TW201710079A - 粗化處理銅箔、覆銅層壓板及印刷配線板 - Google Patents

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Mitsui Mining & Smelting Co
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Abstract

本發明提供粗化處理銅箔，其具有適於微間距電路形成或高頻用途之低粗度微細凹凸，且不僅與樹脂之密著性優異且耐擦性亦優異，因此於覆銅層壓板之加工以及印刷配線板之製造中以任何物擦過後，仍可穩定地發揮與樹脂之優異密著性。本發明之粗化處理銅箔於至少一側具有以針狀結晶及/或板狀結晶構成之具備微細凹凸之粗化處理面。粗化處理面之依據ISO25178測定之最大高度Sz為1.5μm以下，且依據ISO25178測定之山頂點之算術平均曲度Spc為1300mm-1以下。

Description

粗化處理銅箔、覆銅層壓板及印刷配線板
本發明係有關粗化處理銅箔、覆銅層壓板及印刷配線板者。
作為適於形成微間距電路之印刷配線板銅箔，提案有具備經過氧化處理及還原處理(以下有時總稱為氧化還原處理)而形成之微細凹凸作為粗化處理面之粗化處理銅箔。
例如，專利文獻1(國際公開第2014/126193號)中，揭示於表面具備以由最大長度為500nm以下之銅複合化合物所成之針狀或板狀之微細凹凸所形成之粗化處理層之表面處理銅箔。又，專利文獻2(國際公開第2015/040998號)中，揭示於至少一面上具備具有由銅複合化合物所成之最大長度為500nm以下之尺寸的針狀或板狀之凸狀部形成之微細凹凸之粗化處理層與於該粗化處理層表面上之矽烷偶合劑處理層之銅箔。依據該等文獻之粗化處理銅箔，藉由粗化處理層之微細凹凸之錨定效果可獲得與絕緣樹脂基材之間之良好密著性，並且可形成具備 良好蝕刻因子之微間距電路。專利文獻1及2中揭示之具有微細凹凸之粗化處理層均係進行鹼脫脂等之預備處理後，經過氧化還原處理而形成。如此形成之微細凹凸係以銅複合化合物之針狀結晶及/或板狀結晶構成之具有特有形狀者，具備該微細凹凸之粗化處理面比由微細銅粒之附著所形成之粗化處理面或藉由蝕刻賦予凹凸之粗化處理面總體更微細。
另一方面，隨著近幾年之攜帶用電子機器等之高功能化，而進展應進行大量資訊之高速處理之信號之高頻化，且要求適於高頻用途之印刷配線板。此種高頻用印刷配線板，為了不使品質降低而可傳送高頻信號，期望傳送損失減低。印刷配線板係具備加工成配線圖型之銅箔與絕緣樹脂基材者，但傳送損失主要係源自起因於銅箔之導體損失與起因於絕緣樹脂基材之介電體損失。且，導體損失因越為高頻越顯著顯現之銅箔之表皮效果而變得更大。因此，欲實現高頻用途之傳送損失減低，作為可減低導體損失之銅箔，要求低粗度之銅箔。此方面而言，專利文獻2中作為高頻電路形成材料較好為具備上述粗化處理層之銅箔。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]國際公開第2014/126193號
[專利文獻2]國際公開第2015/040998號
然而，經過氧化還原處理而形成之微細凹凸，因銅箔彼此摩擦(例如於銅箔自捲筒狀態抽出時引起)或因與其他構件(例如搬送輥等)之摩擦而易使形狀劣化。此係因為如上述之微細凹凸係以銅複合化合物之針狀結晶及/或板狀結晶構成，故有針狀結晶及/或板狀結晶析出，或有視情況而倒伏之情況之故。因如此摩擦而形狀劣化之微細凹凸不僅損及粗化處理銅箔之外觀，亦會減低因微細凹凸對絕緣樹脂基材之錨定效果。因此，有因外觀不良或性能劣化(尤其與樹脂之密著性之降低)而導致良率降低之顧慮。
本發明人等如今發現如下見解，即藉由控制經過氧化還原處理而形成之微細凹凸形狀，且具有使根據ISO25178測定之最大高度Sz為1.5μm以下，且依據ISO25178測定之山頂點之算術平均曲度Spc為1300mm-1以下，而適於微間距電路形成或高頻用途之低粗度微細凹凸，不僅與樹脂之密著性優異且耐擦性亦優異，因此於覆銅層壓板之加工以及印刷配線板之製造中以任何物擦過後，仍可穩定地發揮與樹脂之優異密著性。
