TW201710085A - 陶瓷生片製造製程用剝離薄膜 - Google Patents

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Abstract

一種陶瓷生片製造製程用剝離薄膜(1)，其包括基材(11)、及設置在基材(11)的單側之剝離劑層(12)，陶瓷生片製造製程用剝離薄膜(1)中，剝離劑層(12)由剝離劑組成物形成，該剝離劑組成物含有在一個分子中具有至少一個羥基之聚有機矽氧烷、及總酸值為0.030~0.154mgKOH/g之三聚氰胺樹脂。前述陶瓷生片製造製程用剝離薄膜(1)顯示優異的剝離性，並且可抑制聚有機矽氧烷從剝離劑層(12)向陶瓷生片轉移。

Description

陶瓷生片製造製程用剝離薄膜
本發明係有關一種在製造陶瓷生片(Ceramic green sheet)之製程中所使用之剝離薄膜。
習知，在製造積層陶瓷電容器或多層陶瓷基板之類的積層陶瓷製品時，使陶瓷生片成形，積層複數枚所得到之陶瓷生片而進行燒成。
陶瓷生片藉由將含有鈦酸鋇或氧化鈦等陶瓷材料之陶瓷漿料塗佈於剝離薄膜上而成形。對剝離薄膜要求如下剝離性，即能夠以適當的剝離力從於該剝離薄膜上成形之較薄的陶瓷生片剝離該剝離薄膜而不產生裂紋、破裂等。
剝離薄膜通常由基材及設置在基材的一個面之剝離劑層構成。作為剝離劑層而存在將紫外線硬化性化合物作為材料者。該剝離劑層籍由如下而形成，即將含有紫外線硬化性化合物之剝離劑組成物塗佈於基材上，籍由紫外線照射而使該組成物硬化而形成。然而，在紫外線硬化性化合物中存在因氧而硬化受阻之種類。使用該種紫外線硬化性化合物時，存在與剝離劑層的基材相反側的一面(與陶瓷漿料、陶瓷生片相接之面；以下，有時稱為“剝離面”。)附近的硬化不充分之情況。若剝離劑層的硬化不充分，則剝離劑層的彈性降低。其結果， 從於剝離面成形之陶瓷生片剝離剝離片時所需之剝離力變強。
另一方面，專利文獻1中揭示有一種剝離薄膜，該剝離薄膜中設置有含有三聚氰胺樹脂等熱硬化性化合物和聚矽氧烷(聚有機矽氧烷)之剝離劑層。該剝離薄膜中，由於剝離劑層含有聚有機矽氧烷，因此能夠將上述剝離力降低一定程度。並且，三聚氰胺樹脂因加熱而縮合，且不產生如上述因氧而導致之阻礙就能夠硬化。藉此，使用紫外線硬化性化合物時能夠避免特有的前述問題。
另外，通常，“三聚氰胺樹脂”係指包含複數種三聚氰胺化合物及一種或複數種三聚氰胺化合物縮合而成之多核體的至少一者之混合物。本說明書中，稱為“三聚氰胺樹脂”之詞句係指上述混合物或一種三聚氰胺化合物的集合物。而且，本說明書中，係將該三聚氰胺樹脂硬化而成者稱為“三聚氰胺硬化物”。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2004-82370號公報
然而，製造積層陶瓷產品時，有時在所積層之陶瓷生片彼此中產生面方向的偏移。該種偏移例如可以認為是，由積層製程中的積層位置的偏移、熱壓著製程中的熱壓著所引起之偏移、燒結製程中的收縮所引起之偏移等累積而產生。
如專利文獻1所記載，若使用包括含有聚有機矽 氧烷之剝離劑層之剝離薄膜來成形陶瓷生片，則容易產生聚有機矽氧烷從剝離劑層向該陶瓷生片的轉移。若積層複數片聚有機矽氧烷所轉移之陶瓷生片來製造積層陶瓷產品，則陶瓷生片彼此的接著力降低，且易產生如前述之偏移。其結果，積層陶瓷產品的製造中的成品率降低。藉此，要求聚有機矽氧烷向陶瓷生片的轉移較少之剝離薄膜。
本發明係鑑於該種實際情況而完成者，其目的為提供一種顯示優異的剝離性，並且聚有機矽氧烷從剝離劑層向陶瓷生片的轉移得到抑制之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜。
為了實現上述目的，第一，本發明提供一種陶瓷生片製造製程用剝離薄膜，其包括基材及設置在前述基材的單側之剝離劑層，其特徵為：前述剝離劑層由剝離劑組成物形成，該剝離劑組成物含有於一個分子中具有至少一個羥基之聚有機矽氧烷、及總酸值為0.030~0.154mgKOH/g之三聚氰胺樹脂(發明1)。
依上述發明(發明1)，剝離劑層由剝離劑組成物形成，該剝離劑組成物含有於一個分子中具有至少一個羥基之聚有機矽氧烷、及總酸值為0.030~0.154mgKOH/g之三聚氰胺樹脂，藉此顯示優異的剝離性，並且可抑制聚有機矽氧烷從剝離劑層向陶瓷生片的轉移。
