JP6805217B2 - 導電性材料、成型品及び電子部品 - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 99
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 110
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 60
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TXRHHNYLWVQULI-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O TXRHHNYLWVQULI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 235000011962 puddings Nutrition 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- WIEZTXFTOIBIOC-UHFFFAOYSA-L azane;dichloropalladium Chemical compound N.N.Cl[Pd]Cl WIEZTXFTOIBIOC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L nickel chloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].[Cl-].[Ni+2] LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000001508 potassium citrate Substances 0.000 description 1
- 229960002635 potassium citrate Drugs 0.000 description 1
- QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K potassium citrate (anhydrous) Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000011082 potassium citrates Nutrition 0.000 description 1
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- NRTDAKURTMLAFN-UHFFFAOYSA-N potassium;gold(3+);tetracyanide Chemical compound [K+].[Au+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] NRTDAKURTMLAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
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- C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
- C25D5/617—Crystalline layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C21/00—Alloys based on aluminium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
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- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/08—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing nickel
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- C22C—ALLOYS
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- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
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Description
本発明は、導電性材料、成型品及び電子部品に関する。
近年、金属と樹脂との密着性の改善要望が増加している。例えば、リードフレーム、バズバーモジュール等のような金属製の電子部品を衝撃、温度、湿度等の要因から守るために、当該電子部品の表面を樹脂で固める樹脂成型、樹脂封止、または、モールド成型等を施すことがある。このような場合、使用中に樹脂が剥離しないように当該電子部品の金属表面と樹脂とが優れた密着力で密着されている必要がある。特に、車載向けについては過酷な環境下にあるエンジンルーム周りでの電子化が進むことで、より一層の密着性の向上が求められている。
金属と樹脂との密着性の向上を図った公知技術として特許文献１〜３には、樹脂封止型半導体装置におけるリードフレームとモールド樹脂との密着性を高めるために、リードフレームのメッキ表面を粗化する技術が提案されている。
また、最近の公知技術として特許文献４には、金属と樹脂との密着性の向上を図るために比表面積及び表層の酸化膜厚に着目した技術が提案されている。
従来、高温高湿試験において例えばＪＥＤＥＣ−ＬＥＶＥＬ１等をクリアすることが求められてきたが、近年では自動車の電子化等によって、さらに過酷な環境下、例えばヒートサイクル試験等において耐久性を有することが要求されており、従来の技術では必ずしも特性が十分とはいえない状況が散見されている。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、過酷な環境下においても優れた樹脂密着性を示す導電性材料を提供する。
本発明者らは、鋭意検討の結果、樹脂を成型するまたは樹脂で封止する表面を金属で構成し、当該表面を所定の形態に制御することで、当該課題を解決し得る導電性材料が得られることを見出した。