因此，本發明之目的在於提供粗化處理銅箔，其具有適於微間距電路形成或高頻用途之低粗度微細凹凸，且不僅與樹脂之密著性優異且耐擦性亦優異，因此於覆銅層壓板之加工以及印刷配線板之製造中以任何物擦 過後，仍可穩定地發揮與樹脂之優異密著性。
依據本發明之一樣態，提供一種粗化處理銅箔，其係於至少一側具有具備以針狀結晶及/或板狀結晶構成之微細凹凸之粗化處理面，前述粗化處理面之依據ISO25178測定之最大高度Sz為1.5μm以下，且依據ISO25178測定之山頂點之算術平均曲度Spc為1300mm-1以下。
依據本發明其他一樣態，提供一種覆銅層壓板，其具備上述樣態之粗化處理銅箔。
依據本發明其他一樣態，提供一種印刷配線板，其具備上述樣態之粗化處理銅箔。
定義
用以特定本發明所用之用語及參數之定義示於以下。
本說明書中，所謂「最大高度Sz」係依據ISO25178測定之表示自表面之最高點至最低點之距離的參數。最大高度Sz可藉由以市售雷射顯微鏡測定粗化處理面之特定測定面積(例如22500μm2之二次元區域)之表面輪廓而算出。
本說明書中，所謂「山頂點之算術平均曲度Spc」係依據ISO25178測定之表示定義區域中之山頂點之主曲率之算術平均之參數。該值較小表示與其他物體接觸 之點帶圓弧。另一方面，該值較大表示與其他物體接觸之點尖。若直率而言，山頂點之算術平均曲度Spc係指可藉雷射顯微鏡測定，表示半圓之參數。山頂點之算術平均曲度Spc可藉由市售之雷射顯微鏡測定粗化處理面之特定測定面積(例如100μm2之二次元區域)之表面積輪廓而算出。
本說明書中，所謂電解銅箔之「電極面」係指電解銅箔製造時與陰極接觸側之面。
本說明書中，所謂電解銅箔之「析出面」係指電解銅箔製造時電解銅析出之側之面，亦即未與陰極接觸之側之面。
粗化處理銅箔
本發明之銅箔為粗化處理銅箔。該粗化處理銅箔於至少一側具有粗化處理面。粗化處理面具備以針狀結晶及/或板狀結晶構成之微細凹凸，該微細凹凸係經過氧化還原處理形成者，典型上，係觀察為針狀結晶及/或板狀結晶對於銅箔面於略垂直及/或傾斜方向產生之茂密形狀(例如草坪狀)者。而且，該粗化處理面之依據ISO25178測定之最大高度Sz為1.5μm以下，且依據ISO25178測定之山頂點之算術平均曲度Spc為1300mm-1以下。如此，藉由控制經過氧化還原處理而形成之微細凹凸形狀，最大高度Sz為1.5μm以下，且山頂點之算術平均曲度Spc為1300mm-1以下，而為適於微間距電路形成或高頻用途之 低粗度微細凹凸，不僅與樹脂之密著性優異且耐擦性亦優異，因此於覆銅層壓板之加工以及印刷配線板之製造中以任何物擦過後，仍可穩定地發揮與樹脂之優異密著性。尤其，如上述之定義，山頂點之算術平均曲度Spc為表示半圓之參數，其值越小表示與其他物體接觸之點越帶圓弧。因此，認為上述優異之耐擦性是否因為藉由使該Spc較小而為1300mm-1以下，而使針狀結晶及/或板狀結晶不易析出或倒伏。亦即如前述，以往之經過氧化還原處理而形成之微細凹凸因銅箔彼此之摩擦或與其他構件之摩擦而易使形狀劣化，因外觀不良或性能劣化(尤其與樹脂之密著性降低)而有導致良率降低之顧慮，但依據本發明之粗化處理銅箔，可解決此等技術課題。
粗化處理面之最大高度Sz為1.5μm以下，較好為1.2μm以下，更好為1.0μm以下。若為此範圍內之Sz，則成為更適於微間距電路形成或高頻用途者。尤其，若為此低粗度，則可減低於高頻信號傳送中成為問題之銅箔之表皮效果，減低起因於銅箔之導體損失，藉此可有意義地減低高頻信號之傳送損失。Sz之下限值並未特別限定，但基於提高與樹脂之密著性之觀點，Sz較好為0.1μm以上，更好為0.2μm以上，又更好為0.3μm以上。
粗化處理面之山頂點之算術平均曲度Spc為1300mm-1以下，較好為1200mm-1以下，更好為1000mm-1以下。若為該等範圍內之Spc，則由於可成為更難以摩擦之帶圓弧之杯形狀，故可提高耐擦性。Spc之下限值並未 特別限定，但較好為100mm-1以上，更好為200mm-1以上，又更好為300mm-1以上。
