー断片化が増加することに起因するさらなる架橋によるものであると考えられる。水接触角も、出力対流量比を高めることによって低下したことが見られており、このことも、出力の増加がモノマー断片化レベルを高めることを示唆している。
同じ3リットルチャンバーを用いて、パルスプラズマ重合での出力対流量比の効果も調べた。これらの実験では、ピーク出力は、250又は500Wであった。RF出力フィードは、35マイクロ秒のオン時間、並びに5.5及び1ミリ秒のオフ時間のパルスとした。プロセス圧力は、20、35、60、又は80ミリトル(mTorr)とした。モノマー流量は、1分間あたり50又は200マイクロリットルの液体とした。図2は、低い出力対流量条件では、汚れが発生し得る(粘着性であり得る)コーティングが作製され得るが、出力を増加させるだけで、汚れを低減できたことを示す。この場合も、水接触角の低下を伴っていた。
図1及び2からの結果は、PFAC6単独のプラズマ処理では、出力が他の望ましい接触角の特性を低下させるのに充分に高い場合にのみ、汚れのないコーティングを得ることができることを示している。このことは、コーティングの汚れを防止し、水接触角を維持するためには、架橋剤を添加する必要があることを示している。
例2
電気抵抗の改善を示すための架橋剤を用いたパーフルオロアルキルアクリレート共重合の例
パーフルオロオクチルアクリレートモノマーを、以下のリストからの単一の架橋剤と混合した:
ビニルエステル:アジピン酸ジビニル(DVA)
ビニルエーテル:1,4−ブタンジオールジビニルエーテル(BDVE);1,4シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル(CDDE)
ジ−又はトリ−ビニル:1,7−オクタジエン(1,7−OD);1,2,4−トリビニルシクロヘキサン(TVCH);
アルキルフルオロ基を有するジビニル:1,6−ジビニルパーフルオロヘキサン(DVPFH)
ケイ素基を有するジビニル:1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン(DVTMDS)
環状基及びカルボキシレート基を有するジビニル:1,4−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル(DCHC)
ジアクリレート:1H,1H,6H,6H−パーフルオロヘキサンジオールジアクリレート(PFHDA)
電気抵抗の改善を示すための架橋剤を用いたパーフルオロアルキルアクリレート共重合の例
パーフルオロオクチルアクリレートモノマーを、以下のリストからの単一の架橋剤と混合した:
ビニルエステル:アジピン酸ジビニル(DVA)
ビニルエーテル:1,4−ブタンジオールジビニルエーテル(BDVE);1,4シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル(CDDE)
ジ−又はトリ−ビニル:1,7−オクタジエン(1,7−OD);1,2,4−トリビニルシクロヘキサン(TVCH);
アルキルフルオロ基を有するジビニル:1,6−ジビニルパーフルオロヘキサン(DVPFH)
ケイ素基を有するジビニル:1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン(DVTMDS)
環状基及びカルボキシレート基を有するジビニル:1,4−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル(DCHC)
ジアクリレート:1H,1H,6H,6H−パーフルオロヘキサンジオールジアクリレート(PFHDA)
架橋剤は、以下のパーセント、20、40、60、80、及び100%の体積パーセントで、PFAC6と混合した。
プラズマ開始重合反応を、3リットルのガラスプラズマチャンバー中で行った。基材は、試験回路基板であった。PFAC6/架橋剤混合物は、0.04〜0.06ul/分の速度で導入し、プロセス圧力は、40ミリトル(mTorr)とした。プロセスプラズマは、1分間の50Wの連続プラズマ(CW)工程、及びそれに続く10〜20分間の50Wのパルスプラズマ(PW)工程から成り、RF出力は、6.9%のデューティーサイクルのパルスシーケンスで送った。コーティングされた回路基板を水道水中に浸漬し、8Vの電位を13分間印加した。最終電流読み取り値をコーティング厚さの測定値と一緒に用いて、コーティングのnmあたりの電気抵抗を算出した。以下の図5は、様々な架橋剤を添加した場合の、バリアコーティングのnmあたりの電気抵抗に対する効果を示す。図5は、PFAC6モノマーに架橋剤を添加することによって得ることができる抵抗の改善を明らかに示している。さらに、40%以上のレベルで汚れないコーティングとなったDVTMDS、DCHD、PFHDA、及びDVPFHを除く試験した架橋剤のすべてにおいて、20%以上の濃度レベルで汚れない/非粘着性コーティングを得た。
例3
撥水性コーティングに対する架橋剤濃度の例
撥水性コーティングを、125リットル容量のチャンバー中、PFAC6を異なるレベルのアジピン酸ジビニル(DVA)と共に用い、及びキャリアガスとしてヘリウムを用いて作製した。堆積プロセスは、300W出力での3分間のCW工程、並びに150W出力及び0.018%のRFパルスデューティーサイクルでのパルス工程から構成した。シリコンウェハを試験基材として用い、コーティングされたウェハの接触角の特定は、脱イオン水の3ulの液滴をコーティングされたウェハ上に適用し、画像解析ソフトウェアと共にVCA Optima(AST products)を用いて接触角を測定することによって行った。DVA架橋剤の(体積/体積)%による接触角の変動を図4に示す。また、10(体積/体積)%のDVA濃度の場合、水滴が、コーティングされたウェハ上、その外周部があった部分に跡を残したことも認識した。このことは、より安定なコーティングを得るには、より高いレベルの架橋剤が必要であることを示すものであった。この観察結果から、図4の結果と合わせて、DVA架橋剤の最適範囲が20〜40(体積/体積)%であることが示唆されるが、これは、異なるモノマー及び架橋剤、並びに異なるチャンバーサイズによって、典型的には10〜60(体積/体積)%の範囲内で変動する可能性が高い。
撥水性コーティングに対する架橋剤濃度の例
撥水性コーティングを、125リットル容量のチャンバー中、PFAC6を異なるレベルのアジピン酸ジビニル(DVA)と共に用い、及びキャリアガスとしてヘリウムを用いて作製した。堆積プロセスは、300W出力での3分間のCW工程、並びに150W出力及び0.018%のRFパルスデューティーサイクルでのパルス工程から構成した。シリコンウェハを試験基材として用い、コーティングされたウェハの接触角の特定は、脱イオン水の3ulの液滴をコーティングされたウェハ上に適用し、画像解析ソフトウェアと共にVCA Optima(AST products)を用いて接触角を測定することによって行った。DVA架橋剤の(体積/体積)%による接触角の変動を図4に示す。また、10(体積/体積)%のDVA濃度の場合、水滴が、コーティングされたウェハ上、その外周部があった部分に跡を残したことも認識した。このことは、より安定なコーティングを得るには、より高いレベルの架橋剤が必要であることを示すものであった。この観察結果から、図4の結果と合わせて、DVA架橋剤の最適範囲が20〜40(体積/体積)%であることが示唆されるが、これは、異なるモノマー及び架橋剤、並びに異なるチャンバーサイズによって、典型的には10〜60(体積/体積)%の範囲内で変動する可能性が高い。