以上の知見を基礎として完成した本発明は一実施形態において、表面に樹脂を成型する、または、表面を樹脂で封止する導電性材料であって、
前記表面が金属で構成され、下記（１）及び（２）の条件を満たす導電性材料である。
（１）算術平均面粗さ高さＳａが０．２５〜０．４μｍ、
（２）山頂点の算術平均曲Ｓｐｃが３．０５万〜６万（１／ｍｍ）。
前記表面が金属で構成され、下記（１）及び（２）の条件を満たす導電性材料である。
（１）算術平均面粗さ高さＳａが０．２５〜０．４μｍ、
（２）山頂点の算術平均曲Ｓｐｃが３．０５万〜６万（１／ｍｍ）。
本発明の導電性材料は更に別の一実施形態において、前記表面の最大面粗さ高さＳｚが３．５〜６．５μｍである。
本発明の導電性材料は更に別の一実施形態において、前記導電性材料が基材と前記基材上に形成されためっき層とを含み、前記表面が前記めっき層である。
本発明の導電性材料は更に別の一実施形態において、前記基材が、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄及び鉄合金のいずれかで構成されている。
本発明の導電性材料は更に別の一実施形態において、前記めっき層が１種以上のめっき層で構成されている。
本発明の導電性材料は更に別の一実施形態において、前記めっき層は前記基材上に形成された第１めっき層を有し、前記第１めっき層が銅、銅合金、ニッケル及びニッケル合金のいずれかで構成されている。
本発明の導電性材料は更に別の一実施形態において、前記めっき層は前記第１めっき層上に形成された第２めっき層を有し、前記第２めっき層がパラジウム、パラジウム合金、金及び金合金のいずれかで構成されている。
本発明の導電性材料は更に別の一実施形態において、前記１種以上のめっき層で構成された前記めっき層の厚みの総和が１〜７μｍである。
本発明の導電性材料は更に別の一実施形態において、前記（１）及び（２）の条件を満たす表面を部分的に有する。
本発明は更に別の一実施形態において、前記表面に樹脂が成型された、または、前記表面が樹脂で封止された本発明の導電性材料を備えた成型品である。
本発明は更に別の一実施形態において、本発明の導電性材料を備えた電子部品である。
本発明によれば、過酷な環境下においても優れた樹脂密着性を示す導電性材料を提供することができる。
＜導電性材料＞
本発明の実施形態に係る導電性材料は、表面に樹脂を成型する、または、表面を樹脂で封止する導電性材料であって、表面が金属で構成され、下記（１）及び（２）の条件を満たす。
（１）算術平均面粗さ高さＳａが０．２５〜０．４μｍ、
（２）山頂点の算術平均曲Ｓｐｃが３万〜６万（１／ｍｍ）。
本発明の実施形態に係る導電性材料は、表面に樹脂を成型する、または、表面を樹脂で封止する導電性材料であって、表面が金属で構成され、下記（１）及び（２）の条件を満たす。
（１）算術平均面粗さ高さＳａが０．２５〜０．４μｍ、
（２）山頂点の算術平均曲Ｓｐｃが３万〜６万（１／ｍｍ）。
従来、金属と樹脂との密着性について、金属の線粗さ（Ｒｚ，Ｒａ）を制御していたものの、より過酷な環境下で使用される電子部品での樹脂との密着性を制御するパラメータとしては不十分である。これに対し、詳細は後述するが、本発明では面における粗さとして、国際標準化機構ＩＳＯ２５１７８−２：２０１２に規定されるＳａ、Ｓｐｃを導入することにより、従来よりも良好に樹脂との密着性を制御することができるようになった。
本発明の実施形態に係る導電性材料は少なくとも表面が金属で構成されていればよいため、詳細は後述するが、１種類の金属材料で形成してもよく、基材と表面の金属層とに分けて形成してもよい。
本発明の実施形態に係る導電性材料の表面の算術平均面粗さ高さＳａは０．２５〜０．４μｍに制御されている。導電性材料の表面のＳａが０．２５μｍ未満であると表面の粗化不足によりアンカー効果が不十分となって、樹脂との密着性が低下する。導電性材料の表面のＳａが０．４μｍ超であると、導電性材料の表面の粗化されて生じた先端部分が破断しやすくなる。導電性材料の表面のＳａは、０．２７〜０．３８μｍであるのが好ましく、０．３〜０．３５μｍであるのがより好ましい。
本発明の実施形態に係る導電性材料の金属表面と樹脂とが密着するとき、樹脂の方が金属より熱膨張係数が大きいため、樹脂の熱膨張を金属アンカーによって抑制する必要がある。本発明では当該樹脂との熱膨張係数差の問題に対し、導電性材料の表面の山頂点の算術平均曲Ｓｐｃが３万〜６万（１／ｍｍ）に制御されている。なお、Ｓｐｃは、表面の山頂点の主曲率の平均の逆数を表す。つまり、山頂が鋭くなるほど、Ｓｐｃは大きくなる。導電性材料の表面の山頂点の算術平均曲Ｓｐｃが３万（１／ｍｍ）未満であると、当該アンカー効果が不十分となり、熱膨張係数差に負けて、樹脂との剥離が生じるおそれがある。また、導電性材料の表面のＳｐｃは大きすぎると、先端が鋭くなりすぎて折れやすくなり、却って密着強度が低下するおそれが生じる場合がある。このような観点から、導電性材料の表面のＳｐｃは、前記Ｓａとの組合せで効果を発揮するため特に上限は設けないが、６万（１／ｍｍ）以下であるのが好ましい。また、導電性材料の表面のＳｐｃは、３．４万〜５．５万（１／ｍｍ）であるのが好ましく、４万〜５．５万（１／ｍｍ）であるのがより好ましい。
本発明の実施形態に係る導電性材料の表面の最大面粗さ高さＳｚ（ＩＳＯ２５１７８−２：２０１２）は３．５〜６．５μｍであるのが好ましい。導電性材料の表面のＳｚが３．５μｍ未満であると表面の粗化不足によりアンカー効果が不十分となって、樹脂との密着性が低下する。導電性材料の表面のＳｚが６．５μｍ超であると、導電性材料の表面の高低間の隙間に樹脂が入り込みにくくなるおそれがある。導電性材料の表面のＳａは、３．７〜６．０μｍであるのが好ましく、４．５〜５．０μｍであるのがより好ましい。
本発明の実施形態に係る導電性材料は、表面が少なくとも金属であればよく、特に限定されないが、以下の３パターンの形態（実施形態１〜３）を含む。
・導電性材料の構成に係る実施形態１