如上述，粗化處理面之微細凹凸係由針狀結晶及/或板狀結晶構成。針狀結晶及/或板狀結晶之高度(亦即針狀結晶及/或板狀結晶之自根部於垂直方向測定之高度)較好為50~400nm，更好為100~400nm，又更好為150~350nm。
本發明之粗化處理銅箔厚度並未特別限定，但較好為0.1~35μm，更好為0.5~18μm。又，本發明之粗化處理銅箔不限於於通常之銅箔表面進行粗化處理者，亦可為對附載體之銅箔之銅箔表面進行粗化處理者。
製造方法
本發明之粗化處理銅箔可為藉由任何方法製造者，但較好經氧化還原處理而製造。以下，說明本發明之粗化處理銅箔之較佳製造方法之一例。該較佳之製造方法包含準備具有最大高度Sz為1.5μm以下之表面的銅箔之步驟，及對上述表面依序進行預處理、氧化處理及還原處理之粗化步驟(氧化還原處理)。
(1)銅箔之準備
作為粗化處理銅箔之製造中使用之銅箔可使用電解銅箔及壓延銅箔之兩者，更好為電解銅箔。又，銅箔可為無粗化之銅箔，亦可為施以預粗化者。銅箔厚度並未特別限 制，但較好為0.1~35μm，更好為0.5~18μm。以附載體之銅箔形態準備銅箔時，銅箔可為藉由無電解銅鍍敷法及電解銅鍍敷法等之濕式成膜法、濺鍍及化學蒸鍍等之乾式成膜法、或該等之組合而形成者。
經進行粗化處理之銅箔表面較好為依據ISO25178測定之最大高度Sz為1.5μm以下者，更好為1.2μm以下，又更好為1.0μm以下。若為上述範圍內，則易於實現本發明之粗化處理銅箔所要求之表面輪廓，尤其是易於粗化處理面實現1.5μm以下之最大高度Sz。Sz之下限值並未特別限定，但Sz較好為0.1μm以上，更好為0.2μm以上，又更好為0.3μm以上。
(2)粗化處理(氧化還原處理)
對於如此賦予上述低Sz之銅箔表面，較好藉由依序進行預處理、氧化處理及還原處理之濕式施以粗化處理。尤其，以使用溶液之濕式法對銅箔表面施以氧化處理，而於銅箔表面形成含有氧化銅(氧化銅(II))之銅化合物。隨後，藉由對該銅化合物進行還原處理將氧化銅之一部分轉化成氧化亞銅(氧化銅(I))，可於銅箔表面形成以由含有氧化銅及氧化亞銅之銅複合化合物所成之針狀結晶及/或板狀結晶構成之微細凹凸。此處，微細凹凸係以濕式法氧化處理銅箔表面之階段，由以氧化銅為主成分之銅化合物而形成。因此，還原處理該銅化合物時，可大致維持藉由該銅化合物所形成之微細凹凸形狀之狀態，將 氧化銅之一部分轉化成氧化亞銅，成為由含有氧化銅及氧化亞銅之銅複合化合物所成之微細凹凸。如此於銅箔表面以濕式法施以適當氧化處理後，藉由施以還原處理，可形成nm等級之微細凹凸。
(2a)預處理
於氧化處理之前，較好對於銅箔施以脫脂等之預處理。該預處理於將銅箔浸漬於氫氧化鈉水溶液中進行鹼脫脂處理後，較好以水洗。較佳之氫氧化鈉水溶液係NaOH濃度20~60g/L，液溫30~60℃，較好浸漬時間為2秒~5分鐘。又，施以鹼脫脂處理之銅箔浸漬於硫酸系水溶液後，較好經水洗。較佳之硫酸系水溶液係硫酸濃度1~20質量%，液溫20~50℃，較好浸漬時間為2秒~5分鐘。
(2b)氧化處理
對於施以上述預處理之銅箔使用氫氧化鈉溶液等之鹼溶液進行氧化處理。藉由以鹼溶液氧化銅箔表面，可於銅箔表面形成以由含有氧化銅為主成分之銅複合化合物所成之針狀結晶及/或板狀結晶構成之微細凹凸。此時，鹼溶液之液溫較好為60~85℃，鹼溶液之pH較好為10~14。且，基於氧化之觀點，鹼溶液較好包含鹽酸鹽、亞氯酸鹽、次氯酸鹽、過氯酸鹽，其濃度較好為100~500g/L。氧化處理較好藉由將電解銅箔浸漬於鹼溶液中進行，其浸漬時間(亦即氧化時間)較好為10秒~20分鐘，更好為30 秒~10分鐘。
氧化處理所用之鹼溶液較好進而包含氧化抑制劑。亦即，藉由鹼溶液對銅箔表面施以氧化處理時，會有該凸狀部過度成長，超過期望長度之情況，而難以形成期望之微細凹凸。因此，為了形成上述微細凹凸，較好使用含有可抑制銅箔表面之氧化之氧化抑制劑之鹼溶液。作為較佳之氧化抑制劑之例，舉例為胺基系矽烷偶合劑。使用含有胺基系矽烷偶合劑之鹼溶液對銅箔表面施以氧化處理，該鹼溶液中之胺基系矽烷偶合劑可吸附於銅箔表面，而抑制鹼容易對銅箔表面之氧化。其結果，可抑制氧化銅之針狀結晶及/或板狀結晶之成長，可形成具備極微細凹凸之期望粗化處理面。胺基系矽烷偶合劑之具體例舉例為N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺基、N-苯基-3-胺基丙基酸甲氧基矽烷等，特佳為N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷。該等溶解於任一鹼性溶液中，於鹼性溶液中穩定地保持，並且發揮抑制上述銅箔表面氧化之效果。鹼溶液中之胺基系矽烷偶合劑(例如N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)之較佳濃度為0.01~20g/L，更好為0.02~20g/L。