アジピン酸ジビニル(DVA)の存在下でのパーフルオロアルキルアクリレートのパルスプラズマ重合を、125リットルのチャンバー中で行った。図4は、異なる液体体積パーセントのDVA架橋剤をパーフルオロオクチルアクリレートに添加した場合の、シリコンウェハ基材上での水接触角に対する効果を示す。
例4
モノマー/架橋剤コポリマーコーティングのAFM測定の例
バリア型のコーティングを、22リットル容量のチャンバー中、PFAC6を10%DVAと共に用いて作製した。堆積プロセスは、CW出力対流量比3.9(W/マイクロリットル/分)での1分間のCW工程、及びPW出力/モノマー流量比0.28(W/マイクロリットル/分)でのパルス工程から構成した。図6は、すべてのサンプルから得られた代表的なトポグラフィ画像及び位相コントラスト画像を示す。高空間解像度画像は、主として、盛り上がった表面構造間の領域の構造を示す。コーティングのRMS粗度は、1.65nmであり、ΔZ/d=0.05である。ΔZ/d値が<0.15であることから、これは、物理層が実質的にピンホールフリーであることを示している。
モノマー/架橋剤コポリマーコーティングのAFM測定の例
バリア型のコーティングを、22リットル容量のチャンバー中、PFAC6を10%DVAと共に用いて作製した。堆積プロセスは、CW出力対流量比3.9(W/マイクロリットル/分)での1分間のCW工程、及びPW出力/モノマー流量比0.28(W/マイクロリットル/分)でのパルス工程から構成した。図6は、すべてのサンプルから得られた代表的なトポグラフィ画像及び位相コントラスト画像を示す。高空間解像度画像は、主として、盛り上がった表面構造間の領域の構造を示す。コーティングのRMS粗度は、1.65nmであり、ΔZ/d=0.05である。ΔZ/d値が<0.15であることから、これは、物理層が実質的にピンホールフリーであることを示している。
例5
モノマー/架橋剤コポリマーコーティングのFTIR/ATR測定の例
2つのバリア型のコーティングを、22リットル容量のチャンバー中、PFAC6のみ、及びPFAC6を10%DVAと共に用いて例4で述べたように作製した。堆積プロセスは、CW出力対流量比3.9(W/マイクロリットル/分)での1分間のCW工程、及びPW出力/モノマー流量比0.28(W/マイクロリットル/分)でのパルス工程から構成した。図7は、両サンプルから得た代表的なFTIR/ATRスペクトルを示す。
モノマー/架橋剤コポリマーコーティングのFTIR/ATR測定の例
2つのバリア型のコーティングを、22リットル容量のチャンバー中、PFAC6のみ、及びPFAC6を10%DVAと共に用いて例4で述べたように作製した。堆積プロセスは、CW出力対流量比3.9(W/マイクロリットル/分)での1分間のCW工程、及びPW出力/モノマー流量比0.28(W/マイクロリットル/分)でのパルス工程から構成した。図7は、両サンプルから得た代表的なFTIR/ATRスペクトルを示す。
コーティングのCF3基及びC=O基の伸縮モードに帰属されるピークのFTIR/ATR強度比、CF3/C=Oは、物理的バリアを形成するのに充分な架橋がコーティング中に存在することの指標である。CF3は、PFAC6の側鎖中の末端基を意味する。
バリアコーティングの形成は、重合の過程での架橋とモノマーの制御された断片化との混合によって引き起こされるものと考えられる。架橋は、主としてCF2−CF3鎖を介しているものと考えられ、一方断片化は、主として重合の過程でのC=O基の喪失、及び程度は低いがCF2鎖の短縮によるものと考えられる。架橋は、コーティング中の−CF3基を増加させ、制御された断片化は、コーティング中のC=O基の量を制御する。これら2つの官能基の比は、充分な架橋及び断片化が行われたことの指標であり、対応するFTIR/ATRピークの強度比によって測定することができる。
例2で述べたように、CF3/C=O比が低下すると、電気試験においてより高い抵抗値が得られることが示され、架橋(CF3の場合)及び断片化(C=Oの場合)の増加によってコーティング性能が向上されたことが分かる。−CF3伸縮及びC=O伸縮に帰属されるピークのFTIR/ATR強度比、CF3/C=Oが0.6e-0.1n未満(ここで、PFAC6の場合はn=6)である場合、電気試験でのコーティングの抵抗は、8Mオームよりも高いことが期待される。
ピーク強度比のCF3/C=O、コーティング厚さ、及び電気試験中での最終電流読み取り値を、表2に示す。
Claims (91)
- 電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントであって、前記電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの面上に架橋された保護ポリマーコーティングを備え;
前記架橋された保護ポリマーコーティングは、前記電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントを、前記電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの面上に前記架橋された保護ポリマーコーティングを形成させるのに充分な時間にわたってモノマー化合物及び架橋剤を含むプラズマに曝露することによって得ることができ、
前記モノマー化合物は、以下の式を有し:
- 前記架橋された保護ポリマーコーティングが、物質及び電子輸送に対する物理的バリアである、請求項1に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 前記架橋された保護ポリマーコーティングが、少なくとも90°の静的水接触角(WCA)によって規定される撥液性表面を形成する、請求項1又は請求項2に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 各Y12が、Hであり、及び各Y13が、Hである、請求項8に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 各Y12が、フルオロであり、及び各Y13が、フルオロである、請求項8に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- nが、4から6である、請求項8から10のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 各Y15が、メチルであり、各Y9が、結合である、請求項12に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- Y18が、H又はビニレンであり、Y16、Y17、及びY19が、各々Hである、請求項14に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 前記架橋剤が、アジピン酸ジビニル(DVA)、1,4ブタンジオールジビニルエーテル(BDVE)、1,4シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル(CDDE)、1,7−オクタジエン(17OD)、1,2,4−トリビニルシクロヘキサン(TVCH)、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン(DVTMDS)、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル(DCHD)、1,6−ジビニルパーフルオロヘキサン(DVPFH)、1H,1H,6H,6H−パーフルオロヘキサンジオールジアクリレート(PFHDA)、及びグリオキサールビス(ジアリルアセタール)(GBDA)から選択される、請求項1から15のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 化合物(ii)において、Lが、分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C8アルキレン、又はエーテル基から選択される、請求項4に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 前記モノマーが、式I(a)の化合物であり:
