JP5077509B2 - 高分子膜及びその製造方法 - Google Patents
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Description
上記化7式の式(7)で示される化合物を有機化合物A、トリビニルシクロヘキサンを有機化合物Bとする。原料としてこれら有機化合物Aと有機化合物Bを用い、この気化モノマーの混合物から有機高分子膜の製造に至る一連のプロセスを説明する。
2 反応室加熱ヒータ
3 配管加熱ヒータ
4 共重合高分子膜
5 半導体基板
6 基板加熱部
7 シャワーヘッド
8 真空ポンプ
9 RF電源
10 マッチングボックス
11 RFケーブル
12a、12b アース線
13 気体流量制御器
14 冷却トラップ
15 廃液配管
16 排気配管
17 バルブ
18A、18B バルブ
19A 気化モノマーA
20A 排気気化モノマーA
21 クリーニングガス
22A 有機モノマーA
23A 有機モノマーAタンク
24A 洗浄溶剤A
25A 洗浄溶剤Aタンク
26A キャリアガスA
27 圧力送出ガス
28A 有機化合物A用液体流量指示器
29A 洗浄溶剤A用液体流量指示器
30A 気化制御器A
31A 気体流量制御器A
32A 気化室
34 ヒータ
35A 気化制御バルブA
36A 洗浄溶剤制御バルブA
37A 気化制御器A内バルブ
38A 気化原料A供給配管
38B 気化原料B供給配管
39A 気化原料A排気配管
40A キャリアガスA供給配管
41A〜48A バルブ
50 排気ポンプ
51 反応室
52 有機絶縁膜
53 半導体基板
54 基板加熱部
55 タンク
56 気化原料配管
61 気化モノマーA供給システム
62 気化モノマーB供給システム
Claims (10)
- 気相成長法によって成膜する高分子膜の製造方法であって、少なくとも2種の有機モノマーを原料とし、それらの有機モノマーに基づく構造を骨格とした共重合高分子膜を基板表面上に形成する工程と、その後、該共重合高分子膜を形成させた温度よりも高い温度で、該共重合高分子膜を熱処理する工程を含み、有機モノマーの1種として、下記化1式の式(1)、下記化2式の式(2)または下記化3式の式(3)で示される化合物の少なくともいずれか1つを用い、有機モノマーの別の1種として、鎖式脂肪族炭化水素化合物、脂環式飽和炭化水素化合物及び二重結合を1つか、三重結合を有する脂環式不飽和炭化水素化合物のいずれか一種を用いることを特徴とする高分子膜の製造方法。
- Aが、芳香族炭化水素基である請求項1に記載の製造方法。
- R1が、水素原子、またはトリメチルシリル基であり、R2がメチル基であることを特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。
- aが0または1であり、bが1または2であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 脂肪族炭化水素化合物が、炭素−炭素不飽和結合を1つ以上有する脂肪族炭化水素であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の製造方法。
- 共重合高分子膜を形成する工程が、少なくとも2種の有機モノマーを含む混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、反応室内に形成されたプラズマ中を通過させることにより反応室内に設置された基板表面に前記ガスを吹き付けて、前記有機モノマーに基づく構造を骨格とした共重合高分子膜を基板表面上に形成させる工程とを含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の製造方法。
- 共重合高分子膜を形成する工程の温度と共重合高分子膜を熱処理する工程の温度差が100℃以上であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の製造方法。
- 基板が半導体基板であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の製造方法。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の製造方法により得られることを特徴とする高分子膜。
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