(2c)還原處理
使用還原處理液對上述施以氧化處理之銅箔(以下稱為氧化處理銅箔)進行還原處理。藉由還原處理將氧化銅之一部分轉化成氧化亞銅(氧化銅(I))，可於銅箔表面形成以由含有氧化銅及氧化亞銅之銅複合化合物所成之針狀結晶及/或板狀結晶構成之微細凹凸。此還原處理只要藉由使氧化處理銅箔與還原處理液接觸而進行即可，但提高此時還原處理液中之溶存氧量時，就形成1300mm-1以下之山頂點之算術平均曲度Spc之粗化處理面而言較佳。藉由提高溶存氧量，可取得溶存氧之氧化效果與還原劑之還原力之平衡，藉此，認為可實現上述Spc。作為提高還原處理液中溶存氧量之方法，舉例為邊攪拌還原處理液邊浸漬氧化處理銅箔之方法，及以淋洗對氧化處理銅箔施加還原處理液之方法。就可簡便地實現期望Spc之方面，特佳為以淋洗施加還原處理液之方法，該情況，以淋洗施加還原處理液之時間為2~60秒左右之短時間，更好為5~30秒。又，較佳之還原處理液為二甲胺基硼烷水溶液，該水溶液較好以10~40g/L之濃度含有二甲胺基硼烷。又，二甲胺基硼烷水溶液較好使用碳酸鈉與氫氧化鈉調整至pH12~14。此時之水溶液溫度並未特別限制，但宜為室溫。如此進行還原處理之銅箔較好經水洗、乾燥。
(3)防銹處理
依據期望，亦可對粗化處理後之銅箔施以防銹處理，形成防銹層。防銹層之例舉例為使用無機成分之無機防銹 層、使用有機成分之有機防銹層及該等之組合。較佳之無機防銹層為包含鋅、錫、鎳、鈷、鉬、鎢、鈦、鉻等元素之1種以上者。較佳之有機防銹層為包含三唑化合物者，更好為包含苯并三唑、羧基苯并三唑、甲基苯并三唑、胺基三唑、硝基苯并三唑、羥基苯并三唑、氯苯并三唑、乙基苯并三唑、萘并三唑或該等之任意組合。
(4)矽烷偶合劑處理
依期望，亦可對粗化處理後之銅箔施以矽烷偶合劑處理，形成矽烷偶合劑層。藉此可提高耐濕性、耐藥品性及與接著劑等之密著性等。矽烷偶合劑層可藉由將矽烷偶合劑適當稀釋並塗佈、乾燥而形成。矽烷偶合劑之例舉例為4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷等之環氧官能性矽烷偶合劑、或3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-2(胺基乙基)3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等之胺基官能性矽烷偶合劑，或3-巰基丙基三甲氧基矽烷等之巰官能性矽烷偶合劑或乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷等之烯烴官能性矽烷偶合劑，或3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷等之丙烯基官能性矽烷偶合劑，或咪唑矽烷等之咪唑官能性矽烷偶合劑，或三嗪矽烷等之三嗪官能性矽烷偶合劑等。
又，亦可進行如上述之防銹處理與如上述之 矽烷偶合劑處理之兩者。
覆銅層壓板