図１は、本発明の実施形態１に係る導電性材料１０の構成を示す断面模式図である。導電性材料１０は金属材料で構成されており、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面１１を有する。図１の点線枠１２部分の拡大図が右図に示されている。なお図１の右図は導電性材料１０の粗化表面の一例を示すものであり、このような形状の粗化表面に限定されるものではない。このような構成によれば、導電性材料を構成する材料が１種類の金属材料であるため、製造効率または製造コストが良好となる。導電性材料１０の金属材料としては、例えば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、パラジウム、パラジウム合金、金及び金合金のいずれかで構成することができる。また、金属と樹脂とでは、樹脂の方が熱膨張係数が大きい。このとき、樹脂に密着する金属（導電性材料１０の金属材料）の熱伝導率が高ければ、樹脂に籠っている熱を効率的に逃がすことができる。その結果、樹脂の熱膨張を抑えることができる。このような観点から、導電性材料１０の金属材料の熱伝導率に比例する導電率は、１０％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。
図１は、本発明の実施形態１に係る導電性材料１０の構成を示す断面模式図である。導電性材料１０は金属材料で構成されており、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面１１を有する。図１の点線枠１２部分の拡大図が右図に示されている。なお図１の右図は導電性材料１０の粗化表面の一例を示すものであり、このような形状の粗化表面に限定されるものではない。このような構成によれば、導電性材料を構成する材料が１種類の金属材料であるため、製造効率または製造コストが良好となる。導電性材料１０の金属材料としては、例えば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、パラジウム、パラジウム合金、金及び金合金のいずれかで構成することができる。また、金属と樹脂とでは、樹脂の方が熱膨張係数が大きい。このとき、樹脂に密着する金属（導電性材料１０の金属材料）の熱伝導率が高ければ、樹脂に籠っている熱を効率的に逃がすことができる。その結果、樹脂の熱膨張を抑えることができる。このような観点から、導電性材料１０の金属材料の熱伝導率に比例する導電率は、１０％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。
導電性材料１０は、所定の金属材料を準備し、当該金属材料の表面に、エッチング処理、ブラスト処理、または、凹凸面を有する圧延ロールによる転写処理を施すことで、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面１１を形成することができる。エッチング処理としては、例えば、メック株式会社製 ＣＺ８１０１（製品名）や三菱ガス化学株式会社製 ＣＰＥ９００（製品名）、さらにメック株式会社製 ＮＲ１８７０（製品名）など、各社より市販されているエッチング液を使用して所定の形状に制御することができる。なおエッチング方法としては、浸漬式、スプレー式、電解式など、さまざまな手法を採用することができる。
・導電性材料の構成に係る実施形態２
図２は、本発明の実施形態２に係る導電性材料２０の構成を示す断面模式図である。導電性材料２０は、基材２２と基材２２上に形成されためっき層２３とを含み、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面２１がめっき層２３である。図２の点線枠２４部分の拡大図が右図に示されている。なお図２の右図は導電性材料２０の粗化表面の一例を示すものであり、このような形状の粗化表面に限定されるものではない。このような構成によれば、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面をめっき層で制御することができ、当該表面（表層、すなわちめっき層）の厚みを容易に制御することができる。
図２は、本発明の実施形態２に係る導電性材料２０の構成を示す断面模式図である。導電性材料２０は、基材２２と基材２２上に形成されためっき層２３とを含み、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面２１がめっき層２３である。図２の点線枠２４部分の拡大図が右図に示されている。なお図２の右図は導電性材料２０の粗化表面の一例を示すものであり、このような形状の粗化表面に限定されるものではない。このような構成によれば、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面をめっき層で制御することができ、当該表面（表層、すなわちめっき層）の厚みを容易に制御することができる。
基材２２は樹脂で構成されていてもよく、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄及び鉄合金のいずれかの金属で構成されていてもよい。また、基材２２がめっき層２３の金属と同種類の金属で構成されていてもよい。めっき層２３は銅、銅合金、ニッケル及びニッケル合金のいずれかで構成されていてもよい。また、樹脂に間接的に密着する金属（導電性材料２０の基材２２）の熱伝導率が高ければ、樹脂に籠っている熱を効率的に逃がすことができる。その結果、樹脂の熱膨張を抑えることができる。このような観点から、導電性材料２０の基材２２の熱伝導率に比例する導電率は、１０％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。
導電性材料２０は、所定の材料で形成された基材２２を準備し、当該基材２２上に所定のめっき条件でめっき層２３を形成する。このとき、めっき浴の組成、めっき温度、電流密度、めっき厚等のめっき条件を制御することで、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面２１を形成することができる。
・導電性材料の構成に係る実施形態３
図３は、本発明の実施形態３に係る導電性材料３０の構成を示す断面模式図である。導電性材料３０は、基材３２と２種のめっき層（第１めっき層３３、第２めっき層３４）とで構成されている。第１めっき層３３は基材３２上に形成され、第２めっき層３４は第１めっき層３３上に形成されており、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面３１が第２めっき層３４である。図３の点線枠３５部分の拡大図が右図に示されている。なお図３の右図は導電性材料３０の粗化表面の一例を示すものであり、このような形状の粗化表面に限定されるものではない。このような構成によれば、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面をめっき層で制御することができ、当該表面（表層、すなわちめっき層）の厚みを容易に制御することができる。また、複層のめっき層を良好なコスト及び効率で製造することができる。