上述發明(發明1)中，前述聚有機矽氧烷在一個分子中具有至少一個選至聚酯基及聚醚基的一種以上的有機基團為較佳(發明2)。
上述發明(發明1、2)中，前述羥基的至少一個存在於前述聚有機矽氧烷的末端為較佳(發明3)。
上述發明(發明1至3)中，前述聚有機矽氧烷的重量平均分子量為1000~300000為較佳(發明4)。
上述發明(發明1至4)中，前述三聚氰胺樹脂含有由下述通式(a)表示之化合物、或由兩個以上的前述化合物縮合而成之多核體為較佳(發明5)。
(式中，X表示-H、-CH2-OH或-CH2-O-R，可分別相同，亦可不同。R表示碳數為1~8個的烷基，可分別相同，亦可不同。至少一個X為-CH2-OH。)
上述發明(發明1至5)中，前述剝離劑組成物進一步含有酸催化劑為較佳(發明6)。
上述發明(發明1至6)中，前述剝離劑層的厚度為0.1~3μm為較佳(發明7)。
上述發明(發明1至7)中，前述陶瓷生片製造製程用剝離薄膜進一步包括位於前述基材與前述剝離劑層之間 之樹脂層為較佳(發明8)。
本發明的陶瓷生片製造製程用剝離薄膜顯示優異的剝離性，並且可抑制聚有機矽氧烷從剝離劑層向陶瓷生片轉移。
1A，1B‧‧‧陶瓷生片製造製程用剝離薄膜
11‧‧‧基材
12‧‧‧剝離劑層
13‧‧‧樹脂層
第1圖係本發明的一實施形態之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜的剖面圖。
第2圖係本發明的另一實施形態之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜的剖面圖。
以下，對本發明的實施形態進行說明。
〔陶瓷生片製造製程用剝離薄膜〕
如第1圖所示，第1實施形態之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜1A(以下，有時簡稱為“剝離薄膜1A”。)籍由包括基材11及積層在基材11的一個面(第1圖中的上表面)之剝離劑層12而構成。
並且，如第2圖所示，第2實施形態之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜1B(以下，有時簡稱為“剝離薄膜1B”。)籍由包括基材11、積層在基材11的一個面(第2圖中的上表面)之樹脂層13、及積層在樹脂層13的與基材11相反側的面(第2圖中的上表面)之剝離劑層12而構成。
1.剝離劑層
剝離薄膜1A、剝離薄膜1B的剝離劑層12係由剝離劑組成物形成者，該剝離劑組成物含有於一個分子中具有至少一個羥基之聚有機矽氧烷、及總酸值為0.030~0.154mgKOH/g之三聚氰胺樹脂。
剝離薄膜1A、剝離薄膜1B中，用於形成剝離劑層12之剝離劑組成物含有聚有機矽氧烷。因此，剝離劑層12的剝離面中的表面自由能適當減少。而且，剝離劑組成物含有三聚氰胺樹脂。因此，籍由加熱能夠使剝離劑組成物充分硬化，所形成之剝離劑層12具有充分的彈性。藉該些，將剝離薄膜1A、剝離薄膜1B從於剝離薄膜1A、剝離薄膜1B的剝離面上成形之陶瓷生片剝離時的剝離力適當減少，且發揮優異的剝離性。
並且，剝離薄膜1A、剝離薄膜1B中，用於形成剝離劑層12之剝離劑組成物所含有之三聚氰胺樹脂的總酸值為0.030~0.154mgKOH/g。這表示該三聚氰胺樹脂具有較多的酸性官能基團。該酸性官能基團主要源自三聚氰胺樹脂中的羥甲基(-CH2-OH)的羥基。另一方面，剝離劑組成物所含有之聚有機矽氧烷亦於一個分子中具有至少一個羥基。若使該種剝離劑組成物硬化而形成剝離劑層12，則三聚氰胺樹脂與聚有機矽氧烷在彼此的羥基中化學鍵合，形成聚有機矽氧烷固定在三聚氰胺硬化物之結構。因此，聚有機矽氧烷在剝離劑層12中的自由移動被限制。從而，於剝離薄膜1A、剝離薄膜1B的剝離面上成形陶瓷生片時，可抑制聚有機矽氧烷從剝離劑層12向陶瓷生片轉移。藉此，當積層使用剝離薄膜1A、剝離薄膜 1B而成形之陶瓷生片時，陶瓷生片彼此的接著力提高，可抑制在陶瓷生片之間產生偏移。
(1)三聚氰胺樹脂