本發明之粗化處理銅箔較好使用於印刷配線板用覆銅層壓板之製作。亦即，依據本發明之較佳樣態，提供具備上述粗化處理銅箔之覆銅層壓板或使用上述粗化處理銅箔所得之覆銅層壓板。該覆銅層壓板具備本發明之粗化處理銅箔與密著於該粗化處理銅箔之粗化處理面而設之樹脂層。粗化處理銅箔可設於該樹脂層之單面，亦可設於兩面。樹脂層包含樹脂較好為絕緣性樹脂。樹脂層較好為預浸片及/或樹脂薄片。預浸片係於合成樹脂板、玻璃板、玻璃織布、玻璃不織布、紙等之基材中含浸合成樹脂而成之複合材料之總稱。作為絕緣性樹脂之較佳例舉例為環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)、聚苯醚樹脂、酚樹脂等。又，作為構成樹脂薄片之絕緣性樹脂之例，舉例為環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂等之絕緣樹脂。又，基於提高絕緣性之觀點，樹脂層中亦可含有由氧化矽、氧化鋁等各種無機粒子所成之填充劑粒子等。樹脂層之厚度並未特別限制，但較好為1~1000μm，更好為2~400μm，又更好為3~200μm。樹脂層可以複數層構成，亦可介隔預先塗佈於銅箔表面之底塗樹脂層將預浸片及/或樹脂薄片等之樹脂層設於粗化處理銅箔上。
印刷配線板
本發明之粗化處理銅箔較好使用於印刷配線板之製作。亦即，依據本發明之較佳樣態，提供具備上述粗化處理銅箔之印刷配線板，或使用上述粗化處理銅箔所得之印刷配線板。本實施形態之印刷配線板包含依序層合樹脂層與銅層而成之層構成。又，針對樹脂層係如關於覆銅層壓板相關之上述。總之，印刷配線板可採用習知之層構成。關於印刷配線板之具體例舉例為於預浸片之單面或兩面上接著本發明之粗化處理銅箔並硬化作成層壓體後，形成電路之單面或兩面印刷配線板，或使該等多層化之多層印刷配線板等。又，作為其他具體例，亦舉例為於樹脂薄膜上形成本發明之粗化處理銅箔而形成電路之可撓性印刷配線板、COF、TAB膠帶等。進而其他具體例，舉例為於本發明之粗化處理銅箔上塗佈上述樹脂層而形成附樹脂之銅箔(RCC)，將樹脂層作為絕緣接著材層層合於上述印刷基板後，將粗化處理銅箔作為配線層之全部或一部分之改良半添加(MSAP)法、減去法等之方法形成電路之增層配線板、或去除粗化處理銅箔之半添加(SAP)法形成電路之增層配線板、於半導體積體電路上交互重複附樹脂之銅箔之層合與電路形成之晶圓上直接增層(direct buildup on wafer)等。
[實施例]
藉由以下例更具體說明本發明。
例1~10
如以下進行本發明之粗化處理銅箔之製作。
(1)電解銅箔之製作
作為銅電解液係使用以下所示組成之硫酸酸性硫酸銅溶液，陰極使用鈦製之旋轉電極，陽極使用DSA(尺寸安定性陽極)，以溶液溫度45℃，電流密度55A/dm2進行電解，獲得厚12μm之電解銅箔。以後述方法測定該電解銅箔之析出面及電極面之最大高度Sz後，析出面之Sz為0.8μm，電極面之Sz為1.2μm。
<硫酸酸性硫酸銅溶液之組成>
-銅濃度：80g/L
-硫酸濃度：260g/L
-雙(3-磺基丙基)二硫化物濃度：30mg/L
-氯化二烯丙基二甲基銨聚合物濃度：50mg/L
-氯濃度：40mg/L
(2)粗化處理(氧化還原處理)
對於上述獲得之電解銅箔之電極面側(例1~5)或析出面側(例6~10)藉以下所示之3階段製程進行粗化處理(氧化還原處理)。亦即，依序進行以下所示之預處理、氧化處理及還原處理。
<預處理>
將上述(1)所得之電解銅箔於NaOH濃度50g/L之氫氧化鈉水溶液中以液溫40℃浸漬1分鐘，進行鹼脫脂處理後，水洗。施以該鹼脫脂處理之電解銅箔於硫酸濃度為5質量%之硫酸系水溶液中浸漬1分鐘後，水洗。
<氧化處理>
對施以上述預處理之電解銅箔進行氧化處理。該氧化處理係將該電解銅箔於液溫70℃、pH=12、亞氯酸濃度為150g/L、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷濃度為10g/L之氫氧化鈉溶液中，浸漬表1所示之時間而進行。如此，於電解銅箔之兩面上，形成由以氧化銅為主成分之銅複合化合物所成之針狀結晶及/或板狀結晶構成之微細凹凸。
<還原處理>
對於施以上述氧化處理之試料進行還原處理。該還原處理係於藉由上述氧化處理形成微細凹凸之電解銅箔之電極面側或析出面側，使用碳酸鈉與氫氧化鈉調整為pH=12之二甲胺基硼烷濃度為20g/L之水溶液，以淋洗10秒而進行。此時之水溶液溫度設為室溫。如此進行還原處理之試料進行水洗、乾燥。藉由該等步驟，將電解銅箔之一面側之氧化銅之一部分還原成氧化亞銅，作成具有由含有氧 化銅及氧化亞銅之銅複合化合物所成之微細凹凸之粗化處理面。如此獲得於至少一面側具有以針狀結晶及/或板狀結晶構成之微細凹凸之粗化處理面之粗化處理銅箔。