図３は、本発明の実施形態３に係る導電性材料３０の構成を示す断面模式図である。導電性材料３０は、基材３２と２種のめっき層（第１めっき層３３、第２めっき層３４）とで構成されている。第１めっき層３３は基材３２上に形成され、第２めっき層３４は第１めっき層３３上に形成されており、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面３１が第２めっき層３４である。図３の点線枠３５部分の拡大図が右図に示されている。なお図３の右図は導電性材料３０の粗化表面の一例を示すものであり、このような形状の粗化表面に限定されるものではない。このような構成によれば、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面をめっき層で制御することができ、当該表面（表層、すなわちめっき層）の厚みを容易に制御することができる。また、複層のめっき層を良好なコスト及び効率で製造することができる。
基材３２は樹脂で構成されていてもよく、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄及び鉄合金のいずれかの金属で構成されていてもよい。また、基材３２が第１めっき層３３の金属と同種類の金属で構成されていてもよい。第１めっき層３３は銅、銅合金、ニッケル及びニッケル合金のいずれかで構成されていてもよい。第２めっき層はパラジウム、パラジウム合金、金及び金合金のいずれかで構成されていてもよい。導電性材料３０が例えばリードフレームの場合、第２めっき層の表面（導電性材料３０の最表面）をこのように貴金属めっきにすることによって、半田付け性を高め、且つ、低接触抵抗を実現できる。また、樹脂に間接的に密着する金属（導電性材料３０の基材３２）の熱伝導率が高ければ、樹脂に籠っている熱を効率的に逃がすことができる。その結果、樹脂の熱膨張を抑えることができる。このような観点から、導電性材料３０の基材３２の熱伝導率に比例する導電率は、１０％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。
導電性材料３０は、所定の材料で形成された基材３２を準備し、当該基材３２上に所定のめっき条件で第１めっき層３３を形成し、続いて第２めっき層３４を形成する。このとき、めっき浴の組成、めっき温度、電流密度、めっき厚等のめっき条件を制御することで、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面３１を形成することができる。例えば、めっき浴の組成、めっき温度、電流密度、めっき厚等のめっき条件を制御することで上記（１）及び（２）の条件を満たす第１めっき層３３を形成し、このような第１めっき層３３上に薄い第２めっき層３４を形成する。これにより、第２めっき層３４の表面プロフィールは、第１めっき層３３の表面プロフィールと略等しくなる。このようにして、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面３１を形成してもよい。
めっき層は、実施形態２または３のように１層または２層で形成してもよく、３層または４層以上で形成してもよい。また、実施形態１〜３の導電性材料１０、２０、３０の最表面は、上記（１）及び（２）の条件を満たしている限り、リン酸エステル系の処理液等による処理を行うことで、めっきの酸化防止剤に係る機能を付与してもよい。また必要に応じて、めっきのピンホールによる腐食を抑制するための封孔処理を付与してもよい。
本発明の実施形態に係る導電性材料は、１種以上のめっき層で構成されためっき層の厚みの総和が１〜７μｍであるのが好ましい。めっき層の厚みの総和が１μｍ未満であると、表面の粗化の形状を十分に形成できず、また基材成分の拡散が進行しやすくなるおそれがある。めっき層の厚みの総和が７μｍ超であると、プレス加工時や曲げ加工時に導電性材料のめっき層にクラックが生じやすくなるおそれがある。
本発明の実施形態に係る導電性材料は、上記（１）及び（２）の条件を満たす表面を部分的に有してもよい。導電性材料の表面全体が上記（１）及び（２）の条件を満たす場合に対し、当該表面が部分的に設けられていることで、樹脂の密着が不要な部分については容易に樹脂を除去することができる。一例として、当該表面が部分的に設けられていることで、目的箇所から漏れた樹脂（バリ）を容易に除去することができる。また、上記（１）及び（２）の条件を満たすような粗化形状を有する表面は、ワイヤボンディング性が悪化するという特性を有するため、当該表面を部分的に設けることによって、ワイヤボンディング性の悪化を抑制できる。当該部分的に設けられた表面は、ストライプ状であってもよく、スポット状、さらにはリング状などであってもよい。
＜導電性材料の用途＞
本発明の実施形態に係る導電性材料の用途は特に限定しないが、樹脂との良好な密着性が必要な電子部品の材料として用いることができ、特に、衝撃、温度、湿度等の要因から守るために表面を樹脂で固める樹脂成型、樹脂封止、または、モールド成型等を施す電子部品の材料として用いることができる。当該電子部品としては例えば、リードフレーム、バズバーモジュール等のような金属製の電子部品が挙げられる。本発明の実施形態に係る導電性材料は、このような表面に樹脂成型、樹脂封止、または、モールド成型が施された成型品としても、導電性材料の表面と樹脂との密着性が非常に良好であるため、例えば車載向けのエンジンルーム周りという過酷な環境下で使用される電子部品の材料として用いた場合でも、良好な耐久性が期待できる。
本発明の実施形態に係る導電性材料の用途は特に限定しないが、樹脂との良好な密着性が必要な電子部品の材料として用いることができ、特に、衝撃、温度、湿度等の要因から守るために表面を樹脂で固める樹脂成型、樹脂封止、または、モールド成型等を施す電子部品の材料として用いることができる。当該電子部品としては例えば、リードフレーム、バズバーモジュール等のような金属製の電子部品が挙げられる。本発明の実施形態に係る導電性材料は、このような表面に樹脂成型、樹脂封止、または、モールド成型が施された成型品としても、導電性材料の表面と樹脂との密着性が非常に良好であるため、例えば車載向けのエンジンルーム周りという過酷な環境下で使用される電子部品の材料として用いた場合でも、良好な耐久性が期待できる。