用於形成剝離劑層12之剝離劑組成物中，三聚氰胺樹脂的總酸值為0.030~0.154mgKOH/g，0.032~0.100mgKOH/g為較佳，0.035~0.070mgKOH/g為特佳。三聚氰胺樹脂的總酸值係指，為了使可與1g三聚氰胺樹脂中所含有之氫氧化鉀進行反應之基團完全反應所需之氫氧化鉀的質量(mg)。本說明書中，將三聚氰胺樹脂的總酸值設為籍由實際測定值而表示者，而並非由理論值表示者。在此，可與氫氧化鉀進行反應之基團係羥甲基(-CH2-OH)。另一方面，亞胺基(-NH-)及烷醚基(-CH2-OR)不與氫氧化鉀進行反應。另外，三聚氰胺樹脂的總酸值的具體測定方法如後述之試驗例所示。若總酸值小於0.030gKOH/g，則三聚氰胺樹脂中的羥基的數量變得不足，聚有機矽氧烷與三聚氰胺樹脂之間的反應未充分進行。其結果，所形成之剝離劑層12中，未固定在三聚氰胺硬化物之聚有機矽氧烷的量變多，且易產生聚有機矽氧烷向陶瓷生片的轉移。另一方面，總酸值大於0.154mgKOH/g時，未參與前述縮合反應及三聚氰胺樹脂彼此的縮合反應之酸性基團過量存在，且變得難以控制交聯速度。其結果，有可能導致形成於剝離面上之陶瓷生片的品質降低。
具體而言，上述三聚氰胺樹脂含有由下述通式(a)表示之三聚氰胺化合物、或由兩個以上的該三聚氰胺化合物縮合而成之多核體為較佳。
式(a)中，X表示-H、-CH2-OH、或-CH2-O-R。該些基團構成上述三聚氰胺化合物彼此的縮合反應中的反應基團。具體而言，籍由X成為H而形成之-NH基能夠在-N-CH2-OH基及-N-CH2-R基之間進行縮合反應。並且，籍由X成為-CH2-OH而形成之-N-CH2-OH基、及籍由X成為-CH2-R而形成之-N-CH2-R基能夠一同在-NH基、-N-CH2-OH基及-N-CH2-R基之間進行縮合反應。式(a)中，至少一個X為-CH2-OH。由於存在至少一個-CH2-OH基，因此能夠在該基團所包含之羥基與聚有機矽氧烷的羥基之間進行反應，如前述，可抑制聚有機矽氧烷的轉移。當三聚氰胺樹脂包含由上述三聚氰胺化合物縮合而成之多核體時，該多核體本身具有至少一個-CH2-OH基。
上述-CH2-O-R基中，R表示碳數1~8個烷基。該碳數為1~6個為較佳，1~3個為特佳。作為碳數1~8的烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基等，甲基為特佳。
上述X可分別相同，亦可不同。並且，上述R可 分別相同，亦可不同。
三聚氰胺化合物中，通常存在如下種類：所有的X為-CH2-O-R之全醚型；至少一個X為-CH2-OH且至少一個X為H之亞胺基羥甲基型；至少一個X為-CH2-OH且不存在為H之X之羥甲基型、及至少一個X為H且不存在為H之-CH2-OH之亞胺基型。剝離薄膜1A、剝離薄膜1B中，從易抑制捲曲之觀點及易實現總酸值為0.030~0.154mgKOH/g之物性之觀點考慮，上述三聚氰胺樹脂包含亞胺基羥甲基型或羥甲基型三聚氰胺化合物為較佳。尤其在式(a)中，更多的X為-CH2-OH為較佳，具體而言，為-CH2-OH之X的數量至少為兩個為較佳，至少為3個為特佳。
上述三聚氰胺樹脂可包含縮合2~50個由上述式(a)表示之化合物而成之多核體，並且可包含縮合2~30個而成之多核體，尤其可包含縮合2~10個而成之多核體，進一步可包含縮合2~5個而成之多核體。
用於形成剝離劑層12之剝離劑組成物中，三聚氰胺樹脂的重量平均分子量為350~10000為較佳，700~5000為特佳，1000~4000為進一步較佳。重量平均分子量為350以上，藉此交聯速度穩定，且能夠形成更平滑之剝離面。另一方面，重量平均分子量為10000以下，藉此能夠抑制剝離劑組成物的黏度變得過高。藉此，在基材11上塗佈剝離劑組成物時的塗佈性變得良好。另外，本說明書中的重量平均分子量係籍由凝膠滲透色譜(GPC)法測定之標準聚苯乙烯換算值。
(2)聚有機矽氧烷
聚有機矽氧烷在一個分子中具有至少一個羥基為較佳。並且，並不特別限制聚有機矽氧烷的一個分子中的羥基數量的上限，例如為20個。剝離薄膜1A、剝離薄膜1B的剝離劑層12由含有聚有機矽氧烷之剝離劑組成物形成，藉此剝離劑層12的剝離面能夠發揮優異的剝離性。另外，聚有機矽氧烷具有上述羥基，藉此聚有機矽氧烷能夠籍由與三聚氰胺樹脂的縮合反應而固定於三聚氰胺硬化物。其結果，可抑制聚有機矽氧烷從剝離劑層12向陶瓷生片轉移。
關於聚有機矽氧烷中的上述羥基以外之結構，在不阻礙前述剝離性、聚有機矽氧烷與三聚氰胺樹脂之間的縮合反應、及三聚氰胺樹脂所包含之三聚氰胺化合物之間的縮合反應的情況下，並無特別限定。作為聚有機矽氧烷，能夠使用由下述通式(b)表示之含矽化合物的聚合物。