又は
前記モノマーが、式I(b)の化合物であり:
- 前記ハロゲンが、フッ素である、請求項18に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- R1、R2、R4、及びR5からR10の各々が、独立して、水素、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、sec−ブチル、n−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシル、イソヘキシル、及び3−メチルペンチルから選択される、請求項18又は請求項19に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- R1、R2、R4、及びR5からR10の各々が、独立して、水素又はメチルから選択される、請求項20に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- a及びcが、各々独立して、0又は1であり、bが、3から7である、請求項18から20のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 各Xが、Hである、請求項1から22のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 各Xが、Fである、請求項1から22のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- R1及びR2が、両方共に水素である、請求項18から24のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- R4が、水素又はメチルである、請求項18から25のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- R9が、水素であり、R10が、分岐鎖状又は直鎖状C1−C6アルキル基である、請求項18から26のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- R10が、メチルである、請求項27に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- R5からR8の各々が、水素である、請求項18から28のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- R1、R2、R4、及びR5からR10の各々が、水素であり、各Xが、Hであり、a=0、及びc=0である、請求項18から29のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 前記式I(a)の化合物が、1H,1H,2H,2H−パーフルオロヘキシルアクリレート(PFAC4)、1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルアクリレート(PFAC6)、1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルアクリレート(PFAC8)、及び1H,1H,2H,2H−パーフルオロドデシルアクリレート(PFAC10)から選択される、請求項31に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 前記式I(a)の化合物が、1H,1H,2H,2H−パーフルオロヘキシルメタクリレート(PFMAC4)、1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルメタクリレート(PFMAC6)、及び1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルメタクリレート(PFMAC8)から選択される、請求項32に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 前記式I(a)の化合物が、エチルヘキシルアクリレート、ヘキシルアクリレート、デシルアクリレート、ラウリルドデシルアクリレート、及びイソデシルアクリレートから選択される、請求項35又は請求項36に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 前記電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントが、携帯電話機、スマートフォン、ポケットベル、ラジオ、ラウドスピーカー、マイクロホン、リンガー、及び/若しくはブザーなどの音響・音声システム、補聴器、パーソナルCD、テープカセット、若しくはMP3プレーヤーなどのパーソナルオーディオ機器、テレビ、携帯型DVDプレーヤーを含むDVDプレーヤー、ビデオレコーダー、デジタル及び他のセットトップボックス、ラップトップ型、ノート型、タブレット型、ファブレット型、若しくはパームトップ型コンピューターなどのコンピューター及び関連コンポーネント、携帯情報端末(PDA)、キーボード、又は計器装備、ゲーム機、データ記憶装置、屋外照明システム、無線アンテナ及び他の形態の通信機器、並びにプリント回路基板から選択される、請求項1から38のいずれか一項に記載の電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネント。
- 電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントを処理するための方法であって:
前記電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントを、前記電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントの面上に架橋された保護ポリマーコーティングを形成させるのに充分な時間にわたって、モノマー化合物及び架橋剤を含むプラズマに曝露することを含み;
前記モノマー化合物は、以下の式を有し:
- 各Y12が、Hであり、及び各Y13が、Hである、請求項45に記載の方法。
- 各Y12が、フルオロであり、及び各Y13が、フルオロである、請求項45に記載の方法。
- nが、4から6である、請求項45から47のいずれか一項に記載の方法。
- 各Y15が、メチルであり、各Y9が、結合である、請求項49に記載の方法。
- Y18が、ビニレン又はHであり、Y16、Y17、及びY19が、各々Hである、請求項51に記載の方法。