以下、本発明の実施例と比較例を共に示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。
＜導電性材料の作製＞
実施例１〜１４、１７〜２１、従来例１、比較例１〜２として、表１に示すように基材の表面に表層めっきを形成した。また、実施例１５〜１６、従来例２として、表１に示すように基材表面に下地めっき及び表層めっきを形成し、導電性材料の試験片を作製した。各基材の面積は５０ｍｍ×５０ｍｍ、板厚は０．４ｍｍとした。なお、表１に示す基材の種類は以下の通りである。
Ｃ１１０００：９９．９％Ｃｕ
Ｃ１０２００：９９．９％Ｃｕ
Ｃ１９４００：Ｃｕ−２．２％Ｆｅ−０．１５％Ｚｎ−０．０３％Ｐ
Ｃ７０２５０：Ｃｕ−３％Ｎｉ−０．６５％Ｓｉ−０．１５％Ｍｇ
Ａ５０５２：Ａｌ−２．５Ｍｇ−０．４％Ｆｅ−０．２５％Ｓｉ−０．２５％Ｃｒ−０．１％Ｃｕ−０．１％Ｍｎ−０．１％Ｚｎ
４２アロイ：Ｆｅ−４２％Ｎｉ
実施例１〜１４、１７〜２１、従来例１、比較例１〜２として、表１に示すように基材の表面に表層めっきを形成した。また、実施例１５〜１６、従来例２として、表１に示すように基材表面に下地めっき及び表層めっきを形成し、導電性材料の試験片を作製した。各基材の面積は５０ｍｍ×５０ｍｍ、板厚は０．４ｍｍとした。なお、表１に示す基材の種類は以下の通りである。
Ｃ１１０００：９９．９％Ｃｕ
Ｃ１０２００：９９．９％Ｃｕ
Ｃ１９４００：Ｃｕ−２．２％Ｆｅ−０．１５％Ｚｎ−０．０３％Ｐ
Ｃ７０２５０：Ｃｕ−３％Ｎｉ−０．６５％Ｓｉ−０．１５％Ｍｇ
Ａ５０５２：Ａｌ−２．５Ｍｇ−０．４％Ｆｅ−０．２５％Ｓｉ−０．２５％Ｃｒ−０．１％Ｃｕ−０．１％Ｍｎ−０．１％Ｚｎ
４２アロイ：Ｆｅ−４２％Ｎｉ
各めっきを行う前の前処理条件としては、Ａ５０５２以外の各基材については、水酸化ナトリウムが５０ｇ／Ｌのアルカリ脱脂浴にてカソード電解脱脂を５Ａ／ｄｍ2で６０秒実施後、１０％硫酸およびフッ化アンモニウム５０ｇ／Ｌの酸洗溶液にて３０秒酸洗浄し、各めっき工程へ移行した。
またＡ５０５２においては、前記のアルカリ脱脂浴にてカソード電解脱脂を５Ａ／ｄｍ2で１０秒実施後、１０％硫酸およびフッ化アンモニウム５０ｇ／Ｌの酸洗溶液にて１０秒酸洗浄した後、水酸化ナトリウムを５０ｇ／Ｌ、酸化亜鉛を５ｇ／Ｌ、塩化第二鉄を２ｇ／Ｌ、ロッシェル塩を５０ｇ／Ｌをそれぞれ含有した亜鉛置換浴で、浴温２５℃、処理時間１０秒処理して亜鉛置換を実施し、もう一度前記の酸洗浄と亜鉛置換を繰り返して各めっき工程へ移行した。
各めっき処理は、電気めっきにて、めっき浴の組成、めっき液の温度、電流密度及びめっき時間を調製することで行った。表２に実施例１〜５でそれぞれ用いた電気めっき条件を示す。めっき浴成分は、Ｎｉメタル分１３０ｇ／Ｌ、ホウ酸２５ｇ／ＬでｐＨ３．３であった。ここで、Ｎｉメタル分は、Ｎｉ塩としてスルファミン酸ニッケル四水和物及び塩化Ｎｉで構成されている。より具体的には、スルファミン酸ニッケル四水和物：Ｎｉ（ＮＨ2ＳＯ3）2・４Ｈ2Ｏ＝２９４ｇ／Ｌ（約３００ｇ／Ｌ）、Ｎｉ量で５３．５ｇ／Ｌ、塩化ニッケル六水和物：ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ＝約３１０ｇ／Ｌ、Ｎｉ量で７６．５ｇ／Ｌである。
実施例６〜１４及び１７〜２０、従来例１、比較例１〜２の表層めっき、及び、実施例１５〜１６の下地めっき及び表層めっきは、上記実施例１〜５の表２で用いためっき条件に基づき、めっき浴の組成、めっき液の温度、電流密度及びめっき時間、さらに撹拌の程度をそれぞれ調整することで形成した。このとき、導電性材料の試験片の表面のＳａ、Ｓｐｃ、Ｓｚが所望の数値となるように、上記実施例１〜５の表２で用いためっき条件と後述の評価結果を参考にした。また、各めっき条件の調整は以下の知見に基づいて行った。
膜厚：膜厚が増加すると、結晶粒が膜厚方向に優先的に成長する（水平方向よりも膜厚方向への成長速度が速い）ため、Ｓａ、Ｓｚは大きくなる。一方、Ｓｐｃについては、結晶粒の成長により配向が強くなり、先端は鋭くなることから、大きくなる。
めっき液種類：めっき液中の塩素濃度、すなわち塩化Ｎｉ濃度を大きくすることで、結晶が尖りやすく、また表面の凹凸が大きく鋭くなるため、Ｓａ、Ｓｚ、Ｓｐｃがそれぞれ増大する。
めっき液温度：めっき浴の液温が高いと、結晶が等方的に成長し、結晶粒が大きくなりやすく、また先端も尖りやすくなるため、Ｓａ、Ｓｚ、Ｓｐｃはそれぞれ増加する。一方で、６０℃を超えると結晶粒粗大化が進行し、極大値を５５℃近辺でとってやがて低下する。
電流密度：電流密度が高くなると、核生成数が多くなるため、膜厚が薄い場合と厚い場合に分けて考えられる。概ね３μｍ前後で差があり、３μｍ以下であれば電流密度が高いとＳａ、Ｓｚは微細析出が優先となり小さくなる傾向にあり、また突起の数は多くなるが、微細析出が進むため曲率は小さくなる（つまり、Ｓｐｃは大きくなる）傾向にある。一方で、膜厚が厚いとＳａ、Ｓｚは上記膜厚上昇と同じ要因で増加し、Ｓｐｃについては結晶粒の成長により配向が強くなり、先端は鋭くなることから、大きくなる傾向にある。
なお、従来例２は、特許文献３の実施例に基づき、以下の条件で導電性材料の試験片を作製した。具体的には、従来例２のＮｉめっきは、硫酸ニッケルを２６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを５０ｇ／Ｌ、ホウ酸を３５ｇ／Ｌ、ｐＨ４．５、浴温５０℃、電流密度５Ａ／ｄｍ2、めっき時間２００秒の条件で作製した。
さらに実施例１５、１６および従来例２に記載のＡｕめっきについては、シアン化金カリウムを２０ｇ／Ｌ、クエン酸カリウムを５０ｇ／Ｌ、ｐＨ５、浴温６０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2で所定の膜厚になるようにめっき時間を調整し、またＰｄめっきにおいては、ジアンミンジクロロパラジウムをＰｄ成分として２０ｇ／Ｌ、塩化アンモニウムを７５ｇ／Ｌ、ｐＨ９、浴温４０℃、電流密度１．５Ａ／ｄｍ2で所定の膜厚になるようにめっき時間を調整して作製した。従来例２のめっき厚は１μｍとした。
なお、めっき厚の確認については、任意の５点について蛍光Ｘ線膜厚計（日立ハイテク社製 ＳＦＴ９５００）を使用し、コリメータ径０．２ｍｍ、各膜厚測定時間３０秒での平均値について算出した。