式(b)中，m為1以上的整數。並且，R1~R8的至少一個為羥基或具有羥基之有機基團。尤其，R3~R8的至少一個為羥基或具有羥基之有機基團為較佳。亦即，羥基或具有羥基之有機基團的至少一個存在於聚有機矽氧烷的末端為較佳。羥基存在於末端，藉此聚有機矽氧烷易於與三聚氰胺樹脂 之間進行縮合反應，可有效地抑制聚有機矽氧烷的轉移。
式(b)中，R1~R8中的羥基以外的基團的至少一個為有機基團為較佳。在此，當式(b)中的R1~R8的至少一個為羥基時，其他包含於R1~R8之有機基團可以為具有羥基之有機基團，或可以為不具有羥基之有機基團。另一方面，當式(b)中的R1~R8的任一個為非羥基時，其他包含於R1~R8之有機基團為具有羥基之有機基團。另外，本說明書中，將“有機基團”設為後述之不含有烷基者。由式(b)表示之聚有機矽氧烷在一個分子中至少具有一個具有羥基之有機基團或不具有羥基之有機基團為較佳，具有1~10為特佳，具有1~5個為進一步較佳。在此，有機基團為選自聚酯基及聚醚基之一種以上的有機基團為較佳。一個分子中可以存在聚酯基及聚醚基這兩者。當聚酯基或聚醚基包含羥基時，該羥基可以存在於該些有機基團的末端，或可以存在於該些有機基團的側鏈中。聚有機矽氧烷具有上述有機基團，藉此在剝離劑組成物中，聚有機矽氧烷與三聚氰胺樹脂被良好地混合，且硬化時可抑制該些極端相分離之情況。藉此，可良好地進行如前述之聚有機矽氧烷與三聚氰胺樹脂的縮合反應，且還可有效抑制聚有機矽氧烷的轉移。
式(b)中，R1~R8中的上述基團以外之基團為碳數1~12之烷基為較佳。作為碳數1~12之烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基等，甲基為特佳。
R1~R8可相同，亦可不同。並且，當存在複數個R1及R2時，R1及R2可分別相同，亦可不同。
上述聚有機矽氧烷的重量平均分子量為1000~ 300000為較佳，3000~100000為特佳，4000~50000為進一步較佳。聚有機矽氧烷的重量平均分子量為1000以上，藉此剝離劑層12的剝離面上的表面自由能適當減少，且能夠有效地降低將剝離薄膜1A、剝離薄膜1B從陶瓷生片剝離時的剝離力。聚有機矽氧烷的重量平均分子量為300000以下，藉此可抑制剝離劑組成物的黏度變得過高，且變得易將剝離劑組成物塗佈於基材11。
相對於三聚氰胺樹脂100質量份，剝離劑組成物中的聚有機矽氧烷的含量為0.05~15質量份為較佳，0.1~10質量份為特佳，0.5~8質量份為進一步較佳。剝離劑組成物中的聚有機矽氧烷的含量為0.05質量份以上，藉此剝離劑層12的剝離面上的表面自由能充分減少，能夠實現適當的剝離力。另一方面，剝離劑組成物中的聚有機矽氧烷的含量為15質量份以下，藉此能夠確保三聚氰胺樹脂的含量。藉此，剝離劑層12的彈性提高，能夠實現適當的剝離力。另外，剝離薄膜1A、剝離薄膜1B中，如前述，由於聚有機矽氧烷與三聚氰胺樹脂之間的反應而可抑制聚有機矽氧烷的轉移。因此，即使在剝離劑組成物含有較多的聚有機矽氧烷之情況下，亦可充分抑制聚有機矽氧烷的轉移。
(3)其他成分
剝離劑組成物進一步含有酸催化劑為較佳。作為酸催化劑的例，鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、亞磷酸、對甲苯磺酸等為較佳，對甲苯磺酸為特佳。剝離劑組成物含有酸催化劑，藉此可有效進行上述三聚氰胺樹脂中的縮合反應。
相對於三聚氰胺樹脂100質量份，剝離劑組成物中的酸催化劑的含量為0.1~30質量份為較佳，0.5~20質量 份為特佳，1~15質量份為進一步較佳。
剝離劑組成物除了上述成分之外還可含有交聯劑、反應抑制劑等。
(4)剝離劑層的厚度
剝離劑層12的厚度為0.1~3μm為較佳，0.2~2μm為特佳，0.3~1.5μm為進一步較佳。剝離劑層12的厚度為0.1μm以上，藉此能夠有效地發揮作為剝離劑層12之功能。尤其，包含三聚氰胺硬化物之剝離劑層12的厚度比通常厚，藉此剝離劑層12的彈性變高，且剝離性提高。並且，剝離劑層12的厚度為3μm以下，藉此將剝離薄膜1A、剝離薄膜1B捲曲成捲狀時，能夠抑制產生阻塞。與通常的剝離劑層12相比，如0.1~3μm之剝離劑層12的厚度較厚。通常，存在剝離劑層12的厚度越厚，則聚有機矽氧烷的轉移量越多之傾向，但剝離薄膜1A、剝離薄膜1B的剝離劑層12中，由於產生聚有機矽氧烷與三聚氰胺樹脂的反應，因此即使在剝離劑層12的厚度為較厚之情況下亦可充分抑制聚有機矽氧烷的轉移。