- 前記架橋剤が、アジピン酸ジビニル(DVA)、1,4ブタンジオールジビニルエーテル(BDVE)、1,4シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル(CDDE)、1,7−オクタジエン(17OD)、1,2,4−トリビニルシクロヘキサン(TVCH)、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン(DVTMDS)、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル(DCHD)、1,6−ジビニルパーフルオロヘキサン(DVPFH)、1H,1H,6H,6H−パーフルオロヘキサンジオールジアクリレート(PFHDA)、及びグリオキサールビス(ジアリルアセタール)(GBDA)から選択される、請求項40から52のいずれか一項に記載の方法。
- 化合物(ii)において、Lが、分岐鎖状若しくは直鎖状C1−C8アルキレン又はエーテル基から選択される、請求項41に記載の方法。
- 前記モノマーが、式I(a)の化合物であり:
又は
前記モノマーが、式I(b)の化合物であり:
- 前記ハロゲンが、フッ素である、請求項55に記載の方法。
- R1、R2、R4、及びR5からR10の各々が、独立して、水素、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、sec−ブチル、n−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシル、イソヘキシル、及び3−メチルペンチルから選択される、請求項55又は請求項56に記載の方法。
- R1、R2、R4、及びR5からR10の各々が、独立して、水素又はメチルから選択される、請求項57に記載の方法。
- a及びcが、各々独立して、0又は1であり、bが、3から7である、請求項55から58のいずれか一項に記載の方法。
- 各Xが、Hである、請求項40から59のいずれか一項に記載の方法。
- 各Xが、Fである、請求項41から59のいずれか一項に記載の方法。
- R1及びR2が、両方共に水素である、請求項41から61のいずれか一項に記載の方法。
- R4が、水素又はメチルである、請求項41から62のいずれか一項に記載の方法。
- R9が、水素であり、R10が、分岐鎖状又は直鎖状C1−C6アルキル基である、請求項41から63のいずれか一項に記載の方法。
- R10が、メチルである、請求項64に記載の方法。
- R5からR8の各々が、水素である、請求項41から65のいずれか一項に記載の方法。
- R1、R2、R4、及びR5からR10の各々が、水素であり、各Xが、Hであり、a=0、及びc=0である、請求項41から66のいずれか一項に記載の方法。
- 前記式I(a)の化合物が、1H,1H,2H,2H−パーフルオロヘキシルアクリレート(PFAC4)、1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルアクリレート(PFAC6)、1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルアクリレート(PFAC8)、及び1H,1H,2H,2H−パーフルオロドデシルアクリレート(PFAC10)から選択される、請求項68に記載の方法。
- 前記式I(a)の化合物が、1H,1H,2H,2H−パーフルオロヘキシルメタクリレート(PFMAC4)、1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルメタクリレート(PFMAC6)、及び1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルメタクリレート(PFMAC8)から選択される、請求項69に記載の方法。
- 前記式I(a)の化合物が、エチルヘキシルアクリレート、ヘキシルアクリレート、デシルアクリレート、ラウリルドデシルアクリレート、及びイソデシルアクリレートから選択される、請求項72又は請求項73に記載の方法。
- 前記電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントが、プラズマ堆積チャンバー中に置かれ、前記チャンバー内でグロー放電が発生され、電圧がパルス場として印加される、請求項40から76のいずれか一項に記載の方法。
- 印加される電圧が、40から500Wの出力である、請求項77に記載の方法。
- 前記電圧が、オン時間:オフ時間の比が1:500から1:1500の範囲内であるシーケンスでパルスとされる、請求項77又は請求項78に記載の方法。
- 前記電圧が、20〜50μsにわたって出力がオンとされ、1000μsから30000μsにわたって出力がオフとされるシーケンスでパルスとされる、請求項77から79のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電圧が、30秒間から90分間にわたってパルス場として印加される、請求項77から80のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電圧が、5から60分間にわたってパルス場として印加される、請求項81に記載の方法。
- 予備工程において、連続出力プラズマが前記電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントに適用される、請求項77から82のいずれか一項に記載の方法。
- 前記予備工程が不活性ガスの存在下において行われる、請求項83に記載の方法。
- 前記パルス電圧が印加されている間に、気体の形態の前記モノマー化合物及び/又は前記架橋剤が、前記プラズマ中に、80−300mg/分の速度で供給される、請求項77から84のいずれか一項に記載の方法。
- 前記プラズマが、平均出力が0.001から500w/m3の電圧で作られる、請求項77から85のいずれか一項に記載の方法。
- 前記モノマー化合物が前記架橋剤と混和性である、請求項40から86のいずれか一項に記載の方法。
- 前記モノマー化合物が前記架橋剤と非混和性である、請求項40から86のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントをプラズマに曝露する工程が、プラズマチャンバー内で生じ、かつ、前記モノマー化合物と前記架橋剤とが、前記チャンバーに入るに先立って混合される、請求項87に記載の方法。
- 前記電子若しくは電気デバイス、又はそのコンポーネントをプラズマに曝露する工程が、プラズマチャンバー内で生じ、かつ、前記モノマー化合物と前記架橋剤が前記チャンバーに別々に導入される、請求項87又は請求項88に記載の方法。
- 前記架橋剤が、モノマー化合物と架橋剤の合計体積の10から60(体積/体積)%の量で存在する、請求項40から90のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP15386017 | 2015-06-09 | ||
EP15386017.6 | 2015-06-09 | ||
PCT/GB2016/051688 WO2016198857A1 (en) | 2015-06-09 | 2016-06-08 | Coatings |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018517044A true JP2018517044A (ja) | 2018-06-28 |
Family
ID=53525150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017563977A Pending JP2018517044A (ja) | 2015-06-09 | 2016-06-08 | コーティング |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10421876B2 (ja) |