膜厚：膜厚が増加すると、結晶粒が膜厚方向に優先的に成長する（水平方向よりも膜厚方向への成長速度が速い）ため、Ｓａ、Ｓｚは大きくなる。一方、Ｓｐｃについては、結晶粒の成長により配向が強くなり、先端は鋭くなることから、大きくなる。
めっき液種類：めっき液中の塩素濃度、すなわち塩化Ｎｉ濃度を大きくすることで、結晶が尖りやすく、また表面の凹凸が大きく鋭くなるため、Ｓａ、Ｓｚ、Ｓｐｃがそれぞれ増大する。
めっき液温度：めっき浴の液温が高いと、結晶が等方的に成長し、結晶粒が大きくなりやすく、また先端も尖りやすくなるため、Ｓａ、Ｓｚ、Ｓｐｃはそれぞれ増加する。一方で、６０℃を超えると結晶粒粗大化が進行し、極大値を５５℃近辺でとってやがて低下する。
電流密度：電流密度が高くなると、核生成数が多くなるため、膜厚が薄い場合と厚い場合に分けて考えられる。概ね３μｍ前後で差があり、３μｍ以下であれば電流密度が高いとＳａ、Ｓｚは微細析出が優先となり小さくなる傾向にあり、また突起の数は多くなるが、微細析出が進むため曲率は小さくなる（つまり、Ｓｐｃは大きくなる）傾向にある。一方で、膜厚が厚いとＳａ、Ｓｚは上記膜厚上昇と同じ要因で増加し、Ｓｐｃについては結晶粒の成長により配向が強くなり、先端は鋭くなることから、大きくなる傾向にある。
なお、従来例２は、特許文献３の実施例に基づき、以下の条件で導電性材料の試験片を作製した。具体的には、従来例２のＮｉめっきは、硫酸ニッケルを２６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを５０ｇ／Ｌ、ホウ酸を３５ｇ／Ｌ、ｐＨ４．５、浴温５０℃、電流密度５Ａ／ｄｍ2、めっき時間２００秒の条件で作製した。
さらに実施例１５、１６および従来例２に記載のＡｕめっきについては、シアン化金カリウムを２０ｇ／Ｌ、クエン酸カリウムを５０ｇ／Ｌ、ｐＨ５、浴温６０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2で所定の膜厚になるようにめっき時間を調整し、またＰｄめっきにおいては、ジアンミンジクロロパラジウムをＰｄ成分として２０ｇ／Ｌ、塩化アンモニウムを７５ｇ／Ｌ、ｐＨ９、浴温４０℃、電流密度１．５Ａ／ｄｍ2で所定の膜厚になるようにめっき時間を調整して作製した。従来例２のめっき厚は１μｍとした。
なお、めっき厚の確認については、任意の５点について蛍光Ｘ線膜厚計（日立ハイテク社製 ＳＦＴ９５００）を使用し、コリメータ径０．２ｍｍ、各膜厚測定時間３０秒での平均値について算出した。
実施例２１については、実施例１と同じ条件で６μｍのＮｉめっきを行った後、Ｎｉめっき厚を５μｍとなるまで以下の条件にてエッチングした。
・エッチング条件
エッチング液：メック社製ＮＲ１８７０、エッチング液温：２５℃、エッチング時間：３０秒
・エッチング条件
エッチング液：メック社製ＮＲ１８７０、エッチング液温：２５℃、エッチング時間：３０秒
＜評価＞
・表面のＳａ、Ｓｐｃ、Ｓｚ
導電性材料の試験片の表面のＳａ、Ｓｐｃ、Ｓｚは、キーエンス社製レーザー顕微鏡（ＶＫ−Ｘ１５０）を使用し、観察倍率１０００倍、スポット径φ０．８ｍｍ、測定面積１００μｍ×１００μｍで測定した。５回の測定（Ｎ５）の平均値を算出し、導電性材料の試験片の表面のＳａ、Ｓｐｃ、Ｓｚの値とした。
・表面のＳａ、Ｓｐｃ、Ｓｚ
導電性材料の試験片の表面のＳａ、Ｓｐｃ、Ｓｚは、キーエンス社製レーザー顕微鏡（ＶＫ−Ｘ１５０）を使用し、観察倍率１０００倍、スポット径φ０．８ｍｍ、測定面積１００μｍ×１００μｍで測定した。５回の測定（Ｎ５）の平均値を算出し、導電性材料の試験片の表面のＳａ、Ｓｐｃ、Ｓｚの値とした。
・シェア強度（初期）
導電性材料の試験片の表面に樹脂成型したものをサンプルとして、プリンカップモールド試験にてシェア強度を測定した。試験条件は、樹脂：日立化成社製ＧＥ−７４７０ＬＡ樹脂、プリンカップ底面の面積：１０ｍｍ2、樹脂成型時間：１２０秒、モールドキュア：１７５℃で８時間とし、１０回のせん断力測定（Ｎ１０）の平均値を算出し、シェア強度（初期）とした。シェアはデイジ社製 ボンドテスター（Ｓｅｒｉｅｓ４０００）にて、シェア速度１００μｍ／秒にて測定した。評価基準は以下の通りとした。
◎：２０ｋｇ以上
〇：１５ｋｇ以上２０ｋｇ未満
×：１５ｋｇ未満
導電性材料の試験片の表面に樹脂成型したものをサンプルとして、プリンカップモールド試験にてシェア強度を測定した。試験条件は、樹脂：日立化成社製ＧＥ−７４７０ＬＡ樹脂、プリンカップ底面の面積：１０ｍｍ2、樹脂成型時間：１２０秒、モールドキュア：１７５℃で８時間とし、１０回のせん断力測定（Ｎ１０）の平均値を算出し、シェア強度（初期）とした。シェアはデイジ社製 ボンドテスター（Ｓｅｒｉｅｓ４０００）にて、シェア速度１００μｍ／秒にて測定した。評価基準は以下の通りとした。
◎：２０ｋｇ以上
〇：１５ｋｇ以上２０ｋｇ未満
×：１５ｋｇ未満
・シェア強度（高温高湿試験）
また、上記のように作製したサンプルを、温度８５℃、湿度８５％の環境下で１６８時間放置した後、上記シェア強度を同様に測定した。評価基準は以下の通りとした。
◎：剥離無し
〇：剥離率２０％未満
×：剥離率２０％以上
当該剥離率は、超音波探傷による画像から、導電性材料の表面と樹脂とがどのような割合で剥離しているのかを計算して評価した。
また、上記のように作製したサンプルを、温度８５℃、湿度８５％の環境下で１６８時間放置した後、上記シェア強度を同様に測定した。評価基準は以下の通りとした。
◎：剥離無し
〇：剥離率２０％未満
×：剥離率２０％以上
当該剥離率は、超音波探傷による画像から、導電性材料の表面と樹脂とがどのような割合で剥離しているのかを計算して評価した。
・シェア強度（ヒートサイクル試験）
さらに、上記のように作製したサンプルを、１２５℃で３０分間保持した後、−４０℃で３０分間保持することを１サイクルとして、これを５００サイクル連続で繰り返した。その後、上記シェア強度を同様に測定した。評価基準は以下の通りとした。
◎：剥離無し
〇：剥離率１０％未満
△：剥離率１０％以上２０％未満
×：剥離率２０％以上
当該剥離率は、超音波探傷による画像から、導電性材料の表面と樹脂とがどのような割合で剥離しているのかを計算して評価した。
上記試験条件及び評価結果を表１、２に示す。
さらに、上記のように作製したサンプルを、１２５℃で３０分間保持した後、−４０℃で３０分間保持することを１サイクルとして、これを５００サイクル連続で繰り返した。その後、上記シェア強度を同様に測定した。評価基準は以下の通りとした。