例11(比較)
還原處理中之水溶液附著，代替使用淋洗，而藉由將施以氧化處理之試料浸漬於水溶液中而進行以外，與例2同樣，進行粗化處理銅箔之製作。
例12及13(比較)
對與例1之(1)同樣獲得之電解銅箔之析出面側(例12)或電極面側(例13)進行與例1之(2)同樣之預處理後，藉由施以以下所示之以往之氧化處理及還原處理(氧化還原處理)，進行粗化處理銅箔之製作。
<氧化處理>
對於上述電解銅箔進行氧化處理。該氧化處理係將上述電解銅箔於羅門哈斯電子材料股份有限公司製之氧化處理液的含有10vol%「PRO BOND 80A OXIDE SOLUTION」及20vol%之「PRO BOND 80B OXIDE SOLUTION」之液溫85℃之水溶液中浸漬5分鐘而進行。
<還原處理>
對施以上述氧化處理之電解銅箔進行還原處理。該還 原處理係將上述施以氧化處理之電解銅箔以羅門哈斯電子材料股份有限公司製之還原處理液的含有6.7vol%「CIRCUPOSIT PB OXIDE CONVERTER 60C」及1.5vol%之「CUPOSITZ」之液溫35℃之水溶液淋洗10秒而進行。如此進行還原處理之試料經水洗、乾燥。
例14及15(比較)
還原處理係代替使用淋洗，而將施以氧化處理之試料於水溶液中浸漬5分鐘而進行以外，與例12(例14之情況)或例13(例15之情況)同樣進行粗化處理銅箔之製作。
評價
針對例1~15製作之粗化處理銅箔，進行以下所示之各種評價。
<最大高度Sz>
使用雷射顯微鏡(KYENCE股份有限公司製，VK-X100)藉由表面性狀解析，依據ISO25178進行粗化處理銅箔之粗化處理面之最大高度Sz之測定。具體而言，以雷射法測定粗化處理銅箔之粗化處理面之面積22500μm2之二次元區域之表面輪廓。對同一樣品測定3處時之平均值採用作為最大高度Sz之值。前述各例中之粗化處理前之電解銅箔之析出面或電極面之最大高度Sz之測定亦以 上述同樣順序進行。
<山頂點之算術平均曲度Spc>
使用雷射顯微鏡(KYENCE股份有限公司製，VK-X100)藉由表面性狀解析，依據ISO25178進行粗化處理銅箔之粗化處理面之山頂點之算術平均曲度Spc之測定。具體而言，以雷射法測定粗化處理銅箔之粗化處理面之面積100μm2之二次元區域之表面輪廓。對同一樣品測定10處時之平均值採用作為山頂點之算術平均曲度Spc。
<耐擦性-摩擦試驗前後之亮度差△L>
為了評價粗化處理銅箔之耐擦性，而測定摩擦試驗前後之粗化處理銅箔之粗化處理面之(L*a*b*表色系之)亮度L*之變化(△L)。亮度L*之測定係使用分光色差計(日本電色工業股份有限公司製，SE2000)，依據JIS Z8722：2000進行。此時，亮度校正係使用測定裝置附屬之白色板。該測定對同一部位進行3次，採用3次之測定值之平均值作為該粗化處理銅箔之亮度L*之值。其次，作為摩擦試驗，係將所製作之粗化處理銅箔複數片層合，自所得層壓體上邊施加5kgf/cm2之荷重，邊拉取位於層壓體內部之1片粗化處理銅箔。拉取之粗化處理銅箔之粗化處理面之亮度L*與上述同樣進行測定。如此所得之摩擦試驗前後之亮度L*之差(△L)作為耐擦性之評價指標。具體而言，摩擦試驗前後之亮度差△L為10以下者判定為 「良好」，超過10者判定為「差」。
<與樹脂之密著性-擦拭試驗後之剝離強度>
作為絕緣樹脂基材，準備2片預浸片(PANASONIC股份有限公司製，MEGTRON4，厚100μm)，並重疊。對該重疊之預浸片，將進行上述摩擦試驗之粗化處理銅箔(邊施加荷重，邊自層壓體拉取者)以其粗化處理面抵接於預浸片之方式層合，使用真空加壓機，以加壓力2.9MPa、溫度200℃、加壓時間90分鐘之條件製作覆銅層壓板。其次，對該覆銅層壓板藉由蝕刻法製作具備3.0mm寬之剝離強度試驗用直線電路之試驗基板。如此形成之直線電路依據JIS C6481-1996自絕緣樹脂基板剝離，測定剝離強度(kgf/cm)。
結果
例1~15所得之評價結果如表1所示。如表1所示，滿足本發明條件之例1~10所製作之粗化處理銅箔係耐擦性及摩擦試驗後與樹脂之密著性兩者優異者。

Claims (7)