EP (1) | EP3307835B1 (ja) |
JP (1) | JP2018517044A (ja) |
KR (1) | KR20180018675A (ja) |
CN (2) | CN110804358B (ja) |
AU (1) | AU2016275278A1 (ja) |
BE (1) | BE1023998B1 (ja) |
BR (1) | BR112017026587A2 (ja) |
GB (2) | GB2601447A (ja) |
IL (1) | IL256183A (ja) |
MX (1) | MX2017015919A (ja) |
TW (1) | TW201710411A (ja) |
WO (1) | WO2016198857A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201403558D0 (en) | 2014-02-28 | 2014-04-16 | P2I Ltd | Coating |
EP3307835B1 (en) | 2015-06-09 | 2019-05-08 | P2i Ltd | Coatings |
EP4289520A3 (en) | 2017-08-23 | 2024-03-13 | Molecular Plasma Group SA | Soft plasma polymerization process for a mechanically durable superhydrophobic nanostructured coating |
GB201804277D0 (en) * | 2018-03-16 | 2018-05-02 | P2I Ltd | Method |
CN109267041B (zh) * | 2018-10-24 | 2020-04-21 | 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 | 一种防静电防液纳米涂层及其制备方法 |
GB2579871B (en) * | 2019-02-22 | 2021-07-14 | P2I Ltd | Coatings |
KR20210041771A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-16 | 주식회사 코아트 | 내부 가스 배출이 용이한 컵뚜껑 |
US20230227689A1 (en) * | 2020-05-18 | 2023-07-20 | Jiangsu Favored Nanotechnology Co., LTD | Water-resistant film layer and article thereof |
WO2022008859A1 (en) * | 2020-07-07 | 2022-01-13 | The Secretary Of State For Defence | New and improved substrates for raman spectroscopy |
US20240318029A1 (en) * | 2020-12-28 | 2024-09-26 | University Of Rochester | Optically Clear, Stretchable, Crosslinked Thin Film Polymeric Barrier Layers Protecting Optical Devices |
CN112980223B (zh) * | 2021-03-04 | 2021-12-21 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 一种复合涂层、制备方法及器件 |
WO2023148323A1 (en) * | 2022-02-04 | 2023-08-10 | P2I Ltd | Masking method and masked product |
Family Cites Families (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE524470A (ja) | 1952-11-22 | 1900-01-01 | ||
US3816564A (en) | 1972-02-02 | 1974-06-11 | Itt | Insulation coating compositions |
US4562091A (en) | 1982-12-23 | 1985-12-31 | International Business Machines Corporation | Use of plasma polymerized orgaosilicon films in fabrication of lift-off masks |
US4822632A (en) | 1985-05-16 | 1989-04-18 | Becton, Dickinson And Company | Ionizing plasma lubricant method |
JPH02218755A (ja) | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
DE19610817A1 (de) | 1996-03-19 | 1997-09-25 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Peroxycarboxylgruppen enthaltenden Polymerisaten |
US5925420A (en) * | 1996-07-16 | 1999-07-20 | Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. | Method for preparing crosslinked aromatic polymers as low κ dielectrics |
US6169127B1 (en) * | 1996-08-30 | 2001-01-02 | Novartis Ag | Plasma-induced polymer coatings |
GB9712338D0 (en) * | 1997-06-14 | 1997-08-13 | Secr Defence | Surface coatings |
WO1998058117A1 (en) | 1997-06-14 | 1998-12-23 | The Secretary Of State For Defence | Surface coatings |
US5986020A (en) * | 1997-08-05 | 1999-11-16 | Campbell; J. David | Process for producing hyperbranched polymers |
US6214423B1 (en) | 1998-04-16 | 2001-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a polymer on a surface |
DE19824364A1 (de) * | 1998-05-30 | 1999-12-02 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Aufbringen eines Verschleißschutz-Schichtsystems mit optischen Eigenschaften auf Oberflächen |