◎：剥離無し
〇：剥離率１０％未満
△：剥離率１０％以上２０％未満
×：剥離率２０％以上
当該剥離率は、超音波探傷による画像から、導電性材料の表面と樹脂とがどのような割合で剥離しているのかを計算して評価した。
上記試験条件及び評価結果を表１、２に示す。
実施例１〜２１は、いずれも導電性材料の表面が下記（１）及び（２）の条件を満たしたため、初期、高温高湿試験のいずれのシェア強度も非常に良好であり、ヒートサイクル試験のシェア強度は評価基準が△、〇、◎のいずれかであり、過酷な環境下においても優れた樹脂密着性を示すことがわかった。
（１）算術平均面粗さ高さＳａが０．２５〜０．４μｍ、
（２）山頂点の算術平均曲Ｓｐｃが３万〜６万（１／ｍｍ）
従来例１、２及び比較例１、２は、いずれも導電性材料の表面が上記（１）及び（２）の条件の少なくとも１つを満たさなかったため、少なくともヒートサイクル試験のシェア強度が不良であった。
（１）算術平均面粗さ高さＳａが０．２５〜０．４μｍ、
（２）山頂点の算術平均曲Ｓｐｃが３万〜６万（１／ｍｍ）
従来例１、２及び比較例１、２は、いずれも導電性材料の表面が上記（１）及び（２）の条件の少なくとも１つを満たさなかったため、少なくともヒートサイクル試験のシェア強度が不良であった。
１０、２０、３０ 導電性材料
１１、２１、３１ 表面
１２、２４、３５ 点線枠
２２、３２ 基材
２３ めっき層
３３ 第１めっき層
３４ 第２めっき層
１１、２１、３１ 表面
１２、２４、３５ 点線枠
２２、３２ 基材
２３ めっき層
３３ 第１めっき層
３４ 第２めっき層
Claims (11)
- 表面に樹脂を成型する、または、表面を樹脂で封止する導電性材料であって、
前記表面が金属で構成され、下記（１）及び（２）の条件を満たす導電性材料。
（１）算術平均面粗さ高さＳａが０．２５〜０．４μｍ、
（２）山頂点の算術平均曲Ｓｐｃが３．０５万〜６万（１／ｍｍ）。 - 前記表面の最大面粗さ高さＳｚが３．５〜６．５μｍである請求項１に記載の導電性材料。
- 前記導電性材料が基材と前記基材上に形成されためっき層とを含み、
前記表面が前記めっき層である請求項１または２に記載の導電性材料。 - 前記基材が、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄及び鉄合金のいずれかで構成された請求項３に記載の導電性材料。
- 前記めっき層が１種以上のめっき層で構成された請求項３または４に記載の導電性材料。
- 前記めっき層は前記基材上に形成された第１めっき層を有し、前記第１めっき層が銅、銅合金、ニッケル及びニッケル合金のいずれかで構成された請求項５に記載の導電性材料。
- 前記めっき層は前記第１めっき層上に形成された第２めっき層を有し、前記第２めっき層がパラジウム、パラジウム合金、金及び金合金のいずれかで構成された請求項６に記載の導電性材料。
- 前記１種以上のめっき層で構成された前記めっき層の厚みの総和が１〜７μｍである請求項５〜７のいずれか一項に記載の導電性材料。
- 前記（１）及び（２）の条件を満たす表面を部分的に有する請求項１〜８のいずれか一項に記載の導電性材料。
- 前記表面に樹脂が成型された、または、前記表面が樹脂で封止された請求項１〜９のいずれか一項に記載の導電性材料を備えた成型品。
- 請求項１〜９のいずれかに記載の導電性材料を備えた電子部品。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018196988A JP6805217B2 (ja) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | 導電性材料、成型品及び電子部品 |
| CN201980064776.0A CN112805413B (zh) | 2018-10-18 | 2019-07-18 | 导电性材料、成型品以及电子部件 |
| KR1020217010424A KR102497060B1 (ko) | 2018-10-18 | 2019-07-18 | 도전성 재료, 성형품 및 전자 부품 |
| PCT/JP2019/028333 WO2020079905A1 (ja) | 2018-10-18 | 2019-07-18 | 導電性材料、成型品及び電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018196988A JP6805217B2 (ja) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | 導電性材料、成型品及び電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020063493A JP2020063493A (ja) | 2020-04-23 |
| JP6805217B2 true JP6805217B2 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=70283861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018196988A Active JP6805217B2 (ja) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | 導電性材料、成型品及び電子部品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6805217B2 (ja) |
| KR (1) | KR102497060B1 (ja) |
| CN (1) | CN112805413B (ja) |
| WO (1) | WO2020079905A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102420220B1 (ko) * | 2020-05-29 | 2022-07-13 | 주식회사 포스코 | 연료전지 분리판용 스테인리스강 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3228789B2 (ja) | 1992-07-11 | 2001-11-12 | 新光電気工業株式会社 | 樹脂用インサート部材の製造方法 |