2.基材
剝離薄膜1A、剝離薄膜1B的基材11只要能夠積層剝離劑層12或樹脂層13則並無特別限定。作為該基材11，例如可舉出由聚對苯二甲酸乙二酯和聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚丙烯和聚甲基戊烯等聚烯烴；聚碳酸酯、聚乙酸乙烯酯等塑料構成之薄膜。該等薄膜可以是單層，亦可以是相同種類或不同種類的兩層以上的多層。該等中，聚酯薄膜為較佳，聚對苯二甲酸乙二酯薄膜為特佳，雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜為進 一步較佳。聚對苯二甲酸乙二酯薄膜在加工時、使用時等之時不易產生塵埃等，因此能夠有效防止例如由塵埃等引起之陶瓷漿料塗佈不良等。而且，藉由對聚對苯二甲酸乙二酯薄膜進行抗靜電處理，從而能夠提高防止由塗佈使用有機溶劑之陶瓷漿料時由靜電引起之點火或防止塗佈不良等之效果。
並且，該基材11中，以提高與設置於其表面之剝離劑層12或樹脂層13的密著性為目的，能夠視需要在一面或兩面實施基於氧化法或凹凸化法等之表面處理或底漆處理。作為上述氧化法，例如可舉出電暈放電處理、電漿放電處理、鉻氧化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等。並且作為上述凹凸化法，例如可舉出噴砂法、噴鍍處理法等。該等表面處理法依據基材薄膜的種類而適當選擇，但從效果及操作性方面考慮，通常較佳地使用電暈放電處理法。
基材11的厚度通常為10~300μm即可，15~200μm為較佳，20~125μm為特佳。
3.樹脂層
設置於剝離薄膜1B之樹脂層13如第2圖所示般位於基材11與剝離劑層12之間。籍由在基材11與剝離劑層12之間設置樹脂層13，能夠吸收基材11的剝離劑層12側一面上的凹凸，並能夠降低剝離薄膜1B的剝離面的粗糙度。
作為形成樹脂層13之樹脂並無特別限定，例如可舉出三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯並惡嗪樹脂等。其中，以三聚氰胺樹脂形成樹脂層13為特佳。以三 聚氰胺樹脂形成樹脂層13，藉此樹脂層13與基材11之間及樹脂層13與剝離劑層12之間的接著力提高。而且，剝離薄膜1B的剝離面側的彈性提高，將剝離薄膜1B從陶瓷生片剝離時的剝離力適當減少。
對用於形成樹脂層13之三聚氰胺樹脂並無特別限定。然而，從抑制樹脂層13本身的收縮之觀點考慮，作為用於形成樹脂層13之三聚氰胺樹脂，使用為了形成剝離劑層12而使用之前述三聚氰胺樹脂為較佳。亦即，使用含有前述三聚氰胺樹脂之組成物形成樹脂層13為較佳。
並且，樹脂層13可一併含有三聚氰胺樹脂和三聚氰胺樹脂以外的成分，例如可含有如環氧樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯並惡嗪樹脂等樹脂。當樹脂層13含有該些樹脂時，相對於三聚氰胺樹脂100質量份，其含量為1~200質量份為較佳，10~150質量份為特佳，30~100質量份為進一步較佳。並且，樹脂層13可含有交聯劑、反應抑制劑、密著促進劑等。
樹脂層13的厚度通常為0.1~3μm即可，0.2~2μm為較佳，0.3~1.5μm為特佳。
4.陶瓷生片製造製程用剝離薄膜的物性
從在剝離薄膜1A、剝離薄膜1B的剝離面上成形之陶瓷生片剝離該剝離薄膜1A、剝離薄膜1B時所需之剝離力可適當設定，但2.5~50mN/20mm為較佳，5~25mN/20mm為特佳。剝離薄膜1A、剝離薄膜1B中的剝離劑層籍由剝離劑組成物形成，該剝離劑組成物含有上述三聚氰胺樹脂及聚有機矽氧烷。 因此，能夠適當設定為如2.5~50mN/20mm的剝離力。
若使用剝離薄膜1A、剝離薄膜1B來成形陶瓷生片，則可抑制聚有機矽氧烷從剝離劑層12向陶瓷生片轉移。具體而言，在剝離薄膜1A、剝離薄膜1B的剝離面上成形陶瓷生片之後，將該陶瓷生片從剝離薄膜1A、剝離薄膜1B剝離時，與陶瓷生片中的剝離面接觸的面的聚有機矽氧烷的轉移量減少。尤其，當使用剝離薄膜1A、剝離薄膜1B來成形陶瓷生片時，對與該陶瓷生片中的剝離面接觸之面進行測定而得到之矽原子比率小於1.0原子%為較佳，小於0.5原子%為特佳，0.3原子%以下為進一步較佳。另外，矽原子比率例如可依據藉由X射線光電子能譜法(XPS)測定之矽原子(Si)、碳原子(C)及氧原子(O)的量(XPS計數)，並藉由下述式計算出。