  1. 一種粗化處理銅箔，其係於至少一側具有具備以針狀結晶及/或板狀結晶構成之微細凹凸之粗化處理面，前述粗化處理面之依據ISO25178測定之最大高度Sz為1.5μm以下，且依據ISO25178測定之山頂點之算術平均曲度Spc為1300mm-1以下。
  2. 如請求項1之粗化處理銅箔，其中前述針狀結晶及/或板狀結晶之高度為50~400nm。
  3. 如請求項1之粗化處理銅箔，其中前述最大高度Sz為0.2~1.0μm。
  4. 如請求項1之粗化處理銅箔，其中前述山頂點之算術平均曲度Spc為200~1000mm-1。
  5. 如請求項1之粗化處理銅箔，其中前述微細凹凸係經過氧化還原處理而形成者。
  6. 一種覆銅層壓板，其具備如請求項1~5中任一項之粗化處理銅箔。
  7. 一種印刷配線板，其具備如請求項1~5中任一項之粗化處理銅箔。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI734976B (zh) * 2018-04-25 2021-08-01 日商古河電氣工業股份有限公司 表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷線路板
TWI772109B (zh) * 2020-07-16 2022-07-21 日商三井金屬鑛業股份有限公司 覆銅層壓板及印刷配線板

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6945523B2 (ja) * 2016-04-14 2021-10-06 三井金属鉱業株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、並びにそれらを用いた銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
KR102136794B1 (ko) 2017-03-09 2020-07-22 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 우수한 밀착력을 갖는 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
CN111836716B (zh) * 2018-03-30 2023-02-24 三井金属矿业株式会社 覆铜层叠板
EP3567993B1 (en) * 2018-05-08 2022-02-23 Atotech Deutschland GmbH & Co. KG A method for increasing adhesion strength between a surface of copper or copper alloy and an organic layer, and acidic aqueous non-etching protector solution
JP6985745B2 (ja) * 2018-06-20 2021-12-22 ナミックス株式会社 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
EP3813104B1 (en) 2018-06-22 2023-08-16 Sekisui Polymatech Co., Ltd. Thermally conductive sheet
CN112424399B (zh) * 2018-08-10 2023-07-25 三井金属矿业株式会社 粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
EP3860321A4 (en) 2018-09-26 2022-06-29 Sekisui Polymatech Co., Ltd. Heat conductive sheet
JP6805217B2 (ja) * 2018-10-18 2020-12-23 Ｊｘ金属株式会社 導電性材料、成型品及び電子部品