| JPH09148508A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Nippon Denkai Kk | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
| JPH1027873A (ja) | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Nippon Koujiyundo Kagaku Kk | 半導体装置用リードフレーム |
| JPH10265991A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-06 | Nikko Kinzoku Kk | 樹脂密着性に優れためっき材 |
| JP3916586B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2007-05-16 | 株式会社三井ハイテック | リードフレームのめっき方法 |
| JP2006093559A (ja) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | リードフレームおよびその製造方法 |
| JP5400447B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-01-29 | 三井金属鉱業株式会社 | 粗化処理銅箔、粗化処理銅箔の製造方法及び銅張積層板 |
| JP5614538B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-10-29 | アイテック株式会社 | 複合めっき被膜の形成方法 |
| JP5555146B2 (ja) * | 2010-12-01 | 2014-07-23 | 株式会社日立製作所 | 金属樹脂複合構造体及びその製造方法、並びにバスバ、モジュールケース及び樹脂製コネクタ部品 |
| JP2013111881A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Polyplastics Co | 金属部品の製造方法、及び複合成形体 |
| JP6171275B2 (ja) * | 2012-07-02 | 2017-08-02 | 大日本印刷株式会社 | 透明フィルム及びその製造方法 |
| US20150279824A1 (en) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Vijay K. Nair | Electronic package and method of forming an electronic package |
| JP5927637B1 (ja) * | 2015-06-19 | 2016-06-01 | Hoya株式会社 | プレス成形用ガラス素材、プレス成形用ガラス素材の製造方法、及び光学素子の製造方法 |
| WO2016208509A1 (ja) * | 2015-06-25 | 2016-12-29 | コニカミノルタ株式会社 | 成形型、光学素子、及び光学素子の製造方法 |
| KR102490491B1 (ko) * | 2015-07-29 | 2023-01-19 | 나믹스 코포레이션 | 조면화 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판 |
| JP6219553B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2017-10-25 | 古河電気工業株式会社 | 耐熱性に優れためっき材及びその製造方法 |
| JP2017055044A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム |
| WO2017077903A1 (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム材およびその製造方法 |
| WO2017179447A1 (ja) | 2016-04-12 | 2017-10-19 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム材およびその製造方法 |
| WO2018123708A1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム材およびその製造方法ならびに半導体パッケージ |
| WO2018124114A1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 古河電気工業株式会社 | 表面処理材およびこれを用いて作製した部品 |
-
2018
- 2018-10-18 JP JP2018196988A patent/JP6805217B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-18 KR KR1020217010424A patent/KR102497060B1/ko active IP Right Grant
- 2019-07-18 WO PCT/JP2019/028333 patent/WO2020079905A1/ja active Application Filing
- 2019-07-18 CN CN201980064776.0A patent/CN112805413B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112805413B (zh) | 2024-01-12 |
| CN112805413A (zh) | 2021-05-14 |
| KR102497060B1 (ko) | 2023-02-07 |
| KR20210056399A (ko) | 2021-05-18 |
| JP2020063493A (ja) | 2020-04-23 |
| WO2020079905A1 (ja) | 2020-04-23 |
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Legal Events
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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