矽原子比率(原子%)=[(Si元素量)/{(C元素量)+(O元素量)+(Si元素量)}]×100
另外，測定用陶瓷生片可適當選擇依據XPS未檢測出矽(亦即，不包含矽化合物)之陶瓷生片，能夠將該矽原子比率用作剝離劑層12的聚有機矽氧烷的轉移量的評價基準。
5.陶瓷生片製造製程用剝離薄膜的製造方法
當製造剝離薄膜1A時，在基材11的一個面塗佈前述剝離劑組成物及視需要含有有機溶劑之塗佈液之後，進行乾燥及加熱來使剝離劑組成物硬化而形成剝離劑層12。藉此，可得到剝離薄膜1A。作為塗佈方法，例如可使用凹版塗佈法、棒塗佈法、噴塗佈法、旋塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、模具塗佈法等。
並且，當製造剝離薄膜1B時，在基材11的一個 面上，例如塗佈含有成為三聚氰胺樹脂的原料之三聚氰胺樹脂之塗佈液之後，進行乾燥及加熱來形成樹脂層13。而且，在樹脂層13的與基材11相反側的面上塗佈前述剝離劑組成物及視需要含有有機溶劑之塗佈液之後，進行乾燥及加熱來使剝離劑組成物硬化而形成剝離劑層12。藉此，可得到剝離薄膜1B。作為該些塗佈方法，能夠使用與上述塗佈方法相同者。
作為上述有機溶劑並無特別限定，可使用各種溶劑。例如包括甲苯、己烷、庚烷等烴化合物在內可使用有異丙醇、異丁醇、丙酮、乙酸乙酯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮及該等之混合物等。尤其，使用甲基乙基酮和異丙醇的混合液為較佳。
如上述塗佈後之剝離劑組成物被熱硬化為較佳。該種情況下之加熱溫度為90~140℃為較佳，110~130℃為特佳。並且，加熱時間為10~120秒鐘左右為較佳，50~70秒鐘左右為特佳。
6.陶瓷生片製造製程用剝離薄膜的使用方法
剝離薄膜1A、剝離薄膜1B能夠使用於製造陶瓷生片。具體而言，在剝離劑層12的剝離面塗佈含有鈦酸鋇和二氧化鈦等陶瓷材料之陶瓷漿料之後，使該陶瓷漿料乾燥而能夠得到陶瓷生片。塗佈例如能使用狹縫模具塗佈方式或刮刀方式等來進行。
作為陶瓷漿料中所含有之黏結劑成分的例子，可舉出丁醛系樹脂、丙烯酸系樹脂等。並且，作為陶瓷漿料中所含有之溶劑的例子，可舉出有機溶劑、水系溶劑等。
剝離薄膜1A、剝離薄膜1B中，剝離劑層12籍由含有前述三聚氰胺樹脂及聚有機矽氧烷之剝離劑組成物而形 成，藉此可發揮優異的剝離性。而且，剝離劑層12中，由於形成聚有機矽氧烷固定在三聚氰胺樹脂之結構，因此可抑制聚有機矽氧烷從剝離劑層12向陶瓷生片轉移。藉此，在積層使用剝離薄膜1A、剝離薄膜1B而成形之陶瓷生片時，陶瓷生片彼此的接著力提高，且可抑制在陶瓷生片之間產生偏移。
以上說明之實施形態係為了便於理解本發明而記載者，而並非為了限定本發明而記載者。從而，上述實施形態中所揭示之各要素係包含屬於本發明的技術範圍之所有設計變更和等價物之宗旨。
例如，在基材11中的與剝離劑層12相反側的面、剝離薄膜1A中的基材11與剝離劑層12之間、或者剝離薄膜1B中的基材11與樹脂層13之間或樹脂層13與剝離劑層12之間可設置抗靜電層等其他層。
【實施例】
以下，籍由實施例等來進一步對本發明進行具體說明，但本發明的範圍並不限定於該些實施例等。
〔實施例1〕
將亞胺基型甲基化三聚氰胺樹脂(NIPPON CARBIDE INDUSTRIES CO.,INC.製，商品名：MX-730，重量平均分子量1508)100質量份(作為固體成分進行換算之量，以下相同)、含聚醚改性羥基之聚二甲基矽氧烷(b1)(BYK Japan KK製，商品名：BYK-377，數平均分子量(Mn)5078，重量平均分子量(Mw)5993，分子量分佈(Mw/Mn)1.18)0.5質量份、及作為酸催化劑之對甲苯磺酸(Hitachi Chemical Co.,Ltd.製，商品名：乾燥器900)4.0 質量份，於甲基乙基酮、異丙醇及異丁醇的混合溶劑中進行混合來得到固體成分20質量%的剝離劑組成物的塗佈液。
籍由邁耶棒#6來將所得到之塗佈液均勻地塗佈於作為基材的雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度：25μm)中的最大凸起高度Rp為452nm之面上。接著，以120℃加熱乾燥1分鐘而使剝離劑組成物硬化，從而得到在基材上積層有厚度為1.2μm的剝離劑層之剝離薄膜。