GB9812457D0 (en) * | 1998-06-10 | 1998-08-05 | Secr Defence | Surface coatings |
GB9816077D0 (en) * | 1998-07-24 | 1998-09-23 | Secr Defence | Surface coatings |
US6207238B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers |
DE19945935B4 (de) | 1999-09-24 | 2008-01-03 | Universität Heidelberg | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmodifizierten Schichtsystems |
DE10044841B4 (de) | 2000-09-11 | 2006-11-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Plasmaverkapselung für elektronische und mikroelektronische Bauelemente wie OLEDs sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DK1326718T3 (da) | 2000-10-04 | 2004-04-13 | Dow Corning Ireland Ltd | Fremgangsmåde og apparat til dannelse af en belægning |
SE0200313D0 (sv) | 2002-02-01 | 2002-02-01 | Astrazeneca Ab | Novel process |
MXPA04009790A (es) * | 2002-04-19 | 2004-12-13 | Ciba Sc Holding Ag | Curado de recubrimientos inducido por plasma. |
GB0211354D0 (en) | 2002-05-17 | 2002-06-26 | Surface Innovations Ltd | Atomisation of a precursor into an excitation medium for coating a remote substrate |
GB0212848D0 (en) | 2002-06-01 | 2002-07-17 | Surface Innovations Ltd | Introduction of liquid/solid slurry into an exciting medium |
US20040028931A1 (en) | 2002-06-26 | 2004-02-12 | Bletsos Ioannis V. | Coated sheet materials and packages made therewith |
WO2004065684A2 (en) * | 2003-01-22 | 2004-08-05 | The Procter & Gamble Company | Fibrous products and methods of making and using them |
US7147900B2 (en) | 2003-08-14 | 2006-12-12 | Asm Japan K.K. | Method for forming silicon-containing insulation film having low dielectric constant treated with electron beam radiation |
GB2419358B (en) | 2003-08-28 | 2008-01-16 | Surface Innovations Ltd | Apparatus for the coating and/or conditioning of substrates |
EP1432285B1 (de) | 2003-12-30 | 2016-06-08 | Sonova AG | Hydrophobe Beschichtung einzelner Komponenten von Hörgeräten |
GB0406049D0 (en) | 2004-03-18 | 2004-04-21 | Secr Defence | Surface coatings |
JP5077509B2 (ja) | 2004-07-23 | 2012-11-21 | 日本電気株式会社 | 高分子膜及びその製造方法 |
US7399668B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices having a dielectric layer surface treatment |
US20060122301A1 (en) | 2004-12-08 | 2006-06-08 | Honeywell International Inc. | Fluorinated divinyl ethers |
US20090267489A1 (en) | 2004-12-20 | 2009-10-29 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Gas barrier thin film laminate, gas barrier resin substrate and organic el device |
KR100955977B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2010-05-04 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 패턴 형성용 표면 처리제 |
US20070020451A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings |
GB2434368B (en) | 2006-01-20 | 2010-08-25 | P2I Ltd | Plasma coated laboratory consumables |
GB2434369B (en) | 2006-01-20 | 2010-08-25 | P2I Ltd | Plasma coated electrical or electronic devices |
EP2167724B1 (en) * | 2007-07-17 | 2012-09-12 | P2I Ltd | Method for liquid proofing an item of footwear by plasma graft polymerisation |
DE102007041544A1 (de) | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Universität Augsburg | Verfahren zur Herstellung von DLC-Schichten und dotierte Polymere oder diamantartige Kohlenstoffschichten |