US10581081B1 (en) * 2019-02-01 2020-03-03 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery
WO2020194899A1 (ja) * 2019-03-22 2020-10-01 株式会社Moldino 被覆切削工具
JP7456578B2 (ja) * 2019-05-09 2024-03-27 ナミックス株式会社 銅表面の加工装置
JP7328671B2 (ja) * 2019-05-09 2023-08-17 ナミックス株式会社 積層体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3977790B2 (ja) * 2003-09-01 2007-09-19 古河サーキットフォイル株式会社 キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板
JP4704025B2 (ja) * 2004-12-21 2011-06-15 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 高周波回路用粗化処理圧延銅箔及びその製造方法
WO2010110092A1 (ja) * 2009-03-27 2010-09-30 日鉱金属株式会社 プリント配線板用銅箔及びその製造方法
JP5297546B1 (ja) * 2012-04-23 2013-09-25 三井金属鉱業株式会社 電極箔及び電子デバイス
MY176308A (en) * 2012-11-26 2020-07-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface-treated electrolytic copper foil, laminate, printed circuit board and electronic device
CN105102678B (zh) * 2013-02-14 2018-06-12 三井金属矿业株式会社 表面处理铜箔及用表面处理铜箔得到的覆铜层压板
CN105408525B (zh) * 2013-07-23 2019-03-08 Jx日矿日石金属株式会社 表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、树脂基材、印刷配线板、覆铜积层板及印刷配线板的制造方法
JP6166614B2 (ja) * 2013-07-23 2017-07-19 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
JP6283664B2 (ja) * 2013-09-20 2018-02-21 三井金属鉱業株式会社 銅箔、キャリア箔付銅箔及び銅張積層板
JP2015134953A (ja) * 2014-01-17 2015-07-27 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI734976B (zh) * 2018-04-25 2021-08-01 日商古河電氣工業股份有限公司 表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷線路板
TWI772109B (zh) * 2020-07-16 2022-07-21 日商三井金屬鑛業股份有限公司 覆銅層壓板及印刷配線板

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Publication number Publication date
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CN107923047B (zh) 2020-05-01
KR20180036693A (ko) 2018-04-09
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