另外，基材及剝離劑層的厚度使用反射式膜厚計(Filmetrics,Inc.製，產品名：F20)進行測定。
〔實施例2~實施例4〕
如表1所示將含聚醚改性羥基之聚二甲基矽氧烷(b1)的質量份數進行變更，除此以外，以與實施例1相同的方式得到剝離薄膜。
〔實施例5〕
將含聚醚改性羥基之聚二甲基矽氧烷(b1)0.5質量份變更為含聚酯改性羥基之聚二甲基矽氧烷(b2)(BYK Japan KK製，商品名：BYK-370，數平均分子量(Mn)2689，重量平均分子量(Mw)4283，分子量分佈(Mw/Mn)1.59)1.0質量份，除此以外，以與實施例1相同的方式得到剝離薄膜。
〔實施例6〕
如表1所示將含聚酯改性羥基之聚二甲基矽氧烷(b2)的質量份數進行變更，除此以外，以與實施例5相同的方式得到剝離薄膜。
〔比較例1〕
將0.5質量份的含聚醚改性羥基之聚二甲基矽氧烷(b1) 變更至1.0質量份的聚酯改性聚二甲基矽氧烷(b3)(BYK Japan KK製，商品名：BYK-345，數平均分子量(Mn)1194，重量平均分子量(Mw)1563，分子量分佈(Mw/Mn)1.31)，除此以外，以與實施例1相同的方式得到剝離薄膜。
〔比較例2〕
如表1所示將聚醚改性聚二甲基矽氧烷(b3)的質量份數進行變更，除此以外，以與比較例1相同的方式得到剝離薄膜。
〔試驗例1〕(總酸值的測定)
將在實施例及比較例中所使用之三聚氰胺樹脂籍由異丙醇進行稀釋，以使固體成分濃度成為50質量%。採集10g該稀釋液於200mL燒杯。相對於此，將以500：5：495的質量比混合甲苯、純水及2-丙醇之溶液添加125mL來得到測定樣品。另外，在實施例及比較例中所使用之三聚氰胺樹脂的各商品使用作為溶劑之異丙醇以外的溶劑時，使其乾燥來除去溶劑之後，利用異丙醇進行稀釋，將固體成分濃度設為50質量%。
對該測定樣品，使用電位差自動滴定裝置(KYOTO ELECTRONICS MANUFACTURING CO.,LTD.製，產品名：AT-610 EBU-610-20B)進行基於氫氧化鉀標準2-丙醇溶液之滴定，並測定中和時所需之氫氧化鉀標準2-丙醇溶液的量。進行3次測定，並計算出該平均值。從該平均值計算出中和1g三聚氰胺樹脂時所需之氫氧化鉀的量(mg)來作為總酸值(mgKOH/g)。將結果示於表1。
〔試驗例2〕(剝離力的測定)
於100質量份的鈦酸鋇(BaTiO3；SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.製，商品名：BT-03)、聚乙烯醇縮丁醛(SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD.製，商品名：S-LEC B‧KBM-2)10質量份、及鄰苯二甲酸二辛酯(KANTO CHEMICAL CO.,INC.製，商品名：鄰苯二甲酸二辛酯 鹿1級)5質量份中添加69質量份的甲苯及46質量份的乙醇，並在球磨機中混合分散而調製出陶瓷漿料。
籍由實施例及比較例而製造之後於常溫下保管48小時之剝離薄膜中，在剝離劑層的剝離面使用塗佈機來均勻塗佈上述陶瓷漿料。之後，籍由乾燥機以80℃乾燥1分鐘。藉此，在剝離薄膜上可得到厚度3μm的陶瓷生片。如此，製造出附帶陶瓷生片之剝離薄膜。
將該附帶陶瓷生片之剝離薄膜在室溫23度、濕度50%的氣氛下靜置24小時。接著，在陶瓷生片中的與剝離薄膜相反的一面側貼附丙烯酸黏著膠帶(NITTO DENKO CORPORATION.製，商品名：31B膠帶)，在該狀態下剪取20mm寬度。將其作為測定樣品。
將該測定樣品的黏著膠帶側固定於平板，使用拉伸式試驗機(Shimadzu Corporation.製，產品名：AG-IS500N)並以180°的剝離角度、100mm/分鐘的剝離速度從陶瓷生片剝離剝離薄膜，並測定進行剝離時所需力(剝離力；mN/20mm)。將結果示於表1。
〔試驗例3〕(聚有機矽氧烷轉移性的評價)
籍由實施例及比較例而製造之後於常溫下保管48小時之剝離薄膜中，在剝離劑層的剝離面使用35μm的塗佈機來均勻地塗佈上述陶瓷漿料。之後，籍由乾燥機以60℃乾燥1分鐘。藉此，於剝離薄膜上得到了厚度4μm的陶瓷生片。如此，製造 了附帶陶瓷生片之剝離薄膜。