US8282982B2 (en) | 2007-10-01 | 2012-10-09 | Exogenesis Corporation | Method and system for coating a surface of a medical device with a therapeutic agent and drug eluting medical devices made thereby |
GB0721202D0 (en) * | 2007-10-30 | 2007-12-05 | P2I Ltd | Novel method |
US8288513B2 (en) * | 2008-07-25 | 2012-10-16 | Becton, Dickinson And Company | Defined cell culturing surfaces and methods of use |
TWI388273B (zh) | 2008-12-19 | 2013-03-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 導電布以及貼有導電布的電子裝置 |
US20110290727A1 (en) * | 2009-01-19 | 2011-12-01 | Ronny Van Engelen | Process for Preparing Membranes |
JP2012097125A (ja) * | 2009-03-04 | 2012-05-24 | Unimatec Co Ltd | 含フッ素重合体を有効成分とする表面改質剤 |
WO2010105829A1 (en) | 2009-03-19 | 2010-09-23 | Anthony Herbert | Apparatus and method for deposition of functional coatings |
DE102009041132B4 (de) | 2009-09-14 | 2014-08-14 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung einer Gleitschicht und pharmazeutisches Packmittel mit Gleitschicht |
US8309621B2 (en) | 2009-12-18 | 2012-11-13 | Xerox Corporation | Curable phase change inks |
GB2477410A (en) * | 2010-01-27 | 2011-08-03 | Universito De Mons | Grafted polymer coatings |
EP2422887A1 (en) | 2010-08-27 | 2012-02-29 | Oticon A/S | A method of coating a surface with a water and oil repellant polymer layer |
DE102011009057B4 (de) | 2011-01-20 | 2015-12-10 | Schott Ag | Plasma-Behandlungsvorrichtung zur Herstellung von Beschichtungen und Verfahren zur innenseitigen Plasmabehandlung von Behältern |
KR20120088496A (ko) | 2011-01-31 | 2012-08-08 | 이와오 히시다 | 전자기기용 통체 및 그 제조방법, 및 전자기기 |
US8852693B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-10-07 | Liquipel Ip Llc | Coated electronic devices and associated methods |
EP2532716A1 (en) | 2011-06-10 | 2012-12-12 | Eppendorf AG | A substrate having hydrophobic moiety-repelling surface characteristics and process for preparing the same |
US8727407B2 (en) | 2011-06-20 | 2014-05-20 | Burton & Parker Enterprises Llc | Apparatus and method for holding a cookie |
GB201112516D0 (en) * | 2011-07-21 | 2011-08-31 | P2I Ltd | Surface coatings |
KR101930972B1 (ko) | 2011-08-30 | 2018-12-19 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 필름 표면 처리 방법 및 장치 |
GB2489761B (en) | 2011-09-07 | 2015-03-04 | Europlasma Nv | Surface coatings |
JP2013111874A (ja) | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Sony Corp | ガスバリア基材およびガスバリア積層体 |
JP5693515B2 (ja) | 2012-01-10 | 2015-04-01 | エイチズィーオー・インコーポレーテッド | 内部耐水性被覆を備える電子デバイス |
WO2013113875A1 (en) * | 2012-02-02 | 2013-08-08 | Centre De Recherche Public Henri Tudor | Superamphiphobic surfaces by atmospheric plasma polymerization |
CN107262347A (zh) | 2012-03-06 | 2017-10-20 | 赛姆布兰特有限公司 | 涂覆的电气组件 |
JP5846974B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2016-01-20 | 富士フイルム株式会社 | 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
GB2510213A (en) | 2012-08-13 | 2014-07-30 | Europlasma Nv | Forming a protective polymer coating on a component |
US20140087067A1 (en) * | 2012-09-21 | 2014-03-27 | Frederic Gerard Auguste Siffer | Method of coating a metal mold surface with a polymer coating, mold for rubber products and method of molding rubber products |
US20140141674A1 (en) * | 2012-11-16 | 2014-05-22 | Liquipel IP, LLC | Apparatus and methods for plasma enhanced chemical vapor deposition of dielectric/polymer coatings |