從剝離薄膜剝離上述陶瓷生片，對於該陶瓷生片中的與剝離劑層表面接觸之面，依據由X射線光電子能譜法(XPS)測定之矽原子(Si)、碳原子(C)及氧原子(O)的量(XPS計數)，並藉由下述式計算出矽原子比率(原子%)。
矽原子比率(原子%)=[(Si元素量)/{(C元素量)+(O元素量)+(Si元素量)}]×100
而且，依據以下判斷基準，對聚有機矽氧烷轉移性進行了評價。將矽原子比率及評價結果示於表1。
A...矽原子比率小於0.3原子%
B...矽原子比率為0.3原子%以上、且低於0.75原子%
C...矽原子比率為0.75原子%以上
另外，表1中所記載之省略號等具體如下。
[聚有機矽氧烷]
b1：含聚醚改性羥基之聚二甲基矽氧烷(BYK Japan KK製，商品名：BYK-377，數平均分子量(Mn)5078，重量平均分子量(Mw)5993，分子量分佈(Mw/Mn)1.18)
b2：含聚酯改性羥基之聚二甲基矽氧烷(BYK Japan KK製，商品名：BYK-370，數平均分子量(Mn)2689，重量平均分子量(Mw)4283，分子量分佈(Mw/Mn)1.59)
b3：聚醚改性聚二甲基矽氧烷(BYK Japan KK製，商品名：BYK-345，數平均分子量(Mn)1194，重量平均分子量(Mw)1563，分子量分佈(Mw/Mn)1.31)
從表1可知，籍由實施例而得到之剝離薄膜中，從陶瓷生片剝離時，能夠以適當的剝離力進行剝離。而且，可知使用籍由實施例而得到之剝離薄膜而成形之陶瓷生片中，矽原子比率較小，聚有機矽氧烷的轉移得到有效的抑制。尤其，可知即使在剝離劑組成物中的聚有機矽氧烷的配合量增大之情況下，聚有機矽氧烷的轉移亦得到抑制。另外，籍由實施例而得到之剝離片中，還確認到剝離面的最大凸起高度Rp相對較低，平滑性亦優異。
另一方面，可知籍由比較例而得到之剝離薄膜中，從陶瓷生片剝離時需要較強之剝離力。並且，可知使用籍由比較例而得到之剝離薄膜而成形之陶瓷生片中，矽原子比率較大，聚有機矽氧烷的轉移未得到充分的抑制。
【產業上的可利用性】
本發明的陶瓷生片製造製程用剝離薄膜適用於成形陶瓷生片。
1A‧‧‧陶瓷生片製造製程用剝離薄膜
11‧‧‧基材
12‧‧‧剝離劑層

Claims (8)

  1. 一種陶瓷生片製造製程用剝離薄膜，其包括基材及設置在前述基材的單側之剝離劑層，其特徵為：前述剝離劑層由剝離劑組成物形成，該剝離劑組成物含有：聚有機矽氧烷，在一個分子中具有至少一個羥基、及三聚氰胺樹脂，總酸值為0.030~0.154mgKOH/g。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜，其中，前述聚有機矽氧烷在一個分子中具有至少一個選至聚酯基及聚醚基的一種以上的有機基團。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜，其中，前述羥基的至少一個存在於前述聚有機矽氧烷的末端。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜，其中，前述聚有機矽氧烷的重量平均分子量為1000~300000。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜，其中，前述三聚氰胺樹脂含有由下述通式(a)表示之化合物、或由兩個以上的前述化合物縮合而成之多核體： 式中，X表示-H、-CH2-OH或-CH2-O-R，可分別相同，亦可不同，R表示碳數為1~8個的烷基，可分別相同，亦可不同，至少一個X為-CH2-OH。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜，其中，前述剝離劑組成物進一步含有酸催化劑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜，其中，前述剝離劑層的厚度為0.1~3μm。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷生片製造製程用剝離薄膜，其進一步包括位於前述基材與前述剝離劑層之間之樹脂層。
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