WO2014078497A1 (en) * | 2012-11-16 | 2014-05-22 | Liquipel Ip Llc | Apparatus and methods for plasma enhanced chemical vapor deposition of dielectric/polymer coatings |
US20150291830A1 (en) | 2012-11-16 | 2015-10-15 | Liquipel Ip Llc | Apparatus and methods for plasma enhanced chemical vapor deposition of polymer coatings |
GB201305500D0 (en) * | 2013-03-26 | 2013-05-08 | Semblant Ltd | Coated electrical assembly |
BE1021288B1 (nl) * | 2013-10-07 | 2015-10-20 | Europlasma Nv | Verbeterde manieren om plasma te genereren op continue vermogens wijze voor lage druk plasma processen |
US9988536B2 (en) * | 2013-11-05 | 2018-06-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Compositions for surface treatments |
GB201403558D0 (en) | 2014-02-28 | 2014-04-16 | P2I Ltd | Coating |
CN103881013A (zh) * | 2014-03-18 | 2014-06-25 | 南京工业大学 | 采用等离子前端聚合快速制备含氟水凝胶的方法 |
EP3307835B1 (en) | 2015-06-09 | 2019-05-08 | P2i Ltd | Coatings |
BR112017026589A2 (pt) | 2015-06-09 | 2018-08-14 | P2I Ltd | revestimento |
TW201706369A (zh) | 2015-06-09 | 2017-02-16 | P2I有限公司 | 關於塗層之改良 |
-
2016
- 2016-06-08 EP EP16739237.2A patent/EP3307835B1/en active Active
- 2016-06-08 BR BR112017026587-7A patent/BR112017026587A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2016-06-08 GB GB2202668.6A patent/GB2601447A/en not_active Withdrawn
- 2016-06-08 CN CN201911041641.0A patent/CN110804358B/zh not_active Ceased
- 2016-06-08 MX MX2017015919A patent/MX2017015919A/es unknown
- 2016-06-08 WO PCT/GB2016/051688 patent/WO2016198857A1/en active Application Filing
- 2016-06-08 US US15/735,130 patent/US10421876B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-06-08 TW TW105118215A patent/TW201710411A/zh unknown
- 2016-06-08 GB GB1800279.0A patent/GB2556518B/en active Active
- 2016-06-08 KR KR1020187000762A patent/KR20180018675A/ko unknown
- 2016-06-08 JP JP2017563977A patent/JP2018517044A/ja active Pending
- 2016-06-08 CN CN201680046140.XA patent/CN109071966B/zh not_active Ceased
- 2016-06-08 AU AU2016275278A patent/AU2016275278A1/en not_active Abandoned
- 2016-06-08 BE BE2016/5424A patent/BE1023998B1/nl not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-12-07 IL IL256183A patent/IL256183A/en unknown
-
2019
- 2019-08-22 US US16/547,728 patent/US11041087B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-31 US US17/219,388 patent/US20210355341A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016198857A1 (en) | 2016-12-15 |
AU2016275278A9 (en) | 2018-12-06 |
IL256183A (en) | 2018-02-28 |
KR20180018675A (ko) | 2018-02-21 |
BE1023998B1 (nl) | 2017-10-26 |
US11041087B2 (en) | 2021-06-22 |
TW201710411A (zh) | 2017-03-16 |
GB2556518B (en) | 2022-05-18 |
CN109071966A (zh) | 2018-12-21 |
GB2601447A (en) | 2022-06-01 |
GB202202668D0 (en) | 2022-04-13 |
MX2017015919A (es) | 2018-08-21 |
CN109071966B (zh) | 2022-07-22 |
US20180171171A1 (en) | 2018-06-21 |
GB201800279D0 (en) | 2018-02-21 |
AU2016275278A1 (en) | 2018-02-01 |
WO2016198857A9 (en) | 2018-07-05 |
US20210355341A1 (en) | 2021-11-18 |
BR112017026587A2 (pt) | 2018-08-14 |
BE1023998A1 (nl) | 2017-10-25 |
EP3307835A1 (en) | 2018-04-18 |
GB2556518A (en) | 2018-05-30 |
US20190375961A1 (en) | 2019-12-12 |
CN110804358A (zh) | 2020-02-18 |
US10421876B2 (en) | 2019-09-24 |
EP3307835B1 (en) | 2019-05-08 |
CN110804358B (zh) | 2021-09-17 |
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